KR20210154995A

KR20210154995A - 경화물막의 제조 방법, 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품

Info

Publication number: KR20210154995A
Application number: KR1020217040716A
Authority: KR
Inventors: 미쯔루 다니까와; 다까시 와따나베; 미찌히사 우에다; 시게루 나까무라; 히로시 마에나까; 료스께 다까하시; 다까노리 이노우에; 요시또 후지따; 오사무 이누이
Original assignee: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Priority date: 2013-11-06
Filing date: 2014-11-05
Publication date: 2021-12-21
Also published as: US20160046813A1; CN104981299B; EP3067124A1; CN104981299A; KR20160124256A; US20220098419A1; KR102400772B1; KR102339967B1; TWI525135B; TW201604226A; EP3067124A4; TW201522440A; EP3067124B1; KR20160014572A; KR20200120773A; US11220604B2; TWI545150B; KR20160011707A

Abstract

본 발명은 미세한 경화물막의 형성 정밀도를 높일 수 있고, 또한 경화물막의 밀착성을 높일 수 있는 경화물막의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 경화성막의 제조 방법은, 잉크젯 장치(11)를 사용하여, 광경화성 및 열경화성을 갖고 또한 액상인 경화성 조성물(12)을 도포하는 도포 공정과, 제1 광 조사부(13)로부터 경화성 조성물(12)에 광을 조사하는 제1 광 조사 공정과, 광이 조사된 예비 경화물막(12A)을 가열하는 가열 공정을 구비하며, 잉크젯 장치(11)가, 경화성 조성물(12)이 저류되는 잉크 탱크와 토출부와 순환 유로부를 갖고, 상기 도포 공정에 있어서, 잉크젯 장치(11) 내에서, 경화성 조성물(12)을 순환시키면서 도포한다.

Description

경화물막의 제조 방법, 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품{METHOD FOR MANUFACTURING CURED FILM, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT, AND ELECTRONIC COMPONENT}

본 발명은 광경화성 및 열경화성을 갖는 경화성 조성물을 사용하여 경화물막을 형성하는 경화물막의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 경화물막의 제조 방법을 적용한 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품에 관한 것이다.

전자 기기에서는, 기판 등의 전자 부품 위에 다양한 다른 전자 부품이 실장되고, 그 전자 부품간이 배선에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 전자 부품을 전기적으로 접속하고 있는 배선간에는 절연성을 확보하거나, 보호막으로서 기능시키거나 하는 것을 목적으로 하여, 레지스트 패턴이나 격벽이 형성되어 있다.

프린트 배선판에 있어서의 레지스트 패턴은, 일반적으로, 포토레지스트라고 부르고 있는 레지스트 재료를 사용하여, 노광 공정 및 현상 공정을 포함하는 포토리소그래피에 의해 형성되어 있다.

레지스트 패턴과 구리 회로를 갖는 프린트 배선판을 제작할 때에는, 예를 들어 구리 회로를 갖는 프린트 배선판의 전체면에 레지스트층을 형성하고, 마스크를 통해서 레지스트층을 부분적으로 노광하고, 현상에 의해 레지스트층을 부분적으로 제거한다. 현상에 의해 레지스트 패턴이 형성되고, 레지스트 패턴과 구리 회로를 갖는 프린트 배선판이 얻어진다.

이러한 프린트 배선판의 제조 방법의 일례는, 하기 특허문헌 1에 개시되어 있다. 특허문헌 1에서는, 포토리소그래피에 있어서의 노광 공정 및 현상 공정 등을 행하고 있다.

또한, 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 예가, 하기 특허문헌 2에 개시되어 있다. 특허문헌 2에서는, 기판 위에, 잉크젯용 광경화성 열경화성 조성물인 레지스트 재료를 잉크젯 장치로부터 토출하여, 그 레지스트 재료를 경화시키고 있다.

일본 특허 공개 평5-21941호 공보 WO2004/099272A1

특허문헌 1에 기재와 같은 종래의 프린트 배선판의 제조 방법에서는, 레지스트층을 형성하기 위해서, 포토리소그래피에 있어서의 노광 공정 및 현상 공정 등의 많은 공정이 필요하다. 이로 인해, 프린트 배선판의 제조 효율이 나쁘다.

또한, 종래의 프린트 배선판의 제조 방법에서는, 산 또는 알칼리 등의 약액을 사용한 현상 처리를 행하기 때문에, 환경 부하가 크다. 또한, 현상에 의해 제거되는 레지스트층 부분을 형성하기 위해서, 여분의 레지스트 재료를 사용하지 않으면 안된다. 또한, 현상에 의해 제거된 레지스트층 부분은 폐기물로 된다. 또한, 에칭에 의해 제거된 구리층도, 폐기물로 된다. 이로 인해, 폐기물의 양이 많으므로 환경 부하가 크고, 또한 프린트 배선판의 재료 비용도 높아진다는 문제가 있다.

또한, 특허문헌 2에 기재와 같은 종래의 잉크젯 장치를 사용한 방법에서는, 레지스트 패턴을 고정밀도로 형성 할 수 없는 경우가 있다. 특히, 미세한 레지스트 패턴을 형성하는 경우에는, 형성 정밀도가 보다 한층 나빠지기 쉽다. 또한, 레지스트 패턴을 다층화하는 경우에, 형성 정밀도가 한층 더 나빠지기 쉽다.

예를 들어, 레지스트 패턴을 소정의 형상으로 형성할 수 없거나, 레지스트 패턴이 기판으로부터 박리되기 쉽다는 문제가 있다. 레지스트 패턴이 기판으로부터 박리되면, 절연성을 충분히 확보할 수 없는 경우가 있다.

본 발명의 목적은, 미세한 경화물막의 형성 정밀도를 높일 수 있고, 또한 경화물막의 밀착성을 높일 수 있는 경화물막의 제조 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은, 상기 경화물막의 제조 방법을 적용한 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품을 제공하는 것도 목적으로 한다.

본 발명의 넓은 국면에 따르면, 잉크젯 장치를 사용하여, 광경화성 및 열경화성을 갖고 또한 액상인 경화성 조성물을 도포하는 도포 공정과, 상기 도포 공정 후에, 제1 광 조사부로부터 상기 경화성 조성물에 광을 조사하여, 상기 경화성 조성물의 경화를 진행시켜서, 예비 경화물막을 형성하는 제1 광 조사 공정과, 상기 제1 광 조사 공정 후에, 광이 조사된 상기 예비 경화물막을 가열하여, 광이 조사된 상기 예비 경화물막을 경화시켜서, 경화물막을 형성하는 가열 공정을 구비하며, 상기 잉크젯 장치가, 상기 경화성 조성물이 저류되는 잉크 탱크와, 상기 잉크 탱크와 접속되어 있고 또한 상기 경화성 조성물이 토출되는 토출부와, 일단부가 상기 토출부에 접속되어 있고, 타단부가 상기 잉크 탱크부에 접속되어 있고, 또한 내부를 상기 경화성 조성물이 흐르는 순환 유로부를 갖고, 상기 도포 공정에 있어서, 상기 잉크젯 장치 내에서, 상기 경화성 조성물을 상기 잉크 탱크로부터 상기 토출부로 이동시킨 후에, 상기 토출부로부터 토출되지 않은 상기 경화성 조성물을, 상기 순환 유로부 내를 흘려서 상기 잉크 탱크로 이동시킴으로써, 상기 경화성 조성물을 순환시키면서 도포하는, 경화물막의 제조 방법이 제공된다.

본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화물막의 제조 방법은, 상기 제1 광 조사 공정 후 또한 상기 가열 공정 전에, 상기 제1 광 조사부와는 다른 제2 광 조사부로부터, 상기 제1 광 조사부로부터 광이 조사된 상기 예비 경화물막에 광을 조사하여, 상기 예비 경화물막의 경화를 더 진행시키는 제2 광 조사 공정을 더 구비한다.

본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화물막의 제조 방법은, 상기 제1 광 조사 공정 후 또한 상기 가열 공정 전에, 상기 제1 광 조사 공정 후의 상기 예비 경화물막 위에서 상기 도포 공정과 상기 제1 광 조사 공정을 행하고, 상기 예비 경화물막 위에 다른 예비 경화물막을 형성함으로써 다층의 예비 경화물막을 형성하는 다층화 공정을 더 구비한다.

본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화물막의 제조 방법은, 상기 다층화 공정 후 또한 상기 가열 공정 전에, 상기 제1 광 조사부와는 다른 제2 광 조사부로부터, 상기 다층의 예비 경화물막에 광을 조사하여, 상기 다층의 예비 경화물막의 경화를 더 진행시키는 제2 광 조사 공정을 더 구비한다.

본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 상기 순환 유로부가, 상기 순환 유로부 내에, 상기 경화성 조성물이 가저류되는 버퍼 탱크를 포함한다.

본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제1 광 조사 공정 후의 상기 예비 경화물막 위 또는 상기 예비 경화물막 사이에서, 상기 도포 공정과 상기 제1 광 조사 공정을 행한다.

본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 순환되고 있는 상기 경화성 조성물의 온도가 40℃ 이상 100℃ 이하이다.

본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 상기 잉크젯 장치가 피에조 방식의 잉크젯 헤드를 사용하는 잉크젯 장치이고, 상기 도포 공정에 있어서, 피에조 소자의 작용에 의해 상기 경화성 조성물을 도포한다.

본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화성 조성물의 토출 시의 점도가 3m㎩·s 이상 1500m㎩·s 이하이다.

본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화성 조성물이, 광경화성 화합물과, 열경화성 화합물과, 광중합 개시제와, 열경화제를 포함한다. 본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화성 조성물이, 상기 광경화성 화합물과, 광 및 열경화성 화합물과, 상기 열경화성 화합물과, 상기 광중합 개시제와, 상기 열경화제를 포함한다.

본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 상기 광경화성 화합물이 (메트)아크릴로일기를 갖고, 상기 광 및 열경화성 화합물이 (메트)아크릴로일기와 환상 에테르기를 갖고, 상기 열경화성 화합물이 환상 에테르기를 갖는다.

본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화성 조성물이, 상기 광경화성 화합물로서 (메트)아크릴로일기를 1개 갖는 단관능 화합물과, (메트)아크릴로일기를 2개 이상 갖는 다관능 화합물을 포함한다.

본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법의 어느 특정한 국면에서는, 상기 경화성 조성물 100중량% 중, 상기 광경화성 화합물과 상기 광 및 열경화성 화합물의 합계의 함유량이 40중량% 이상 90중량% 이하이다.

본 발명의 넓은 국면에 따르면, 전자 부품 본체 위에 상술한 경화물막의 제조 방법에 의해 경화물막을 형성하는 공정을 구비하고, 전자 부품 본체와, 상기 전자 부품 본체 위에 상기 경화물막을 구비하는 전자 부품을 얻는, 전자 부품의 제조 방법이 제공된다.

본 발명의 넓은 국면에 따르면, 전자 부품 본체와, 상기 전자 부품 본체 위에 상술한 경화물막의 제조 방법에 의해 얻어지는 경화물막을 구비하는, 전자 부품이 제공된다.

본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법은, 잉크젯 장치를 사용하여, 광경화성 및 열경화성을 갖고 또한 액상인 경화성 조성물을 도포하는 도포 공정 후에, 상술한 제1 광 조사 공정과 상술한 가열 공정을 행하므로, 또한 상기 잉크젯 장치가, 상기 잉크 탱크와 상기 토출부와 상기 순환 유로부를 갖고, 상기 도포 공정에 있어서, 상기 잉크젯 장치 내에서, 상기 경화성 조성물을 상기 잉크 탱크로부터 상기 토출부로 이동시킨 후에, 상기 토출부로부터 토출되지 않은 상기 경화성 조성물을, 상기 순환 유로부 내를 흘려서 상기 잉크 탱크로 이동시킴으로써, 상기 경화성 조성물을 순환시키면서 도포하므로, 미세한 경화물막의 형성 정밀도를 높일 수 있고, 또한 경화물막의 밀착성을 높일 수 있다.

도 1의 (a) 내지 (e)는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 경화물막의 제조 방법의 각 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 경화물막의 제조 방법에 의해 얻어지는 경화물막을 구비하는 전자 부품을 모식적으로 도시하는 정면 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 경화물막의 제조 방법에 있어서 사용되는 잉크젯 장치의 일례를 나타내는 개략 구성도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 경화물막의 제조 방법에 있어서 사용되는 잉크젯 장치의 다른 예를 나타내는 개략 구성도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 경화물막의 제조 방법에 의해 얻어지는 경화물막을 구비하는 전자 부품을 모식적으로 도시하는 정면 단면도이다.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.

본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법은, 잉크젯 장치를 사용하여, 광경화성 및 열경화성을 갖고 또한 액상인 경화성 조성물을 도포하는 도포 공정을 구비한다. 또한, 본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법은, 상기 도포 공정 후에, 제1 광 조사부로부터 상기 경화성 조성물에 광을 조사하여, 상기 경화성 조성물의 경화를 진행시켜서, 예비 경화물막을 형성하는 제1 광 조사 공정을 구비한다. 또한, 본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법은, 상기 제1 광 조사 공정 후에, 광이 조사된 상기 예비 경화물막을 가열하여, 광이 조사된 상기 예비 경화물막을 경화시켜서, 경화물막을 형성하는 가열 공정을 더 구비한다.

또한, 본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법에서는, 상기 잉크젯 장치가, 상기 경화성 조성물이 저류되는 잉크 탱크와, 상기 잉크 탱크와 접속되어 있고 또한 상기 경화성 조성물이 토출되는 토출부와, 일단부가 상기 토출부에 접속되어 있고, 타단부가 상기 잉크 탱크부에 접속되어 있고, 또한 내부를 상기 경화성 조성물이 흐르는 순환 유로부를 갖는다.

본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법에서는, 상기 도포 공정에 있어서, 상기 잉크젯 장치 내에서, 상기 경화성 조성물을 상기 잉크 탱크로부터 상기 토출부로 이동시킨 후에, 상기 토출부로부터 토출되지 않은 상기 경화성 조성물을, 상기 순환 유로부 내를 흘려서 상기 잉크 탱크로 이동시킴으로써, 상기 경화성 조성물을 순환시키면서 도포한다.

본 발명에서는, 특정한 상기 도포 공정, 특정한 상기 제1 광 조사 공정 및 특정한 상기 가열 공정이 행해지기 때문에, 추가로 특정한 상기 잉크젯 장치를 사용하여, 상기 잉크젯 장치 내에서, 상기 경화성 조성물을 상기 잉크 탱크로부터 상기 토출부로 이동시킨 후에, 상기 토출부로부터 토출되지 않은 상기 경화성 조성물을, 상기 순환 유로부 내를 흘려서 상기 잉크 탱크로 이동시킴으로써, 상기 경화성 조성물을 순환시키면서 도포하므로, 미세한 경화물막의 형성 정밀도를 높일 수 있고, 또한 경화물막의 밀착성을 높일 수 있다. 본 발명의 효과를 얻기 위해서, 상기 경화성 조성물을 순환시키면서 도포하는 것에는 큰 의미가 있다.

또한, 본 발명에 따른 경화물막의 제조 방법은, 바람직하게는 상기 제1 광 조사 공정 후의 상기 예비 경화물막 위에서 상기 도포 공정과 상기 제1 광 조사 공정을 행하고, 상기 예비 경화물막 위에 다른 예비 경화물막을 형성함으로써 다층의 예비 경화물막을 형성하는 다층화 공정을 구비한다. 본 발명에서는, 두께가 두꺼운 경화물막을 고정밀도로 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 다층화된 경화물막이어도, 미세하면서 또한 고정밀도로 형성할 수 있다.

상기 다층화 공정이 구비되는 경우에, 본 발명에서는, 특정한 상기 도포 공정, 특정한 상기 제1 광 조사 공정, 특정한 상기 다층화 공정 및 특정한 상기 가열 공정이 행해지기 때문에, 추가로 특정한 상기 잉크젯 장치를 사용하여, 상기 잉크젯 장치 내에서, 상기 경화성 조성물을 상기 잉크 탱크로부터 상기 토출부로 이동시킨 후에, 상기 토출부로부터 토출되지 않은 상기 경화성 조성물을, 상기 순환 유로부 내를 흘려서 상기 잉크 탱크로 이동시킴으로써, 상기 경화성 조성물을 순환시키면서 도포하므로, 두께가 두꺼운 경화물막의 형성 정밀도를 높일 수 있고, 또한 경화물막의 밀착성을 높일 수 있다. 두께가 두꺼운 경화물막을 고정밀도로 형성한다고 하는 효과를 얻기 위해서, 상기 경화성 조성물을 순환시키면서 도포하는 것에는 큰 의미가 있다.

또한, 본 발명에서는, 포토리소그래피에 있어서의 노광 공정 및 현상 공정 등의 많은 공정을 행하지 않아도, 양호한 소정 형상의 경화물막을 형성할 수 있다. 이로 인해, 폐기물의 양을 적게 할 수 있고, 환경 부하를 저감할 수 있고, 또한 전자 부품을 형성하기 위한 재료 비용도 낮게 할 수 있다.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태 및 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 밝힌다.

도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 경화물막의 제조 방법에 의해 얻어지는 경화물막을 구비하는 전자 부품을 도시하는 단면도이다.

도 2에 도시하는 전자 부품(1)은, 전자 부품 본체(2)(제1 전자 부품 본체)와, 전자 부품 본체(2)의 표면 위에 배치된 다층의 경화물막(3)을 구비한다. 다층의 경화물막(3)은, 복수의 경화물막(3A, 3B, 3C)을 갖는다. 다층의 경화물막(3)에서는, 복수의 경화물막(3A, 3B, 3C)이 적층되어 있다. 다층의 경화물막(3)은 가열 후의 경화물막이다. 다층의 경화물막(3)의 제1 전자 부품 본체(2)측과는 반대의 표면 위에, 제2 전자 부품 본체가 배치되어 있어도 된다.

상기 전자 부품 본체로서는, 구체적으로는, 반도체 칩, 다이싱 후의 반도체 웨이퍼(분할된 반도체 웨이퍼), 콘덴서, 다이오드, 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 유리 에폭시 기판 및 유리 기판 등을 들 수 있다. 상기 전자 부품 본체는, 표면에 경화물막을 갖고 있어도 된다. 경화물막을 갖는 전자 부품 본체에 있어서, 경화물막 위에, 경화물막을 형성해도 된다.

이하의 본 발명의 일 실시 형태에 따른 경화물막의 제조 방법에 대해서 설명한다.

우선, 도 1의 (a)에 도시한 바와 같이, 전자 부품 본체(2) 위에 잉크젯 장치(11)를 사용하여, 광경화성 및 열경화성을 갖고 또한 액상인 경화성 조성물(12)을 도포한다(도포 공정). 여기에서는, 전자 부품 본체(2)의 표면 위에, 전체에, 경화성 조성물(12)을 도포하고 있다. 도포 후, 경화성 조성물(12)의 액적이 서로 혼합되어, 도 1의 (b)에 도시하는 상태가 된다.

도 3에 도시한 바와 같이, 잉크젯 장치(11)는 내부에, 잉크 탱크(21)와, 토출부(22)와, 순환 유로부(23)를 갖는다.

순환 유로부(23)는 순환 유로부(23) 내에, 버퍼 탱크(23A)와 펌프(23B)를 갖는다. 단, 도 4에 도시하는 잉크젯 장치(11X)와 같이, 순환 유로부(23X)는, 순환 유로부(23X) 내에 버퍼 탱크와 펌프를 갖고 있지 않아도 된다. 상기 순환 유로부는, 상기 순환 유로부 내에 상기 버퍼 탱크를 갖는 것이 바람직하고, 상기 펌프를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 상기 순환 유로부는, 상기 순환 유로부 내에 버퍼 탱크 및 펌프 외에, 유속계, 온도계, 필터 등을 갖고 있어도 된다.

잉크 탱크(21)에는, 상기 경화성 조성물이 저류되어 있다. 토출부(22)(잉크젯 헤드)로부터, 상기 경화성 조성물이 토출된다. 토출부(22)는 토출 노즐을 포함한다. 잉크 탱크(21)에, 토출부(22)가 접속되어 있다. 잉크 탱크(21)와 토출부(22)는 유로를 통해서 접속되어 있다. 순환 유로부(23)의 일단부는 토출부(22)에 접속되어 있고, 타단부는 잉크 탱크(21)에 접속되어 있다. 순환 유로부(23)의 내부를, 상기 경화성 조성물이 흐른다.

버퍼 탱크(23A) 또는 펌프(23B)가 구비되는 경우에는, 버퍼 탱크(23A) 및 펌프(23B)는 각각 토출부(22)와 잉크 탱크(21) 사이에 배치되는 것이 바람직하다. 버퍼 탱크(23A)는 펌프(23B)보다도 토출부(22)측에 배치되어 있다. 펌프(23B)는 버퍼 탱크(23A)보다도 잉크 탱크(21)측에 배치되어 있다. 버퍼 탱크(23A)에는 상기 경화성 조성물이 가저류된다.

상기 도포 공정에 있어서, 잉크젯 장치(11) 내에서, 상기 경화성 조성물을 잉크 탱크(21)로부터 토출부(22)로 이동시킨 후에, 토출부(22)로부터 토출되지 않은 상기 경화성 조성물을, 순환 유로부(23) 내를 흘려서 잉크 탱크(21)로 이동시킨다. 그에 의해, 상기 도포 공정에 있어서, 상기 경화성 조성물을 순환시키면서 도포한다.

상기 토출부로서는, 서멀 방식, 버블 분사 방식, 전자 밸브 방식 또는 피에조 방식의 잉크젯 헤드 등을 들 수 있다. 또한, 상기 토출부 내의 순환 유로부로서는, 공통 순환 유로(매니폴드)로부터 토출 노즐로 분기되어 있는 엔드 슈터 타입이나 토출 노즐을 잉크가 순환하는 사이드 슈터 타입을 들 수 있다. 경화성 조성물의 토출성을 높여서, 미세한 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 잉크젯 장치가 피에조 방식의 잉크젯 헤드를 사용하는 잉크젯 장치이고, 상기 도포 공정에 있어서, 피에조 소자의 작용에 의해 상기 경화성 조성물을 도포하는 것이 바람직하다.

상기 경화성 조성물의 순환 방법에 관해서는, 잉크의 자중을 이용하거나, 펌프 등을 이용해서 가압, 감압 등을 행하여 순환하거나 하는 것이 가능하다. 이들은 복수 조합해서 사용해도 된다. 펌프로서는 실린더 방식의 무맥동 펌프, 프로펠러 펌프, 기어 펌프 및 다이어프램 펌프 등을 들 수 있다. 순환 효율을 높여서, 미세한 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점, 및 두께가 두꺼운 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 순환 유로부는, 상기 순환 유로부 내에 상기 경화성 조성물을 이송시키는 펌프를 포함하는 것이 바람직하다.

상기 토출부의 토출 노즐에 있어서는, 적절한 압력으로 유지하고 또한 그 범위 내에서 압력 변동(맥동)이 적은 것이 바람직하다. 펌프 등을 사용하는 경우에는 펌프의 맥동을 억제하기 위해서 펌프와 상기 토출부 사이에 감쇠기를 설치하는 것이 바람직하다. 이러한 감쇠기로서는 상기 경화성 조성물이 가저류되는 버퍼 탱크나 막식의 댐퍼 등을 들 수 있다.

미세한 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점, 및 두께가 두꺼운 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 순환 유로부는, 상기 순환 유로부 내에, 상기 경화성 조성물이 가저류되는 버퍼 탱크를 포함하는 것이 바람직하다.

상기 경화성 조성물을 가열하면서 순환시키는 경우에는, 상기 잉크 탱크 내에 가열 히터를 도입하거나, 상기 순환 유로부에 가열 히터를 사용하거나 함으로써, 상기 경화성 조성물의 온도를 조절하는 것이 가능하다.

이어서, 도 1의 (b), (c)에 도시한 바와 같이, 상기 도포 공정 후에, 제1 광 조사부(13)로부터 도포 후의 경화성 조성물(12)에 광을 조사하여, 경화성 조성물(12)의 경화를 진행시킨다(제1 광 조사 공정). 그에 의해, 제1 광 조사부(13)에 의해 광이 조사된 예비 경화물막(12A)이 형성된다. 후술하는 제2 광 조사부(14)로부터 광이 조사되는 경우, 제1 광 조사부(13)로부터 조사되는 광의 파장이나 조사 강도와, 후술하는 제2 광 조사부(14)로부터 조사되는 광의 파장이나 조사 강도가 동일하거나 달라도 상관없다. 경화물막에 있어서의 경화성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 제2 광 조사부(14)로부터 조사되는 광의 조사 강도가, 제1 광 조사부(13)로부터 조사되는 광의 조사 강도보다 강한 쪽이 바람직하다. 광경화성 화합물과, 광 및 열경화성 화합물을 사용하는 경우에, 광경화성을 제어하기 위해서, 상기 제1 광 조사 공정과, 후술하는 제2 광 조사 공정을 행하는 것이 바람직하다.

또한, 「제1 광 조사부(13)로부터 도포 후의 경화성 조성물(12)에 광을 조사하여, 경화성 조성물(12)의 경화를 진행시킨다」에는, 반응을 진행시켜서 증점 상태로 하는 것도 포함된다.

광 조사를 행하는 장치로서는 특별히 한정되지 않고 자외선을 발생하는 발광 다이오드(UV-LED), 메탈 할라이드 램프, 고압수은 램프 및 초고압수은 램프 등을 들 수 있다. 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 특히 제1 광 조사부에 UV-LED를 사용하는 것이 바람직하다.

이어서, 도 1의 (c), (d)에 도시한 바와 같이, 상기 제1 광 조사 공정 후의 예비 경화물막(12A) 위에서 상기 도포 공정과 상기 제1 광 조사 공정을 행하여, 예비 경화물막(12A) 위에 다른 예비 경화물막(12B, 12C)을 형성함으로써 다층의 예비 경화물막(12X)을 형성한다(다층화 공정). 다층의 예비 경화물막(12X)은, 예비 경화물막(12A, 12B, 12C)을 포함한다. 상기 도포 공정과 상기 제1 광 조사 공정을 복수회 행하여, 적층수를 증가시켜도 된다. 또한, 상기 다층화 공정은, 반드시 행해지지 않아도 된다.

이어서, 도 1의 (d), (e)에 도시한 바와 같이, 상기 제1 광 조사 공정 후 또한 상기 다층화 공정 후에, 제1 광 조사부(13)와는 다른 제2 광 조사부(14)로부터, 다층의 예비 경화물막(12X)(예비 경화물막(12A, 12B, 12C))에 광을 조사하여, 다층의 예비 경화물막(12X)의 경화를 더 진행시킨다(제2 광 조사 공정). 그에 의해, 제2 광 조사부(14)에 의해 광이 조사된 예비 경화물막(12Y)이 형성된다. 또한, 상기 다층화 공정을 행하지 않은 경우에는, 상기 제1 광 조사 공정 후에, 제1 광 조사부(13)와는 다른 제2 광 조사부(14)로부터, 예비 경화물막(12A)에 광을 조사하여, 예비 경화물막(12A)의 경화를 더 진행시킨다(제2 광 조사 공정).

상기 제2 광 조사 공정은, 후술하는 가열 공정 전에 행해지는 것이 바람직하다. 두께가 두꺼운 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 제2 광 조사 공정이 행해지는 것이 바람직하다. 단, 상기 제2 광 조사 공정은 반드시 행해질 필요는 없고, 상기 다층화 공정 후에, 상기 제2 광 조사 공정을 행하지 않고, 후술하는 가열 공정이 행해져도 된다. 또한, 상기 제1 광 조사 공정 후에, 상기 제2 광 조사 공정을 행하지 않고, 후술하는 가열 공정이 행해져도 된다.

이어서, 상기 제1 광 조사 공정 후, 상기 다층화 공정 후 또한 상기 제2 광 조사 공정 후에, 예비 경화물막(12Y)을 가열하여, 제2 광 조사부(14)에 의해 광이 조사된 예비 경화물막(12Y)을 경화시켜서, 경화물막(3)을 형성한다(가열 공정). 또한, 상기 다층화 공정 후에, 상기 제2 광 조사 공정을 행하지 않는 경우에는, 상기 다층화 공정 후에, 다층의 예비 경화물막(12X)을 가열하고, 다층의 예비 경화물막(12X)을 경화시켜서, 경화물막을 형성할 수 있다(가열 공정). 상기 제1 광 조사 공정 후에, 상기 다층화 공정 및 상기 제2 광 조사 공정을 행하지 않는 경우에는, 상기 제1 광 조사 공정 후에, 예비 경화물막(12A)을 가열하고, 예비 경화물막(12A)을 경화시켜서, 경화물막을 형성할 수 있다(가열 공정). 이와 같이 하여, 도 2에 도시하는 전자 부품(1)을 얻을 수 있다.

도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 경화물막의 제조 방법에 의해 얻어지는 경화물막을 구비하는 전자 부품을 도시하는 단면도이다.

도 5에 도시하는 전자 부품(31)은 전자 부품 본체(2)와, 전자 부품 본체(2)의 표면 위에 배치된 경화물막(32)을 구비한다. 경화물막(32)은 단층이다. 이와 같이, 단층의 경화물막을 형성해도 된다.

또한, 상기 전자 부품 제조 방법에서는, 예비 경화물막 위에서 예비 경화물막을 적층하기 위해서 상기 도포 공정과 상기 제1 광 조사 공정을 행하였지만, 예비 경화물막 사이에서, 상기 도포 공정과 상기 제1 광 조사 공정을 행해도 된다.

상기 경화물막의 제조 방법에 있어서, 경화성 조성물의 토출성 및 이송성을 높여서, 미세한 경화물막 및 두께가 두꺼운 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 순환되고 있는 상기 경화성 조성물의 온도는 바람직하게는 30℃ 이상, 보다 바람직하게는 40℃ 이상, 바람직하게는 120℃ 이하, 보다 바람직하게는 100℃ 이하이다.

경화성 조성물의 토출성을 높여서, 미세한 경화물막 및 두께가 두꺼운 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 경화성 조성물의 토출 시의 점도는 바람직하게는 3m㎩·s 이상, 보다 바람직하게는 5m㎩·s 이상, 바람직하게는 1500m㎩·s 이하, 보다 바람직하게는 1200m㎩·s 이하이다.

상기 점도는, JIS K2283에 준거하여, E형 점도계(도끼산교사 제조 「TVE22L」)를 사용하여, 토출 시의 온도에서 측정된다.

상기 경화성 조성물은, 광경화성 및 열경화성을 갖는다. 상기 경화성 조성물은, 광경화성 성분과 열경화성 성분을 포함한다. 상기 경화성 조성물은, 광경화성 화합물(광의 조사에 의해 경화 가능한 경화성 화합물)과, 열경화성 화합물(가열에 의해 경화 가능한 경화성 화합물)과, 광중합 개시제와, 열경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 경화성 조성물은, 광경화성 화합물과, 광 및 열경화성 화합물(광의 조사 및 가열의 양쪽에 의해 경화 가능한 경화성 화합물)과, 열경화성 화합물과, 광중합 개시제와, 열경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 경화성 조성물은, 경화 촉진제를 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 경화성 조성물은, 광경화성 화합물과 열경화성 화합물을 포함하고, 또한 상기 경화성 조성물이, 광의 조사 및 가열의 양쪽에 의해 경화 가능한 경화성 화합물을 포함하지 않아도 된다. 단, 이 경우에는, 경화물막의 밀착성은 높아지지만, 경화물막의 밀착성의 향상 효과가 약간 떨어지는 경향이 있다.

이하, 상기 경화성 조성물에 포함되는 각 성분의 상세를 설명한다.

(경화성 화합물)

(광경화성 화합물)

상기 광경화성 화합물로서는, (메트)아크릴로일기를 갖는 경화성 화합물, 비닐기를 갖는 경화성 화합물 및 말레이미드기를 갖는 경화성 화합물 등을 들 수 있다. 미세한 경화물막 및 두께가 두꺼운 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 광경화성 화합물은 (메트)아크릴로일기(1개 이상)를 갖는 것이 바람직하다. 상기 광경화성 화합물은, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

본 명세서에서는, 상기 (메트)아크릴로일기를 갖는 경화성 화합물은, 메타크릴로일기 및 아크릴로일기 중 적어도 한 쪽을 갖는 화합물을 의미한다.

상기 광경화성 화합물로서 광반응성 기를 2개 이상 갖는 다관능 화합물 (A1)을 사용해도 되고, 광반응성기를 1개 갖는 단관능 화합물 (A2)를 사용해도 된다.

미세한 경화물막 및 두께가 두꺼운 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 경화성 조성물이, 상기 광경화성 화합물로서 (메트)아크릴로일기를 1개 갖는 단관능 화합물 (A2)와, (메트)아크릴로일기를 2개 이상 갖는 다관능 화합물 (A1)을 포함하는 것이 바람직하다.

상기 다관능 화합물 (A1)으로서는, 다가 알코올의 (메트)아크릴산 부가물, 다가 알코올의 알킬렌옥시드 변성물의 (메트)아크릴산 부가물, 우레탄 (메트)아크릴레이트류 및 폴리에스테르 (메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있다. 상기 다가 알코올로서는, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 트리메틸올프로판, 시클로헥산디메탄올, 트리시클로데칸디메탄올, 비스페놀 A의 알킬렌옥시드 부가물 및 펜타에리트리톨 등을 들 수 있다.

상기 다관능 화합물 (A1)의 구체예로서는, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트, 이소보르닐디메탄올디(메트)아크릴레이트 및 디시클로펜테닐디메탄올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경화물의 내습열성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 다관능 화합물 (A1)은, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트인 것이 바람직하다.

상기 「(메트)아크릴레이트」의 용어는, 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 나타낸다. 상기 「(메트)아크릴」의 용어는, 아크릴 또는 메타크릴을 나타낸다.

상기 다관능 화합물 (A1)은, 다환 골격을 갖고 또한 (메트)아크릴로일기를 2개 이상 갖는 다관능 화합물 (A1)인 것이 바람직하다. 다관능 화합물 (A1)의 사용에 의해 상기 경화성 조성물의 경화물의 내습열성을 높게 할 수 있다. 따라서, 전자 부품의 신뢰성을 높일 수 있다.

상기 다관능 화합물 (A1)은, 다환 골격을 갖고 또한 (메트)아크릴로일기를 2개 이상 가지면 특별히 한정되지 않는다. 다관능 화합물 (A1)으로서 다환 골격을 갖고 또한 (메트)아크릴로일기를 2개 이상 갖는 종래 공지의 다관능 화합물을 사용할 수 있다. 상기 다관능 화합물 (A1)은, (메트)아크릴로일기를 2개 이상 갖기 때문에, 광의 조사에 의해 중합이 진행되어 경화한다. 상기 다관능 화합물 (A1)은, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

상기 다관능 화합물 (A1) 및 후술하는 단관능 화합물 (A2)에 있어서의 상기 「다환 골격」이란, 복수의 환상 골격을 연속해서 갖는 구조를 나타낸다. 다관능 화합물 (A1) 및 단관능 화합물 (A2)에 있어서의 상기 다환 골격으로서는 각각 다환지환식 골격 및 다환 방향족 골격 등을 들 수 있다.

상기 다환지환식 골격으로서는, 비시클로 알칸 골격, 트리시클로 알칸 골격, 테트라시클로알칸 골격 및 이소보르닐 골격 등을 들 수 있다.

상기 다환 방향족 골격으로서는, 나프탈렌환 골격, 안트라센환 골격, 페난트렌환 골격, 테트라센환 골격, 크리센환 골격, 트리페닐렌환 골격, 테트라펜환 골격, 피렌환 골격, 펜타센환 골격, 피센환 골격 및 페릴렌환 골격 등을 들 수 있다.

상기 단관능 화합물 (A2)의 구체예로서는, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디히드록시시클로펜타디에닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트 및 나프틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경화물의 내습열성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 단관능 화합물 (A2)는, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디히드록시시클로펜타디에닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트 및 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종인 것이 바람직하다.

상기 비닐기를 갖는 화합물로서는 비닐에테르류, 에틸렌 유도체, 스티렌, 클로로메틸스티렌, α-메틸스티렌, 무수 말레산, 디시클로펜타디엔, N-비닐피롤리돈 및 N-비닐 포름아미드 등을 들 수 있다.

상기 말레이미드기를 갖는 화합물로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-헥실말레이미드, N-프로필말레이미드, N-부틸말레이미드, N-옥틸말레이미드, N-도데실말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-페닐말레이미드, N-p-카르복시페닐말레이미드, N-p-히드록시페닐말레이미드, N-p-클로로페닐말레이미드, N-p-톨릴말레이미드, N-p-크실릴말레이미드, N-o-클로로페닐말레이미드, N-o-톨릴말레이미드, N-벤질말레이미드, N-2,5-디에틸페닐말레이미드, N-2,5-디메틸페닐말레이미드, N-m-톨릴말레이미드, N-α-나프틸말레이미드, N-o-크실릴말레이미드, N-m-크실릴말레이미드, 비스말레이미드메탄, 1,2-비스말레이미드에탄, 1,6-비스말레이미드헥산, 비스말레이미드도데칸, N,N'-m-페닐렌디말레이미드, N,N'-p-페닐렌디말레이미드, 4,4'-비스말레이미드디페닐에테르, 4,4'-비스말레이미드디페닐메탄, 4,4'-비스말레이미드-디(3-메틸페닐)메탄, 4,4'-비스말레이미드-디(3-에틸페닐)메탄, 4,4'-비스말레이미드-디(3-메틸-5-에틸-페닐)메탄, N,N'-(2,2-비스-(4-페녹시페닐)프로판)디말레이미드, N,N'-2,4-톨릴렌디말레이미드, N,N'-2,6-톨릴렌디말레이미드 및 N,N'-m-크실릴렌말레이미드 등을 들 수 있다.

절연 신뢰성이나 접착 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서, 상기 광경화성 화합물은, 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 것이 바람직하다.

미세한 경화물막 및 두께가 두꺼운 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 경화성 조성물 100중량% 중, 상기 광경화성 화합물의 함유량은, 바람직하게는 40중량% 이상, 보다 바람직하게는 50중량% 이상, 바람직하게는 90중량% 이하, 보다 바람직하게는 85중량% 이하이다.

(광 및 열경화성 화합물)

상기 광 및 열경화성 화합물로서는, 각종 광경화성 관능기와 각종 열경화성 관능기를 갖는 화합물을 들 수 있다. 미세한 경화물막 및 두께가 두꺼운 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 광 및 열경화성 화합물은, (메트)아크릴로일기와 환상 에테르기를 갖는 것이 바람직하고, (메트)아크릴로일기와 에폭시기를 갖는 것이 바람직하다. 상기 광 및 열경화성 화합물은, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

상기 광 및 열경화성 화합물로서는, 특별히 한정되지 않지만, (메트)아크릴로일기와 에폭시기를 갖는 화합물, 에폭시 화합물의 부분 (메트)아크릴화물 및 우레탄 변성 (메트)아크릴 에폭시 화합물 등을 들 수 있다.

상기 (메트)아크릴로일기와 에폭시기를 갖는 화합물로서는, 글리시딜(메트)아크릴레이트 및 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트글리시딜에테르 등을 들 수 있다.

상기 에폭시 화합물의 부분 (메트)아크릴화물로서는, 에폭시 화합물과 (메트)아크릴산을, 통상법에 따라서 촉매의 존재 하에서 반응시킴으로써 얻어진다. 상기 에폭시 화합물의 부분 (메트)아크릴화물에 사용할 수 있는 에폭시 화합물로서는, 노볼락형 에폭시 화합물 및 비스페놀형 에폭시 화합물 등을 들 수 있다. 상기 노볼락형 에폭시 화합물로서는, 페놀노볼락형 에폭시 화합물, 크레졸 노볼락형 에폭시 화합물, 비페닐노볼락형 에폭시 화합물, 트리스 페놀노볼락형 에폭시 화합물 및 디시클로펜타디엔노볼락형 에폭시 화합물 등을 들 수 있다. 상기 비스페놀형 에폭시 화합물로서는, 비스페놀 A형 에폭시 화합물, 비스페놀 F형 에폭시 화합물, 2,2'-디알릴비스페놀 A형 에폭시 화합물, 수소 첨가 비스페놀형 에폭시 화합물 및 폴리옥시프로필렌비스페놀 A형 에폭시 화합물 등을 들 수 있다. 에폭시 화합물과 (메트)아크릴산과의 배합량을 적절히 변경함으로써, 원하는 아크릴화율의 에폭시 화합물을 얻는 것이 가능하다. 에폭시기 1당량에 대하여 카르복실산의 배합량은, 바람직하게는 0.1당량 이상, 보다 바람직하게는 0.2당량 이상, 바람직하게는 0.7당량 이하, 보다 바람직하게는 0.5당량 이하이다.

상기 우레탄 변성 (메트)아크릴 에폭시 화합물은, 예를 들어 이하의 방법에 의해 얻어진다. 폴리올과 2관능 이상의 이소시아네이트를 반응시키고, 추가로 나머지 이소시아네이트기에, 산기를 갖는 (메트)아크릴 단량체 및 글리시돌을 반응시킨다. 또는, 폴리올을 사용하지 않고, 2관능 이상의 이소시아네이트에 수산기를 갖는 (메트)아크릴 단량체와 글리시돌을 반응시켜도 된다. 또는, 이소시아네이트기를 갖는 (메트)아크릴레이트 단량체에 글리시돌을 반응시켜도, 상기 우레탄 변성 (메트)아크릴 에폭시 화합물이 얻어진다. 구체적으로는, 예를 들어 먼저, 트리메틸올프로판 1몰과 이소포론디이소시아네이트 3몰을 주석계 촉매 하에서 반응시킨다. 얻어진 화합물 중에 남는 이소시아네이트기와, 수산기를 갖는 아크릴 단량체인 히드록시에틸아크릴레이트, 및 수산기를 갖는 에폭시인 글리시돌을 반응시킴으로써, 상기 우레탄 변성 (메트)아크릴 에폭시 화합물이 얻어진다.

상기 폴리올로서는, 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 에틸렌글리콜, 글리세린, 소르비톨, 트리메틸올프로판 및 (폴리)프로필렌글리콜 등을 들 수 있다.

상기 이소시아네이트는, 2관능 이상이면, 특별히 한정되지 않는다. 상기 이소시아네이트로서는, 예를 들어 이소포론디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트(MDI), 수소 첨가 MDI, 폴리메릭 MDI, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트, 톨리딘디이소시아네이트, 크실릴렌이소시아네이트(XDI), 수소 첨가 XDI, 리신디이소시아네이트, 트리페닐메탄트리이소시아네이트, 트리스(이소시아네이트페닐)티오포스페이트, 테트라메틸크실렌디이소시아네이트 및 1,6,10-운데칸트리이소시아네이트 등을 들 수 있다.

미세한 경화물막 및 두께가 두꺼운 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 경화성 조성물 100중량% 중, 상기 광 및 열경화성 화합물의 함유량은, 바람직하게는 0.5중량% 이상, 보다 바람직하게는 1중량% 이상, 바람직하게는 60중량% 이하, 보다 바람직하게는 50중량% 이하이다.

미세한 경화물막 및 두께가 두꺼운 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 경화성 조성물 100중량% 중, 상기 광경화성 화합물과 상기 광 및 열경화성 화합물의 합계의 함유량은, 바람직하게는 40중량% 이상, 보다 바람직하게는 50중량% 이상, 바람직하게는 90중량% 이하, 보다 바람직하게는 85중량% 이하이다.

(열경화성 화합물)

상기 열경화성 화합물로서는, 환상 에테르기를 갖는 열경화성 화합물 및 티이란기를 갖는 열경화성 화합물 등을 들 수 있다. 미세한 경화물막 및 두께가 두꺼운 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 열경화성 화합물은, 환상 에테르기를 갖는 열경화성 화합물인 것이 바람직하고, 에폭시기를 갖는 열경화성 화합물(에폭시 화합물)인 것이 보다 바람직하다. 상기 열경화성 화합물은, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

상기 에폭시 화합물로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 노볼락형 에폭시 화합물 및 비스페놀형 에폭시 화합물 등을 들 수 있다. 상기 노볼락형 에폭시 화합물로서는, 페놀노볼락형 에폭시 화합물, 크레졸 노볼락형 에폭시 화합물, 비페닐노볼락형 에폭시 화합물, 트리스페놀노볼락형 에폭시 화합물 및 디시클로펜타디엔노볼락형 에폭시 화합물 등을 들 수 있다. 상기 비스페놀형 에폭시 화합물로서는, 비스페놀 A형 에폭시 화합물, 비스페놀 F형 에폭시 화합물, 2,2'-디알릴비스페놀 A형 에폭시 화합물, 수소 첨가 비스페놀형 에폭시 화합물 및 폴리옥시프로필렌비스페놀 A형 에폭시 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 상기 에폭시 화합물로서는, 그 외에, 환식 지방족 에폭시 화합물 및 글리시딜아민 등도 들 수 있다.

미세한 경화물막 및 두께가 두꺼운 경화물막의 형성 정밀도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 경화성 조성물 100중량% 중, 상기 열경화성 화합물의 함유량은, 바람직하게는 3중량% 이상, 보다 바람직하게는 5중량% 이상, 바람직하게는 60중량% 이하, 보다 바람직하게는 50중량% 이하이다.

(광중합 개시제)

상기 광중합 개시제로서는, 광 라디칼 중합 개시제 및 광 양이온 중합 개시제 등을 들 수 있다. 상기 광중합 개시제는, 광 라디칼 중합 개시제인 것이 바람직하다. 상기 광중합 개시제는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

상기 광 라디칼 중합 개시제는 특별히 한정되지 않는다. 상기 광 라디칼 중합 개시제는, 광의 조사에 의해 라디칼을 발생하고, 라디칼 중합 반응을 개시하기 위한 화합물이다. 상기 광 라디칼 중합 개시제의 구체예로서는, 예를 들어 벤조인, 벤조인 알킬에테르류, 아세토페논류, 아미노아세토페논류, 안트라퀴논류, 티오크산톤류, 케탈류, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체, 리보플라빈테트라부틸레이트, 티올 화합물, 2,4,6-트리스-s-트리아진, 유기 할로겐 화합물, 벤조페논류, 크산톤류 및 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드 등을 들 수 있다. 상기 광 라디칼 중합 개시제는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

상기 광 라디칼 중합 개시제와 함께, 광중합 개시 보조제를 사용해도 된다. 상기 광중합 개시 보조제로서는, N,N-디메틸아미노벤조산에틸에스테르, N,N-디메틸아미노벤조산이소아밀에스테르, 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트, 트리에틸아민 및 트리에탄올아민 등을 들 수 있다. 이들 이외의 광중합 개시 보조제를 사용해도 된다. 상기 광중합 개시 보조제는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

또한, 가시광 영역에 흡수가 있는 CGI-784 등(시바스페셜티 케미칼스사 제조)의 티타노센 화합물 등을, 광반응을 촉진하기 위해서 사용해도 된다.

상기 광 양이온 중합 개시제로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 술포늄염, 요오도늄염, 메탈로센 화합물 및 벤조인토실레이트 등을 들 수 있다. 상기 광 양이온 중합 개시제는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

상기 경화성 조성물 100중량% 중, 상기 광중합 개시제의 함유량은 바람직하게는 0.1중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.2중량% 이상, 바람직하게는 10중량% 이하, 보다 바람직하게는 5중량% 이하이다.

(열경화제)

상기 열경화제로서는, 유기산, 아민 화합물, 아미드 화합물, 히드라지드 화합물, 이미다졸 화합물, 이미다졸린 화합물, 페놀 화합물, 우레아 화합물, 폴리술피드 화합물 및 산 무수물 등을 들 수 있다. 상기 열경화제로서, 아민-에폭시 어덕트 등의 변성 폴리아민 화합물을 사용해도 된다. 이들 이외의 열경화제를 사용해도 된다. 상기 열경화제는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.

상기 아민 화합물이란, 1개 이상의 1 내지 3급의 아미노기를 갖는 화합물을 의미한다. 상기 아민 화합물로서는, 예를 들어 (1) 지방족 폴리아민, (2) 지환족 폴리아민, (3) 방향족 폴리아민, (4) 히드라지드 및 (5) 구아니딘 유도체 등을 들 수 있다. 또한, 에폭시 화합물 부가 폴리아민(에폭시 화합물과 폴리아민의 반응물), 마이클 부가 폴리아민(α,β 불포화케톤과 폴리아민의 반응물), 만니히 부가 폴리아민(폴리아민과 포르말린 및 페놀의 축합체), 티오 요소 부가 폴리아민(티오 요소와 폴리아민의 반응물), 케톤 봉쇄 폴리아민(케톤 화합물과 폴리아민의 반응물 [케티민]) 등의 어덕트체를 사용해도 된다.

상기 (1) 지방족 폴리아민으로서는, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 테트라에틸렌펜타민 및 디에틸아미노프로필아민 등을 들 수 있다.

상기 (2) 지환족 폴리아민으로서는, 멘센디아민, 이소포론디아민, N-아미노에틸피페라진, 3,9-비스(3-아미노프로필)-2,4,8,10-테트라옥사스피로(5,5)운데칸 어덕트, 비스(4-아미노-3-메틸시클로헥실)메탄 및 비스(4-아미노시클로헥실)메탄 등을 들 수 있다.

상기 (3) 방향족 폴리아민으로서는, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, o-크실렌디아민, m-크실렌디아민, p-크실렌디아민, 4,4-디아미노디페닐메탄, 4,4-디아미노디페닐프로판, 4,4-디아미노디페닐술폰, 4,4-디아미노디시클로헥산, 비스(4-아미노페닐)페닐메탄, 1,5-디아미노나프탈렌, 1,1-비스(4-아미노페닐)시클로헥산, 2,2-비스[(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4-메틸렌-비스(2-클로로아닐린) 및 4,4-디아미노디페닐술폰 등을 들 수 있다.

상기 (4) 히드라지드로서는, 카르보디히드라지드, 아디프산디히드라지드, 세바스산디히드라지드, 도데칸디오산디히드라지드 및 이소프탈산디히드라지드 등을 들 수 있다.

상기 (5) 구아니딘 유도체로서는, 디시안디아미드, 1-o-톨릴디구아니드,α-2,5-디메틸구아니드, α,ω-디페닐디구아니드, α,α-비스구아닐구아니디노디페닐에테르, p-클로로페닐디구아니드, α,α-헥사메틸렌비스[ω-(p-클로로페놀)]디구아니드, 페닐디구아니드옥살레이트, 아세틸구아니딘 및 디에틸시아노아세틸구아니딘 등을 들 수 있다.

상기 페놀 화합물로서는, 다가 페놀 화합물 등을 들 수 있다. 상기 다가 페놀 화합물로서는, 예를 들어 페놀, 크레졸, 에틸페놀, 부틸페놀, 옥틸페놀, 비스페놀 A, 테트라브롬비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 4,4'-비페닐페놀, 나프탈렌 골격 함유 페놀노볼락 수지, 크실릴렌 골격 함유 페놀노볼락 수지, 디시클로펜타디엔 골격 함유 페놀노볼락 수지 및 플루오렌 골격 함유 페놀노볼락 수지 등을 들 수 있다.

상기 산 무수물로서는, 예를 들어 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 메틸테트라히드로 무수 프탈산, 무수 메틸나딕산, 도데실 무수 숙신산, 무수 클로렌딕산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논 테트라카르복실산 무수물, 메틸시클로헥센테트라카르복실산 무수물, 무수 트리멜리트산 및 폴리아젤라산 무수물 등을 들 수 있다.

상기 경화성 조성물 100중량% 중, 상기 열경화제의 함유량은 바람직하게는 1중량% 이상, 보다 바람직하게는 5중량% 이상, 바람직하게는 60중량% 이하, 보다 바람직하게는 50중량% 이하이다.

(경화 촉진제)

상기 경화 촉진제로서는, 제3급 아민, 이미다졸, 제4급 암모늄염, 제4급 포스포늄염, 유기 금속염, 인 화합물 및 요소계 화합물 등을 들 수 있다.

상기 경화성 조성물 100중량% 중, 상기 경화 촉진제의 함유량은 바람직하게는 0.01중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1중량% 이상, 바람직하게는 10중량% 이하, 보다 바람직하게는 5중량% 이하이다.

(다른 성분)

상기 경화성 조성물은, 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 다른 성분으로서는 특별히 한정되지 않지만, 커플링제 등의 접착 보조제, 안료, 염료, 레벨링제, 소포제 및 중합 금지제 등을 들 수 있다.

이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은, 이하의 실시예에만 한정되지 않는다.

(다층화 공정을 실시하지 않은 실시예 및 비교예)

(경화성 조성물 A의 제조)

광경화성 화합물로서 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(TMPTA, 다이셀·올넥스사 제조) 60중량부, 광 및 열경화성 화합물로서 비스페놀 A형 에폭시 수지의 아크릴산 부가물(UVACURE1561, 다이셀·올넥스사 제조) 10중량부, 열경화성 화합물로서 비스페놀 A형 에폭시 화합물(EXA850CRP, DIC사 제조) 30중량부, 열경화제로서 테르펜계 산무수 화합물(YH309, 미쯔비시가가꾸사 제조) 30중량부, 경화 촉진제로서 DBU-옥틸산염(UCAT SA102, 산-아프로사 제조) 1중량부 및 광중합 개시제로서 2-벤질-2-디메틸아미노-4-모르폴리노부티로페논(IRUGACURE369, BASF사 제조) 5중량부를 균일하게 혼합하여, 경화성 조성물 A를 얻었다.

후술하는 막 형성 및 미세 패턴 형성 시의 순환 온도(토출 시의 온도)에서, 점도계(도끼산교사 제조 「TVE22L」)를 사용하여, 얻어진 경화성 조성물 A의 10rpm의 점도를 측정했다.

(경화성 조성물 B 내지 G의 제조)

하기 표 1에 나타내는 성분을 하기 표 2에 나타내는 배합량으로 배합한 것 이외에는 상기 경화성 조성물 A의 제조와 마찬가지로 하여 제조했다. 얻어진 경화성 조성물 B 내지 G의 점도도, 경화성 조성물 A의 점도와 마찬가지로 하여, 후술하는 막 형성 및 미세 패턴 형성 시의 순환 온도(토출 시의 온도)에서 측정했다.

(실시예 1)

(1) 막 형성

FR-4 기판(파나소닉사 제조 「R-1705」(판 두께 0.8㎜))에 캐털리스트(롬앤드하스사 제조 「캐털리스트 44」) 및 구리 도금액(롬앤드하스사 제조 「큐파짓 253」)을 배치하고, 구리 배선인 구리 도금층을 부분적으로 형성하여, 기판(동장 적층판)을 얻었다.

상술한 본 발명의 일 실시 형태에 따른 전자 부품의 제조 방법에 따라서 도 1의 (a) 내지 (e)에 나타내는 각 공정(단, 하기 표 3에 나타낸 바와 같이 조건을 설정)을 거쳐서, 경화물막을 형성했다. 상기 경화성 조성물 A를 순환시키면서 도포하는 상기 도포 공정과, 상기 제1 광 조사 공정을 1회 행하고, 상기 가열 공정을 행하여 경화물막을 형성하고, 전자 부품인 프린트 배선판을 얻었다. 상기 도포 공정에서는, 상기 경화성 조성물을 순환시키면서 도포했다. 도포 패턴은 5㎝×5㎝의 편평한 막이 되도록 하여, 20개의 막 형성을 행하였다.

(2) 미세 패턴 형성

상술한 본 발명의 일 실시 형태에 따른 전자 부품의 제조 방법에 따라서, 도 1의 (a) 내지 (e)에 나타내는 각 공정(단, 하기 표 3에 나타낸 바와 같이 조건을 설정)을 거쳐서, 경화물막을 형성했다. 상기 경화성 조성물 A를 순환시키면서 도포하는 상기 도포 공정과 상기 제1 광 조사 공정을 1회 행하고, 상기 가열 공정을 행하여 경화물막을 형성하여, 전자 부품인 프린트 배선판을 얻었다. 상기 도포 공정에서는, 상기 경화성 조성물을 순환시키면서 도포했다. 도포 패턴은 라인의 폭 80㎛, 라인간의 간격이 80㎛가 되도록 도포했다.

(실시예 2 내지 10 및 비교예 1 내지 4)

경화성 조성물의 종류 및 제조 조건을 하기 표 3에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 막 형성 및 미세 패턴 형성을 실시했다.

(평가)

(1) 막 형성을 행한 기판의 평가(토출 누락의 확인)

실체 현미경(니콘사 제조 「SMZ-10」)으로 막의 확인을 행하여, 액의 누락 확인을 행하였다.

[막 형성의 판정 기준]

○: 누락이 있는 패턴이 0/20

△: 누락이 있는 패턴이 1/20 이상 4/20 이하

×: 누락이 있는 패턴이 5/20 이상

(2) 미세 패턴 형성을 행한 기판의 평가

광학 현미경(디지털 마이크로스코프 VH-Z100, 키엔스사 제조)을 사용하여 라인, 라인간의 간격을 30점(도포 시에 누락이 있는 부분은 제외) 측정했다.

[미세 패턴 형성의 판정 기준]

○○: 라인폭이 80±5㎛

○: ○○에 상당하지 않고, 라인폭이 80±10㎛

△: ○○ 및 ○에 상당하지 않고, 라인폭이 80±20㎛

×: ○○, ○ 및 △에 상당하지 않고, 라인폭이 80±30㎛

××: 라인과 라인의 간격이 없어지고 있는, 또는 라인폭이 80±30㎛를 초과함

(3) 막 형성을 행한 기판에 있어서의 경화물막의 밀착성 평가(장기 신뢰성:냉열 사이클 평가)

막 형성을 행한 기판에 대해서, 액조식 열충격 시험기(ESPEC사 제조 「TSB-51」)를 사용하여,-50℃에서 5분간 유지한 후, 125℃까지 승온하여, 125℃에서 5분간 유지한 후 -50℃까지 강온하는 과정을 1 사이클로 하는 냉열 사이클 시험을 실시했다. 500 사이클 후에 기판을 꺼냈다.

실체 현미경(니콘사 제조 「SMZ-10」)으로 기판을 관찰하고, 박리의 확인을 행하였다.

[밀착성의 판정 기준]

○: 박리되어 있지 않다

△: 조금 박리되어 있다(사용상 문제 없음)

×: 크게 박리되어 있다(사용상 문제 있음)

결과를 하기 표 3에 나타낸다.

(다층화 공정을 실시한 실시예 및 비교예)

(합성예 1)

교반기, 온도계, 적하 깔때기를 구비한 3개구 세퍼러블 플라스크에, 메틸셀로솔브 50g, 디시안디아미드 15g 및 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진 1g을 첨가하여 100℃로 가열해서 디시안디아미드를 용해시켰다. 용해 후, 부틸 글리시딜에테르 130g을 적하 깔때기로부터 20분에 걸쳐 적하하여, 1시간 반응시켰다. 그 후 60℃로 온도를 낮추어, 감압으로 해서 용매를 제거하여, 연노랑색의 반응 점조물(열경화제 A)을 얻었다.

(경화성 조성물 A의 제조)

광경화성 화합물로서 트리메틸올프로판트리아크릴레이트(TMPTA, 다이셀·올넥스사 제조) 30중량부, 광경화성 화합물로서 트리시클로데칸디메탄올디아크릴레이트(IRR-214K, 다이셀·올넥스사 제조) 30중량부, 광 및 열경화성 화합물로서 비스페놀 A형 에폭시 화합물의 아크릴산 부가물(UVACURE1561, 다이셀·올넥스사 제조) 10중량부, 열경화성 화합물로서 비스페놀 A형 에폭시 화합물(EXA850CRP, DIC사 제조) 30중량부, 열경화제로서 열경화제 A(합성예 1로 합성) 7.5중량부, 경화 촉진제로서 DBU-옥틸산염(UCAT SA102, 산-아프로사 제조) 1중량부 및 광중합 개시제로서 2-벤질-2-디메틸아미노-4-모르폴리노부티로페논(IRUGACURE369, BASF사 제조) 5중량부를 균일하게 혼합하여, 경화성 조성물 A를 얻었다.

후술하는 막 형성 및 미세 패턴 형성 시의 순환 온도(토출 시의 온도)로, 점도계(도끼산교사 제조 「TVE22L」)를 사용하여, 얻어진 경화성 조성물 A의 10rpm의 점도를 측정했다.

(경화성 조성물 B 내지 H의 제조)

하기 표 4에 나타내는 성분을 하기 표 5에 나타내는 배합량으로 배합한 것 이외에는 상기 경화성 조성물 A의 제조와 마찬가지로 하여 제조했다. 얻어진 경화성 조성물 B 내지 H의 점도도, 경화성 조성물 A의 점도와 마찬가지로 하여 측정했다.

(실시예 11)

(1) 막 형성

상술한 본 발명의 일 실시 형태에 따른 전자 부품의 제조 방법에 따라서, 도 1의 (a) 내지 (e)에 나타내는 각 공정(단, 하기 표 6에 나타낸 바와 같이 조건을 설정)을 거쳐서, 경화물막을 형성했다. 상기 경화성 조성물 A를 순환시키면서 도포하는 상기 도포 공정과, 상기 제1 광 조사 공정을 10회 반복하고, 그 후, 상기 가열 공정을 행하여 경화물막을 형성하여 전자 부품인 프린트 배선판을 얻었다. 상기 도포 공정에서는, 상기 경화성 조성물을 순환시키면서 도포했다. 도포 패턴은 5㎝×5㎝의 편평한 막이 되도록 하여, 20개의 막 형성을 행하였다.

(2) 미세 패턴 형성

FR-4 기판(파나소닉덴꼬사 제조 「R-1705」(판 두께 0.8㎜))에 캐털리스트(롬앤드하스사 제조 「캐털리스트 44」) 및 구리 도금액(롬앤드하스사 제조 「큐파짓 253」)을 배치하고, 구리 배선인 구리 도금층을 부분적으로 형성하여 기판(동장 적층판)을 얻었다.

상술한 본 발명의 일 실시 형태에 따른 전자 부품의 제조 방법에 따라, 도 1의 (a) 내지 (e)에 나타내는 각 공정(단, 하기 표 6에 나타낸 바와 같이 조건을 설정)을 거쳐서, 경화물막을 형성했다. 상기 경화성 조성물 A를 순환시키면서 도포하는 상기 도포 공정과 상기 제1 광 조사 공정을 10회 반복하고, 그 후 상기 가열 공정을 행하여 경화물막을 형성하여, 전자 부품인 프린트 배선판을 얻었다. 상기 도포 공정에서는, 상기 경화성 조성물을 순환시키면서 도포했다. 도포 패턴은 라인의 폭 150㎛, 라인간의 간격이 300㎛가 되도록 도포했다.

(실시예 12 내지 21 및 비교예 5 내지 8)

경화성 조성물의 종류 및 제조 조건을 하기 표 6에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 11과 마찬가지로 하여, 막 형성 및 미세 패턴 형성을 실시했다.

(평가)

(1) 막 형성을 행한 기판의 평가(토출 누락의 확인)

[막 형성의 판정 기준]

○: 누락이 있는 패턴이 0/20

△: 누락이 있는 패턴이 1/20 이상 4/20 이하

×: 누락이 있는 패턴이 5/20 이상

(2) 미세 패턴 형성(두께가 두꺼운 패턴 형성)을 행한 기판의 평가

광학 현미경(디지털 현미경 VH-Z100, 키엔스사 제조)을 사용하여 라인, 라인간의 간격을 30점(도포 시에 누락이 있는 부분은 제외) 측정했다.

[미세 패턴 형성(두께가 두꺼운 패턴 형성)의 판정 기준]

○○: 라인폭이 150±30㎛

○: ○○에 상당하지 않고, 라인폭이 150±50㎛

△: ○○ 및 ○에 상당하지 않고, 라인폭이 150±80㎛

×: ○○, ○ 및 △에 상당하지 않고, 라인폭이 150±120㎛

××: 라인과 라인의 간격이 없어졌다

막 형성을 행한 기판에 대해서, 액조식 열충격 시험기(ESPEC사 제조 「TSB-51」)를 사용하여, -50℃에서 5분간 유지한 후, 125℃까지 승온하고, 125℃에서 5분간 유지한 후 -50℃까지 강온하는 과정을 1 사이클로 하는 냉열 사이클 시험을 실시했다. 500 사이클 후에 기판을 꺼냈다.

실체 현미경(니콘사 제조 「SMZ-10」)으로 기판을 관찰하여, 박리의 확인을 행하였다.

[밀착성의 판정 기준]

○: 박리되어 있지 않다

△: 조금 박리되어 있다(사용 상 문제 없음)

×: 크게 박리되어 있다(사용 상 문제 있음)

결과를 하기 표 6에 나타낸다.

1 : 전자 부품
2 : 전자 부품 본체
3 : 다층의 경화물막(가열 후)
3A, 3B, 3C : 경화물막(가열 후)
11, 11X : 잉크젯 장치
12 : 경화성 조성물
12A, 12B, 12C : 제1 광 조사부에 의해 광이 조사된 예비 경화물막
12X : 다층의 예비 경화물막
12Y : 제2 광 조사부에 의해 광이 조사된 다층의 예비 경화물막
13 : 제1 광 조사부
14 : 제2 광 조사부
21 : 잉크 탱크
22 : 토출부
23, 23X : 순환 유로부
23A : 버퍼 탱크
23B : 펌프
31 : 전자 부품
32 : 경화물막

Claims

잉크젯 장치를 사용하여, 광경화성 및 열경화성을 갖고 또한 액상인 경화성 조성물을 도포하는 도포 공정과,
상기 도포 공정 후에, 제1 광 조사부로부터 상기 경화성 조성물에 광을 조사하여, 상기 경화성 조성물의 경화를 진행시켜서, 예비 경화물막을 형성하는 제1 광 조사 공정과,
상기 제1 광 조사 공정 후에, 광이 조사된 상기 예비 경화물막을 가열하여, 광이 조사된 상기 예비 경화물막을 경화시켜서, 경화물막을 형성하는 가열 공정을 구비하며,
상기 잉크젯 장치가, 상기 경화성 조성물이 저류되는 잉크 탱크와, 상기 잉크 탱크와 접속되어 있고 또한 상기 경화성 조성물이 토출되는 토출부와, 일단부가 상기 토출부에 접속되어 있고, 타단부가 상기 잉크 탱크부에 접속되어 있고, 또한 내부를 상기 경화성 조성물이 흐르는 순환 유로부를 갖고,
상기 도포 공정에 있어서, 상기 잉크젯 장치 내에서, 상기 경화성 조성물을 상기 잉크 탱크로부터 상기 토출부로 이동시킨 후에, 상기 토출부로부터 토출되지 않은 상기 경화성 조성물을, 상기 순환 유로부 내를 흘려서 상기 잉크 탱크로 이동시킴으로써, 상기 경화성 조성물을 순환시키면서 도포하는, 경화물막의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 광 조사 공정 후 또한 상기 가열 공정 전에, 상기 제1 광 조사부와는 다른 제2 광 조사부로부터, 상기 제1 광 조사부로부터 광이 조사된 상기 예비 경화물막에 광을 조사하여, 상기 예비 경화물막의 경화를 더 진행시키는 제2 광 조사 공정을 더 구비하는, 경화물막의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 광 조사 공정 후 또한 상기 가열 공정 전에, 상기 제1 광 조사 공정 후의 상기 예비 경화물막 위에서 상기 도포 공정과 상기 제1 광 조사 공정을 행하고, 상기 예비 경화물막 위에 다른 예비 경화물막을 형성함으로써 다층의 예비 경화물막을 형성하는 다층화 공정을 더 구비하는, 경화물막의 제조 방법.
제3항에 있어서, 상기 다층화 공정 후 또한 상기 가열 공정 전에, 상기 제1 광 조사부와는 다른 제2 광 조사부로부터, 상기 다층의 예비 경화물막에 광을 조사하여, 상기 다층의 예비 경화물막의 경화를 더 진행시키는 제2 광 조사 공정을 더 구비하는, 경화물막의 제조 방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 순환 유로부가, 상기 순환 유로부 내에, 상기 경화성 조성물이 가저류되는 버퍼 탱크를 포함하는, 경화물막의 제조 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 광 조사 공정 후의 상기 예비 경화물막 위 또는 상기 예비 경화물막 사이에서, 상기 도포 공정과 상기 제1 광 조사 공정을 행하는, 경화물막의 제조 방법.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 순환되고 있는 상기 경화성 조성물의 온도가 40℃ 이상 100℃ 이하인, 경화물막의 제조 방법.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 잉크젯 장치가 피에조 방식의 잉크젯 헤드를 사용하는 잉크젯 장치이고,
상기 도포 공정에 있어서, 피에조 소자의 작용에 의해 상기 경화성 조성물을 도포하는, 경화물막의 제조 방법.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화성 조성물의 토출 시의 점도가 3m㎩·s 이상 1500m㎩·s 이하인, 경화물막의 제조 방법.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화성 조성물이, 광경화성 화합물과, 열경화성 화합물과, 광중합 개시제와, 열경화제를 포함하는, 경화물막의 제조 방법.
제10항에 있어서, 상기 경화성 조성물이, 상기 광경화성 화합물과, 광 및 열경화성 화합물과, 상기 열경화성 화합물과, 상기 광중합 개시제와, 상기 열경화제를 포함하는, 경화물막의 제조 방법.
제11항에 있어서, 상기 광경화성 화합물이 (메트)아크릴로일기를 갖고,
상기 광 및 열경화성 화합물이 (메트)아크릴로일기와 환상 에테르기를 갖고,
상기 열경화성 화합물이 환상 에테르기를 갖는, 경화물막의 제조 방법.
제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화성 조성물이, 상기 광경화성 화합물로서 (메트)아크릴로일기를 1개 갖는 단관능 화합물과, (메트)아크릴로일기를 2개 이상 갖는 다관능 화합물을 포함하는, 경화물막의 제조 방법.
제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화성 조성물이 광 및 열경화성 화합물을 포함하고,
상기 경화성 조성물 100중량% 중, 상기 광경화성 화합물과 상기 광 및 열경화성 화합물의 합계의 함유량이 40중량% 이상 90중량% 이하인, 경화물막의 제조 방법.
전자 부품 본체 위에, 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 경화물막의 제조 방법에 의해 경화물막을 형성하는 공정을 구비하고,
전자 부품 본체와, 상기 전자 부품 본체 위에 상기 경화물막을 구비하는 전자 부품을 얻는, 전자 부품의 제조 방법.
전자 부품 본체와,
상기 전자 부품 본체 위에, 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 경화물막의 제조 방법에 의해 얻어지는 경화물막을 구비하는, 전자 부품.