KR20200018253A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200018253A
KR20200018253A KR1020190089703A KR20190089703A KR20200018253A KR 20200018253 A KR20200018253 A KR 20200018253A KR 1020190089703 A KR1020190089703 A KR 1020190089703A KR 20190089703 A KR20190089703 A KR 20190089703A KR 20200018253 A KR20200018253 A KR 20200018253A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
rotating plate
movable support
substrate
wafer
distance
Prior art date
Application number
KR1020190089703A
Other languages
English (en)
Inventor
다카노리 오바루
노부히코 모우리
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20200018253A publication Critical patent/KR20200018253A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/10Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
    • B08B1/12Brushes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/20Cleaning of moving articles, e.g. of moving webs or of objects on a conveyor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • B08B5/023Cleaning travelling work
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판의 하면에의 파티클의 부착을 억제할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시에 따른 기판 처리 장치는, 회전 플레이트와, 복수의 고정 지지부와, 복수의 가동 지지부와, 복수의 리프트 핀을 구비한다. 회전 플레이트는, 회전 가능하다. 복수의 고정 지지부는, 회전 플레이트 상에 고정적으로 마련되며, 회전 플레이트의 둘레 방향을 따라 원호형으로 연장되어, 기판을 지지한다. 복수의 가동 지지부는, 회전 플레이트 상에 회전 플레이트에 대하여 접촉 분리 가능하게 마련되어, 기판을 지지한다. 복수의 리프트 핀은, 복수의 가동 지지부를 상방으로 밀어올린다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
종래, 회전 플레이트 상에 기판을 설치하여 기판을 회전시키면서, 회전하는 기판의 상방으로부터 기판의 상면에 대하여 처리액을 공급함으로써 기판을 처리하는 기판 처리 장치가 알려져 있다(특허문헌 1 참조).
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2017-183310호 공보
본 개시는 기판의 하면에의 파티클의 부착을 억제할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일양태에 따른 기판 처리 장치는, 회전 플레이트와, 복수의 고정 지지부와, 복수의 가동 지지부와, 복수의 리프트 핀을 구비한다. 회전 플레이트는, 회전 가능하다. 복수의 고정 지지부는, 회전 플레이트 상에 고정적으로 마련되며, 회전 플레이트의 둘레 방향을 따라 원호형으로 연장되어, 기판을 지지한다. 복수의 가동 지지부는, 회전 플레이트 상에 회전 플레이트에 대하여 접촉 분리 가능하게 마련되어, 기판을 지지한다. 복수의 리프트 핀은, 복수의 가동 지지부를 상방으로 밀어올린다.
본 개시에 따르면, 기판의 하면에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 처리 유닛의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 파지부 및 리프트 핀의 동작예를 나타내는 도면이다.
도 4는 제1 실시형태에 따른 회전 플레이트의 평면도이다.
도 5는 도 4에 나타내는 A-A선 화살표 방향에서 본 단면의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 4에 나타내는 A-A선 화살표 방향에서 본 단면의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7은 회전 플레이트에 형성되는 감합부 및 통과부의 형상의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 5에 나타내는 B-B선 화살표 방향에서 본 단면의 일례를 나타내는 도면이다.
도 9는 제2 실시형태에 따른 회전 플레이트 및 가동 지지부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 10은 제3 실시형태에 따른 회전 플레이트 및 가동 지지부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 11은 제4 실시형태에 따른 회전 플레이트 및 가동 지지부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 12는 제4 실시형태에 따른 회전 플레이트 및 가동 지지부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 13은 제5 실시형태에 따른 회전 플레이트 및 가동 지지부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 14는 제6 실시형태에 따른 리프트 핀의 구성을 나타내는 도면이다.
도 15는 제7 실시형태에 따른 리프트 핀의 구성을 나타내는 도면이다.
도 16은 제8 실시형태에 따른 감합부 및 통과부의 형상을 나타내는 평면도이다.
도 17은 제9 실시형태에 따른 회전 플레이트 및 가동 지지부의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 18은 제10 실시형태에 따른 처리 유닛의 구성을 나타내는 도면이다.
이하에, 본 개시에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 실시하기 위한 형태(이하, 「실시형태」라고 기재함)에 대해서 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 이 실시형태에 의해 본 개시에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 한정되는 것이 아니다. 또한, 각 실시형태는, 처리 내용을 모순시키지 않는 범위에서 적절하게 조합하는 것이 가능하다. 또한, 이하의 각 실시형태에 있어서 동일한 부위에는 동일한 부호를 붙이고, 중복하는 설명은 생략된다.
종래, 기판의 둘레 방향을 따라 연장되는 대략 원주형의 기판 지지부를 회전 플레이트 상에 구비한 기판 처리 장치가 알려져 있다. 이러한 기판 처리 장치에 의하면, 기판 지지부가 기판의 하면의 대략 전체 둘레에 걸쳐 접촉함으로써, 기판의 상면으로부터 하면으로 처리액이 돌아들어가는 것을 억제할 수 있다.
한편, 이 종류의 기판 처리 장치는, 반송 장치와의 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 복수의 리프트 핀을 구비하고 있고, 회전 플레이트 및 기판 지지부의 둘레 가장자리부에는, 복수의 리프트 핀을 통과시키기 위한 복수의 절결부가 마련된다. 기판 지지부는, 절결부가 마련되는 부분에 있어서 기판과 접촉하지 않고, 이러한 부분에 있어서 처리액이 돌아들어가는 일이 발생할 우려가 있다. 처리액이 돌아들어가는 일이 생기면, 예컨대, 처리액에 포함되는 파티클이 기판의 하면에 부착될 우려가 있다. 또한, 처리 공간 내의 파티클이 절결부로부터 기판과 회전 플레이트 사이의 공간에 침입하여 기판의 하면에 부착될 우려도 있다.
그래서, 기판의 하면에의 파티클의 부착을 억제할 수 있는 기술의 제공이 기대되고 있다.
(제1 실시형태)
<기판 처리 시스템의 구성>
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.
반입출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수매의 기판, 제1 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.
처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)에 복귀된다.
<처리 유닛의 구성>
다음에, 처리 유닛(16)의 구성에 대해서 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 케이스(21)와, 케이스(21) 내의 중앙부에 마련되고, 상면이 개구하는 대략 원통 형상의 컵부(22)와, 컵부(22)의 내측에 배치되고, 웨이퍼(W)를 유지하며 회전할 수 있는 웨이퍼 유지 회전부(23)를 구비한다. 또한, 처리 유닛(16)은, 웨이퍼 유지 회전부(23)에 유지되는 웨이퍼(W)에 대하여 처리액을 공급하며 웨이퍼(W)의 상면에 접하여 웨이퍼(W)의 상면을 세정하는 브러시(24)를 구비한다.
케이스(21)에는, 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)에 의해 웨이퍼(W)를 케이스(21)에 반입출하기 위한 도시하지 않는 반송구가 형성되어 있다. 반송구에는, 도시하지 않는 셔터가 마련되어, 반입출 시에는 셔터가 개방하고, 처리 시에는 셔터는 폐쇄하여 반송구는 폐쇄되고 있다.
컵부(22)는, 웨이퍼(W)에 대하여 공급되는 처리액을 받아, 도시하지 않는 드레인으로부터 처리액을 배출한다.
웨이퍼 유지 회전부(23)는, 케이스(21)의 하방에 배치되는 모터(M)에 접속되어 회전하는 회전 샤프트(23S)와, 하면 중앙부에 있어서 회전 샤프트(23S)에 부착되는 회전 플레이트(23P)를 가지고 있다. 모터(M) 및 회전 샤프트(23S)는, 회전 플레이트(23P)를 회전시키는 회전 기구의 일례이다.
회전 샤프트(23S)에는, 그 중앙부를 관통하는 도관(23C)이 형성되어 있다. 도관(23C)은, 밸브 등의 유량 조정 기구(25)를 통해 N2 가스 공급원(26)에 접속된다. 웨이퍼 유지 회전부(23)의 회전 플레이트(23P)와, 웨이퍼 유지 회전부(23)에 의해 유지되는 웨이퍼(W) 사이에는 공간이 형성되어 있고, 도관(23C)을 통과한 N2 가스는, 도관(23C)의 상단으로부터 이 공간으로 흘러나와, 외주를 향하여 흐른다. 웨이퍼 유지 회전부(23) 및 웨이퍼(W)가 회전하면, 회전 플레이트(23P)와 웨이퍼(W) 사이의 공간이 웨이퍼(W) 상방의 공간보다 음압이 된다. 그렇게 되면, 웨이퍼(W)의 중심부가 휘어, 웨이퍼(W)의 상면의 평탄성이 악화되고, 액 처리의 균일성도 악화할 우려가 있다. 그러나, 그 공간에 N2 가스를 공급하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 중심부의 휨을 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 회전 플레이트(23P)와 웨이퍼(W) 사이의 공간으로부터 N2 가스가 분출하기 때문에, 웨이퍼(W)의 상면에 공급되는 처리액이 웨이퍼(W)의 상면으로부터 하면으로 돌아들어가 하면에 부착되는 것을 저감하는 효과가 얻어진다.
또한, 도관(23C)으로부터 공급되는 기체는, N2 가스에 한정되지 않고, 아르곤 가스 등의 다른 불활성 가스나 드라이 에어 등이어도 좋다. 도관(23C), 유량 조정 기구(25) 및 N2 가스 공급원(26)은, 회전 플레이트(23P)와 웨이퍼(W) 사이의 공간에 기체를 공급하는 기체 공급부의 일례이다.
브러시(24)는, 수평면 내에서 회동 가능하게 상하 운동 가능한 아암(24A)에 의해 지지되어 있다. 아암(24A) 내에는, 웨이퍼(W)에 대하여 공급되는 처리액이 흐르는 도관(24C)이 형성되어 있다. 도관(24C)은, 밸브 등의 유량 조정 기구(27)를 통해 처리액 공급원(28)에 접속된다. 아암(24A)이 회동 및 하강하여, 브러시(24)가 웨이퍼(W)의 상면에 접하면, 처리액 공급원(28)으로부터의 처리액(예컨대, 탈이온수)이, 도관(24C)을 통해 브러시(24)의 기단에 마련된 개구(24B)로부터 웨이퍼(W)의 상면에 공급된다. 이에 의해, 브러시(24)는, 웨이퍼(W)의 상면을 세정하며, 브러시(24)에 의해 제거된 파티클이나 잔류물 등을 처리액에 의해 씻어낼 수 있다.
또한, 처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W)의 상면에 처리액을 토출하는 노즐을 별도구비하고 있어도 좋다.
회전 플레이트(23P)는, 모터(M) 및 회전 샤프트(23S)에 의해 회전 가능한 원판형의 부재이다. 회전 플레이트(23P)의 둘레 가장자리부에는, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 누름으로써 웨이퍼(W)를 측방으로부터 파지하는 복수(도 2에서는 1개만을 도시)의 파지부(23G)가 마련된다.
각 파지부(23G)는, 회동축(23T) 둘레로 회동 가능한 레버 부재(23L)와, 레버 부재(23L)의 회동에 따라 회동함으로써 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 접촉 가능한 파지 부재(23A)를 가지고 있다. 각 레버 부재(23L)의 하방에는, 레버 부재(23L)의 일단에 접촉 가능한 밀어올림판(41)이 마련되어 있다. 밀어올림판(41)은, 수평 방향으로 연장되어 있고, 연직 방향으로 연장되는 복수의 지주 부재(42)에 의해 하방으로부터 지지된다. 복수의 지주 부재(42)는, 수평 방향으로 연장되는 아암 부재(43)에 의해 하방으로부터 지지되어 있고, 아암 부재(43)는, 승강 기구(44)에 의해 상하 운동한다.
또한, 회전 플레이트(23P)의 하방에는, 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 때에, 웨이퍼(W)를 상하 운동시키는 복수(도 2에서는 1개만 도시)의 리프트 핀(23H)이 마련된다. 각 리프트 핀(23H)은, 연직 방향으로 연장되며, 수평 방향으로 연장되는 아암 부재(51)에 의해 지지된다. 아암 부재(51)는, 승강 기구(52)에 의해 상하 운동한다.
여기서, 전술한 파지부(23G) 및 리프트 핀(23H)의 동작에 대해서 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 파지부(23G) 및 리프트 핀(23H)의 동작예를 나타내는 도면이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 반입 시에 있어서, 밀어올림판(41)은, 승강 기구(44)에 의해 상방으로 이동하고 있어, 파지부(23G)의 레버 부재(23L)의 일단을 상방으로 밀어올리고 있다. 이 때문에, 레버 부재(23L)의 타단에 마련된 파지 부재(23A)는 외방으로 경사져 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 반입 시에 있어서, 리프트 핀(23H)은, 승강 기구(52)에 의해 상방으로 이동하고 있어, 회전 플레이트(23P)보다 높은 위치에 배치된 상태로 되어 있다.
회전 플레이트(23P)의 외주부에는, 리프트 핀(23H)을 통과시키기 위한 통과부(23P1)가 형성되어 있다. 통과부(23P1)는, 회전 플레이트(23P)를 상하로 관통하는 관통 구멍이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 통과부(23P1)의 상부에는, 통과부(23P1)를 막도록 가동 지지부(68)가 마련된다. 가동 지지부(68)는, 회전 플레이트(23P) 상에 회전 플레이트(23P)에 대하여 접촉 분리 가능하게 마련되며, 웨이퍼(W)의 외방으로부터 내방을 향하여 하향 경사지는 경사면에 있어서 웨이퍼(W)를 지지한다. 가동 지지부(68)는, 회전 플레이트(23P)에 대하여 복수 마련되지만, 도 2 및 도 3에서는, 하나의 가동 지지부(68)만을 나타내고 있다.
이와 같이, 통과부(23P1)를 가동 지지부(68)에 의해 막음으로써, 예컨대, 웨이퍼(W)의 상면으로부터 통과부(23P1)를 통해 웨이퍼(W)의 하면에 처리액이 돌아들어가는 것이 억제된다. 또한, 케이스(21) 내의 파티클이 통과부(23P1)로부터 회전 플레이트(23P)와 웨이퍼(W) 사이의 공간에 침입하는 것이 억제된다. 따라서, 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에 의하면, 웨이퍼(W)의 하면에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
웨이퍼(W)의 반입 시에 있어서, 리프트 핀(23H)은, 승강 기구(52)에 의해 상승하여, 회전 플레이트(23P)에 마련된 통과부(23P1)를 통과하여 가동 지지부(68)에 하방으로부터 접촉한다. 그리고, 도 3에 나타내는 바와 같이, 리프트 핀(23H)은, 가동 지지부(68)를 웨이퍼(W)와 함께 상방으로 밀어올린다.
케이스(21)에 반입된 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(17)로부터 복수의 리프트 핀(23H)에 의해 밀어올려진 복수의 가동 지지부(68)에 전달된다. 그 후, 복수의 리프트 핀(23H)이 강하함으로써, 복수의 가동 지지부(68)가 회전 플레이트(23P) 상에 배치된 상태(도 2에 나타내는 상태)가 된다. 그 후, 밀어올림판(41)이 강하함으로써, 밀어올림판(41)과 레버 부재(23L)의 접촉 상태가 해제되어, 레버 부재(23L)가 회동축(23T)을 중심으로 회동하고, 이에 따라 파지 부재(23A)가 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부에 압박된다. 복수의 파지부(23G)의 파지 부재(23A)가 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 압박함으로써, 웨이퍼(W)가 파지된다. 이 상태로, 모터(M)가 회전하면, 회전 플레이트(23P)와, 이것에 부착된 파지부(23G)가 회전하여, 회전 플레이트(23P) 상에서 파지부(23G)에 파지된 웨이퍼(W)가 회전한다.
<가동 지지부 및 리프트 핀의 구체적 구성>
다음에, 가동 지지부(68) 및 리프트 핀(23H) 등의 구체적 구성에 대해서 설명한다. 도 4는 제1 실시형태에 따른 회전 플레이트(23P)의 평면도이다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 회전 플레이트(23P)는, 평탄면(61)을 갖는다. 평탄면(61)의 외형은 원형이고, 그 직경은 웨이퍼(W)의 직경보다 작다. 또한, 평탄면(61)의 중앙에는, 웨이퍼(W)의 하면에 대하여 N2 가스를 공급하기 위한 개구부(61a)가 형성된다.
평탄면(61)의 외측에는, 복수(여기서는, 3개)의 고정 지지부(66)가 서로 간격을 두고 배치된다. 각 고정 지지부(66)는, 회전 플레이트(23P) 상에 고정적으로 마련되어 있고, 회전 플레이트(23P)의 둘레 방향을 따라 원호형으로 연장된다.
각 고정 지지부(66)는, 경사면(66a)과, 평탄면(66b)을 갖는다. 경사면(66a)은, 평탄면(61)의 외주 가장자리에 연접하여 배치된다. 경사면(66a)은, 웨이퍼(W)의 외측[평탄면(66b)]으로부터 웨이퍼(W)의 내측[평탄면(61)]을 향하여 하향 경사진다. 평탄면(66b)은, 경사면(66a)의 외주 가장자리에 연접한다.
또한, 각 고정 지지부(66)의 둘레 방향에 있어서의 대략 중앙부에는, 절결부(64)가 마련된다. 절결부(64)는, 고정 지지부(66)의 외주 가장자리 중 복수의 파지 부재(23A)에 대응하는 각 부분을 직경 방향 내측을 향하여 잘라낸 것이며, 파지 부재(23A)는, 절결부(64) 내에 배치된다. 또한, 절결부(64)는, 경사면(66a)의 중도부까지 도달한다.
이와 같이, 처리 유닛(16)은, 회전 플레이트(23P) 상에 고정적으로 마련되며, 회전 플레이트(23P)의 둘레 방향을 따라 원호형으로 연장되고, 웨이퍼(W)를 지지하는 복수의 고정 지지부(66)를 구비한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 하면에 복수의 고정 지지부(66)가 대략 전체 둘레에 걸쳐 접촉함으로써, 웨이퍼(W)의 상면으로부터 하면으로 처리액이 돌아들어가는 것을 억제할 수 있다. 또한, 회전 플레이트(23P)와 웨이퍼(W) 사이의 공간에 케이스(21) 내의 파티클이 침입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 하면에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
가동 지지부(68)는, 복수의 고정 지지부(66) 중 인접하는 2개의 고정 지지부(66) 사이에 배치된다. 가동 지지부(68)는, 경사면(68a)과, 평탄면(68b)을 갖는다.
경사면(68a)은, 평탄면(61)의 외주 가장자리에 연접하여 배치된다. 경사면(68a)은, 웨이퍼(W)의 외측[평탄면(68b)]으로부터 웨이퍼(W)의 내측[평탄면(61)]을 향하여 하향 경사진다. 평탄면(68b)은, 경사면(68a)의 외주 가장자리에 연접한다.
가동 지지부(68)가 회전 플레이트(23P)에 배치된 상태에 있어서, 가동 지지부(68)의 경사면(68a)은, 인접하는 2개의 고정 지지부(66)의 각 경사면(66a)에 연속한다. 이에 의해, 가동 지지부(68)가 회전 플레이트(23P)에 배치된 상태에 있어서, 웨이퍼(W)는, 복수의 고정 지지부(66) 및 복수의 가동 지지부(68)에 의해 지지된다. 마찬가지로, 가동 지지부(68)가 회전 플레이트(23P)에 배치된 상태에 있어서, 가동 지지부(68)의 평탄면(68b)은, 인접하는 2개의 고정 지지부(66)의 각 평탄면(66b)에 연속한다.
이와 같이, 가동 지지부(68)는, 인접하는 2개의 고정 지지부(66)와 함께 1개의 원호형의 지지부를 형성한다. 이에 의해, 처리 유닛(16)은, 가동 지지부(68)를 구비하지 않는 경우, 즉, 인접하는 2개의 고정 지지부(66) 사이에 간극이 있는 경우와 비교하여, 웨이퍼(W)의 상면으로부터 하면으로 처리액이 돌아들어가는 것을 억제할 수 있다. 또한, 회전 플레이트(23P)와 웨이퍼(W) 사이의 공간에의 파티클의 침입을 억제할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 하면에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
도 5 및 도 6은 도 4에 나타내는 A-A선 화살표 방향에서 본 단면의 일례를 나타내는 도면이다. 또한, 도 7은 회전 플레이트(23P)에 형성되는 감합부(62) 및 통과부(23P1)의 형상의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 회전 플레이트(23P)는, 가동 지지부(68)와 감합하는 감합부(62)를 구비한다. 감합부(62)는, 회전 플레이트(23P)의 상면의 일부를 오목하게 한 오목부이며, 통과부(23P1)의 상부에 마련된다. 구체적으로는, 감합부(62)는, 통과부(23P1)에 연접하는 평탄면(62a)과, 회전 플레이트(23P)의 상면으로부터 평탄면(62a)을 향하여 하향 경사지는 복수의 경사면(62b)을 갖는다.
또한, 가동 지지부(68)는, 회전 플레이트(23P)의 감합부(62)에 감합하는 피감합부(63)를 구비한다. 피감합부(63)는, 가동 지지부(68)의 하면의 일부를 하방으로 돌출시킨 볼록부이며, 감합부(62)의 평탄면(62a)에 대응하는 평탄면(63a)과, 감합부(62)의 복수의 경사면(62b)에 대응하는 복수의 경사면(63b)을 갖는다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 가동 지지부(68)가 회전 플레이트(23P)에 배치된 상태에 있어서, 가동 지지부(68)의 피감합부(63)가 회전 플레이트(23P)의 감합부(62)에 끼워짐으로써, 가동 지지부(68)의 위치 어긋남을 억제할 수 있다. 또한, 감합부(62)에 복수의 경사면(62b)을 마련함으로써, 리프트 핀(23H)을 강하시켰을 때에, 피감합부(63)를 감합부(62)에 유인하기 쉬워진다. 이 때문에, 만약, 리프트 핀(23H)이 똑바로 내려지지 않은 경우라도, 가동 지지부(68)를 감합부(62)에 적절하게 감합시킬 수 있다. 또한, 피감합부(63)에도 복수의 경사면(62b)을 마련함으로써, 피감합부(63)를 감합부(62)에 보다 확실하게 유인할 수 있다.
또한, 도 7에 나타내는 바와 같이, 감합부(62)는, 평면에서 보아 다각 형상을 갖는다. 또한, 여기서는 도시를 생략하지만, 감합부(62)에 대응하는 피감합부(63)도, 감합부(62)와 동일한 평면에서 보아 다각 형상을 갖는다. 여기서는, 감합부(62)가 평면에서 보아 사각 형태인 경우의 예를 나타내지만, 감합부(62)는, 평면에서 보아 삼각형이어도 좋고, 평면에서 보아 오각형이어도 좋다. 또한, 감합부(62)는, 평면에서 보아 반드시 각부를 갖는 형상인 것을 요하지 않는다.
즉, 감합부(62)는, 적어도, 중심으로부터의 거리가 상이한 적어도 2개의 부위를 가지고 있으면 좋다. 예컨대 도 7에 나타내는 예에 있어서, 감합부(62)는, 중심으로부터의 거리가 L1인 부위(사각형의 변)와, 중심으로부터의 거리가 L1보다 긴 L2인 부위(사각형의 각)를 가지고 있다. 이러한 형상으로 함으로써, 가동 지지부(68)의 회전을 억제할 수 있다.
도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 가동 지지부(68)는, 리프트 핀(23H)의 상부가 삽입되는 삽입 구멍(65)을 구비한다. 삽입 구멍(65)은, 평탄면(63a)의 일부를 상방을 향하여 오목하게 한 오목부이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 삽입 구멍(65)은, 가동 지지부(68)가 회전 플레이트(23P)에 배치된 상태에 있어서, 통과부(23P1)를 통해 회전 플레이트(23P)의 하방측의 공간에 연통한다.
리프트 핀(23H)의 상부는, 리프트 핀(23H)이 승강 기구(52)(도 2 참조)에 의해 상승함으로써, 통과부(23P1)를 통과하여 가동 지지부(68)의 삽입 구멍(65)에 삽입된다. 리프트 핀(23H)의 상부에는, 경사면(23H1)이 마련되어 있다. 이 때문에, 만약, 리프트 핀(23H)이 똑바로 상승하지 않았다고 해도, 리프트 핀(23H)의 상부를 가동 지지부(68)의 삽입 구멍(65)에 유인할 수 있다.
도 8은 도 5에 나타내는 B-B선 화살표 방향에서 본 단면의 일례를 나타내는 도면이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 리프트 핀(23H)은, 단면에서 보아 다각 형상을 갖는다. 또한, 가동 지지부(68)의 삽입 구멍(65)도, 리프트 핀(23H)과 동일한 단면에서 보아 다각 형상을 갖는다. 여기서는, 리프트 핀(23H) 및 삽입 구멍(65)이 단면에서 보아 사각 형상인 경우의 예를 나타내지만, 다각 형상은 사각 형태에 한정되지 않는다. 또한, 리프트 핀(23H) 및 삽입 구멍(65)은, 단면에서 보아 각부를 갖는 형상인 것을 요하지 않는다.
즉, 리프트 핀(23H) 및 삽입 구멍(65)은, 적어도, 중심으로부터의 거리가 상이한 적어도 2개의 부위를 가지고 있으면 좋다. 예컨대 도 8에 나타내는 예에 있어서, 리프트 핀(23H)은, 중심으로부터의 거리가 L11인 부위(사각형의 변)와, 중심으로부터의 거리가 L11보다 긴 L12인 부위(사각형의 각)를 가지고 있다. 또한, 삽입 구멍(65)은, 중심으로부터의 거리가 L11보다 길며 또한 L12보다 짧은 L13인 부위(사각형의 변)와, 중심으로부터의 거리가 L12보다 긴 L14인 부위(사각형의 각)를 가지고 있다. 이러한 형상으로 함으로써, 가동 지지부(68)의 회전을 억제할 수 있다.
이와 같이, 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)에 의하면, 회전 플레이트(23P) 상에 가동 지지부(68)를 마련하여, 리프트 핀(23H)에 의해 가동 지지부(68)를 밀어올림으로써, 가동 지지부(68)에 지지된 웨이퍼(W)를 상승시키는 것으로 하였다. 이에 의해, 예컨대, 리프트 핀(23H)을 통과시키기 위한 통과부(23P1)가 가동 지지부(68)에 의해 막힘으로써, 웨이퍼(W)의 하면에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
(제2 실시형태)
도 9는 제2 실시형태에 따른 회전 플레이트 및 가동 지지부의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 처리 유닛(16A)은, 회전 플레이트(23PA)와, 가동 지지부(68A)를 구비한다.
제2 실시형태에 따른 회전 플레이트(23PA)는, 가동 지지부(68A)의 외주측에 벽부(23PA1)를 갖는다. 가동 지지부(68A)는, 회전 플레이트(23PA)에 배치된 상태에 있어서, 벽부(23PA1)에 접촉한다.
이와 같이, 가동 지지부(68A)의 외주측에 벽부(23PA1)를 마련함으로써, 회전 플레이트(23PA)가 회전하였을 때에, 가동 지지부(68A)가 원심력에 의해 회전 플레이트(23PA)로부터 벗어나는 것을 억제할 수 있다.
(제3 실시형태)
도 10은 제3 실시형태에 따른 회전 플레이트 및 가동 지지부의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 제3 실시형태에 따른 처리 유닛(16B)은, 회전 플레이트(23PB)와, 가동 지지부(68B)를 구비한다.
제3 실시형태에 따른 회전 플레이트(23PB)의 내부에는, 자석(23PB1)이 마련된다. 자석(23PB1)은, 예컨대 영구 자석이다. 또한, 제3 실시형태에 따른 가동 지지부(68B)는, 강자성체를 포함하여 구성되며, 자석(23PB1)이 갖는 자력에 의해 회전 플레이트(23PB)에 유지된다.
이와 같이, 가동 지지부(68B)를 자력에 의해 회전 플레이트(23PB)에 유지시킴으로써, 가동 지지부(68B)가 회전 플레이트(23PB)로부터 벗어나는 것을 억제할 수 있다.
또한, 여기서는, 자석(23PB1)이 영구 자석인 것으로 하였지만, 자석(23PB1)은, 전자석이어도 좋다. 자석(23PB1)으로서 전자석을 이용함으로써, 예컨대, 리프트 핀(23H)으로 밀어올릴 때 등, 가동 지지부(68B)를 회전 플레이트(23PB)에 유지해 둘 필요가 없는 경우에, 가동 지지부(68B)에 자력이 작용하지 않도록 할 수 있다.
또한, 여기서는, 회전 플레이트(23PB)에 자석(23PB1)이 마련되는 것으로 하였지만, 자석(23PB1)은, 가동 지지부(68B)에 마련되어도 좋다. 이 경우, 회전 플레이트(23PB)는, 강자성체를 포함하여 구성되어도 좋다.
(제4 실시형태)
도 11 및 도 12는 제4 실시형태에 따른 회전 플레이트 및 가동 지지부의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 11 및 도 12에 나타내는 바와 같이, 제4 실시형태에 따른 처리 유닛(16C)은, 회전 플레이트(23PC)와, 가동 지지부(68C)를 구비한다.
제4 실시형태에 따른 회전 플레이트(23PC)는, 가동 지지부(68C)의 외주측에 벽부(23PC1)를 갖는다. 또한, 벽부(23PC1)의 상부에는, 회전 플레이트(23PC)의 직경 방향 내측을 향하여 나온 걸림부(23PC2)가 마련되어 있다. 가동 지지부(68C)는, 회전 플레이트(23PC)에 배치된 상태에 있어서, 벽부(PC1)에 접촉함으로써, 원심력에 의한 회전 플레이트(23PC)로부터의 탈락을 억제할 수 있다. 또한, 가동 지지부(68C)는, 회전 플레이트(23PC)에 배치된 상태에 있어서, 걸림부(23PC2)에 접촉함으로써, 예컨대 상향의 힘이 가해진 경우라도, 회전 플레이트(23PC)로부터의 탈락을 억제할 수 있다.
회전 플레이트(23PC)는, 걸림부(23PC2)의 하부에, 회전 플레이트(23PC)의 직경 방향 외측으로부터 직경 방향 내측을 향하여 상향 경사지는 경사면(23PC3)을 갖는다. 또한, 회전 플레이트(23PC)는, 회전 플레이트(23PC)의 상면으로부터 통과부(23P1)를 향하여 하향 경사지는 경사면(23PC4)을 갖는다. 경사면(23PC3)과 경사면(23PC4)은, 평행이다.
또한, 가동 지지부(68C)는, 경사면(23PC3, 23PC4)과 평행이고 경사면(23PC3)에 접촉하는 경사면(68C1)과, 경사면(23PC3, 23PC4)과 평행이고 경사면(23PC4)에 접촉하는 경사면(68C2)을 갖는다. 또한, 가동 지지부(68C)의 하부에는, 회전 플레이트(23PC)의 직경 방향 내측으로부터 직경 방향 외측을 향하여 상향 경사지는 경사면(68C3)이 마련된다. 또한, 경사면(68C3)에 있어서의 회전 플레이트(23PC)의 직경 방향 외측의 단부에는, 하방을 향하여 연장되는 벽부(68C4)가 마련된다.
또한, 리프트 핀(23HC)의 상부에는, 가동 지지부(68C)의 경사면(68C3)과 평행한 경사면(23HC1)이 마련된다.
제4 실시형태에 따른 처리 유닛(16C)은, 상기한 바와 같이 구성되어 있고, 리프트 핀(23HC)이 상승하면, 리프트 핀(23HC)의 상부에 마련된 경사면(23HC1)이, 가동 지지부(68C)의 경사면(68C3)에 접촉한다. 그 후, 리프트 핀(23HC)이 더욱 상승하면, 가동 지지부(68C)가, 경사면(23PC3, 23PC4)을 따라 경사 방향으로 슬라이딩하면서 상승함으로써, 가동 지지부(68C)에 지지된 웨이퍼(W)를 전달 위치까지 상승시킬 수 있다. 이때, 만약, 리프트 핀(23HC)이 필요 이상으로 상승한 경우에는, 가동 지지부(68C)의 하부에 마련된 벽부(68C4)에 리프트 핀(23HC)이 접촉함으로써, 가동 지지부(68C)의 회전 플레이트(23PC)로부터의 탈락을 억제할 수 있다.
(제5 실시형태)
도 13은 제5 실시형태에 따른 회전 플레이트 및 가동 지지부의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 13에 나타내는 바와 같이, 제5 실시형태에 따른 처리 유닛(16D)은, 회전 플레이트(23PD)와, 가동 지지부(68D)를 구비한다.
제5 실시형태에 따른 가동 지지부(68D)는, 경사면(68a)보다 회전 플레이트(23PD)의 직경 방향 내측에 연장부(68D1)를 구비한다.
웨이퍼(W)와 회전 플레이트(23PD) 사이의 공간은, 도관(23C)으로부터 공급되는 N2 가스에 의해 양압으로 유지된다. 제5 실시형태에 따른 가동 지지부(68D)에 의하면, 웨이퍼(W)와 회전 플레이트(23PD) 사이의 공간의 양압을 연장부(68D1)에서 받음으로써, 회전 플레이트(23PD)에 압박된 상태가 되기 때문에, 회전 플레이트(23PD)로부터의 탈락을 억제할 수 있다.
(제6 실시형태)
도 14는 제6 실시형태에 따른 리프트 핀의 구성을 나타내는 도면이다. 도 14에 나타내는 바와 같이, 제6 실시형태에 따른 처리 유닛(16E)은, 리프트 핀(23HE)을 구비한다.
리프트 핀(23HE)의 상부에는, 유지부(23HE1)가 마련된다. 유지부(23HE1)는, 예컨대, 개폐 가능한 좌우 한쌍의 파지 갈고리를 갖는 파지 기구이며, 가동 지지부(68)의 삽입 구멍(65) 내에서 좌우 한쌍의 파지 갈고리를 개방하여 삽입 구멍(65)의 내주면에 맞닿음으로써, 가동 지지부(68)를 유지한다.
이와 같이, 리프트 핀(23HE)에 유지부(23HE1)를 마련함으로써, 가동 지지부(68)의 위치 어긋남이나 리프트 핀(23HE)으로부터의 탈락 등을 억제할 수 있다.
(제7 실시형태)
도 15는 제7 실시형태에 따른 리프트 핀의 구성을 나타내는 도면이다. 도 15에 나타내는 바와 같이, 제7 실시형태에 따른 처리 유닛(16F)은, 리프트 핀(23HF)을 구비한다.
리프트 핀(23HF)의 상부에는, 유지부(23HF1)가 마련된다. 유지부(23HF1)는, 예컨대, 공기압에 의해 팽창 가능한 시일 부재이며, 가동 지지부(68)의 삽입 구멍(65) 내에서 팽창시킴으로써, 가동 지지부(68)를 유지한다.
이와 같이, 리프트 핀(23HF)에 유지부(23HF1)를 마련함으로써, 가동 지지부(68)의 위치 어긋남이나 리프트 핀(23HF)으로부터의 탈락 등을 억제할 수 있다.
(제8 실시형태)
도 16은 제8 실시형태에 따른 감합부 및 통과부의 형상을 나타내는 평면도이다. 전술한 각 실시형태에서는, 통과부(23P1)가, 관통 구멍인 경우의 예를 나타내었지만, 통과부(23P1)는, 반드시 관통 구멍인 것을 요하지 않는다. 예컨대, 도 16에 나타내는 바와 같이, 제8 실시형태에 따른 처리 유닛(16G)은, 회전 플레이트(23PG)를 구비한다. 회전 플레이트(23PG)에 형성되는 통과부(23PG1)는, 회전 플레이트(23PG)의 외주 가장자리의 일부를 직경 방향 내측을 향하여 잘라낸 절결이다.
이 경우, 회전 플레이트(23PG)에 형성되는 감합부(62G)는, 예컨대, 통과부(23PG1)에 연접하는 평탄면(62Ga)과, 회전 플레이트(23PG)의 상면으로부터 평탄면(62Ga)을 향하여 하향 경사지는 복수의 경사면(62Gb)을 갖는다. 회전 플레이트(23PG)의 직경 방향 외측에 위치하는 경사면(62Gb)은, 절결인 통과부(23PG1)에 의해 분할되어 있다. 이들 분할된 경사면(62Gb)의 상부에는, 고정 지지부(66G)의 평탄면(66Gb)이 연장되어 있고, 이러한 평탄면(66Gb)에 의해, 회전 플레이트(23PG)의 원심력에 따른 가동 지지부(여기서는 도시하지 않음)의 탈락을 억제할 수 있다.
(제9 실시형태)
도 17은 제9 실시형태에 따른 회전 플레이트 및 가동 지지부의 구성을 나타내는 단면도이다. 회전 플레이트는, 반드시 통과부를 구비하는 것을 요하지 않는다. 예컨대, 도 17에 나타내는 바와 같이, 제9 실시형태에 따른 처리 유닛(16H)은, 회전 플레이트(23PH)와, 가동 지지부(68H)를 구비한다.
가동 지지부(68H)는, 회전 플레이트(23PH)의 외주 가장자리보다 외방으로 연장되는 연장부(68H1)를 구비한다. 연장부(68H1)의 하부에는, 리프트 핀(23H)의 상부가 삽입되는 삽입 구멍(65)이 마련된다. 리프트 핀(23H)은, 회전 플레이트(23PH)보다 외방에 배치된다.
이와 같이, 회전 플레이트(23PH)보다 외방에 리프트 핀(23H)을 배치하며, 가동 지지부(68H)에 연장부(68H1)를 마련하여, 연장부(68H1)에 마련된 삽입 구멍(65)에 리프트 핀(23H)을 삽입 관통시키는 것으로 하였다. 이러한 구성으로 함으로써, 회전 플레이트(23PH)에 통과부를 마련하지 않아도, 리프트 핀(23H)을 이용하여 가동 지지부(68H)를 밀어올릴 수 있다.
이와 같이, 회전 플레이트(23PH)에 통과부를 마련하지 않는 구성으로 함으로써, 웨이퍼(W)의 하면에의 파티클의 부착을 더욱 확실하게 억제할 수 있다.
또한, 회전 플레이트(23PH)에는, 감합부(62H)가 마련되어도 좋고, 가동 지지부(68H)에는, 피감합부(63H)가 마련되어도 좋다.
(제10 실시형태)
도 18은 제10 실시형태에 따른 처리 유닛의 구성을 나타내는 도면이다. 도 18에 나타내는 바와 같이, 제10 실시형태에 따른 처리 유닛(16I)은, 복수의 가동 지지부(68)에 지지된 웨이퍼(W)의 수평도를 검출하는 수평 센서(69)를 구비한다.
수평 센서(69)는, 웨이퍼(W)의 수평도의 검출 결과를 제어부(18)에 송신한다. 제어부(18)는, 수평 센서(69)의 검출 결과에 기초하여, 웨이퍼(W)의 수평도가 허용 범위 내인지의 여부를 판정한다.
예컨대, 어느 하나의 리프트 핀(23H)이 가동 지지부(68)의 삽입 구멍(65)에 적절하게 끼워져 있지 않은 경우, 어느 하나의 가동 지지부(68)의 높이 위치가 어긋남으로써, 웨이퍼(W)의 수평도가 허용 범위로부터 벗어나 버릴 우려가 있다.
제어부(18)는, 웨이퍼(W)의 수평도가 허용 범위 내에 없다고 판정한 경우, 예컨대, 복수의 리프트 핀(23H)을 일단 강하시켜 가동 지지부(68)로부터 분리한 후, 복수의 리프트 핀(23H)을 재차 상승시켜 가동 지지부(68)에 재차 접촉시킨다. 리프트 핀(23H)을 가동 지지부(68)로부터 일단 분리함으로써, 재차 가동 지지부(68)에 접촉시켰을 때에, 리프트 핀(23H)이 삽입 구멍(65) 내에 적절하게 끼워질 가능성이 있다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 수평도를 허용 범위 내로 되돌릴 수 있다. 또한, 이에 한정되지 않고, 제어부(18)는, 처리 유닛(16I)에 의한 처리를 중단하여, 상위 장치에 이상이 발생한 취지의 정보를 송신하거나, 기판 처리 시스템(1)에 마련된 도시하지 않는 경보 장치(알람이나 램프 등)를 작동시키거나 하여도 좋다.
이와 같이, 수평 센서(69)를 구비함으로써, 리프트 핀(23H)이 가동 지지부(68)의 삽입 구멍(65)에 적절하게 끼워져 있는지의 여부를 판정할 수 있다.
또한, 수평 센서(69)는, 가동 지지부(68)가 회전 플레이트(23P)에 배치된 상태에 있어서 웨이퍼(W)의 수평도를 검출하여도 좋다. 이 경우, 제어부(18)는, 가동 지지부(68)가 회전 플레이트(23P)에 적절하게 배치되어 있는지의 여부를 판정할 수 있다.
(그 외의 실시형태)
전술한 실시형태에서는, 예컨대 도 4에 나타내는 바와 같이, 파지 부재(23A)(도 2 참조)가 배치되는 절결부(64)가, 고정 지지부(66)의 둘레 방향에 있어서의 대략 중앙부에 마련되는 경우의 예를 나타내었지만, 절결부(64)는, 가동 지지부(68)의 근방에 마련되어도 좋다. 이에 의해, 파지 부재(23A)가 가동 지지부(68)의 근방에 있어서 웨이퍼(W)를 파지하게 되기 때문에, 파지 부재(23A)가 웨이퍼(W)를 압박하는 힘이 웨이퍼(W)를 지지하는 가동 지지부(68)에 전해지기 쉬워진다. 따라서, 가동 지지부(68)의 회전 플레이트(23P)로부터의 탈락을 더욱 억제할 수 있다. 절결부(64)는, 예컨대, 고정 지지부(66)를 둘레 방향을 따라 4개의 영역으로 나눈 경우에 있어서의 가동 지지부(68)에 가장 가까운 영역에 마련되는 것이 바람직하다.
전술한 실시형태에서는, 감합부(62) 및 피감합부(63)가, 평면에서 보아 사각 형상인 경우의 예를 나타내었지만, 감합부(62) 및 피감합부(63)는, 평면에서 보아 정원형이어도 좋다. 마찬가지로, 리프트 핀(23H) 및 삽입 구멍(65)도, 단면에서 보아 정원형이어도 좋다.
전술해 온 실시형태에는, 처리액 공급부의 일례로서, 처리액을 토출하기 위한 개구(24B)를 구비한 브러시(24)를 들어 설명하였지만, 처리액 공급부는, 브러시(24)에 한정되지 않고, 처리액을 토출하는 노즐이어도 좋다.
전술해 온 실시형태에서는, 예컨대 도 4에 나타내는 바와 같이, 회전 플레이트(23P) 상에 마련된 고정 지지부(66)와 가동 지지부(68)를 이용하여 웨이퍼(W)를 지지하는 경우의 예를 나타내었지만, 고정 지지부(66)는, 반드시 마련되는 것을 요하지 않는다.
전술한 바와 같이, 실시형태에 따른 기판 처리 장치[일례로서, 처리 유닛(16, 16A∼16I)]는, 회전 플레이트[일례로서, 회전 플레이트(23P, 23PA∼23PD, 23PG, 23PH)]와, 복수의 고정 지지부[일례로서, 고정 지지부(66, 66G)]와, 복수의 가동 지지부[일례로서, 가동 지지부(68, 68A∼68D, 68H)]와, 복수의 리프트 핀[일례로서, 리프트 핀(23H, 23HC, 23HE, 23HF)]을 구비한다. 회전 플레이트는, 회전 가능하다. 복수의 고정 지지부는, 회전 플레이트 상에 고정적으로 마련되며, 회전 플레이트의 둘레 방향을 따라 원호형으로 연장되어, 기판[일례로서, 웨이퍼(W)]을 지지한다. 복수의 가동 지지부는, 회전 플레이트 상에 회전 플레이트에 대하여 접촉 분리 가능하게 마련되어, 기판을 지지한다. 복수의 리프트 핀은, 복수의 가동 지지부를 상방으로 밀어올린다. 이에 의해, 기판의 하면에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
회전 플레이트는, 복수의 리프트 핀을 통과시키는 복수의 통과부[일례로서, 통과부(23P1, 23PG1)]를 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 복수의 가동 지지부는, 복수의 통과부를 막는 위치에 마련되어도 좋다. 이에 의해, 예컨대, 기판의 상면으로부터 통과부를 통해 기판의 하면에 처리액이 돌아들어가는 것이 억제된다. 또한, 처리 공간[케이스(21)] 내의 파티클이 통과부로부터 회전 플레이트와 기판 사이의 공간에 침입하는 것이 억제된다. 따라서, 기판의 하면에 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
가동 지지부는, 복수의 고정 지지부 중 인접하는 2개의 고정 지지부 사이에 배치되어, 2개의 고정 지지부와 함께 1개의 원호형의 지지부를 형성하여도 좋다. 이에 의해, 가동 지지부를 구비하지 않는 경우, 즉, 인접하는 2개의 고정 지지부 사이에 간극이 있는 경우와 비교하여, 기판의 상면으로부터 하면으로 처리액이 돌아들어가는 것이나, 회전 플레이트와 기판 사이의 공간에의 파티클의 침입을 억제할 수 있다. 따라서, 기판의 하면에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.
고정 지지부는, 기판의 외측으로부터 내측을 향하여 하향 경사지는 경사면[일례로서, 경사면(66a)]을 가지고 있어도 좋다. 이 경우, 가동 지지부는, 인접하는 2개의 고정 지지부의 경사면에 연속하는 경사면[일례로서, 경사면(68a)]을 가지고 있어도 좋다. 이에 의해, 고정 지지부 및 가동 지지부의 경사면을 이용하여 기판의 전체 둘레를 간극 없이 지지할 수 있다. 따라서, 기판의 하면에의 파티클의 부착을 더욱 확실히 억제할 수 있다.
가동 지지부는, 리프트 핀의 상부가 삽입되는 삽입 구멍(65)을 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 리프트 핀의 상부에 있어서의 외주면은, 리프트 핀의 중심으로부터의 거리가 제1 거리[일례로서, 거리(L11)]인 제1 부분과, 리프트 핀의 중심으로부터의 거리가 제1 거리보다 긴 제2 거리[일례로서, 거리(L12)]인 제2 부분을 구비하고, 삽입 구멍(65)의 내주면은, 삽입 구멍(65)의 중심으로부터의 거리가 제1 거리보다 길며 제2 거리보다 짧은 제3 거리[일례로서, 거리(L13)]인 제3 부분과, 삽입 구멍(65)의 중심으로부터의 거리가 제2 거리보다 긴 제4 거리[일례로서, 거리(L14)]인 제4 부분을 구비하고 있어도 좋다. 이에 의해, 가동 지지부의 회전을 억제할 수 있다.
회전 플레이트는, 가동 지지부와 감합하는 감합부[일례로서, 감합부(62, 62G, 62H)]를 구비하고 있어도 좋다. 가동 지지부가 회전 플레이트에 배치된 상태에 있어서, 가동 지지부가 회전 플레이트의 감합부에 끼워짐으로써, 가동 지지부의 위치 어긋남을 억제할 수 있다.
감합부는, 내방을 향하여 경사지는 경사면을 가지고 있어도 좋다. 감합부에 경사면을 마련함으로써, 만약, 리프트 핀이 똑바로 내려지지 않은 경우에, 가동 지지부를 감합부에 유인할 수 있다.
가동 지지부[일례로서, 가동 지지부(68B)]는, 자력에 의해 회전 플레이트[일례로서, 회전 플레이트(23PB)]에 유지되어도 좋다. 이에 의해, 가동 지지부가 회전 플레이트로부터 벗어나는 것을 억제할 수 있다.
기판 처리 장치[일례로서, 처리 유닛(16I)]는, 복수의 가동 지지부에 지지된 기판의 수평도를 검출하는 수평 센서를 구비하고 있어도 좋다. 이에 의해, 리프트 핀이 가동 지지부를 적절하게 밀어올리고 있는지의 여부, 또는, 가동 지지부가 회전 플레이트에 적절하게 배치되어 있는지의 여부를 판정할 수 있다.
이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기 실시형태는, 첨부된 청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일없이, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
W 웨이퍼
16 처리 유닛
23 웨이퍼 유지 회전부
23H 리프트 핀
23P 회전 플레이트
23P1 통과부
66 고정 지지부
68 가동 지지부

Claims (10)

  1. 회전 가능한 회전 플레이트와,
    상기 회전 플레이트 상에 고정적으로 마련되며, 상기 회전 플레이트의 둘레 방향을 따라 원호형으로 연장되어, 기판을 지지하는 복수의 고정 지지부와,
    상기 회전 플레이트 상에 상기 회전 플레이트에 대하여 접촉 분리 가능하게 마련되어, 상기 기판을 지지하는 복수의 가동 지지부와,
    상기 복수의 가동 지지부를 상방으로 밀어올리는 복수의 리프트 핀
    을 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 회전 플레이트는,
    상기 복수의 리프트 핀을 통과시키는 복수의 통과부를 구비하고,
    상기 복수의 가동 지지부는,
    상기 복수의 통과부를 막는 위치에 마련되는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가동 지지부는,
    상기 복수의 고정 지지부 중 인접하는 2개의 고정 지지부 사이에 배치되며, 상기 2개의 고정 지지부와 함께 1개의 원호형의 지지부를 형성하는, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 고정 지지부는,
    상기 기판의 외측으로부터 내측을 향하여 하향 경사지는 경사면을 가지며,
    상기 가동 지지부는,
    상기 인접하는 2개의 고정 지지부의 상기 경사면에 연속하는 경사면을 갖는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가동 지지부는,
    상기 리프트 핀의 상부가 삽입되는 삽입 구멍을 구비하고,
    상기 리프트 핀의 상부에 있어서의 외주면은,
    상기 리프트 핀의 중심으로부터의 거리가 제1 거리인 제1 부분과, 상기 리프트 핀의 중심으로부터의 거리가 상기 제1 거리보다 긴 제2 거리인 제2 부분을 구비하고,
    상기 삽입 구멍의 내주면은,
    상기 삽입 구멍의 중심으로부터의 거리가 상기 제1 거리보다 길며 상기 제2 거리보다 짧은 제3 거리인 제3 부분과, 상기 삽입 구멍의 중심으로부터의 거리가 상기 제2 거리보다 긴 제4 거리인 제4 부분을 구비하는, 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회전 플레이트는,
    상기 가동 지지부와 감합하는 감합부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 감합부는,
    내방을 향하여 경사지는 경사면을 갖는, 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가동 지지부는,
    자력에 의해 상기 회전 플레이트에 유지되는, 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 가동 지지부에 지지된 상기 기판의 수평도를 검출하는 수평 센서를 구비하는, 기판 처리 장치.
  10. 회전 가능한 회전 플레이트 상에 고정적으로 마련되며, 상기 회전 플레이트의 둘레 방향을 따라 원호형으로 연장되어, 기판을 지지하는 복수의 고정 지지부와, 상기 회전 플레이트 상에 상기 회전 플레이트에 대하여 접촉 분리 가능하게 마련되어, 상기 기판을 지지하는 복수의 가동 지지부를 이용하여, 상기 기판을 지지하는 지지 공정과,
    상기 복수의 가동 지지부를 상방으로 밀어올리는 복수의 리프트 핀을 이용하여, 상기 복수의 고정 지지부 및 상기 복수의 가동 지지부에 지지된 상기 기판을 상기 복수의 가동 지지부와 함께 상승시키는 상승 공정
    을 포함하는, 기판 처리 방법.
KR1020190089703A 2018-08-09 2019-07-24 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR20200018253A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-150319 2018-08-09
JP2018150319A JP2020027817A (ja) 2018-08-09 2018-08-09 基板処理装置および基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200018253A true KR20200018253A (ko) 2020-02-19

Family

ID=69547679

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190089703A KR20200018253A (ko) 2018-08-09 2019-07-24 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2020027817A (ko)
KR (1) KR20200018253A (ko)
CN (1) CN110828330A (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4223412A1 (en) 2020-09-29 2023-08-09 Nippon Shokubai Co., Ltd. Ammonia decomposition catalyst
KR102586016B1 (ko) * 2020-11-25 2023-10-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 지지 유닛 및 지지 유닛의 결합 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017183310A (ja) 2016-03-28 2017-10-05 東京エレクトロン株式会社 液処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001066069A (ja) * 1999-08-31 2001-03-16 Dainippon Printing Co Ltd 焼成処理用セッター
JP2001313329A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Applied Materials Inc 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
JP2003100648A (ja) * 2001-09-21 2003-04-04 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエハ熱処理用治具
JP5071437B2 (ja) * 2009-05-18 2012-11-14 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置におけるトレイの載置方法
JP2014003259A (ja) * 2012-06-21 2014-01-09 Nikon Corp ロード方法、基板保持装置及び露光装置
JP2014011166A (ja) * 2012-06-27 2014-01-20 Sharp Corp 基板処理装置
JP6143572B2 (ja) * 2013-06-18 2017-06-07 株式会社Screenホールディングス 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017183310A (ja) 2016-03-28 2017-10-05 東京エレクトロン株式会社 液処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN110828330A (zh) 2020-02-21
JP2020027817A (ja) 2020-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101017654B1 (ko) 기판 척킹 부재, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법
US9810532B2 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating methods
US20030172955A1 (en) Processing apparatus and substrate processing method
KR20200018253A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2012119370A (ja) 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6934732B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US10665478B2 (en) Liquid processing apparatus
KR100927118B1 (ko) 스핀 척 및 웨이퍼 처리 방법
JP6746471B2 (ja) 基板処理装置
KR20160095624A (ko) 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
US8082932B2 (en) Single side workpiece processing
JP2003282514A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2013058607A (ja) 液処理装置、及び液処理装置の制御方法
JP6961362B2 (ja) 基板処理装置
KR20160094276A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101147656B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101536718B1 (ko) 지지 유닛, 이송 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
KR101023751B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR100474185B1 (ko) 기판용 리프팅 장치
JP4339026B2 (ja) 基板処理装置
KR20230008800A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2007036268A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2004303836A (ja) 基板処理装置
JP2005340845A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
JP2005109513A (ja) 現像方法及び現像装置及び液処理方法及び液処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination