KR20230019887A - 금속 착물 및 이의 응용 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속 착물 및 이의 응용에 관한 것으로, 상기 금속 착물은 Ir(La)(Lb)(Lc)의 일반식을 가지며, 식 (1)로 표시되는 구조를 갖는 리간드 La를 포함한다. 본 발명에서 제공하는 금속 착물은 광전 안정성이 우수하고, 발광 효율이 높으며, 수명이 길고, 색포화도가 높은 등의 장점이 있으며, 유기 발광 소자, 특히 적색 발광 인광 재료로 사용될 수 있어, AMOLED 산업에 적용될 가능성이 있다.
Description
본 발명은 유기 전계 발광 기술 분야에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 전계 발광 소자용 유기 발광 재료, 특히 금속 착물 및 유기 전계 발광 소자 상에서 이의 응용에 관한 것이다.
현재 차세대 디스플레이 기술로서 유기 전계 발광 소자(OLED)는 디스플레이 및 조명 기술 측면에서 점점 더 많은 주목을 받고 있으며 응용 전망이 매우 밝다. 그러나 시장의 응용 수요를 감안하면 OLED 소자의 발광 효율, 구동 전압, 사용 수명 등 성능이 계속 강화되고 개선될 필요가 있다.
일반적으로 OLED 소자의 기본 구조는 금속 전극 중간에 각종 상이한 기능의 유기 기능 재료 박막이 끼워져 있는 샌드위치와 같은 구조이다. 전류의 구동 하에서 양극과 음극의 양극으로부터 각각 정공과 전자를 주입하고, 정공과 전자는 한 구간의 거리를 이동한 후 발광층에서 복합되어 빛 또는 열의 형태로 방출됨으로써 OLED가 발광하게 된다.
그러나 유기 기능 재료는 유기 전계 발광 소자의 핵심 구성 부분이며, 재료의 열 안정성, 광화학적 안정성, 전기화학적 안정성, 양자 수율, 박막 형성 안정성, 결정성, 색포화도 등은 소자 성능 구현에 영향을 미치는 주요 요인이다. 일반적으로 유기 기능 재료에는 형광 재료와 인광 재료가 포함된다. 형광 재료는 통상적으로 유기 소분자 재료이며, 일반적으로 25% 일중항 발광만 이용하므로 발광 효율이 비교적 낮다. 인광 재료는 중원자 효과(heavy atom effect)에 의한 스핀 궤도 결합 작용으로 인해, 25% 일중항을 이용하는 것 이외에도 75% 삼중항 여기자의 에너지를 이용할 수 있으므로 발광 효율이 향상될 수 있다. 그러나 형광 재료에 비해 인광 재료는 개발이 비교적 늦었고 재료의 열 안정성, 수명, 색포화도 등이 모두 개선될 필요가 있으므로 다소 어려운 과제이다. 현재 각종 유기 금속 화합물을 인광 재료로 개발한 사람들이 이미 있다. 예를 들어, 발명 특허 문헌 CN107973823은 퀴놀린류의 이리듐 화합물을 공개하였으나, 상기 화합물의 색포화도 및 소자 성능, 특히 발광 효율과 소자 수명은 모두 개선될 필요가 있다. 발명 특허 문헌 CN106459114는 β-디온 배위기 배위의 이리듐 화합물을 공개하였으나, 상기 화합물은 승화 온도가 높고 색포화도가 떨어지며 특히 소자 성능이 이상적이지 않아 더 개선될 필요가 있다. 발명 특허 CN109721628은 플루오레닐 티에노피리미딘 구조 화합물 및 상기 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자 및 화합물을 개시하였다.
그러나 여전히 유기 전계 발광 소자의 성능을 더욱 향상시키는 새로운 물질을 개발할 필요가 있다.
본 발명은 성능이 향상된 유기 전계 발광 소자 및 이러한 유기 전계 발광 소자를 구현할 수 있는 신규 재료를 제공하는 데에 목적이 있다.
본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위하여 심도 있게 연구한 결과, 하기 식 (1)로 표시되는 구조를 리간드로 사용한 금속 착물을 사용함으로써 고성능의 유기 전계 발광 소자를 획득할 수 있음을 발견하였다.
본 발명의 목적 중 하나는 금속 착물을 제공하는 데에 있으며, 이러한 금속 착물은 광전 화학적 안정성이 우수하며 색포화도가 높고 발광 효율이 높으며 소자 수명이 긴 장점을 가지고 있어 유기 전계 발광 소자에 사용할 수 있다. 특히 적색 발광 도펀트로서 OLED 산업에 응용할 가능성이 있다.
금속 착물에 있어서, 이는 Ir(La)(Lb)(Lc)의 일반식을 가지며, 여기에는 식 (1)로 표시되는 리간드 La가 포함된다.
여기에서 A1-A4 중 하나는 C-C 결합과 E 고리 연결이고, 하나는 C-금속 결합과 금속 연결이고, 하나는 CR4이고, 다른 하나는 CR0 또는 N이다. A5-A8 중 하나는 CR3이고 다른 3개는 독립적으로 CR0 또는 N으로 표시된다.
여기에서 R1-R2의 수는 최대 치환 수이다.
여기에서 R0-R4는 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1-C10 알킬, 치환 또는 비치환된 C3-C20 시클로알킬, 치환 또는 비치환된 C1-C10 헤테로알킬, 치환 또는 비치환된 C7-C30 아랄킬, 치환 또는 비치환된 C1-C10 알콕시, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐, 치환 또는 비치환된 C3-C30 알킬실릴, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴, 치환 또는 비치환된 C3-C30 헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 C3-C30 아릴실릴, 치환 또는 비치환된 C0-C20 아민, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노로부터 선택되고, 여기에서 R3 및 R4 중 적어도 하나는 수소가 아니며, A7이 CR0인 경우 R0은 F가 아니다.
여기에서 X는 독립적으로 O, S, Se, C(R)2, Si(R)2, NR, BR, POR로부터 선택된다. 여기에서 R은 독립적으로 치환된 또는 비치환된 C1-C10의 알킬 또는 알콕시, 치환된 또는 비치환된 C2-C30의 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴, 치환된 또는 비치환된 C1-C18 헤테로아릴로부터 선택된다.
상기 치환은 듀테륨, F, Cl, Br, C1-C4 알킬, C1-C4 알콕시, C3-C6 시클로알킬, C1-C4 알킬 치환의 아민, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노에 의한 치환이다.
상기 헤테로알킬 또는 헤테로아릴 중의 헤테로원자는 S, O, N 중 적어도 하나이다.
여기에서 점선은 금속 이리듐과 연결된 결합이다.
여기에서, La, Lb 및 Lc는 서로 상이하며, 이들 셋 중 임의의 2개는 서로 연결되어 다좌 리간드를 형성하거나, 3개는 하나의 기를 통해 연결되며, 여기에서 Lb 및 Lc는 1가 음이온형 2좌 리간드이다.
상기 서로 다른 점은 모핵 구조가 다르거나, 모핵 구조는 동일하지만 치환기가 다르거나, 모핵 구조가 동일하고 치환기가 동일하지만 치환기의 위치가 다르다는 것이다.
바람직하게는 하기 식 (2)의 구조를 갖는다.
여기에서 A는 CR0 또는 N이고, 여기에서 R0-R4는 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1-C10 알킬, 치환 또는 비치환된 C3-C20 시클로알킬, 치환 또는 비치환된 C1-C10 헤테로알킬, 치환 또는 비치환된 C7-C30 아랄킬, 치환 또는 비치환된 C1-C10 알콕시, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐, 치환 또는 비치환된 C3-C30 알킬실릴, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴, 치환 또는 비치환된 C3-C30 헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 C3-C30 아릴실릴, 치환 또는 비치환된 C0-C20 아민, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노로부터 선택되고, 여기에서 R3 및 R4 중 적어도 하나는 수소가 아니다.
X, Lb, Lc의 정의는 전술한 바와 같다.
보다 바람직하게는 여기에서 A는 CH 또는 N이다.
보다 바람직하게는 여기에서 A는 N이고, R3 치환기는 N의 인접 위치에 위치한다.
보다 바람직하게는 여기에서 R3은 D, C1-C4 알킬 또는 하나의 D를 적어도 포함하는 C1-C4 알킬이다.
가장 바람직하게는 여기에서 R3는 CD3이다.
바람직하게는 여기에서 R4 치환기의 위치는 금속 Ir-탄소 결합의 인접 위치이거나 금속 Ir-탄소 결합의 상대적 위치이다.
바람직하게는 금속 화합물은 하기 구조 중 하나를 갖는다.
여기에서 R1 및 R2는 최대 치환 수를 가지며, R1 및 R2는 독립적으로 수소, 치환된 또는 비치환된 C1-C6 알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C6 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C7-C20 아랄킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 헤테로아릴, 또는 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴로부터 선택되고, R1 및 R2 중 적어도 하나는 수소가 아니다.
R3 및 R4는 독립적으로 수소, 치환된 또는 비치환된 C1-C6 알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C10 시클로알킬로부터 선택되며, 여기에서 R3 및 R4 중 적어도 하나는 수소가 아니다.
여기에서 X는 독립적으로 O, S, Se, C(R)2, Si(R)2, NR로부터 선택된다. 여기에서 R은 독립적으로 치환된 또는 비치환된 C1-C10의 알킬 또는 알콕시, 치환된 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴로부터 선택된다.
상기 치환은 듀테륨, F, Cl, Br 또는 C1-C4 알킬에 의한 치환이다.
여기에서 X는 O, S, Se, NR, C(R)2이고, 여기에서 R은 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C8의 알킬로부터 선택된다.
바람직하게는 여기에서 La는 독립적으로 하기 구조식 중 하나 또는 이들의 대응하는 부분 또는 완전 중수소화물 또는 대응하는 부분 또는 완전 플루오르화물로부터 선택된다.
여기에서 상기 Lb 및 Lc는 제10항 중의 La1-La1307 중 어느 하나 또는 이들에 대응하는 부분 또는 완전 중수소화물 또는 이들에 대응하는 부분 또는 완전 플루오르화물로부터 독립적으로 선택되고, La, Lb 및 Lc는 동시에 동일 번호의 구조가 아니다.
여기에서 상기 Lb 및 Lc는 하기 식(a) 내지 식(k) 구조 중 하나로부터 독립적으로 선택된다.
여기에서 점선은 금속 이리듐과 연결된 결합이다.
여기에서 Ra, Rb, Rc의 개수는 최대 치환 수이다.
Ra, Rb, Rc는 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬, 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알킬, 치환 또는 비치환된 C1-C30 헤테로알킬, 치환 또는 비치환된 C7-C30 아랄킬, 치환 또는 비치환된 C1-C20 알콕시, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐, 치환 또는 비치환된 C3-C30 알킬실릴, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴, 치환 또는 비치환된 C3-C30 헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 C3-C30 아릴실릴, 치환 또는 비치환된 C0-C20 아민, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노, 또는 2개의 인접한 치환기에 의해 임의 연결되어 형성될 수 있는 고리 또는 축합 구조로부터 선택된다.
여기에서 상기 치환은 듀테륨, F, Cl, Br, C1-C10 알킬, C1-C10 알콕시, C3-C10 시클로알킬, C1-C10 알킬 치환된 아민, C6-C30 아릴, C7-C30 아르알킬, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노에 의한 치환이다.
상기 헤테로알킬 또는 헤테로아릴 중의 헤테로원자는 S, O, N 중 적어도 하나이다.
바람직하게는 여기에서 Lb 및 Lc는 하기 구조식 또는 이들에 대응하는 부분 또는 완전 중수소화물 또는 이들에 대응하는 부분 또는 완전 플루오르화물로부터 독립적으로 선택되고, Lb 및 Lc는 동시에 동일 번호의 리간드가 아니다.
전계 발광 소자에 있어서, 음극, 양극 및 음극과 양극 사이에 설치된 유기층을 포함하고, 상기 유기층 중 적어도 한 층은 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 금속 착물을 포함한다.
본 발명의 다른 목적은 전계 발광 소자를 제공하는 데에 있다. 여기에서 상기 유기층은 발광층이며, 상기 금속 착물은 발광 재료로, 특히 적색 발광 재료로 사용된다.
본 발명의 또 다른 목적은 전계 발광 소자를 제공하는 데에 있다. 여기에서 상기 유기층은 정공 주입층이며, 상기 금속 착물은 정공 주입 재료로 사용된다.
본 발명의 재료는 승화 온도가 비교적 낮고 광전 화학 안정성이 높으며 색포화도와 발광 효율이 높고 소자 수명이 긴 장점 등이 있다. 본 발명의 재료는 인광 재료로서 삼중항 여기 상태를 빛으로 변환할 수 있으므로, 유기 전계 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있어 에너지 소비를 감소시킨다.
하기 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로, 본 발명을 구체적으로 제한하는 것으로 이해될 수 없다.
본 발명의 화합물 합성에 언급된 원료와 용매 등은 모두 Alfa, Acros 등 당업자에게 공지된 공급 업체로부터 구매한다.
실시예 1: 화합물 A1의 합성
리간드 L50, La385의 합성:
화합물 L50의 합성:
화합물 L1-1(36.0g, 155.3mmol, 1.0eq), L1-2(23.3g, 155.3mmol, 1.0eq), 탄산칼륨(42.9g, 310.7mmol, 2.0eq) 및 디클로로디-tert-부틸-(4-디메틸아미노페닐)포스핀 팔라듐(II)(dichlorodi-tert-butyl-(4-dimethylaminophenyl)phosphine palladium(II))(1.02g, 1.5mmol, 0.01eq)를 1L 3구 플라스크에 넣고 톨루엔(360ml), 에탄올(96ml), 탈이온수(96ml)를 첨가하며, 진공에서 질소를 3회 치환하고, 질소 보호 하에서 온도를 80℃까지 올리고 교반하여 6시간 반응시킨다. TLC 모니터링에서(현상제: 에틸 아세테이트/n-헥산=1/10), 원료 L1-1이 거의 소모되었다. 실온으로 냉각하고, 분액하며, 유기상을 물(3*180ml)로 세척한 다음, 에틸 아세테이트(150ml)로 수상을 1회 추출하고, 실리카겔 흡인 여과를 수행하며, 에틸 아세테이트로 현저한 제품 잔류가 없을 때까지 세척하고, 농축시켜 황색 점성 액체를 획득한다. 칼럼 크로마토그래피 분리를 수행하며(용출제: 에틸아세테이트/n-헥산=1/20), 농축 건조하여 백색당 형태의 고체 화합물 L50(41.2g, 수율 87.8%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 302.4(M+H).
화합물 La385의 합성:
화합물 L1-1(28.7g, 123.8mmol, 1.0eq), L1-3(28.5g, 126.3mmol, 1.02eq), K2CO3(34.2g, 247.7mmol, 2.0eq) 및 디클로로디-tert-부틸-(4-디메틸아미노페닐)포스핀 팔라듐(II)(0.81g, 1.24mmol, 0.01eq)를 1L 3구 플라스크에 넣고 톨루엔(290ml), 에탄올(90ml), H2O(90ml)를 첨가하며, 진공에서 질소를 3회 치환하고, 질소 보호 하에서 온도를 80℃까지 올리고 교반하여 3시간 반응시킨다. TLC 모니터링에서(현상제: 에틸 아세테이트/n-헥산=1/8), 원료 L1-1이 거의 소모되었다. 실온으로 냉각하고, 분액하며, 유기상을 물(3*180ml)로 세척한 다음, 에틸 아세테이트(150ml)로 수상을 1회 추출하고, 실리카겔 흡인 여과를 수행하며, 에틸 아세테이트로 현저한 제품 잔류가 없을 때까지 세척하고, 농축시켜 황색 점성 액체를 획득한다. 칼럼 크로마토그래피 분리를 수행하며(용출제: 에틸아세테이트/n-헥산=1/20), 농축 건조하여 백색당 형태의 고체 화합물 La385(36.8g, 수율 78.9%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 378.4(M+H).
화합물 A1의 합성
화합물 A1-1의 합성:
250ml 3구 플라스크에 화합물 L50(6.7g, 22.2mmol, 2.0eq), 산화은(2.58g, 11.1mmol, 1.0eq)을 넣은 후, 4A 분자체(2.5g)와 디클로로메탄(130ml)을 첨가하고, 진공에서 질소로 3회 교체하고 실온에서 2시간 동안 교반하였으며, 용액이 흑갈색 현탁액으로 변하였다. TLC 모니터링에서(현상제: 에틸 아세테이트/n-헥산=1/8), 원료 L50이 거의 소모되었다. 다시 반응에 클로로-1,5-시클로옥타디엔 이리듐(I) 다이머(chloro-1,5-cyclooctadiene iridium(I) dimer)(7.47g, 11.1mmol, 1.0eq)를 첨가하고, 계속해서 실온으로 8시간 동안 교반하였으며, 용액이 적갈색으로 변하였다. TLC 모니터링(현상제: 에틸 아세테이트/n-헥산=1/3)으로 큰 극성 생성물이 형성되면 반응을 중지한다. 여과하고 소량의 디클로로메탄으로 여과 케이크를 헹구며, 여액을 수집하여 약 60ml 남을 때까지 농축하고, n-헥산(100ml)을 넣고 1시간 동안 교반하여 고체를 석출하며, 소량의 n-헥산으로 고체를 헹구고, 여과 및 건조하여 주홍색 고체 화합물 A1-1(12.9g, 수율 91.8%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 635.2(M+H).
화합물 A1-2의 합성:
250ml 3구 플라스크에 화합물 A1-1(4.2g, 6.61mmol, 1.0eq), 화합물 La385(7.48g, 19.8mmol, 3.0eq)를 넣은 후, 에틸렌 글리콜 에테르(63ml)를 넣고 진공에서 질소 치환 3회를 수행하고, 120℃로 가열하고 16시간 동안 교반하였다. TLC 모니터링에서(현상제: 에틸 아세테이트/n-헥산=1/3), 원료 A1-1이 거의 소모되었다. 반응을 상온으로 식힌 후, 반응에 메탄올(63ml)을 첨가하고, 2시간 동안 계속 교반한 후 여과하고 필터 케이크를 소량의 메탄올로 헹구고 건조하여, 주홍색 고체 화합물 A1-2(3.8g, 수율 53.2%)을 수득하였다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A1의 합성:
250ml 3구 플라스크에 화합물 A1-2(5.18g), 화합물 L5(4.91g, 23.1mmol, 3.5eq)를 넣은 후 탄산나트륨(3.5g, 33.0mmol, 5.0eq), 에틸렌 글리콜 에테르(103ml)를 첨가하고, 진공에서 질소 치환 3회를 수행하고, 40℃로 가열하여 16시간 동안 교반하였다. TLC 모니터링에서(현상제: 에틸 아세테이트/n-헥산=1/5), 원료 A1-2가 거의 소모되었다. 다시 반응에 메탄올(103ml)을 첨가하고 실온에서 1시간 동안 계속 교반한 다음 여과하고 필터 케이크를 소량의 메탄올로 헹군다. 수득한 고체를 디클로로메탄(150ml)과 교반 및 용해시킨 후, 실리카겔을 통해 여과하고, 필터 케이크를 소량의 디클로로메탄으로 헹구었다. 수득된 여액을 탈이온수로 3회(80ml/회) 세척하고, 분액하여 유기상을 수집하고 스핀 건조시켰다. 조 생성물을 테트라히드로푸란/메탄올(1g/7v/10v)로 3회 재결정하고 건조하여 적색 고체 화합물 A1(3.8g, 수율 53.2%)을 수득하였다. 3.8g의 조 생성물 A1을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A1(2.78g, 73.1%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1081.4(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3 ) δ 8.36 (d, J = 15.0 Hz, 2H), 8.07 (d, J = 2.9 Hz, 2H), 7.98 (dd, J = 14.6, 3.4 Hz, 1H), 7.77 (d, J = 15.0 Hz, 2H), 7.54 (dd, J = 14.7, 3.4 Hz, 1H), 7.47 (dd, J = 14.9, 3.0 Hz, 2H), 7.38 (tt, J = 9.2, 4.5 Hz, 3H), 7.31 (td, J = 14.8, 3.4 Hz, 2H), 6.92 (d, J = 3.1 Hz, 2H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 2.02 - 1.82 (m, 4H), 1.81 - 1.55 (m, 12H), 1.42 - 1.15 (m,8H), 1.11 - 0.97 (m, 5H), 0.94 (t, J = 13.2 Hz, 12H).
실시예 2: 화합물 A2의 합성
리간드 La193, La769의 합성:
화합물 L4의 합성:
화합물 La385의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 366.2(M+H).
화합물 L5의 합성:
화합물 La385의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 414.5(M+H).
화합물 A2의 합성
화합물 A2-1의 합성:
화합물 A1-1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 712.3(M+H).
화합물 A2-2의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A2의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A2(2.95g, 48.9%)를 수득한다. 2.95g의 조 생성물 A2를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A2(2.08g, 70.5%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1181.4(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3 ) δ 8.38 (d, J = 20.0 Hz, 2H), 7.98 (dd, 2H), 7.78 (m, J = 5.0 Hz, 2H), 7.53 (d, J = 15.0 Hz, 4H), 7.47 (m, 2H), 7.39 (m, 4H), 7.31 (m, 4H), 2.43 (d, 2H), 2.34 (s, 6H), 1.88 (m, 1H), 1.81 (m, J = 7.2 Hz, 2H), 1.69 (m, J = 37.5 Hz, 2H), 1.31 (m, 4H), 1.24 (m, 4H), 1.01 (m, J = 5.7 Hz, 7H), 0.94 (m, 12H), 0.87 (d, 5H).
실시예 3: 화합물 A3의 합성
화합물 A3의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A3(3.11g, 50.2%)을 수득한다. 3.11g의 조 생성물 A3을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A3(2.17g, 69.7%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1193.5(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3 ) δ 8.38 (d, J = 20.0 Hz, 2H), 7.94 (dd, 2H), 7.72 (m, J = 5.0 Hz, 2H), 7.55 (d, J = 15.0 Hz, 4H), 7.46 (m, 2H), 7.39 (m, 4H), 7.31 (m, 4H), 2.34 (s, 6H), 1.88 (m, 3H), 1.77 (t, J = 18.8 Hz,3H), 1.66 (m, J = 2.2 Hz, 5H), 1.31 (m, 4H), 1.24 (m, 4H), 1.01 (m, J = 5.7 Hz, 8H), 0.94 (m, 12H).
실시예 4: 화합물 A4의 합성
리간드 La1306의 합성:
화합물 La1306의 합성:
화합물 La385의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 406.4(M+H).
화합물 A4의 합성
화합물 A4-1의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A4의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A4(2.71g, 47.7%)를 수득한다. 2.71g의 조 생성물 A4를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A4(1.95g, 71.9%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1173.4(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3 ) δ 8.41(d, J = 20.0 Hz, 2H), 7.96 (dd, 2H), 7.75 (m, J = 5.0 Hz, 2H), 7.56 (d, J = 15.0 Hz, 4H), 7.47 (m, 2H), 7.40 (m, 4H), 7.33 (m, 4H), 2.63 (t, 2H), 2.43 (d, 1H), 2.34 (s, 6H), 1.85 (m, J= 32.9 Hz, 2H), 1.31 (m, 4H), 1.24 (m, 4H), 1.01 (m, J = 5.7 Hz, 5H), 0.94 (m, 12H), 0.87 (m, 6H).
실시예 5: 화합물 A5의 합성
리간드 La1의 합성:
화합물 La1의 합성:
화합물 La385의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 352.4(M+H).
화합물 A5의 합성
화합물 A5-1의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A5의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A5(2.88g, 49.2%)를 수득한다. 2.88g의 조 생성물 A5를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A5(2.03g, 70.4%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1135.5(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3 ) δ 8.36 (d, J = 15.0 Hz, 2H), 8.07 (d, J = 2.9 Hz, 2H), 7.98 (dd, J = 14.6, 3.4 Hz, 1H), 7.77 (d, J = 15.0 Hz, 2H), 7.54 (dd, J = 14.7, 3.4 Hz, 1H), 7.47 (dd, J = 14.9, 3.0 Hz, 2H), 7.38 (tt, J = 9.2, 4.5 Hz, 3H), 7.31 (td, J = 14.8, 3.4 Hz, 2H), 6.92 (d, J = 3.1 Hz, 2H), 2.87 (m, J = 6.5 Hz, 1H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 1.88 (m, 2H), 1.76 (m, 2H), 1.66 (m, J = 2.2 Hz, 4H), 1.52 (m, J = 30.0 Hz, 8H), 1.39 (m, 4H), 1.27 (d, J = 30.0 Hz, 3H), 1.20 (m, 6H), 1.00 (m, 5H), 0.87 (s, 12H).
실시예 6: 화합물 A6의 합성
화합물 A6의 합성
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A6(3.61g, 54.2%)을 수득한다. 3.61g의 조 생성물 A6을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A6(2.61g, 72.0%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1121.5(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3 ) δ 8.36 (d, J = 15.0 Hz, 2H), 8.07 (d, J = 2.9 Hz, 2H), 7.98 (dd, J = 14.6, 3.4 Hz, 1H), 7.77 (d, J = 15.0 Hz, 2H), 7.54 (dd, J = 14.7, 3.4 Hz, 1H), 7.47 (dd, J = 14.9, 3.0 Hz, 2H), 7.38 (tt, J = 9.2, 4.5 Hz, 3H), 7.31 (td, J = 14.8, 3.4 Hz, 2H), 6.92 (d, J = 3.1 Hz, 2H), 2.87 (m, 1H), 2.54 (d, 2H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 1.88 (d, J = 5.4 Hz, 4H), 1.83 - 1.73 (m, 8H), 1.67 (m, J = 16.1, 6.1 Hz, 10H), 1.31 (m, 4H), 1.20 (m, J = 2.6 Hz, 8H), 1.11 (m, 2H), 1.01 (m, J = 15.0 Hz, 6H).
실시예 7: 화합물 A7의 합성
리간드 L221의 합성:
화합물 L112의 합성:
화합물 L10-1(14.2g, 82.5mmol, 1.0eq), L10-2(25.5g, 82.5mmol, 1.0eq), 인산삼칼륨(35.0g, 165.0mmol, 2.0eq), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(1.51 g, 1.65mmol, 0.02eq)과 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐(2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl)(1.36g, 3.3mmol, 0.04eq)을 500ml 3구 플라스크에 넣고, 톨루엔(150ml), 탈이온수(30ml)를 첨가하며, 진공에서 질소로 3회 치환하고, 질소 보호 하에서 온도를 올려 환류 교반하여 밤새 반응시킨다. TLC 모니터링에서(현상제: 에틸 아세테이트/n-헥산=1/5), 원료 L10-2가 거의 소모되었다. 실온으로 냉각하고 층을 분리하고 유기상을 수집한다. 다시 에틸아세테이트(60ml)로 수상을 1회 추출하고, 유기상을 합하고 농축하여 황색 점성 액체를 수득하고, 칼럼 크로마토그래피 분리를 수행하고(용출제: 에틸아세테이트/n-헥산=1/15), 농축 건조하여 회백색 고체 화합물 L112(16.1g, 수율 71.5%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 275.3(M+H).
화합물 L221의 합성:
화합물 L112(16.1g, 58.6mmol, 1.0eq), 수소화나트륨(4.23g, 176.0mmol, 3.0eq), 중수소화 에탄올(160ml)을 500ml 3구 플라스크에 넣고, 진공에서 질소 치환을 3회 수행하고, 질소 보호 하에서 온도를 올려 환류 교반하여 48시간 동안 반응시킨다. 실온으로 냉각하고, 중수(100ml)를 첨가하며, 0.5시간 동안 교반한 후, 디클로로메탄(250ml)을 첨가하여 2회 추출하고, 하층 유기상을 수집하고, 스핀 건조시킨다. 다시 에틸아세테이트(60ml)로 수상을 1회 추출하고, 유기상을 합하고 농축하여 황색 점성 액체를 수득하고, 칼럼 크로마토그래피 분리를 수행하고(용출제: 에틸아세테이트/n-헥산=1/15), 농축 건조하여 회백색 고체 화합물 L221(10.1g, 수율 62.1%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 278.3(M+H).
화합물 A7의 합성
250ml 3구 플라스크에 화합물 A5-1(8.2g, 4.7mmol, 1.0eq)과 디클로로메탄(205ml)을 넣고 교반하여 용해시킨 후, 은트리플루오로메탄설포네이트(2.66g, 10.3mmol, 2.2 eq)를 이소프로판올(66.5ml)에 용해시키고, 질소 분위기 하에서 3구 플라스크에 점적하고, 실온에서 18시간 동안 교반하였다. 반응 현탁액을 규조토로 여과하여 은염을 제거하고 여액을 스핀 건조하여 주홍색 고체를 수득하며, 정제하지 않고 바로 다음 반응에 사용하였다. 수득한 고체를 깨끗한 250ml 3구 플라스크에 첨가하고, 화합물 L221(3.91g, 14.1mmol, 3.0eq)을 첨가한 다음, 에탄올(117ml)을 첨가하고, 진공에서 질소 치환을 3회 수행하고, 가열 환류시키고 밤새 교반하였다. TLC 모니터링(현상제: 에틸 아세테이트/n-헥산=1/5)에서 신규 생성물이 생성되었다. 반응물을 실온으로 냉각시키고, 여과하고, 필터 케이크를 소량의 에탄올로 헹군다. 수득한 고체를 디클로로메탄(160ml)과 교반 및 용해시킨 후, 실리카겔을 통해 여과하고, 필터 케이크를 소량의 DCM으로 헹구었다. 수득된 여액을 탈이온수로 3회(80ml/회) 세척하고, 분액하여 유기상을 수집하고 스핀 건조시켰다. 조 생성물을 테트라히드로푸란/메탄올(1g/8v/15v)로 4회 재결정하고 건조하여 적색 고체 화합물 A7(2.54g, 수율 48.3%)을 수득하였다. 2.54g의 조 생성물 A7을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A7(1.49g, 58.6%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1195.4(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3 ) δ 8.36 (d, 2H), 8.30 (d, J = 0.6 Hz, 2H), 8.23 (s, 1H), 8.07 (d, 1H), 7.98 (dd, 1H), 7.84 - 7.67 (m, 4H), 7.56 (m, J = 23.7 Hz, 2H), 7.46 (m, J = 5.2 Hz, 3H), 7.39 (m, 2H), 7.35 - 7.23 (m, 4H), 7.01 (d, 1H), 6.92 (d, 1H), 2.87 (m, 1H), 2.34 (m, J = 27.4, 17.4 Hz, 13H), 1.97 (m, J = 6.9 Hz,2H), 1.72 (m, J = 28.4, 21.6 Hz, 6H), 1.20 (d, 3H).
실시예 8: 화합물 A8의 합성
리간드 La199의 합성:
화합물 La199의 합성:
화합물 La385의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 380.5(M+H).
화합물 A8의 합성
화합물 A8-1의 합성:
화합물 A1-1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 714.2(M+H).
화합물 A8-2의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A8의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A8(3.77g, 56.2%)을 수득한다. 3.77g의 조 생성물 A8을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A8(2.41g, 63.9%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1195.5(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3 ) δ 8.37 (d, J = 20.0 Hz, 2H), 7.95 (dd, 2H), 7.77 (m, J = 5.0 Hz, 2H), 7.54 (d, J = 15.0 Hz, 4H), 7.46 (m, 2H), 7.37 (m, 3H), 7.30 (m, 4H), 2.43 (d, 2H), 2.35 (d, J = 10.0 Hz, 9H), 1.88 (m, 1H), 1.86 - 1.68 (m, 3H), 1.66 (m, 1H), 1.31 (m, 4H), 1.24 (m, 4H), 1.01 (m, J = 5.7 Hz, 6H), 0.94 (m, 12H), 0.87 (d, 6H).
실시예 9: 화합물 A9의 합성
리간드 La235의 합성:
화합물 La235의 합성:
화합물 La385의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 380.5(M+H).
화합물 A9의 합성
화합물 A9-1의 합성:
화합물 A1-1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 714.2(M+H).
화합물 A9-2의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A9의 합성:
참조 화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A9(3.02g, 49.7%)을 수득한다. 3.02g의 조 생성물 A9를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A9(2.15g, 71.1%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1195.5(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.39 (d, J = 20.0 Hz, 2H), 7.94 (dd, 2H), 7.75 (m, J = 5.0 Hz, 2H), 7.53(d, J = 15.0 Hz, 4H), 7.45 (m, 2H), 7.36(m, 4H), 7.32 (m, 3H), 2.69 (s, 3H), 2.43 (s, 2H), 2.34 (s,6H)., 1.88 (m, 1H), 1.86 -1.68 (m, 3H), 1.66 (m, 1H), 1.31 (m, 4H), 1.24 (m, 4H), 1.01 (m, J = 5.7 Hz, 6H), 0.94 (m, 12H), 0.87 (d, 6H).
실시예 10: 화합물 A10의 합성
리간드 La457의 합성:
화합물 La385의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 468.6(M+H).
화합물 A10의 합성
화합물 A10-1의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A10의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A10(2.88g, 42.1%)를 수득한다. 2.88g의 조 생성물 A10을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A10(1.77g, 61.4%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1171.5(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ8.36 (d, 2H), 8.07 (d, 2H), 7.98 (dd, 3H), 7.83 (d, 1H), 7.77 (m, 1H), 7.54 (m, 2H), 7.47 (d, 2H), 7.39 (m, 2H), 7.31 (m, 2H), 7.15 (d, 2H), 6.92 (d, 2H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 12H), 1.88 (m, 4H), 1.76 (m, 4H), 1.66 (m, J = 2.2 Hz, 7H), 1.31 (m, 4H), 1.24 (m, 4H), 1.01 (m, J = 5.7 Hz, 5H), 0.94 (m, 12H).
실시예 11: 화합물 A11의 합성
리간드 La397의 합성:
화합물 La385의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 420.6(M+H).
화합물 A11의 합성
화합물 A11-1의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A11의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A11(2.57g, 40.6%)을 수득한다. 2.88g의 조 생성물 A11을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A11(1.65g, 64.2%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1123.5(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.36 (d, 2H), 8.07 (d, 2H), 7.98 (dd, 2H), 7.77 (m, 2H), 7.50 (m, J = 35.0 Hz, 2H), 7.35 (m, J = 40.0 Hz, 4H), 6.92 (d, 2H), 2.87 (m, 1H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 1.88 (m, 4H), 1.82 - 1.55 (m, 12H), 1.27 (m, J = 35.0 Hz, 7H), 1.17 (m, 6H), 1.08 - 1.02 (m, 2H), 1.01 - 0.89 (m, 16H).
실시예 12: 화합물 A12의 합성
리간드 L144의 합성:
화합물 L50의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 317.4(M+H).
화합물 A12의 합성
화합물 A3-1의 합성:
화합물 A1-1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 714.2(M+H).
화합물 A12-1의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A12의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A12(2.93g, 51.3%)를 수득한다. 2.93g의 조 생성물 A12를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A12(1.86g, 63.4%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1196.4(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.36 (d, 2H), 7.98 (d, 2H), 7.77 (d, 2H), 7.65 (m, J = 25.0 Hz, 3H), 7.50 (m, J = 35.0 Hz, 3H), 7.35 (m, J = 40.0 Hz, 1H), 6.92 (s, 2H), 2.44 (s, 9H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 1.88 (m, 4H), 1.69 (t, J = 26.1 Hz, 12H), 1.27 (m, J = 35.0 Hz, 8H), 1.10 - 0.86 (m, 17H).
실시예 13: 화합물 A13의 합성
리간드 L222의 합성:
화합물 L50의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 224.3(M+H).
화합물 A13의 합성
화합물 A13-1의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A13의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A13(2.76g, 41.2%)을 수득한다. 2.76g의 조 생성물 A13을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A13(1.79g, 64.8%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1003.3(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.13 (d, 2H), 8.07 (d, 2H), 7.98 (dd, 1H), 7.77 (d, 1H), 7.66 (m, 1H), 7.50 (m, J = 35.0 Hz, 2H), 7.40 (m, J = 15.0 Hz, 4H), 7.31 (m, 1H), 6.92 (d, 2H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 1.88 (m, 2H), 1.76 (m, 2H), 1.66 (m, J = 2.2 Hz, 4H), 1.31 (m, 4H), 1.24 (m, 4H), 1.01 (m, J = 5.7 Hz, 4H), 0.94 (m, 12H).
실시예 14: 화합물 A14의 합성
리간드 L174의 합성:
화합물 L50의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 392.5(M+H).
화합물 A14의 합성
화합물 A14-1의 합성:
화합물 A1-1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 741.4(M+H)
화합물 A14-2의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A14의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A14(2.67g, 43.1%)를 수득한다. 2.67g의 조 생성물 A14를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A14(1.68g, 62.9%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1213.6(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.32 (d, 2H), 8.07 (d, 2H), 7.98 (dd, 2H), 7.80 (dd, J = 25.0 Hz, 2H), 7.51 (m, J = 25.0 Hz, 4H), 7.35 (m, J = 40.0 Hz, 3H), 7.16 (d, 2H), 6.92 (d, 2H), 2.87 (m, 1H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 12H), 1.88 (m, 4H), 1.76 (m, 4H), 1.66 (m, J = 2.2 Hz, 8H), 1.27 (m, J = 35.0 Hz, 8H), 1.17 (d, 6H), 1.01 (m, J = 5.7 Hz, 5H), 0.94 (m, 12H).
실시예 15: 화합물 A15의 합성
화합물 A15의 합성
화합물 A15의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A15(2.71g, 44.2%)를 수득한다. 2.71g의 조 생성물 A15를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A15(1.62g, 59.7%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1109.5(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.36 (d, J = 15.0 Hz, 2H), 8.07 (d, J = 2.9 Hz, 2H), 7.98 (dd, J = 14.6, 3.4 Hz, 1H), 7.77 (d, J = 15.0 Hz, 2H), 7.54 (dd, J = 14.7, 3.4 Hz, 1H), 7.47 (dd, J = 14.9, 3.0 Hz, 2H), 7.38 (tt, J = 9.2, 4.5 Hz, 3H), 7.31 (td, J = 14.8, 3.4 Hz, 2H), 6.92 (d, J = 3.1 Hz, 2H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 1.88 (m, 4H), 1.81 - 1.59 (m, 12H), 1.00 (m, J = 5.0 Hz, 18H), 0.89 (m, 9H), 0.86 (t, J = 3.5 Hz, 2H).
실시예 16: 화합물 A16의 합성
화합물 A16의 합성
화합물 A16의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A16(2.83g, 43.9%)을 수득한다. 2.83g의 조 생성물 A16을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A16(1.82g, 64.3%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1137.5(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.36 (d, J = 15.0 Hz, 2H), 8.07 (d, J = 2.9 Hz, 2H), 7.98 (dd, J = 14.6, 3.4 Hz, 1H), 7.77 (d, J = 15.0 Hz, 2H), 7.54 (dd, J = 14.7, 3.4 Hz, 1H), 7.47 (dd, J = 14.9, 3.0 Hz, 2H), 7.38 (tt, J = 9.2, 4.5 Hz, 3H), 7.31 (td, J = 14.8, 3.4 Hz, 2H), 6.92 (d, J = 3.1 Hz, 2H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 1.88 (m, 4H), 1.76 (m, 4H), 1.66 (m, J = 2.2 Hz, 8H), 1.00 (m, 15H), 0.89 (m, 18H).
실시예 17: 화합물 A17의 합성
리간드 L65의 합성:
화합물 L50의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 290.4(M+H).
화합물 A17의 합성
화합물 A17-1의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A17의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A17(3.16g, 46.1%)을 수득한다. 3.16g의 조 생성물 A17을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A17(2.23g, 70.5%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1097.5(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.60 (d, 1H), 8.36 (d, 1H), 8.07 (d, 1H), 7.96 (m, J = 15.0 Hz, 2H), 7.77 (dd, 2H), 7.66 (m, 2H), 7.50 (dd, J = 35.0 Hz, 2H), 7.44 - 7.26 (m, 3H), 7.19 (dd, 2H), 6.92 (s, 1H), 2.47 (d, 2H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 1.88 (m, 2H), 1.78 (m, J = 20.0 Hz, 3H), 1.66 (m, J = 2.2 Hz, 4H), 1.00 (m, J = 5.0 Hz, 16H), 0.88 (m, J = 15.0 Hz, 18H).
실시예 18: 화합물 A18의 합성
리간드 La493의 합성:
화합물 La385의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 434.6(M+H).
화합물 A18의 합성
화합물 A18-1의 합성:
화합물 A1-1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 768.4(M+H).
화합물 A18-2의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A18의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A18(3.41g, 43.8%)을 수득한다. 3.41g의 조 생성물 A18을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A18(2.33g, 68.3%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1153.6(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.60 (d, 1H), 8.07 (d, 1H), 7.96 (m, J = 15.0 Hz, 2H), 7.89 (dd, 2H), 7.66 (t, 1H), 7.54 (dd, 2H), 7.42 - 7.27 (m, 4H), 7.19 (dd, 2H), 6.92 (d, 1H), 2.47 (d, 4H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 1.88 (m, 2H), 1.78 (m, J = 20.0 Hz, 4H), 1.66 (m, J = 2.2 Hz, 4H), 1.00 (m, J = 5.0 Hz, 16H), 0.88 (m, J = 15.0 Hz, 24H).
실시예 19: 화합물 A19의 합성
리간드 La529의 합성:
화합물 La385의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 434.6(M+H).
화합물 A19의 합성
화합물 A19의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A19(3.03g, 41.4%)를 수득한다. 3.03g의 조 생성물 A19를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A19(1.83g, 60.3%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1153.6(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.60 (d, 1H), 8.39 (d, 1H), 8.07 (d, 1H), 7.96 (m, J = 15.0 Hz, 2H), 7.66 (m, 4H), 7.54 (dd, 2H), 7.44 - 7.24 (m, 3H), 7.21 (dd, 1H), 6.91 (d, 1H), 2.43 (d, 4H), 2.35 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 2.06 - 1.55 (m, 10H), 1.03 (m, J = 5.0 Hz, 16H), 0.86 (m, J = 15.0 Hz, 24H).
실시예 20: 화합물 A20의 합성
리간드 La1267의 합성:
화합물 L112의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 393.5(M+H).
화합물 A20의 합성
화합물 A20-1의 합성:
화합물 A1-1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 727.3(M+H).
화합물 A20-2의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A20의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A20(2.96g, 39.8%)을 수득한다. 2.96g의 조 생성물 A20을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A20(1.84g, 62.1%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1112.5(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.60 (d, 2H), 8.36 (d, 2H), 8.07 (d, 2H), 7.95 (dd, 1H), 7.71 (m, J = 55.0 Hz, 2H), 7.41 (m, J = 60.0 Hz, 2H), 7.19 (dd, 2H), 7.01 (d, 1H), 6.92 (d, 1H), 2.68 (s, 3H), 2.47 (d, 2H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 1.99 - 1.56 (m, 9H), 1.00 (m, J = 5.0 Hz, 16H), 0.94 - 0.80 (m, 18H).
실시예 21: 화합물 A21의 합성
리간드 La1307의 합성:
화합물 L221의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 396.5(M+H).
화합물 A21의 합성
화합물 A21-1의 합성:
화합물 A1-1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 730.3(M+H).
화합물 A21-2의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A21의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A21(2.53g, 38.1%)을 수득한다. 2.53g의 조 생성물 A21을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A21(1.62g, 64.0%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1115.5(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.62 (d, 2H), 8.35 (d, 2H), 8.10 (d, 2H), 7.94 (dd, 1H), 7.72 (m, J = 55.0 Hz, 2H), 7.41 (m, J = 60.0 Hz, 2H), 7.19 (dd, 2H), 7.01 (d, 1H), 6.92 (d, 1H), 2.47 (d, 2H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 1.99 - 1.56 (m, 9H), 1.00 (m, J = 5.0 Hz, 16H), 0.94 - 0.80 (m, 18H).
실시예 22: 화합물 A22의 합성
리간드 La386의 합성:
화합물 La385의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 394.5(M+H).
화합물 A22의 합성
화합물 A22-1의 합성:
화합물 A1-1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 728.4(M+H).
화합물 A22-2의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A22의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A22(2.66g, 40.1%)를 수득한다. 2.66g의 조 생성물 A22를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A22(1.84g, 69.1%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1113.5(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ8.60 (d, 1H), 8.45 (dd, 1H), 8.36 (dd, 1H), 8.07 (d, 1H), 7.95 (dd, 1H), 7.86 (dd, 1H), 7.77 (dd, 1H), 7.66 (m, 2H), 7.56 (m, 2H), 7.47 (m, 2H), 7.33 (m, J = 20.0 Hz, 2H), 7.19 (dd, 1H), 6.92 (d, 1H), 2.47 (d, 2H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 1.88 (m, 2H), 1.78 (m, J = 20.0 Hz, 3H), 1.66 (m, J = 2.2 Hz, 4H), 1.00 (m, J = 5.0 Hz, 16H), 0.88 (m, J = 15.0 Hz, 18H).
실시예 23: 화합물 A23의 합성
리간드 La387의 합성:
화합물 La385의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 441.4(M+H).
화합물 A23의 합성
화합물 A23-1의 합성:
화합물 A1-1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 775.3(M+H).
화합물 A23-2의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A23의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A23(2.31g, 36.1%)을 수득한다. 2.31g의 조 생성물 A23을 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A23(1.38g, 59.7%)을 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1160.4(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.60 (d, 1H), 8.45 (dd, 1H), 8.36 (dd, 1H), 8.07 (d, 1H), 7.95 (dd, 1H), 7.86 (dd, 1H), 7.77 (dd, 2H), 7.66 (m, 2H), 7.58 - 7.38 (m, 3H), 7.35 (d, 2H), 7.19 (d, 1H), 6.92 (d, 1H), 2.47 (d, 2H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 1.88 (m, 2H), 1.78 (m, J = 20.0 Hz, 3H), 1.66 (m, J = 2.2 Hz, 4H), 1.00 (m, J = 5.0 Hz, 16H), 0.88 (m, J = 15.0 Hz, 18H).
실시예 24: 화합물 A24의 합성
리간드 La388의 합성:
화합물 La385의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 441.4(M+H).
화합물 A24의 합성
화합물 A24-1의 합성:
화합물 A1-1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 738.4(M+H).
화합물 A24-2의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A24의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A24(2.41g, 40.3%)를 수득한다. 2.41g의 조 생성물 A24를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A24(1.55g, 64.3%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1123.5(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.60 (d, 1H), 8.36 (d, 1H), 8.07 (d, 1H), 7.92 (m, J = 25.0 Hz, 3H), 7.77 (d, 2H), 7.66 (m, 3H), 7.47 (d, 2H), 7.35 (d, 2H), 7.19 (dd, 1H), 6.92 (d, 1H), 2.47 (d, 2H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 1.88 (m, 2H), 1.78 (m, J = 20.0 Hz, 3H), 1.72 - 1.57 (m, 10H), 1.00 (m, J = 5.0 Hz, 16H), 0.88 (m, J = 15.0 Hz, 18H).
실시예 25: 화합물 A25의 합성
리간드 La389의 합성:
화합물 La385의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 391.5(M+H).
화합물 A25의 합성
화합물 A25-1의 합성:
화합물 A1-1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 질량 스펙트럼: 725.5(M+H).
화합물 A25-2의 합성:
화합물 A1-2의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 된다. 수득한 화합물은 정제 없이 곧바로 다음 단계에 사용한다.
화합물 A25의 합성:
화합물 A1의 합성 과정 및 후처리 정제 방법을 참조하며, 대응하는 원료만 변경하면 되고, 표적 화합물 A25(2.53g, 38.1%)을 수득한다. 2.61g의 조 생성물 A25를 승화 및 정제한 후 승화된 순수 A25(1.72g, 65.9%)를 수득하였다. 질량 스펙트럼: 1110.5(M+H). 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.60 (d, 1H), 8.52 (d, 1H), 8.35 (m, J = 10.0 Hz, 2H), 8.07 (d, 1H), 7.95 (dd, 2H), 7.77 (d, 2H), 7.66 (m, 2H), 7.52 - 7.31 (m, 3H), 7.16 (m, J = 25.0 Hz, 2H), 6.92 (d, 1H), 3.82 (s, 3H),2.47 (d, 2H), 2.32 (d, J = 15.0 Hz, 9H), 1.88 (m, 2H), 1.78 (m, J = 20.0 Hz, 3H), 1.66 (m, J = 2.2 Hz, 4H), 1.00 (m, J = 5.0 Hz, 15H), 0.88 (m, J = 15.0 Hz, 18H).
대응하는 재료를 선택하고, 동일 유사 방법을 이용해 합성, 승화에 사용하여 다른 화합물을 수득할 수 있다.
응용예: 유기 전계 발광 소자의 제작
50mm*50mm*1.0mm이고 ITO(100nm) 투명 전극을 가진 유리 기판을 에탄올에서 10분 동안 초음파 세척한 다음 150도에서 건조한 후 30분 동안 N2 플라즈마 처리를 수행한다. 세척한 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더 상에 장착한다. 먼저 다시 투명 전극선 일측이 있는 면 상에 투명 전극 코팅 방식에 따라 화합물 HATCN을 증착하여, 막 두께가 5nm인 박막을 형성하고, 이어서 한 층의 HTM1를 증착하여 60nm 두께의 박막을 형성한 후, HTM1 박막 상에 한 층의 HTM2를 증착하여 두께가 10nm인 박막을 형성한다. 그 다음 HTM2 막층 상에 다시 공증착의 모드를 채택하여 호스트 재료 CBP와 도핑 화합물(비교 화합물 X, 본 발명의 화합물 AX)을 증착하며, 막 두께는 30nm이고, 호스트 재료와 도핑 재료 비율은 90%:10%이다. 발광층 상이 다시 순차적으로 ETL 막층(25nm) LiQ 막층(1nm)을 증착한 후, 마지막으로 한 층의 금속 Al(100nm)을 전극으로 증착한다.
평가:
상기 소자에 대해 소자 성능 테스트를 수행하였으며, 각 실시예와 비교예에서 정전류 전원(Keithley 2400)을 사용하고 고정된 전류 밀도가 발광 소자를 흐르도록 하며 분광 복사계(CS 2000)를 사용하여 발광 파장 스펙트럼을 테스트하였다. 동시에 전압값과 테스트 밝기가 초기 밝기의 90%인 시간(LT90)을 측정하였다. 결과는 하기와 같다.
상기 표의 데이터 비교에서 알 수 있듯이, 본 발명의 화합물을 도펀트로 사용한 유기 전계 발광 소자는 비교 화합물에 비해 구동 전압, 발광 효율 및 소자 수명 측면에서 모두 더욱 우수한 성능을 나타낸다.
상기 결과는 본 발명의 화합물이 광전 화학 안정성이 높으며 색포화도와 발광 효율이 높고 소자 수명이 긴 장점이 있어 유기 전계 발광 소자에 응용할 수 있음을 나타낸다. 특히 적색 발광 도펀트로서 OLED 산업에 응용할 가능성이 있다.
Claims (15)
- 금속 착물에 있어서,
이는 Ir(La)(Lb)(Lc)의 일반식을 가지며, 여기에는 식 (1)로 표시되는 리간드 La가 포함되고,
여기에서 A1-A4 중 하나는 C-C 결합과 E 고리 연결이고, 하나는 C-금속 결합과 금속 연결이고, 하나는 CR4이고, 다른 하나는 CR0 또는 N이고; A5-A8 중 하나는 CR3이고 다른 3개는 독립적으로 CR0 또는 N으로 표시되고;
여기에서 R1-R2의 수는 최대 치환 수이고;
여기에서 R0-R4는 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1-C10 알킬, 치환 또는 비치환된 C3-C20 시클로알킬, 치환 또는 비치환된 C1-C10 헤테로알킬, 치환 또는 비치환된 C7-C30 아랄킬, 치환 또는 비치환된 C1-C10 알콕시, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐, 치환 또는 비치환된 C3-C30 알킬실릴, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴, 치환 또는 비치환된 C3-C30 헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 C3-C30 아릴실릴, 치환 또는 비치환된 C0-C20 아민, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노로부터 선택되고, 여기에서 R3 및 R4 중 적어도 하나는 수소가 아니며, A7이 CR0인 경우 R0은 F가 아니고;
여기에서 X는 독립적으로 O, S, Se, C(R)2, Si(R)2, NR, BR, POR로부터 선택되고; 여기에서 R은 독립적으로 치환된 또는 비치환된 C1-C10의 알킬 또는 알콕시, 치환된 또는 비치환된 C2-C30의 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴, 치환된 또는 비치환된 C1-C18 헤테로아릴로부터 선택되고;
상기 치환은 듀테륨, F, Cl, Br, C1-C4 알킬, C1-C4 알콕시, C3-C6 시클로알킬, C1-C4 알킬 치환의 아민, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노에 의한 치환이고,
상기 헤테로알킬 또는 헤테로아릴 중의 헤테로원자는 S, O, N 중 적어도 하나이고;
여기에서 점선은 금속 이리듐과 연결된 결합이고;
여기에서, La, Lb 및 Lc는 서로 상이하며, 이들 셋 중 임의의 2개는 서로 연결되어 다좌 리간드를 형성하거나, 3개는 하나의 기를 통해 연결되며, 여기에서 Lb 및 Lc는 1가 음이온형 2좌 리간드이고;
상기 서로 다른 점은 모핵 구조가 다르거나, 모핵 구조는 동일하지만 치환기가 다르거나, 모핵 구조가 동일하고 치환기가 동일하지만 치환기의 위치가 다른 것을 특징으로 하는 금속 착물. - 제1항에 있어서,
하기 식 (2)의 구조를 갖고,
여기에서 A는 CR0 또는 N이고, 여기에서 R0-R4는 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1-C10 알킬, 치환 또는 비치환된 C3-C20 시클로알킬, 치환 또는 비치환된 C1-C10 헤테로알킬, 치환 또는 비치환된 C7-C30 아랄킬, 치환 또는 비치환된 C1-C10 알콕시, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐, 치환 또는 비치환된 C3-C30 알킬실릴, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴, 치환 또는 비치환된 C3-C30 헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 C3-C30 아릴실릴, 치환 또는 비치환된 C0-C20 아민, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노로부터 선택되고, 여기에서 R3 및 R4 중 적어도 하나는 수소가 아니고,
X, Lb, Lc의 정의는 전술한 바와 같은 것을 특징으로 하는 금속 착물. - 제2항에 있어서,
여기에서 A는 CH 또는 N인 것을 특징으로 하는 금속 착물. - 제3항에 있어서,
여기에서 A는 N이고, R3 치환기는 N의 인접 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 금속 착물. - 제4항에 있어서,
여기에서 R3은 D, C1-C4 알킬 또는 하나의 D를 적어도 포함하는 C1-C4 알킬인 것을 특징으로 하는 금속 착물. - 제5항에 있어서,
여기에서 R3는 CD3인 것을 특징으로 하는 금속 착물 - 제2항에 있어서,
여기에서 R4 치환기의 위치는 금속 Ir-탄소 결합의 인접 위치이거나 금속 Ir-탄소 결합의 상대적 위치인 것을 특징으로 하는 금속 착물. - 제2항에 있어서,
하기 구조를 갖고,
여기에서 R1 및 R2는 최대 치환 수를 가지며, R1 및 R2는 독립적으로 수소, 치환된 또는 비치환된 C1-C6 알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C6 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C7-C20 아랄킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C30 헤테로아릴, 또는 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴로부터 선택되고, R1 및 R2 중 적어도 하나는 수소가 아니고;
R3 및 R4는 독립적으로 수소, 치환된 또는 비치환된 C1-C6 알킬, 치환된 또는 비치환된 C3-C10 시클로알킬로부터 선택되며, 여기에서 R3 및 R4 중 적어도 하나는 수소가 아니고;
여기에서 X는 독립적으로 O, S, Se, C(R)2, Si(R)2, NR로부터 선택되고; 여기에서 R은 독립적으로 치환된 또는 비치환된 C1-C10의 알킬 또는 알콕시, 치환된 또는 비치환된 C3-C30의 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 C6-C30 아릴로부터 선택되고;
상기 치환은 듀테륨, F, Cl, Br 또는 C1-C4 알킬에 의한 치환인 것을 특징으로 하는 금속 착물. - 제1항 내지 제8항에 있어서,
여기에서 X는 O, S, Se, NR, C(R)2이고, 여기에서 R은 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C8의 알킬로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 착물. - 제1항에 있어서,
여기에서 La는 독립적으로 하기 구조식 중 하나 또는 이들의 대응하는 부분 또는 완전 중수소화물 또는 대응하는 부분 또는 완전 플루오르화물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 착물.
- 제1항에 있어서,
여기에서 상기 Lb 및 Lc는 제10항 중의 La1-La1307 중 어느 하나 또는 이들에 대응하는 부분 또는 완전 중수소화물 또는 이들에 대응하는 부분 또는 완전 플루오르화물로부터 독립적으로 선택되고, La, Lb 및 Lc는 동시에 동일 번호의 구조가 아닌 것을 특징으로 하는 금속 착물. - 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
여기에서 상기 Lb 및 Lc는 하기 식(a) 내지 식(k) 구조 중 하나로부터 독립적으로 선택되고,
여기에서 점선은 금속 이리듐과 연결된 결합이고,
여기에서 Ra, Rb, Rc의 개수는 최대 치환 수이고,
Ra, Rb, Rc는 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1-C20 알킬, 치환 또는 비치환된 C3-C30 시클로알킬, 치환 또는 비치환된 C1-C30 헤테로알킬, 치환 또는 비치환된 C7-C30 아랄킬, 치환 또는 비치환된 C1-C20 알콕시, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴옥시, 치환 또는 비치환된 C2-C20의 알케닐, 치환 또는 비치환된 C3-C30 알킬실릴, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴, 치환 또는 비치환된 C3-C30 헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 C3-C30 아릴실릴, 치환 또는 비치환된 C0-C20 아민, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노, 또는 2개의 인접한 치환기에 의해 임의 연결되어 형성될 수 있는 고리 또는 축합 구조로부터 선택되고;
여기에서 상기 치환은 듀테륨, F, Cl, Br, C1-C10 알킬, C1-C10 알콕시, C3-C10 시클로알킬, C1-C10 알킬 치환된 아민, C6-C30 아릴, C7-C30 아르알킬, 시아노, 니트릴, 이소니트릴, 포스피노에 의한 치환이고;
상기 헤테로알킬 또는 헤테로아릴 중의 헤테로원자는 S, O, N 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 금속 착물. - 제12항에 있어서,
여기에서 Lb 및 Lc는 하기 구조식 또는 이들에 대응하는 부분 또는 완전 중수소화물 또는 이들에 대응하는 부분 또는 완전 플루오르화물로부터 독립적으로 선택되고, Lb 및 Lc는 동시에 동일 번호의 리간드가 아닌 것을 특징으로 하는 금속 착물.
- 전계 발광 소자에 있어서,
음극, 양극 및 음극과 양극 사이에 설치된 유기층을 포함하고, 상기 유기층 중 적어도 한 층은 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 상기 금속 착물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자. - 제14항에 있어서,
상기 유기층은 발광층이고, 상기 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 금속 착물은 발광층의 적색 발광 도펀트 재료로 사용되거나, 상기 유기층은 정공 주입층이고, 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 금속 착물은 정공 주입층 중의 정공 주입 재료로 사용되는 전계 발광 소자.
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