KR20220029083A - 반도체 패키지의 제조 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 - Google Patents
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Abstract
반도체 패키지의 제조 방법에 따르면, 복수개의 반도체 칩들이 다이 어태치 필름에 의해 부착된 구조를 갖는 기준 패키지 기판으로 상기 다이 어태치 필름을 경화시키기 위한 열을 인가하는 공정 중에 발생되는 상기 기준 패키지 기판의 휨에 대한 정보를 획득할 수 있다. 상기 반도체 칩들이 상기 다이 어태치 필름에 의해 부착된 제 1 면, 및 상기 제 1 면의 반대인 제 2 면을 갖는 패키지 기판을 상기 정보를 근거로 선택된 각도로 회전시킬 수 있다. 상기 패키지 기판으로 상기 열을 인가하여 상기 다이 어태치 필름을 경화시키면서 상기 패키지 기판의 휨을 보정할 수 있다. 따라서, 경화 공정 중에 패키지 기판의 휨이 미리 보정될 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 패키지의 제조 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 복수개의 반도체 칩들을 패키지 기판에 부착하기 위해 사용되는 다이 어태치 필름을 경화시키는 방법, 및 이러한 방법을 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 복수개의 반도체 칩들은 다이 어태치 필름(Die Attach Film : DAF)를 이용해서 패키지 기판에 부착시킬 수 있다. 반도체 칩들이 부착된 패키지 기판을 경화 챔버로 반입하여, 다이 어태치 필름을 경화시킬 수 있다.
관련 기술들에 따르면, 다이 어태치 필름을 경화시키는 공정은 패키지 기판으로 열을 가하는 것을 포함할 수 있다. 경화 공정 이후, 열에 의해서 패키지 기판에 휨이 발생될 수 있다. 또한, 다이 어태치 필름을 이용해서 반도체 칩들을 패키지 기판에 부착하는 공정 중에, 패키지 기판이 휘어질 수도 있다.
본 발명은 경화 공정 중에 발생되는 패키지 기판의 휨을 보정할 수 있는 반도체 패키지의 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기된 방법을 수행하기 위한 장치도 제공한다.
본 발명의 일 견지에 따른 반도체 패키지의 제조 방법에 따르면, 복수개의 반도체 칩들이 다이 어태치 필름에 의해 부착된 구조를 갖는 기준 패키지 기판으로 상기 다이 어태치 필름을 경화시키기 위한 열을 인가하는 공정 중에 발생되는 상기 기준 패키지 기판이 상기 기준 패키지 기판의 장축 및/또는 단축을 중심으로 아래로 휘어진 것에 대한 정보를 획득할 수 있다. 상기 반도체 칩들이 상기 다이 어태치 필름에 의해 부착된 제 1 면, 및 상기 제 1 면의 반대인 제 2 면을 갖는 패키지 기판을 상기 정보를 근거로 선택된 180°로 상기 장축 또는 상기 단축을 중심으로 회전시킬 수 있다. 상기 패키지 기판으로 상기 열을 인가하여 상기 다이 어태치 필름을 경화시키면서 상기 패키지 기판의 휨을 보정할 수 있다.
본 발명의 다른 견지에 따른 반도체 패키지의 제조 방법에 따르면, 복수개의 반도체 칩들이 다이 어태치 필름에 의해 부착된 구조를 갖는 기준 패키지 기판으로 상기 다이 어태치 필름을 경화시키기 위한 열을 인가하는 공정 중에 발생되는 상기 기준 패키지 기판의 휨에 대한 정보를 획득할 수 있다. 상기 반도체 칩들이 상기 다이 어태치 필름에 의해 부착된 제 1 면, 및 상기 제 1 면의 반대인 제 2 면을 갖는 패키지 기판을 상기 정보를 근거로 선택된 각도로 회전시킬 수 있다. 상기 패키지 기판으로 상기 열을 인가하여 상기 다이 어태치 필름을 경화시키면서 상기 패키지 기판의 휨을 보정할 수 있다.
본 발명의 또 다른 견지에 따른 반도체 패키지의 제조 장치는 컨트롤러, 경화 챔버 및 엑튜에이터를 포함할 수 있다. 상기 컨트롤러는 복수개의 반도체 칩들이 다이 어태치 필름에 의해 부착된 구조를 갖는 기준 패키지 기판으로 상기 다이 어태치 필름을 경화시키기 위한 열을 인가하는 공정 중에 발생되는 상기 기준 패키지 기판의 휨에 대한 정보를 저장할 수 있다. 상기 경화 챔버는 상기 반도체 칩들이 상기 어태치 필름에 의해 부착된 제 1 면, 및 상기 제 1 면의 반대인 제 2 면을 갖는 적어도 하나의 패키지 기판으로 열을 인가하여 상기 다이 어태치 필름을 경화시킬 수 있다. 상기 엑튜에이터는 상기 경화 공정 중에 상기 패키지 기판의 휨을 보정하기 위해서 상기 패키지 기판을 상기 정보를 근거로 선택된 각도로 회전시킬 수 있다.
상기된 본 발명에 따르면, 다이 어태치 필름의 경화 공정 중에 발생될 수 있는 기준 패키지 기판의 휨에 대한 정보를 근거로 선정된 각도로 패키지 기판을 회전시킬 수 있다. 회전된 패키지 기판으로 열을 인가하여 다이 어태치 필름을 경화시키게 되므로, 경화 공정 중에 패키지 기판의 휨이 미리 보정될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 장치의 경화 챔버의 내부 구조를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 경화 챔버로 반입되는 패키지 기판을 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3의 A-A' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 장치의 반입부에 배치된 제 1 엑튜에이터를 나타낸 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 장치를 나타낸 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 장치를 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 도 1에 도시된 장치를 이용해서 반도체 패키지를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 9는 기준 패키지 기판이 경화 공정 이후 아래로 휘어진 상태를 나타낸 단면도이다.
도 10은 엑튜에이터에 의해 180° 회전된 패키지 기판을 나타낸 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 도 1에 도시된 장치를 이용해서 반도체 패키지를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 12는 패키지 기판이 엑튜에이터에 의해 예각으로 회전된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 도 1에 도시된 장치를 이용해서 반도체 패키지를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 14는 패키지 기판이 엑튜에이터에 의해 둔각으로 회전된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 도 1에 도시된 장치를 이용해서 반도체 패키지를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 16은 패키지 기판이 엑튜에이터에 의해 직각으로 회전된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 장치의 경화 챔버의 내부 구조를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 경화 챔버로 반입되는 패키지 기판을 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3의 A-A' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 장치의 반입부에 배치된 제 1 엑튜에이터를 나타낸 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 장치를 나타낸 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 장치를 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 도 1에 도시된 장치를 이용해서 반도체 패키지를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 9는 기준 패키지 기판이 경화 공정 이후 아래로 휘어진 상태를 나타낸 단면도이다.
도 10은 엑튜에이터에 의해 180° 회전된 패키지 기판을 나타낸 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 도 1에 도시된 장치를 이용해서 반도체 패키지를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 12는 패키지 기판이 엑튜에이터에 의해 예각으로 회전된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 도 1에 도시된 장치를 이용해서 반도체 패키지를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 14는 패키지 기판이 엑튜에이터에 의해 둔각으로 회전된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 도 1에 도시된 장치를 이용해서 반도체 패키지를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 16은 패키지 기판이 엑튜에이터에 의해 직각으로 회전된 상태를 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 장치를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 장치의 경화 챔버의 내부 구조를 나타낸 단면도이며, 도 3은 도 2에 도시된 경화 챔버로 반입되는 패키지 기판을 나타낸 평면도이고, 도 4는 도 3의 A-A' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 장치(100)는 반도체 칩(semiconductor chip)(C)들을 패키지 기판(package substrate)(S)에 부착시키는데 사용되는 다이 어태치 필름(die attach film)(F)을 경화(cure)시키는 장치일 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 패키지 기판(S)은 제 1 면(S1) 및 제 1 면(S1)의 반대측인 제 2 면(S2)을 가질 수 있다. 제 1 면(S1)은 패키지 기판(S)의 상부면일 수 있고, 제 2 면(S2)은 패키지 기판(S)의 하부면일 수 있다. 다이 어태치 필름(F)은 패키지 기판(S)의 제 1 면(S1)에 배치될 수 있다. 반도체 칩(C)들은 다이 어태치 필름(F)을 매개로 패키지 기판(S)의 제 1 면(S1)에 부착될 수 있다.
다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 경화 장치(100)는 경화 챔버(curing chamber)(110), 반입부(loader)(120), 반출부(unloader)(130), 제 1 엑튜에이터(actuator)(140), 제 2 엑튜에이터(160) 및 컨트롤러(controller)(150)를 포함할 수 있다.
반입부(120)는 반도체 칩(C)들이 다이 어태치 필름(F)에 의해 부착된 구조를 갖는 패키지 기판(S)을 경화 챔버(110) 내로 반입시킬 수 있다. 특히, 반입부(120)는 패키지 기판(S)의 제 1 면(S1)이 위를 향하는 자세로 패키지 기판(S)을 경화 챔버(110) 내로 반입시킬 수 있다. 다른 실시예로서, 반입부(120)는 복수개의 패키지 기판(S)들이 수납된 매거진(M)을 경화 챔버(110) 내로 반입시킬 수 있다. 복수개의 패키지 기판(S)들은 제 1 면(S1)이 위를 향하는 상태로 매거진(M) 내에 수납될 수 있다.
경화 챔버(110)는 히터(heater)(112)를 포함할 수 있다. 히터(112)는 경화 챔버(110)의 하부 영역 또는 상부 영역에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 히터(112)는 경화 챔버(110)의 하부 영역에 배치된 것으로 예시할 수 있다. 따라서, 히터(112)로부터 발생된 열은 경화 챔버(110)의 하부 영역으로부터 상부 영역을 향해 전파될 수 있다. 이러한 열이 매거진(M) 내의 패키지 기판(S)들로 인가되어, 패키지 기판(S)들에 배치된 다이 어태치 필름(F)들을 경화시킬 수 있다. 따라서, 패키지 기판(S)으로의 열의 인가 방향(H)은 아래로부터 위를 향하는 방향일 수 있다. 반면에, 히터(112)가 경화 챔버(110)의 상부 영역에 배치된 경우, 열의 인가 방향(H)은 위로부터 아래를 향하는 방향일 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 경화 공정 중에, 열은 패키지 기판(S)의 제 2 면(S2)으로 인가될 수 있다. 따라서, 경화 공정 이후, 패키지 기판(S)은 고온의 경화 챔버(110) 내에서 자중으로 인해서 휘어질 수 있다. 특히, 반도체 칩(C)들의 무게들에 의해서 패키지 기판(S)에 휨이 발생될 수 있다. 또한, 반도체 칩(C)들을 패키지 기판(S)의 제 1 면(S1)에 부착시키는 공정에 의해서도 패키지 기판(S)의 휨이 발생될 수 있다. 이러한 패키지 기판(S)의 휨은 패키지 기판(S)의 장축(long axis), 단축(short axis) 및/또는 대각선 축(diagonal axis)을 중심으로 발생될 수 있다. 특히, 패키지 기판(S)의 휨은 반도체 칩(C)들의 무게 및/또는 패키지 기판(S)의 자체적인 구조에 의해 주로 발생될 수 있다. 또한, 패키지 기판(S)이 열의 인가 방향(H)에 직접적인 영향을 받는 위치에 있는 경우, 패키지 기판(S)의 휨은 열에 의해서도 발생될 수 있다.
컨트롤러(150)는 기준 패키지 기판(RS)을 이용해서 경화 공정 이후 기준 패키지 기판(RS)의 휨에 대한 정보를 획득할 수 있다. 기준 패키지 기판(RS)은 전술된 패키지 기판(S)의 구조와 실질적으로 동일한 구조를 가질 수 있다. 즉, 기준 패키지 기판(RS)도 제 1 면(RS1) 및 제 1 면(RS1)의 반대측인 제 2 면(RS2)을 가질 수 있다. 다이 어태치 필름(F)은 기준 패키지 기판(RS)의 제 1 면(RS1)에 배치될 수 있다. 반도체 칩(C)들은 다이 어태치 필름(F)을 매개로 기준 패키지 기판(RS)의 제 1 면(RS1)에 부착될 수 있다. 기준 패키지 기판(RS)에 배치된 반도체 칩(C)들은 패키지 기판(S)에 배열된 반도체 칩(C)들의 배열과 실질적으로 동일한 배열을 가질 수 있다.
도 1에 도시된 장치를 이용해서 기준 패키지 기판(RS)에 대한 경화 공정을 수행할 수 있다. 경화 공정 이후, 기준 패키지 기판(RS)에 기준 패키지 기판(S)의 장축, 단축 및/또는 대각선 축을 중심으로 휨이 발생될 수 있다. 전술한 바와 같이, 기준 패키지 기판(RS)의 반도체 칩(C)들의 배열과 패키지 기판(S)의 반도체 칩(C)들의 배열이 실질적으로 동일하므로, 기준 패키지 기판(RS)의 휨은 패키지 기판(S)의 휨은 대변할 수 있을 것이다.
기준 패키지 기판(RS)의 휨에 대한 정보는 컨트롤러(150)에 저장될 수 있다. 구체적으로, 장축을 중심으로 한 기준 패키지 기판(RS)의 휨에 대한 정보, 단축을 중심으로 한 기준 패키지 기판(RS)의 휨에 대한 정보, 및/또는 대각선 축을 중심으로 한 기준 패키지 기판(RS)의 휨에 대한 정보가 컨트롤러(150)에 저장될 수 있다. 또한, 반도체 칩(C)을 기준 패키지 기판(RS)에 부착시키는 공정 중에 발생된 기준 패키지 기판(RS)의 휨에 대한 정보도 컨트롤러(150)에 저장될 수 있다.
다른 실시예로서, 컨트롤러(150)는 복수개의 기준 패키지 기판(RS)들의 휨들에 대한 정보들을 저장할 수 있다. 복수개의 기준 패키지 기판(RS)들은 서로 다른 반도체 칩(C)들의 배열들을 가질 수 있다. 따라서, 컨트롤러(150)는 여러 가지 구조들의 기준 패키지 기판(RS)들의 휨들에 대한 다양한 정보들을 저장할 수 있다. 그러므로, 컨트롤러(150)는 저장된 복수개의 정보들 중에서 실제로 경화 공정이 수행될 패키지 기판(S)의 구조와 실질적으로 동일한 구조를 갖는 기준 패키지 기판(RS)의 휨에 대한 정보를 선택할 수 있다.
도 5는 도 1에 도시된 장치의 반입부에 배치된 제 1 엑튜에이터를 나타낸 사시도이다.
도 1 및 도 5를 참조하면, 제 1 엑튜에이터(140)는 반입부(120)에 배치될 수 있다. 제 1 엑튜에이터(140)는 컨트롤러(150)에 저장된 정보들을 근거로 패키지 기판(S)을 회전시킬 수 있다. 즉, 반입부(120)에 의해 패키지 기판(S)이 경화 챔버(110) 내로 반입되기 전에, 패키지 기판(S)은 제 1 엑튜에이터(140)에 의해 회전될 수 있다. 따라서, 반입부(120)는 회전된 패키지 기판(S)을 경화 챔버(110) 내로 반입시키게 된다. 본 실시예에서, 제 1 엑튜에이터(140)는 모터(motor), 실린더(cylinder) 등을 포함할 수 있다.
제 1 엑튜에이터(140)에 의한 패키지 기판(S)의 회전 각도는 컨트롤러(150)에 저장된 정보에 따라 결정될 수 있다. 즉, 제 1 엑튜에이터(140)에 의한 패키지 기판(S)의 회전 각도는 컨트롤러(150)에 저장된 복수개의 정보들 중에서 실제로 경화 공정이 수행될 패키지 기판(S)의 구조와 실질적으로 동일한 구조를 갖는 기준 패키지 기판(RS)의 휨에 대한 정보를 근거로 결정될 수 있다.
예를 들어서, 패키지 기판(S)의 구조와 실질적으로 동일한 구조를 갖는 기준 패키지 기판(RS)이 경화 공정 이후 장축 또는 단축을 중심으로 아래로 휘어진 경우, 실제 패키지 기판(S)도 경화 공정 이후 장축 또는 단축을 중심으로 아래로 휘어질 것이다. 제 1 엑튜에이터(140)는 경화 공정 전에 패키지 기판(S)을 장축 또는 단축을 중심으로 180° 회전시킬 수 있다. 따라서, 패키지 기판(S)의 제 1 면(S1)은 아래를 향하게 되고, 패키지 기판(S)의 제 2 면(S2)은 위를 향하게 될 수 있다.
반입부(120)는 180° 회전된 패키지 기판(S)을 경화 챔버(110) 내로 반입시킬 수 있다. 히터(112)로부터 발생된 열은 패키지 기판(S)의 제 1 면(S1)으로 인가될 수 있다. 결과적으로, 180° 회전된 패키지 기판(S)이 자중에 의해 아래로 처지게 되는 것이 억제되어, 장축 또는 단축을 중심으로 한 패키지 기판(S)의 휨이 보정될 수 있다.
패키지 기판(S)의 구조와 실질적으로 동일한 구조를 갖는 기준 패키지 기판(RS)이 경화 공정 이후 대각선 축을 중심으로 위로 휘어진 경우, 실제 패키지 기판(S)도 경화 공정 이후 대각선 축을 중심으로 위로 휘어질 것이다. 제 1 엑튜에이터(140)는 경화 공정 전에 패키지 기판(S)을 대각선 축을 중심으로 예각만큼 회전시킬 수 있다. 따라서, 패키지 기판(S)의 경사진 제 2 면(S2)은 아래를 향하게 되고, 패키지 기판(S)의 경사진 제 1 면(S1)은 위를 향하게 될 수 있다. 예각은 컨트롤러(150)에 저장된 정보에 따라 결정될 수 있다.
반입부(120)는 예각만큼 회전된 패키지 기판(S)을 경화 챔버(110) 내로 반입시킬 수 있다. 히터(112)로부터 발생된 열은 패키지 기판(S)의 경사진 제 2 면(S2)으로 인가될 수 있다. 결과적으로, 예각만큼 회전된 패키지 기판(S)이 자중에 의한 처지게 되는 것이 억제되어, 대각선 축을 중심으로 한 패키지 기판(S)의 위로의 휨이 보정될 수 있다.
패키지 기판(S)의 구조와 실질적으로 동일한 구조를 갖는 기준 패키지 기판(RS)이 경화 공정 이후 대각선 축을 중심으로 아래로 휘어진 경우, 실제 패키지 기판(S)도 경화 공정 이후 대각선 축을 중심으로 아래로 휘어질 것이다. 제 1 엑튜에이터(140)는 경화 공정 전에 패키지 기판(S)을 대각선 축을 중심으로 둔각만큼 회전시킬 수 있다. 따라서, 패키지 기판(S)의 경사진 제 1 면(S1)은 아래를 향하게 되고, 패키지 기판(S)의 경사진 제 2 면(S2)은 위를 향하게 될 수 있다. 둔각은 컨트롤러(150)에 저장된 정보에 따라 결정될 수 있다.
반입부(120)는 둔각만큼 회전된 패키지 기판(S)을 경화 챔버(110) 내로 반입시킬 수 있다. 히터(112)로부터 발생된 열은 패키지 기판(S)의 경사진 제 1 면(S1)으로 인가될 수 있다. 결과적으로, 둔각만큼 회전된 패키지 기판(S)이 자중에 의한 처지게 되는 것이 억제되어, 대각선 축을 중심으로 한 패키지 기판(S)의 아래로의 휨이 보정될 수 있다.
히터(112)로부터의 열에 의한 패키지 기판(S)의 영향을 줄이기 위해서, 제 1 엑튜에이터(140)는 경화 공정 전에 패키지 기판(S)을 90° 회전시킬 수 있다. 따라서, 패키지 기판(S)의 제 1 면(S1)과 제 2 면(S2)은 열의 인가 방향(H)과 평행을 이룰 수 있다.
반입부(120)는 90° 회전된 패키지 기판(S)을 경화 챔버(110) 내로 반입시킬 수 있다. 히터(112)로부터 발생된 열은 패키지 기판(S)의 제 1 면(S1)과 제 2 면(S2)으로 직접적으로 인가되지 않을 수 있다. 결과적으로, 90° 회전된 패키지 기판(S)이 자중에 의한 처지게 되는 것이 억제되어, 패키지 기판(S)의 휨도 억제될 수 있다.
반출부(130)는 경화 공정이 완료된 패키지 기판(S)을 경화 챔버(110)로부터 반출시킬 수 있다. 반출된 패키지 기판(S)은 제 1 엑튜에이터(140)에 의해 회전된 상태일 수 있다.
제 2 엑튜에이터(160)는 회전된 패키지 기판(S)을 역으로 회전시켜서 원래의 자세로 복귀시킬 수 있다. 제 2 엑튜에이터(160)는 모터, 실린더 등을 포함할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 장치를 나타낸 평면도이다.
본 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 장치(100a)는 제 1 엑튜에이터(140)의 위치를 제외하고는 도 1에 도시된 장치(100)의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
도 6을 참조하면, 제 1 엑튜에이터(140)는 경화 챔버(110)의 내부에 배치될 수 있다. 제 1 엑튜에이터(140)는 경화 챔버(110) 내로 반입된 매거진(M)을 컨트롤러(150)에 저장된 정보에 따라 선택된 각도로 회전시킬 수 있다. 따라서, 매거진(M)에 수납된 패키지 기판(S)들도 매거진(M)의 회전 각도만큼 회전될 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 장치를 나타낸 평면도이다.
본 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조 장치(100b)는 제 1 엑튜에이터(140)의 위치를 제외하고는 도 1에 도시된 장치(100)의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.
도 7을 참조하면, 제 1 엑튜에이터(140)는 경화 챔버(110)의 외측면에 연결될 수 있다. 제 1 엑튜에이터(140)는 매거진(M)이 반입된 경화 챔버(110) 전체를 컨트롤러(150)에 저장된 정보에 따라 선택된 각도로 회전시킬 수 있다. 따라서, 경화 챔버(110)로 반입된 매거진(M) 및 매거진(M)에 수납된 패키지 기판(S)들도 경화 챔버(110)의 회전 각도만큼 회전될 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 도 1에 도시된 장치를 이용해서 반도체 패키지를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이고, 도 9는 기준 패키지 기판이 경화 공정 이후 아래로 휘어진 상태를 나타낸 단면도이며, 도 10은 엑튜에이터에 의해 180° 회전된 패키지 기판을 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 8을 참조하면, 단계 ST200에서, 기준 패키지 기판(RS)을 도 1에 도시된 장치를 이용해서 경화시킬 수 있다. 경화 공정 이후, 도 9에 도시된 바와 같이, 기준 패키지 기판(RS)은 기준 패키지 기판(RS)의 장축 또는 단축을 중심으로 아래로 휘어질 수 있다.
단계 ST210에서, 컨트롤러(150)가 기준 패키지 기판(RS)이 장축 또는 단축을 중심으로 아래로 휘어진 것에 대한 정보를 획득할 수 있다. 획득된 정보는 컨트롤러(150)에 저장될 수 있다.
단계 ST220에서, 도 10에 도시된 바와 같이, 제 1 엑튜에이터(140)가 기준 패키지 기판(RS)의 구조와 실질적으로 동일한 구조를 갖는 패키지 기판(S)을 컨트롤러(150)에 저장된 기준 패키지 기판(RS)의 휨에 대한 정보를 근거로 선택된 각도인 180°로 회전시킬 수 있다. 따라서, 패키지 기판(S)의 제 1 면(S1)은 아래를 향하게 되고, 패키지 기판(S)의 제 2 면(S2)은 위를 향하게 될 수 있다.
단계 ST230에서, 반입부(120)가 180° 회전된 패키지 기판(S)을 경화 챔버(110) 내로 반입시킬 수 있다.
단계 ST240에서, 히터(112)가 열을 패키지 기판(S)의 제 1 면(S1)으로 인가하여, 다이 어태치 필름(F)을 경화시킬 수 있다. 이러한 경화 공정 중에, 180° 회전된 패키지 기판(S)이 자중에 의해 아래로 처지게 되는 것이 억제되어, 장축 또는 단축을 중심으로 한 패키지 기판(S)의 휨이 보정될 수 있다.
단계 ST250에서, 다이 어태치 필름(F)의 경화가 완료되면, 반출부(130)가 패키지 기판(S)을 경화 챔버(110)로부터 반출시킬 수 있다. 반출된 패키지 기판(S)은 제 1 엑튜에이터(140)에 의해 180° 회전된 상태일 수 있다.
단계 ST260에서, 제 2 엑튜에이터(160)가 패키지 기판(S)을 다시 180° 회전시켜서, 패키지 기판(S)을 원래의 자세로 복귀시킬 수 있다.
다른 실시예로서, 본 실시예의 방법은 도 6에 도시된 장치(100a) 또는 도 7에 도시된 장치(100b)를 이용할 수도 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 도 1에 도시된 장치를 이용해서 반도체 패키지를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이고, 도 12는 패키지 기판이 엑튜에이터에 의해 예각으로 회전된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 11을 참조하면, 단계 ST300에서, 기준 패키지 기판(RS)을 도 1에 도시된 장치를 이용해서 경화시킬 수 있다. 경화 공정 이후, 도 12에 도시된 바와 같이, 기준 패키지 기판(RS)은 대각선 축을 중심으로 위로 휘어질 수 있다.
단계 ST310에서, 컨트롤러(150)가 기준 패키지 기판(RS)이 대각선 축을 중심으로 위로 휘어진 것에 대한 정보를 획득할 수 있다. 획득된 정보는 컨트롤러(150)에 저장될 수 있다.
단계 ST320에서, 도 12에 도시된 바와 같이, 제 1 엑튜에이터(140)가 기준 패키지 기판(RS)의 구조와 실질적으로 동일한 구조를 갖는 패키지 기판(S)을 컨트롤러(150)에 저장된 기준 패키지 기판(RS)의 휨에 대한 정보를 근거로 선택된 예각으로 회전시킬 수 있다. 따라서, 패키지 기판(S)의 경사진 제 2 면(S2)은 아래를 향하게 되고, 패키지 기판(S)의 경사진 제 1 면(S1)은 위를 향하게 될 수 있다.
단계 ST330에서, 반입부(120)가 예각으로 회전된 패키지 기판(S)을 경화 챔버(110) 내로 반입시킬 수 있다.
단계 ST340에서, 히터(112)가 열을 패키지 기판(S)의 경사진 제 2 면(S2)으로 인가하여, 다이 어태치 필름(F)을 경화시킬 수 있다. 이러한 경화 공정 중에, 예각으로 회전된 패키지 기판(S)이 자중에 의해 아래로 처지게 되는 것이 억제되어, 대각선 축을 중심으로 한 패키지 기판(S)의 위로의 휨이 보정될 수 있다.
단계 ST350에서, 다이 어태치 필름(F)의 경화가 완료되면, 반출부(130)가 패키지 기판(S)을 경화 챔버(110)로부터 반출시킬 수 있다. 반출된 패키지 기판(S)은 제 1 엑튜에이터(140)에 의해 예각으로 회전된 상태일 수 있다.
단계 ST360에서, 제 2 엑튜에이터(160)가 패키지 기판(S)을 다시 역방향으로 예각만큼 회전시켜서, 패키지 기판(S)을 원래의 자세로 복귀시킬 수 있다.
다른 실시예로서, 본 실시예의 방법은 도 6에 도시된 장치(100a) 또는 도 7에 도시된 장치(100b)를 이용할 수도 있다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 도 1에 도시된 장치를 이용해서 반도체 패키지를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이고, 도 14는 패키지 기판이 엑튜에이터에 의해 둔각으로 회전된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 13을 참조하면, 단계 ST400에서, 기준 패키지 기판(RS)을 도 1에 도시된 장치를 이용해서 경화시킬 수 있다. 경화 공정 이후, 도 14에 도시된 바와 같이, 기준 패키지 기판(RS)은 대각선 축을 중심으로 아래로 휘어질 수 있다.
단계 ST410에서, 컨트롤러(150)가 기준 패키지 기판(RS)이 대각선 축을 중심으로 아래로 휘어진 것에 대한 정보를 획득할 수 있다. 획득된 정보는 컨트롤러(150)에 저장될 수 있다.
단계 ST420에서, 도 14에 도시된 바와 같이, 제 1 엑튜에이터(140)가 기준 패키지 기판(RS)의 구조와 실질적으로 동일한 구조를 갖는 패키지 기판(S)을 컨트롤러(150)에 저장된 기준 패키지 기판(RS)의 휨에 대한 정보를 근거로 선택된 둔각으로 회전시킬 수 있다. 따라서, 패키지 기판(S)의 경사진 제 1 면(S1)은 아래를 향하게 되고, 패키지 기판(S)의 경사진 제 2 면(S2)은 위를 향하게 될 수 있다.
단계 ST430에서, 반입부(120)가 둔각으로 회전된 패키지 기판(S)을 경화 챔버(110) 내로 반입시킬 수 있다.
단계 ST440에서, 히터(112)가 열을 패키지 기판(S)의 경사진 제 1 면(S1)으로 인가하여, 다이 어태치 필름(F)을 경화시킬 수 있다. 이러한 경화 공정 중에, 둔각으로 회전된 패키지 기판(S)이 자중에 의해 아래로 처지게 되는 것이 억제되어, 대각선 축을 중심으로 한 패키지 기판(S)의 아래로의 휨이 보정될 수 있다.
단계 ST450에서, 다이 어태치 필름(F)의 경화가 완료되면, 반출부(130)가 패키지 기판(S)을 경화 챔버(110)로부터 반출시킬 수 있다. 반출된 패키지 기판(S)은 제 1 엑튜에이터(140)에 의해 둔각으로 회전된 상태일 수 있다.
단계 ST460에서, 제 2 엑튜에이터(160)가 패키지 기판(S)을 다시 역방향으로 둔각만큼 회전시켜서, 패키지 기판(S)을 원래의 자세로 복귀시킬 수 있다.
다른 실시예로서, 본 실시예의 방법은 도 6에 도시된 장치(100a) 또는 도 7에 도시된 장치(100b)를 이용할 수도 있다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 도 1에 도시된 장치를 이용해서 반도체 패키지를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이고, 도 16은 패키지 기판이 엑튜에이터에 의해 직각으로 회전된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 15를 참조하면, 단계 ST500에서, 도 16에 도시된 바와 같이, 제 1 엑튜에이터(140)가 패키지 기판(S)을 기준 패키지 기판(RS)의 휨에 대한 정보를 근거로 선택된 90°로 회전시킬 수 있다. 따라서, 패키지 기판(S)의 제 1 면(S1)과 제 2 면(S2)은 열의 인가 방향(H)과 평행할 수 있다.
단계 ST510에서, 반입부(120)가 직각으로 회전된 패키지 기판(S)을 경화 챔버(110) 내로 반입시킬 수 있다.
단계 ST520에서, 히터(112)가 열을 패키지 기판(S)으로 인가하여, 다이 어태치 필름(F)을 경화시킬 수 있다. 이러한 경화 공정 중에, 열은 열의 인가 방향(H)과 평행한 패키지 기판(S)의 제 1 면(S1)과 제 2 면(S2)으로 직접적으로 인가되지 않을 수 있다. 90°로 회전된 패키지 기판(S)이 자중에 의해 아래로 처지게 되는 것이 억제되어, 패키지 기판(S)의 휨이 억제될 수 있다.
단계 ST530에서, 다이 어태치 필름(F)의 경화가 완료되면, 반출부(130)가 패키지 기판(S)을 경화 챔버(110)로부터 반출시킬 수 있다. 반출된 패키지 기판(S)은 제 1 엑튜에이터(140)에 의해 90°로 회전된 상태일 수 있다.
단계 ST540에서, 제 2 엑튜에이터(160)가 패키지 기판(S)을 다시 90°로 회전시켜서, 패키지 기판(S)을 원래의 자세로 복귀시킬 수 있다.
다른 실시예로서, 본 실시예의 방법은 도 6에 도시된 장치(100a) 또는 도 7에 도시된 장치(100b)를 이용할 수도 있다.
상기된 본 실시예들에 따르면, 다이 어태치 필름의 경화 공정 중에 발생될 수 있는 기준 패키지 기판의 휨에 대한 정보를 근거로 선정된 각도로 패키지 기판을 회전시킬 수 있다. 회전된 패키지 기판으로 열을 인가하여 다이 어태치 필름을 경화시키게 되므로, 경화 공정 중에 패키지 기판의 휨이 미리 보정될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110 ; 경화 챔버
112 ; 히터
120 ; 반입부 130 ; 반출부
140 ; 제 1 엑튜에이터 150 ; 컨트롤러
160 ; 제 2 엑튜에이터 M ; 매거진
120 ; 반입부 130 ; 반출부
140 ; 제 1 엑튜에이터 150 ; 컨트롤러
160 ; 제 2 엑튜에이터 M ; 매거진
Claims (10)
- 복수개의 반도체 칩들이 다이 어태치 필름에 의해 부착된 구조를 갖는 기준 패키지 기판으로 상기 다이 어태치 필름을 경화시키기 위한 열을 인가하는 공정 중에 발생되는 상기 기준 패키지 기판이 상기 기준 패키지 기판의 장축 및/또는 단축을 중심으로 아래로 휘어진 것에 대한 정보를 획득하고;
상기 반도체 칩들이 상기 다이 어태치 필름에 의해 부착된 제 1 면, 및 상기 제 1 면의 반대인 제 2 면을 갖는 패키지 기판을 상기 정보를 근거로 선택된 180°로 상기 장축 또는 상기 단축을 중심으로 회전시키고; 그리고
상기 패키지 기판으로 상기 열을 인가하여 상기 다이 어태치 필름을 경화시키면서 상기 패키지 기판의 휨을 보정하는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 칩들을 상기 기준 패키지 기판에 부착하는 공정 중에 발생되는 상기 기준 패키지 기판이 상기 장축 및/또는 상기 단축을 중심으로 아래로 휘어진 것에 대한 정보를 획득하는 것을 더 포함하고.
상기 패키지 기판을 180° 회전시키는 것은 상기 경화 공정 중에 획득한 상기 정보와 상기 부착 공정 중에 획득한 상기 정보를 근거로 수행하는 반도체 패키지의 제조 방법. - 복수개의 반도체 칩들이 다이 어태치 필름에 의해 부착된 구조를 갖는 기준 패키지 기판으로 상기 다이 어태치 필름을 경화시키기 위한 열을 인가하는 공정 중에 발생되는 상기 기준 패키지 기판의 휨에 대한 정보를 획득하고;
상기 반도체 칩들이 상기 다이 어태치 필름에 의해 부착된 제 1 면, 및 상기 제 1 면의 반대인 제 2 면을 갖는 패키지 기판을 상기 정보를 근거로 선택된 각도만큼 회전시키고; 그리고
상기 패키지 기판으로 상기 열을 인가하여 상기 다이 어태치 필름을 경화시키면서 상기 패키지 기판의 휨을 보정하는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법. - 제 3 항에 있어서, 상기 기준 패키지 기판의 상기 휨에 대한 정보는 상기 기준 패키지 기판이 상기 기준 패키지 기판의 장축 및/또는 단축을 중심으로 아래로 휘어진 것에 대한 정보를 포함하고,
상기 패키지 기판을 회전시키는 것은 상기 기준 패키지 기판의 휨에 대한 상기 정보를 근거로 선택된 180°로 상기 패키지 기판을 상기 장축 또는 상기 단축을 중심으로 회전시키는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법. - 제 4 항에 있어서, 상기 패키지 기판으로 상기 열을 인가하는 것은 상기 패키지 기판의 상기 제 1 면으로 상기 열을 인가하는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 기준 패키지 기판의 상기 휨에 대한 정보는 상기 기준 패키지 기판이 상기 기준 패키지 기판의 대각선 축을 중심으로 위로 휘어진 것에 대한 정보를 포함하고,
상기 패키지 기판을 회전시키는 것은 상기 기준 패키지 기판이 상기 대각선 축을 중심으로 위로 휘어진 것에 대한 상기 정보를 근거로 선택된 예각으로 상기 패키지 기판을 상기 패키지 기판의 장축 또는 단축을 중심으로 회전시키는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법. - 제 6 항에 있어서, 상기 패키지 기판으로 상기 열을 인가하는 것은 상기 패키지 기판의 상기 제 2 면으로 상기 열을 인가하는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 기준 패키지 기판의 상기 휨에 대한 정보는 상기 기준 패키지 기판이 상기 기준 패키지 기판의 대각선 축을 중심으로 아래로 휘어진 것에 대한 정보를 포함하고,
상기 패키지 기판을 회전시키는 것은 상기 기준 패키지 기판이 상기 대각선 축을 중심으로 아래로 휘어진 것에 대한 상기 정보를 근거로 선택된 둔각으로 상기 패키지 기판을 상기 패키지 기판의 장축 또는 단축을 중심으로 회전시키는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법. - 제 8 항에 있어서, 상기 패키지 기판으로 상기 열을 인가하는 것은 상기 패키지 기판의 상기 제 1 면으로 상기 열을 인가하는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 패키지 기판을 회전시키는 것은 상기 열의 인가 방향과 평행하게 상기 패키지 기판을 90° 회전시키는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200110978A KR20220029083A (ko) | 2020-09-01 | 2020-09-01 | 반도체 패키지의 제조 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
US17/218,581 US11646294B2 (en) | 2020-09-01 | 2021-03-31 | Method of manufacturing a semiconductor package and apparatus for performing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200110978A KR20220029083A (ko) | 2020-09-01 | 2020-09-01 | 반도체 패키지의 제조 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220029083A true KR20220029083A (ko) | 2022-03-08 |
Family
ID=80359069
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200110978A KR20220029083A (ko) | 2020-09-01 | 2020-09-01 | 반도체 패키지의 제조 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11646294B2 (ko) |
KR (1) | KR20220029083A (ko) |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100676314B1 (ko) | 1999-12-17 | 2007-01-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 경화 장치 및 그를 이용한 경화 방법 |
KR100524974B1 (ko) | 2003-07-01 | 2005-10-31 | 삼성전자주식회사 | 양면 스택 멀티 칩 패키징을 위한 인라인 집적회로 칩패키지 제조 장치 및 이를 이용한 집적회로 칩 패키지제조 방법 |
KR100810472B1 (ko) | 2006-05-30 | 2008-03-07 | 주식회사 쏠리스 | 인라인 경화 방법 |
KR100816647B1 (ko) | 2006-10-10 | 2008-03-27 | 오성엘에스티(주) | 인라인 타입의 큐어장치 |
KR100851243B1 (ko) | 2007-01-31 | 2008-08-08 | 비전세미콘 주식회사 | 반도체 제조용 오븐장치 |
TWI523164B (zh) | 2010-11-25 | 2016-02-21 | 山田尖端科技股份有限公司 | 樹脂模塑裝置 |
JP5716227B2 (ja) | 2010-12-17 | 2015-05-13 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂モールド装置 |
KR20120138517A (ko) * | 2011-06-15 | 2012-12-26 | 삼성전자주식회사 | 칩 고정 장치 및 이를 이용한 칩의 테스트 방법 |
KR101459101B1 (ko) | 2013-04-22 | 2014-11-20 | 비전세미콘 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 가압오븐 |
-
2020
- 2020-09-01 KR KR1020200110978A patent/KR20220029083A/ko unknown
-
2021
- 2021-03-31 US US17/218,581 patent/US11646294B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11646294B2 (en) | 2023-05-09 |
US20220068874A1 (en) | 2022-03-03 |
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