KR20220116448A - 점착 시트 - Google Patents

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KR20220116448A
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KR1020227020242A
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슈사쿠 우에노
다카마사 히라야마
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

소형 전자 부품(예를 들어, 100㎛□ 이하 사이즈의 칩)을 양호하게 임시 고정하고, 또한 양호하게 박리시킬 수 있는 점착 시트를 제공한다. 본 발명의 점착 시트는, 가스 발생층과, 해당 가스 발생층의 편측에 배치된 적어도 1층의 점착제층을 구비하는 점착 시트이며, 해당 점착제층이, 해당 점착 시트에의 레이저광 조사에 의해, 변형하는 층이다. 1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 가스 발생층이 자외선 흡수 가능한 층이다.

Description

점착 시트
본 발명은 점착 시트에 관한 것이다.
종래, 전자 부품을 처리(가공)할 때에는, 처리 시에 점착 시트 상에 피처리체를 임시 고정하고, 처리 후에 있어서는, 당해 점착 시트로부터 피처리체를 박리한다고 하는 조작이 행해지는 경우가 있다. 이러한 조작에 사용되는 점착 시트로서는, 처리 시에는 소정의 점착력을 갖고, 처리 후에는 점착력이 저하될 수 있는 점착 시트가 사용되는 경우가 있다. 이러한 점착 시트 중 하나로서, 점착제층 중에 열팽창성 미소구를 함유시켜서 구성된 점착 시트가 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1). 열팽창성 미소구를 포함하는 점착 시트는, 소정의 점착력을 가지면서도, 가열에 의해 열팽창성 미소구를 팽창시킴으로써, 점착면에 요철을 형성해서 접촉 면적을 작게 함으로써 점착력이 저하 또는 소실된다고 하는 특징을 갖는다. 이러한 점착 시트는, 외적인 스트레스없이 용이하게 피처리체를 박리할 수 있다고 하는 이점을 갖는다.
그러나, 근년, 각종 디바이스의 경량화, 탑재수 증가의 경향에 수반하여, 전자 부품의 소형화가 진행되어, 상기 열팽창성 미소구와 동일 정도의 사이즈로까지 소형화된 전자 부품을 임시 고정할 필요성이 발생하고 있다. 소형화가 진행된 전자 부품을 임시 고정해서 처리하는 경우, 입경 변동에 기인해서 입경이 큰 열팽창성 미소구가 존재하는 개소, 열팽창성 미소구가 존재하지 않는 개소 등의 영향이 커져서, 당해 개소에 있어서, 양호한 박리를 행할 수 없는 경우가 있다.
일본특허공개 제2001-131507호 공보
본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 소형 전자 부품(예를 들어, 100㎛□ 이하 사이즈의 칩)을 양호하게 임시 고정하고, 또한 양호하게 박리시킬 수 있는 점착 시트를 제공하는 데 있다.
본 발명의 점착 시트는 가스 발생층과, 해당 가스 발생층의 편측에 배치된 적어도 1층의 점착제층을 구비하는 점착 시트이며, 해당 점착제층이, 해당 점착 시트에의 레이저광 조사에 의해, 그 표면이 변형하는 층이다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 가스 발생층이 자외선 흡수 가능한 층이다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 가스 발생층이 자외선 흡수제를 포함한다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 가스 발생층의 두께가 0.1㎛ 내지 50㎛이다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 가스 발생층이 탄화수소계 가스를 발생시키는 층이다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 가스 발생층의 가스화 개시 온도가 150℃ 내지 500℃이다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 가스 발생층의 나노인덴테이션법에 의한 탄성률 Er(gas)[단위: ㎫]과 두께 h(gas)[단위: ㎛]가, 하기 식 (1)을 충족한다.
Log(Er(gas)×106)≥8.01×h(gas)-0.116 … (1)
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제층의 두께가 0.1㎛ 내지 50㎛이다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착 시트에의 레이저광 조사에 의한 상기 점착제층 표면의 변형량이, 상기 점착제층의 수직 변위에서 0.6㎛ 이상이다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착 시트는, 파장 360㎚의 자외선 투과율이 30% 이하이다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착 시트는, 10% 중량 감소 온도가 200℃ 내지 500℃이다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착 시트는, 수증기 투과율이 5000g/(㎡·day) 이하이다.
본 발명의 다른 국면에 따르면, 전자 부품의 처리 방법이 제공된다. 이 전자 부품의 처리 방법은, 상기 점착 시트 상에 전자 부품을 접착하는 것, 및 해당 점착 시트에 레이저광을 조사해서 해당 점착 시트로부터 해당 전자 부품을 박리하는 것을 포함한다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 전자 부품의 박리가, 위치 선택적으로 행해진다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착 시트에 상기 전자 부품을 접착한 후, 해당 점착 시트로부터 해당 전자 부품을 박리하기 전에, 해당 전자 부품에 소정의 처리를 행하는 것을 포함한다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 처리가 그라인드 가공, 다이싱 가공, 다이 본딩, 와이어 본딩, 에칭, 증착, 몰딩, 회로 형성, 검사, 검품, 세정, 전사, 배열, 리페어 또는 디바이스 표면의 보호이다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 전자 부품의 처리 방법은, 상기 점착 시트로부터 상기 전자 부품을 박리한 후, 전자 부품을 다른 시트에 배치하는 것을 포함한다.
본 발명에 따르면, 소형 전자 부품(예를 들어, 100㎛□ 이하 사이즈의 칩)을 양호하게 임시 고정하고, 또한 양호하게 박리시킬 수 있는 점착 시트를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 1개의 실시 형태에 따른 점착 시트의 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 점착 시트의 개략 단면도이다.
도 3은 찌르기 강도의 측정 방법을 설명하는 개략도이다.
A. 점착 시트의 개요
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 점착 시트의 개략 단면도이다. 점착 시트(100)는 가스 발생층(10)과, 가스 발생층(10)의 편면에 배치된 적어도 1층의 점착제층(20)을 구비한다. 가스 발생층(10)은 레이저광 조사에 의해 가스를 발생한다. 보다 상세하게는, 가스 발생층(10)은 레이저광 조사에 의해 그 성분이 가스화함으로써, 가스를 발생시키는 층이다. 점착제층(20)은 점착 시트(실질적으로는 가스 발생층)에 레이저광을 조사함으로써, 그 표면이 변형할 수 있다. 1개의 실시 형태에 있어서는, 당해 변형은 가스 발생층(10)으로부터 발생하는 가스에 기인하고, 점착제층(20)의 가스 발생층(10)과는 반대측에 발생할 수 있다. 레이저광으로서는, 대표적으로는 UV 레이저광이 사용된다.
본 발명의 점착 시트는, 점착제층에 전자 부품 등의 피처리체를 접착해서 사용될 수 있다. 본 발명의 점착 시트는, 가스 발생층을 구비하고, 레이저광 조사에 의해 미소한 범위에서 부분적으로 가스를 발생시킨다. 상기한 바와 같이, 당해 가스 발생에 기인하여 점착제층에 변형이 발생하고, 그 결과, 레이저광이 조사된 부분에 있어서, 박리성이 발현한다. 대표적으로는, 레이저광은 가스 발생층의 점착제층과는 반대측으로부터 조사된다. 본 발명에 따르면, 상기와 같이 해서, 미소한 범위에서 변형을 발생시킬 수 있기 때문에, 극히 미세한 소형 전자 부품을 처리(가공)할 때에도 당해 소형 전자 부품을 양호하게 박리시킬 수 있다. 또한, 박리를 요하는 소형 전자 부품과, 박리를 요하지 않는 소형 전자 부품이 인접해서 임시 고정되어 있는 경우에도, 박리 대상의 개소에서 박리하고, 박리 대상 외의 개소에서는 박리하지 않는 것, 즉 박리를 요하는 소형 전자 부품만을 박리시킬 수 있고, 소형 전자 부품이 불필요한 탈리를 방지할 수도 있다. 점착제층의 변형을 양호하게 발생시키기 위해서, 상기 발생한 가스의 적어도 일부는, 점착 시트로부터 빠지지 않도록 배리어되어 있는 것이 바람직하고, 점착제층은 가스 배리어층으로서 기능할 수 있다. 또한, 당해 점착 시트는, 박리 시의 지향성이 우수하고, 원하는 개소에서만 박리가 가능하고, 파손이 방지되고, 또한 접착제 잔여물이 적은 점에서도 유리하다. 또한, 박리 시의 지향성이란, 소형 전자 부품 등의 피착체를 해당 점착 시트로부터 박리하여, 어느 일정한 거리가 이격된 장소를 겨냥해서 사출할 때의 위치 정밀도를 나타내는 지표이며, 당해 지향성이 우수하면, 박리 시에 피착체가 예기치 못한 방향으로 날아가버리는 것이 방지된다.
점착제층의 변형이란, 점착제층의 법선 방향(두께 방향)과 수평 방향(두께 방향과 직교하는 방향)으로 발생하는 변위를 의미한다. 점착제층의 변형은, 예를 들어 파장 355㎚, 빔 직경 약 20㎛φ의 UV 레이저광을 사용하여, 0.80㎽ 출력, 주파수 40㎑로 펄스 스캔함으로써 가스 발생층으로부터 가스를 발생시킴으로써 발생한다. 변형 후의 형상은, 예를 들어 펄스 스캔한 임의의 1스폿을, 레이저광 조사로부터 1분 후, 공초점 레이저 현미경 혹은 비접촉형 간섭 현미경(WYKO) 등의 측정으로부터 관측된다. 그 형상은, 발포(볼록)나 관통 구멍(요철), 움푹 파인 곳(오목)이어도 되고, 이들 변형에 의해 박리성이 발생할 수 있다. 법선 방향으로 전자 부품을 효율적으로 박리하기 위해서는, 레이저광 조사 전후의 법선 방향의 변위 변화가 큰 쪽이 바람직하고, 특히 발포 형상을 형성하는 것이 적합하다. 발포(볼록)는 미조사부의 점착 시트 표면을 기준으로 하고, 최고점을 수직 변위 Y, 반값 전체 폭을 수평 변위 X(직경)로서 정의한다. 레이저광 조사 후에 구멍을 형성하는 관통 구멍(요철)과 움푹 파인 곳(오목)에 관해서는, 최고점과 최저점의 차를 수직 변위 Y, 구멍의 직경을 수평 변위 X로 정의한다. 이하, 레이저광 조사에 의해 변형한 부분을 「변형부」라고도 한다. 점착제층의 수직 변위는, 바람직하게는 0.6㎛ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.7㎛ 이상이고, 더욱 바람직하게는 1.0㎛ 이상이다. 이러한 범위이면, 박리성이 우수하고, 박리 시의 지향성이 우수하다. 또한, 원하는 방향으로 고정밀도로 박리할 수 있고, 그 결과, 접착제 잔여물, 파손 등을 방지할 수 있다. 당해 수직 변위의 상한은, 예를 들어 10㎛(바람직하게는 20㎛)이다. 점착제층의 수평 변위는, 바람직하게는 80㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는 40㎛ 이하이다. 이러한 범위이면, 작은 피착체에 대해서, 원하는 개소에서만의 박리를 바람직하게 행할 수 있다. 또한, 피착체가 좁은 간격으로 배열되어 있는 경우에도, 마찬가지 효과를 기대할 수 있다. 당해 수평 변위의 하한은, 예를 들어 3㎛(바람직하게는 4㎛)이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 점착 시트의 개략 단면도이다. 점착 시트(200)는, 가스 발생층(10)과 점착제층(20) 사이에, 중간층(30)을 더 구비한다. 중간층을 마련함으로써, 점착제층의 변형을 용이하게 제어할 수 있게 된다(상세는 후술). 또한, 중간층은 점착제층과 협동해서 가스 배리어층으로서 기능할 수 있다. 따라서, 중간층을 마련함으로써, 가스 배리어성이 향상하여, 보다 바람직하게 점착제층이 변형한 점착 시트를 얻을 수 있다. 중간층은 단층이어도 되고, 복층이어도 된다.
도시하지 않았지만, 상기 점착 시트는, 기타 층을 더 구비할 수 있다. 예를 들어, 가스 발생층의 점착제층과는 반대측 면에, 기재, 다른 점착제층 등이 마련되어 있어도 된다. 기재로서는, 예를 들어 임의의 적절한 수지로 형성된 필름이 사용된다.
본 발명의 점착 시트의 점착제층 SUS430에 대한 점착력은, 바람직하게는 0.1N/20㎜ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.2N/20㎜ 내지 50N/20㎜이고, 더욱 바람직하게는 0.5N/20㎜ 내지 40N/20㎜이고, 특히 바람직하게는 0.7N/20㎜ 내지 20N/20㎜이고, 가장 바람직하게는 1N/20㎜ 내지 10N/20㎜이다. 이러한 범위이면, 예를 들어 전자 부품의 제조에 사용되는 임시 고정용 시트로서, 양호한 점착성을 나타내는 점착 시트를 얻을 수 있다. 본 명세서에 있어서 점착력이란, 23℃의 환경 하에서, JIS Z 0237:2000에 준한 방법(접합 조건: 2㎏ 롤러 1 왕복, 인장 속도: 300㎜/min, 박리 각도 180°)에 의해 측정한 점착력을 말한다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 가스 발생층은 소정의 점착력을 갖는다. 본 발명의 점착 시트의 가스 발생층의 SUS430에 대한 점착력은, 바람직하게는 0.1N/20㎜ 이상이고, 보다 바람직하게는 0.5N/20㎜ 내지 50N/20㎜이고, 더욱 바람직하게는 1N/20㎜ 내지 40N/20㎜이고, 특히 바람직하게는 1.5N/20㎜ 내지 30N/20㎜이고, 가장 바람직하게는 2N/20㎜ 내지 20N/20㎜이다. 이러한 범위이면, 예를 들어 전자 부품의 제조에 사용되는 임시 고정용 시트로서, 양호한 점착성을 나타내는 점착 시트를 얻을 수 있다.
본 발명의 점착 시트의 두께는, 바람직하게는 2㎛ 내지 200㎛이고, 보다 바람직하게는 3㎛ 내지 150㎛이고, 더욱 바람직하게는 5㎛ 내지 120㎛이다.
본 발명의 점착 시트의 헤이즈값은, 바람직하게는 50% 이하이고, 보다 바람직하게는 0.1% 내지 40%이고, 더욱 바람직하게는 0.5% 내지 30%이다. 이러한 범위이면, 피착체(예를 들어, 전자 부품을 임시 고정하기 위한 대)를 점착 시트너머에 시인하는 것이 가능해지고, 예를 들어 전자 부품의 임시 고정 위치를 나타내기 위해서 고정대에 마련한 마킹의 시인성이 우수한 점착 시트를 얻을 수 있다. 본 발명의 점착 시트는, 당해 점착 시트가 구비하는 각 층에 불용성의 필러를 함유시키지 않고 구성할 수 있기 때문에, 상기와 같이 헤이즈값이 작고 피착체 시인성이 우수한 점착 시트로 할 수 있다. 이러한 효과는, 불용성의 필러(예를 들어, 열팽창성 미소구)를 포함하는 점착 시트에서는 얻어지지 않는 우수한 효과이다.
본 발명의 점착 시트의 수증기 투과율은, 바람직하게는 5000g/(㎡·day) 이하이고, 보다 바람직하게는 4800g/(㎡·day) 이하이고, 더욱 바람직하게는 4500g/(㎡·day) 이하이고, 더욱 바람직하게는 4200g/(㎡·day) 이하이다. 이러한 범위의 수증기 투과율을 갖는 점착 시트에 있어서는, 레이저광 조사에 의해 발생하는 가스의 방출이 방지되고, 점착제층이 우수한 형상의 변형부가 형성된다. 이러한 점착 시트를 사용하면, 고정밀도로 소형 피착체(예를 들어, 전자 부품)를 박리시킬 수 있다. 본 발명의 점착 시트의 수증기 투과율은 작을수록 바람직하지만, 그 하한값은, 예를 들어 0.1g/(㎡·day)이다. 수증기 투과율은 30℃, 90%RH의 분위기 하에서, JIS K7129B에 준거한 측정법에 의해 측정될 수 있다.
상기 점착제층과 중간층으로 이루어지는 적층체의 수증기 투과율은, 바람직하게는 10000g/(㎡·day) 이하이고, 보다 바람직하게는 7000g/(㎡·day) 이하이고, 더욱 바람직하게는 5000g/(㎡·day) 이하이고, 더욱 바람직하게는 4800g/(㎡·day) 이하이고, 더욱 바람직하게는 4500g/(㎡·day) 이하이고, 특히 바람직하게는 4200g/(㎡·day) 이하이다. 이러한 범위이면, 점착제층과 중간층으로 이루어지는 적층체가 가스 배리어층으로서 양호하게 기능하고, 점착제층이 우수한 형상의 변형부가 형성된다. 이러한 점착 시트를 사용하면, 고정밀도로 소형 피착체(예를 들어, 전자 부품)를 박리시킬 수 있다. 점착제층과 중간층으로 이루어지는 적층체의 수증기 투과율은 작을수록 바람직하지만, 그 하한값은, 예를 들어 1g/(㎡·day)이다.
상기 점착제층과 중간층으로 이루어지는 적층체의 찌르기 강도는, 바람직하게는 10mN 내지 5000mN이고, 보다 바람직하게는 30mN 내지 4000mN이고, 더욱 바람직하게는 50mN 내지 3000mN이고, 특히 바람직하게는 100mN 내지 2000mN이다. 이러한 범위이면, 점착제층과 중간층으로 이루어지는 적층체가 가스 배리어층으로서 양호하게 기능하고, 또한 가스 발생에 의한 형상 변화가 바람직하게 발생하고, 그 결과, 점착제층이 우수한 형상의 변형부가 형성된다. 이러한 점착 시트를 사용하면, 고정밀도로 소형 피착체(예를 들어, 전자 부품)를 박리시킬 수 있다. 찌르기 강도는, 도 3에 도시한 바와 같이, 압축 시험기 6(가토테크사 제조, 상품명 「KES-G5」)을 사용하여, 직경 11.28㎜의 원형 개구부를 갖는 시료 홀더(5A, 5B)에 샘플 4(예를 들어, 적층체)를 끼워 지지해서 측정된다. 보다 상세하게는, 23℃의 측정 온도 하, 당해 원형 개구부의 원형 개구부의 중심에 있어서, 찌르기 바늘(곡률 반경: 1㎜)을 샘플에 찔러서(찌르기 속도: 0.1㎜/s), 파괴점에 있어서의 최대 하중을 찌르기 강도로 할 수 있다.
상기 점착제층과 중간층으로 이루어지는 적층체의 파장 360㎚의 자외선 투과율은, 바람직하게는 50% 내지 100%이고, 보다 바람직하게는 60% 내지 95%이다.
상기 점착 시트의 파장 360㎚의 자외선 투과율은, 바람직하게는 30% 이하이고, 보다 바람직하게는 20% 이하이고, 더욱 바람직하게는 15% 이하이고, 특히 바람직하게는 10% 이하이고, 가장 바람직하게는 5% 이하이다. 점착 시트의 파장 360㎚의 자외선 투과율의 하한은, 예를 들어 0%(바람직하게는 0.05%, 보다 바람직하게는 0.1%)이다.
상기 점착 시트의 10% 중량 감소 온도는, 바람직하게는 200℃ 내지 500℃이고, 보다 바람직하게는 220℃ 내지 450℃이고, 더욱 바람직하게는 250℃ 내지 400℃이고, 특히 바람직하게는 270℃ 내지 370℃이다. 이러한 범위이면, 레이저광 조사에 의해, 보다 양호한 변형부를 형성할 수 있는 점착 시트를 얻을 수 있다. 점착 시트의 10% 중량 감소 온도란, 점착 시트를 승온했을 때의 TGA 분석에 있어서, 승온 전의 중량에 대하여 10중량% 감소한(즉, 점착 시트의 중량이 조사 전의 중량에 대하여 90%가 된) 시점에서의 온도를 의미한다.
B. 가스 발생층
가스 발생층은 자외선 흡수 가능한 층일 수 있다. 1개의 실시 형태에 있어서는, 가스 발생층은 자외선 흡수제를 포함한다. 자외선 흡수제를 포함함으로써, 레이저광을 흡수해서 가스화할 수 있는 가스 발생층을 형성할 수 있다. 대표적으로는, 가스 발생층은 자외선 흡수제와 점착제 A를 포함한다. 바람직하게는, 자외선 흡수제는 점착제 A에 용해해서 존재하고 있다. 자외선 흡수제가 점착제 A에 용해해서 존재하고 있으면, 점착제층의 어느 개소에 있어서도 변형부(예를 들어, 요철부)를 발생시킬 수 있고, 또한 변형부(예를 들어, 요철부)의 형상에 변동이 적은 점착 시트를 얻을 수 있다. 이러한 점착 시트를 사용하면, 원하는 개소에 고정밀도로 변형부(예를 들어, 요철부)를 발생시킬 수 있고, 본 발명의 효과는 현저해진다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「점착제에 용해해서 존재하고 있는」 상태란, 자외선 흡수제가 입자로서 가스 발생층 중에 존재하지 않고 있는 것을 의미한다. 보다 구체적으로는, 상기 가스 발생층에는, X선 CT에 의한 가스 발생층 단면 내의 입자 분포 측정에 있어서, 입자경 10㎛ 이상의 자외선 흡수제가 포함되어 있지 않은 것이 바람직하다. 또한, 가스 발생층은, 점착제에 불용의 성분을 포함하고 있어도 되고, 포함하고 있지 않아도 된다. 1개의 실시 형태에 있어서는, 가스 발생층 중의 불용 성분의 유무 및 함유량은, 가스 발생층의 헤이즈값에 의해 평가되고, 헤이즈값이 작을수록, 가스 발생층 중의 불용 성분의 함유량은 적다고 평가된다. 바람직하게는, 가스 발생층은, 점착제에 불용의 성분을 실질적으로 포함하지 않는다.
상기 가스 발생층 단면의 나노인덴테이션법에 의한 탄성률은, 바람직하게는 0.01㎫ 내지 1000㎫이고, 보다 바람직하게는 0.05㎫ 내지 800㎫이다. 이러한 범위이면, 가스 발생에 의한 가스 발생층의 형상 변화가 바람직하게 발생하고, 그 결과, 점착제층이 우수한 형상의 변형부가 형성된다. 나노인덴테이션법에 의한 탄성률이란, 압자를 시료(예를 들어, 점착면)에 압입했을 때의, 압자로의 부하 하중과 압입 깊이를 부하 시, 제하 시에 걸쳐 연속적으로 측정하고, 얻어진 부하 하중-압입 깊이 곡선으로부터 구해지는 탄성률을 말한다. 나노인덴테이션법에 의한 탄성률은, 다이아몬드제의 Berkovich형(삼각추형) 탐침을 측정 대상층이 잘라낸 단면에 수직으로 누르는 것으로 얻어지는 변위-하중 히스테리시스 곡선을, 측정 장치 부대의 소프트웨어(triboscan)에서 수치 처리함으로써 얻어진다. 본 명세서에 있어서, 단면의 나노인덴테이션법에 의한 탄성률이란, 나노인덴터(Hysitron Inc사제 Triboindenter TI-950)를 사용하여, 소정 온도(25℃)에 있어서의 단일 압입법에 의해, 압입 속도 약 500㎚/sec, 인발 속도 약 500㎚/sec, 압입 깊이 약 1500㎚의 측정 조건에서, 측정된 탄성률이다. 또한, 가스 발생층의 탄성률은, 해당하는 층에 포함되는 재료의 종류, 재료를 구성하는 베이스 폴리머의 구조, 해당하는 층에 첨가되는 첨가제의 종류·양 등에 의해, 조정할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 단면 또는 표면을 말하지 않고, 단순히 나노인덴테이션법에 의한 탄성률이라고 할 때, 당해 탄성률은 단면의 나노인덴테이션법에 의한 탄성률을 의미한다.
상기 가스 발생층 표면의 나노인덴테이션법에 의한 탄성률은, 바람직하게는 0.01㎫ 내지 1000㎫이고, 보다 바람직하게는 0.05㎫ 내지 800㎫이다. 이러한 범위이면, 가스 발생에 의한 가스 발생층의 형상 변화가 바람직하게 발생하고, 그 결과, 점착제층이 우수한 형상의 변형부가 형성된다. 나노인덴테이션법에 의한 탄성률이란, 압자를 시료(예를 들어, 점착면)에 압입했을 때의, 압자로의 부하 하중과 압입 깊이를 부하 시, 제하 시에 걸쳐 연속적으로 측정하고, 얻어진 부하 하중-압입 깊이 곡선으로부터 구해지는 탄성률을 말한다. 나노인덴테이션법에 의한 탄성률은, 다이아몬드제의 Berkovich형(삼각추형) 탐침을 측정 대상층에 수직으로 누르는 것으로 얻어지는 변위-하중 히스테리시스 곡선을, 측정 장치 부대의 소프트웨어(triboscan)에서 수치 처리함으로써 얻어진다. 본 명세서에 있어서, 표면의 나노인덴테이션법에 의한 탄성률이란, 나노인덴터(Hysitron Inc사제 Triboindenter TI-950)를 사용하여, 소정 온도(25℃)에 있어서의 단일 압입법에 의해, 압입 속도 약 500㎚/sec, 인발 속도 약 500㎚/sec, 압입 깊이 약 3000㎚의 측정 조건에서, 측정된 탄성률이다. 또한, 가스 발생층의 탄성률은, 해당하는 층에 포함되는 재료의 종류, 재료를 구성하는 베이스 폴리머의 구조, 해당하는 층에 첨가되는 첨가제의 종류·양 등에 의해, 조정할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 단면을 측정면으로서 상기 방법에 의해 측정되는 나노인덴테이션법에 의한 탄성률과, 표면을 측정면으로서 상기 방법에 의해 측정되는 나노인덴테이션법에 의한 탄성률에는, 유의미한 차는 없고, 단면으로부터의 측정이 곤란한 경우에는 표면으로부터 측정한 값을 단면으로부터의 측정값으로서 채용할 수 있다.
상기 가스 발생층의 가스화 개시 온도는, 바람직하게는 150℃ 내지 500℃이고, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 450℃이고, 더욱 바람직하게는 190℃ 내지 420℃이고, 특히 바람직하게는 200℃ 내지 400℃이다. 이러한 범위이면, 레이저광 조사에 의해, 보다 양호한 변형부를 형성할 수 있는 점착 시트를 얻을 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 가스 발생층의 가스화 개시 온도란, 점착 시트를 승온했을 때의 EGA 분석으로부터 산출되는 가스 발생 상승 온도를 의미한다. 가스 발생 상승 온도란, EGA 분석으로부터 얻어지는 EGA/MS 스펙트럼의 최대 가스 발생 피크의 반값에 도달하는 온도로 정의된다. 가스화 개시 온도가 낮을수록, 레이저광 조사되었을 때에 가스가 발생하기 시작하는 온도는 낮아져서, 보다 작은 출력으로 레이저광 조사된 경우에도 충분한 가스량이 발생한다. 1개의 실시 형태에 있어서는, 가스 발생층의 가스화 개시 온도는, 자외선 흡수제의 가스화 개시 온도에 상당한다.
상기 가스 발생층의 10% 중량 감소 온도는, 바람직하게는 150℃ 내지 500℃이고, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 450℃이고, 더욱 바람직하게는 200℃ 내지 400℃이다. 이러한 범위이면, 레이저광 조사에 의해, 보다 양호한 변형부를 형성할 수 있는 점착 시트를 얻을 수 있다. 가스 발생층의 10% 중량 감소 온도란, 점착 시트를 승온했을 때(예를 들어, 레이저광 조사에 의해 승온했을 때)의 TGA 분석에 있어서, 가스 발생층의 중량이, 승온 전의 중량에 대하여 10중량% 감소한(즉, 가스 발생층의 중량이 승온 전의 중량에 대하여 90%가 된) 시점에서의 온도를 의미한다.
상기 가스 발생층의 두께는, 바람직하게는 0.1㎛ 내지 50㎛이고, 보다 바람직하게는 1㎛ 내지 40㎛이고, 더욱 바람직하게는 2㎛ 내지 30㎛이고, 특히 바람직하게는 5㎛ 내지 20㎛이다. 이러한 범위이면, 레이저광 조사에 의해, 보다 양호한 변형부를 형성할 수 있는 점착 시트를 얻을 수 있다.
상기 가스 발생층은, 나노인덴테이션법에 의한 탄성률 Er(gas)[단위: ㎫]과 두께 h(gas)[단위: ㎛]가, 하기 식 (1)을 충족한다.
Log(Er(gas)×106)≥8.01×h(gas)-0.116 … (1)
본 발명에 있어서는, 가스 발생층이 상기 식 (1)을 만족하도록 구성되어 있음으로써, 가스 발생층으로부터 발생한 가스에 의한 과도한 변형이 방지되어, 레이저광 조사에 의해 양호하게 점착 시트가 변형한다. 이러한 가스 발생층을 형성함으로써, 과도한 변형을 방지하는 층으로서 두꺼운 배리어층(점착제층)을 배치하지 않고, 미소한 범위에서의 표면 변형을 발생시킬 수 있고, 점착제층(가스 배리어층)을 유연하게 구성시킬 수 있다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 나노인덴테이션법에 의한 탄성률 Er(gas)[단위: ㎫]과 두께 h(gas)[단위: ㎛]가, 하기 식 (2)를 충족한다. 1개의 실시 형태에 있어서는, 나노인덴테이션법에 의한 탄성률 Er(gas)[단위: ㎫]과 두께 h(gas)[단위: ㎛]가, 하기 식 (3)을 충족한다.
Log(Er(gas)×106)≥7.66×h(gas)-0.092 … (2)
Log(Er(gas)×106)≥7.52×h(gas)-0.081 … (3)
이러한 범위이면, 상기 효과가 보다 현저해진다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 나노인덴테이션법에 의한 탄성률 Er(gas)[단위: ㎫]과 두께 h(gas)[단위: ㎛]는, 하기 식 (4)를 더욱 충족한다.
Log(Er(gas)×106)≤ 47.675×h(gas)-0.519 … (4)
상기 가스 발생층의 파장 360㎚의 자외선 투과율은, 바람직하게는 30% 이하이고, 보다 바람직하게는 20% 이하이고, 더욱 바람직하게는 15% 이하이고, 특히 바람직하게는 10% 이하이고, 가장 바람직하게는 5% 이하이다. 가스 발생층의 파장 360㎚의 자외선 투과율의 하한은, 예를 들어 0%(바람직하게는 0.05%, 보다 바람직하게는 0.1%)이다.
상기 가스 발생층의 헤이즈값은, 바람직하게는 55% 이하이고, 보다 바람직하게는 0.1% 내지 50%이고, 더욱 바람직하게는 0.5% 내지 40%이다.
B-1. 자외선 흡수제
상기 자외선 흡수제로서는, 본 발명의 효과가 얻어지는 한에 있어서, 임의의 적절한 자외선 흡수제가 사용될 수 있다. 자외선 흡수제로서는, 예를 들어 벤조트리아졸계 자외선 흡수제, 벤조페논계 자외선 흡수제, 트리아진계 자외선 흡수제, 살리실레이트계 자외선 흡수제, 시아노아크릴레이트계 자외선 흡수제 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 트리아진계 자외선 흡수제 또는 벤조트리아졸계 자외선 흡수제이고, 특히 바람직하게는 트리아진계 자외선 흡수제이다. 특히, 점착제 A로서 아크릴계 점착제를 사용하는 경우에, 당해 아크릴계 점착제의 베이스 폴리머와의 상용성이 높은 점에서, 트리아진계 자외선 흡수제는 바람직하게 사용될 수 있다. 트리아진계 자외선 흡수제는, 수산기를 갖는 화합물로 구성되어 있는 것이 보다 바람직하고, 히드록시페닐트리아진계 화합물로 구성된 자외선 흡수제(히드록시페닐트리아진계 자외선 흡수제)인 것이 특히 바람직하다.
히드록시페닐트리아진계 자외선 흡수제로서는, 예를 들어 2-(4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진-2-일)-5-히드록시페닐과 [(C10-C16(주로 C12-C13)알킬옥시)메틸]옥시란과의 반응 생성물(상품명 「TINUVIN 400」, BASF사제), 2-[4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진-2-일]-5-[3-(도데실옥시)-2-히드록시프로폭시]페놀, 2-(2,4-디히드록시페닐)-4,6-비스-(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진과 (2-에틸헥실)-글리시드산에스테르의 반응 생성물(상품명 「TINUVIN 405」, BASF사제), 2,4-비스(2-히드록시-4-부톡시페닐)-6-(2,4-디부톡시페닐)-1,3,5-트리아진(상품명 「TINUVIN 460」, BASF사제), 2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-5-[(헥실)옥시]-페놀(상품명 「TINUVIN 1577」, BASF사제), 2-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-5-[2-(2-에틸헥사노일옥시)에톡시]-페놀(상품명 「아데카스탭 LA-46」, (주)ADEKA제), 2-(2-히드록시-4-[1-옥틸옥시카르보닐에톡시]페닐)-4,6-비스(4-페닐페닐)-1,3,5-트리아진(상품명 「TINUVIN 479」, BASF사제), BASF사제의 상품명 「TINUVIN 477」등을 들 수 있다.
벤조트리아졸계 자외선 흡수제(벤조트리아졸계 화합물)로서는, 예를 들어 2-(2-히드록시-5-tert-부틸페닐)-2H-벤조트리아졸(상품명 「TINUVIN PS」, BASF사제), 벤젠프로판산 및 3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-(1,1-디메틸에틸)-4-히드록시(C7-9 측쇄 및 직쇄 알킬)의 에스테르 화합물(상품명 「TINUVIN 384-2」, BASF사제), 옥틸3-[3-tert-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트 및 2-에틸헥실-3-[3-tert-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2일)페닐]프로피오네이트의 혼합물(상품명 「TINUVIN 109」, BASF사제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-비스(1-메틸-1-페닐에틸)페놀(상품명 「TINUVIN 900」, BASF사제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀(상품명 「TINUVIN 928」, BASF제), 메틸3-(3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트/폴리에틸렌글리콜 300의 반응 생성물(상품명 「TINUVIN 1130」, BASF사제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-p-크레졸(상품명 「TINUVIN P」, BASF사제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-비스(1-메틸-1-페닐에틸)페놀(상품명 「TINUVIN 234」, BASF사제), 2-[5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일]-4-메틸-6-(tert-부틸)페놀(상품명 「TINUVIN 326」, BASF사제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-디-tert-펜틸페놀(상품명 「TINUVIN 328」, BASF사제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀(상품명 「TINUVIN 329」, BASF사제), 2,2'-메틸렌비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀](상품명 「TINUVIN 360」, BASF사제), 메틸3-(3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트와 폴리에틸렌글리콜 300과의 반응 생성물(상품명 「TINUVIN 213」, BASF사제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-도데실-4-메틸페놀(상품명 「TINUVIN 571」, BASF사제), 2-[2-히드록시-3-(3,4,5,6-테트라히드로프탈이미드-메틸)-5-메틸페닐]벤조트리아졸(상품명 「Sumisorb 250」, 스미토모 가가꾸(주)제), 2-(3-tert-부틸-2-히드록시-5-메틸페닐)-5-클로로-2H-벤조트리아졸(상품명 「SEESORB 703」, 시프로 가세이사제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-메틸-6-(3,4,5,6-테트라히드로 프탈이미딜메틸)페놀(상품명 「SEESORB 706」, 시프로 가세이사제), 2-(4-벤조일옥시-2-히드록시페닐)-5-클로로-2H-벤조트리아졸(시프로 가세이사제의 상품명 「SEESORB 7012BA」), 2-tert-부틸-6-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)-4-메틸페놀(상품명 「KEMISORB 73」, 케미프로 가세이사제), 2,2'-메틸렌비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-tert-옥틸페놀](상품명 「아데카스탭 LA-31」, (주)ADEKA제), 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-p-셀룰로오스(상품명 「아데카스탭 LA-32」, (주)ADEKA제), 2-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)-6-tert-부틸-4-메틸페놀(상품명 「아데카스탭 LA-36」, (주)ADEKA제) 등을 들 수 있다.
상기 자외선 흡수제를 구성하는 화합물의 분자량은, 바람직하게는 200 내지 1500이고, 보다 바람직하게는 250 내지 1200이고, 더욱 바람직하게는 300 내지 1000이다. 이러한 범위이면, 레이저광 조사에 의해, 보다 양호한 변형부를 형성할 수 있는 점착 시트를 얻을 수 있다.
상기 자외선 흡수제의 최대 흡수 파장은, 바람직하게는 300㎚ 내지 450㎚이고, 보다 바람직하게는 320㎚ 내지 400㎚이고, 더욱 바람직하게는 330㎚ 내지 380㎚이다.
상기 자외선 흡수제의 함유 비율은, 가스 발생층 100중량부에 대하여, 바람직하게는 1중량부 내지 100중량부이고, 보다 바람직하게는 1중량부 내지 50중량부이고, 더욱 바람직하게는 5중량부 내지 30중량부이다. 이러한 범위이면, 레이저광 조사에 의해, 보다 양호한 변형부를 형성할 수 있는 점착 시트를 얻을 수 있다.
B-2. 점착제 A
상기 가스 발생층에 포함되는 점착제 A로서는, 감압 점착제 A가 바람직하게 사용된다. 점착제 A로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 비닐알킬에테르계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 우레탄계 점착제, 스티렌-디엔 블록 공중합체계 점착제, 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 아크릴계 점착제 또는 고무계 점착제이고, 보다 바람직하게는 아크릴계 점착제이다. 또한, 상기 점착제는, 단독으로 또는 2종 이상 조합해서 사용해도 된다.
상기 아크릴계 점착제로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 폴리머(호모 폴리머 또는 코폴리머)를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산알킬에스테르의 구체예로서는, (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산 프로필, (메트)아크릴산이소프로필, (메트)아크릴산 부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산s-부틸, (메트)아크릴산t-부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산 노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산이소데실, (메트)아크릴산운데실, (메트)아크릴산도데실, (메트)아크릴산트리데실, (메트)아크릴산테트라데실, (메트)아크릴산펜타데실, (메트)아크릴산헥사데실, (메트)아크릴산헵타데실, (메트)아크릴산 옥타데실, (메트)아크릴산노나데실, (메트)아크릴산에이코실 등의 (메트)아크릴산 C1-20 알킬에스테르를 들 수 있다. 그 중에서도, 탄소수가 4 내지 18인 직쇄상 혹은 분지상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르가 바람직하게 사용될 수 있다.
상기 아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성, 가교성 등의 개질을 목적으로 하고, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이러한 단량체 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산히드록시에틸, (메트)아크릴산히드록시프로필, (메트)아크릴산히드록시부틸, (메트)아크릴산히드록시헥실, (메트)아크릴산히드록시옥틸, (메트)아크릴산히드록시데실, (메트)아크릴산히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸메타크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-부틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-메틸올 프로판 (메트)아크릴아미드 등의 (N-치환)아미드계 모노머; (메트)아크릴산 아미노에틸, (메트)아크릴산 N,N-디메틸아미노에틸, (메트)아크릴산t-부틸아미노에틸 등의 (메트)아크릴산 아미노알킬계 모노머; (메트)아크릴산 메톡시에틸, (메트)아크릴산 에톡시에틸 등의 (메트)아크릴산 알콕시알킬계 모노머; N-시클로헥실말레이미드, N-이소프로필 말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-페닐말레이미드 등의 말레이미드계 모노머; N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드, N-부틸이타콘이미드, N-옥틸이타콘이미드, N-2-에틸헥실이타콘이미드, N-시클로헥실이타콘이미드, N-라우릴이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 모노머; N-(메트)아크릴로일옥시메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크릴로일-6-옥시헥사메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크릴로일-8-옥시옥타메틸렌숙신이미드 등의 숙신이미드계 모노머; 아세트산비닐, 프로피온산비닐, N-비닐피롤리돈, 메틸비닐피롤리돈, 비닐피리딘, 비닐피페리돈, 비닐피리미딘, 비닐피페라진, 비닐피라진, 비닐피롤, 비닐이미다졸, 비닐옥사졸, 비닐모르폴린, N-비닐카르복실산아미드류, 스티렌, α-메틸스티렌, N-비닐카프로락탐 등의 비닐계 모노머; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 시아노아크릴레이트 모노머; (메트)아크릴산 글리시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 모노머; (메트)아크릴산 폴리에틸렌글리콜, (메트)아크릴산 폴리프로필렌글리콜, (메트)아크릴산 메톡시에틸렌글리콜, (메트)아크릴산 메톡시폴리프로필렌글리콜 등의 글리콜계 아크릴에스테르 모노머; (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴, 불소 (메트)아크릴레이트, 실리콘 (메트)아크릴레이트 등의 복소환, 할로겐 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산 에스테르계 모노머; 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트 등의 다관능 모노머; 이소프렌, 부타디엔, 이소부틸렌 등의 올레핀계 모노머; 비닐에테르 등의 비닐에테르계 모노머 등을 들 수 있다. 이들 단량체 성분은, 단독으로 또는 2종 이상 조합해서 사용해도 된다.
상기 고무계 점착제로서는, 예를 들어 천연 고무; 폴리이소프렌 고무, 스티렌·부타디엔(SB) 고무, 스티렌·이소프렌(SI) 고무, 스티렌·이소프렌·스티렌 블록 공중합체(SIS) 고무, 스티렌·부타디엔·스티렌 블록 공중합체(SBS) 고무, 스티렌·에틸렌·부틸렌·스티렌 블록 공중합체(SEBS) 고무, 스티렌·에틸렌·프로필렌·스티렌 블록 공중합체(SEPS) 고무, 스티렌·에틸렌·프로필렌 블록 공중합체(SEP) 고무, 재생 고무, 부틸 고무, 폴리이소부틸렌, 이들 변성체 등의 합성 고무; 등을 베이스 폴리머로 하는 고무계 점착제를 들 수 있다.
상기 가스 발생층으로부터 발생하는 가스는, 탄화수소(바람직하게는 지방족 탄화수소)계 가스인 것이 바람직하다. 탄화수소계 가스를 발생할 수 있는 가스 발생층은, 예를 들어 탄화수소계 화합물을 주성분으로 해서 구성된다. 가스 발생층은, 할로겐 원소를 포함하는 화합물을 함유하지 않는 것이 바람직하다. 발생하는 가스가, 탄화수소계 가스이면, 피가공물인 전자 부품의 부식을 방지할 수 있다. 이러한 효과는, 할로겐 원소를 포함하는 화합물을 함유하지 않는 가스 발생층을 형성함으로써, 보다 현저해진다. 가스 발생층으로부터의 발생 이온식량은, 바람직하게는 10m/z 내지 800m/z이고, 보다 바람직하게는 11m/z 내지 700m/z이고, 더욱 바람직하게는 12m/z 내지 500m/z이고, 특히 바람직하게는 13m/z 내지 400m/z이다.
상기 점착제 A는, 필요에 따라, 임의의 적절한 첨가제를 포함할 수 있다. 해당 첨가제로서는, 예를 들어 가교제, 점착 부여제(예를 들어, 로진계 점착 부여제, 테르펜계 점착 부여제, 탄화수소계 점착 부여제 등), 가소제(예를 들어, 트리멜리트산 에스테르계 가소제, 피로멜리트산 에스테르계 가소제), 안료, 염료, 노화 방지제, 도전재, 대전 방지제, 광안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면 활성제, 난연제, 산화 방지제 등을 들 수 있다.
상기 가교제로서는, 예를 들어 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제 외에, 요소계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카르보디이미드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 이소시아네이트계 가교제 또는 에폭시계 가교제이다.
상기 이소시아네이트계 가교제의 구체예로서는, 부틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 저급 지방족 폴리이소시아네이트류; 시클로펜틸렌디이소시아네이트, 시클로헥실렌디이소시아네이트, 이소포론 디이소시아네이트 등의 지환족 이소시아네이트류; 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄 디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트류; 트리메틸올프로판/톨릴렌디이소시아네이트 3량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 L」), 트리메틸올프로판/헥사메틸렌디이소시아네이트 3량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 HL」), 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체 (닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 HX」) 등의 이소시아네이트 부가물; 등을 들 수 있다. 이소시아네이트계 가교제의 함유량은, 원하는 점착력에 따라, 임의의 적절한 양으로 설정될 수 있고, 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 대표적으로는 0.1중량부 내지 20중량부이고, 보다 바람직하게는 0.5중량부 내지 10중량부이다.
상기 에폭시계 가교제로서는, 예를 들어 N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민, 디글리시딜아닐린, 1,3-비스(N,N-글리시딜아미노메틸)시클로헥산(미쯔비시 가스 가가꾸사 제조, 상품명 「테트라드 C」), 1,6-헥산디올디글리시딜에테르(교에샤 가가꾸사 제조, 상품명 「에폴라이트 1600」), 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르(교에샤 가가꾸사 제조, 상품명 「에폴라이트 1500NP」), 에틸렌글리콜디글리시딜에테르(교에샤 가가꾸사 제조, 상품명 「에폴라이트 40E」), 프로필렌글리콜디글리시딜에테르(교에샤 가가꾸사 제조, 상품명 「에폴라이트 70P」), 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르(닛본 유시사 제조, 상품명 「에피올 E-400」), 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르(닛본 유시사 제조, 상품명 「에피올 P-200」), 소르비톨폴리글리시딜에테르(나가세 켐텍스사 제조, 상품명 「데나콜 EX-611」), 글리세롤폴리글리시딜에테르(나가세 켐텍스사 제조, 상품명 「데나콜 EX-314」), 펜타에리트리톨폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤폴리글리시딜에테르(나가세 켐텍스사 제조, 상품명 「데나콜 EX-512」), 소르비탄 폴리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판 폴리글리시딜에테르, 아디프산디글리시딜에스테르, o-프탈산디글리시딜에스테르, 트리글리시딜-트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트, 레조르신디글리시딜에테르, 비스페놀-S-디글리시딜에테르, 분자 내에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시계 수지 등을 들 수 있다. 에폭시계 가교제의 함유량은, 원하는 점착력에 따라, 임의의 적절한 양으로 설정될 수 있고, 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 대표적으로는 0.01중량부 내지 10중량부이고, 보다 바람직하게는 0.03중량부 내지 5중량부이다.
C. 점착제층
상기 점착제층은, 임의의 적절한 점착제 B를 포함한다. 점착제 B로서는, 감압 점착제 B1이어도 되고, 경화형 점착제 B2여도 된다.
상기 점착제층의 두께는, 바람직하게는 0.1㎛ 내지 50㎛이고, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 내지 40㎛이고, 더욱 바람직하게는 1㎛ 내지 30㎛이고, 특히 바람직하게는 2㎛ 내지 20㎛이다. 이러한 범위이면, 바람직한 점착력을 갖고, 또한 가스 배리어층으로서 양호하게 기능하는 점착제층을 형성할 수 있다.
상기 점착제층의 수증기 투과율은, 바람직하게는 20000g/(㎡·day) 이하이고, 보다 바람직하게는 10000g/(㎡·day) 이하이고, 더욱 바람직하게는 7000g/(㎡·day) 이하이고, 더욱 바람직하게는 5000g/(㎡·day) 이하이고, 더욱 바람직하게는 4800g/(㎡·day) 이하이고, 특히 바람직하게는 4500g/(㎡·day) 이하이다. 이러한 범위이면, 점착제층이 가스 배리어층으로서 양호하게 기능하고, 우수한 형상의 변형부가 형성된다. 이러한 점착 시트를 사용하면, 고정밀도로 소형 피착체(예를 들어, 전자 부품)를 박리시킬 수 있다. 점착제층의 수증기 투과율은 작을수록 바람직하지만, 그 하한값은, 예를 들어 100g/(㎡·day)이다.
상기 점착제층의 찌르기 강도는, 바람직하게는 10mN 내지 3000mN이고, 보다 바람직하게는 30mN 내지 2500mN이고, 더욱 바람직하게는 50mN 내지 2000mN이고, 특히 바람직하게는 100mN 내지 2000mN이다. 이러한 범위이면, 점착제층이 가스 배리어층으로서 양호하게 기능하고, 또한 가스 발생에 의한 형상 변화가 바람직하게 발생하고, 그 결과, 우수한 형상의 변형부가 형성된다. 이러한 점착 시트를 사용하면, 고정밀도로 소형 피착체(예를 들어, 전자 부품)를 박리시킬 수 있다.
상기 점착제층의 파장 360㎚의 자외선 투과율은, 바람직하게는 50% 내지 100%이고, 보다 바람직하게는 60% 내지 95%이다.
C-1. 감압 점착제 B1
상기 감압 점착제 B1로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 비닐알킬에테르계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 우레탄계 점착제, 스티렌-디엔 블록 공중합체계 점착제 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 아크릴계 점착제 또는 고무계 점착제이고, 보다 바람직하게는 아크릴계 점착제이다. 감압 점착제를 포함하는 점착제층이 포함하는 점착제 B1로서는, B-2항에서 설명한 점착제가 사용될 수 있다.
C-2. 경화형 점착제 B2
경화형 점착제 B2로서는, 예를 들어 열경화형 점착제, 활성 에너지선 경화형 점착제 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 활성 에너지선 경화형 점착제가 사용된다. 당해 활성 에너지선 경화형 점착제에 의해 형성되는 상기 점착제층은, 활성 에너지선을 조사해서 형성된 점착제층이고, 즉 활성 에너지선 조사 후에 소정의 점착력을 갖는 점착제층이다.
상기 활성 에너지선 경화형 점착제를 구성하는 수지 재료로서는, 예를 들어 자외선 경화 시스템(카토 키요미저, 종합 기술 센터 발행(1989)), 광경화 기술(기술 정보 협회편(2000)), 일본특허공개 2003-292916호 공보, 일본특허 제4151850호 등에 기재되어 있는 수지 재료를 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 모제가 되는 폴리머와 활성 에너지선 반응성 화합물(모노머 또는 올리고머)을 포함하는 수지 재료 (B2-1), 활성 에너지선 반응성 폴리머를 포함하는 수지 재료 (B2-2) 등을 들 수 있다.
상기 모제가 되는 폴리머로서는, 예를 들어 천연 고무, 폴리이소부틸렌 고무, 스티렌·부타디엔 고무, 스티렌·이소프렌·스티렌 블록 공중합체 고무, 재생 고무, 부틸 고무, 폴리이소부틸렌 고무, 니트릴 고무(NBR) 등의 고무계 폴리머; 실리콘계 폴리머; 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 이들 폴리머는, 단독으로 또는 2종 이상 조합해서 사용해도 된다.
상기 활성 에너지선 반응성 화합물로서는, 예를 들어 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 아세틸렌기 등의 탄소-탄소 다중 결합을 갖는 관능기를 복수 갖는 광반응성의 모노머 또는 올리고머를 들 수 있다. 그 중에서도, 에틸렌성 불포화 관능기를 갖는 화합물이 바람직하게 사용되고, 에틸렌성 불포화 관능기를 갖는 (메트)아크릴계 화합물이 보다 바람직하게 사용된다. 에틸렌성 불포화 관능기를 갖는 화합물은, 자외선에 의해 라디칼을 용이하게 생성하기 때문에, 당해 화합물을 사용하면, 단시간에 경화할 수 있는 점착제층을 형성할 수 있다. 또한, 에틸렌성 불포화 관능기를 갖는 (메트)아크릴계 화합물을 사용하면, 경화 후에 적당한 경도를 갖는 점착제층을 형성할 수 있다. 광반응성의 모노머 또는 올리고머의 구체예로서는, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 우레탄 (메트)아크릴레이트계 화합물 등의 (메트)아크릴로일기 함유 화합물; 해당(메트)아크릴로일기 함유 화합물의 2 내지 5량체; 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상 조합해서 사용해도 된다.
또한, 상기 활성 에너지선 반응성 화합물로서, 에폭시화 부타디엔, 글리시딜 메타크릴레이트, 아크릴아미드, 비닐실록산 등의 모노머; 또는 해당 모노머로 구성되는 올리고머를 사용해도 된다. 이들 화합물을 포함하는 수지 재료 (B2-1)은, 자외선, 전자선 등의 고에너지선에 의해 경화할 수 있다.
또한, 상기 활성 에너지선 반응성 화합물로서, 오늄염 등의 유기염류와, 분자 내에 복수의 복소환을 갖는 화합물과의 혼합물을 사용해도 된다. 해당 혼합물은, 활성 에너지선(예를 들어, 자외선, 전자선)의 조사에 의해 유기염이 개열해서 이온을 생성하고, 이것이 개시종이 되어 복소환의 개환 반응을 일으켜서 3차원 그물눈 구조를 형성할 수 있다. 상기 유기염류로서는, 예를 들어 요오도늄염, 포스포늄염, 안티모늄염, 술포늄염, 보레이트염 등을 들 수 있다. 상기 분자 내에 복수의 복소환을 갖는 화합물에 있어서의 복소환으로서는, 옥시란, 옥세탄, 옥솔란, 티이란, 아지리딘 등을 들 수 있다.
상기 모제가 되는 폴리머와 활성 에너지선 반응성 화합물을 포함하는 수지 재료 (B2-1)에 있어서, 활성 에너지선 반응성 화합물의 함유 비율은, 모제가 되는 폴리머 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.1중량부 내지 500중량부이고, 보다 바람직하게는 1중량부 내지 300중량부이고, 더욱 바람직하게는 10중량부 내지 200중량부이다.
상기 활성 에너지선 반응성 폴리머로서는, 예를 들어 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 비닐기, 알릴기, 아세틸렌기 등의 탄소-탄소 다중 결합을 갖는 활성 에너지선 반응성 관능기를 갖는 폴리머를 들 수 있다. 바람직하게는, 에틸렌성 불포화 관능기를 갖는 화합물(폴리머)이 사용되고, 보다 바람직하게는 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 (메트)아크릴계 폴리머가 사용된다. 활성 에너지선 반응성 관능기를 갖는 폴리머의 구체예로서는, 다관능 (메트)아크릴레이트로 구성되는 폴리머 등을 들 수 있다. 해당 다관능 (메트)아크릴레이트로 구성되는 폴리머는 측쇄에, 탄소수가 4 이상의 알킬에스테르를 갖는 것이 바람직하고, 탄소수가 6 이상의 알킬에스테르를 갖는 것이 보다 바람직하고, 탄소수가 8 이상의 알킬에스테르를 갖는 것이 더욱 바람직하고, 탄소수가 8 내지 20의 알킬에스테르를 갖는 것이 특히 바람직하고, 탄소수가 8 내지 18의 알킬에스테르를 갖는 것이 가장 바람직하다.
상기 활성 에너지선 반응성 폴리머를 포함하는 수지 재료 (B2-2)는 상기 활성 에너지선 반응성 화합물(모노머 또는 올리고머)을 더 포함하고 있어도 된다.
상기 활성 에너지선 경화형 점착제는, 활성 에너지선의 조사에 의해 경화될 수 있다. 본 발명의 점착 시트에 있어서는, 점착제를 경화시키기 전에 피착체를 접착한 후, 활성 에너지선을 조사해서 점착제를 경화시킴으로써, 해당 피착체를 밀착시킬 수 있다. 활성 에너지선으로서는, 예를 들어 감마선, 자외선, 가시광선, 적외선(열선), 라디오파, 알파선, 베타선, 전자선, 플라스마류, 전리선, 입자선 등을 들 수 있다. 활성 에너지선의 파장, 조사량 등의 조건은, 사용하는 수지 재료의 종류 등에 따라, 임의의 적절한 조건에 설정될 수 있다. 예를 들어, 조사량 10 내지 1000mJ/㎠의 자외선을 조사하고, 점착제를 경화시킬 수 있다.
D. 중간층
상기 중간층의 형태로서는, 예를 들어 수지층, 점착성을 갖는 층 등을 들 수 있다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 중간층은 열가소성 수지를 포함한다. 이러한 중간층은 열가소성 수지를 포함하는 수지 필름, 열가소성 수지로 구성되는 점착제 C를 포함하는 층 등일 수 있다. 다른 실시 형태에 있어서는, 상기 중간층은 경화형 수지(예를 들어, 자외선 경화형 수지, 열경화형 수지)를 포함한다. 이러한 중간층은 경화형 수지를 포함하는 수지 필름, 경화형 점착제 D를 포함하는 층 등일 수 있다.
중간층의 두께는, 바람직하게는 0.1㎛ 내지 50㎛이고, 보다 바람직하게는 1㎛ 내지 40㎛이고, 더욱 바람직하게는 1.5㎛ 내지 30㎛이다. 이러한 범위이면, 가스 배리어층으로서 양호하게 기능하는 중간층을 형성할 수 있다.
상기 중간층의 수증기 투과율은, 바람직하게는 5000g/(㎡·day) 이하이고, 보다 바람직하게는 4800g/(㎡·day) 이하이고, 더욱 바람직하게는 4500g/(㎡·day) 이하이고, 더욱 바람직하게는 4200g/(㎡·day) 이하이다. 이러한 범위이면, 중간층이 가스 배리어층으로서 양호하게 기능하고, 우수한 형상의 변형부가 형성된다. 이러한 점착 시트를 사용하면, 고정밀도로 소형 피착체(예를 들어, 전자 부품)를 박리시킬 수 있다. 중간층의 수증기 투과율은 작을수록 바람직하지만, 그 하한값은, 예를 들어 0.1g/(㎡·day)이다.
상기 중간층의 찌르기 강도는, 바람직하게는 300mN 내지 5000mN이고, 보다 바람직하게는 500mN 내지 4500mN이고, 더욱 바람직하게는 1000mN 내지 4000mN이다. 이러한 범위이면, 중간층이 가스 배리어층으로서 양호하게 기능하고, 또한 가스 발생에 의한 형상 변화가 바람직하게 발생하고, 그 결과, 우수한 형상의 변형부가 형성된다. 이러한 점착 시트를 사용하면, 고정밀도로 소형 피착체(예를 들어, 전자 부품)를 박리시킬 수 있다.
상기 중간층의 파장 360㎚의 자외선 투과율은, 바람직하게는 50% 내지 100%이고, 보다 바람직하게는 60% 내지 95%이다.
D-1. 수지층으로서의 중간층
수지층으로서의 중간층은 예를 들어 수지 필름으로 형성된다. 당해 수지 필름을 형성하는 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트계 수지, 폴리올레핀계 수지, 스티렌계 엘라스토머 수지(예를 들어, SEBS 등), 자외선 경화형 수지, 열경화성 수지, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지 등을 들 수 있다. 1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 수지 필름은, 열가소성 수지로 구성된다.
상기 수지 필름의 두께는, 바람직하게는 0.1㎛ 내지 50㎛이고, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 내지 30㎛이고, 더욱 바람직하게는 1㎛ 내지 20㎛이다.
D-2. 점착성을 갖는 층으로서의 중간층
점착성을 갖는 층으로서의 중간층으로서는, 감압 점착제를 포함하는 중간층, 경화형 점착제를 포함하는 중간층 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 경화형 점착제 D를 포함하는 중간층이 배치된다. 특히, 점착제층으로서, 감압 점착제 A를 포함하는 점착제층과, 경화형 점착제 D를 포함하는 중간층을 조합하면, 레이저광 조사에 의해, 보다 양호한 변형부를 형성할 수 있는 점착 시트를 얻을 수 있다. 경화형 점착제 D로서는, C-2항에서 설명한 점착제가 사용될 수 있다.
점착성을 갖는 층으로서의 중간층의 두께는, 바람직하게는 5㎛ 내지 50㎛이고, 보다 바람직하게는 5㎛ 내지 30㎛이다.
E. 점착 시트의 제조 방법
본 발명의 점착 시트는, 임의의 적절한 방법에 의해 제조할 수 있다. 본 발명의 점착 시트는, 예를 들어 소정의 기재 상에 직접, 점착제 A 및 자외선 흡수제를 포함하는 가스 발생층 형성용 조성물을 도공해서 가스 발생층을 형성하고, 당해 가스 발생층 위에 점착제 B를 포함하는 점착제층 형성용 조성물을 도공해서 점착제층을 형성하는 방법을 들 수 있다. 1개의 실시 형태에 있어서는, 점착 시트가 중간층을 갖는 경우, 점착제층을 형성하기 전에, 중간층 형성용 조성물을 가스 발생층 위에 도공해서 중간층을 형성하고, 당해 중간층 위에 점착제층 형성용 조성물을 도공해서 점착제층을 형성시킨다. 또한, 각 층을 별도로 형성한 후에 접합해서 점착 시트를 형성해도 된다.
상기 조성물의 도공 방법으로서는, 임의의 적절한 도공 방법이 채용될 수 있다. 예를 들어, 도포한 후에 건조시켜서 각 층을 형성할 수 있다. 도포 방법으로서는, 예를 들어, 멀티코터, 다이 코터, 그라비아 코터, 애플리케이터 등을 사용한 도포 방법을 들 수 있다. 건조 방법으로서는, 예를 들어, 자연 건조, 가열 건조 등을 들 수 있다. 가열 건조하는 경우의 가열 온도는, 건조 대상이 되는 물질의 특성에 따라, 임의의 적절한 온도로 설정될 수 있다. 또한, 각 층의 형태에 따라, 활성 에너지선 조사(예를 들어, 자외선 조사)가 행해질 수 있다.
F. 전자 부품의 처리 방법
본 발명의 전자 부품 처리 방법은, 상기 점착 시트에 전자 부품을 접착하는 것, 및 당해 점착 시트에 레이저광을 조사하고, 당해 점착 시트로부터 전자 부품을 박리하는 것을 포함한다. 전자 부품으로서는, 예를 들어 반도체 칩, LED 칩, MLCC 등을 들 수 있다.
상기 전자 부품의 박리는, 위치 선택적으로 행해질 수 있다. 구체적으로는, 복수의 전자 부품을 점착 시트에 접착, 고정하고, 전자 부품의 일부를 박리하고, 기타의 전자 부품은 고정된 상태가 되도록 해서 전자 부품의 박리가 행해질 수 있다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 본 발명의 전자 부품 처리 방법은, 점착 시트에 전자 부품을 접착한 후, 점착 시트로부터 전자 부품을 박리하기 전에, 당해 전자 부품에 소정의 처리를 행하는 것을 포함한다. 상기 처리는 특별히 한정되지는 않고 예를 들어, 그라인드 가공, 다이싱 가공, 다이 본딩, 와이어 본딩, 에칭, 증착, 몰딩, 회로 형성, 검사, 검품, 세정, 전사, 배열, 리페어, 디바이스 표면의 보호 등의 처리를 들 수 있다.
상기 전자 부품의 사이즈(접착면의 면적)는, 예를 들어 1㎛2 내지 250000㎛2이다. 1개의 실시 형태에 있어서는, 전자 부품의 사이즈(접착면의 면적)가 1㎛2 내지 6400㎛2의 전자 부품이 처리에 제공될 수 있다. 다른 실시 형태에 있어서는, 전자 부품의 사이즈(접착면의 면적)가 1㎛2 내지 2500㎛2의 전자 부품이 처리에 제공될 수 있다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기한 바와 같이, 복수의 전자 부품이 점착 시트 상에 배치될 수 있다. 전자 부품의 간격은, 예를 들어 1㎛ 내지 500㎛이다. 본 발명에 있어서는, 간격을 좁게 해서, 피처리체를 임시 고정할 수 있는 점에서 유리하다.
레이저광으로서는, 예를 들어 UV 레이저광이 사용될 수 있다. 레이저광의 조사 출력은, 예를 들어 1μJ 내지 1000μJ이다. UV 레이저광의 파장은, 예를 들어 240㎚ 내지 380㎚이다.
1개의 실시 형태에 있어서는, 상기 전자 부품의 처리 방법은, 전자 부품의 박리 후, 당해 전자 부품을 다른 시트(예를 들어, 점착 시트, 기판 등)에 배치하는 것을 포함한다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 실시예에 있어서의 평가 방법은 이하와 같다. 또한, 하기 평가에 있어서는, 세퍼레이터를 박리한 점착 시트를 사용했다. 또한, 실시예에 있어서, 특별히 명기하지 않는 한, 「부」 및 「%」는 중량 기준이다.
(1) 투과율
중간층을 갖는 점착 시트의 경우에는, 점착 시트를, 분광 광도계(상품명 「UV-VIS 자외 가시 분광 광도계 SolidSpec3700」, 시마즈 세이사쿠쇼사제)에 세트하고, 입사광이 샘플의 가스 배리어층측에 수직으로 입사하도록 하고, 300㎚ 내지 800㎚의 파장 영역의 광투과율을 측정했다. 얻어진 투과 스펙트럼의 360㎚의 파장에 있어서의 투과율을 추출했다. 점착층만으로 구성되는 점착 시트의 경우에는, 한쪽의 박리 라이너를 남긴 상태에서 분광 광도계에 세트해서 측정하고, 그 후, 박리 라이너 단체의 투과 스펙트럼을 측정하고, 감산함으로써 점착층 단체의 투과 스펙트럼을 얻었다. 얻어진 투과 스펙트럼의 360㎚의 파장에 있어서의 투과율을 추출했다.
(2) 최대 가스 발생 피크 온도
점착 시트 시료 약 0.5㎎를 가열로형 파이롤라이저에 세트하고, 가열해서 휘발한 성분을 질량 분석하는 EGA-MS 분석에 의해, 매스 크로마토그램을 얻었다. 가열로형 파이롤라이저(프런티어 연구소사 제조, 상품명 「PY2020iD」)로 40℃로부터 500℃까지 승온 속도 10℃/분으로 승온하고, GC/MS 분석 장치(JEOL사 제조, 상품명 「JMS-T100GCV」)를 사용하여, 질량 범위 m/z=10 내지 800의 매스 크로마토그램으로부터 최대 가스 발생 피크 온도를 산출했다.
(3) 가스화 개시 온도
상기 (2)와 마찬가지 방법에 의해, 점착 시트를 승온하고, EGA 분석으로부터 산출되는 가스 발생 상승 온도를 가스화 개시 온도로 하였다. 가스 발생 상승 온도는, EGA 분석으로부터 얻어지는 EGA/MS 크로마토그램의 최대 가스 발생 피크의 반값에 도달하는 온도에서 정의된다.
(4) 발생 가스종
점착 시트 시료를 자동 시료 연소 장치(미쯔비시 가가꾸 아날리텍사 제조, 상품명 「AQF-2100H」)에 세트하고, 400℃에서 30분간 가열해서 발생한 가스를 포집했다. 포집액을 이온 크로마토그래피에 의해 분석함으로써, 발생 가스종을 특정했다.
(5) 5% 중량 감소 온도
시차 열분석 장치(TA Instruments사 제조, 상품명 「Discovery TGA」)를 사용하여, 점착 시트를 승온 온도 10℃/분, N2 분위기 하에서, 유량은 25ml/분으로 하고, 중량이 5% 감소하는 온도를 측정했다.
(6) 10% 중량 감소 온도
시차 열분석 장치(TA Instruments사 제조, 상품명 「Discovery TGA」)를 사용하여, 점착 시트를 승온 온도 10℃/분, N2 분위기 하에서, 유량은 25ml/분으로 하고, 중량이 10% 감소하는 온도를 측정했다.
점착 시트, 가스 발생층(UV 흡수제) 각각에 대해서, 10% 중량 감소 온도를 측정했다.
(7) 수증기 투과율
10㎜×10㎜의 개구부를 갖는 Al 지그의 개구부를 덮도록 시료를 첩부해서 측정 샘플을 제작하고, 수증기 투과도 측정 장치(MOCON사 제조, 상품명 「PERMATRAN-W3/34G」)의 제1 챔버와 제2 챔버 사이에 측정 샘플을 설치해서 MOCON 측정법에 의해 평가했다. 온습도 조건은 30℃/90%RH로 하고, 가스(수증기) 유량은 10.0± 0.5cc/min으로 하고, 측정 시간은 20시간으로 하였다.
점착 시트, 점착제층, 중간층 각각에 대해서, 수증기 투과율을 측정했다.
(8) 표면 형상 변화
점착 시트의 가스 발생층측(점착제층과는 반대측)에 유리판(마쓰나미 가라스사 제조, 대형 슬라이드 글래스 S9112(표준 대형 백연마 No.2))을 접합해서 측정 샘플을 얻었다. 측정 샘플의 유리판측으로부터, 파장 355㎚, 빔 직경 약 20㎛φ의 UV 레이저광을 사용하여, 0.80㎽ 출력, 주파수 40㎑로 펄스 스캔하고, 가스 발생층으로부터 가스를 발생시켰다. 펄스 스캔한 임의의 1스폿에 대응하는 점착제층 표면을, 레이저광 조사로부터 1분 후, 공초점 레이저 현미경에 의해 관찰하고, 수직 변위 Y와 수평 변위 X(직경; 반값 전체 폭)를 측정했다.
변위 Y가 8㎛ 이상인 경우, 박리성이 현저하게 우수하고(표 중, ◎); 변위 Y가 0.6㎛ 이상 8㎛ 미만인 경우, 박리성이 양호하고(표 중, ○); 변위 Y가 0.6㎛ 미만인 경우, 박리성이 불충분하다(표 중, ×).
(9) 점착력(가스 발생층측)
점착 시트의 점착제층측에, PET#25를 접합해서 측정 샘플을 얻었다. 측정 샘플의 가스 발생층측의 SUS430에 대한 점착력을, JIS Z 0237:2000에 준한 방법(접합 조건: 2㎏ 롤러 1 왕복, 인장 속도: 300㎜/min, 박리 각도 180°)에 의해, 측정했다.
(10) 점착력(점착제층)
점착 시트의 가스 발생층측에, PET#25를 접합해서 측정 샘플을 얻었다. 측정 샘플의 점착제층측의 SUS430에 대한 점착력을, JIS Z 0237:2000에 준한 방법(접합 조건: 2㎏ 롤러 1 왕복, 인장 속도: 300㎜/min, 박리 각도 180°)에 의해, 측정했다.
(11) 변형의 면내 균일성
상기 (8)과 같이 가스 발생층에 UV 레이저광을 조사했다.
무작위로 선택한 2㎜×2㎜ 범위의 변형부를 현미경으로 관찰하고, 볼록부의 90개% 이상이 동사이즈인 경우에는 양호(표 중, ○), 볼록부의 80개% 이상 90개% 미만이 동사이즈인 경우에는 가능(표 중, △), 볼록부의 80개% 미만이 동사이즈인 경우에는 나쁨(표 중, ×)으로 하였다. 동일 사이즈란, 변위 X의 차가 ±20% 이내인 것을 의미한다.
(12) 변형의 위치 선택성
상기 (8)과 같이 가스 발생층에 UV 레이저광을 조사했다.
레이저광 조사부만 단일 변형한 경우를 합격(○), 레이저 조사부 주변에 있어서도 복수 변형한 경우를 불합격(×)으로 하였다.
(13) 탄성률
나노인덴터(Hysitron Inc사제 Triboindenter TI-950)를 사용하여, 소정 온도(25℃)에 있어서의 단일 압입법에 의해, 압입 속도 약 500㎚/sec, 인발 속도 약 500㎚/sec, 압입 깊이 약 1500㎚의 측정 조건에서, 가스 발생층 단면의 탄성률을 측정했다.
[제조예 1] 점착제 a의 조제
톨루엔 중에, 2-에틸헥실아크릴레이트 30중량부와, 에틸아크릴레이트 70중량부와, 2-히드록시에틸 아크릴레이트 4중량부와, 메틸메타크릴레이트5중량부와, 중합 개시제로서 과산화 벤조일 0.2중량부를 첨가한 후, 70℃로 가열해서 아크릴계 공중합체(폴리머 A)의 톨루엔 용액을 얻었다.
폴리머 A의 톨루엔 용액(폴리머 A: 100중량부)과 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄사 제조, 상품명 「코로네이트 L」) 3중량부와, 계면 활성제(가오사 제조, 상품명 「엑세팔 IPP」) 5중량부를 혼합해서 점착제 a를 조제했다. 점착제 a의 조성을 표 1에 나타낸다.
[제조예 2] 점착제 b의 조제
아세트산에틸 중에, 2-에틸헥실아크릴레이트 95중량부와, 아크릴산 5중량부와, 중합 개시제로서 과산화 벤조일 0.15중량부를 첨가한 후, 70℃로 가열해서 아크릴계 공중합체(폴리머 A2)의 아세트산에틸 용액을 얻었다.
폴리머 A2의 아세트산에틸 용액(폴리머 A2: 100중량부)과, 에폭시계 가교제(미쯔비시 가스 가가꾸사 제조, 상품명 「TETRAD-C」) 1중량부와, 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄사 제조, 상품명 「코로네이트 L」) 3중량부를 혼합해서 점착제 b를 조제했다. 점착제 b의 조성을 표 1에 나타낸다.
[제조예 3] 점착제 I의 조제
가교제의 배합량을 1중량부로 하고, 계면 활성제를 함유시키지 않은 것 이외에는, 제조예 1과 마찬가지로 하여 점착제 I을 조제했다. 점착제 I의 조성을 표 1에 나타낸다.
[제조예 3'] 점착제 c의 조제
이소시아네이트계 가교제의 배합량을 1중량부로 하고, 에폭시계 가교제의 배합량을 0.4중량부로 한 것 이외에는, 제조예 2와 마찬가지로 하여 점착제 I을 조제했다. 점착제 I의 조성을 표 1에 나타낸다.
Figure pct00001
[제조예 4] 중간층 형성용 조성물 a의 조제
아세트산에틸 중에, 2-에틸헥실아크릴레이트 30중량부와, 메틸아크릴레이트 70중량부와, 아크릴산 10중량부와, 중합 개시제로서 과산화 벤조일 0.2중량부를 첨가한 후, 70℃로 가열해서 아크릴계 공중합체(폴리머 B)의 아세트산에틸 용액을 얻었다.
폴리머 B의 아세트산에틸 용액(폴리머 B: 100중량부)과 에폭시계 가교제(미쓰비시 가스 가가꾸사 제조, 상품명 「테트라드 C」) 1중량부와, UV 올리고머(미쓰비시 케미컬사 제조, 상품명 「시코 UV-1700B」) 50중량부와, 광중합 개시제(BASF사 제조, 상품명 「Omnirad127」) 3중량부를 혼합해서 중간층 형성용 조성물 a를 조제했다. 중간층 형성용 조성물 a의 조성을 표 2에 나타낸다.
[제조예 5] 중간층 형성용 조성물 b의 조제
말레산 변성 스티렌·에틸렌·부틸렌·스티렌 블록 공중합체(SEBS: 스티렌 부위/에틸렌·부틸렌 부위(중량비)=30/70, 산가: 10(㎎-CH3ONa/g), 아사히 가세이 케미컬즈사 제조, 상품명 「터프텍 M1913」) 100중량부와, 에폭시계 가교제(미쯔비시 가스 가가꾸사 제조, 상품명 「TETRAD-C」) 3중량부와, 지방산 에스테르계 계면 활성제(가오사 제조, 상품명 「엑세팔 IPP」, 분자량: 298.5, 알킬기의 탄소수: 16) 3중량부와, 용매로서의 톨루엔을 혼합하고, 중간층 형성용 조성물 b를 얻었다. 중간층 형성용 조성물 b의 조성을 표 2에 나타낸다.
Figure pct00002
[제조예 6] 가스 발생층 형성용 조성물 a의 조제
제조예 1과 마찬가지로 하여, 폴리머 A를 얻었다.
폴리머 A의 톨루엔 용액(폴리머 A: 100중량부)과 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄사 제조, 상품명 「코로네이트 L」) 1.5중량부와, 자외선 흡수제(BASF사 제조, 상품명 「Tinuvin477」) 20중량부를 혼합해서 가스 발생층 형성용 조성물 a를 조제했다. 가스 발생층 형성용 조성물 a의 조성을 표 3에 나타낸다.
[제조예 7] 가스 발생층 형성용 조성물 b의 조제
UV 흡수제의 배합량을 10중량부로 한 것 이외에는, 제조예 5와 마찬가지로 하여 가스 발생층 형성용 조성물 b를 조제했다. 가스 발생층 형성용 조성물 b의 조성을 표 3에 나타낸다.
[제조예 8] 가스 발생층 형성용 조성물 c의 조제
UV 흡수제로서, 2,4-비스(2-히드록시-4-부톡시페닐)-6-(2,4-디부톡시페닐)-1,3,5-트리아진(상품명 「TINUVIN 460」, BASF사제) 10중량부를 사용한 것 이외에는, 제조예 5와 마찬가지로 하여 가스 발생층 형성용 조성물 c를 조제했다. 가스 발생층 형성용 조성물 c의 조성을 표 3에 나타낸다.
[제조예 9] 가스 발생층 형성용 조성물 d의 조제
UV 흡수제로서, 2-(4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-1,3,5-트리아진-2-일)-5-히드록시페닐과 [(C10-C16(주로 C12-C13)알킬옥시)메틸]옥시란과의 반응 생성물(상품명 「TINUVIN 400」, BASF사제) 20중량부를 사용한 것 이외에는, 제조예 5와 마찬가지로 하여 가스 발생층 형성용 조성물 d를 조제했다. 가스 발생층 형성용 조성물 d의 조성을 표 3에 나타낸다.
[제조예 10] 가스 발생층 형성용 조성물 e의 조제
UV 흡수제로서, 2-[5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일]-4-메틸-6-(tert-부틸)페놀(상품명 「TINUVIN 326」, BASF사제) 20중량부를 사용한 것 이외에는, 제조예 5와 마찬가지로 하여 가스 발생층 형성용 조성물 e를 조제했다. 가스 발생층 형성용 조성물 e의 조성을 표 3에 나타낸다.
[제조예 11] 가스 발생층 형성용 조성물 f의 조제
제조예 3과 마찬가지로 하여, 폴리머 B를 얻었다.
폴리머 B의 아세트산에틸 용액(폴리머 B: 100중량부)과, 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄사 제조, 상품명 「코로네이트 L」) 1중량부와, 자외선 흡수제(BASF사 제조, 상품명 「Tinuvin477」) 20중량부를 혼합해서 가스 발생층 형성용 조성물 f를 조제했다. 가스 발생층 형성용 조성물 f의 조성을 표 3에 나타낸다.
[제조예 12] 가스 발생층 형성용 조성물 g의 조제
아세트산에틸 중에, 2-에틸헥실아크릴레이트 95중량부와, 아크릴산 5중량부와, 중합 개시제로서 과산화 벤조일 0.15중량부를 첨가한 후, 70℃로 가열해서 아크릴계 공중합체(폴리머 C)의 아세트산에틸 용액을 얻었다.
폴리머 C의 아세트산에틸 용액(폴리머 C: 100중량부)과, 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄사 제조, 상품명 「코로네이트 L」) 1중량부와, 자외선 흡수제(BASF사 제조, 상품명 「Tinuvin477」) 20중량부를 혼합해서 가스 발생층 형성용 조성물 g를 조제했다. 가스 발생층 형성용 조성물 g의 조성을 표 3에 나타낸다.
[제조예 13] 가스 발생층 형성용 조성물 h의 조제
아세트산에틸 중에, 2-에틸헥실아크릴레이트 95중량부와, 아크릴산 5중량부와, 중합 개시제로서 과산화 벤조일 0.15중량부를 첨가한 후, 70℃로 가열해서 아크릴계 공중합체(폴리머 C)의 아세트산에틸 용액을 얻었다.
폴리머 C의 아세트산에틸 용액(폴리머 C: 100중량부)과, 에폭시계 가교제(미쯔비시 가스 가가꾸사 제조, 상품명 「TETRAD-C」) 0.1중량부와, 자외선 흡수제(BASF사 제조, 상품명 「Tinuvin477」) 20중량부를 혼합해서 가스 발생층 형성용 조성물 h를 조제했다. 가스 발생층 형성용 조성물 h의 조성을 표 3에 나타낸다.
[제조예 14] 가스 발생층 형성용 조성물 i의 조제
말레산 변성 스티렌·에틸렌·부틸렌·스티렌 블록 공중합체(SEBS: 스티렌 부위/에틸렌·부틸렌 부위(중량비)=30/70, 산가: 10(㎎-CH3ONa/g), 아사히 가세이 케미컬즈사 제조, 상품명 「터프텍 M1913」) 100중량부와, 에폭시계 가교제(미쯔비시 가스 가가꾸사 제조, 상품명 「TETRAD-C」) 3중량부와, 자외선 흡수제(BASF사 제조, 상품명 「Tinuvin477」) 20중량부와, 용매로서의 톨루엔을 혼합하고, 가스 발생층 형성용 조성물 i를 조제했다. 가스 발생층 형성용 조성물 i의 조성을 표 3에 나타낸다.
[제조예 15] 가스 발생층 형성용 조성물 I의 조제
자외선 흡수제를 배합하지 않은 것 이외에는, 제조예 5와 마찬가지로 하여, 가스 발생층 형성용 조성물 I을 조제했다. 가스 발생층 형성용 조성물 I의 조성을 표 3에 나타낸다.
[제조예 16] 열팽창성 미소구 함유 조성물 I의 조제
자외선 흡수제를 배합하지 않고, 가교제의 배합량을 1.4중량부로 하고, 열팽창성 미소구(마쯔모또 유시 세야꾸사 제조, 상품명 「마쯔모토 마이크로 스페어 F-50D」) 30중량부, 및 테르펜페놀계 점착 부여 수지(스미토모 베이크라이트사 제조, 상품명 「스미라이트레진 PR51732」) 10중량부를 배합한 것 이외에는, 제조예 5와 마찬가지로 하여, 열팽창성 미소구 함유 조성물 I을 조제했다.
[제조예 17] 열팽창성 미소구 함유 조성물 II의 조제
테르펜페놀계 점착 부여 수지(스미토모 베이크라이트사 제조, 상품명 「스미라이트레진 PR51732」) 10중량부 대신에, 테르펜페놀계 점착 부여 수지(야스하라 케미컬사 제조, 상품명 「YS 폴리스타 T160」) 20중량부를 사용한 것 이외에는, 제조예 13과 마찬가지로 하여, 열팽창성 미소구 함유 조성물 II를 조제했다.
[제조예 14'] 가스 발생층 형성용 조성물 j의 조제
아세트산에틸 중에, 2-에틸헥실아크릴레이트 95중량부와, 아크릴산 5중량부와, 중합 개시제로서 과산화 벤조일 0.15중량부를 첨가한 후, 70℃로 가열해서 아크릴계 공중합체(폴리머 C)의 아세트산에틸 용액을 얻었다.
폴리머 C의 아세트산에틸 용액(폴리머 C: 100중량부)과, 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄사 제조, 상품명 「코로네이트 L」) 1중량부와, 에폭시계 가교제(미쯔비시 가스 가가꾸사 제조, 상품명 「TETRAD-C」) 0.1중량부와, 자외선 흡수제(BASF사 제조, 상품명 「TINUVIN 400」) 10중량부를 혼합해서 가스 발생층 형성용 조성물 j를 조제했다. 가스 발생층 형성용 조성물 j의 조성을 표 3에 나타낸다.
[제조예 14''] 가스 발생층 형성용 조성물 k의 조제
UV 흡수제의 배합량을 5중량부로 한 것 이외에는, 제조예 14와 마찬가지로 하여 가스 발생층 형성용 조성물 k를 조제했다. 가스 발생층 형성용 조성물 k의 조성을 표 3에 나타낸다.
Figure pct00003
[실시예 1]
제조예 1에서 얻은 점착제 a를, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께: 75㎛)에, 용제 휘발(건조) 후의 두께가 15㎛가 되도록 도포하고, 그 후, 건조하여, 해당 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 점착제층 전구층 a를 형성했다.
제조예 5에서 얻은 가스 발생층 형성용 조성물 a를, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이사 제조, 상품명 「세라필」 두께: 38㎛)에, 용제 휘발(건조) 후의 두께가 7㎛가 되도록 도포하고, 그 후, 건조하여, 해당 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 가스 발생층 전구층 a를 형성했다.
상기 점착제층 전구층 a와 상기 가스 발생층 전구층 a를 롤간에서 라미네이트해서 접합, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 끼워진 점착 시트(점착제층/가스 발생층)를 얻었다.
얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 4에 나타낸다.
[실시예 2]
제조예 1에서 얻은 점착제 a를, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께: 75㎛)에, 용제 휘발(건조) 후의 두께가 15㎛가 되도록 도포하고, 그 후, 건조하여, 해당 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 점착제층 전구층 a를 형성했다.
제조예 3에서 얻은 중간층 형성용 조성물 a를, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이사 제조, 상품명 「세라필」 두께: 38㎛)에, 용제 휘발(건조) 후의 두께가 15㎛가 되도록 도포하고, 그 후, 건조하여, 해당 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 중간층 전구층 a를 형성했다.
이어서, 상기 점착제층 전구층 a와 상기 중간층 전구층 a를 롤간에서 라미네이트해서 접합, 중간층 전구층측에서 500mJ/㎠의 조건에서 UV 조사하고, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 끼워진 적층체 전구층 a를 얻었다.
제조예 5에서 얻은 가스 발생층 형성용 조성물 a를, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이사 제조, 상품명 「세라필」 두께: 38㎛)에, 용제 휘발(건조) 후의 두께가 7㎛가 되도록 도포하고, 그 후, 건조하여, 해당 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 가스 발생층 전구층 a를 형성했다.
상기 적층체 전구층 a의 중간층 전구층 a측의 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리한 후, 적층체 전구층 a의 중간층 전구층 a와 상기 가스 발생층 전구층 a를 롤간에서 라미네이트해서 접합, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 끼워진 점착 시트(점착제층/중간층/가스 발생층)를 얻었다.
얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 4에 나타낸다.
[실시예 3]
제조예 1에서 얻은 점착제 a를, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께: 75㎛)에, 용제 휘발(건조) 후의 두께가 15㎛가 되도록 도포하고, 그 후, 건조하여, 해당 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 점착제층 전구층 a를 형성했다.
제조예 4에서 얻은 중간층 형성용 조성물 b를, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이사 제조, 상품명 「세라필」 두께: 38㎛)에, 용제 휘발(건조) 후의 두께가 15㎛가 되도록 도포하고, 그 후, 건조하여, 해당 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 중간층 전구층 a를 형성했다.
이어서, 상기 점착제층 전구층 a와 상기 중간층 전구층 b를 롤간에서 라미네이트해서 접합하고, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 끼워진 적층체 전구층 b를 얻었다.
제조예 5에서 얻은 가스 발생층 형성용 조성물 a를, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이사 제조, 상품명 「세라필」 두께: 38㎛)에, 용제 휘발(건조) 후의 두께가 7㎛가 되도록 도포하고, 그 후, 건조하여, 해당 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 가스 발생층 전구층 a를 형성했다.
상기 적층체 전구층 b의 중간층 전구층 b측의 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리한 후, 적층체 전구층 b의 중간층 전구층 b와 상기 가스 발생층 전구층 a를 롤간에서 라미네이트해서 접합, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 끼워진 점착 시트(점착제층/중간층/가스 발생층)를 얻었다.
얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 4에 나타낸다.
[실시예 4]
제조예 1에서 얻은 점착제 a를, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께: 75㎛)에, 용제 휘발(건조) 후의 두께가 15㎛가 되도록 도포하고, 그 후, 건조하여, 해당 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 점착제층 전구층 a를 형성했다.
제조예 5에서 얻은 가스 발생층 형성용 조성물 a를, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이사 제조, 상품명 「세라필」 두께: 38㎛)에, 용제 휘발(건조) 후의 두께가 7㎛가 되도록 도포하고, 그 후, 건조하여, 해당 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 가스 발생층 전구층 a를 형성했다.
상기 점착제층 전구층 a를, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이사 제조, 상품명 「루미러#2F51N」 두께: 2㎛)의 편측에, 롤간에서 라미네이트해서 접합했다.
이어서, 가스 발생층 전구층 a를, 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 점착제층 전구층 a와는 반대측에, 롤간에서 라미네이트해서 접합했다.
이와 같이 해서, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 끼워진 점착 시트(점착제층/중간층/가스 발생층)를 얻었다.
얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 4에 나타낸다.
[실시예 5]
가스 발생층 형성용 조성물 a 대신에, 가스 발생층 형성용 조성물 b를 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 점착 시트를 얻었다. 얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 4에 나타낸다.
[실시예 6]
가스 발생층 형성용 조성물 a 대신에, 가스 발생층 형성용 조성물 c를 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 점착 시트를 얻었다. 얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 4에 나타낸다.
[실시예 7]
가스 발생층 형성용 조성물 a 대신에, 가스 발생층 형성용 조성물 d를 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 점착 시트를 얻었다. 얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 4에 나타낸다.
[실시예 8]
가스 발생층 형성용 조성물 a 대신에, 가스 발생층 형성용 조성물 e를 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 점착 시트를 얻었다. 얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 5에 나타낸다.
[실시예 9]
점착제층의 두께를 1㎛로 하고, 가스 발생층의 두께를 10㎛로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 점착 시트를 얻었다. 얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 5에 나타낸다.
[실시예 10]
점착제층의 두께를 1㎛로 하고, 가스 발생층의 두께를 15㎛로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 점착 시트를 얻었다. 얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 5에 나타낸다.
[실시예 11]
점착제층의 두께를 5㎛로 하고, 가스 발생층의 두께를 5㎛로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 점착 시트를 얻었다. 얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 5에 나타낸다.
[실시예 12]
점착제층의 두께를 10㎛로 하고, 가스 발생층의 두께를 5㎛로 한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 점착 시트를 얻었다. 얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 5에 나타낸다.
[실시예 13]
가스 발생층 형성용 조성물 a 대신에, 가스 발생층 형성용 조성물 f를 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 점착 시트를 얻었다. 얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 5에 나타낸다.
[실시예 14]
가스 발생층 형성용 조성물 a 대신에, 가스 발생층 형성용 조성물 g를 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 점착 시트를 얻었다. 얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 5에 나타낸다.
[실시예 15]
폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이사 제조, 상품명 「루미러 S10」, 두께: 50㎛)의 한쪽 면에, 가스 발생층 형성용 조성물 h를 용제 휘발(건조) 후의 두께가 20㎛가 되도록 도공하고, 가스 발생층을 형성했다.
이어서, 점착제 b를, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이사 제조, 상품명 「세라필」 두께: 38㎛)에, 용제 휘발(건조) 후의 두께가 10㎛가 되도록 도공하여, 점착제층을 형성했다.
이어서, 가스 발생층과 점착제층을 적층하여, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 보호된 점착 시트(점착제층/가스 발생층/기재)를 얻었다.
얻어진 점착 시트를 상기 평가에 제공했다. 결과를 표 6에 나타낸다.
[실시예 16]
가스 발생층 형성용 조성물 h 대신에, 가스 발생층 형성용 조성물 i를 사용한 것 이외에는, 실시예 14와 마찬가지로 하여 점착 시트를 얻었다. 얻어진 점착 시트를 상기 평가에 제공했다. 결과를 표 6에 나타낸다.
[실시예 17]
폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이사 제조, 상품명 「루미러 S10」, 두께: 50㎛)의 한쪽 면에, 가스 발생층 형성용 조성물 j를 용제 휘발(건조) 후의 두께가 20㎛가 되도록 도공하고, 가스 발생층을 형성했다.
이어서, 점착제 a를, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이사 제조, 상품명 「세라필」 두께: 38㎛)에, 용제 휘발(건조) 후의 두께가 5㎛가 되도록 도공하여, 점착제층을 형성했다.
이어서, 가스 발생층과 점착제층을 적층하여, 실리콘 이형제 처리면을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 보호된 점착 시트(점착제층/가스 발생층/기재)를 얻었다.
얻어진 점착 시트를 상기 평가에 제공했다. 결과를 표 6에 나타낸다.
[실시예 18]
가스 발생층 형성용 조성물 j 대신에, 가스 발생층 형성용 조성물 k를 사용한 것 이외에는, 실시예 17과 마찬가지로 하여 점착 시트를 얻었다. 얻어진 점착 시트를 상기 평가에 제공했다. 결과를 표 6에 나타낸다.
Figure pct00004
Figure pct00005
Figure pct00006
[비교예 1]
가스 발생층 형성용 조성물 a 대신에, 가스 발생층 형성용 조성물 I을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 점착 시트를 얻었다. 얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 7에 나타낸다.
[비교예 2]
점착제 a 대신에 점착제 I을 사용하여, 점착제층의 두께를 10㎛로 하고, 두께 188㎛의 PET 필름을 중간층으로서 사용하고, 가스 발생층 형성용 조성물 a 대신에, 열팽창성 미소구 함유 조성물 I을 사용해서 48㎛의 가스 발생층을 형성한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 점착 시트를 얻었다. 얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 7에 나타낸다.
[비교예 3]
점착제 a 대신에 점착제 I을 사용하여, 점착제층의 두께를 10㎛로 하고, 두께 100㎛의 PET 필름을 중간층으로서 사용하고, 가스 발생층 형성용 조성물 a 대신에, 열팽창성 미소구 함유 조성물 II를 사용해서 48㎛의 가스 발생층을 형성한 것 이외에는, 실시예 4와 마찬가지로 하여 점착 시트를 얻었다. 얻어진 점착 시트를 상기 평가 (1) 내지 (12)에 제공했다. 결과를 표 7에 나타낸다.
Figure pct00007
10 : 가스 발생층
20 : 점착제층
30 : 중간층
100, 200 : 점착 시트

Claims (17)

  1. 가스 발생층과, 해당 가스 발생층의 편측에 배치된 적어도 1층의 점착제층을 구비하는 점착 시트이며,
    해당 점착제층이, 해당 점착 시트에의 레이저광 조사에 의해, 그 표면이 변형하는 층인,
    점착 시트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스 발생층이 자외선 흡수 가능한 층인, 점착 시트.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가스 발생층이 자외선 흡수제를 포함하는, 점착 시트.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 발생층의 두께가 0.1㎛ 내지 50㎛인, 점착 시트.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 발생층이 탄화수소계 가스를 발생시키는 층인, 점착 시트.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 발생층의 가스화 개시 온도가 150℃ 내지 500℃인, 점착 시트.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 발생층의 나노인덴테이션법에 의한 탄성률 Er(gas)[단위: ㎫]과 두께 h(gas)[단위: ㎛]가, 하기 식 (1)을 충족하는, 점착 시트.
    Log(Er(gas)×106)≥8.01×h(gas)-0.116 … (1)
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착제층의 두께가 0.1㎛ 내지 50㎛인, 점착 시트.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착 시트에의 레이저광 조사에 의한 상기 점착제층 표면의 변형량이, 상기 점착제층의 수직 변위에서 0.6㎛ 이상인, 점착 시트.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    파장 360㎚의 자외선 투과율이 30% 이하인, 점착 시트.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    10% 중량 감소 온도가 200℃ 내지 500℃인, 점착 시트.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    수증기 투과율이 5000g/(㎡·day) 이하인, 점착 시트.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 점착 시트 상에 전자 부품을 접착하는 것, 및 해당 점착 시트에 레이저광을 조사해서 해당 점착 시트로부터 해당 전자 부품을 박리하는 것을 포함하는, 전자 부품의 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 전자 부품의 박리가, 위치 선택적으로 행해지는, 전자 부품의 처리 방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서,
    상기 점착 시트에 상기 전자 부품을 접착한 후, 해당 점착 시트로부터 해당 전자 부품을 박리하기 전에,
    해당 전자 부품에 소정의 처리를 행하는 것을 포함하는,
    전자 부품의 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 처리가, 그라인드 가공, 다이싱 가공, 다이 본딩, 와이어 본딩, 에칭, 증착, 몰딩, 회로 형성, 검사, 검품, 세정, 전사, 배열, 리페어 또는 디바이스 표면의 보호인, 전자 부품의 처리 방법.
  17. 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착 시트로부터 상기 전자 부품을 박리한 후, 전자 부품을 다른 시트에 배치하는 것을 포함하는, 전자 부품의 처리 방법.
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