DE102022208977A1 - Wafer-übertragungsverfahren - Google Patents

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DE102022208977A1
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Yoshinori KAKINUMA
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Abstract

Vorgesehen ist ein Wafer-Übertragungsverfahren zum Übertragen eines Wafers, der in einer Öffnung eines ersten Rahmens positioniert ist, der die Öffnung zum Unterbringen des Wafers aufweist und an einer Oberfläche davon mit einem ersten Band zusammen mit dem ersten Rahmen druckverbunden ist, auf ein zweites Band, das mit einem zweiten Rahmen druckverbunden ist. Das Verfahren weist einen Druckverbindungsschritt des zweiten Bandes, bei dem das mit dem zweiten Rahmen druckverbundene zweite Band, der einen Außendurchmesser aufweist, der kleiner als ein Innendurchmesser der Öffnung des ersten Rahmens ist, mit einer anderen Oberfläche des Wafers druckverbunden wird, einen Schneidschritts des ersten Bandes, bei dem das erste Band entlang eines Außenumfangs des zweiten Rahmens geschnitten wird, einen Druckverbindungskraft-Absenkschritt, bei dem ein externer Stimulus auf das erste Band ausgeübt wird, um eine Druckverbindungskraft zu verringern, mit der das erste Band mit der einen Oberfläche des Wafers druckverbunden ist, und einen Abziehschritt zum Abziehen des ersten Bandes von der einen Oberfläche des Wafers, die mit dem zweiten Band druckverbunden ist, auf.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Wafer-Übertragungsverfahren zum Übertragen eines Wafers, der eine Oberfläche aufweist, die mit einem ersten Band zusammen mit einem ersten Rahmen druckverbunden ist, auf ein zweites Band, das mit einem zweiten Rahmen druckverbunden ist.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Ein Wafer, an dessen vorderer Oberfläche mehrere Bauelemente wie integrierten Schaltungen (ICs) und Large-Scale-Integration (LSI)-Schaltungen in dem Zustand ausgebildet sind, in dem sie durch mehrere sich kreuzende vorgesehene Teilungslinien unterteilt sind, wird durch eine Teilungsvorrichtung in einzelne Bauelementchips geteilt, und die resultierenden Bauelementchips werden für elektrische Geräte wie Mobiltelefone und Personal Computer verwendet.
  • Zusätzlich wurde eine Technologie vorgeschlagen, bei der ein Band an einer vorderen Oberfläche eines Wafers angebracht wird, um den Wafer an einem Einspanntisch zu halten, ein Laserstrahl mit einer solchen Wellenlänge, dass er durch den Wafer transmittiert wird, von einer hinteren Oberfläche des Wafers auf den Wafer aufgebracht wird, wobei ein Fokuspunkt des Laserstrahls im Inneren des Wafers entlang vorgesehener Teilungslinien positioniert wird, um modifizierte Schichten im Inneren des Wafers auszubilden, und eine äußere Kraft auf den Wafer ausgeübt wird, um den Wafer in einzelne Bauelementchips mit den modifizierten Schichten als Teilungsausgangspunkte zu teilen (siehe beispielsweise das japanische Patent Nr . 3408805 ).
  • Indessen muss der Wafer, wenn die einzelnen Bauelementchips von dem Band aufgenommen werden sollen, in einen Zustand gebracht werden, in dem ein Band an der hinteren Oberfläche des Wafers angebracht ist und die vordere Oberfläche des Wafers freiliegt, und in Anbetracht dessen ist eine Technologie eines Übertragens des Wafers von einem Band auf ein anderes Band und eines Freilegens der vorderen Oberfläche des Wafers vorgeschlagen worden (siehe beispielsweise das japanische Patent Nr. 6695173 ).
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Bei der Umsetzung der im japanischen Patent Nr. 6695173 offenbarten Technologie muss das am Wafer angebrachte Band entlang eines Außendurchmessers des Wafers geschnitten werden, und in einigen Fällen könnte der Wafer beschädigt werden.
  • Dementsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Wafer-Übertragungsverfahren bereitzustellen, das in der Lage ist, einen Wafer von einem Band auf ein anderes Band zu übertragen, ohne den Wafer zu beschädigen.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Wafer-Übertragungsverfahren zum Übertragen eines Wafers, der in einer Öffnung eines ersten Rahmens positioniert ist, der die Öffnung zum Unterbringen des Wafers aufweist, und an einer Oberfläche davon zusammen mit dem ersten Rahmen mit einem ersten Band druckverbunden ist, auf ein mit einem zweiten Rahmen druckverbundenes zweites Band bereitgestellt. Das Wafer-Übertragungsverfahren umfasst: einen Druckverbindungsschritt des zweiten Bandes eines Druckverbindens des mit dem zweiten Rahmen, der einen Außendurchmesser aufweist, der kleiner ist als ein Innendurchmesser der Öffnung des ersten Rahmens, druckverbundenen zweiten Bandes mit einer anderen Oberfläche des Wafers, einen Schneidschritts des ersten Bandes eines Schneidens des ersten Bandes entlang eines Außenumfangs des zweiten Rahmens, einen Druckverbindungskraft-Absenkschritt eines Aufbringens eines externen Stimulus auf das erste Band, um eine Druckverbindungskraft zu verringern, mit der das erste Band mit der einen Oberfläche des Wafers druckverbunden ist, und einen Abziehschritt eines Abziehens des ersten Bandes von der einen Oberfläche des mit dem zweiten Band druckverbunden Wafers.
  • Bevorzugt wird der Druckverbindungskraft-Absenkschritt vor dem Druckverbindungsschritt des zweiten Bandes ausgeführt. Bevorzugt ist das erste Band ein Band vom ultraviolett-härtenden Typ ist und das Absenken der Druckverbindungskraft durch ein Aufbringen von Ultraviolettstrahlen auf das erste Band ausgeführt.
  • Gemäß dem Wafer-Übertragungsverfahren der vorliegenden Erfindung kann ein Wafer von einem ersten Band auf ein zweites Band übertragen werden, ohne dass beschädigt zu werden.
  • Die obigen und andere Gegenstände, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung, sowie die Weise ihrer Umsetzung werden am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Perspektivansicht, die eine Art und Weise darstellt, auf die ein Wafer als ein Werkstück in einer Ausführungsform, ein erster Rahmen und ein erstes Band verbunden werden;
    • 2A ist eine Perspektivansicht, die eine Art und Weise eines Ausführens einer Laserbearbeitung zum Ausbilden modifizierter Schichten innerhalb des Wafers entlang vorgesehener Teilungslinien darstellt;
    • 2B ist eine Perspektivansicht, die einen Zustand darstellt, in dem modifizierte Schichten in dem Wafer ausgebildet sind;
    • 3 ist eine Perspektivansicht, die eine Art eines Ausführens einer Schneidbearbeitung darstellt;
    • 4 ist eine Perspektivansicht, die eine Art und Weise eines Ausführens eines Druckverbindungsschritts des ersten Bandes darstellt;
    • 5 ist eine Perspektivansicht, die die Art und Weise eines Ausführens eines Schneidschritts des ersten Bandes zeigt;
    • 6 ist eine Perspektivansicht, in die eine Art und Weise eines Ausführens eines Druckverbindungskraft-Absenkschritts darstellt; und
    • 7 ist eine Perspektivansicht, die eine Art und Weise eines Ausführens eines Abziehschritts zeigt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Ein Wafer-Übertragungsverfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen detailliert beschrieben. Das Wafer-Übertragungsverfahren gemäß der nachstehend beschriebenen Ausführungsform wird beispielsweise durchgeführt, nachdem ein Band an einer vorderen Oberfläche eines Wafers angebracht wurde, der Wafer am Einspanntisch gehalten wird und ein Laserstrahl mit einer solchen Wellenlänge, dass er durch den Wafer transmittiert wird, von einer hinteren Oberfläche des Wafers auf den Wafer aufgebracht wird, wobei ein Fokuspunkt des Laserstrahls innerhalb des Wafers entlang vorgesehener Teilungslinien positioniert wird, um dadurch modifizierte Schichten auszubilden. Dann wird das Wafer-Übertragungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung ausgeführt, und die vordere Oberfläche des Wafers liegt nach oben hin frei. Danach wird eine äußere Kraft auf den Wafer ausgeübt, um den Wafer in einzelne Bauelementchips zu teilen, woraufhin ein Aufnahmeschritt ausgeführt wird.
  • 1 stellt einen Halbleiterwafer 10 als ein Werkstück in der vorliegenden Ausführungsform dar. An der vorderen Oberfläche 10a des Wafers 10 sind mehrere Bauelemente 12 in dem Zustand ausgebildet, in dem sie durch mehrere sich kreuzende vorgesehene Teilungslinien 14 unterteilt sind.
  • Neben dem oben beschriebenen Wafer 10 werden, wie in 1 dargestellt, ein ringförmiger erster Rahmen F1, der eine Öffnung F1a aufweist, die in der Lage ist, den Wafer 10 aufzunehmen, und ein erstes Band T1 mit einer Haftmittelschicht an einer vorderen Oberfläche davon vorbereitet. Der Wafer 10 ist in einer Mitte der Öffnung F1a so positioniert, dass eine Fläche, oder die vordere Oberfläche 10a, des Wafers 10 nach unten gerichtet ist und eine andere Fläche, oder eine hintere Oberfläche 10b, des Wafers 10 nach oben gerichtet ist. Die vordere Oberfläche 10a des Wafers 10 wird zusammen mit dem ersten Rahmen F1 mit dem ersten Band T1 druckverbunden, so dass der Wafer 10 von dem ersten Rahmen F1 durch das erste Band T1 gehalten wird, wie in einem unteren Teil von 1 dargestellt.
  • Nachdem der Wafer 10 wie oben beschrieben durch den ersten Rahmen F1 gehalten wird, wird der Wafer 10 zu einer Laserbearbeitungsvorrichtung 20 befördert, die in 2A dargestellt ist (nur ein Teil davon ist dargestellt). Die Laserbearbeitungsvorrichtung 20 weist einen nicht dargestellten Einspanntisch und einen Lichtkonzentrator 22 einer Laseraufbringeinheit zum Aufbringen eines Laserstrahls LB mit einer solchen Wellenlänge, dass er durch den Wafer 10 transmittiert wird, auf. Der Einspanntisch weist einen X-Achsen-Zuführmechanismus zum Bearbeitungszuführen des Einspanntisches und des Lichtkonzentrators 22 relativ zueinander in einer X-Achsen-Richtung, einen Y-Achsen-Zuführmechanismus zum Bearbeitungszuführen des Einspanntisches und des Lichtkonzentrators 22 relativ zueinander in einer Y-Achsen-Richtung orthogonal zur X-Achsen-Richtung und einen Drehantriebsmechanismus zum Drehen des Einspanntisches auf (die Darstellung dieser Mechanismen entfällt).
  • Der zur Laserbearbeitungsvorrichtung 20 beförderte Wafer 10 wird am Einspanntisch derart unter Ansaugung gehalten, dass die hintere Oberfläche 10b des Wafers 10 nach oben gerichtet ist. Der am Einspanntisch gehaltene Wafer 10 wird einem Ausrichtungsschritt unter Verwendung eines Ausrichtmittels (in der Abbildung weggelassen) unterzogen, das ein Infrarot-Abbildungselement aufweist, das in der Lage ist, reflektiertes Licht von Infrarotstrahlen abzubilden, die auf den Wafer 10 aufgebracht und von der hinteren Oberfläche 10b des Wafers 10 transmittiert werden, so dass die Position einer Vorgegebenen der an der vorderen Oberfläche 10a ausgebildeten vorgesehenen Teilungslinien 14 detektiert wird, und der Wafer 10 wird durch den Drehantriebsmechanismus gedreht, um die sich in einer ersten Richtung erstreckenden vorgesehenen Teilungslinien 14 in einer ersten Richtung mit der X-Achsen-Richtung auszurichten. Informationen über die detektierte Position der vorgesehenen Teilungslinie 14 werden in einem nicht dargestellten Steuerungsmittel gespeichert.
  • Basierend auf den Positionsinformationen bezüglich der durch den Ausrichtungsschritt detektierten vorgesehenen Teilungslinie 14 wird der Lichtkonzentrator 22 der Laseraufbringeinheit an einer Bearbeitungsstartposition der vorgesehenen Teilungslinie 14, die sich in der ersten Richtung erstreckt, positioniert, und der Laserstrahl LB wird von der hinteren Oberfläche 10b des Wafers 10 aufgebracht, wobei ein Fokuspunkt des Laserstrahls LB innerhalb des Wafers 10 an einer Position positioniert ist, die der vorgesehenen Teilungslinie 14 entspricht, während gleichzeitig der Wafer 10 in der X-Achsen-Richtung zusammen mit dem Einspanntisch bearbeitungszugeführt wird, so dass eine modifizierte Schicht 100 entlang der vorgegebenen vorgesehenen Teilungslinie 14 ausgebildet wird, die sich in der ersten Richtung des Wafers 100 erstreckt. Nachdem die modifizierte Schicht 100 entlang der vorgegebenen vorgesehenen Teilungslinie 14 ausgebildet ist, wird der Wafer 10 in der Y-Achsen-Richtung um einen Abstand der vorgesehenen Teilungslinien 14 indexzugeführt, um dadurch eine unbearbeitete vorgesehene Teilungslinie 14 direkt unter dem Lichtkonzentrator 22 zu positionieren, die sich in der ersten Richtung erstreckt und in der Y-Achsen-Richtung neben der vorgegebenen vorgesehenen Teilungslinie 14 angeordnet ist. Dann wird, ähnlich wie auf die oben beschriebene Weise, der Laserstrahl LB auf den Wafer 10 aufgebracht, wobei der Fokuspunkt des Laserstrahls LB innerhalb des Wafers 10 an einer Position positioniert wird, die der vorgesehenen Teilungslinie 14 entspricht, während gleichzeitig der Wafer 10 in der X-Achsen-Richtung bearbeitungszugeführt wird, um eine modifizierte Schicht 100 auszubilden. Durch ein Wiederholen dieser Vorgänge werden die modifizierten Schichten 100 entlang aller vorgesehenen Teilungslinien 14 ausgebildet, die sich in der ersten Richtung erstrecken. Beachte, dass die modifizierten Schichten 100 innerhalb des Wafers 10 entlang der vorgesehenen Teilungslinien 14 ausgebildet werden und in der Praxis visuell nicht erkennbar sind, aber in der Beschreibung unter Bezugnahme auf die 2A und 2B und die nachfolgenden Zeichnungen sind die modifizierten Schichten 100 der Einfachheit halber durch gestrichelte Linien gekennzeichnet.
  • Als nächstes wird der Wafer 10 um 90 Grad gedreht, und die vorgesehenen Teilungslinien 14, die sich in einer zweiten Richtung erstrecken und orthogonal zu den vorgesehenen Teilungslinien 14 sind, die sich in der ersten Richtung erstrecken, für welche die modifizierten Schichten 100 bereits ausgebildet wurden, werden in der X-Achsen-Richtung ausgerichtet. Dann wird der Laserstrahl LB mit dem innerhalb des Wafers 10 positionierten Fokuspunkt entlang jeder der vorgesehenen Teilungslinien 14, die sich in der zweiten Richtung erstrecken, in ähnlicher Weise wie oben beschrieben aufgebracht. Die modifizierten Schichten 100 werden somit entlang aller vorgesehenen Teilungslinien 14 ausgebildet, die an der vorderen Oberfläche 10a des Wafers 10 ausgebildet sind, wie in 2B dargestellt. Nachdem die Laserbearbeitung auf diese Weise ausgeführt wurde, wird danach zum Vorbereiten eines Aufnahmeschrittes nach der Teilung des Wafers 10 in einzelne Bauelementchips das Wafer-Übertragungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform durchgeführt. Beachte, dass die für die Anwendung des Wafer-Übertragungsverfahrens der vorliegenden Erfindung geeignete Bearbeitung des Wafers 10 nicht auf die oben beschriebene Laserbearbeitung beschränkt ist und beispielsweise eine Schneidbearbeitung sein könnte, die unter Verwendung einer in 3 dargestellten Teilungsvorrichtung 30 ausgeführt wird. Die Schneidbearbeitung wird nun unter Bezugnahme auf 3 beschrieben.
  • Der von dem ersten Rahmen F1 durch das erste Band T1 gehaltene Wafer 10 wird, wie anhand von 1 beschrieben, zu der in 3 dargestellten Teilungsvorrichtung 30 befördert (nur ein Teil davon ist dargestellt).
  • Die Teilungsvorrichtung 30 weist einen Einspanntisch (in der Abbildung nicht dargestellt), der den Wafer 10 unter Ansaugung hält, und eine Schneideinheit 31 auf, die den unter Ansaugung am Einspanntisch gehaltenen Wafer 10 schneidet. Der Einspanntisch ist so ausgestaltet, dass er drehbar ist, und weist einen Bewegungsmechanismus (in der Abbildung nicht dargestellt) auf, der den Einspanntisch in einer Richtung bearbeitungszuführt, die in der Figur durch einen Pfeil X angegeben ist. Zusätzlich weist die Schneideinheit 31 eine Spindel 33, die drehbar von einem Spindelgehäuse 32 gehalten wird, das in der Y-Achsen-Richtung angeordnet ist, die in der Figur durch einen Pfeil Y angezeigt wird, eine ringförmige Schneidklinge 34, die an einer Spitze der Spindel 33 gehalten wird, eine Schneidwasserdüse 35, die Schneidwasser zu einem Schneidbereich zuführt, eine Klingenabdeckung 36, welche die Schneidklinge 34 abdeckt, und einen Y-Achsen-Bewegungsmechanismus (in der Abbildung weggelassen) auf, der die Schneidklinge 34 in der Y-Achsen-Richtung indexzuführt zuführt. Die an der Spitze der Spindel 33 gehaltene Schneidklinge 34 wird von einem Spindelmotor, der in der Abbildung nicht dargestellt ist, angetrieben, um sich in einer durch einen Pfeil R1 angegebenen Richtung zu drehen.
  • Wenn ein Teilungsschritt eines Teilens des Wafers 10 in einzelne Bauelementchips unter Verwendung der oben beschriebenen Schneidklinge 34 durchgeführt werden soll, wird der Wafer 10 zunächst so an dem Einspanntisch der Teilungsvorrichtung 30 platziert und unter Ansaugung gehalten, dass die hintere Oberfläche 10b des Wafers 10 nach oben gerichtet ist, und eine Ausrichtung ähnlich dem oben beschriebenen Ausrichtungsschritt wird durchgeführt, um die vorgesehenen Teilungslinien 14, die sich in der ersten Richtung des Wafers 10 erstrecken, mit der X-Achsen-Richtung auszurichten. Als nächstes wird die sich mit hoher Geschwindigkeit drehende Schneidklinge 34 dazu gebracht, von der Seite der hinteren Oberfläche 10b entlang einer der vorgesehenen Teilungslinien 14, die mit der X-Achsen-Richtung ausgerichtet sind, in den Wafer 10 zu schneiden, während gleichzeitig der Einspanntisch in der X-Achsen-Richtung bearbeitungszugeführt wird, um dadurch eine Teilungsnut 110 zum Brechen des Wafers 10 entlang der vorgesehenen Teilungslinie 14 auszubilden. Ferner wird die Schneidklinge 34 auf eine unbearbeitete vorgesehene Teilungslinie 14 indexzugeführt, die in der Y-Achsen-Richtung benachbart zu der mit der Teilungsnut 110 ausgebildeten vorgesehenen Teilungslinie 14 angeordnet ist und die noch nicht mit einer Teilungsnut 110 ausgebildet ist, um eine Teilungsnut 110 ähnlich der oben beschriebenen auszubilden. Durch ein Wiederholen dieser Vorgänge werden die Teilungsnuten 110 entlang aller vorgesehenen Teilungslinien 14 ausgebildet, die sich in der ersten Richtung erstrecken.
  • Der Wafer 10 wird dann um 90 Grad gedreht, um die vorgesehenen Teilungslinien 14, die sich in der zweiten Richtung orthogonal zur ersten Richtung, in der die Teilungsnuten 110 bereits ausgebildet wurden, erstrecken, mit der X-Achsen-Richtung auszurichten, und die oben beschriebene Schneidbearbeitung wird für alle vorgesehenen Teilungslinien 14 ausgeführt, die sich in der zweiten Richtung erstrecken. Die Teilungsnuten 110 werden somit entlang aller am Wafer 10 ausgebildeten vorgesehenen Teilungslinien 14 ausgebildet. Nachdem die Schneidbearbeitung auf diese Weise ausgeführt und der Wafer 10 entlang der vorgesehenen Teilungslinien 14 in Bauelementchips geteilt wurde, an denen jeweils ein Bauelement 12 ausgebildet ist, wird das unten beschriebene Wafer-Übertragungsverfahren durchgeführt. Beachte, dass in der unten beschriebenen Ausführungsform des Wafer-Übertragungsverfahrens eine Beschreibung unter der Annahme erfolgen wird, dass die oben beschriebene Laserbearbeitung am Wafer 10 ausgeführt wurde.
  • Der Wafer 10, welcher der oben beschriebenen Laserbearbeitung unterzogen wurde, wird erhalten, indem der Wafer 10 in der Öffnung F1a des ersten Rahmens F1 positioniert wird, der die Öffnung F1a zum Unterbringen des Wafers 10 aufweist, und eine Oberfläche (die vordere Oberfläche 10a) des Wafers 10 zusammen mit dem ersten Rahmen F1 mit dem ersten Band T1 wie oben beschrieben druckverbunden wird. Indessen wird, wie in 4 dargestellt, ein Rahmensatz vorbereitet, bei dem ein zweites Band T2 mit einem zweiten Rahmen F2 druckverbunden ist, der einen Außendurchmesser hat, der kleiner ist als ein Innendurchmesser der Öffnung F1a des ersten Rahmens F1. Beachte, dass der zweite Rahmen F2 eine Öffnung F2a aufweist, die in der Lage ist, den Wafer 10 unterzubringen.
  • Nachdem der oben beschriebene Rahmensatz vorbereitet ist, wird der zweite Rahmen F2 in einem Bereich des ersten Bandes T1, der sich zwischen dem ersten Rahmen F1 und dem Wafer 10 befindet, so positioniert und daran platziert, dass eine hintere Oberfläche des zweiten Rahmens F2, mit der das zweite Band T2 druckverbunden ist, nach oben gerichtet ist und eine vordere Oberfläche des zweiten Rahmens F2, die mit einer Haftmittelschicht ausgebildet ist, nach unten gerichtet ist, wie in einem unteren Teil von 4 dargestellt ist, und das zweite Band T2 wird mit der anderen Oberfläche oder der hinteren Oberfläche 10b des Wafers 10 druckverbunden (Druckverbindungsschritt des zweiten Bandes). Um den Druckverbindungsschritt des zweiten Bandes auszuführen, könnte eine nicht dargestellte Druckverbindungs-Walze verwendet werden. Wie in 4 dargestellt, wird ein Raum S zwischen einem Außenumfang des zweiten Rahmens F2 und der Öffnung F1a des ersten Rahmens F1 definiert.
  • Nachdem der Druckverbindungsschritt des zweiten Bandes auf diese Weise ausgeführt wurde, wird eine in 5 dargestellte Klingenschneideinrichtung 40 vorbereitet. Die Klingenschneideinrichtung 40 weist eine Schneidklinge 44 auf, die von einem Drehmotor 42 angetrieben wird um sich zu drehen, und die Schneidklinge 44 wird in einer durch einen Pfeil R2 angegebenen Richtung gedreht. Wenn die Klingenschneideinrichtung 40 vorbereitet ist, wird, während der erste Rahmen F1 in einer durch einen Pfeil R3 angegebenen Richtung gedreht wird, die Schneidklinge 44 in dem Raum S positioniert, der zwischen der Öffnung F1a des ersten Rahmens F1 und dem Außenumfang des zweiten Rahmens F2 definiert ist, um ein Schneiden auszuführen, wodurch eine ringförmige Schneidlinie 120 ausgebildet wird. Somit wird das erste Band T1 entlang des Außenumfangs des zweiten Rahmens F2 geschnitten (Schneidschritts des ersten Bandes). Beachte, dass das Verfahren zum Schneiden des ersten Bandes T1 entlang des Außenumfangs des zweiten Rahmens F2 nicht darauf beschränkt ist und das Schneiden auch durch ein anderes Verfahren ausgeführt werden könnte.
  • Nachdem das erste Band T1 durch den Schneidschritts des ersten Bandes, wie oben beschrieben, geschnitten wurde, werden der erste Rahmen F1 und ein Umfangsteil des ersten Bandes T1 entfernt, und der zweite Rahmen F2 wird so umgedreht, dass das erste Band T1, dessen verbleibender zentraler Bereich mit dem Wafer 10 druckverbunden ist, nach oben gerichtet ist, wie in einem unteren Teil von 5 dargestellt. Dann wird, um einen Druckverbindungskraft-Absenkschritt auszuführen, bei dem eine Druckverbindungskraft des ersten Bandes T1 gesenkt wird, indem ein äußerer Stimulus auf das erste Band T1 ausgeübt wird, ein UV-Aufbringungsmittel 50 über dem ersten Band T1 positioniert, wie in 6 dargestellt, und UV-Strahlen L werden von dem UV-Aufbringungsmittel 50 auf das erste Band T1 aufgebracht. Die UV-Strahlen L dienen als ein externer Stimulus, und die Druckverbindungskraft des ersten Bandes T1, mit dem der Wafer 10 druckverbunden ist, wird gesenkt (Druckverbindungskraft-Absenkschritt) .
  • Nachdem der Druckverbindungskraft-Absenkschritt ausgeführt worden ist, wird das erste Band T1, dessen Druckverbindungskraft abgesenkt worden ist, von der vorderen Oberfläche 10a des Wafers 10, der mit dem zweiten Band T2 druckverbunden ist, abgezogen (Abziehschritt), wie in einem oberen Teil von 7 dargestellt ist. Bei einem Ausführen des Abziehschritts wird, wie in der Figur dargestellt, ein Abziehband T3 an einem Umfangsteil des ersten Bandes T1 angebracht, und das Band T3 wird in einer horizontalen Richtung gezogen, um dadurch ein Abziehen zu erreichen. Folglich wird, wie in einem unteren Teil von 7 dargestellt, das erste Band T1 von der vorderen Oberfläche 10a des Wafers 10 entfernt, so dass das Wafer-Übertragungsverfahren der vorliegenden Ausführungsform abgeschlossen ist. Beachte, dass, während in der obigen Ausführungsform ein Beispiel (6) beschrieben wird, bei dem das Aufbringen von UV-Strahlen L als ein Mittel zum Aufbringen eines äußeren Stimulus von einer oberen Seite aus ausgeführt wird, es bevorzugt ist, dass der äußere Stimulus von einer unteren Seite aus in einem Zustand aufgebracht wird, in dem das erste Band T1 nach unten gerichtet ist, um dadurch die Druckverbindungskraft zu verringern, und dass das erste Band T1 in dem Zustand, in dem es nach unten gerichtet ist, entfernt wird, weil das erste Band T1 nicht an dem zweiten Band T2 haften würde. Folglich kann der Wafer 10 vom ersten Band T1 auf das zweite Band T2 übertragen werden, ohne den Wafer 10 zu beschädigen, und eine Oberfläche oder die vordere Oberfläche 10a des Wafers 10 liegt nun frei, die für den danach folgenden Aufnahmeschritt geeignet ist.
  • Wie oben beschrieben, ist es möglich, nachdem der Wafer 10 von dem ersten Band T1 auf das zweite Band T2 übertragen wurde und die eine Oberfläche oder die vordere Oberfläche 10a des Wafers 10 freiliegt, den Wafer 10 durch ein Ausüben einer äußeren Kraft auf den Wafer 10 in einzelne Bauelementchips mit den modifizierten Schichten 100 als Teilungsausgangspunkte zu teilen und danach den Aufnahmeschritt auszuführen.
  • Beachte, dass, während der Druckverbindungskraft-Absenkschritt in der obigen Ausführungsform nach dem Schneidschritts des ersten Bandes ausgeführt wird, die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt ist. Beispielsweise könnte der Druckverbindungskraft-Absenkschritt durchgeführt werden, bevor der Druckverbindungsschritt des zweiten Bandes ausgeführt wird.
  • Zusätzlich ist, während der externe Stimulus in dem Druckverbindungskraft-Absenkschritt in der obigen Ausführungsform durch eine Aufbringung von UV-Strahlen durchgeführt wird, die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Beispielsweise könnte ein externer Stimulus durch ein Erwärmen oder ein Kühlen aufgebracht werden, um dadurch die Druckverbindungskraft des ersten Bandes T1 zu senken. Die Wahl des externen Stimulus wird gemäß dem Material des ersten Bandes T1 geeignet bestimmt.
  • Ferner ist, während die obige Ausführungsform unter der Annahme beschrieben wurde, dass eine Haftmittelschicht an der vorderen Oberfläche des ersten Bandes T1 und an einer vorderen Oberfläche des zweiten Bandes T2 ausgebildet ist, die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Als das erste Band T1 und das zweite Band T2, die keine Haftmittelschicht aufweisen, könnte ein Thermokompressions-Verbindungsband aus einem aus einem polyolefin- oder polyesterbaierten Material verwendet werden, das eine Haftkraft aufweist, wenn es erwärmt wird.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 3408805 [0003]
    • JP 6695173 [0004, 0005]

Claims (3)

  1. Wafer-Übertragungsverfahren zum Übertragen eines Wafers, der in einer Öffnung eines ersten Rahmens positioniert ist, der die Öffnung zum Unterbringen des Wafers aufweist, und an einer Oberfläche davon zusammen mit dem ersten Rahmen mit einem ersten Band druckverbunden ist, auf ein mit einem zweiten Rahmen druckverbundenes zweites Band, wobei das Wafer-Übertragungsverfahren umfasst: einen Druckverbindungsschritt des zweiten Bandes eines Druckverbindens des mit dem zweiten Rahmen, der einen Außendurchmesser aufweist, der kleiner ist als ein Innendurchmesser der Öffnung des ersten Rahmens, druckverbundenen zweiten Bandes mit einer anderen Oberfläche des Wafers; einen Schneidschritts des ersten Bandes eines Schneidens des ersten Bandes entlang eines Außenumfangs des zweiten Rahmens; einen Druckverbindungskraft-Absenkschritt eines Aufbringens eines externen Stimulus auf das erste Band, um eine Druckverbindungskraft zu verringern, mit der das erste Band mit der einen Oberfläche des Wafers druckverbunden ist; und einen Abziehschritt eines Abziehens des ersten Bandes von der einen Oberfläche des mit dem zweiten Band druckverbunden Wafers.
  2. Wafer-Übertragungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Druckverbindungskraft-Absenkschritt vor dem Druckverbindungsschritt des zweiten Bandes ausgeführt wird.
  3. Wafer-Übertragungsverfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei das erste Band ein Band vom ultraviolett-härtenden Typ ist und das Absenken der Druckverbindungskraft durch ein Aufbringen von Ultraviolettstrahlen auf das erste Band ausgeführt wird.
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