KR20220125172A - 절삭 장치 - Google Patents

절삭 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220125172A
KR20220125172A KR1020220026067A KR20220026067A KR20220125172A KR 20220125172 A KR20220125172 A KR 20220125172A KR 1020220026067 A KR1020220026067 A KR 1020220026067A KR 20220026067 A KR20220026067 A KR 20220026067A KR 20220125172 A KR20220125172 A KR 20220125172A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chuck table
cutting
workpiece
unit
cutting device
Prior art date
Application number
KR1020220026067A
Other languages
English (en)
Inventor
요시히로 구스노키
시게루 이시이
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20220125172A publication Critical patent/KR20220125172A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00Other grinding machines or devices
    • B24B27/06Grinders for cutting-off
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00Other grinding machines or devices
    • B24B27/06Grinders for cutting-off
    • B24B27/0683Accessories therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/005Feeding or manipulating devices specially adapted to grinding machines
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B24B41/068Table-like supports for panels, sheets or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/10Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • B28D5/0094Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being of the vacuum type
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Abstract

본 발명은 진공 누설(vacuum leak)에 의해 발생하는 약간의 정전기도 억제할 수 있는 절삭 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
절삭 장치(1)는, 스핀들(23)에 절삭 블레이드(21)를 장착하여 피가공물을 절삭하는 절삭 유닛(20)과, 절삭 블레이드(21)의 여유홈으로 유지면(11)이 복수의 영역으로 구획되고, 유지면(11)의 영역에 피가공물을 흡인 유지하는 흡인 구멍이 개구되는 척 테이블(10)과, 절삭 유닛(20)과 척 테이블(10)을 상대적으로 이동시키는 이동 유닛(40)을 구비하는 절삭 장치로서, 척 테이블(10)의 유지면(11)과 피가공물과의 간극의 진공 누설로부터 발생하는 정전기를 억제하는 정전 억제부(50)를 더 구비한다.

Description

절삭 장치{CUTTING APPARATUS}
본 발명은 절삭 장치에 관한 것이다.
수지 패키지 기판이나 유리 기판, 세라믹스 기판 등 각종 전자 부품을 분할하기 위해서 절삭 블레이드를 이용하는 절삭 장치(다이서)가 사용되고 있다. 반도체 웨이퍼의 분할 등에는, 웨이퍼를 환형 프레임에 점착 테이프로 고정하여, 개개의 칩으로 분할 후에도 반송하기 쉬운 프레임 유닛을 구성하는 경우가 많다. 그러나, 비교적 단가가 낮은 수지 패키지 기판은, 점착 테이프나 프레임의 비용을 삭감하기 위해서, 척 테이블에 직접 기판을 고정하여 분할하는 점착 테이프를 이용하지 않는, 소위 지그 다이서를 이용하는 경우가 많다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1에 나타난 지그 다이서는, 직접 피가공물을 척 테이블에 고정하기 때문에, 피가공물과 척 테이블 유지면과의 약간의 간극에서 진공 누설(vacuum leak)이 발생한다.
[특허문헌 1] 일본 특허 제6173173호 공보
종래보다 진행된, 디바이스의 정밀화, 고밀도화에 따라, 디바이스의 정전 파괴 대책이 엄격해져, 진공 누설에 의해 발생하는 약간의 정전기도 억제하는 것이 요구되어 왔다.
본 발명의 목적은, 진공 누설에 의해 발생하는 약간의 정전기도 억제할 수 있는 절삭 장치를 제공하는 것이다.
전술한 과제를 해결하여, 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 절삭 장치는, 스핀들에 절삭 블레이드를 장착하여 피가공물을 절삭하는 절삭 유닛과, 상기 절삭 블레이드의 여유홈으로 유지면이 복수의 영역으로 구획되고, 상기 유지면의 상기 영역에 피가공물을 흡인 유지하는 흡인 구멍이 개구되는 척 테이블과, 상기 절삭 유닛과 상기 척 테이블을 상대적으로 이동시키는 이동 유닛을 구비하는 절삭 장치로서, 상기 척 테이블의 상기 유지면과 상기 피가공물과의 간극의 진공 누설로부터 발생하는 정전기를 억제하는 정전 억제부를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 절삭 장치에 있어서, 상기 척 테이블은, 금속제의 본체부에 상기 유지면이 되는 수지층이 부설되어 구성되고, 상기 정전 억제부는, 공급한 물로 상기 본체부와 상기 수지층을 전기적으로 연결하는 물 공급부여도 좋다.
상기 절삭 장치에 있어서, 상기 척 테이블은, 금속제의 본체부에 상기 유지면이 되는 수지층이 부설되어 구성되고, 상기 정전 억제부는, 도전성을 갖는 상기 수지층이어도 좋다.
상기 절삭 장치에 있어서, 상기 수지층은, 금속제의 상기 본체부에 도전성을 구비하는 접착제로 고정되어도 좋다.
상기 절삭 장치에 있어서, 상기 척 테이블은, 제1 척 테이블과 제2 척 테이블을 구비하고, 반송 유닛은, 한쪽의 상기 척 테이블로 흡인 유지한 피가공물을 가공 중에, 다른쪽의 상기 척 테이블에 가공 후의 피가공물을 반출하고 가공 전의 피가공물을 반입하며, 상기 피가공물은 가공 전에 흡인 유지된 상태로 대기해도 좋다.
본 발명은 진공 누설에 의해 발생하는 약간의 정전기도 억제할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
도 1은 실시형태 1에 따른 절삭 장치의 구성예를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 절삭 장치의 가공 대상인 피가공물의 일례를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 피가공물을 이면측에서 본 사시도이다.
도 4는 도 1에 도시된 절삭 장치의 척 테이블의 사시도이다.
도 5는 도 4에 도시된 척 테이블의 주요부의 단면도이다.
도 6은 도 1에 도시된 절삭 장치의 제1 척 테이블에 흡인 유지한 피가공물을 절삭 가공하는 상태를 모식적으로 도시한 정면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 절삭 장치의 제2 척 테이블에 피가공물을 반입하는 상태를 모식적으로 도시한 정면도이다.
도 8은 도 1에 도시된 절삭 장치의 제1 척 테이블에 흡인 유지한 피가공물을 절삭 가공하는 상태를 모식적으로 도시한 측면도이다.
도 9는 도 8에 도시된 절삭 장치의 피가공물을 흡인 유지한 제2 척 테이블을 모식적으로 도시한 측면도이다.
도 10은 실시형태 2에 따른 절삭 장치의 척 테이블의 주요부의 단면도이다.
본 발명을 실시하기 위한 형태(실시형태)에 대해, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러 가지의 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다.
〔실시형태 1〕
본 발명의 실시형태 1에 따른 절삭 장치를 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은 실시형태 1에 따른 절삭 장치의 구성예를 도시한 사시도이다. 도 2는 도 1에 도시된 절삭 장치의 가공 대상인 피가공물의 일례를 도시한 사시도이다. 도 3은 도 2에 도시된 피가공물을 이면측에서 본 사시도이다. 도 4는 도 1에 도시된 절삭 장치의 척 테이블의 사시도이다. 도 5는 도 4에 도시된 척 테이블의 주요부의 단면도이다.
실시형태 1에 따른 도 1에 도시된 절삭 장치(1)는, 도 2 및 도 3에 도시된 피가공물(200)을 절삭 가공하는 가공 장치이다. 실시형태 1에서는, 절삭 장치(1)의 가공 대상인 피가공물(200)은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 평면 형상이 직사각형의 평판형으로 형성되어 있다. 피가공물(200)은, 금속에 의해 구성된 기판(201)을 구비하고, 기판(201)의 표면(202)에 복수의 분할 예정 라인(203)이 격자형으로 형성되어 있다.
피가공물(200)은, 복수의 분할 예정 라인(203)에 의해 구획된 복수의 영역을 구비하고, 이들 영역 각각의 기판(201)의 이면(204)측에 도시하지 않은 칩이 배치되어 있다. 칩은, 기판(201)의 이면(204)에 적층된 몰드 수지(205)에 의해 피복되어 있다. 실시형태 1에 있어서, 피가공물(200)은, 칩이 몰드 수지(205)에 의해 매설된 소위 수지 패키지 기판이다.
전술한 바와 같이 구성된 피가공물(200)은, 도 1에 도시된 절삭 장치(1)에 의해, 분할 예정 라인(203)을 따라 절삭 가공되어, 개개의 패키지 디바이스 칩(206)으로 분할된다. 또한, 실시형태 1에서는, 피가공물(200)은, 수지 패키지 기판이지만, 본 발명에서는, 수지 패키지 기판에 한정되지 않고, 유리 기판 또는 세라믹스 기판 등이어도 좋다.
도 1에 도시된 절삭 장치(1)는, 피가공물(200)을 척 테이블(10)에 유지하여 복수의 분할 예정 라인(203)을 따라 절삭 가공하는 가공 장치이다. 실시형태 1에 있어서, 절삭 장치(1)는, 다이싱 테이프가 접착되지 않는 피가공물(200)을 척 테이블(10)에 직접 유지하고, 피가공물(200)을 소위 풀 커트하여 패키지 디바이스 칩(206)으로 분할하는 가공 장치(소위, 지그 다이서)이다.
절삭 장치(1)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 피가공물(200)을 유지면(11)으로 흡인 유지하는 척 테이블(10)과, 척 테이블(10)에 흡인 유지된 피가공물(200)에 절삭수를 공급하면서 분할 예정 라인(203)을 절삭 블레이드(21)로 절삭하여, 피가공물(200)을 복수의 패키지 디바이스 칩(206)으로 분할하는 절삭 유닛(20)과, 촬상 유닛(30)과, 제어 유닛(100)을 구비한다. 절삭 장치(1)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 절삭 유닛(20)을 2개 구비한, 즉, 2 스핀들의 다이서, 이른바 페이싱 듀얼 타입의 절삭 장치이다.
또한, 절삭 장치(1)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 척 테이블(10)로서, 제1 척 테이블(10-1)과, 제2 척 테이블(10-2)을 구비한다. 또한, 이하, 본 명세서는, 이들을 구별할 때에는, 제1 척 테이블(10-1)과 제2 척 테이블(10-2)이라고 기재하고, 구별하지 않을 때에는, 간단히 척 테이블(10)이라고 기재한다. 제1 척 테이블(10-1)의 구성과, 제2 척 테이블(10-2)의 구성은, 동일하다.
또한, 절삭 장치(1)는, 절삭 유닛(20)과 척 테이블(10)을 상대적으로 이동시키는 이동 유닛(40)을 구비한다. 이동 유닛(40)은, 척 테이블(10)을 수평 방향과 평행한 X축 방향으로 가공 이송하는 가공 이송 유닛인 X축 이동 유닛(41)과, 수평 방향과 평행하고 또한 X축 방향과 직교하는 인덱싱 이송 방향인 Y축 방향으로 절삭 유닛(20)을 이동시키는 인덱싱 이송 유닛인 Y축 이동 유닛(42)과, X축 방향과 Y축 방향에 각각 직교하는 연직 방향에 평행한 절입 이송 방향인 Z축 방향으로 절삭 유닛(20)을 이동시키는 Z축 이동 유닛(43)과, 척 테이블(10)을 Z축 방향과 평행한 축심 주위로 회전시키는 회전 이동 유닛(44)을 구비한다. 즉, 이동 유닛(40)은, X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향으로 척 테이블(10)과 절삭 유닛(20)을 상대적으로 이동시키는 것이다.
X축 이동 유닛(41)은, 척 테이블(10)을 회전 이동 유닛(44)과 함께 가공 이송 방향인 X축 방향으로 이동시킴으로써, 척 테이블(10)을 절삭 유닛(20)에 대해 X축 방향으로 이동시키는 것이다. X축 이동 유닛(41)은, 척 테이블(10)에 유지된 피가공물(200)을 절삭 유닛(20)이 절삭 가공하는 가공 영역과, 척 테이블(10)에 피가공물(200)을 반입 및 반출하는 반입 반출 영역 사이에서, 척 테이블(10)을 X축 방향을 따라 이동시킨다. 실시형태 1에서는, X축 이동 유닛(41)은, 척 테이블(10)과 1 대 1로 대응하여, 2개 설치되어 있다. X축 이동 유닛(41)은, 대응하는 척 테이블(10)을 가공 영역과 반입 반출 영역에 걸쳐 X축 방향으로 이동시킨다.
Y축 이동 유닛(42)은, 절삭 유닛(20)을 척 테이블(10)에 대해 인덱싱 이송 방향인 Y축 방향으로 이동시킴으로써, 척 테이블(10)을 절삭 유닛(20)에 대해 Y축 방향으로 상대적으로 이동시키는 것이다. Z축 이동 유닛(43)은, 절삭 유닛(20)을 절입 이송 방향인 Z축 방향으로 이동시킴으로써, 척 테이블(10)을 절삭 유닛(20)에 대해 Z축 방향으로 상대적으로 이동시키는 것이다.
회전 이동 유닛(44)은, X축 이동 유닛(41)에 의해 X축 방향으로 이동되고, 척 테이블(10)을 Z축 방향과 평행한 축심 주위로 회전시키는 것이다. 실시형태 1에서는, 회전 이동 유닛(44)은, 척 테이블(10)과 1 대 1로 대응하여, 2개 설치되어 있다. 회전 이동 유닛(44)은, 대응하는 척 테이블(10)을 Z축 방향과 평행한 축심 주위로 회전시킨다.
X축 이동 유닛(41), Y축 이동 유닛(42) 및 Z축 이동 유닛(43)은, 축심 주위로 회전 가능하게 설치된 주지의 볼 나사, 볼 나사를 축심 주위로 회전시키는 주지의 모터 및 척 테이블(10) 또는 절삭 유닛(20)을 X축 방향, Y축 방향 또는 Z축 방향으로 이동 가능하게 지지하는 주지의 가이드 레일을 구비한다.
척 테이블(10)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 직사각형 형상으로 형성되고, 또한 피가공물(200)을 유지하는 유지면(11)을 구비한다. 척 테이블(10)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 도전성을 갖는 금속에 의해 구성되고 또한 회전 이동 유닛(44)에 설치되는 본체부(12)와, 고무 등의 탄성을 갖는 비도전성의 수지에 의해 구성되고 또한 본체부(12)의 표면 상에 형성된 판형의 수지층(13)을 구비한다.
본체부(12) 및 수지층(13)의 평면 형상은, 피가공물(200)의 평면 형상보다 큰 직사각형 형상으로 형성되어 있다. 본체부(12)의 표면 및 수지층(13)의 표면은, 수평 방향을 따라 평탄하게 형성되어 있다. 또한, 수지층(13)의 표면은, 피가공물(200)을 유지하는 유지면(11)이다. 즉, 척 테이블(10)의 유지면(11)은, 수지층(13)으로 구성되어 있다. 또한, 수지층(13)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 본체부(12)의 표면에 접착제(14)로 고정되어 있다. 이와 같이, 척 테이블(10)은, 금속제의 본체부(12)에 유지면(11)이 되는 수지층(13)이 부설되어 구성되어 있다.
척 테이블(10)은, 절삭 가공 시에 절삭 블레이드(21)가 침입하는 여유홈(15)으로 유지면(11)이 복수의 영역으로 구획되고, 유지면(11)의 여유홈(15)으로 구획된 영역에 각각 피가공물(200) 및 패키지 디바이스 칩(206)을 흡인하기 위한 흡인 구멍(16)이 개구되어 있다. 여유홈(15)은, 분할 예정 라인(203)에 대응하는 위치[유지면(11)에 유지된 피가공물(200)의 분할 예정 라인(203)에 겹치는 위치]에 형성되고 또한 유지면(11)으로부터 오목하게 형성되어 있다. 실시형태 1에서, 여유홈(15)은, 수지층(13)을 관통하여, 수지층(13)을 영역마다 등으로 분할하고 있다.
흡인 구멍(16)은, 패키지 디바이스 칩(206)과 대응하는 위치[즉, 유지면(11)에 유지된 피가공물(200)의 패키지 디바이스 칩(206)에 겹치는 위치]에 형성되고 또한 유지면(11)의 각 영역에 개구되어 있다. 실시형태 1에서는, 흡인 구멍(16)은, 패키지 디바이스 칩(206)과 1 대 1로 대응하고 있다. 흡인 구멍(16)은, 도 1에 도시된 흡인로(17) 및 개폐 밸브(18)를 통해 흡인원(19)에 접속되어 있다.
척 테이블(10)은, 흡인원(19)에 의해 흡인 구멍(16)이 흡인됨으로써, 피가공물(200) 및 패키지 디바이스 칩(206)을 유지면(11)에 흡인 유지한다. 또한, 척 테이블(10)은, 피가공물(200) 및 패키지 디바이스 칩(206)을 유지면(11)에 흡인 유지할 때에, 흡인원(19)으로부터의 부압이 유지면(11)과 피가공물(200) 및 패키지 디바이스 칩(206)과의 간극으로부터 누설되는 경우(즉, 진공 누설이라고 함)가 있다. 척 테이블(10)은, 진공 누설에 의해, 유지면(11)과 피가공물(200) 및 패키지 디바이스 칩(206) 사이에 정전기가 발생하여, 이들이 대전하는 경우가 있다.
또한, 각 척 테이블(10-1, 10-2)은, X축 이동 유닛(41)에 의해 회전 이동 유닛(44)과 함께 X축 방향으로 이동되고, 회전 이동 유닛(44)에 의해 Z축 방향과 평행한 축심 주위로 회전된다. 실시형태 1에서는, 각 척 테이블(10-1, 10-2)은, 대응하는 회전 이동 유닛(44) 상에 하나 설치되어 있다.
절삭 유닛(20)은, 척 테이블(10)로 유지된 피가공물(200)을 절삭 가공하는 처리 유닛이다. 절삭 유닛(20)은, 각각, Y축 이동 유닛(42)에 의해 척 테이블(10)에 대해 Y축 방향으로 상대적으로 이동 가능하게 설치되고, 또한, Z축 이동 유닛(43)에 의해 Z축 방향으로 상대적으로 이동 가능하게 설치되어 있다.
절삭 유닛(20)은, 도 1에 도시된 바와 같이, Y축 이동 유닛(42) 및 Z축 이동 유닛(43) 등을 통해, 장치 본체(2)로부터 세워 설치한 문형의 지지 프레임(3)에 설치되어 있다. 절삭 유닛(20)은, Y축 이동 유닛(42) 및 Z축 이동 유닛(43)에 의해, 척 테이블(10)의 유지면(11)의 임의의 위치에 절삭 블레이드(21)를 위치시킬 수 있게 되어 있다.
절삭 유닛(20)은, 각각, 스핀들(23)에 절삭 블레이드(21)를 장착하여, 피가공물(200)을 절삭 가공하는 것이다. 절삭 유닛(20)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 척 테이블(10)로 유지된 피가공물(200)을 절삭 가공하는 절삭 블레이드(21)와, Y축 이동 유닛(42) 및 Z축 이동 유닛(43)에 의해 Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동 가능하게 설치된 스핀들 하우징(22)과, 스핀들 하우징(22)에 축심 주위로 회전 가능하게 설치되고 또한 도시하지 않은 모터에 의해 회전되며 선단부에 절삭 블레이드(21)가 장착되는 스핀들(23)과, 절삭 블레이드(21)에 절삭수를 공급하는 절삭수 공급 노즐을 갖는다.
실시형태 1에서는, 절삭 블레이드(21)는, 각각, 원환형의 원형 베이스와, 원형 베이스의 외주 가장자리에 배치되어 피가공물(200)을 절삭 가공하는 원환형의 절삭날을 구비하는 소위 허브 블레이드이다. 절삭날은, 다이아몬드나 CBN(Cubic Boron Nitride) 등의 지립과, 금속이나 수지 등의 지립을 고정하는 본드재(결합재)를 포함하고 두께가 일정한 링형으로 형성되어 있다. 또한, 본 발명에서는, 절삭 블레이드(21)는, 절삭날만으로 구성된 소위 와셔 블레이드여도 좋다.
촬상 유닛(30)은, 절삭 유닛(20)과 일체적으로 이동하도록 배치되어 있다. 촬상 유닛(30)은, 척 테이블(10)에 유지된 절삭 전의 피가공물(200)의 분할해야 할 영역을 촬영하는 촬상 소자를 구비하고 있다. 촬상 소자는, 예컨대, CCD(Charge-Coupled Device) 촬상 소자 또는 CMOS(Complementary MOS) 촬상 소자이다. 촬상 유닛(30)은, 척 테이블(10)에 유지된 피가공물(200)을 촬영하여, 피가공물(200)과 절삭 블레이드(21)의 위치 맞춤을 행하는 얼라인먼트를 수행하기 위해서 등의 화상을 얻고, 얻은 화상을 제어 유닛(100)에 출력한다.
또한, 절삭 장치(1)는, 척 테이블(10)의 X축 방향의 위치를 검출하기 위한 도시하지 않은 X축 방향 위치 검출 유닛과, 절삭 유닛(20)의 Y축 방향의 위치를 검출하기 위한 도시하지 않은 Y축 방향 위치 검출 유닛과, 절삭 유닛(20)의 Z축 방향의 위치를 검출하기 위한 Z축 방향 위치 검출 유닛을 구비한다. X축 방향 위치 검출 유닛 및 Y축 방향 위치 검출 유닛은, X축 방향, 또는 Y축 방향과 평행한 리니어 스케일과, 판독 헤드에 의해 구성할 수 있다. Z축 방향 위치 검출 유닛은, 모터의 펄스로 절삭 유닛(20)의 Z축 방향의 위치를 검출한다. X축 방향 위치 검출 유닛, Y축 방향 위치 검출 유닛 및 Z축 방향 위치 검출 유닛은, 척 테이블(10)의 X축 방향, 절삭 유닛(20)의 Y축 방향 또는 Z축 방향의 위치를 제어 유닛(100)에 출력한다. 또한, 실시형태 1에서는, 절삭 장치(1)의 척 테이블(10) 및 절삭 유닛(20)의 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향의 위치는, 미리 정해진 도시하지 않은 원점 위치를 기준으로 한 위치로 정해진다.
또한, 절삭 장치(1)는, 수지층(13) 즉 유지면(11)과 피가공물(200) 및 패키지 디바이스 칩(206)과의 간극의 진공 누설로부터 발생하는 정전기를 억제하는 정전 억제부(50)를 더 구비한다. 실시형태 1에 있어서, 정전 억제부(50)는, 공급한 물(52)로 본체부(12)와 수지층(13)을 전기적으로 연결하는 물 공급부(51)이다. 또한, 실시형태 1에 따른 절삭 장치(1)의 정전 억제부(50)인 물 공급부(51)가 공급하는 물(52)은, 순수(純水)보다 비저항값이 낮은 물인 것이 바람직하다.
실시형태 1에 있어서, 물 공급부(51)는, 척 테이블(10)과 1 대 1로 대응하여 설치되고, 대응하는 척 테이블(10)의 유지면(11)에 물(52)을 공급하는 것이다. 실시형태 1에 있어서, 물 공급부(51)는, 도시하지 않은 물 공급부로부터 물(52)이 공급된다. 물 공급부(51)는, Y축 방향을 따라 연장된 배관이고, 장치 본체(2)에 고정되어 있다. 물 공급부(51)는, 공급된 물(52)을 토출하는 토출구가 유지면(11)에 대향하고, 또한 길이 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다. 물 공급부(51)는, 하방에 X축 이동 유닛(41)에 의해 이동되는 척 테이블(10)을 통과시키는 것이 가능하다. 물 공급부(51)는, 토출구로부터 물(52)을 토출하고, X축 이동 유닛(41)에 의해 X축 방향으로 이동되는 척 테이블(10)을 하방으로 통과시킴으로써, 유지면(11)에 물(52)을 공급하고, 공급한 물(52)에 의해 본체부(12)와 수지층(13)을 전기적으로 접속하여, 진공 누설로부터 발생한 정전기를 본체부(12)에 방전한다.
또한, 절삭 장치(1)는, 절삭 가공 전의 피가공물(200)을 척 테이블(10)의 유지면(11) 상에 반입하고, 절삭 가공 후의 유지면(11) 상의 패키지 디바이스 칩(206)을 유지면(11) 상으로부터 반출하는 반송 유닛(60)(도 7에 도시함)을 구비한다.
제어 유닛(100)은, 절삭 장치(1)의 전술한 각 유닛을 각각 제어하여, 피가공물(200)에 대한 가공 동작을 절삭 장치(1)에 실시시키는 것이다. 또한, 제어 유닛(100)은, CPU(central processing unit)와 같은 마이크로 프로세서를 갖는 연산 처리 장치와, ROM(read only memory) 또는 RAM(random access memory)과 같은 메모리를 갖는 기억 장치와, 입출력 인터페이스 장치를 갖는 컴퓨터이다. 제어 유닛(100)의 연산 처리 장치는, 기억 장치에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램에 따라 연산 처리 장치가 연산 처리를 실시하여, 절삭 장치(1)를 제어하기 위한 제어 신호를 입출력 인터페이스 장치를 통해 절삭 장치(1)의 전술한 구성 요소에 출력한다.
또한, 제어 유닛(100)은, 가공 동작의 상태나 화상 등을 표시하는 액정 표시 장치 등에 의해 구성되는 표시 유닛과, 오퍼레이터가 가공 조건 등을 등록할 때에 이용하는 입력 유닛에 접속되어 있다. 입력 유닛은, 표시 유닛에 설치된 터치 패널과, 키보드 등의 외부 입력 장치 중 적어도 하나에 의해 구성된다.
다음으로, 전술한 구성의 절삭 장치(1)의 가공 동작을 설명한다. 도 6은 도 1에 도시된 절삭 장치의 제1 척 테이블에 흡인 유지한 피가공물을 절삭 가공하는 상태를 모식적으로 도시한 정면도이다. 도 7은 도 6에 도시된 절삭 장치의 제2 척 테이블에 피가공물을 반입하는 상태를 모식적으로 도시한 정면도이다. 도 8은 도 1에 도시된 절삭 장치의 제1 척 테이블에 흡인 유지한 피가공물을 절삭 가공하는 상태를 모식적으로 도시한 측면도이다. 도 9는 도 8에 도시된 절삭 장치의 피가공물을 흡인 유지한 제2 척 테이블을 모식적으로 도시한 측면도이다.
전술한 구성의 절삭 장치(1)는, 오퍼레이터가 입력 유닛을 조작하는 등 하여, 제어 유닛(100)에 가공 조건이 설정된다. 절삭 장치(1)는, 오퍼레이터 등으로부터의 가공 동작의 개시 지시를 제어 유닛(100)이 접수하면, 가공 동작을 개시한다.
가공 동작을 개시하면, 절삭 장치(1)는, 제어 유닛(100)이 반송 유닛(60)을 제어하여 피가공물(200)의 몰드 수지(205)를, 반입 반출 영역의 제1 척 테이블(10-1)의 유지면(11)에 배치한다. 가공 동작에서는, 절삭 장치(1)는, 개폐 밸브(18)를 개방하여, 피가공물(200)의 몰드 수지(205)를 제1 척 테이블(10-1)의 유지면(11)에 흡인 유지하고, 스핀들(23)을 축심 주위로 회전시키며, 절삭수를 절삭 블레이드(21)에 공급한다. 절삭 장치(1)는, 제어 유닛(100)이 이동 유닛(40)을 제어하여 반입 반출 영역으로부터 가공 영역을 향해 제1 척 테이블(10-1)을 촬상 유닛(30)의 하방까지 이동시키고, 촬상 유닛(30)에 의해 제1 척 테이블(10-1)에 흡인 유지한 피가공물(200)을 촬상하여, 얼라인먼트를 수행한다.
가공 동작에서는, 절삭 장치(1)는, 제어 유닛(100)이 가공 조건에 기초하여 이동 유닛(40) 등을 제어하여, 도 6에 도시된 바와 같이, 2개의 절삭 유닛(20) 양방의 절삭 블레이드(21)와 제1 척 테이블(10-1)에 흡인 유지한 피가공물(200)을 분할 예정 라인(203)을 따라 상대적으로 이동시키면서 피가공물(200)의 분할 예정 라인(203)에 절삭 블레이드(21)를 여유홈(15)에 침입할 때까지 절입시켜, 제1 척 테이블(10-1)에 흡인 유지한 피가공물(200)을 절삭 가공한다.
또한, 가공 동작에서는, 절삭 장치(1)의 제어 유닛(100)은, 제1 척 테이블(10-1)에 흡인 유지한 피가공물(200)의 절삭 가공 중에, 제2 척 테이블(10-2)에 접속한 개폐 밸브(18)를 폐쇄하고, 도 6에 도시된 바와 같이, 이동 유닛(40)을 제어하여 제2 척 테이블(10-2)을 정전 억제부(50)인 물 공급부(51)의 하방을 이동시키면서, 물 공급부(51)로부터 제2 척 테이블(10-2)의 유지면(11)에 물(52)을 공급한다. 공급된 물(52)은, 도 7에 도시된 바와 같이, 표면 장력 등에 의해 제2 척 테이블(10-2)의 유지면(11)을 덮고, 수지층(13)과 본체부(12)를 전기적으로 접속한다.
가공 동작에서는, 절삭 장치(1)의 제어 유닛(100)은, 제1 척 테이블(10-1)에 흡인 유지한 피가공물(200)의 절삭 가공 중에, 도 7에 도시된 바와 같이, 이동 유닛(40)을 제어하여 제2 척 테이블(10-2)을 반입 반출 영역에 위치시킨 후, 반송 유닛(60)을 제어하여 피가공물(200)의 몰드 수지(205)를, 반입 반출 영역의 제2 척 테이블(10-2)의 유지면(11)에 배치한다. 가공 동작에서는, 절삭 장치(1)는, 개폐 밸브(18)를 개방하여, 피가공물(200)의 몰드 수지(205)를 제2 척 테이블(10-2)의 유지면(11)에 흡인 유지한다. 이때, 물(52)에 의해, 수지층(13)과 본체부(12)가 전기적으로 접속되어, 제2 척 테이블(10-2)의 유지면(11)에 진공 누설에 의해 발생하는 정전기는, 본체부(12)에 방전되어, 억제된다.
가공 동작에서는, 절삭 장치(1)의 제어 유닛(100)은, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 척 테이블(10-1)에 흡인 유지한 피가공물(200)의 절삭 가공 중에, 도 9에 도시된 바와 같이, 피가공물(200)을 흡인 유지한 제2 척 테이블(10-2)을 반입 반출 영역에 위치시켜, 대기한다. 이렇게 해서, 반송 유닛(60)은, 제1 척 테이블(10-1)로 흡인 유지한 피가공물(200)의 절삭 가공 중에, 제2 척 테이블(10-2)에 피가공물(200)을 반입하고, 제2 척 테이블(10-2)에 유지된 피가공물(200)은, 반입 반출 영역에 있어서 절삭 가공 전에 흡인 유지된 상태로 대기한다.
절삭 장치(1)는, 가공 조건에 따라, 제1 척 테이블(10-1)에 흡인 유지한 피가공물(200)의 분할 예정 라인(203)을 절삭하여, 피가공물(200)을 개개의 패키지 디바이스 칩(206)으로 분할한다. 절삭 장치(1)는, 제1 척 테이블(10-1)에 흡인 유지한 피가공물(200)의 모든 분할 예정 라인(203)을 절삭 가공하여 패키지 디바이스 칩(206)으로 분할하면, 제1 척 테이블(10-1)을 가공 영역으로부터 반입 반출 영역을 향해 이동시킨다. 또한, 절삭 장치(1)는, 제2 척 테이블(10-2)을 반입 반출 영역으로부터 가공 영역을 향해 제2 척 테이블(10-2)을 촬상 유닛(30)의 하방까지 이동시키고, 촬상 유닛(30)에 의해 제2 척 테이블(10-2)에 흡인 유지한 피가공물(200)을 촬상하여, 얼라인먼트를 수행하며, 2개의 절삭 유닛(20) 양방의 절삭 블레이드(21)를 피가공물(200)의 분할 예정 라인(203)에 절삭 블레이드(21)를 여유홈(15)에 침입할 때까지 절입시켜, 제2 척 테이블(10-2)에 흡인 유지한 피가공물(200)을 절삭 가공한다.
가공 동작에서는, 절삭 장치(1)는, 제2 척 테이블(10-2)에 흡인 유지한 피가공물(200)의 절삭 가공 중에, 반송 유닛(60)을 제어하여 반입 반출 영역에 위치된 제1 척 테이블(10-1)의 유지면(11)으로부터 절삭 가공 후의 피가공물(200) 즉 패키지 디바이스 칩(206)을 반출한다. 가공 동작에서는, 절삭 장치(1)는, 제2 척 테이블(10-2)에 흡인 유지한 피가공물(200)의 절삭 가공 중에, 이동 유닛(40)을 제어하여 제1 척 테이블(10-1)을 정전 억제부(50)인 물 공급부(51)의 하방을 이동시키면서, 물 공급부(51)로부터 제1 척 테이블(10-1)의 유지면(11)에 물(52)을 공급하고, 이동 유닛(40)을 제어하여 제1 척 테이블(10-1)을 반입 반출 영역에 위치시킨 후, 반송 유닛(60)을 제어하여 절삭 가공 전의 피가공물(200)을 제1 척 테이블(10-1)에 반입하며, 제2 척 테이블(10-2)에 흡인 유지한 피가공물(200)의 절삭 가공 중에, 절삭 가공 전의 피가공물(200)을 흡인 유지한 제1 척 테이블(10-1)을 반입 반출 영역에 위치시켜, 대기한다.
이렇게 해서, 반송 유닛(60)은, 제2 척 테이블(10-2)로 흡인 유지한 피가공물(200)의 절삭 가공 중에, 제1 척 테이블(10-1)에 흡인 유지된 절삭 가공 후의 피가공물(200) 즉 패키지 디바이스 칩(206)을 반출하고, 절삭 가공 전의 피가공물(200)을 반입함으로써, 제1 척 테이블(10-1)에 유지된 피가공물(200)은, 반입 반출 영역에 있어서 절삭 가공 전에 흡인 유지된 상태로 대기한다. 이와 같이, 반송 유닛(60)은, 척 테이블(10-1, 10-2) 중 한쪽으로 흡인 유지한 피가공물(200)을 절삭 가공 중에, 다른쪽에 흡인 유지된 절삭 가공 후의 피가공물(200)을 반출하고 절삭 가공 전의 피가공물(200)을 반입하며, 피가공물(200)은, 절삭 가공 전에 다른쪽에 흡인 유지된 상태로 대기한다. 이와 같이, 절삭 장치(1)는, 제1 척 테이블(10-1)에 흡인 유지된 피가공물(200)과, 제2 척 테이블(10-2)에 흡인 유지된 피가공물(200)을 교대로 절삭 가공하여, 피가공물(200)을 개개의 패키지 디바이스 칩(206)으로 분할한다.
이상 설명한 실시형태 1에 따른 절삭 장치(1)는, 진공 누설로 발생하는 정전기를 억제하는 정전 억제부(50)를 구비한다. 정전 억제부(50)는, 수지층(13)과 금속제의 본체부(12)를 전기적으로 연결하는 물(52)을 공급하는 물 공급부(51)이다. 그 결과, 절삭 장치(1)는, 정전 억제부(50)인 물 공급부(51)에 의해, 척 테이블(10)의 유지면(11)에 진공 누설에 의해 발생하는 약간의 정전기도 억제할 수 있고, 피가공물(200)의 정전 파괴를 삭감할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
〔실시형태 2〕
본 발명의 실시형태 2에 따른 절삭 장치를 도면에 기초하여 설명한다. 도 10은 실시형태 2에 따른 절삭 장치의 척 테이블의 주요부의 단면도이다. 또한, 도 10에 있어서, 실시형태 1과 동일 부분에는, 동일 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
실시형태 2에 따른 절삭 장치(1)는, 정전 억제부(50)의 구성이 상이한 것 이외에는, 실시형태 1과 동일하다. 실시형태 2에 따른 절삭 장치(1)는, 척 테이블(10)의 도 10에 도시된 수지층(13-2)은, 고무 등의 탄성을 갖는 수지에 카본 입자 등의 도전성의 물질이 혼입되어, 도전성을 갖고 있다. 또한, 실시형태 2에 따른 절삭 장치(1)는, 척 테이블(10)의 도 10에 도시된 접착제(14-2)는, 수지에 카본 입자 등의 도전성의 물질이 혼입되어, 도전성을 갖고 있다. 이 때문에, 수지층(13-2)은, 접착제(14-2)를 통해 본체부(12)에 전기적으로 접속된다.
이렇게 해서, 실시형태 2에 있어서, 정전 억제부(50)는, 도전성을 갖는 수지층(13-2)이고, 척 테이블(10)은, 도전성을 갖는 수지층(13-2)이 금속제의 본체부(12)에 도전성을 구비하는 접착제(14-2)로 고정되어 있다.
실시형태 2에 따른 절삭 장치(1)는, 진공 누설로 발생하는 정전기를 억제하는 정전 억제부(50)를 구비한다. 정전 억제부(50)는, 척 테이블(10)의 도전성을 갖는 수지층(13-2)이다. 그 결과, 절삭 장치(1)는, 정전 억제부(50)인 수지층(13-2)에 의해, 척 테이블(10)의 유지면(11)에 진공 누설에 의해 발생하는 약간의 정전기도 억제할 수 있고, 피가공물(200)의 정전 파괴를 삭감할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있다.
1: 절삭 장치 10: 척 테이블
10-1: 제1 척 테이블 10-2: 제2 척 테이블
11: 유지면 12: 본체부
13: 수지층 13-2: 수지층(정전 억제부)
14-2: 접착제 15: 여유홈
16: 흡인 구멍 20: 절삭 유닛
21: 절삭 블레이드 23: 스핀들
40: 이동 유닛 50: 정전 억제부
51: 물 공급부 52: 물
60: 반송 유닛 200: 피가공물

Claims (5)

  1. 스핀들에 절삭 블레이드를 장착하여 피가공물을 절삭하는 절삭 유닛과,
    상기 절삭 블레이드의 여유홈으로 유지면이 복수의 영역으로 구획되고, 상기 유지면의 상기 영역에 피가공물을 흡인 유지하는 흡인 구멍이 개구되는 척 테이블과,
    상기 절삭 유닛과 상기 척 테이블을 상대적으로 이동시키는 이동 유닛을 구비하는 절삭 장치로서,
    상기 척 테이블의 상기 유지면과 상기 피가공물과의 간극의 진공 누설(vacuum leak)로부터 발생하는 정전기를 억제하는 정전 억제부를 더 구비하는 것인 절삭 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 척 테이블은, 금속제의 본체부에 상기 유지면이 되는 수지층이 부설되어 구성되고,
    상기 정전 억제부는, 공급한 물로 상기 본체부와 상기 수지층을 전기적으로 연결하는 물 공급부인 것인 절삭 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 척 테이블은, 금속제의 본체부에 상기 유지면이 되는 수지층이 부설되어 구성되고,
    상기 정전 억제부는, 도전성을 갖는 상기 수지층인 것인 절삭 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 수지층은, 금속제의 상기 본체부에 도전성을 구비하는 접착제로 고정되어 있는 것인 절삭 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 척 테이블은, 제1 척 테이블과 제2 척 테이블을 구비하고,
    반송 유닛은, 한쪽의 상기 척 테이블로 흡인 유지한 피가공물을 가공 중에, 다른쪽의 상기 척 테이블에 가공 후의 피가공물을 반출하고 가공 전의 피가공물을 반입하며, 상기 피가공물은 가공 전에 흡인 유지된 상태로 대기하는 것인 절삭 장치.
KR1020220026067A 2021-03-04 2022-02-28 절삭 장치 KR20220125172A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021034219A JP2022134805A (ja) 2021-03-04 2021-03-04 切削装置
JPJP-P-2021-034219 2021-03-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220125172A true KR20220125172A (ko) 2022-09-14

Family

ID=83067272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220026067A KR20220125172A (ko) 2021-03-04 2022-02-28 절삭 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2022134805A (ko)
KR (1) KR20220125172A (ko)
CN (1) CN115008321A (ko)
TW (1) TW202236399A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6173173B2 (ja) 2013-11-11 2017-08-02 株式会社ディスコ 切削装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6173173B2 (ja) 2013-11-11 2017-08-02 株式会社ディスコ 切削装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202236399A (zh) 2022-09-16
CN115008321A (zh) 2022-09-06
JP2022134805A (ja) 2022-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102346492B1 (ko) 워터 제트 가공 장치
JP2011108979A (ja) 被加工物の切削方法
JP2011020231A (ja) 切削装置
CN113492466A (zh) 切削装置
CN110497270B (zh) 切削装置
JP6973931B2 (ja) 切削装置
KR20220125172A (ko) 절삭 장치
JP2009076773A (ja) チャックテーブル機構
CN110707017A (zh) 被加工物的干燥方法和切削装置
JP2021183356A (ja) 切削ブレード
US20240009789A1 (en) Cleaning tool and workpiece processing method
JP7403919B2 (ja) 研削方法
JP7483369B2 (ja) 切削装置
CN110047777B (zh) 切削装置的搬送机构
JP3222301U (ja) 加工装置
JP7394664B2 (ja) 被加工物の加工方法及びチップ搬送用治具
JP5635807B2 (ja) 切削加工装置
US20230321680A1 (en) Processing apparatus
JP7096733B2 (ja) 切削装置
KR102530125B1 (ko) 연마 패드
JP2023077113A (ja) 切削ブレードのドレッシング方法
KR20210079185A (ko) 유지 테이블
JP2024067497A (ja) 切削装置
CN117260505A (zh) 切削装置和修整方法
CN117774153A (zh) 切削装置和切削方法