KR20220159366A - 열전 변환 재료, 열전 변환 소자, 및, 열전 변환 모듈 - Google Patents

열전 변환 재료, 열전 변환 소자, 및, 열전 변환 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR20220159366A
KR20220159366A KR1020227031825A KR20227031825A KR20220159366A KR 20220159366 A KR20220159366 A KR 20220159366A KR 1020227031825 A KR1020227031825 A KR 1020227031825A KR 20227031825 A KR20227031825 A KR 20227031825A KR 20220159366 A KR20220159366 A KR 20220159366A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thermoelectric conversion
elements
conversion material
present
group
Prior art date
Application number
KR1020227031825A
Other languages
English (en)
Inventor
고야 아라이
춈푸눗트 위라세라니
쇼타 나카야마
Original Assignee
미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 filed Critical 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
Publication of KR20220159366A publication Critical patent/KR20220159366A/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/002Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
    • H01L35/16
    • H01L35/02
    • H01L35/28
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80Constructional details
    • H10N10/85Thermoelectric active materials
    • H10N10/851Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/852Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/60Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

이 열전 변환 재료에서는, Cu 및 Se 를 주성분으로 하고, 추가로 제 10 족 원소 및 Cu 를 제외한 제 11 족 원소에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함하는 원소 M 과, 필요에 따라 Te 를 포함하고, 이하의 화학식으로 나타낸다.
화학식 : CuxSe(1-y)TeyMZ,
1.95 ≤ x < 2.05,
0 ≤ y ≤ 0.1,
0.002 ≤ z ≤ 0.03.

Description

열전 변환 재료, 열전 변환 소자, 및, 열전 변환 모듈
본 발명은, Cu 및 Se 를 주성분으로 하는 열전 변환 재료, 이 열전 변환 재료로 이루어지는 열전 변환 소자, 및, 열전 변환 모듈에 관한 것이다.
본원은, 2020년 3월 27일에, 일본에 출원된 일본 특허출원 2020-057017호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
열전 변환 재료로 이루어지는 열전 변환 소자는, 제베크 효과, 펠티에 효과와 같은, 열과 전기를 서로 변환 가능한 전자 소자이다. 제베크 효과는, 열 에너지를 전기 에너지로 변환하는 효과이며, 열전 변환 재료의 양단에 온도차를 발생시키면 기전력이 발생하는 현상이다. 이러한 기전력은 열전 변환 재료의 특성에 의해 정해진다. 최근에는 이 효과를 이용한 열전 발전의 개발이 활발하다.
상기 서술한 열전 변환 소자는, 열전 변환 재료의 일단측 및 타단측에 각각 전극이 형성된 구조로 되어 있다.
이와 같은 열전 변환 소자 (열전 변환 재료) 의 특성을 나타내는 지표로서, 예를 들어 이하의 (1) 식으로 나타내는 파워 팩터 (PF) 사용되고 있다.
PF = S2σ ··· (1)
단, S : 제베크 계수 (V/K), σ : 전기 전도율 (S/m)
상기 서술한 열전 변환 재료로서, 예를 들어 특허문헌 1 ∼ 4 에 나타내는 바와 같이, Cu 및 Se 를 주성분으로 하는 셀렌화구리가 제안되어 있다.
일본 특허공보 제6216064호 일본 특허공보 제6266099호 일본 특허공보 제6460351호 일본 특허공보 제6460352호
그런데, 저전압 및 대전류의 용도로 사용되는 열전 변환 재료에 있어서는, 전기 저항률이 낮을 것이 요구된다. 그러나, 전기 저항률이 낮아지면, 제베크 계수 및 파워 팩터 (PF) 가 낮아져, 열전 변환 효율이 저하되어 버릴 우려가 있었다.
이 발명은, 전술한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 전기 저항률이 낮고, 또한, 파워 팩터가 충분히 높으며, 열전 변환 효율이 우수한 열전 변환 재료, 및, 이 열전 변환 재료를 사용한 열전 변환 소자, 및, 열전 변환 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 열전 변환 재료는, Cu 및 Se 를 주성분으로 하고, 추가로 제 10 족 원소 및 Cu 를 제외한 제 11 족 원소에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함하는 원소 M 과, 필요에 따라 Te 를 포함하고, 이하의 화학식으로 나타내는 것을 특징으로 하고 있다.
화학식 : CuxSe(1-y)TeyMZ
1.95 ≤ x < 2.05
0 ≤ y ≤ 0.1
0.002 ≤ z ≤ 0.03
이 구성의 열전 변환 재료에 의하면, Cu 와 Se 에 더하여, 제 10 족 원소 (Ni, Pt, Pd 등) 및 Cu 를 제외한 제 11 족 원소 (Au, Ag 등) 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함하는 원소 M 을 함유하고, 추가로 필요에 따라 Te 를 함유하고 있으므로, 전기 저항률이 낮아지지만 제베크 계수는 필요 이상으로 저하되지 않는다. 이 때문에, 열전 변환 효율의 지표가 되는 파워 팩터 (PF) 가 우수하여, 저전압 및 대전류의 용도에 있어서도, 열전 변환 효율이 높아진다.
여기서, 본 발명의 열전 변환 재료에 있어서는, 상기 화학식에 있어서,
1.95 ≤ x < 2.05
0.05 ≤ y ≤ 0.1
0.002 ≤ z ≤ 0.01
인 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 서술한 화학식에 있어서, 1.95 ≤ x < 2.05, 0.05 ≤ y ≤ 0.1, 0.002 ≤ z ≤ 0.01 로 되어 있으므로, 전기 저항률이 더욱 낮아지고, 또한, 파워 팩터 (PF) 가 우수하다.
본 발명의 열전 변환 소자는, 상기 서술한 열전 변환 재료와, 상기 열전 변환 재료의 일방의 면 및 타방의 면에 각각 접합된 전극을 구비한 것을 특징으로 하고 있다.
이 구성의 열전 변환 소자에 의하면, 전기 저항률이 낮고, 또한, 파워 팩터 (PF) 가 우수한 상기 서술한 열전 변환 재료를 구비하고 있으므로, 저전압 및 대전류의 용도에 있어서, 열전 변환 성능이 안정되고, 신뢰성이 우수하다.
본 발명의 열전 변환 모듈은, 상기 서술한 열전 변환 소자와, 상기 열전 변환 소자의 상기 전극에 각각 접합된 단자를 구비한 것을 특징으로 하고 있다.
이 구성의 열전 변환 모듈에 의하면, 상기 서술한 열전 변환 소자를 구비하고 있으므로, 전기 저항률이 낮고, 또한, 파워 팩터 (PF) 가 우수하여, 저전압 및 대전류의 용도에 있어서, 열전 변환 성능이 안정되고, 신뢰성이 우수하다.
본 발명에 의하면, 전기 저항률이 낮고, 또한, 파워 팩터가 충분히 높고, 열전 변환 효율이 우수한 열전 변환 재료, 및, 이 열전 변환 재료를 사용한 열전 변환 소자, 및, 열전 변환 모듈을 제공하는 것이 가능해진다.
도 1 은, 본 발명의 실시형태인 열전 변환 재료, 열전 변환 소자, 열전 변환 모듈의 단면도이다.
도 2 는, 실시예에 있어서 전기 저항률과 온도의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 3 은, 실시예에 있어서 제베크 계수와 온도의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4 는, 실시예에 있어서 파워 팩터와 온도의 관계를 나타내는 그래프이다.
이하에, 본 발명의 실시형태인 열전 변환 재료, 열전 변환 소자, 및, 열전 변환 모듈에 대해, 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 각 실시형태는, 발명의 취지를 보다 잘 이해시키기 위해 구체적으로 설명하는 것으로, 특별히 지정이 없는 한, 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또, 이하의 설명에서 사용하는 도면은, 본 발명의 특징을 알기 쉽게 하기 위해, 편의상, 주요부가 되는 부분을 확대하여 나타내고 있는 경우가 있고, 각 구성 요소의 치수 비율 등이 실제와 동일하다고는 한정되지 않는다.
도 1 에, 본 발명의 실시형태인 열전 변환 재료 (11), 및, 이 열전 변환 재료 (11) 를 사용한 열전 변환 소자 (10), 및, 열전 변환 모듈 (1) 을 나타낸다.
이 열전 변환 소자 (10) 는, 본 실시형태인 열전 변환 재료 (11) 와, 이 열전 변환 재료 (11) 의 일방의 면 (11a) 및 타방의 면 (11b) 에 형성된 전극 (18a, 18b) 을 구비하고 있다.
또, 열전 변환 모듈 (1) 은, 상기 서술한 열전 변환 소자 (10) 의 전극 (18a, 18b) 에 각각 접합된 단자 (19a, 19b) 를 구비하고 있다.
전극 (18a, 18b) 은, 니켈, 은, 코발트, 텅스텐, 몰리브덴 등이 사용된다. 이 전극 (18a, 18b) 은, 통전 소결, 도금, 전착 등에 의해 형성할 수 있다.
단자 (19a, 19b) 는, 도전성이 우수한 금속 재료, 예를 들어, 구리나 알루미늄 등의 판재로 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 알루미늄의 압연판을 사용하고 있다. 또, 열전 변환 소자 (10) (전극 (18a, 18b)) 와 단자 (19a, 19b) 는, Ag 브레이징이나, 전극 (18a 및 18b) 을 Ag 도금이나 Au 도금 등에 의해 Ag 접합재나 솔더에 의해 접합할 수 있다.
그리고, 본 실시형태인 열전 변환 재료 (11) 는, Cu 및 Se 를 주성분으로 하고, 추가로 임의의 Te 와, 제 10 족 원소 및 Cu 를 제외한 제 11 족 원소에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함하는 원소 M 을 함유하는 것으로 되어 있으며, 이하의 화학식으로 나타내는 것이다.
화학식 : CuxSe(1-y)TeyMZ
1.95 ≤ x < 2.05
0 ≤ y ≤ 0.1
0.002 ≤ z ≤ 0.03
여기서, 본 실시형태인 열전 변환 재료 (11) 에 있어서는, 상기 서술한 화학식에 있어서의 x, y, z 가 이하의 범위인 것이 바람직하다.
1.95 ≤ x < 2.05
0.05 ≤ y ≤ 0.1
0.002 ≤ z ≤ 0.01
즉, 본 실시형태인 열전 변환 재료 (11) 는, 셀렌화구리 (Cu2Se) 에, 미량의 제 10 족 원소 및 Cu 를 제외한 제 11 족 원소에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함하는 원소 M, 및, 임의의 Te 를 포함하는 것으로 되어 있다.
원소 M, 및, Te 를 미량으로 포함함으로써, 전기 저항률이 낮아진다. 또, 셀렌화구리 (Cu2Se) 에, 원소 M 및 Te 가 미량으로 첨가된 경우에도, 파워 팩터에는 큰 영향은 없다.
여기서, 상기 화학식에 있어서 x 를, 1.95 ≤ x < 2.05 로 함으로써, 셀렌화구리로 이루어지는 열전 변환 재료로서의 기본적 특성을 확보하는 것이 가능해진다.
또, 상기 화학식에 있어서 y 를, 0 ≤ y ≤ 0.1, 바람직하게는 0.05 ≤ x ≤ 0.1 로 함으로써, Se 의 일부를 Te 로 대체해도, 셀렌화구리로 이루어지는 열전 변환 재료로서의 기본적 특성을 확보하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 화학식에 있어서 z 를, 0.002 ≤ z ≤ 0.03, 바람직하게는 0.002 ≤ z ≤ 0.01 로 함으로써, 제베크 계수를 필요 이상으로 낮추지 않고, 전기 저항률을 저하시키는 것이 가능해진다.
본 실시형태인 열전 변환 재료 (11) 는, Cu 원료, Se 원료, Te 원료, 원소 M 을 포함하는 원료를 각각 칭량하여 혼합하고, 얻어진 혼합물을 소결 등 함으로써 제조할 수 있다. 또한, 원소 M 및 Te 는 미량인 점에서, 원소 M 및 Te 를 함유하는 Cu 원료나 Se 원료를 사용해도 된다.
이상과 같은 구성으로 된 본 실시형태인 열전 변환 재료 (11) 에 의하면, Cu 와 Se 에 더하여, 제 10 족 원소 및 Cu 를 제외한 제 11 족 원소에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함하는 원소 M 을 함유하고, 추가로 필요에 따라 Te 를 함유하고 있으므로, 전기 저항률이 낮아지지만 제베크 계수는 필요 이상으로 저하되지 않는다. 이 때문에, 열전 변환 효율의 지표가 되는 파워 팩터 (PF) 가 우수하여, 저전압 및 대전류의 용도에 있어서도, 열전 변환 효율이 높아진다.
또, 본 실시형태에 있어서, 1.95 ≤ x < 2.05, 0.05 ≤ y ≤ 0.1, 0.002 ≤ z ≤ 0.01 로 되어 있는 경우에는, 전기 저항률이 더욱 낮아져, 파워 팩터 (PF) 가 우수하다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니고, 그 발명의 기술적 사상을 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하다.
예를 들어, 본 실시형태에서는, 도 1 에 나타내는 바와 같은 구조의 열전 변환 모듈을 구성하는 것으로서 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 열전 변환 재료를 사용하고 있으면, 전극이나 단자의 구조 및 배치 등에 특별히 제한은 없다.
실시예
이하, 본 발명의 효과를 확인하기 위해 실시한 실험 결과에 대해 설명한다.
표 1 에 나타내는 바와 같이, Cu 원료, Se 원료, Te 원료, 원소 M 을 포함하는 원료를, 각각 칭량하여, 혼합하였다.
구체적으로는, 셀렌화구리 (Cu2Se) 와, Te 를 포함하는 화합물, 원소 M 을 포함하는 화합물을 사용하여, 표 1 에서 나타내는 조성을 만족하는 혼합물을 얻었다.
또한, 본 발명예 1 ∼ 3 에서는 원소 M 을 포함하는 원료로서 Pd 와 Ag 를 포함하는 화합물을 사용하고, 본 발명예 4 ∼ 6 에서는 원소 M 을 포함하는 원료로서 Ag 를 포함하는 화합물을 사용하였다.
얻어진 혼합물을, 핸드 프레스로 4 GPa, 1 분간 프레스하여 펠릿화하고, 관상로를 사용하여 1 차 소결하였다. 1 차 소결의 조건은, Ar 분위기 중에서 소결 온도를 100 ∼ 200 ℃, 소결 온도에서의 유지 시간을 3 시간으로 하였다. 그 후, 얻어진 소결체를 칭량하고, 관상로를 사용하여 2 차 소결하였다. 2 차 소결의 조건은, Ar 분위기 중에서 소결 온도를 850 ℃, 소결 온도에서의 유지 시간을 3 시간으로 하였다.
마지막으로, 얻어진 소결체를, 다이아몬드 밴드 소를 사용하여 소정의 사이즈로 절단하고, 절단 후의 소결체의 표면을 각종 번수의 샌드 페이퍼로 연마하였다. 이로써, 표 1 에 나타내는 조성의 열전 변환 재료를 얻었다.
상기 서술한 바와 같이 하여 얻어진 열전 변환 재료에 대해, 각종 온도에 있어서의 전기 저항률 R, 제베크 계수, 파워 팩터 PF 에 대해 평가하였다. 평가 결과를 도 2 ∼ 4 에 나타낸다.
또한, 도 2 ∼ 4 에 있어서, (1) 이 본 발명예 1, (2) 가 본 발명예 2, (3) 이 본 발명예 3, (4) 가 본 발명예 4, (5) 가 본 발명예 5, (6) 이 본 발명예 6, Ref. 가 비교예이다.
전기 저항률 R 과 제베크 계수 S 는, 어드밴스 리코 제조 ZEM-3 에 의해 측정하였다.
파워 팩터 (PF) 는, 이하의 (1) 식으로부터 구하였다.
PF = S2/R ··· (1)
단, S : 제베크 계수 (V/K), R : 전기 저항률 (Ω·m)
Figure pct00001
도 2 ∼ 4 에 있어서, 본 발명예 1 ∼ 6 이 (1) ∼ (6) 으로 나타나고, 비교예가 "Ref." 로서 나타나 있다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 제 10 족 원소 (Ni, Pd, Pt 등) 및 Cu 를 제외한 제 11 족 원소 (Ag, Au 등) 에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함하는 원소 M 과 필요에 따라 Te 와 포함하는 본 발명예 1 ∼ 6 에 있어서는, 원소 M 및 Te 를 포함하지 않는 비교예에 비해, 전기 저항률이 충분히 낮아졌다.
또, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 본 발명예 1 ∼ 6 에 있어서는, 비교예에 비해 제베크 계수는 낮아졌지만, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 파워 팩터 (PF) 에 대해서는 큰 차는 발생하지 않았다.
이상의 점에서, 본 발명예에 의하면, 전기 저항률이 낮고, 또한, 파워 팩터가 충분히 높아, 열전 변환 효율이 우수한 열전 변환 재료, 및, 이 열전 변환 재료를 사용한 열전 변환 소자, 및, 열전 변환 모듈을 제공 가능한 것이 확인되었다.
1 : 열전 변환 모듈
10 : 열전 변환 소자
11 : 열전 변환 재료
18a, 18b : 전극
19a, 19b : 단자

Claims (4)

  1. Cu 및 Se 를 주성분으로 하고, 추가로 제 10 족 원소 및 Cu 를 제외한 제 11 족 원소에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함하는 원소 M 과, 필요에 따라 Te 를 포함하고, 이하의 화학식으로 나타내는 것을 특징으로 하는 열전 변환 재료.
    화학식 : CuxSe(1-y)TeyMZ
    1.95 ≤ x < 2.05
    0 ≤ y ≤ 0.1
    0.002 ≤ z ≤ 0.03
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학식에 있어서,
    1.95 ≤ x < 2.05
    0.05 ≤ y ≤ 0.1
    0.002 ≤ z ≤ 0.01
    인 것을 특징으로 하는 열전 변환 재료.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 열전 변환 재료와, 상기 열전 변환 재료의 일방의 면 및 대향하는 타방의 면에 각각 접합된 전극을 구비한 것을 특징으로 하는 열전 변환 소자.
  4. 제 3 항에 기재된 열전 변환 소자와, 상기 열전 변환 소자의 상기 전극에 각각 접합된 단자를 구비한 것을 특징으로 하는 열전 변환 모듈.
KR1020227031825A 2020-03-27 2021-03-22 열전 변환 재료, 열전 변환 소자, 및, 열전 변환 모듈 KR20220159366A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020057017 2020-03-27
JPJP-P-2020-057017 2020-03-27
PCT/JP2021/011715 WO2021193534A1 (ja) 2020-03-27 2021-03-22 熱電変換材料、熱電変換素子、および、熱電変換モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220159366A true KR20220159366A (ko) 2022-12-02

Family

ID=77892142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227031825A KR20220159366A (ko) 2020-03-27 2021-03-22 열전 변환 재료, 열전 변환 소자, 및, 열전 변환 모듈

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230166970A1 (ko)
EP (1) EP4129896A1 (ko)
JP (1) JPWO2021193534A1 (ko)
KR (1) KR20220159366A (ko)
CN (1) CN115349181A (ko)
WO (1) WO2021193534A1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6216064B2 (ko) 1977-11-24 1987-04-10 Sony Corp
JP6266099B2 (ja) 2013-06-04 2018-01-24 中国科学院上海硅酸塩研究所 可逆的相転移を有する高性能p型熱電材料及びその製造方法
JP6460352B2 (ja) 2013-09-09 2019-01-30 エルジー・ケム・リミテッド 熱電材料
JP6460351B2 (ja) 2013-10-17 2019-01-30 エルジー・ケム・リミテッド 熱電材料及びその製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57130771A (en) 1981-02-02 1982-08-13 Daihen Corp Pulse arc welding device
JPS59141374A (ja) 1983-01-29 1984-08-14 Sansha Electric Mfg Co Ltd パルスア−ク溶接機
EP3026719B1 (en) 2013-09-09 2019-06-26 LG Chem, Ltd. Thermoelectric materials and their manufacturing method
KR20150044794A (ko) * 2013-10-17 2015-04-27 주식회사 엘지화학 열전 재료 및 그 제조 방법
JP6311121B2 (ja) * 2014-06-25 2018-04-18 パナソニックIpマネジメント株式会社 熱電変換モジュール
WO2019171915A1 (ja) * 2018-03-08 2019-09-12 住友電気工業株式会社 熱電材料素子、発電装置、光センサおよび熱電材料の製造方法
WO2019181142A1 (ja) * 2018-03-20 2019-09-26 住友電気工業株式会社 熱電変換材料、熱電変換素子、熱電変換モジュールおよび光センサ
JP6845912B2 (ja) 2019-12-25 2021-03-24 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6216064B2 (ko) 1977-11-24 1987-04-10 Sony Corp
JP6266099B2 (ja) 2013-06-04 2018-01-24 中国科学院上海硅酸塩研究所 可逆的相転移を有する高性能p型熱電材料及びその製造方法
JP6460352B2 (ja) 2013-09-09 2019-01-30 エルジー・ケム・リミテッド 熱電材料
JP6460351B2 (ja) 2013-10-17 2019-01-30 エルジー・ケム・リミテッド 熱電材料及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021193534A1 (ja) 2021-09-30
EP4129896A1 (en) 2023-02-08
US20230166970A1 (en) 2023-06-01
CN115349181A (zh) 2022-11-15
JPWO2021193534A1 (ko) 2021-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107251246B (zh) 热电模块及其制造方法
WO2015174462A1 (ja) 熱電変換素子及び熱電変換モジュール
KR102225427B1 (ko) 파워 모듈용 기판 및 그 제조 방법, 파워 모듈
EP4099411A1 (en) Thermoelectric conversion module
KR100341669B1 (ko) 열전 변환 소자
EP3349262B1 (en) Metal paste and thermoelectric module
KR20220159366A (ko) 열전 변환 재료, 열전 변환 소자, 및, 열전 변환 모듈
JP4584034B2 (ja) 熱電モジュール
EP3761381A1 (en) Thermoelectric conversion material, thermoelectric conversion element, thermoelectric conversion module and method for producing thermoelectric conversion material
KR20220004568A (ko) 전류 검출용 저항기 및 회로 기판
KR102634932B1 (ko) 전도성 페이스트
WO2018135286A1 (ja) p型熱電変換材料、熱電変換モジュール及びp型熱電変換材料の製造方法
JP4380606B2 (ja) n型熱電変換材料および熱電変換素子
EP3813130A1 (en) Thermoelectric conversion module and method for manufacturing thermoelectric conversion module
EP3758080A1 (en) Thermoelectric conversion material, thermoelectric conversion element, and thermoelectric conversion module
KR102409289B1 (ko) 마그네슘계 열전 변환 재료, 마그네슘계 열전 변환 소자, 및 마그네슘계 열전 변환 재료의 제조 방법
KR102632573B1 (ko) 열전 모듈 제조용 금속 페이스트 및 이를 이용하여 제조된 열전 모듈
WO2019168029A1 (ja) 熱電変換材料、熱電変換素子、熱電変換モジュール、及び、熱電変換材料の製造方法
JP2017085050A (ja) 熱電変換素子、熱電変換モジュール
JP2009081252A (ja) 熱電変換素子及びその電極形成方法
JP4882855B2 (ja) 熱電変換モジュールとその製造方法
JP5061706B2 (ja) 熱電素子とその製造方法および熱電変換モジュール
JP2003347607A (ja) 熱電変換モジュール用基板及び熱電変換モジュール
US20240206339A1 (en) Thermoelectric conversion device and thermoelectric conversion module
EP4290594A1 (en) Thermoelectric conversion module, and method for producing thermoelectric conversion module