KR20220153543A - 피가공물의 가공 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 디바이스 칩으로의 지립의 부착을 방지한 피가공물의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
피가공물의 가공 방법으로서, 피가공물(11)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선(L)을 피가공물의 이면(11b)측으로부터 분할 예정 라인(13)을 따라 조사하고, 디바이스 칩(19)의 마무리 두께에 상당하는 위치로부터 이면측에 개질층(17)을 형성하는 개질층 형성 공정과, 개질층 형성 공정을 실시한 후, 피가공물의 이면을 연삭하여 피가공물을 디바이스 칩의 마무리 두께로 가공하는 이면 연삭 공정과, 개질층 형성 공정을 실시한 후, 개질층이 형성된 분할 예정 라인을 따라 피가공물을 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정과, 이면 연삭 공정 및 분할 공정을 실시한 후, 지립을 포함하지 않는 연마액을 피가공물에 공급하면서 지립을 포함하는 연마 패드(44)를 이용하여 피가공물의 이면을 연마함으로써, 피가공물의 이면의 연삭 변형을 제거하는 연마 공정을 포함한다.

Description

피가공물의 가공 방법{WORKPIECE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 판형의 피가공물을 복수의 디바이스 칩으로 분할하는 피가공물의 가공 방법에 관한 것이다.
휴대 전화기나 퍼스널 컴퓨터로 대표되는 전자기기에서는, 전자회로(디바이스)를 구비하는 디바이스 칩이 필수 구성 요소가 되고 있다. 디바이스 칩은, 예컨대, 실리콘 등의 반도체 재료로 이루어지는 웨이퍼의 표면을 복수의 분할 예정 라인(스트리트)에 의해 구획하고, 각 영역에 전자회로를 형성한 후, 이 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 분할함으로써 제조된다.
웨이퍼를 분할하는 방법 중 하나로, 투과성이 있는 레이저 광선을 웨이퍼의 내부에 집광시켜 다광자 흡수에 의한 개질 영역(개질층)을 형성하고, 이 개질 영역을 분할의 기점으로 하여 웨이퍼를 디바이스 칩으로 분할하는 스텔스 다이싱(SD: Stealth Dicing)이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
스텔스 다이싱에서는, 절삭 등에 의해 웨이퍼에 홈을 형성할 필요가 없기 때문에, 분할 예정 라인의 폭을 축소하여 디바이스 칩을 취하는 수를 늘릴 수 있다. 한편, 이 스텔스 다이싱에는, 잔류하는 개질 영역에 기인하여 디바이스 칩의 항절(抗折) 강도가 저하되기 쉽다고 하는 문제가 있었다.
이 문제를 해결하기 위해서, 웨이퍼의 이면측으로부터 디바이스 칩의 마무리 두께에 이르지 않는 깊이의 위치에 개질 영역을 형성한 후, 이 웨이퍼의 이면측을 연삭하여 개질 영역을 제거하면서 디바이스 칩으로 분할하는 SDBG(Stealth Dicing Before Grinding)가 검토되고 있다(예컨대, 특허문헌 2, 특허문헌 3 참조).
그런데, 웨이퍼를 연삭하면, 피연삭면인 이면에 연삭 변형이 발생하여 디바이스 칩의 항절 강도는 저하되어 버린다. 그래서, 웨이퍼를 연삭한 후에는, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 등의 방법으로 웨이퍼를 연마하여 연삭 변형을 제거하고 있다.
일본 특허 공개 제2002-192370호 공보 국제 공개 제2003/77295호 일본 특허 공개 제2006-12902호 공보
그러나, 전술한 SDBG에 의해 연삭, 분할된 웨이퍼를 CMP로 연마하면, 연마액에 포함되는 유리 지립이 인접한 디바이스 칩의 간극에 침입하여 측면에 부착된다. 디바이스 칩의 측면에 지립이 부착되면, 그 후의 공정에서 문제점이 발생하기 쉬워진다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 디바이스 칩으로의 지립의 부착을 방지한 피가공물의 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 판형의 피가공물을 분할 예정 라인을 따라 복수의 디바이스 칩으로 분할하는 피가공물의 가공 방법으로서, 상기 피가공물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 상기 피가공물의 이면측으로부터 상기 분할 예정 라인을 따라 조사하고, 상기 디바이스 칩의 마무리 두께에 상당하는 위치로부터 이면측에 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과, 상기 개질층 형성 공정을 실시한 후, 상기 피가공물의 상기 이면을 연삭하여 상기 피가공물을 상기 디바이스 칩의 마무리 두께로 가공하는 이면 연삭 공정과, 상기 개질층 형성 공정을 실시한 후, 상기 개질층이 형성된 상기 분할 예정 라인을 따라 상기 피가공물을 개개의 상기 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정과, 상기 이면 연삭 공정 및 상기 분할 공정을 실시한 후, 지립을 포함하지 않는 연마액을 상기 피가공물에 공급하면서 지립을 포함하는 연마 패드를 이용하여 상기 피가공물의 이면을 연마함으로써, 상기 피가공물의 상기 이면의 연삭 변형을 제거하는 연마 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 방법이 제공된다.
본 발명에 있어서, 상기 연마 공정을 실시한 후, 상기 피가공물의 상기 이면에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 연마 패드의 경도(Asker-C)는 55도∼90도이고, 상기 연마 패드의 압축률은 2%∼15%이며, 상기 연마 패드에 포함되는 상기 지립의 재질은, 다이아몬드, 그린 카보런덤, 화이트 알런덤, 세리아 또는 지르코니아이고, 상기 연마 패드에 포함되는 상기 지립의 입경은 0.01 ㎛∼10 ㎛인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 연마액은 알칼리 용액인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 피가공물의 가공 방법에서는, 연마 공정에 있어서, 지립을 포함하지 않는 연마액을 피가공물에 공급하면서 지립을 포함하는 연마 패드를 이용하여 피가공물을 연마하기 때문에, 지립을 포함하는 연마액을 이용하는 종래의 방법과 같이, 디바이스 칩의 측면에 지립이 부착되는 일은 없다.
도 1은 피가공물 등을 모식적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 개질층 형성 공정을 모식적으로 나타낸 사시도이다.
도 3의 (A) 및 도 3의 (B)는 이면 연삭 공정 및 분할 공정을 모식적으로 나타낸 일부 단면 측면도이다.
도 4의 (A)는 연마 공정을 모식적으로 나타낸 일부 단면 측면도이고, 도 4의 (B)는 연마 공정 후의 피가공물을 모식적으로 나타낸 단면도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 따른 피가공물의 가공 방법은, 개질층 형성 공정(도 2 참조), 이면 연삭 공정(도 3의 (A) 및 도 3의 (B) 참조), 분할 공정(도 3의 (A) 및 도 3의 (B) 참조), 연마 공정(도 4의 (A) 및 도 4의 (B) 참조), 및 게터링층 형성 공정을 포함한다.
개질층 형성 공정에서는, 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 피가공물에 조사하여, 분할 예정 라인을 따르는 개질층을 형성한다. 이면 연삭 공정에서는, 피가공물의 이면을 연삭하여, 피가공물을 디바이스 칩의 마무리 두께로 가공한다. 분할 공정에서는, 피가공물을 분할 예정 라인을 따라 디바이스 칩으로 분할한다.
연마 공정에서는, 지립을 포함하지 않는 연마액을 피가공물에 공급하면서, 지립을 포함하는 연마 패드를 이용하여 피가공물의 이면을 연마한다. 이에 따라, 피가공물의 이면의 연삭 변형이 제거된다. 게터링층 형성 공정에서는, 피가공물의 이면에 게터링층을 형성한다. 이하, 본 실시형태에 따른 피가공물의 가공 방법에 대해서 상세히 설명한다.
도 1은 본 실시형태에서 가공되는 피가공물 등을 모식적으로 나타낸 사시도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 피가공물(11)은, 예컨대, 실리콘 등의 반도체 재료로 이루어지는 원반 형상의 웨이퍼이며, 그 표면(11a)측은, 중앙의 디바이스 영역과, 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역으로 나뉘어져 있다. 디바이스 영역은, 격자형으로 배열된 복수의 분할 예정 라인(스트리트)(13)에 의해 복수의 영역으로 더 구획되어 있고, 각 영역에는, IC, LSI 등의 디바이스(15)가 형성되어 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 실리콘 등의 반도체 재료로 이루어지는 웨이퍼를 피가공물(11)로서 이용하지만, 피가공물(11)의 재질, 형상 등에 제한은 없다. 예컨대, 세라믹, 수지, 금속 등의 재료로 이루어지는 기판을 피가공물(11)로서 이용할 수도 있다. 마찬가지로, 분할 예정 라인(13)의 배치나 디바이스(15)의 종류 등에도 제한은 없다.
본 실시형태에 따른 피가공물의 분할 방법에서는, 우선, 이 피가공물(11)의 표면(11a)측에 보호 부재(21)를 접착한다. 보호 부재(21)는, 예컨대, 피가공물(11)과 대략 같은 형태의 점착 테이프, 수지 기판, 피가공물(11)과 동종 또는 이종의 웨이퍼 등이며, 그 제1 면(21a)측에는, 접착제 등으로 이루어지는 접착층이 형성된다.
따라서, 피가공물(11)의 표면(11a)측에 보호 부재(21)의 제1 면(21a)측을 접촉시킴으로써, 보호 부재(21)를 피가공물(11)에 접착할 수 있다. 이와 같이 피가공물(11)에 보호 부재(21)를 접착함으로써, 연삭시에 가해지는 하중 등에 의한 디바이스(15)의 파손을 방지할 수 있다.
피가공물(11)에 보호 부재(21)를 접착한 후에는, 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 피가공물(11)에 조사하여, 분할 예정 라인을 따르는 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정을 실시한다. 도 2는 개질층 형성 공정을 모식적으로 나타낸 사시도이다. 개질층 형성 공정은, 예컨대, 도 2에 도시된 레이저 가공 장치(2)에 의해 실시된다.
레이저 가공 장치(2)는, 피가공물(11)을 흡인, 유지하는 척 테이블(4)을 구비한다. 척 테이블(4)은, 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)에 연결되어 있고, 수직 방향으로 대략 평행한 회전축 둘레로 회전한다. 또한, 척 테이블(4)의 아래쪽에는, 테이블 이동 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 척 테이블(4)은, 이 테이블 이동 기구에 의해 수평 방향으로 이동한다.
척 테이블(4)의 상면은, 피가공물(11)에 접착된 보호 부재(21)의 제2 면(21b)측을 흡인, 유지하는 유지면으로 되어 있다. 이 유지면에는, 척 테이블(4)의 내부에 형성된 유로(도시하지 않음) 등을 통해 흡인원(도시하지 않음)의 부압이 작용하고, 보호 부재(21)를 흡인하기 위한 흡인력이 발생한다.
척 테이블(4)의 위쪽에는, 레이저 가공 유닛(6)이 배치되어 있다. 레이저 가공 유닛(6)과 인접한 위치에는, 피가공물(11)을 촬상하기 위한 카메라(8)가 설치되어 있다. 레이저 가공 유닛(6)은, 레이저 발진기(도시하지 않음)로 펄스 발진된 레이저 광선(L)을 아래쪽으로 조사한다. 레이저 발진기는, 피가공물(11)에 흡수되기 어려운 파장(투과성을 갖는 파장)의 레이저 광선(L)을 펄스 발진시킬 수 있도록 구성되어 있다.
개질층 형성 공정에서는, 우선, 피가공물(11)에 접착된 보호 부재(21)의 제2 면(21b)을 척 테이블(4)의 유지면에 접촉시켜, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이에 따라, 피가공물(11)은, 이면(11b)측이 위쪽으로 노출된 상태로 척 테이블(4)에 흡인, 유지된다.
다음에, 피가공물(11)을 유지한 척 테이블(4)을 이동, 회전시켜, 레이저 가공 유닛(6)을 가공 대상의 분할 예정 라인(15)의 단부에 맞춘다. 그리고, 레이저 가공 유닛(6)으로부터 피가공물(11)의 이면(11b)을 향해 레이저 광선(L)을 조사하게 하면서, 척 테이블(4)을 가공 대상의 분할 예정 라인(13)에 평행한 방향으로 이동시킨다. 즉, 피가공물(11)의 이면(11b)측으로부터 분할 예정 라인(13)을 따라 레이저 광선(L)을 조사한다.
이때, 레이저 광선(L)의 집광점의 위치는, 피가공물(11)의 내부이며, 디바이스 칩의 마무리 두께에 상당하는 위치로부터 이면(11b)측에 맞춘다. 이에 따라, 레이저 광선(L)의 집광점 근방을 다광자 흡수로 개질하여, 가공 대상의 분할 예정 라인(15)을 따르는 개질층(17)을 형성할 수 있다. 즉, 개질층(17)은, 디바이스 칩의 마무리 두께에 상당하는 위치로부터 이면(11b)측에 형성된다. 모든 분할 예정 라인(15)을 따라 개질층(17)이 형성되면, 개질층 형성 공정은 종료된다.
개질층 형성 공정 후에는, 피가공물(11)의 이면(11b)을 연삭하는 이면 연삭 공정과, 피가공물(11)을 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정을 실시한다. 도 3의 (A) 및 도 3의 (B)는, 이면 연삭 공정 및 분할 공정을 모식적으로 나타낸 일부 단면 측면도이다. 이면 연삭 공정 및 분할 공정은, 예컨대, 도 3의 (A) 및 도 3의 (B)에 도시된 연삭 장치(12)에 의해 실시된다.
연삭 장치(12)는, 피가공물(11)을 흡인, 유지하는 척 테이블(14)을 구비한다. 척 테이블(14)은, 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)에 연결되어 있고, 수직 방향으로 대략 평행한 회전축 둘레로 회전한다. 또한, 척 테이블(14)의 아래쪽에는, 테이블 이동 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 척 테이블(14)은, 이 테이블 이동 기구에 의해 수평 방향으로 이동한다.
척 테이블(14)의 상면은, 피가공물(11)에 접착된 보호 부재(21)의 제2 면(21b)측을 흡인, 유지하는 유지면(14a)으로 되어 있다. 이 유지면(14a)에는, 척 테이블(14)의 내부에 형성된 유로(도시하지 않음) 등을 통해 흡인원(도시하지 않음)의 부압이 작용하고, 보호 부재(21)를 흡인하기 위한 흡인력이 발생한다.
척 테이블(14)의 위쪽에는, 연삭 유닛(16)이 배치되어 있다. 연삭 유닛(16)은, 연삭 유닛 승강 기구(도시하지 않음)에 지지된 스핀들 하우징(18)을 구비한다. 스핀들 하우징(18)에는, 스핀들(20)이 수용되어 있고, 스핀들(20)의 하단부에는, 원반 형상의 마운트(22)가 고정되어 있다.
마운트(22)의 하면에는, 마운트(22)와 대략 동일한 직경의 연삭휠(24)이 장착되어 있다. 연삭휠(24)은, 스테인리스, 알루미늄 등의 금속 재료로 형성된 휠베이스(26)를 구비한다. 휠베이스(26)의 하면에는, 복수의 연삭 지석(28)이 환형으로 배열되어 있다.
스핀들(20)의 상단측(기단측)에는, 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)이 연결되어 있다. 연삭휠(24)은, 이 회전 구동원으로부터 전달되는 회전력에 의해, 수직 방향으로 대략 평행한 회전축 둘레로 회전한다.
이면 연삭 공정 및 분할 공정에서는, 우선, 피가공물(11)에 접착된 보호 부재(21)의 제2 면(21b)을 척 테이블(14)의 유지면(14a)에 접촉시켜, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이에 따라, 피가공물(11)은, 이면(11b)측이 위쪽으로 노출된 상태로 척 테이블(14)에 흡인, 유지된다.
다음에, 척 테이블(14)을 연삭휠(24)의 아래쪽으로 이동시킨다. 그리고, 도 3의 (A)에 도시된 바와 같이, 척 테이블(14)과 연삭휠(24)을 각각 회전시켜, 순수 등의 연삭액을 공급하면서 스핀들 하우징(18)을 하강시킨다. 스핀들 하우징(18)의 하강량은, 피가공물(11)의 이면(11b)에 연삭 지석(28)의 하면이 압착될 정도로 조정된다.
이에 따라, 피가공물(11)의 이면(11b)측을 연삭할 수 있다. 이 연삭은, 예컨대, 피가공물(11)의 두께를 측정하면서 행해진다. 본 실시형태에서는, 분할 예정 라인(13)을 따라 개질층(17)을 형성하고 있기 때문에, 피가공물(11)은, 연삭시에 가해지는 압력으로 개질층(17)을 기점으로 파단되고, 분할 예정 라인을 따라 분할된다.
도 3의 (B)에 도시된 바와 같이, 피가공물(11)이 마무리 두께까지 얇아지고, 모든 분할 예정 라인(13)을 따라 복수의 디바이스 칩(19)으로 분할되면, 이면 연삭 공정 및 분할 공정은 종료된다.
또한, 본 실시형태에서는, 디바이스 칩(19)의 마무리 두께에 상당하는 위치로부터 이면(11b)측에 개질층(17)을 형성하고 있기 때문에, 피가공물(11)을 디바이스 칩의 마무리 두께까지 얇게 하면, 개질층(17)은 피가공물(11)로부터 완전히 제거된다. 그 때문에, 잔류하는 개질층(17)에 기인하여 디바이스 칩(19)의 항절 강도가 저하되는 일은 없다.
분할 공정 후에는, 피가공물(11)의 이면(11b)을 연마하는 연마 공정을 실시한다. 도 4의 (A)는 연마 공정을 모식적으로 나타낸 일부 단면 측면도이다. 연마 공정은, 예컨대, 도 4의 (A)에 도시된 연마 장치(32)에 의해 실시된다. 연마 장치(32)는, 피가공물(11)을 흡인, 유지하는 척 테이블(34)을 구비한다.
척 테이블(34)은, 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)에 연결되어 있고, 수직 방향으로 대략 평행한 회전축 둘레로 회전한다. 또한, 척 테이블(34)의 아래쪽에는, 테이블 이동 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있고, 척 테이블(34)은, 이 테이블 이동 기구에 의해 수평 방향으로 이동한다.
척 테이블(34)의 상면은, 피가공물(11)에 접착된 보호 부재(21)의 제2 면(21b)측을 흡인, 유지하는 유지면(34a)으로 되어 있다. 이 유지면(34a)에는, 척 테이블(34)의 내부에 형성된 유로(도시하지 않음) 등을 통해 흡인원(도시하지 않음)의 부압이 작용하고, 보호 부재(21)를 흡인하기 위한 흡인력이 발생한다.
척 테이블(34)의 위쪽에는, 연마 유닛(36)이 배치되어 있다. 연마 유닛(36)은, 연마 유닛 승강 기구(도시하지 않음)에 지지된 스핀들 하우징(38)을 구비한다. 스핀들 하우징(38)에는, 스핀들(40)이 수용되어 있고, 스핀들(40)의 하단부에는, 원반 형상의 마운트(42)가 고정되어 있다.
마운트(42)의 하면에는, 마운트(42)와 대략 동일 직경의 연마 패드(44)가 장착되어 있다. 이 연마 패드(44)는, 예컨대, 부직포나 발포 우레탄 등으로 이루어지는 연마포와, 연마포에 고정된 지립으로 구성된다. 연마 패드(44)의 두께는, 예컨대, 3 ㎜ 이상이며, 연마 패드(44)의 하면(연마면) 전체에는, 깊이가 2.5 ㎜ 이상인 홈이 격자형으로 형성되어 있다.
연마 패드(44)의 경도(Asker-C)는 55도∼90도인 것이 바람직하고, 연마 패드(44)의 압축률은 2%∼15%인 것이 바람직하다. 또한, 압축률은, 300 g/㎠의 하중을 가한 경우의 연마 패드(44)의 두께를 t1, 2000 g/㎠의 하중을 가한 경우의 연마 패드(44)의 두께를 t2로 하여, (t1-t2)/t1×100으로 구해진다. 연마 패드(44)의 압축률을 2%∼15%로 함으로써, 높은 연마 레이트를 유지하면서 피가공물(11)의 에지의 치핑을 억제할 수 있다.
또한, 지립의 재질은, 예컨대, 다이아몬드, 그린 카보런덤, 화이트 알런덤, 세리아, 지르코니아 등이며, 지립의 입경은, 예컨대, 0.01 ㎛∼10 ㎛, 바람직하게는, 0.1 ㎛∼2 ㎛이다. 단, 지립의 재질이나 지립의 입경은, 피가공물(11)의 재질 등에 따라 임의로 변경할 수 있다.
스핀들(40)의 상단측(기단측)에는, 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)이 연결되어 있다. 연마 패드(44)는, 이 회전 구동원으로부터 전달되는 회전력에 의해, 수직 방향으로 대략 평행한 회전축 둘레로 회전한다.
피가공물(11)의 이면(11b)을 연마할 때에는, 우선, 피가공물(11)에 접착된 보호 부재(21)의 제2 면(21b)을 척 테이블(34)의 유지면(34a)에 접촉시켜, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이에 따라, 피가공물(11)은, 이면(11b)측이 위쪽으로 노출된 상태로 척 테이블(34)에 흡인, 유지된다.
다음에, 척 테이블(34)을 연마 패드(44)의 아래쪽으로 이동시킨다. 그리고, 도 4의 (A)에 도시된 바와 같이, 척 테이블(34)과 연마 패드(44)를 각각 회전시켜, 연마액을 공급하면서 스핀들 하우징(38)을 하강시킨다. 스핀들 하우징(38)의 하강량은, 피가공물(11)의 이면(11b)에 연마 패드(44)의 하면(연마면)이 압착될 정도로 조정된다. 이에 따라, 피가공물(11)의 이면(11b)을 연마하여 연삭 변형을 제거할 수 있다.
연마액으로는, 예컨대, 지립을 포함하지 않는 알칼리 용액을 이용한다. 연마액에 지립을 포함시키면, 인접한 디바이스 칩(19)의 간극에 지립이 잔류하기 쉬워지기 때문이다. 본 실시형태에서는, 지립을 포함하는 연마 패드(44)를 이용하기 때문에, 연마액에 지립을 포함시키지 않아도 피가공물(11)을 적절히 연마할 수 있다. 또한, 알칼리 용액으로는, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화테트라메틸암모늄(TMAH), 탄산칼륨, 탄산수소나트륨, 탄산수소칼륨 등을 이용할 수 있다.
도 4의 (B)는 연마 공정 후의 피가공물(11)을 모식적으로 나타낸 단면도이다. 본 실시형태의 연마 공정에서는, 전술한 바와 같이, 지립을 포함하지 않는 연마액을 이용하여 피가공물(11)을 연마하기 때문에, 분할홈에 상당하는 디바이스 칩(19)의 측면에 지립이 부착되는 일은 없다.
연마 공정 후에는, 피가공물(11)의 이면에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정을 실시한다. 게터링층 형성 공정은, 예컨대, 연마 공정에서 사용된 연마 장치(32)를 이용하여, 연마 공정과 동일한 방법으로 실시된다. 단, 이 게터링층 형성 공정에서는, 연마 패드(44)의 하면(연마면)을 피가공물(11)의 이면(11b)에 압착시키지 않고 접촉시킨다. 즉, 연마 패드(44)로부터 피가공물(11)에 압력을 가하지 않는다.
이와 같이, 피가공물(11)의 이면(11b)을 연마 패드(44)에 의해 약간 문지름으로써, 미세한 변형을 포함하는 게터링층이 형성된다. 이 게터링층에 의해, 금속 원소 등에 의한 디바이스(15)의 오염을 방지할 수 있다. 또한, 이면 연삭 공정으로 형성되는 연삭 변형을 약간 잔존시켜, 게터링층으로 할 수도 있다. 이 경우에는, 연마 공정 후에 게터링층 형성 공정을 실시할 필요는 없다.
이상과 같이, 본 실시형태에 따른 피가공물의 가공 방법에서는, 연마 공정에 있어서, 지립을 포함하지 않는 연마액을 피가공물(11)에 공급하면서 지립을 포함하는 연마 패드(44)를 이용하여 피가공물(11)을 연마하기 때문에, 지립을 포함하는 연마액을 이용하는 종래의 방법과 같이, 디바이스 칩(19)의 측면에 지립이 부착되는 일은 없다.
또한, 본 발명은, 상기 실시형태의 기재에 한정되지 않고, 여러 가지 변경하여 실시할 수 있다. 예컨대, 상기 실시형태에서는, 이면 연삭 공정과 분할 공정을 동시에 실시하고 있지만, 이면 연삭 공정과 분할 공정을 따로따로 실시하여도 좋다.
구체적으로는, 예컨대, 분할 공정을 실시한 후에, 이면 연삭 공정을 실시할 수 있다. 이 경우, 분할 공정에는, 예컨대, 피가공물(11)에 접착된 익스팬드 테이프를 확장하는 방법이나, 피가공물(11)을 분할 예정 라인(13)을 따라 압박 날로 누르는 방법 등을 채용할 수 있다.
물론, 상기 실시형태에 따른 이면 연삭 공정 및 분할 공정을 실시한 후에, 필요에 따라, 익스팬드 테이프를 확장하는 분할 공정이나, 압박 날로 누르는 분할 공정을 추가로 실시하여도 좋다.
그 밖에, 상기 실시형태에 따른 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적 범위를 일탈하지 않는 한 적절하게 변경하여 실시할 수 있다.
11 : 피가공물 11a : 표면
11b : 이면 13 : 분할 예정 라인(스트리트)
15 : 디바이스 17 : 개질층
19 : 디바이스 칩 21 : 보호 부재
21a : 제1 면 21b : 제2 면
L : 레이저 광선 2 : 레이저 가공 장치
4 : 척 테이블 6 : 레이저 가공 유닛
8 : 카메라 12 : 연삭 장치
14 : 척 테이블 14a : 유지면
16 : 연삭 유닛 18 : 스핀들 하우징
20 : 스핀들 22 : 마운트
24 : 연삭휠 26 : 휠베이스
28 : 연삭 지석 32 : 연마 장치
34 : 척 테이블 34a : 유지면
36 : 연마 유닛 38 : 스핀들 하우징
40 : 스핀들 42 : 마운트
44 : 연마 패드

Claims (3)

  1. 판형의 피가공물을 분할 예정 라인을 따라 복수의 디바이스 칩으로 분할하는 피가공물의 가공 방법에 있어서,
    상기 피가공물에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 상기 피가공물의 이면측으로부터 상기 분할 예정 라인을 따라 조사하고, 상기 디바이스 칩의 마무리 두께에 상당하는 위치로부터 이면측에 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과,
    상기 개질층 형성 공정을 실시한 후, 상기 피가공물의 상기 이면을 연삭하여 상기 피가공물을 상기 디바이스 칩의 마무리 두께로 가공하는 이면 연삭 공정과,
    상기 개질층 형성 공정을 실시한 후, 상기 개질층이 형성된 상기 분할 예정 라인을 따라 상기 피가공물을 개개의 상기 디바이스 칩으로 분할하는 분할 공정과,
    상기 이면 연삭 공정 및 상기 분할 공정을 실시한 후, 지립을 포함하지 않는 연마액을 상기 피가공물에 공급하면서 지립을 포함하는 연마 패드를 이용하여 상기 가공물의 이면을 연마함으로써, 상기 피가공물의 상기 이면의 연삭 변형을 제거하는 연마 공정과,
    상기 연마 공정을 실시한 후, 상기 피가공물의 상기 이면에 게터링층을 형성하는 게터링층 형성 공정
    을 포함하고,
    상기 게터링층 형성 공정에서는 상기 연마 패드를 상기 피가공물의 상기 이면에 압착시키지 않고 접촉시키는 것에 의해 상기 게터링층을 형성하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 연마 패드의 경도(Asker-C)는 55도∼90도이고,
    상기 연마 패드의 압축률은 2%∼15%이며,
    상기 연마 패드에 포함되는 상기 지립의 재질은, 다이아몬드, 그린 카보런덤, 화이트 알런덤, 세리아 또는 지르코니아이고,
    상기 연마 패드에 포함되는 상기 지립의 입경은, 0.01 ㎛∼10 ㎛인 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 연마액은 알칼리 용액인 것을 특징으로 하는 피가공물의 가공 방법.
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