JP6836491B2 - デバイスが形成された基板を個々のチップに分割するための方法および装置 - Google Patents
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Description
リ剤貯留タンク523と防食剤貯留タンク524とは、それぞれ電磁流量調整弁521a,522a,523a,524aを介して加工液貯留タンク525に接続されている。この加工液貯留タンク525には、電磁流量調整弁521a,522a,523a,524aを調整することにより、純水貯留タンク521と酸化剤貯留タンク522とアルカリ剤貯留タンク523と防食剤貯留タンク524とに貯留された純水と酸化剤とアルカリ剤と防食剤とが流入される。なお、加工液貯留タンク525に貯留される加工液を構成する純水と酸化剤とアルカリ剤と防食剤の割合は任意であるが、各成分の濃度が上述した範囲になるようにすることが望ましい。加工液貯留タンク525には攪拌機525aが配置され、さらに、液位計525b、pH計525c、酸化還元電位計525dが設置され、それぞれ加工液の液位、pH、および酸化還元電位を測定することができる。攪拌機525a、液位計525b、pH計525c、酸化還元電位計525d、および電磁流量調整弁521a,522a,523a,524aは、制御装置200に接続されている。制御装置200は、これらの機器の動作の制御を行い、また、これらの測定器からの信号を受信する。制御装置200が測定器からの測定値に基づいて電磁流量調整弁521a,522a,523a,524aを調整することで、加工液の成分濃度を所定範囲に維持するように構成することができる。
明する。
図3(a)は、一実施形態による基板の分割方法によって分割される基板の斜視図である。図3(b)は、図3(a)に示される基板100の要部拡大断面図である。図3(a)および図3(b)に示される基板100は、厚みが750μmのシリコン等の半導体基板の表面100aに複数のデバイス112が形成されている。形成されるデバイス112の種類および数は任意である。基板100の表面100aに形成されているデバイス112は、分割予定ライン111によって区画されている。なお、分割予定ライン111は、光学的に認識できるものであれば任意の構成とすることができる。例えば、分割予定ライン111は、前述の撮像装置7で隣接するデバイス112の間の空間を分割予定ライン111と認識できるものでもよい。
先ず、基板100の表面100aにダイシングテープTを貼着し該ダイシングテープTの外周部を環状のフレームFによって支持する基板支持工程を実施する。図4に示すように、環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に基板100の表面100aを貼着する。従って、ダイシングテープTの表面に貼着された基板100は、裏面100bが上側となる。このようにしてダイシングテープTを介して環状のフレームFに支持された基板100は、チャックテーブル3上に配置される。
ように、基板100は、かかる工程により基板100の表面100aから形成される切削溝132と、先の工程で基板100の裏面100bに形成された切削溝130によって切断される。なお、この基板100の表面100aからの切断工程において切削領域に供給する加工液としては純水だけでもよい。かかる切断工程により基板100は、基板100は分割予定ライン111に沿って切断され個々のデバイスに分割される。
割予定ライン11に沿ってレーザー加工溝133を形成しているときの様子を示す断面図である。図9(b)は、レーザー光線照射装置62により、分割予定ライン11に沿って改質層134を形成しているときの様子を示す断面図である。レーザー加工工程を実施することにより、基板100は、分割予定ライン111に沿って形成されるレーザー加工溝133または改質層134によって切断される。全ての分割予定ライン11に沿ってレーザー加工工程を実施することで、基板100は分割予定ライン111に沿って切断され個々のデバイスに分割される。
3…チャックテーブル
5…加工液供給機構
7…撮像装置
13…搬出・搬入機構
43…切削ブレード
60…レーザー加工装置
100…基板
100a…表面
100b…裏面
111a…分割予定ライン
111b…分割予定ライン
111a,b…分割予定ライン
112…半導体デバイス
130…切削溝
132…切削溝
133…レーザー加工溝
134…改質層
521…純水貯留タンク
522…酸化剤貯留タンク
523…アルカリ剤貯留タンク
525…加工液貯留タンク
531…第1の加工液供給ノズル
532…第2の加工液供給ノズル
T…ダイシングテープ
Claims (21)
- デバイスが形成された基板を個々のチップに分割する方法であって、
前記基板のデバイスが形成されていない裏面に酸化剤およびアルカリ剤を含む加工液を供給するステップと、
前記加工液を供給しながら、前記基板の裏面から前記基板を分割予定ラインに沿って加工するステップと、
前記基板のデバイスが形成されている表面から、前記基板を分割予定ラインに沿って加工するステップと、を有し、
前記加工液のアルカリ剤は水酸化カリウムを含む、
方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記加工液の前記水酸化カリウムの濃度は10質量%〜40質量%の範囲内である、
方法。 - デバイスが形成された基板を個々のチップに分割する方法であって、
前記基板のデバイスが形成されていない裏面に酸化剤およびアルカリ剤を含む加工液を供給するステップと、
前記加工液を供給しながら、前記基板の裏面から前記基板を分割予定ラインに沿って加工するステップと、
前記基板のデバイスが形成されている表面から、前記基板を分割予定ラインに沿って加工するステップと、を有し、
前記加工液のアルカリ剤は水酸化テトラメチルアンモニウムを含む、
方法。 - 請求項3に記載の方法であって、
前記加工液の水酸化テトラメチルアンモニウムの濃度は10質量%〜25質量%の範囲内である、
方法。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法であって、
前記加工液の酸化剤は過酸化水素を含む、
方法。 - 請求項5に記載の方法であって、前記加工液の過酸化水素の濃度は0.5質量%以上である、
方法。 - 請求項6に記載の方法であって、前記加工液の過酸化水素の濃度は1.0質量%以上である、
方法。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の方法であって、
前記基板の裏面からの加工は、ダイシングブレードによる切削である、
方法。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の方法であって、
前記基板の裏面からの加工は、レーザーを使用する、
方法。 - 請求項1乃至9のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、
前記基板の裏面を加工する前に、前記基板の裏面の全体を研削するステップを有する、
方法。 - 請求項10に記載の方法であって、さらに、
前記基板の裏面の全体を研削した後に、前記基板の裏面の全体を研磨するステップを有する、
方法。 - 請求項10または11に記載の方法であって、
前記基板の裏面の全体を研削する前に、前記基板のデバイスが形成されていない周縁部に対してナイフエッジ防止加工を施すステップを有する、
方法。 - 請求項1乃至12のいずれか一項に記載の方法であって、
裏面の加工後の前記基板の裏面に粘着テープを張り付けるステップを有し、
前記基板の表面から加工するステップは、分割予定ラインに沿って、デバイス形成層の厚みだけを切削し、
前記方法はさらに、前記基板の表面を加工した後に、前記粘着テープを引っ張ることで、前記基板を分割予定ラインに沿って分割するステップを有する、
方法。 - デバイスが形成された基板を個々のチップに分割するための切削装置であって、
基板の裏面を上向きに保持するための第1テーブルと、
前記第1テーブルに保持された基板の裏面に分割予定ラインに沿って切削溝を形成するための第1切削機構と、
前記第1テーブルに保持された基板の裏面に酸化剤およびアルカリ剤を供給するための供給機構と、
基板の表面を上向きに保持するための第2テーブルと、
前記第2テーブルに保持された基板の表面に分割予定ラインに沿って加工するための第2切削機構と、を有し、
前記アルカリ剤は水酸化カリウムを含む、
切削装置。 - 請求項14に記載の切削装置であって、
前記水酸化カリウムの濃度は10質量%〜40質量%の範囲内である、
切削装置。 - デバイスが形成された基板を個々のチップに分割するための切削装置であって、
基板の裏面を上向きに保持するための第1テーブルと、
前記第1テーブルに保持された基板の裏面に分割予定ラインに沿って切削溝を形成するための第1切削機構と、
前記第1テーブルに保持された基板の裏面に酸化剤およびアルカリ剤を供給するための供給機構と、
基板の表面を上向きに保持するための第2テーブルと、
前記第2テーブルに保持された基板の表面に分割予定ラインに沿って加工するための第2切削機構と、を有し、
前記アルカリ剤は水酸化テトラメチルアンモニウムを含む、
切削装置。 - 請求項16に記載の切削装置であって、
前記水酸化テトラメチルアンモニウムの濃度は10質量%〜25質量%の範囲内である、
切削装置。 - 請求項14乃至17のいずれか一項に記載の切削装置であって、
前記第1切削機構は、切削ブレードを備える、
切削装置。 - 請求項14乃至18のいずれか一項に記載の切削装置であって、
前記第2切削機構は、切削ブレードを備える、
切削装置。 - 請求項14乃至17のいずれか一項に記載の切削装置であって、
前記第1切削機構は、レーザー加工装置を備える、
切削装置。 - 請求項14乃至18のいずれか一項に記載の切削装置であって、
前記第2切削機構は、レーザー加工装置を備える、
切削装置。
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