KR20230049063A - 감광성 도전 페이스트, 경화물, 소성체, 전자 부품, 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법, 전자 부품의 제조 방법, 회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법 및 인덕터의 제조 방법 - Google Patents

감광성 도전 페이스트, 경화물, 소성체, 전자 부품, 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법, 전자 부품의 제조 방법, 회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법 및 인덕터의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230049063A
KR20230049063A KR1020227046095A KR20227046095A KR20230049063A KR 20230049063 A KR20230049063 A KR 20230049063A KR 1020227046095 A KR1020227046095 A KR 1020227046095A KR 20227046095 A KR20227046095 A KR 20227046095A KR 20230049063 A KR20230049063 A KR 20230049063A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photosensitive
conductive paste
manufacturing
circuit pattern
less
Prior art date
Application number
KR1020227046095A
Other languages
English (en)
Inventor
마리에 코야마
코헤이 타카세
타이키 하시모토
켄조 키타자와
Original Assignee
도레이 카부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도레이 카부시키가이샤 filed Critical 도레이 카부시키가이샤
Publication of KR20230049063A publication Critical patent/KR20230049063A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/041—Printed circuit coils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1283—After-treatment of the printed patterns, e.g. sintering or curing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/001—Conductive additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

본 발명은 고정밀한 회로 패턴의 형성이 가능하고, 또한 회로 패턴의 소성 시의 수축량이 작은 감광성 도전 페이스트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 도전성 분말(A) 및 감광성 유기 성분(B)을 함유하고, 상기 도전성 분말(A)의 입자 지름 분포의 메디안 지름 r이 3.0㎛ 이상 6.0㎛ 이하이고, 전체 고형분 중의 상기 도전성 분말(A)의 함유량 V1이 37체적% 이상 55체적% 이하인, 감광성 도전 페이스트이다.

Description

감광성 도전 페이스트, 경화물, 소성체, 전자 부품, 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법, 전자 부품의 제조 방법, 회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법 및 인덕터의 제조 방법
본 발명은 감광성 도전 페이스트, 경화물, 소성체, 전자 부품, 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법 및 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다
최근, 전자 부품의 고속화·고주파화·소형화가 진행됨에 따라서, 그들을 실장하기 위한 기판에도, 미세하고 저저항인 회로 패턴을 형성하는 것이 요구되고 있다. 예를 들면, 그린 시트 상에 고정밀한 회로 패턴을 형성할 수 있고, 소성 결함을 억제할 수 있는 감광성 도전 페이스트(예를 들면, 특허문헌 1 참조)가 제안되어 있다.
국제공개 제2019/202889호
전자 부품의 제작 방법의 일례로서, 절연성 세라믹스층 상에 감광성 도전 페이스트를 사용해서 회로 패턴을 형성하고, 얻어진 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층을 적층해서 소성한다고 하는 방법이 열거된다. 그러나, 특허문헌 1에 기재된 감광성 도전 페이스트를 사용한 경우, 소성했을 때, 회로 패턴이 다수 적층된 부위에서는 수축량이 크고, 절연성 세라믹스층의 수축량의 차가 크기 때문에, 전자 부품의 단부에 만곡이 발생하거나, 결함이나 층 간의 박리가 발생하거나 하기 쉽다고 하는 과제가 있었다.
그래서, 본 발명은 고정밀한 회로 패턴의 형성이 가능하고, 또한 회로 패턴의 소성 시의 수축량이 작은 감광성 도전 페이스트를 제공하는 것을 목적으로 한다.
즉, 본 발명은 도전성 입자(A) 및 감광성 유기 성분(B)을 함유하고, 상기 도전성 입자(A)의 입자 지름 분포의 메디안 지름 r이 3.0㎛ 이상 6.0㎛ 이하이고, 전체 고형분 중의 상기 도전성 입자(A)의 함유량 V1이 37체적% 이상 55체적% 이하인 감광성 도전 페이스트이다.
또한, 본 발명은, 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 경화해서 이루어지는 경화물이다.
또한, 본 발명은, 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 소성해서 이루어지는 소성체이다.
또한, 본 발명은, 본 발명의 소성체 및 절연성 세라믹스층을 포함하는 전자 부품이다.
또한, 본 발명은, 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 절연성 세라믹스층 상에 도포해서 도포막을 얻는 공정과, 상기 도포막을 건조해서 건조막을 얻는 공정과, 상기 건조막을 노광 및 현상해서 회로 패턴을 얻는 공정을 갖는, 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법이다.
또한, 본 발명은, 본 발명의 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법에 의해 얻어진 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층 상에 이하의 공정 A∼공정 F을 이 순서대로 복수회 반복해서 적층체를 얻는 공정과, 상기 적층체를 소성하는 공정을 구비하는 전자 부품의 제조 방법이다.
공정 A: 감광성 절연성 세라믹스 조성물을 도포해서 도포막을 얻는 공정
공정 B: 상기 도포막을 건조해서 건조막을 얻는 공정
공정 C: 상기 건조막을 노광 및 현상해서 절연성 세라믹스층을 얻는 공정
공정 D: 상기 절연성 세라믹스층 상에 청구항 1∼4 중 어느 하나에 기재된 감광성 도전 페이스트를 도포해서 도포막을 얻는 공정
공정 E: 상기 도포막을 건조해서 건조막을 얻는 공정
공정 F: 상기 건조막을 노광 및 현상해서 회로 패턴을 얻는 공정.
또한, 본 발명은 기재에 감광성 절연성 세라믹스 조성물을 도포하는 공정,
상기 감광성 절연성 세라믹스 조성물의 도막을 소망의 패턴에 노광하는 공정,
상기 노광된 감광성 절연성 세라믹스 조성물의 도막을 현상해서 홈을 갖는 절연층을 형성하는 공정,
상기 절연층 상 및 상기 홈 내에 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 도포하는 공정,
상기 감광성 도전 페이스트의 도막을 상기 홈에 대응시켜서 노광하는 공정,
그리고, 상기 노광된 감광성 도전 페이스트의 도막을 현상해서 상기 홈에 대응하는 위치에 회로 패턴을 형성하는 공정을 포함하고,
상기 홈이 측면에 테이퍼 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법이다.
또한, 본 발명은 본 발명의 회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법을 공정에 포함하는 것을 특징으로 하는, 인덕터의 제조 방법이다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트에 의하면, 고정밀하고, 또한 소성 시의 수축량이 작은 회로 패턴을 제작할 수 있다.
<감광성 도전 페이스트>
본 발명의 감광성 도전 페이스트는 도전성 입자(A) 및 감광성 유기 성분(B)을 함유한다.
<도전성 입자(A)>
본 발명의 감광성 도전 페이스트는 도전성 입자(A)를 함유한다. 도전성 입자(A)로서는 예를 들면, 은, 금, 구리, 백금, 팔라듐, 주석, 니켈, 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴, 산화 루테늄, 크롬, 티탄, 인듐 등의 금속이나 이들의 합금의 분말, 카본 분말 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 함유해도 좋다. 이들 중에서도, 도전성의 관점에서, 은, 구리, 금이 바람직하고, 비용 및 안정성의 관점에서, 은이 보다 바람직하다.
도전성 입자(A)의 입자 지름 분포의 메디안 지름 r은 3.0㎛ 이상 6.0㎛ 이하인 것이 중요하다. r이 3.0㎛ 이상, 바람직하게는 3.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 4.0㎛ 이상임으로써, 소성 공정에 있어서, 도전성 입자(A)의 이동을 억제하고, 소성 시의 수축량을 작게 할 수 있다. 또한, 노광 공정에 있어서 도막의 투광성이 저하해서 현상 시에 박리가 발생하는 등 미세한 패턴의 형성이 곤란하게 되는 것을, 억제할 수 있다. 한편, r이 6.0㎛ 이하, 바람직하게는 5.5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5.0㎛ 이하임으로써 소성 시의 도전성 분말끼리의 접촉 확률이 저하해서 도전 패턴의 체적 저항률이 증가하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 미세 배선에 있어서의 배선 단부의 직진성이 향상하고, 배선끼리의 단락을 억제할 수 있다.
본 발명에 있어서 메디안 지름은 입도 분포 측정 장치(Nikkiso Co., Ltd. 제품 "Microtrac" HRA Model No．9320-X100)을 사용하고, 레이저광 산란법에 의해 측정할 수 있다.
전체 고형분 중의 도전성 입자(A)의 함유량 V1은 37체적% 이상 55체적% 이하인 것이 중요하다. V1이 37체적% 이상, 바람직하게는 40체적% 이상, 보다 바람직하게는 42체적% 이상임으로써 소성 시에 소실하는 고형분량을 적게 억제하고, 수축량을 작게 억제할 수 있다. 한편, V1이 55체적% 이하, 바람직하게는 52체적% 이하, 보다 바람직하게는 50체적% 이하임으로써, 노광 공정에 있어서 도막의 투광성이 저하해서 미세한 패턴의 형성이 곤란하게 되는 것을 막을 수 있다.
본 발명에 있어서의 도전성 입자(A)의 체적, 후술하는 도전성 입자 이외의 무기 입자(C)의 체적 및 감광성 유기 성분(B)의 고형분의 체적의 측정 방법은 이하한 바와 같다. 우선, 페이스트를 여과하고, 도전성 입자 및 무기 입자의 혼합물과, 감광성 유기 성분(B)의 고형분으로 분리한다. 도전성 분말 및 무기 입자는 분급하고, 도전성 분말 및 무기 입자 각각의 질량을 측정한다. 유기 성분은 100℃에서 2시간 건조하고, 건조 후의 질량을 측정한다. 각 성분의 질량과 밀도로부터 체적을 산출할 수 있다.
<감광성 유기 성분(B)>
본 발명의 감광성 도전 페이스트는 감광성 유기 성분(B)을 함유한다. 본 발명에 있어서 감광성 유기 성분이란 광에 반응해서 성상이 변화되거나 또는 변화시키는 성분을 적어도 일부에 포함하는 유기 성분의 군을 말한다. 즉, 본 발명에 있어서의 감광성 유기 성분을 구성하는 모든 성분이 감광성에 기여할 필요는 없다.
감광성 유기 성분(B)은 알칼리 가용성 수지, 광중합 개시제 및 용제를 포함하는 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 여기서, 알칼리 가용성 수지란 알칼리 가용성기를 갖는 수지를 말한다. 알칼리 가용성기로서는 예를 들면, 카르복실기, 페놀성 수산기, 술폰산기, 티올기 등이 열거된다. 그 중에서도, 알칼리 현상액에의 용해성이 높은 점으로부터, 카르복실기가 바람직하다.
알칼리 가용성 수지로서는 아크릴 수지가 바람직하고, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 모노머와 그 밖의 모노머의 공중합체가 바람직하다.
탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 모노머로서는 예를 들면, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-프로필아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, tert-부틸아크릴레이트, n-펜틸아크릴레이트, 이소데실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 알릴아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트 등의 탄소수 1∼18의 쇄상 지방족 탄화수소기를 갖는 아크릴레이트;
벤질아크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 1-나프틸아크릴레이트, 2-나프틸아크릴레이트 등의 탄소수 6∼10의 환상 방향족 탄화수소기를 갖는 아크릴레이트;
시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 4-tert-부틸시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜타디에닐아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 3,3,5-트리메틸시클로헥실아크릴레이트 등의 탄소수 6∼15의 환상 지방족 탄화수소기를 갖는 아크릴레이트나,
이들의 아크릴레이트를 메타크릴레이트로 치환한 것 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.
아크릴계 모노머 이외의 공중합 성분으로서는 예를 들면, 스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, α-메틸스티렌, 클로로메틸스티렌, 히드록시메틸스티렌 등의 스티렌류;
아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 말레산, 푸말산, 비닐아세트산 등의 불포화 카르복실산이나 이들의 산무수물 등이 열거된다.
이들을 2종 이상 사용해도 된다.
아크릴 수지는 측쇄 또는 분자 말단에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 것이 바람직하고, 노광 시의 경화 반응 속도를 향상시킬 수 있다. 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 구조로서는 예를 들면, 비닐기, 알릴기, 아크릴기, 메타크릴기 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 가져도 된다.
아크릴 수지에 탄소-탄소 이중 결합을 도입하는 방법으로서는 예를 들면, 아크릴 수지 중의 메르캅토기, 아미노기, 히드록실기, 카르복실기에 대하여, 글리시딜기 또는 이소시아네이트기와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물, 아크릴산 클로라이드, 메타크릴산 클로라이드, 알릴클로라이드 등을 반응시키는 방법 등이 열거된다.
글리시딜기와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서는 예를 들면, 글리시딜메타크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르, 글리시딜에틸아크릴레이트, 크로토닐글리시딜에테르, 글리시딜크로토네이트, 글리시딜이소크로토네이트, Daicel Corporation 제품 "사이크로마"(등록상표) M100, A200 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.
이소시아네이트기와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서는 예를 들면, 아크릴로일이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 아크릴로일에틸이소시아네이트, 메타크릴로일에틸이소시아네이트 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 사용해도 된다.
광중합 개시제는 자외선 등의 단파장의 광을 흡수해서 분해하거나, 또는 수소 추출 반응에 의해 라디칼을 발생하는 화합물을 말한다.
자외선 등의 광을 흡수해서 분해하는 광중합 개시제로서는 예를 들면, 1,2-옥탄디온, 벤조페논, 오르토-벤조일벤조산 메틸, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐케톤, 디벤질케톤, 2,2'-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, 미힐러케톤, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논, 4-아지드벤잘아세토페논, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)시클로헥사논, 6-비스(p-아지드벤질리덴)-4-메틸시클로헥사논 등의 알킬페논계 광중합 개시제; 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제; 1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에탄온, 1-[9-에틸-6-2(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 1-페닐-1,2-부탄디온-2-(O-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-프로판디온-2-(O-벤조일)옥심, 1,3-디페닐-프로판트리온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-3-에톡시-프로판트리온-2-(O-벤조일)옥심의 옥심에스테르계 광중합 개시제 등이 열거된다.
수소 추출 반응에 의해 라디칼을 발생하는 광중합 개시제로서는 예를 들면, 벤조페논, 안트라퀴논, 티오크산톤, 페닐글리옥실릭애시드메틸에스테르 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.
용제는 감광성 도전 페이스트를 구성하는 성분을 습윤 또는 용해시켜, 도포성이 우수한 것으로 한다.
용제로서는 예를 들면, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸이미다졸리디논, 디메틸술폭시드, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 디프로필렌글리콜n-프로필에테르, 디프로필렌글리콜n-부틸에테르, 트리프로필렌글리콜메틸에테르, 트리프로필렌글리콜-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜페닐에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤, 락트산에틸, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올, 에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 디아세톤알콜, 테트라히드로푸르푸릴알콜, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.
감광성 유기 성분(B)은 그 소망의 특성을 손상하지 않는 범위에서, 감광성 모노머, 분산제, 가소제, 레벨링제, 계면활성제, 실란커플링제, 소포제, 안정제 등을 함유해도 된다.
<도전성 입자(A) 이외의 무기 입자(C)>
본 발명의 감광성 도전 페이스트는, 또한 도전성 입자(A) 이외의 무기 입자(C)를 함유하는 것이 바람직하다. 이러한 무기 입자(C)를 함유함으로써, 도전성 입자(A)끼리의 소결을 저해하고, 감광성 도전 페이스트의 소성 시의 수축량을 효과적으로 억제할 수 있다.
무기 입자(C)로서는 티타니아, 알루미나, 실리카, 코디어라이트, 뮬라이트, 스피넬, 티탄산 바륨 및 지르코니아로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 하나를 함유하는 것이 바람직하다. 이 중에서도 특히, 알루미나, 티타니아, 실리카가 바람직하게 사용되고, 미세 가공성의 관점에서 실리카가 더욱 바람직하다.
상기 무기 입자(C)의 입자지름 분포의 메디안 지름은 1∼100nm인 것이 바람직하다. 상기 무기 입자(C)의 입자지름 분포의 메디안 지름이 1nm 이상인 것에 의해, 도전성 분말끼리의 소결을 저해해서 수축량을 보다 억제할 수 있다. 한편, 메디안 지름이 100nm 이하인 것에 의해, 소성 후에 얻어지는 회로 패턴의 저항치를 작게 할 수 있다.
상기 도전성 입자(A) 100체적%에 대한 상기 무기 입자(C)의 체적비율 V2은 3체적% 이상 10체적% 이하인 것이 바람직하다. V2가 3체적% 이상, 보다 바람직하게는 3.5체적% 이상, 더욱 바람직하게는 4체적% 이상인 것에 의해, 소성 시의 도전성 분말의 이동을 저해해서 소성 시의 수축량을 보다 억제할 수 있다. 한편, V2가 10체적% 이하, 보다 바람직하게는 7체적% 이하, 더욱 바람직하게는 5.5체적% 이하인 것에 의해, 소성 후에 얻어지는 회로 패턴의 저항치를 작게 할 수 있다.
본 발명의 감광성 도전 페이스트는 상기 r, V1, V2의 곱 r×V1×V2가 500 이상 3300 이하인 것이 바람직하다. r×V1×V2가 500 이상, 보다 바람직하게는 600 이상, 더욱 바람직하게는 700 이상인 것에 의해, 소성 시의 수축량을 보다 억제할 수 있다. 한편, r×V1×V2가 3300 이하, 보다 바람직하게는 2500 이하, 더욱 바람직하게는 1500 이하인 것에 의해, 수축 과소에 의한 유전체층과의 수축률 부정합을 억제하고, 유전체와 전극 간의 보이드 발생을 방지할 수 있다.
<감광성 도전 페이스트의 제조>
본 발명의 감광성 도전 페이스트는 예를 들면, 도전성 입자(A), 용제 이외의 감광성 유기 성분(B), 바람직하게는, 또한 무기 입자(C)를 용제에 용해 및/또는 분산시킴으로써 얻을 수 있다. 용해 및/또는 분산시키는 장치로서는 예를 들면, 3본 롤러, 볼밀 등의 분산기나 혼련기 등이 열거된다.
<경화물>
다음에, 경화물에 대해서 설명한다. 본 발명의 경화물은 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 경화해서 이루어진다.
본 발명의 경화물의 형상에는 특별히 제한은 없다.
본 발명의 경화물의 막두께 t는 도전성의 관점에서 5㎛ 이상이 바람직하고, 10㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 미소 면적부에의 미세 패턴 형성성의 관점에서 35㎛ 이하가 바람직하고, 30㎛ 이하가 보다 바람직하고, 20㎛ 이하가 더욱 바람직하다.
경화물은 소정의 패턴 형상을 갖고 있어도 된다. 패턴 형상으로서는 예를 들면, 스트라이프 형상, 나선 형상 등이 열거된다.
경화물은 막두께 t와 선폭 w의 비 t/w가 0.5 이상 1.0 이하인 것이 바람직하다. t/w가 0.5 이상 1.0 이하인 것으로, 고애스펙트비의 배선이 얻어지고, 미세 배선과 저저항치를 양립할 수 있다.
또한, 경화물은 정부폭 a에 대한 저부폭 b의 비 b/a가 0.6 이상 1.0 이하인 것이 바람직하다. b/a가 0.6 이상 1.0 이하를 충족시킴으로써 단면적이 크고 저저항의 배선을 얻을 수 있다.
경화물을 적층해서 적층체로 할 수도 있다. 적층수는 1∼30층이 바람직하다. 적층수를 1층 이상으로 함으로써, 소정의 패턴의 두께를 크게 할 수 있다. 한편, 적층수를 30층 이하로 함으로써, 층간의 얼라인먼트 어긋남의 영향을 작게 할 수 있다.
<경화물의 제조>
경화물은 예를 들면, 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 기재 상에 도포해서 건조하고, 노광에 의해 광경화시킴으로써 얻을 수 있다. 패턴 형상의 경화물을 제조하는 경우에는 패턴 노광한 후, 현상함으로써 패턴을 형성해도 된다.
도포 공정에 있어서의 도포 방법으로서는 예를 들면, 스피너를 사용한 회전 도포, 스프레이 도포, 롤 코팅, 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄, 그라비어 인쇄, 활판 인쇄, 플렉소 인쇄, 블레이드 코터, 다이 코터, 캘린더 코터, 메니스커스 코터 또는 바 코터를 사용하는 방법이 열거된다. 그 중에서도, 얻어지는 도포막의 표면 평탄성이 우수하고, 스크린 판의 선택에 의해 막두께 조정이 용이한 점으로부터, 스크린 인쇄가 바람직하다.
건조 방법으로서는 예를 들면, 오븐, 핫플레이트, 적외선 등의 가열 장치를 사용한 가열 건조나, 진공 건조 등이 열거된다. 가열 온도는 40∼130℃가 바람직하다. 건조 온도를 40℃ 이상으로 함으로써, 용매를 효율 좋게 휘발 제거할 수 있다. 한편, 건조 온도를 130℃ 이하로 함으로써, 감광성 도전 페이스트의 열가교를 억제하고, 후술하는 노광·현상 공정에 있어서의 비노광부의 잔사를 저감하고, 보다 고 정밀한 패턴을 용이하게 형성할 수 있다. 가열 시간은 5분간∼1시간이 바람직하다.
노광 방법으로서는 포토마스크를 개재해서 노광하는 방법, 포토마스크를 사용하지 않고 노광하는 방법이 있다. 포토마스크를 사용하지 않는 노광 방법으로서는 전면 노광하는 방법, 레이저광 등을 사용해서 직접 묘화하는 방법 등이 열거된다. 노광 장치로서는 예를 들면, 스텝퍼 노광기, 프록시미티 노광기 등이 열거된다. 노광하는 활성 광선으로서는 예를 들면, 근자외선, 자외선, 전자선, X선, 레이저광 등이 열거된다, 자외선이 바람직하다. 자외선의 광원으로서는 예를 들면, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 할로겐 램프, 살균등 등이 열거되고, 초고압 수은등이 바람직하다.
알칼리 현상을 행하는 경우의 현상액으로서는 예를 들면, 수산화 테트라메틸암모늄, 디에탄올아민, 디에틸아미노에탄올, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 탄산 칼륨, 트리에틸아민, 디에틸아민, 메틸아민, 디메틸아민, 아세트산 디메틸아미노에틸, 디메틸아미노에탄올, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 시클로헥실아민, 에틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민 등의 수용액이 열거된다.
이들의 수용액에, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤 등의 극성 용매; 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등의 알콜류; 락트산 에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류; 시클로펜타논, 시클로헥사논, 이소부틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류; 계면활성제 등을 첨가해도 된다.
현상 방법으로서는 예를 들면, 건조막을 형성한 기재를 정치 또는 회전시키면서 현상액을 노광 후의 건조막에 스프레이하는 방법, 노광 후의 건조막을 형성한 기재를 현상액 중에 침지하는 방법, 노광 후의 건조막을 형성한 기재를 현상액 중에 침지하면서 초음파를 가하는 방법 등이 열거된다.
현상에 의해 얻어진 경화물에, 린스액에 의한 린스 처리를 실시해도 된다. 린스액으로서는 예를 들면, 물; 에탄올, 이소프로필알콜 등의 알콜류의 수용액; 락트산 에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 에스테르류의 수용액 등이 열거된다.
<소성체>
본 발명의 소성체는 상술의 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 소성해서 이루어진다.
소성 방법으로서는 예를 들면, 300∼600℃에서 5분 간∼수시간 열처리한 후, 또한 850∼900℃에서 5분 간∼수시간 열처리하는 방법 등이 열거된다.
<전자 부품>
본 발명의 전자 부품은 본 발명의 소성체 및 절연성 세라믹스층을 포함한다. 절연성 세라믹스층을 가짐으로써, 소성체 간에 있어서의 의도하지 않는 단락을 억제할 수 있다.
절연성 세라믹스층의 조성은 산화물로 환산해서 SiO2 25∼50(질량%), Al2O3 30∼60(질량%), B2O3 5∼20(질량%), K2O 0.3∼3(질량%)인 것이 바람직하다. 이러한 조성으로 함으로써, 후술하는 비유전율 ε을 얻기 쉬워진다.
절연성 세라믹스층의 비유전율 ε은 3.0 이상 6.0 이하인 것이 바람직하다. ε을 6.0 이하로 함으로써, 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층을 적층 칩 인덕터에 적용했을 때에, 손실이 적은 고성능한 인덕터를 얻을 수 있다. 또한, ε을 3.0이상으로 함으로써, 기계 강도를 높게 할 수 있다.
본 발명의 전자 부품은 소성체와 절연성 세라믹스층의 외부에 단자 전극을 갖고 있어도 된다. 단자 전극을 구성하는 재료로서는 예를 들면, 니켈이나 주석 등이 열거된다.
<회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법>
본 발명의 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법의 하나는 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 절연성 세라믹스층 상에 도포해서 도포막을 얻는 도포 공정과, 상기 도포막을 건조해서 건조막을 얻는 공정과, 상기 건조막을 노광 및 현상해서 회로 패턴을 얻는 공정을 갖는다.
우선, 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 절연성 세라믹스층 상에 도포해서 도포막을 얻는다.
절연성 세라믹스층은 알루미나, 석영 유리, 소다 유리, 화학 강화 유리, "파이렉스" (등록상표) 유리, 합성 석영판, 에폭시 수지 기판, 폴리에테르이미드 수지기판, 폴리에테르케톤 수지 기판, 폴리술폰계 수지 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(이하, 「PET 필름」), 시클로올레핀 폴리머 필름, 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 아라미드 필름 등의 수지로 이루어지는 투명 필름, 광학용 수지판등 상에, 절연성 세라믹스 조성물 또는 감광성 절연성 세라믹스 조성물을 전면 또는 부분적으로 도포, 건조해서 얻어진다.
도포 방법으로서는 스크린 인쇄법, 바 코터, 롤 코터, 다이 코터, 블레이드 코터 등 방법을 사용할 수 있다.
감광성 절연성 세라믹스 조성물을 사용한 경우는 포토리소그래피법에 의해 패턴 형성해도 된다.
절연성 세라믹스 조성물은 절연성 세라믹스 분말, 바인더 수지 및 용제를 함유하는 것이 바람직하다. 절연성 세라믹스 분말로서는 예를 들면, "퍼세람" (등록상표) BT149(제품명; Nippon Chemical Industrial Co.,Ltd. 제품), L5(제품명; Ferro corp．제품), SG-200(제품명; Nippon Talc Co.,Ltd. 제품) 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다. 바인더 수지로서는 예를 들면, 아크릴 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리비닐알콜 수지, 셀룰로오스 수지, 메틸셀룰로오스 수지 등이 열거된다. 이들을 2종 이상 함유해도 된다.
절연성 세라믹스 조성물의 용제로서는 상술의 감광성 도전 페이스트의 감광성 유기 성분(B)에 포함되는 용제가 바람직하게 사용된다.
감광성 절연성 세라믹스 조성물은 상기 절연성 세라믹스 분말, 용제에 더해서, 알칼리 가용성 수지 및 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다.
감광성 절연성 세라믹스 조성물에 사용하는 알칼리 가용성 수지 및 광중합 개시제로서는 상술의 감광성 도전 페이스트의 감광성 유기 성분(B)에 포함되는 알칼리 가용성 수지 및 광중합 개시제가 바람직하게 사용된다.
절연성 세라믹스층 상에 감광성 도전 페이스트를 도포해서 도포막을 얻는 도포 공정으로서는 상술의 경화물의 제조 방법에 있어서의 도포 방법으로서 예시한 방법이 열거된다.
다음에, 상기 도포막을 건조해서 건조막을 얻는다.
건조 공정에 있어서의 건조 방법으로서는 상술의 경화물의 제조 방법에 있어서의 건조 방법으로서 예시한 방법이 열거된다.
다음에, 상기 건조막을 노광 및 현상해서 회로 패턴을 얻는다.
노광·현상 공정에 있어서의 노광 방법으로서는 상술의 경화물의 제조 방법에 있어서의 노광 방법으로서 예시한 방법이 열거된다.
노광 후의 건조막을, 현상액을 사용해서 현상하고, 비노광부를 용해 제거함으로써, 소망의 패턴을 형성할 수 있다. 현상액으로서는 상술의 경화물의 제조 방법에 있어서의 현상액으로서 예시한 것이 열거된다.
현상 방법으로서는 예를 들면, 절연성 세라믹스층을 정치 또는 회전시키면서 현상액을 노광 후의 건조막에 스프레이하는 방법, 노광 후의 건조막을 갖는 절연성 세라믹스층을 현상액 중에 침지하는 방법, 노광 후의 건조막을 갖는 절연성 세라믹스층을 현상액 중에 침지하면서 초음파를 가하는 방법 등이 열거된다.
현상에 의해 얻어진 패턴에, 린스액에 의한 린스 처리를 실시해도 된다. 린스액으로서는 상술의 경화물의 제조 방법에 있어서의 린스액으로서 예시한 것이 열거된다.
얻어진 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층을 적층해서 적층체로 할 수도 있다.
얻어진 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층을 소성해서 소성체로 하는 것이 바람직하다. 소성 방법으로서는 소성체의 제조 방법에 있어서의 소성 방법으로서 예시한 방법이 열거된다. 절연성 세라믹스층 상에 형성된 회로 패턴은 도전성 분말(A) 및 감광성 유기 성분(B)을 포함하는 복합물이고, 소성 시에 도전성 분말(A)끼리가 접촉함으로써 도전성이 발현된다.
<전자 부품의 제조 방법>
본 발명의 전자 부품의 제조 방법의 하나는 본 발명의 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법에 의해 복수의 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층을 얻는 공정과, 상기 복수의 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층을 적층 및 열압착해서 적층체를 얻는 적층 공정과, 상기 적층체를 소성하는 소성 공정을 갖는다.
우선, 본 발명의 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법에 의해 복수의 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층을 얻는다.
다음에, 상기 복수의 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층을 적층 및 열압착해서 적층체를 얻는다. 적층 방법으로서는 예를 들면, 가이드 구멍을 사용해서 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층을 쌓아 겹치는 방법 등이 열거된다. 열압착 장치로서는 예를 들면, 유압식 프레스기 등이 열거된다. 열압착 온도는 90∼130℃가 바람직하고, 열압착 압력은 5∼20MPa가 바람직하다.
다음에, 상기 적층체를 소성한다. 소성 방법으로서는 상술의 소성체의 제조 방법에 있어서의 소성 방법으로서 예시한 방법이 열거된다.
본 발명의 전자 부품의 제조 방법의 하나는, 본 발명의 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법에 의해 얻어진 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층 상에 이하의 공정 A∼공정 F를 이 순서대로 복수회 반복해서 적층체를 얻는 공정과, 상기 적층체를 소성하는 공정을 구비한다.
공정 A: 감광성 절연성 세라믹스 조성물을 도포해서 도포막을 얻는 공정
공정 B: 상기 도포막을 건조해서 건조막을 얻는 공정
공정 C: 상기 건조막을 노광 및 현상해서 절연성 세라믹스층을 얻는 공정
공정 D: 상기 절연성 세라믹스층 상에, 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 도포해서 도포막을 얻는 공정
공정 E: 상기 도포막을 건조해서 건조막을 얻는 공정
공정 F: 상기 건조막을 노광 및 현상해서 회로 패턴을 얻는 공정.
우선, 공정 A에 있어서, 본 발명의 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법에 의해 얻어진 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층 상에 감광성 절연성 세라믹스 조성물을 도포해서 도포막을 얻는다. 감광성 절연성 세라믹스 조성물로서는 상술의 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법에 있어서의 감광성 절연성 세라믹스 조성물을 사용할 수 있다. 도포 방법으로서는 상술의 경화물의 제조 방법에 있어서의 도포 방법으로서 예시한 방법이 열거된다.
다음에, 공정 B에 있어서, 얻어진 감광성 절연성 세라믹스 조성물의 도포막을 건조해서 건조막을 얻는다. 건조 방법으로서는 상술의 경화물의 제조 방법에 있어서의 건조 방법으로서 예시한 방법이 열거된다.
다음에, 공정 C에 있어서, 얻어진 건조막을 노광 및 현상해서 절연성 세라믹스층을 얻는다. 노광 방법으로서는 상술의 경화물의 제조 방법에 있어서의 노광 방법으로서 예시한 방법이 열거된다. 현상 방법으로서는 상술의 경화물의 제조 방법에 있어서의 현상 방법으로서 예시한 방법이 열거된다.
다음에, 공정 D에 있어서, 얻어진 절연성 세라믹스층 상에, 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 도포해서 도포막을 얻는다.
다음에, 공정 E에 있어서, 얻어진 감광성 도전 페이스트의 도포막을 건조해서 건조막을 얻는다.
다음에, 공정 F에 있어서, 얻어진 건조막을 노광 및 현상해서 회로 패턴을 얻는다.
다음에, 상술한 공정 A∼공정 F를 이 순서대로 복수회 반복해서 적층체를 얻는다.
다음에, 얻어진 적층체를 소성한다. 소성 방법으로서는 상술의 소성체의 제조 방법에 있어서의 소성 방법으로서 예시한 방법이 열거된다.
<회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법>
본 발명의 회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법은 기재에 감광성 절연성 세라믹스 조성물을 도포하는 공정, 상기 감광성 절연성 세라믹스 조성물의 도막을 소망의 패턴으로 노광하는 공정, 상기 노광된 감광성 절연성 세라믹스 조성물의 도막을 현상해서 홈을 갖는 절연층을 형성하는 공정, 상기 절연층 상 및 상기 홈 내에 본 발명의 감광성 도전 페이스트를 도포하는 공정, 상기 감광성 도전 페이스트의 도막을 상기 홈에 대응시켜서 노광하는 공정, 그리고 상기 노광된 감광성 도전 페이스트의 도막을 현상해서 상기 홈에 대응하는 위치에 회로 패턴을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 홈이 측면에 테이퍼 형상을 갖는 것이 바람직하다.
홈이 측면에 테이퍼 형상을 가짐으로써, 입경이 큰 도전성 분말을 포함하는 페이스트에 있어서도 감광성 도전 페이스트를 홈 내에 도포해서 충전할 때에 기포를 배출하기 쉬워서 설계로부터 기대되는 것에 가까운 도전성을 얻을 수 있다.
테이퍼 형상을 갖는 홈의 정부폭(c)과 저부폭(d)의 비(d/c)로서는 0.30 이상 1.00 미만이 바람직하다. 1.00 미만, 보다 바람직하게는 0.95 이하, 더욱 바람직하게는 0.90 이하로 함으로써, 감광성 도전성 페이스트의 충전성을 향상시킬 수 있다. 또한, 0.3 이상, 보다 바람직하게는 0.5 이상, 또한 바람직하게는 0.7 이상으로 함으로써 회로 패턴의 단면적을 크게 할 수 있다.
감광성 도전 페이스트의 점도로서는 3∼50Pa·s가 바람직하다. 50Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 40Pa·s 이하, 더욱 바람직하게는 30Pa·s 이하로 함으로써, 테이퍼 형상을 갖는 홈에의 충전을 행하기 쉽게 할 수 있다. 또한, 3Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 5Pa·s 이상, 더욱 바람직하게는 10Pa·s 이상으로 함으로써, 도포를 용이한 것으로 할 수 있다.
감광성 도전 페이스트의 점도는 브룩필드형의 점도계를 사용하고, 10rpm의 조건으로 측정된다.
감광성 도전 페이스트의 TI값(틱소트로픽 인덱스)은 2.0 이하가 바람직하고, 1.5 이하가 보다 바람직하고, 1.3 이하가 더욱 바람직하다. 그렇게 함으로써, 레벨링성이 우수하고, 홈 내에의 충전성도 우수한 것으로 할 수 있다.
감광성 도전 페이스트의 TI값은 브룩필드형의 점도계를 사용하고, 10rpm의 조건으로 측정한 값(e)과 30rpm의 조건으로 측정한 값(f)의 비(e/f)로서 정의된다.
절연층 상 및 홈 내에 감광성 도전 페이스트를 도포한 도막을, 홈에 대응시켜서 노광한다. 그 때의 노광 방법으로서는 예를 들면, 마스크를 개재해서 노광하는 프록시미티 노광, 레이저광에 의해 직접 패턴을 묘화하는 방법 등이 열거된다.
프록시미티 노광에 의해 노광할 때의 노광 마스크의 개구폭으로서는 절연층의 홈의 폭(정부폭 c) 이하로 하는 것이 바람직하다. 그렇게 함으로써, 보다 애스펙트비가 높은 회로 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명의 회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법은 인덕터의 제조에 바람직하다. 즉, 본 발명의 인덕터의 제조 방법은 본 발명의 회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법을 공정에 포함한다.
본 발명의 제조 방법으로 얻어진 회로 패턴이 있는 기판을 소망의 칩 사이즈로 절단하고, 소성하고, 단자 전극을 도포하고, 도금 처리를 행함으로써, 적층 칩 인덕터를 얻을 수 있다. 절단 장치로서는 예를 들면, 다이스 절단기, 레이저 절단기 등이 열거된다.
소성에 의해, 회로 패턴의 도전성을 발현시켜 도전 패턴으로 할 수 있다. 단자 전극의 도포 방법으로서는 예를 들면, 스퍼터법 등이 열거된다. 도금 처리에 사용하는 금속으로서는 예를 들면, 니켈, 주석 등이 열거된다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 들어서 본 발명을 더욱 자세하게 설명한다. 단, 본 발명은 본원에 나타내는 형태에만 한정되는 것은 아니다.
[측정·평가 방법]
(1) 메디안 지름
입도 분포 측정 장치(Nikkiso Co., Ltd. 제품 "Microtrac" HRA Model No．9320-X100)를 사용하고, 레이저 광산란법에 의해 측정했다.
(2) 고정밀 패턴 가공성
(절연성 세라믹스층의 형성)
절연성 세라믹스 분말로서 "퓨어세람" BT149(Nippon Chemical Industrial Co.,Ltd. 제품) 100체적부, 바인더 수지로서 폴리비닐 부티랄 수지(SP값 19.1(J/cm3)1/2) 240체적부, 가소제로서 프탈산 디부틸 80체적부, 용매로서 에틸렌글리콜모노부틸에테르 160체적부를 혼합하고, 닥터 블레이드법에 의해 알루미나 기판(100mm×100mm×두께 0.5mm) 상에 도포하고, 절연성 세라믹스층을 형성했다.
(도포막의 형성)
상기 절연성 세라믹스층 상에, 실시예·비교예에서 얻어진 감광성 도전 페이스트를, 건조 후 막두께가 10㎛가 되도록 스크린 인쇄법에 의해 도포하고, 도포막을 얻었다.
(건조막의 형성)
얻어진 도포막을, 80℃의 열풍건조기를 사용해서 10분간 건조하고, 절연성 세라믹스층 상에 건조막을 형성했다. 동일한 조작을 반복하고, 건조막 및 절연성 세라믹스층을 형성한 기판을 각 실시예·비교예에 대해서 4매씩 준비했다.
(패턴 형성)
상기 건조막 상에 코일형상 패턴의 선폭/선 간의 간격(이하, 「L/S」)이 20㎛/20㎛, 18㎛/18㎛, 15㎛/15㎛, 12㎛/12㎛의 4종류의 노광 마스크를 각각 개재하여, 모두 21mW/cm2의 출력의 초고압 수은등에 의해 조사량 400mJ/cm2(파장 365nm 환산)의 노광을 행했다.
그 후, 0.1질량% 탄산 나트륨 수용액을 현상액으로서, 비노광부가 모두 용해하는 시간(이하, 「전체 용해 시간」)까지 샤워 현상하고, L/S가 다른 4종류의 패턴 형성 시트를 제조했다.
상기 4종의 패턴 형성 시트를, 각각 광학 현미경을 사용해서 배율 10배로 확대 관찰하고, 패턴의 박리 또는 단락의 유무로부터, 하기의 기준에 의해 평가했다. D 이상을 합격으로 했다.
A: 상기 4종류의 모든 사이즈의 패턴에 있어서, 박리 및 단락이 확인되지 않는다.
B: 15㎛/15㎛ 이상의 패턴에 있어서 박리 및 단락이 확인되지 않고, 12㎛/12㎛ 이하의 패턴에 있어서 박리 또는 단락이 확인된다.
C: 18㎛/18㎛ 이상의 패턴에 있어서 박리 및 단락이 확인되지 않고, 15㎛/15㎛ 이하의 패턴에 있어서 박리 또는 단락이 확인된다.
D: 20㎛/20㎛ 이상의 패턴에 있어서 박리 및 단락이 확인되지 않고, 18㎛/18㎛ 이하의 패턴에 있어서 박리 또는 단락이 확인된다.
E: 상기 4종류의 모든 사이즈의 패턴에 있어서, 박리 또는 단락이 확인된다.
(3) 체적 저항률
알루미나 기판(100mm×100mm×두께 0.5mm) 상에, 각 실시예·비교예에서 얻은 감광성 도전 페이스트를, 건조 후의 막두께가 10㎛가 되도록 스크린 인쇄법으로 도포했다. 얻어진 도포막을 80℃의 열풍 건조기로 10분간 건조하고, 건조막을 얻었다.
소정 패턴(길이 5cm×선폭 1mm, 양 단에 1cm 사방의 패드가 붙은 패턴)의 노광 마스크를 사용한 것 이외는 상술의 「고정밀 패턴 가공성」과 동일하게 노광·현상을 행하고, 저항 측정용 패턴 형성 시트를 얻었다.
얻어진 저항 측정용 패턴 형성 시트를, 880℃에서 10분 간 열처리해서 소성하고, 저항 측정용 패턴 형성 소성체를 얻었다.
얻어진 저항 측정용 패턴 형성 소성체에 대해서, 광학 현미경을 사용해서 배율 1000배로 확대 관찰하고, 소성체의 선폭을 측정하고, 촉침식 단차계 ("서프컴" (등록상표) 1400; TOKYO SEIMITSU CO., LTD. 제품)을 사용해서 소성체의 막두께를 측정했다. 또한, 디지털 멀티미터(CDM-16D; CUSTOM corporation 제품)를 사용하고, 상기 저항 측정용 패턴 소성체의 저항치를 측정하고, 하기 식으로부터, 체적 저항률을 산출했다.
체적 저항률(μΩ·cm)=실저항치(Ω)×106×패턴 선폭(cm)×패턴 두께(cm）÷패턴 길이(cm) … (식).
하기의 기준에 의해 평가하고, C 이상을 합격으로 했다.
A: 체적 저항률이 2.2μΩ·cm 미만이다.
B: 체적 저항률이 2.2μΩ·cm 이상 2.5μΩ·cm 미만이다.
C: 체적 저항률이 2.5μΩ·cm 이상 3.0μΩ·cm 미만이다.
D: 체적 저항률이 3.0μΩ·cm 이상이다.
(4) 소성 수축률
알루미나 기판(100mm×100mm×두께 0.5mm) 상에, 각 실시예·비교예에서 얻어진 감광성 도전 페이스트를, 건조 후의 막두께가 10㎛가 되도록 스크린 인쇄법으로 도포했다. 얻어진 도포막을 80℃의 열풍건조기로 10분 간 건조하고, 건조막을 얻었다.
코일 형상 패턴의 L/S가 20㎛/20㎛의 마스크를 사용해서 상술의 「고정밀 패턴 가공성」과 마찬가지로 노광·현상을 행하고, 수축률 측정용 패턴 형성 시트를 얻었다.
얻어진 수축률 측정용 패턴 형성 시트에 대해서, 광학 현미경을 사용해서 배율 1000배로 확대 관찰하고, 소성 전 패턴 선폭을 측정했다. 또한, 촉침식 단차계 ("서프컴"(등록상표) 1400; TOKYO SEIMITSU CO., LTD. 제품)을 사용해서 소성 전 패턴 막두께를 측정했다.
그 후, 수축률 측정용 패턴 형성 시트를, 880℃에서 10분간 열처리해서 소성하고, 수축률 측정용 패턴 형성 소성체를 얻었다.
얻어진 수축률 측정용 패턴 형성 소성체에 대해서, 광학 현미경을 사용해서 배율 1000배로 확대 관찰하고, 소성 후 패턴 선폭을 측정했다. 또한, 촉침식 단차계("서프컴"(등록상표) 1400; TOKYO SEIMITSU CO., LTD. 제품)를 사용해서 소성 후 패턴 막두께를 측정했다. 하기 식으로부터, 소성 수축률을 산출했다.
선폭 변화율(%)=[소성 후 패턴 선폭(㎛)/소성 전 패턴 선폭(㎛)]×100
막두께 변화율(%)=[소성 후 패턴 막두께(㎛)/소성 전 패턴 막두께(㎛)]×100
소성 수축률(%)=100-(선폭 변화율(%)×막두께 변화율(%))/100.
하기의 기준에 의해 평가하고, D 이상을 합격으로 했다.
A: 소성 수축률이 55.0% 미만이다.
B: 소성 수축률이 55.0% 이상 58.0% 미만이다.
C: 소성 수축률이 58.0% 이상 60.0% 미만이다.
D: 소성 수축률이 60.0% 이상 63.0% 미만이다.
E: 소성 수축률이 63.0% 이상이다.
(5) 회로 패턴 단면의 관찰 평가
실시예 16∼20, 비교예 5, 6에서 얻어진 회로 패턴이 있는 기판의 단면을 회로 패턴의 선폭 방향으로 커팅했다. 주사형 전자 현미경(S2400;Hitachi, Ltd. 제품)을 사용해서 배율 3000배로 단면을 확대 관찰하고, 절연층의 층두께, 홈의 정부폭 c, 저부폭 d, 회로 패턴과 절연층 간의 공극을 관찰했다. 상이한 개소의 홈의 단면을 10점 관찰하고, 5㎛ 이상의 공극이 보이는 10점 중의 단면의 수를 점수로 평가하고, 3점 이하를 합격으로 했다. 공극의 사이즈는 공극의 최장부(하나의 공극에 있어서의 가장 떨어진 2점의 단부 사이의 거리)를 측정함으로써 산출했다.
(6) 도전 패턴의 애스펙트비 및 저항치의 평가
절연층의 홈 및 회로 패턴의 길이를 40mm로 한 것 이외는 실시예 16∼20, 비교예 5, 6과 동일한 방법으로 기판을 제작했다. 얻어진 회로 패턴이 있는 기판을 880℃에서 10분간 열처리해서 소성하고, 도전 패턴을 얻었다. 디지털 멀티미터(CDM-16D; CUSTOM corporation 제품)를 사용하고, 도전 패턴의 저항치를 측정했다. 다음에 도전 패턴을 선폭 방향으로 커팅했다. 그 단면을, 주사형 전자 현미경(S2400; Hitachi, Ltd. 제품)을 사용하고, 배율 3000배로 확대 관찰하고, 도전 패턴의 선폭, 높이를 측정했다. 선폭은 도전 패턴의 단면의 최대폭으로 했다. 얻어진 결과로부터 시트 저항치, 도전 패턴의 애스펙트비를 산출했다. 시트 저항치는 이하의 식으로 산출했다.
시트 저항치(mΩ)=도전 패턴 저항치(mΩ)×선폭(mm)÷도전 패턴 길이(mm)
3.5mΩ 미만을 합격으로 했다.
(감광성 도전 페이스트)
감광성 도전 페이스트에 사용한 원료는 이하와 같다.
도전성 입자(A)
A-1: 메디안 지름 r이 3.2㎛, 밀도가 10.5g/cm3의 Ag 분말
A-2: r이 4.5㎛, 밀도가 10.5g/cm3의 Ag 분말
A-3: r이 5.2㎛, 밀도가 10.5g/cm3의 Ag 분말
A-4: r이 5.8㎛, 밀도가 10.5g/cm3의 Ag 분말
A-5: r이 2.8㎛, 밀도가 10.5g/cm3의 Ag 분말
A-6: r이 6.5㎛, 밀도가 10.5g/cm3의 Ag 분말
알칼리 가용성 수지: 메타크릴산/메타크릴산 메틸/스티렌의 몰비가 54/23/23의 공중합체의 카르복실기 100몰부에 대하여, 40몰부의 글리시딜메타크릴레이트를 부가 반응시킨 아크릴 수지(중량 평균 분자량 30,000, 유리 전이점 110℃, 산가 100mgKOH/g, 밀도 1.0g/cm3).
감광성 모노머: 에스테르 구조 함유 우레탄 아크릴레이트(Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.제품 "NK 올리고" UA-122P, 점도 7.0Pa·s, 중량 평균 분자량 1,100, 밀도 1.0g/cm3).
광중합 개시제: 옥심계 광중합 개시제(ADEKA CORPORATION 제품 "아데카옵토머" N-1919, 밀도 1.3g/cm3).
레벨링제: "디스퍼론"(등록상표) L-1980N(밀도 1.0g/cm3; Kusumoto Chemicals, Ltd. 제품).
분산제: "플로렌" G-700(밀도 1.1g/cm3; KYOEISHA CHEMICAL Co.,LTD. 제품).
용제: "셀톨" CHXA(시클로헥산올아세테이트, 밀도 1.0g/cm3; Daicel Corporation 제품).
무기 입자(C)
C-1: 실리카(NIPPON AEROSIL CO., LTD. 제품 "AEROSIL" R972, 메디안 지름 12nm, 밀도 2.2g/cm3)
C-2: 알루미나(NIPPON AEROSIL CO., LTD. 제품 "AEROXIDE" AluC, 메디안 지름 13nm, 밀도 3.3g/cm3).
[실시예 1]
5.0g의 알칼리 가용성 수지, 2.4g의 NK 올리고 UA-122P, 0.5g의 아데카옵토머 N-1919, 0.1g의 "디스퍼론" L-1980N, 0.1g의 플로렌 G-700 및 11.9g의 "셀톨" CHXA를 혼합하고, 20.0g의 감광성 유기 성분 B-1(비중 1.0g/cm3)을 얻었다. 표 1에 그 조성을 나타낸다.
얻어진 20.0g의 감광성 유기 성분(B-1)과 51.8g의 Ag 분말(A-3) 및 0.5g의 무기 입자(C-1)를 혼합하고, 3본 롤러를 사용해서 혼련하고, 표 2에 기재된 감광성 도전 페이스트 P-1를 얻었다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
[실시예 2∼15, 비교예 1∼4]
표 2∼4에 나타내는 조성의 감광성 도전 페이스트 P-2∼P-19를 실시예 1과 같은 방법에 의해 제작했다.
고정밀 패턴 가공성의 평가에 대해서:
실시예 4에서는 12㎛/12㎛의 패턴에 있어서만 박리가 확인되었다.
실시예 5에서는 15㎛/15㎛ 이하의 패턴에 있어서만 박리가 확인되었다.
실시예 6에서는 12㎛/12㎛의 패턴에 있어서만 단락이 단락이 확인되었다.
실시예 7에서는 15㎛/15㎛ 이하의 패턴에 있어서만 단락이 단락이 확인되었다.
실시예 8에서는 15㎛/15㎛ 이하의 패턴에 있어서만 박리가 확인되었다.
실시예 13에서는 15㎛/15㎛ 이하의 패턴에 있어서만 박리가 확인되었다.
실시예 14에서는 15㎛/15㎛ 이하의 패턴에 있어서만 박리가 확인되었다.
실시예 15에서는 18㎛/18㎛ 이하의 패턴에 있어서만 박리가 확인되었다.
비교예 2에서는 4종류의 모든 사이즈의 패턴에 있어서 박리가 확인되었다.
비교예 3에서는 18㎛/18㎛ 이하의 패턴에 있어서만 박리가 확인되었다.
비교예 4에서는 4종류의 모든 사이즈의 패턴에 있어서 박리가 확인되었다.
평가 결과를 표 2∼4에 나타낸다.
[실시예 16∼20, 비교예 5, 6]
(기재)
기재로서, 알루미나판을 사용했다.
(감광성 절연성 조성물)
절연성 세라믹스 분말(Ferro corp．제품 L5) 55질량부, 알칼리 가용성 수지로서, 메타크릴산/메타크릴산 메틸/스티렌의 몰비가 54/23/23의 공중합체의 카르복실기 100몰부에 대하여, 40몰부의 글리시딜 메타크릴레이트를 부가 반응시킨 아크릴 수지(중량 평균 분자량 30,000, 유리 전이점 110℃, 산가 100mgKOH/g) 20질량부, 광중합 개시제(ADEKA CORPORATION 제품 "아데카 옵토머" N-1919) 7.0질량부, 레벨링제(KYOEISHA CHEMICAL Co.,LTD. 제품 "플로렌" G-700) 1.0질량부, 분산제 (KYOEISHA CHEMICAL Co.,LTD. 제품 "플로렌" G-700) 1.0질량부, 가소제로서 프탈산 디부틸 4.0질량부, 용제(Daicel Corporation 제품 "셀톨" CHXA) 12.0질량부를 계량후, 혼합하고, 3본 롤러로 혼련해서 감광성 절연성 조성물 I-1을 얻었다.
(감광성 도전 페이스트)
감광성 도전 페이스트 P-3을 사용했다.
(회로 패턴이 있는 기판)
기재 상에 감광성 절연성 조성물 I-1을, 표 5에 나타내는 절연층의 층두께가 되도록 도포, 건조했다.
이어서, 노광 마스크를 감광성 절연성 조성물의 도막의 상방에 표 5에 나타내는 간극으로 설치하고, 노광 장치를 사용해서 표 5에 나타내는 노광량으로 전선노광을 행했다.
이어서, 0.2질량%의 Na2CO3 용액에, 표 5에 나타내는 시간, 기판을 침지시킴으로써 현상을 행했다.
이어서, 초순수에 의한 린스 처리를 실시했다.
이어서, 홈을 갖는 절연층 상에, 감광성 도전 페이스트를 표 5에 나타내는 도막의 최대 두께(감광성 도전 페이스트가 억지로 들어간 절연층의 홈의 저부로부터 감광성 도전 페이스트의 도막의 표면까지의 거리. 즉 회로 패턴의 높이에 거의 대응한다.)가 되도록 도포, 건조했다.
이어서, 표 5에 나타내는 개구 폭을 갖는 마스크를, 감광성 도전성 조성물의 도막의 상방에 배치하고, 노광 장치를 사용해서 노광량 400mJ/cm2(파장 365nm 환산)로, 절연층의 홈에 대응하는 부위를 노광했다.
이어서, 0.2질량%의 Na2CO3 용액에 기판을 30초간 침지시킴으로써 현상을 행했다.
이어서, 초순수에 의한 린스 처리를 실시하고, 회로 패턴이 있는 기판을 얻었다.
Figure pct00001
Figure pct00002
Figure pct00003
Figure pct00004
Figure pct00005

Claims (19)

  1. 도전성 입자(A) 및 감광성 유기 성분(B)을 함유하고,
    상기 도전성 입자(A)의 입자 지름 분포의 메디안 지름 r이 3.0㎛ 이상 6.0㎛ 이하이고,
    전체 고형분 중의 상기 도전성 입자(A)의 함유량 V1이 37체적% 이상 55체적% 이하인, 감광성 도전 페이스트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    도전성 입자(A) 이외의 무기 입자(C)를 더 함유하고, 상기 무기 입자(C)의 입자 지름 분포의 메디안 지름이 1∼100nm이고,
    100체적%의 상기 도전성 입자(A)에 대한 상기 무기 입자(C)의 양 V2가 3체적% 이상 10체적% 이하인, 감광성 도전 페이스트.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 r, V1, V2의 곱 r×V1×V2가 500 이상 3300 이하인, 감광성 도전 페이스트.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 무기 입자(C)가 티타니아, 알루미나, 실리카, 코디어라이트, 뮬라이트, 스피넬 및 티탄산 바륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 함유하는, 감광성 도전 페이스트.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 도전 페이스트를 경화해서 이루어지는, 경화물.
  6. 제 5 항에 있어서,
    막두께 t가 10㎛ 이상 35㎛ 이하인, 경화물.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    막두께 t와 선폭 w의 비 t/w가 0.5 이상 1.0 이하인, 경화물.
  8. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    정부폭 a에 대한 저부폭 b의 비 b/a가 0.6 이상 1.0 이하인, 경화물.
  9. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 도전 페이스트를 소성해서 이루어지는, 소성체.
  10. 제 9 항에 기재된 소성체 및 절연성 세라믹스층을 포함하는, 전자 부품.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 절연성 세라믹스층의 비유전율 ε이 3.0 이상 6.0 이하인, 전자 부품.
  12. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 도전 페이스트를 절연성 세라믹스층 상에 도포해서 도포막을 얻는 공정과, 상기 도포막을 건조해서 건조막을 얻는 공정과, 상기 건조막을 노광 및 현상해서 회로 패턴을 얻는 공정을 갖는, 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 기재된 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법에 의해 복수의 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층을 얻는 공정과, 상기 복수의 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층을 적층 및 열압착해서 적층체를 얻는 적층 공정과, 상기 적층체를 소성하는 소성 공정을 갖는, 전자 부품의 제조 방법.
  14. 제 12 항에 기재된 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법에 의해 얻어진 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층 상에, 이하의 공정 A∼공정 F를 이 순서대로 복수회 반복해서 적층체를 얻는 공정과, 상기 적층체를 소성하는 공정을 구비하는, 전자 부품의 제조 방법.
    공정 A: 감광성 절연성 세라믹스 조성물을 도포해서 도포막을 얻는 공정
    공정 B: 상기 도포막을 건조해서 건조막을 얻는 공정
    공정 C: 상기 건조막을 노광 및 현상해서 절연성 세라믹스층을 얻는 공정
    공정 D: 상기 절연성 세라믹스층 상에, 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 도전 페이스트를 도포해서 도포막을 얻는 공정
    공정 E: 상기 도포막을 건조해서 건조막을 얻는 공정
    공정 F: 상기 건조막을 노광 및 현상해서 회로 패턴을 얻는 공정
  15. 기재에 감광성 절연성 세라믹스 조성물을 도포하는 공정,
    상기 감광성 절연성 세라믹스 조성물의 도막을 소망의 패턴으로 노광하는 공정,
    상기 노광된 감광성 절연성 세라믹스 조성물의 도막을 현상해서 홈을 갖는 절연층을 형성하는 공정,
    상기 절연층 상 및 상기 홈 내에 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 도전 페이스트를 도포하는 공정,
    상기 감광성 도전 페이스트의 도막을 상기 홈에 대응시켜서 노광하는 공정,
    그리고, 상기 노광된 감광성 도전 페이스트의 도막을 현상해서 상기 홈에 대응하는 위치에 회로 패턴을 형성하는 공정을 포함하고,
    상기 홈이 측면에 테이퍼 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 홈에 있어서, 정부폭 c에 대한 저부폭 d의 비 d/c가 0.30 이상 1.00 미만인, 회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법.
  17. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 절연층 상 및 상기 홈 내에 상기 감광성 도전 페이스트를 도포하는 공정에 있어서의 감광성 도전 페이스트의 점도가 3∼50Pa·s인, 회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법.
  18. 제 15 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감광성 도전 페이스트의 도막을 노광하는 공정에 있어서, 상기 절연층의 홈의 정부폭 A보다 좁은 개구폭을 갖는 노광 마스크를 통하여 노광하는, 회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법.
  19. 제 15 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 기재된 회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법을 공정에 포함하는 것을 특징으로 하는, 인덕터의 제조 방법.
KR1020227046095A 2020-08-07 2021-07-30 감광성 도전 페이스트, 경화물, 소성체, 전자 부품, 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법, 전자 부품의 제조 방법, 회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법 및 인덕터의 제조 방법 KR20230049063A (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-134396 2020-08-07
JP2020134396 2020-08-07
JPJP-P-2020-182152 2020-10-30
JP2020182152 2020-10-30
PCT/JP2021/028322 WO2022030382A1 (ja) 2020-08-07 2021-07-30 感光性導電ペースト、硬化物、焼成体、電子部品、回路パターン付き絶縁性セラミックス層の製造方法、電子部品の製造方法、回路パターン付き基板の製造方法およびインダクターの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230049063A true KR20230049063A (ko) 2023-04-12

Family

ID=80117899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227046095A KR20230049063A (ko) 2020-08-07 2021-07-30 감광성 도전 페이스트, 경화물, 소성체, 전자 부품, 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법, 전자 부품의 제조 방법, 회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법 및 인덕터의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR20230049063A (ko)
CN (1) CN116137900A (ko)
TW (1) TW202212971A (ko)
WO (1) WO2022030382A1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019202889A1 (ja) 2018-04-19 2019-10-24 東レ株式会社 感光性導電ペーストおよびそれを用いたパターン形成グリーンシートの製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3726627B2 (ja) * 2000-03-15 2005-12-14 株式会社村田製作所 感光性導体ペーストならびに電子部品、電子装置
JP2009086280A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Taiyo Ink Mfg Ltd 感光性銀ペースト、電極パターンの製造方法、電極パターンおよびプラズマディスプレイパネル
JP2018087897A (ja) * 2016-11-29 2018-06-07 東レ株式会社 感光性ペーストおよびそれを用いたパターンの製造方法
JP6637087B2 (ja) * 2018-02-08 2020-01-29 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 感光性組成物とその利用

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019202889A1 (ja) 2018-04-19 2019-10-24 東レ株式会社 感光性導電ペーストおよびそれを用いたパターン形成グリーンシートの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2022030382A1 (ko) 2022-02-10
WO2022030382A1 (ja) 2022-02-10
TW202212971A (zh) 2022-04-01
CN116137900A (zh) 2023-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102656350B1 (ko) 감광성 도전 페이스트 및 그것을 사용한 패턴 형성 그린 시트의 제조 방법
KR100669725B1 (ko) 감광성 페이스트 조성물
TWI597740B (zh) 導電糊、導電圖案之製造方法及觸控面板
KR100418834B1 (ko) 감광성 세라믹 그린시트, 세라믹 패키지 및 그 제조방법
TW201419313A (zh) 感光性導電糊、積層基板、導電圖案的製造方法及靜電電容型觸控面板
KR20200060358A (ko) 감광성 도전 페이스트 및 도전 패턴 형성용 필름
JP2017182901A (ja) 感光性導電ペースト及び、それを用いた電子部品の製造方法
WO2017057544A1 (ja) 感光性導電ペースト及びそれを用いた導電パターンの製造方法
KR100803476B1 (ko) 기판 적용 ｌｔｃｃ 감광성 테이프에 유용한 전도체 조성물
WO2018038074A1 (ja) 感光性ペースト、セラミックグリーンシート、電子部品、パターンの製造方法および電子部品の製造方法
TW201940974A (zh) 感光性組成物、複合體、電子零件及電子零件的製造方法
KR20230049063A (ko) 감광성 도전 페이스트, 경화물, 소성체, 전자 부품, 회로 패턴이 있는 절연성 세라믹스층의 제조 방법, 전자 부품의 제조 방법, 회로 패턴이 있는 기판의 제조 방법 및 인덕터의 제조 방법
WO2023032536A1 (ja) 感光性導電ペースト、導電パターン付き基材の製造方法、電子部品の製造方法、硬化膜、焼成体および電子部品
WO2024004461A1 (ja) 導電パターン付きセラミックグリーンシートの製造方法
JP7230347B2 (ja) 感光性ペースト、それを用いた硬化膜、焼成体および電子部品とその製造方法
JP2023134944A (ja) 感光性導電ペースト、導電パターン付き基材の製造方法、硬化膜、焼成体の製造方法、焼成体および電子部品
TW201502913A (zh) 導電糊、導電圖案的製造方法及靜電電容型觸控面板
WO2022191054A1 (ja) 感光性組成物とその利用
JP2020083947A (ja) ペースト、それを用いた硬化膜、焼成体、電子部品とその製造方法および配線つきセラミック積層体
JP2018087897A (ja) 感光性ペーストおよびそれを用いたパターンの製造方法
TW201800850A (zh) 感光性導電糊及附有導電圖案之基板的製造方法
JP2024024156A (ja) 導電パターン付きセラミックグリーンシートの製造方法
KR102370118B1 (ko) 도전 페이스트, 터치 센서 부재 및 도전 패턴의 제조 방법
JP2006072344A (ja) 誘電体シートの塗布方法、ならびにこの方法において使用される感光性誘電体組成物およびテープ
JP2001194779A (ja) 感光性導体ペースト