CN116034144A - 构件加工方法 - Google Patents

构件加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116034144A
CN116034144A CN202180055460.2A CN202180055460A CN116034144A CN 116034144 A CN116034144 A CN 116034144A CN 202180055460 A CN202180055460 A CN 202180055460A CN 116034144 A CN116034144 A CN 116034144A
Authority
CN
China
Prior art keywords
meth
acrylate
absorbing layer
ultraviolet
ultraviolet absorbing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180055460.2A
Other languages
English (en)
Inventor
上野周作
平山高正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN116034144A publication Critical patent/CN116034144A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

提供一种构件加工方法，其即使包括将硬质基板从被加工物(构件等)剥离，也能够防止该被加工物的破损等。本发明的构件加工方法包括：层叠工序，将硬质基板、紫外线吸收层和被加工物依次层叠；其后，加工工序，对该被加工物进行加工；和其后，剥离工序，对该紫外线吸收层照射紫外线，将硬质基板从被加工物剥离。

Description

构件加工方法
技术领域
本发明涉及构件加工方法。
背景技术
在电子部件(构件)的加工中，考虑到工序间的处理性，有时用一组基板夹持构件，对该构件进行加工(例如，专利文献1)。例如，在将构件热压接而连接于布线电路基板上的端子的工序中，在将构件暂时放置于布线电路基板上的端子的状态下从其上方借助双面粘合片将钢板重叠，边进行加压边保持该构件，进行热处理从而使该端子固接。然后，热处理后解除加压，将钢板从构件剥离，上述构件固接于布线电路基板上的端子上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第6691184号
发明内容
发明要解决的问题
在以上述对布线电路基板上的构件进行热压接的工序为代表那样的工序中，即用一组基板(第1基板、第2基板)夹持构件，然后使一个基板(第2基板)从构件剥离的工序中，在被剥离的第2基板为硬质的情况下，该第2基板(硬质基板)难以挠曲，因此使得该第2基板(硬质基板)在垂直方向上分离。这样，存在负荷施加于构件从而该构件破损、或构件从第1基板不必要地脱离等问题。
本发明是为了解决上述以往的课题而作出的，其目的在于，提供一种构件加工方法，其即使包括将硬质基板从被加工物(构件等)剥离，也能够防止该被加工物的破损等。
用于解决问题的方案
本发明的构件加工方法包括：层叠工序，将硬质基板、紫外线吸收层和被加工物依次层叠；其后，加工工序，对该被加工物进行加工；和其后，剥离工序，对该紫外线吸收层照射紫外线，将硬质基板从被加工物剥离。
1个实施方式中，上述被加工物包含：另一硬质基板、和配置于该硬质基板的至少单侧的构件。
1个实施方式中，上述被加工物为半导体晶圆。
1个实施方式中，上述硬质基板具有透光性。
1个实施方式中，上述紫外线吸收层具有粘合性。
1个实施方式中，上述紫外线吸收层包含活性能量射线固化型粘合剂。
1个实施方式中，上述紫外线吸收层包含紫外线吸收剂。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种构件加工方法，其即使包括将硬质基板从被加工物(构件等)剥离，也能够防止该被加工物的破损等。
附图说明
图1为对本发明的1个实施方式的构件加工方法进行说明的概略图。
具体实施方式
A.构件加工方法的概要
图1为对本发明的1个实施方式的构件加工方法进行说明的概略图。本发明的构件加工方法包括：(i)将硬质基板10、紫外线吸收层20和被加工物30依次层叠的工序(以下也称为层叠工序)、(ii)其后，对该被加工物30进行加工的工序(加工工序)、及(iii)其后，对该紫外线吸收层20照射紫外线，将硬质基板10从被加工物30剥离的工序(剥离工序)。
B.层叠工序
如上所述，层叠工序为将硬质基板10、紫外线吸收层20和被加工物30依次层叠的工序。1个实施方式中，紫外线吸收层具有粘合性。图示例的被加工物30具备另一硬质基板31和配置于另一硬质基板31的单侧的构件32。
1个实施方式中，在紫外线吸收层20与被加工物30之间可以进一步配置基材21和粘合剂层22。紫外线吸收层20、基材21和粘合剂层22可依次配置。1个实施方式中，由紫外线吸收层20、基材21和粘合剂层22构成的层叠体可以为双面粘合片A。
另一实施方式中，硬质基板与被加工物可隔着紫外线吸收层而配置。更详细而言，硬质基板直接配置于紫外线吸收层的一个面，被加工物直接配置于紫外线吸收层的另一面。
B-1.硬质基板
上述硬质基板是指弯曲弹性模量为1GPa以上的板状的成形体。弯曲弹性模量可根据构成硬质基板的材料，分别依据JIS K7171或JIS R1602，通过4点弯曲试验进行测定。
作为构成上述硬质基板的材料，可使用任意适当的材料。作为硬质基板，例如，可举出玻璃基板、金属基板、硅基板、蓝宝石基板、塑料基板等。
优选上述硬质基板具有透光性。上述硬质基板的紫外线(波长360nm)透过率优选为70％以上、更优选为80％～99.9％。如果硬质基板具有透光性，则能够优选发生剥离工序中的剥离。
B-2.紫外线吸收层
紫外线吸收层可以为在初期(即紫外线照射前)具有粘合性、在紫外线照射后粘合力降低而显示剥离性的层。1个实施方式中，紫外线吸收层可以为通过局部的紫外线照射(例如，UV激光照射)而局部粘合力降低的层。
1个实施方式中，紫外线吸收层包含紫外线吸收剂。优选紫外线吸收层还包含粘合剂。作为粘合剂，例如，可举出压敏粘合剂、活性能量射线固化型粘合剂。
通过使紫外线吸收层包含紫外线吸收剂，从而可实现UV激光照射所带来的被粘物的剥离。更详细而言，对紫外线吸收层照射UV激光从而紫外线吸收剂分解而产生气体、和/或紫外线吸收剂发热从而紫外线吸收层分解而产生气体，上述气体紫外线吸收层发生变形，结果照射UV激光的部分表现出剥离性。
另外，如果紫外线吸收层包含活性能量射线固化型粘合剂，则通过照射活性能量射线，能够降低紫外线吸收层整体的粘合力。1个实施方式中，对紫外线吸收层的整体照射活性能量射线而使粘合力降低后，如上述那样照射激光。这样，能够显著地防止剥离后的残胶、向硬质基板的再附着，例如，与使用清漆的以往的方法相比，从防止污染的观点出发是有利的。作为活性能量射线，例如，可举出γ射线、紫外线、可见光线、红外线(热射线)、无线电波、α射线、β射线、电子束、等离子体流、电离辐射线、粒子线等。优选为紫外线。
紫外线吸收层的波长360nm的透光率优选为50％以下。通过降低该透光率，从而能够降低剥离时的激光输出。紫外线吸收层的波长355nm的透光率优选为30％以下。为这样的范围时，上述效果变得更显著。另外，紫外线吸收层的波长380nm的透光率优选为30％以上、更优选为50％以上。
将紫外线吸收层贴接于不锈钢板时的23℃下的初期粘合力优选为0.1N/20mm～20N/20mm、更优选为0.5N/20mm～15N/20mm。为这样的范围时，能够形成可良好地保持被加工物的紫外线吸收层。粘合力依据JIS Z0237：2000来测定。具体而言，使2kg的辊往返1次来将紫外线吸收层贴接于不锈钢板(算术平均表面粗糙度Ra：50±25nm)，在23℃下放置30分钟后，在剥离角度180°、剥离速度(拉伸速度)300mm/min的条件下剥离紫外线吸收层并进行测定。紫外线吸收层的粘合力通过活性能量射线照射及激光照射而发生变化，本说明书中，“初期粘合力”是指照射活性能量射线及激光前的粘合力。
1个实施方式中，将紫外线吸收层贴接于不锈钢板，照射460mJ/cm2的紫外线后的23℃下的粘合力优选为0.01N/20mm～2N/20mm、更优选为0.02N/20mm～1N/20mm。为这样的范围时，能够形成可残胶少地剥离的紫外线吸收层。上述紫外线照射例如使用紫外线照射装置(日东精机株式会社制、商品名“UM-810”)对紫外线吸收层照射高压汞灯的紫外线(特性波长：365nm、累积光量：460mJ/cm2、照射能量：70W/cm2、照射时间：6.6秒)来进行。
紫外线吸收层的厚度优选为50μm以下。为这样的范围时，能够进一步降低剥离时的激光输出。紫外线吸收层的厚度更优选为40μm以下、进一步优选为30μm以下、更优选为1μm～30μm。为这样的范围时，上述效果变得显著。
·紫外线吸收剂：
作为紫外线吸收剂，只要为吸收紫外线(例如，波长355nm)的化合物，则可使用任意适当的紫外线吸收剂。作为紫外线吸收剂，例如，可举出苯并三唑系紫外线吸收剂、二苯甲酮系紫外线吸收剂、三嗪系紫外线吸收剂、水杨酸酯系紫外线吸收剂、氰基丙烯酸酯系紫外线吸收剂等。其中优选为三嗪系紫外线吸收剂或苯并三唑系紫外线吸收剂，特别优选为三嗪系紫外线吸收剂。特别是使用丙烯酸系粘合剂作为粘合剂A的情况下，从与该丙烯酸系粘合剂的基础聚合物的相容性高的方面出发，优选可使用三嗪系紫外线吸收剂。三嗪系紫外线吸收剂更优选由具有羟基的化合物构成，特别优选为由羟基苯基三嗪系化合物构成的紫外线吸收剂(羟基苯基三嗪系紫外线吸收剂)。
作为羟基苯基三嗪系紫外线吸收剂，例如，可举出2-(4,6-双(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三嗪-2-基)-5-羟基苯基与[(C10-C16(主要为C12-C13)烷基氧基)甲基]环氧乙烷的反应产物(商品名“TINUVIN 400”、BASF公司制)、2-[4,6-双(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三嗪-2-基]-5-[3-(十二烷基氧基)-2-羟基丙氧基]苯酚)、2-(2,4-二羟基苯基)-4,6-双-(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三嗪与(2-乙基己基)-缩水甘油酸酯的反应产物(商品名“TINUVIN405”、BASF公司制)、2,4-双(2-羟基-4-丁氧基苯基)-6-(2,4-二丁氧基苯基)-1,3,5-三嗪(商品名“TINUVIN 460”、BASF公司制)、2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-5-[(己基)氧基]-苯酚(商品名“TINUVIN 1577”、BASF公司制)、2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-5-[2-(2-乙基己酰基氧基)乙氧基]-苯酚(商品名“ADK STAB LA-46”、ADEKA株式会社制)、2-(2-羟基-4-[1-辛基氧基羰基乙氧基]苯基)-4,6-双(4-苯基苯基)-1,3,5-三嗪(商品名“TINUVIN 479”、BASF公司制)、BASF公司制的商品名“TINUVIN 477”等。
作为苯并三唑系紫外线吸收剂(苯并三唑系化合物)，例如，可举出2-(2-羟基-5-叔丁基苯基)-2H-苯并三唑(商品名“TINUVIN PS”、BASF公司制)、苯丙酸及3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-(1,1-二甲基乙基)-4-羟基(C7-9侧链及直链烷基)的酯化合物(商品名“TINUVIN 384-2”、BASF公司制)、辛基3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯及2-乙基己基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯的混合物(商品名“TINUVIN 109”、BASF公司制)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-双(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚(商品名“TINUVIN 900”、BASF公司制)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚(商品名“TINUVIN 928”、BASF制)、甲基3-(3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯/聚乙二醇300的反应产物(商品名“TINUVIN1130”、BASF公司制)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-对甲酚(商品名“TINUVIN P”、BASF公司制)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-双(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚(商品名“TINUVIN234”、BASF公司制)、2-[5-氯-2H-苯并三唑-2-基]-4-甲基-6-(叔丁基)苯酚(商品名“TINUVIN 326”、BASF公司制)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-二-叔戊基苯酚(商品名“TINUVIN 328”、BASF公司制)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚(商品名“TINUVIN 329”、BASF公司制)、2,2’-亚甲基双[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚](商品名“TINUVIN 360”、BASF公司制)、甲基3-(3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯与聚乙二醇300的反应产物(商品名“TINUVIN 213”、BASF公司制)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-十二烷基-4-甲基苯酚(商品名“TINUVIN 571”、BASF公司制)、2-[2-羟基-3-(3,4,5,6-四氢邻苯二甲酰亚胺-甲基)-5-甲基苯基]苯并三唑(商品名“Sumisorb 250”、住友化学(株)制)、2-(3-叔丁基-2-羟基-5-甲基苯基)-5-氯-2H-苯并三唑(商品名“SEESORB 703”、SHIPRO KASEI公司制)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-甲基-6-(3,4,5,6-四氢邻苯二甲酰亚胺基甲基)苯酚(商品名“SEESORB706”、SHIPRO KASEI公司制)、2-(4-苯甲酰氧基-2-羟基苯基)-5-氯-2H-苯并三唑(SHIPRO KASEI公司制的商品名“SEESORB7012BA”)、2-叔丁基-6-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)-4-甲基苯酚(商品名“KEMISORB 73”、Chemipro Kasei公司制)、2,2’-亚甲基双[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-叔辛基苯酚](商品名“ADK STAB LA-31”、ADEKA株式会社制)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-对纤维素(商品名“ADKSTAB LA-32”、ADEKA株式会社制)、2-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)-6-叔丁基-4-甲基苯酚(商品名“ADK STAB LA-36”、ADEKA株式会社制)等。
上述紫外线吸收剂可以为染料或颜料。作为颜料，例如，可举出偶氮系、酞菁系、蒽醌系、色淀系、苝系、芘酮(perinone)系、喹吖啶酮系、硫靛蓝系、二噁嗪系、异吲哚酮系、喹酞酮系等颜料。作为染料，可举出偶氮系、酞菁系、蒽醌系、羰基系、靛蓝系、醌亚胺系、次甲基系、喹啉系、硝基系等染料。
构成上述紫外线吸收剂的化合物的分子量优选为100～1500、更优选为200～1200、进一步优选为200～1000。为这样的范围时，能够形成可通过激光照射而形成更良好的变形部的紫外线吸收层。
上述紫外线吸收剂的最大吸收波长优选为300nm～450nm、更优选为320nm～400nm、进一步优选为330nm～380nm。紫外线吸收剂的最大吸收波长与上述光聚合引发剂的最大吸收波长之差优选为10nm以上、更优选为25nm以上。
上述紫外线吸收剂的5％减重温度优选为350℃以下、更优选为330℃以下。紫外线吸收剂的5％减重温度的下限例如为100℃。为这样的范围时，能够形成可通过激光照射而形成更良好的变形部的紫外线吸收层。紫外线吸收剂的5％减重温度是指，使紫外线吸收剂升温时的该紫外线吸收剂的重量相对于升温前的重量减少了5重量％的时刻的温度。5％减重温度使用差示热分析装置在升温温度10℃/分钟、空气气氛下、流量25ml/分钟的测定条件下进行测定。
上述紫外线吸收剂的含有比例相对于紫外线吸收层中的基础聚合物100重量份，优选为1重量份～50重量份、更优选为5重量份～20重量份。为这样的范围时，能够形成在通过活性能量射线的照射良好地降低紫外线吸收层整体的粘合力时良好地进行紫外线吸收层的固化，并且通过激光照射而显示出良好的剥离性的紫外线吸收层。
·活性能量射线固化型粘合剂：
1个实施方式中，作为活性能量射线固化型粘合剂，使用包含作为母剂的基础聚合物和能与该基础聚合物键合的活性能量射线反应性化合物(单体或低聚物)的活性能量射线固化型粘合剂(A1)。另一实施方式中，使用包含活性能量射线反应性聚合物作为基础聚合物的活性能量射线固化型粘合剂(A2)。优选的是，上述基础聚合物具有能与光聚合引发剂反应的官能团。作为该官能团，例如，可举出羟基、羧基等。
作为上述粘合剂(A1)中使用的基础聚合物，例如，可举出天然橡胶、聚异丁烯橡胶、苯乙烯·丁二烯橡胶、苯乙烯·异戊二烯·苯乙烯嵌段共聚物橡胶、再生橡胶、丁基橡胶、聚异丁烯橡胶、丁腈橡胶(NBR)等橡胶系聚合物；有机硅系聚合物；丙烯酸系聚合物等。这些聚合物可以单独使用或组合使用2种以上。其中优选为丙烯酸系聚合物。
作为丙烯酸系聚合物，可举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等含烃基的(甲基)丙烯酸酯的均聚物或共聚物；该含烃基的(甲基)丙烯酸酯与其他共聚性单体的共聚物等。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，例如，可举出(甲基)丙烯酸的甲基酯、乙基酯、丙基酯、异丙基酯、丁基酯、异丁基酯、仲丁基酯、叔丁基酯、戊基酯、异戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己基酯、异辛基酯、壬基酯、癸基酯、异癸基酯、十一烷基酯、十二烷基酯即月桂基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、及二十烷基酯。作为(甲基)丙烯酸环烷基酯，例如，可举出(甲基)丙烯酸的环戊基酯及环己基酯。作为(甲基)丙烯酸芳基酯，例如，可举出(甲基)丙烯酸苯酯及(甲基)丙烯酸苄酯。源自上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯的结构单元的含有比例相对于基础聚合物100重量份优选为40重量份以上、更优选为60重量份以上。
作为上述其他共聚性单体，例如，可举出含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含缩水甘油基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、及丙烯腈等含官能团单体等。作为含羧基单体，例如，可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、及巴豆酸。作为酸酐单体，例如，可举出马来酸酐及衣康酸酐。作为含羟基单体，例如，可举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙基、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、及(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯。作为含缩水甘油基单体，例如，可举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯。作为含磺酸基单体，例如，可举出苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、及(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸。作为含磷酸单体，例如，可举出2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯。作为丙烯酰胺，例如可举出N-丙烯酰基吗啉。这些可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。源自上述共聚性单体的结构单元的含有比例相对于基础聚合物100重量份优选为60重量份以下、更优选为40重量份以下。
丙烯酸系聚合物为了在其聚合物骨架中形成交联结构而包含源自多官能性单体的结构单元。作为多官能性单体，例如，可举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯(即聚(甲基)丙烯酸缩水甘油酯)、聚酯(甲基)丙烯酸酯、及氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。这些可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。源自上述多官能性单体的结构单元的含有比例相对于基础聚合物100重量份优选为40重量份以下、更优选为30重量份以下。
上述丙烯酸系聚合物的重均分子量优选为10万～300万、更优选为20万～200万。重均分子量可通过GPC(溶剂：THF)来测定。
作为上述粘合剂(A1)中可使用的上述活性能量射线反应性化合物，例如，可举出具有丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等具有聚合性碳-碳多键的官能团的光反应性的单体或低聚物。作为该光反应性的单体的具体例，可举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸与多元醇的酯化物；多官能氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯；环氧(甲基)丙烯酸酯；低聚酯(甲基)丙烯酸酯等。另外，也可以使用甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯)、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等单体。作为光反应性的低聚物的具体例，可举出上述单体的2～5聚物等。光反应性的低聚物的分子量优选为100～3000。
另外，作为上述活性能量射线反应性化合物，可以使用环氧化丁二烯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酰胺、乙烯基硅氧烷等单体；或由该单体构成的低聚物。
进而，作为上述活性能量射线反应性化合物，可以使用鎓盐等有机盐类与分子内具有多个杂环的化合物的混合物。该混合物通过活性能量射线(例如，紫外线、电子束)的照射，有机盐裂解而生成离子，其成为起始种，引起杂环的开环反应，从而可形成三维网状结构。作为上述有机盐类，例如，可举出碘鎓盐、鏻盐、锑盐、锍盐、硼酸盐等。作为上述分子内具有多个杂环的化合物中的杂环，可举出环氧乙烷、氧杂环丁烷、氧杂环戊烷、硫杂环丙烷、氮丙啶等。
上述粘合剂(A1)中，活性能量射线反应性化合物的含有比例相对于基础聚合物100重量份优选为0.1重量份～500重量份、更优选为5重量份～300重量份、进一步优选为40重量份～150重量份。
作为上述粘合剂(A2)中包含的活性能量射线反应性聚合物(基础聚合物)，例如，可举出具有丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等具有碳-碳多键的官能团的聚合物。作为活性能量射线反应性聚合物的具体例，可举出由多官能(甲基)丙烯酸酯构成的聚合物；光阳离子聚合型聚合物；聚乙烯基肉桂酸酯等含肉桂酰基聚合物；进行了重氮化的氨基酚醛清漆树脂；聚丙烯酰胺；等。
1个实施方式中，使用在上述丙烯酸系聚合物的侧链、主链和/或主链末端导入活性能量射线聚合性的碳-碳多键而构成的活性能量射线反应性聚合物。作为辐射线聚合性的碳-碳双键向丙烯酸系聚合物的导入方法，例如，可举出下述方法：使包含具有规定官能团(第1官能团)的单体的原料单体共聚而得到丙烯酸系聚合物后，使具有可与第1官能团间发生反应而键合的规定官能团(第2官能团)和辐射线聚合性碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的辐射线聚合性的状态下与丙烯酸系聚合物进行缩合反应或加成反应。
作为第1官能团与第2官能团的组合，例如，可举出羧基与环氧基、环氧基与羧基、羧基与氮丙啶基、氮丙啶基与羧基、羟基与异氰酸酯基、异氰酸酯基与羟基。这些组合之中，从反应追踪的容易性的观点出发，优选羟基与异氰酸酯基的组合、异氰酸酯基与羟基的组合。另外，制作具有反应性高的异氰酸酯基的聚合物在技术上的难度高，因此从丙烯酸系聚合物的制作或获得的容易性的观点出发，更优选丙烯酸系聚合物侧的上述第1官能团为羟基并且上述第2官能团为异氰酸酯基的情况。该情况下，作为兼具辐射线聚合性碳-碳双键和作为第2官能团的异氰酸酯基的异氰酸酯化合物，例如，可举出甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、及间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯。另外，作为具有第1官能团的丙烯酸系聚合物，优选包含源自上述的含羟基单体的结构单元，也优选包含源自2-羟基乙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚等醚系化合物的结构单元。
上述粘合剂(A2)还可以包含上述活性能量射线反应性化合物(单体或低聚物)。
上述活性能量射线固化型粘合剂可包含光聚合引发剂。
作为光聚合引发剂，可以使用任意适当的引发剂。作为光聚合引发剂，例如，可举出4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉基丙烷-1等苯乙酮系化合物；苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、茴香偶姻甲基醚等苯偶姻醚系化合物；苯偶酰二甲基缩酮等缩酮系化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙烷二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮系化合物；樟脑醌；卤代酮；酰基氧化膦；酰基膦酸酯等。光聚合引发剂的使用量可设定为任意适当的量。
1个实施方式中，使用在400nm以下(优选380nm以下、更优选340nm以下)的范围具有最大吸收波长的光聚合引发剂。如果使用这样的光聚合引发剂，则在通过照射活性能量射线来使紫外线吸收层整体的粘合力降低时优选发生粘合剂的固化反应，能够形成残胶特别少的紫外线吸收层。
作为上述光聚合引发剂，可以使用市售品。例如，作为在400nm以下的范围具有最大吸收波长的光聚合引发剂，可举出BASF公司制的商品名“Irgacure 127”、“Irgacure369”、“Irgacure 369E”、“Irgacure 379”、“Irgacure379EG”、“Irgacure 819”、“IrgacureTOP”、“Irgacure 784”、“Irgacure OXE01”等。
1个实施方式中，上述活性能量射线固化型粘合剂可包含光敏剂。
1个实施方式中，上述光敏剂可与上述光聚合引发剂组合使用。该光敏剂将自身吸收光而得到的能量传递至光聚合引发剂，由此能够由光聚合引发剂产生自由基，因此能够利用光聚合引发剂自身不存在吸收峰的长波长侧的光进行聚合。因此，通过含有光敏剂，能够增大上述紫外线吸收剂的吸收波长与能由光聚合引发剂产生自由基的波长的差。其结果，紫外线吸收层的光聚合和基于紫外线吸收剂的剥离能够彼此不影响地进行。1个实施方式中，将作为光聚合引发剂的2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮(例如，BASF公司制、商品名“Irgacure 651”)和光敏剂组合使用。作为这样的光敏剂，可举出川崎化成工业株式会社制的商品名“UVS-581”、9,10-二乙氧基蒽(例如，川崎化成工业株式会社制、商品名“UVS1101”)等。
作为上述光敏剂的其他例，可举出9,10-二丁氧基蒽(例如，川崎化成工业株式会社制、商品名“UVS-1331”)、2-异丙基噻吨酮、二苯甲酮、噻吨酮衍生物、4,4’-双(二甲基氨基)二苯甲酮等。作为噻吨酮衍生物，例如，可举出乙氧基羰基噻吨酮、异丙基噻吨酮等。
上述光敏剂的含有比例相对于基础聚合物100重量份优选为0.01重量份～2重量份、更优选为0.5重量份～2重量份。
优选的是，上述活性能量射线固化型粘合剂包含交联剂。作为交联剂，例如，可举出异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、尿素系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、胺系交联剂等。
上述交联剂的含有比例相对于粘合剂的基础聚合物100重量份优选为0.5重量份～10重量份、更优选为1重量份～8重量份。
1个实施方式中，优选使用异氰酸酯系交联剂。异氰酸酯系交联剂在能与多种官能团反应的方面是优选的。作为上述异氰酸酯系交联剂的具体例，可举出亚丁基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯等脂环族异氰酸酯类；2,4-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二甲基二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯类；三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加成物(Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.制、商品名“CORONATE L”)、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚物加成物(Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.制、商品名“CORONATE HL”)、六亚甲基二异氰酸酯的异氰脲酸酯体(Nippon PolyurethaneIndustry Co.,Ltd.制、商品名“CORONATE HX”)等异氰酸酯加成物；等。优选使用具有3个以上异氰酸酯基的交联剂。
活性能量射线固化型粘合剂根据需要还可包含任意适当的添加剂。作为添加剂，例如，可举出活性能量射线聚合促进剂、自由基捕捉剂、增粘剂、增塑剂(例如，偏苯三酸酯系增塑剂、均苯四甲酸酯系增塑剂等)、颜料、染料、填充剂、防老剂、导电材料、抗静电剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、剥离调节剂、软化剂、表面活性剂、阻燃剂、抗氧化剂等。
·压敏粘合剂：
作为压敏粘合剂，例如，可举出丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂、乙烯基烷基醚系粘合剂、有机硅系粘合剂、聚酯系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、氨基甲酸酯系粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系粘合剂等。其中优选为丙烯酸系粘合剂或橡胶系粘合剂、更优选为丙烯酸系粘合剂。需要说明的是，上述粘合剂可以单独使用或组合使用2种以上。
作为上述丙烯酸系粘合剂，例如，可举出将使用1种或2种以上(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体成分的丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂等。作为(甲基)丙烯酸烷基酯的具体例，可举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸C1-20烷基酯。其中，优选可使用具有碳数为4～18的直链状或支链状的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。
出于改善内聚力、耐热性、交联性等的目的，上述丙烯酸系聚合物可以根据需要包含对应于能与上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其他单体成分的单元。作为这样的单体成分，例如，可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸羟基丁酯、(甲基)丙烯酸羟基己酯、(甲基)丙烯酸羟基辛酯、(甲基)丙烯酸羟基癸酯、(甲基)丙烯酸羟基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代)酰胺系单体；(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体；N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体；N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体；N-(甲基)丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧基六亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-8-氧基八亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺系单体；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯基、N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺类、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己内酰胺等乙烯基系单体；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基丙烯酸系单体；(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、氟(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卤素原子、硅原子等的丙烯酸酯系单体；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯等多官能单体；异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体；乙烯基醚等乙烯基醚系单体等。这些单体成分可以单独使用或组合使用2种以上。
作为上述橡胶系粘合剂，例如，可举出将天然橡胶；聚异戊二烯橡胶、苯乙烯·丁二烯(SB)橡胶、苯乙烯·异戊二烯(SI)橡胶、苯乙烯·异戊二烯·苯乙烯嵌段共聚物(SIS)橡胶、苯乙烯·丁二烯·苯乙烯嵌段共聚物(SBS)橡胶、苯乙烯·乙烯·丁烯·苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)橡胶、苯乙烯·乙烯·丙烯·苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)橡胶、苯乙烯·乙烯·丙烯嵌段共聚物(SEP)橡胶、再生橡胶、丁基橡胶、聚异丁烯、它们的改性体等合成橡胶；等作为基础聚合物的橡胶系粘合剂。
上述压敏粘合剂根据需要可包含任意适当的添加剂。作为该添加剂，例如，可举出交联剂、增粘剂(例如，松香系增粘剂、萜烯系增粘剂、烃系增粘剂等)、增塑剂(例如，偏苯三酸酯系增塑剂、均苯四甲酸酯系增塑剂)、颜料、染料、防老剂、导电材料、抗静电剂、光稳定剂、剥离调节剂、软化剂、表面活性剂、阻燃剂、抗氧化剂等。
B-3.被加工物
作为被加工物，可使用任意适当的被加工物。1个实施方式中，使用电子部件作为被加工物。
1个实施方式中，如图1所示，被加工物30具备：另一硬质基板31、和配置于该另一硬质基板31的至少单侧的构件32。作为另一硬质基板，可使用B-1项中说明的硬质基板。另外，作为另一硬质基板，也可以使用刚性布线电路基板等。作为上述构件，例如，可举出半导体元件、光半导体元件等电子部件。作为被加工物的具体例，例如可举出：在刚性布线电路基板上的端子上并排载置有用于与该端子连接的多个半导体元件者、在玻璃载体上利用双面粘合片载置有半导体元件者等。
另一实施方式中，作为上述被加工物，使用半导体晶圆。半导体晶圆例如可以为LED、受光元件等光半导体晶圆。
上述被加工物可以配置多个，也可以配置1个。
配置多个被加工物的情况下，其间隔例如为2μm～10mm。
B-4.基材
如上所述，1个实施方式中，可在紫外线吸收层20与被加工物30之间进一步配置基材21和粘合剂层22。1个实施方式中，由紫外线吸收层20、基材21和粘合剂层22构成的层叠体可以为双面粘合片A。通过设为这样的构成，从而能在后面的工序中将双面粘合片A撕除剥离，能够抑制内聚破坏所导致的残胶。由于能够显著抑制残胶，因此能够削减现有的清漆工法等中用于去除成为问题的焦糊残渣的清洗工序负荷。另外，通过具备基材，从而该基材作为保护材料发挥功能，能够防止被加工物的破损。
上述基材可由任意适当的树脂构成。作为该树脂，例如，可举出聚乙烯系树脂、聚丙烯系树脂、聚丁烯系树脂、聚甲基戊烯系树脂等聚烯烃系树脂、聚氨酯系树脂、聚酯系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚醚酮系树脂、聚苯乙烯系树脂、聚氯乙烯系树脂、聚偏氯乙烯系树脂、氟系树脂、硅系树脂、纤维素系树脂、离聚物树脂等。其中优选为聚酰亚胺系树脂。如果使用由聚酰亚胺系树脂构成的基材，则上述效果变得显著，并且能够有效地防止因从玻璃基板侧入射的激光而导致的被加工物(器件)破损，能够仅从玻璃基板侧选择性地剥离。
上述基材的厚度优选为1μm～300μm、更优选为1μm～100μm、进一步优选为1μm～50μm。
基材的波长355nm的透光率优选为90％以下、更优选为85％以下、进一步优选为50％以下、特别优选为15％以下。该透光率越小，在可降低被粘物损失方面越优选。基材的波长355nm的透光率的下限例如为0％，1个实施方式中，为10％。
B-5.粘合剂层
粘合剂层包含任意适当的粘合剂。例如包含上述压敏粘合剂。
1个实施方式中，作为粘合剂层中包含的粘合剂，使用耐热粘合剂。通过具备由耐热粘合剂构成的粘合剂层，能够抑制在照射激光时被加工物(器件)上的焦糊(残胶)。本说明书中，耐热粘合剂是指在260℃的环境下具有规定粘合力的粘合剂。耐热粘合剂优选在260℃的环境下可没有残胶地使用。优选的是，耐热粘合剂包含丙烯酸系树脂、有机硅系树脂等作为基础聚合物。
C.加工工序
加工工序中，对如上所述配置于硬质基板上的被加工物进行加工。本工序的加工可以为任意适当的加工。例如，可举出加热工序、背面研磨工序、切割工序、安装(回流焊)工序、电路形成(RDL)工序等。图1中，利用具备上板100和下板200的压制机，对在层叠工序中形成的层叠体进行压制，同时(或压制后)对该层叠体进行加工(加热)。
1个实施方式中，上述紫外线吸收层包含活性能量射线固化型粘合剂的情况下，可以在上述加工之前对该紫外线吸收层照射活性能量射线(例如，紫外线)来提高该紫外线吸收层的粘合力。
D.剥离工序
剥离工序中，对紫外线吸收层照射紫外线，将硬质基板从被加工物剥离。
1个实施方式中，如图1所示，将硬质基板10从紫外线吸收层20剥离后，剥离紫外线吸收层20。由紫外线吸收层20、基材21和粘合剂层22构成双面粘合片A的情况下，紫外线吸收层20的剥离后，剥离该双面粘合片A。
另一实施方式中，一体剥离上述硬质基板与上述紫外线吸收层。
对于紫外线照射的各条件，只要能使紫外线吸收层产生剥离性，则可以根据紫外线吸收层的构成设为任意适当条件。1个实施方式中，对紫外线吸收层照射UV激光(例如，波长：200nm～380nm)。通过以任意适当的输出(例如，0.01W～6W、优选0.05W～5W)对紫外线吸收层照射UV激光，从而紫外线吸收剂分解而产生气体，和/或紫外线吸收剂发热从而粘合剂层分解而产生气体，上述气体使紫外线吸收层发生变形，结果照射激光的部分表现出剥离性。UV激光的波长优选为360nm以下。硬质基板直接配置于紫外线吸收层的一个面、被加工物直接配置于紫外线吸收层的另一面的情况下，优选进行基于UV激光照射的剥离。
紫外线吸收层包含活性能量射线固化型粘合剂的情况下，可以对紫外线吸收层整体照射活性能量射线，从而降低紫外线吸收层的粘合力。1个实施方式中，可以在照射UV激光后，对紫外线吸收层的整体照射活性能量射线来降低紫外线吸收层的粘合力。作为活性能量射线，例如，可举出γ射线、紫外线、可见光线、红外线(热射线)、无线电波、α射线、β射线、电子束、等离子体流、电离辐射线、粒子线等。优选为紫外线。作为紫外线的波长，优选为300nm～400nm。照射量例如为累积光量300mJ/cm2～1500mJ/cm2。这样，若在激光照射前照射活性能量射线，则能够防止再附着，并将硬质基板剥离。
如上操作，完成被加工物的加工。本发明中，可以通过对紫外线吸收层的紫外线照射来剥离硬质基板，此时的剥离力低，因此能够降低施加于被加工物的负荷，结果能够防止该被加工物的损伤。
实施例
(层叠工序)
在刚性布线电路基板31(另一硬质基板31)上的端子载置半导体元件32(构件32)，准备被加工物30。
使用包含紫外线吸收层20的双面粘合片，将玻璃基板10(硬质基板10)重叠于半导体元件32上并固定。
作为双面粘合片，使用在PI基材21的一个面形成包含紫外线固化型粘合剂的紫外线吸收层20、在另一面形成粘合剂层22的双面粘合片。
(加工工序)
用压制机夹持在上述层叠工序中得到的层叠体，使半导体元件32埋入粘合剂层22并保持。
卸掉压制机的上板，透过玻璃基板10(硬质基板10)，对紫外线吸收层20照射紫外线(波长：355nm～365nm、累积光量：1380mJ/cm2)，使紫外线吸收层固化，使紫外线吸收层对玻璃基板10(硬质基板10)的粘合力降低。
在用压制机压接的状态下进行加热，将半导体元件32(构件32)固接于刚性布线电路基板31(另一硬质基板31)上的端子。作为固接手段，可以利用焊料等金属接合、ACF(各向异性导电性薄膜)、ACP(各向异性导电性糊剂)等。
(剥离工序)
卸掉压制机的上板，透过玻璃基板10(硬质基板10)，对紫外线吸收层照射紫外线激光(波长：355nm、照射能量：10J/cm2)，将玻璃基板10(硬质基板10)剥离。
接着，将双面粘合片撕除剥离。半导体元件32(构件32)没有损伤。另外，半导体元件32(构件32)未从刚性布线电路基板31(另一硬质基板31)脱离。
附图标记说明
10 硬质基板
20 紫外线吸收层
30 被加工物

Claims (7)

1.一种构件加工方法，其包括：
层叠工序，将硬质基板、紫外线吸收层和被加工物依次层叠；其后，
加工工序，对该被加工物进行加工；和其后，
剥离工序，对该紫外线吸收层照射紫外线，将硬质基板从被加工物剥离。
2.根据权利要求1所述的构件加工方法，其中，所述被加工物包含：另一硬质基板、和配置于该硬质基板的至少单侧的构件。
3.根据权利要求1所述的构件加工方法，其中，所述被加工物为半导体晶圆。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的构件加工方法，其中，所述硬质基板具有透光性。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的构件加工方法，其中，所述紫外线吸收层具有粘合性。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的构件加工方法，其中，所述紫外线吸收层包含活性能量射线固化型粘合剂。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的构件加工方法，其中，所述紫外线吸收层包含紫外线吸收剂。
CN202180055460.2A 2020-08-26 2021-05-12 构件加工方法 Pending CN116034144A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-142589 2020-08-26
JP2020142589A JP2022038213A (ja) 2020-08-26 2020-08-26 部材加工方法
PCT/JP2021/018010 WO2022044441A1 (ja) 2020-08-26 2021-05-12 部材加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116034144A true CN116034144A (zh) 2023-04-28

Family

ID=80353022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180055460.2A Pending CN116034144A (zh) 2020-08-26 2021-05-12 构件加工方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2022038213A (zh)
KR (1) KR20230056653A (zh)
CN (1) CN116034144A (zh)
TW (1) TW202213560A (zh)
WO (1) WO2022044441A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023181514A1 (ja) * 2022-03-23 2023-09-28 三菱電機株式会社 抗菌樹脂組成物

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018028001A (ja) * 2016-08-16 2018-02-22 株式会社ディスコ 両面粘着シート、及び被加工物の加工方法
US10186549B1 (en) 2017-09-20 2019-01-22 Asm Technology Singapore Pte Ltd Gang bonding process for assembling a matrix of light-emitting elements
JP2020035918A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022038213A (ja) 2022-03-10
TW202213560A (zh) 2022-04-01
WO2022044441A1 (ja) 2022-03-03
KR20230056653A (ko) 2023-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2021220662A1 (ja) 粘着シート
WO2021131518A1 (ja) 粘着シート
JP6873354B1 (ja) 粘着シート
WO2021131735A1 (ja) 粘着シート
WO2021131517A1 (ja) 粘着シート
CN116034144A (zh) 构件加工方法
CN116419843A (zh) 粘合片
WO2021220663A1 (ja) 粘着シート
CN116018671A (zh) 构件转印方法
JP7566490B2 (ja) 粘着シート
WO2023149023A1 (ja) 粘着シート
EP4410912A1 (en) Pressure-sensitive adhesive sheet for temporarily fixing electronic component and method for treating electronic component
CN118434814A (zh) 粘合片
CN118043417A (zh) 电子部件临时固定用粘合片以及电子部件的处理方法
JP2024047867A (ja) 粘着シート
JP2023113108A (ja) 粘着シート

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination