KR20220053700A - 증착 장치 및 유기 전자 장치의 생산 방법 - Google Patents

증착 장치 및 유기 전자 장치의 생산 방법 Download PDF

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신이치로 코바야시
히로시 후지모토
히로시 미야자키
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고에키자이단호진 후쿠오카켄 산교·가가쿠기쥬츠신코자이단
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Abstract

본 발명은 유도 가열 방식으로 유기 물질을 제막하는데 있어서 노이즈를 억제하여 실용적인 증착 장치 등을 제공하는 것을 목적으로 한다. 유기 물질을 기판에 제막하는 증착 장치로서, 적어도 일부가 도체로 구성되어 있는 상기 유기 물질을 수납하는 용기, 상기 용기 주위에 배치되어 있는 코일, 상기 코일에 접속되어 있는 전력 반도체 및 상기 전력 반도체에 접속되어 있는 직류 전원을 구비하고, 상기 전력 반도체는 직류를 교류로 변환하는 인버터부의 일부를 구성하는 트랜지스터로서 기능하는 증착 장치이다. 전력 반도체와 직류 전원을 이용하여 대형의 교류 전원이 필요하지 않다. 따라서 증착 장치를 컴팩트하게 구성하는 것이 용이하게 된다.

Description

증착 장치 및 유기 전자 장치의 생산 방법{METHOD FOR GENERATING DEPOSITION DEVICE AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 증착 장치 및 유기 전자 장치의 생산 방법에 관한 것으로서, 특히 유기 물질을 기판에 제막하는 증착 장치 등에 관한 것이다.
본원 발명자들은 유기 물질을 기판에 제막하는 증착 장치에 있어서, 유도 가열을 할 것을 제안하고 있다(특허 문헌 1). 유도 가열 방식은 저항 가열 방식에 비하여 열 응답성이 뛰어나다. 따라서, 승온 및 냉각을 신속하게 하고, 정밀한 온도 제어를 할 수 있다.
일반적으로 유기 물질의 증착 장치에 저항 가열 방식이 적용되고 있다. 도 16은 저항 가열 방식 증착 장치의 모식도이다. 도 16에서 저항 가열 방식의 증착 장치(101)는 적어도 진공 챔버(111), 전원(115) 및 케이블(116)을 구비한다. 도 16에서는 진공 챔버(111) 아래에 있는 공간(120)에 각종 케이블 및 부재가 밀집되어 있어서 대형 부재를 더 수납할 공간이 없다는 것을 발견하였다.
국제공개출원 제2002/014575호
그러나, 유도 가열에 사용되는 전원은 일반적인 것으로, 세로 20cm ~ 40cm, 가로 45cm, 깊이 60cm 정도의 크기이다. 또한 중량도 크다. 따라서, 유도 가열에 사용되는 대형 전원을 진공 챔버 바로 아래 등에 수납하는 것이 곤란하다. 그래서 유도 가열에 사용되는 대형 전원과 증착 챔버는 이격 배치한다. 결과적으로, 유기 물질을 넣는 용기인, 복수의 도가니에 연결된 복수의 전원 케이블 사이에 발생하는 기생 용량이 커진다. 그 때문에, 공진 주파수가 어긋나 용기(3)에 유도되는 전력이 저하한다. 또한 케이블이 길어짐으로써 외부로부터 노이즈가 발생하기 쉬워져서 가열 제어성이 저하될 가능성이 있다. 또한, 노이즈로 인해 센서계에 악영향을 미칠 가능성이 있다.
따라서, 정밀한 가열 제어가 곤란해 진다. 유기 물질 증착 제막에는 수 나노 미터 수준의 막 두께 제어와, 1% 이하의 중량비 제어를 요구하는 여러 물질의 혼합 처리가 필요하기 때문에 유도 가열 방식으로 유기 물질을 제막하는 실용적인 증착 장치를 제공하는 것이 곤란했다.
따라서, 본 발명은 유기 물질을 제막하는 데 있어서 열 응답성이 뛰어난 유도 가열 방식을 적용하면서 노이즈를 억제하고 실용적인 증착 장치 등을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 관점은, 유기 물질을 기판에 제막하는 증착 장치로서, 적어도 일부가 도체로 구성되어 있는 상기 유기 물질을 수납하는 용기와, 상기 용기 주위에 배치되어 있본 발명의 제1 관점은, 유기 물질을 기판에 제막하는 증착 장치로서, 적어도 일부가 도체로 구성되어 있는 상기 유기 물질을 수납하는 용기와, 상기 용기 주위에 배치되어 있는 코일과, 상기 코일에 접속되어 있는 전력 반도체와, 상기 전력 반도체에 접속되어 있는 직류 전원을 구비하고, 상기 전력 반도체는 직류를 교류로 변환하는 인버터부의 일부를 구성하는 트랜지스터로서 기능하는 증착 장치이다.
본 발명의 제2 관점은, 제1 관점의 증착 장치로서, 상기 인버터부가 출력하는 교류의 주파수를 제어하는 주파수 제어부를 더 구비한다.
본 발명의 제3 관점은, 제2 관점의 증착 장치로서, 상기 주파수 제어부는 소형 발진기 소자이며, 상기 코일과 상기 소형 발진기 소자 사이의 거리가 상기 소형 발진기 소자와 상기 직류 전원 사이의 거리보다 짧다.
본 발명의 제4 관점은, 제3 관점의 증착 장치로서, 상기 소형 발진기 소자는 VCO 또는 DDS이다.
본 발명의 제5 관점은, 제1 내지 제4 관점 중 어느 하나의 증착 장치로서, 상기 전력 반도체를 복수로 구비하고, 복수의 상기 전력 반도체는 상기 코일의 양단 극의 하이 사이드 측에 하나씩, 또 로우 사이드 측에 하나씩 접속되어 있다. 더 구체적으로는, 상기 전력 반도체는 트랜지스터이고, 상기 인버터부는 상기 코일의 한쪽 극의 하이 사이드 측에 제1 트랜지스터를 가지며, 상기 코일의 상기 한쪽 극의 로우 사이드 측에 제2 트랜지스터를 가지며, 상기 코일의 다른쪽 극의 하이 사이드 측에 제3 트랜지스터를 가지며, 상기 코일의 상기 다른쪽 극의 로우 사이드 측에 제4 트랜지스터를 갖는다.
본 발명의 제6 관점은, 제5 관점의 증착 장치로서, 상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터 중 적어도 하나는 IGBT, Si 파워-MOSFET, GaN 파워-FET 또는 SiC 파워-MOSFET이다.
본 발명의 제7 관점은, 제1 내지 제6 관점 중 어느 하나의 증착 장치로서, 상기 코일과 직렬로 접속된 콘덴서를 더 구비하고, 상기 전력 반도체는 직류를 교류로 변환하는 인버터부의 일부를 구성하는 트랜지스터로서 기능하는 것이며, 상기 콘덴서는 MF(메탈 필름) 콘덴서 또는 대용량 파워 필름 콘덴서이다.
본 발명의 제8 관점은, 제1 내지 제7 관점 중 어느 하나의 증착 장치로서, 상기 코일과 직렬로 접속된 콘덴서를 복수로 구비하며, 복수의 상기 콘덴서는 서로 병렬로 배열되어 있다.
본 발명의 제9 관점은, 제1 내지 제8 관점 중 어느 하나의 증착 장치로서, 상기 전력 반도체를 복수로 구비하며, 복수의 상기 전력 반도체는 병렬로 접속되어 있다.
본 발명의 제10 관점은, 제1 내지 제9 관점 중 어느 하나의 증착 장치로서, 상기 인버터부를 복수로 구비하며, 복수의 상기 인버터부는 병렬로 배치되어 있다.
본 발명의 제11 관점은, 제1 내지 제10 관점 중 어느 하나의 증착 장치로서, 상기 코일과 상기 전력 반도체 사이의 거리가 상기 전력 반도체와 상기 직류 전원 사이의 거리보다 짧다.
본 발명의 제12 관점은, 제1 내지 제11 관점 중 어느 하나의 증착 장치로서, 상기 용기를 내포하도록 배치되는 진공 챔버를 더 구비하고, 상기 코일은 상기 진공 챔버의 외부에 배치된다.
본 발명의 제13의 관점은, 유기 물질을 기판에 제막하는 증착 장치를 이용한 유기 전자 장치의 생산 방법으로서, 상기 증착 장치는 적어도 일부가 도체로 구성되어 있는 상기 유기 물질을 수납하는 용기와, 상기 용기 주위에 배치되어 있는 코일과, 상기 코일에 접속되어 있는 전력 반도체와, 상기 전력 반도체에 접속되어 있는 직류 전원을 구비하고, 상기 전력 반도체는 직류를 교류로 변환하는 인버터부의 일부를 구성하는 트랜지스터로서 기능하는 것이며, 상기 인버터부가 상기 직류 전원에서의 직류를 교류로 변환하는 변환 단계와, 상기 코일에 전류가 흐르는 것에 의해 상기 용기가 가열되는 가열 단계를 포함하는 유기 전자 장치의 생산 방법이다.
본 발명의 제14 관점은, 제13 관점의 유기 전자 장치의 생산 방법으로서, 상기 증착 장치는 상기 코일에 접속되어 있는 인버터부와, 상기 인버터부에 접속되어 있는 직류 전원과, 상기 인버터부가 출력하는 교류의 주파수를 제어하는 주파수 제어부를 더 구비하고, 상기 인버터부가 상기 직류 전원에서의 직류를 교류로 변환하는 변환 단계와, 상기 주파수 제어부가 상기 교류 주파수를 제어하는 주파수 제어 단계와, 상기 코일에 상기 교류가 흐르는 것으로 상기 용기가 가열되는 가열 단계를 포함하는 유기 전자 장치의 생산 방법이다.
본 발명의 제15 관점은, 제14 관점의 유기 전자 장치의 생산 방법으로서, 상기 가열 단계 후에, 상기 주파수 제어부가 상기 주파수를 제어하는 제2 주파수 제어 단계를 더 포함하는 유기 전자 장치의 생산 방법이다.
본 발명의 제16 관점은, 제13 내지 제15 관점 중 어느 하나의 유기 전자 장치의 생산 방법으로서, 상기 증착 장치는 상기 코일에 접속되어 있는 인버터부와, 상기 인버터부에 접속되어 있는 직류 전원을 구비하고, 상기 인버터부는 상기 코일의 한쪽 극의 하이 사이드 측에 제1 트랜지스터를 가지며, 상기 코일의 상기 한쪽 극의 로우 사이드 측에 제2 트랜지스터를 가지며, 상기 코일의 다른쪽 극의 하이 사이드 측에 제3 트랜지스터를 가지며, 상기 코일의 상기 다른쪽 극의 로우 사이드 측에 제4 트랜지스터를 갖는 것이며, 상기 인버터부가 상기 직류 전원에서의 직류를 교류로 변환하는 변환 단계와, 상기 코일의 상기 한쪽 극에서 상기 다른쪽 극으로 전류가 흐르는 것에 의해 상기 용기가 가열되는 제1 가열 단계와, 상기 코일의 상기 다른쪽 극에서 상기 한쪽 극으로 전류가 흐르는 것에 의해 상기 용기가 가열되는 제2 가열 단계를 포함하는 유기 전자 장치의 생산 방법이다.
본 발명의 각 관점에 의하면, 전력 반도체와 직류 전원을 이용하는 것으로 대형 전원과 증착 챔버의 거리가 떨어져 있어도 기생 용량의 영향을 저감하는 것이 가능하게 된다. 또한, 교류 전류가 흐르는 전기 회로를 짧게 하여, 수정 진동자 등의 센서계에 악영향을 미치는 노이즈가 발생하는 위험을 저감하는 것이 가능하게 된다. 또한, 직류 전원보다 훨씬 작은 전력 반도체를 이용하여 증착 챔버 주위의 좁은 공간에 쉽게 설치할 수 있게 된다.
종래에 수 천 도로 가열하는 무기 물질의 증착 장치에 전력 반도체가 이용된 적은 있으나, 유기 물질 증착에 전력 반도체가 이용되는 것은 적어도 일반적이지는 않다.
본 발명은, 유도 가열에 의한 증착 장치를 제안한 본 발명자들이 유도 가열 방식에 본래 사용할 수 없는 직류 전원을 이용함으로써 노이즈를 저감하여 실용적인 증착 장치를 공급할 수 있다는 신규의 기술적 사상에 기반하여 전력 반도체의 유용성에 생각이 미친 것이다.
본 발명의 제2 관점에 의하면, 코일에 흐르는 교류의 주파수를 제어함으로써 과열 제어를 할 수 있게 된다. 이에 따라 도가니의 가열 온도의 정밀 제어와 급속 제어 등 비선형 제어를 할 수 있게 된다.
본 발명의 제3 관점에 의하면, 케이블의 양을 저감할 수 있다. 그 때문에 기생 용량, 노이즈의 발생 및 회로에 미치는 악영향을 억제하는 것이 용이하게 된다.
본 발명의 제4 관점에 의하면, 전압으로 스위칭 주파수를 조정할 수 있기 때문에 함수 발생기를 이용하는 경우에 비해서 케이블 인입이나 장치를 줄일 수 있게 된다.
본 발명의 제5 관점에 의하면, 코일에 대하여 다른 방향으로 전압을 인가하여 코일에 항상 전류를 흐르게 하는 것이 가능하게 된다. 이로써 전류를 낭비없이 사용할 수 있게 되어 빨리 가열하는 것이 가능해 진다. 그 결과, 각 전력 반도체에 있어서 발열을 억제하고, 소자에 대한 부담을 경감하는 것이 용이하게 된다.
본 발명의 제6 또는 제7 관점에 의하면, 스위칭 손실을 저감하고, 발열 및 소자 부담을 억제하여 사고를 방지하는 것이 용이하게 된다. 특히 MF 콘덴서는 코일의 단면적과 권취 수 등의 구조를 변경해도 공진 주파수가 300kHz 등의 높은 주파수가 되도록 유연하게 콘덴서 값을 변경할 수 있으므로 발열 및 소자 부담을 억제하는 것이 용이하다.
본 발명의 제8 관점에 의하면, 콘덴서의 발열이 억제되어 소자에 대한 부담 경감이 용이해 진다. 또한, 일반적으로 콘덴서도 모듈화되어 있어서 특별한 의도가 없으면 콘덴서를 굳이 병렬로 배열하는 것 등은 생각하기 어렵다. 유도 가열 증착 분야에서 소위 당업자라면 비상식적인 구성이라 할 수 있지만, 본원 발명자들은 발열 억제에 저항 성분을 작게 하는 것이 필요하고, 유기 물질을 증착하기 위해서라면 상기 배열에서도 증착 가능하다는 착상에 따라 본 관점에 생각이 이르렀다.
본 발명의 제9 관점에 의하면, 각 전력 반도체에 흐르는 전류가 분산된다. 그 때문에 전력 반도체의 발열이 억제되어 소자에 대한 부담 경감이 용이해 진다.
또한, 본 발명의 제11 관점에 의하면, 용기를 따뜻하게 하기 위해 코일 근처에 전력 반도체 및 그것을 제어하는 회로를 설치하여 직류를 교류로 변환함으로써 복수의 용기에 대응하는 복수의 전원 케이블 사이에 발생하는 기생 용량이 공진 주파수에 미치는 영향을 저감하는 것이 용이하게 된다. 또한, 교류 전류가 흐르는 전기 회로가 확실하게 짧아지기 때문에, 수정 진동자 등의 센서계에 악영향을 미치는 노이즈의 저감도 더 용이해 진다.
본 발명의 제12 관점에 따르면, 코일에 유기 물질 등이 부착되는 것이 없어지기 때문에 청소가 용이해져 증착 장치의 유지 보수성을 향상시킬 수 있게 된다.
본 발명의 제14 또는 제15의 관점에 의하면, 공진 주파수 부근에서 온도를 안정적으로 제어할 수 있을 뿐만 아니라, 온도를 급속제어 하는 것도 가능하게 된다. 이에 의해 예를 들면, 피드백에 있어서 설정값(온도 및 제막 속도)보다 실측값이 크게 바뀌었을 때에 급속히 설정값으로 되돌릴 수 있게 된다. 또한 유기 물질에 따라서는 용해 등에 의해 제막 속도가 갑자기 변화하는 경우가 있다. 그런 경우에도 급속 제어로 대응하는 것이 가능해 진다.
도 1은 실시예 1의 증착 장치(1) 일부의 단면도이다.
도 2는 증착 장치(1)에 있어서 직류 전원 및 MOSFET을 이용한 유도 가열 방식의 전자 회로를 예시하는 도이다.
도 3은 실리콘 파워-MOSFET의 일례의 사진이다.
도 4는 증착 장치(1)의 축소 모델에 있어서 직류 전원의 인가 전압과 전류의 상관 관계를 나타내는 도이다.
도 5는 증착 장치(1)의 축소 모델에 있어서 온도의 시간 경과에 따른 변화를 나타내는 그래프이다.
도 6은 실시예 2의 증착 장치(61) 일부의 단면도이다.
도 7은 도가니 온도의 시간 경과에 따른 변화 및 증착 장치의 사진을 나타낸 도이다.
도 8은 유기 물질을 넣은 도가니의 온도 및 증착 속도의 변화를 나타내는 도이다.
도 9는 본 발명의 증착 장치에서 제작한 유기 EL 소자의 장치 특성을 나타내는 도이다.
도 10은 직류 전원의 전압을 변화시켰을 때, 도 10a는 도가니 온도의 시간 의존성, 도 10b는 막후계의 신호(주파수) 응답 상태를 나타내는 도이다.
도 11은 인버터의 스위칭 주파수를 변화시켰을 때, 도 11a는 도가니 온도의 시간 의존성, 도 11b는 막후계의 신호(주파수) 응답 상태를 나타내는 도이다.
도 12는 코일에 흐르는 교류의 주파수와 투입 에너지량과의 관계를 나타내는 도이다.
도 13은 주파수 영역과 투입 에너지량과의 관계를 나타내는 도이다.
도 14는 전력 반도체를 병렬로 배치한 일례를 나타내는 회로도이다.
도 15는 전력 반도체를 대칭으로 배열한 일례를 나타내는 회로도이다.
도 16은 종래의 증착 장치(101)에 있어서 전원과 증착 챔버 배치의 일례를 나타내는 도이다.
실시예 1
도 1에서는 실시예 1의 증착 장치(1) (본원 청구항의 '증착 장치'의 일례) 일부의 단면도을 보여준다. 증착 장치(1)는 용기(3) (본원 청구항의 '용기'의 일례), 용기 보유지지부(5), 코일(7) (본원 청구항의 '코일'의 일례), 전력 반도체(9) (본원 청구항의 '전력 반도체'의 일례), 진공 챔버(11) (본원 청구항의 '진공 챔버'의 일례), 직류 전원(15) (본원 청구항의 '직류 전원'의 일례) 및 케이블(16)을 구비한다. 용기(3)는 유기 물질(17)을 수용한다. 용기 보유지지부(5)는 용기(3)를 보유 및 지지한다. 코일(7)은 용기(3)의 주위에 권취하여 설치되어 있다. 전력 반도체(9)는 직류 전원(15)과 케이블(16)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한 전력 반도체(9)는 코일(7)과도 접속되어 있다. 또한 용기(3), 용기 보유지지부(5) 및 코일(7)은 진공 챔버(11)의 내부에 있다. 또한 전력 반도체(9), 직류 전원(15) 및 케이블(16)은 진공 챔버(11)의 외부에 있다.
용기(3)는 적어도 일부가 도체로 구성되어 있다. 구체적으로는 금속제 용기가 절연성 물질로 피막되어 있다. 그 때문에 용기(3) 주위에 배치된 코일(7)에 교류 전류가 흐르면 용기(3)의 도체 부분이 유도 가열에 의해 가열된다. 또한 용기(3)와 코일(7)이 전기적으로 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 코일을 외부 냉각이나 파이프로 수냉이 가능하다면 코일과 용기(3) 사이의 거리가 매우 가깝기 때문에 냉각 효율도 향상될 것으로 기대된다. 그 결과, 유도 가열 방식을 이용하면, 저항 가열 방식에 비해서 열 응답성이 좋고, 쉽게 온도를 조정할 수 있다.
진공 챔버(11)의 저면(19)은 용기(3)의 출납을 위해 탈착할 수 있도록 되어있다. 진공 챔버(11)의 저면(19)과 측면(21) 사이는 O링(23)에 의해 밀폐되어 있다. 따라서 도시되지 않은 진공 펌프에 의해서 진공 챔버(11)의 내부를 높은 진공도로 감압하는 것이 가능하다. 증착 장치(1)는 감압 하에서 용기(3)를 가열함으로써 유기 물질(17)을 기화시켜 도시되지 않은 진공 챔버의 내부에 설치된 기판에 제막한다.
도 2는 증착 장치(1)에 있어서, 직류 전원 및 MOSFET을 이용한 유도 가열 방식의 전자 회로를 예시하는 도이다.
도 2를 참조하여 직류 전원(15)에는 실리콘 파워-MOSFET(31) 및 실리콘 파워-MOSFET(33)가 순서대로 직렬로 접속되어 있다. 실리콘 파워-MOSFET(33)은 실리콘 파워-MOSFET(31)에서 보면 반대측이 접지되어 있다. 또한 실리콘 파워-MOSFET(31)이나 실리콘 파워-MOSFET(33)도 직류 전원(15)에서 보면 역방향인 것처럼 설치되어 있어서, 채널이 없는 상태에서 직류 전원(15)으로부터의 전류는 흐르지 않는다.
용기(3)의 주위를 권취하도록 설치된 코일(7)은, 그 일단(32)이 실리콘 파워-MOSFET(31)과 실리콘 파워-MOSFET(33) 사이의 접점(34)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한 코일(7)의 다른 일단(35)은 캐퍼시터(36) 및 저항(37)이 순서대로 직렬로 접속되어 있다. 저항(37)은 캐퍼시터(36)에서 보면 반대측이 접지되어 있다. 코일(7), 캐퍼시터(36), 저항(37)은 RLC 회로부(39)를 이룬다. 또한 저항(37)에는 MOSFET의 내부 저항, 배선 및 코일(7)의 저항값이 포함된다.
FET 구동회로부(41)는 실리콘 파워-MOSFET(31) 및 실리콘 파워-MOSFET(33)의 게이트 전극과 각각 전기적으로 접속되어 있다. FET 구동회로부(41)는 진동자(43)로부터 신호를 받아 입력신호(45) 또는 입력신호(47)를 실리콘 파워-MOSFET(31) 또는 실리콘 파워-MOSFET(33)의 게이트 전극에 각각 입력한다.
FET 구동회로부(41)로부터 실리콘 파워-MOSFET(31)에 입력신호(45)가 입력되면 실리콘 파워-MOSFET(31)가 온(On)상태가 되고, 직류 전원(15), 실리콘 파워-MOSFET(31), 접점(34), 코일(7), 캐퍼시터(36), 저항(37)의 방향으로 전류가 흐른다. FET 구동회로부(41)로부터 실리콘 파워-MOSFET(33)에 입력신호(47)가 입력되면 실리콘 파워-MOSFET(33)가 온(On)상태가 되어, 저항(37), 캐퍼시터(36), 코일(7), 접점(34), 실리콘 파워-MOSFET(33) 방향으로 전류가 흐른다. 입력신호(45)와 입력신호(47)를 번갈아 입력함으로써 직류 전원(15)에서의 직류 전류를 교류로 변환하여 코일(7)에 공급할 수 있다. 즉, 실리콘 파워-MOSFET(33)가 직류 전류를 교류로 변환하는 인버터부(본원 청구항에서 '인버터부'의 일례)의 일부를 구성하는 트랜지스터로서 기능한다.
또한, 도 3에서 실리콘 파워-MOSFET의 일례의 사진을 보여준다. 도 3에 나타낸 바와 같이 실리콘 파워-MOSFET은 일반적으로 펜 정도의 크기로서 작다. 따라서 전원이 들어가지 않는 진공 챔버 아래 공간에도 설치할 수 있다. 또한, 발진기 및 직류 전원은 동축 케이블 또는 페어(pair) 선에서 상기 구동회로와 접속시킨다. 여기서 발진기는 소형화한 실리콘 파워-MOSFET과 구동회로 옆에 설치하는 것도 가능하다.
이와 같이, 본 실시예의 증착 장치(1)는 전력 반도체(9)와 직류 전원(15)을 이용하여 대형 전원과 증착 챔버의 거리가 떨어져 있어도 기생 용량의 영향을 저감하는 것이 가능하게 된다. 또한, 교류 전류가 흐르는 전기 회로를 짧게 하여 수정 진동자 등의 센서계에 악영향을 미치는 노이즈의 저감도 더 용이해 진다.
또한 전력 반도체(9)는 가능한 코일(7)에 가까운 위치에 설치되어 직류 전원(15)보다도 코일(7)에 가까운 위치에 설치되어 있다. 전력 반도체(9)는 용기(3)를 가열하기 위해서 코일 근처에 설치하여 직류를 교류로 변환하는 인버터부의 일부를 구성하는 트랜지스터로서 기능함으로써 복수의 케이블 사이에 발생하는 기생 용량이 공진 주파수에 미치는 영향을 저감하는 것이 용이하게 된다. 또한, 교류 전류가 흐르는 회로가 확실하게 짧아지기 때문에, 수정 진동자 등의 센서계에 악영향을 미치는 노이즈가 저감된다.
도 4는 본 실시예의 증착 장치(1)의 축소 모델에 있어서 직류 전원의 인가 전압과 전류의 상관 관계를 나타내는 도이다. 가로축은 직류 전원(15)의 설정전압값을 나타낸다. 세로축은 직류 전원으로부터 공급되는 전류값을 나타낸다. 이 축소 모델은, 코일의 재질은 구리, 권취수는 6, 길이는 약 50mm, 코일 반경은 약 10mm로 설정하여 제작된 것이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서 채용한 RLC 직렬 공진 회로에 있어서, 공진 주파수 61.7kHz(사각형 마커)에서 코일에 흐르는 전류가 인가 전압에 완전하게 비례하여 증가하고 있다. 또한 공진 주파수 61.7kHz를 벗어나면 임피던스가 커져 전류가 저하한다. 도 4에서는 공진 주파수보다도 큰 70kHz(원형 마커)와 공진 주파수보다도 작은 50kHz(삼각형 마커)에서 전류가 저하하는 것이 나타나 있다. 따라서 만약 기생 용량의 영향으로 공진 주파수가 빈번히 변동하면 인가 전압의 주파수가 공진 주파수로부터 쉽게 이탈되어 버린다. 이 경우, 코일에 흐르는 전류도 변동하여 유도 가열의 정밀한 가열 제어가 곤란해 진다.
증착 장치(1)에서는 기생 용량이 저감되어 있기 때문에, RLC 직렬 공진 회로의 공진 주파수의 변동이 일어나기 어렵고, 재현성도 좋다. 따라서 종래 보다도 유도 가열 방식에 의한 정밀한 가열 제어를 실시하는 것이 가능하게 된다.
비교적 저온에서 기화하는 유기 물질을 제막하는 증착 장치에 있어서는, 무기 재료의 증착에 비해 정밀한 가열 제어가 요구된다. 본 발명의 증착 장치에 의하면, 노이즈가 저감되기 때문에 종래 보다 정밀한 가열 제어가 가능한 증착 장치를 제공하는 것이 가능하게 된다.
도 5는 증착 장치(1)의 축소 모델에 있어서 온도의 시간 경과에 따른 변화를 나타내는 그래프이다. 가로축은 경과 시간(초), 세로축은 온도(℃)를 나타낸다. 또한 원형과 사각형으로 표시한 점은 각각 코일 및 용기 내의 온도를 나타낸다.
도 5를 참조하여 코일에 전류를 흘려(온(On)하여) 오프(Off)할 때까지 약 30초 동안 용기 내의 온도가 신속하게 약 25℃에서 약 100℃로 상승했다는 것을 알 았다. 또한 전류를 끊은 후는 용기 내의 온도가 100초 정도 동안 약 100℃에서 약 45℃로 신속하게 식는 것도 알았다.
실시예 2
도 6은 실시예 2의 증착 장치(61) 일부의 단면도를 나타낸다. 증착 장치 (61)는 용기(63), 코일(65), 전력 반도체(67), 진공 챔버(69), 직류 전원(71) 및 케이블(73)을 구비한다. 증착 장치(61)와 증착 장치(1)의 주요 차이점은 코일(65)이 진공 챔버(69)의 외부에 배치되는 점이다.
구체적으로는, 진공 챔버(69)는 챔버 저부(75), 챔버 상부(77)를 갖는다. 챔버 저부(75)는 O링(79)을 통해 챔버 상부(77)와 접속되어 있다. 유기 물질(81)을 수용하는 용기(63)가 챔버 저부(75)의 내부에 배치된다. 또한 코일(65)이 용기(63)를 챔버 저부(75) 밖에서 권취하도록 배치된다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 코일(65)과 용기(63)를 진공 챔버(69)로 분리하여 구성함으로써, 코일(65)에 유기 물질(81)이 부착되는 것이 없게 된다. 종래, 챔버 내에 부착된 증착 물질을 닦아 내기 위해서는 사람이 유기 용제를 사용하여 수작업으로 닦아 내었다. 특히 코일과 같은 복잡한 구조에 부착한 증착 물질을 닦아 내는 것에는 시간도 노력도 필요했다. 실시예 2의 구성에 의해서 청소가 용이해져 증착 장치 (61)의 유지 보수성을 향상시킬 수 있게 된다.
또한, 종래의 저항 가열 방식의 증착 장치에 있어서, 저항 가열원 대신에 용기(63), 코일(65), 전력 반도체(67)를 유닛으로 제공함으로써 직류 전원을 유용하면서, 제어성이 높은 유도 가열 방식의 증착 장치로서 이용하는 것도 가능해 진다.
또한, 전력 반도체는 실리콘 파워-MOSFET이 아니어도 좋고, 예를 들면, SiC-MOSFET, GaN 파워-FET나 IGBT를 이용해도 좋다.
도 7a는 진공 하에서 도가니 온도의 시간 경과에 따른 변화를, 도 7b는 사용한 증착 장치의 사진을 나타낸 도이다. 도 7a의 가로축은 경과 시간(초)이며, 세로축은 도가니의 온도(℃)이다. 도 7a에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 증착 장치에 있어서는, 도가니의 온도를 10분 가량 동안 450℃까지 상승시킬 수 있었다. 또한 공진점을 변화시켜도 가열 가능하다는 것을 확인할 수 있었다.
도 8a는 α-NPD를 도가니에 넣은 경우에 도가니 온도의 시간 경과에 따른 변화, 도 8b는 α-NPD의 증착 속도의 시간 경과에 따른 변화, 도 8c는 Alq3을 도가니에 넣은 경우에 도가니 온도의 시간 경과에 따른 변화, 그리고 도 8d는 Alq3의 증착 속도의 시간 경과에 따른 변화를 나타내는 도이다. 일반적으로 α-NPD는 홀 수송 물질, Alq3는 발광 물질로서 사용되는 유기 물질이다. α-NPD의 증착에는 공진 주파수를 241kHz로 하고, Alq3의 증착에는 공진 주파수를 316kHz로 하여 증착을 실시했다. 도 8에 나타낸 바와 같이, α-NPD 및 Alq3 어느 경우에서도 일정 시간 경과 후에는 도가니를 일정한 온도로 유지할 수 있어서, 일정한 증착 속도로 막형성이 가능한 것을 확인할 수 있었다.
도 9는 본 발명의 증착 장치를 이용하여 제작한 유기 EL 소자의 장치 특성을 나타내는 도이다. 소자 구조는 ITO(100nm) / α-NPD(60nm) / Alq3(70nm) / LiF(1nm) / Al(100nm)로 했다. 본 발명의 유도 가열 방식에 의한 유기 EL 소자의 장치 특성을 원형 마커로 표시하고, 비교예로서 종래의 저항 가열 방식에 의한 것을 마름모꼴의 마커로 나타내었다.
도 9a는 가로축이 전압(V), 세로축이 전류 밀도(mA/cm2)이다. 도 9b는 도 9a의 세로축을 대수로 나타낸 도이다. 도 9c는 가로축이 전류 밀도(mA/cm2), 세로축이 외부 양자 효율(%)이다. 도 9d는 가로축이 전류 밀도(mA/cm2), 세로축이 전류 효율(cd/A)이다. 도 9e는 가로축이 파장(nm), 세로축이 빛의 강도이며, 유기 EL 소자의 발광 스펙트럼을 나타낸 도이다. 도 9f는 가로축이 휘도(cd/m2), 세로축이 전류 효율(cd/A)이다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 증착 장치에 있어서도 종래의 저항 가열 방식과 동등한 장치 특성을 갖는 유기 EL 소자 제작이 가능함을 확인할 수 있었다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 증착 장치가 크리스탈 진동자(막후계)에 미치는 영향을 나타내는 도이다. 도 10은 직류 전원의 전압을 변화시켰을 때, 도 10a는 도가니 온도의 시간 의존성, 도 10b는 막후계의 신호(주파수) 응답의 상태를 나타내는 도이다. 도 11은 인버터의 스위칭 주파수를 변화시켰을 때, 도 11a는 도가니 온도의 시간 의존성, 도 11b는 막후계의 신호(주파수) 응답의 상태를 나타내는 도이다.
도 10a에 의하면, 전압 변화에 대해 온도 상승 속도가 잘 대응하고 있는 것을 알 수 있다. 온도 상승 속도는 전압값과 전류값에 거의 선형으로 의존한다. 또한, 도 10b에 의하면, 직류 전원의 전압을 변화시켜도 막후계의 주파수 변동이 최대 4Hz정도였다. 유기물을 증착한 경우, 통상 막후계의 주파수는 500-1,000Hz정도 변동한다. 따라서, 도 10b보다 직류 전원의 전압 변화는 막 두께 측정에 큰 오차를 만들지 않는 것을 알았다. 전압이 크면 진동자의 변화량이 크지만, 복사열의 영향으로 변동하는 것을 알았다.
도 11a에 의하면, 인버터의 스위칭 주파수를 변화시킴으로써 온도 상승 속도도 최대 도달 온도도 다르다는 것을 알 수 있다. 도 11b에 의하면, 스위칭 주파수를 변화시켜도 막후계의 주파수 변동이 최대 5Hz정도였다. 따라서 인버터의 스위칭 주파수의 변화도 막 두께 측정에 큰 오차를 만들지 않는 것을 알았다.
이상에서 본 발명의 증착 장치에 의하면, 막후계에 노이즈를 부여하기 어려워 막후계가 정상적으로 막 두께 측정이 가능한 것을 확인할 수 있었다. 또한, 상기 실험에서는 공냉용 물을 흐르게 하지 않고, 증착에 의한 복사열로 도에서 볼 수 있는 곡선을 얻었다. 수냉하면 막후계에 미치는 영향을 더 억제할 수 있기 때문에 보다 정확하게 측정가능하다.
실시예 3
계속해서, 도 12 및 도 13을 참조하여 본 실시예에서는 주파수 제어에 의한 가열 제어에 대해 설명한다. 도 12는 코일에 흐르는 교류의 주파수와 투입 에너지 량의 관계를 나타내는 도이다. 도 13은 주파수 영역과 가열 온도의 관계를 나타내는 도이다.
도 12에 모식적으로 나타낸 바와 같이, 함수 발생기 등의 주파수 제어부를 이용하여 주파수 제어를 함으로써 최대로 도달할 수 있는 온도가 변화한다. 이것은 주파수 제어에 의해 가열 제어가 가능하다는 것을 의미한다.
또한 종래의 전압과 전류 제어에는 선형 제어 밖에 할 수 없었지만, 주파수 제어에 의해 비선형 제어가 가능해 진다. 구체적으로는, 도 13에 모식적으로 나타낸 바와 같이, 공진 주파수 부근의 주파수 영역에서는 주파수 변화에 대한 최대 도달 온도가 조금밖에 변화하지 않는다. 따라서 온도를 정밀하게 제어하는 것이 용이하다. 한편, 공진 주파수로부터 떨어져 있는 주파수 영역에서는 주파수 변화에 대하여 최대 도달 온도가 크게 변화한다. 따라서 급속 제어가 가능하게 된다.
예를 들어, 제막 시에는 공진 주파수 부근에서 증착을 함으로써 다소의 주파수 변동에 대해서도 가열 온도를 거의 일정하게 유지할 수 있다. 따라서 공진 주파수 부근에서 온도를 정밀하게 제어할 수 있어서 안정적으로 제막하는 것이 용이하게 된다. 또한, 예를 들어 제어 시에 설정하려는 값(온도 및 제막 속도)보다도 값이 커져 버린 경우에 주파수를 크게 변화시키는 것으로 실행 취소가 용이해 진다. 유사한 조작은 직류 전원의 제어에서도 할 수 있지만, 외부 신호에 대응하여 출력하는 전원은 고가이며, 상기의 기능을 갖고 있지 않을 가능성도 있다. 또한, 증착원(蒸着源) 이외에 특수 장치를 필요로 하지 않는 설계라면, 종래의 장치에 탑재하는 것도 용이하게 된다. 따라서 소형의 주파수 제어부만으로 전력 제어를 할 수 있다는 점에 큰 의의가 있다.
또한, 이하에서는 증착 장치가 구비되는 주파수 제어부의 구성에 대해 상세하게 설명한다. 코일에 흐르는 교류의 주파수를 제어하는 것에는 상기와 같이 주파수 안정성이 좋은 함수 발생기를 이용해도 좋다. 그러나, 본 발명의 증착 장치를 이용한 유기 전자 장치의 생산 방법에는 오버 스펙인 면도 있다. 게다가, 함수 발생기는 비교적 대형의 장치이며, 본 발명의 과제인 배선이나 케이블에서 노이즈 발생이 문제가 될 수 있다.
따라서, 본 실시예에서는 소형화를 위해 소형 발진기 소자를 사용한다. 소형 발진기 소자로서 VCO (Voltage Control Oscillator)가 고려된다. 전압으로 스위칭 주파수를 조정할 수 있기 때문에 함수 발생기를 이용하는 경우에 비해서 케이블의 인입과 장치를 줄일 수 있게 된다.
또한 다른 소형 발진기 소자로서, DDS (Direct Digital Synthesizer)를 사용해도 좋다. 이 경우 디지털 제어를 통해 안정적으로 제어하는 것이 용이하게 된다.
VCO 및 DDS 등 소형 발진기 소자를 사용하여 교류 발생뿐만 아니라 주파수 제어를 위한 제어부도 챔버 하부에 수납할 수 있는 정도로 소형화가 가능해 진다. 특히 전력 반도체와 마찬가지로, 코일과 소형 발진기 소자 사이의 거리가 적어도 소형 발진기 소자와 직류 전원 사이의 거리보다 짧은 위치에 소형 발진기 소자를 설치하고, 바람직하게는 챔버 하부에 설치함으로써 케이블의 양을 저감할 수 있다. 따라서 기생 용량, 노이즈의 발생 및 회로에 대한 악영향을 억제하는 것이 용이하게 된다.
실시예 4
계속해서, 도 14 및 도 15를 참조하여 본 발명의 증착 장치에 사용되는 회로에 있어서 소자에 대한 부담을 경감하는 구성에 대해 설명한다. 도 14는 전력 반도체를 병렬로 배치한 일례를 나타내는 회로도이다. 도 15는 전력 반도체를 대칭으로 배열한 일례를 나타내는 회로도이다.
도 14에 나타낸 바와 같이 인버터로서 기능하는 전력 반도체를 병렬로 배열함으로써 각 전력 반도체에 흐르는 전류가 분산된다. 따라서 전력 반도체의 발열이 억제되어 소자에 대한 부담을 경감하는 것이 용이해 진다.
비슷한 효과를 얻는 것이 콘덴서를 병렬로 배열함으로써 가능하다. 또한 현실의 콘덴서에는 저항 성분이 존재하여 공진 주파수에서 교류를 흘리는 경우에도 콘덴서가 가열되는 원인이 된다. 콘덴서를 병렬로 배열함으로써 콘덴서의 저항 성분을 저감하여 콘덴서의 발열을 억제할 수 있게 된다.
또한 현실의 콘덴서에는 전류를 흐르게 하는 상한값이 설정되어 있다. 예를 들어, 0.01μF의 콘덴서의 상한값이 2A로, 용량이 10배 큰 0.1μF의 콘덴서의 상한값이 4A인 경우가 있다. 이 경우, 0.01μF의 콘덴서 10개를 병렬로 배열하여 같은 0.1μF에서도 전류를 20A로 하여 5배 흐르게 하는 회로를 설계할 수 있게 된다.
또한, 도 15c에 나타낸 바와 같이, 코일의 편측 극에서 하이 사이드 측에 1개 및 로우 사이드 측에 1개, 즉 총 2개의 전력 반도체(트랜지스터)를 배치하여 전압을 인가하는 경우, 하이 사이드 측의 전력 반도체가 오프 상태 동안에는 전류가 흐르지 않는 시간대가 되어 버린다. 그래서 도 15a 및 도 15b에 나타낸 바와 같이, 인버터부가 코일(81) 한쪽 극(83)의 하이 사이드 측에 제1 트랜지스터(85)를 가지며, 코일(81) 한쪽 극(83)의 로우 사이드 측에 제2 트랜지스터(87)를 가지며, 코일(81) 다른쪽 극(89)의 하이 사이드 측에 제3 트랜지스터(91)를 가지며, 코일(81)의 다른쪽 극(89)의 로우 사이드 측에 제4 트랜지스터(93)를 가져서 총 4개의 트랜지스터를 코일(81)에 대하여 대칭으로 배치하는 구성으로 한다. 도 15c에는 코일(95)의 한쪽 극(97)에서 다른쪽 극(99)에만 전압 Vcc가 인가되지 않기 때문에 전류가 흐르지 않는 시간대가 발생했다. 이에 대해서, 도 15a 및 도 15b의 경우 코일(81)에 대하여 하나의 극(83)에서 다른쪽 극(89)으로 향하는 방향에 Vcc가 인가되는 것뿐만 아니라(도 15a), 다른쪽 극(89)에서 한쪽 극(83)으로 향하는 방향에 Vcc가 인가된다(도 15b). 이와 같이 다른 방향으로 전압을 인가하여 코일(81)에 항상 전류를 흐르게 하는 것이 가능하게 된다. 이렇게 함으로써 전류를 낭비없이 사용할 수 있게 되어 빨리 가열하는 것이 가능해 진다. 그 결과, 각 전력 반도체에 있어서 발열을 억제하고, 소자에 대한 부담을 경감하는 것이 용이하게 된다.
또한 대전류를 흐르게 하려면, 전력 반도체나 콘덴서 등의 소자에 대한 부담이 커진다. 전력 반도체가 과열되어 고장나면 코일에 전류가 공급되지 않게 된다. 더 나쁜 경우에는 전력 반도체가 열폭주하여 FET 드라이버에 대전류가 흘러들어 갈 수도 있다. 이 경우, FET 드라이버 내의 콘덴서가 파열하여 감전될 위험이 있다. 증착 장치를 대형화하거나 일반적으로 증착 장치보다 지름이 큰 금속제의 원통형 용기를 사용하는 승화 생성 장치에 본 발명을 응용하는 경우에 특히 문제가 된다.
그래서 전력 반도체에 IGBT, GaN 파워-FET 및 SiC 파워-MOSFET 등의 On저항이 낮은 소자를 이용하는 것과, 콘덴서에 메탈 필름 콘덴서 또는 대용량 파워 필름 콘덴서를 이용하는 것을 생각할 수 있다. 이로써 스위칭 손실을 저감하고 발열 및 소자 부담을 억제하여 사고를 방지하는 것이 용이하게 된다.
또한, 증착 장치 및 승화 생성 장치에 사용되는 도가니 등의 용기(3)의 소재에 자성 물질을 사용하거나, 용기(3) 자체에 자성 물질을 혼입시키거나, 용기(3) 중에 자성 물질을 혼입시켜도 좋다. 용기(3)에 자성체를 이용한 경우, 유도 가열로 가열하면 자성 물질이 자화하여 자기장이 효과적으로 용기(3)에 들어가기 쉬워져서 표면에 흐르는 전류가 효과적으로 증가하여 가열 효율이 증가할 것으로 생각되기 때문이다.
1 : 증착 장치
3 : 용기
5 : 용기 보유지지부
7 : 코일
9 : 전력 반도체
11 : 진공 챔버
15 : 직류 전원
16 : 케이블
17 : 유기 물질
19 : 진공 챔버의 저면
21 : 진공 챔버의 측면
23 : O 링
31 : 실리콘 파워-MOSFET
33 : 실리콘 파워-MOSFET
34 : 접점
36 : 캐퍼시터
37 : 저항
39 : RLC 회로부
41 : FET 구동 회로
43 : 진동자
45 : 입력 신호
47 : 입력 신호
61 : 증착 장치
63 : 용기
65 : 코일
67 : 전력 반도체
69 : 진공 챔버
71 : 직류 전원
73 : 케이블
75 : 챔버 저부
77 : 챔버 상부
79 : O 링
81 : 유기 물질
101 : 증착 장치
111 : 진공 챔버
115 : 전원
116 : 케이블
120 : 공간

Claims (15)

  1. 유기 물질을 기판에 제막하는 증착 장치로서,
    적어도 일부가 도체로 구성되어 있는 상기 유기 물질을 수납하는 용기;
    상기 용기 주위에 배치되어 있는 코일;
    상기 코일에 접속되어 있는 전력 반도체; 및
    상기 전력 반도체에 접속되어 있는 직류 전원을 포함하고,
    상기 전력 반도체는 직류를 교류로 변환하는 인버터부의 일부를 구성하는 트랜지스터로서 기능하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 인버터부가 출력하는 교류의 주파수를 제어하는 주파수 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 주파수 제어부는 소형 발진기 소자이며, 상기 코일과 상기 소형 발진기 소자 사이의 거리가 상기 소형 발진기 소자와 상기 직류 전원 사이의 거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 소형 발진기 소자는 VCO 또는 DDS인 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인버터부는,
    상기 코일의 한쪽 극의 하이 사이드 측에 제1 트랜지스터를 가지며,
    상기 코일의 상기 한쪽 극의 로우 사이드 측에 제2 트랜지스터를 가지며,
    상기 코일의 다른쪽 극의 하이 사이드 측에 제3 트랜지스터를 가지며,
    상기 코일의 상기 다른쪽 극의 로우 사이드 측에 제4 트랜지스터를 갖는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터 중 적어도 하나는 IGBT, Si 파워-MOSFET, GaN 파워-FET 또는 SiC 파워-MOSFET인 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 코일과 직렬로 접속된 콘덴서를 더 구비하고,
    상기 전력 반도체는 직류를 교류로 변환하는 인버터부의 일부를 구성하는 트랜지스터로서 기능하는 것이며,
    상기 콘덴서는 메탈 필름 콘덴서 또는 대용량 파워 필름 콘덴서인 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 코일과 직렬로 접속된 콘덴서를 복수로 구비하며, 복수의 상기 콘덴서는 서로 병렬로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전력 반도체를 복수로 구비하며, 복수의 상기 전력 반도체는 병렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인버터부를 복수로 구비하며, 복수의 상기 인버터부는 병렬로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 코일과 상기 전력 반도체 사이의 거리가 상기 전력 반도체와 상기 직류 전원 사이의 거리보다 짧은 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 용기를 내포하도록 배치되는 진공 챔버를 더 구비하고,
    상기 코일은 상기 진공 챔버의 외부에 배치된 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  13. 유기 물질을 기판에 제막하는 증착 장치를 이용한 유기 전자 장치의 생산 방법으로서,
    상기 증착 장치는,
    적어도 일부가 도체로 구성되어 있는 상기 유기 물질을 수납하는 용기;
    상기 용기 주위에 배치되어 있는 코일;
    상기 코일에 접속되어 있는 전력 반도체; 및
    상기 전력 반도체에 접속되어 있는 직류 전원을 포함하고,
    상기 전력 반도체는 직류를 교류로 변환하는 인버터부의 일부를 구성하는 트랜지스터로서 기능하며,
    상기 인버터부가 상기 직류 전원에서의 직류를 교류로 변환하는 변환 단계; 및
    상기 코일에 전류가 흐르는 것에 의해 상기 용기가 가열되는 가열 단계를 포함하는 유기 전자 장치의 생산 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 증착 장치는,
    상기 코일에 접속되어 있는 인버터;
    상기 인버터에 접속되어 있는 직류 전원;
    상기 인버터가 출력하는 교류의 주파수를 제어하는 주파수 제어부를 더 포함하고,
    상기 유기 전자 장치의 생산 방법은,
    상기 인버터가 상기 직류 전원에서의 직류를 교류로 변환하는 변환 단계;
    상기 주파수 제어부가 상기 교류의 주파수를 제어하는 주파수 제어 단계; 및
    상기 코일에 상기 교류가 흐르는 것으로 상기 용기가 가열되는 가열 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치의 생산 방법.
  15. 제 13 항 또는 제 14항에 있어서,
    상기 증착 장치는,
    상기 코일에 접속되어 있는 인버터부; 및
    상기 인버터부에 접속되어 있는 직류 전원을 포함하고,
    상기 인버터부는,
    상기 코일의 한쪽 극의 하이 사이드 측에 제1 트랜지스터를 가지며,
    상기 코일의 상기 한쪽 극의 로우 사이드 측에 제2 트랜지스터를 가지며,
    상기 코일의 다른쪽 극의 하이 사이드 측에 제3 트랜지스터를 가지며,
    상기 코일의 상기 다른쪽 극의 로우 사이드 측에 제4 트랜지스터를 갖고,
    상기 유기 전자 장치의 생산 방법은,
    상기 인버터부가 상기 직류 전원에서의 직류를 교류로 변환하는 변환 단계;
    상기 코일의 상기 한쪽 극에서 상기 다른쪽 극에 전류가 흐르는 것을 상기 용기가 가열되는 제1 가열 단계; 및
    상기 코일의 상기 다른쪽 극에서 상기 한쪽 극으로 전류가 흐르는 것에 의해 상기 용기가 가열되는 제2 가열 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 장치의 생산 방법.
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