KR20230008679A - 적층체 - Google Patents

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KR20230008679A
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스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명에 따르면, 흑색 표시 시 비스듬하게 보았을 때의 광 누설 억제가 우수한 광학 필름을 얻기 위한 적층체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이를 위하여, 기재 및 광학 이방성층을 가지며, 광학 이방성층이 하기 식 (1), (2) 및 (3)을 만족하는 적층체를 제공한다.
Δn50(450) / Δn50(550) ≤ 1.00 (1)
1.00 ≤ Δn50(650) / Δn50(550) (2)
(여기서, Δn50(450), Δn50(550), Δn50(650)은 각각 파장 450㎚, 550㎚, 650㎚에 있어서, 진상축을 경사 중심축으로 하여 50도 경사지게 하여 측정했을 때에 얻어지는 위상차값으로부터 도출되는 복굴절이다)
nz ＞ nx ≒ ny (3)
(여기서, nx, ny는 기재 평면에 대하여 평행한 방향의 굴절률을 나타내고, nx와 ny는 각각 직교하고, nz는 nx 및 ny 모두 직교하는 방향의 굴절률을 나타낸다)

Description

적층체{LAMINATE}
본 발명은 적층체에 관한 것이다.
플랫 패널 표시 장치(FPD)에는 편광판 및 위상차판 등의 광학 필름을 포함하는 부재가 사용되고 있다. 이러한 광학 필름으로서, 중합성 액정 화합물, 광중합 개시제 및 용제를 포함하는 조성물을 기재 상에 도포함으로써 제조된 것이 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는 중합성 액정 화합물을 포함하는 조성물을 기재 상에 도포하고, 수직 배향시켜 중합함으로써 얻어지는 광학 필름이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2006-342332호 공보
그러나, 종래의 광학 필름은 흑색 표시 시 비스듬하게 보았을 때의 광 누설 억제가 충분하지 않았다.
본 발명은 이하의 발명을 포함한다.
[1] 기재 및 광학 이방성층을 가지며, 광학 이방성층이 하기 식 (1), (2) 및 (3)을 만족하는 적층체.
Δn50(450) / Δn50(550) ≤ 1.00 (1)
1.00 ≤ Δn50(650) / Δn50(550) (2)
(여기서, Δn50(450), Δn50(550), Δn50(650)은 각각 파장 450㎚, 550㎚, 650㎚에 있어서, 진상축을 경사 중심축으로 하여 50도 경사지게 하여 측정했을 때에 얻어지는 위상차값으로부터 도출되는 복굴절이다)
nz ＞ nx ≒ ny (3)
(여기서, nx, ny는 기재 평면에 대하여 평행한 방향의 굴절률을 나타내고, nx와 ny는 각각 직교하고, nz는 nx 및 ny 모두 직교하는 방향의 굴절률을 나타낸다)
[2] 광학 이방성층이 중합성 액정 화합물 및 광중합 개시제를 포함하는 조성물로부터 형성되는 [1]에 기재된 적층체.
[3] 기재와 광학 이방성층 사이에 배향막층을 갖고, 상기 배향막층이 폴리이미드, 폴리아미드 및 폴리아믹산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 [1] 또는 [2]에 기재된 적층체.
[4] 배향막층이 중합성 액정 화합물을 수직 배향시키는 배향 규제력을 갖는 [3]에 기재된 적층체.
[5] 편광판 (A), [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 적층체, 편광판 (B)의 순서대로 적층한 구성에 있어서, 편광판 (A)와 편광판 (B)의 흡수축이 직교하며, 다음 (a) 및 (b)의 모든 경우에 있어서도 편광판 (B)측으로부터 광을 입사하여 편광판 (A)측으로부터 투과광을 검출했을 때에 얻어지는 파장 550 nm에 있어서의 투과율 T가 하기 식 (D)를 만족하는, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 적층체:
(a) 적층체를 구성하는 기재의 면 내에 지상축이 존재하는 경우, 상기 기재를 편광판 (B)측에 배치하며, 기재의 지상축을 편광판 (B)의 흡수축과 평행하게 적층함
(b) 적층체를 구성하는 기재면 내에 지상축이 존재하지 않는 경우, 상기 기재를 편광판 (B)측에 배치함.
0.000 ＜ T ＜ 0.005 (D)
(여기서, 투과율 T는 편광판 (A)와 편광판 (B)의 흡수축을 평행하게 배치한 경우의 투과율을 100％로 했을 때의 값이다)
[6] 기재가 하기 식 (4)를 만족하는 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 적층체.
nx ＞ ny ≒ nz (4)
(여기서, nx, ny는 기재 평면에 대하여 평행한 방향의 굴절률을 나타내고, nx와 ny는 각각 직교하고, nz는 nx 및 ny 모두 직교하는 방향의 굴절률을 나타낸다)
[7] 기재가 하기 식 (5) 및 (6)을 만족하는 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 적층체.
Δn(450) / Δn(550) ≥ 1.00 (5)
1.00 ≥ Δn(650) / Δn(550) (6)
(여기서, Δn(450), Δn(550), Δn(650)은 각각 파장 450㎚, 550㎚, 650㎚에 있어서, 측정했을 때에 정면 위상차값으로부터 도출되는 복굴절이다)
[8] 기재가 하기 식 (7) 및 (8)을 만족하는 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 적층체.
Δn(450) / Δn(550) ≤ 1.00 (7)
1.00 ≤ Δn(650) / Δn(550) (8)
(여기서, Δn(450), Δn(550), Δn(650)은 상기와 동일한 의미를 나타낸다)
[9] 중합성 액정 화합물이 식 (A)로 표시되는 화합물인 [2] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 적층체.
Figure pat00001
[식 (A) 중,
X1은 산소 원자, 황 원자 또는 -NR1-을 나타내고, R1은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고,
Y1은 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 6 내지 12의 1가의 방향족 탄화수소기, 또는 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 3 내지 12의 1가의 방향족 복소환식기를 나타내고,
Q3 및 Q4는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 1 내지 20의 1가의 지방족 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 지환식 탄화수소기, 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 6 내지 20의 1가의 방향족 탄화수소기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, -NR2R3 또는 -SR2를 나타내거나, Q3 및 Q4가 서로 결합되어 이들이 각각 결합하는 탄소 원자와 함께 방향환 또는 방향족 복소환을 형성하고 있을 수도 있으며, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고,
D1 및 D2는 각각 독립적으로 단결합, -C(=O)-O-, -C(=S)-O-, -CR4R5-, -CR4R5-CR6R7-, -O-CR4R5-, -CR4R5-O-CR6R7-, -CO-O-CR4R5-, -O-CO-CR4R5-, -CR4R5-O-CO-CR6R7-, -CR4R5-CO-O-CR6R7- 또는 -NR4-CR5R6- 또는 -CO-NR4-를 나타내며,
R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고,
G1 및 G2는 각각 독립적으로 탄소수 5 내지 8의 2가의 지환식 탄화수소기를 나타내고, 상기 지환식 탄화수소기를 구성하는 메틸렌기는 산소 원자, 황 원자 또는 -NH-로 치환될 수도 있고, 상기 지환식 탄화수소기를 구성하는 메틴기는 제3급 질소 원자로 치환될 수도 있으며,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 1가의 유기기를 나타내고, L1 및 L2 중 적어도 한쪽은 중합성기를 갖는 유기기이다]
[10] 공정 (a1) 및 (a2)를 포함하는 적층체의 제조 방법.
공정 (a1): 기재에 식 (A)로 표시되는 중합성 액정 화합물을 포함하는 조성물을 도포하는 공정
공정 (a2): 도포된 상기 조성물을 건조하고, 광조사에 의해 경화하는 공정
[11] 공정 (b1), (b2) 및 (b3)을 포함하는 적층체의 제조 방법.
공정 (b1): 기재에 배향성 중합체를 도포하여 배향막층을 형성하는 공정
공정 (b2): 상기 배향막층 상에 식 (A)로 표시되는 중합성 액정 화합물을 포함하는 조성물을 도포하는 공정
공정 (b3); 도포된 상기 조성물을 건조하고, 광조사에 의해 경화하는 공정
[12] [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 적층체를 포함하는 편광판.
[13] [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 적층체를 구비한 표시 장치.
[14] [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 적층체의 광학 이방성층을, 점접착제를 개재하여 피전사 기재에 전사하여, 피전사 기재, 점접착제층 및 광학 이방성층을 포함하는 적층체를 얻는, 적층체의 제조 방법.
[15] 피전사 기재 및 광학 이방성층을 가지며, 광학 이방성층이 하기 식 (1), (2) 및 (3)을 만족하는 적층체.
Δn50(450) / Δn50(550) ≤ 1.00 (1)
1.00 ≤ Δn50(650) / Δn50(550) (2)
(여기서, Δn50(450), Δn50(550), Δn50(650)은 각각 파장 450㎚, 550㎚, 650㎚에 있어서, 진상축을 경사 중심축으로 하여 50도 경사지게 하여 측정했을 때에 얻어지는 위상차값으로부터 도출되는 복굴절이다)
nz ＞ nx ≒ ny (3)
(여기서, nx, ny는 기재 평면에 대하여 평행한 방향의 굴절률을 나타내고, nx와 ny는 각각 직교하고, nz는 nx 및 ny 모두 직교하는 방향의 굴절률을 나타낸다)
본 발명의 적층체에 의하면, 흑색 표시 시 비스듬하게 보았을 때의 광 누설 억제가 우수한 광학 필름이 얻어진다.
도 1은 본 발명의 적층체 일례를 도시하는 단면 모식도.
도 2는 본 발명의 적층체를 포함하는 편광판의 일례를 도시하는 단면 모식도.
도 3은 본 발명의 적층체를 구비한 액정 표시 장치의 일례를 도시하는 단면 모식도.
도 4는 본 발명의 적층체를 구비한 유기 EL 표시 장치의 일례를 도시하는 단면 모식도.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명을 설명한다.
본 발명은, 기재 및 광학 이방성층을 가지며, 광학 이방성층이 하기 식 (1), (2) 및 (3)을 만족하는 적층체이다. 본 발명의 적층체(이하, 본 적층체라고 하는 경우가 있다)는, 바람직하게는 조성 및 광학 특성이 동일한 1종류의 광학 이방성층을 갖는다.
Δn50(450) / Δn50(550) ≤ 1.00 (1)
1.00 ≤ Δn50(650) / Δn50(550) (2)
(여기서, Δn50(450), Δn50(550), Δn50(650)은 각각 파장 450㎚, 550㎚, 650㎚에 있어서, 진상축을 경사 중심축으로 하여 50도 경사지게 하여 측정했을 때에 얻어지는 위상차값으로부터 도출되는 복굴절이다)
nz ＞ nx ≒ ny (3)
(여기서, nx, ny는 기재 평면에 대하여 평행한 방향의 굴절률을 나타내고, nx와 ny는 각각 직교하고, nz는 nx 및 ny 모두 직교하는 방향의 굴절률을 나타낸다)
기재로서는 통상 투명 기재가 사용된다. 투명 기재란, 광, 특히 가시광을 투과할 수 있는 투광성을 갖는 기재를 의미하고, 투광성이란, 파장 380 내지 780㎚에 걸치는 광선에 대한 투과율이 80％ 이상으로 되는 특성을 의미한다. 구체적인 투명 기재로서는, 유리 및 투광성 수지 기재를 들 수 있고, 투광성 수지 기재가 바람직하다. 기재에는 통상 필름상의 것이 사용되고, 바람직하게는 롤상의 필름이 사용된다.
기재를 구성하는 수지로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 노르보르넨계 중합체 등의 폴리올레핀; 폴리비닐알코올; 폴리에틸렌테레프탈레이트; 폴리메타크릴산에스테르; 폴리아크릴산에스테르; 셀룰로오스에스테르; 폴리에틸렌나프탈레이트; 폴리카르보네이트; 폴리술폰; 폴리에테르술폰; 폴리에테르케톤; 폴리페닐렌술피드; 및 폴리페닐렌옥시드를 들 수 있다. 그 중에서도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 노르보르넨계 중합체 등의 폴리올레핀을 포함하는 기재가 바람직하다.
기재에는 표면 처리를 실시할 수도 있다. 표면 처리의 방법으로서는, 예를 들어 진공 하 또는 대기압 하에서, 코로나 또는 플라즈마에 의해 기재의 표면을 처리하는 방법, 기재 표면을 레이저 처리하는 방법, 기재 표면을 오존 처리하는 방법, 기재 표면을 비누화 처리하는 방법 또는 기재 표면을 화염 처리하는 방법, 기재 표면에 커플링제를 도포하는 방법, 프라이머 처리하는 방법, 반응성 단량체나 반응성을 갖는 중합체를 기재 표면에 부착시킨 후, 방사선, 플라즈마 또는 자외선을 조사하여 반응시키는 그라프트 중합법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 진공 하나 대기압 하에서, 기재 표면을 코로나 또는 플라즈마 처리하는 방법이 바람직하다.
코로나 또는 플라즈마에 의해 기재의 표면 처리를 행하는 방법으로서는, 대기압 근방의 압력 하에서, 대향한 전극간에 기재를 설치하고, 코로나 또는 플라즈마를 발생시켜 기재의 표면 처리를 행하는 방법, 대향한 전극간에 가스를 흘려 전극간에서 가스를 플라즈마화하고, 플라즈마화된 가스를 기재에 분사하는 방법, 및 저압 조건 하에서, 글로우 방전 플라즈마를 발생시켜 기재의 표면 처리를 행하는 방법을 들 수 있다.
그 중에서도, 대기압 근방의 압력 하에서, 대향한 전극간에 기재를 설치하고, 코로나 또는 플라즈마를 발생시켜 기재의 표면 처리를 행하는 방법, 또는 대향한 전극간에 가스를 흘려 전극간에서 가스를 플라즈마화하고, 플라즈마화된 가스를 기재에 분사하는 방법이 바람직하다. 이러한 코로나 또는 플라즈마에 의한 표면 처리는 통상 시판되고 있는 표면 처리 장치에 의해 행하여진다.
본 발명의 적층체가 갖는 광학 이방성층은, 하기 식 (1), (2) 및 (3)을 만족한다.
Δn50(450) / Δn50(550) ≤ 1.00 (1)
1.00 ≤ Δn50(650) / Δn50(550) (2)
(여기서, Δn50(450), Δn50(550), Δn50(650)은 각각 파장 450㎚, 550㎚, 650㎚에 있어서, 진상축을 경사 중심축으로 하여 50도 경사지게 하여 측정했을 때에 얻어지는 위상차값으로부터 도출되는 복굴절이다)
nz ＞ nx ≒ ny (3)
(여기서, nx, ny는 기재 평면에 대하여 평행한 방향의 굴절률을 나타내고, nx와 ny는 각각 직교하고, nz는 nx 및 ny 모두 직교하는 방향의 굴절률을 나타낸다)
식 (1) 및 식 (2)는, 광학 이방성층의 두께 방향(z 방향)에 있어서의 파장 분산성을 의미한다. Δn50(λ)은, 광학 이방성층을, 진상축을 경사 중심축으로 하여 50도 경사지게 하고, 파장 λ㎚로 측정시켰을 때에 얻어지는 위상차값 R50(λ) 및 광학 이방성층의 두께 d로부터, 하기 식 (z-1)에 의해 산출할 수 있다.
Δn50(λ) = R50(λ) / d (z-1)
식 (1) 및 식 (2)를 만족하는 것은, 장파장일수록 복굴절이 커지는 역파장 분산성을 나타낸다. 식 (3)은, 광학 이방성층이 포지티브 C 플레이트의 특성을 갖는 것을 나타낸다.
광학 이방성층은, 통상 용액을 도포하여 건조함으로써 얻어지는 코팅층이다. 당해 용액으로서는, 중합성 액정 화합물 및 광중합 개시제를 포함하는 조성물(이하, 광학 이방성층 형성용 조성물이라고 하는 경우가 있다)을 들 수 있다.
중합성 액정 화합물로서는, 예를 들어 식 (A)로 표시되는 화합물(이하 「화합물 (A)」라고 하는 경우가 있다)을 들 수 있다. 중합성 액정 화합물은 1종류일 수도 있고, 상이한 구조의 화합물을 복수 조합할 수도 있다.
화합물 (A)로서는, 일본 특허 공표 제2011-207765호 공보에 기재되어 있는 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는, 식 (A)로 표시되는 화합물도 들 수 있고, L1이 식 (A1)로 표시되는 기이며, L2가 식 (A2)로 표시되는 기인 식 (A)로 표시되는 화합물이 바람직하다.
Figure pat00002
[식 (A) 중,
X1은 산소 원자, 황 원자 또는 -NR1-을 나타내고, R1은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고,
Y1은 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 6 내지 12의 1가의 방향족 탄화수소기, 또는 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 3 내지 12의 1가의 방향족 복소환식기를 나타내고,
Q3 및 Q4는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 1 내지 20의 1가의 지방족 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 1가의 지환식 탄화수소기, 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 6 내지 20의 1가의 방향족 탄화수소기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, -NR2R3 또는 -SR2를 나타내거나, Q3 및 Q4가 서로 결합되어 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 방향환 또는 방향족 복소환을 형성하고, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고,
D1 및 D2는 각각 독립적으로 단결합, -C(=O)-O-, -C(=S)-O-, -CR4R5-, -CR4R5-CR6R7-, -O-CR4R5-, -CR4R5-O-CR6R7-, -CO-O-CR4R5-, -O-CO-CR4R5-, -CR4R5-O-CO-CR6R7-, -CR4R5-CO-O-CR6R7- 또는 -NR4-CR5R6- 또는 -CO-NR4-를 나타내며,
R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고,
G1 및 G2는 각각 독립적으로 탄소수 5 내지 8의 2가의 지환식 탄화수소기를 나타내고, 상기 지환식 탄화수소기를 구성하는 메틸렌기는 산소 원자, 황 원자 또는 -NH-로 치환될 수도 있고, 상기 지환식 탄화수소기를 구성하는 메틴기는 제3급 질소 원자로 치환될 수도 있으며,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 1가의 유기기를 나타내고, L1 및 L2 중 적어도 한쪽은 중합성기를 갖는다]
Figure pat00003
[식 (A1) 및 식 (A2) 중,
B1, B2, E1 및 E2는 각각 독립적으로 -CR4R5-, -CH2-CH2-, -O-, -S-, -CO-O-, -O-CO-O-, -CS-O-, -O-CS-O-, -CO-NR1-, -O-CH2-, -S-CH2- 또는 단결합을 나타내고,
A1 및 A2는 각각 독립적으로 탄소수 5 내지 8의 2가의 지환식 탄화수소기 또는 탄소수 6 내지 18의 2가의 방향족 탄화수소기를 나타내고, 상기 지환식 탄화수소기를 구성하는 메틸렌기는 산소 원자, 황 원자 또는 -NH-로 치환될 수도 있고, 상기 지환식 탄화수소기를 구성하는 메틴기는 제3급 질소 원자로 치환될 수도 있으며,
k 및 l은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수를 나타내고,
F1 및 F2는 탄소수 1 내지 12의 2가의 지방족 탄화수소기를 나타내고,
P1은 중합성기를 나타내며,
P2는 수소 원자 또는 중합성기를 나타내고,
R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타낸다]
광학 이방성층 형성용 조성물에 있어서의 중합성 액정 화합물의 함유량은, 광학 이방성층 형성용 조성물 100질량부에 대하여, 통상 5질량부 내지 50질량부이며, 바람직하게는 10질량부 내지 30질량부이다.
광중합 개시제로서는, 예를 들어 광조사에 의해 라디칼을 발생하는 것을 들 수 있다.
광중합 개시제로서는, 벤조인 화합물, 펜조페논 화합물, 벤질케탈 화합물, α-히드록시케톤 화합물, α-아미노케톤 화합물, α-아세토페논 화합물, 트리아진 화합물, 요오도늄염 및 술포늄염을 들 수 있다. 구체적으로는, 이르가큐어(Irgacure)(등록 상표) 907, 이르가큐어 184, 이르가큐어 819, 이르가큐어 250, 이르가큐어 369(이상, 모두 바스프(BASF) 재팬 가부시끼가이샤제), 세이크올(등록 상표) BZ, 세이크올 Z, 세이크올 BEE(이상, 모두 세꼬 가가꾸 가부시끼가이샤제), 가야큐어(kayacure)(등록 상표) BP100(닛본 가야꾸 가부시끼가이샤제), 가야큐어 651 UVI-6992(다우사제), 아데카 옵토머(등록 상표) SP-152, 아데카 옵토머 SP-170(이상, 모두 가부시끼가이샤 아데카(ADEKA)제), TAZ-A, TAZ-PP(이상, 닛본 시이벨 헤그너사제) 및 TAZ-104(산와 케미컬사제) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, α-아세토페논 화합물이 바람직하고,α-아세트페논 화합물로서는, 2-메틸-2-모르폴리노-1-(4-메틸술파닐페닐)프로판-1-온, 2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-2-벤질부탄-1-온 및 2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-2-(4-메틸페닐메틸)부탄-1-온 등을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 2-메틸-2-모르폴리노-1-(4-메틸술파닐페닐)프로판-1-온 및 2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-2-벤질부탄-1-온을 들 수 있다. α-아세토페논 화합물의 시판품으로서는, 이르가큐어(등록 상표) 369, 379EG, 907(이상, 바스프 재팬(주)제) 및 세이크올(등록 상표) BEE(세꼬 가가꾸사제) 등을 들 수 있다.
광중합 개시제는, 중합성 액정 화합물 100질량부에 대하여, 통상 0.1질량부 내지 30질량부이며, 바람직하게는 0.5질량부 내지 10질량부이다. 상기 범위 내이면, 중합성 액정 화합물의 액정 배향을 흐트러뜨리지 않고, 중합성 액정 화합물을 중합시킬 수 있다.
광학 이방성층 형성용 조성물은 중합 금지제, 광증감제, 레벨링제, 키랄제, 반응성 첨가제, 용제 등을 더 포함할 수도 있다.
[중합 금지제]
광학 이방성층 형성용 조성물은, 중합성 액정 화합물의 중합 반응을 컨트롤하기 위하여, 중합 금지제를 포함하고 있을 수도 있다.
중합 금지제로서는, 히드로퀴논 및 알킬에테르 등의 치환기를 갖는 히드로퀴논류; 부틸카테콜 등의 알킬에테르 등의 치환기를 갖는 카테콜류; 피로갈롤류, 2,2,6,6-테트라메틸-1-페피리디닐옥시 라디칼 등의 라디칼 보충제; 티오페놀류; β-나프틸아민류 및 β-나프톨류를 들 수 있다.
광학 이방성층 형성용 조성물에 있어서의 중합 금지제의 함유량은, 중합성 액정 화합물 100질량부에 대하여, 통상 0.1질량부 내지 30질량부이며, 바람직하게는 0.5질량부 내지 10질량부이다. 상기 범위 내이면, 중합성 액정 화합물의 액정 배향을 흐트러뜨리지 않고, 중합할 수 있다.
[광증감제]
광증감제로서는, 크산톤, 티오크산톤 등의 크산톤류; 안트라센 및 알킬에테르 등의 치환기를 갖는 안트라센류; 페노티아진; 루브렌을 들 수 있다.
광증감제를 사용함으로써, 광중합 개시제를 고감도화할 수 있다. 광증감제의 함유량은, 중합성 액정 화합물 100질량부에 대하여, 통상 0.1질량부 내지 30질량부이며, 바람직하게는 0.5질량부 내지 10질량부이다.
[레벨링제]
레벨링제로서는, 유기 변성 실리콘오일계, 폴리아크릴레이트계 및 퍼플루오로알킬계의 레벨링제를 들 수 있다. 구체적으로는, DC3PA, SH7PA, DC11PA, SH28PA, SH29PA, SH30PA, ST80PA, ST86PA, SH8400, SH8700, FZ2123(이상, 모두 도레이·다우코닝(주)제), KP321, KP323, KP324, KP326, KP340, KP341, X22-161A, KF6001(이상, 모두 신에쯔 가가꾸 고교(주)제), TSF400, TSF401, TSF410, TSF4300, TSF4440, TSF4445, TSF-4446, TSF4452, TSF4460(이상, 모두 모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈 재팬 고도 가이샤제), 플루오리너트(fluorinert)(등록 상표) FC-72, 플루오리너트 FC-40, 플루오리너트 FC-43, 플루오리너트 FC-3283(이상, 모두 스미토모 쓰리엠(주)제), 메가팩(등록 상표) R-08, 메가팩 R-30, 메가팩 R-90, 메가팩 F-410, 메가팩 F-411, 메가팩 F-443, 메가팩 F-445, 메가팩 F-470, 메가팩 F-477, 메가팩 F-479, 메가팩 F-482, 메가팩 F-483(이상, 모두 DIC(주)제), 에프톱(상품명) EF301, 동일 EF303, 동일 EF351, 동일 EF352(이상, 모두 미쯔비시 머티리얼 덴시 가세이(주)제), 서플론(등록 상표) S-381, 서플론 S-382, 서플론 S-383, 서플론 S-393, 서플론 SC-101, 서플론 SC-105, KH-40, SA-100(이상, 모두 AGC 세이미 케미칼(주)제), 상품명 E1830, 동일 E5844((주) 다이킨 파인케미컬 겐꾸쇼제), BM-1000, BM-1100, BYK-352, BYK-353 및 BYK-361N(모두 상품명: BM Chemie사제)을 들 수 있다. 2종 이상의 레벨링제를 조합할 수도 있다.
레벨링제를 사용함으로써, 보다 평활한 적층체 광학 이방성층을 형성할 수 있다. 또한, 광학 이방성층의 제조 과정에서, 광학 이방성층 형성용 조성물의 유동성을 제어하거나, 광학 이방성층의 가교 밀도를 조정하거나 할 수 있다. 레벨링제의 함유량은, 중합성 액정 화합물 100질량부에 대하여, 통상 0.1질량부 내지 30질량부이며, 바람직하게는 0.1질량부 내지 10질량부이다.
[키랄제]
키랄제로서는 공지의 키랄제(예를 들어 액정 디바이스 핸드북, 제3장 4-3항, TN, STN용 키랄제, 199페이지, 일본 학술진흥회 제142 위원회 편, 1989에 기재)를 예시할 수 있다.
키랄제는, 일반적으로 비대칭 탄소 원자를 포함하지만, 비대칭 탄소 원자를 포함하지 않는 축성 비대칭 화합물 또는 면성 비대칭 화합물도 키랄제로서 사용할 수 있다. 축성 비대칭 화합물 또는 면성 비대칭 화합물로서는, 비나프틸, 헬리센, 파라시클로판 및 이들의 유도체를 들 수 있다.
구체적으로는, 일본 특허 공개 제2007-269640호 공보, 일본 특허 공개 제2007-269639호 공보, 일본 특허 공개 제2007-176870호 공보, 일본 특허 공개 제2003-137887호 공보, 일본 특허 공표 제2000-515496호 공보, 일본 특허 공개 제2007-169178호 공보 및 일본 특허 공표(평)9-506088호 공보에 기재되어 있는 바와 같은 화합물을 들 수 있고, 바람직하게는 바스프 재팬(주)제의 paliocolor(등록 상표) LC756이다.
키랄제의 함유량은, 중합성 액정 화합물 100질량부에 대하여, 통상 0.1질량부 내지 30질량부이며, 바람직하게는 1.0질량부 내지 25질량부이다. 상기 범위 내이면, 중합성 액정 화합물을 중합할 때에, 상기 중합성 액정 화합물의 액정 배향을 흐트러뜨리는 것을 보다 억제할 수 있다.
[반응성 첨가제]
반응성 첨가제로서는, 그의 분자 내에 탄소-탄소 불포화 결합과 활성 수소 반응성기를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 여기에서 말하는 「활성 수소 반응성기」란, 카르복실기(-COOH), 수산기(-OH), 아미노기(-NH2) 등의 활성 수소를 갖는 기에 대하여 반응성을 갖는 기를 의미하고, 글리시딜기, 옥사졸린기, 카르보디이미드기, 아지리딘기, 이미드기, 이소시아나토기, 티오이소시아나토기, 무수 말레산기 등이 그의 대표예이다.
반응성 첨가제에 있어서, 활성 수소 반응성기는 적어도 2개 존재하면 바람직하고, 이 경우 복수 존재하는 활성 수소 반응성기는 동일할 수도 있고, 상이한 것일 수도 있다.
반응성 첨가제가 갖는 탄소-탄소 불포화 결합이란, 탄소-탄소 이중 결합 또는 탄소-탄소 삼중 결합, 또는 그들의 조합일 수도 있지만, 탄소-탄소 이중 결합이면 바람직하다. 그 중에서도, 반응성 첨가제로서는, 비닐기 및/또는 (메트)아크릴기로서 탄소-탄소 불포화 결합을 포함하면 바람직하다. 또한, 활성 수소 반응성기가 에폭시기, 글리시딜기 및 이소시아나토기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하고, 아크릴기와 이소시아나토기를 갖는 반응성 첨가제가 특히 바람직하다.
반응성 첨가제의 구체예로서는, 메타크릴옥시글리시딜에테르나 아크릴옥시 글리시딜에테르 등의, (메트)아크릴기와 에폭시기를 갖는 화합물; 옥세탄아크릴레이트나 옥세탄메타크릴레이트 등의, (메트)아크릴기와 옥세탄기를 갖는 화합물; 락톤아크릴레이트나 락톤메타크릴레이트 등의, (메트)아크릴기와 락톤기를 갖는 화합물; 비닐옥사졸린이나 이소프로페닐옥사졸린 등의, 비닐기와 옥사졸린기를 갖는 화합물; 이소시아나토메틸아크릴레이트, 이소시아나토메틸메타크릴레이트, 2-이소시아나토에틸아크릴레이트 및 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트 등의, (메트)아크릴기와 이소시아나토기를 갖는 화합물의 올리고머 등을 들 수 있다. 또한, 메타크릴산 무수물, 아크릴산 무수물, 무수 말레산 및 비닐 무수 말레산 등의, 비닐기나 비닐렌기와 산 무수물을 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 메타크릴옥시 글리시딜에테르, 아크릴옥시글리시딜에테르, 이소시아나토메틸아크릴레이트, 이소시아나토메틸메타크릴레이트, 비닐옥사졸린, 2-이소시아나토에틸아크릴레이트, 2-이소시아나토에틸메타크릴레이트 및 상기한 올리고머가 바람직하고, 이소시아나토 메틸아크릴레이트, 2-이소시아나토에틸아크릴레이트 및 상기한 올리고머가 특히 바람직하다.
여기에서 활성 수소 반응성기로서 이소시아나토기를 갖고, 반응성 첨가제로서 보다 바람직한 것을 구체적으로 나타낸다. 이 바람직한 반응성 첨가제는 예를 들어, 하기 식 (Y)로 표시된다.
Figure pat00004
[식 (Y) 중,
n은 1 내지 10까지의 정수를 나타내고, R1'는 탄소수 2 내지 20의 2가의 지방족 또는 지환식 탄화수소기, 또는 탄소수 5 내지 20의 2가의 방향족 탄화수소기를 나타내고, 각 반복 단위에 있는 2개의 R2'는 한쪽이 -NH-이며, 다른 쪽이 >N-C(=O)-R3'로 표현되는 기이고, R3'는 수산기 또는 탄소-탄소 불포화 결합을 갖는 기를 나타내며,
식 (Y) 중의 R3' 중 적어도 하나의 R3'는 탄소-탄소 불포화 결합을 갖는 기이다]
상기 식 (Y)로 표시되는 반응성 첨가제 중에서도, 하기 식 (YY)로 표시되는 화합물(이하, 경우에 따라 「화합물 (YY)」라고 한다)이 특히 바람직한 것이다(또한, n은 상기와 동일한 의미이다).
Figure pat00005
화합물 (YY)에는, 시판품을 그대로 또는 필요에 따라 정제하여 사용할 수 있다. 시판품으로서는, 예를 들어 라로머(Laromer; 등록 상표) LR-9000(바스프사제) 등을 들 수 있다.
반응성 첨가제의 함유량은, 중합성 액정 화합물 100질량부에 대하여, 통상 0.1질량부 내지 30질량부이며, 바람직하게는 0.1질량부 내지 5질량부이다.
[용제]
광학 이방성층 형성용 조성물은, 광학 이방성층의 제조의 조작성을 양호하게 하기 위하여 용제, 특히 유기 용제를 포함하는 것이 바람직하다. 유기 용제로서는, 중합성 액정 화합물 등의 광학 이방성층 형성용 조성물의 구성 성분을 용해할 수 있는 유기 용제가 바람직하고, 중합성 액정 화합물 등의 광학 이방성층 형성용 조성물의 구성 성분을 용해할 수 있는 용제이며, 중합성 액정 화합물의 중합 반응에 불활성인 용제가 보다 바람직하다. 구체적으로는, 메탄올, 에탄올, 에틸렌글리콜, 이소프로필알코올, 프로필렌글리콜, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 페놀 등의 알코올 용제; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 락트산에틸 등의 에스테르 용제; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 메틸아밀케톤, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤 용제; 펜탄, 헥산, 헵탄 등의 비염소화 지방족 탄화수소 용제; 톨루엔, 크실렌 등의 비염소화 방향족 탄화수소 용제; 아세토니트릴 등의 니트릴 용제; 테트라히드로푸란, 디메톡시에탄 등의 에테르 용제; 및 클로로포름, 클로로벤젠 등의 염소화탄화수소 용제를 들 수 있다. 2종 이상의 유기 용제를 조합하여 사용할 수도 있다. 그 중에서도, 알코올 용제, 에스테르 용제, 케톤 용제, 비염소화 지방족 탄화수소 용제 및 비염소화 방향족 탄화수소 용제가 바람직하다.
광학 이방성층 형성용 조성물은 중합성 액정 화합물 (A)와는 상이한 화합물을 더 포함하고 있을 수도 있다.
화합물 (A)와는 상이한 중합성 액정 화합물로서는, 예를 들어 식 (X)로 표시되는 기를 포함하는 화합물(이하 「화합물 (X)」라고 하는 경우가 있다)을 들 수 있다. 중합성 액정 화합물은 1종류일 수도 있고, 상이한 구조의 화합물을 복수 조합할 수도 있다.
Figure pat00006
[식 (X) 중 P11은 중합성기를 나타내고,
A11은 2가의 지환식 탄화수소기 또는 2가의 방향족 탄화수소기를 나타내며, 상기 2가의 지환식 탄화수소기 및 2가의 방향족 탄화수소기에 포함되는 수소 원자는, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 시아노기 또는 니트로기로 치환될 수도 있고, 상기 탄소수 1 내지 6의 알킬기 및 상기 탄소수 1 내지 6의 알콕시기에 포함되는 수소 원자는, 불소 원자로 치환될 수도 있으며,
B11은 -O-, -S-, -CO-O-, -O-CO-, -O-CO-O-, -CO-NR16-, -NR16-CO-, -CO-, -CS- 또는 단결합을 나타내고, R16은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내며,
B12 및 B13은 각각 독립적으로 -C≡Ｃ-, -CH=CH-, -CH2-CH2-, -O-, -S-, -C(=O)-, -C(=O)-O-, -O-C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -CH=N-, -N=CH-, -N=N-, -C(=O)-NR16-, -NR16-C(=O)-, -OCH2-, -OCF2-, -CH2O-, -CF2O-, -CH=CH-C(=O)-O-, -O-C(=O)-CH=CH- 또는 단결합을 나타내고,
E11은 탄소수 1 내지 12의 알칸디일기를 나타내고, 상기 알칸디일기에 포함되는 수소 원자는, 탄소수 1 내지 5의 알콕시기로 치환될 수도 있고, 상기 알콕시기에 포함되는 수소 원자는, 할로겐 원자로 치환될 수도 있다. 또한, 상기 알칸디일기를 구성하는 -CH2-는 -O- 또는 -CO-로 치환될 수도 있다]
A11로 표시되는 2가의 방향족 탄화수소기 및 2가의 지환식 탄화수소기의 탄소수는 3 내지 18의 범위인 것이 바람직하고, 5 내지 12의 범위인 것이 보다 바람직하고, 5 또는 6인 것이 특히 바람직하다. A11로서는 시클로헥산-1,4-디일기, 1, 4-페닐렌기가 바람직하다.
E11로 표시되는 탄소수 1 내지 12의 알칸디일기로서는, 직쇄상의 탄소수 1 내지 12의 알칸디일기가 바람직하다. 탄소수 1 내지 12의 알칸디일기를 구성하는 -CH2-는 -O-로 치환될 수도 있다.
구체적으로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로판-1,3-디일기, 부탄-1,4-디일기, 펜탄-1,5-디일기, 헥산-1,6-디일기, 헵탄-1,7-디일기, 옥탄-1,8-디일기, 노난-1, 9-디일기, 데칸-1,10-디일기, 운데칸-1,11-디일기 및 도데칸-1,12-디일기 등의 탄소수 1 내지 12의 직쇄상 알칸디일기; -CH2-CH2-O-CH2-CH2-, -CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-CH2-CH2- 및 -CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-CH2-CH2- 등을 들 수 있다.
B11로서는 -O-, -S-, -CO-O-, -O-CO-가 바람직하고, 그 중에서도 -CO-O-가 보다 바람직하다.
B12 및 B13으로서는 각각 독립적으로 -O-, -S-, -C(=O)-, -C(=O)-O-, -O-C(=O)-, -O-C(=O)-O-가 바람직하고, 그 중에서도 -O- 또는 -O-C(=O)-O-가 보다 바람직하다.
P11로 표시되는 중합성기로서는, 광중합 반응이 용이하다는 점에서, 라디칼 중합성기 또는 양이온 중합성기가 바람직하고, 취급이 용이한 데다가 중합성 액정 화합물의 제조 자체도 용이한 점에서, 중합성기는 다음의 식 (P-11) 내지 식 (P-15)로 표시되는 기인 것이 바람직하다.
Figure pat00007
[식 (P-11) 내지 (P-15) 중,
R17 내지 R21은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 수소 원자를 나타낸다]
식 (P-11) 내지 식 (P-13)으로 표시되는 기의 구체예로서는, 하기 식 (P-16) 내지 식 (P-20)으로 표시되는 기를 들 수 있다.
Figure pat00008
P11은 식 (P-14) 내지 식 (P-20)으로 표시되는 기인 것이 바람직하고, 비닐기, p-스틸벤기, 에폭시기 또는 옥세타닐기가 보다 바람직하다.
P11-B11-로 표시되는 기가 아크릴로일옥시기 또는 메타크릴로일옥시기인 것이 더욱 바람직하다.
화합물 (X)로서는, 식 (I), 식 (II), 식 (III), 식 (IV), 식 (V) 또는 식 (VI)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure pat00009
(식 중,
A12 내지 A14는 각각 독립적으로 A11과 동의이며, B14 내지 B16은 각각 독립적으로 B12와 동의이며, B17은 B11과 동의이며, E12는 E11과 동의이고,
F11은 수소 원자, 탄소수 1 내지 13의 알킬기, 탄소수 1 내지 13의 알콕시기, 시아노기, 니트로기, 트리플루오로메틸기, 디메틸아미노기, 히드록시기, 메틸올기, 포르밀기, 술포기(-SO3H), 카르복시기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시카르보닐기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 상기 알킬기 및 알콕시기를 구성하는 -CH2-는 -O-로 치환될 수도 있다)
화합물 (X)의 구체예로서는, 액정 편람(액정 편람 편집 위원회편, 마루젠(주) 2000년 10월 30일 발행)의 「3.8.6 네트워크(완전 가교형)」, 「6.5.1 액정 재료 b. 중합성 네마틱 액정 재료」에 기재된 화합물 중에서 중합성기를 갖는 화합물, 일본 특허 공개 제2010-31223호 공보, 일본 특허 공개 제2010-270108호 공보, 일본 특허 공개 제2011-6360호 공보 및 일본 특허 공개 제2011-207765호 공보 기재의 중합성 액정 화합물을 들 수 있다.
화합물 (X)의 구체예로서는, 하기 식 (I-1) 내지 식 (I-4), 식 (II-1) 내지 식 (II-4), 식 (III-1) 내지 식 (III-26), 식 (IV-1) 내지 식 (IV-26), 식 (V-1) 내지 식 (V-2) 및 식 (VI-1) 내지 식 (VI-6)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 또한, 하기 식 중, k1 및 k2는 각각 독립적으로 2 내지 12의 정수를 나타낸다. 이들 화합물 (X)는, 그 합성의 용이함 또는 입수의 용이함 면에서, 바람직하다.
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
Figure pat00013
Figure pat00014
Figure pat00015
Figure pat00016
Figure pat00017
Figure pat00018
화합물 (X)와, 화합물 (A)의 혼합량을 조정함으로써, 본 발명의 적층체의 파장 분산 특성을 제어할 수 있다. 광학 이방성층 형성용 조성물에 있어서의 화합물 (X)의 함유량은, 광학 이방성층 형성용 조성물 100질량부에 대하여, 통상 5질량부 내지 50질량부이며, 바람직하게는 5질량부 내지 10질량부이다.
광학 이방성층 형성용 조성물에 있어서의, 화합물 (X)의 함유량은, 화합물 (A) 100질량부에 대하여 통상 0부 내지 50부이며, 바람직하게는 0부 내지 10부이다.
광학 이방성층에 포함되는 중합성 액정 화합물을 배향시키기 위해서는, 기재 상에 광학 이방성층 형성용 조성물을 도포하면 되지만, 배향막층을 사용할 수도 있다. 즉, 본 발명의 적층체는, 기재 및 광학 이방성층의 사이에 배향막층을 가질 수도 있다.
본 발명에 있어서의 배향막층은, 광학 이방성층 형성용 조성물에 용해되지 않고, 광학 이방성층 형성용 조성물에 포함되는 용제의 제거나 중합성 액정 화합물의 액정 배향을 조정하기 위한 가열로 변질되지 않아, 적층체 반송 시의 마찰 등에 의한 박리가 일어나지 않는 것이 바람직하다.
일반적으로, 배향막층을 형성하는 방법으로서는, 기재 표면에 배향성 중합체를 도포하여 건조하는 방법, 배향성 중합체를 도포하고 건조하여 그의 표면을 러빙하는 방법, 광배향성 중합체를 도포하고 건조하여 편광을 조사하는 방법, 산화규소를 사방 증착하는 방법, 및 랭뮤어 블로젯법(LB법)을 사용하여 장쇄 알킬기를 갖는 단분자막을 형성하는 방법 등을 들 수 있다.
배향성 중합체 및 광배향성 중합체는 통상 용제에 용해되어 도포된다.
배향성 중합체로서는, 분자 내에 아미드 결합을 갖는 폴리아미드나 젤라틴류, 분자 내에 이미드 결합을 갖는 폴리이미드 및 그의 가수분해물인 폴리아믹산, 폴리비닐알코올, 알킬 변성 폴리비닐알코올, 폴리아크릴아미드, 폴리옥사졸, 폴리에틸렌이민, 폴리스티렌, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴산 및 폴리아크릴산에스테르류 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리아미드, 폴리이미드 또는 폴리아믹산이 바람직하다. 배향막층을 형성하는 배향성 중합체는 1종류일 수도 있고, 복수 종류의 중합체를 조합한 조성물일 수도 있고, 복수 종류의 중합체를 조합한 공중합체일 수도 있다. 이들 중합체는, 단량체를 탈수나 탈알코올 등의 중축합, 라디칼 중합, 음이온 중합, 양이온 중합 등의 연쇄 중합, 배위 중합 또는 개환 중합 등을 함으로써 용이하게 얻을 수 있다.
시판되고 있는 배향성 중합체로서는, 썬에버(등록 상표, 닛산 가가꾸사제), 옵토머(등록 상표, JSR제) 등을 들 수 있다.
이러한 배향성 중합체로부터 형성되는 배향막층은, 중합성 액정 화합물의 액정 배향을 용이하게 한다. 또한, 배향성 중합체의 종류나 러빙 조건에 따라, 수평 배향, 수직 배향, 하이브리드 배향, 경사 배향 등의 다양한 액정 배향의 제어가 가능하여, 각종 액정 패널의 시야각 개선 등에 이용할 수 있다.
광배향성 중합체로서는, 감광성 구조를 갖는 중합체를 들 수 있다. 감광성 구조를 갖는 중합체에 편광을 조사하면, 조사된 부분의 감광성 구조가 이성화 또는 가교함으로써 광배향성 중합체가 배향되고, 광배향성 중합체를 포함하는 막에 배향 규제력이 부여된다. 상기 감광성 구조로서는, 예를 들어 아조벤젠 구조, 말레이미드 구조, 칼콘 구조, 신남산 구조, 1,2-비닐렌 구조, 1,2-아세틸렌 구조, 스피로피란 구조, 스피로벤조피란 구조 및 풀기드 구조 등을 들 수 있다. 배향막층을 형성하는 광배향성 중합체는, 1종류일 수도 있고, 상이한 구조의 중합체를 복수 조합할 수도 있고, 상이한 감광성 구조를 복수 갖는 공중합체일 수도 있다. 광배향성 중합체는, 감광성 구조를 갖는 단량체를, 탈수나 탈알코올 등의 중축합, 라디칼 중합, 음이온 중합, 양이온 중합 등의 연쇄 중합, 배위 중합 또는 개환 중합 등을 함으로써 얻을 수 있다. 광배향성 중합체로서는, 일본 특허 제4450261호, 일본 특허 제4011652호, 일본 특허 공개 제2010-49230호 공보, 일본 특허 제4404090호, 일본 특허 공개 제2007-156439호 공보, 일본 특허 공개 제2007-232934호 공보 등에 기재된 광배향성 중합체 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 광배향성 중합체로서는, 내구성의 관점에서, 편광 조사에 의해 가교 구조를 형성하는 중합체가 바람직하다.
본 발명에서는, 그 중에서도, 중합성 액정 화합물의 배향 균일성 및 광학 이방성층의 제조 시간 및 제조 비용의 관점에서, 폴리이미드, 폴리아미드 또는 폴리아믹산으로부터 선택되는 재료를 포함하는 배향성 중합체를 도포하여 건조하는 방법 및 배향성 중합체를 도포하고 건조하여 그의 표면을 러빙하는 방법이 바람직하다.
배향성 중합체 또는 광배향성 중합체를 용해하는 용제로서는, 예를 들어 물; 메탄올, 에탄올, 에틸렌글리콜, 이소프로필알코올, 프로필렌글리콜, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브 등의 알코올 용매; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 락트산에틸 등의 에스테르 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 메틸아밀케톤, 메틸이소부틸케톤, N-메틸-2-피롤리돈 등의 케톤 용매; 펜탄, 헥산, 헵탄, 에틸시클로헥산 등의 지방족 탄화수소 용매; 톨루엔, 크실렌, 클로로벤젠 등의 방향족 탄화수소 용매; 아세토니트릴 등의 니트릴 용매; 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 테트라히드로푸란, 디메톡시에탄 등의 에테르 용매; 클로로포름 등의 할로겐화 탄화수소 용매 등을 들 수 있다. 이들 유기 용매는, 단독일 수도 있고, 조합일 수도 있다.
용제는, 배향성 중합체 또는 광배향성 중합체 100질량부에 대하여, 통상 10질량부 내지 100000질량부이며, 바람직하게는 1000질량부 내지 50000질량부이며, 보다 바람직하게는 2000질량부 내지 20000질량부이다.
용제에 용해된 배향성 중합체 또는 광배향성 중합체를 기재에 도포하는 방법으로서는, 압출 코팅법, 다이렉트 그라비아 코팅법, 리버스 그라비아 코팅법, CAP 코팅법, 다이 코팅법 등을 들 수 있다. 또한, 딥 코터, 바 코터, 스핀 코터 등의 코터를 사용하여 도포하는 방법도 들 수 있다.
건조 방법으로서는, 자연 건조, 통풍 건조, 가열 건조, 감압 건조 및 이들을 조합한 방법을 들 수 있다. 건조 온도는 10 내지 250℃가 바람직하고, 25 내지 200℃가 보다 바람직하다. 건조 시간은 용제의 종류에 따라서도 다르지만, 5초간 내지 60분간이 바람직하고, 10초간 내지 30분간이 보다 바람직하다.
러빙하는 방법으로서는, 러빙 천이 권회되어, 회전하고 있는 러빙 롤을, 기재에 도포되어 건조된 배향 중합체에 접촉시키는 방법을 들 수 있다.
편광을 조사하는 방법으로서는, 일본 특허 공개 제2006-323060호 공보에 기재된 장치를 사용하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 원하는 복수 영역에 대응한 포토마스크를 개재하여, 당해 영역마다, 직선 편광 자외선 등의 편광을 반복하여 조사함으로써, 패턴화 배향막층을 형성할 수도 있다. 포토마스크로서는, 통상, 석영 유리, 소다 석회 유리 또는 폴리에스테르 등의 필름 상에, 차광 패턴을 형성한 것이 사용된다. 차광 패턴으로 덮여 있는 부분은 조사되는 편광이 차단되고, 덮여 있지 않은 부분은 조사되는 편광이 투과된다. 열팽창의 영향이 작다는 점에서, 석영 유리가 바람직하다. 광배향성 중합체의 반응성 면에서, 조사하는 편광은 자외선인 것이 바람직하다.
배향막층의 두께는 통상 10㎚ 내지 10000㎚이며, 바람직하게는 10㎚ 내지 1000㎚이다.
배향막층의 두께가 상기 범위에 있으면, 중합성 액정 화합물을 원하는 방향이나 각도로 용이하게 액정 배향시킬 수 있기 때문에 바람직하다.
중합성 액정 화합물의 액정 배향의 상태에는, 수평 배향, 수직 배향, 하이브리드 배향 및 경사 배향 등이 있지만, 바람직하게는 수직 배향이다. 수평, 수직 등의 표현은, 기재면을 기준으로 한 중합성 액정 화합물의 장축의 배향 방향을 나타낸다. 예를 들어, 수직 배향이란 기재면에 대하여 수직인 방향으로 중합성 액정 화합물의 장축을 갖는 것이다.
액정 배향의 상태는 배향막층 및 중합성 액정 화합물의 성질에 따라 변화하고, 그의 조합은 임의로 선택할 수 있다. 예를 들어, 배향막층이 배향 규제력으로서 수평 배향을 발현시키는 재료이면, 중합성 액정 화합물은 수평 배향 또는 하이브리드 배향을 형성할 수 있고, 수직 배향을 발현시키는 재료이면, 중합성 액정 화합물은 수직 배향 또는 경사 배향을 형성할 수 있다.
배향 규제력은, 배향막층이 배향성 중합체로부터 형성되어 있는 경우는, 표면 상태나 러빙 조건에 따라 임의로 조정하는 것이 가능하고, 광배향성 중합체로부터 형성되어 있는 경우는, 편광 조사 조건 등에 따라 임의로 조정하는 것이 가능하다. 또한, 중합성 액정 화합물의, 표면 장력이나 액정성 등의 물성을 선택함으로써, 액정 배향을 제어할 수도 있다.
본 발명에서는, 배향막층은 중합성 액정 화합물을 수직 배향시킬 수 있는 배향 규제력을 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 배향성 중합체 내에, 규소 원자, 불소 원자 등을 포함하는 비극성 치환기를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 일본 특허 제4605016호, 일본 특허 제4985906호, 일본 특허 제4502119호 또는 WO2008/117760호에 기재되어 있는, 일반적으로 수직 배향형 액정 표시 소자의 액정 배향막으로서 사용되고 있는 재료를 사용할 수 있다.
도포된 광학 이방성층 형성용 조성물에 포함되는 중합성 액정 화합물이 네마틱상 등의 액정상을 나타내는 경우, 모노 도메인 배향에 의한 복굴절성을 갖는다. 광학 이방성층을 형성하기 위해서는, 기재 또는 배향막층 상에 광학 이방성층 형성용 조성물을 도포한 후, 광조사를 행함으로써 경화한다.
광학 이방성층 형성용 조성물을 기재 또는 배향막층 상에 도포하는 방법으로서는, 압출 코팅법, 다이렉트 그라비아 코팅법, 리버스 그라비아 코팅법, CAP 코팅법, 슬릿 코팅법, 다이 코팅법 등을 들 수 있다. 또한, 딥 로터, 바 코터, 스핀 코터 등의 코터를 사용하여 도포하는 방법 등도 들 수 있다. 그 중에서도, 롤 투 롤(Roll to Roll) 형식으로 연속적으로 도포할 수 있는 점에서, CAP 코팅법, 잉크젯법, 딥 코팅법, 슬릿 코팅법, 다이 코팅법 및 바 코터에 의한 도포 방법이 바람직하다. 롤 투 롤 형식으로 도포하는 경우, 기재에 배향성 중합체를 포함하는 조성물을 도포하여 배향막층을 형성하고, 얻어진 배향막층 상에 광학 이방성층을 연속적으로 더 형성할 수도 있다.
광조사는 통상 가시광, 자외광 또는 레이저광에 의해 행하여지며, 자외광이 바람직하다.
광조사는 도포된 광학 이방성층 형성용 조성물에 그대로 행할 수도 있지만, 광학 이방성층 형성용 조성물이 용제를 포함하는 경우는, 건조하여 용제를 제거한 후에 광조사하는 것이 바람직하다. 도포된 상기 광학 이방성층 형성용 조성물로부터 용제를 제거함으로써, 상기 광학 이방성층 형성용 조성물에 포함되는 중합성 액정 화합물은 액정 배향을 형성한다. 건조(용제의 제거)는, 광조사와 병행하여 행할 수도 있지만, 광조사를 행하기 전에 대부분의 용제를 제거해 두는 것이 바람직하다. 건조 방법으로서는, 상기의 배향막층 형성 시의 건조 방법과 동일한 방법을 들 수 있다. 그 중에서도, 자연 건조 또는 가열 건조가 바람직하다. 건조 온도는 0℃ 내지 250℃의 범위가 바람직하고, 50℃ 내지 220℃의 범위가 보다 바람직하고, 60℃ 내지 170℃의 범위가 더욱 바람직하다. 건조 시간은 10초간 내지 60분간이 바람직하고, 보다 바람직하게는 30초간 내지 30분간이다.
본 발명의 적층체는, 흡수축을 직교시킨 편광판간에 설치한 경우, 광 누설이 매우 작아진다. 구체적으로는, 편광판 (A), 본 적층체, 편광판 (B)의 순서대로 적층한 구성에 있어서, 편광판 (A)와 편광판 (B)의 흡수축이 직교하며, 다음 (a) 및 (b)의 모든 경우에 있어서도 편광판 (B)측으로부터 광을 입사하여 편광판 (A)측으로부터 투과광을 검출했을 때에 얻어지는 파장 550 nm에 있어서의 투과율 T가 하기 식 (D)를 만족하는 것이다.
(a) 적층체를 구성하는 기재면 내에 지상축이 존재하는 경우, 기재를 편광판 (B)측에 배치하며, 기재의 지상축을 편광판 (B)의 흡수축과 평행하게 적층함
(b) 적층체를 구성하는 기재면 내에 지상축이 존재하지 않는 경우, 기재를 편광판 (B)측에 배치함
0.000 ＜ T ＜ 0.005 (D)
(여기서, 투과율 T는 편광판 (A)와 편광판 (B)의 흡수축을 평행하게 배치한 경우의 투과율을 100％로 했을 때의 값이다)
기재면 내에 지상축이 존재하는 경우((a)의 경우), 편광판의 흡수축과 기재의 지상축이 평행한 관계에 없으면, 기재의 위상차가 생겨 버려 기재만으로 광 누설이 발생한다. 즉, 적층체의 특성을 확인하는 경우에는, 상술한 (a)와 같이 적층할 필요가 있다.
기재면 내에 지상축이 존재하지 않는 경우((b)의 경우)는, 편광판간에 어떻게 설치해도 위상차는 생기지 않기 때문에, 적층체의 특성을 확인할 수 있다.
식 (D)로 표시되는 파장 550 nm에 있어서의 투과율 T는, 일반적인 자외 가시 분광 광도계에 의해 측정 가능하다. 편광판 (A)와 편광판 (B)의 흡수축을 평행하게 배치한 경우의 투과율을 100％로 하고, 흡수축을 직교시킨 편광판 (A) 및 (B) 사이에, 본 발명의 적층체를 넣어 측정함으로써, 광 누설의 정도를 확인할 수 있다.
본 발명에 의해 얻어지는 적층체는, 배향성이 우수하기 때문에, 액정의 배향 흐트러짐에 의한 광 누설을 크게 억제하는 것이 가능하여, 표시 장치에 내장한 경우의 특성으로서도 우수하다.
본 발명에 있어서의 기재는, 바람직하게는 하기 식 (4)를 만족한다.
nx ＞ ny ≒ nz (4)
(여기서, nx, ny는 기재 평면에 대하여 평행한 방향의 굴절률을 나타내고, nx와 ny는 각각 직교하고, nz는 nx 및 ny 모두 직교하는 방향의 굴절률을 나타낸다)
식 (4)를 만족하는 기재로서는, 아톤 필름(JSR(주)제), 제오노아 필름((주) 옵테스제), 에스시나(세끼스이 가가꾸 고교(주)제), VA-TAC(코니카 미놀타옵토(주)제), 스미카라이트(스미토모 가가꾸(주)제) 등을 들 수 있다.
기재가 nx>ny≒nz의 관계를 만족하는 경우, 일반적으로 네거티브 B 플레이트라고 불리는 광학 특성을 나타내고, nx>ny=nz의 관계를 만족하는 경우는, 포지티브 A 플레이트라는 특성을 나타낸다. 이들 기재를 사용함으로써, 적층체의 보상 효과를 향상시키는 것이 가능하게 되지만, 기재의 제조의 용이함 때문에, nx>ny≒nz를 사용하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에 있어서의 기재는, 바람직하게는 하기 식 (5) 및 (6) 또는 하기 식 (7) 및 (8)을 만족한다.
Δn(450) / Δn(550) ≥ 1.00 (5)
1.00 ≥ Δn(650) / Δn(550) (6)
Δn(450) / Δn(550) ≤ 1.00 (7)
1.00 ≤ Δn(650) / Δn(550) (8)
(여기서, Δn(450), Δn(550), Δn(650)은 각각 파장 450㎚, 550㎚, 650㎚에 있어서, 측정했을 때에 정면 위상차값으로부터 도출되는 복굴절이다)
식 (5) 및 (6)을 만족하는 기재로서는, 식 (4)를 만족하는 기재로서 예시한, 시판되고 있는 필름 등을 들 수 있다.
식 (7) 및 (8)을 만족하는 기재로서는, 예를 들어 「퓨어 에이스(등록 상표) WR」(데진 가부시끼가이샤제) 등을 들 수 있다.
식 (5) 및 식 (6)은, 장파장일수록 복굴절이 작아지는 것을 의미하고, 기재의 파장 분산성이 정파장 분산인 것을 나타낸다. 식 (7) 및 식 (8)은, 장파장일수록 복굴절이 커지는 것을 의미하고, 기재의 파장 분산성이 역파장 분산인 것을 나타낸다.
본 적층체는, 이하의 공정 (a1) 및 (a2)를 포함하는 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.
공정 (a1): 기재에 식 (A)로 표시되는 중합성 액정 화합물을 포함하는 조성물을 도포하는 공정
공정 (a2): 도포된 상기 조성물을 건조하고, 광조사에 의해 경화하는 공정
또한, 본 적층체는, 이하의 공정 (b1), (b2) 및 (b3)을 포함하는 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.
공정 (b1): 기재에 배향성 중합체를 도포하여 배향막층을 형성하는 공정
공정 (b2); 상기 배향막층 상에 식 (A)로 표시되는 중합성 액정 화합물을 포함하는 조성물을 도포하는 공정
공정 (b3); 도포된 상기 조성물을 건조하고, 광조사에 의해 경화하는 공정
광학 이방성층의 두께는 그의 용도에 따라 적절히 조절할 수 있지만, 0.1㎛ 내지 10㎛인 것이 바람직하고, 광탄성을 작게 하는 점에서 0.2㎛ 내지 5㎛인 것이 더욱 바람직하다.
본 적층체 중에서도 중합성 액정 화합물이 수직 배향한 것은, 광 사출측의 경사각으로부터 확인한 경우의 직선 편광을 원편광이나 타원 편광으로 변환하거나, 원편광 또는 타원 편광을 직선 편광으로 변환하거나, 직선 편광의 편광 방향을 변환하거나 하기 위해 사용되는 위상차 필름으로서 유용하다.
상기 위상차 필름은, 가시광 영역에서의 투명성이 우수하여, 다양한 표시 장치용 부재로서 사용할 수 있다.
본 적층체는, 복수매 적층할 수도 있고, 다른 필름과 조합할 수도 있다. 중합성 액정 화합물의 배향 상태가 상이한 본 적층체를 복수매 적층하거나, 또는 본 적층체와 다른 필름을 조합하면, 시야각 보상 필름, 시야각 확대 필름, 반사 방지 필름, 편광판, 원편광판, 타원 편광판 또는 휘도 향상 필름으로서 이용할 수 있다.
본 적층체는, 중합성 액정 화합물의 배향 상태에 따라 광학 특성을 변화시킬 수 있고, VA(vertical alig㎚ent) 모드, IPS(in-plane switching) 모드, OCB(optically compensated bend) 모드, TN(twisted nematic) 모드, STN(super twisted nematic) 모드 등의 다양한 액정 표시 장치용의 위상차 필름으로서 사용할 수 있다.
본 적층체를 포지티브 C 플레이트로서 사용하는 경우는, 정면 위상차값 Re(549)는 0 내지 10㎚의 범위로, 바람직하게 통상은 0 내지 5㎚의 범위로 조정하면 되고, 두께 방향의 위상차값 Rth는 통상 -10 내지 -300㎚의 범위로, 바람직하게는 -20 내지 -200㎚의 범위로 조정하면 된다. 상기 정면 위상차값 Re(549)는 액정 셀의 특성에 맞추어 적절히 선택하는 것이 바람직하고, 특히 IPS 모드의 액정 표시 장치의 보상에 적합하다.
적층체의 두께 방향의 굴절률 이방성을 의미하는 두께 방향의 위상차값 Rth는, 면 내의 진상축을 경사축으로 하여 50도 경사지게 하여 측정되는 위상차값 R50과 면 내의 위상차값 R0으로부터 산출할 수 있다. 즉, 두께 방향의 위상차값 Rth는, 면 내의 위상차값 R0, 진상축을 경사축으로 하여 50도 경사지게 하여 측정한 위상차값 R50, 적층체의 두께 d 및 적층체의 평균 굴절률 n0으로부터 이하의 식 (9) 내지 (11)에 의해 nx, ny 및 nz를 구하고, 이들을 식 (8)에 대입하여 산출할 수 있다.
Figure pat00019
Figure pat00020
여기서,
Figure pat00021
본 발명의 적층체 광학 이방성층을, 점접착제를 개재하여 피전사 기재에 전사하여, 피전사 기재, 점접착제층 및 광학 이방성층을 포함하는 제2 적층체를 얻을 수 있다.
점접착제로서는, 공지의 것을 사용할 수 있고, 전사는 공지의 방법으로 행할 수 있다. 피전사 기재로서는, 기재나 편광판과 동일한 것을 들 수 있다.
본 발명의 제2 적층체는, 본 발명의 적층체와 동일한 광학 특성을 갖는다.
본 발명의 적층체가 기재, 배향막층 및 광학 이방성층을 갖는 경우는, 본 발명의 적층체 광학 이방성층 및 배향막층을, 점접착제를 개재하여 피전사 기재에 전사하여, 피전사 기재, 점접착제층, 광학 이방성층 및 배향막층을 포함하는 제2 적층체를 얻을 수 있다.
도 1에 본 적층체의 모식도를 나타낸다. 도 1의 (a)는 기재(1) 및 광학 이방성층(2)이 이 순서로 적층된 본 적층체(100)이다. 도 1의 (b)는 기재(1), 배향막층(3) 및 광학 이방성층(2)이 이 순서로 적층된 본 적층체(100)이다.
본 적층체는 편광판을 구성하는 부재로서도 유용하다. 본 발명의 편광판은 본 적층체와 편광 필름을 포함하는 것이며, 본 적층체는 통상 위상차 필름으로서 포함된다.
본 발명의 편광판의 구체예로서는, 도 2의 (a) 내지 도 2의 (d)에 도시한 편광판을 들 수 있다. 도 2의 (a)에 도시한 편광판(110)은, 편광 필름(4), 광학 이방성층(2) 및 기재(1)가 이 순서대로 적층된 편광판이며, 도 2의 (b)에 도시한 편광판(110)은, 편광 필름(4), 기재(1) 및 광학 이방성층(2)이 이 순서대로 적층된 편광판이며, 도 2의 (c)에 도시한 편광판(110)은, 편광 필름(4), 광학 이방성층(2), 배향막층(3) 및 기재(1)가 이 순서대로 적층된 편광판이며, 도 2의 (d)에 도시한 편광판(110)은, 편광 필름(4), 기재(1), 배향막층(3) 및 광학 이방성층(2)이 이 순서대로 적층된 편광판이다. 편광 필름(4)과 광학 이방성층(2) 또는 기재(1)는, 접착제 및/또는 점착제를 사용하여 접합할 수도 있다.
편광 필름(4)은, 편광 기능을 갖는 필름일 수도 있고, 예를 들어 폴리비닐알코올계 필름에 요오드나 2색성 색소를 흡착시켜 연신한 필름 및 폴리비닐알코올계 필름을 연신하여 요오드나 2색성 색소를 흡착시킨 필름 등을 들 수 있다.
편광 필름(4)은 필요에 따라 보호 필름에 의해 보호되어 있을 수도 있다. 보호 필름으로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 노르보르넨계 중합체 등의 폴리올레핀 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리메타크릴산에스테르 필름, 폴리아크릴산에스테르 필름, 셀룰로오스에스테르 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리카르보네이트 필름, 폴리술폰 필름, 폴리에테르술폰 필름, 폴리에테르케톤 필름, 폴리페닐렌술피드 필름 및 폴리페닐렌옥시드 필름을 들 수 있다.
접착제로서는, 투명성이 높고, 내열성이 우수한 접착제인 것이 바람직하다. 그러한 접착제로서는, 아크릴계 접착제, 에폭시계 접착제 및 우레탄계 접착제를 들 수 있다.
본 적층체는, 다양한 표시 장치에 사용할 수 있다. 표시 장치란, 표시 소자를 갖는 장치이며, 발광원으로서 발광 소자 또는 발광 장치를 포함한다. 표시 장치로서는, 액정 표시 장치, 유기 전계 발광(EL) 표시 장치, 무기 전계 발광(EL) 표시 장치, 터치 패널 표시 장치, 전자 방출 표시 장치(예를 들어 전기장 방출 표시 장치(FED), 표면 전계 방출 표시 장치(SED)), 전자 페이퍼(전자 잉크나 전기 영동 소자를 사용한 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 투사형 표시 장치(예를 들어 그레이팅 라이트 밸브(GLV) 표시 장치, 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD)를 갖는 표시 장치) 및 압전 세라믹 디스플레이 등을 들 수 있다. 액정 표시 장치는, 투과형 액정 표시 장치, 반투과형 액정 표시 장치, 반사형 액정 표시 장치, 직시형 액정 표시 장치 및 투사형 액정 표시 장치 등 모두 포함한다. 이 표시 장치는, 2차원 화상을 표시하는 표시 장치일 수도 있고, 3차원 화상을 표시하는 입체 표시 장치일 수도 있다. 특히 본 적층체는, 적층하는 광학 이방성층의 축의 관계에 따라, 액정 표시 장치, 터치 패널 표시 장치, 유기 전계 발광(EL) 표시 장치 및 무기 전계 발광(EL) 표시 장치에 유효하게 사용할 수 있다.
도 3은 본 적층체를 구비한 액정 표시 장치의 개략도이다.
액정 표시 장치로서는, 도 3의 (a) 내지 도 3의 (d)에 도시한 액정 표시 장치를 들 수 있다. 도 3의 (a) 내지 도 3의 (d)에 도시한 액정 표시 장치는, 본 발명의 편광판(110)이 액정 패널(5)의 한쪽 면에, 편광 필름(4')이 액정 패널(5)의 다른 쪽 면에, 접착제 및/또는 점착제를 개재하여 접합된 구조를 갖고 있으며, 편광 필름(4)의 흡수축과 편광 필름(4')의 흡수축은 직행하고 있다.
본 적층체는, 특히 IPS(in-plane switching) 모드의 흑색 표시 시의 광 누설을 억제하는 효과가 우수하다. IPS 모드의 표시 장치의 보상에 사용하는 경우의 기재(1)의 지상축과 편광 필름(4)의 흡수축의 관계에 대하여 설명한다. 도 3의 (a) 및 도 3의 (c)의 구성에서는, 편광 필름(4)의 흡수축과 기재(1)의 지상축이 평행하고, 도 3의 (b) 및 도 3의 (d)의 구성에서는, 편광 필름(4)의 흡수축과 기재(1)의 지상축이 직행하면, 기재의 이방성 및 광학 이방성층의 이방성에 의해, 액정 패널로부터 사출되는 편광 상태를, 비스듬하게 시인한 경우에 있어서도 양호하게 변환하는 것이 가능해진다. 또한, 도 3의 (a) 내지 도 3의 (d)에 도시한 액정 표시 장치에서는, 도시하지 않은 전극을 사용하여, 액정 패널에 전압을 인가함으로써, 액정 분자의 액정 배향이 변화되어, 흑백 표시를 실현할 수 있다.
도 4는 본 적층체를 구비한 유기 EL 표시 장치의 개략도이다.
도 4의 (a)는 편광 필름(4), 광학 이방성층(2), 기재(1) 및 유기 EL 패널(6)이, 이 순서로 적층된 유기 EL 표시 장치이다. 도 4의 (b)는 편광 필름(4), 기재(1), 광학 이방성층(2) 및 유기 EL 패널(6)이 이 순으로 적층된 유기 EL 표시 장치이며, 도 4의 (c)는 편광 필름(4), 광학 이방성층(2), 배향막층(3), 기재(1) 및 유기 EL 패널(6)이 이 순서대로 적층된 유기 EL 표시 장치이며, 도 4의 (d)는 편광 필름(4), 기재(1), 배향막층(3), 광학 이방성층(2) 및 유기 EL 패널(6)이 이 순으로 적층된 유기 EL 표시 장치이다. 모든 경우에 있어서도, 편광 필름(4)의 흡수축과 기재(1)의 지상축이 이루는 각 45도로 적층되어 있으면, 본 적층체는 원편광판으로서의 기능을 발현하여, 유기 EL 표시 장치용의 우수한 반사 방지층으로서 사용할 수 있다.
<실시예>
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 또한, 실시예 중의 「％」 및 「부」는, 특별한 언급이 없는 한, 질량％ 및 질량부를 의미한다.
[배향성 중합체 조성물의 제조]
배향성 중합체 조성물의 조성을 표 1에 나타낸다. 시판되고 있는 배향성 중합체인 썬에버 SE-610(닛산 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제)에 N-메틸-2-피롤리돈, 2-부톡시에탄올 및 에틸시클로헥산을 첨가하여 배향성 중합체 조성물 (A)를 조정하였다.
SE-610
(고형분량)		 N-메틸-2-피롤리돈 2-부톡시에탄올 에틸시클로헥산
배향성 중합체 조성물 0.26g
(0.5%)		 36.8g
(72.3%)		 9.2g
(18.1%)		 4.6g
(9.1%)
표 1에 있어서의 괄호 안의 값은, 제조된 조성물의 전량에 대한 각 성분의 함유 비율을 나타낸다. SE-610에 대해서는, 고형분량을 납품 사양서에 기재된 농도로부터 환산하였다.실시예 1
[광학 이방성층 형성용 조성물의 제조]
표 2의 성분을 혼합하고, 얻어진 혼합물을 80℃에서 1시간 교반함으로써, 광학 이방성층 형성용 조성물 1을 얻었다.
중합성 액정 화합물 광중합 개시제 레벨링제 용제
광학 이방성층 형성용 조성물 1 화합물 A1
(15.9%)		 Irg369
(1.1%)		 BYK-361N
(0.01%)		 시클로펜타논
(53.0%)		 PGMEA
(30.0%)
표 2에 있어서의 괄호 안의 값은, 제조된 조성물의 전량에 대한 각 성분의 함유 비율을 의미한다.표 2에 있어서의 Irg369는, 바스프 재팬사제의 이르가큐어(등록 상표) 369이며, BYK361N은 빅 케미 재팬제의 레벨링제이며, 화합물 A1은 하기 식으로 표시되는 화합물이다. PGMEA는 프로필렌글리콜 1-모노메틸에테르 2-아세테이트이다.
화합물 A1:
Figure pat00022
화합물 A1은 일본 특허 공개 제2010-31223호 공보 기재의 방법으로 합성하였다.
실시예 1 [적층체의 제조예 1]
시클로올레핀 중합체 필름(기재)(제오노아 필름, 닛본 제온 가부시끼가이샤제)의 표면을, 코로나 처리 장치(AGF-B10, 가스가 덴끼 가부시끼가이샤제)를 사용하여 출력 0.3kW, 처리 속도 3m/분의 조건에서 1회 처리하였다.
코로나 처리를 실시하여 얻어진 시클로올레핀 중합체 필름 표면에, 광학 이방성층 형성용 조성물 1을 도포하여, 건조하고, 유니큐어(VB-15201BY-A, 우시오 덴끼 가부시끼가이샤제)를 사용하여, 질소 분위기 하에서, 파장 365㎚의 광을 40mW/㎠의 조도로 30초간 조사함으로써 광학 이방성층 1을 형성하여, 적층체 1을 얻었다.
실시예 2 [적층체의 제조예 2]
시클로올레핀 중합체 필름(기재)(제오노아 필름, 닛본 제온 가부시끼가이샤제)의 표면을, 코로나 처리 장치(AGF-B10, 가스가 덴끼 가부시끼가이샤제)를 사용하여 출력 0.3kW, 처리 속도 3m/분의 조건에서 1회 처리하였다.
코로나 처리를 실시하여 얻어진 시클로올레핀 중합체 필름 표면에, 배향성 중합체 조성물 (A)를 도포하고, 건조하여, 두께 40㎚의 배향막 (1)을 형성하였다. 계속해서, 광학 이방성층 형성용 조성물 1을, 바 코터를 사용하여 배향막 (1) 표면에 도포하고, 120℃로 가열하여 건조하고, 실온까지 냉각하였다. 건조된 광학 이방성층 형성층 조성물에, 유니큐어(VB-15201BY-A, 우시오 덴끼 가부시끼가이샤제)를 사용하여, 질소 분위기 하에서, 파장 365㎚의 광을 40mW/㎠의 조도로 30초간 조사함으로써 광학 이방성층 2를 형성하여, 적층체 2를 얻었다.
[광학 특성의 측정]
광학 이방성층 1 및 2의 위상차값을 측정기(KOBRA-WR, 오지 게이소꾸 기끼사제)에 의해 측정하였다. 먼저, 기재인 시클로올레핀 중합체 필름에는 위상차가 없어, 지상축이 존재하지 않는 것을 확인하였다. 광학 이방성층 1 및 2를 적층한 샘플에 대한 광의 입사각을 변경하여 측정하여, 액정이 수직 배향하고 있는지의 여부를 확인하였다. 위상차값 R(λ)은 입사각 0도(정면)의 위상차값, R50(λ)은 입사각 50도(진상축 주위의 경사)의 위상차값이며, 각각 파장(λ) 550㎚에 있어서 측정하였다. 또한, 평균 굴절률 n0를 1.60으로 하고, 식 (9) 내지 (11)에 의해 nx, ny 및 nz를 구하였다. 결과를 표 3, 4에 나타낸다.
R50(450) R50(550) R50(650) 막두께/㎛ Δn50(450)
/ Δn50(550)		 Δn50(650)
/ Δn50(550)
실시예 1 27.0 27.6 28.2 0.823 0.98 1.02
실시예 2 28.4 29.0 29.6 0.866 0.98 1.02
nx ny nz
실시예 1 1.57 1.57 1.67
실시예 2 1.57 1.57 1.67
[광 누설의 측정] 실시예 1 및 2에서 얻어진 적층체 1 및 2의 양면에, 편광판(스미토모 가가꾸사제 요오드계 통상 편광판 TRW842AP7)을, 편광판의 흡수축이 직교하도록 점착제를 사용하여 접합하였다. 얻어진 편광 필름 부착 적층체의 투과율을 적분구가 장착된 분광 광도계(닛본 분꼬우(주)제, V7100)에 의해 측정하였다. 기재에는 지상축이 존재하지 않기 때문에, 기재를 편광판 (B)측에 배치하고, 편광판 (B)측으로부터 광을 입사하였다. 결과를 표 5에 나타낸다.
T
실시예 1 0.00090
실시예 2 0.00101
실시예 3 [적층체의 제조예 3] 기재에, 정면 위상차값이 120㎚인 시클로올레핀 중합체 필름을 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해, 두께 0.523㎛의 광학 이방성층 3을 형성하여, 적층체 3을 얻었다.
실시예 4 [적층체의 제조예 4]
기재에, 정면 위상차값이 120㎚인 시클로올레핀 중합체 필름를 사용한 것 이외는, 실시예 2와 마찬가지의 방법으로, 두께 0.514㎛의 광학 이방성층 4를 형성하여, 적층체 4를 얻었다.
실시예 5 [적층체의 제조예 5]
기재에, 정면 위상차값이 141㎚인 퓨어 에이스 WR(데진 가부시끼가이샤제)을 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 두께 0.550㎛의 광학 이방성층 5를 형성하여, 적층체 5를 얻었다.
실시예 6 [적층체의 제조예 6]
기재에, 정면 위상차값이 141㎚인 퓨어 에이스 WR(데진 가부시끼가이샤제)을 사용한 것 이외는, 실시예 2와 마찬가지의 방법으로, 두께 0.562㎛의 광학 이방성층 6을 형성하여, 적층체 6을 얻었다.
[흑색 표시의 확인]
실시예 3 내지 6에서 제조한 적층체 3 내지 6의 광학 이방성층측의 면에, 점착제층과 편광판을 이 순으로 적층하였다. 이때, 편광판의 투과축과, 적층체 3 내지 6의 기재의 지상축이 대략 직교하도록 적층하였다. 얻어진 적층체 부착 편광판을, 시인측 편광판을 제거한 아이-패드(등록 상표)(애플사제)의 시인측에 접합하여, 흑색 표시시켰을 때의 광 누설을, 패널 표면에 대하여 방위각 45°, 앙각 45°의 방향으로부터 육안으로 확인하였다. 결과를 표 6에 나타낸다.
색빠짐
실시예 3 흑색
실시예 4 흑색
실시예 5 흑색
실시예 6 흑색
실시예 7 [적층체의 제조예 7] 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(기재)(미쯔비시 주시 가부시끼가이샤제, 다이아포일 T140E25)의 표면을, 코로나 처리 장치(AGF-B10, 가스가 덴끼 가부시끼가이샤제)를 사용하여 출력 0.3kW, 처리 속도 3m/분의 조건에서 1회 처리하였다. 코로나 처리를 실시하여 얻어진 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 표면에, 배향성 중합체 조성물 (A)를 도포하고, 건조하여, 두께 40㎚의 배향막 (1)을 형성하였다. 계속해서, 광학 이방성층 형성용 조성물 1을, 바 코터를 사용하여 배향막 (1) 표면에 도포하고, 120℃로 가열하여 건조하고, 실온까지 냉각하였다. 건조된 광학 이방성층 형성용 조성물에, 유니큐어(VB-15201BY-A, 우시오 덴끼 가부시끼가이샤제)를 사용하여, 질소 분위기 하에서, 파장 365nm의 광을 40mW/㎠의 조도로 30초간 조사함으로써 광학 이방성층 7을 형성하여, 적층체 7을 얻었다.
[광학 특성의 측정]
*적층체 7의 광학 이방성층 7의 표면을, 코로나 처리 장치를 사용하여 출력 0.3kW, 처리 속도 3m/분의 조건으로 1회 처리하였다. 코로나 처리를 실시한 면에, 점착제를 개재하여 시클로올레핀 중합체 필름(제오노아 필름, 닛본 제온 가부시끼가이샤제)을 적층하였다. 계속해서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 및 배향막을 박리하여, 시클로올레핀 중합체 필름, 점착제층 및 광학 이방성층 7을 포함하는 적층체 8을 얻었다.
적층체 8의 위상차값을 측정기(KOBRA-WR, 오지 게이소꾸 기끼사제)에 의해 측정하였다. 먼저, 기재인 시클로올레핀 중합체 필름에는 위상차가 없어, 지상축이 존재하지 않는 것을 확인하였다. 광학 이방성층 1 및 2를 적층한 샘플에 대한 광의 입사각을 변화시켜 측정하여, 액정이 수직 배향하고 있는지의 여부를 확인하였다. 위상차값 R(λ)은 입사각 0도(정면)의 위상차값, R50(λ)은 입사각 50도(진상축 주위의 경사)의 위상차값이며, 각각 파장(λ) 550㎚에 있어서 측정하였다. 또한, 평균 굴절률 n0를 1.60으로 하고, 식 (9) 내지 (11)에 의해 nx, ny 및 nz를 구하였다. 결과를 표 7, 8에 나타낸다.
[광 누설의 측정]
실시예 7에서 얻어진 적층체 7의 광학 이방성층 7의 표면을, 코로나 처리 장치를 사용하여 출력 0.3kW, 처리 속도 3m/분의 조건으로 1회 처리하였다. 코로나 처리를 실시한 면에, 점착제를 개재하여 시클로올레핀 중합체 필름(정면 위상차값이 120㎚)을 적층하였다. 계속해서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 및 배향막을 박리하여, 시클로올레핀 중합체 필름, 점착제층 및 광학 이방성층 7을 포함하는 적층체 9를 얻었다. 적층체 9의 양면에, 편광판을, 편광판의 흡수축이 직교하도록, 점착제를 사용하여 접합하였다. 얻어진 편광 필름 부착 적층체의 파장 550 nm에 있어서의 투과율 T를 적분구가 장착된 분광 광도계에 의해 측정하였다. 결과를 표 9에 나타낸다.
[흑색 표시의 확인]
실시예 7에서 제조한 적층체 9의 광학 이방성층측의 면에, 점착제층과 편광판을 이 순으로 적층하였다. 이때, 편광판의 투과축과, 적층체 9의 기재의 지상축이 대략 직교하도록 적층하였다. 얻어진 적층체 부착 편광판을, 시인측 편광판을 제거한 아이-패드(등록 상표)(애플사제)의 시인측에 접합하여, 흑색 표시시켰을 때의 광 누설을, 패널 표면에 대하여 방위각 45°, 앙각 45°의 방향으로부터 육안으로 확인하였다. 결과를 표 10에 나타낸다.
R50(450) R50(550) R50(650) 막두께/㎛ Δn50(450)
/ Δn50(550)		 Δn50(650)
/ Δn50(550)
실시예 7 26.4 26.9 27.4 0.840 0.98 1.02
nx ny nz
실시예 7 1.57 1.57 1.67
T
실시예 7 0.00103
색빠짐
실시예 7 흑색
본 발명의 적층체는, 흑색 표시 시 비스듬하게 보았을 때의 광 누설 억제가 우수한 것이 확인되었다.
본 발명의 적층체는, 흑색 표시 시 비스듬하게 보았을 때의 광 누설 억제가 우수한 광학 필름으로서 유용하다.
1: 기재
2: 광학 이방성층
3: 배향막층
4, 4': 편광 필름
5: 액정 패널
6: 유기 EL 패널
100: 본 적층체
110: 편광판

Claims (8)

  1. 기재 및 광학 이방성층을 가지며, 기재와 광학 이방성층 사이에 배향막층을 가질 수 있고, 상기 배향막층의 두께가 10 nm 내지 1000 nm이며, 기재 및 광학이방성층, 또는 기재, 배향막층 및 광학 이방성층이 이 순서로 적층되며, 또한 광학 이방성층이 하기 식 (1), (2) 및 (3)을 만족하는 층으로서, 중합성 액정 화합물 및 광중합 개시제를 포함하는 조성물로부터 얻어지는 코팅층이고, 상기 중합성 액정 화합물이 하기 식 (A)로 표시되는 화합물이고, 또한 기재가 하기 식 (4), (7) 및 (8)을 만족하는 적층체이며,
    상기 적층체가 편광판 (A), 상기 적층체, 편광판 (B)의 순서대로 적층한 구성에 있어서, 편광판 (A)와 편광판 (B)의 흡수축이 직교하며, 또한 다음의 (a) 및 (b)의 모든 경우에 있어서도 편광판 (B)측으로부터 광을 입사하여 편광판 (A)측으로부터 투과광을 검출했을 때에 얻어지는 파장 550nm에 있어서의 투과율 T(%)가 하기 식 (D)를 만족하는, 적층체.
    Δn50(450) / Δn50(550) ≤ 1.00 (1)
    1.00 ≤ Δn50(650) / Δn50(550) (2)
    (여기서, Δn50(450), Δn50(550), Δn50(650)은 각각 파장 450㎚, 550㎚, 650㎚에 있어서, 진상축을 경사 중심축으로 하여 50도 경사지게 하여 측정했을 때에 얻어지는 위상차값으로부터 도출되는 복굴절이다)
    nz ＞ nx ≒ ny (3)
    nx ＞ ny ≒ nz (4)
    (여기서, nx, ny는 기재 평면에 대하여 평행한 방향의 굴절률을 나타내고, nx와 ny는 각각 직교하고, nz는 nx 및 ny 모두에 직교하는 방향의 굴절률을 나타낸다)
    Δn(450) / Δn(550) ≤ 1.00 (7)
    1.00 ≤ Δn(650) / Δn(550) (8)
    (여기서, Δn(450), Δn(550), Δn(650)은 각각 파장 450㎚, 550㎚, 650㎚에 있어서, 측정했을 때에 정면 위상차값으로부터 도출되는 복굴절이다)
    (a) 적층체를 구성하는 기재의 면 내에 지상축이 존재하는 경우, 상기 기재를 편광판 (B)측에 배치하며, 또한 기재의 지상축을 편광판 (B)의 흡수축과 평행하게 적층함.
    (b) 적층체를 구성하는 기재면 내에 지상축이 존재하지 않는 경우, 상기 기재를 편광판 (B)측에 배치함.
    0.000 ＜ T ＜ 0.005 (D)
    (여기서, 투과율 T(%)는 편광판 (A)와 편광판 (B)의 흡수축을 평행하게 배치한 경우의 투과율을 100％로 했을 때의 값이다)
    Figure pat00023

    [식 (A) 중,
    X1은 산소 원자, 황 원자 또는 -NR1-을 나타내고, R1은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고,
    Y1은 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 6 내지 12의 1가의 방향족 탄화수소기, 또는 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 3 내지 12의 1가의 방향족 복소환식기를 나타내고,
    Q3 및 Q4는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 1 내지 20의 1가의 지방족 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 지환식 탄화수소기, 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 6 내지 20의 1가의 방향족 탄화수소기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, -NR2R3 또는 -SR2를 나타내거나, Q3 및 Q4가 서로 결합되어 이들이 각각 결합하는 탄소 원자와 함께 방향환 또는 방향족 복소환을 형성하고 있을 수도 있으며, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고,
    D1 및 D2는 각각 독립적으로 단결합, -C(=O)-O-, -C(=S)-O-, -CR4R5-, -CR4R5-CR6R7-, -O-CR4R5-, -CR4R5-O-CR6R7-, -CO-O-CR4R5-, -O-CO-CR4R5-, -CR4R5-O-CO-CR6R7-, -CR4R5-CO-O-CR6R7-, -NR4-CR5R6- 또는 -CO-NR4-를 나타내며,
    R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고,
    G1 및 G2는 각각 독립적으로 탄소수 5 내지 8의 2가의 지환식 탄화수소기를 나타내고, 상기 지환식 탄화수소기를 구성하는 메틸렌기는 산소 원자, 황 원자 또는 -NH-로 치환될 수도 있고, 상기 지환식 탄화수소기를 구성하는 메틴기는 제3급 질소 원자로 치환될 수도 있으며,
    L1 및 L2는 각각 독립적으로 1가의 유기기를 나타내고, L1 및 L2 중 적어도 한쪽은 중합성기를 갖는 유기기이다]
  2. 기재 및 광학 이방성층을 가지며, 기재와 광학 이방성층 사이에 배향막층을 가질 수 있고, 상기 배향막층의 두께가 10 nm 내지 1000 nm이며, 기재 및 광학이방성층, 또는 기재, 배향막층 및 광학 이방성층이 이 순서로 적층되며, 또한 광학 이방성층이 하기 식 (1), (2) 및 (3)을 만족하는 층으로서, 중합성 액정 화합물 및 광중합 개시제를 포함하는 조성물로부터 얻어지는 코팅층이고,
    상기 중합성 액정 화합물이 축합 복소환을 가지고, 상기 축합 복소환이 벤젠환을 갖는 중합성 액정 화합물이며,
    상기 벤젠환은 2개의 치환기를 파라(para)위의 위치관계로 가지고,
    상기 2개의 치환기는, 각각, L2-G2-D2-로 표시되는 치환기와 L1-G1-D1-으로 표시되는 치환기이고,
    [여기서, D1 및 D2는 각각 독립적으로 단결합, -C(=O)-O-, -C(=S)-O-, -CR4R5-, -CR4R5-CR6R7-, -O-CR4R5-, -CR4R5-O-CR6R7-, -CO-O-CR4R5-, -O-CO-CR4R5-, -CR4R5-O-CO-CR6R7-, -CR4R5-CO-O-CR6R7-, -NR4-CR5R6- 또는 -CO-NR4-를 나타내며,
    R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고,
    G1 및 G2는 각각 독립적으로 탄소수 5 내지 8의 2가의 지환식 탄화수소기를 나타내고, 상기 지환식 탄화수소기를 구성하는 메틸렌기는 산소 원자, 황 원자 또는 -NH-로 치환될 수도 있고, 상기 지환식 탄화수소기를 구성하는 메틴기는 제3급 질소 원자로 치환될 수도 있으며,
    L1 및 L2는 각각 독립적으로 1가의 유기기를 나타내고, L1 및 L2 중 적어도 한쪽은 중합성기를 갖는 유기기이다]
    또한 기재가 하기 식 (4), (7) 및 (8)을 만족하는 적층체이며,
    상기 적층체가 편광판 (A), 상기 적층체, 편광판 (B)의 순서대로 적층한 구성에 있어서, 편광판 (A)와 편광판 (B)의 흡수축이 직교하며, 또한 다음의 (a) 및 (b)의 모든 경우에 있어서도 편광판 (B)측으로부터 광을 입사하여 편광판 (A)측으로부터 투과광을 검출했을 때에 얻어지는 파장 550nm에 있어서의 투과율 T(%)가 하기 식 (D)를 만족하는, 적층체.
    Δn50(450) / Δn50(550) ≤ 1.00 (1)
    1.00 ≤ Δn50(650) / Δn50(550) (2)
    (여기서, Δn50(450), Δn50(550), Δn50(650)은 각각 파장 450㎚, 550㎚, 650㎚에 있어서, 진상축을 경사 중심축으로 하여 50도 경사지게 하여 측정했을 때에 얻어지는 위상차값으로부터 도출되는 복굴절이다)
    nz ＞ nx ≒ ny (3)
    nx ＞ ny ≒ nz (4)
    (여기서, nx, ny는 기재 평면에 대하여 평행한 방향의 굴절률을 나타내고, nx와 ny는 각각 직교하고, nz는 nx 및 ny 모두에 직교하는 방향의 굴절률을 나타낸다)
    Δn(450) / Δn(550) ≤ 1.00 (7)
    1.00 ≤ Δn(650) / Δn(550) (8)
    (여기서, Δn(450), Δn(550), Δn(650)은 각각 파장 450㎚, 550㎚, 650㎚에 있어서, 측정했을 때에 정면 위상차값으로부터 도출되는 복굴절이다)
    (a) 적층체를 구성하는 기재의 면 내에 지상축이 존재하는 경우, 상기 기재를 편광판 (B)측에 배치하며, 또한 기재의 지상축을 편광판 (B)의 흡수축과 평행하게 적층함.
    (b) 적층체를 구성하는 기재면 내에 지상축이 존재하지 않는 경우, 상기 기재를 편광판 (B)측에 배치함.
    0.000 ＜ T ＜ 0.005 (D)
    (여기서, 투과율 T(%)는 편광판 (A)와 편광판 (B)의 흡수축을 평행하게 배치한 경우의 투과율을 100％로 했을 때의 값이다)
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 기재와 광학 이방성층 사이에 배향막층을 갖고, 상기 배향막층이 폴리이미드, 폴리아미드 및 폴리아믹산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 적층체.
  4. 제3항에 있어서, 배향막층이 중합성 액정 화합물을 수직 배향시키는 배향 규제력을 갖는 적층체.
  5. 제1항 또는 제2항에 기재된 적층체를 포함하는 편광판.
  6. 제1항 또는 제2항에 기재된 적층체를 구비한 표시 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 기재된 적층체에 있어서의 광학 이방성층을, 점접착제를 개재하여 피전사 기재에 전사하여, 피전사 기재, 점접착제층 및 광학 이방성층을 포함하는 제2 적층체를 얻고, 상기 피전사 기재가 하기 식 (4), (7) 및 (8)을 만족하는 적층체의 제조 방법이며,
    상기 적층체가 편광판 (A), 상기 적층체, 편광판 (B)의 순서대로 적층한 구성에 있어서, 편광판 (A)와 편광판 (B)의 흡수축이 직교하며, 또한 다음의 (a) 및 (b)의 모든 경우에 있어서도 편광판 (B)측으로부터 광을 입사하여 편광판 (A)측으로부터 투과광을 검출했을 때에 얻어지는 파장 550 nm에 있어서의 투과율 T(%)가 하기 식 (D)를 만족하는, 적층체의 제조 방법.
    nx ＞ ny ≒ nz (4)
    (여기서, nx, ny는 기재 평면에 대하여 평행한 방향의 굴절률을 나타내고, nx와 ny는 각각 직교하고, nz는 nx 및 ny 모두에 직교하는 방향의 굴절률을 나타낸다)
    Δn(450) / Δn(550) ≤ 1.00 (7)
    1.00 ≤ Δn(650) / Δn(550) (8)
    (여기서, Δn(450), Δn(550), Δn(650)은 각각 파장 450㎚, 550㎚, 650㎚에 있어서, 측정했을 때에 정면 위상차값으로부터 도출되는 복굴절이다)
    (a) 적층체를 구성하는 기재의 면 내에 지상축이 존재하는 경우, 상기 기재를 편광판 (B)측에 배치하며, 또한 기재의 지상축을 편광판 (B)의 흡수축과 평행하게 적층함.
    (b) 적층체를 구성하는 기재면 내에 지상축이 존재하지 않는 경우, 상기 기재를 편광판 (B)측에 배치함.
    0.000 ＜ T ＜ 0.005 (D)
    (여기서, 투과율 T(%)는 편광판 (A)와 편광판 (B)의 흡수축을 평행하게 배치한 경우의 투과율을 100％로 했을 때의 값이다)
  8. 피전사 기재 및 광학 이방성층을 가지며, 또한 광학 이방성층이 하기 식 (1), (2) 및 (3)을 만족하고, 광학 이방성층이 중합성 액정 화합물 및 광중합 개시제를 포함하는 조성물로부터 얻어지는 코팅층이고, 상기 중합성 액정 화합물이 하기 식 (A)로 표시되는 화합물이고, 상기 피전사 기재가 하기 식 (4), (7) 및 (8)을 만족하는 적층체이며,
    상기 적층체가 편광판 (A), 상기 적층체, 편광판 (B)의 순서대로 적층한 구성에 있어서, 편광판 (A)와 편광판 (B)의 흡수축이 직교하며, 또한 다음의 (a) 및 (b)의 모든 경우에 있어서도 편광판 (B)측으로부터 광을 입사하여 편광판 (A)측으로부터 투과광을 검출했을 때에 얻어지는 파장 550nm에 있어서의 투과율 T(%)가 하기 식 (D)를 만족하는, 적층체.
    Δn50(450) / Δn50(550) ≤ 1.00 (1)
    1.00 ≤ Δn50(650) / Δn50(550) (2)
    (여기서, Δn50(450), Δn50(550), Δn50(650)은 각각 파장 450㎚, 550㎚, 650㎚에 있어서, 진상축을 경사 중심축으로 하여 50도 경사지게 하여 측정했을 때에 얻어지는 위상차값으로부터 도출되는 복굴절이다)
    nz ＞ nx ≒ ny (3)
    nx ＞ ny ≒ nz (4)
    (여기서, nx, ny는 기재 평면에 대하여 평행한 방향의 굴절률을 나타내고, nx와 ny는 각각 직교하고, nz는 nx 및 ny 모두에 직교하는 방향의 굴절률을 나타낸다)
    Δn(450) / Δn(550) ≤ 1.00 (7)
    1.00 ≤ Δn(650) / Δn(550) (8)
    (여기서, Δn(450), Δn(550), Δn(650)은 각각 파장 450㎚, 550㎚, 650㎚에 있어서, 측정했을 때에 정면 위상차값으로부터 도출되는 복굴절이다)
    (a) 적층체를 구성하는 기재의 면 내에 지상축이 존재하는 경우, 상기 기재를 편광판 (B)측에 배치하며, 또한 기재의 지상축을 편광판 (B)의 흡수축과 평행하게 적층함.
    (b) 적층체를 구성하는 기재면 내에 지상축이 존재하지 않는 경우, 상기 기재를 편광판 (B)측에 배치함.
    0.000 ＜ T ＜ 0.005 (D)
    (여기서, 투과율 T(%)는 편광판 (A)와 편광판 (B)의 흡수축을 평행하게 배치한 경우의 투과율을 100％로 했을 때의 값이다)
    Figure pat00024

    [식 (A) 중,
    X1은 산소 원자, 황 원자 또는 -NR1-을 나타내고, R1은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고,
    Y1은 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 6 내지 12의 1가의 방향족 탄화수소기, 또는 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 3 내지 12의 1가의 방향족 복소환식기를 나타내고,
    Q3 및 Q4는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 1 내지 20의 1가의 지방족 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 지환식 탄화수소기, 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 6 내지 20의 1가의 방향족 탄화수소기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, -NR2R3 또는 -SR2를 나타내거나, Q3 및 Q4가 서로 결합되어 이들이 각각 결합하는 탄소 원자와 함께 방향환 또는 방향족 복소환을 형성하고 있을 수도 있으며, R2 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고,
    D1 및 D2는 각각 독립적으로 단결합, -C(=O)-O-, -C(=S)-O-, -CR4R5-, -CR4R5-CR6R7-, -O-CR4R5-, -CR4R5-O-CR6R7-, -CO-O-CR4R5-, -O-CO-CR4R5-, -CR4R5-O-CO-CR6R7-, -CR4R5-CO-O-CR6R7- 또는 -NR4-CR5R6- 또는 -CO-NR4-를 나타내며,
    R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고,
    G1 및 G2는 각각 독립적으로 탄소수 5 내지 8의 2가의 지환식 탄화수소기를 나타내고, 상기 지환식 탄화수소기를 구성하는 메틸렌기는 산소 원자, 황 원자 또는 -NH-로 치환될 수도 있고, 상기 지환식 탄화수소기를 구성하는 메틴기는 제3급 질소 원자로 치환될 수도 있으며,
    L1 및 L2는 각각 독립적으로 1가의 유기기를 나타내고, L1 및 L2 중 적어도 한쪽은 중합성기를 갖는 유기기이다]
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