KR20230036040A - 웨이퍼의 트랜스퍼 방법 - Google Patents

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요시노리 가키누마
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은, 웨이퍼에 흠집을 내지 않고 웨이퍼의 트랜스퍼가 가능한 웨이퍼의 트랜스퍼 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
웨이퍼를 수용하는 개구부를 구비한 제1 프레임의 상기 개구부에 웨이퍼가 위치되고, 제1 테이프에 의해 제1 프레임과 함께 웨이퍼의 한쪽 면에 압착된 웨이퍼를 제2 프레임에 압착된 제2 테이프로 트랜스퍼하는 웨이퍼의 트랜스퍼 방법으로서, 상기 제1 프레임의 개구부의 내경보다 작은 외경을 가진 제2 프레임에 압착된 제2 테이프를 웨이퍼의 다른 쪽 면에 압착하는 제2 테이프 압착 공정과, 상기 제2 프레임의 외주를 따라 제1 테이프를 절단하는 제1 테이프 절단 공정과, 상기 제1 테이프에 외적 자극을 부여하여 웨이퍼의 한쪽 면에 압착된 압착력을 저하시키는 압착력 저하 공정과, 상기 제2 테이프에 압착된 웨이퍼의 한쪽 면으로부터 상기 제1 테이프를 박리하는 박리 공정을 포함한다.

Description

웨이퍼의 트랜스퍼 방법{METHOD OF TRANSFERRING A WAFER}
본 발명은, 제1 테이프에 제1 프레임과 함께 한쪽 면이 압착(壓着)된 웨이퍼를 제2 프레임에 압착된 제2 테이프로 트랜스퍼하는 웨이퍼의 트랜스퍼 방법에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼는, 다이싱 장치에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할되어 휴대전화, 분할된 디바이스 칩은 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 이용된다.
또한, 웨이퍼의 표면에 테이프를 붙여 척 테이블에 유지하고, 웨이퍼의 이면으로부터 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 분할 예정 라인의 내부에 위치시켜 조사하여 웨이퍼 내부에 개질층을 형성하며, 외력을 부여하여 상기 개질층을 분할 기점으로 하여 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 기술도 제안되어 있다(예컨대 특허문헌 1을 참조).
그런데, 개개의 디바이스 칩을 테이프로부터 픽업할 때에는, 웨이퍼의 이면에 테이프가 붙여져 웨이퍼의 표면을 노출시킨 상태로 하지 않으면 안되기 때문에, 웨이퍼를 하나의 테이프로부터 다른 테이프로 트랜스퍼하여 표면을 노출시키는 기술이 제안되어 있다(예컨대 특허문헌 2를 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 제3408805호 공보 [특허문헌 2] 일본 특허 제6695173호 공보
상기한 특허문헌 2에 개시된 기술을 실행함에 있어서는, 웨이퍼에 붙여진 테이프를 웨이퍼의 외경을 따라 절단하지 않으면 안되어, 경우에 따라서는, 웨이퍼에 흠집을 내게 된다고 하는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 웨이퍼에 흠집을 내지 않고 웨이퍼를 하나의 테이프로부터 다른 테이프로 트랜스퍼할 수 있는 웨이퍼의 트랜스퍼 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼를 수용하는 개구부를 구비한 제1 프레임의 상기 개구부에 웨이퍼가 위치되고, 제1 테이프에 상기 제1 프레임과 함께 한쪽 면이 압착된 상기 웨이퍼를, 제2 프레임에 압착된 제2 테이프로 트랜스퍼하는 웨이퍼의 트랜스퍼 방법으로서, 상기 제1 프레임의 상기 개구부의 내경보다 작은 외경을 가진 상기 제2 프레임에 압착된 상기 제2 테이프를 상기 웨이퍼의 다른 쪽 면에 압착하는 제2 테이프 압착 공정과, 상기 제2 프레임의 외주를 따라 상기 제1 테이프를 절단하는 제1 테이프 절단 공정과, 상기 제1 테이프에 외적 자극을 부여하여 상기 웨이퍼의 상기 한쪽 면에 압착된 압착력을 저하시키는 압착력 저하 공정과, 상기 제2 테이프에 압착된 상기 웨이퍼의 상기 한쪽 면으로부터 상기 제1 테이프를 박리하는 박리 공정을 포함하는 웨이퍼의 트랜스퍼 방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 압착 저하 공정은, 상기 제2 테이프 압착 공정 전에 실시한다. 바람직하게는, 상기 제1 테이프는, 자외선 경화형 테이프이며, 상기 압착력 저하는 상기 제1 테이프에 자외선을 조사하여 실시된다.
본 발명의 웨이퍼의 트랜스퍼 방법에 따르면, 웨이퍼를 손상시키지 않고, 웨이퍼를 제1 테이프로부터 제2 테이프로 트랜스퍼할 수 있다.
도 1은 본 실시형태의 피가공물인 웨이퍼, 제1 프레임, 및 제1 테이프를 일체로 하는 양태를 나타낸 사시도이다.
도 2의 (a)는 웨이퍼의 분할 예정 라인의 내부에 개질층을 형성하는 레이저 가공의 실시양태를 나타낸 사시도, (b)는 웨이퍼에 개질층이 형성된 상태를 나타낸 사시도이다.
도 3은 절삭 가공의 실시양태를 나타낸 사시도이다.
도 4는 제1 테이프 압착 공정의 실시양태를 나타낸 사시도이다.
도 5는 제1 테이프 절단 공정의 실시양태를 나타낸 사시도이다.
도 6은 압착력 저하 공정의 실시양태를 나타낸 사시도이다.
도 7은 박리 공정의 실시양태를 나타낸 사시도이다.
이하, 본 발명 실시형태의 웨이퍼의 트랜스퍼 방법에 대해서, 첨부 도면을 참조하면서, 상세히 설명한다.
이하에 설명하는 웨이퍼의 트랜스퍼 방법에 따른 실시형태는, 예컨대, 웨이퍼의 표면에 테이프를 붙여 척 테이블에 유지하고, 웨이퍼의 이면으로부터 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선의 집광점을 분할 예정 라인의 내부에 위치시켜 조사하여 개질층을 형성한 후에 실시된다. 그리고, 본 발명의 웨이퍼의 트랜스퍼 방법이 실시되어, 웨이퍼의 표면을 위쪽으로 노출시킨 후, 외력을 부여하여 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하고, 그 후, 픽업 공정이 실시된다.
도 1에는 본 실시형태에 있어서 피가공물이 되는 반도체의 웨이퍼(10)가 도시되어 있다. 웨이퍼(10)는, 복수의 디바이스(12)가 교차하는 복수의 분할 예정 라인(14)에 의해 구획되어 표면(10a)에 형성된 것이다.
상기한 웨이퍼(10)와 함께, 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)를 수용 가능한 개구부(F1a)를 구비한 환형의 제1 프레임(F1)과, 표면에 점착층을 구비한 제1 테이프(T1)를 준비한다. 상기 개구부(F1a)의 중앙에 웨이퍼(10)의 한쪽 면, 즉 표면(10a)을 아래쪽으로, 다른 쪽 면, 즉 이면(10b)을 위쪽으로 향해 위치시켜, 제1 테이프(T1)에, 제1 프레임(F1)과 함께 웨이퍼(10)의 표면(10a)을 압착하고, 도 1의 하단에 도시된 바와 같이 제1 프레임(F1)에 제1 테이프(T1)를 통해 웨이퍼(10)를 유지시킨다.
상기한 바와 같이 웨이퍼(10)를 제1 프레임(F1)에 유지시켰다면, 도 2의 (a)에 도시된 레이저 가공 장치(20)(일부만을 도시하고 있음)로 반송한다. 레이저 가공 장치(20)는, 도시를 생략한 척 테이블과, 웨이퍼(10)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선(LB)을 조사하는 레이저 광선 조사 유닛의 집광기(22)를 구비하고 있다. 상기 척 테이블은, 상기 척 테이블과 상기 집광기(22)를 상대적으로 X 축방향으로 가공 이송하는 X축 이송 기구와, 상기 척 테이블과 상기 집광기(22)를 상대적으로 X축 방향과 직교하는 Y축 방향으로 가공 이송하는 Y축 이송 기구와, 상기 척 테이블을 회전시키는 회전 구동 기구를 구비하고 있다(모두 도시는 생략함).
레이저 가공 장치(20)로 반송된 웨이퍼(10)는, 웨이퍼(10)의 이면(10b)측이 위쪽이 되도록 상기 척 테이블에 흡인 유지된다. 상기 척 테이블에 유지된 웨이퍼(10)는, 적외선을 조사하고, 웨이퍼(10)의 이면(10b)으로부터 투과한 상기 적외선의 반사광을 촬상 가능한 적외선 촬상 소자를 구비한 얼라인먼트 수단(도시는 생략함)을 이용하여 얼라인먼트 공정이 실시되며, 표면(10a)에 형성된 분할 예정 라인(14)의 위치를 검출하고, 상기 회전 구동 기구에 의해 웨이퍼(10)를 회전시켜 제1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(14)을 X축 방향에 정합시킨다. 검출된 분할 예정 라인(14)의 위치 정보는, 도시하지 않은 제어 수단에 기억된다.
상기한 얼라인먼트 공정에 의해 검출된 분할 예정 라인(14)의 위치 정보에 기초하여, 제1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(14)의 가공 개시 위치에 레이저 광선 조사 유닛의 집광기(22)를 위치시키고, 웨이퍼(10)의 이면(10b)으로부터, 분할 예정 라인(14)의 내부에 레이저 광선(LB)의 집광점을 위치시켜 조사하고, 상기 척 테이블과 함께 웨이퍼(10)를 X축 방향으로 가공 이송하여 웨이퍼(10)의 제1 방향으로 신장되는 소정의 분할 예정 라인(14)을 따라 개질층(100)을 형성한다. 소정의 분할 예정 라인(14)을 따라 개질층(100)을 형성하였다면, 웨이퍼(10)를 Y축 방향으로 분할 예정 라인(14)의 간격만큼 인덱싱 이송하여, Y축 방향에서 인접하는 제1 방향으로 신장되는 미가공의 분할 예정 라인(14)을 집광기(22)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 상기한 것과 동일하게 하여 레이저 광선(LB)의 집광점을 웨이퍼(10)의 분할 예정 라인(14)의 내부에 위치시켜 조사하고, 웨이퍼(10)를 X축 방향으로 가공 이송하여 개질층(100)을 형성하며, 이들을 반복함으로써, 제1 방향으로 신장되는 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 개질층(100)을 형성한다. 또한, 개질층(100)은, 분할 예정 라인(14)의 내부에 형성되는 것이며, 실제로는 외부에서 육안으로 확인할 수는 없지만, 도 2 이후의 설명에서는, 설명의 형편상, 파선으로 나타내고 있다.
계속해서, 웨이퍼(10)를 90도 회전시켜, 이미 개질층(100)을 형성한 제1 방향의 분할 예정 라인(14)에 직교하는 제2 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(14)을 X축 방향에 정합시킨다. 그리고, 제2 방향으로 신장되는 각 분할 예정 라인(14)의 내부에 대해서도, 상기한 것과 동일하게 하여 레이저 광선(LB)의 집광점을 위치시켜 조사하여, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)의 표면(10a)에 형성된 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 개질층(100)을 형성한다. 이상과 같이 레이저 가공을 실시하였다면, 계속해서, 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩으로 분할한 후의 픽업 공정에 대비하기 위해, 본 실시형태의 웨이퍼의 트랜스퍼 방법을 실시한다. 또한, 본 발명의 웨이퍼의 트랜스퍼 방법이 적용되는 데 적합한 웨이퍼(10)에 대한 가공은, 상기한 레이저 가공에 한정되지 않고, 예컨대, 도 3에 도시된 다이싱 장치(30)를 사용하여 실시되는 절삭 가공이어도 좋다. 상기 절삭 가공에 대해서, 도 3을 참조하면서 설명한다.
도 1에 기초하여 설명한 제1 프레임(F1)에 제1 테이프(T1)를 통해 유지된 웨이퍼(10)를, 도 3에 도시된 다이싱 장치(30)(일부만을 도시하고 있음)로 반송한다.
절삭 장치(30)는, 웨이퍼(10)를 흡인 유지하는 척 테이블(도시는 생략함)과, 상기 척 테이블에 흡인 유지된 웨이퍼(10)를 절삭하는 절삭 유닛(31)을 구비한다. 상기 척 테이블은, 자유자재로 회전할 수 있도록 구성되고, 도면 중 화살표 X로 나타낸 방향으로 척 테이블을 가공 이송하는 이동 기구(도시는 생략함)를 구비하고 있다. 또한, 절삭 유닛(31)은, 도면 중 화살표 Y로 나타낸 Y축 방향으로 배치된 스핀들 하우징(32)에 자유자재로 회전할 수 있도록 유지된 스핀들(33)과, 스핀들(33)의 선단에 유지된 환형의 절삭 블레이드(34)와, 절삭부에 절삭수를 공급하는 절삭수 노즐(35)과, 절삭 블레이드(34)를 덮는 블레이드 커버(36)를 구비하고, 절삭 블레이드(34)를 Y축 방향에서 인덱싱 이송하는 Y축 이동 기구(도시는 생략함)를 구비하고 있다. 스핀들(33)의 선단부에 유지된 절삭 블레이드(34)는, 도시를 생략한 스핀들 모터에 의해 화살표 R1로 나타낸 방향으로 회전 구동된다.
상기한 절삭 블레이드(34)에 의해 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정을 실시함에 있어서, 우선, 웨이퍼(10)의 이면(10b)을 위쪽으로 향해 절삭 장치(30)의 척 테이블에 배치하여 흡인 유지하고, 상기한 얼라인먼트 공정과 동일한 얼라인먼트를 실시함으로써 웨이퍼(10)의 제1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(14)을 X축 방향에 정합시킨다. 계속해서, X축 방향에 정합시킨 분할 예정 라인(14)에 고속 회전시킨 절삭 블레이드(34)를 이면(10b)측으로부터 절입시키고, 척 테이블을 X축 방향으로 가공 이송하여, 분할 예정 라인(14)을 따라 웨이퍼(10)를 파단하는 분할홈(110)을 형성한다. 또한, 상기 분할홈(110)을 형성한 분할 예정 라인(14)에 Y축 방향에서 인접하고, 분할홈(110)이 형성되어 있지 않은 분할 예정 라인(14) 상에 절삭 블레이드(34)를 인덱싱 이송하여, 상기와 동일한 분할홈(110)을 형성한다. 이들을 반복함으로써, 제1 방향으로 신장되는 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 분할홈(110)을 형성한다.
계속해서, 웨이퍼(10)를 90도 회전시켜, 먼저 분할홈(110)을 형성한 방향과 직교하는 제2 방향으로 신장되는 분할 예정 라인을 X축 방향에 정합시키고, 상기한 절삭 가공을, 제2 방향으로 신장되는 모든 분할 예정 라인(14)에 대하여 실시하여, 웨이퍼(10)에 형성된 모든 분할 예정 라인(14)을 따라 분할홈(110)을 형성한다. 이와 같이 절삭 가공을 실시하여 분할 예정 라인(14)을 따라 웨이퍼(10)를 디바이스(12)마다의 디바이스 칩으로 분할한 후, 이하에 설명하는 웨이퍼의 트랜스퍼 방법을 실시한다. 또한, 이하에 설명하는 웨이퍼의 트랜스퍼 방법의 실시형태에서는, 웨이퍼(10)에 대하여, 상기한 레이저 가공을 실시한 것으로서 설명한다.
상기한 레이저 가공이 행해진 웨이퍼(10)는, 상기한 바와 같이, 웨이퍼(10)를 수용하는 개구부(F1a)를 구비한 제1 프레임(F1)의 개구부(F1a)에 위치되고, 제1 테이프(T1)에 제1 프레임(F1)과 함께 웨이퍼(10)의 한쪽 면[표면(10a)]이 압착된 것이다. 이것에 대하여, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 프레임(F1)의 개구부(F1a)의 내경보다 작은 외경을 갖는 제2 프레임(F2)에 제2 테이프(T2)가 압착된 프레임 세트를 준비한다. 또한, 상기 제2 프레임(F2)은, 상기한 웨이퍼(10)를 수용 가능한 개구부(F2a)를 구비하고 있다.
상기한 프레임 세트를 준비하였다면, 제2 테이프(T2)가 압착된 제2 프레임(F2)의 이면측을 위쪽으로, 점착층이 형성된 표면측을 아래쪽으로 향해, 도 4의 하단에 도시된 바와 같이, 제2 프레임(F2)을, 제1 프레임(F1)과 웨이퍼(10) 사이에 있는 제1 테이프(T1)의 영역에 위치시켜 배치하고, 웨이퍼(10)의 다른 쪽 면, 즉 이면(10b)에 대하여, 제2 테이프(T2)를 압착한다(제2 테이프 압착 공정). 제2 테이프 압착 공정을 실시할 때에는, 도시를 생략한 압착 롤러를 사용하여도 좋다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 프레임(F2)의 외주와, 제1 프레임(F1)의 개구부(F1a) 사이에는 스페이스(S)가 형성된다.
상기한 바와 같이, 제2 테이프 압착 공정을 실시하였다면, 도 5에 도시된 블레이드 커터(40)를 준비한다. 상기 블레이드 커터(40)는, 회전 모터(42)에 의해 회전 구동되는 절삭 블레이드(44)를 구비하고, 상기 절삭 블레이드(44)는, 화살표 R2로 나타낸 방향으로 회전된다. 상기 블레이드 커터(40)를 준비하였다면, 제1 프레임(F1)을 화살표 R3로 나타낸 방향으로 회전시키면서, 절삭 블레이드(44)를, 제1 프레임(F1)의 개구부(F1a)와 제2 프레임(F2)의 외주 사이의 스페이스(S)에 위치시켜 절삭하여 환형의 절삭 라인(120)을 형성하고, 제2 프레임(F2)의 외주를 따라 제1 테이프(T1)를 절단한다(제1 테이프 절단 공정). 또한, 제2 프레임(F2)의 외주를 따라 제1 테이프(T1)를 절단하는 방법은 이것에 한정되지 않고, 다른 방법에 의해 절단할 수도 있다.
상기한 바와 같이, 제1 테이프 절단 공정에 의해 제1 테이프(T1)를 절단하였다면, 도 5의 하단에 도시된 바와 같이, 제1 프레임(F1)과 제1 테이프(T1)의 외주 부분을 제거하고, 제2 프레임(F2)을 뒤집어 웨이퍼(10)에 압착된 중앙 영역이 남아 있는 제1 테이프(T1)를 위쪽으로 향하게 한다. 그리고, 상기 제1 테이프(T1)에 외적 자극을 부여하여 압착력을 저하시키는 압착력 저하 공정을 실시하기 위해, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 테이프(T1)의 위쪽에 자외선 조사 수단(50)을 위치시키고, 상기 자외선 조사 수단(50)으로부터 제1 테이프(T1)에 대하여 자외선(L)을 조사한다. 이 자외선(L)이 외적 자극이 되어, 웨이퍼(10)가 압착된 제1 테이프(T1)의 압착력이 저하된다(압착력 저하 공정).
상기한 압착력 저하 공정을 실시하였다면, 도 7의 상단에 도시된 바와 같이, 제2 테이프(T2)에 압착된 웨이퍼(10)의 표면(10a)으로부터 압착력이 저하된 제1 테이프(T1)를 박리한다(박리 공정). 상기 박리 공정을 실시할 때에는, 도면에 도시된 바와 같이, 제1 테이프(T1)의 외주에, 박리용 테이프(T3)를 붙여, 상기 테이프(T3)를 수평 방향으로 당김으로써 박리하고, 도 7의 하단에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)의 표면(10a)으로부터 제1 테이프(T1)가 제거되어 본 실시형태의 웨이퍼의 트랜스퍼 방법이 완료된다. 또한, 상기한 실시형태에서는, 외적 자극의 부여로서 실시한 자외선(L)의 조사를, 위쪽에서 행한 예(도 6)를 나타내었으나, 제1 테이프(T1)를 아래쪽으로 향하게 한 상태에서, 하방측으로부터 외적 자극을 부여하여 압착력을 저하시키고, 제1 테이프(T1)를 아래로 향하게 한 상태에서 제거하면, 제1 테이프(T1)가 제2 테이프(T2)에 부착되지 않아 바람직하다. 이상에 따라, 웨이퍼(10)에 흠집을 내지 않고, 웨이퍼(10)를 제1 테이프(T1)로부터 제2 테이프(T2)로 트랜스퍼할 수 있으며, 웨이퍼(10)의 한쪽 면, 즉 표면(10a)을 노출시켜, 그 후의 픽업 공정에 적합한 상태로 할 수 있다.
상기한 바와 같이, 웨이퍼(10)를 제1 테이프(T1)로부터 제2 테이프(T2)로 트랜스퍼하여, 웨이퍼(10)의 한쪽 면, 즉 표면(10a)를 노출시킨 상태로 하였다면, 웨이퍼(10)에 대하여 외력을 부가함으로써, 개질층(100)을 분할 기점으로 하여 웨이퍼(10)를 개개의 디바이스 칩으로 분할하고, 그 후, 픽업 공정을 실시할 수 있게 된다.
또한, 상기한 실시형태에서는, 압착력 저하 공정을, 제1 테이프 절단 공정을 실시한 후에 실시하였으나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 압착력 저하 공정을, 제2 테이프 압착 공정을 실시하기 전에 실시하도록 하여도 좋다.
또한, 상기한 실시형태에서는, 압착력 저하 공정에 있어서의 외적 자극을 자외선의 조사에 의해 부여하였으나, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 예컨대 가열, 또는 냉각에 의해 외적 자극을 부여하여, 제1 테이프(T1)의 압착력을 저하시키는 것이어도 좋다. 상기 외적 자극의 선택은, 제1 테이프(T1)의 재질에 따라 적절하게결정된다.
또한, 상기한 실시형태에서는, 제1 테이프(T1)의 표면 및 제2 테이프(T2)의 표면에 점착층이 형성되어 있는 것으로서 설명하였으나, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 점착층을 갖지 않는 제1 테이프(T1), 제2 테이프(T2)로서, 가열함으로써 점착력을 발휘하는 폴리올레핀계, 폴리에스테르계의 열압착 테이프를 이용하여도 좋다.
10 : 웨이퍼 10a : 표면(한쪽 면)
10b : 이면(다른 쪽 면) 12 : 디바이스
14 : 분할 예정 라인 20 : 레이저 가공 장치
22 : 집광기 30 : 다이싱 장치
31 : 절삭 유닛 32 : 스핀들 하우징
33 : 스핀들 34 : 절삭 블레이드
35 : 절삭수 노즐 36 : 블레이드 커버
40 : 블레이드 커터 42 : 회전 모터
44 : 절삭 블레이드 50 : 자외선 조사 수단
100 : 개질층 110 : 분할홈
120 : 절삭 라인 F1 : 제1 프레임
F2 : 제2 프레임 T1 : 제1 테이프
T2 : 제2 테이프 T3 : 테이프

Claims (3)

  1. 웨이퍼를 수용하는 개구부를 구비한 제1 프레임의 상기 개구부에 웨이퍼가 위치되고, 제1 테이프에 상기 제1 프레임과 함께 한쪽 면이 압착(壓着)된 상기 웨이퍼를, 제2 프레임에 압착된 제2 테이프로 트랜스퍼하는 웨이퍼의 트랜스퍼 방법으로서,
    상기 제1 프레임의 상기 개구부의 내경보다 작은 외경을 가진 상기 제2 프레임에 압착된 상기 제2 테이프를 상기 웨이퍼의 다른 쪽 면에 압착하는 제2 테이프 압착 공정과,
    상기 제2 프레임의 외주를 따라 상기 제1 테이프를 절단하는 제1 테이프 절단 공정과,
    상기 제1 테이프에 외적 자극을 부여하여 상기 웨이퍼의 상기 한쪽 면에 압착된 압착력을 저하시키는 압착력 저하 공정과,
    상기 제2 테이프에 압착된 상기 웨이퍼의 상기 한쪽 면으로부터 상기 제1 테이프를 박리하는 박리 공정
    을 포함하는 웨이퍼의 트랜스퍼 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 압착력 저하 공정은, 상기 제2 테이프 압착 공정 전에 실시하는 것인 웨이퍼의 트랜스퍼 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 테이프는, 자외선 경화형 테이프이며, 상기 압착력 저하는 상기 제1 테이프에 자외선을 조사하여 실시되는 것인 웨이퍼의 트랜스퍼 방법.
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