JP7276128B2 - 光学異方性層及びその製造方法、光学異方性積層体、転写用複層物、偏光板、並びに画像表示装置 - Google Patents
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Description
〔1〕 ポジC重合体と、メソゲン化合物と、メソゲン化合物の重合物とを含む光学異方性層であって、
前記ポジC重合体は、前記ポジC重合体の溶液を用いた塗工法により前記ポジC重合体の膜を形成した場合に、前記膜が、式(1)を満たす重合体であり、
前記メソゲン化合物は、メソゲン骨格およびアクリレート構造を有する化合物であり、
前記光学異方性層は、式(2)及び式(3)を満たす、光学異方性層:
nz(P)>nx(P)≧ny(P) 式(1)
nz(A)>nx(A)≧ny(A) 式(2)
0.073<AC-H/AC=O(メソゲン化合物)<0.125 式(3)
但し、
nx(P)、ny(P)及びnz(P)は、前記膜の主屈折率であり、
nx(A)、ny(A)及びnz(A)は、前記光学異方性層の主屈折率であり、
AC-Hは、前記光学異方性層の赤外吸収スペクトルにおける、前記メソゲン化合物の前記アクリレート構造が有するC-H結合の面外変角振動にかかる赤外吸収であり、
AC=O(メソゲン化合物)は、前記光学異方性層の赤外吸収スペクトルにおける、前記メソゲン化合物の前記アクリレート構造が有するC=O結合の伸縮振動にかかる赤外吸収と、前記メソゲン化合物の前記アクリレート構造のC=O結合に由来するC=O結合の伸縮振動にかかる赤外吸収との和である。
〔2〕 前記メソゲン化合物が、ホモジニアス配向した場合に逆波長分散性の面内レターデーションを示す化合物である、〔1〕に記載の光学異方性層。
〔3〕 式(4)及び式(5)を満たす、〔1〕又は〔2〕に記載の光学異方性層:
0.50<Rth(A450)/Rth(A550)<1.00 式(4)
1.00≦Rth(A650)/Rth(A550)<1.25 式(5)
但し、
Rth(A450)は、前記光学異方性層の波長450nmにおける厚み方向のレターデーションであり、
Rth(A550)は、前記光学異方性層の波長550nmにおける厚み方向のレターデーションであり、
Rth(A650)は、前記光学異方性層の波長650nmにおける厚み方向のレターデーションである。
〔4〕 前記メソゲン化合物が、下記式(I)で表される、〔1〕~〔3〕のいずれか1項に記載の光学異方性層:
Y1~Y8は、それぞれ独立して、化学的な単結合、-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR1-C(=O)-、-C(=O)-NR1-、-O-C(=O)-NR1-、-NR1-C(=O)-O-、-NR1-C(=O)-NR1-、-O-NR1-、又は、-NR1-O-を表す。ここで、R1は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。
G1及びG2は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数1~20の二価の脂肪族基を表す。また、前記脂肪族基には、1つの脂肪族基当たり1以上の-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR2-C(=O)-、-C(=O)-NR2-、-NR2-、又は、-C(=O)-が介在していてもよい。ただし、-O-又は-S-がそれぞれ2以上隣接して介在する場合を除く。ここで、R2は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。
Z1及びZ2は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2~10のアルケニル基を表す。
Axは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数2~30の有機基を表す。
Ayは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数3~12のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルキニル基、-C(=O)-R3、-SO2-R4、-C(=S)NH-R9、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数2~30の有機基を表す。ここで、R3は、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数3~12のシクロアルキル基、又は、炭素数5~12の芳香族炭化水素環基を表す。R4は、炭素数1~20のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、フェニル基、又は、4-メチルフェニル基を表す。R9は、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数3~12のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数5~20の芳香族基を表す。前記Ax及びAyが有する芳香環は、置換基を有していてもよい。また、前記AxとAyは、一緒になって、環を形成していてもよい。
A1は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
A2及びA3は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数3~30の二価の脂環式炭化水素基を表す。
A4及びA5は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数6~30の二価の芳香族基を表す。
Q1は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。
mおよびnは、それぞれ独立に、0又は1を表す。
但し、Z1-Y7-及び-Y8-Z2の一方又は両方は、アクリロイルオキシ基である。)
〔5〕 前記メソゲン化合物が、その分子構造中に、ベンゾチアゾール環、並びに、シクロヘキシル環及びフェニル環の組み合わせ、からなる群より選ばれる少なくとも1種を含有する、〔1〕~〔4〕のいずれか1項に記載の光学異方性層。
〔6〕 前記ポジC重合体が、ポリビニルカルバゾール、ポリフマル酸エステル及びセルロース誘導体からなる群より選ばれる少なくとも1種類の重合体である、〔1〕~〔5〕のいずれか1項に記載の光学異方性層。
〔7〕 前記光学異方性層の全固形分における前記メソゲン化合物及びその重合物の比率が、20重量%以上60重量%以下である、〔1〕~〔6〕のいずれか1項に記載の光学異方性層。
〔8〕 式(6)及び式(7)を満たす、〔1〕~〔7〕のいずれか1項に記載の光学異方性層:
Re(A590)≦10nm 式(6)
-200nm≦Rth(A590)≦-10nm 式(7)
但し、
Re(A590)は、前記光学異方性層の波長590nmにおける面内レターデーションであり、
Rth(A590)は、前記光学異方性層の波長590nmにおける厚み方向のレターデーションである。
〔9〕 基材と、〔1〕~〔8〕のいずれか1項に記載の光学異方性層とを備えた、転写用複層物。
〔10〕 〔1〕~〔8〕のいずれか1項に記載の光学異方性層と、位相差層とを備え、
前記位相差層は、式(8)を満たす、光学異方性積層体:
nx(B)>ny(B)≧nz(B) 式(8)
但し、nx(B)、ny(B)及びnz(B)は、前記位相差層の主屈折率である。
〔11〕 前記位相差層が、式(9)及び式(10)を満たす、〔10〕記載の光学異方性積層体:
0.75<Re(B450)/Re(B550)<1.00 式(9)
1.01<Re(B650)/Re(B550)<1.25 式(10)
但し、
Re(B450)は、前記位相差層の波長450nmにおける面内レターデーションであり、
Re(B550)は、前記位相差層の波長550nmにおける面内レターデーションであり、
Re(B650)は、前記位相差層の波長650nmにおける面内レターデーションである。
〔12〕 前記位相差層が、下記式(II)で表される位相差層用液晶化合物を含む、〔11〕に記載の光学異方性積層体:
Y1~Y8は、それぞれ独立して、化学的な単結合、-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR1-C(=O)-、-C(=O)-NR1-、-O-C(=O)-NR1-、-NR1-C(=O)-O-、-NR1-C(=O)-NR1-、-O-NR1-、又は、-NR1-O-を表す。ここで、R1は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。
G1及びG2は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数1~20の二価の脂肪族基を表す。また、前記脂肪族基には、1つの脂肪族基当たり1以上の-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR2-C(=O)-、-C(=O)-NR2-、-NR2-、又は、-C(=O)-が介在していてもよい。ただし、-O-又は-S-がそれぞれ2以上隣接して介在する場合を除く。ここで、R2は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。
Z1及びZ2は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2~10のアルケニル基を表す。
Axは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数2~30の有機基を表す。
Ayは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数3~12のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルキニル基、-C(=O)-R3、-SO2-R4、-C(=S)NH-R9、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数2~30の有機基を表す。ここで、R3は、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数3~12のシクロアルキル基、又は、炭素数5~12の芳香族炭化水素環基を表す。R4は、炭素数1~20のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、フェニル基、又は、4-メチルフェニル基を表す。R9は、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数3~12のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数5~20の芳香族基を表す。前記Ax及びAyが有する芳香環は、置換基を有していてもよい。また、前記AxとAyは、一緒になって、環を形成していてもよい。
A1は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
A2及びA3は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数3~30の二価の脂環式炭化水素基を表す。
A4及びA5は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数6~30の二価の芳香族基を表す。
Q1は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。
mおよびnは、それぞれ独立に、0又は1を表す。)
〔13〕 直線偏光子と、
〔1〕~〔8〕のいずれか1項に記載の光学異方性層、〔9〕記載の転写用複層物、又は、〔10〕~〔12〕のいずれか1項に記載の光学異方性積層体と、を備える、偏光板。
〔14〕 〔13〕記載の偏光板を備える、画像表示装置。
〔15〕 〔10〕~〔12〕のいずれか1項に記載の光学異方性積層体と、
直線偏光子と、
画像表示素子と、を、この順に備え、
前記画像表示素子が、液晶セル又は有機エレクトロルミネッセンス素子である、画像表示装置。
〔16〕 〔1〕~〔8〕のいずれか1項に記載の光学異方性層の製造方法であって、
ポジC重合体、メソゲン化合物、溶媒、光重合開始剤、および架橋剤を含む塗工液を用意する工程と、
前記塗工液を支持面上に塗工して、塗工液層を得る工程と、
前記塗工液層への光の照射を行い、前記塗工液層を硬化させる工程と、を含む製造方法。
〔17〕 前記塗工液における、前記メソゲン化合物100重量部に対する前記光重合開始剤の比率が1重量部~10重量部であり、
前記メソゲン化合物100重量部に対する前記架橋剤の比率が1重量部~10重量部である、〔16〕に記載の光学異方性層の製造方法。
〔18〕 照射する前記光の積算光量が600mJ/cm2~5000mJ/cm2である、〔16〕又は〔17〕に記載の製造方法。
ある層の厚み方向のレターデーションRthが逆波長分散性を示す、とは、当該層の波長450nm及び550nmにおける厚み方向のレターデーションRth(450)及びRth(550)が、Rth(450)/Rth(550)<1.00を満たすことをいう。Rthが逆波長分散性を有する層は、好ましくはさらに、当該層の波長550nm及び650nmにおける厚み方向のレターデーションRth(550)及びRth(650)が、Rth(550)/Rth(650)<1.00を満たす。
本発明の光学異方性層は、ポジC重合体と、メソゲン化合物と、メソゲン化合物の重合物とを含み、特定の光学特性を有する。
ポジC重合体は、重合体であって、当該重合体の溶液を用いた塗工法により重合体の膜を形成した場合に、かかる膜が、式(1)を満たすものである。
nz(P)>nx(P)≧ny(P) 式(1)
但し、nx(P)、ny(P)及びnz(P)は、かかる膜の主屈折率である。このようなポジC重合体を、メソゲン化合物と組み合わせて用いることにより、配向膜を用いることなく製造可能な、厚み方向のレターデーションRthが逆波長分散性を示すポジティブCフィルムとして用いられる光学異方性層を実現できる。
まず、試料としての重合体を、メチルエチルケトン(MEK)、1,3-ジオキソラン、N-メチルピロリドン(NMP)等の溶媒に、重合体の濃度が10重量%~20重量%になるように加え、室温にて溶解させて、重合体溶液を得る。
この重合体溶液を、樹脂からなる未延伸フィルム上に、アプリケーターを用いて塗工して、重合体溶液の層を形成する。その後、85℃オーブンで10分ほど乾燥させて、溶媒を蒸発させることにより、厚み10μm程度の重合体膜を得る。
そして、この重合体膜の屈折率nx(P)、屈折率ny(P)及び屈折率nz(P)が、式(1)を満たすか否かを評価し、満たす場合に、その試料としての重合体は、ポジC重合体に該当すると判定できる。
ポリフマル酸エステルの例としては、フマル酸ジイソプロピルとアクリル酸3-エチル-3-オキセタニルメチルとの共重合体;及びフマル酸ジイソプロピルとケイ皮酸エステルとの共重合体が挙げられる。
本願において、メソゲン化合物は、メソゲン骨格およびアクリレート構造を有する化合物である。
メソゲン化合物が有するメソゲン骨格とは、その引力及び斥力的相互作用の異方性によって、低分子量又は高分子量の物質中で、液晶相の発生に本質的に寄与する分子骨格を意味する。メソゲン骨格を含有するメソゲン化合物は、それ自身では、必ずしも液晶相への相転移を生じうる液晶性を有していなくてもよい。よって、メソゲン化合物は、単独で液晶相への相転移を生じうる液晶化合物であってもよく、単独では液晶相への相転移を生じない非液晶化合物であってもよい。メソゲン骨格の例としては、剛直な棒状又は円盤状の形状のユニットが挙げられる。メソゲン骨格については、Pure Appl.Chem.2001、73巻(5号)、888頁およびC.Tschierske、G.Pelzl、S.Diele、Angew.Chem.2004年、116巻、6340~6368頁を参照しうる。
(i)逆波長分散液晶化合物は、液晶性を示す。
(ii)逆波長分散液晶化合物は、ホモジニアス配向した場合に逆波長分散性の面内レターデーションを示す。
(iii)逆波長メソゲン化合物は、単独では液晶性を示さない。
(iv)逆波長メソゲン化合物を含む特定の評価用混合物が、液晶性を示す。
(v)前記評価用混合物がホモジニアス配向した場合に、逆波長メソゲン化合物が逆波長分散性の面内レターデーションを示す。
前記の評価用混合物とは、ホモジニアス配向した場合に順波長分散性の面内レターデーションを示す評価用液晶化合物に、前記の逆波長メソゲン化合物を、評価用液晶化合物及び逆波長メソゲン化合物の合計100重量部に対して30重量部~70重量部の少なくともいずれかの割合で混合した混合物である。
逆波長分散液晶化合物は、ホモジニアス配向した場合に、逆波長分散性の面内レターデーションを示す。ここで、液晶化合物をホモジニアス配向させる、とは、当該液晶化合物を含む層を形成し、その層における液晶化合物の分子のメソゲン骨格の長軸方向を、前記層の面に平行なある一の方向に配向させることをいう。液晶化合物が配向方向の異なる複数種類のメソゲン骨格を含む場合は、それらのうち最も長い種類のメソゲンが配向する方向が、前記の配向方向となる。液晶化合物がホモジニアス配向しているか否か、及びその配向方向は、AxoScan(Axometrics社製)に代表されるような位相差計を用いた遅相軸方向の測定と、遅相軸方向における入射角毎のレターデーション分布の測定とにより確認しうる。
前記式(I)において、A2及びA3は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数3~30の二価の脂環式炭化水素基を表す。
前記式(I)において、A4及びA5は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数6~30の二価の芳香族基を表す。
前記式(I)において、Q1は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を示す。
前記式(I)において、mおよびnは、それぞれ独立に、0又は1を表す。
但し、前記式(I)において、Z1-Y7-及び-Y8-Z2の一方又は両方は、アクリロイルオキシ基である。
逆波長メソゲン化合物は、単独では液晶性を示さず、評価用液晶化合物と特定の混合割合で混合した評価用混合物が液晶性を示す化合物である。評価用液晶化合物としては、ホモジニアス配向した場合に順波長分散性の面内レターデーションを示す液晶化合物である順波長分散液晶化合物を用いる。評価用液晶化合物として順波長分散液晶化合物を用いることにより、評価用混合物をホモジニアス配向させた場合の逆波長メソゲン化合物の面内レターデーションの波長分散性の評価を容易に行うことができる。中でも、評価用液晶化合物としては、100℃において液晶相となりうる棒状構造を有する液晶化合物が好ましい。特に好ましい評価用液晶化合物の具体例としては、下記式(E1)に示す構造を有する順波長分散液晶化合物(Paliocolor(登録商標) LC242(BASF社製))、下記式(E2)に示す構造を有する順波長分散液晶化合物等が挙げられる。下記の式において、Meはメチル基を表す。
基材上に評価用混合物を塗布及び乾燥させて、基材及び評価用混合物の層を備えるサンプルフィルムを得る。このサンプルフィルムをホットステージ上に設置する。偏光顕微鏡によってサンプルフィルムを観察しながら、サンプルフィルムを昇温させる。評価用混合物の層の液晶相への相転移が観察された場合、評価用混合物が液晶性を示すと判定できる。
順波長分散液晶化合物としての評価用液晶化合物を含む液晶層を形成し、その液晶層において評価用液晶化合物をホモジニアス配向させる。そして、その液晶層の波長450nm及び550nmにおける面内レターデーションRe(X450)及びRe(X550)の比Re(X450)/Re(X550)を測定する。
また、前記の評価用液晶化合物及び逆波長メソゲン化合物を含む評価用混合物の層を形成し、その評価用混合物の層において評価用混合物をホモジニアス配向させる。そして、その評価用混合物の層の波長450nm及び550nmにおける面内レターデーションRe(Y450)及びRe(Y550)の比Re(Y450)/Re(Y550)を測定する。
測定の結果、逆波長メソゲン化合物を含まない液晶層のレターデーション比Re(X450)/Re(X550)よりも、逆波長メソゲン化合物を含む評価用混合物の層のレターデーション比Re(Y450)/Re(Y550)が小さい場合、その逆波長メソゲン化合物は、逆波長分散性の面内レターデーションを示すと判定できる。
また、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、前記の確認方法において、液晶層の波長550nm及び650nmにおける面内レターデーションRe(X550)及びRe(X650)の比Re(X650)/Re(X550)よりも、評価用混合物の層の波長550nm及び650nmにおける面内レターデーションRe(Y550)及びRe(Y650)の比Re(Y650)/Re(Y550)の方が、大きいことが好ましい。
光学異方性層は、ポジC重合体、メソゲン化合物及びメソゲン化合物の重合物に組み合わせて、更に、任意の成分を含みうる。
光学異方性層は、式(2)を満たす。
nz(A)>nx(A)≧ny(A) 式(2)
nx(A)、ny(A)及びnz(A)は、光学異方性層の主屈折率である。このような屈折率nx(A)、ny(A)及びnz(A)を有する光学異方性層は、ポジティブCフィルムとして用いうる。そのため、この光学異方性層を円偏光板に組み込んで画像表示装置に適用した場合に、画像表示装置の表示面の傾斜方向において、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光が偏光サングラスを透過できるようにしたりできる。さらに、画像表示装置が液晶表示装置である場合には、通常、視野角を広げることができる。そのため、画像表示装置の表示面を傾斜方向から見た場合に、画像の視認性を高めることができる。
本発明の光学異方性層は、式(3)を満たす。
0.073<AC-H/AC=O(メソゲン化合物)<0.125 式(3)
式(3)において、AC-Hは、光学異方性層の赤外吸収スペクトルにおける、メソゲン化合物のアクリレート構造が有するC-H結合の面外変角振動にかかる赤外吸収であり、AC=O(メソゲン化合物)は、光学異方性層の赤外吸収スペクトルにおける、メソゲン化合物のアクリレート構造が有するC=O結合の伸縮振動にかかる赤外吸収とメソゲン化合物のアクリレート構造のC=O結合に由来するC=O結合の伸縮振動にかかる赤外吸収との和である。本願において、A=AC-H/AC=O(メソゲン化合物)で表される値Aを、メソゲン化合物の硬化度Aという場合がある。
測定装置としては、Thermo Fisher SCIENTIFIC製「Nicolet iS 5N」を使用し得る。赤外吸収スペクトルは、波数と吸光度との関係を表すグラフとして得られる。
AC=O(重合体):ポジC重合体のC=O結合の伸縮振動にかかる赤外吸収。
AC=O(メソゲン化合物):未反応のC=OMの伸縮振動にかかる赤外吸収と、メソゲン化合物の重合物のC=O結合(即ちC=OMD)の伸縮振動にかかる赤外吸収との和。
AC=O=AC=O(重合体)+AC=O(メソゲン化合物) 式(A1)
W(重合体)は、光学異方性層中におけるポジC重合体の重量とメソゲン化合物及びその重合物の重量の合計に対するポジC重合体の重量比率である。
W(メソゲン化合物)は、光学異方性層中におけるポジC重合体の重量とメソゲン化合物及びその重合物の重量の合計に対する、メソゲン化合物及びその重合物の重量比率である。即ち、W(重合体)+W(メソゲン化合物)=1である。
aC=O(重合体)は、係数であり、ポジC重合体の単位重量比率あたりの、C=O結合の伸縮振動にかかる赤外吸収である。
aC=O(メソゲン化合物)は、係数であり、メソゲン化合物及びその重合物の単位重量比率あたりの、アクリレート構造が有するC=O結合の伸縮振動にかかる赤外吸収と、アクリレート構造のC=O結合に由来するC=O結合の伸縮振動にかかる赤外吸収との和である。
光学異方性層は、通常、式(4)及び式(5)を満たす。
0.50<Rth(A450)/Rth(A550)<1.00 式(4)
1.00≦Rth(A650)/Rth(A550)<1.25 式(5)
但し、Rth(A450)は、光学異方性層の波長450nmにおける厚み方向のレターデーションであり、Rth(A550)は、光学異方性層の波長550nmにおける厚み方向のレターデーションであり、Rth(A650)は、光学異方性層の波長650nmにおける厚み方向のレターデーションである。
Re(A590)≦10nm 式(6)
但し、Re(A590)は、光学異方性層の波長590nmにおける面内レターデーションである。
前記式(6)を詳細に説明すると、Re(A590)は、好ましくは0nm~10nm、より好ましくは0nm~5nm、特に好ましくは0nm~2nmである。Re(A590)が前記の範囲に収まることにより、光学異方性層を画像表示装置に設ける場合の光学設計をシンプルにすることができ、かつ、他の位相差フィルムとの貼合時に貼り合せ方向の調整を不要にできる。
-200nm≦Rth(A590)≦-10nm 式(7)
但し、Rth(A590)は、光学異方性層の波長590nmにおける厚み方向のレターデーションである。
前記式(7)を詳細に説明すると、Rth(A590)は、好ましくは-200nm以上、より好ましくは-130nm以上、特に好ましくは-100nm以上であり、好ましくは-10nm以下、より好ましくは-30nm以下、特に好ましくは-50nm以下である。このようなRth(A590)を有する光学異方性層は、円偏光板に組み込んで画像表示装置に適用した場合に、画像表示装置の表示面の傾斜方向において、外光の反射を抑制し、反射光の色味変化を小さくできたり、画像を表示する光が偏光サングラスを透過できるようにしたりできる。さらに、画像表示装置が液晶表示装置である場合には、通常は、視野角を広げることができる。そのため、画像表示装置の表示面を傾斜方向から見た場合に、画像の視認性を高めることができる。
光学異方性層は、
工程(a):ポジC重合体、メソゲン化合物、及び溶媒を含む塗工液を用意する工程と;
工程(b):塗工液を支持面上に塗工して、塗工液層を得る工程と;
工程(c):塗工液層への光の照射を行い、塗工液層を硬化させる工程と
を含む製造方法によって、製造しうる。以下において、この製造方法を、本発明の光学異方性層の製造方法として説明する。
塗工液を用意する工程は、ポジC重合体、メソゲン化合物及び溶媒を混合することにより行いうる。塗工液の全固形分におけるポジC重合体の比率、及び塗工液の全固形分におけるメソゲン化合物の比率は、それぞれ、光学異方性層におけるポジC重合体の比率及び光学異方性層におけるメソゲン化合物の比率と同じ範囲に調整しうる。本発明の製造方法を行った場合、塗工液中のメソゲン化合物の一部は、重合せず未反応のまま光学異方性層中に残存しうる。しかしながら、硬化度Aが本願に規定する範囲内である場合は、かかる未反応のメソゲン化合物の割合は僅かである。
塗工液を支持面上に塗工して塗工液層を得る工程において、支持面としては、塗工液層を支持できる任意の面を用いうる。この支持面としては、光学異方性層の面状態を良好にする観点から、通常、凹部及び凸部の無い平坦面を用いる。前記の支持面としては、長尺の基材の表面を用いることが好ましい。長尺の基材を用いる場合、連続的に搬送される基材上に、塗工液を連続的に塗工することが可能である。よって、長尺の基材を用いることにより、光学異方性層を連続的に製造できるので、生産性を向上させることが可能である。
脂環式構造としては、例えば、シクロアルカン構造、シクロアルケン構造等が挙げられるが、熱安定性等の観点からシクロアルカン構造が好ましい。
1つの脂環式構造の繰り返し単位を構成する炭素数に特に制限はないが、好ましくは4個以上、より好ましくは5個以上、特に好ましくは6個以上であり、好ましくは30個以下、より好ましくは20個以下、特に好ましくは15個以下である。
脂環式構造含有重合体を含む樹脂の好適な具体例としては、日本ゼオン社製「ゼオノア1420」、「ゼオノア1420R」を挙げうる。
工程(b)の後工程(c)の前に、必要に応じて、塗工液層を乾燥させる工程を行いる。乾燥により、塗工液層から溶媒が除去されて、塗工液の固形分の配向を安定した状態とすることができる。その結果、塗工液の固形分が安定した状態で工程(c)を行うことができる。乾燥の具体的な方法としては、加熱乾燥、減圧乾燥、加熱減圧乾燥、自然乾燥など、任意の方法を採用しうる。
光照射の工程を行うことにより、メソゲン化合物のアクリレート構造の一部が重合し、メソゲン化合物の重合物となる。かかる重合により、ポジC重合体とメソゲン化合物の重合物とを含む光学異方性層が形成されうる。塗工液層への光の照射は、重合性化合物及び重合開始剤等の、塗工液が含む成分の性質に適合した方法を適切に選択しうる。照射される光には、可視光線、紫外線、及び赤外線等の光が含まれうる。なかでも、操作が簡便なことから、紫外線を照射する方法が好ましい。
本発明の転写用複層物は、基材と、上述した光学異方性層とを備える。ここで、転写用複層物とは、複数の層を含む部材であって、かかる複数の層のうち一部の層を転写して、かかる一部の層を含む製品の製造に供するものである。本発明の転写用複層物においては、光学異方性層が、前記の製品の製造に供される。
本発明の光学異方性積層体は、上述した光学異方性層と、位相差層とを備える。
光学異方性積層体の光学異方性層としては、上述したものを用いる。ただし、光学異方性積層体における光学異方性層は、下記式(12)及び式(13)を満たすことが好ましい。
Re(A590)≦10nm 式(12)
-110nm≦Rth(A590)≦-20nm 式(13)
Re(A590)及びRth(A590)の定義は、上に述べた通りである。
〔3.2.1.位相差層の光学特性〕
位相差層は、式(8)を満たす層である。
nx(B)>ny(B)≧nz(B) 式(8)
但し、nx(B)、ny(B)及びnz(B)は、前記位相差層の主屈折率である。このような位相差層を備える光学異方性積層体は、直線偏光子と組み合わせることによって円偏光板を製造できる。この円偏光板は、画像表示装置の表示面に設けることにより、表示面を正面方向から見た場合に、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光が偏光サングラスを透過できるようにしたりできるので、画像の視認性を高めることが可能である。
110nm≦Re(B590)≦170nm 式(11)
但し、Re(B590)は波長590nmにおける位相差層の面内レターデーションである。
0.75<Re(B450)/Re(B550)<1.00 式(9)
1.01<Re(B650)/Re(B550)<1.25 式(10)
但し、Re(B450)は、前記位相差層の波長450nmにおける面内レターデーションであり、Re(B550)は、前記位相差層の波長550nmにおける面内レターデーションであり、Re(B650)は、前記位相差層の波長650nmにおける面内レターデーションである。
前記のような位相差層としては、延伸フィルム層を用いうる。位相差層として延伸フィルム層を用いる場合、当該延伸フィルム層は、光学異方性層の製造方法において説明した基材フィルムの材料である樹脂を含みうる。このような樹脂を含むフィルム層は、延伸処理を施すことにより、レターデーション等の光学特性を発現しうる。中でも、前記の延伸フィルム層は、脂環式構造含有重合体を含むことが好ましい。
前記のような位相差層としては、配向状態が固定されていてもよい液晶化合物(以下、適宜「位相差層用液晶化合物」ということがある。)を含む液晶層を用いうる。この際、位相差層用液晶化合物としては、ホモジニアス配向した前記の逆波長分散液晶化合物を用いることが好ましい。これにより、光学異方性層の項において説明したのと同じ利点を、位相差層においても得ることができる。中でも、位相差層としての液晶層は、配向状態が固定されていてもよい下記式(II)で表される液晶化合物を含むことが、特に好ましい。
但し、式(I)においては、Z1-Y7-及び-Y8-Z2の一方又は両方はアクリロイルオキシ基である一方、式(II)においては、これらの両方が、アクリロイルオキシ基以外の基であってもよい。
液晶組成物において、重合性モノマーの割合は、位相差層用液晶化合物100重量部に対し、好ましくは1重量部~100重量部、より好ましくは5重量部~50重量部である。
液晶組成物において、重合開始剤の割合は、重合性化合物100重量部に対し、好ましくは0.1重量部~30重量部、より好ましくは0.5重量部~10重量部である。
液晶組成物において、界面活性剤の割合は、重合性化合物100重量部に対し、好ましくは0.01重量部~10重量部、より好ましくは0.1重量部~2重量部である。
液晶組成物において、溶媒の割合は、重合性化合物100重量部に対し、好ましくは100重量部~1000重量部である。
光学異方性積層体は、光学異方性層及び位相差層に組み合わせて、更に任意の層を備えうる。任意の層としては、例えば、接着層、ハードコート層等が挙げられる。
光学異方性積層体は、例えば、下記の製造方法1又は2によって製造しうる。
位相差層を製造する工程と、
前記位相差層を基材として用いて、上述した光学異方性層の製造方法を行うことにより、位相差層上に光学異方性層を形成して、光学異方性積層体を得る工程と、を含む、製造方法。
位相差層を製造する工程と、
転写用複層物を製造する工程と、
転写用複層物の光学異方性層と、位相差層とを、貼り合わせて、光学異方性積層体を得る工程と、
転写用複層物の基材を剥離する工程と、を含む、製造方法。
本発明の偏光板は、直線偏光子と、上述した光学異方性層、転写用複層物又は光学異方性積層体と、を備える。このような偏光板は、画像表示装置に設けることにより、画像表示装置を傾斜方向から見た場合の画像の視認性を高めることができる。
また、直線偏光子の厚みは、好ましくは5μm~80μmである。
本発明の画像表示装置は、上述した本発明の偏光板を備える。本発明の画像表示装置はまた、通常、画像表示素子を備える。画像表示装置において、偏光板は、通常、画像表示素子の視認側に設けられる。この際、偏光板の向きは、その偏光板の用途に応じて任意に設定しうる。よって、画像表示装置は、光学異方性層、転写用複層物又は光学異方性積層体と;偏光子と;画像表示素子と;を、この順に備えていてもよい。また、画像表示装置は、偏光子と;光学異方性層、転写用複層物又は光学異方性積層体と;画像表示素子と;を、この順に備えていてもよい。
本発明の画像表示装置は、本発明の光学異方性層を構成要素として含み、これにより、外光の反射を抑制したり、画像を表示する光が偏光サングラスを透過しうるようにしたりすることができる。さらに、そのような効果を有しながら、且つ、耐久性が高く、良好な色調を有する表示装置とすることができる。
〔フィルムの光学的性質〕
あるフィルム(基材フィルム等)上に形成された試料層(光学異方性層、位相差層等)の光学的性質(位相差、レターデーション、及び逆波長分散特性)は、下記の方法で測定した。
あるフィルム(基材フィルム;支持体フィルム;支持体フィルム及び位相差層からなる複層フィルム;等)上に形成された試料層(光学異方性層、位相差層等)の厚みは、膜厚測定装置(フィルメトリクス社製「フィルメトリクス」)を用いて、測定した。
光学粘着剤(日東電工社製CS9621)付きの平板ガラスを用意した。この平板ガラスに、転写用複層物の光学異方性層を転写し、ヘイズ測定用積層体を調製した。このヘイズ測定用積層体を用いて、光学異方性層のヘイズを、ヘイズメーター(東洋精機製作所製「ヘイズガードII」、以下において同じ)により、JIS K 7136:2000に従ったヘイズ測定を行い、初期ヘイズ値を得た。
続いて、ヘイズ測定用積層体を、オーブン内に載置して加熱した。加熱温度は85℃、加熱時間は100時間とした。加熱終了後、再びヘイズメーターにてヘイズを測定し、加熱後ヘイズ値を得た。初期ヘイズ値及び加熱後ヘイズ値から、ヘイズ変化比(加熱後ヘイズ値/初期ヘイズ値)を計算した。
基材から光学異方性層を剥離することで、硬化度測定用光学異方性層を調製した。
硬化度測定用光学異方性層における光学異方性層の赤外吸収スペクトルを、ATR法により測定した。具体的には、ATR測定装置(機種名「Thermo Fisher SCIENTIFIC製「Nicolet iS 5N)により、プリズムとしてZeSeを用いて1回反射の条件で、硬化度測定用積層体の表面に露出した光学異方性層の赤外吸収スペクトルを測定した。赤外吸収スペクトルは、波数と吸光度の関係として求めた。AC-Hとして810cm-1付近に現れたピークの面積、及びAC=Oとして1720cm-1付近に現れたピークの面積を測定した。本願実施例及び比較例において、ポジC重合体は、C=OMDに類似するC=O結合を有するため、類似するC=O結合の影響を排除した定量を行った(参考例3)。これらの測定結果から、AC-H/AC=O(メソゲン化合物)の値を得た。
ヘイズ測定用積層体の調製と同じ操作により、転写用複層物の光学異方性層を平板ガラスに転写し、色相測定用積層体を調製した。この色相測定用積層体の可視領域(380nmから780nmまで)の透過率を1.0nm間隔で分光光度計(日本分光社製「V-550」)により測定した。得られた測定結果をもとに、色相b*を計算した。この時の観測条件は、視野2°、光源D65、データ間隔2nmとした。
1,3-ジオキソラン(DOL)及びメチルイソブチルケトン(MIBK)を混合し、溶媒を調製した。DOL及びMIBKの混合比(DOL/MIBK、重量比)は、80/20とした。
下記式(B1)で表される光重合性の逆波長分散液晶化合物(CN点は96℃)55重量部、ポジC重合体としてのフマル酸ジイソプロピルとケイ皮酸エステルの共重合体45重量部、重合開始剤(商品名「Irgacure Oxe04」、BASF社製)1.65重量部、及び架橋剤(商品名「A-TMPT」、トリメチロールプロパントリアクリレート、新中村化学工業株式会社製)1.65重量部を、固形分濃度が12%となるように溶媒に溶解させて、塗工液を調製した。
積算光量を、表1に示す値に変更した他は、実施例1と同じ操作により、転写用複層物を得て評価した。
前記式(B1)で表される光重合性の逆波長分散液晶化合物100重量部、光重合開始剤(BASF社製「Irgacure379EG」)3重量部、及び、界面活性剤(DIC社製「メガファックF-562」)0.3重量部を混合し、更に、希釈溶媒としてシクロペンタノン及び1,3-ジオキソランの混合溶媒(重量比シクロペンタノン:1,3-ジオキソラン=4:6)を、固形分が22重量%になるように加え、50℃に加温し溶解させた。得られた混合物を、孔径0.45μmのメンブレンフィルターでろ過して、液晶組成物を得た。
フマル酸ジイソプロピルとケイ皮酸エステルの共重合体を、N-メチルピロリドンに、固形分濃度が12重量%となるように加え、室温にて溶解させて、重合体溶液を得た。
塗工液におけるメソゲン化合物及びポジC重合体の量を変更した他は、実施例3と同じ操作を行い、複数の転写用複層物を得た。得られた転写用複層物のそれぞれの光学異方性層の赤外吸収スペクトルを、ATR法により測定した。得られた赤外吸収スペクトルの1720cm-1付近に現れたピークの面積をAC=Oとして求めた。その結果、表3に示す結果を得た。これらの値から、定数aC=O(メソゲン化合物)を、最小二乗法により算出した。その結果、aC=O(メソゲン化合物)=12.93、aC=O(重合体)=21.42の値を得た。これらの値を元に、実施例及び比較例におけるAC=O(メソゲン化合物)の値を求め、硬化度Aの計算に供した。
Claims (16)
- ポジC重合体と、メソゲン化合物と、前記メソゲン化合物の重合物とを含む光学異方性層であって、
前記メソゲン化合物が、ホモジニアス配向した場合に逆波長分散性の面内レターデーションを示す化合物であり、
前記ポジC重合体は、ポリフマル酸エステルであり、前記ポジC重合体の溶液を用いた塗工法により前記ポジC重合体の膜を形成した場合に、前記膜が、式(1)を満たし、
前記メソゲン化合物は、メソゲン骨格およびアクリレート構造を有する化合物であり、
前記光学異方性層は、式(2)及び式(3)を満たす、光学異方性層:
nz(P)>nx(P)≧ny(P) 式(1)
nz(A)>nx(A)≧ny(A) 式(2)
0.073<AC-H/AC=O(メソゲン化合物)<0.125 式(3)
但し、
nx(P)、ny(P)及びnz(P)は、前記膜の主屈折率であり、
nx(A)、ny(A)及びnz(A)は、前記光学異方性層の主屈折率であり、
AC-Hは、前記光学異方性層の赤外吸収スペクトルにおける、前記メソゲン化合物の前記アクリレート構造が有するC-H結合の面外変角振動にかかる赤外吸収であり、
AC=O(メソゲン化合物)は、前記光学異方性層の赤外吸収スペクトルにおける、前記メソゲン化合物の前記アクリレート構造が有するC=O結合の伸縮振動にかかる赤外吸収と、前記メソゲン化合物の前記アクリレート構造のC=O結合に由来するC=O結合の伸縮振動にかかる赤外吸収との和である。 - 式(4)及び式(5)を満たす、請求項1に記載の光学異方性層:
0.50<Rth(A450)/Rth(A550)<1.00 式(4)
1.00≦Rth(A650)/Rth(A550)<1.25 式(5)
但し、
Rth(A450)は、前記光学異方性層の波長450nmにおける厚み方向のレターデーションであり、
Rth(A550)は、前記光学異方性層の波長550nmにおける厚み方向のレターデーションであり、
Rth(A650)は、前記光学異方性層の波長650nmにおける厚み方向のレターデーションである。 - 前記メソゲン化合物が、下記式(I)で表される、請求項1又は2に記載の光学異方性層:
(前記式(I)において、
Y1~Y8は、それぞれ独立して、化学的な単結合、-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR1-C(=O)-、-C(=O)-NR1-、-O-C(=O)-NR1-、-NR1-C(=O)-O-、-NR1-C(=O)-NR1-、-O-NR1-、又は、-NR1-O-を表す。ここで、R1は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。
G1及びG2は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数1~20の二価の脂肪族基を表す。また、前記脂肪族基には、1つの脂肪族基当たり1以上の-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR2-C(=O)-、-C(=O)-NR2-、-NR2-、又は、-C(=O)-が介在していてもよい。ただし、-O-又は-S-がそれぞれ2以上隣接して介在する場合を除く。ここで、R2は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。
Z1及びZ2は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2~10のアルケニル基を表す。
Axは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数2~30の有機基を表す。
Ayは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数3~12のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルキニル基、-C(=O)-R3、-SO2-R4、-C(=S)NH-R9、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数2~30の有機基を表す。ここで、R3は、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数3~12のシクロアルキル基、又は、炭素数5~12の芳香族炭化水素環基を表す。R4は、炭素数1~20のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、フェニル基、又は、4-メチルフェニル基を表す。R9は、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数3~12のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数5~20の芳香族基を表す。前記Ax及びAyが有する芳香環は、置換基を有していてもよい。また、前記AxとAyは、一緒になって、環を形成していてもよい。
A1は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
A2及びA3は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数3~30の二価の脂環式炭化水素基を表す。
A4及びA5は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数6~30の二価の芳香族基を表す。
Q1は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。
mおよびnは、それぞれ独立に、0又は1を表す。
但し、Z1-Y7-及び-Y8-Z2の一方又は両方は、アクリロイルオキシ基である。) - 前記メソゲン化合物が、その分子構造中に、ベンゾチアゾール環、並びに、シクロヘキシル環及びフェニル環の組み合わせ、からなる群より選ばれる少なくとも1種を含有する、請求項1~3のいずれか1項に記載の光学異方性層。
- 前記光学異方性層の全固形分における前記メソゲン化合物及びその重合物の比率が、20重量%以上60重量%以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載の光学異方性層。
- 式(6)及び式(7)を満たす、請求項1~5のいずれか1項に記載の光学異方性層:
Re(A590)≦10nm 式(6)
-200nm≦Rth(A590)≦-10nm 式(7)
但し、
Re(A590)は、前記光学異方性層の波長590nmにおける面内レターデーションであり、
Rth(A590)は、前記光学異方性層の波長590nmにおける厚み方向のレターデーションである。 - 基材と、請求項1~6のいずれか1項に記載の光学異方性層とを備えた、転写用複層物。
- 請求項1~6のいずれか1項に記載の光学異方性層と、位相差層とを備え、
前記位相差層は、式(8)を満たす、光学異方性積層体:
nx(B)>ny(B)≧nz(B) 式(8)
但し、nx(B)、ny(B)及びnz(B)は、前記位相差層の主屈折率である。 - 前記位相差層が、式(9)及び式(10)を満たす、請求項8記載の光学異方性積層体:
0.75<Re(B450)/Re(B550)<1.00 式(9)
1.01<Re(B650)/Re(B550)<1.25 式(10)
但し、
Re(B450)は、前記位相差層の波長450nmにおける面内レターデーションであり、
Re(B550)は、前記位相差層の波長550nmにおける面内レターデーションであり、
Re(B650)は、前記位相差層の波長650nmにおける面内レターデーションである。 - 前記位相差層が、下記式(II)で表される位相差層用液晶化合物を含む、請求項9に記載の光学異方性積層体:
(前記式(II)において、
Y1~Y8は、それぞれ独立して、化学的な単結合、-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR1-C(=O)-、-C(=O)-NR1-、-O-C(=O)-NR1-、-NR1-C(=O)-O-、-NR1-C(=O)-NR1-、-O-NR1-、又は、-NR1-O-を表す。ここで、R1は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。
G1及びG2は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数1~20の二価の脂肪族基を表す。また、前記脂肪族基には、1つの脂肪族基当たり1以上の-O-、-S-、-O-C(=O)-、-C(=O)-O-、-O-C(=O)-O-、-NR2-C(=O)-、-C(=O)-NR2-、-NR2-、又は、-C(=O)-が介在していてもよい。ただし、-O-又は-S-がそれぞれ2以上隣接して介在する場合を除く。ここで、R2は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。
Z1及びZ2は、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2~10のアルケニル基を表す。
Axは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数2~30の有機基を表す。
Ayは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数3~12のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルキニル基、-C(=O)-R3、-SO2-R4、-C(=S)NH-R9、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数2~30の有機基を表す。ここで、R3は、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数3~12のシクロアルキル基、又は、炭素数5~12の芳香族炭化水素環基を表す。R4は、炭素数1~20のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、フェニル基、又は、4-メチルフェニル基を表す。R9は、置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数2~20のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数3~12のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数5~20の芳香族基を表す。前記Ax及びAyが有する芳香環は、置換基を有していてもよい。また、前記AxとAyは、一緒になって、環を形成していてもよい。
A1は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。
A2及びA3は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数3~30の二価の脂環式炭化水素基を表す。
A4及びA5は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数6~30の二価の芳香族基を表す。
Q1は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。
mおよびnは、それぞれ独立に、0又は1を表す。) - 直線偏光子と、
請求項1~6のいずれか1項に記載の光学異方性層、請求項7記載の転写用複層物、又は、請求項8~10のいずれか1項に記載の光学異方性積層体と、を備える、偏光板。 - 請求項11記載の偏光板を備える、画像表示装置。
- 請求項8~10のいずれか1項に記載の光学異方性積層体と、
直線偏光子と、
画像表示素子と、を、この順に備え、
前記画像表示素子が、液晶セル又は有機エレクトロルミネッセンス素子である、画像表示装置。 - 請求項1~6のいずれか1項に記載の光学異方性層の製造方法であって、
ポジC重合体、メソゲン化合物、溶媒、光重合開始剤、および架橋剤を含む塗工液を用意する工程と、
前記塗工液を支持面上に塗工して、塗工液層を得る工程と、
前記塗工液層への光の照射を行い、前記塗工液層を硬化させる工程と、を含む製造方法。 - 前記塗工液における、前記メソゲン化合物100重量部に対する前記光重合開始剤の比率が1重量部~10重量部であり、
前記メソゲン化合物100重量部に対する前記架橋剤の比率が1重量部~10重量部である、請求項14に記載の光学異方性層の製造方法。 - 照射する前記光の積算光量が600mJ/cm2~5000mJ/cm2である、請求項14又は15に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017129753 | 2017-06-30 | ||
| JP2017129753 | 2017-06-30 | ||
| PCT/JP2018/021402 WO2019003812A1 (ja) | 2017-06-30 | 2018-06-04 | 光学異方性層及びその製造方法、光学異方性積層体、転写用複層物、偏光板、並びに画像表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2019003812A1 JPWO2019003812A1 (ja) | 2020-04-30 |
| JP7276128B2 true JP7276128B2 (ja) | 2023-05-18 |
Family
ID=64741447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019526741A Active JP7276128B2 (ja) | 2017-06-30 | 2018-06-04 | 光学異方性層及びその製造方法、光学異方性積層体、転写用複層物、偏光板、並びに画像表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7276128B2 (ja) |
| KR (1) | KR102589809B1 (ja) |
| CN (1) | CN110651208B (ja) |
| TW (1) | TWI767015B (ja) |
| WO (1) | WO2019003812A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019069855A1 (ja) * | 2017-10-03 | 2019-04-11 | 日本ゼオン株式会社 | 光学異方性層及びその製造方法、光学異方性積層体及びその製造方法、光学異方性転写体、偏光板、並びに画像表示装置 |
| CN111752034A (zh) * | 2019-03-28 | 2020-10-09 | 夏普株式会社 | 液晶面板的制造方法以及液晶面板 |
| JP7464058B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2024-04-09 | 日本ゼオン株式会社 | 光学異方性複層物及び製造方法 |
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| JP2017027058A (ja) | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 住友化学株式会社 | 液晶硬化膜、液晶硬化膜を含む光学フィルム、及び表示装置 |
| WO2017170455A1 (ja) | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 日本ゼオン株式会社 | 光学異方性層及びその製造方法、光学異方性積層体及びその製造方法、光学異方性転写体、偏光板、並びに画像表示装置 |
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| CN104339796B (zh) | 2013-08-09 | 2018-03-02 | 住友化学株式会社 | 层叠体 |
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-
2018
- 2018-06-04 KR KR1020197037285A patent/KR102589809B1/ko active Active
- 2018-06-04 CN CN201880033980.1A patent/CN110651208B/zh active Active
- 2018-06-04 JP JP2019526741A patent/JP7276128B2/ja active Active
- 2018-06-04 WO PCT/JP2018/021402 patent/WO2019003812A1/ja not_active Ceased
- 2018-06-20 TW TW107121151A patent/TWI767015B/zh active
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| JP2017027058A (ja) | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 住友化学株式会社 | 液晶硬化膜、液晶硬化膜を含む光学フィルム、及び表示装置 |
| WO2017170455A1 (ja) | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 日本ゼオン株式会社 | 光学異方性層及びその製造方法、光学異方性積層体及びその製造方法、光学異方性転写体、偏光板、並びに画像表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201905119A (zh) | 2019-02-01 |
| KR20200019143A (ko) | 2020-02-21 |
| TWI767015B (zh) | 2022-06-11 |
| WO2019003812A1 (ja) | 2019-01-03 |
| CN110651208A (zh) | 2020-01-03 |
| KR102589809B1 (ko) | 2023-10-13 |
| CN110651208B (zh) | 2021-10-01 |
| JPWO2019003812A1 (ja) | 2020-04-30 |
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Legal Events
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|
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