KR100927118B1 - 스핀 척 및 웨이퍼 처리 방법 - Google Patents

스핀 척 및 웨이퍼 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 처리 공정 중에서 세정, 식각 공정 등과 같이 웨이퍼를 회전시키면서 공정을 진행하는데 사용하기 위한 스핀 척에 관한 것으로, 본 발명의 스핀 척은 스핀 헤드, 스핀 헤드 상에 설치되어 웨이퍼를 지지하는 지지 핀, 스핀 헤드 상에 설치되고 상기 기판의 가장 자리를 척킹하는 척킹 핀, 척킹 핀을 상기 웨이퍼의 가장자리와 접촉하는 공정 위치 및 웨이퍼를 지지 핀 상에 로딩 또는 언로딩할 수 있도록 스핀 헤드의 외측 방향으로 벌어지는 대기 위치로 변위시키는 구동 부재, 스핀 헤드의 내부에 설치되고, 척킹 핀의 위치를 감지하여 전기적 신호를 제공하는 센서; 및 센서로부터 전기적 신호를 제공받아 웨이퍼의 이상 장착을 체크하는 제어부를 포함한다.
척킹 핀, 지지 핀, 스핀 척

Description

스핀 척 및 웨이퍼 처리 방법{SPIN CHUCK AND METHOD OF TREATING A SUBSTRATE}
본 발명은 반도체 처리 장치 및 반도체 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 스핀 척을 가지는 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 실리콘 웨이퍼 상에 소정의 패턴을 형성하도록 박막을 순차적으로 적층하는 과정을 반복함으로써 제조되며, 박막의 형성 및 적층을 위해서는 증착 공정, 사진 공정 및 식각 공정 등 다수의 단위 공정들을 반복 수행해야만 한다.
이러한 단위 공정들을 수행하는 반도체 소자 제조 설비는 소정 단위 개수의 웨이퍼들을 일괄 처리하는 배치식 설비와 웨이퍼를 한 장씩 순차적으로 처리하는 매엽식 설비로 크게 나누어지며, 매엽식 설비는 웨이퍼가 웨이퍼 척에 단순 지지된 상태에서 처리되는 방식과 웨이퍼가 스핀 척에 지지된 상태에서 회전하면서 처리되는 방식으로 나누어진다.
이 중 웨이퍼가 회전하면서 처리 공정이 진행되는 스핀 타입의 매엽식 설비는, 구동원에서 발생된 회전력이 스핀 척의 하부에 연결된 회전축에 의해 스핀 척 에 전달되고, 이에 따라 스핀 척 상에 장착된 웨이퍼이 회전하게 되며, 회전하는 웨이퍼의 상부에서 감광액, 현상액 또는 세정액 등의 약액을 분사하거나, 또는 웨이퍼의 상부에 플라즈마를 생성시켜 이에 의해 웨이퍼를 처리하는 구성을 갖는다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 내부에 센서가 장착된 스핀 척 및 웨이퍼 처리 방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제들을 이루기 위하여 본 발명에 따른 스핀 척은 스핀 헤드; 상기 스핀 헤드 상에 설치되어 웨이퍼를 지지하는 지지 핀; 상기 스핀 헤드 상에 설치되고, 상기 기판의 가장 자리를 척킹하는 척킹 핀; 상기 척킹 핀을 상기 웨이퍼의 가장자리와 접촉하는 공정 위치 및 상기 웨이퍼를 상기 지지 핀 상에 로딩 또는 언로딩할 수 있도록 상기 스핀 헤드의 외측 방향으로 벌어지는 대기 위치로 변위시키는 구동 부재; 상기 스핀 헤드의 내부에 설치되고, 상기 척킹 핀의 위치를 감지하여 전기적 신호를 제공하는 센서; 및 상기 센서로부터 전기적 신호를 제공받아 상기 웨이퍼의 이상 장착을 체크하는 제어부를 포함한다.
본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 상기 구동 부재는 상기 척킹 핀을 대기 위치 및 공정 위치로 변위시키기 위해, 상기 스핀 헤드의 반경 방향으로 상기 척킹 핀을 슬라이드 이동시킬 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 상기 센서는 상기 척킹 핀의 이동 위치를감지하는 센서일 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따르면, 상기 척킹 핀은 회전 가능한 몸체와 상기 몸체의 회전중심에서 편심된 돌출부를 가지고, 상기 회전중심으로 회전하고, 상기 척킹 핀의 돌출부는 상기 공정 위치에서 상기 웨이퍼의 가장자리와 접촉할 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따르면, 상기 센서는 상기 척킹 핀의 회전 위치를 감지하는 센서일 수 있다. 상기 척킹 핀에는 상기 센서에 의해 감지되는 표지바가 제공될 수 있다.
상기 기술적 과제들을 이루기 위하여 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 방법은 스핀 헤드 상에 웨이퍼를 제공하고; 구동 부재를 사용하여 척킹 핀을 척킹되는 공정 위치로 변위시키고; 상기 스핀 헤드의 내부에 설치된 센서에 의해, 상기 척킹 핀의 위치를 감지하여 전기적 신호를 제공하고; 그리고 제어부가 상기 전기적 신호를 제공받아 상기 웨이퍼의 이상 장착을 체크하는 것을 포함한다.
본 발명에 따르면, 상기 스핀 헤드를 가지는 스핀 척 주위에 배치된 용기 내에서, 상기 웨이퍼의 이상 장착을 체크할 수 있다.
본 발명에 따르면, 센서는 화학 용액을 사용하는 반도체 처리 공정의 수행 시에 발생하는 불순물, 가령 화학적 연무(chemical fume)의 영향을 받지 않을 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼의 정상 장착 여부의 체크가 용이하게 이루질 수 있어 생산성이 향상될 수 있다.
본 발명에 따르면, 스핀 척을 용기 내로 반입한 후, 웨이퍼의 정상 장착 여부의 체크도 이루어질 수 있다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
( 실시예 )
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 스핀 척이 사용된 웨이퍼 처리 장치를 도시해 보인 개략적 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 처리 장치의 개략적 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 웨이퍼 처리 장치(1000)는 지지 핀(120) 및 척킹 핀(130)을 구비한 스핀 척(100), 스핀 척(100) 주위에 배치한 용기(vessel, 200), 용기(200)의 바닥을 관통하여 스핀 척(100) 하단에 연결된 회전축(300), 및 회전축(300)에 회전력을 제공하는 구동부(400)로 구성될 수 있다.
웨이퍼 처리 장치(200)는 가령, 매엽식 에칭 장치 또는 세정 장치일 수 있다. 웨이퍼 처리 장치(200)는 산 용액(acid solution)과 같은 에칭액 또는 탈수소 이온과 같은 세정액을 사용하므로, 용기(200)는 스핀 척(100) 주위에 배치되어 주변 장비를 보호한다. 용기(200)의 상부는 개방되어 있다. 용기(200)의 주위에는, 용기(200)의 내부에서 스핀 척(100)에 의해서 고정되는 기판을 에칭 또는 세정하기 위한 각종 유니트(미도시됨)들이 구비될 수 있다. 스핀 척(100)은 용기(200)에 대 해 상대적으로 승강할 수 있다.
구동부(400)는 구동 모터(410), 구동 풀리(420), 및 벨트(430)를 갖는다. 구동부(400)는, 구동 모터(410)의 출력단에 구비된 구동 풀리(420)가 벨트(430)를 매개로 회전축(300)에 연결됨으로써, 스핀 척(100)을 구동 회전시켜, 스핀 척 상(100)에 지지고정되는 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 이와 같은, 웨이퍼 처리 장치(1000)는 스핀 척(100)으로 웨이퍼(W)를 스피닝시키면서 웨이퍼(W)에 에칭 공정 또는 세정 공정과 같은 웨이퍼 처리 공정을 진행하게 된다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 스핀 척을 도시한 단면도들이다.
도 1, 도 2, 도 3a, 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 스핀 척(100)은 웨이퍼(W)가 놓여지는 스핀 헤드(110), 스핀 헤드(110)의 상면에 설치되어 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 핀(120), 지지 핀(120)에 의해 지지된 웨이퍼(W)의 가장 자리를 고정하는 척킹 핀(130), 스핀 헤드(110)의 내부에 설치되고 척킹 핀(130)을 변위시키는 구동 부재(140), 스핀 헤드(110)의 내부에 설치되고 척킹 핀(130)의 위치를 감지하여 전기적 신호를 제공하는 센서(150), 및 센서(150)로부터 전기적 신호를 제공받아 웨이퍼(W)의 이상 장착을 체크하는 제어부(160)를 갖는다.
스핀 헤드(110)는 스핀 척(100)의 몸체로서 회전축(300)과 연결되어 회전된다. 스핀 헤드(110)는 스핀 헤드(110)의 상부면의 가장 자리를 관통하는 홀들(132)을 갖는다. 홀들(132)은 장방형의 형상을 가지고, 일정 간격으로 배치될 수 있다. 각각의 홀(132)의 장축은 스핀 헤드(110)의 상부면에 반경 방향으로 제공된다. 지지 핀들(120)은 홀들(132)과 스핀 헤드(110)의 상부면의 중심 사이에서 홀들(132)에 인접하여 배치될 수 있다. 지지 핀들(120)은 스핀 헤드(110)의 상부면으로부터 돌출되도록 설치되어 웨이퍼(W)의 배면(Wb)을 지지한다.
척킹 핀들(130)은 막대 형상(bar shape)을 가질 수 있다. 척킹 핀들(130)은 홀들(132)을 관통하여 스핀 헤드(110)의 내부에 설치된 구동 부재(140)와 연결된다. 구동 부재(140) 웨이퍼(W)를 지지 핀(120) 상에 로딩 또는 언로딩할 수 있도록 척킹 핀들(130)이 스핀 헤드(110)의 외측 방향으로 벌어지는 대기 위치(X1) 및 척킹 핀들(130)이 웨이퍼(W)의 가장자리와 접촉되는 공정 위치(X2)로 척킹 핀들(130)을 변위시킨다. 구동 부재(140)는 로드(142) 및 로터리 실린더(144)를 포함할 수 있다. 로드(142)는 로터리 실린더(144)에 의해 회전되는 캠에 의해 척킹 핀들(130)을 직선이동시키기위한 동력을 제공한다. 즉, 로드(142)는 스핀 헤드(110)의 내부에 위치한 척킹 핀(130)의 하부(lower portion)와 연결되고 로터리 실린더(144)에서 발생하는 구동력은 로드(142)를 매개로 하여 척킹 핀(130)을 장방형의 홀(132)을 따라 대기 위치(X1)와 공정 위치(X2) 간에 왕복으로 슬라이드 이동시킨다.
센서(150)는 스핀 헤드(110)의 내부에 홀들(132)의 인근에 설치되어 척킹 핀들(130)의 이동위치를 감지하여 전기적 신호를 제공한다. 센서(150)는 가령, 변위 센서일 수 있다. 제어부(160)는 전기적 연결부재(155), 가령 케이블에 의하여 센서(150)와 연결되고, 센서(150)로부터 전기적 신호를 제공받을 수 있다.
웨이퍼(W)의 처리 방법은 다음과 같이 수행된다.
스핀 척(100)을 용기(200)에 대해 상대적으로 승강시켜, 웨이퍼(W)를 스핀 헤드(110) 상에 로딩한다. 지지 핀들(120)은 웨이퍼(W)의 배면(Wb)을 지지한다. 척킹 핀들(130)은 공정 위치(X2)으로 슬라이드 이동하여 상기 지지된 웨이퍼(W)의 가장자리를 접촉고정한다. 이 때, 센서(150)는 척킹 핀들(130)의 이동위치를 감지하여 전기적 신호를 전기적 연결부재(155)를 통하여 제어부(160)로 제공한다. 제어부(160)는 전기적 신호를 제공받아 웨이퍼(W)의 정상 장착 여부를 판단한다. 예를 들면, 도 3a에 도시된 것과 같이, 척킹 핀(130)이 공정 위치(X2)로 이동한 경우, 웨이퍼(W)가 정상 척킹되어 정상 장착된 것으로 판단한다. 또한, 도 3b에 도시된 것과 같이, 척킹 핀(130)이 이상 위치(X3)로 이동한 경우, 웨이퍼(W)가 이상 척킹되어 웨이퍼(W)가 기울지거나 파손된 것으로 판단한다. 웨이퍼(W)가 이상 척킹되면, 반도체 처리 공정을 일시 정지하여 웨이퍼(W)가 정상 장착되도록 조치를 취한다.
웨이퍼(W)가 정상 장착되면, 스핀 척(100)을 하강시켜 용기(200) 내부로 배치한 후, 웨이퍼(W)를 회전시켜 에칭 공정 및 세정 공정 같은 반도체 처리 공정을 수행한다. 반도체 처리 공정을 수행 중에, 척킹된 웨이퍼(W)가 원심력에 의해 스핀 척(100)을 이탈할 수 있다. 웨이퍼(W)가 이탈한 경우, 척킹 핀(130)이 공정 위치(X2)에서 벋어나 대기 위치(X1)를 향하여 이동할 수 있다. 센서(150)는 척킹 핀들(130)의 벋어난 위치를 감지한다. 이 경우, 반도체 처리 공정을 정지하여 웨이퍼(W)를 정상 장착하거나 웨이퍼(W)를 교체할 수 있다.
본 발명에 따르면, 센서(150)가 스핀 척(100)의 내부 즉, 스핀 헤드(110) 내 에 설치된다. 센서(150)는 화학 용액을 사용하는 반도체 처리 공정의 수행 시에 발생하는 불순물, 가령 화학적 연무(chemical fume)의 영향을 받지 않을 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 정상 장착 여부의 체크가 용이하게 이루질 수 있어 생산성이 향상될 수 있다.
본 발명에 따르면, 스핀 척(100)을 용기(200)로 부터 상대적으로 승강시킨 상태에서 웨이퍼(W)의 정상 장착 여부의 체크가 이루어질 수 있다. 게다가, 스핀 척(100)을 용기(200) 내로 반입한 후, 웨이퍼(W)의 정상 장착 여부의 체크도 이루어질 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 스핀 척을 도시한 단면도들이다. 앞서 설명한 제 1 실시예와 중복되는 내용에 대해서는 논의의 간결함을 위해 생략한다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 스핀 척(360)은 웨이퍼(W)가 놓여지는 스핀 헤드(110), 스핀 헤드(110)의 상면에 설치되어 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 핀(120), 상기 지지 핀(120)에 의해 지지된 웨이퍼(W)의 가장 자리를 고정하는 척킹 핀(330), 척킹 핀(330)이 척킹되는 공정 위치(Y2) 및 언척킹되는 대기 위치(Y1)로 변위시키는 구동 부재(340), 스핀 헤드(110)의 내부에 설치되고 척킹 핀(330)의 회전 위치를 감지하여 전기적 신호를 제공하는 센서(350), 및 센서(350)로부터 전기적 신호를 제공받아 웨이퍼(W)의 이상 장착을 체크하는 제어부(160)를 갖는다.
스핀 헤드(110)는 스핀 척(330)의 몸체로서 상기 회전축(300)과 연결되어 회 전할 수 있다. 스핀 헤드(110)는 스핀 헤드(110)의 상부면의 가장 자리를 관통하는 홀들(332)을 갖는다. 홀들(332)은 원형의 형상을 가지고, 스핀 헤드(110)의 가장 자리를 따라 일정 간격으로 배치될 수 있다. 지지 핀들(120)이 홀들(332)과 스핀 헤드(110)의 상부면의 중심 사이에서 홀들(332)에 인접하여 배치될 수 있다. 지지 핀들(120)은 스핀 헤드(110)의 상부면으로부터 돌출되도록 설치되어 웨이퍼(W)의 배면(Wb)을 지지한다.
척킹 핀들(330)은 몸체(330L)과 상기 몸체(330L)의 상면으로부터 돌출한 돌출부(330U)을 갖는다. 돌출부(330U)는 몸체(330L)의 회전중심(A)에서 편심되어있다. 척킹 핀들(330)은 홀들(332)을 관통하여 스핀 헤드(110)의 내부에 설치된 구동 부재(340)와 연결된다. 구동 부재(340)는 척킹 핀(130)의 하부와 연결된 종동 기어(342)와 종동 기어(342)와 체결된 구동 기어(344)를 갖는다. 척킹 핀들(330)은 홀들(332)을 관통하여 스핀 헤드(110)의 내부에 설치된 종동 기어(342)와 연결된다. 표지바(352)가 종동 기어(342)의 하부에 설치된다. 척킹 핀(330)과 종동 기어(342)의 중심축(A)은 동일하다. 척킹 핀(330)를 회전시켜 공정 위치(Y2)에서 척킹 핀(330)의 돌출부(330U)가 웨이퍼(W)의 가장자리와 접촉하게 한다. 즉, 구동 기어(344)의 회전력은 종동 기어(342)를 매개로 하여 척킹 핀(330)을 대기 위치(Y1)에서 공정 위치(Y2)로 회전시킨다. 이에 따라, 척킹 핀들(330)의 돌출부(330U)는 웨이퍼(W)의 가장자리와 접촉고정한다. 또한, 구동 부재(340)는 웨이퍼(W)를 지지 핀(120) 상에 로딩 또는 언로딩할 수 있도록 척킹 핀(330)을 회전시켜 스핀 헤드(110)의 외측 방향으로 척킹 핀들(330)의 돌출부(330U)가 벌어지게 한다.
센서(350)는 스핀 헤드(110)의 내부에 척킹 핀(330) 밑에 설치된다. 센서(350)는 종동 기어(342)의 하부에 제공된 표지바(352)의 위치를 통하여 척킹 핀(330)의 회전위치를 감지하여 전기적 신호를 제공한다. 센서(350)는 가령, 변위 센서일 수 있다. 제어부(160)는 전기적 연결부재(155), 가령 케이블에 의하여 센서(150)와 연결되고, 센서(150)로부터 전기적 신호를 제공받을 수 있다.
웨이퍼(W)의 처리 방법은 다음과 같이 수행된다. 스핀 척(100)을 용기(200)에 대해 상대적으로 승강시켜, 웨이퍼(W)를 스핀 헤드(110) 상에 로딩한다. 지지 핀들(120)은 웨이퍼(W)의 배면(Wb)을 지지한다. 척킹 핀들(330)을 회전시켜, 척킹 핀(330)의 돌출부(330U)가 상기 지지된 웨이퍼(W)의 가장자리와 접촉고정한다. 이 때, 센서(350)는 표지바(352)의 회전위치를 통하여 척킹 핀(330)의 회전 위치를 감지한다. 센서(350)는 감지된 회전 위치를 전기적 신호로 변경하여 전기적 연결부재(155)를 통하여 제어부(160)로 제공한다. 제어부(160)는 전기적 신호를 제공받아웨이퍼(W)의 정상 장착 여부를 판단한다. 예를 들면, 도 5a에 도시된 것과 같이, 센서(350)는 척킹 핀들(330)을 회전되어 척킹 핀들(330)의 돌출부(330U)가 대기 위치(Y1)에서 공정 위치(Y2)로 변위되면, 웨이퍼(W)가 정상 척킹되어 정상 장착된 것으로 판단한다.
웨이퍼(W)가 정상 장착되면, 스핀 척(360)을 하강시켜 용기(200) 내부로 배치한 후, 웨이퍼(W)를 회전시켜 에칭 공정 및 세정 공정 같은 반도체 처리 공정을 수행한다. 반도체 처리 공정을 수행 중에, 척킹된 웨이퍼(W)가 원심력에 의해 스핀 척(360)을 이탈할 수 있다. 웨이퍼(W)가 이탈한 경우, 척킹 핀들(330)의 돌출 부(330U)이 공정 위치(Y2)를 벋어나 대기 위치(Y1)로 회전할 수 있다. 센서(350)는 척킹 핀들(330)의 벋어난 위치를 감지한다. 이 경우, 반도체 처리 공정을 정지하여 웨이퍼(W)를 정상 장착하거나 웨이퍼(W)를 교체할 수 있다.
제 1 실시예와 달리, 척킹 핀(330)이 회전하는 경우에도 본 발명이 적용될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 스핀 척이 사용된 웨이퍼 처리 장치를 도시해 보인 개략적 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 처리 장치의 개략적 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 스핀 척을 도시한 단면도들이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 스핀 척을 도시한 단면도들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100 : 스핀 척 110 : 스핀헤드
120 : 지지 핀 130 : 척킹 핀
132 : 홀 160 : 제어부
200 : 용기 300 : 회전축
400 : 구동부

Claims (8)

  1. 스핀 헤드;
    상기 스핀 헤드 상에 설치되어 웨이퍼를 지지하는 지지 핀;
    회전 가능한 몸체와 상기 몸체의 회전중심에서 편심된 돌출부를 가지고, 상기 회전중심으로 회전하며, 상기 스핀 헤드 상에 설치되고, 상기 스핀 헤드 상에 배치된 웨이퍼의 가장 자리를 척킹하는 척킹 핀;
    상기 척킹 핀을 상기 스핀 헤드 상에 배치된 웨이퍼의 가장자리와 접촉하는 공정 위치 및 상기 스핀 헤드 상에 배치된 웨이퍼를 상기 지지 핀 상에 로딩 또는 언로딩할 수 있도록 상기 스핀 헤드의 외측 방향으로 벌어지는 대기 위치로 변위시키는 구동 부재;
    상기 스핀 헤드의 내부에 설치되고, 상기 척킹 핀의 회전 위치를 감지하여 전기적 신호를 제공하는 센서; 및
    상기 센서로부터 전기적 신호를 제공받아 상기 스핀 헤드 상에 배치된 웨이퍼의 이상 장착을 체크하는 제어부를 포함하는 스핀 척.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동 부재는 상기 척킹 핀을 대기 위치 및 공정 위치로 변위시키기 위해, 상기 스핀 헤드의 반경 방향으로 상기 척킹 핀을 슬라이드 이동시키는 것을 특징으로 하는 스핀 척.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 센서는 상기 척킹 핀의 이동 위치를 감지하는 센서인 것을 특징으로 하 는 스핀 척.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 척킹 핀의 돌출부는 상기 공정 위치에서 상기 스핀 헤드 상에 배치된 웨이퍼의 가장자리와 접촉하는 것을 특징으로 하는 스핀 척.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 척킹 핀에는 상기 센서에 의해 감지되는 표지바가 제공되는 것을 특징으로 하는 스핀 척.
  7. 스핀 헤드 상에 웨이퍼를 제공하고;
    회전 가능한 몸체와 상기 몸체의 회전중심에서 편심된 돌출부를 갖는 척킹 핀을 구동 부재를 사용하여 척킹되는 공정 위치로 변위시키고;
    상기 척킹 핀이 상기 회전중심으로 회전하면서 상기 스핀 헤드 상에 배치된 웨이퍼의 가장 자리를 척킹하고;
    상기 스핀 헤드의 내부에 설치된 센서에 의해, 상기 척킹 핀의 회전 위치를 감지하여 전기적 신호를 제공하고; 그리고
    제어부가 상기 전기적 신호를 제공받아 상기 스핀 헤드 상에 배치된 웨이퍼의 이상 장착을 체크하는 것을 포함하는 웨이퍼 처리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 스핀 헤드를 가지는 스핀 척 주위에 배치된 용기 내에서,
    상기 스핀 헤드 상에 배치된 웨이퍼의 이상 장착을 체크하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101653243B1 (ko) 2015-05-11 2016-09-02 (주)이노맥스 스핀 척
KR20230079551A (ko) 2021-11-29 2023-06-07 주식회사 건테크 저저항 SiC소재로 형성되는 습식 핀 척 스테이지의 세정장비에 장착되는 스핀 척 핀

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101445125B1 (ko) * 2013-01-31 2014-10-01 (주) 예스티 웨이퍼 클램핑 장치
KR20160072794A (ko) 2014-12-15 2016-06-23 씨에스이(주) 융합형 스핀 장치
KR102440986B1 (ko) * 2015-08-31 2022-09-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102355191B1 (ko) * 2017-06-07 2022-01-26 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치 및 이에 사용되는 스핀 모듈
CN108461440B (zh) * 2018-03-30 2024-04-05 上海新创达半导体设备技术有限公司 一种晶圆对中装置及方法
KR102649391B1 (ko) * 2019-05-20 2024-03-22 주식회사 제우스 기판처리장치
CN112185885B (zh) * 2020-12-01 2021-07-16 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种用于卡夹硅片的卡盘销及用于保持硅片的装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10135311A (ja) 1996-10-28 1998-05-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転保持装置および回転式基板処理装置
KR20010077104A (ko) * 2000-01-31 2001-08-17 고석태 웨이퍼 고정 척
JP2002299308A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置
KR20070033700A (ko) * 2005-09-22 2007-03-27 동부일렉트로닉스 주식회사 스핀척의 웨이퍼 안착불량 검출장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10135311A (ja) 1996-10-28 1998-05-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転保持装置および回転式基板処理装置
KR20010077104A (ko) * 2000-01-31 2001-08-17 고석태 웨이퍼 고정 척
JP2002299308A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置
KR20070033700A (ko) * 2005-09-22 2007-03-27 동부일렉트로닉스 주식회사 스핀척의 웨이퍼 안착불량 검출장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101653243B1 (ko) 2015-05-11 2016-09-02 (주)이노맥스 스핀 척
KR20230079551A (ko) 2021-11-29 2023-06-07 주식회사 건테크 저저항 SiC소재로 형성되는 습식 핀 척 스테이지의 세정장비에 장착되는 스핀 척 핀

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