KR20220005466A - 수지 필름, 고주파 회로 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

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타카시 곤다
아키히로 고이즈미
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신에츠 폴리머 가부시키가이샤
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Abstract

폴리아릴렌에테르케톤 수지에 의해 제조한 고주파 회로 기판용 등의 필름의 저유전 특성과 내열성을 저하시키지 않고, 가열 치수 안정성을 향상시킬 수가 있는 수지 필름, 고주파 회로 기판 및 그 제조 방법을 제공한다. 폴리아릴렌에테르케톤 수지 100질량부와, 비팽윤성의 합성 마이카 10질량부 이상 80질량부 이하를 함유하는 수지 필름으로 한다. 수지 필름(1)을 비팽윤성의 합성 마이카 함유의 성형 재료(4)로 형성하므로 선팽창계수를 저하시킬 수가 있다. 따라서, 수지 필름(1)의 가열 치수 안정성을 향상시키고, 금속박(2) 등으로 이루어지는 금속층과의 가열 치수 특성의 상위를 억제할 수가 있어, 도전층(3)을 적층하여 고주파 회로 기판을 제조하는 경우에 고주파 회로 기판이 컬하거나 변형하는 것을 방지할 수 있다.

Description

수지 필름, 고주파 회로 기판 및 그 제조 방법
본 발명은 MHz 대역으로부터 GHz 대역에 걸쳐 사용되는 수지 필름, 고주파 회로 기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 800MHz로부터 100GHz 이하의 대역에서 사용되는 수지 필름, 고주파 회로 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
근년, 수요가 급속히 확대하고 있는 다기능 휴대전화나 태블릿 단말 등의 이동체 정보통신기기, 차세대 TV 등의 전자기기에는 보다 대용량의 데이터를 고속으로 송수신하는 것이 요구되고 있고, 이 요망에 수반하여 전기신호의 고주파수화가 검토되고 있다. 예를 들면, 이동체 정보통신 분야에서는 제5세대 이동통신 시스템(5G)의 검토가 세계적으로 진행되고 있다(특허문헌 1, 2 참조). 이 제5세대 이동통신 시스템의 통신 속도는 전 세대의 수십 배 이상이고, 이것을 실현하기 위해 전기신호는 10GHz 이상의 고주파수 대역이 검토되고 있다. 또, 자동차 분야에 있어서는 차재(車載) 레이더 시스템으로서 밀리파(millimeter wave)로 불리는 60GHz 이상의 고주파수 대역의 신호의 이용이 연구되고 있다.
일본국 특허공표 2017－502595호 공보 일본국 특허공고 1994－27002호 공보
그렇지만, 종래에 있어서의 회로 기판은 주로 저주파수 대역을 활용한 통신을 전제로 설계·개발되고, 고주파수 대역을 활용한 대용량·고속통신을 전제로 설계·개발되어 있지는 않으므로, 비유전율의 값이 통상 타입의 4.3 정도로 높고, 유전정접도 0.018 정도로 낮지 않은 값이다. 이에 반해, 대용량·고속통신용의 회로 기판은 비유전율이나 유전정접 등의 유전 특성이 낮고, 또한 내열성이나 기계적 강도 등의 특성이 뛰어난 재료가 요구된다.
이 점에 대해 상세하게 설명하면, 비유전율은 유전체 내의 분극의 정도를 나타내는 파라미터이고, 값이 높을수록 전기신호의 전반 지연이 커진다. 따라서, 전기신호의 전반 속도를 높여 고속연산을 가능하게 하기 위해서는 비유전율은 낮은 편이 바람직하다. 또, 유전정접(tanδ라고도 한다)은 유전체 내의 전반하는 전기신호가 열로 변환되어 없어지는 양을 나타내는 파라미터이고, 값이 낮을 수록 신호의 손실이 감소하여 전기신호의 전달률이 향상된다. 또한, 유전정접은 고주파수 대역에서는 주파수의 증가에 수반하여 증대해 버리므로, 손실을 조금이라도 억제하기 위해서는 값을 작게 할 수 있는 재료를 이용할 필요가 있다.
이상으로부터, MHz 대역으로부터 GHz 대역 등의 고주파수 대역에서 사용되는 회로 기판은 대용량·고속통신을 실현하기 위해, 종래보다 비유전율과 유전정접이 낮은 재료에 의해 제조되는 것이 강하게 요망된다. 이 점에 근거하여 비유전율과 유전정접이 낮은 재료가 예의 검토되고 있는데, 그 결과 폴리아릴렌에테르케톤(방향족 폴리에테르케톤이라고도 하는 PAEK) 수지가 제안되어 주목되고 있다.
폴리아릴렌에테르케톤 수지는 전기 절연 성질, 기계적 성질, 내열성, 내약품성, 내방사선성, 내가수분해성, 저흡수성, 리사이클성 등이 뛰어난 열가소성의 결정성 수지이다. 이 뛰어난 성질을 감안하여 폴리아릴렌에테르케톤 수지는 자동차 분야, 에너지 분야, 반도체 분야, 의료 분야, 항공·우주 분야 등의 광범위한 분야에서 사용이 제안되어 이용되고 있다.
이 폴리아릴렌에테르케톤 수지에 의해 수지 필름을 제조하면, 수지 필름의 주파수 800MHz 이상 100GHz 이하의 범위에 있어서의 비유전율이 3.5 이하, 유전정접이 0.007 이하로 되어 뛰어난 저유전 특성을 얻을 수 있다. 또한, 이 수지 필름에 의하면, 288℃의 땜납욕에 10초간 띄워도 변형하지 않는다고 하는 뛰어난 내열성을 얻을 수 있다.
그렇지만, 폴리아릴렌에테르케톤 수지제의 수지 필름은 뛰어난 저유전 특성과 내열성을 얻을 수 있지만, 가열 치수 안정성이 떨어지기 때문에, 도전층이 적층된 경우, 도전층과의 가열 치수 특성이 크게 다르기 때문에, 적층체가 컬(curl)하거나 변형한다고 하는 큰 문제가 새로이 생기게 된다.
폴리아릴렌에테르케톤 수지제의 수지 필름의 가열 치수 안정성을 개량하는 방법으로서는 (1) 폴리아릴렌에테르케톤 수지, 육방정 질화붕소, 및 탈크(talc)를 포함하는 성형 재료에 의해 수지 필름을 성형하는 방법(일본국 특허 제5896822호 공보 참조), (2) 폴리에테르에테르케톤을 90질량% 이상으로 함유하는 수지 필름을 2축 연신 처리하는 방법(일본국 특허 제5847522호 공보 참조) 등의 방법이 제안되어 있다.
그러나, (1) 방법의 경우에는 육방정 질화붕소가 균일 분산성이 떨어지므로, 기계적 특성이나 유전 특성의 품질이 안정하지 않다고 하는 문제가 새로이 생긴다. 또, (2) 방법의 경우에는 수지 필름 상에 금속층을 형성하는 경우, 수지 필름과 금속박을 접착제로 접착하거나, 수지 필름에 금속층을 시드층(seed layer)을 개재하여 적층 형성하는 것은 가능은 하지만, 수지 필름과 금속박의 열융착은 수지 필름의 용융에 의해 2축 연신이 어긋나 버려, 적층 후 적층체에 컬이나 변형이 생겨 버리게 된다.
본 발명은 상기를 감안하여 이루어진 것으로, 폴리아릴렌에테르케톤 수지에 의해 제조한 고주파 회로 기판용 등의 필름의 저유전 특성과 내열성을 저하시키지 않고, 가열 치수 안정성을 향상시킬 수 있는 수지 필름, 고주파 회로 기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명자들은 예의 연구한 결과, 열가소성 수지의 재료 중 내열성이 가장 높고, 저유전 특성이 뛰어난 폴리아릴렌에테르케톤 수지에 주목하고, 이 폴리아릴렌에테르케톤 수지를 이용하여 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명에 있어서는 상기 과제를 해결하기 위해, 폴리아릴렌에테르케톤 수지 100질량부와, 비팽윤성의 합성 마이카(mica) 10질량부 이상 80질량부 이하를 함유하는 수지 필름인 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 수지 필름의 상대 결정화도가 80% 이상인 것이 바람직하다.
또, 수지 필름의 선팽창계수가 1ppm/℃ 이상 50ppm/℃ 이하인 것이 바람직하다.
또, 비팽윤성의 합성 마이카는 불소금운모, 칼륨사규소운모, 및 칼륨태니올라이트의 적어도 어느 것이면 좋다.
또, 합성 마이카의 평균 입자경은 0.5㎛ 이상 50㎛ 이하인 것이 바람직하다.
또, 합성 마이카의 어스펙트비(aspect ratio)는 5 이상 100 이하인 것이 바람직하다.
또, 본 발명에 있어서는 상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 1 내지 4의 어느 한 항에 기재된 수지 필름을 가지는 고주파 회로 기판인 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 고주파 회로 기판에는 수지 필름에 열융착하여 적층되는 금속층을 포함할 수가 있다.
또, 본 발명에 있어서는 상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 5 또는 6에 기재한 고주파 회로 기판의 제조 방법으로서,
적어도 폴리아릴렌에테르케톤 수지 100질량부와, 비팽윤성의 합성 마이카 10질량부 이상 80질량부 이하를 함유하는 성형 재료를 용융 혼련하고, 이 성형 재료를 압출 성형기의 다이스(dies)에 의해 수지 필름으로 압출 성형하고, 이 수지 필름을 냉각 롤에 접촉시켜 냉각함으로써, 수지 필름의 상대 결정화도를 80% 이상으로 함과 아울러, 이 수지 필름의 선팽창계수를 1ppm/℃ 이상 50ppm/℃ 이하로 하는 것을 특징으로 하고 있다.
여기서, 청구범위에 있어서의 수지 필름에는 수지제의 필름 외에 수지 시트가 포함된다. 이 수지 필름은 투명, 불투명, 반투명, 무연신 필름, 1축 연신 필름, 2축 연신 필름을 특별히 따지지 않는다. 또, 비팽윤성의 합성 마이카로서는 600℃ 이상으로 열처리된 비팽윤성의 합성 마이카 등을 들 수 있다. 금속층은 필요에 따라 수지 필름의 일면에 적층되거나 양면에 적층된다.
본 발명에 의하면, 수지 필름을 비팽윤성의 합성 마이카 함유 성형 재료에 의해 성형하므로, 수지 필름의 선팽창계수를 저하시켜 수지 필름의 가열 치수 안정성의 향상을 도모할 수가 있다. 또, 수지 필름을 폴리아릴렌에테르케톤 수지 함유 성형 재료에 의해 성형하므로, 수지 필름의 주파수 800MHz 이상 100GHz 이하의 범위에 있어서의 비유전율이 3.5 이하이고, 또 유전정접이 0.006 이하로 되어, 비유전율과 유전정접의 값을 종래보다 낮게 할 수가 있다.
본 발명에 의하면, 폴리아릴렌에테르케톤 수지에 의해 제조한 고주파 회로 기판용 등의 수지 필름의 저유전 특성과 내열성을 저하시키지 않고, 가열 치수 안정성을 향상시킬 수가 있다고 하는 효과가 있다.
청구항 2 기재의 발명에 의하면, 수지 필름의 상대 결정화도가 80% 이상이므로 뛰어난 땜납 내열성을 얻을 수 있다. 또, 수지 필름의 상대 결정화도가 80% 이상이면, 고주파 회로 기판으로서 사용 가능한 가열 치수 안정성의 확보를 기대할 수 있다.
청구항 3 기재의 발명에 의하면, 수지 필름의 선팽창계수가 1ppm/℃ 이상 50ppm/℃ 이하이므로, 수지 필름과 도전층을 적층하는 경우, 이들 수지 필름과 도전층의 적층 시에 컬이나 휨이 생기기 쉬워지는 것을 방지할 수가 있다. 또, 수지 필름과 도전층이 박리해 버릴 우려를 배제할 수가 있다.
청구항 4 기재의 발명에 의하면, 합성 마이카를 불소금운모, 칼륨사규소운모, 및 칼륨태니올라이트의 적어도 어느 것으로 하므로, 뛰어난 가열 치수 안정성이나 내열성 등을 얻는 것이 가능하게 된다.
청구항 5 기재의 발명에 의하면, 폴리아릴렌에테르케톤 수지에 의해 제조한 고주파 회로 기판용 수지 필름의 저유전 특성과 내열성을 저하시키지 않고, 가열 치수 안정성을 향상시킬 수가 있다고 하는 효과가 있다.
청구항 6 기재의 발명에 의하면, 고주파 회로 기판의 수지 필름과 금속층을 접착제로 접착할 필요가 없으므로, 고주파 회로 기판에 접착제에 의한 악영향이 미치는 것을 방지하는 것이 가능하게 된다. 또, 금속층을 그대로 도전층으로 할 수가 있으므로 제조 비용의 삭감을 도모하는 것이 가능하게 된다.
청구항 7 기재의 발명에 의하면, 고주파 회로 기판의 수지 필름을 용융 압출 성형법에 의해 성형하므로, 수지 필름의 두께 정밀도, 생산성, 핸들링(handling)성을 향상시키거나 제조 설비를 간략화할 수가 있다.
도 1은 본 발명에 관한 수지 필름과 고주파 회로 기판의 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면 설명도이다.
도 2는 본 발명에 관한 수지 필름, 고주파 회로 기판 및 그 제조 방법의 실시형태를 모식적으로 나타내는 전체 설명도이다.
도 3은 본 발명에 관한 수지 필름과 고주파 회로 기판의 제2의 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면 설명도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시의 형태를 설명하면, 본 실시형태에 있어서의 고주파 회로 기판은, 도 1이나 도 2에 나타내듯이, 수지 필름(1)과, 이 수지 필름(1)에 적층되는 도전층(3)을 적층 구조에 구비한 제5세대 이동통신 시스템(5G)용 회로 기판이고, 수지 필름(1)이 열가소성 수지인 폴리아릴렌에테르케톤 수지와, 전기 절연성 등이 뛰어난 마이카를 함유하는 성형 재료(4)에 의해 제조되고, 마이카로서 치수 안정성에 이바지하는 비팽윤성의 합성 마이카가 선택된다.
수지 필름(1)은 폴리아릴렌에테르케톤(PAEK) 수지 함유 성형 재료(4)를 이용한 성형법에 의해, 2㎛ 이상 1000㎛ 이하 두께의 필름으로 압출 성형된다. 성형 재료(4)는 폴리아릴렌에테르케톤 수지 100질량부에, 비팽윤성의 합성 마이카 10질량부 이상 80질량부 이하가 첨가됨으로써 조제된다. 이 성형 재료(4)에는 본 발명의 특성을 손상시키지 않는 범위에서 상기 수지 외에, 산화 방지제, 광안정제, 자외선 흡수제, 가소제, 윤활제, 난연제, 대전 방지제, 내열 향상제, 무기 화합물, 유기 화합물 등이 선택적으로 첨가된다.
성형 재료(4)의 폴리아릴렌에테르케톤 수지는 아릴렌기, 에테르기, 및 카보닐기로 이루어지는 결정성의 수지이고, 예를 들면 일본국 특허 5709878호 공보나 일본국 특허 제5847522호 공보, 혹은 문헌〔주식회사 아사히리서치센터： 선단 용도로 성장하는 슈퍼 엔지니어링 플라스틱·PEEK(상)〕등에 기재된 수지를 들 수 있고, 저유전 특성이나 내열성 등이 뛰어나다.
폴리아릴렌에테르케톤 수지의 구체적인 예로서는 예를 들면 화학식 (1)로 표시되는 화학 구조식을 가지는 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 수지, 화학식 (2)로 표시되는 화학 구조를 가지는 폴리에테르케톤(PEK) 수지, 화학식 (3)으로 표시되는 화학 구조를 가지는 폴리에테르케톤케톤(PEKK) 수지, 화학식 (4)의 화학 구조를 가지는 폴리에테르에테르케톤케톤(PEEKK) 수지, 혹은 화학식 (5)의 화학 구조를 가지는 폴리에테르케톤에테르케톤케톤(PEKEKK) 수지 등을 들 수 있다.
Figure pct00001
Figure pct00002
Figure pct00003
Figure pct00004
Figure pct00005
이들 폴리아릴렌에테르케톤 수지 중에서는 입수 용이성, 비용, 및 수지 필름(1)의 성형성의 관점에서, 폴리에테르에테르케톤 수지와 폴리에테르케톤케톤 수지가 바람직하다. 폴리에테르에테르케톤 수지의 구체적인 예로서는 빅트렉사제의 제품명： Victrex Powder 시리즈, Victrex Granules 시리즈, 다이셀·에보닉사제의 제품명： 베스타킵 시리즈, 솔베이스페셜티폴리머즈사제의 제품명： 키타스파이아 PEEK 시리즈를 들 수 있다. 또, 폴리에테르케톤케톤 수지의 구체적인 예로서는 아르케마사제의 제품명： KEPSTAN 시리즈가 해당한다.
폴리아릴렌에테르케톤 수지는 1종 단독으로도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 좋다. 또, 폴리아릴렌에테르케톤 수지는 화학식 (1)~(5)로 표시되는 화학 구조를 2개 이상 가지는 공중합체라도 좋다. 폴리아릴렌에테르케톤 수지는 통상, 분상, 과립상, 펠릿상 등의 성형 가공에 적합한 형태로 사용된다. 또, 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 제조 방법으로서는 특히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 문헌〔주식회사 아사히리서치센터： 선단 용도로 성장하는 슈퍼 엔지니어링 플라스틱·PEEK(상)〕에 기재된 제법을 들 수 있다.
성형 재료(4)의 마이카(운모라고도 한다)는 필로규산 광물 운모족에 속하는 판상 결정이고, 저면에 완전한 벽개(cleavage)를 가지고 있는 것이 특징인 광물이다. 이 마이카는 자연계에서 산출되는 천연 마이카(백운모, 흑운모, 금운모 등)와, 탈크를 주원료로 하여 인공적으로 제조되는 합성 마이카의 2종류로 분류되고, 공업적으로 뛰어난 전기 절연 재료로서 널리 이용되고 있다.
천연 마이카는 그 산지에 따라 조성이나 구조가 다르고, 또 불순물을 많이 포함하기 때문에, 품질이 안정한 고주파 회로 기판용 수지 필름(1)의 제조에는 부적절하다. 또, 천연 마이카는 수산기〔OH기〕를 가지고 있기 때문에 내열성에 문제가 있다. 이에 반해, 합성 마이카는 인공적으로 제조된 마이카로, 조성이나 구조가 일정하고 불순물도 적기 때문에, 가열 치수 안정성 등에 안정한 고품질의 고주파 회로 기판용의 수지 필름(1)의 제조에 매우 적합하다. 또, 합성 마이카는 수산기가 모두 불소〔F기〕로 치환되어 있으므로 천연 마이카보다 내열성이 뛰어나다. 따라서, 본 발명에서 사용되는 마이카는 천연 마이카보다 합성 마이카가 바람직하다.
합성 마이카는 물에 대한 거동의 차이에 따라 비팽윤성 마이카와 팽윤성 마이카로 분류된다. 비팽윤 마이카는 물과 접촉해도 치수 안정성 등에 변화를 일으키지 않는 타입의 합성 마이카다. 이에 반해, 팽윤성 마이카는 공기 중의 수분 등을 흡수하여 팽윤하고 벽개해 버리는 성질의 합성 마이카다. 팽윤성 마이카를 사용한 경우, 팽윤성 마이카가 수분을 포함하기 때문에, 고주파 회로 기판용의 수지 필름(1)이 성형 중에 발포해 버릴 우려가 있다. 이 때문에 본 발명에서 사용 가능한 합성 마이카는 가열 치수 안정성이나 내수성이 뛰어난 비팽윤성 마이카가 바람직하고, 보다 바람직하게는 600℃ 이상에서 열처리를 한 합성 마이카가 최적이다.
비팽윤성의 합성 마이카로서는 특히 한정되지 않지만 하기 일반식으로 표시되는 합성 마이카가 매우 적합하게 사용된다.
일반식： X1/3~ 1.0Y2 ~3(Z4O10)F1.5~2.0
여기서, X는 배위수 12의 층간을 점하는 양이온, Y는 배위수 6의 팔면체 자리를 점하는 양이온, Z는 배위수 4의 사면체를 점하는 양이온이고, 각각 이하의 1종 또는 2종 이상의 이온으로 치환된다〔X： Na＋, K＋, Li＋, Rb＋, Ca2 ＋, Ba2 ＋ 및 Sr2 ＋, Y： Mg2 ＋, Fe2 ＋, Ni2 ＋, Mn2 ＋, Co2 ＋, Zn2 ＋, Ti2 ＋, Al3 ＋, Cr3 ＋, Fe3 ＋, Li＋, Z： Al3 ＋, Fe3＋, Si4＋, Ge4＋, B3＋〕.
비팽윤성의 합성 마이카로서는 예를 들면 불소금운모(KMg3(AlSi3O10)F2), 칼륨사규소운모(KMg2.5(Si4O10)F2), 칼륨태니올라이트(KMg2Li(Si4O10)F2)를 들 수 있다. 이들 중에서는 비팽윤성의 불소금운모가 최적이다. 이 합성 마이카의 구체적인 예로서는 내열성이 뛰어난 고순도이고 미(微)분말의 카타쿠라코프아그리사제의 칼륨사규소운모〔제품명： 미크로마이카 MK 시리즈〕, 토피공업사제의 불소금운모〔PDM 시리즈〕, 토피공업사제의 칼륨사규소운모〔PDM 시리즈〕 등을 들 수 있다.
합성 마이카의 제조 방법으로서는 (1) 용융법, (2) 고상 반응법, (3) 인터컬레이션(intercalation)법 등의 방법을 들 수 있다. (1)의 용융법은 실리카, 산화마그네슘, 알루미나, 불화물, 장석, 감람암, 그것에 각종 금속의 산화물이나 탄소염 등의 원료를 조합하여 혼합하고, 1300℃의 이상의 고온에서 용융하여 서랭하는 제조법, (2)의 고상 반응법은 탈크를 주원료로 하여, 이 탈크에 불화알칼리, 규불화알칼리, 또 전이 금속을 포함하는 각종 금속의 산화물이나 탄산염 등을 가하여 혼합하고, 1000℃ 전후에서 반응시키는 제조법, (3)의 인터컬레이션법은 탈크를 주원료로 하는 인터컬레이션법에 의해 제조하는 제조법이다.
합성 마이카의 평균 입자경은 0.5㎛ 이상 50㎛ 이하, 바람직하게는 1㎛ 이하 30㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2㎛ 이상 20㎛ 이하, 더 바람직하게는 3㎛ 이상 10㎛ 이하가 좋다. 이것은 합성 마이카의 평균 입자경이 0.5㎛ 이하인 경우에는 합성 마이카 입자가 응집하기 쉬워, 폴리아릴렌에테르케톤 수지 내에 있어서의 균일 분산성이 저하하기 때문이다.
이에 반해, 합성 마이카의 평균 입자경이 50㎛를 초과하는 경우에는 폴리아릴렌에테르케톤 수지와 합성 마이카의 혼합물로부터 얻어지는 고주파 회로 기판용의 수지 필름(1)의 인성이 저하하는 경우가 있기 때문이다. 또, 합성 마이카의 평균 입자경이 50㎛를 초과하는 경우에는 합성 마이카가 수지 필름(1)의 표면으로부터 돌출하여, 수지 필름(1)의 표면이 거칠어져 전송 특성에 지장을 초래하기 때문이다.
합성 마이카의 어스펙트비는 5 이상 100 이하가 좋다. 여기서, 어스펙트비는 합성 마이카가 인편상(鱗片狀) 분말인 경우, 입자경을 두께로 나눈 값을 말한다. 합성 마이카의 구체적인 어스펙트비는 5 이상 100 이하, 바람직하게는 10 이상 90 이하, 보다 바람직하게는 20 이상 80 이하, 더 바람직하게는 30 이상 50 이하가 좋다.
이것은 어스펙트비가 5 미만인 경우에는 가열 치수 안정성의 개량 효과가 낮고, 또한 수지 필름(1)의 압출 방향과 폭 방향의 기계적 특성, 및 가열 치수 안정성의 이방성이 커져 부적절하기 때문이다. 이에 반해, 어스펙트비가 100을 초과하는 경우에는 폴리아릴렌에테르케톤 수지와 합성 마이카의 혼합물로부터 얻어지는 수지 필름(1)의 인성이 저하하기 때문이다.
합성 마이카는 폴리아릴렌에테르케톤 수지 100질량부에 대해 10질량부 이상 80질량부 이하, 바람직하게는 20질량부 이상 70질량부 이하, 보다 바람직하게는 30질량부 이상 60질량부 이하의 범위로 첨가된다. 이것은 합성 마이카의 첨가량이 10질량부 미만인 경우에는 고주파 회로 기판용의 수지 필름(1)의 가열 치수 안정성의 조제 효과가 불충분하게 되기 때문이다.
이에 반해, 합성 마이카의 첨가량이 80질량부를 초과하는 경우에는 폴리아릴렌에테르케톤 수지와 합성 마이카로 이루어지는 성형 재료(4)의 조제 중 현저하게 발열하여 폴리아릴렌에테르케톤 수지가 열분해할 우려가 있기 때문이다. 또, 이 성형 재료(4)로부터 얻어지는 수지 필름(1)의 인성이 없어져 현저하게 무르게 되어, 수지 필름(1)이 성형 중에 손상될 우려가 있기 때문이다. 또한, 합성 마이카의 첨가량이 많아지기 때문에, 비유전율이나 유전정접이 필요 이상으로 현저하게 상승해 버린다고 하는 이유에 근거한다.
합성 마이카는 고주파 회로 기판용의 수지 필름(1)의 특성을 손상시키지 않는 범위에 있어서, 예를 들면, 실란 커플링제〔비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 2－(3, 4－에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3－글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3－글리시독시프로필트리메톡시실란, 3－글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3－글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3－글리시독시프로필트리에톡시실란, p－스티릴트리메톡시실란, 3－메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3－메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3－메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3－메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3－아크릴옥시프로필트리메톡시실란, N－2(아미노에틸)－3－아미노프로필메틸디메톡시실란, N－2(아미노에틸)－3－아미노프로필트리메톡시실란, 3－아미노프로필트리메톡시실란, 3－아미노프로필트리에톡시실란, 3－트리에톡시실릴－N－(1, 3－디메틸부틸리덴)프로필아민, N－페닐－3－아미노프로필트리메톡시실란, N－(비닐벤질)－2－아미노에틸－3－아미노프로필트리메톡시실란의 염산염, 3－우레이도프로필트리에톡시실란, 3－이소시아나토프로필트리에톡시실란, 트리스(트리메톡시실릴프로필)이소시아누레이트, 3－머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3－머캅토프로필트리메톡시실란 등〕, 실란제〔메틸트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 페닐실란, 디메톡시디페닐실란, n－프로필트리메톡시실란, 헥실트리메톡시실란, 데실트리메톡시실란, 1, 6－비스(트리메톡시실릴실란)헥산, 트리플루오로프로필메톡시실란, 테트라에톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, n－프로필트리에톡시실란, 헥실트리에톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 헥사메틸디실라잔, 이미다졸실란 등〕, 티타네이트계 커플링제〔이소프로필트리이소스테아로일티타네이트, 이소프로필트리스(디옥틸파이로포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리(N－아미노에틸－아미노에틸)티타네이트, 테트라옥틸비스(디트리데실포스파이트)티타네이트, 테트라(2, 2－디알릴옥시－1－부틸)비스(디트리데실)포스파이트티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)옥시아세테이트티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)옥시아세테이트티타네이트, 이소프로필트리옥타노일티타네이트, 이소프로필디메타크릴이소스테아로일티타네이트, 이소프로필트리도데실벤젠술포닐티타네이트, 이소프로필이소스테아로일디아크릴티타네이트, 이소프로필트리(디옥틸포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리큐밀페닐티타네이트, 테트라이소프로필비스(디옥틸포스파이트)티타네이트 등〕, 알루미네이트계 커플링제〔아세토알콕시알루미늄디이소프로필레이트 등〕 등으로 이루어지는 각종 커플링제로 처리를 할 수가 있다.
폴리아릴렌에테르케톤 수지와 합성 마이카는 소정의 시간 용융 혼련되어 수지 필름(1)용의 성형 재료(4)로 되는데, 이 성형 재료(4)를 조제하는 방법으로서 (1) 폴리아릴렌에테르케톤 수지와 미분말의 합성 마이카를 교반 혼합하지 않고, 용융한 폴리아릴렌에테르케톤 중에 합성 마이카를 첨가하고, 이들을 용융 혼련하여 성형 재료(4)를 조제하는 방법, (2) 폴리아릴렌에테르케톤 수지와 미분말의 합성 마이카를 실온(0℃ 이상 50℃ 이하 정도의 온도)에서 교반 혼합시킨 후에 용융 혼련하여 성형 재료(4)를 조제하는 방법을 들 수 있다. 이들 (1), (2)의 방법은 어느 것이라도 좋지만, 분산성이나 작업성의 관점에서 보면 (1)의 방법이 바람직하다.
(1)의 방법에 대해 구체적으로 설명하면, 성형 재료(4)를 조제하는 데에는 먼저, 폴리아릴렌에테르케톤 수지를 믹싱 롤(mixing roll), 가압 니더(kneader), 밴버리 믹서, 단축 압출기, 다축 압출기(2축 압출기, 3축 압출기, 4축 압출기 등) 등의 용융 혼련기로 용융하고, 폴리아릴렌에테르케톤 수지에 합성 마이카를 첨가하여 용융 혼련 분산시킴으로써 성형 재료(4)를 조제한다.
용융 혼련기의 조제 시의 온도는 용융 혼련 분산이 가능하고 폴리아릴렌에테르케톤 수지가 분해하지 않는 온도이면 특히 제한되지 않지만, 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 융점 이상 열분해 온도 미만의 범위이다. 구체적으로는 320℃ 이상 450℃ 이하, 바람직하게는 360℃ 이상 420℃ 이하, 더 바람직하게는 380℃ 이상 400℃ 이하의 범위가 좋다.
이것은 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 융점 미만인 경우에는 폴리아릴렌에테르케톤 수지가 용융하지 않으므로, 폴리아릴렌에테르케톤 수지 함유 성형 재료(4)를 용융 압출 성형할 수 없고, 역으로 열분해 온도를 초과하는 경우에는 폴리아릴렌에테르케톤 수지가 격렬하게 분해할 우려가 있다고 하는 이유에 근거한다. 조제된 성형 재료(4)는 통상은 괴상, 스트랜드(strand)상, 시트상, 봉상으로 압출된 후, 분쇄기 혹은 재단기로 괴상, 과립상, 펠릿상 등의 성형 가공에 적합한 형태로 사용된다.
다음에 (2)의 방법에 대해 구체적으로 설명하면, 폴리아릴렌에테르케톤 수지와 합성 마이카를 교반 혼합하여 교반 혼합물을 얻는 데에는, 텀블러 믹서(tumbler mixer), 헨쉘 믹서, V형 혼합기, 나우타 믹서, 리본 블렌더(ribbon blender), 혹은 만능 교반 믹서 등을 사용한다. 이때 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 형상은 합성 마이카와 보다 균일하게 분산 가능한 분체상인 것이 바람직하다. 분체로 분쇄하는 방법으로서는 예를 들면 전단 분쇄법, 충격 분쇄법, 충돌 분쇄법, 냉동 분쇄법, 용액 분쇄법 등을 들 수 있다.
성형 재료(4)는 폴리아릴렌에테르케톤 수지와 합성 마이카의 교반 혼합물을 믹싱 롤, 가압 니더, 밴버리 믹서, 단축 압출기, 다축 압출기(2축 압출기, 3축 압출기, 4축 압출기 등) 등의 용융 혼련기로 용융 혼련하고 분산시킴으로써 조제된다.
이 조제 시에 있어서의 용융 혼련기의 온도는 용융 혼련 분산이 가능하고 폴리아릴렌에테르케톤 수지가 분해하지 않는 온도이면 특히 제한은 없지만, 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 융점 이상 열분해 온도 미만의 범위이다. 구체적으로는 (1)의 방법의 경우와 마찬가지 이유로부터, 320℃ 이상 450℃ 이하, 바람직하게는 360℃ 이상 420℃ 이하, 보다 바람직하게는 380℃ 이상 400℃ 이하의 범위가 좋다. 조제된 성형 재료(4)는 통상은 괴상, 스트랜드상, 시트상, 봉상으로 압출된 후, 분쇄기 혹은 재단기로 괴상, 과립상, 펠릿상 등의 성형 가공에 적합한 형태로 사용된다.
성형 재료(4)는 용융 압출 성형법, 캘린더 성형법, 혹은 캐스팅 성형법 등의 각종 성형법에 의해 수지 필름(1)으로 성형된다. 이들 성형법 중에서는 핸들링성의 향상이나 설비의 간략화의 관점에서 용융 압출 성형법이 최적이다. 이 용융 압출 성형법은 도 2에 나타내듯이 단축 압출 성형기나 2축 압출 성형기 등의 용융 압출 성형기(10)로 성형 재료(4)를 용융 혼련하고, 용융 압출 성형기(10)의 T 다이스(13)로부터 복수의 냉각 롤(16)과 압착 롤(17) 방향으로 띠형의 수지 필름(1)을 연속적으로 압출 성형하는 방법이다.
용융 압출 성형기(10)는 도 2에 나타내듯이 예를 들면 단축 압출 성형기나 2축 압출 성형기 등으로 이루어지고, 투입된 성형 재료(4)를 용융 혼련하도록 기능한다. 이 용융 압출 성형기(10)의 상류 측의 상부 후방에는 성형 재료(4)의 폴리아릴렌에테르케톤 수지용의 원료 투입구(11)가 설치되고, 이 원료 투입구(11)에는 헬륨 가스, 네온 가스, 아르곤 가스, 크립톤 가스, 질소 가스, 이산화탄소 가스 등의 불활성 가스를 필요에 따라 공급하는 불활성 가스 공급관(12)이 접속되어 있고, 이 불활성 가스 공급관(12)에 의한 불활성 가스의 유입에 의해, 성형 재료(4)의 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 산화 열화나 산소 가교가 유효하게 방지된다.
용융 압출 성형기(10)의 온도는 수지 필름(1)의 성형이 가능하고 폴리아릴렌에테르케톤 수지가 분해하지 않는 온도이면 특히 제한되는 것이 아니지만, 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 융점 이상 열분해 온도 미만의 범위가 좋다. 구체적으로는 320℃ 이상 450℃ 이하, 바람직하게는 360℃ 이상 420℃ 이하, 보다 바람직하게는 380℃ 이상 400℃ 이하로 조정된다. 이것은 용융 압출 성형기(10)의 온도가 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 융점 미만인 경우에는 폴리아릴렌에테르케톤 수지가 용융하지 않아 수지 필름(1)의 성형이 곤란하게 되고, 역으로 열분해 온도 이상인 경우에는 폴리아릴렌에테르케톤 수지가 격렬하게 분해하기 때문이다.
T 다이스(13)는 용융 압출 성형기(10)의 선단부에 연결관(14)을 개재하여 장착되고, 띠형의 수지 필름(1)을 연속적으로 하방으로 압출하도록 기능한다. 이 T 다이스(13)의 압출 시의 온도는 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 융점 이상 열분해 온도 미만의 범위이다. 구체적으로는 320℃ 이상 450℃ 이하, 바람직하게는 360℃ 이상 420℃ 이하, 더 바람직하게는 380℃ 이상 400℃ 이하로 조정된다. 이것은 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 융점 미만인 경우에는 폴리아릴렌에테르케톤 수지 함유 성형 재료(4)의 용융 압출 성형에 지장을 초래하고, 역으로 열분해 온도를 초과하는 경우에는 폴리아릴렌에테르케톤 수지가 격렬하게 분해할 우려가 있다고 하는 이유에 근거한다.
T 다이스(13)의 상류의 연결관(14)에는 기어 펌프(15)가 장착되는 것이 바람직하다. 이 기어 펌프(15)는 용융 압출 성형기(10)에 의해 용융 혼련된 성형 재료(4)를 일정한 유량으로, 또 고정밀도로 T 다이스(13)로 이송한다.
복수의 냉각 롤(16)은 예를 들면 압착 롤(17)보다 직경이 큰 회전 가능한 금속 롤로 이루어지고, T 다이스(13)의 하방으로부터 그 하류 방향으로 일렬로 배열 축지지되어 있고, 압출된 수지 필름(1)을 인접하는 압착 롤(17)과의 사이에 끼움과 아울러, 인접하는 냉각 롤(16)과 냉각 롤(16) 사이에 끼우고, 압착 롤(17)과 함께 수지 필름(1)을 냉각하면서 그 두께를 소정의 범위 내로 제어한다.
각 냉각 롤(16)은 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 〔유리전이점＋20℃〕 이상 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 융점 미만, 바람직하게는 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 〔유리전이점＋30℃〕 이상 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 〔유리전이점＋160℃〕 이하, 보다 바람직하게는 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 〔유리전이점＋50℃〕 이상 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 〔유리전이점＋140℃〕 이하, 더 바람직하게는 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 〔유리전이점＋60℃〕 이상 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 〔유리전이점＋120℃〕의 온도 범위로 조정되어, 고주파 회로 기판용의 수지 필름(1)에 미끄러져 접한다.
이 점에 대해 설명하면, 각 냉각 롤(16)의 온도가 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 〔유리전이점＋20℃〕 미만인 경우에는 수지 필름(1)의 상대 결정화도가 80% 미만으로 되어 땜납 내열성이 얻어지지 않는다고 하는 문제가 생긴다. 이에 반해, 각 냉각 롤(16)의 온도가 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 융점 이상인 경우에는 수지 필름(1)의 제조 중에 수지 필름(1)이 냉각 롤(16)에 첩부하여 파단할 우려가 있다. 각 냉각 롤(16)의 온도 조정이나 냉각 방법은 공기, 물, 오일 등의 열매체에 의한 방법, 혹은 전기 히터나 유도 가열 등을 들 수 있다.
복수의 압착 롤(17)은 용융 압출 성형기(10)의 T 다이스(13) 하방으로부터 그 하류 방향으로 한 쌍이 회전 가능하게 축지지되고, 일렬로 늘어선 복수의 냉각 롤(16)을 사이에 두고, 냉각 롤(16)에 수지 필름(1)을 압접한다. 이 한 쌍의 압착 롤(17)은 하류 측에 위치하는 압착 롤(17)의 하류에 수지 필름(1)용의 권취기(18)가 설치되고, 이 권취기(18)의 권취관(19)과의 사이에는 수지 필름(1)의 측부에 슬릿을 형성하는 슬릿날(20)이 적어도 승강 가능하게 배치되어 있고, 이 슬릿날(20)과 권취기(18) 사이에는 수지 필름(1)에 텐션(tension)을 작용시켜 원활히 권취하기 위한 텐션 롤(21)이 회전 가능하게 필요수 축지지된다.
각 압착 롤(17)의 둘레면에는 수지 필름(1)과 냉각 롤(16)의 밀착성을 향상시키기 위해, 적어도 천연 고무, 이소프렌 고무, 부타디엔 고무, 노보넨 고무, 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 니트릴 고무, 우레탄 고무, 실리콘 고무, 불소 고무 등의 고무층이 필요에 따라 피복 형성되고, 이 고무층에는 실리카나 알루미나 등의 무기 화합물이 선택적으로 첨가된다. 이들 중에서는 내열성이 뛰어난 실리콘 고무나 불소 고무의 채용이 바람직하다.
압착 롤(17)은 표면이 금속인 금속 탄성 롤이 필요에 따라 사용되고, 이 금속 탄성 롤이 사용되는 경우에는 표면이 평활성이 뛰어난 폴리아릴렌에테르케톤 수지 필름(1)의 성형이 가능하게 된다. 이 금속 탄성 롤의 구체적인 예로서는 금속 슬리브 롤, 에어 롤〔딤코사제： 제품명〕, UF 롤〔히타치조선사제: 제품명〕 등이 해당한다.
이러한 압착 롤(17)은 냉각 롤(16)과 마찬가지로, 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 〔유리전이점＋20℃〕 이상 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 융점 미만, 바람직하게는 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 〔유리전이점＋30℃〕 이상 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 〔유리전이점＋160℃〕 이하, 보다 바람직하게는 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 〔유리전이점＋50℃〕 이상 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 〔유리전이점＋140℃〕 이하, 더 바람직하게는 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 〔유리전이점＋60℃〕 이상 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 〔유리전이점＋120℃〕의 온도 범위로 조정되어 수지 필름(1)에 미끄러져 접한다.
압착 롤(17)의 온도가 관련 온도 범위로 조정되는 것은 수지 필름(1)의 상대 결정화를 80% 이상으로 조정하기 위해서다. 즉, 압착 롤(17)의 온도가 폴리아릴렌에테르케톤 수지 필름(1)의 〔유리전이점＋20℃〕 미만인 경우에는 폴리아릴렌에테르케톤 수지 필름(1)의 상대 결정화도가 80% 미만으로 되어, 땜납 내열성이 얻어지지 않는다고 하는 문제가 생긴다. 또, 압착 롤(17)의 온도가 폴리아릴렌에테르케톤 수지의 융점 이상인 경우에는 수지 필름(1)의 제조 중에 수지 필름(1)이 냉각 롤(16)에 첩부하여 파단의 우려가 있다.
각 압착 롤(17)의 온도 조정이나 냉각 방법으로서는 냉각 롤(16)과 마찬가지로, 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 공기, 물, 오일 등의 열매체에 의한 방법, 혹은 전기 히터나 유전 가열 등을 들 수 있다.
상기에 있어서, 고주파 회로 기판용의 수지 필름(1)을 제조하는 경우에는 도 2에 나타내듯이 먼저, 용융 압출 성형기(10)의 원료 투입구(11)에, 성형 재료(4)를 동 도에 화살표로 나타내는 불활성 가스를 공급하면서 투입하고, 용융 압출 성형기(10)에 의해 성형 재료(4)의 폴리아릴렌에테르케톤 수지와 합성 마이카를 용융 혼련하고, T 다이스(13)로부터 수지 필름(1)을 연속적으로 띠형으로 압출한다.
이때 성형 재료(4)의 용융 압출 전에 있어서의 함수율은 2000ppm 이하, 바람직하게는 1000ppm 이하, 보다 바람직하게는 100ppm 이상 500ppm 이하로 조정된다. 이것은 함수율이 2000ppm를 초과하는 경우에는 T 다이스(13)로부터 압출된 직후, 폴리아릴렌에테르케톤 수지가 발포할 우려가 있기 때문이다.
수지 필름(1)을 압출하면, 한 쌍의 압착 롤(17), 복수의 냉각 롤(16), 텐션 롤(21), 권취기(18)의 권취관(19)에 순차 말아 걸치고, 수지 필름(1)을 냉각 롤(16)에 의해 냉각한 후, 수지 필름(1)의 양측부를 슬릿날(20)로 각각 커트(cut)함과 아울러, 권취기(18)의 권취관(19)에 순차 권취하면, 고주파 회로 기판용의 수지 필름(1)을 제조할 수가 있다. 이 수지 필름(1) 제조 시, 수지 필름(1)의 표면에는 본 발명의 효과를 잃지 않는 범위에서 미세한 요철을 형성하여 수지 필름(1) 표면의 마찰계수를 저하시킬 수가 있다.
수지 필름(1)의 두께는 2㎛ 이상 1000㎛ 이하이면 특히 한정되는 것은 아니지만, 고주파 회로 기판 두께의 충분한 확보, 핸들링성이나 박형화의 관점에서 보면, 바람직하게는 10㎛ 이상 800㎛ 이하, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상 500㎛ 이하, 더 바람직하게는 75㎛ 이상 250㎛ 이하가 좋다.
수지 필름(1)의 주파수 800MHz 이상 100GHz 이하, 바람직하게는 1GHz 이상 90GHz 이하, 보다 바람직하게는 10GHz 이상 85GHz 이하, 더 바람직하게는 25GHz 이상 80GHz 이하의 범위에 있어서의 비유전율은, 고주파수대를 활용한 고속통신의 실현의 관점에서 3.5 이하, 바람직하게는 3.3 이하, 보다 바람직하게는 3.1 이하, 더 바람직하게는 3.0 이하가 좋다. 이 비유전율의 하한은 특히 제약되는 것은 아니지만, 실용상 1.5 이상이다.
구체적으로는 수지 필름(1)의 주파수 1GHz에 있어서의 비유전율이 3.4 이하, 주파수 10GHz에 있어서의 비유전율이 3.17 이하, 주파수 28GHz 부근에 있어서의 비유전율이 3.29 이하, 주파수 76.5GHz에 있어서의 비유전율이 3.42 이하가 바람직하다. 이것은 수지 필름(1)의 주파수 800MHz 이상 100GHz 이하의 범위에 있어서의 비유전율이 3.5를 초과하면, 전기신호의 전반 속도가 저하하기 때문에, 고속통신에 부적합하다고 하는 문제가 생기기 때문이다.
수지 필름(1)의 주파수 800MHz 이상 100GHz 이하, 바람직하게는 1GHz 이상 90GHz 이하, 보다 바람직하게는 10GHz 이상 85GHz 이하, 더 바람직하게는 25GHz 이상 80GHz 이하의 범위에 있어서의 유전정접은, 고주파수대를 활용한 고속통신을 실현하기 위해, 0.007 이하, 바람직하게는 0.005 이하, 보다 바람직하게는 0.004 이하, 더 바람직하게는 0.003 이하가 좋다. 이 유전정접의 하한은 특히 한정되는 것은 아니지만, 실용상 0.0001 이상이다.
구체적으로는 수지 필름(1)의 주파수 1GHz에 있어서의 유전정접이 0.003 이하, 주파수 10GHz 부근에 있어서의 유전정접이 0.003 이하가 바람직하다. 또, 주파수 28GHz 부근에 있어서의 유전정접이 0.0037 이하, 주파수 76.5GHz 부근에 있어서의 유전정접이 0.0050 이하가 좋다. 이들은 주파수 800MHz 이상 100GHz 이하의 범위에 있어서의 유전정접이 0.007을 초과하는 경우는 손실이 커 신호 전달률이 저하하기 때문에, 대용량 통신에는 부적절하다고 하는 이유에 근거한다.
이들 비유전율과 유전정접의 측정 방법으로서는 특히 제약되는 것은 아니지만, 동축 프로브법, 동축 S 파라미터법, 도파관 S 파라미터법, 프리스페이스 S 파라미터법 등의 반사·전송(S 파라미터)법, 스트립라인(링) 공진기를 이용한 측정법, 공동 공진기 섭동법, 스플릿포스트 유전체 공진기를 이용한 측정법, 원통형(스플릿실린더) 공동 공진기를 이용한 측정법, 멀티 주파수 평형형 원판 공진기를 이용한 측정법, 차단 원통 도파관 공동 공진기를 이용한 측정법, 파브리페로 공진기를 이용한 개방형 공진기법 등의 방법을 들 수 있다.
또, 간섭계 개방형을 사용하는 파브리페로법, 공동 공진기 섭동법에 의해 고주파수의 비유전율 및 유전정접을 구하는 방법, 상호유도 브릿지 회로에 의한 3단자 측정법 등을 들 수 있다. 이들 중에서는 고분해성이 뛰어난 파브리페로법이나 공동 공진기 섭동법의 선택이 최적이다.
수지 필름(1)의 상대 결정화도는 80% 이상, 바람직하게는 90% 이상, 보다 바람직하게는 95% 이상, 더 바람직하게는 100%가 좋다. 이것은 수지 필름(1)의 상대 결정화도가 80% 미만인 경우에는 수지 필름(1)의 땜납 내열성에 문제가 생기기 때문이다. 또, 상대 결정화도가 80% 이상이면, 고주파 회로 기판으로서 사용 가능한 가열 치수 안정성의 확보를 기대할 수 있기 때문이다.
수지 필름(1)의 결정화도는 상대 결정화도에 의해 나타낼 수가 있다. 이 수지 필름(1)의 상대 결정화도는 시차주사열량계를 이용하여 10℃／분의 승온 속도로 측정한 열분석 결과에 기초하여, 이하의 식에 의해 산출된다.
상대 결정화도(%)=｛1－(ΔHc/Hm)｝×100
ΔHc： 재결정화 피크의 열량(J/g)
ΔHm： 융해 피크의 열량(J/g)
수지 필름(1)의 가열 치수 안정성은 선팽창계수에 의해 나타낼 수가 있다. 이 선팽창계수는 수지 필름(1)의 압출 방향과 폭 방향(압출 방향과 직각 방향) 모두 1ppm/℃ 이상 50ppm/℃ 이하, 바람직하게는 3ppm/℃ 이상 40ppm/℃ 이하, 보다 바람직하게는 5ppm/℃ 이상 35ppm/℃ 이하, 더 바람직하게는 10ppm/℃ 이상 30ppm/℃ 이하가 좋다. 이것은 선팽창계수가 1ppm/℃ 이상 50ppm/℃ 이하의 범위로부터 일탈하면, 수지 필름(1)과 도전층(3)의 적층 시에 컬이나 휨이 생기기 쉬워지고, 또 수지 필름(1)과 도전층(3)이 박리해 버릴 우려가 있기 때문이다.
수지 필름(1)의 기계적 특성은 23℃에 있어서의 인장탄성률로 평가할 수 있다. 수지 필름(1)의 23℃에 있어서의 인장탄성률은 3500N/mm2 이상 10000N/mm2 이하, 바람직하게는 3800N/mm2 이상 9000N/mm2 이하, 보다 바람직하게는 3900N/mm2 이상 8880N/mm2 이하의 범위가 최적이다. 이것은 인장탄성률이 3500N/mm2 미만인 경우에는 수지 필름(1)이 강성이 떨어지므로, 고주파 회로 기판의 제조 중에 수지 필름(1)에 주름이 생기거나 수지 필름(1)의 변형을 초래할 우려가 있기 때문이다. 역으로, 10000N/mm2를 초과하는 경우에는 수지 필름(1)의 성형에 장시간을 요하여 비용의 삭감을 기대할 수 없다고 하는 이유에 근거한다.
수지 필름(1)의 내열성은 고주파 회로 기판의 제조의 편의를 고려하면 땜납 내열성으로 평가되는 것이 바람직하다. 구체적으로는 JIS 규격 C 5016의 시험법에 준거하여, 수지 필름(1)을 288℃의 땜납욕에 10초간 띄워 수지 필름(1)에 변형이나 주름의 발생이 인지된 경우에는 내열성에 문제유라고 평가되고, 수지 필름(1)에 변형이나 주름의 발생이 인지되지 않는 경우에는 내열성에 문제무라고 평가된다.
다음에, 고주파 회로 기판을 제조하는 경우에는 제조한 수지 필름(1) 상에 도전층(3)을 형성하고, 그 후 도전층(3)에 도전 회로의 배선 패턴을 형성하면, 고주파 회로 기판을 제조할 수가 있다. 도전층(3)은 수지 필름(1)의 표리 양면, 표면, 이면의 어느 면에 형성되고, 나중에 도전 회로의 배선 패턴이 형성된다. 이 도전층(3)에 이용되는 도전체로서는 통상, 예를 들면 동, 금, 은, 크롬, 철, 알루미늄, 니켈, 주석 등의 금속, 혹은 이들 금속으로 이루어지는 합금을 들 수 있다.
도전층(3)의 형성 방법으로서는 (1) 수지 필름(1)과 금속박(2)을 열융착하여 도전층(3)을 형성하는 방법, (2) 수지 필름(1)과 금속박(2)을 접착제로 접착함으로써 도전층(3)을 형성하는 방법, (3) 수지 필름(1) 상에 시드층을 형성함과 아울러, 이 시드층 상에 금속층을 적층 형성하고, 이들 시드층과 금속층으로부터 도전층(3)을 형성하는 방법 등을 들 수 있다.
(1)의 방법은 수지 필름(1)과 금속박(2)을 프레스 성형기 혹은 롤 사이에 끼우고, 가열·가압하여 도전층(3)을 형성하는 방법이다. 이 방법의 경우, 금속박(2)의 두께는 1㎛ 이상 100㎛ 이하, 바람직하게는 5㎛ 이상 80㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상 70㎛ 이하의 범위 내가 좋다.
수지 필름(1) 혹은 금속박(2)의 표면은 열융착 시의 융착 강도를 향상시키기 위해 미세한 요철을 형성할 수가 있다. 또, 수지 필름(1) 혹은 금속박(2)의 표면을 코로나 조사 처리, 자외선 조사 처리, 플라즈마 조사 처리, 플레임(flame) 조사 처리, 이트로(Itro) 조사 처리, 산화 처리, 헤어라인(hairline) 가공, 샌드매트 가공 등으로 표면 처리해도 좋다. 또, 수지 필름(1) 혹은 금속박(2)의 표면을 실란 커플링제, 실란제, 티타네이트계 커플링제, 혹은 알루미네이트계 커플링제로 처리할 수도 있다.
(2)의 방법은 수지 필름(1)과 금속박(2) 사이에 에폭시 수지계 접착제, 페놀 수지계 접착제, 실록산 변성 폴리아미드이미드 수지계 접착제 등의 접착제를 배치하고, 프레스 성형기 혹은 롤 사이에 끼운 후, 가열·가압하여 금속박(2)을 수지 필름(1) 상에 형성하는 방법이다. 이 방법의 경우, 금속박(2)의 두께는 1㎛ 이상 100㎛ 이하, 바람직하게는 5㎛ 이상 80㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상 70㎛ 이하의 범위 내가 좋다.
수지 필름(1) 혹은 금속박(2)의 표면은 상기와 마찬가지로 접착 강도를 향상시키는 관점에서 미세한 요철을 형성할 수가 있다. 또, 수지 필름(1) 혹은 금속박(2)의 표면을 코로나 조사 처리, 자외선 조사 처리, 플라즈마 조사 처리, 플레임 조사 처리, 이트로 조사 처리, 산화 처리, 헤어라인 가공, 샌드매트 가공 등으로 표면 처리를 해도 상관없다. 또, 수지 필름(1) 혹은 금속박(2)의 표면을 상기와 마찬가지로 실란 커플링제, 실란제, 티타네이트계 커플링제, 혹은 알루미네이트계 커플링제로 처리하는 것도 가능하다.
(3)의 방법은 수지 필름(1) 상에 스퍼터링(sputtering)법, 증착법, 혹은 도금법 등의 방법에 의해 접착용의 시드층을 형성하고, 이 시드층 상에 열융착법이나 증착법, 도금법에 의해 금속층을 형성하고, 이들 시드층과 금속층을 도전층(3)에 형성하는 방법이다. 시드층으로서는 예를 들면 동, 금, 은, 크롬, 철, 알루미늄, 니켈, 주석, 아연 등의 금속, 혹은 이들 금속으로 이루어지는 합금을 사용할 수가 있다. 시드층의 두께는 통상 0.1㎛ 이상 2㎛ 이하의 범위이다.
수지 필름(1) 상에 시드층을 형성할 때, 이들의 접착 강도를 개량할 목적으로 앵커층(anchor layer)을 형성하는 것이 가능하다. 이 앵커층은 니켈 혹은 크롬 등의 금속을 들 수 있지만, 바람직하게는 환경성이 뛰어난 니켈이 최적이다.
금속층으로서는 예를 들면 동, 금, 은, 크롬, 철, 알루미늄, 니켈, 주석, 아연 등의 금속 혹은 이들 금속으로 이루어지는 합금을 사용할 수가 있다. 이 금속층은 1종류의 금속으로 이루어지는 단층이라도 좋고, 2종류 이상의 금속으로 이루어지는 복층이나 다층이라도 좋다. 금속층의 두께는 특히 한정되는 것은 아니지만, 0.1㎛ 이상 50㎛ 이하, 바람직하게는 1㎛ 이상 30㎛ 이하가 좋다.
시드층과 금속층으로 이루어지는 도전층(3)은 0.2㎛ 이상 50㎛ 이하, 바람직하게는 1㎛ 이상 30㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이상 20㎛ 이하, 더 바람직하게는 5㎛ 이상 10㎛ 이하의 범위 내가 좋다. 시드층과 금속층은 동일한 금속이라도 좋고 다른 금속이라도 좋다. 또, 금속층의 표면 상에는 표면의 부식을 방지하기 위해 금이나 니켈 등의 금속 보호층을 피복 형성해도 좋다.
이들 도전층(3)의 형성 방법 중에서는 수지 필름(1)과 금속박(2)을 열융착하는 (1)의 방법이 최적이다. 이것은 (2)의 방법의 경우에는 수지 필름(1)과 금속박(2)을 접착제로 접착할 필요가 있으므로, 접착제의 유전 특성이 반영되어 고주파 회로 기판의 비유전율이나 유전정접이 상승해 버린다고 하는 사태가 생기기 때문이다. 또, (3)의 방법의 경우에는 도전층(3)의 형성 공정이 번잡하게 되어 고비용을 초래한다고 하는 이유에 근거한다.
도전 회로의 배선 패턴은 에칭법, 도금법, 혹은 인쇄법 등에 의해 필요수 형성할 수가 있다. 이 배선 패턴의 형성 방법에는 언더컷(undercut)이나 배선 가늘어짐의 발생을 최소한으로 줄여 양호한 배선 형성을 가능하게 하는 황산－과산화수소계, 염화철의 에칭제 등의 사용이 가능하다. 이러한 소정 형상의 배선 패턴을 형성하면, 저유전성이 뛰어나 신호의 손실을 억제할 수 있는 고주파 회로 기판을 제조할 수가 있다.
상기에 의하면, 수지 필름(1)을 비팽윤성의 합성 마이카 함유 성형 재료(4)에 의해 성형하므로 선팽창계수를 저하시킬 수가 있다. 따라서, 수지 필름(1)의 가열 치수 안정성을 향상시켜, 금속박(2) 등으로 이루어지는 금속층과의 가열 치수 특성의 상위를 억제할 수가 있고, 도전층(3)을 적층하여 고주파 회로 기판을 제조하는 경우에, 고주파 회로 기판이 컬하거나 변형하는 것을 방지할 수가 있다.
또, 수지 필름(1)을 폴리아릴렌에테르케톤 수지 함유 성형 재료(4)에 의해 성형하므로, 수지 필름(1)의 주파수 800MHz 이상 100GHz 이하의 범위에 있어서의 비유전율이 3.5 이하이고, 또 유전정접이 0.007 이하로 되어, 비유전율과 유전정접의 값을 종래보다 낮게 할 수가 있다. 따라서, 대용량의 고주파 신호를 고속으로 송수신 가능한 고주파 회로 기판을 얻는 것이 가능하게 된다. 또, 이 고주파 회로 기판의 사용에 의해 제5세대 이동통신 시스템의 실현에 크게 기여하는 것이 가능하게 된다.
또, 폴리아릴렌에테르케톤 수지를 사용하므로, 손실이 감소하고, 또한 고주파 회로 기판용 수지 필름(1)의 장기 사용이 가능하게 되어, 고주파수대를 활용한 고속통신의 실현이 매우 용이하게 된다. 또, 폴리이미드 수지가 아니라 폴리아릴렌에테르케톤 수지를 이용하므로, 고주파 회로 기판을 간단하고 쉽게 다층화하는 것이 가능하게 된다. 또한, 내열성이 뛰어난 상대 결정화도 80% 이상의 수지 필름(1)을 기판 재료에 이용하므로 뛰어난 땜납 내열성을 얻을 수 있다.
다음에, 도 3은 본 발명의 제2의 실시형태를 나타내는 것으로, 이 경우에는 수지 필름(1)의 표리 양면에 배선 패턴용의 금속박(2)을 열융착법에 의해 각각 적층하고, 이 한 쌍의 금속박(2)에 의해 도전층(3)을 형성하도록 하고 있다. 그 외의 부분에 대해서는 상기 실시형태와 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
본 실시형태에 있어서도 상기 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 기대할 수 있고, 또 수지 필름(1)의 양면에 도전층(3)을 각각 형성하므로, 고주파 회로 기판의 배선의 고밀도화나 고주파 회로 기판의 다층화가 용이해지는 것은 분명하다.
또한, 상기 실시형태에서는 합성 마이카 1종류를 단독으로 사용했지만, 2종 이상을 병용해도 좋다. 또, 1매의 수지 필름(1)에 도전층(3)을 적층했지만, 하등 이것에 한정되는 것은 아니고, 적층 구조의 복수 매의 수지 필름(1)에 도전층(3)을 새로이 적층해도 좋다. 또, 수지 필름(1)의 표면에 금속박(2)을 열융착법에 의해 적층하여 도전층(3)을 적층 형성했지만, 하등 이것에 한정되는 것은 아니고, 증착법이나 도금법에 의해 적층 형성해도 좋다. 또한, 고주파 회로 기판을 자동차의 충돌방지 밀리파 레이더 장치, 선진 운전지원 시스템(ADAS), 인공지능(AI) 등에 이용할 수도 있다.
실시예
이하, 본 발명에 관한 수지 필름, 고주파 회로 기판 및 그 제조 방법의 실시예를 비교예와 함께 설명한다.
〔실시예 1〕
먼저, 고주파 회로 기판용의 수지 필름을 제조하기 위해, 폴리아릴렌에테르케톤 수지로서 시판의 폴리에테르에테르케톤 수지〔빅트렉사제, 제품명： Victrex Granules 450G(이하 「450G」로 약한다)〕를 준비하고, 이 폴리에테르에테르케톤 수지를 160℃로 가열한 제습 열풍 건조기로 12시간 이상 건조시켰다.
폴리에테르에테르케톤 수지를 건조시키면, 이 폴리에테르에테르케톤 수지를 동방향 회전 2축 압출기〔
Figure pct00006
42mm, L/D=38, 베르스토르프사제 제품명： K660〕의 스크류 밑동 부근에 설치된 제1공급구인 호퍼에 투입하였다. 또, 비팽윤성의 합성 마이카는 동방향 회전 2축 압출기의 대기압에 개방된 벤트구(vent-port)의 바로 근처의 사이드 피더의 제2공급구로부터 강제 압입하였다. 이 합성 마이카는 시판의 칼륨사규소운모〔카타쿠라코프아그리사제, 제품명： 미크로마이카 MK－100, 평균 입자경： 4.9㎛〕를 사용하였다.
이렇게 하여 폴리에테르에테르케톤 수지를 투입하고, 비팽윤성의 합성 마이카를 압입하면, 이들을 동방향 회전 2축 압출기의 배럴의 온도： 350℃~370℃, 스크류의 회전수： 150rpm, 시간당 토출량： 20kg/hr의 조건하에서 용융 혼련하여 스트랜드상으로 압출하였다.
폴리에테르에테르케톤 수지의 용융 상태는 동방향 회전 2축 압출기의 벤트구로부터 눈으로 관찰하였다. 이 폴리에테르에테르케톤 수지와 합성 마이카는 폴리에테르에테르케톤 수지 100질량부에 대해 합성 마이카 25질량부로 되도록 첨가하였다. 동방향 회전 2축 압출기로부터 스트랜드상의 압출 성형물을 압출하면, 이 압출 성형물을 공랭 고체화한 후 펠릿상으로 커팅하여 성형 재료를 제작하였다.
다음에, 얻어진 성형 재료를 폭 900mm의 T 다이스 부착 단축 압출기에 투입하여 용융 혼련하고, 이 용융 혼련한 성형 재료를 T 다이스로부터 연속적으로 압출하여 고주파 회로 기판용의 수지 필름을 띠형으로 압출 성형하였다. 단축 압출 성형기는 L/D=32, 압축비： 2.5, 스크류： 풀 플라이트 스크류(full flight screw) 타입으로 하였다. 또, 단축 압출 성형기의 온도는 380~400℃, T 다이의 온도는 400℃, 단축 압출 성형기와 T 다이를 연결하는 연결관과 기어 펌프의 온도는 400℃로 조정하였다. 이 단축 압출 성형기에 성형 재료를 투입할 때, 불활성 가스 공급관에 의해 질소 가스 18L/분을 공급하였다.
이렇게 하여 고주파 회로 기판용의 수지 필름을 성형하면, 이 수지 필름을 도 2에 나타내는 것 같은 실리콘 고무제의 한 쌍의 압착 롤, 200℃, 230℃, 250℃의 냉각 롤인 복수의 금속 롤, 및 이들의 하류에 위치하는 권취기의 6인치의 권취관에 순차 말아 걸침과 아울러, 압착 롤과 금속 롤에 끼우고, 연속한 수지 필름의 양측부를 슬릿날로 재단하여 권취관에 순차 권취함으로써, 길이 100m, 폭 650mm의 수지 필름을 제조하였다. 압착 롤과 권취관 사이에는 수지 필름의 양측부를 절단하는 슬릿날을 승강 가능하게 배치하고, 권취관과 슬릿날 사이에는 수지 필름에 텐션을 작용시키는 텐션 롤을 회전 가능하게 축지지시켰다.
수지 필름을 제조하면, 이 수지 필름의 두께, 기계적 특성, 가열 치수 안정성, 유전 특성, 내열성을 각각 평가하여 표 1에 정리하였다. 기계적 특성은 인장탄성률로 평가하고, 가열 치수 안정성은 선팽창계수, 유전 특성은 비유전율과 유전정접, 내열성은 땜납 내열성으로 평가하는 것으로 하였다.
·고주파 회로 기판용 수지 필름의 필름 두께
고주파 회로 기판용의 수지 필름의 필름 두께에 대해서는 마이크로 미터〔미츠토요사제 제품명： 쿨런트프루프 마이크로 미터 부호 MDC－25PJ〕를 사용하여 측정하였다. 측정에 즈음해서는 폴리아릴렌에테르케톤 수지 필름의 폭 방향(압출 방향의 직각 방향)의 임의의 10개소를 측정하여 그 평균치를 필름 두께로 하였다.
·고주파 회로 기판용 수지 필름의 상대 결정화도
고주파 회로 기판용의 수지 필름의 상대 결정화도에 대해서는 수지 필름으로부터 측정 시료 약 8mg을 칭량하고, 시차주사열량계〔에스아이아이나노테크놀로지즈사제 제품명： EXSTAR7000 시리즈 X－DSC7000〕를 사용하여 승온 속도 10℃／분, 측정 온도 범위 20℃에서 380℃까지 측정하였다. 이때에 얻어지는 결정융해 피크(peak)의 열량(J/g), 재결정화 피크의 열량(J/g)으로부터 이하의 식을 이용하여 산출하였다.
상대 결정화도(%)=｛1－(ΔHc/Hm)｝×100
여기서, ΔHc는 수지 필름의 10℃／분의 승온 조건하에서의 재결정화 피크의 열량(J/g)을 나타내고, ΔHm은 수지 필름의 10℃／분의 승온 조건하에서의 결정융해 피크의 열량(J/g)을 나타낸다.
·고주파 회로 기판용 수지 필름의 기계적 성질
고주파 회로 기판용의 수지 필름의 기계적 성질은 23℃에 있어서의 인장탄성률로 평가하였다. 기계적 성질은 압출 방향과 폭 방향(압출 방향의 직각 방향)에 대해 측정하였다. 측정은 JIS K 7127에 준거하여, 인장 속도 50mm/분, 온도 23℃±2℃, 상대습도 50%RH±5%RH의 조건으로 측정하였다. 또, 인장탄성률에 대해서는 5회 측정하여 그 평균치를 인장탄성률로 하였다.
·고주파 회로 기판용 수지 필름의 유전 특성〔주파수： 1GHz, 10GHz〕
고주파 회로 기판용의 수지 필름의 주파수： 1GHz, 10GHz에 있어서의 유전 특성은 네트워크애널라이저〔애질런트테크놀로지사제 PNA－L 네트워크애널라이저 N5230A〕를 이용하여 공동 공진기 섭동법에 의해 측정하였다. 1GHz에 있어서의 유전 특성의 측정은 공동 공진기를 공동 공진기 1GHz〔칸토전자응용개발사제 형식； CP431〕, 공동 공진기 10GHz〔칸토전자응용개발사제 형식； CP531〕로 변경한 외에는 ASTMD2520에 준거하여 실시하였다. 유전 특성의 측정은 온도： 23℃±1℃, 습도 50%RH±5%RH 환경하에서 실시하였다.
·고주파 회로 기판용 수지 필름의 유전 특성〔주파수： 28GHz 부근, 76.5GHz 부근〕
고주파 회로 기판용의 수지 필름의 주파수： 28GHz 부근, 76.5GHz 부근의 유전 특성은 벡터 네트워크애널라이저를 이용하여 개방형 공진기법의 일종인 파브리페로법에 의해 측정하였다. 공진기는 개방형 공진기〔키콤사제： 파브리페로 공진기 Model No. DPS03〕를 사용하였다.
측정에 즈음해서는 개방형 공진기 지그(jig)의 시료대 상에 고주파 회로 기판용의 수지 필름을 놓고, 벡터 네트워크애널라이저를 이용하여 개방형 공진기법의 일종인 파브리페로법으로 측정하였다. 구체적으로는 시료대 상에 수지 필름을 놓지 않은 상태와 수지 필름을 놓은 상태의 공진 주파수의 차를 이용하는 공진법에 의해 비유전율과 유전정접을 측정하였다. 유전 특성의 측정에 이용한 구체적인 주파수는 표 4에 나타내는 바와 같다.
유전 특성의 측정, 구체적으로는 28GHz 부근 및 76.5GHz 부근의 유전 특성은 온도： 24℃, 습도 40% 환경하에서 소정의 측정 장치에 의해 측정하였다. 소정의 측정 장치로서는 28GHz 부근은 벡터 네트워크애널라이저 E8361A〔애질런트테크놀로지사제： 제품명〕를 사용하였다. 76.5GHz 부근에서는 벡터 네트워크애널라이저N5227A〔애질런트테크놀로지사제： 제품명〕를 이용하였다.
·고주파 회로 기판용 수지 필름의 선팽창계수
고주파 회로 기판용의 수지 필름의 선팽창계수는 수지 필름의 압출 방향과 폭 방향(압출 방향의 직각 방향)에 대해 측정하였다. 구체적으로는 수지 필름의 압출 방향의 선팽창계수를 측정하는 경우에는 압출 방향 20mm×폭 방향 4mm, 폭 방향의 선팽창계수를 측정하는 경우에는 압출 방향 4mm×폭 방향 20mm의 크기로 잘라 측정하였다. 선팽창계수의 측정에 즈음해서는 열기계 분석 장치〔히타치하이테크사이언스사제 제품명： SII//SS7100〕를 이용한 인장 모드에 의해, 하중： 50mN, 승온 속도： 5℃／min.의 비율로 25℃에서 250℃까지 승온 속도： 5℃／min.의 비율로 승온하여 치수의 온도 변화를 측정하고, 25℃에서 125℃까지의 범위의 기울기에 의해 선팽창계수를 구하였다.
·고주파 회로 기판용 수지 필름의 땜납 내열성
고주파 회로 기판용의 수지 필름의 땜납 내열성은 JIS C 5016의 시험법에 준거하여, 수지 필름을 288℃의 땜납욕에 10초간 띄우고 실온까지 냉각한 후, 수지 필름의 변형이나 주름의 발생의 유무를 눈으로 관찰하였다.
○： 수지 필름에 변형이나 주름의 발생이 인지되지 않은 경우
×： 수지 필름에 변형이나 주름의 발생이 인지된 경우
〔실시예 2〕
먼저, 고주파 회로 기판용의 수지 필름을 제조하기 위해, 폴리아릴렌에테르케톤 수지로서 시판의 폴리에테르에테르케톤 수지〔솔베이스페셜티폴리머즈사제, 제품명： 키타스파이아 PEEK KT－851NL SP(이하 「KT－851NL SP」로 약한다)〕를 준비하고, 이 폴리에테르에테르케톤 수지를 160℃로 가열한 제습 열풍 건조기로 12시간 이상 건조시켰다. 비팽윤성의 합성 마이카에 대해서는 시판되고 있는 칼륨사규소운모〔카타쿠라코프아그리사제 제품명： 미크로마이카 MK－100DS, 평균 입자경： 3.3㎛〕를 사용하였다.
다음에, 폴리에테르에테르케톤 수지와 합성 마이카를 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 고주파 회로 기판용의 수지 필름의 성형 재료로 조제하였다. 폴리에테르에테르케톤 수지와 합성 마이카는 폴리에테르에테르케톤 수지 100질량부에 대해 합성 마이카 35질량부로 되도록 혼합하였다.
성형 재료를 조제하면, 이 성형 재료를 사용하여 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 고주파 회로 기판용의 수지 필름을 압출 성형하였다. 수지 필름을 압출 성형하면, 이 수지 필름의 두께, 기계적 특성, 가열 치수 안정성, 유전 특성, 내열성을 각각 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 평가하여 표 1에 정리하였다.
〔실시예 3〕
먼저, 고주파 회로 기판용의 수지 필름을 제조하기 위해, 폴리아릴렌에테르케톤 수지로서 실시예 2에서 사용한 폴리에테르에테르케톤 수지〔솔베이스페셜티폴리머즈사제, 제품명： 키타스파이아 PEEK KT－851NL SP(이하 「KT－851NL SP」로 약한다)〕를 준비하고, 이 폴리에테르에테르케톤 수지와 비팽윤성의 합성 마이카를 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 고주파 회로 기판용의 수지 필름의 성형 재료로 제조하였다. 폴리에테르에테르케톤 수지와 합성 마이카는 폴리에테르에테르케톤 수지 100질량부에 대해 합성 마이카 45질량부로 되도록 합성 마이카를 첨가하였다. 합성 마이카는 실시예 1의 칼륨사규소운모로 하였다.
성형 재료를 조제하면, 이 성형 재료를 사용하여 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 고주파 회로 기판용의 수지 필름을 압출 성형하였다. 수지 필름을 압출 성형하면, 이 수지 필름의 두께, 기계적 특성, 가열 치수 안정성, 유전 특성, 내열성을 각각 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 평가하여 표 1에 정리하였다.
〔실시예 4〕
고주파 회로 기판용의 수지 필름을 제조하기 위해, 폴리아릴렌에테르케톤 수지로서 시판의 폴리에테르에테르케톤 수지〔빅트렉사제, 제품명： Victrex Granules 381G(이하 「381G」로 약한다)〕를 준비하고, 이 폴리에테르에테르케톤 수지를 160℃로 가열한 제습 열풍 건조기로 12시간 이상 건조시켰다. 합성 마이카는 실시예 1의 칼륨사규소운모를 사용하였다.
다음에, 폴리에테르에테르케톤 수지에 비팽윤성의 합성 마이카를 폴리에테르에테르케톤 수지 100질량부에 대해 합성 마이카가 45질량부로 되도록 첨가하고, 폴리에테르에테르케톤 수지와 합성 마이카를 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 고주파 회로 기판용의 수지 필름의 성형 재료로 제조하였다.
성형 재료를 조제하면, 이 성형 재료를 사용하여 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 고주파 회로 기판용의 수지 필름을 압출 성형하였다. 수지 필름을 압출 성형하면, 이 수지 필름의 두께, 기계적 특성, 가열 치수 안정성, 유전 특성, 내열성을 각각 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 평가하여 표 2에 기재하였다.
〔실시예 5〕
고주파 회로 기판용의 수지 필름을 제조하기 위해, 폴리아릴렌에테르케톤 수지로서 실시예 4에서 이용한 폴리에테르에테르케톤 수지〔빅트렉사제, 제품명： Victrex Granules 381G(이하 「381G」로 약한다)〕를 준비하고, 이 폴리에테르에테르케톤 수지를 160℃로 가열한 제습 열풍 건조기로 12시간 이상 건조시켰다.
다음에, 폴리에테르에테르케톤 수지와 비팽윤성의 합성 마이카를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 고주파 회로 기판용의 수지 필름의 성형 재료로 제조하였다. 비팽윤성의 합성 마이카는 시판의 칼륨사규소운모〔카타쿠라코프아그리사제, 제품명： 미크로마이카 MK－300, 평균 입자경： 11.9㎛〕를 사용하였다. 또, 폴리에테르에테르케톤 수지와 합성 마이카는 폴리에테르에테르케톤 수지 100질량부에 대해 합성 마이카 65질량부로 되도록 첨가하였다.
성형 재료를 조제하면, 이 성형 재료를 사용하여 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 고주파 회로 기판용의 수지 필름을 압출 성형하였다. 수지 필름을 압출 성형하면, 이 수지 필름의 두께, 기계적 특성, 가열 치수 안정성, 유전 특성, 내열성을 각각 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 평가하여 표 2에 기재하였다.
Figure pct00007
Figure pct00008
〔비교예 1〕
실시예 1에서 사용한 폴리에테르에테르케톤 수지를 준비하고, 이 폴리에테르에테르케톤 수지를 160℃로 가열한 제습 건조기로 12시간 이상 건조시켰다. 폴리에테르에테르케톤 수지를 건조시키면, 이 폴리에테르에테르케톤 수지를 폭 900mm의 T 다이스를 구비한
Figure pct00009
40mm 압출 성형기에 세트(set)하여 용융 혼련하고, 이 용융 혼련한 폴리에테르에테르케톤 수지를 단축 압출 성형기의 T 다이스로부터 연속적으로 압출하고, 그 후 단축 압출기 측으로부터 200℃, 230℃, 250℃로 가열한 금속 롤로 냉각함으로써, 고주파 회로 기판용의 수지 필름을 압출 성형하였다.
Figure pct00010
40mm 단축 압출 성형기의 온도는 380℃~400℃(확인), T 다이스의 온도는 400℃로 하였다.
이렇게 하여 고주파 회로 기판용의 수지 필름을 압출 성형하면, 이 수지 필름을 도 2에 나타내는 것 같은 실리콘 고무제의 한 쌍의 압착 롤, 단축 압출기 측으로부터 200℃, 230℃, 250℃의 금속 롤, 및 이들의 하류에 위치하는 권취기의 6인치의 권취관에 순차 말아 걸침과 아울러, 압착 롤과 금속 롤에 끼우고, 연속한 수지 필름의 양측부를 슬릿날로 재단하여 권취관에 순차 권취함으로써, 길이 100m, 폭 650mm의 수지 필름을 제조하였다. 수지 필름이 얻어지면, 이 수지 필름의 두께, 기계적 특성, 가열 치수 안정성, 유전 특성, 내열성을 각각 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 평가하여 표 3에 정리하였다.
〔비교예 2〕
실시예 2에서 사용한 폴리에테르에테르케톤 수지를 준비하고, 이 폴리에테르에테르케톤 수지를 160℃로 가열한 제습 건조기로 12시간 이상 건조시켰다. 이렇게 하여 폴리에테르에테르케톤 수지를 12시간 이상 건조시키면, 이 폴리에테르에테르케톤 수지와 탄산칼슘〔토요파인케미칼사제, 제품명： 화이톤 P－10, 평균 입자경： 2.5㎛〕을 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 고주파 회로 기판용의 수지 필름의 성형 재료로 조제하였다. 폴리에테르에테르케톤 수지와 탄산칼슘은 폴리에테르에테르케톤 수지 100질량부에 대해 탄산칼슘 43질량부로 되도록 혼합하였다.
다음에, 성형 재료를 사용하여 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 고주회로기판용의 수지 필름을 압출 성형하였다. 수지 필름을 압출 성형하면, 이 수지 필름의 두께, 기계적 특성, 가열 치수 안정성, 유전 특성, 내열성을 각각 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 평가하여 표 3에 정리하였다.
〔비교예 3〕
실시예 4에서 사용한 폴리에테르에테르케톤 수지를 준비하고, 이 폴리에테르에테르케톤 수지를 160℃로 가열한 제습 건조기로 12시간 이상 건조시켰다. 폴리에테르에테르케톤 수지를 12시간 이상 건조시키면, 이 폴리에테르에테르케톤 수지와 비정질 실리카〔아드마텍스사제, 제품명： SC5500－SQ, 평균 입자경： 1.4㎛〕를 폴리에테르에테르케톤 수지 100질량부에 대해 비정질 실리카 37질량부로 되도록 혼합하였다.
다음에, 성형 재료를 조제하면, 이 성형 재료를 사용하여 실시예 1과 마찬가지의 방법에 의해 고주파 회로 기판용의 수지 필름을 압출 성형하였다. 수지 필름이 얻어지면, 이 수지 필름의 두께, 기계적 특성, 가열 치수 안정성, 유전 특성, 내열성을 각각 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 평가하여 표 3에 기재하였다.
Figure pct00011
Figure pct00012
〔결과〕
각 실시예의 고주파 회로 기판용의 수지 필름은 비유전율이 3.5 이하이고, 유전정접이 0.005 이하였다. 또, 기계적 특성은 인장탄성률이 3500N/mm2 이상으로 높은 강성을 가지고 있기 때문에, 고주파 회로 기판의 조립 시의 핸들링성이 뛰어났다. 가열 치수 안정성은 선팽창계수가 50ppm/℃ 이하로 되어 종래보다 뛰어난 결과를 얻었다. 또한, 내열성에 대해서도, 288℃의 땜납욕에 10초간 띄워도 전혀 변형이나 주름의 발생이 인지되지 않아, 고주파 회로 기판으로서 사용 가능한 내열성을 가지고 있었다.
이에 반해, 비교예의 고주파 회로 기판용 수지 필름은 비팽윤성의 합성 마이카를 첨가하지 않았으므로, 선팽창계수가 55ppm/℃ 이상으로 되어 불충분한 결과로 되었다. 이들 측정 결과로부터, 각 실시예의 수지 필름은 유전 특성이 뛰어나 MHz 대역으로부터 GHz 대역의 고주파 대역에서 이용되는 고주파 회로 기판에 최적이라는 것이 판명되었다.
산업상 이용 가능성
본 발명에 관한 수지 필름, 고주파 회로 기판 및 그 제조 방법은 정보통신이나 자동차 기기 등의 분야에서 사용된다.
1 수지 필름
2 금속박(금속층)
3 도전층
4 성형 재료
10 용융 압출 성형기(압출 성형기)
11 원료 투입구
13 T 다이스(다이스)
16 냉각 롤
17 압착 롤
18 권취기
19 권취관
20 슬릿날

Claims (7)

  1. 폴리아릴렌에테르케톤 수지 100질량부와, 비팽윤성의 합성 마이카 10질량부 이상 80질량부 이하를 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상대 결정화도가 80% 이상인 수지 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    선팽창계수가 1ppm/℃ 이상 50ppm/℃ 이하인 수지 필름.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    비팽윤성의 합성 마이카는 불소금운모, 칼륨사규소운모, 및 칼륨태니올라이트의 적어도 어느 것인 수지 필름.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 수지 필름을 가지는 것을 특징으로 하는 고주파 회로 기판.
  6. 제5항에 있어서,
    수지 필름에 열융착하여 적층되는 금속층을 포함하여 이루어지는 고주파 회로 기판.
  7. 제5항 또는 제6항에 기재된 고주파 회로 기판의 제조 방법으로서, 적어도 폴리아릴렌에테르케톤 수지 100질량부와, 비팽윤성의 합성 마이카 10질량부 이상 80질량부 이하를 함유하는 성형 재료를 용융 혼련하고, 이 성형 재료를 압출 성형기의 다이스에 의해 수지 필름으로 압출 성형하고, 이 수지 필름을 냉각 롤에 접촉시켜 냉각함으로써, 수지 필름의 상대 결정화도를 80% 이상으로 함과 아울러, 이 수지 필름의 선팽창계수를 1ppm/℃ 이상 50ppm/℃ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 고주파 회로 기판의 제조 방법.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0627002B2 (ja) 1988-01-21 1994-04-13 工業技術院長 フッ素雲母の製造方法
JP2017502595A (ja) 2013-12-26 2017-01-19 ゼットティーイー コーポレーションＺｔｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ マルチパス伝送方法、システム、データ送信装置及びデータ受信装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4017394B2 (ja) * 1999-11-30 2007-12-05 大塚化学株式会社 樹脂組成物及びフレキシブルプリント配線板
JP4073631B2 (ja) * 2001-01-22 2008-04-09 三菱樹脂株式会社 ポリアリールケトン系樹脂フィルム及びそれを用いてなる金属積層体
JP3955188B2 (ja) * 2001-05-21 2007-08-08 三菱樹脂株式会社 基板用耐熱フィルムおよびこれを用いたプリント配線基板
JP6854124B2 (ja) * 2016-12-28 2021-04-07 株式会社クラレ 熱可塑性液晶ポリマーフィルムおよびそれを用いた回路基板
JP2019046980A (ja) * 2017-09-01 2019-03-22 信越ポリマー株式会社 電磁波シールドフィルム及びその製造方法、並びに電磁波シールドフィルム付きプリント配線板及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0627002B2 (ja) 1988-01-21 1994-04-13 工業技術院長 フッ素雲母の製造方法
JP2017502595A (ja) 2013-12-26 2017-01-19 ゼットティーイー コーポレーションＺｔｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ マルチパス伝送方法、システム、データ送信装置及びデータ受信装置

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