CN110828330A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。提供一种能够抑制微粒向基板的下表面附着的技术。本公开的基板处理装置包括旋转板、多个固定支承部、多个可动支承部以及多个提升销。旋转板能够旋转。多个固定支承部固定地设于旋转板上，沿着旋转板的周向呈圆弧状延伸，并支承基板。多个可动支承部以能够相对于旋转板接近和远离的方式设于旋转板上，并支承基板。多个提升销将多个可动支承部向上方推起。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
以往，公知有通过在旋转板上设置基板而使基板旋转，并且自旋转的基板的上方向基板的上表面供给处理液从而对基板进行处理的基板处理装置(参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2017－183310号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够抑制微粒向基板的下表面附着的技术。
用于解决问题的方案
本公开的技术方案的基板处理装置包括旋转板、多个固定支承部、多个可动支承部以及多个提升销。旋转板能够旋转。多个固定支承部固定地设于旋转板上，沿着旋转板的周向呈圆弧状延伸，并支承基板。多个可动支承部以能够相对于旋转板接近和远离的方式设于旋转板上，并支承基板。多个提升销用于将多个可动支承部向上方推起。
发明的效果
根据本公开，能够抑制微粒向基板的下表面附着。
附图说明
图1是表示第1实施方式所涉及的基板处理系统的概略结构的图。
图2是表示第1实施方式所涉及的处理单元的结构的图。
图3是表示把持部和提升销的动作例的图。
图4是第1实施方式所涉及的旋转板的俯视图。
图5是表示图4所示的A－A线向视剖面的一个例子的图。
图6是表示图4所示的A－A线向视剖面的一个例子的图。
图7是表示形成于旋转板的嵌合部和穿过部的形状的一个例子的俯视图。
图8是表示图5所示的B－B线向视剖面的一个例子的图。
图9是表示第2实施方式所涉及的旋转板和可动支承部的结构的剖视图。
图10是表示第3实施方式所涉及的旋转板和可动支承部的结构的剖视图。
图11是表示第4实施方式所涉及的旋转板和可动支承部的结构的剖视图。
图12是表示第4实施方式所涉及的旋转板和可动支承部的结构的剖视图。
图13是表示第5实施方式所涉及的旋转板和可动支承部的结构的剖视图。
图14是表示第6实施方式所涉及的提升销的结构的图。
图15是表示第7实施方式所涉及的提升销的结构的图。
图16是表示第8实施方式所涉及的嵌合部和穿过部的形状的俯视图。
图17是表示第9实施方式所涉及的旋转板和可动支承部的结构的剖视图。
图18是表示第10实施方式所涉及的处理单元的结构的图。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本公开的基板处理装置和基板处理方法的方式(以下，记载为“实施方式”)进行详细说明。另外，本公开的基板处理装置和基板处理方法并不限定于该实施方式。而且，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当组合。而且，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，省略重复的说明。
以往，公知有在旋转板上具备沿着基板的周向延伸的大致圆周状的基板支承部的基板处理装置。根据该基板处理装置，由于基板支承部在基板的下表面的大致整周上与基板的下表面接触，因而能够抑制处理液的自基板的上表面向下表面的迂回。
另一方面，这种基板处理装置包括用于在与输送装置之间进行基板的交接的多个提升销，在旋转板的周缘部和基板支承部的周缘部设有用于使多个提升销穿过的多个缺口部。基板支承部在设有缺口部的部位不与基板接触，而在该部位可能产生处理液的迂回。若产生处理液的迂回，例如，则可能导致处理液中含有的微粒附着于基板的下表面。而且，还可能导致处理空间内的微粒自缺口部侵入于基板与旋转板之间的空间而附着于基板的下表面。
于是，期待提供一种能够抑制微粒向基板的下表面附着的技术。
(第1实施方式)
＜基板处理系统的结构＞
图1是表示第1实施方式所涉及的基板处理系统的概略结构的图。以下，为了使位置关系明确，规定相互正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，基板处理系统1包括输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻设置。
输入输出站2包括载体载置部11和输送部12。在载体载置部11载置有以水平状态收纳多个基板的多个载体C，所述基板在第1实施方式中为半导体晶圆(以下称为晶圆W)。
输送部12与载体载置部11相邻设置，在内部具有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13包括保持晶圆W的晶圆保持机构。而且，基板输送装置13能够向水平方向和铅垂方向移动并且能够以铅垂轴线为中心进行旋转，使用晶圆保持机构在载体C与交接部14之间进行晶圆W的输送。
处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16沿着输送部15的两侧排列设置。
输送部15在内部具有基板输送装置17。基板输送装置17包括保持晶圆W的晶圆保持机构。而且，基板输送装置17能够向水平方向和铅垂方向移动，并且能够以铅垂轴线为中心进行旋转，使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的输送。
处理单元16对利用基板输送装置17输送的晶圆W进行规定的基板处理。
而且，基板处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如为计算机，包括控制部18和存储部19。在存储部19储存有对基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行储存于存储部19的程序从而控制基板处理系统1的动作。
另外，该程序既可以是存储到由计算机能够读取的存储介质的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19的程序。作为由计算机能够读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)以及存储卡等。
在上述这样构成的基板处理系统1中，首先，输入输出站2的基板输送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶圆W，将取出的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板输送装置17将载置于交接部14的晶圆W从交接部14取出，并向处理单元16输入。
在利用处理单元16对输入到处理单元16的晶圆W进行了处理之后，利用基板输送装置17将该晶圆W自处理单元16输出，并载置于交接部14。然后，利用基板输送装置13使载置于交接部14的已处理的晶圆W返回到载体载置部11的载体C。
＜处理单元的结构＞
接着，参照图2对处理单元16的结构进行说明。图2是表示第1实施方式所涉及的处理单元16的结构的图。
如图2所示，处理单元16包括壳体21、设于壳体21内的中央部且上表面开口的大致圆筒形状的杯部22、配置于杯部22的内侧且保持晶圆W并且能够旋转的晶圆保持旋转部23。而且，处理单元16包括刷24，该刷24向保持于晶圆保持旋转部23的晶圆W供给处理液，并且与晶圆W的上表面接触而清洗晶圆W的上表面。
在壳体21形成有未图示的输送口，该输送口用于利用基板输送装置17(参照图1)相对于壳体21输入和输出晶圆W。在输送口设有未图示的闸门，在进行输入和输出时，打开闸门，在进行处理时，关闭闸门而关闭输送口。
杯部22接收向晶圆W供给的处理液，并自未图示的排出通路将处理液排出。
晶圆保持旋转部23具有与配置于壳体21的下方的马达M连接而进行旋转的旋转轴23S和在下表面中央部安装于旋转轴23S的旋转板23P。马达M和旋转轴23S为使旋转板23P旋转的旋转机构的一个例子。
在旋转轴23S形成有贯穿其中央部的导管23C。导管23C经由阀等流量调整机构25与N2气体供给源26连接。在晶圆保持旋转部23的旋转板23P与利用晶圆保持旋转部23保持的晶圆W之间形成有空间，经过了导管23C的N2气体自导管23C的上端向该空间流出并朝向外周流动。在晶圆保持旋转部23和晶圆W旋转时，旋转板23P与晶圆W之间的空间相比于晶圆W上方的空间成为负压。于是，晶圆W的中心部挠曲，而可能导致晶圆W的上表面的平坦性劣化，还可能导致液体处理的均匀性劣化。但是，由于在该空间供给有N2气体，因此，能够抑制晶圆W的中心部的挠曲。而且，由于自旋转板23P与晶圆W之间的空间吹出N2气体，因此，能够获得降低供给到晶圆W的上表面的处理液自晶圆W的上表面迂回到下表面而附着于下表面的效果。
另外，自导管23C供给的气体并不限定于N2气体，还可以是氩气等其他的非活性气体、干燥的空气等。导管23C、流量调整机构25以及N2气体供给源26为向旋转板23P与晶圆W之间的空间供给气体的气体供给部的一个例子。
刷24以能够在水平面内转动的方式利用能够上下移动的臂24A支承。在臂24A内形成有供向晶圆W供给的处理液流动的导管24C。导管24C经由阀等流量调整机构27与处理液供给源28连接。在臂24A转动以及下降而使刷24与晶圆W的上表面接触时，来自处理液供给源28的处理液(例如，去离子水)经由导管24C自设于刷24的基端的开口24B向晶圆W的上表面供给。由此，刷24能够清洗晶圆W的上表面，并且能够利用处理液冲刷由刷24去除的微粒、残留物等。
另外，处理单元16还可以另外包括向晶圆W的上表面喷出处理液的喷嘴。
旋转板23P为利用马达M和旋转轴23S能够旋转的圆板状的构件。在旋转板23P的周缘部设有多个(图2中仅图示一个)把持部23G，该把持部23G通过按压晶圆W的周缘部从而自侧方把持晶圆W。
各把持部23G具有能够绕转动轴23T转动的杆构件23L和能够伴随杆构件23L的转动而转动从而与晶圆W的周缘部接触的把持片23A。在各杆构件23L的下方设有能够与杆构件23L的一端抵接的推起板41。推起板41沿着水平方向延伸，并自下方利用沿着铅垂方向延伸的多个支柱构件42支承。多个支柱构件42被沿着水平方向延伸的臂构件43自下方支承，臂构件43利用升降机构44上下移动。
而且，在旋转板23P的下方设有多个(图2中仅图示一个)提升销23H，在与基板输送装置17(参照图1)之间进行晶圆W的交接时，该提升销23H使晶圆W上下移动。各提升销23H沿着铅垂方向延伸，并被沿着水平方向延伸的臂构件51支承。臂构件51利用升降机构52上下移动。
在此，参照图3对上述的把持部23G的动作和提升销23H的动作进行说明。图3是表示把持部23G和提升销23H的动作例的图。
如图3所示，在输入晶圆W时，推起板41利用升降机构44向上方移动，而将把持部23G的杆构件23L的一端向上方推起。因此，设于杆构件23L的另一端的把持片23A向外方倾斜。
而且，在输入晶圆W时，提升销23H利用升降机构52向上方移动，成为配置于比旋转板23P高的位置的状态。
在旋转板23P的外周部形成有用于使提升销23H穿过的穿过部23P1。穿过部23P1为上下贯通旋转板23P的贯通孔。如图2所示，在穿过部23P1的上部以封闭穿过部23P1的方式设有可动支承部68。可动支承部68以能够相对于旋转板23P接近和远离的方式设于旋转板23P上，在自晶圆W的外方朝向内方向下倾斜的倾斜面上支承晶圆W。可动支承部68相对于旋转板23P设有多个，但在图2和图3中，仅示出一个可动支承部68。
这样，通过利用可动支承部68封闭穿过部23P1，例如，能够抑制处理液自晶圆W的上表面经由穿过部23P1迂回到晶圆W的下表面。而且，能够抑制壳体21内的微粒自穿过部23P1侵入到旋转板23P与晶圆W之间的空间。因而，根据第1实施方式所涉及的处理单元16，能够抑制微粒附着于晶圆W的下表面。
在输入晶圆W时，提升销23H利用升降机构52上升，并穿过设于旋转板23P的穿过部23P1而自下方与可动支承部68抵接。而且，如图3所示，提升销23H将可动支承部68与晶圆W一起向上方推起。
输入到壳体21的晶圆W自基板输送装置17被交接到利用多个提升销23H推起的多个可动支承部68。之后，多个提升销23H下降，而成为多个可动支承部68载置于旋转板23P上的状态(图2所示的状态)。之后，推起板41下降，从而解除推起板41与杆构件23L之间的接触状态，杆构件23L以转动轴23T为中心转动，相伴于此，把持片23A按压于晶圆W的周缘部。通过多个把持部23G的把持片23A按压晶圆W的周缘部，从而把持晶圆W。在该状态下，在马达M旋转时，旋转板23P和安装于旋转板23P的把持部23G旋转，在旋转板23P上被把持部23G把持的晶圆W旋转。
＜可动支承部和提升销的具体结构＞
接着，对可动支承部68和提升销23H等的具体结构进行说明。图4是第1实施方式所涉及的旋转板23P的俯视图。
如图4所示，旋转板23P具有平坦面61。平坦面61的外形为圆形，其直径小于晶圆W的直径。而且，在平坦面61的中央形成有用于相对于晶圆W的下表面供给N2气体的开口部61a。
在平坦面61的外侧互相空开间隔地配置有多个(在此，三个)固定支承部66。各固定支承部66固定地设于旋转板23P上，并沿着旋转板23P的周向呈圆弧状延伸。
各固定支承部66具有倾斜面66a和平坦面66b。倾斜面66a与平坦面61的外周缘连接配置。倾斜面66a自晶圆W的外侧(平坦面66b)朝向晶圆W的内侧(平坦面61)向下倾斜。平坦面66b与倾斜面66a的外周缘连接。
而且，在各固定支承部66的周向上的大致中央部设有缺口部64。缺口部64通过将固定支承部66的外周缘中的与多个把持片23A相对应的各部分朝向径向内侧切除而成，把持片23A配置于缺口部64内。另外，缺口部64到达倾斜面66a的中途部为止。
这样，处理单元16包括多个固定支承部66，该多个固定支承部66固定地设于旋转板23P上，并沿着旋转板23P的周向呈圆弧状延伸，支承晶圆W。由此，多个固定支承部66在大致整周上与晶圆W的下表面接触，从而能够抑制处理液的自晶圆W的上表面向下表面的迂回。而且，能够抑制壳体21内的微粒侵入到旋转板23P与晶圆W之间的空间。因而，能够抑制微粒向晶圆W的下表面附着。
可动支承部68配置于多个固定支承部66中的相邻的两个固定支承部66之间。可动支承部68具有倾斜面68a和平坦面68b。
倾斜面68a与平坦面61的外周缘相连配置。倾斜面68a自晶圆W的外侧(平坦面68b)朝向晶圆W的内侧(平坦面61)向下倾斜。平坦面68b与倾斜面68a的外周缘连接。
在可动支承部68载置于旋转板23P的状态下，可动支承部68的倾斜面68a与相邻的两个固定支承部66的各倾斜面66a相连。由此，在可动支承部68载置于旋转板23P的状态下，晶圆W被多个固定支承部66和多个可动支承部68支承。同样地，在可动支承部68载置于旋转板23P的状态下，可动支承部68的平坦面68b与相邻的两个固定支承部66的各平坦面66b相连。
这样，可动支承部68与相邻的两个固定支承部66一起形成一个圆弧状的支承部。由此，与处理单元16不包括可动支承部68的情况、即在相邻的两个固定支承部66之间存在间隙的情况相比较，能够抑制处理液的自晶圆W的上表面向下表面的迂回。而且，能够抑制微粒的相对于旋转板23P与晶圆W之间的空间的侵入。因而，能够抑制微粒向晶圆W的下表面附着。
图5和图6是表示图4所示的A－A线向视剖面的一个例子的图。而且，图7是表示形成于旋转板23P的嵌合部62和穿过部23P1的形状的一个例子的俯视图。
如图5和图6所示，旋转板23P包括与可动支承部68嵌合的嵌合部62。嵌合部62为使旋转板23P的上表面的一部分凹陷而成的凹部，设于穿过部23P1的上部。具体而言，嵌合部62具有与穿过部23P1连接的平坦面62a和自旋转板23P的上表面朝向平坦面62a向下倾斜的多个倾斜面62b。
而且，可动支承部68包括与旋转板23P的嵌合部62嵌合的被嵌合部63。被嵌合部63为使可动支承部68的下表面的一部分向下方突出而成的凸部，具有与嵌合部62的平坦面62a相对应的平坦面63a和与嵌合部62的多个倾斜面62b相对应的多个倾斜面63b。
如图6所示，在可动支承部68载置于旋转板23P的状态下，通过可动支承部68的被嵌合部63嵌入于旋转板23P的嵌合部62，能够抑制可动支承部68的位移。而且，通过在嵌合部62设置多个倾斜面62b，在使提升销23H下降时，能够容易将被嵌合部63引入至嵌合部62。因此，假设，在提升销23H未笔直下降的情况下，能够使可动支承部68适当地嵌合于嵌合部62。而且，通过在被嵌合部63也设置多个倾斜面63b，能够更可靠地将被嵌合部63向嵌合部62引入。
而且，如图7所示，嵌合部62具有俯视多边形状。另外，在此省略图示，但与嵌合部62相对应的被嵌合部63也具有与嵌合部62相同的俯视多边形状。在此，示出嵌合部62为俯视呈四边形的情况的例子，但嵌合部62既可以俯视呈三角形，也可以是俯视呈五边形。此外，嵌合部62不需要必须为俯视时必须具有角部的形状。
即，嵌合部62至少具有距中心的距离不同的至少两个部位即可。例如在图7所示的例子中，嵌合部62具有距中心的距离为L1的部位(四边形的边)和距中心的距离为大于L1的L2的部位(四边形的角)。通过设为该形状，能够抑制可动支承部68的旋转。
如图5和图6所示，可动支承部68包括供提升销23H的上部插入的插入孔65。插入孔65为使平坦面63a的一部分朝向上方凹陷而成的凹部。如图6所示，在可动支承部68载置于旋转板23P的状态下，插入孔65经由穿过部23P1与旋转板23P的下方侧的空间连通。
由于提升销23H利用升降机构52(参照图2)上升，因而提升销23H的上部经由穿过部23P1而插入于可动支承部68的插入孔65。在提升销23H的上部设有倾斜面23H1。因此，假设，提升销23H未笔直上升，也能够将提升销23H的上部引入至可动支承部68的插入孔65。
图8是表示图5所示的B－B线向视剖面的一个例子的图。如图8所示，提升销23H具有剖视多边形状。而且，可动支承部68的插入孔65也具有与提升销23H相同的剖视多边形状。在此，示出提升销23H和插入孔65俯视呈四边形状的情况的例子，但多边形状并不限定于四边形。而且，提升销23H和插入孔65不需要为剖视具有角部的形状。
即，提升销23H和插入孔65至少具有距中心的距离不同的至少两个部位即可。例如在图8所示的例子中，提升销23H具有距中心的距离为L11的部位(四边形的边)和距中心的距离为大于L11的L12的部位(四边形的角)。而且，插入孔65具有距中心的距离为大于L11且小于L12的L13的部位(四边形的边)和距中心的距离为大于L12的L14的部位(四边形的角)。通过设为该形状，能够抑制可动支承部68的旋转。
这样，根据第1实施方式所涉及的处理单元16，通过在旋转板23P上设置可动支承部68，利用提升销23H推起可动支承部68，从而使支承于可动支承部68的晶圆W上升。由此，例如，通过利用可动支承部68封闭用于使提升销23H穿过的穿过部23P1，能够抑制微粒向晶圆W的下表面附着。
(第2实施方式)
图9是表示第2实施方式所涉及的旋转板和可动支承部的结构的剖视图。如图9所示，第2实施方式所涉及的处理单元16A包括旋转板23PA和可动支承部68A。
第2实施方式所涉及的旋转板23PA在可动支承部68A的外周侧具有壁部23PA1。可动支承部68A在载置于旋转板23PA的状态下与壁部23PA1接触。
这样，通过在可动支承部68A的外周侧设置壁部23PA1，从而在旋转板23PA进行了旋转时，能够抑制可动支承部68A在离心力的作用下自旋转板23PA脱离。
(第3实施方式)
图10是表示第3实施方式所涉及的旋转板和可动支承部的结构的剖视图。如图10所示，第3实施方式所涉及的处理单元16B包括旋转板23PB和可动支承部68B。
在第3实施方式所涉及的旋转板23PB的内部设有磁体23PB1。磁体23PB1例如为永磁体。而且，第3实施方式所涉及的可动支承部68B构成为含有强磁体，利用磁体23PB1所具有的磁力来保持于旋转板23PB。
这样，通过利用磁力使可动支承部68B保持于旋转板23PB，能够抑制可动支承部68B自旋转板23PB脱离。
另外，在此设为磁体23PB1为永磁体，但磁体23PB1还可以是电磁体。通过使用电磁体作为磁体23PB1，例如，在由提升销23H进行推起时等、不需要将可动支承部68B保持于旋转板23PB的情况下，能够使磁力不作用于可动支承部68B。
而且，在此，设为在旋转板23PB设有磁体23PB1，但磁体23PB1也可以设于可动支承部68B。该情况下，旋转板23PB可以构成为含有强磁体。
(第4实施方式)
图11和图12是表示第4实施方式所涉及的旋转板和可动支承部的结构的剖视图。如图11和图12所示，第4实施方式所涉及的处理单元16C包括旋转板23PC和可动支承部68C。
第4实施方式所涉及的旋转板23PC在可动支承部68C的外周侧具有壁部23PC1。而且，在壁部23PC1的上部设有卡定部23PC2，该卡定部23PC2朝向旋转板23PC的径向内侧突出。可动支承部68C在载置于旋转板23PC的状态下与壁部23PC1接触，因而能够抑制可动支承部68C在离心力的作用下自旋转板23PC脱落。此外，可动支承部68C在载置于旋转板23PC的状态下与卡定部23PC2接触，因而，例如在施加了向上的力的情况下，也能够抑制可动支承部68C自旋转板23PC脱落。
旋转板23PC在卡定部23PC2的下部具有自旋转板23PC的径向外侧朝向径向内侧向上倾斜的倾斜面23PC3。而且，旋转板23PC具有自旋转板23PC的上表面朝向穿过部23P1向下倾斜的倾斜面23PC4。倾斜面23PC3和倾斜面23PC4平行。
而且，可动支承部68C具有与倾斜面23PC3、23PC4平行且与倾斜面23PC3接触的倾斜面68C1和与倾斜面23PC3、23PC4平行且与倾斜面23PC4接触的倾斜面68C2。此外，在可动支承部68C的下部设有自旋转板23PC的径向内侧朝向径向外侧向上倾斜的倾斜面68C3。而且，在倾斜面68C3中的旋转板23PC的径向外侧的端部设有朝向下方延伸的壁部68C4。
而且，在提升销23HC的上部设有与可动支承部68C的倾斜面68C3平行的倾斜面23HC1。
第4实施方式所涉及的处理单元16C如上所述地构成，在提升销23HC上升时，设于提升销23HC的上部的倾斜面23HC1与可动支承部68C的倾斜面68C3接触。之后，在提升销23HC进一步上升时，可动支承部68C一边沿着倾斜面23PC3、23PC4在倾斜方向上滑动一边上升，从而能够使支承于可动支承部68C的晶圆W上升到交接位置。此时，假设，在提升销23HC上升到超出需要的程度的情况下，提升销23HC与设于可动支承部68C的下部的壁部68C4抵接，从而能够抑制可动支承部68C自旋转板23PC脱落。
(第5实施方式)
图13是表示第5实施方式所涉及的旋转板和可动支承部的结构的剖视图。如图13所示，第5实施方式所涉及的处理单元16D包括旋转板23PD和可动支承部68D。
第5实施方式所涉及的可动支承部68D在比倾斜面68a靠旋转板23PD的径向内侧的位置具有延伸部68D1。
晶圆W与旋转板23PD之间的空间利用自导管23C供给的N2气体保持为正压。根据第5实施方式所涉及的可动支承部68D，通过由延伸部68D1承受晶圆W与旋转板23PD之间的空间的正压，从而成为按压于转板23PD的状态，因此，能够抑制可动支承部68D自旋转板23PD脱落。
(第6实施方式)
图14是表示第6实施方式所涉及的提升销的结构的图。如图14所示，第6实施方式所涉及的处理单元16E包括提升销23HE。
在提升销23HE的上部设有保持部23HE1。保持部23HE1例如为具有能够开闭的左右一对把持爪的把持机构，通过在可动支承部68的插入孔65内将左右一对把持爪打开而使其与插入孔65的内周面抵接，从而保持可动支承部68。
这样，通过在提升销23HE设置保持部23HE1，能够抑制可动支承部68的位置偏移、自提升销23HE的脱落等。
(第7实施方式)
图15是表示第7实施方式所涉及的提升销的结构的图。如图15所示，第7实施方式所涉及的处理单元16F包括提升销23HF。
在提升销23HF的上部设有保持部23HF1。保持部23HF1例如为利用气压能够膨胀的密封构件，通过在可动支承部68的插入孔65内使保持部23HF1膨胀，从而保持可动支承部68。
这样，通过在提升销23HF设置保持部23HF1，能够抑制可动支承部68的位移、自提升销23HF的脱落等。
(第8实施方式)
图16是表示第8实施方式所涉及的嵌合部和穿过部的形状的俯视图。在上述的各实施方式中，示出了穿过部23P1为贯通孔的情况的例子，但穿过部23P1不需要必须是贯通孔。例如，如图16所示，第8实施方式所涉及的处理单元16G包括旋转板23PG。形成于旋转板23PG的穿过部23PG1为将旋转板23PG的外周缘的一部分朝向径向内侧切除而成的缺口。
该情况下，形成于旋转板23PG的嵌合部62G例如具有与穿过部23PG1连接的平坦面62Ga和自旋转板23PG的上表面朝向平坦面62Ga向下倾斜的多个倾斜面62Gb。位于旋转板23PG的径向外侧的倾斜面62Gb由作为缺口的穿过部23PG1分割。在该分割而成的倾斜面62Gb的上部延伸有固定支承部66G的平坦面66Gb，利用该平坦面66Gb，能够抑制可动支承部(在此未图示)在旋转板23PG的离心力的作用下的脱落。
(第9实施方式)
图17是表示第9实施方式所涉及的旋转板和可动支承部的结构的剖视图。旋转板不需要必须包括穿过部。例如，如图17所示，第9实施方式所涉及的处理单元16H包括旋转板23PH和可动支承部68H。
可动支承部68H包括比旋转板23PH的外周缘向外方延伸的延伸部68H1。在延伸部68H1的下部设有供提升销23H的上部插入的插入孔65。提升销23H配置于比旋转板23PH靠外方的位置。
这样，在比旋转板23PH靠外方的位置配置提升销23H，并且在可动支承部68H设置延伸部68H1，使提升销23H贯穿于在延伸部68H1设置的插入孔65。通过设为该结构，即使在旋转板23PH未设置穿过部，也能够使用提升销23H将可动支承部68H推起。
这样，通过设为在旋转板23PH未设置穿过部的结构，能够更可靠地抑制微粒向晶圆W的下表面附着。
另外，还可以在旋转板23PH设有嵌合部62H，也可以在可动支承部68H设有被嵌合部63H。
(第10实施方式)
图18是表示第10实施方式所涉及的处理单元的结构的图。如图18所示，第10实施方式所涉及的处理单元16I包括对支承于多个可动支承部68的晶圆W的水平度进行检测的水平传感器69。
水平传感器69向控制部18发送晶圆W的水平度的检测结果。控制部18基于水平传感器69的检测结果，判断晶圆W的水平度是否在容许范围内。
例如，在任意提升销23H未适当地嵌入于可动支承部68的插入孔65的情况下，由于任意可动支承部68的高度位置偏移，因而可能导致晶圆W的水平度偏离容许范围。
在判断出晶圆W的水平度未在容许范围内的情况下，控制部18例如在使多个提升销23H暂时下降而离开可动支承部68之后，使多个提升销23H再次上升而与可动支承部68再次接触。通过使提升销23H暂时离开可动支承部68，并使提升销23H再次与可动支承部68接触时，可能使提升销23H适当地嵌入于插入孔65内。该情况下，能够使晶圆W的水平度回到容许范围内。另外，并不限定于此，控制部18还可以中断处理单元16I的处理，而向上级装置发送产生了异常的主旨的信息、使设于基板处理系统1的未图示警报装置(报警器、灯等)工作。
这样，由于包括水平传感器69，因而能够判断提升销23H是否适当地嵌入于可动支承部68的插入孔65。
另外，水平传感器69还可以在可动支承部68载置于旋转板23P的状态下检测晶圆W的水平度。该情况下，控制部18能够判断可动支承部68是否适当地载置于旋转板23P。
(其他实施方式)
在上述的实施方式中，例如图4所示，示出了配置把持片23A(参照图2)的缺口部64设于固定支承部66的周向上的大致中央部的情况的例子，但缺口部64还可以设于可动支承部68的附近。由此，成为把持片23A在可动支承部68的附近把持晶圆W，因此，把持片23A按压晶圆W的力容易向支承晶圆W的可动支承部68传递。因而，能够进一步抑制可动支承部68自旋转板23P脱落。缺口部64例如优选设于将固定支承部66沿着周向分成四个区域的情况下的最靠近可动支承部68的区域。
在上述的实施方式中，示出了嵌合部62和被嵌合部63俯视呈四边形状的情况的例子，嵌合部62和被嵌合部63也可以为俯视呈圆形。同样，提升销23H和插入孔65也可以剖视呈圆形。
在上述的实施方式中，作为处理液供给部的一个例子，列举了包括用于喷出处理液的开口24B的刷24并进行了说明，但处理液供给部并不限定于刷24，还可以是喷出处理液的喷嘴。
在上述的实施方式中，例如图4所示，示出了使用设于旋转板23P上的固定支承部66和可动支承部68支承晶圆W的情况的例子，但不需要必须设置固定支承部66。
如上所述，实施方式所涉及的基板处理装置(作为一个例子，处理单元16、16A～16I)包括旋转板(作为一个例子，旋转板23P、23PA～23PD、23PG、23PH)、多个固定支承部(作为一个例子，固定支承部66，66G)、多个可动支承部(作为一个例子，可动支承部68、68A～68D、68H)以及多个提升销(作为一个例子，提升销23H、23HC、23HE、23HF)。旋转板能够旋转。多个固定支承部固定地设于旋转板上，沿着旋转板的周向呈圆弧状延伸，并支承基板(作为一个例子，晶圆W)。多个可动支承部以能够相对于旋转板接近和远离的方式设于旋转板上，并支承基板。多个提升销用于将多个可动支承部向上方推起。由此，能够抑制微粒向基板的下表面附着。
可以是，旋转板包括使多个提升销穿过的多个穿过部(作为一个例子，穿过部23P1、23PG1)。该情况下，多个可动支承部可以设于封闭多个穿过部的位置。由此，例如，能够抑制处理液自基板的上表面经由穿过部迂回到基板的下表面。而且，能够抑制处理空间(壳体21)内的微粒自穿过部侵入到旋转板与基板之间的空间。因而，能够抑制微粒附着于基板的下表面。
可以是，可动支承部配置于多个固定支承部中的相邻的两个固定支承部之间，与两个固定支承部一起形成一个圆弧状的支承部。由此，在与不包括可动支承部的情况、即在相邻的两个固定支承部之间存在间隙的情况相比较，能够抑制处理液的自基板的上表面向下表面的迂回、微粒向旋转板与基板之间的空间的侵入。因而，能够抑制微粒的相对于基板的下表面的附着。
可以是，固定支承部具有自基板的外侧朝向内侧向下倾斜的倾斜面(作为一个例子，倾斜面66a)。该情况下，可以是，可动支承部具有与相邻的两个固定支承部的倾斜面相连的倾斜面(作为一个例子，倾斜面68a)。由此，能够使用固定支承部的倾斜面和可动支承部的倾斜面无间隙地支承基板的整周。因而，能够更可靠地抑制微粒向基板的下表面附着。
可以是，可动支承部包括供提升销的上部插入的插入孔65。该情况下，提升销的上部的外周面包括距提升销的中心的距离为第1距离(作为一个例子，距离L11)的第1部分和距提升销的中心的距离为大于第1距离的第2距离(作为一个例子，距离L12)的第2部分，插入孔65的内周面包括距入孔65的中心的距离为大于第1距离且小于第2距离的第3距离(作为一个例子，距离L13)的第3部分和距插入孔65的中心的距离为大于第2距离的第4距离(作为一个例子，距离L14)的第4部分。由此，能够抑制可动支承部的旋转。
可以是，旋转板包括与可动支承部嵌合的嵌合部(作为一个例子，嵌合部62、62G、62H)。在可动支承部载置于旋转板的状态下，通过可动支承部嵌入于旋转板的嵌合部，能够抑制可动支承部的位移。
可以是，嵌合部具有朝向内方倾斜的倾斜面。通过在嵌合部设置倾斜面，假设，在提升销未笔直下降的情况下，能够将可动支承部引入至嵌合部。
可以是，可动支承部(作为一个例子，可动支承部68B)利用磁力保持于旋转板(作为一个例子，旋转板23PB)。由此，能够抑制可动支承部自旋转板脱离。
可以是，基板处理装置(作为一个例子，处理单元16I)包括对支承于多个可动支承部的基板的水平度进行检测的水平传感器。由此，能够判断提升销是否适当地对可动支承部进行推起、或可动支承部是否适当地载置于旋转板。
应该认为，本次公开的实施方式在全部的方面为例示，并不用于限制本发明。实际上，上述的实施方式能够以多种多样的形态来实现。而且，上述的实施方式还可以不偏离附加的技术方案及其主旨而以各种形态进行省略、替换、变更。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：
旋转板，其能够旋转；
多个固定支承部，其固定地设于所述旋转板上，沿着所述旋转板的周向呈圆弧状延伸，并支承基板；
多个可动支承部，其以能够相对于所述旋转板接近和远离的方式设于所述旋转板上，并支承所述基板；以及
多个提升销，其用于将所述多个可动支承部向上方推起。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述旋转板包括多个穿过部，该多个穿过部使所述多个提升销穿过，
所述多个可动支承部设于封闭所述多个穿过部的位置。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述可动支承部配置于所述多个固定支承部中的相邻的两个固定支承部之间，并与所述两个固定支承部一起形成一个圆弧状的支承部。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述固定支承部具有自所述基板的外侧朝向内侧向下倾斜的倾斜面，
所述可动支承部具有与所述相邻的两个固定支承部的所述倾斜面相连的倾斜面。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述可动支承部包括插入孔，该插入孔供所述提升销的上部插入，
所述提升销的上部的外周面包括距所述提升销的中心的距离为第1距离的第1部分和距所述提升销的中心的距离为大于所述第1距离的第2距离的第2部分，
所述插入孔的内周面包括距所述插入孔的中心的距离为大于所述第1距离且小于所述第2距离的第3距离的第3部分和距所述插入孔的中心的距离为大于所述第2距离的第4距离的第4部分。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述旋转板包括与所述可动支承部嵌合的嵌合部。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述嵌合部具有朝向内方倾斜的倾斜面。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述可动支承部利用磁力保持于所述旋转板。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括水平传感器，该水平传感器对支承于所述多个可动支承部的所述基板的水平度进行检测。
10.一种基板处理方法，其中，
该基板处理方法包含：
支承工序，使用多个固定支承部和多个可动支承部支承所述基板，其中，多个固定支承部固定地设于能够旋转的旋转板上，沿着所述旋转板的周向呈圆弧状延伸，并支承基板，多个可动支承部以能够相对于所述旋转板接近和远离的方式设于所述旋转板上，并支承所述基板；以及
上升工序，使用用于将所述多个可动支承部向上方推起的多个提升销使被所述多个固定支承部和所述多个可动支承部支承的所述基板与所述多个可动支承部一起上升。
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