KR20220040389A - 반송 장치 및 로봇 암의 티칭 방법 - Google Patents
반송 장치 및 로봇 암의 티칭 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220040389A KR20220040389A KR1020210121429A KR20210121429A KR20220040389A KR 20220040389 A KR20220040389 A KR 20220040389A KR 1020210121429 A KR1020210121429 A KR 1020210121429A KR 20210121429 A KR20210121429 A KR 20210121429A KR 20220040389 A KR20220040389 A KR 20220040389A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- arm
- light
- state
- unit
- blocked
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 65
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 16
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 claims description 5
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 29
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 17
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 14
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 description 2
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J9/00—Programme-controlled manipulators
- B25J9/16—Programme controls
- B25J9/1628—Programme controls characterised by the control loop
- B25J9/163—Programme controls characterised by the control loop learning, adaptive, model based, rule based expert control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
- B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J13/00—Controls for manipulators
- B25J13/08—Controls for manipulators by means of sensing devices, e.g. viewing or touching devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J13/00—Controls for manipulators
- B25J13/08—Controls for manipulators by means of sensing devices, e.g. viewing or touching devices
- B25J13/088—Controls for manipulators by means of sensing devices, e.g. viewing or touching devices with position, velocity or acceleration sensors
- B25J13/089—Determining the position of the robot with reference to its environment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J19/00—Accessories fitted to manipulators, e.g. for monitoring, for viewing; Safety devices combined with or specially adapted for use in connection with manipulators
- B25J19/02—Sensing devices
- B25J19/021—Optical sensing devices
- B25J19/022—Optical sensing devices using lasers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J9/00—Programme-controlled manipulators
- B25J9/02—Programme-controlled manipulators characterised by movement of the arms, e.g. cartesian coordinate type
- B25J9/04—Programme-controlled manipulators characterised by movement of the arms, e.g. cartesian coordinate type by rotating at least one arm, excluding the head movement itself, e.g. cylindrical coordinate type or polar coordinate type
- B25J9/041—Cylindrical coordinate type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J9/00—Programme-controlled manipulators
- B25J9/16—Programme controls
- B25J9/1656—Programme controls characterised by programming, planning systems for manipulators
- B25J9/1664—Programme controls characterised by programming, planning systems for manipulators characterised by motion, path, trajectory planning
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/42—Recording and playback systems, i.e. in which the programme is recorded from a cycle of operations, e.g. the cycle of operations being manually controlled, after which this record is played back on the same machine
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/45—Nc applications
- G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Robotics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Manipulator (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(과제) 로봇 암의 티칭을 높은 정밀도로 행한다.
(해결 수단) 반송 장치는, 암과 암을 선회시키는 구동부를 갖는 로봇 암과, 제 1 조사부와, 제 1 수광부와, 제어 장치를 구비한다. 제어 장치는, 공정 a)~공정 c)를 실행한다. 공정 a)에서는, 제 1 조사부로부터 조사된 광의 제 1 광로가 암에 의해 차단되어 있지 않은 상태로부터 제 1 광로가 차단되어 있는 상태로 변화하였을 때의 암의 제 1 선회각이 검출된다. 공정 b)에서는, 암에 의해 제 1 광로가 차단되어 있는 상태로부터 차단되어 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 암의 제 2 선회 각도가 검출된다. 공정 c)에서는, 제 1 광로를 통과한 부분의 로봇 암의 폭, 제 1 광로가 가려졌을 때의 제 1 광로와 암의 제 1 교점의 위치, 제 1 선회 각도, 및 제 2 선회 각도에 근거하여, 암의 제 1 선회축의 위치가 특정된다.
(해결 수단) 반송 장치는, 암과 암을 선회시키는 구동부를 갖는 로봇 암과, 제 1 조사부와, 제 1 수광부와, 제어 장치를 구비한다. 제어 장치는, 공정 a)~공정 c)를 실행한다. 공정 a)에서는, 제 1 조사부로부터 조사된 광의 제 1 광로가 암에 의해 차단되어 있지 않은 상태로부터 제 1 광로가 차단되어 있는 상태로 변화하였을 때의 암의 제 1 선회각이 검출된다. 공정 b)에서는, 암에 의해 제 1 광로가 차단되어 있는 상태로부터 차단되어 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 암의 제 2 선회 각도가 검출된다. 공정 c)에서는, 제 1 광로를 통과한 부분의 로봇 암의 폭, 제 1 광로가 가려졌을 때의 제 1 광로와 암의 제 1 교점의 위치, 제 1 선회 각도, 및 제 2 선회 각도에 근거하여, 암의 제 1 선회축의 위치가 특정된다.
Description
본 개시의 여러 가지의 측면 및 실시형태는, 반송 장치 및 로봇 암의 티칭 방법에 관한 것이다.
최근의 산업 분야에서는, 다양한 로봇이 활용되고 있다. 예컨대, 반도체 제조의 분야에서는, 기판을 반송하는 반송 장치에 로봇 암이 이용되고 있다. 반도체 장치의 제조에서는, 미세한 가공을 높은 정밀도로 행하는 것이 요구되고 있다. 그 때문에, 반도체 장치가 형성되는 기판을, 기판을 처리하는 처리 장치 내의 미리 정해진 위치에, 높은 정밀도로 반송하기 위해 필요한 정보를 반송 장치에 교시하는 티칭이 행하여지고 있다.
로봇 암의 티칭을 높은 정밀도로 행할 수 있는 반송 장치 및 로봇 암의 티칭 방법을 제공한다.
본 개시의 한 측면은, 기판을 반송하는 반송 장치로서, 로봇 암과, 제 1 조사부와, 제 1 수광부와, 제어 장치를 구비한다. 로봇 암은, 기판을 반송하는 암과, 암을 선회시키는 구동부를 갖는다. 제 1 조사부는, 제 1 광로를 따라 광을 조사한다. 제 1 수광부는, 제 1 조사부로부터 조사된 광을 수광한다. 제어 장치는, 암이 제 1 광로를 가로질러 선회하도록 구동부를 제어한다. 또한, 제어 장치는, 공정 a), 공정 b), 및 공정 c)를 실행한다. 공정 a)에서는, 제 1 조사부로부터 조사된 광이 제 1 수광부에 의해 수광되었는지 여부에 근거하여, 암에 의해 제 1 광로가 차단되어 있지 않은 상태로부터 제 1 광로가 차단되어 있는 상태로 변화하였을 때의 암의 제 1 선회 각도가 검출된다. 공정 b)에서는, 제 1 조사부로부터 조사된 광이 제 1 수광부에 의해 수광되었는지 여부에 근거하여, 암에 의해 제 1 광로가 차단되어 있는 상태로부터 차단되어 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 암의 제 2 선회 각도가 검출된다. 공정 c)에서는, 제 1 광로를 통과한 암의 부분의 폭, 제 1 광로가 가려졌을 때의 제 1 광로와 암의 제 1 교점의 위치, 제 1 선회 각도, 및 제 2 선회 각도에 근거하여, 암의 제 1 선회축의 위치가 특정된다.
본 개시의 여러 가지의 측면 및 실시형태에 따르면, 로봇 암의 티칭을 높은 정밀도로 행할 수 있다.
도 1은 제 1 실시형태에 있어서의 처리 시스템의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
도 2는 제 1 실시형태에 있어서의 진공 반송 모듈 및 대기 반송 모듈의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 진공 반송 모듈 및 대기 반송 모듈의 다른 예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는 진공 반송 모듈 및 대기 반송 모듈의 다른 예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 5는 로봇 암의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6은 제 1 실시형태에 있어서의 로봇 암의 티칭 방법의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 7은 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8은 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 9는 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 10은 제 1 실시형태에 있어서의 제 1 암의 선회축의 위치의 특정 방법의 일례를 설명하는 도면이다.
도 11은 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 12는 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 13은 제 2 실시형태에 있어서의 처리 시스템의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
도 14는 제 2 실시형태에 있어서의 진공 반송 모듈 및 대기 반송 모듈의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 15는 제 2 실시형태에 있어서의 로봇 암의 티칭 방법의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 16은 제 2 실시형태에 있어서의 로봇 암의 티칭 방법의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 17은 제 2 실시형태에 있어서의 로봇 암의 티칭 방법의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 18은 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 19는 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 20은 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 21은 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 22는 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 23은 제 2 실시형태에 있어서의 제 1 암의 선회축의 위치의 특정 방법의 일례를 설명하는 도면이다.
도 24는 제 2 실시형태에 있어서의 제 1 암의 선회축의 위치의 특정 방법의 일례를 설명하는 도면이다.
도 25는 제 2 실시형태에 있어서의 제 1 암의 선회축의 위치의 특정 방법의 일례를 설명하는 도면이다.
도 26은 제어 장치의 하드웨어의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2는 제 1 실시형태에 있어서의 진공 반송 모듈 및 대기 반송 모듈의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3은 진공 반송 모듈 및 대기 반송 모듈의 다른 예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는 진공 반송 모듈 및 대기 반송 모듈의 다른 예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 5는 로봇 암의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6은 제 1 실시형태에 있어서의 로봇 암의 티칭 방법의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 7은 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8은 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 9는 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 10은 제 1 실시형태에 있어서의 제 1 암의 선회축의 위치의 특정 방법의 일례를 설명하는 도면이다.
도 11은 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 12는 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 13은 제 2 실시형태에 있어서의 처리 시스템의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
도 14는 제 2 실시형태에 있어서의 진공 반송 모듈 및 대기 반송 모듈의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 15는 제 2 실시형태에 있어서의 로봇 암의 티칭 방법의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 16은 제 2 실시형태에 있어서의 로봇 암의 티칭 방법의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 17은 제 2 실시형태에 있어서의 로봇 암의 티칭 방법의 일례를 나타내는 플로차트이다.
도 18은 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 19는 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 20은 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 21은 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 22는 로봇 암의 티칭 수순의 일례를 나타내는 도면이다.
도 23은 제 2 실시형태에 있어서의 제 1 암의 선회축의 위치의 특정 방법의 일례를 설명하는 도면이다.
도 24는 제 2 실시형태에 있어서의 제 1 암의 선회축의 위치의 특정 방법의 일례를 설명하는 도면이다.
도 25는 제 2 실시형태에 있어서의 제 1 암의 선회축의 위치의 특정 방법의 일례를 설명하는 도면이다.
도 26은 제어 장치의 하드웨어의 일례를 나타내는 도면이다.
이하에, 개시되는 반송 장치 및 로봇 암의 티칭 방법의 실시형태에 대하여, 도면에 근거하여 상세하게 설명한다. 또, 이하의 실시형태에 의해, 개시되는 반송 장치 및 로봇 암의 티칭 방법이 한정되는 것이 아니다.
(제 1 실시형태)
[처리 시스템(1)의 구성]
도 1은 제 1 실시형태에 있어서의 처리 시스템(1)의 일례를 나타내는 개략 평면도이다. 도 1에서는, 편의적으로 일부의 장치의 내부의 구성 요소가 투과하도록 도시되어 있다. 처리 시스템(1)은, 본체(10)와, 본체(10)를 제어하는 제어 장치(100)를 구비한다. 처리 시스템(1)은, 반송 장치의 일례이다.
본체(10)는, 진공 반송 모듈(11), 복수의 처리 모듈(12), 복수의 로드 록 모듈(13), 및 대기 반송 모듈(14)을 구비한다. 진공 반송 모듈(11)의 측벽에는, 게이트 밸브 G1을 사이에 두고 복수의 처리 모듈(12)이 접속되어 있다. 도 1의 예에서는, 진공 반송 모듈(11)에 6개의 처리 모듈(12)이 접속되어 있지만, 진공 반송 모듈(11)에 접속되는 처리 모듈(12)의 수는, 5개 이하이더라도 좋고, 7개 이상이더라도 좋다.
각각의 처리 모듈(12)은, 처리 대상이 되는 기판에 대하여, 에칭이나 성막 등의 처리를 실시하는 것에 의해, 기판에 반도체 장치를 형성한다. 진공 반송 모듈(11)의 다른 측벽에는, 게이트 밸브 G2를 사이에 두고 복수의 로드 록 모듈(13)이 접속되어 있다. 도 1의 예에서는, 진공 반송 모듈(11)에 2개의 로드 록 모듈(13)이 접속되어 있지만, 진공 반송 모듈(11)에 접속되는 로드 록 모듈(13)의 수는, 1개이더라도 좋고, 3개 이상이더라도 좋다.
진공 반송 모듈(11) 내에는, 로봇 암(20)이 배치되어 있다. 로봇 암(20)은, 진공 반송 모듈(11) 내에 마련된 가이드 레일(110)을 따라 진공 반송 모듈(11) 내를 이동한다. 그리고, 로봇 암(20)은, 처리 모듈(12)과 다른 처리 모듈(12)의 사이, 및, 처리 모듈(12)과 로드 록 모듈(13)의 사이에서 기판을 반송한다. 또, 로봇 암(20)은, 진공 반송 모듈(11) 내의 미리 정해진 위치에 고정되고, 진공 반송 모듈(11) 내를 이동하지 않는 구성이더라도 좋다. 진공 반송 모듈(11) 내는, 대기압보다 낮은 압력 분위기로 유지되어 있다.
각각의 로드 록 모듈(13)의 1개의 측벽에는, 게이트 밸브 G2를 사이에 두고 진공 반송 모듈(11)이 접속되어 있고, 다른 1개의 측벽에는, 게이트 밸브 G3을 사이에 두고 대기 반송 모듈(14)이 접속되어 있다. 게이트 밸브 G3을 통해서 대기 반송 모듈(14)로부터 로드 록 모듈(13) 내에 기판이 반입된 경우, 게이트 밸브 G3이 닫히고, 로드 록 모듈(13) 내의 압력이 대기압으로부터 미리 정해진 압력까지 내려간다. 그리고, 게이트 밸브 G2가 열리고, 로드 록 모듈(13) 내의 기판이 로봇 암(20)에 의해 진공 반송 모듈(11) 내로 반출된다.
또한, 로드 록 모듈(13) 내가 대기압보다 낮은 압력으로 되어 있는 상태에서, 로봇 암(20)에 의해 게이트 밸브 G2를 통해서 진공 반송 모듈(11)로부터 로드 록 모듈(13) 내에 기판이 반입되고, 게이트 밸브 G2가 닫힌다. 그리고, 로드 록 모듈(13) 내의 압력이 대기압까지 올라간다. 그리고, 게이트 밸브 G3이 열리고, 로드 록 모듈(13) 내의 기판이 대기 반송 모듈(14) 내로 반출된다.
게이트 밸브 G3이 마련된 대기 반송 모듈(14)의 측벽과 반대 측의 대기 반송 모듈(14)의 측벽에는, 복수의 로드 포트(15)가 마련되어 있다. 각각의 로드 포트(15)에는, 복수의 기판을 수용 가능한 FOUP(Front Opening Unified Pod) 등의 용기가 접속된다. 또, 대기 반송 모듈(14)에는, 기판의 방향을 변경하는 얼라이너 모듈 등이 마련되더라도 좋다.
대기 반송 모듈(14) 내의 압력은, 대기압이다. 대기 반송 모듈(14) 내에는, 로봇 암(20)이 마련되어 있다. 로봇 암(20)은, 대기 반송 모듈(14) 내에 마련된 가이드 레일(140)을 따라 대기 반송 모듈(14) 내를 이동하고, 로드 록 모듈(13)과 로드 포트(15)에 접속된 용기의 사이에서 기판을 반송한다. 또, 로봇 암(20)은, 대기 반송 모듈(14) 내의 미리 정해진 위치에 고정되고, 대기 반송 모듈(14) 내를 이동하지 않는 구성이더라도 좋다.
대기 반송 모듈(14)의 상부에는, FFU(Fan Filter Unit) 등이 마련되어 있고, 파티클 등이 제거된 공기가 상부로부터 대기 반송 모듈(14) 내에 공급되고, 대기 반송 모듈(14) 내에 다운플로가 형성된다. 또, 본 실시형태에 있어서, 대기 반송 모듈(14) 내는 대기압 분위기이지만, 다른 형태로서, 대기 반송 모듈(14) 내의 압력은, 양압이 되도록 제어되더라도 좋다. 이것에 의해, 외부로부터 대기 반송 모듈(14) 내로의 파티클 등의 침입을 억제할 수 있다.
또한, 진공 반송 모듈(11) 내 및 대기 반송 모듈(14) 내에는, 로봇 암(20)의 위치를 검출하기 위한 센서(30)가 마련되어 있다. 도 2는 제 1 실시형태에 있어서의 진공 반송 모듈(11) 및 대기 반송 모듈(14)의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 센서(30)는, 예컨대 도 2에 나타내어지는 바와 같이, 조사부(31) 및 수광부(32)를 갖는다. 조사부(31)는, 광로 L을 따라 광을 조사한다. 수광부(32)는, 조사부(31)로부터 조사된 광을 수광한다. 본 실시형태에 있어서, 수광부(32)는, 광로 L 위에 마련되어 있다. 조사부(31)는 제 1 조사부의 일례이고, 수광부(32)는 제 1 수광부의 일례이고, 광로 L은 제 1 광로의 일례이다.
본 실시형태에 있어서, 조사부(31)는, 예컨대 레이저 조사 장치이고, 직경 수 밀리미터 이하의 스폿광을 광로 L을 따라 조사한다. 본 실시형태에 있어서, 조사부(31)는, 연직 방향을 따라 광을 조사한다. 조사부(31)로부터 연직 방향으로 조사된 광은, 로봇 암(20)이 광로 L을 가로지를 때에 로봇 암(20)에 의해 가려진다. 광로 L이 로봇 암(20)에 의해 가려졌을 때, 조사부(31)로부터 조사된 광은, 로봇 암(20) 위의 위치 P에 조사된다. 위치 P는, 광로 L이 로봇 암(20)에 의해 가려졌을 때의 광로 L과 로봇 암(20)의 제 1 교점의 위치의 일례이다.
본 실시형태에 있어서, 제어 장치(100)는, 조사부(31)로부터 조사된 광을 수광부(32)가 수광하였는지 여부를 판정하는 것에 의해, 조사부(31)로부터 조사된 광이 로봇 암(20)에 의해 가려졌는지 여부를 판정한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31)로부터 조사된 광이 로봇 암(20)에 의해 가려졌는지 여부를 판정하는 것에 의해, 로봇 암(20)이 센서(30) 부근을 통과하였는지 여부를 판정한다.
본 실시형태에 있어서, 광로 L은, 연직 방향을 따른 광로이기 때문에, 위치 P와, 조사부(31) 및 수광부(32)의 위치(즉 센서(30)의 위치)는, 수평면 내의 방향에 있어서 일치하고 있다. 또, 다른 형태로서, 조사부(31)는 진공 반송 모듈(11)의 하부에 마련되고, 수광부(32)는 진공 반송 모듈(11)의 상부에 마련되고, 조사부(31)는 연직 방향을 따라 위쪽으로 광을 조사하더라도 좋다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 광로 L은, 연직 방향을 따른 광로이지만, 다른 형태로서, 광로 L은, 예컨대 도 3에 나타내어지는 바와 같이, 연직 방향에 대하여 비스듬한 방향을 따른 광로이더라도 좋다. 도 3의 예에 있어서, 위치 P와, 조사부(31) 및 수광부(32)의 위치(즉 센서(30)의 위치)는, 수평면 내의 방향에 있어서 상이하다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 제어 장치(100)는, 조사부(31)로부터 조사된 광이 수광부(32)에 의해 수광되지 않는 경우에, 조사부(31)로부터 조사된 광이 로봇 암(20)에 의해 가려졌다고 판정하지만, 개시의 기술은 이것으로 한정되지 않는다. 예컨대 도 4에 나타내어지는 바와 같이, 조사부(31)로부터 광로 L을 따라 조사된 광이 로봇 암(20)에 의해 위치 P에서 반사되어 수광부(32)에 수광된 경우에, 조사부(31)로부터 조사된 광이 로봇 암(20)에 의해 가려졌다고 판정하더라도 좋다.
[로봇 암(20)의 구성]
도 5는 로봇 암(20)의 일례를 나타내는 도면이다. 로봇 암(20)은, 기대(21), 제 1 구동부(22a), 제 2 구동부(22b), 제 3 구동부(22c), 제 1 암(23a), 제 2 암(23b), 및 제 3 암(23c)을 갖는다. 제 1 구동부(22a) 및 제 1 암(23a)은, 기대(21) 위에 마련되어 있다. 제 2 구동부(22b) 및 제 2 암(23b)은, 제 1 암(23a) 위에 마련되어 있다. 제 3 구동부(22c) 및 제 3 암(23c)은, 제 2 암(23b) 위에 마련되어 있다. 제 1 구동부(22a)는, 구동부의 일례이고, 제 1 암(23a)은, 암의 일례이다.
제 1 암(23a)은, 제 1 암(23a)의 긴 방향에 있어서 외형의 폭이 대략 일정한 제 1 부분(24a)을 갖는다. 제 2 암(23b)은, 제 2 암(23b)의 긴 방향에 있어서 외형의 폭이 대략 일정한 제 2 부분(24b)을 갖는다. 제 3 암(23c)은, 제 3 암(23c)의 긴 방향에 있어서 외형의 폭이 대략 일정한 제 3 부분(24c)을 갖는다. 제 3 암(23c)의 선단에는, 기판이 탑재되는 엔드 이펙터(25)가 마련되어 있다.
제 1 구동부(22a)는, 기대(21)에 대하여, 제 1 구동부(22a)의 선회축을 중심으로 하여 제 1 암(23a)을 선회시킨다. 제 2 구동부(22b)는, 제 1 암(23a)에 대하여, 제 2 구동부(22b)의 선회축을 중심으로 하여 제 2 암(23b)을 선회시킨다. 제 3 구동부(22c)는, 제 2 암(23b)에 대하여, 제 3 구동부(22c)의 선회축을 중심으로 하여 제 3 암(23c)을 선회시킨다.
[로봇 암(20)의 티칭 방법]
도 6은 제 1 실시형태에 있어서의 로봇 암(20)의 티칭 방법의 일례를 나타내는 플로차트이다. 도 6에 예시되는 처리는, 제어 장치(100)가 로봇 암(20) 및 센서(30)를 제어하는 것에 의해 실현된다. 도 6에 예시되는 처리가 개시되기 전에, 로봇 암(20)은, 예컨대 도 7에 예시되는 바와 같은 위치 및 자세로 제어된다. 도 7에 나타내어지는 예에서는, 제어 장치(100)는, 수광부(32) 부근에 있어서 제 1 암(23a)이 미리 정해진 기준 방향 d를 향하도록 제 1 구동부(22a)를 제어한다.
우선, 제어 장치(100)는, 광을 조사하도록 조사부(31)를 제어하고, 조사부(31)로부터 조사된 광이 수광부(32)에 의해 수광되고 있는 상태인 것을 확인한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 예컨대 도 7에 나타내어지는 바와 같이, 제 1 암(23a)의 선회를 개시하도록 제 1 구동부(22a)를 제어한다(S100). 스텝 S100에 있어서, 제어 장치(100)는, 제 1 암(23a)의 제 1 부분(24a)이 수광부(32) 위를 통과하도록 제 1 구동부(22a)를 제어한다. 도 7의 예에서는, 제 1 암(23a)이 시계 방향으로 선회하지만, 제 1 암(23a)은, 반시계 방향으로 선회하더라도 좋다.
제 1 암(23a)이 수광부(32) 위를 통과하면, 예컨대 도 8에 나타내어지는 바와 같이, 조사부(31)로부터 조사된 광이 제 1 암(23a)에 의해 차단되고, 조사부(31)로부터의 광이 수광부(32)에 의해 수광되지 않게 된다. 제어 장치(100)는, 조사부(31)로부터 조사된 광이 제 1 암(23a)에 의해 차단되는 것에 의해, 조사부(31)로부터의 광이 수광부(32)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31)로부터의 광이 수광부(32)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 제 1 암(23a)의 선회 각도 θA를 검출한다(S101). 스텝 S101은, 공정 a)의 일례이고, 선회 각도 θA는, 제 1 선회 각도의 일례이다.
제 1 암(23a)이 더 선회하면, 예컨대 도 9에 나타내어지는 바와 같이, 제 1 암(23a)에 의한 광의 차단이 해제되고, 조사부(31)로부터 조사된 광이 수광부(32)에 의해 다시 수광되게 된다. 제어 장치(100)는, 제 1 암(23a)에 의한 차단이 해제되는 것에 의해, 조사부(31)로부터의 광이 수광부(32)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31)로부터의 광이 수광부(32)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화하였을 때의 제 1 암(23a)의 선회 각도 θB를 검출한다(S102). 스텝 S102는, 공정 b)의 일례이고, 선회 각도 θB는, 제 2 선회 각도의 일례이다.
다음으로, 제어 장치(100)는, 제 1 암(23a)의 선회축의 위치 O를 특정한다(S103). 스텝 S103은, 공정 c)의 일례이다. 스텝 S103에 있어서, 제어 장치(100)는, 제 1 암(23a)의 제 1 부분(24a)의 폭, 광로 L과 제 1 암(23a)의 교점의 위치 P, 선회 각도 θA, 및 선회 각도 θB에 근거하여, 제 1 암(23a)의 선회축의 위치 O를 특정한다. 제 1 암(23a)의 선회축의 위치 O는, 제 1 선회축의 위치의 일례이다.
도 10은 제 1 실시형태에 있어서의 제 1 암(23a)의 선회축의 위치의 특정 방법의 일례를 설명하는 도면이다. 도 10에 예시된 삼각형 AOB는 이등변삼각형이고, ∠AOB의 각도는 (θB-θA)이기 때문에, ∠AOP의 각도는 (θB-θA)/2가 된다. 또한, 제 1 암(23a)의 제 1 부분(24a)의 폭 W는 기지이기 때문에, 도 10에 예시된 직각삼각형 AOP에 있어서의 변 AP의 길이는, W/2이다.
이것에 의해, 도 10에 예시된 직각삼각형 AOP에 있어서의 변 PO의 길이 LPO는, 이하의 식 (1)과 같이 나타내어진다.
∠APO는, 90도-∠POA이기 때문에, 위치 P로부터, ∠APO의 방향으로 길이 LPO 떨어진 위치를, 제 1 암(23a)의 선회축의 위치 O로서 특정할 수 있다.
또, 제 1 암(23a)이 선회하는 것에 의해, 조사부(31)로부터 조사된 광의 광로 L은, 예컨대 도 10에 나타내어지는 바와 같이, 제 1 암(23a)의 긴 방향에 있어서 외형의 폭이 대략 일정한 제 1 부분(24a)에 의해 차단된다. 제 1 부분(24a)의 외형의 폭은, 기지이다. 광로 L이 제 1 암(23a)의 제 1 부분(24a)에 의해 차단되는 것에 의해, 수광부(32)에 대하여 제 1 암(23a)의 위치가 다소 어긋나 있더라도, 도 10의 삼각형 AOP에 있어서의 변 AP의 길이를 정밀하게 특정할 수 있다.
다음으로, 제어 장치(100)는, 스텝 S103에 있어서 특정된 선회축의 위치 O를 중심으로 하여, 예컨대 도 11에 나타내어지는 바와 같이, 제 1 암(23a)을 미리 정해진 각도 θ1까지 선회시킨다(S104). 각도 θ1은, 기준 방향 d로부터의 각도이고, 본 실시형태에 있어서, 각도 θ1은, 예컨대 110도이다. 도 11에 나타내어진 상태에서는, 조사부(31)로부터 조사된 광은, 수광부(32)에 의해 수광되고 있다.
다음으로, 제어 장치(100)는, 예컨대 도 11에 나타내어지는 상태에 있어서, 시계 방향으로 제 2 암(23b)의 선회를 개시하도록 제 2 구동부(22b)를 제어한다(S105). 또, 제 2 암(23b)은, 반시계 방향으로 선회되더라도 좋다.
그리고, 제 2 암(23b)이 수광부(32) 위를 통과하는 것에 의해, 조사부(31)로부터 조사된 광이 제 2 암(23b)에 의해 차단된다. 제어 장치(100)는, 조사부(31)로부터의 광이 수광부(32)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31)로부터의 광이 수광부(32)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 제 2 암(23b)의 선회 각도 θA를 검출한다(S106).
그리고, 제 2 암(23b)이 더 선회하고, 제 2 암(23b)에 의한 광의 차단이 해제되면, 제어 장치(100)는, 조사부(31)로부터의 광이 수광부(32)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31)로부터의 광이 수광부(32)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화하였을 때의 제 2 암(23b)의 선회 각도 θB를 검출한다(S107).
다음으로, 제어 장치(100)는, 도 10과 마찬가지의 수순으로, 제 2 암(23b)의 선회축의 위치 O를 특정한다(S108). 그리고, 제어 장치(100)는, 스텝 S108에 있어서 특정된 선회축의 위치 O를 중심으로 하여, 예컨대 도 12에 나타내어지는 바와 같이, 제 2 암(23b)을 미리 정해진 각도 θ2까지 선회시킨다(S109). 각도 θ2는, 제 1 암(23a)의 방향으로부터의 각도이고, 본 실시형태에 있어서, 각도 θ2는, 예컨대 10도이다. 도 12에 나타내어진 상태에서는, 조사부(31)로부터 조사된 광은, 수광부(32)에 의해 수광되고 있다.
다음으로, 제어 장치(100)는, 예컨대 도 12에 나타내어지는 상태에 있어서, 반시계 방향으로 제 3 암(23c)의 선회를 개시하도록 제 3 구동부(22c)를 제어한다(S110). 또, 제 3 암(23c)은, 시계 방향으로 선회되더라도 좋다.
그리고, 제 3 암(23c)이 수광부(32) 위를 통과하는 것에 의해, 조사부(31)로부터 조사된 광이 제 3 암(23c)에 의해 차단된다. 제어 장치(100)는, 조사부(31)로부터의 광이 수광부(32)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31)로부터의 광이 수광부(32)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 제 3 암(23c)의 선회 각도 θA를 검출한다(S111).
그리고, 제 3 암(23c)이 더 선회하고, 제 3 암(23c)에 의한 광의 차단이 해제되면, 제어 장치(100)는, 조사부(31)로부터의 광이 수광부(32)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31)로부터의 광이 수광부(32)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화하였을 때의 제 3 암(23c)의 선회 각도 θB를 검출한다(S112).
다음으로, 제어 장치(100)는, 도 10과 마찬가지의 수순으로, 제 3 암(23c)의 선회축의 위치 O를 특정한다(S113). 그리고, 제어 장치(100)는, 본 플로차트에 나타내어진 로봇 암(20)의 티칭 방법을 종료한다. 도 6에 예시된 로봇 암(20)의 티칭 방법에 의해 특정된 선회축의 위치에 근거하여 제 1 암(23a), 제 2 암(23b), 및 제 3 암(23c)의 선회축의 위치가 보정된다. 이것에 의해, 로봇 암(20)의 티칭을 정밀하게 행할 수 있다.
이상, 제 1 실시형태에 대하여 설명하였다. 본 실시형태에 있어서의 처리 시스템(1)은, 로봇 암(20)과, 조사부(31)와, 수광부(32)와, 제어 장치(100)를 구비한다. 로봇 암(20)은, 기판을 반송하는 제 1 암(23a)과, 제 1 암(23a)을 선회시키는 제 1 구동부(22a)를 갖는다. 조사부(31)는, 광로 L을 따라 광을 조사한다. 수광부(32)는, 조사부(31)로부터 조사된 광을 수광한다. 제어 장치(100)는, 제 1 암(23a)이 광로 L을 가로질러 선회하도록 제 1 구동부(22a)를 제어한다. 또한, 제어 장치(100)는, 공정 a), 공정 b), 및 공정 c)를 실행한다. 공정 a)에서는, 조사부(31)로부터 조사된 광이 수광부(32)에 의해 수광되었는지 여부에 근거하여, 제 1 암(23a)에 의해 광로 L이 차단되어 있지 않은 상태로부터 광로 L이 차단되어 있는 상태로 변화하였을 때의 제 1 암(23a)의 선회 각도 θA가 검출된다. 공정 b)에서는, 조사부(31)로부터 조사된 광이 수광부(32)에 의해 수광되었는지 여부에 근거하여, 제 1 암(23a)에 의해 광로 L이 차단되어 있는 상태로부터 차단되어 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 제 1 암(23a)의 선회 각도 θB가 검출된다. 공정 c)에서는, 광로 L을 통과한 제 1 암(23a)의 제 1 부분(24a)의 폭, 광로 L이 가려졌을 때의 광로 L과 제 1 암(23a)의 교점의 위치 P, 선회 각도 θA, 및 선회 각도 θB에 근거하여, 제 1 암(23a)의 선회축의 위치 O가 특정된다. 이것에 의해, 로봇 암(20)의 티칭을 높은 정밀도로 행할 수 있다.
또한, 상기한 제 1 실시형태에 있어서, 수광부(32)는, 광로 L 위에 마련되어 있다. 제어 장치(100)는, 조사부(31)로부터 조사된 광을 수광부(32)가 수광하고 있는 상태로부터 수광하고 있지 않은 상태로 변화한 경우에, 제 1 암(23a)에 의해 광로 L이 차단되어 있지 않은 상태로부터 차단된 상태로 변화하였다고 판정한다. 또한, 제어 장치(100)는, 조사부(31)로부터 조사된 광을 수광부(32)가 수광하고 있지 않은 상태로부터 수광하고 있는 상태로 변화한 경우에, 제 1 암(23a)에 의해 광로 L이 차단되어 있는 상태로부터 차단되어 있지 않은 상태로 변화하였다고 판정한다. 이것에 의해, 제 1 암(23a)에 의해 광로 L이 차단되어 있지 않은 상태로부터 차단된 상태로 변화한 것, 및, 제 1 암(23a)에 의해 광로 L이 차단되어 있는 상태로부터 차단되어 있지 않은 상태로 변화한 것을 용이하게 판정할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 있어서, 제어 장치(100)는, 외형의 폭이 일정한 제 1 암(23a)의 부분이 조사부(31)로부터 조사된 광의 광로 L을 가로질러 선회하도록 제 1 구동부(22a)를 제어한다. 이것에 의해, 제 1 암(23a)의 위치가 다소 어긋나 있더라도, 제 1 암(23a)의 선회축의 위치 O를 정밀하게 특정할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태에 있어서, 로봇 암(20)은, 제 1 암(23a)과, 제 1 암(23a) 위에 마련된 제 2 암(23b)과, 제 1 암(23a)을 선회시키는 제 1 구동부(22a)와, 제 1 암(23a) 위에 마련되고, 제 2 암(23b)을 선회시키는 제 2 구동부(22b)를 갖는다. 제어 장치(100)는, 제 1 구동부(22a)를 제어하는 것에 의해 제 1 암(23a)에 대하여 공정 a)~공정 c)를 실행한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 공정 c)에 의해 특정된 제 1 암(23a)의 선회축의 위치에 근거하여 제 1 암(23a)을 미리 정해진 자세로 제어한 후에, 제 2 구동부(22b)를 제어하는 것에 의해 제 2 암(23b)에 대하여 공정 a)~공정 c)를 실행한다. 이것에 의해, 다관절의 로봇 암(20)에 있어서도, 로봇 암(20)의 티칭을 높은 정밀도로 행할 수 있다.
(제 2 실시형태)
제 1 실시형태에서는, 1개의 로봇 암(20)에 대하여 1개의 센서(30)를 이용하여 로봇 암(20)의 선회축의 위치의 특정이 행하여졌다. 그러나, 로봇 암(20)에는, 선회 각도의 영점 어긋남이나, 로봇 암(20)의 설치 오차 등이 존재하는 경우가 있다. 그와 같은 경우에는, 1개의 센서(30)로는, 로봇 암(20)의 선회축의 위치를 정밀하게 특정하는 것이 어렵다. 그래서, 본 실시형태에서는, 1개의 로봇 암(20)에 대하여 2개의 센서(30)를 이용하여 로봇 암(20)의 선회축의 위치의 특정이 행하여진다. 이것에 의해, 선회 각도의 영점 어긋남이나, 로봇 암(20)의 설치 오차 등이 존재하는 경우이더라도, 로봇 암(20)의 선회축의 위치를 정밀하게 특정할 수 있다.
[처리 시스템(1)의 구성]
도 13은 제 2 실시형태에 있어서의 처리 시스템(1)의 일례를 나타내는 개략 평면도이다. 도 13에서는, 편의적으로 일부의 장치의 내부의 구성 요소가 투과하도록 도시되어 있다. 또, 이하에 설명하는 점을 제외하고, 도 13에 있어서, 도 1과 동일한 부호를 붙인 구성은, 도 1에 있어서의 구성과 동일하거나 또는 마찬가지의 기능을 갖기 때문에 설명을 생략한다.
진공 반송 모듈(11) 내 및 대기 반송 모듈(14) 내에는, 로봇 암(20)의 위치를 검출하기 위한 센서(30-1, 30-2)가 마련되어 있다. 도 14는 제 2 실시형태에 있어서의 진공 반송 모듈(11) 및 대기 반송 모듈(14)의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 센서(30-1)는, 조사부(31-1) 및 수광부(32-1)를 갖는다. 센서(30-2)는, 조사부(31-2) 및 수광부(32-2)를 갖는다. 조사부(31-1)는 광로 L1을 따라 광을 조사하고, 조사부(31-2)는 광로 L2를 따라 광을 조사한다. 수광부(32-1)는, 광로 L1 위에 배치되어 있고, 조사부(31-1)로부터 조사된 광을 수광한다. 수광부(32-2)는, 광로 L2 위에 배치되어 있고, 조사부(31-2)로부터 조사된 광을 수광한다. 조사부(31-1)는 제 1 조사부의 일례이고, 조사부(31-2)는 제 2 조사부의 일례이다. 또한, 수광부(32-1)는 제 1 수광부의 일례이고, 수광부(32-2)는 제 2 수광부의 일례이다. 또한, 광로 L1은 제 1 광로의 일례이고, 광로 L2는 제 2 광로의 일례이다.
본 실시형태에 있어서, 조사부(31-1, 31-2)는, 연직 방향을 따라 광을 조사한다. 조사부(31-1)로부터 연직 방향으로 조사된 광이 로봇 암(20)에 의해 가려졌을 때, 조사부(31-1)로부터 조사된 광은, 로봇 암(20) 위의 위치 P1에 조사된다. 위치 P1은, 광로 L1이 로봇 암(20)에 의해 가려졌을 때의 광로 L1과 로봇 암(20)의 제 1 교점의 위치의 일례이다. 또한, 조사부(31-2)로부터 연직 방향으로 조사된 광이 로봇 암(20)에 의해 가려졌을 때, 조사부(31-2)로부터 조사된 광은, 로봇 암(20) 위의 위치 P2에 조사된다. 위치 P2는, 광로 L2가 로봇 암(20)에 의해 가려졌을 때의 광로 L2와 로봇 암(20)의 제 2 교점의 위치의 일례이다.
본 실시형태에 있어서, 제어 장치(100)는, 조사부(31-1)로부터 조사된 광을 수광부(32-1)가 수광하였는지 여부를 판정하는 것에 의해, 조사부(31-1)로부터 조사된 광이 로봇 암(20)에 의해 가려졌는지 여부를 판정한다. 또한, 제어 장치(100)는, 조사부(31-2)로부터 조사된 광을 수광부(32-2)가 수광하였는지 여부를 판정하는 것에 의해, 조사부(31-2)로부터 조사된 광이 로봇 암(20)에 의해 가려졌는지 여부를 판정한다.
본 실시형태에 있어서, 광로 L1은, 연직 방향을 따른 광로이기 때문에, 위치 P1과, 조사부(31-1) 및 수광부(32-1)의 위치(즉 센서(30-1)의 위치)는, 수평면 내의 방향에 있어서 일치하고 있다. 또한, 광로 L2는, 연직 방향을 따른 광로이기 때문에, 위치 P2와, 조사부(31-2) 및 수광부(32-2)의 위치(즉 센서(30-2)의 위치)는, 수평면 내의 방향에 있어서 일치하고 있다. 또, 본 실시형태에 있어서도, 조사부(31-1, 31-2)는 진공 반송 모듈(11)의 하부에 마련되고, 수광부(32-1, 32-2)는 진공 반송 모듈(11)의 상부에 마련되어 있더라도 좋다.
또한, 본 실시형태에 있어서도, 광로 L1 및 광로 L2는, 예컨대 도 3과 마찬가지로, 연직 방향에 대하여 비스듬한 방향을 따른 광로이더라도 좋다. 또한, 제어 장치(100)는, 예컨대 도 4와 마찬가지로, 조사부(31-1)로부터 광로 L1을 따라 조사된 광이 위치 P1에서 반사되어 수광부(32-1)에 의해 수광된 경우에, 조사부(31-1)로부터 조사된 광이 로봇 암(20)에 의해 가려졌다고 판정하더라도 좋다. 또한, 제어 장치(100)는, 예컨대 도 4와 마찬가지로, 조사부(31-2)로부터 광로 L2를 따라 조사된 광이 위치 P2에서 반사되어 수광부(32-2)에 의해 수광된 경우에, 조사부(31-2)로부터 조사된 광이 로봇 암(20)에 의해 가려졌다고 판정하더라도 좋다.
[로봇 암(20)의 티칭 방법]
도 15~도 17은 제 2 실시형태에 있어서의 로봇 암(20)의 티칭 방법의 일례를 나타내는 플로차트이다. 도 15~도 17에 예시되는 처리는, 제어 장치(100)가 로봇 암(20) 및 센서(30)를 제어하는 것에 의해 실현된다. 도 15에 예시되는 처리가 개시되기 전에, 로봇 암(20)은, 예컨대 도 18에 예시되는 바와 같은 위치 및 자세로 제어된다. 도 18에 나타내어지는 예에서는, 제어 장치(100)는, 수광부(32-1, 32-2) 부근에 있어서 제 1 암(23a)이 미리 정해진 기준 방향 d를 향하도록 제 1 구동부(22a)를 제어한다.
우선, 제어 장치(100)는, 광을 조사하도록 조사부(31-1, 31-2)를 제어하고, 조사부(31-1)로부터 조사된 광이 수광부(32-1)에 의해 수광되고, 조사부(31-2)로부터 조사된 광이 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있는 상태인 것을 확인한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 예컨대 도 18에 나타내어지는 바와 같이, 제 1 암(23a)의 선회를 개시하도록 제 1 구동부(22a)를 제어한다(S200). 도 18의 예에서는, 제 1 암(23a)이 시계 방향으로 선회하지만, 제 1 암(23a)은, 반시계 방향으로 선회하더라도 좋다.
제 1 암(23a)이 수광부(32-1) 위를 통과하면, 예컨대 도 19에 나타내어지는 바와 같이, 조사부(31-1)로부터 조사된 광이 제 1 암(23a)에 의해 차단되고, 조사부(31-1)로부터의 광이 수광부(32-1)에 의해 수광되지 않게 된다. 제어 장치(100)는, 조사부(31-1)로부터 조사된 광이 제 1 암(23a)에 의해 차단되는 것에 의해, 조사부(31-1)로부터의 광이 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31-1)로부터의 광이 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 제 1 암(23a)의 선회 각도 θA1을 검출한다(S201). 스텝 S201은, 공정 a)의 일례이고, 선회 각도 θA1은, 제 1 선회 각도의 일례이다.
제 1 암(23a)이 더 선회하면, 예컨대 도 20에 나타내어지는 바와 같이, 조사부(31-2)로부터 조사된 광이 제 1 암(23a)에 의해 차단되고, 조사부(31-2)로부터의 광이 수광부(32-2)에 의해 수광되지 않게 된다. 제어 장치(100)는, 조사부(31-2)로부터 조사된 광이 제 1 암(23a)에 의해 차단되는 것에 의해, 조사부(31-2)로부터의 광이 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31-2)로부터의 광이 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 제 1 암(23a)의 선회 각도 θA2를 검출한다(S202). 스텝 S202는, 공정 d)의 일례이고, 선회 각도 θA2는, 제 3 선회 각도의 일례이다.
제 1 암(23a)이 더 선회하면, 예컨대 도 21에 나타내어지는 바와 같이, 조사부(31-1)로부터의 광의 차단이 해제되고, 조사부(31-1)로부터 조사된 광이 수광부(32-1)에 의해 다시 수광되게 된다. 제어 장치(100)는, 제 1 암(23a)에 의한 차단이 해제되는 것에 의해, 조사부(31-1)로부터의 광이 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31-1)로부터의 광이 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화하였을 때의 제 1 암(23a)의 선회 각도 θB1을 검출한다(S203). 스텝 S203은, 공정 b)의 일례이고, 선회 각도 θB1은, 제 2 선회 각도의 일례이다.
제 1 암(23a)이 더 선회하면, 예컨대 도 22에 나타내어지는 바와 같이, 조사부(31-2)로부터의 광의 차단이 해제되고, 조사부(31-2)로부터 조사된 광이 수광부(32-2)에 의해 다시 수광되게 된다. 제어 장치(100)는, 제 1 암(23a)에 의한 차단이 해제되는 것에 의해, 조사부(31-2)로부터의 광이 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31-2)로부터의 광이 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화하였을 때의 제 1 암(23a)의 선회 각도 θB2를 검출한다(S204). 스텝 S204는, 공정 e)의 일례이고, 선회 각도 θB2는, 제 4 선회 각도의 일례이다.
다음으로, 제어 장치(100)는, 제 1 암(23a)의 제 1 선회축의 위치 O1을 특정한다(S205). 스텝 S205는, 공정 c)의 일례이다. 스텝 S205에서는, 광로 L1을 통과한 제 1 암(23a)의 제 1 부분(24a)의 폭, 광로 L1과 제 1 암(23a)의 교점의 위치 P1, 선회 각도 θA1, 및 선회 각도 θB1에 근거하여, 제 1 암(23a)의 제 1 선회축의 위치 O1이 특정된다.
도 23은 제 2 실시형태에 있어서의 제 1 암(23a)의 선회축의 위치의 특정 방법의 일례를 설명하는 도면이다. 도 23에 예시된 삼각형 AO1B는 이등변삼각형이고, ∠AO1B의 각도는 (θB1-θA1)이기 때문에, ∠AO1P1의 각도는 (θB1-θA1)/2가 된다. 또한, 제 1 암(23a)의 제 1 부분(24a)의 폭 W는 기지이기 때문에, 도 23에 예시된 직각삼각형 AO1P1에 있어서의 변 AP1의 길이는, W/2이다.
이것에 의해, 도 23에 예시된 직각삼각형 AO1P1에 있어서의 변 P1O1의 길이 LP1O1은, 이하의 식 (2)와 같이 나타내어진다.
∠AP1O1은, 90도-∠AO1P1이기 때문에, 위치 P1로부터, ∠AP1O1의 방향으로 길이 LP1O1 떨어진 위치를, 제 1 암(23a)의 제 1 선회축의 위치 O1로서 특정할 수 있다.
다음으로, 제어 장치(100)는, 제 1 암(23a)의 제 2 선회축의 위치 O2를 특정한다(S206). 스텝 S206은, 공정 f)의 일례이다. 스텝 S206에 있어서, 제어 장치(100)는, 제 1 암(23a)의 제 1 부분(24a)의 폭, 광로 L2와 제 1 암(23a)의 교점의 위치 P2, 선회 각도 θA2, 및 선회 각도 θB2에 근거하여, 제 1 암(23a)의 제 2 선회축의 위치 O2를 특정한다.
도 24는 제 2 실시형태에 있어서의 제 1 암(23a)의 선회축의 위치의 특정 방법의 일례를 설명하는 도면이다. 도 24에 예시된 삼각형 AO2B는 이등변삼각형이고, ∠AO2B의 각도는 (θB2-θA2)이기 때문에, ∠AO2P2의 각도는 (θB2-θA2)/2가 된다. 또한, 제 1 암(23a)의 제 1 부분(24a)의 폭 W는 기지이기 때문에, 도 24에 예시된 직각삼각형 AO2P2에 있어서의 변 AP2의 길이는, W/2이다.
이것에 의해, 도 24에 예시된 직각삼각형 AO2P2에 있어서의 변 P2O2의 길이 LP2O2는, 이하의 식 (3)과 같이 나타내어진다.
∠AP2O2는, 90도-∠AO2P2이기 때문에, 위치 P2로부터, ∠AP2O2의 방향으로 길이 LP2O2 떨어진 위치를, 제 1 암(23a)의 제 2 선회축의 위치 O2로서 특정할 수 있다.
다음으로, 제어 장치(100)는, 제 1 선회축의 위치 O1과 제 2 선회축의 위치 O2를 이용하여, 제 1 암(23a)의 선회축의 위치 O를 특정한다(S207). 스텝 S207은, 공정 g)의 일례이다. 스텝 S207에서는, 예컨대 도 25에 나타내어지는 바와 같이, 위치 P1을 중심으로 하고 제 1 선회축의 위치 O1을 지나는 제 1 원 C1과, 위치 P2를 중심으로 하고 제 2 선회축의 위치 O2를 지나는 제 2 원 C2의 교점이, 제 1 암(23a)의 선회축의 위치 O로서 특정된다.
또, 도 25에 있어서, 선분 P1O1과 선분 P1O가 이루는 각과, 선분 P2O2와 선분 P2O가 이루는 각은, 동일한 각도 Δθ이고, 각도 Δθ는, 제 1 암(23a)의 각도의 영점 어긋남과 동일한 각도이다. 따라서, 선분 P1O1과 선분 P1O가 이루는 각, 또는, 선분 P2O2와 선분 P2O가 이루는 각을 특정하는 것에 의해, 제 1 암(23a)의 각도의 영점 어긋남의 크기를 특정할 수 있다. 이것에 의해, 특정된 영점 어긋남의 크기에 근거하여, 제 1 암(23a)의 각도의 영점 어긋남을 보정할 수 있다.
다음으로, 제어 장치(100)는, 스텝 S207에 있어서 특정된 선회축의 위치 O를 중심으로 하여, 예컨대 도 11에 나타내어진 바와 같이, 제 1 암(23a)을 미리 정해진 각도 θ1까지 선회시킨다(S208).
다음으로, 제어 장치(100)는, 예컨대 도 11에 나타내어진 상태에 있어서, 시계 방향으로 제 2 암(23b)의 선회를 개시하도록 제 2 구동부(22b)를 제어한다(S210). 그리고, 제 2 암(23b)이 수광부(32-1) 위를 통과하는 것에 의해, 조사부(31-1)로부터 조사된 광이 제 2 암(23b)에 의해 차단된다. 이것에 의해, 제어 장치(100)는, 조사부(31-1)로부터의 광이 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31-1)로부터의 광이 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 제 2 암(23b)의 선회 각도 θA1을 검출한다(S211).
제 2 암(23b)이 더 선회하면, 제 2 암(23b)이 수광부(32-2) 위를 통과하는 것에 의해, 조사부(31-2)로부터 조사된 광이 제 2 암(23b)에 의해 차단된다. 이것에 의해, 제어 장치(100)는, 조사부(31-2)로부터의 광이 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31-2)로부터의 광이 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 제 2 암(23b)의 선회 각도 θA2를 검출한다(S212).
제 2 암(23b)이 더 선회하면, 조사부(31-1)로부터의 광의 차단이 해제되고, 조사부(31-1)로부터 조사된 광이 수광부(32-1)에 의해 다시 수광되게 된다. 제어 장치(100)는, 제 2 암(23b)에 의한 차단이 해제되는 것에 의해, 조사부(31-1)로부터의 광이 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31-1)로부터의 광이 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화하였을 때의 제 2 암(23b)의 선회 각도 θB1을 검출한다(S213).
제 2 암(23b)이 더 선회하면, 조사부(31-2)로부터의 광의 차단이 해제되고, 조사부(31-2)로부터 조사된 광이 수광부(32-2)에 의해 다시 수광되게 된다. 제어 장치(100)는, 제 2 암(23b)에 의한 차단이 해제되는 것에 의해, 조사부(31-2)로부터의 광이 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31-2)로부터의 광이 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화하였을 때의 제 2 암(23b)의 선회 각도 θB2를 검출한다(S214).
다음으로, 제어 장치(100)는, 도 23에 예시된 수순과 마찬가지의 수순으로 제 2 암(23b)의 제 1 선회축의 위치 O1을 특정한다(S215). 그리고, 제어 장치(100)는, 도 24에 예시된 수순과 마찬가지의 수순으로 제 2 암(23b)의 제 2 선회축의 위치 O2를 특정한다(S216). 그리고, 제어 장치(100)는, 도 25에 예시된 수순과 마찬가지의 수순으로, 제 1 선회축의 위치 O1과 제 2 선회축의 위치 O2를 이용하여, 제 2 암(23b)의 선회축의 위치 O를 특정한다. 또한, 선분 P1O1과 선분 P1O가 이루는 각, 또는, 선분 P2O2와 선분 P2O가 이루는 각에 의해, 제 2 암(23b)의 각도의 영점 어긋남의 크기를 특정한다(S217). 그리고, 제어 장치(100)는, 스텝 S217에 있어서 특정된 선회축의 위치 O를 중심으로 하여, 예컨대 도 12에 나타내어진 바와 같이, 제 2 암(23b)을 미리 정해진 각도 θ2까지 선회시킨다(S218).
다음으로, 제어 장치(100)는, 예컨대 도 12에 나타내어진 상태에 있어서, 시계 방향으로 제 3 암(23c)의 선회를 개시하도록 제 3 구동부(22c)를 제어한다(S220). 그리고, 제 3 암(23c)이 수광부(32-1) 위를 통과하는 것에 의해, 조사부(31-1)로부터 조사된 광이 제 3 암(23c)에 의해 차단된다. 이것에 의해, 제어 장치(100)는, 조사부(31-1)로부터의 광이 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31-1)로부터의 광이 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 제 3 암(23c)의 선회 각도 θA1을 검출한다(S221).
제 3 암(23c)이 더 선회하면, 제 3 암(23c)이 수광부(32-2) 위를 통과하는 것에 의해, 조사부(31-2)로부터 조사된 광이 제 3 암(23c)에 의해 차단된다. 이것에 의해, 제어 장치(100)는, 조사부(31-2)로부터의 광이 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31-2)로부터의 광이 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있는 상태로부터 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 제 3 암(23c)의 선회 각도 θA2를 검출한다(S222).
제 3 암(23c)이 더 선회하면, 조사부(31-1)로부터의 광의 차단이 해제되고, 조사부(31-1)로부터 조사된 광이 수광부(32-1)에 의해 다시 수광되게 된다. 제어 장치(100)는, 제 3 암(23c)에 의한 차단이 해제되는 것에 의해, 조사부(31-1)로부터의 광이 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31-1)로부터의 광이 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32-1)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화하였을 때의 제 3 암(23c)의 선회 각도 θB1을 검출한다(S223).
제 3 암(23c)이 더 선회하면, 조사부(31-2)로부터의 광의 차단이 해제되고, 조사부(31-2)로부터 조사된 광이 수광부(32-2)에 의해 다시 수광되게 된다. 제어 장치(100)는, 제 3 암(23c)에 의한 차단이 해제되는 것에 의해, 조사부(31-2)로부터의 광이 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화한 것을 검출한다. 그리고, 제어 장치(100)는, 조사부(31-2)로부터의 광이 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있지 않은 상태로부터 수광부(32-2)에 의해 수광되고 있는 상태로 변화하였을 때의 제 3 암(23c)의 선회 각도 θB2를 검출한다(S224).
다음으로, 제어 장치(100)는, 도 23에 나타내어진 수순과 마찬가지의 수순으로 제 3 암(23c)의 제 1 선회축의 위치 O1을 특정한다(S225). 그리고, 제어 장치(100)는, 도 24에 나타내어진 수순과 마찬가지의 수순으로 제 3 암(23c)의 제 2 선회축의 위치 O2를 특정한다(S226). 그리고, 제어 장치(100)는, 도 25에 나타내어진 수순과 마찬가지의 수순으로, 제 1 선회축의 위치 O1과 제 2 선회축의 위치 O2를 이용하여, 제 3 암(23c)의 선회축의 위치 O를 특정한다. 또한, 선분 P1O1과 선분 P1O가 이루는 각, 또는, 선분 P2O2와 선분 P2O가 이루는 각에 의해, 제 3 암(23c)의 각도의 영점 어긋남의 크기를 특정한다(S227). 그리고, 제어 장치(100)는, 본 플로차트에 나타내어진 로봇 암(20)의 티칭 방법을 종료한다.
이상, 제 2 실시형태에 대하여 설명하였다. 본 실시형태에 있어서의 처리 시스템(1)은, 조사부(31-1), 조사부(31-2), 수광부(32-1), 및 수광부(32-2)를 갖는다. 조사부(31-2)는, 광로 L1과 제 1 암(23a)의 교점의 위치 P1과는 상이한 위치 P2에서, 제 1 암(23a)에 의해 가려지는 광로 L2를 따라 광을 조사한다. 수광부(32-2)는, 조사부(31-2)로부터 조사된 광을 수광한다. 제어 장치(100)는, 공정 d)~공정 g)를 실행한다. 공정 d)에서는, 조사부(31-2)로부터 조사된 광이 수광부(32-2)에 의해 수광되었는지 여부에 근거하여, 광로 L2가 제 1 암(23a)에 의해 차단되어 있지 않은 상태로부터 광로 L2가 제 1 암(23a)에 의해 차단되어 있는 상태로 변화하였을 때의 제 1 암(23a)의 선회 각도 θA2가 검출된다. 공정 e)에서는, 조사부(31-2)로부터 조사된 광이 수광부(32-2)에 의해 수광되었는지 여부에 근거하여, 광로 L2가 제 1 암(23a)에 의해 차단되어 있는 상태로부터 광로 L2가 제 1 암(23a)에 의해 차단되어 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 제 1 암(23a)의 선회 각도 θB2가 검출된다. 공정 f)에서는, 광로 L2를 통과한 제 1 암(23a)의 제 1 부분(24a)의 폭, 광로 L2가 가려졌을 때의 광로 L2와 제 1 암(23a)의 교점의 위치 P2, 선회 각도 θA2, 및 선회 각도 θB2에 근거하여, 제 1 암(23a)의 제 2 선회축의 위치 O2가 특정된다. 공정 g)에서는, 위치 P1을 중심으로 하고 제 1 선회축의 위치 O1을 지나는 제 1 원 C1과, 위치 P2를 중심으로 하고 제 2 선회축의 위치 O2를 지나는 제 2 원 C2의 교점이, 제 1 암(23a)의 교정 후의 선회축의 위치 O로서 특정된다. 또한, 선분 P1O1과 선분 P1O가 이루는 각, 또는, 선분 P2O2와 선분 P2O가 이루는 각에 의해, 제 1 암(23a)의 각도의 영점 어긋남의 크기가 특정된다. 이것에 의해, 진공 반송 모듈(11) 또는 대기 반송 모듈(14) 내에 있어서의 로봇 암(20)에 좌표나 회전 각도의 어긋남 등이 있는 경우이더라도, 제어 장치(100)는, 이들 어긋남의 양을 검출하여 보정할 수 있다. 이 때문에, 로봇 암(20)의 티칭을 정밀하게 간편하게 행할 수 있다.
또, 미리 설계치를 토대로 가결정되어 있는 티칭 데이터가, 상기한 제 1 실시형태 또는 제 2 실시형태의 방법에 의해 구하여진 값에 근거하여 보정 또는 갱신되더라도 좋다. 예컨대, 제어 장치(100)의 보조 기억 장치 또는 RAM(Random Access Memory) 등의 기억부 내에, 처리 모듈(12)이나 로드 록 모듈(13) 등의 반송 목적지마다의 설계치로서의 티칭 데이터가 미리 보존된다. 미리 보존되어 있는 티칭 데이터에는, 예컨대, 로봇 암(20)의 각 선회축을 몇 도씩 회전시키면 되는지를 나타내는 정보, 및, 각 암의 길이를 나타내는 정보 등이 포함된다. 그리고, 설계치로서 미리 보존되어 있는 티칭 데이터가, 상기한 제 1 실시형태 또는 제 2 실시형태에 나타내어지는 방법에 의해, 센싱의 결과에 근거하여 보정 또는 갱신된다. 그 후, 제어 장치(100)는, 이 티칭 데이터를 토대로 로봇 암(20)의 각 암을 제어하여 기판을 각 반송 목적지에 반송한다.
[하드웨어]
도 26은 제어 장치(100)의 하드웨어의 일례를 나타내는 도면이다. 제어 장치(100)는, 프로세서(101), RAM(102), ROM(103), 보조 기억 장치(104), 통신 인터페이스(I/F)(105), 입출력 인터페이스(I/F)(106), 및 미디어 인터페이스(I/F)(107)를 구비한다.
프로세서(101)는, ROM(103) 또는 보조 기억 장치(104)에 저장된 프로그램에 근거하여 동작하고, 각 부의 제어를 행한다. ROM(103)은, 제어 장치(100)의 기동 때에 프로세서(101)에 의해 실행되는 부트 프로그램이나, 제어 장치(100)의 하드웨어에 의존하는 프로그램 등을 저장한다.
보조 기억 장치(104)는, 예컨대 HDD(Hard Disk Drive) 또는 SSD(Solid State Drive) 등이고, 프로세서(101)에 의해 실행되는 프로그램 및 당해 프로그램에 의해 사용되는 데이터 등을 저장한다. 프로세서(101)는, 당해 프로그램을, 보조 기억 장치(104)로부터 읽어내어 RAM(102)에 로드하고, 로드된 프로그램을 실행한다.
통신 I/F(105)는, LAN(Local Area Network) 등의 통신 회선을 통해서 본체(10)와의 사이에서 통신을 행한다. 통신 I/F(105)는, 통신 회선을 통해서 본체(10)로부터 데이터를 수신하여 프로세서(101)에 보내고, 프로세서(101)가 생성한 데이터를, 통신 회선을 통해서 본체(10)에 송신한다. 프로세서(101)는, 통신 I/F(105)를 통해서, 예컨대 센서(30)로부터 센싱 정보를 취득한다. 또한, 프로세서(101)는, 통신 I/F(105)를 통해서, 예컨대 로봇 암(20)을 구동시키기 위한 제어 신호를 로봇 암(20)에 송신한다.
프로세서(101)는, 입출력 I/F(106)를 통해서, 키보드 등의 입력 장치 및 디스플레이 등의 출력 장치를 제어한다. 프로세서(101)는, 입출력 I/F(106)를 통해서, 입력 장치로부터 입력된 신호를 취득하여 프로세서(101)에 보낸다. 또한, 프로세서(101)는, 생성한 데이터를, 입출력 I/F(106)를 통해서 출력 장치에 출력한다.
미디어 I/F(107)는, 기록 매체(108)에 저장된 프로그램 또는 데이터를 읽고, 보조 기억 장치(104)에 저장한다. 기록 매체(108)는, 예컨대 DVD(Digital Versatile Disc), PD(Phase change rewritable Disk) 등의 광학 기록 매체, MO(Magneto-Optical disk) 등의 광자기 기록 매체, 테이프 매체, 자기 기록 매체, 또는 반도체 메모리 등이다.
제어 장치(100)의 프로세서(101)는, RAM(102)에 로드된 프로그램을 실행하는 것에 의해, 본체(10)의 각 부를 제어한다. 프로세서(101)는, RAM(102)에 로드되는 프로그램을, 기록 매체(108)로부터 읽어 보조 기억 장치(104)에 저장하지만, 다른 예로서, 프로세서(101)는, 통신 회선을 통해서 다른 장치로부터 프로그램을 취득하여 보조 기억 장치(104)에 저장하더라도 좋다. 혹은, 프로세서(101)는, 다른 장치로부터, 통신 회선을 통해서 취득한 프로그램을, 보조 기억 장치(104)에 저장하는 일 없이, RAM(102)에 로드하여 실행하더라도 좋다.
[그 외]
또, 본원에 개시된 기술은, 상기한 실시형태로 한정되는 것이 아니고, 그 요지의 범위 내에서 여러 가지의 변형이 가능하다.
예컨대, 상기한 각 실시형태에 있어서, 로봇 암(20)은, 기판을 반송하지만, 개시된 기술은 이것으로 한정되지 않고, 로봇 암(20)은, 처리 모듈(12) 내의 에지 링 등의 소모 부품을 반송하더라도 좋다.
또, 이번 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이고 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시형태는, 첨부된 특허청구의 범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되더라도 좋다.
G : 게이트 밸브
L : 광로
P : 위치 W : 폭
1 : 처리 시스템 10 : 본체
11 : 진공 반송 모듈 110 : 가이드 레일
12 : 처리 모듈 13 : 로드 록 모듈
14 : 대기 반송 모듈 140 : 가이드 레일
15 : 로드 포트 20 : 로봇 암
21 : 기대 22a : 제 1 구동부
22b : 제 2 구동부 22c : 제 3 구동부
23a : 제 1 암 23b : 제 2 암
23c : 제 3 암 24a : 제 1 부분
24b : 제 2 부분 24c : 제 3 부분
25 : 엔드 이펙터 30 : 센서
31 : 조사부 32 : 수광부
100 : 제어 장치 101 : 프로세서
102 : RAM 103 : ROM
104 : 보조 기억 장치 105 : 통신 I/F
106 : 입출력 I/F 107 : 미디어 I/F
108 : 기록 매체
P : 위치 W : 폭
1 : 처리 시스템 10 : 본체
11 : 진공 반송 모듈 110 : 가이드 레일
12 : 처리 모듈 13 : 로드 록 모듈
14 : 대기 반송 모듈 140 : 가이드 레일
15 : 로드 포트 20 : 로봇 암
21 : 기대 22a : 제 1 구동부
22b : 제 2 구동부 22c : 제 3 구동부
23a : 제 1 암 23b : 제 2 암
23c : 제 3 암 24a : 제 1 부분
24b : 제 2 부분 24c : 제 3 부분
25 : 엔드 이펙터 30 : 센서
31 : 조사부 32 : 수광부
100 : 제어 장치 101 : 프로세서
102 : RAM 103 : ROM
104 : 보조 기억 장치 105 : 통신 I/F
106 : 입출력 I/F 107 : 미디어 I/F
108 : 기록 매체
Claims (10)
- 기판을 반송하는 반송 장치로서,
상기 기판을 반송하는 암과 상기 암을 선회시키는 구동부를 갖는 로봇 암과,
제 1 광로를 따라 광을 조사하는 제 1 조사부와,
상기 제 1 조사부로부터 조사된 광을 수광하는 제 1 수광부와,
상기 암이 상기 제 1 광로를 가로질러 선회하도록 상기 구동부를 제어하는 제어 장치
를 구비하고,
상기 제어 장치는,
a) 상기 제 1 조사부로부터 조사된 광이 상기 제 1 수광부에 의해 수광되었는지 여부에 근거하여, 상기 제 1 광로가 상기 암에 의해 차단되어 있지 않은 상태로부터 상기 제 1 광로가 상기 암에 의해 차단되어 있는 상태로 변화하였을 때의 상기 암의 제 1 선회 각도를 검출하는 공정과,
b) 상기 제 1 조사부로부터 조사된 광이 상기 제 1 수광부에 의해 수광되었는지 여부에 근거하여, 상기 제 1 광로가 상기 암에 의해 차단되어 있는 상태로부터 상기 제 1 광로가 상기 암에 의해 차단되어 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 상기 암의 제 2 선회 각도를 검출하는 공정과,
c) 상기 제 1 광로를 통과한 상기 암의 부분의 폭, 상기 제 1 광로가 가려졌을 때의 상기 제 1 광로와 상기 암의 제 1 교점의 위치, 상기 제 1 선회 각도, 및 상기 제 2 선회 각도에 근거하여, 상기 암의 제 1 선회축의 위치를 특정하는 공정
을 실행하는
반송 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 수광부는, 상기 제 1 광로 위에 마련되고,
상기 제어 장치는, 상기 제 1 조사부로부터 조사된 광을 상기 제 1 수광부가 수광하고 있는 상태로부터 수광하고 있지 않은 상태로 변화한 경우에, 상기 암에 의해 상기 제 1 광로가 차단되어 있지 않은 상태로부터 차단된 상태로 변화하였다고 판정하고, 상기 제 1 조사부로부터 조사된 광을 상기 제 1 수광부가 수광하고 있지 않은 상태로부터 수광하고 있는 상태로 변화한 경우에, 상기 암에 의해 상기 제 1 광로가 차단되어 있는 상태로부터 차단되어 있지 않은 상태로 변화하였다고 판정하는
반송 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 외형의 폭이 일정한 상기 암의 부분이 상기 제 1 조사부로부터 조사된 광의 제 1 광로를 가로질러 선회하도록 상기 구동부를 제어하는 반송 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 암은,
제 1 암과,
상기 제 1 암 위에 마련된 제 2 암
을 갖고,
상기 구동부는,
상기 제 1 암을 선회시키는 제 1 구동부와
상기 제 1 암 위에 마련되고, 상기 제 2 암을 선회시키는 제 2 구동부
를 갖고,
상기 제어 장치는, 상기 제 1 구동부를 제어하는 것에 의해 상기 제 1 암에 대하여 상기 a)~상기 c)의 공정을 실행하고, 상기 c)의 공정에 의해 특정된 상기 제 1 선회축의 위치에 근거하여 상기 제 1 암을 미리 정해진 자세로 제어한 후에, 상기 제 2 구동부를 제어하는 것에 의해 상기 제 2 암에 대하여 상기 a)~상기 c)의 공정을 실행하는
반송 장치. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 암에 의해 상기 제 1 광로가 가려졌을 때의 상기 제 1 광로와 상기 암의 제 1 교점의 위치와는 상이한 위치에서, 상기 암에 의해 가려지는 제 2 광로를 따라 광을 조사하는 제 2 조사부와,
상기 제 2 조사부로부터 조사된 광을 수광하는 제 2 수광부
를 갖고,
상기 제어 장치는,
d) 상기 제 2 조사부로부터 조사된 광이 상기 제 2 수광부에 의해 수광되었는지 여부에 근거하여, 상기 제 2 광로가 상기 암에 의해 차단되어 있지 않은 상태로부터 상기 제 2 광로가 상기 암에 의해 차단되어 있는 상태로 변화하였을 때의 상기 암의 제 3 선회 각도를 검출하는 공정과,
e) 상기 제 2 조사부로부터 조사된 광이 상기 제 2 수광부에 의해 수광되었는지 여부에 근거하여, 상기 제 2 광로가 상기 암에 의해 차단되어 있는 상태로부터 상기 제 2 광로가 상기 암에 의해 차단되어 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 상기 암의 제 4 선회 각도를 검출하는 공정과,
f) 상기 제 2 광로를 통과한 상기 암의 부분의 폭, 상기 제 2 광로가 가려졌을 때의 상기 제 2 광로와 상기 암의 제 2 교점의 위치, 상기 제 3 선회 각도, 및 상기 제 4 선회 각도에 근거하여, 상기 암의 제 2 선회축의 위치를 특정하는 공정과,
g) 상기 제 1 교점의 위치를 중심으로 하고 상기 제 1 선회축의 위치를 지나는 제 1 원과, 상기 제 2 교점의 위치를 중심으로 하고 상기 제 2 선회축의 위치를 지나는 제 2 원의 교점을, 상기 암의 교정 후의 선회축의 위치로서 특정하는 공정
을 더 실행하는
반송 장치. - 기판을 반송하는 암과 상기 암을 선회시키는 구동부를 갖는 로봇 암과,
제 1 광로를 따라 광을 조사하는 제 1 조사부와,
상기 제 1 조사부로부터 조사된 광을 수광하는 제 1 수광부와,
상기 암이 상기 제 1 광로를 가로질러 선회하도록 상기 구동부를 제어하는 제어 장치
를 구비하는 반송 장치에 있어서의 로봇 암의 티칭 방법으로서,
상기 제어 장치가,
a) 상기 제 1 조사부로부터 조사된 광이 상기 제 1 수광부에 의해 수광되었는지 여부에 근거하여, 상기 제 1 광로가 상기 암에 의해 차단되어 있지 않은 상태로부터 상기 제 1 광로가 상기 암에 의해 차단되어 있는 상태로 변화하였을 때의 상기 암의 제 1 선회 각도를 검출하는 공정과,
b) 상기 제 1 조사부로부터 조사된 광이 상기 제 1 수광부에 의해 수광되었는지 여부에 근거하여, 상기 제 1 광로가 상기 암에 의해 차단되어 있는 상태로부터 상기 제 1 광로가 상기 암에 의해 차단되어 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 상기 암의 제 2 선회 각도를 검출하는 공정과,
c) 상기 제 1 광로를 통과한 상기 암의 부분의 폭, 상기 제 1 광로가 가려졌을 때의 상기 제 1 광로와 상기 암의 제 1 교점의 위치, 상기 제 1 선회 각도, 및 상기 제 2 선회 각도에 근거하여, 상기 암의 제 1 선회축의 위치를 특정하는 공정
을 실행하는
로봇 암의 티칭 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 수광부는, 상기 제 1 광로 위에 마련되고,
상기 제어 장치는, 상기 제 1 조사부로부터 조사된 광을 상기 제 1 수광부가 수광하고 있는 상태로부터 수광하고 있지 않은 상태로 변화한 경우에, 상기 암에 의해 상기 제 1 광로가 차단되어 있지 않은 상태로부터 차단된 상태로 변화하였다고 판정하고, 상기 제 1 조사부로부터 조사된 광을 상기 제 1 수광부가 수광하고 있지 않은 상태로부터 수광하고 있는 상태로 변화한 경우에, 상기 암에 의해 상기 제 1 광로가 차단되어 있는 상태로부터 차단되어 있지 않은 상태로 변화하였다고 판정하는
로봇 암의 티칭 방법. - 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 외형의 폭이 일정한 상기 암의 부분이 상기 제 1 조사부로부터 조사된 광의 제 1 광로를 가로질러 선회하도록 상기 구동부를 제어하는 로봇 암의 티칭 방법. - 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 암은,
제 1 암과,
상기 제 1 암 위에 마련된 제 2 암
을 갖고,
상기 구동부는,
상기 제 1 암을 선회시키는 제 1 구동부와,
상기 제 1 암 위에 마련되고, 상기 제 2 암을 선회시키는 제 2 구동부
를 갖고,
상기 제어 장치는, 상기 제 1 구동부를 제어하여 상기 제 1 암에 대하여 상기 a)~상기 c)의 공정을 실행하고, 상기 c)의 공정에 의해 특정된 상기 제 1 선회축의 위치에 근거하여 상기 제 1 암을 미리 정해진 자세로 제어한 후에, 상기 제 2 구동부를 제어하여 상기 제 2 암에 대하여 상기 a)~상기 c)의 공정을 실행하는
로봇 암의 티칭 방법. - 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 암에 의해 상기 제 1 광로가 가려졌을 때의 상기 제 1 광로와 상기 암의 제 1 교점의 위치와는 상이한 위치에서, 상기 암에 의해 가려지는 제 2 광로를 따라 광을 조사하는 제 2 조사부와,
상기 제 2 조사부로부터 조사된 광을 수광하는 제 2 수광부
를 갖고,
상기 제어 장치는,
d) 상기 제 2 조사부로부터 조사된 광이 상기 제 2 수광부에 의해 수광되었는지 여부에 근거하여, 상기 제 2 광로가 상기 암에 의해 차단되어 있지 않은 상태로부터 상기 제 2 광로가 상기 암에 의해 차단되어 있는 상태로 변화하였을 때의 상기 암의 제 3 선회 각도를 검출하는 공정과,
e) 상기 제 2 조사부로부터 조사된 광이 상기 제 2 수광부에 의해 수광되었는지 여부에 근거하여, 상기 제 2 광로가 상기 암에 의해 차단되어 있는 상태로부터 상기 제 2 광로가 상기 암에 의해 차단되어 있지 않은 상태로 변화하였을 때의 상기 암의 제 4 선회 각도를 검출하는 공정과,
f) 상기 제 2 광로를 통과한 상기 암의 부분의 폭, 상기 제 2 광로가 가려졌을 때의 상기 제 2 광로와 상기 암의 제 2 교점의 위치, 상기 제 3 선회 각도, 및 상기 제 4 선회 각도에 근거하여, 상기 암의 제 2 선회축의 위치를 특정하는 공정과,
g) 상기 제 1 교점의 위치를 중심으로 하고 상기 제 1 선회축의 위치를 지나는 제 1 원과, 상기 제 2 교점의 위치를 중심으로 하고 상기 제 2 선회축의 위치를 지나는 제 2 원의 교점을, 상기 암의 교정 후의 선회축의 위치로서 특정하는 공정
을 더 실행하는
로봇 암의 티칭 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020158203A JP7433180B2 (ja) | 2020-09-23 | 2020-09-23 | 搬送装置およびロボットアームのティーチング方法 |
JPJP-P-2020-158203 | 2020-09-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220040389A true KR20220040389A (ko) | 2022-03-30 |
KR102616703B1 KR102616703B1 (ko) | 2023-12-20 |
Family
ID=80740725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210121429A KR102616703B1 (ko) | 2020-09-23 | 2021-09-13 | 반송 장치 및 로봇 암의 티칭 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12074043B2 (ko) |
JP (1) | JP7433180B2 (ko) |
KR (1) | KR102616703B1 (ko) |
CN (1) | CN114256116A (ko) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06326172A (ja) | 1993-05-10 | 1994-11-25 | Tel Varian Ltd | 移載装置 |
JP2005011966A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板搬送装置、基板処理装置および搬送基準位置教示方法、ならびにこれらに用いるセンサ治具 |
KR101031843B1 (ko) * | 2007-06-12 | 2011-05-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 위치 어긋남 검출 장치 및 이것을 이용한 처리 시스템 |
US20110260057A1 (en) * | 2008-10-24 | 2011-10-27 | Tadashi Otaka | Charged particle beam apparatus |
KR20170108154A (ko) * | 2015-02-03 | 2017-09-26 | 가와사끼 쥬고교 가부시끼 가이샤 | 기판 반송 로봇 및 기판 반송 방법 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5535306A (en) | 1993-01-28 | 1996-07-09 | Applied Materials Inc. | Self-calibration system for robot mechanisms |
JP3306398B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2002-07-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板搬送装置および搬送教示システム |
JP4277100B2 (ja) * | 2002-11-14 | 2009-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送機構の基準位置補正装置及び基準位置補正方法 |
DE102004025150B4 (de) * | 2004-05-21 | 2019-05-09 | Mattson Technology, Inc. | Lagebestimmung eines Halbleitersubstrats auf einer Rotationsvorrichtung |
DE102005035199A1 (de) | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Mattson Thermal Products Gmbh | Verfahren zum Ermitteln der Ist-Lage einer Drehachse eines Transportmechanismus |
KR101660992B1 (ko) * | 2008-05-27 | 2016-09-28 | 로제 가부시키가이샤 | 반송 장치, 위치 교시 방법 및 센서 지그 |
JP6040757B2 (ja) * | 2012-10-15 | 2016-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送機構の位置決め方法、被処理体の位置ずれ量算出方法及び搬送機構のティーチングデータの修正方法 |
KR20150146095A (ko) * | 2014-06-20 | 2015-12-31 | 삼성전자주식회사 | 기판 반송 장치 및 그 동작 방법 |
JP6326172B1 (ja) | 2017-07-21 | 2018-05-16 | 株式会社エコグローバルユニオン | 水素含有率の高い水を製造するシステム |
JP6958338B2 (ja) * | 2017-12-22 | 2021-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理装置の運転方法 |
JP7008573B2 (ja) * | 2018-05-16 | 2022-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送方法および搬送装置 |
US10796940B2 (en) * | 2018-11-05 | 2020-10-06 | Lam Research Corporation | Enhanced automatic wafer centering system and techniques for same |
US10974388B2 (en) * | 2018-12-27 | 2021-04-13 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Method of correcting position of robot and robot |
US10953539B2 (en) * | 2018-12-27 | 2021-03-23 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Substrate transfer robot and automatic teaching method |
CN113795355A (zh) * | 2019-04-12 | 2021-12-14 | 株式会社尼康 | 机器人系统、终端效应器系统、终端效应器单元及配接器 |
-
2020
- 2020-09-23 JP JP2020158203A patent/JP7433180B2/ja active Active
-
2021
- 2021-09-13 KR KR1020210121429A patent/KR102616703B1/ko active IP Right Grant
- 2021-09-13 CN CN202111067797.3A patent/CN114256116A/zh active Pending
- 2021-09-20 US US17/479,842 patent/US12074043B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06326172A (ja) | 1993-05-10 | 1994-11-25 | Tel Varian Ltd | 移載装置 |
JP2005011966A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板搬送装置、基板処理装置および搬送基準位置教示方法、ならびにこれらに用いるセンサ治具 |
KR101031843B1 (ko) * | 2007-06-12 | 2011-05-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 위치 어긋남 검출 장치 및 이것을 이용한 처리 시스템 |
US20110260057A1 (en) * | 2008-10-24 | 2011-10-27 | Tadashi Otaka | Charged particle beam apparatus |
KR20170108154A (ko) * | 2015-02-03 | 2017-09-26 | 가와사끼 쥬고교 가부시끼 가이샤 | 기판 반송 로봇 및 기판 반송 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114256116A (zh) | 2022-03-29 |
KR102616703B1 (ko) | 2023-12-20 |
US20220093432A1 (en) | 2022-03-24 |
JP2022052048A (ja) | 2022-04-04 |
JP7433180B2 (ja) | 2024-02-19 |
US12074043B2 (en) | 2024-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11127614B2 (en) | Substrate transfer method and substrate transfer apparatus | |
TWI717548B (zh) | 基板處理方法及基板處理系統 | |
JP4892225B2 (ja) | 真空処理方法、真空搬送装置および半導体処理装置 | |
US8025475B2 (en) | Wafer transfer apparatus, wafer transfer method and storage medium | |
US5740062A (en) | Wafer positioning system | |
KR20020010548A (ko) | 웨이퍼 취급 로봇들을 위한 온더플라이 중심 발견 및 노치정렬을 위한 장치 | |
JP2001110873A (ja) | 処理装置 | |
JPH1064971A (ja) | ウェハの位置の誤り検出及び修正装置、及びその方法 | |
US20150303083A1 (en) | Substrate processing device and substrate transfer method | |
JP5600703B2 (ja) | 搬送装置及び搬送方法 | |
WO2004043653A1 (ja) | 搬送機構の基準位置の補正装置および補正方法 | |
JP2001068531A (ja) | ウェーハ位置の検出方法 | |
JP7326619B2 (ja) | 自動教示エンクロージャシステム | |
WO2002007236A1 (fr) | Detecteur de deplacement et systeme de traitement | |
JP2006351883A (ja) | 基板搬送機構及び処理システム | |
JP2011124294A (ja) | 真空処理装置 | |
CN115346903A (zh) | 基板输送装置和基板输送方法 | |
KR20220040389A (ko) | 반송 장치 및 로봇 암의 티칭 방법 | |
JP5203102B2 (ja) | 半導体処理装置の運転方法 | |
JP6568828B2 (ja) | ティーチング治具、基板処理装置及びティーチング方法 | |
JP2002076097A (ja) | ウェハ転送装置およびウェハアライメント方法 | |
JP2004193344A (ja) | 基板搬送装置及び基板搬送方法 | |
JP2007042929A (ja) | ロードロック装置とその方法及び半導体製造装置 | |
US20240228190A1 (en) | Transfer device and expansion amount calculation method | |
US20240128110A1 (en) | Method of controlling substrate transfer system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |