CN117305763A - 掩模的形成方法 - Google Patents

掩模的形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117305763A
CN117305763A CN202310749442.5A CN202310749442A CN117305763A CN 117305763 A CN117305763 A CN 117305763A CN 202310749442 A CN202310749442 A CN 202310749442A CN 117305763 A CN117305763 A CN 117305763A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
mask sheet
mask
sheet
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310749442.5A
Other languages
English (en)
Inventor
大前卷子
宫田谕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN117305763A publication Critical patent/CN117305763A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/88—Metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

本发明提供掩模的形成方法，能够解决将与各个芯片对应的大小的掩模按照各个芯片进行配设的作业费事不堪的问题。掩模在对通过分割预定线分割成各个芯片的基板的该分割预定线实施金属镀覆时使用，掩模的形成方法包含如下的工序：掩模片准备工序，准备掩模片，该掩模片具有与基板对应的大小，并具有能够粘贴于该基板的上表面的正面；槽形成工序，与该分割预定线对应地将切削刀具定位于该掩模片的正面而形成槽；片粘贴工序，使该基板的上表面与该掩模片的正面面对，使该槽与该分割预定线对应而将该掩模片的正面粘贴在该基板的上表面上；以及槽露出工序，将该掩模片的背面侧薄化而使该槽在背面侧露出。

Description

掩模的形成方法
技术领域
本发明涉及掩模的形成方法，在对通过分割预定线而分割成各个芯片的基板的该分割预定线实施金属镀覆时使用该掩模。
背景技术
由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片被以能够旋转的方式安装有切削刀具的切削装置实施切削加工而分割成各个器件芯片，并用于移动电话、个人计算机等电子设备。
另外，在将在正面上由分割预定线划分而形成有多个区域的陶瓷基板按照每个该区域分割成各个芯片时也使用上述的切削装置(例如参照专利文献1)，在实施切削加工之前，沿着该分割预定线呈格子状按照具有超过对该陶瓷基板进行分割的切削刀具的厚度的宽度实施AuSn(金锡)镀覆。
专利文献1：日本特开2004-039906号公报
但是，如上所述，为了沿着分割预定线呈格子状实施具有超过切削刀具厚度的宽度的AuSn镀覆，需要按照各个芯片配设与各个芯片对应的大小的掩模，存在不胜其烦的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供掩模的形成方法，该掩模的形成方法能够解决将与各个芯片对应的大小的掩模按照各个芯片进行配设的作业费事不堪的问题。
为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供掩模的形成方法，在对通过分割预定线分割成各个芯片的基板的该分割预定线实施金属镀覆时使用该掩模，其中，该掩模的形成方法包含如下的工序：掩模片准备工序，准备掩模片，该掩模片具有与基板对应的大小，并具有能够粘贴于该基板的上表面的正面；槽形成工序，与该分割预定线对应地将切削刀具定位于该掩模片的正面而形成槽；片粘贴工序，使该基板的上表面与该掩模片的正面面对，使该槽与该分割预定线对应而将该掩模片的正面粘贴在该基板的上表面上；以及槽露出工序，将该掩模片的背面侧薄化而使该槽在背面侧露出。
在该掩模片准备工序中，作为该掩模片，可以准备在正面上具有粘接力通过紫外线的照射而降低的粘接层的UV片。另外，在该掩模片准备工序中，作为该掩模片，可以准备通过加热而压接的热压接片。
本发明的掩模的形成方法是在对通过分割预定线分割成各个芯片的基板的该分割预定线实施金属镀覆时使用的掩模的形成方法，该掩模的形成方法包含如下的工序：掩模片准备工序，准备掩模片，该掩模片具有与基板对应的大小，并具有能够粘贴于该基板的上表面的正面；槽形成工序，与该分割预定线对应地将切削刀具定位于该掩模片的正面而形成槽；片粘贴工序，使该基板的上表面与该掩模片的正面面对，使该槽与该分割预定线对应而将该掩模片的正面粘贴在该基板的上表面上；以及槽露出工序，将该掩模片的背面侧薄化而使该槽在背面侧露出，因此，能够在粘贴于基板的掩模片上与基板的分割预定线对应地预先形成槽，能够容易地配设与各个芯片对应的大小的掩模，不需要对每个芯片配设与逐个分割的芯片对应的大小的掩模，解决了不胜其烦的问题。
另外，当如现有技术那样在将掩模片粘贴于基板之后利用切削刀具在掩模片上形成槽时，有可能因切削刀具对基板造成损伤，但根据本发明，由于预先在掩模片上形成槽，因此能够避免对基板造成损伤。
附图说明
图1是适合本实施方式的切削装置的整体立体图。
图2的(a)是作为被加工物的基板的立体图，图2的(b)是通过掩模片准备工序而准备的掩模片的立体图。
图3的(a)是示出槽形成工序的实施方式的立体图，图3的(b)是形成有槽的掩模片的局部放大剖视图，图3的(c)是实施了槽形成工序的掩模片的整体立体图。
图4的(a)是示出片粘贴工序的实施方式的立体图，图4的(b)是示出使基板和掩模片远离卡盘工作台的方式的立体图。
图5的(a)是示出将基板和掩模片载置于保持工作台的方式的立体图，图5的(b)是示出槽露出工序的实施方式的立体图，图5的(c)是示出槽露出工序的另一实施方式的立体图。
图6的(a)是实施了槽露出工序的基板和掩模片的局部放大剖视图，图6的(b)是实施了槽露出工序的基板和掩模片的整体立体图。
图7的(a)是示出将基板分割成各个芯片的分割工序的实施方式的立体图，图7的(b)是实施分割工序时的局部放大剖视图。
标号说明
1：切削装置；2：壳体；3：搬出搬入单元；4：盒；4a：盒台；5：暂放台；6：搬送单元；7：卡盘工作台；71：吸附卡盘；72：夹具；8：切削单元；80：主轴壳体；81A：切削刀具；81B：切削刀具；82：旋转主轴；83：刀具罩；84：切削水提供喷嘴；9：拍摄单元；10：基板；12：区域；14：分割预定线；16：清洗装置；17：清洗搬出单元；20：掩模片；20a：正面；20b：背面；30：镀层；40：磨削装置；42：磨削单元；43：旋转主轴；44：磨轮安装座；45：磨削磨轮；46：磨削磨具；50：旋切装置；51：旋切单元；52：旋转轴；53：刀具轮；54：刀具；55：切刃；100：槽。
具体实施方式
以下，参照附图对根据本发明而构成的掩模的形成方法的实施方式进行详细说明。
在图1中示出切削装置1，该切削装置1能够对图示的基板10进行切削加工，并且能够实施适于实施本实施方式的掩模的形成方法的切削加工。切削装置1具有大致长方体形状的壳体2，该切削装置1具有：盒4，其载置于壳体2的盒台4a；搬出搬入单元3，其将支承于框架F的未加工的基板10从盒4中搬出至暂放台5，并且将放置于暂放台5的加工完毕的基板10搬入盒4中；搬送单元6，其具有将搬出至暂放台5的基板10搬送至卡盘工作台7的旋转臂；切削单元8，其对卡盘工作台7所保持的基板10实施切削加工；拍摄单元9，其对上述的卡盘工作台7上所保持的基板10进行拍摄；清洗搬出单元17，其将加工完毕的基板10从图1中的卡盘工作台7所定位的搬出搬入位置搬送至清洗装置16(省略详细说明)；以及省略图示的控制单元。切削单元8能够与被加工物的材质和切削加工条件对应地更换为不同的切削刀具(例如厚度、材质不同的切削刀具81A、切削刀具81B)。
利用本实施方式的切削装置1进行切削的基板10是陶瓷基板，如图2的(a)中放大示出的那样，是矩形状的基板，在正面10a上由分割预定线14划分而形成有多个区域12。分割预定线14由规定方向的分割线14和与该规定方向的分割预定线14垂直的方向的分割预定线14呈格子状形成。在使用切削装置1将该基板10按照每个区域12分割成各个芯片时，如图1所示，将该基板10借助保护带T而支承于环状的框架F，并保持于卡盘工作台7。另外，被切削单元8切削的基板10不限于上述的方式，也可以是区域12和分割预定线14被模制树脂包覆而未在正面10a露出的方式。
切削装置1具有：X轴移动单元，其使卡盘工作台7和切削单元8在X轴方向上相对地移动；以及Y轴移动单元，其使卡盘工作台7和切削单元8在与X轴方向垂直的Y轴方向上相对地移动。本实施方式中的X轴移动单元是使卡盘工作台7在X轴方向上移动的单元，Y轴移动单元是使切削单元8在Y轴方向上移动的单元。上述的X轴移动单元和Y轴移动单元配设在壳体2的内部而未图示。
卡盘工作台7具有：吸附卡盘71，其构成卡盘工作台7的保持面；以及夹具72，其按照与卡盘工作台7的外周对置的方式配设，对支承基板10的框架F进行把持。吸附卡盘71由具有通气性的部件构成，与省略图示的吸引源连接。通过使该吸引源进行动作，在吸附卡盘71的保持面上生成负压从而能够对该基板10进行吸引保持。
控制单元由计算机构成，其具有：中央运算处理装置(CPU)，其按照控制程序进行运算处理；只读存储器(ROM)，其存储控制程序等；可读写的随机存取存储器(RAM)，其用于暂时存储各种传感器的检测值、运算结果等；以及输入接口和输出接口(均省略了详细的图示)。该控制单元与切削装置1的各动作部连接而进行控制，并且，该拍摄单元9所拍摄的图像存储于控制单元并且显示于省略图示的显示单元。
图1所示的切削装置1大致具有如上所述的结构，以下对本实施方式的掩模的形成方法进行说明。
在实施本实施方式的掩模的形成方法时，首先，如图2的(b)所示，实施掩模片准备工序，准备具有与上述基板10对应的大小且具有能够粘贴在基板10的上表面(正面10a)上的正面20a的掩模片20。
上述的掩模片20可以从各种片中选择，例如，可以从在正面上具有粘接层(该粘接层具有粘接力)且该粘接力通过照射紫外线而降低的UV(紫外线)片或通过加热进行压接的热压接片等中选择。在以下说明的实施方式中，作为掩模片20，对采用在正面上具有粘接层(该粘接层具有粘接力)且该粘接力通过照射紫外线而降低的UV片的情况进行说明。
在通过上述的掩模片准备工序准备了与基板10对应的大小的掩模片20之后，如图2的(b)所示，将形成有粘接层的正面20a朝向上方而载置于卡盘工作台7的吸附卡盘71的保持面，使上述的吸引源进行动作而对掩模片20进行吸引保持。接着，使上述X轴移动单元进行动作，将卡盘工作台7定位于拍摄单元9的正下方，检测掩模片20的外形形状和表面高度位置的信息，并存储于上述控制单元。其中，由于掩模片20的表面高度位置的信息是掩模片20的厚度，因此也可以预先输入至控制单元并存储。这里，在该控制单元中，以XY坐标预先存储有在作为被加工物的上述基板10的正面10a上形成的分割预定线14的位置信息，将掩模片20中与分割预定线14对应的位置设定为形成后述的槽100的槽形成预定线。与分割预定线14同样，该槽形成预定线通过设定为规定的方向的槽形成预定线和与该规定的方向垂直的方向的槽形成预定线(均未图示)而呈格子状设定。
在将掩模片20吸引保持于卡盘工作台7并将掩模片20的外形形状和正面20a的高度的信息等存储于控制单元之后，如图3的(a)所示，使上述的槽形成预定线的规定的方向与X轴方向对齐，将待加工的槽形成预定线定位于切削单元8的正下方。切削单元8具有：主轴壳体80，其沿Y轴方向延伸；旋转主轴82，其旋转自如地支承于该主轴壳体80；切削刀具81A，其固定于旋转主轴82的前端；刀具罩83，其覆盖该旋转主轴82和切削刀具81A；以及切削水提供喷嘴84，其向被切削刀具81A切削的部位提供切削水，通过省略图示的主轴电动机使切削刀具81A在箭头R1所示的方向上旋转。该切削刀具81A是为了对掩模片20进行切削而形成槽而安装的切削刀具，例如是前端部的切刃的厚度为与分割预定线14的宽度对应的100μm的厚度的切削刀具。
将高速旋转的切削刀具81A定位于与X轴方向对齐的槽形成预定线，通过省略图示的切入进给单元在箭头Z所示的Z轴方向上调整切入进给量，从掩模片20的正面20a侧切入，并且在X轴方向上对卡盘工作台7进行加工进给而实施形成槽100的槽形成加工。此时，从图3的(b)所示的局部放大剖视图可以理解，槽100的宽度为100μm，按照不到达掩模片20的背面20b侧的深度形成。另外，将切削单元8的切削刀具81A分度进给至在Y轴方向上与形成有上述槽100的槽形成预定线相邻且未形成槽100的槽形成预定线上，与上述同样地形成槽100。通过重复动作，沿着沿X轴方向的所有槽形成预定线形成槽100。接着，使卡盘工作台7旋转90度，使与之前形成槽100的方向垂直的方向与X轴方向对齐，对新与X轴方向对齐的所有槽形成预定线实施上述槽形成加工，沿着掩模片20的所有槽形成预定线形成槽100(参照图3的(c))。如上所述，通过沿着掩模片20上的所有槽形成预定线形成槽100，完成本实施方式的槽形成工序。
在上述槽形成工序完成后，实施片粘贴工序，将根据图2的(a)进行了说明的基板10定位于掩模片20的上方，如图4的(a)的上部所示，使基板10的正面10a朝向下方，使基板10的正面10a与通过上述槽形成工序形成有槽100的掩模片20的正面20a面对，使槽100与基板10的分割预定线14对应而将掩模片20与基板10粘贴。
其中，上述掩模片20例如是在聚烯烃基材的上表面上涂布UV反应型粘接剂而形成有粘接层的片，是通过紫外线的照射而粘接力迅速降低的片。
在如上述那样实施了片粘贴工序之后，使与卡盘工作台7连接的吸引源停止而解除卡盘工作台7上生成的负压，如图4的(b)所示，从卡盘工作台7取出正面10a上粘贴有掩模片20的基板10。为了实施后述的槽露出工序，将从卡盘工作台7取出的基板10搬送并载置于图5的(a)所示的保持工作台31。在保持工作台31的上表面上，为了保持基板10而形成有与基板10的形状对应地构成的保持面32。保持面32由具有通气性的材料形成，与省略图示的吸引源连接。通过使该吸引源进行动作，在保持面32上生成负压，对基板10进行吸引保持。
槽露出工序是将粘贴在基板10的正面10a上的掩模片20的背面20b侧薄化而使通过上述槽形成工序形成的槽100在背面20b侧露出的工序，例如能够通过图5的(b)所示的磨削装置40来实施。
磨削装置40具有磨削单元42，该磨削单元42用于对吸引保持于保持工作台31的保持面32的基板10的背面10b上粘贴的掩模片20的背面20b进行磨削而薄化。磨削单元42具有：旋转主轴43，其通过未图示的旋转驱动机构而旋转；磨轮安装座44，其安装于旋转主轴43的下端；以及磨削磨轮45，其安装于磨轮安装座44的下表面，在磨削磨轮45的下表面呈环状配设有多个磨削磨具46。
在将基板10吸引保持于保持工作台31之后，使磨削单元42的旋转主轴43向图5的(b)中箭头R2所示的方向例如以3000rpm旋转，并且使保持工作台31向箭头R3所示的方向例如以300rpm旋转。然后，使磨削磨具46与掩模片20的背面20b接触，将磨削磨轮45以例如1μm/秒的磨削进给速度朝向箭头R4所示的下方进行磨削进给。通过该磨削，将掩模片20的背面20b磨削规定的量而薄化，由此如图6的(a)所示，槽100在掩模片20的背面20b侧露出。另外，如上所述，槽100与基板10的分割预定线14对应地形成，槽100在掩模片20的背面20b露出，从而基板10的分割预定线14也露出。
另外，槽露出工序不限于上述磨削装置40的实施方式，例如也可以采用通过图5的(c)所示的旋切装置50实施的其他实施方式。旋切装置50具有旋切单元51，该旋切单元51用于对吸引保持于保持工作台31的保持面32的基板10的背面10b上粘贴的掩模片20的背面20b进行旋切而薄化。旋切单元51具有：刀具轮53，其配设于旋转轴52的下端，该旋转轴52旋转自如地支承于省略图示的单元壳体；省略图示的电动机，其配设于该旋转轴52的上端侧，使刀具轮53旋转；以及升降单元，其使该单元壳体在上下方向上升降。在刀具轮53的下表面侧安装并固定有在下端部具有由单晶金刚石等构成的切刃55的刀具54。具有这样的结构的旋切单元51通过上述的升降单元而与吸引保持于保持工作台31的基板10上粘贴的掩模片20接近或远离。由此，能够将刀具54的切刃55定位于任意的高度。
在通过上述的旋切装置50对掩模片20的背面20b进行旋切时，使上述的电动机进行动作，如图5的(c)所示，使旋切单元51的旋转轴52向箭头R5所示的方向以规定的旋转速度(例如6000rpm)旋转，并且使上述的升降单元进行动作而使旋切单元51向箭头R6所示的方向下降并定位于期望的高度位置，使保持工作台31不旋转而是向箭头R7的方向移动。该期望的高度位置是指通过利用刀具54对掩模片20的背面20b进行旋切而如图6的(a)、图6的(b)所示实施在掩模片20的背面20b露出槽100的旋切加工的高度位置。另外，在使上述升降单元进行动作而利用刀具54进行旋切时，优选使旋切单元51分多次逐渐下降而进行旋切。通过这样的旋切装置50，也能够实施将掩模片20的背面20b薄化而使槽100露出的槽露出工序。
通过上述的掩模形成方法形成仅将区域12覆盖的掩模，将基板10搬送到适当的镀覆加工装置，对基板10的正面10a实施金属的例如AuSn(金锡)的镀覆加工(省略图示)，在正面10a上形成适当的厚度的镀层30(参照图7的(a)、图7的(b))。在本实施方式中，如上所述，在掩模片20上沿着分割预定线14形成有槽100，并且在区域12上残留有掩模片20，因此该镀层30在区域12中形成在掩模片20上，并且在分割预定线14中形成在基板10上。另外，在本实施方式中，关于掩模片20，由于采用UV片，所以在形成不透射紫外线的AuSn(金锡)的镀层30之前，对掩模片20照射紫外线，预先使上述粘接层的粘接力下降。
在对基板10实施了上述的镀覆加工之后，如图7的(a)所示，借助保护带T利用环状的框架F对基板10进行支承，并且将基板10吸引保持于根据图1进行了说明的切削装置1的卡盘工作台7，利用夹具72对框架F进行固定(在图7中，为了便于说明，省略了夹具72等)。接着，通过上述的拍摄单元9对基板10进行拍摄，从而对作为加工位置的槽100即分割预定线14的位置进行检测，将基板10定位于切削单元8的正下方。此时，在切削单元8上替代上述切削刀具81A而安装有切削刀具81B，该切削刀具81B具有比适合对基板10进行切削而分割成各个芯片的切削刀具81A薄的切刃。切削刀具81B是比切削刀具81A薄的厚度(例如为30μm)且比形成为上述槽100的宽度为100μm的镀层30的宽度尺寸薄的刀具。然后，实施分割工序，使该切削刀具81B在R1所示的方向上高速旋转，并且使上述的X轴进给机构、Y轴进给机构、切入进给机构进行动作，如图7的(b)所示，从上方对分割预定线14的宽度方向中央进行切入进给，将基板10按照每个区域12分割成各个芯片。在该分割工序中，使用前端侧的切刃比上述切削刀具81A薄的切削刀具81B沿着分割预定线14实施切削加工，从而在按照每个区域12对基板10进行分割时，在镀层30以35μm的宽度围绕分割得到的各个芯片的外周的状态下进行分割。
在上述的实施方式中，在实施了掩模形成方法之后，不去除各芯片上的掩模片20而实施镀覆加工，直接通过切削单元8分割成各个芯片。由此，能够避免因分割工序的切削加工而产生的切削屑和包含切削屑的切削水直接附着于各芯片而造成污染。另外，本发明不限于此，也允许在对基板10实施切削加工之前将掩模20从芯片上去除。
在上述的实施方式中，作为在掩模片准备工序中准备的掩模片20，选择了UV片，但本发明并不限于此，作为在掩模片准备工序中准备的掩模片20，也可以选择通过加热而压接的热压接片。作为用作掩模片20的热压接片，例如可以从聚烯烃系的片中选择。在从聚烯烃类的片中选择掩模片20的情况下，优选从聚乙烯(PE)片、聚丙烯(PP)片、聚苯乙烯(PS)片中的任意片中选择。
在选择聚乙烯片作为掩模片20并实施上述的片粘贴工序的情况下，将掩模片20加热至规定的温度(聚乙烯片的熔点附近的120℃～140℃)而发挥粘接力，并热压接于基板10的正面10a。用于执行该加热的单元没有特别限定，通过在卡盘工作台7的内部安装加热器来进行加热，或者从掩模片20的上方吹送热风来进行加热，能够使掩模片20上升至上述规定的温度范围而发挥粘接力，能够不在正面形成粘接层而良好地粘贴于基板10。需要说明的是，在选择聚乙烯片以外的片作为掩模片20的情况下，通过将热压接时的加热温度加热至与所选择的片的原材料相应的熔点温度附近，能够发挥适当的粘接力而粘贴在基板10上。另外，为了提高压接程度，也可以从掩模片20侧通过辊等进行按压。在作为掩模片20而选择了上述那样的热压接片的情况下，在从基板10去除时，优选进行冷却而使粘接力降低从而去除。
如上述实施方式那样，通过实施包含掩模片准备工序、槽形成工序、片粘贴工序、槽露出工序的掩模形成方法，在粘贴于基板10的掩模片20上沿着基板10的分割预定线14形成槽100，能够容易地配设与各个区域12对应的大小的掩模，不需要按照各个芯片配设对应于基台10的区域12而分别分割的与芯片对应的大小的掩模，解决了不胜其烦的问题。
另外，当如现有技术那样在将掩模片粘贴于基板之后利用切削刀具在掩模片上形成槽时，有可能因切削刀具对基板造成损伤，但根据本发明，由于预先在掩模片上形成槽，因此能够避免对基板造成损伤。

Claims (3)

1.一种掩模的形成方法，在对通过分割预定线分割成各个芯片的基板的该分割预定线实施金属镀覆时使用该掩模，其中，
该掩模的形成方法包含如下的工序：
掩模片准备工序，准备掩模片，该掩模片具有与基板对应的大小，并具有能够粘贴于该基板的上表面的正面；
槽形成工序，与该分割预定线对应地将切削刀具定位于该掩模片的正面而形成槽；
片粘贴工序，使该基板的上表面与该掩模片的正面面对，使该槽与该分割预定线对应而将该掩模片的正面粘贴在该基板的上表面上；以及
槽露出工序，将该掩模片的背面侧薄化而使该槽在背面侧露出。
2.根据权利要求1所述的掩模的形成方法，其中，
在该掩模片准备工序中，作为该掩模片，准备在正面上具有粘接力通过紫外线的照射而降低的粘接层的紫外线片。
3.根据权利要求1所述的掩模的形成方法，其中，
在该掩模片准备工序中，作为该掩模片，准备通过加热而压接的热压接片。
CN202310749442.5A 2022-06-29 2023-06-20 掩模的形成方法 Pending CN117305763A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-104602 2022-06-29
JP2022104602A JP2024004777A (ja) 2022-06-29 2022-06-29 マスクの形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117305763A true CN117305763A (zh) 2023-12-29

Family

ID=89296072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310749442.5A Pending CN117305763A (zh) 2022-06-29 2023-06-20 掩模的形成方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2024004777A (zh)
KR (1) KR20240002696A (zh)
CN (1) CN117305763A (zh)
TW (1) TW202401516A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3999584B2 (ja) 2002-07-04 2007-10-31 株式会社ディスコ セラミックスチップコンデンサーシートの分割方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202401516A (zh) 2024-01-01
KR20240002696A (ko) 2024-01-05
JP2024004777A (ja) 2024-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106997867B (zh) 晶片的加工方法
JP2005019525A (ja) 半導体チップの製造方法
TWI790395B (zh) 載板的去除方法
JP7154860B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP5508108B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2014053351A (ja) ウエーハの加工方法
CN107316833B (zh) 晶片的加工方法
CN117305763A (zh) 掩模的形成方法
JP2005260154A (ja) チップ製造方法
CN117341221A (zh) 掩模的形成方法
JP6045426B2 (ja) ウェーハの転写方法および表面保護部材
JP2020098827A (ja) ウエーハの加工方法
US11651989B2 (en) Wafer transferring method
JP2021068872A (ja) ウエーハの加工方法
JP7413032B2 (ja) ウエーハの加工方法
US20230282486A1 (en) Wafer processing method
JP7473414B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2023152325A (ja) マスクの形成方法
TW202145327A (zh) 晶圓之加工方法
JP2022146237A (ja) 積層ウエーハの加工方法
CN117790419A (zh) 树脂基板的加工方法
TW202414549A (zh) 樹脂基板的加工方法
TW202324627A (zh) 晶圓的處理方法
JP2022042543A (ja) 複数のデバイスチップの製造方法
KR20210064050A (ko) 웨이퍼의 가공 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication