KR20220133352A - 기판 처리 방법 및 장치 - Google Patents

기판 처리 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220133352A
KR20220133352A KR1020210037865A KR20210037865A KR20220133352A KR 20220133352 A KR20220133352 A KR 20220133352A KR 1020210037865 A KR1020210037865 A KR 1020210037865A KR 20210037865 A KR20210037865 A KR 20210037865A KR 20220133352 A KR20220133352 A KR 20220133352A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing
detection sensor
sensor
substrate
position detection
Prior art date
Application number
KR1020210037865A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102616914B1 (ko
Inventor
권오열
박수영
신수연
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020210037865A priority Critical patent/KR102616914B1/ko
Priority to CN202111528758.9A priority patent/CN115132606A/zh
Priority to TW111100457A priority patent/TWI795161B/zh
Priority to JP2022002735A priority patent/JP7340634B2/ja
Priority to US17/665,233 priority patent/US20220310415A1/en
Publication of KR20220133352A publication Critical patent/KR20220133352A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102616914B1 publication Critical patent/KR102616914B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D3/00—Control of position or direction
    • G05D3/12—Control of position or direction using feedback
    • G05D3/20—Control of position or direction using feedback using a digital comparing device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/70—Determining position or orientation of objects or cameras
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput

Abstract

본 발명은 기판 처리 방법 및 장치로서, 기판 처리 장치의 처리 용기 또는 분사 노즐의 이동 위치를 위치 감지 센서를 통해 감지하면서 동시에 비젼 검사를 통해 위치 감지 센서의 감지 오류와 기판 처리 장치의 오작동을 판단하여 그에 따라 후속 조치를 수행하기 위한 방안을 제시한다.

Description

기판 처리 방법 및 장치{Method and apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판 처리 방법 및 장치로서, 보다 상세하게는 기판 처리 장치의 처리 용기 또는 분사 노즐의 이동 위치를 위치 감지 센서를 통해 감지하면서 동시에 비젼 검사를 통해 위치 감지 센서의 감지 오류와 기판 처리 장치의 오작동을 판단하여 그에 따라 후속 조치를 수행하기 위한 방안에 대한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 세정 공정은 기판 상에 잔류된 파티클을 제거하는 공정으로, 각각의 공정 전후 단계에서 진행된다.
세정 공정은 기판 처리 장치를 통해 기판 상에 케미칼 및 유기 용제 등을 각각 공급하여 이물질을 제거하는 공정이다. 처리 공정에는 기판의 로딩 및 언로딩과 각기 다른 처리액 등을 공급하면서 처리 공정에 따른 처리액을 회수하는 공정이 수행된다. 이를 위해서는 처리 용기를 설정된 높이 위치로 승강 또는 하강시키거나 분사 노즐을 대기 위치와 공정 위치로 회전 이동시키는 과정이 수반된다. 이때 처리 용기가 설정된 높이 위치로 적절하게 승하강하여 위치되었는지와 분사 노즐이 공정 위치로 적절하게 회전 이동하였는지는 해당 공정 수행에 있어서 상당히 중요한 요소이다.
일반적으로 처리 용기를 설정된 높이 위치로 승하강시키는 승강 유닛이나 분사 노즐을 대기 위치와 공정 위치로 회전이동시키는 노즐 이동 구동기가 구비되며, 승강 유닛을 통한 처리 용기의 높이 위치 또는 노즐 이동 구동기를 통한 분사 노즐의 회전 위치를 마그네틱 센서를 기반으로 하는 위치 감지 센서를 통해 감지하면서 해당 기구부의 적절한 위치 이동이 이루어지는지를 파악한다.
만약 기구부가 해당 처리 공정 수행을 위한 위치로 적절하게 이동되지 않은 경우, 알람과 함께 처리 공정을 중단시키고 복구 수행에 들어가는데, 알람 발생 중 대부분이 위치 감지 센서의 오감지로 인해 발생되고 있다. 이러한 오감지 발생은 불필요하게 처리 공정을 중단시키고 복구 작업을 수행하게 되므로 전체적인 공정 수율을 저하시키는 문제가 된다.
또한 기구부가 해당 처리 공정 수행을 위한 위치로 적절하게 이동되지 않았음에도 불구하고 위치 감지 센서가 정상 위치로 감지하는 경우, 처리 공정 수행에 따른 불량품 양산이나 장비 파손 등 중대한 문제를 야기하게 된다.
따라서 위치 감지 센서의 오감지를 방지하기 위한 대책이 강구될 필요가 있다.
한국 특허공개공보 제10-2015-0139018호 한국 특허공개공보 제10-2018-0002101호
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 처리 용기 또는 분사 노즐이 해당 처리 공정에 맞춰서 적절한 위치로 이동되었는지를 보다 정확하게 파악할 수 있는 방안을 제시하고자 한다.
특히, 처리 용기 또는 분사 노즐의 위치를 감지하는 위치 감지 센서의 오감지에 따라 불필요하게 처리 공정이 중단되고 복구 작업이 수행되어 전체적인 공정 수율이 저하되는 문제를 해결하고자 한다.
또한 처리 용기 또는 분사 노즐이 적절한 위치로 이동되지 않았음에도 불구하고 위치 감지 센서가 정상 위치로 감지함에 따라 처리 공정 수행에 따른 불량품 양산이나 장비 파손 등 중대한 문제 발생을 해소하고자 한다.
본 발명의 목적은 전술한 바에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일실시예는, 기판 처리 장치의 처리 공정에 따라 처리 용기 또는 분사 노즐을 기설정된 위치로 이동시키는 기구 이동 단계; 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 이동 위치를 복수의 위치 감지 센서를 통해 감지하는 센서 감지 단계; 비젼 센서를 통해 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 위치 상태를 검사하는 비젼 검사 단계; 및 상기 위치 감지 센서를 통한 감지 결과와 상기 비젼 센서를 통한 검사 결과를 종합하여 상기 위치 감지 센서의 감지 오류 또는 상기 기판 처리 장치의 오작동을 판단하는 작동 상태 판단 단계를 포함할 수 있다.
바람직하게는 상기 센서 감지 단계는, 기설정된 위치별로 배치된 복수의 위치 감지 센서를 통해 상기 이동 위치를 감지하며, 상기 비젼 검사 단계는, 기보유된 위치별 정상 상태 정보와 상기 이동 위치를 촬영한 촬영 이미지를 대비하여 상기 위치 상태를 검사할 수 있다.
일례로서, 상기 센서 감지 단계는, 상기 처리 용기 양측의 승강 유닛에 마련된 마그네틱을 상기 처리 용기의 높이 위치별로 배치된 복수의 마그네틱 감지 수단을 통해 감지하며, 상기 비젼 검사 단계는, 상기 처리 용기의 상부에서 촬영한 촬영 이미지와 기보유된 처리 용기의 위치별 정상 상태 정보를 대비하여 상기 처리 용기의 위치 상태를 검사할 수 있다.
다른 일례로서, 상기 센서 감지 단계는, 일측에 상기 분사 노즐이 배치된 노즐 지지대의 타측에 마련된 마그네틱을 상기 분사 노즐의 회전 위치별로 배치된 복수의 마그네틱 감지 수단을 통해 감지하며, 상기 비젼 검사 단계는, 상기 분사 노즐의 상부에서 촬영한 촬영 이미지와 기보유된 분사 노즐의 위치별 정상 상태 정보를 대비하여 상기 분사 노즐의 위치 상태를 검사할 수 있다.
나아가서 상기 작동 상태 판단 결과에 따라 후속 조치를 수행하는 후속 조치 단계를 더 포함할 수 있다.
일례로서, 상기 작동 상태 판단 단계는, 상기 위치 감지 센서를 통한 감지 결과가 비정상 위치로 판단되는 경우, 상기 비젼 센서를 통한 상기 위치 상태 검사 결과에 따른 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 위치 상태가 정상 상태이면 상기 위치 감지 센서의 감지 오류로 판단하며, 상기 후속 조치 단계는, 상기 기판 처리 장치의 처리 공정을 계속하여 수행할 수 있다.
다른 일례로서, 상기 작동 상태 판단 단계는, 상기 위치 감지 센서를 통한 감지 결과가 비정상 위치로 판단되는 경우, 상기 비젼 센서를 통한 상기 위치 상태 검사 결과에 따른 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 위치 상태가 비정상 상태이면 상기 기판 처리 장치의 오작동으로 판단하며, 상기 후속 조치 단계는, 상기 기판 처리 장치의 처리 공정을 중단할 수 있다.
나아가서 상기 후속 조치 단계는, 상기 위치 감지 센서의 감지 오류 발생 회수에 기초하여 상기 위치 감지 센서의 고장 정보를 제공할 수도 있다.
일례로서, 상기 작동 상태 판단 단계는, 상기 위치 감지 센서를 통한 감지 결과가 정상 위치로 판단되는 경우, 상기 비젼 센서를 통한 상기 위치 상태 검사 결과를 기초로 상기 위치 감지 센서의 감지 오차를 판단하며, 상기 후속 조치 단계는, 상기 위치 감지 센서의 감지 오차가 기준치를 초과하는 경우, 상기 기판 처리 장치의 처리 공정을 중단할 수 있다.
바람직하게는 상기 후속 조치 단계는, 상기 기판 처리 장치의 처리 공정 중단에 대한 알람 정보를 제공하고 자동 복구를 수행할 수도 있다.
또한 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일실시예는, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상부가 개방된 공정 공간이 제공되어 상기 공정 공간에 상기 기판 지지 유닛이 위치되며, 처리 공정에 따른 처리 유체를 유입 및 흡입하는 회수통이 마련된 처리 용기; 상기 처리 용기를 승하강시켜 상기 기판 지지 유닛에 대한 상기 처리 용기의 상대 높이를 변경하는 승강 유닛; 상기 처리 용기의 승하강 이동에 따른 상기 처리 용기의 높이 위치를 감지하는 처리 용기 위치 감지 센서; 상기 처리 용기의 상부에서 상기 처리 용기의 위치를 촬영하는 비젼 센서; 및 상기 비젼 센서의 촬영 이미지를 기초로 상기 처리 용기의 위치 상태를 검사하고, 이를 상기 처리 용기 위치 감지 센서의 감지 결과와 대비하여 상기 처리 용기 위치 감지 센서의 감지 오류 또는 상기 기판 처리 장치의 오작동에 대한 작동 상태를 판단하는 작동 상태 판단부를 포함할 수 있다.
바람직하게는 상기 처리 용기는, 처리 공정에 따른 복수의 처리 유체를 각각 개별적으로 유입 및 흡입하도록 높이에 따라 다단으로 복수의 회수통이 구비될 수 있다.
일례로서, 상기 승강 유닛은, 상기 처리 용기의 외면 양측에 서로 대응되어 배치되되, 일측 끝단이 상기 처리 용기에 연결된 샤프트를 수직 이동시켜 상기 처리 용기의 높이 위치를 변경하는 로드 실린더가 구비된 처리 용기 이동 구동기를 포함하며, 상기 처리 용기 위치 감지 센서는, 상기 샤프트에 배치된 마그네틱과 상기 샤프트의 승하강 이동에 따라 상기 마그네틱의 위치를 감지하도록 설정된 높이별로 배치된 복수의 마그네틱 감지 수단을 포함할 수 있다.
다른 일례로서, 대기 위치와 공정 위치 간에 회전 이동하여 기판 상에 처리 유체를 공급하는 분사 노즐이 구비된 분사 유닛; 및 상기 분사 노즐의 회전 이동에 따른 상기 분사 노즐의 회전 위치를 감지하는 분사 노즐 위치 감지 센서를 더 포함하며, 상기 비젼 센서는, 상기 분사 노즐의 상부에서 상기 분사 노즐의 위치를 촬영하며, 상기 작동 상태 판단부는, 상기 비젼 센서의 촬영 이미지를 기초로 상기 분사 노즐의 위치 상태를 검사하고, 이를 상기 분사 노즐 위치 감지 센서의 감지 결과와 대비하여 상기 분사 노즐 위치 감지 센서의 감지 오류 또는 상기 기판 처리 장치의 오작동을 판단할 수 있다.
나아가서 상기 분사 유닛은, 대기 위치와 공정 위치 간에 회전 이동하여 기판 상에 처리 유체를 공급하는 분사 노즐; 일측에 상기 분사 노즐이 배치되어 상기 분사 노즐을 지지하는 노즐 지지대; 및 상기 노즐 지지대의 타측을 기준으로 상기 노즐 지지대를 회전시켜 상기 분사 노즐을 회전 이동시키는 노즐 이동 구동기를 포함하며, 상기 분사 노즐 위치 감지 센서는, 상기 노즐 지지대의 타측에 배치된 마그네틱과 상기 노즐 지지대의 회전 이동에 따라 상기 마그네틱의 위치를 감지하도록 회전 각도별로 배치된 복수의 마그네틱 감지 수단을 포함할 수 있다.
바람직하게는 상기 처리 용기의 상대 높이를 변경하거나 상기 분사 노즐의 회전 위치를 변경하도록 제어하며, 상기 작동 상태 판단부의 판단 결과를 기초로 알람 정보를 제공하고 상기 기판 처리 장치의 처리 공정 중단 및 복구를 수행하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
일례로서, 상기 작동 상태 판단부는, 상기 처리 용기 위치 감지 센서 또는 상기 분사 노즐 위치 감지 센서를 통한 감지 결과가 비정상 위치로 판단되는 경우, 상기 비젼 센서를 통한 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 위치 상태 검사 결과에 따른 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 위치 상태가 정상 상태이면 위치 감지 센서의 감지 오류로 판단하며, 상기 제어부는, 상기 작동 상태 판단부의 작동 상태 판단 결과를 기초로 상기 기판 처리 장치의 처리 공정을 계속 수행하도록 제어할 수 있다.
다른 일례로서, 상기 작동 상태 판단부는, 상기 처리 용기 위치 감지 센서 또는 상기 분사 노즐 위치 감지 센서를 통한 감지 결과가 비정상 위치로 판단되는 경우, 상기 비젼 센서를 통한 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 위치 상태 검사 결과에 따른 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 위치 상태가 비정상 상태이면 상기 기판 처리 장치의 오작동으로 판단하며, 상기 제어부는, 상기 작동 상태 판단부의 작동 상태 판단 결과를 기초로 상기 기판 처리 장치의 처리 공정을 중단하도록 제어할 수 있다.
또 다른 일례로서, 상기 작동 상태 판단부는, 상기 처리 용기 위치 감지 센서 또는 상기 분사 노즐 위치 감지 센서를 통한 감지 결과가 정상 위치로 판단되는 경우, 상기 비젼 센서를 통한 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 위치 상태 검사 결과를 기초로 위치 감지 센서의 감지 오차가 기준치를 초과하는지 판단하며, 상기 제어부는, 상기 위치 감지 센서의 감지 오차가 기준치를 초과하는 경우, 상기 기판 처리 장치의 처리 공정을 중단할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법의 바람직한 일실시예는, 기판 처리 장치의 처리 공정에 따라 처리 용기를 기설정된 위치로 이동시키는 기구 이동 단계; 상기 처리 용기 양측의 승강 유닛에 마련된 마그네틱을 상기 처리 용기의 높이 위치별로 배치된 복수의 마그네틱 감지 수단을 통해 감지하는 센서 감지 단계; 상기 처리 용기의 상부에서 촬영한 촬영 이미지와 기보유된 상기 처리 용기의 위치별 정상 상태 정보를 대비하여 상기 처리 용기의 위치 상태를 검사하는 비젼 검사 단계; 상기 위치 감지 센서를 통한 감지 결과가 비정상 위치로 판단되는 경우, 상기 비젼 센서를 통한 상기 위치 상태 검사 결과를 기초로 상기 위치 감지 센서의 감지 오류 또는 상기 기판 처리 장치의 오작동에 대한 작동 상태를 판단하고, 상기 위치 감지 센서를 통한 감지 결과가 정상 위치로 판단되는 경우, 상기 비젼 센서를 통한 상기 위치 상태 검사 결과를 기초로 상기 위치 감지 센서의 감지 오차에 따른 작동 상태를 판단하는 작동 상태 판단 단계; 및 상기 작동 상태 판단 결과에 따라 상기 위치 감지 센서의 감지 오류로 판단시 처리 공정을 계속하여 수행하고, 상기 기판 처리 장치의 오작동 또는 상기 위치 감지 센서의 감지 오차가 기준치 초과로 판단시 처리 공정을 중단 및 알람 정보를 제공하는 후속 조치 단계를 포함할 수 있다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 처리 용기 또는 분사 노즐에 대한 위치 상태를 위치 감지 센서로 감지하면서 비젼 센서를 통해 추가적으로 검사함으로써 위치 감지 센서의 오감지를 파악할 수 있으므로 불필요한 기판 처리 장치의 처리 공정 중단을 방지하여 공정 수율을 향상시킬 수 있게 된다.
특히, 처리 용기 또는 분사 노즐이 정상 위치로 이동하지 못하였음에도 불구하고 위치 감지 센서가 이를 정상 위치로 감지하는 경우, 비젼 센서를 통해 비정상 위치임을 파악할 수 있으므로, 처리 공정 수행에 따른 불량품 양상이나 장비 파손 등의 중대 문제 발생을 사전에 방지할 수 있게 된다.
본 발명의 효과는 위에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일실시예를 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 일실시예를 도시한다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 주요부에 대한 일실시예의 구성도를 도시한다.
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일실시예에 대한 흐름도를 도시한다.
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 방법의 위치 감지 과정부터 후속 조치 과정까지의 일실시예에 대한 흐름도를 도시한다.
도 6은 본 발명에서 처리 용기의 상대적 상하 이동에 따른 높이 위치 감지에 대한 일실시예를 도시한다.
도 7은 본 발명에서 처리 용기의 높이 위치 감지 및 검사에 대한 일실시예를 도시한다.
도 8은 본 발명에서 처리 용기의 높이 위치 감지 및 검사에 대한 다른 실시예를 도시한다.
도 9는 본 발명에서 분사 노즐의 회전 위치 감지 및 검사에 대한 일실시예를 도시한다.
도 10은 본 발명에서 분사 노즐의 회전 위치 감지 및 검사에 대한 다른 실시예를 도시한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예들에 의해 한정되거나 제한되는 것은 아니다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 설명하기 위하여 이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하고 이를 참조하여 살펴본다.
먼저, 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니며, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 또한 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명은 기판 처리 장치의 처리 용기 또는 분사 노즐의 이동 위치를 위치 감지 센서를 통해 감지하면서 동시에 비젼 검사를 통해 위치 감지 센서의 감지 오류와 기판 처리 장치의 오작동을 판단하여 그에 따라 후속 조치를 수행하기 위한 방안을 개시한다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치에 대한 일실시예를 도시하고, 도 2는 본 발명의 기판 처리 장치를 상부에서 바라본 일실시예를 도시하며, 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 실시예에 대한 주요 구성도를 도시한다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(50), 처리 용기(100), 기판 지지 유닛(200), 분사 유닛(300), 처리액 공급 장치(400), 승강 유닛(500), 작동 상태 판단부(700), 제어부(800) 등을 포함한다.
챔버(50)는 밀폐된 내부 공간을 제공한다. 상부에는 기류 공급 유닛(51)이 설치된다. 기류 공급 유닛(51)은 챔버(50) 내부에 하강 기류를 형성한다.
기류 공급 유닛(51)은 고습도 외기를 필터링하여 챔버(50) 내부로 공급한다. 고습도 외기는 기류 공급 유닛(51)을 통과하여 챔버 내부로 공급되며 하강 기류를 형성한다. 하강 기류는 기판(W)의 상부에 균일한 기류를 제공하며, 처리 유체에 의해 기판(W) 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질들을 공기와 함께 처리 용기(100)의 회수통들(110,120,130)을 통해 배출시킨다.
챔버(50)는 공정 영역(56)과 유지보수 영역(58)으로 나뉜다. 공정 영역(56)에는 처리 용기(100)와 기판 지지 유닛(200)이 위치한다. 유지보수 영역(58)에는 처리 용기(100)와 연결되는 배출라인, 배기라인 등이 위치되며, 분사 유닛(300)과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치한다. 아울러 승강 유닛(500)의 처리 용기 이동 구동기(520a, 520b)은 유지보수 영역(58)으로부터 공정 영역(56)으로 연장되어 위치된다. 유지보수 영역(58)은 공정 영역(56)으로부터 격리된다.
처리 용기(100)는 상부가 개방된 원통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개방된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지 유닛(200)이 위치된다. 기판 지지 유닛(200)은 공정 진행시 기판(W)을 지지한 상태에서 기판(W)을 회전시킨다.
처리 용기(100)는 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기덕트(미도시)가 연결된 하부공간을 제공한다. 처리 용기(100)에는 회전되는 기판(W)상에서 비산되는 처리액과 기체를 유입 및 흡입하는 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)이 다단으로 배치된다. 환형의 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)은 하나의 공통된 환형공간과 통하는 배기구들을 갖는다.
구체적으로, 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)은 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 바닥면으로부터 연장되어 원통 형상을 갖는 측벽을 포함한다. 제2 회수통(120)은 제1회수통(110)를 둘러싸고, 제1회수통(110)로부터 이격되어 위치한다. 제3회수통(130)은 제2회수통(120)을 둘러싸고, 제2회수통(120)로부터 이격되어 위치한다.
제1 내지 제3 회수통 (110, 120, 130)은 기판(W)으로부터 비산된 처리액 및 흄이 포함된 기류가 유입되는 제1 내지 제3 회수공간을 제공한다. 제1 회수공간은 제1 회수통(110)에 의해 정의되고, 제2 회수공간은 제1 회수통과 제2 회수통 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3 회수공간은 제2회수통과 제3회수통 간의 이격 공간에 의해 정의된다.
제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)의 각 상면은 중앙부가 개방된다. 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)은 연결된 측벽으로부터 개방부로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 증가하는 경사면으로 이루어진다. 기판(W)으로부터 비산된 처리액은 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)의 상면들을 따라 회수 공간들 안으로 유입되어 폐처리액 유닛 또는 처리액 리사이클 유닛으로 배출된다.
한편, 처리 용기(100)는 처리 용기(100)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(500)과 결합된다. 승강 유닛(500)은 처리 용기(100)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 승강 유닛(500)은 처리 용기(100)의 양측 또는 처리 용기(100)의 둘레를 따라 이격되어 복수개가 배치될 수 있다. 승강 유닛(500)을 통해 처리 용기(100)가 상하로 이동됨에 따라 기판 지지 유닛(200)에 대한 처리 용기(100)의 상대 높이가 변경된다.
승강 유닛(500)은 브라켓(510a, 510b)과 처리 용기 이동 구동기(520a, 520b)를 포함한다. 브라켓(510a, 510b)은 처리 용기(100)의 외벽에 고정 설치된다. 처리 용기 이동 구동기(520a, 520b)는 브라켓(510a, 510b)과 연결된 샤프트를 수직 이동시키는 로드 실린더를 포함할 수 있다. 기판(W)이 척 스테이지(210)에 로딩 또는 언로딩될 때 척 스테이지(210)가 처리 용기(100)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(100)는 하강한다. 또한, 공정이 진행시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통들(110, 120, 130)로 유입될 수 있도록 처리 용기(100)의 높이가 제1 내지 제3 회수통들(110, 120, 130)에 대응되어 조절된다. 처리 용기(100)의 높이 조절을 통해 처리 용기(100)는 제1 내지 제3 회수공간 별로 회수되는 처리액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다. 이를 위해 승강 유닛(500)은 처리 용기(100)를 수직 이동시켜 처리 용기(100)와 기판 지지 유닛(200) 간의 상대적인 수직 위치를 변경시킨다.
처리 공정에 따른 처리 용기(100)의 높이를 제어하기 위해서 승강 유닛(500)에는 처리 용기(100)의 승하강 이동에 따른 처리 용기의 높이 위치를 감지하는 처리 용기 위치 감지 센서(610)가 배치된다.
처리 용기 위치 감지 센서(610)는 승강 유닛(500)의 처리 용기 이동 구동기(520a, 520b)에 대응되어 각각의 처리 용기 위치 감지 센서(610a, 610b)가 배치됨으로써 처리 용기(100)의 높이 위치를 감지할 수 있다. 처리 용기 위치 감지 센서(610a, 610b)는 마그네틱과 마그네틱 감지 수단을 포함한다.
일례로서 처리 용기 이동 구동기(520a, 520b)의 샤프트 하부 끝단에 마그네틱(620a, 620b)이 배치되고, 샤프트의 승하강 이동에 따라 마그네틱(620a, 620b)의 위치를 감지하도록 마그네틱 감지 수단(630a, 630b)이 배치된다.
마그네틱 감지 수단(630a, 630b)은 처리 용기(100) 양측의 처리 용기 이동 구동기(520a, 520b)별로 각각 배치되며, 척 스테이지(210)에 기판(W)을 로딩 또는 언로딩하기 위한 처리 용기(100)의 높이 위치 및 다단으로 구비된 제1 내지 제3 회수통(110, 120, 130)들의 높이 위치에 각각 대응되어 설정된 높이별로 마그네틱 감지 수단(631a, 632a, 633a, 631b, 632b, 633b)이 배치된다.
처리 용기(100)의 이동 위치를 감지하기 위한 마그네틱(620a, 620b)과 마그네틱 감지 수단(630a, 630b)의 배치 위치와 배치 개수는 필요에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
그리고 처리 용기(100)의 상부에서 처리 용기(100)의 이동에 따른 위치를 촬영하는 비젼 센서(690)가 배치된다.
이러한 처리 용기 위치 감지 센서(610)의 처리 용기(100)에 대한 위치 감지와 비젼 센서(690)를 통한 처리 용기(100)의 이동 위치를 촬영한 이미지는 작동 상태 판단부(700)로 제공되며, 작동 상태 판단부(700)에서 처리 용기(100)의 위치 상태를 판단한다.
일례로서, 작동 상태 판단부(700)는 처리 용기 위치 감지 센서(610)를 통한 감지 결과가 비정상 위치로 판단되는 경우, 비젼 센서(690)를 통한 처리 용기(100)의 위치 상태 검사 결과에 따른 처리 용기(100)의 위치 상태가 정상 상태이면 처리 용기 위치 감지 센서(610)의 감지 오류로 판단하고, 비젼 센서(690)를 통한 처리 용기(100)의 위치 상태 검사 결과에 따른 처리 용기(100)의 위치 상태가 비정상 상태이면 기판 처리 장치(10)의 오작동으로 판단한다.
또한 작동 상태 판단부(700)는 처리 용기 위치 감지 센서(610)를 통한 감지 결과가 정상 위치로 판단되는 경우, 비젼 센서(690)를 통한 처리 용기(100)의 위치 상태 검사 결과를 기초로 처리 용기 위치 감지 센서(610)의 감지 오차를 산출하고 감지 오차가 기준치를 초과하는지 판단한다.
제어부(800)는 승강 유닛(500)을 제어하여 처리 용기(100)를 승하강시킴으로써 상대 높이를 변경한다. 아울러 제어부(800)는 작동 상태 판단부(700)의 작동 상태 판단 결과를 기초로 후속 조치를 수행한다.
제어부(800)는 작동 상태 판단부(700)의 작동 상태 판단 결과를 기초로 정상 상태이면 기판 처리 장치(10)의 처리 공정을 계속 수행하도록 제어하며 비정상 상태이면 처리 공정을 중단하도록 제어한다. 또한 제어부(800)는 처리 용기 위치 감지 센서(610)가 감지 오차가 기준치를 초과하는 경우 기판 처리 장치(10)의 처리 공정을 중단한다.
아울러 제어부(800)는 작동 상태 판단부(700)의 판단 결과를 기초로 알람 정보를 제공하며, 기판 처리 장치(10)의 처리 공정 중단시 자동 복구를 수행하도록 제어한다.
기판 지지 유닛(200)은 스핀헤드(210), 회전축(220), 구동부(230) 및 저면 노즐 어셈블리(240)를 포함한다.
스핀 헤드(210)에 연결된 회전축(220)은 구동부(230)에 의해 회전되며, 이에 따라 스핀 헤드(210) 상에 장착된 기판(W)이 회전된다. 그리고, 회전축(220)에 관통 축설된 저면 노즐 어셈블리(240)는 기판(W)의 배면에 처리액을 분사한다. 스핀 헤드(210)는, 기판(W)이 상향 이격된 상태에서 지지되도록 설치된 지지부재를 갖는다. 지지부재는 스핀헤드(210)의 상면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 돌출되도록 설치된 다수의 척킹 핀(211)과, 각각의 척킹 핀(211) 안쪽에 돌출되도록 설치된 다수의 지지핀(222)을 포함한다. 회전축(220)은, 스핀 헤드(210)에 연결되며, 그 내부가 비어있는 중공축(Hollow Shaft) 형태로써, 후술할 구동부(230)의 회전력을 스핀 헤드(210)에 전달한다.
분사 유닛(300)은 노즐 지지대(310), 분사 노즐(320), 지지축(330), 그리고 노즐 이동 구동기(340)를 포함하며, 처리액 공급 유닛(400)은 분사 유닛(300)으로 처리 유체를 공급한다.
분사 노즐(320)은 노즐 지지대(310)의 일측 끝단 저면에 설치된다. 노즐 지지대(310)의 타측은 지지축(330)을 통해 노즐 이동 구동기(340)에 연결되며, 노즐 이동 구동기(340)는 노즐 지지대(310)의 타측을 기준으로 노즐 지지대(310)를 회전시켜 분사 노즐(320)을 공정 위치와 대기 위치로 회전 이동시킨다. 공정 위치는 분산 노즐(320)이 처리용기(100)의 수직 상부에 배치된 위치로서, 바람직하게는 기판 지지 유닛(200)에 놓인 기판의 중심부에 대응되는 위치가 된다. 대기 위치는 분사 노즐(320)이 처리용기(100)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 분사 노즐(320)은 기판(W)상으로 처리 유체를 공급한다.
분사 노즐(320)의 회전 이동에 따른 공정 위치와 대기 위치를 감지하기 위해 분사 노즐 위치 감지 센서(650)가 배치된다. 분사 노즐 위치 감지 센서(650)는 마그네틱과 마그네틱 감지 수단을 포함한다.
일례로서, 일측에 분사 노즐(320)이 배치된 노즐 지지대(310)의 타측 끝단에 마그네틱(660)이 배치되고, 노즐 지지대(310)의 회전 이동에 따라 마그네틱(660)의 위치를 감지하도록 마그네틱 감지 수단(670)이 배치된다.
마그네틱 감지 수단(670)은 분사 노즐(320)의 회전 각도별로 복수개(670a, 670b)가 배치된다. 가령 분사 노즐(320)의 대기 위치에 대응되는 마그네틱 감지 수단(670b)과 분사 노즐(320)의 공정 위치에 대응되는 마그네틱 감지 수단(670a)이 배치된다.
분사 노즐(320)의 위치를 감지하기 위한 마그네틱(660)과 마그네틱 감지 수단(670)의 배치 위치와 배치 개수는 필요에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
그리고 분사 노즐(320)의 상부에서 분사 노즐(320)의 위치를 촬영하는 비젼 센서(690)가 배치된다. 여기서 비젼 센서(690)는 앞서 처리 용기(100)의 위치를 촬영하면서 또한 분사 노즐(320)의 위치를 촬영할 수 있도록 배치된다.
이러한 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 분사 노즐(320)에 대한 위치 감지와 비젼 센서(690)를 통한 분사 노즐(320)의 이동 위치를 촬영한 이미지는 작동 상태 판단부(700)로 제공되며, 작동 상태 판단부(700)에서 분사 노즐(320)의 위치 상태를 판단한다.
일례로서, 작동 상태 판단부(700)는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)를 통한 감지 결과가 비정상 위치로 판단되는 경우, 비젼 센서(690)를 통한 분사 노즐(320)의 위치 상태 검사 결과에 따른 분사 노즐(320)의 위치 상태가 정상 상태이면 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 감지 오류로 판단하고, 비젼 센서(690)를 통한 분사 노즐(320)의 위치 상태 검사 결과에 따른 분사 노즐(320)의 위치 상태가 비정상 상태이면 기판 처리 장치(10)의 오작동으로 판단한다.
또한 작동 상태 판단부(700)는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)를 통한 감지 결과가 정상 위치로 판단되는 경우, 비젼 센서(690)를 통한 분사 노즐(320)의 위치 상태 검사 결과를 기초로 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 감지 오차를 산출하고 감지 오차가 기준치를 초과하는지 판단한다.
제어부(800)는 노즐 이동 구동기(340)을 제어하여 분사 노즐(320)를 회전시킴으로써 분사 노즐(320)의 위치를 변경한다. 아울러 제어부(800)는 작동 상태 판단부(700)의 작동 상태 판단 결과를 기초로 후속 조치를 수행한다.
제어부(800)는 작동 상태 판단부(700)의 작동 상태 판단 결과를 기초로 정상 상태이면 기판 처리 장치(10)의 처리 공정을 계속 수행하도록 제어하며 비정상 상태이면 처리 공정을 중단하도록 제어한다. 또한 제어부(800)는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)가 감지 오차가 기준치를 초과하는 경우 기판 처리 장치(10)의 처리 공정을 중단한다.
아울러 제어부(800)는 작동 상태 판단부(700)의 판단 결과를 기초로 알람 정보를 제공하며, 기판 처리 장치(10)의 처리 공정 중단시 자동 복구를 수행하도록 제어한다.
상기의 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)의 일실시예를 통해 공정 수행시 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 위치 이동을 감지하여 해당 처리 공정에 대응되는 적절한 위치 상태를 판단하며, 또한 위치 감지 센서의 감지 오류 및 기판 처리 장치의 오작동을 파악하여 그에 따른 후속 조치를 수행할 수 있다.
또한 본 발명에서는 상기에서 살펴본 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법을 제시하는데, 이하에서는 본 발명에 따른 기판 처리 방법에 대하여 실시예를 통해 살펴본다.
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일실시예에 대한 흐름도를 도시한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일실시예는, 기판 처리 장치(10)의 처리 공정에 따라 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)을 기설정된 위치로 이동시키는 기구 이동 단계(S100); 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 이동 위치를 복수의 위치 감지 센서(610, 650)를 통해 감지하는 센서 감지 단계(S200); 비젼 센서(690)를 통해 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 위치 상태를 검사하는 비젼 검사 단계(S300); 및 위치 감지 센서(610, 650)를 통한 감지 결과와 비젼 센서(690)를 통한 검사 결과를 종합하여 위치 감지 센서(610, 650)의 감지 오류 또는 기판 처리 장치(10)의 오작동을 판단하는 작동 상태 판단 단계(S400)를 포함하며, 아울러 상기 작동 상태 판단 결과에 따라 후속 조치를 수행하는 후속 조치 단계(S500)를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법에서 센서 감지 단계(S200) 내지 후속 조치 단계(S500)에 대하여 도 5에 도시된 실시예의 흐름도를 통해 보다 세부적으로 살펴보기로 한다.
기설정된 위치별로 배치된 처리 용기 위치 감지 센서(610) 또는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)를 통해 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 이동 위치를 감지(S210)하여 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)이 정상적인 위치로 이동하였는지는 판단(S230)한다.
또한 비젼 센서(690)로 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 상부에서 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 이동에 따른 위치를 촬영(S310)하여 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 위치 상태를 검사(S330)한다. 여기서 위치 상태 검사는 작동 상태 판단부(700)가 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 위치별 정상 상태 정보를 기보유하고 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 이동 위치를 촬영한 촬영 이미지와 위치별 정상 상태 정보를 대비하여 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 위치 상태가 정상 상태인지를 검사한다.
가령, 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 특정 위치에서 정상 상태의 이미지를 보유하고 이를 촬영 이미지와 대비하여 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)이 해당 위치에 적절하게 이동하였는지 또는 특정 부위가 어긋났거나 틀어졌는지에 대한 위치 상태를 검사한다.
일례로서, 작동 상태 판단부(700)는 처리 용기 위치 감지 센서(610) 또는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)를 통한 감지 결과가 비정상 위치로 판단(S230)되는 경우, 비젼 센서(690)를 통한 위치 상태 검사 결과를 기초로 처리 용기 위치 감지 센서(610) 또는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 감지 오류 또는 기판 처리 장치(10)의 오작동에 따른 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 위치 상태에 대한 정상 상태 여부 판단(S450)한다.
만약 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 위치 상태가 정상 상태로 판단(S450)되면, 작동 상태 판단부(700)는 처리 용기 위치 감지 센서(610) 또는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 작동 상태를 판단(S550)하는데, 비젼 센서(690)를 통한 위치 상태 검사 결과가 정상 상태임에도 처리 용기 위치 감지 센서(610) 또는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)를 통한 감지 결과가 비정상 위치로 감지된 경우, 처리 용기 위치 감지 센서(610) 또는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 감지 오류로 판단한다.
또한 작동 상태 판단부(700)는 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 위치 상태가 비정상 상태로 판단(S450)되면, 기판 처리 장치(10)의 오작동으로 판단한다. 이때 비젼 센서(690)를 통한 위치 상태 검사 결과를 통해 처리 용기 이동 구동기(520a, 520b) 또는 노즐 지지대(310)나 노즐 이동 구동기(340) 등의 오작동 여부를 판단할 수 있다.
그리고 작동 상태 판단부(700)의 위치 상태 검사 결과를 기초로 제어부(800)는 기판 처리 장치(10)를 제어하는데, 처리 용기 위치 감지 센서(610) 또는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 감지 결과가 감지 오류로 판단되면 제어부(800)는 기판 처리 장치(10)의 처리 공정을 계속하여 진행(S570)하며, 기판 처리 장치(10)의 오작동으로 판단되면 제어부(800)는 기판 처리 장치(10)의 처리 공정을 중단(S520)한다.
제어부(800)는 기판 처리 장치(10)의 처리 공정 중단시 알람 정보와 함께 작동 상태 판단부(700)의 위치 상태 검사 결과에 대한 정보를 관리자에게 제공할 수 있으며, 아울러 기판 처리 장치(10)의 오작동 발생 부분에 대한 자동 복구를 수행(S530)할 수도 있다. 자동 복구는 기판 처리 장치(10) 전체 또는 오작동 발생 부분에 대한 리셋을 통해 이루어질 수 있다.
나아가서 제어부(800)는 처리 용기 위치 감지 센서(610) 또는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 감지 오류 발생 회수를 기초로 처리 용기 위치 감지 센서(610) 또는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 고장 여부를 판단하고 이에 대한 고장 정보를 관리자에게 제공할 수도 있다.
일례로서, 작동 상태 판단부(700)는 처리 용기 위치 감지 센서(610) 또는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)를 통한 감지 결과가 정상 위치로 판단되는 경우, 비젼 센서(690)를 통한 위치 상태 검사 결과를 기초로 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 어긋남이나 틀어짐에 따른 위치 편차를 산출(S410)하고 산출된 위치 편차의 기준치 초과 판단(S430)을 기초로 처리 용기 위치 감지 센서(610) 또는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 감지 오차를 산출한다.
여기서 처리 용기 위치 감지 센서(610) 또는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 감지 오차는 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 특정 위치에서 정상 상태의 이미지와 촬영 이미지를 대비하여 특정 부위의 어긋남 정도 또는 틀어진 정도에 대한 위치 편차를 산출하고 이를 기준치와 대비하여 처리 용기 위치 감지 센서(610) 또는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 감지 결과에 따른 감지 오차를 산출할 수 있다.
그리고 작동 상태 판단부(700)의 작동 상태 판단 결과를 기초로 제어부(800)는 기판 처리 장치(10)를 제어하는데, 작동 상태 판단부(700)에서 판단한 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 위치 편차가 기준치 이내의 경우에는 처리 용기 위치 감지 센서(610) 또는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 감지 오차를 허용 범위 이내로 취급하여 제어부(800)는 기판 처리 장치(10)의 처리 공정을 계속하여 진행(S570)하며, 작동 상태 판단부(700)에서 판단한 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 위치 편차가 기준치를 초과하는 경우에는 처리 용기 위치 감지 센서(610) 또는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 작동 상태를 고장으로 판단(S510)하여 제어부(800)는 기판 처리 장치(10)의 처리 공정을 중단한다.
아울러 제어부(800)는 기판 처리 장치(10)의 처리 공정 중단시 알람 정보와 함께 처리 용기 위치 감지 센서(610) 또는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 감지 오차에 따른 고장 정보를 관리자에게 제공할 수도 있다.
이하에서는 상기의 본 발명에 따른 기판 처리 방법에 대하여 처리 용기(100) 또는 분사 노즐(320)의 이동 실시예를 통해 좀더 자세히 살펴보기로 한다.
도 6은 본 발명에 따라 처리 용기(100)의 이동 위치를 감지하는 일실시예를 도시한다.
상기 도 6의 (a)는 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 처리 용기(100)의 위치로서, 처리 용기(100)의 양측에 배치된 처리 용기 이동 구동기(520a, 520b)를 통해 처리 용기(100)를 기설정된 위치까지 상승시킨다. 기판(W)의 로딩 및 언로딩을 위해 처리 용기(100)를 기설정된 위치까지 하강시 샤프트 하부 끝단 마그네틱(620a, 620b) 위치를 복수의 마그네틱 감지 수단(630a, 630b) 중 기판(W)의 로딩 및 언로딩 위치에 대응되는 마그네틱 감지 수단(631a, 631b)이 감지한다.
또한 종류별 처리 유체를 유입 및 흡입하기 위해 처리 용기(100)가 해당 위치로 상승하는 경우, 처리 용기(100)의 양측에 배치된 처리 용기 이동 구동기(520a, 520b)를 통해 처리 용기(100)를 기설정된 위치까지 상승시킨다.
상기 도 6의 (b)와 같이 제3 회수통(130)을 통해 처리 유체를 유입 및 흡입하기 위해 처리 용기(100)를 기설정된 위치까지 상승시 샤프트 하부 끝단 마그네틱(620a, 620b) 위치를 복수의 마그네틱 감지 수단(630a, 630b) 중 제3 회수통(130)의 유입 및 흡입 위치에 대응되는 마그네틱 감지 수단(632a, 632b)이 감지한다.
이와 같이 처리 용기(100)를 설정된 위치로 이동시 처리 용기 위치 감지 센서(610)를 통해 처리 용기의 위치를 감지한다.
본 발명에서는 처리 용기 위치 감지 센서(610)를 통한 감지 결과와 비젼 센서(690)를 통한 검사 결과를 종합하여 처리 용기 위치 감지 센서(610)의 감지 오류 또는 기판 처리 장치(10)의 오작동 여부를 판단하는데, 이를 도 7 및 도 8를 참조하여 살펴본다.
상기 도 7의 (a)와 같이 제3 회수통(130)을 통해 처리 유체를 유입 및 흡입하기 위해 처리 용기(100)를 기설정된 위치까지 상승시 샤프트 하부 끝단 마그네틱(620a, 620b) 위치를 복수의 마그네틱 감지 수단(630a, 630b) 중 제3 회수통(130)의 유입 및 흡입 위치에 대응되는 마그네틱 감지 수단(632a, 632b)이 감지한다.
그리고 상기 도 7의 (b)와 같이 제3 회수통(130)을 통해 처리 유체를 유입 및 흡입하기 위해 처리 용기(100)가 위치된 상태를 비젼 센서(690)를 통해 촬영하고 촬영 이미지와 기보유된 정상 상태 정보를 대비한 검사한다.
일례로서, 상기 도 7의 (a)와 같이 제3 회수통(130)이 처리 유체를 유입 및 흡입하도록 처리 용기(100)가 정상 위치 상태로 이동하였음에도 처리 용기 위치 감지 센서(610)가 비정상 위치로 감지하는 경우, 상기 도 7의 (b)와 같이 비젼 센서(690)를 통해 처리 용기(100)의 위치 상태를 검사하여 정상 상태로 판단되면, 처리 용기 위치 감지 센서(610)의 감지 오류로 판단하고 처리 공정을 계속적으로 행한다.
다른 일례로서, 상기 도 8의 (a)와 같이, 제3 회수통(130)을 통해 처리 유체를 유입 및 흡입하기 위해 처리 용기(100)를 기설정된 위치까지 상승시에 처리 용기(100) 양측에 배치된 처리 용기 이동 구동기(520a, 520b) 중 일부 처리 용기 이동 구동기(510a)는 정상 동작하였으나 일부 처리 용기 이동 구동기(520b)가 정상적으로 동작하지 못함으로써, 상기 도 8의 (b)와 같이 처리 용기(100)가 뒤틀려 처리 용기(100)가 정상 위치로 이동하지 못하였음에도 정상 동작하지 않은 처리 용기 이동 구동기(520b)에 배치된 처리 용기 위치 감지 센서(610b)가 이를 정상 위치로 감지한 경우, 비젼 센서(690)를 통해 처리 용기(100)의 위치 상태를 검사함으로써 처리 용기 이동 구동기(520b)의 오작동을 파악할 수 있다.
또한 본 발명에서는 분사 노즐 위치 감지 센서(650)를 통한 감지 결과와 비젼 센서(690)를 통한 검사 결과를 종합하여 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 감지 오류 또는 기판 처리 장치(10)의 오작동 여부를 판단하는데, 이를 도 9 및 도 10을 참조하여 살펴본다.
분사 노즐(320)이 대기 위치에 있는 상태에서 분사 노즐(320)이 배치된 노즐 지지대(310)를 노즐 이동 구동기(340)가 회전시켜 분사 노즐(320)를 공정 위치로 회전 이동시키며, 노즐 지지대(310)에 배치된 마그네틱(660)의 이동을 회전 각도별로 배치된 마그네틱 감지 수단(670a, 670b)이 감지하여 분사 노즐(320)의 회전 이동을 감지한다.
상기 도 9의 (a)와 같이 분사 노즐(320)의 대기 위치로부터 공정 위치의 정상적인 위치로 이동시 노즐 지지대(310)에 배치된 마그네틱(660)을 마그네틱 감지 수단(670a)이 감지한다.
그리고 상기 도 9의 (b)와 같이 분사 노즐(320)의 위치 상태를 비젼 센서(690)를 통해 촬영하고 촬영 이미지와 기보유된 정상 상태 정보를 대하여 검사한다.
일례로서, 상기 도 9의 (a)와 같이 분사 노즐(320)이 정상적인 공정 위치로 이동하였음에도 분사 노즐 감지 센서(650)가 비정상 위치로 감지하는 경우, 상기 도 9의 (b)와 같이 비젼 센서(690)를 통해 분사 노즐(320)의 위치 상태를 검사하여 정상 상태로 판단되면, 분사 노즐 위치 감지 센서(650)의 감지 오류로 판단하고 처리 공정을 계속적으로 행한다.
다른 일례로서, 상기 도 10과 같이, 노즐 이동 구동기(340)가 정상적으로 동작하지 못함으로써, 분사 노즐(320)가 공정 위치 C에 대응되는 정상 위치로 이동하지 못하였음에도 분사 노즐 위치 감지 센서(650)가 이를 정상 위치로 감지한 경우, 비젼 센서(690)를 통해 분사 노즐(320)의 위치 상태를 검사함으로써 노즐 이동 구동기(340)의 오작동을 파악할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 의하면 처리 용기 또는 분사 노즐에 대한 위치 상태를 위치 감지 센서로 감지하면서 비젼 센서를 통해 추가적으로 검사함으로써 위치 감지 센서의 오감지를 파악할 수 있으므로 불필요한 기판 처리 장치의 처리 공정 중단을 방지하여 공정 수율을 향상시킬 수 있게 된다.
특히, 처리 용기 또는 분사 노즐이 정상 위치로 이동하지 못하였음에도 불구하고 위치 감지 센서가 이를 정상 위치로 감지하는 경우, 비젼 센서를 통해 비정상 위치임을 파악할 수 있으므로, 처리 공정 수행에 따른 불량품 양상이나 장비 파손 등의 중대 문제 발생을 사전에 방지할 수 있게 된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상이 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의해서 해석되어야하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 기판 처리 장치,
100 : 처리 용기,
200 : 기판 지지 유닛,
300 : 분사 유닛,
310 : 노즐 지지대,
320 : 분사 노즐,
340 : 노즐 이동 구동기,
400 : 처리액 공급 유닛,
500 : 승강 유닛,
510a, 510b : 브라켓,
520a, 520b : 치리 용기 이동 구동기,
610, 610a, 610b : 처리 용기 위치 감지 센서,
620a, 620b : 마그네틱,
630a, 630b : 마그네틱 감지 수단,
650 : 분사 노즐 위치 감지 센서,
660 : 마그네틱,
670 : 마그네틱 감지 수단,
690 : 비젼 센서,
700 : 작동 상태 판단부,
800 : 제어부.

Claims (20)

  1. 기판 처리 장치의 처리 공정에 따라 처리 용기 또는 분사 노즐을 기설정된 위치로 이동시키는 기구 이동 단계;
    상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 이동 위치를 복수의 위치 감지 센서를 통해 감지하는 센서 감지 단계;
    비젼 센서를 통해 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 위치 상태를 검사하는 비젼 검사 단계; 및
    상기 위치 감지 센서를 통한 감지 결과와 상기 비젼 센서를 통한 검사 결과를 종합하여 상기 위치 감지 센서의 감지 오류 또는 상기 기판 처리 장치의 오작동을 판단하는 작동 상태 판단 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 센서 감지 단계는,
    기설정된 위치별로 배치된 복수의 위치 감지 센서를 통해 상기 이동 위치를 감지하며,
    상기 비젼 검사 단계는,
    기보유된 위치별 정상 상태 정보와 상기 이동 위치를 촬영한 촬영 이미지를 대비하여 상기 위치 상태를 검사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 센서 감지 단계는,
    상기 처리 용기 양측의 승강 유닛에 마련된 마그네틱을 상기 처리 용기의 높이 위치별로 배치된 복수의 마그네틱 감지 수단을 통해 감지하며,
    상기 비젼 검사 단계는,
    상기 처리 용기의 상부에서 촬영한 촬영 이미지와 기보유된 처리 용기의 위치별 정상 상태 정보를 대비하여 상기 처리 용기의 위치 상태를 검사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 센서 감지 단계는,
    일측에 상기 분사 노즐이 배치된 노즐 지지대의 타측에 마련된 마그네틱을 상기 분사 노즐의 회전 위치별로 배치된 복수의 마그네틱 감지 수단을 통해 감지하며,
    상기 비젼 검사 단계는,
    상기 분사 노즐의 상부에서 촬영한 촬영 이미지와 기보유된 분사 노즐의 위치별 정상 상태 정보를 대비하여 상기 분사 노즐의 위치 상태를 검사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 작동 상태 판단 결과에 따라 후속 조치를 수행하는 후속 조치 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 작동 상태 판단 단계는,
    상기 위치 감지 센서를 통한 감지 결과가 비정상 위치로 판단되는 경우, 상기 비젼 센서를 통한 상기 위치 상태 검사 결과에 따른 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 위치 상태가 정상 상태이면 상기 위치 감지 센서의 감지 오류로 판단하며,
    상기 후속 조치 단계는,
    상기 기판 처리 장치의 처리 공정을 계속하여 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 작동 상태 판단 단계는,
    상기 위치 감지 센서를 통한 감지 결과가 비정상 위치로 판단되는 경우, 상기 비젼 센서를 통한 상기 위치 상태 검사 결과에 따른 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 위치 상태가 비정상 상태이면 상기 기판 처리 장치의 오작동으로 판단하며,
    상기 후속 조치 단계는,
    상기 기판 처리 장치의 처리 공정을 중단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 후속 조치 단계는,
    상기 위치 감지 센서의 감지 오류 발생 회수에 기초하여 상기 위치 감지 센서의 고장 정보를 제공하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 작동 상태 판단 단계는,
    상기 위치 감지 센서를 통한 감지 결과가 정상 위치로 판단되는 경우, 상기 비젼 센서를 통한 상기 위치 상태 검사 결과를 기초로 상기 위치 감지 센서의 감지 오차를 판단하며,
    상기 후속 조치 단계는,
    상기 위치 감지 센서의 감지 오차가 기준치를 초과하는 경우, 상기 기판 처리 장치의 처리 공정을 중단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  10. 제 7 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 후속 조치 단계는,
    상기 기판 처리 장치의 처리 공정 중단에 대한 알람 정보를 제공하고 자동 복구를 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  11. 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
    상부가 개방된 공정 공간이 제공되어 상기 공정 공간에 상기 기판 지지 유닛이 위치되며, 처리 공정에 따른 처리 유체를 유입 및 흡입하는 회수통이 마련된 처리 용기;
    상기 처리 용기를 승하강시켜 상기 기판 지지 유닛에 대한 상기 처리 용기의 상대 높이를 변경하는 승강 유닛;
    상기 처리 용기의 승하강 이동에 따른 상기 처리 용기의 높이 위치를 감지하는 처리 용기 위치 감지 센서;
    상기 처리 용기의 상부에서 상기 처리 용기의 위치를 촬영하는 비젼 센서; 및
    상기 비젼 센서의 촬영 이미지를 기초로 상기 처리 용기의 위치 상태를 검사하고, 이를 상기 처리 용기 위치 감지 센서의 감지 결과와 대비하여 상기 처리 용기 위치 감지 센서의 감지 오류 또는 상기 기판 처리 장치의 오작동에 대한 작동 상태를 판단하는 작동 상태 판단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 처리 용기는,
    처리 공정에 따른 복수의 처리 유체를 각각 개별적으로 유입 및 흡입하도록 높이에 따라 다단으로 복수의 회수통이 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 승강 유닛은,
    상기 처리 용기의 외면 양측에 서로 대응되어 배치되되, 일측 끝단이 상기 처리 용기에 연결된 샤프트를 수직 이동시켜 상기 처리 용기의 높이 위치를 변경하는 로드 실린더가 구비된 처리 용기 이동 구동기를 포함하며,
    상기 처리 용기 위치 감지 센서는,
    상기 샤프트에 배치된 마그네틱과 상기 샤프트의 승하강 이동에 따라 상기 마그네틱의 위치를 감지하도록 설정된 높이별로 배치된 복수의 마그네틱 감지 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    대기 위치와 공정 위치 간에 회전 이동하여 기판 상에 처리 유체를 공급하는 분사 노즐이 구비된 분사 유닛; 및
    상기 분사 노즐의 회전 이동에 따른 상기 분사 노즐의 회전 위치를 감지하는 분사 노즐 위치 감지 센서를 더 포함하며,
    상기 비젼 센서는,
    상기 분사 노즐의 상부에서 상기 분사 노즐의 위치를 촬영하며,
    상기 작동 상태 판단부는,
    상기 비젼 센서의 촬영 이미지를 기초로 상기 분사 노즐의 위치 상태를 검사하고, 이를 상기 분사 노즐 위치 감지 센서의 감지 결과와 대비하여 상기 분사 노즐 위치 감지 센서의 감지 오류 또는 상기 기판 처리 장치의 오작동을 판단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 분사 유닛은,
    대기 위치와 공정 위치 간에 회전 이동하여 기판 상에 처리 유체를 공급하는 분사 노즐;
    일측에 상기 분사 노즐이 배치되어 상기 분사 노즐을 지지하는 노즐 지지대; 및
    상기 노즐 지지대의 타측을 기준으로 상기 노즐 지지대를 회전시켜 상기 분사 노즐을 회전 이동시키는 노즐 이동 구동기를 포함하며,
    상기 분사 노즐 위치 감지 센서는,
    상기 노즐 지지대의 타측에 배치된 마그네틱과 상기 노즐 지지대의 회전 이동에 따라 상기 마그네틱의 위치를 감지하도록 회전 각도별로 배치된 복수의 마그네틱 감지 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 처리 용기의 상대 높이를 변경하거나 상기 분사 노즐의 회전 위치를 변경하도록 제어하며, 상기 작동 상태 판단부의 판단 결과를 기초로 알람 정보를 제공하고 상기 기판 처리 장치의 처리 공정 중단 및 복구를 수행하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 작동 상태 판단부는,
    상기 처리 용기 위치 감지 센서 또는 상기 분사 노즐 위치 감지 센서를 통한 감지 결과가 비정상 위치로 판단되는 경우, 상기 비젼 센서를 통한 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 위치 상태 검사 결과에 따른 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 위치 상태가 정상 상태이면 위치 감지 센서의 감지 오류로 판단하며,
    상기 제어부는,
    상기 작동 상태 판단부의 작동 상태 판단 결과를 기초로 상기 기판 처리 장치의 처리 공정을 계속 수행하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 작동 상태 판단부는,
    상기 처리 용기 위치 감지 센서 또는 상기 분사 노즐 위치 감지 센서를 통한 감지 결과가 비정상 위치로 판단되는 경우, 상기 비젼 센서를 통한 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 위치 상태 검사 결과에 따른 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 위치 상태가 비정상 상태이면 상기 기판 처리 장치의 오작동으로 판단하며,
    상기 제어부는,
    상기 작동 상태 판단부의 작동 상태 판단 결과를 기초로 상기 기판 처리 장치의 처리 공정을 중단하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 작동 상태 판단부는,
    상기 처리 용기 위치 감지 센서 또는 상기 분사 노즐 위치 감지 센서를 통한 감지 결과가 정상 위치로 판단되는 경우, 상기 비젼 센서를 통한 상기 처리 용기 또는 상기 분사 노즐의 위치 상태 검사 결과를 기초로 위치 감지 센서의 감지 오차가 기준치를 초과하는지 판단하며,
    상기 제어부는,
    상기 위치 감지 센서의 감지 오차가 기준치를 초과하는 경우, 상기 기판 처리 장치의 처리 공정을 중단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  20. 기판 처리 장치의 처리 공정에 따라 처리 용기를 기설정된 위치로 이동시키는 기구 이동 단계;
    상기 처리 용기 양측의 승강 유닛에 마련된 마그네틱을 상기 처리 용기의 높이 위치별로 배치된 복수의 마그네틱 감지 수단을 통해 감지하는 센서 감지 단계;
    상기 처리 용기의 상부에서 촬영한 촬영 이미지와 기보유된 상기 처리 용기의 위치별 정상 상태 정보를 대비하여 상기 처리 용기의 위치 상태를 검사하는 비젼 검사 단계;
    상기 위치 감지 센서를 통한 감지 결과가 비정상 위치로 판단되는 경우, 상기 비젼 센서를 통한 상기 위치 상태 검사 결과를 기초로 상기 위치 감지 센서의 감지 오류 또는 상기 기판 처리 장치의 오작동에 대한 작동 상태를 판단하고, 상기 위치 감지 센서를 통한 감지 결과가 정상 위치로 판단되는 경우, 상기 비젼 센서를 통한 상기 위치 상태 검사 결과를 기초로 상기 위치 감지 센서의 감지 오차에 따른 작동 상태를 판단하는 작동 상태 판단 단계; 및
    상기 작동 상태 판단 결과에 따라 상기 위치 감지 센서의 감지 오류로 판단시 처리 공정을 계속하여 수행하고, 상기 기판 처리 장치의 오작동 또는 상기 위치 감지 센서의 감지 오차가 기준치 초과로 판단시 처리 공정을 중단 및 알람 정보를 제공하는 후속 조치 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
KR1020210037865A 2021-03-24 2021-03-24 기판 처리 방법 및 장치 KR102616914B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210037865A KR102616914B1 (ko) 2021-03-24 2021-03-24 기판 처리 방법 및 장치
CN202111528758.9A CN115132606A (zh) 2021-03-24 2021-12-14 基板处理方法以及装置
TW111100457A TWI795161B (zh) 2021-03-24 2022-01-05 基板處理方法以及裝置
JP2022002735A JP7340634B2 (ja) 2021-03-24 2022-01-12 基板処理方法及び装置
US17/665,233 US20220310415A1 (en) 2021-03-24 2022-02-04 Method and apparatus for treating substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210037865A KR102616914B1 (ko) 2021-03-24 2021-03-24 기판 처리 방법 및 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220133352A true KR20220133352A (ko) 2022-10-05
KR102616914B1 KR102616914B1 (ko) 2023-12-21

Family

ID=83363655

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210037865A KR102616914B1 (ko) 2021-03-24 2021-03-24 기판 처리 방법 및 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220310415A1 (ko)
JP (1) JP7340634B2 (ko)
KR (1) KR102616914B1 (ko)
CN (1) CN115132606A (ko)
TW (1) TWI795161B (ko)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011077245A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置およびティーチング方法
KR20150139018A (ko) 2014-05-30 2015-12-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20160037065A (ko) * 2014-09-26 2016-04-05 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 위치 검출 장치, 기판 처리 장치, 위치 검출 방법 및 기판 처리 방법
KR20180002101A (ko) 2016-06-28 2018-01-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20190134372A (ko) * 2018-05-25 2019-12-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2020004817A (ja) * 2018-06-27 2020-01-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 補正方法、基板処理装置、及び基板処理システム
KR20210030447A (ko) * 2018-08-21 2021-03-17 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040023439A1 (en) * 2002-07-03 2004-02-05 Kazunari Kimino Apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP4799325B2 (ja) * 2006-09-05 2011-10-26 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し装置，基板処理装置，基板受け渡し方法
JP5314657B2 (ja) * 2010-11-12 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 ノズルの位置調整方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置
JP6423672B2 (ja) * 2014-09-26 2018-11-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US10365121B2 (en) * 2015-02-06 2019-07-30 Apple Inc. Magnetic sensing for auto focus position detection

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011077245A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置およびティーチング方法
KR20150139018A (ko) 2014-05-30 2015-12-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20160037065A (ko) * 2014-09-26 2016-04-05 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 위치 검출 장치, 기판 처리 장치, 위치 검출 방법 및 기판 처리 방법
KR20180002101A (ko) 2016-06-28 2018-01-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20190134372A (ko) * 2018-05-25 2019-12-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2020004817A (ja) * 2018-06-27 2020-01-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 補正方法、基板処理装置、及び基板処理システム
KR20210030447A (ko) * 2018-08-21 2021-03-17 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
CN115132606A (zh) 2022-09-30
TWI795161B (zh) 2023-03-01
US20220310415A1 (en) 2022-09-29
JP2022151585A (ja) 2022-10-07
JP7340634B2 (ja) 2023-09-07
TW202238670A (zh) 2022-10-01
KR102616914B1 (ko) 2023-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101709863B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6278759B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101697795B1 (ko) 노즐의 위치 조정 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치
JP6251086B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20220133352A (ko) 기판 처리 방법 및 장치
JP2011108958A (ja) 半導体ウェーハ搬送装置及びこれを用いた搬送方法
US6945258B2 (en) Substrate processing apparatus and method
JP6033595B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理装置における距離測定方法
JP6397557B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN110828330A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
JP4995669B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN115668461A (zh) 基板处理方法及基板处理装置
JP2021044467A (ja) 検知装置、および、検知方法
KR20110013895A (ko) 기판 처리 장치 및 그의 약액 토출 검사 방법
KR20200106774A (ko) 반도체 소자 검사 방법 및 장치
TWI831236B (zh) 狀態檢測裝置以及狀態檢測方法
TWI812258B (zh) 離心分離裝置及離心分離方法
CN115769344A (zh) 用于基板处理监视的设定信息的设定方法、基板处理装置的监视方法以及基板处理装置
WO2023100690A1 (ja) 基板処理装置およびガード判定方法
EP4227983A1 (en) Substrate treating apparatus, substrate treating system, and substrate treating method
JP2019021675A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2008082928A (ja) 外観検査装置
WO2020071212A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20050000450A (ko) 포토레지스트 코팅불량 감지방법 및 그 검출장치
KR20230168790A (ko) 약액 분사 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant