KR20220038327A - 금속 미러 기반 다중스펙트럼 필터 어레이 및 다중스펙트럼 필터 어레이를 가진 센서 디바이스의 제조방법 - Google Patents
금속 미러 기반 다중스펙트럼 필터 어레이 및 다중스펙트럼 필터 어레이를 가진 센서 디바이스의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220038327A KR20220038327A KR1020220032590A KR20220032590A KR20220038327A KR 20220038327 A KR20220038327 A KR 20220038327A KR 1020220032590 A KR1020220032590 A KR 1020220032590A KR 20220032590 A KR20220032590 A KR 20220032590A KR 20220038327 A KR20220038327 A KR 20220038327A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- spacer layer
- layers
- mirror
- layer
- spacer
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 90
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 title description 26
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 190
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 104
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 289
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 11
- OBOYOXRQUWVUFU-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ti+4].[Nb+5] Chemical compound [O-2].[Ti+4].[Nb+5] OBOYOXRQUWVUFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 7
- 238000003491 array Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229960005196 titanium dioxide Drugs 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0205—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
- G01J3/0208—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows using focussing or collimating elements, e.g. lenses or mirrors; performing aberration correction
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0205—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
- G01J3/0229—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows using masks, aperture plates, spatial light modulators or spatial filters, e.g. reflective filters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J3/26—Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/2803—Investigating the spectrum using photoelectric array detector
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/30—Measuring the intensity of spectral lines directly on the spectrum itself
- G01J3/36—Investigating two or more bands of a spectrum by separate detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
- G01J3/50—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
- G01J3/51—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors using colour filters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
- G01J3/50—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
- G01J3/51—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors using colour filters
- G01J3/513—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors using colour filters having fixed filter-detector pairs
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/201—Filters in the form of arrays
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/204—Filters in which spectral selection is performed by means of a conductive grid or array, e.g. frequency selective surfaces
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
- G02B5/286—Interference filters comprising deposited thin solid films having four or fewer layers, e.g. for achieving a colour effect
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
- G02B5/288—Interference filters comprising deposited thin solid films comprising at least one thin film resonant cavity, e.g. in bandpass filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J2003/1204—Grating and filter
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/2803—Investigating the spectrum using photoelectric array detector
- G01J2003/2806—Array and filter array
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/2803—Investigating the spectrum using photoelectric array detector
- G01J2003/282—Modified CCD or like
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/2823—Imaging spectrometer
- G01J2003/2826—Multispectral imaging, e.g. filter imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
Abstract
디바이스는 기판 상에 배치된 다중스펙트럼 필터 어레이를 포함할 수 있다. 다중스펙트럼 필터 어레이는 기판 상에 배치된 제1 금속 미러를 포함할 수 있다. 다중스펙트럼 필터는 제1 금속 미러 상에 배치된 스페이서를 포함할 수 있다. 스페이서는 층들의 세트를 포함할 수 있다. 스페이서는 스페이서 상에 배치된 제2 금속 미러를 포함할 수 있다. 제2 금속 미러는 센서 요소들의 세트 중 둘 이상의 센서 요소와 정렬될 수 있다.
Description
다중스펙트럼 센서 디바이스는 정보를 캡처하기 위해 이용될 수 있다. 예를 들면, 다중스펙트럼 센서 디바이스는 전자기 주파수의 세트에 관한 정보를 캡처할 수 있다. 다중스펙트럼 센서 디바이스는 정보를 캡처하는 센서 요소(예컨대, 광학 센서, 스펙트럼 센서, 및/또는 이미지 센서)의 세트를 포함할 수 있다. 예를 들면, 센서 요소의 어레이는 다수의 주파수에 관한 정보를 캡처하기 위해 이용될 수 있다. 센서 요소 어레이의, 특정한 센서 요소는 특정한 센서 요소로 지향되는 주파수의 범위를 제한하는 필터와 연관될 수 있다.
몇몇 가능한 구현예에 따르면, 디바이스는 기판 상에 배치된 다중스펙트럼 필터 어레이를 포함할 수 있다. 다중스펙트럼 필터 어레이는 기판 상에 배치된 제1 금속 미러를 포함할 수 있다. 다중스펙트럼 필터는 제1 금속 미러 상에 배치된 스페이서를 포함할 수 있다. 스페이서는 층들의 세트를 포함할 수 있다. 스페이서는 스페이서 상에 배치된 제2 금속 미러를 포함할 수 있다. 제2 금속 미러는 센서 요소들의 세트 중 둘 이상의 센서 요소와 정렬(align)될 수 있다.
몇몇 가능한 구현예에 따르면, 광학 필터는 제1 층을 포함할 수 있다. 제1 층은 제1 층으로 지향된 광의 일부분을 반사하기 위한 제1 미러일 수 있다. 제1 층은 센서 요소들의 세트와 연관된 기판 상에 증착될 수 있다. 광학 필터는 제2 세트의 층들을 포함할 수 있다. 제2 세트의 층들은 단지 제1 층 상에만 증착될 수 있다. 제2 세트의 층들은 센서 요소들의 세트에 대응하는 채널들의 세트와 연관될 수 있다. 채널들의 세트 중, 하나의 채널은 센서 요소들의 세트 중 특정한 센서 요소로 지향될 광의 특정한 파장에 대응하는 특정한 두께와 연관될 수 있다. 광학 필터는 제3 층을 포함할 수 있다. 제3 층은 제3 층으로 지향된 광의 일부분을 반사하기 위한 제2 금속 미러일 수 있다. 제3 층은 제2 세트의 층들과 연관된 복수의 센서 요소들의 세트 상에 증착될 수 있다.
몇몇 가능한 구현예에 따르면, 시스템은 기판에 내장된 광학 센서들의 세트를 포함할 수 있다. 시스템은 기판 상에 증착된 다중스펙트럼 필터 어레이를 포함할 수 있다. 다중스펙트럼 필터 어레이는 제1 은(Ag) 금속 미러, 제2 은(Ag) 금속 미러, 및 제1 은(Ag) 금속 미러와 제2 은(Ag) 금속 미러 사이에 배치된 복수의 스페이서 층을 포함할 수 있다.
다중스펙트럼 필터 어레이를 가진 센서 디바이스를 제작하기 위한 방법을 제공한다. 상기 방법은 스펙트럼 측정에 관한 정보를 캡처하기 위해 사용된 다중스펙트럼 필터 어레이를 가진 광학 센서 디바이스의 설계에 적용될 수 있다.
1. 센서 요소들의 세트를 포함하는 기판을 제공하는 단계;
다중스펙트럼 필터 어레이의 다수의 층을 기판 상에 증착하는 단계,
상기 다수의 층은,
상기 센서 요소들의 세트의 모든 센서 요소들 상에 배치된 제1 스페이서 층,
상기 센서 요소들의 세트의 모든 센서 요소들 보다 적은 수 상에 배치된 제2 스페이서 층, 및
금속 미러를 포함하고,
상기 다중스펙트럼 필터 어레이와 연관된 하나 이상의 다른 층을 상기 다수의 층 상에 증착하는 단계; 그리고
상기 센서 요소들의 대응하는 센서 요소로 지향되는 광의 특성을 변경하는 렌즈를 부착하는 단계;
를 포함하는 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 다수의 층은:
상기 금속 미러를 포함하는 제1 미러 구조; 및
상기 제1 스페이서 층 또는 상기 제2 스페이서 층 중 하나 이상의 부분 상에 증착되는 제2 미러 구조;
를 더 포함하는 것인, 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 다수의 층은,
상기 기판과 상기 제1 미러 구조 사이에 중간층을 더 포함하는 것인, 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 다수의 층은 미러 구조를 포함하고,
상기 미러 구조는,
광의 제1 부분이 상기 센서 요소들의 세트로 향해지도록 하고, 광의 제2 부분이 상기 센서 요소들의 세트로부터 멀리 재-지향되도록 하는, 부분적으로 투명한 재료를 포함하는 것인, 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 금속 미러는,
은(Ag)-기반 재료,
알루미늄(Al)-기반 재료, 또는
구리(Cu)-기반 재료,
중 하나를 포함하는, 방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 다수의 층을 증착하는 단계는:
펄싱 마그네트론 스퍼터링 증착 공정을 사용하여 상기 다수의 층의 하나 이상의 층을 상기 기판 상에 또는 상기 다수의 층의 또 다른 층 상에 증착하는 단계를 포함하는, 방법.
7. 제1항에 있어서, 상기 다수의 층을 증착하는 단계는:
상기 금속 미러를 포함하는 미러 구조를 증착하는 단계; 그리고
리프트-오프 공정을 사용하여 상기 미러 구조 상에 스페이서 층을 형성하는 단계;를 포함하는 것인, 방법.
8. 제1항에 있어서, 상기 제1 스페이서 층은, 상기 금속 미러 상에 연속적 스페이서 층을 형성하는 하나 이상의 이산 부분(discrete portions)을 포함하는 것인, 방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 하나 이상의 이산 부분은 상기 센서 요소들의 세트와 정렬된 복수의 채널에 대응하는 것인, 방법.
.
10. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 다른 층은:
반사-방지 코팅 필터,
대역-외 차단 필터, 또는
고차 억제 필터,
중 하나를 포함하는 것인, 방법.
11. 광학 센서들의 세트와 연관된 기판 상에 제1 미러 구조를 증착하는 단계,
상기 제1 미러 구조는 금속 미러를 포함하고;
상기 제1 미러 구조 상에 제1 스페이서 층을 증착하는 단계,
상기 제1 스페이서 층은 상기 광학 센서들의 세트를 커버하고;
상기 광학 센서들의 세트 전체 보다 적게 커버하는 제2 스페이서 층을 증착하는 단계; 그리고
상기 제1 스페이서 층 또는 상기 제2 스페이서 층 중 하나 이상의 부분 상에 제2 미러 구조를 증착하는 단계를 포함하는, 방법.
12. 제11항에 있어서, 상기 제2 미러 구조는, 상기 광학 센서들의 세트 중 하나 이상의 센서와 정렬되어 배치된, 상이한 금속 미러인, 방법.
13. 제11항에 있어서, 상기 광학 센서들의 세트는 후방 조사 센서 어레이인, 방법.
14. 제11항에 있어서, 상기 제1 스페이서 층 또는 상기 제2 스페이서 층 중 하나 이상은 광원으로부터 상기 광학 센서들의 세트로 지향되는 광의 각도 시프트를 감소시키도록 선택된 재료를 포함하는, 방법.
15. 제11항에 있어서, 상기 광학 센서들의 세트가 규소-기반 웨이퍼에 배치되는 것인, 방법.
16. 제15항에 있어서, 상기 기판은 유리-기반 기판을 포함하고, 그리고,
상기 규소-기반 웨이퍼는 상기 유리-기반 기판에 접합되는 것인, 방법.
17. 광학 센서들의 세트를 제공하는 단계;
상기 광학 센서들의 세트 상에 미러 구조를 증착하는 단계,
상기 미러 구조는 금속 미러를 포함하고; 그리고
상기 미러 구조 상에 복수의 스페이서 층을 증착하는 단계;
를 포함하는 방법으로,
상기 복수의 스페이서 층은:
상기 광학 센서들의 세트를 커버하는 제1 스페이서 층, 및
상기 광학 센서들의 세트 전체 보다 적게 커버하는 제2 스페이서 층;
을 포함하는, 방법.
18. 제17항에 있어서, 상기 복수의 스페이서 층 중 하나 이상의 부분 상에 상이한 미러 구조를 증착하는 단계를 더 포함하는 것인, 방법.
19. 제18항에 있어서, 상기 상이한 미러 구조는, 상기 광학 센서들의 세트 중 하나 이상의 센서와 정렬되어 배치된, 상이한 금속 미러인, 방법.
20. 제17항에 있어서, 상기 복수의 스페이서 층은 제3 스페이서 층을 더 포함하고, 상기 제3 스페이서 층은,
상기 제1 스페이서 층의 일부분 상에 증착되는 제1 부분, 및
상기 제2 스페이서 층의 일부분 상에 증착되는 제2 부분을 포함하는 것인, 방법.
본 발명은 개선된 내구성, 개선된 스펙트럼 범위, 및 감소된 각도 시프트를 가진 광학 센서 디바이스를 제작하기 위한 방법을 제공하는 발명의 효과를 갖는다.
도 1은 여기에 설명된 예시적인 구현예의 개요의 다이어그램;
도 2는 다중스펙트럼 필터 어레이를 가진 센서 디바이스를 제작하기 위한 예시적인 방법의 다이어그램;
도 3a 내지 도 3c는 도 2에 도시된 예시적인 방법에 관한 예시적인 구현예의 다이어그램들;
도 4a 내지 도 4c는 도 2에 도시된 예시적인 방법에 관한 또 다른 예시적인 구현예의 다이어그램들;
도 5a 및 도 5b는 도 2에 도시된 예시적인 방법에 관한 또 다른 예시적인 구현예의 다이어그램들;
도 6a 내지 도 6e는 도 2에 도시된 예시적인 방법에 관한 또 다른 예시적인 구현예의 다이어그램들;
도 7a 및 도 7b는 도 2에 도시된 예시적인 방법에 관한 또 다른 예시적인 구현예의 다이어그램들;
도 8a 및 도 8b는 도 2에 도시된 예시적인 방법에 관한 또 다른 예시적인 구현예의 다이어그램들;
도 9는 도 2에 도시된 예시적인 방법에 관한 예시적인 다이어그램; 및
도 10a 및 도 10b는 도 2에 도시된 예시적인 방법에 관한 예시적인 다이어그램들.
도 2는 다중스펙트럼 필터 어레이를 가진 센서 디바이스를 제작하기 위한 예시적인 방법의 다이어그램;
도 3a 내지 도 3c는 도 2에 도시된 예시적인 방법에 관한 예시적인 구현예의 다이어그램들;
도 4a 내지 도 4c는 도 2에 도시된 예시적인 방법에 관한 또 다른 예시적인 구현예의 다이어그램들;
도 5a 및 도 5b는 도 2에 도시된 예시적인 방법에 관한 또 다른 예시적인 구현예의 다이어그램들;
도 6a 내지 도 6e는 도 2에 도시된 예시적인 방법에 관한 또 다른 예시적인 구현예의 다이어그램들;
도 7a 및 도 7b는 도 2에 도시된 예시적인 방법에 관한 또 다른 예시적인 구현예의 다이어그램들;
도 8a 및 도 8b는 도 2에 도시된 예시적인 방법에 관한 또 다른 예시적인 구현예의 다이어그램들;
도 9는 도 2에 도시된 예시적인 방법에 관한 예시적인 다이어그램; 및
도 10a 및 도 10b는 도 2에 도시된 예시적인 방법에 관한 예시적인 다이어그램들.
예시적인 구현에 대한 다음의 상세한 설명은 첨부한 도면을 참조한다. 상이한 도면에서 동일한 참조 부호는 동일한 또는 유사한 요소를 식별할 수 있다.
센서 요소(예컨대, 광학 센서)는 전자기 주파수의 세트에 관한 정보(예컨대, 스펙트럼 데이터)를 획득하기 위해 광학 센서 디바이스로 통합될 수 있다. 예를 들면, 광학 센서 디바이스는 특정한 광학 센서로 지향된 광의 센서 측정을 수행할 수 있는 이미지 센서, 다중스펙트럼 센서 등과 같은, 특정한 광학 센서를 포함할 수 있다. 이 경우에, 광학 센서는 상보적 금속-산화물-반도체(CMOS) 기술을 사용한 이미지 센서, 전하-결합 디바이스(CCD) 기술을 사용한 이미지 센서 등과 같은, 하나 이상의 이미지 센서 기술을 이용할 수 있다. 광학 센서 디바이스는 각각이 정보를 획득하도록 구성된, 다수의 센서 요소(예컨대, 센서 요소의 어레이)를 포함할 수 있다. 부가적으로, 또는 대안적으로, 광학 센서 디바이스는 각각이 광의 상이한 파장과 연관된, 이미지의 세트를 획득하도록 구성된 센서 요소(예컨대, 광학 센서)들의 세트를 포함할 수 있다.
센서 요소는 센서 요소로의 광을 필터링하는 필터와 연관될 수 있다. 예를 들면, 센서 요소는 센서 요소로 지향된 광의 일부분이 필터링되게 하기 위해 선형 가변 필터(LVF), 순환 가변 필터(CVF), 파브리-페롯(Fabry-Perot) 필터 등과 정렬될 수 있다. 그러나, LVF 또는 CVF를 사용하여 필터 어레이를 통합하거나 또는 반도체에 관련하여 필터를 패터닝하는 것은 어려울 수 있다. 게다가, 다중스펙트럼 감지를 위해 이용되는, 필터의 몇몇 세트는 비교적 높은 각도 시프트 값, 비교적 낮은 스펙트럼 범위 등과 연관될 수 있으며, 이것은 캡처될 수 있는 정보의 스펙트럼 범위 또는 캡처되는 정보의 정확도를 감소시킬 수 있다.
본 명세서에서 설명된 구현예들은 다중스펙트럼 감지를 위해 금속 미러를 사용한 환경적으로 내구성이 있는 필터 어레이를 이용할 수 있다. 이러한 방식으로, 광학 필터는 하나 이상의 다른 유형의 필터에 대해 개선된 내구성, 개선된 스펙트럼 범위, 및 감소된 각도 시프트를 가진 광학 센서 디바이스를 위해 제공될 수 있다. 게다가, 반도체-기반 센서 요소 또는 센서 요소 어레이로 필터를 통합할 때의 어려움은 하나 이상의 다른 유형의 필터에 관하여 감소될 수 있다.
도 1은 본 명세서에서 설명된 예시적인 구현예(100)의 개요의 다이어그램이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 다중스펙트럼 필터(105)(예컨대, 이진 구조 필터 어레이)는 제1 미러(110-1), 제2 미러(110-2) 및 스페이서(120)를 포함할 수 있다.
도 1에서 추가로 도시된 바와 같이, 제1 미러(110-1)와 제2 미러(110-2)는 스페이서(120)를 사이에 끼울 수 있다. 다시 말해서, 스페이서(120)는 임계 거리만큼 제1 미러(110-1)와 제2 미러(110-2)를 분리할 수 있고/있거나, 스페이서(120)의 면은 제1 미러(110-1) 및 제2 미러(110-2)에 의해 둘러싸일 수 있다. 몇몇 구현예에서, 미러(110)는 특정한 재료와 연관될 수 있다. 예를 들면, 미러(110)는 금속(예컨대, 은)의 증착된 층일 수 있다. 미러(110)는 다중스펙트럼 필터 어레이의 각각의 채널과 연관된 센서 요소 어레이의 각각의 센서 요소와 정렬할 수 있다.
몇몇 구현예에서, 스페이서(120)는 하나 이상의 스페이서 층(130)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 스페이서(120)는 스페이서 층(130-1 내지 130-5)(예컨대, 유전체 층)의 세트를 포함할 수 있다. 몇몇 구현예에서, 하나 이상의 층(130)의 두께는 특정한 파장에 대한 최소 스페이서 두께를 보장하는 것과 연관될 수 있다.
하나 이상의 센서로 지향될 380 나노미터(㎚)의 파장에 대해서와 같은, 몇몇 예에서, 층(130-1)은 2.448의 굴절률 및 190㎚의 광학 두께를 가진 스페이서 재료에 대해 77.6㎚의 두께와 연관될 수 있다. 이러한 방식으로, 스페이서(120)는 하나 이상의 센서 요소로 지향될 광의 최소 파장에 대해 미러(110)들 사이에서의 최소 간격을 보장한다. 몇몇 구현예에서, 하나 이상의 스페이서 층(130)의 두께는 이진 수열(binary progression)에 기초하여 관련될 수 있다. 예를 들면, 스페이서 층(130-2)은 대략 56.6 나노미터(㎚)의 두께와 연관될 수 있고, 스페이서 층(130-3)은 대략 28.3㎚의 두께와 연관될 수 있고, 스페이서 층(130-4)은 대략 14.1㎚의 두께와 연관될 수 있으며, 스페이서 층(130-5)은 대략 7.1㎚의 두께와 연관될 수 있다.
몇몇 구현예에서, 다중스펙트럼 필터(105)는 광학 센서 디바이스와 연관된 기판 상에 증착될 수 있다. 예를 들면, 미러(110-1)는 정보(예컨대, 스펙트럼 데이터)를 캡처하기 위해 센서 요소의 어레이를 포함하는 기판에 (예컨대, 증착 공정 및/또는 포토리소그래픽 리프트-오프 공정(lift-off process)을 통해) 증착될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 스페이서(120)는 다수의 파장에 관한 정보의 캡처를 허용할 수 있다. 예를 들면, 제1 센서 요소(센서 어레이의 후방 조사 광학 센서 또는 전방 조사 광학 센서)와 정렬된 스페이서(120)의 제1 부분은 제1 두께와 연관될 수 있으며 제2 센서 요소와 정렬된 스페이서(120)의 제2 부분은 제2 두께와 연관될 수 있다. 이 경우에, 제1 센서 요소 및 제2 센서 요소로 지향되는 광은 제1 두께에 기초한 제1 센서 요소에서의 제1 파장 및 제2 두께에 기초한 제2 센서 요소에서의 제2 파장에 대응할 수 있다. 이러한 방식으로, 다중스펙트럼 필터(105)는 다수의 부분과 연관된 스페이서(예컨대, 스페이서(120))를 사용하여 광학 센서 디바이스에 의한 다중스펙트럼 감지를 허용하며, 이것은 광학 센서 디바이스의 다수의 센서 요소와 정렬된, 다수의 두께와 연관된다.
몇몇 구현예에서, 미러(110)는 보호층과 연관될 수 있다. 예를 들면, 보호층은 미러(110-1)의 열화의 가능성을 감소시키기 위해 미러(110-1)로 (예컨대, 미러(110-1)와 스페이서(120) 사이에서) 증착될 수 있으며, 그에 의해 다중스펙트럼 필터(105)를 이용하는 광학 센서 디바이스의 내구성을 개선한다. 몇몇 구현예에서, 미러(110) 및/또는 스페이서(120)는 테이퍼링 에지와 연관될 수 있다. 예를 들면, 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 미러(110) 및/또는 스페이서(120)의 에지 부분은 광학 센서로 광을 향하게 하는 것과 연관된 미러(110) 및/또는 스페이서(120)의 또 다른 부분(예컨대, 비-에지 부분)을 막지 않고 에지 부분의 열화의 가능성을 감소시키기 위해 또 다른 층(예컨대, 보호층)이 에지 부분 상에 증착되도록 허용할 수 있으며, 그에 의해 다중스펙트럼 필터(105)를 이용하는 광학 센서 디바이스의 내구성을 개선한다.
위에서 나타낸 바와 같이, 도 1은 단지 예로서 제공된다. 다른 예가 가능하며 도 1에 관하여 설명된 것과 상이할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 다중스펙트럼 필터(105)와 같은, 다중스펙트럼 필터 어레이를 가진 광학 센서 디바이스를 제작하기 위한 예시적인 방법(200)을 예시한 흐름도이다. 방법(200)은 스펙트럼 측정에 관한 정보를 캡처하기 위해 사용된 다중스펙트럼 필터 어레이를 가진 광학 센서 디바이스의 설계에 적용될 수 있다. 도 3a 내지 도 3c는 도 2에 도시된 예시적인 방법(200)에 관한 예시적인 구현예(300)의 다이어그램들이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 방법(200)은 광학 센서 디바이스 상에서 제작을 시작하는 것을 포함할 수 있다(블록 210). 예를 들면, 도 3a에 도시된 바와 같이 및 참조 부호(304)에 의해, 기판(306)은 기판(306)에 내장된 센서 요소(308)의 세트를 포함할 수 있다. 몇몇 구현예에서, 기판(306)은 특정한 조성과 연관될 수 있다. 예를 들면, 기판(306)은 규소-기반 기판 등을 포함할 수 있다. 또 다른 예에서, 기판(306)은 유리-기반 기판을 포함할 수 있으며, 센서 요소(308)는 규소-기반 웨이퍼에 배치되고, 이것은 도 8a 및 도 8b도 8b와 관련하여 본 명세서에서 설명된 바와 같이 유리-기반 기판에 접합된다. 부가적으로, 또는 대안적으로, 기판(306)은 비교적 높은 온도 조건하에서 비교적 낮은 파장 또는 스펙트럼 시프트와 연관되는 다중스펙트럼 필터 어레이(예컨대, 열 내성 필터 어레이)와 연관될 수 있다.
몇몇 구현예에서, 기판(306)은 센서 요소(308)의 세트에 의해 획득된 정보를 제공하기 위해 하나 이상의 전도성 경로(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 기판(306)은 기판(306)이 또 다른 디바이스에 장착되며 데이터를 센서 요소(308)의 세트로부터 카메라 디바이스, 스캐닝 디바이스, 측정 디바이스, 프로세서 디바이스, 마이크로제어기 디바이스 등과 같은, 다른 디바이스에 제공하도록 허용하는 전도성 경로의 세트를 포함할 수 있다. 몇몇 구현예에서, 기판(306)은 기판 재료의 다수의 층과 연관될 수 있다. 예를 들면, 기판(306)은 다-층 기판을 포함할 수 있으며, 그것의 층은 센서 요소(308)의 세트를 수용하는 것과 연관된다.
몇몇 구현예에서, 기판(306)은 특정한 유형의 센서 요소(308)와 연관될 수 있다. 예를 들면, 기판(306)은 하나 이상의 포토다이오드들(예컨대, 포토다이오드 어레이), 센서 어레이 코팅의 또는 CMOS 기술에 근접한 하나 이상의 센서 요소, CCD 기술 등과 연관될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 기판(306)은 후방 조사식 광학 센서들의 세트와 연관될 수 있다. 이 경우에, 기판(306)은 또 다른 구성에 관하여 더 얇을 수 있으며, 그에 의해 광이 규소 표면을 통해 광학 센서로 향하게 되도록 허용한다.
도 2에서 더욱 도시된 바와 같이, 방법(200)은 광학 센서 디바이스와 연관된 기판으로 다중스펙트럼 필터 어레이의 다수의 층을 증착시키는 것을 포함할 수 있다(블록 220). 예를 들면, 도 3a에서 추가로 도시된 바와 같이, 그리고 참조 부호(310)에 의해, 제1 미러 구조(312)가 기판(306) 상에 증착될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 제1 미러 구조(312)는 광학 센서 디바이스의 센서 요소(예컨대, 센서 요소(308))의 세트와 정렬하여 배치된 단일의, 고체 금속 미러일 수 있다. 몇몇 구현예에서, 제1 미러 구조(312)는 균일한 두께와 연관될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 제1 미러 구조(312)는, 예컨대, 기판(306)과 제1 미러 구조(312) 사이에서의 중간층 상에서, 기판(306)의 임계 근접성 내에 배치될 수 있다. 다시 말해서, 제1 미러 구조(312)는 반드시 기판(306)으로 배치되는 것은 아니며, 기판(306)과 제1 미러 구조(312) 사이에서의 중간층 상에 배치될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 미러 구조(312)는 금속 조성물(예컨대, 금속 미러)과 같은, 특정한 조성과 연관될 수 있다. 예를 들면, 미러 구조(312)는 은(Ag)-기반 재료, 알루미늄(Al)-기반 재료, 구리(Cu)-기반 재료 등을 이용할 수 있다. 몇몇 구현예에서, 미러 구조(312)는 부분적으로 투명한 재료를 포함할 수 있다. 예를 들면, 미러 구조(312)는 광의 제1 부분(예컨대, 제1 파장 대역)이 센서 요소(308)의 세트로 향해지도록 및 광의 제2 부분(예컨대, 제2 파장 대역)이 센서 요소(308)의 세트로부터 멀리 재-지향되도록 허용할 수 있다. 몇몇 구현예에서, 미러 구조(312) 및/또는 하나 이상의 다른 층은 펄싱 마그네트론 스퍼터링 증착 공정(pulsed magnetron sputtering process), 리프트-오프 공정 등을 사용하여 기판(306) 상에 또는 또 다른 층 상에 증착될 수 있다. 예를 들면, 코팅 플랫폼은 특정한 증착 공정을 사용하여 40㎚ 내지 50㎚의 두께 또는 또 다른 유사한 두께로 미러 구조(312)를 증착시키는 것과 연관될 수 있다. 유사하게, 코팅 플랫폼은 특정한 반도체 웨이퍼 크기(예컨대, 200 밀리미터(mm) 웨이퍼 또는 300mm 웨이퍼)와 연관될 수 있으며, 특정한 두께(예컨대, 몇몇 스페이서 층에 대해 5 나노미터(㎚) 미만 두께, 2㎚ 미만 두께, 또는 1㎚ 미만 두께 및 다른 스페이서 층에 대해 5㎚ 초과, 50㎚ 초과, 또는 100㎚ 초과와 같은 다른 두께)의, 본 명세서에서 설명된, 스페이서 층의 증착을 수행하기 위해 펄싱 마그네트론을 이용할 수 있다.
몇몇 구현예에서, 스페이서의 스페이서 층들의 세트는 또 다른 미러 구조로부터 미러 구조(312)를 분리하기 위해 증착될 수 있다. 예를 들면, 도 3a에서 추가로 도시된 바와 같이, 그리고 참조 부호(314)에 의해, 스페이서의 제1 스페이서 층(316)은 미러 구조(312)로 증착될 수 있다(예컨대, 펄싱 마그네트론 스퍼터링 증착 공정을 사용하여). 몇몇 구현예에서, 제1 스페이서 층(316)은 패터닝 기술에 기초하여 미러 구조(312)로 증착될 수 있다. 예를 들면, 리프트-오프공정은 특정한 두께를 가진 제1 스페이서 층(316)을 형성하기 위해 이용될 수 있다. 제1 스페이서 층(316) 및/또는 또 다른 스페이서 층은 미러 구조(312)로 완전히 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 스페이서 층(316)은 연속적인, 고체 금속 미러 상에 연속적 스페이서 층을 형성하는 하나 이상의 이산 부분을 포함할 수 있다. 이 경우에, 제1 스페이서 층(316) 및/또는 하나 이상의 다른 스페이서 층은 센서 요소들의 세트와 정렬된 복수의 채널을 형성할 수 있으며, 이것은 본 명세서에서 설명된, 제1 미러 구조(312) 및 또 다른 미러 구조를 가진 층의 완전한 세트로서, 광을 대응하는 복수의 센서 요소(308)로 향하게 한다.
몇몇 구현예에서, 본 명세서에서 설명된, 제1 미러 구조(312) 및 또 다른 미러 구조에 관련하여, 제1 스페이서 층(316)은 특정한 필터링 기능을 구현하는 것과 연관될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 원하는 스펙트럼 범위(예컨대, 대략 380 나노미터 내지 대략 1100 나노미터) 또는 감소된 각도 시프트에 대한 요구에 기초하여, 제1 스페이서 층(316) 및/또는 하나 이상의 다른 스페이서 층은 산화물-기반 재료(예컨대, 가시 스펙트럼 범위용의 산화니오븀, 산화티타늄, 산화탄탈, 또는 이들의 조합물), 규소-기반 재료(예컨대, 650㎚ 이상의 스펙트럼 범위용의 규소 수소화물, 탄화규소(SiC), 또는 규소(Si)), 게르마늄(Ge)-기반 재료(예컨대, 적외선 스펙트럼 범위용) 등을 이용할 수 있다. 몇몇 구현예에서, 제1 스페이서 층(316)은 또 다른 재료에 대해 각도 시프트에서의 감소를 달성하기 위해 특정한 재료를 이용할 수 있다. 예를 들면, Si-H 기반 재료를 이용하는 것은 규소-이산화물(SiO2)-기반 재료를 사용하는 것에 대해 감소된 각도 시프트를 야기할 수 있다. 또 다른 예에서, 제1 스페이서 층(316)은 또 다른 유형의 산화물 재료, 질화물 재료, 플루오르화물 재료 등을 이용할 수 있다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 그리고 참조 부호(318)에 의해, 제2 스페이서 층(320)은 제1 스페이서 층(316) 상에 증착될 수 있다. 예를 들면, 제2 스페이서 층(320)은 반응성 마그네트론 스퍼터링 공정, 펄싱-마그네트론 스퍼터링 공정, 이온 빔 보조 증착 공정, 이온 빔 스퍼터링 공정, 듀얼 이온 빔 스퍼터링 공정, 반응성 직류 스퍼터링 공정, 교류 스퍼터링 공정, 라디오 주파수 스퍼터링 공정, 원자 층 증착 공정 등을 사용하여 증착될 수 있다. 부가적으로, 또는 대안적으로, 층(312, 316, 320 등)에 대한 것과 같은, 본 명세서에서 설명된, 다른 증착물이 유사하게 증착될 수 있다. 층의 증착의 특정한 순서에 대하여 여기에서 설명되었지만, 층의 증착의 또 다른 순서가 이용될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 제2 스페이서(120)는 제1 스페이서 층(316)에 관한 두께와 연관될 수 있다. 예를 들면, 제1 스페이서 층(316)은 제1 두께(t0)와 연관되고, 제2 스페이서 층(320)은 제2 두께(t1)를 갖고 증착될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 제2 스페이서 층(320)은 제1 스페이서 층(316)의 일부분 상에 증착될 수 있다. 예를 들면, 채널들의 세트에 대한(예컨대, 채널들의 세트와 연관된 센서 요소(308)의 세트에 대한) 원하는 스페이서 두께 배열에 기초하여, 제2 스페이서 층(320)은 제1 센서 요소(308)가 제1 스페이서 두께와 연관되게 하며 제2 센서 요소(308)가 제2 스페이서 두께와 연관되게 하기 위해 제1 스페이서 층(316)의 표면의 서브세트로 증착될 수 있으며, 그에 의해 제1 센서 요소(308)가 제1 파장과 연관된 정보를 캡처하며 제2 센서 요소(308)가 제2 파장과 연관된 정보를 캡처하도록 허용한다. 예를 들면, 제1 층이 증착될 수 있으며 센서 요소들의 세트를 커버할 수 있고, 제2 층이 증착될 수 있으며 센서 요소들의 세트의 절반을 커버할 수 있고, 제3 층이 증착될 수 있으며 센서 요소들의 세트의 일부분을 커버할 수 있다. 스페이서 층들의 세트의 패터닝에 대한 추가 상세가 도 4a 내지 도 4c 및 도 5a 및 도 5b에 관하여 설명된다.
도 3b에서 추가로 도시된 바와 같이, 그리고 참조 부호(322)에 의해, 제3 스페이서 층(324)은 제2 스페이서 층(320) 및/또는 제1 스페이서 층(316) 상에 증착될 수 있다. 예를 들면, 제3 스페이서 층(324) 및/또는 하나 이상의 후속 스페이서 층(도시되지 않음)이 증착될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 제3 스페이서 층(324)(및/또는 하나 이상의 다른 스페이서 층(n), 여기에서 n≥2)은 이전 층(제3 스페이서 층(324)에 대해 제2 스페이서 층(320))의 두께의 절반과 연관될 수 있다. 다시 말해서, 제3 스페이서 층(324)은 제2 스페이서 층(320)의 두께의 1/2의 두께를 가질 수 있다. 몇몇 구현예에서, 제3 스페이서 층(324)은 제1 스페이서 층(316) 및/또는 제2 스페이서 층(320)의 일부분으로 선택적으로 증착될 수 있다. 예를 들면, 제3 스페이서 층(324)의 제1 부분은 제1 스페이서 층(316)의 일부분 상에 증착될 수 있으며 제3 스페이서 층(324)의 제2 부분은 제2 스페이서 층(320)의 일부분으로 증착될 수 있고, 그에 의해 다수의 센서 요소(308)가 다수의 스페이서 두께와 연관되며 다수의 파장과 연관된 정보를 캡처하도록 허용한다.
도 3b에서 추가로 도시된 바와 같이, 그리고 참조 부호(326)에 의해, 미러 구조(328)가 증착될 수 있다. 예를 들면, 미러 구조(328)는 하나 이상의 층(예컨대, 제1 스페이서 층(316), 제2 스페이서 층(320), 제3 스페이서 층(324), 또는 또 다른 후속 층)의 하나 이상의 부분 상에 증착될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 미러 구조(328)는 광학 센서 디바이스의 광학 센서(예컨대, 센서 요소(308))와 정렬하여 배치된 고체의, 금속 미러일 수 있다. 증착되는 스페이서 층(316, 320, 및 324)에 기초하여, 미러 구조(328)는 스페이서에 의해 미러 구조(312)로부터 분리된다. 이러한 방식으로, 광은 하나 이상의 파장에서 하나 이상의 센서 요소(308)로 지향될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 또 다른 층은 미러 구조(328)와 스페이서 층(324) 사이에서 증착될 수 있다. 예를 들면, 보호 프레임 층, 박막 층 등은 하나 이상의 기능을 수행하기 위해 증착될 수 있다. 도 3c에 도시된 바와 같이, 렌즈(330)를 증착시키기 전에, 층(332)의 대역-외 차단기 세트(예컨대, 패터닝된 차단기를 형성하는 층들의 세트)가 증착될 수 있다. 대안적으로, 층(334)의 반사-방지 코팅 세트가 증착될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 다수의 이산 필터 코팅이 증착될 수 있다. 부가적으로, 또는 대안적으로, 단일 차단기는 다수의 파장, 다수의 채널 등을 위해 대역-외 광을 억제하기 위해 증착될 수 있다. 또 다른 예에서, 미러 구조의 은을 캡슐화하는 아연 산화물(ZnO) 층과 같은, 보호층이 제공될 수 있다.
도 2에서 추가로 도시된 바와 같이, 방법(200)은, 몇몇 구현예에서, 다중스펙트럼 필터 어레이와 연관된 하나 이상의 다른 층을 증착시키는 것을 포함할 수 있다(블록 230). 예를 들면, 반사-방지 코팅 필터, 대역-외 차단 필터, 고차 억제 필터 등과 같은, 필터가, 도 7a 및 도 7b 및 도 9에 관하여, 여기에서, 상세히 설명된 바와 같이, 예컨대, 미러 구조(328) 상에 증착될 수 있다.
도 2에서 추가로 도시되는 바와 같이, 방법(200)은 다중스펙트럼 필터 어레이를 갖고 광학 센서 디바이스를 완성하는 것을 포함할 수 있다(블록 240). 예를 들면, 도 3b에서 추가로 도시되는 바와 같이 및 참조 부호(326)에 의해, 렌즈(330)의 세트는 미러 구조(328)에 부착될 수 있다. 예를 들면, 유리 렌즈, 플라스틱 렌즈 등과 같은, 특정한 렌즈(330)가, 광을 집중시키고, 광을 왜곡시키고, 광을 향하게 하고, 광이 광학 센서 디바이스에 들어갈 수 있는 각도 공차를 증가시키고, 광학 센서 디바이스의 센서 요소(308)로 향하게 되는 광의 양을 증가시키는 등과 같은, 대응하는 센서 요소(308)로 지향되는 광의 특성을 변경하기 위해 미러 구조(328)에 부착될 수 있다.
이러한 방식으로, 다중스펙트럼(예컨대, 이진 구조) 파브리-페롯 필터 어레이는 금속 미러를 사용하여 구성될 수 있다. 몇몇 구현예에서, Nb2O5-기반 스페이서 또는 TiO2-기반 스페이서는 가시 스펙트럼 범위에 대해 선호될 수 있다. 몇몇 구현예에서, Nb2O5 및 Si:H 또는 TiO2 및 Si:H의 조합은 근적외선(NIR) 스펙트럼 범위(예컨대, 750㎚에서 1100㎚까지)에 대해 선호될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 비정질 규소 또는 수소화 비정질 규소이 사용될 수 있다. 부가적으로, 또는 대안적으로, Ag-기반 금속 미러를 이용하는 것에 기초하여, 비교적 큰 스펙트럼 대역폭이 달성될 수 있다. 부가적으로, 또는 대안적으로, 펄싱 마그네트론 스퍼터링 공정 및/또는 리프트오프 공정을 이용하는 것에 기초하여, 다중스펙트럼 파브리-페롯 필터 어레이는 과도한 제조의 어려움 없이 반도체 기판을 가진 광학 센서 디바이스로 통합될 수 있다.
도 2는 방법(200)의 예시적인 블록을 도시하지만, 몇몇 구현예에서, 방법(200)은 도 2에서 묘사된 것보다 부가적인 블록, 보다 적은 블록, 상이한 블록, 또는 상이하게 배열된 블록을 포함할 수 있다. 부가적으로, 또는 대안적으로, 방법(200)의 블록 중 둘 이상은 동시에 수행될 수 있다. 상기 표시된 바와 같이, 도 3a 내지 도 3c는 단지 예로서 제공된다. 다른 예가 가능하며 도 3a 내지 도 3c에 관하여 설명된 것과 상이할 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 도 2에 도시된 예시적인 방법(200)에 관한 예시적인 구현예(400)의 다이어그램이다. 도 4a 내지 도 4c는 다중스펙트럼 필터에 대한 필터 어레이 레이아웃의 예를 도시한다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 필터 어레이(401)는 층들의 세트와 연관될 수 있다. 필터 어레이(401)는 16개의 센서 요소에 대응하는 16개 채널(예컨대, 광학 채널)을 포함한 4×4 필터 어레이일 수 있다. 몇몇 구현예에서, 필터 어레이(401)는 도 1에서의 단면에 도시된 예시적인 다중스펙트럼 필터(105)에 대응한다. 몇몇 구현예에서, 각각의 채널은 센서 어레이와 연관될 수 있다. 예를 들면, 채널은 채널을 사용하여 광원으로부터 지향된 광에 관한 정보를 캡처하는 것과 연관된 센서 요소들의 세트를 가진 센서 어레이를 포함할 수 있다. 몇몇 구현예에서, 각각의 채널은 각각의 층에 대한 특정한 두께와 연관될 수 있다. 채널의 층들의 세트의 두께는 채널에 대응하는 광학 센서에 의해 캡처될 정보의 원하는 파장에 기초하여 선택될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 4×4 필터 어레이(예컨대, 또는 또 다른 차원 필터 어레이)는 모자이크 패턴(예컨대, 스냅샷 베이어 모자이크 패턴), 타일 패턴(예컨대, 스냅샷 타일 패턴), 라인 패턴(예컨대, 연속적 라인-스캔 패턴 또는 비연속적 라인-스캔 패턴) 등과 같은, 특정한 패터닝과 연관될 수 있다.
광학 센서에 의해 캡처될 스펙트럼 범위에 기초하여, 4×4 필터 어레이의 미러에 의해 끼워진 스페이서 층의 두께가 결정될 수 있다:
tmax = 2 * (λmax / (4*nref));
tmin = 2 * (λmin / (4*nref))
여기에서 tmax는 정보가 캡처될 최고 중심 파장에 대한 미러 구조의 세트를 분리하는 스페이서 층의 총 두께를 나타내고, λmax는 정보가 캡처될 최고 중심 파장을 나타내고, nref는 스페이서 층의 굴절률을 나타내고, tmin은 정보가 캡처될 최저 중심 파장에 대한 미러 구조의 세트를 분리하는 스페이서 층의 총 두께를 나타내며, λmin은 정보가 캡처되는 최저 중심 파장을 나타낸다.
채널들의 세트(예컨대, 4×4 필터 어레이의 16개 채널)를 형성하기 위해 증착되는 스페이서 층의 층의 수량이 결정될 수 있다:
c = 2x
여기에서 c는 증착된 x인 스페이서 층의 주어진 수량에 대해 생성될 수 있는 채널의 최대 수를 나타낸다. 몇몇 구현예에서, 최대 수량 미만의 채널은 스페이서 층의 특정한 수량에 대해 선택될 수 있다. 예를 들면, 16개 채널의 최대치가 4개의 스페이서 층의 증착과 함께 생성될 수 있지만, 9개 채널, 10개 채널 등과 같은, 또 다른 수량의 채널이 4개의 스페이서 층을 위해 선택될 수 있다. 이 경우에, 하나 이상의 채널은 생략되거나 또는 중복될 수 있다. 예를 들면, 특정한 광학 센서가 특정한 파장에 대한 정보를 캡처하기 위한 열악한 성능과 연관될 때, 특정한 파장에 관한 정보는 정보의 정확도를 개선하기 위해 다수의 채널과 연관된 다수의 광학 센서에 의해 캡처되도록 야기될 수 있다.
특정한 채널(예컨대, 등거리 채널들의 세트에 대한)의 스페이서 층의 각각의 층에 대한 두께가 결정될 수 있다:
t0 = tmin;
t1 = (c/2) / ((c-1) * 2 * nref) * (λmax - λmin);
tn = tn-1/2;
n = log2(c)
여기에서 tn은 제n 층(예컨대, t0은 제1 층이며 t1은 제2 층이다)의 두께를 나타내며 c는 채널들의 세트 중 채널에 대한 채널 번호를 나타낸다. 몇몇 구현예에서, 비-등거리 채널들의 세트가 이용될 수 있다. 예를 들면, 채널의 비연속적 패터닝은 제1 세트의 파장 및 제1 세트의 파장과 비연속적인 제2 세트의 파장에 관한 정보를 획득하기 위해 선택될 수 있다. 이 경우에, tmin 및 tmax가 여전히 결정될 수 있지만, 상이한 세트의 중간층이 선택될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 상이한 수량의 채널이 이용될 수 있다. 부가적으로, 또는 대안적으로, 채널의 패터닝은 공통 두께를 가진 다수의 채널을 갖고 이용될 수 있으며, 그에 의해 다수의 광학 센서가 광의 공통 파장에 관한 정보를 캡처하도록 허용한다.
참조 부호(402)에 의해 도시된 바와 같이, 필터 어레이(401)는 층(402), N(예컨대, 제1 미러 구조와 제2 미러 구조 사이에서의 스페이서 층)을 포함하며, 각각의 채널은 광의 특정한 파장이 대응하는 광학 센서로 지향되게 하기 위해 특정한 두께와 연관된다. 예를 들면, 층(402)의 제1 그룹의 채널은 두께 8*t4의 층(여기에서 t4는 제4 층의 두께를 나타냄)이 (예컨대, 제1 유전체 미러 구조 상에, 또는 예컨대, 제1 유전체 미러 구조 상에 증착되는 산화물-기반 보호층과 같은 또 다른 층 상에) 증착되는 것을 나타내는, 8*t4의 두께와 연관된다. 유사하게, 층(402)의 제2 그룹의 채널은 이들 채널에 대해, 증착이 수행되지만, 리프트-오프가 증착되는 재료를 제거하기 위해 사용됨을 나타내는, 0*t4의 두께와 연관된다.
도 4a에서 추가로 도시된 바와 같이, 그리고 참조 부호(404)에 의해, 층(404), N+1은 층(402) 상에 증착된다. 층(404)은 4*t4와 연관된 제1 그룹의 채널 및 0*t4의 두께와 연관된 제2 그룹의 채널을 포함한다. 몇몇 구현예에서, 층(404)의 두께는 층(402)의 두께에 기초하여 선택된다. 예를 들면, 다중스펙트럼 필터(예컨대, 필터 층의 이진 수열과 연관된 필터)를 제조할 때, 층(404)의 두께는 층(402)의 두께의 1/2로서 선택될 수 있다. 또 다른 예에서, 층(402)과 층(404) 사이에서의 또 다른 관계가 이용될 수 있다. 예를 들면, 층(404)은 층(402)의 두께의 75%일 수 있으며 후속 층은 층(404)의 두께의 33%, 25% 등일 수 있다. 또 다른 예에서, 층(404)은 층(402)의 두께의 50%일 수 있으며 후속 층은 층(404)의 두께의 33%, 층(404)의 두께의 10% 등일 수 있다.
도 4a에서 추가로 도시된 바와 같이, 그리고 참조 부호(406)에 의해, 층(406), N+2은 층(404) 상에 증착된다. 층(406)은 2*t4의 두께와 연관된 제1 그룹의 채널 및 0*t4의 두께와 연관된 제2 그룹의 채널을 포함한다. 참조 부호(408)에 의해 도시된 바와 같이, 층(408), N+3은 층(406) 상에 증착된다. 층(408)은 1*t4의 두께와 연관된 제1 그룹의 채널 및 0*t4의 두께와 연관된 제2 그룹의 채널을 포함한다. 참조 부호(410)에 의해 도시된 바와 같이, 층(N 내지 N+3)의 두께는 각각의 채널에 대해 각각의 층의 두께를 합산하는 것에 기초하여 필터 어레이(401)에 대해 식별된다. 예를 들면, 필터 층의 배열 및 이진 수열에 기초하여, 각각의 채널은 상이한 두께와 연관될 수 있으며, 그에 의해 각각의 대응하는 광학 센서가 상이한 파장에 관한 정보를 캡처하도록 허용한다. t1 내지 tn이 증착되는 층(t0)의 두께(예컨대, tmin)는 그것에 관한 정보(예컨대, 스펙트럼 데이터)가 캡처되는 광의 파장에 관련될 수 있다.
*도 4b에 도시된 바와 같이, 유사한 필터 어레이(421)는 층들의 세트와 연관될 수 있으며, 각각은 하나 이상의 두께와 연관된다. 참조 부호(422)에 의해 도시된 바와 같이, 층(422), M은 8*t4의 두께와 연관된 제1 그룹의 채널 및 0*t4의 두께와 연관된 제2 그룹의 채널을 포함한다. 참조 부호(424)에 의해 도시된 바와 같이, 층(424), M+1은 4*t4의 두께와 연관된 제1 그룹의 채널 및 0*t4의 두께와 연관된 제2 그룹의 채널을 포함한다. 참조 부호(426)에 의해 도시되 바와 같이, 층(426), M+2은 2*t4의 두께를 가진 제1 그룹의 채널 및 0*t4의 두께를 가진 제2 그룹의 채널을 포함한다. 참조 부호(428)에 의해 도시된 바와 같이, 층(428), M+3은 1*t4의 두께를 가진 제1 그룹의 채널 및 0*t4의 두께를 가진 제2 그룹의 채널을 포함한다. 참조 부호(430)에 의해 도시된 바와 같이, 층(422, 424, 426, 및 428)을 증착시킨 결과는 필터 어레이(421)의 채널들의 세트에 대한 두께의 세트이며, 필터 어레이(421)의 광학 센서가 파장의 세트에 관한 정보를 캡처하도록 허용한다.
도 4c에 도시된 바와 같이, 또 다른 필터 어레이(441)는 필터 어레이(401) 및 필터 어레이(421)의 4×4 배열보다는 16개 채널의 선형 배열을 이용할 수 있다. 참조 부호(442)에 의해 도시된 바와 같이, 층(442), L은 8*t4의 두께를 가진 제1 그룹의 채널 및 0*t4의 두께를 가진 제2 그룹의 채널을 포함한다. 참조 부호(444)로 표시된 바와 같이, 층(444), L+1은 4*t4의 두께를 가진 제1 그룹의 채널 및 0*t4의 두께를 가진 제2 그룹의 채널을 포함한다. 참조 부호(446)에 의해 도시된 바와 같이, 층(446), L+2는 2*t4의 두께를 가진 제1 그룹의 채널 및 0*t4의 두께를 가진 제2 그룹의 채널을 포함한다. 참조 부호(448)에 의해 도시된 바와 같이, 층(448), L+3은 1*t4의 두께를 가진 제1 그룹의 채널 및 0*t4의 두께를 가진 제2 그룹의 채널을 포함한다. 참조 부호(450)에 의해 도시된 바와 같이, 층(442, 444, 446, 및 448)을 증착시킨 결과는 광학 센서들의 세트가 파장의 세트에 관한 정보를 캡처하게 하기 위해 필터 어레이(441)의 채널들의 세트에 대한 두께의 세트이다.
상기 표시된 바와 같이, 도 4a 내지 도 4c는 단지 예로서 제공된다. 다른 예가 가능하며 도 4a 내지 도 4c에 관하여 설명된 것과 상이할 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 도 2에 도시된 예시적인 방법(200)에 관한 예시적인 구현예(500)의 다이어그램이다. 도 5a 및 도 5b는 불균일한 채널 간격을 가진 다중스펙트럼 필터에 대한 필터 어레이 레이아웃의 예를 도시한다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 필터 어레이(501)(예컨대, 다중스펙트럼 필터)는 비-등거리 채널 레이아웃을 이용할 수 있다. 예를 들면, 참조 부호(502 내지 508)에 의해 도시된 바와 같이, 층(502)은 10*t4의 두께를 가진 채널의 그룹을 포함할 수 있고, 층(504)은 5*t4의 두께를 가진 채널의 그룹을 포함할 수 있고, 층(506)은 3*t4의 두께를 가진 채널의 그룹을 포함할 수 있으며, 층(508)은 1*t4의 두께를 가진 채널의 그룹을 포함할 수 있다. 참조 부호(510)에 의해 도시된 바와 같이, 층(502, 504, 506, 및 508)을 증착시킨 결과는 각각의 채널에 대해 등거리가 아닌 두께의 세트이다. 예를 들면, 채널(511)은 0*t4의 두께와 연관되고, 채널(512)은 1*t4의 두께와 연관되고, 채널(513)은 4*t4의 두께와 연관되며, 채널(514)은 3*t4의 두께와 연관된다(예컨대, 2*t4의 두께와 연관된 채널은 생략된다). 이러한 방식으로, 필터 어레이(501)는 필터 어레이(501)와 연관된 광학 센서들의 세트가 비-인접 세트의 파장(예컨대, 등거리로 분리되지 않은 파장의 세트)에 관한 정보를 캡처하도록 허용할 수 있다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 유사한 필터 어레이(521)는 또 다른 비-등거리 채널 간격을 이용할 수 있다. 예를 들면, 참조 부호(522 내지 528)에 의해 도시된 바와 같이, 층(522)은 15*t4의 두께를 가진 채널의 그룹을 포함할 수 있고, 층(524)은 4*t4의 두께를 가진 채널의 그룹을 포함할 수 있고, 층(526)은 2*t4의 두께를 가진 채널의 그룹을 포함할 수 있으며, 층(528)은 1*t4의 두께를 가진 채널의 그룹을 포함할 수 있다. 참조 부호(530)에 의해 도시된 바와 같이, 층(522, 524, 526, 및 528)을 증착시킨 결과는 등거리가 아닌 채널들의 세트에 대한 두께의 세트이다. 예를 들면, 채널(531)은 2*t4의 두께와 연관되고, 채널(532)은 6*t4의 두께와 연관되고, 채널(533)은 21*t4의 두께와 연관되며, 채널(534)은 17*t4의 두께와 연관된다(예컨대, 두께(8*t4 내지 14*t4)의 채널은 생략된다). 채널(532)과 채널(533) 사이에서의 비연속성은 필터 어레이(521)와 연관된 광학 센서들의 세트가 필터 어레이(521)의 다른 채널 사이에서의 간격과 같지 않은 스펙트럼의 양만큼 분리된 파장의 2개의 범위에 관한 정보를 캡처하도록 허용한다.
상기 표시된 바와 같이, 도 5a 및 도 5b는 단지 예로서 제공된다. 다른 예가 가능하며 도 5a 및 도 5b에 관하여 설명된 것과 상이할 수 있다.
도 6a 내지 도 6e는 도 2에 도시된 예시적인 방법(200)에 관한 예시적인 구현예(600)의 다이어그램이다. 도 6a 내지 도 6e는 다중스펙트럼 필터를 가진 광학 센서 디바이스의 예를 도시한다.
도 6a에 도시된 바와 같이, 기판(602)은 하나 이상의 구성요소를 포함할 수 있다. 예를 들면, 기판(602)은 CMOS 기술, CCD 기술 등과 같은, 광학 센서(604)의 세트를 포함할 수 있다. 미러(606)(예컨대, 금속-기반 반사기 층)는 광학 센서(604)로 증착될 수 있으며, 광학 센서(604)로 지향된 광의 일부분이 광학 센서(604)를 향해 미러(606)를 통과하도록 허용할 수 있다. 미러(606)는 미러(606)의 산화를 감소시키기 위해 보호 코팅과 연관될 수 있다. 예를 들면, 아연-산화물(ZnO)-기반 재료가, 특정한 두께의 ZnO 코팅을 갖고, ZnO/Ag/ZnO 구성에서와 같은, 은-기반 미러로 코팅될 수 있다. 예를 들면, ZnO 코팅은 대략 0.5㎚ 내지 대략 4㎚ 두께, 대략 1㎚ 두께 내지 대략 2㎚ 두께 등일 수 있다. 다중스펙트럼 필터의 스페이서 부분의 제1 스페이서 층(608)은 미러(606)로 증착될 수 있다.
도 6b에 도시된 바와 같이, 제2 스페이서 층(610)은 필터 어레이의 제1 그룹의 채널이 제1 두께와 연관되게 하며 필터 어레이의 제2 그룹의 채널이 제2 두께와 연관되게 하기 위해 제 스페이서 층(608)의 일부분 상에 증착될 수 있다. 이 경우에, 제2 스페이서 층(610)은 광학 센서(604)와 정렬된 제1 스페이서 층(608)의 일부분 상에 증착된다. 이러한 방식으로, 다중스펙트럼 필터의 스페이서는 광학 센서(604)가 대역폭의 세트(예컨대, 제1 두께와 연관된 제1 대역폭 또는 제2 두께와 연관된 제2 대역폭)와 연관된 광을 수신하게 하기 위해 증착될 수 있다.
도 6c에 도시된 바와 같이, 또 다른 예에서, 유사한 제2 스페이서 층(612)은 필터 어레이의 제1 그룹의 채널이 제1 두께와 연관되게 하며 필터 어레이의 제2 그룹의 채널이 제2 두께와 연관되게 하기 위해 제1 스페이서 층(608)의 유사한 부분 상에 증착될 수 있다. 이 경우에, 참조 부호(612)에 의해 도시된 바와 같이, 제2 스페이서 층(612)은 단지 광학 센서(604)와 정렬된 제1 층의 부분보다는, 제1 스페이서 층(608) 및 미러(606)의 에지를 커버하기 위해 증착된다.
도 6d에 도시된 바와 같이, 그리고 참조 부호(620)에 의해, 제1 스페이서 층(608) 및 미러(606)의 에지는 광학 센서(604)와 정렬된 제1 스페이서 층(608)의 부분 및 제1 스페이서 층(608) 및 미러(606)의 에지 양쪽 모두를 둘러싸기 위해 증착되는 제2 스페이서 층(612)에 기초하여 제2 스페이서 층(612)에 의해 보호된다. 이러한 방식으로, 제2 스페이서 층(612)은 제1 스페이서 층(608) 및 미러(606)에 대한 통합된 보호 프레임(예컨대, 보호층)을 제공하며, 그에 의해 제1 스페이서 층(608) 및/또는 미러(606)가 손상되는 가능성을 감소시키며 노출된 미러 및/또는 미러의 노출된 코팅을 가진 필터 어레이를 가진 또 다른 광학 센서 디바이스에 관하여 광학 센서 디바이스의 내구성을 증가시킨다.
도 6e에 도시된 바와 같이, 유사한 기판(602)이 광학 센서(604)의 세트, 기판(602)과 특히 근접하여 배치된 제1 미러 층(606), 및 제1 미러 층(606)으로 배치된 제1 스페이서 층(608)을 포함할 수 있다. 이 경우에, 아연-산화물 보호층은 기판(602)과 특히 근접하여 제1 금속 미러 층(606)을 끼워넣기 위해 증착되며, 그에 의해 제1 금속 미러 층(606)을 적어도 부분적으로 둘러싸며 제1 금속 미러 층(602)의 내구성을 개선한다. 제2 스페이서 층(622)은 제1 스페이서 층(608)의 일부분으로 배치된다(예컨대, 광학 센서(604)의 세트의 서브세트 및/또는 광학 센서(604)의 서브세트에 대응하는 픽셀과 정렬된다). 프레임(624)은 보호 프레임(예컨대, 보호층)을 제공하기 위해 기판(602)의 일부분, 제1 스페이서 층(608)의 일부분, 및/또는 제2 스페이서 층(620)의 일부분으로 배치되며, 그에 의해 기판(602), 미러(606), 제1 스페이서 층(608), 및/또는 제2 스페이서 층(622)이 손상될 수 있는 가능성을 감소시키며 광학 센서 디바이스의 내구성을 증가시킨다. 이 경우에, 프레임(624)은 제2 스페이서 층(622)으로부터 분리되며, 그에 의해 프레임(624)이 제2 스페이서 층(622)에 대해 상이한 두께를 갖고, 제2 스페이서 층(622)과 상이한 재료로부터 구성되도록 허용한다. 또 다른 예에서, 제2 스페이서 층(622)은 제2 스페이서 층(622)이 프레임(624) 등에 인접하여 증착되거나 또는 그것에 연결되지 않는 구성과 같은, 상이한 구성 상에 증착될 수 있다. 예를 들면, 에지(626)는 제2 스페이서 층(622)이 프레임(624)에 인접하거나 또는 그것에 의해 부분적으로 둘러싸임을 나타내지만, 제2 스페이서 층(622)은 제2 스페이서 층(622)이 에지(626) 또는 또 다른 에지에서 프레임(624)에 인접하거나 또는 그것에 의해 부분적으로 둘러싸이지 않도록 프레임(624)으로부터 특정한 거리로 이격될 수 있다.
상기 표시된 바와 같이, 도 6a 내지 도 6e는 단지 예로서 제공된다. 다른 예가 가능하며 도 6a 내지 도 6e에 관하여 설명된 것과 상이할 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 도 2에 도시된 예시적인 방법(200)에 관한 예시적인 구현예(700)의 다이어그램이다. 도 7a 및 도 7b는 다중스펙트럼 필터 어레이와 연관된 또 다른 필터의 예를 도시한다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 광학 센서 디바이스(702)는 층들의 세트를 포함할 수 있다. 광학 센서 디바이스(702)는 기판(705)(예컨대, 하나 이상의 광학 센서를 포함할 수 있는), 제1 아연-산화물 층(710-1), 제1 은 미러 층(715-1), 제2 아연-산화물 층(710-2), 니오븀-티타늄-산화물 층(720), 제3 아연-산화물 층(710-3), 제2 은 미러 층(715-2), 제4 아연-산화물 층(710-4), 제1 규소-산화물 층(725-1), 니오븀-티타늄-산화물 층(730), 및 제2 규소-산화물 층(725-2)을 포함할 수 있다. 아연-산화물 층(710)은 은 미러 층(715)을 적어도 부분적으로 둘러싸기 위해 증착되며, 그에 의해 은 미러 층(715)을 열화로부터 보호하고, 그에 의해 노출된 미러 층(예컨대, 기판(705)으로 직접 증착된 하나 이상의 미러 층 또는 니오븀-티타늄-산화물 층(720) 또는 그것 상으로 바로 니오븀-티타늄-산화물 층(720) 또는 제1 규소-산화물 층(725-1)이 증착되는 하나 이상의 은 미러 층(715))을 이용하는 것에 관하여 광학 센서 디바이스(702)의 내구성을 개선한다. 광학 센서 디바이스(702)는 제1 영역(740)(예컨대, 다중스펙트럼 필터 어레이)을 포함할 수 있으며, 이것은 아연-산화물 층(710), 은 미러 층(715), 및 니오븀-티타늄-산화물 층(720)을 포함한다. 광학 센서 디바이스(702)는 제2 영역(745)을 포함할 수 있으며, 이것은 규소-산화물 층(725) 및 니오븀-티타늄-산화물 층(730)을 포함한다. 제2 영역(745)의 층은 광학 센서 디바이스(702)를 위한 필터링 기능을 제공하기 위해 영역(740)의 부분 상에 증착될 수 있다. 예를 들면, 제2 영역(745)은 광학 센서 디바이스(702)의 광학 센서를 위한 반사-방지 코팅을 제공할 수 있다.
도 7b에 도시된 바와 같이, 유사한 광학 센서 디바이스(702)는 기판(705), 유사한 영역(740)(예컨대, 유사한 다중스펙트럼 필터 어레이), 및 규소-산화물 층(750)의 세트(750-1 내지 750-5로 도시된) 및 니오븀-티타늄-산화물 층(755)의 세트(755-1 내지 755-4로 도시된)를 포함한다. 이 경우에, 규소-산화물 층(750)의 세트 및 니오븀-티타늄-산화물 층(755)의 세트를 포함하는 영역(760)은 특정한 파장(예컨대, 자외선(UV)-녹색 파장)의 고차 억제를 제공할 수 있다. 이러한 방식으로, 필터링 기능은 하나 이상의 다른 층을 다중스펙트럼 필터 어레이로 증착시킴으로써 다중스펙트럼 필터 어레이에 부가될 수 있다.
상기 표시된 바와 같이, 도 7a 및 도 7b는 단지 예로서 제공된다. 다른 예가 가능하며 도 7a 및 도 7b에 관하여 설명된 것과 상이할 수 있다.
도 8a 및 도 8b는 도 2에 도시된 예시적인 방법(200)에 관한 예시적인 구현예(800)의 다이어그램이다.
도 8a에 도시된 바와 같이, 센서 요소(308)는 본 명세서에서 설명된 광학 센서 디바이스의 제조 동안 기판(306)에 배치될 수 있다. 유리 웨이퍼(802)가 제공될 수 있으며, 그 위에 필터 및 스페이서 층들의 세트가, 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 증착될 수 있다.
도 8b에 도시된 바와 같이, 유리 웨이퍼(802) 상에 층(804)의 세트를 증착시킨 후, 유리 웨이퍼(802) 및 층(804)은, 참조 부호(806)에 의해 도시된 바와 같이, 기판(306)에 접합된다. 이러한 방식으로, 층은 센서 요소(308)로부터 별개의 기판 상에 형성되며 센서 요소(308)에 부착될 수 있다.
상기 표시된 바와 같이, 도 8a 및 도 8b는 단지 예로서 제공된다. 다른 예가 가능하며 도 8a 및 도 8b에 관하여 설명된 것과 상이할 수 있다.
도 9는 파장(㎚로 광의)에 대한 투과율(광의 백분율로)의 다이어그램(900)의 예이다. 도 9는 참조 부호(905)에 의해 표시된 바와 같이, 보다 낮은 파장에서 고차 피크를 억제하기 위한, 도 7b에 관하여 본 명세서에서 설명된, 필터 스택의 스펙트럼 응답을 도시한다. 예를 들면, 큰 스펙트럼 대역폭이 도시된 바와 같이 커버되며, 850㎚에서와 같은, 스펙트럼 대역폭의 특정한 서브세트가 통과될 때, 도 7b에 관하여 설명된 바와 같이, 대역통과 필터가 350㎚ 및 450㎚에서 고차 피크를 차단하기 위해 제공될 수 있으며 다이어그램(900)과 유사한 스펙트럼 성능을 보일 수 있다.
상기 표시된 바와 같이, 도 9는 단지 예로서 제공된다. 다른 예가 가능하며 도 9에 관하여 설명된 것과 상이할 수 있다.
도 10a는 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 은 기반 미러 및 니오븀-티타늄-산화물 기반 스페이서를 사용한 64 채널 필터 어레이의 예시적인 다이어그램(1000 및 1010)이다. 도 10a는 대응하는 필터 부분에 기초하여 64 채널 필터 어레이의 각각의 센서 요소의 스펙트럼 범위를 도시한다. 도 10b는 대응하는 필터 부분에 기초하여 64 채널 필터 어레이의 각각의 센서 요소에 대한 중심 파장을 도시한다. 이 경우에, 각각의 센서 요소는 상이한 파장에 중심이 있다. 또 다른 예에서, 다수의 센서 요소가 공통 파장에 중심이 있을 수 있다.
상기 표시된 바와 같이, 도 10은 단지 예로서 제공된다. 다른 예가 가능하며 도 10에 관하여 설명된 것과 상이할 수 있다.
이러한 방식으로, 다중스펙트럼 필터 어레이가 광학 센서 디바이스의 반도체 기판으로 통합되고, 비교적 낮은 각도 시프트, 비교적 높은 스펙트럼 범위를 제공하며, 다른 필터 구조에 대해 환경적으로 내구성이 있는 광학 센서 디바이스를 위해 제작될 수 있다.
앞서 말한 개시는 예시 및 설명을 제공하지만, 철저하거나 또는 개시된 정확한 형태로 구현을 제한하도록 의도되지 않는다. 수정 및 변화는 상기 개시를 고려하여 가능하거나 또는 구현의 실시로부터 획득될 수 있다.
몇몇 구현예는 임계치와 관련하여 본 명세서에서 설명된다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 임계치를 만족시키는 것은 임계치보다 큰, 임계치 이상, 임계치보다 높은, 임계치보다 크거나 또는 같은, 임계치 미만, 임계치보다 적은, 임계치보다 낮은, 임계치보다 낮거나 또는 같은, 임계치와 같은 등을 나타낼 수 있다.
피처의 특정한 조합이 청구항에서 나열되며 및/또는 명세서에서 개시될지라도, 이들 조합은 가능한 구현의 개시를 제한하도록 의도되지 않는다. 사실상, 많은 이들 피처는 구체적으로 청구항에서 나열되고 및/또는 명세서에서 개시되지 않은 방식으로 조합될 수 있다. 이하에서 열거된 각각의 종속 청구항은 단지 하나의 청구항에 직접 의존할 수 있지만, 가능한 구현의 개시는 청구항 세트에서의 모든 다른 청구항과 조합하여 각각의 종속 청구항을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 어떤 요소, 동작, 또는 지시도 이와 같이 명확하게 설명되지 않는다면 중대하거나 또는 필수적인 것으로 해석되지 않아야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 표현은 하나 이상의 아이템을 포함하도록 의도되며, "하나 이상"과 상호 교환 가능하게 사용될 수 있다. 더욱이, 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "세트"는 하나 이상의 아이템(예컨대, 관련 아이템, 관련되지 않은 아이템, 관련 아이템, 및 관련되지 않은 아이템의 조합 등)을 포함하도록 의도되며, "하나 이상"과 상호 교환 가능하게 사용될 수 있다. 단지 하나의 아이템이 의도되는 경우에, 용어 "하나" 또는 유사한 언어가 사용된다. 또한, 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "갖다(has, have)", "갖는" 등은 제약을 두지 않은 용어인 것으로 의도된다. 뿐만 아니라, 구절 "~에 기초한"은 달리 명확하게 서술되지 않는다면, "적어도 부분적으로 ~에 기초한"을 의미하도록 의도된다.
Claims (20)
- 센서 요소들의 세트를 포함하는 기판을 제공하는 단계;
다중스펙트럼 필터 어레이의 다수의 층을 기판 상에 증착하는 단계,
상기 다수의 층은,
상기 센서 요소들의 세트의 모든 센서 요소들 상에 배치된 제1 스페이서 층,
상기 센서 요소들의 세트의 모든 센서 요소들 보다 적은 수 상에 배치된 제2 스페이서 층, 및
금속 미러를 포함하고,
상기 다중스펙트럼 필터 어레이와 연관된 하나 이상의 다른 층을 상기 다수의 층 상에 증착하는 단계; 그리고
상기 센서 요소들의 대응하는 센서 요소로 지향되는 광의 특성을 변경하는 렌즈를 부착하는 단계;
를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다수의 층은:
상기 금속 미러를 포함하는 제1 미러 구조; 및
상기 제1 스페이서 층 또는 상기 제2 스페이서 층 중 하나 이상의 부분 상에 증착되는 제2 미러 구조;
를 더 포함하는 것인, 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 다수의 층은,
상기 기판과 상기 제1 미러 구조 사이에 중간층을 더 포함하는 것인, 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다수의 층은 미러 구조를 포함하고,
상기 미러 구조는,
광의 제1 부분이 상기 센서 요소들의 세트로 향해지도록 하고, 광의 제2 부분이 상기 센서 요소들의 세트로부터 멀리 재-지향되도록 하는, 부분적으로 투명한 재료를 포함하는 것인, 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속 미러는,
은(Ag)-기반 재료,
알루미늄(Al)-기반 재료, 또는
구리(Cu)-기반 재료,
중 하나를 포함하는, 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다수의 층을 증착하는 단계는:
펄싱 마그네트론 스퍼터링 증착 공정을 사용하여 상기 다수의 층의 하나 이상의 층을 상기 기판 상에 또는 상기 다수의 층의 또 다른 층 상에 증착하는 단계를 포함하는, 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다수의 층을 증착하는 단계는:
상기 금속 미러를 포함하는 미러 구조를 증착하는 단계; 그리고
리프트-오프 공정을 사용하여 상기 미러 구조 상에 스페이서 층을 형성하는 단계;
를 포함하는 것인, 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 스페이서 층은, 상기 금속 미러 상에 연속적 스페이서 층을 형성하는 하나 이상의 이산 부분(discrete portions)을 포함하는 것인, 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 하나 이상의 이산 부분은 상기 센서 요소들의 세트와 정렬된 복수의 채널에 대응하는 것인, 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 다른 층은:
반사-방지 코팅 필터,
대역-외 차단 필터, 또는
고차 억제 필터,
중 하나를 포함하는 것인, 방법.
- 광학 센서들의 세트와 연관된 기판 상에 제1 미러 구조를 증착하는 단계,
상기 제1 미러 구조는 금속 미러를 포함하고;
상기 제1 미러 구조 상에 제1 스페이서 층을 증착하는 단계,
상기 제1 스페이서 층은 상기 광학 센서들의 세트를 커버하고;
상기 광학 센서들의 세트 전체 보다 적게 커버하는 제2 스페이서 층을 증착하는 단계; 그리고
상기 제1 스페이서 층 또는 상기 제2 스페이서 층 중 하나 이상의 부분 상에 제2 미러 구조를 증착하는 단계를 포함하는, 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 제2 미러 구조는, 상기 광학 센서들의 세트 중 하나 이상의 센서와 정렬되어 배치된, 상이한 금속 미러인, 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 광학 센서들의 세트는 후방 조사 센서 어레이인, 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 제1 스페이서 층 또는 상기 제2 스페이서 층 중 하나 이상은 광원으로부터 상기 광학 센서들의 세트로 지향되는 광의 각도 시프트를 감소시키도록 선택된 재료를 포함하는, 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 광학 센서들의 세트가 규소-기반 웨이퍼에 배치되는 것인, 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 기판은 유리-기반 기판을 포함하고, 그리고,
상기 규소-기반 웨이퍼는 상기 유리-기반 기판에 접합되는 것인, 방법.
- 광학 센서들의 세트를 제공하는 단계;
상기 광학 센서들의 세트 상에 미러 구조를 증착하는 단계,
상기 미러 구조는 금속 미러를 포함하고; 그리고
상기 미러 구조 상에 복수의 스페이서 층을 증착하는 단계;
를 포함하는 방법으로,
상기 복수의 스페이서 층은:
상기 광학 센서들의 세트를 커버하는 제1 스페이서 층, 및
상기 광학 센서들의 세트 전체 보다 적게 커버하는 제2 스페이서 층;
을 포함하는, 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 복수의 스페이서 층 중 하나 이상의 부분 상에 상이한 미러 구조를 증착하는 단계를 더 포함하는 것인, 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 상이한 미러 구조는, 상기 광학 센서들의 세트 중 하나 이상의 센서와 정렬되어 배치된, 상이한 금속 미러인, 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 복수의 스페이서 층은 제3 스페이서 층을 더 포함하고, 상기 제3 스페이서 층은,
상기 제1 스페이서 층의 일부분 상에 증착되는 제1 부분, 및
상기 제2 스페이서 층의 일부분 상에 증착되는 제2 부분을 포함하는 것인, 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020240026763A KR20240028407A (ko) | 2015-12-29 | 2024-02-23 | 광학 센서 디바이스 및 디바이스 |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562272086P | 2015-12-29 | 2015-12-29 | |
US62/272,086 | 2015-12-29 | ||
US201662294970P | 2016-02-12 | 2016-02-12 | |
US62/294,970 | 2016-02-12 | ||
US15/385,240 | 2016-12-20 | ||
US15/385,240 US9923007B2 (en) | 2015-12-29 | 2016-12-20 | Metal mirror based multispectral filter array |
KR1020160181581A KR102376881B1 (ko) | 2015-12-29 | 2016-12-28 | 금속 미러 기반 다중스펙트럼 필터 어레이 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160181581A Division KR102376881B1 (ko) | 2015-12-29 | 2016-12-28 | 금속 미러 기반 다중스펙트럼 필터 어레이 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020240026763A Division KR20240028407A (ko) | 2015-12-29 | 2024-02-23 | 광학 센서 디바이스 및 디바이스 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220038327A true KR20220038327A (ko) | 2022-03-28 |
KR102642004B1 KR102642004B1 (ko) | 2024-02-29 |
Family
ID=57714462
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160181581A KR102376881B1 (ko) | 2015-12-29 | 2016-12-28 | 금속 미러 기반 다중스펙트럼 필터 어레이 |
KR1020220032590A KR102642004B1 (ko) | 2015-12-29 | 2022-03-16 | 금속 미러 기반 다중스펙트럼 필터 어레이 및 다중스펙트럼 필터 어레이를 가진 센서 디바이스의 제조방법 |
KR1020240026763A KR20240028407A (ko) | 2015-12-29 | 2024-02-23 | 광학 센서 디바이스 및 디바이스 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160181581A KR102376881B1 (ko) | 2015-12-29 | 2016-12-28 | 금속 미러 기반 다중스펙트럼 필터 어레이 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020240026763A KR20240028407A (ko) | 2015-12-29 | 2024-02-23 | 광학 센서 디바이스 및 디바이스 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US9923007B2 (ko) |
EP (1) | EP3187909A1 (ko) |
JP (3) | JP6812238B2 (ko) |
KR (3) | KR102376881B1 (ko) |
CN (2) | CN107037520B (ko) |
CA (1) | CA2952683A1 (ko) |
TW (4) | TWI713666B (ko) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10495516B2 (en) * | 2015-06-30 | 2019-12-03 | Imec Vzw | Dedicated transformation spectroscopy |
US9923007B2 (en) | 2015-12-29 | 2018-03-20 | Viavi Solutions Inc. | Metal mirror based multispectral filter array |
US9960199B2 (en) * | 2015-12-29 | 2018-05-01 | Viavi Solutions Inc. | Dielectric mirror based multispectral filter array |
US11137527B2 (en) * | 2017-05-22 | 2021-10-05 | Viavi Solutions Inc. | Mixed spacer multispectral filter |
US10782460B2 (en) * | 2017-05-22 | 2020-09-22 | Viavi Solutions Inc. | Multispectral filter |
US10247865B2 (en) | 2017-07-24 | 2019-04-02 | Viavi Solutions Inc. | Optical filter |
US10622270B2 (en) | 2017-08-31 | 2020-04-14 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit package with stress directing material |
US10553573B2 (en) | 2017-09-01 | 2020-02-04 | Texas Instruments Incorporated | Self-assembly of semiconductor die onto a leadframe using magnetic fields |
KR102461721B1 (ko) * | 2017-09-15 | 2022-11-01 | 삼성전자주식회사 | 필터 어레이와 이를 포함하는 분광 측정 소자 및 분광 측정 소자를 채용한 분광기 |
US10833648B2 (en) | 2017-10-24 | 2020-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Acoustic management in integrated circuit using phononic bandgap structure |
US10886187B2 (en) | 2017-10-24 | 2021-01-05 | Texas Instruments Incorporated | Thermal management in integrated circuit using phononic bandgap structure |
US10444432B2 (en) | 2017-10-31 | 2019-10-15 | Texas Instruments Incorporated | Galvanic signal path isolation in an encapsulated package using a photonic structure |
US10557754B2 (en) | 2017-10-31 | 2020-02-11 | Texas Instruments Incorporated | Spectrometry in integrated circuit using a photonic bandgap structure |
US10371891B2 (en) | 2017-10-31 | 2019-08-06 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit with dielectric waveguide connector using photonic bandgap structure |
US10497651B2 (en) | 2017-10-31 | 2019-12-03 | Texas Instruments Incorporated | Electromagnetic interference shield within integrated circuit encapsulation using photonic bandgap structure |
MX2019000869A (es) * | 2018-01-30 | 2019-12-19 | Viavi Solutions Inc | Dispositivo óptico que tiene partes ópticas y mecánicas. |
US10948640B2 (en) | 2018-03-13 | 2021-03-16 | Viavi Solutions Inc. | Sensor window with a set of layers configured to a particular color and associated with a threshold opacity in a visible spectral range wherein the color is a color-matched to a surface adjacent to the sensor window |
US11009636B2 (en) * | 2018-03-13 | 2021-05-18 | Viavi Solutions Inc. | Sensor window to provide different opacity and transmissivity at different spectral ranges |
EP3546902B1 (en) * | 2018-03-29 | 2021-01-27 | ams Sensors Germany GmbH | Multispectral sensor and method for multispectral light sensing |
US11366011B2 (en) | 2019-02-13 | 2022-06-21 | Viavi Solutions Inc. | Optical device |
CN109798979B (zh) * | 2019-03-12 | 2021-02-12 | 天津津航技术物理研究所 | 宽光谱范围的半导体工艺兼容高光谱成像芯片设计方法 |
CN112179491B (zh) * | 2019-07-01 | 2022-03-25 | 华为技术有限公司 | 一种高光谱成像系统、摄像头以及终端设备 |
US20210333454A1 (en) * | 2020-04-28 | 2021-10-28 | Viavi Solutions Inc. | Induced transmission filter with hydrogenated silicon and silver |
AU2022253975A1 (en) | 2021-04-05 | 2023-10-26 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Heating transpiration composition, and method for exterminating harmful arthropods using same |
FR3122930B1 (fr) * | 2021-05-11 | 2023-05-26 | Safran Electronics & Defense | Filtre multi-spectral |
US20230175889A1 (en) * | 2021-12-06 | 2023-06-08 | Viavi Solutions Inc. | Optical system |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080042782A1 (en) * | 2005-04-27 | 2008-02-21 | Shanghai Institute Of Technical Physics, Chinese Academy Of Sciences | Integrated narrow bandpass filter array and a method for fabrication thereof |
JP2009545150A (ja) * | 2006-07-25 | 2009-12-17 | コミッサリヤ ア レネルジ アトミック | 光フィルタリングマトリックス構造及び関連する画像センサ |
KR20140079726A (ko) * | 2012-12-19 | 2014-06-27 | 제이디에스 유니페이즈 코포레이션 | 하나 또는 그 이상의 금속-유전체 광학 필터들을 포함하는 센서 장치 |
Family Cites Families (108)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3530824A (en) | 1964-08-25 | 1970-09-29 | Optical Coating Laboratory Inc | Deposition apparatus including rotatable and orbital masking assembly |
US3617331A (en) | 1964-08-25 | 1971-11-02 | Optical Coating Laboratory Inc | Method for manufacture of rotatable variable filter |
US3442572A (en) | 1964-08-25 | 1969-05-06 | Optical Coating Laboratory Inc | Circular variable filter |
JPS57184937A (en) | 1981-05-08 | 1982-11-13 | Omron Tateisi Electronics Co | Color discriminating element |
JPS6342429A (ja) | 1986-08-08 | 1988-02-23 | Minolta Camera Co Ltd | 分光測定センサ |
US4822998A (en) | 1986-05-15 | 1989-04-18 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Spectral sensor with interference filter |
JPH0785034B2 (ja) | 1986-05-15 | 1995-09-13 | ミノルタ株式会社 | 分光測定センサ |
US4957371A (en) | 1987-12-11 | 1990-09-18 | Santa Barbara Research Center | Wedge-filter spectrometer |
US5144498A (en) | 1990-02-14 | 1992-09-01 | Hewlett-Packard Company | Variable wavelength light filter and sensor system |
US5246803A (en) * | 1990-07-23 | 1993-09-21 | Eastman Kodak Company | Patterned dichroic filters for solid state electronic image sensors |
US5784507A (en) | 1991-04-05 | 1998-07-21 | Holm-Kennedy; James W. | Integrated optical wavelength discrimination devices and methods for fabricating same |
US5872655A (en) | 1991-07-10 | 1999-02-16 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Monolithic linear variable filter and method of manufacture |
US5337191A (en) | 1993-04-13 | 1994-08-09 | Photran Corporation | Broad band pass filter including metal layers and dielectric layers of alternating refractive index |
KR0181985B1 (ko) * | 1993-06-07 | 1999-05-01 | 가시오 가즈오 | 액정표시소자 |
US5905571A (en) * | 1995-08-30 | 1999-05-18 | Sandia Corporation | Optical apparatus for forming correlation spectrometers and optical processors |
US5986808A (en) | 1996-10-11 | 1999-11-16 | California Institute Of Technology | Surface-plasmon-wave-coupled tunable filter |
US6297907B1 (en) | 1997-09-02 | 2001-10-02 | California Institute Of Technology | Devices based on surface plasmon interference filters |
EP0933925A3 (en) * | 1997-12-31 | 2002-06-26 | Texas Instruments Inc. | Photofinishing utilizing modulated light source array |
US8928967B2 (en) * | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
JP4111288B2 (ja) | 1998-07-09 | 2008-07-02 | Tdk株式会社 | 波長選択型光検出器 |
GB9901858D0 (en) * | 1999-01-29 | 1999-03-17 | Secr Defence | Optical filters |
US6215802B1 (en) | 1999-05-27 | 2001-04-10 | Blue Sky Research | Thermally stable air-gap etalon for dense wavelength-division multiplexing applications |
JP3383942B2 (ja) | 1999-08-02 | 2003-03-10 | Hoya株式会社 | Wdm光学フィルター用ガラス基板、wdm光学フィルター、wdm用光合分波器 |
US6638668B2 (en) | 2000-05-12 | 2003-10-28 | Ocean Optics, Inc. | Method for making monolithic patterned dichroic filter detector arrays for spectroscopic imaging |
US6574490B2 (en) | 2001-04-11 | 2003-06-03 | Rio Grande Medical Technologies, Inc. | System for non-invasive measurement of glucose in humans |
US6891685B2 (en) | 2001-05-17 | 2005-05-10 | Sioptical, Inc. | Anisotropic etching of optical components |
US6912330B2 (en) | 2001-05-17 | 2005-06-28 | Sioptical Inc. | Integrated optical/electronic circuits and associated methods of simultaneous generation thereof |
US20030087121A1 (en) | 2001-06-18 | 2003-05-08 | Lawrence Domash | Index tunable thin film interference coatings |
US6841238B2 (en) * | 2002-04-05 | 2005-01-11 | Flex Products, Inc. | Chromatic diffractive pigments and foils |
WO2003012531A1 (en) | 2001-08-02 | 2003-02-13 | Aegis Semiconductor | Tunable optical instruments |
US6850366B2 (en) | 2002-10-09 | 2005-02-01 | Jds Uniphase Corporation | Multi-cavity optical filter |
US7456383B2 (en) | 2003-08-06 | 2008-11-25 | University Of Pittsburgh | Surface plasmon-enhanced nano-optic devices and methods of making same |
JP2005107010A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hitachi Metals Ltd | 多層膜光学フィルターの製造方法および多層膜光学フィルター |
KR20070003766A (ko) | 2003-10-07 | 2007-01-05 | 이지스 세미컨덕터 인코포레이티드 | Cte 매치된 투명 기판상에 히터를 구비한 가변 광학필터 |
US7123796B2 (en) * | 2003-12-08 | 2006-10-17 | University Of Cincinnati | Light emissive display based on lightwave coupling |
US7759679B2 (en) | 2004-01-15 | 2010-07-20 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and camera employing same |
US7133197B2 (en) | 2004-02-23 | 2006-11-07 | Jds Uniphase Corporation | Metal-dielectric coating for image sensor lids |
KR20050103027A (ko) | 2004-04-23 | 2005-10-27 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 노치 필터를 갖는 이미지센서 및 그 제조 방법 |
US7879209B2 (en) | 2004-08-20 | 2011-02-01 | Jds Uniphase Corporation | Cathode for sputter coating |
US7521666B2 (en) | 2005-02-17 | 2009-04-21 | Capella Microsystems Inc. | Multi-cavity Fabry-Perot ambient light filter apparatus |
US8084728B2 (en) | 2005-07-06 | 2011-12-27 | Capella Microsystems, Corp. | Optical sensing device |
JP2007019143A (ja) | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置及びカメラ |
US7406394B2 (en) | 2005-08-22 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Spectra based endpointing for chemical mechanical polishing |
US7315667B2 (en) | 2005-12-22 | 2008-01-01 | Palo Alto Research Center Incorporated | Propagating light to be sensed |
WO2007086155A1 (ja) | 2006-01-24 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像装置、信号処理方法及びカメラ |
US7378346B2 (en) | 2006-03-22 | 2008-05-27 | Motorola, Inc. | Integrated multi-wavelength Fabry-Perot filter and method of fabrication |
KR100762204B1 (ko) | 2006-04-25 | 2007-10-02 | 전자부품연구원 | 광학 다층 박막 제조방법 |
JP2007317750A (ja) | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像装置 |
US8766385B2 (en) | 2006-07-25 | 2014-07-01 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Filtering matrix structure, associated image sensor and 3D mapping device |
US7701024B2 (en) | 2006-12-13 | 2010-04-20 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device, manufactoring method thereof and camera |
KR100819706B1 (ko) | 2006-12-27 | 2008-04-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
WO2008085385A2 (en) | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Nanolambda, Inc. | Plasmonic fabry-perot filter |
JP4958594B2 (ja) | 2007-03-22 | 2012-06-20 | 富士フイルム株式会社 | 反射防止膜、光学素子および光学系 |
US7576860B2 (en) * | 2007-05-11 | 2009-08-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light filter having a wedge-shaped profile |
KR101503079B1 (ko) | 2007-06-08 | 2015-03-16 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 분광기 |
JP4891841B2 (ja) | 2007-06-08 | 2012-03-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光モジュール |
WO2009009077A2 (en) | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Nanolambda, Inc. | Digital filter spectrum sensor |
JP5017193B2 (ja) | 2008-06-30 | 2012-09-05 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びカメラ |
US8896839B2 (en) | 2008-07-30 | 2014-11-25 | Pason Systems Corp. | Multiplex tunable filter spectrometer |
FR2937425B1 (fr) | 2008-10-22 | 2010-12-31 | Commissariat Energie Atomique | Structure de filtrage optique en longueur d'onde et capteur d'images associe |
FR2939887B1 (fr) * | 2008-12-11 | 2017-12-08 | Silios Tech | Dispositif de spectroscopie optique comportant une pluralite de sources d'emission |
US9395473B2 (en) | 2009-03-20 | 2016-07-19 | Nanolambda, Inc. | Nano-optic filter array based sensor |
JP5440110B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2014-03-12 | 株式会社リコー | 分光特性取得装置、分光特性取得方法、画像評価装置、及び画像形成装置 |
EP2443493B1 (en) * | 2009-06-17 | 2018-09-26 | Philips Lighting Holding B.V. | Interference filters with high transmission and large rejection range for mini-spectrometer |
US8730219B2 (en) * | 2009-10-30 | 2014-05-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
CA2782235A1 (en) | 2009-11-30 | 2011-06-03 | Imec | Integrated circuit for spectral imaging system |
US8559113B2 (en) | 2009-12-10 | 2013-10-15 | Raytheon Company | Multi-spectral super-pixel filters and methods of formation |
JP2011198853A (ja) | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Fujifilm Corp | マイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置 |
JP5619666B2 (ja) | 2010-04-16 | 2014-11-05 | ジェイディーエス ユニフェイズ コーポレーションJDS Uniphase Corporation | マグネトロン・スパッタリング・デバイスで使用するためのリング・カソード |
WO2012007147A1 (de) | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. . | Optisches bandpass-filtersystem, insbesondere für mehrkanalige spektralselektive messungen |
DE102010033137A1 (de) * | 2010-08-03 | 2012-02-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip |
JP2012042584A (ja) | 2010-08-17 | 2012-03-01 | Seiko Epson Corp | 光フィルター、光フィルターモジュール、分光測定器および光機器 |
JP5634836B2 (ja) * | 2010-11-22 | 2014-12-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光センサの製造方法 |
CN102798918B (zh) * | 2011-05-25 | 2016-08-03 | 苏州大学 | 一种反射式彩色滤光片 |
FR2977684A1 (fr) * | 2011-07-08 | 2013-01-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation par impression d'un filtre pour une radiation electromagnetique |
TW201317665A (zh) | 2011-10-28 | 2013-05-01 | Subtron Technology Co Ltd | 光學觸控結構及其製作方法 |
EP2783193A4 (en) | 2011-11-03 | 2015-08-26 | Verifood Ltd | COST-EFFECTIVE SPECTROMETRIC SYSTEM FOR USER-EATING FOOD ANALYSIS |
EP2776797B1 (en) | 2011-11-04 | 2018-12-05 | IMEC vzw | Spectral camera with overlapping segments of image copies interleaved onto sensor array |
WO2013066606A1 (en) * | 2011-11-04 | 2013-05-10 | The Research Foundation Of State University Of New York | Photonic bandgap structures for multispectral imaging devices |
EP2776798B1 (en) | 2011-11-04 | 2023-12-13 | IMEC vzw | Spectral camera with integrated filters and multiple adjacent image copies projected onto sensor array |
JP2015501432A (ja) | 2011-11-04 | 2015-01-15 | アイメックImec | 各画素についてモザイク状フィルタを備えたスペクトルカメラ |
JP2013190580A (ja) | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JP5710526B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2015-04-30 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法 |
TWI648561B (zh) | 2012-07-16 | 2019-01-21 | 美商唯亞威方案公司 | 光學濾波器及感測器系統 |
FR2994282B1 (fr) * | 2012-07-31 | 2014-09-05 | Commissariat Energie Atomique | Structure de filtrage optique dans le domaine visible et/ou infrarouge |
KR20150067141A (ko) * | 2012-08-13 | 2015-06-17 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지 | 실리콘 나노와이어를 이용한 다중 스펙트럼 이미징 |
US9793098B2 (en) * | 2012-09-14 | 2017-10-17 | Vapor Technologies, Inc. | Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment |
US10197716B2 (en) | 2012-12-19 | 2019-02-05 | Viavi Solutions Inc. | Metal-dielectric optical filter, sensor device, and fabrication method |
US9466628B2 (en) | 2012-12-21 | 2016-10-11 | Imec | Spectral imaging device and method to calibrate the same |
KR102009739B1 (ko) * | 2013-01-29 | 2019-08-12 | 비아비 솔루션즈 아이엔씨. | 가변 광 필터 및 그에 기반한 파장선택 센서 |
US20150369663A1 (en) * | 2013-02-06 | 2015-12-24 | Empire Technology Development Llc. | Thermo-optic tunable spectrometer |
TWI612649B (zh) * | 2013-03-18 | 2018-01-21 | Sony Corp | 半導體裝置及電子機器 |
US9443993B2 (en) | 2013-03-28 | 2016-09-13 | Seiko Epson Corporation | Spectroscopic sensor and method for manufacturing same |
US20140320611A1 (en) | 2013-04-29 | 2014-10-30 | nanoLambda Korea | Multispectral Multi-Camera Display Unit for Accurate Color, Multispectral, or 3D Images |
GB2543655B (en) | 2013-08-02 | 2017-11-01 | Verifood Ltd | Compact spectrometer comprising a diffuser, filter matrix, lens array and multiple sensor detector |
US9212996B2 (en) | 2013-08-05 | 2015-12-15 | Tellspec, Inc. | Analyzing and correlating spectra, identifying samples and their ingredients, and displaying related personalized information |
US9635228B2 (en) * | 2013-08-27 | 2017-04-25 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with interconnects in cover layer |
JP6466851B2 (ja) | 2013-10-31 | 2019-02-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
JP6390090B2 (ja) | 2013-11-19 | 2018-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | 光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器 |
US9645075B2 (en) | 2013-11-26 | 2017-05-09 | nanoLambda Korea | Multispectral imager with hybrid double layer filter array |
KR102163727B1 (ko) * | 2014-04-03 | 2020-10-08 | 삼성전자주식회사 | 광 이용 효율이 향상된 이미지 센서 |
KR102413524B1 (ko) | 2014-06-18 | 2022-06-24 | 비아비 솔루션즈 아이엔씨. | 금속-유전체 광학 필터, 센서 디바이스, 및 제조 방법 |
US10247604B2 (en) | 2014-10-30 | 2019-04-02 | Infineon Technologies Ag | Spectrometer, method for manufacturing a spectrometer, and method for operating a spectrometer |
KR102323208B1 (ko) | 2014-11-03 | 2021-11-08 | 삼성전자주식회사 | 수직 적층 구조를 갖는 분광기 및 이를 포함하는 비침습형 생체 센서 |
US20160238759A1 (en) | 2015-02-18 | 2016-08-18 | Materion Corporation | Near infrared optical interference filters with improved transmission |
EP3112828B1 (en) * | 2015-06-30 | 2022-10-05 | IMEC vzw | Integrated circuit and method for manufacturing integrated circuit |
US9960199B2 (en) | 2015-12-29 | 2018-05-01 | Viavi Solutions Inc. | Dielectric mirror based multispectral filter array |
US9923007B2 (en) | 2015-12-29 | 2018-03-20 | Viavi Solutions Inc. | Metal mirror based multispectral filter array |
-
2016
- 2016-12-20 US US15/385,240 patent/US9923007B2/en active Active
- 2016-12-22 CA CA2952683A patent/CA2952683A1/en active Pending
- 2016-12-26 TW TW105143180A patent/TWI713666B/zh active
- 2016-12-26 TW TW111100620A patent/TWI777886B/zh active
- 2016-12-26 TW TW109141166A patent/TWI755172B/zh active
- 2016-12-26 TW TW111133441A patent/TWI835276B/zh active
- 2016-12-28 EP EP16207162.5A patent/EP3187909A1/en active Pending
- 2016-12-28 JP JP2016255684A patent/JP6812238B2/ja active Active
- 2016-12-28 KR KR1020160181581A patent/KR102376881B1/ko active IP Right Grant
- 2016-12-29 CN CN201611245976.0A patent/CN107037520B/zh active Active
- 2016-12-29 CN CN202211477639.XA patent/CN115727950A/zh active Pending
-
2018
- 2018-03-15 US US15/922,415 patent/US10651216B2/en active Active
-
2020
- 2020-04-29 US US15/929,371 patent/US11114485B2/en active Active
- 2020-12-16 JP JP2020208751A patent/JP7336428B2/ja active Active
-
2021
- 2021-08-23 US US17/445,623 patent/US11670658B2/en active Active
-
2022
- 2022-03-16 KR KR1020220032590A patent/KR102642004B1/ko active IP Right Grant
-
2023
- 2023-05-02 US US18/310,769 patent/US20230268362A1/en active Pending
- 2023-05-09 JP JP2023077369A patent/JP2023106454A/ja active Pending
-
2024
- 2024-02-23 KR KR1020240026763A patent/KR20240028407A/ko active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080042782A1 (en) * | 2005-04-27 | 2008-02-21 | Shanghai Institute Of Technical Physics, Chinese Academy Of Sciences | Integrated narrow bandpass filter array and a method for fabrication thereof |
JP2009545150A (ja) * | 2006-07-25 | 2009-12-17 | コミッサリヤ ア レネルジ アトミック | 光フィルタリングマトリックス構造及び関連する画像センサ |
KR20140079726A (ko) * | 2012-12-19 | 2014-06-27 | 제이디에스 유니페이즈 코포레이션 | 하나 또는 그 이상의 금속-유전체 광학 필터들을 포함하는 센서 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11114485B2 (en) | 2021-09-07 |
US10651216B2 (en) | 2020-05-12 |
US11670658B2 (en) | 2023-06-06 |
CA2952683A1 (en) | 2017-06-29 |
KR20170078544A (ko) | 2017-07-07 |
CN115727950A (zh) | 2023-03-03 |
US20230268362A1 (en) | 2023-08-24 |
TW202300960A (zh) | 2023-01-01 |
US20180204864A1 (en) | 2018-07-19 |
TWI713666B (zh) | 2020-12-21 |
CN107037520A (zh) | 2017-08-11 |
US20200258927A1 (en) | 2020-08-13 |
EP3187909A1 (en) | 2017-07-05 |
JP7336428B2 (ja) | 2023-08-31 |
JP2017151419A (ja) | 2017-08-31 |
TW202215080A (zh) | 2022-04-16 |
TW202111294A (zh) | 2021-03-16 |
US9923007B2 (en) | 2018-03-20 |
JP2021063990A (ja) | 2021-04-22 |
TWI835276B (zh) | 2024-03-11 |
TW201734415A (zh) | 2017-10-01 |
TWI777886B (zh) | 2022-09-11 |
US20170186793A1 (en) | 2017-06-29 |
JP6812238B2 (ja) | 2021-01-13 |
CN107037520B (zh) | 2022-11-25 |
US20210384242A1 (en) | 2021-12-09 |
JP2023106454A (ja) | 2023-08-01 |
KR102642004B1 (ko) | 2024-02-29 |
TWI755172B (zh) | 2022-02-11 |
KR102376881B1 (ko) | 2022-03-21 |
KR20240028407A (ko) | 2024-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102642004B1 (ko) | 금속 미러 기반 다중스펙트럼 필터 어레이 및 다중스펙트럼 필터 어레이를 가진 센서 디바이스의 제조방법 | |
US11450698B2 (en) | Dielectric mirror based multispectral filter array | |
KR102097657B1 (ko) | 센서 디바이스를 제작하는 방법 | |
JP2017126742A5 (ko) | ||
TW202422120A (zh) | 基於金屬鏡的多光譜濾光片陣列 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |