JP6329102B2 - インクジェット用組成物、半導体装置の製造方法、電子部品及び電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インクジェット装置を用いて塗布されて用いられるインクジェット用組成物に関する。また、本発明は、上記組成物を用いる半導体装置の製造方法、上記組成物を用いた電子部品、並びに上記組成物を用いる電子部品の製造方法に関する。

半導体素子と基板等の支持部材との接合には、半導体素子固定用接着剤としてペースト状の接着剤が主に使用されている。

近年、半導体素子の小型化、半導体パッケージの小型化、高性能化に伴って、使用される支持部材にも小型化が要求されている。こうした要求に対して、ペースト状の接着剤では、濡れ拡がって、はみ出しなどの問題が発生している。また、ペースト状の接着剤では厚み制御が困難であり、この結果、半導体素子が傾いて、ワイヤボンディングの不具合等の問題が発生している。このため、近年の半導体パッケージには、従来のペースト状の接着剤を用いる接合では、十分に対処できなくなってきている。

また、近年、下記の特許文献１に記載されるように、フィルム状の接着剤層を有する接着シートが使用されるようになっている。

この接着シートを用いた接合方法では、まず、半導体ウェハの裏面に接着シート（接着剤層）を貼り付け、更に接着剤層の他方の面にダイシングシートを貼り合わせる。その後、ダイシングによって、接着剤層が貼り合わされた状態で半導体ウェハを個片化して半導体素子を得る。次いで接着剤層付きの半導体素子をピックアップして、支持部材に接合する。その後、ワイヤボンド、封止等の組立工程を経て、半導体装置が得られる。

しかし、接着シートを用いた半導体装置の製造では、接着シートがダイシング時の切断刃にまとわりつくことで、切断性が低下し、半導体チップが欠けて歩留まりが低下するという問題がある。また、基板等の支持部材には配線パターン等の段差があるために、段差部分にボイドが残りやすい。ボイドは信頼性を悪化させる原因になる。

また、従来、配線が上面に設けられた基板上に、パターン状のソルダーレジスト膜であるソルダーレジストパターンが形成されたプリント配線板が多く用いられている。電子機器の小型化及び高密度化に伴い、プリント配線板では、より一層微細なソルダーレジストパターンが求められている。

微細なソルダーレジストパターンを形成する方法として、インクジェット方式によりソルダーレジスト用組成物を塗工する方法が提案されている。インクジェット方式では、スクリーン印刷方式によりソルダーレジストパターンを形成する場合よりも、工程数が少なくなる。このため、インクジェット方式では、ソルダーレジストパターンを容易にかつ効率的に形成することができる。

インクジェット方式によりソルダーレジスト用組成物を塗工する場合、塗工時の粘度がある程度低いことが要求される。一方で、近年、５０℃以上に加温して印刷することが可能なインクジェット装置が開発されている。インクジェット装置内でソルダーレジスト用組成物を５０℃以上に加温することにより、ソルダーレジスト用組成物の粘度が比較的低くなり、インクジェット装置を用いたソルダーレジスト用組成物の吐出性をより一層高めることができる。

また、インクジェット方式により塗工可能なソルダーレジスト用組成物が、下記の特許文献２に開示されている。下記の特許文献２には、（メタ）アクリロイル基と熱硬化性官能基とを有するモノマーと、重量平均分子量が７００以下である光反応性希釈剤と、光重合開始剤とを含むインクジェット用硬化性組成物が開示されている。このインクジェット用硬化性組成物の２５℃での粘度は、１５０ｍＰａ・ｓ以下である。

特開平３−１９２１７８号公報 ＷＯ２００４／０９９２７２Ａ１

上記のように、従来のペースト状の接着剤及び従来の接着シートを用いて、半導体装置などの電子部品を作製する際には、幾つかの問題がある。

そこで、本発明者らは、ペースト状の接着剤を所定の領域に精度よく塗布するために、インクジェット装置を用いることを考えた。しかし、インクジェット装置を用いて接着剤を塗布した場合には、接着剤は複数の液滴の状態で塗布される。この塗布時に、所定の液滴ではなく、ミスト状の微細な接着剤が吐出されることがある。結果として、塗布後の接着剤にボイドが含まれたり、塗布後に汚染が生じたりすることがあるという課題が見出された。特に、接着剤においては、このような課題が生じると、接着性が低下し、接着剤が適用された電子部品などの信頼性が大きく低下する。

また、インクジェット装置を用いてソルダーレジスト用組成物を塗布した場合にも、ソルダーレジスト用組成物は複数の液滴の状態で塗布される。この塗布時に、所定の液滴ではなく、ミスト状の微細な組成物が吐出されることがある。結果として、塗布後のソルダーレジスト用組成物にボイドが含まれたり、塗布後に汚染が生じたりすることがあるという課題が見出された。特に、ソルダーレジストにおいては、このような課題が生じると、回路パターン等の保護性能が低下し、ソルダーレジストが適用された電子部品などの信頼性が大きく低下する。

本発明の目的は、塗布後に組成物にボイドが含まれ難く、かつ塗布後に組成物による汚染が生じ難いインクジェット用組成物を提供することである。また、本発明は、上記組成物を用いる半導体装置の製造方法、上記組成物を用いた電子部品、並びに上記組成物を用いる電子部品の製造方法を提供することも目的とする。

本発明の広い局面によれば、インクジェット装置を用いて、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で塗布されて用いられる組成物であって、光硬化性と熱硬化性とを有し、２５℃での表面張力が３０ｍＮ／ｍ以上、６０ｍＮ／ｍ以下であり、６０℃での表面張力が２０ｍＮ／ｍ以上、５０ｍＮ／ｍ以下である、インクジェット用組成物が提供される。

本発明に係るインクジェット用組成物のある特定の局面では、前記インクジェット用組成物は、光硬化性化合物と、光ラジカル開始剤と、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含む。

本発明に係るインクジェット用組成物のある特定の局面では、前記光硬化性化合物が、（メタ）アクリロイル基を１個以上有する光硬化性化合物を含む。

本発明に係るインクジェット用組成物のある特定の局面では、ＪＩＳ Ｋ２２８３に準拠して測定された２５℃及び１０ｒｐｍでの粘度が１６０ｍＰａ・ｓ以上、１６００ｍＰａ・ｓ以下である。

本発明に係るインクジェット用組成物のある特定の局面では、２５℃で、３６５ｎｍでの照度が１００ｍＷ／ｃｍ^２になるように積算光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２の光をインクジェット用組成物に照射してＢステージ化物を得たときに、前記Ｂステージ化物の２５℃での弾性率が５．０×１０^２Ｐａ以上、８．０×１０^４Ｐａ以下である。

本発明に係るインクジェット用組成物のある特定の局面では、前記光硬化性化合物が、（メタ）アクリロイル基を１個有する第１の光硬化性化合物と、（メタ）アクリロイル基を２個以上有する第２の光硬化性化合物とを含む。

本発明に係るインクジェット用組成物のある特定の局面では、前記光硬化性化合物の全体１００重量％中、前記第１の光硬化性化合物の含有量が７０重量％以上、９９．９重量％以下であり、前記第２の光硬化性化合物の含有量が０．１重量％以上、３０重量％以下である。

本発明に係るインクジェット用組成物のある特定の局面では、前記インクジェット用組成物は、光及び熱硬化性化合物を含む。

本発明に係るインクジェット用組成物のある特定の局面では、前記光及び熱硬化性化合物が、（メタ）アクリロイル基を１個以上有し、かつ環状エーテル基を１個以上有する光及び熱硬化性化合物を含む。

本発明に係るインクジェット用組成物のある特定の局面では、前記光及び熱硬化性化合物が、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテルを含む。

本発明に係るインクジェット用組成物のある特定の局面では、前記インクジェット用組成物は、接着剤である。

本発明に係るインクジェット用組成物のある特定の局面では、前記インクジェット用組成物は、半導体の接着に用いられる接着剤である。

本発明に係るインクジェット用組成物のある特定の局面では、前記インクジェット用組成物は、第１の電子部品本体と、第２の電子部品本体とを接着して、電子部品を得るために用いられる接着剤である。

本発明に係るインクジェット用組成物のある特定の局面では、前記インクジェット用組成物は、ソルダーレジスト用組成物である。

本発明に係るインクジェット用組成物のある特定の局面では、前記光硬化性化合物が、下記式（１）で表される光硬化性化合物を含む。

前記式（１）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ、水素原子又はメチル基を表す。

本発明に係るインクジェット用組成物のある特定の局面では、前記インクジェット用組成物は、光及び熱硬化性化合物を含まないか又は含み、インクジェット用組成物１００重量％中、前記光硬化性化合物及び前記光及び熱硬化性化合物の合計の含有量が４０重量％以上、９０重量％以下である。

本発明の広い局面によれば、光半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子の表面上に、インクジェット装置を用いて、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で、上述したインクジェット用組成物を塗布して、接着剤層を形成する塗布工程と、光の照射により前記接着剤層の硬化を進行させて、Ｂステージ化接着剤層を形成する工程と、前記Ｂステージ化接着剤層の前記支持部材又は前記半導体素子側とは反対の表面上に、半導体素子を積層する工程と、前記半導体素子の積層後に、前記Ｂステージ化接着剤層を熱硬化させる工程とを備える、半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の広い局面によれば、半導体ウェハの表面上に、インクジェット装置を用いて、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で、上述したインクジェット用組成物を吐出して、接着剤層を形成する塗布工程と、光の照射により前記接着剤層の硬化を進行させて、Ｂステージ化接着剤層を形成する工程と、前記Ｂステージ化接着剤層の前記半導体ウェハ側とは反対の表面上に、カバーガラスを積層して、積層体を得る工程と、前記積層体における前記Ｂステージ化接着剤層を熱硬化させる工程と、熱硬化後に前記積層体を切断する工程とを備える、半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の広い局面によれば、第１の電子部品本体と、第２の電子部品本体と、前記第１の電子部品本体と前記第２の電子部品本体とを接続している接着剤層とを備え、前記接着剤層が、上述したインクジェット用組成物を、インクジェット装置を用いて塗布し、かつ硬化させて形成されている、電子部品が提供される。

本発明に係る電子部品のある特定の局面では、前記第１の電子部品本体が光半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子であり、前記第２の電子部品本体が半導体素子である。

本発明の広い局面によれば、電子部品本体の表面上に、インクジェット装置を用いて、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で、上述したインクジェット用組成物を塗布して、パターン状に描画する工程と、パターン状に描画された前記インクジェット用組成物に光を照射及び熱を付与し、硬化させて、ソルダーレジストパターンを形成する工程とを備える、電子部品の製造方法が提供される。

本発明の広い局面によれば、電子部品本体と、前記電子部品本体の表面上に形成されたソルダーレジストパターンとを備え、前記ソルダーレジストパターンが、インクジェット装置を用いて、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で、上述したインクジェット用組成物を塗布して、パターン状に描画した後、パターン状に描画された前記インクジェット用組成物に光を照射及び熱を付与し、硬化させて形成されている、電子部品が提供される。

本発明に係るインクジェット用組成物は、光硬化性と熱硬化性とを有し、２５℃での表面張力が３０ｍＮ／ｍ以上、６０ｍＮ／ｍ以下であり、６０℃での表面張力が２０ｍＮ／ｍ以上、５０ｍＮ／ｍ以下であるので、インクジェット装置を用いて、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で塗布されて用いられた場合に、塗布後に組成物にボイドが含まれ難くすることができ、かつ塗布後に組成物による汚染を生じ難くすることができる。

図１は、本発明の一実施形態に係るインクジェット用組成物を用いて得られる電子部品を模式的に示す正面断面図である。 図２（ａ）〜（ｅ）は、図１に示す電子部品の製造方法の各工程を説明するための断面図である。 図３は、図２に示す電子部品の製造方法において用いられるインクジェット装置の一例を示す概略構成図である。 図４は、図２に示す電子部品の製造方法において用いられるインクジェット装置の他の例を示す概略構成図である。 図５は、図１に示す電子部品の変形例を模式的に示す正面断面図である。 図６は、本発明の一実施形態に係るインクジェット用組成物を用いて得られる電子部品の第１の変形例を模式的に示す正面断面図である。 図７は、本発明の一実施形態に係るインクジェット用組成物を用いて得られる電子部品の第２の変形例を模式的に示す正面断面図である。

以下、本発明を詳細に説明する。

本発明に係るインクジェット用組成物（以下、組成物と略記することがある）は、インクジェット装置を用いて塗布されて用いられる。本発明に係る組成物は、スクリーン印刷により塗布される組成物、及びディスペンサーによる塗布される組成物等とは異なる。本発明に係る組成物は、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で塗布される。

本発明に係る組成物は、光硬化性及び熱硬化性を有する。好ましくは、光の照射により硬化を進行させた後に加熱により硬化させて用いられる。本発明に係る組成物は、光及び熱硬化性組成物である。本発明に係る組成物は、光硬化のみが行われる組成物、及び熱硬化のみが行われる組成物等とは異なる。

本発明に係る組成物では、２５℃での表面張力が３０ｍＮ／ｍ以上、６０ｍＮ／ｍ以下である。本発明に係る組成物では、６０℃での表面張力が２０ｍＮ／ｍ以上、５０ｍＮ／ｍ以下である。

本発明では、上記の構成が備えられているので、所定の液滴で組成物が吐出されやすく、ミスト状の微細な組成物が吐出され難い。また、ミスト状の微細な組成物が意図しない領域に舞い散りにくい。結果として、塗布後に組成物にボイドを含まれ難くすることができ、かつ塗布後に組成物による汚染を生じ難くすることができる。インクジェット用組成物が接着剤又はソルダーレジスト用組成物である場合には、組成物にボイドが発生したり、意図しない領域に組成物が付着したりした場合に、接着性や保護性能が低下して、電子部品等の信頼性が大きく低下しやすい。本発明では、インクジェット用組成物が接着剤又はソルダーレジスト用組成物である場合に、信頼性が高い電子部品等を得ることができる。

なお、インクジェット用組成物は、インクジェット装置を用いて、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で塗布されて用いられる場合に、吐出直後の液滴は５０℃以上、１００℃以下であるが、液滴が着弾するまでに液滴の温度が下がり、液滴が着弾する頃には、温度がかなり下がる傾向がある。２５℃及び６０℃の双方における表面張力を制御することで、塗布後に組成物にボイドが含まれ難くすることができ、かつ塗布後に組成物による汚染を生じ難くすることができる。

ミスト状の微細な組成物が吐出をより一層抑える観点からは、上記組成物の２５℃での表面張力は好ましくは３５ｍＮ／ｍ以上、好ましくは５５ｍＮ／ｍ以下である。

ミスト状の微細な組成物が吐出をより一層抑える観点からは、上記組成物の６０℃での表面張力は好ましくは２５ｍＮ／ｍ以上、好ましくは４５ｍＮ／ｍ以下である。

上記表面張力は、以下のようにして測定することができる。

インクジェット用組成物３０ｍＬをシャーレに入れて、自動表面張力計（協和界面科学社製、ＤＹ−３００）を用い、平板法（Ｗｉｌｈｅｌｍｙ法）を用いて、表面張力を測定する。測定条件に関しては、測定温度２５℃又は６０℃で、白金プレート（縦１０ｍｍ、横２４ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍ）を使用し、サンプリング間隔１０秒で測定終了時間３００秒、白金プレートの浸漬距離２．５ｍｍ、浸漬時間１秒、ステージ上昇速度０．７ｍｍ／秒、測定回数２回にて測定を行う。なお、表面張力値は、測定時間５０〜３００秒の間に得られた表面張力の平均値を採用する。

２５℃で、３６５ｎｍでの照度が１００ｍＷ／ｃｍ^２になるように積算光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２の光をインクジェット用組成物に照射してＢステージ化物を得る。Ｂステージ化物の２５℃での弾性率は好ましくは５．０×１０^２Ｐａ以上、より好ましくは８．０×１０^２Ｐａ以上、好ましくは８．０×１０^４Ｐａ以下、より好ましくは５．０×１０^４ＰａＭＰａ以下である。上記弾性率が上記下限以上であると、半導体チップ等の移動が起こりにくくなる。上記弾性率が上記上限以下であると、半導体チップ等の貼り合せ後の接着力がより一層高くなり、ボイドの発生が抑えられる。

上記弾性率は、ティー・エイインスルメント社製の粘弾性測定装置ＡＲＥＳを用いて、２５℃、測定プレート：直径８ｍｍの平行プレート、及び周波数１Ｈｚで測定される。

本発明に係る組成物は、インクジェット装置を用いて塗布されるので、一般に２５℃で液状である。上記組成物の２５℃及び１０ｒｐｍでの粘度は好ましくは３ｍＰａ・ｓ以上、より好ましくは５ｍＰａ・ｓ以上、更に好ましくは１６０ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは２０００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは１６００ｍＰａ・ｓ以下、更に好ましくは１５００ｍＰａ・ｓ以下である。塗布後の組成物層の厚み精度をより一層高め、更に組成物層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記組成物の２５℃及び１０ｒｐｍでの粘度は１６０ｍＰａ・ｓ以上、１６００ｍＰａ・ｓ以下であることが特に好ましい。

上記粘度は、ＪＩＳ Ｋ２２８３に準拠して、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）を用いて、２５℃で測定される。

組成物層をより一層高精度に形成し、組成物層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記インクジェット用組成物を循環させながら、塗布することが好ましい。

上記インクジェット装置が、上記組成物が貯留されるインクタンクと、上記インクタンクと接続されておりかつ上記組成物が吐出される吐出部と、一端が上記吐出部に接続されており、他端が上記インクタンクに接続されており、かつ内部を上記組成物が流れる循環流路部とを有することが好ましい。

上記組成物を塗布する際に、上記インクジェット装置内で、上記組成物を上記インクタンクから上記吐出部に移動させた後に、上記吐出部から吐出されなかった上記組成物を、上記循環流路部内を流して上記インクタンクに移動させることにより、上記組成物を循環させながら、塗布する。上記組成物を循環させながら塗布すれば、本発明の効果がより一層効果的に得られる。すなわち、組成物層の厚み精度をより一層高め、更に組成物層にボイドをより一層生じ難くすることができる。

また、本発明では、厚みの厚い組成物層を高精度に形成することができる。また、本発明では、多層化された組成物層であっても、微細かつ高精度に形成することができる。

上記組成物は、電子部品本体の接着に好適に用いられる。上記組成物は、接着剤又はソルダーレジスト用組成物であることが好ましい。上記組成物は、接着剤であることが好ましく、ソルダーレジスト組成物であることが好ましい。上記組成物は、半導体の接着に用いられる接着剤であることが好ましい。上記組成物は、第１の電子部品本体と、第２の電子部品本体とを接着して、電子部品を得るために用いられる接着剤であることが好ましい。上記半導体としては、半導体ウェハ及び半導体素子等が挙げられる。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、光半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子の表面上に、インクジェット装置を用いて、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で、上記インクジェット用組成物を塗布して、接着剤層を形成する塗布工程と、光の照射により上記接着剤層の硬化を進行させて、Ｂステージ化接着剤層を形成する工程と、上記Ｂステージ化接着剤層の上記支持部材又は上記半導体素子側とは反対の表面上に、半導体素子を積層する工程と、上記半導体素子の積層後に、上記Ｂステージ化接着剤層を熱硬化させる工程とを備える。

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの表面上に、インクジェット装置を用いて、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で、上記インクジェット用組成物を吐出して、接着剤層を形成する塗布工程と、光の照射により上記接着剤層の硬化を進行させて、Ｂステージ化接着剤層を形成する工程と、上記Ｂステージ化接着剤層の上記半導体ウェハ側とは反対の表面上に、カバーガラスを積層して、積層体を得る工程と、上記積層体における上記Ｂステージ化接着剤層を熱硬化させる工程と、熱硬化後に上記積層体を切断する工程とを備える。

本発明に係るインクジェット用組成物を用いれば、接着剤層の厚み精度を高め、更に接着剤層にボイドを生じ難くすることができる。従って、本発明に係るインクジェット用組成物は、本発明に係る半導体装置の製造方法に好適に使用可能である。

また、本発明に係る電子部品は、第１の電子部品本体と、第２の電子部品本体と、上記第１の電子部品本体と上記第２の電子部品本体とを接続している接着剤層とを備える。この電子部品では、上記接着剤層が、上記インクジェット用組成物を、インクジェット装置を用いて塗布し、かつ硬化させて形成されている。

また、本発明に係る電子部品の製造方法は、電子部品本体の表面上に、インクジェット装置を用いて、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で、上記インクジェット用組成物を塗布して、パターン状に描画する工程と、パターン状に描画された上記インクジェット用組成物に光を照射及び熱を付与し、硬化させて、ソルダーレジストパターンを形成する工程とを備える。

また、本発明に係る電子部品は、電子部品本体と、上記電子部品本体の表面上に形成されたソルダーレジストパターンとを備える。この電子部品では、上記ソルダーレジストパターンが、インクジェット装置を用いて、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で、上記インクジェット用組成物を塗布して、パターン状に描画した後、パターン状に描画された上記インクジェット用組成物に光を照射及び熱を付与し、硬化させて形成されている。

以下、図面を参照しつつ、インクジェト用組成物を接着剤として用いた本発明の具体的な実施形態を説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係るインクジェット用組成物を用いて得られる電子部品を模式的に示す正面断面図である。本実施形態では、インクジェット用組成物は、接着剤である。

図１に示す電子部品１は、第１の電子部品本体２と、第１の電子部品本体２の表面上に配置された接着剤層３と、接着剤層３の表面上に配置された第２の電子部品本体４とを備える。第２の電子部品本体４は、接着剤層３の第１の電子部品本体２側とは反対側に配置されている。接着剤層３の第１の表面上に、第１の電子部品本体２が配置されている。接着剤層３の第１の表面とは反対側の第２の表面上に、第２の電子部品本体４が配置されている。接着剤層３は光及び熱硬化後の接着剤層であり、硬化した接着剤層である。接着剤層３を形成するために、本発明の一実施形態に係るインクジェット用組成物が用いられている。このインクジェット用組成物が、インクジェット装置を用いて塗布され、かつ光の照射により硬化が進行された後に加熱により硬化されて、接着剤層３が形成されている。

上記電子部品本体としては、具体的には、回路基板、半導体ウェハ、ダイシング後の半導体ウェハ（分割された半導体ウェハ、半導体素子）、カバーガラス、コンデンサ、ダイオード、プリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等が挙げられる。上記電子部品本体は、光半導体素子搭載用の支持部材であってもよい。

高精度に形成された接着剤層が特に求められることから、上記電子部品本体は、回路基板、カバーガラス、半導体ウェハ又は、ダイシング後の半導体ウェハであることが好ましい。

高精度に形成された接着剤層が特に求められることから、上記第１の電子部品本体が、光半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子であることが好ましく、回路基板又は半導体素子であることがより好ましく、回路基板又はダイシング後の半導体ウェハであることが更に好ましい。高精度に形成された接着剤層が特に求められることから、上記第２の電子部品本体が、半導体素子であることが好ましく、ダイシング後の半導体ウェハであることがより好ましい。

高精度に形成された接着剤層が特に求められることから、上記第１の電子部品本体が回路基板又はダイシング後の半導体ウェハであり、かつ上記第２の電子部品本体が、ダイシング後の半導体ウェハであることが好ましく、更に、上記第１の電子部品本体が回路基板であり、かつ上記第２の電子部品本体が、ダイシング後の半導体ウェハであることがより好ましい。上記電子部品は半導体装置用電子部品であることが好ましい。

上記電子部品は、半導体素子を備えていることが好ましく、半導体装置であることが好ましい。

以下、図２（ａ）〜（ｅ）を参照しつつ、図１に示す電子部品の製造方法の一例について説明する。

先ず、図２（ａ）に示すように、第１の電子部品本体２上に、インクジェット装置１１を用いて、インクジェット用組成物を塗布して、接着剤層１２を形成する（塗布工程）。ここでは、第１の電子部品本体２の表面上に、全体に、接着剤を塗布している。塗布後、接着剤の液滴が互いに混ざり合い、図２（ｂ）に示す状態の接着剤層１２になる。

図３に示すように、インクジェット装置１１は内部に、インクタンク２１と、吐出部２２と、循環流路部２３とを有する。

循環流路部２３は、循環流路部２３内に、バッファタンク２３Ａとポンプ２３Ｂとを有する。但し、図４に示すインクジェット装置１１Ｘのように、循環流路部２３Ｘは、循環流路部２３Ｘ内に、バッファタンクとポンプとを有していなくてもよい。上記循環流路部は、上記循環流路部内に、上記バッファタンクを有することが好ましく、上記ポンプを有することが好ましい。また、上記循環流路部は、上記循環流路部内に、バッファタンク及びポンプの他に、流速計、温度計、フィルター、液面センサー等を有していてもよい。

インクタンク２１には、上記接着剤が貯留されている。吐出部２２（インクジェットヘッド）から、上記接着剤が吐出される。吐出部２２は吐出ノズルを含む。インクタンク２１に、吐出部２２が接続されている。インクタンク２１と吐出部２２とは流路を介して接続されている。循環流路部２３の一端は吐出部２２に接続されており、他端はインクタンク２１に接続されている。循環流路部２３の内部を、上記接着剤が流れる。

バッファタンク２３Ａ又はポンプ２３Ｂが備えられる場合には、バッファタンク２３Ａ及びポンプ２３Ｂはそれぞれ、吐出部２２とインクタンク２１との間に配置されることが好ましい。バッファタンク２３Ａはポンプ２３Ｂよりも吐出部２２側に配置されている。ポンプ２３Ｂは、バッファタンク２３Ａよりもインクタンク２１側に配置されている。バッファタンク２３Ａには、上記接着剤が仮貯留される。

上記吐出部としては、サーマル方式、バブル噴射方式、電磁バルブ方式又はピエゾ方式のインクジェットヘッド等が挙げられる。また、上記吐出部内の循環流路部としては、共通循環流路（マニフォールド）から吐出ノズルへ分岐しているエンドシュータータイプや吐出ノズルをインクが循環するサイドシュータータイプが挙げられる。接着剤の吐出性を高めて、微細な接着剤層の形成精度をより一層高める観点からは、上記インクジェット装置がピエゾ方式のインクジェットヘッドを用いるインクジェット装置であり、上記塗布工程において、ピエゾ素子の作用によって、上記接着剤を塗布することが好ましい。

上記接着剤の循環方法に関しては、インクの自重を利用したり、ポンプ等を利用して加圧、減圧等を行い循環したりすることが可能である。これらは複数組み合わせて用いてもよい。ポンプとしてはシリンダ方式の無脈動ポンプ、プロペラポンプ、ギヤポンプ及びダイヤフラムポンプ等が挙げられる。循環効率を高めて、微細な接着剤層の形成精度をより一層高める観点からは、上記循環流路部は、上記循環流路部内に上記接着剤を移送させるポンプを含むことが好ましい。

上記吐出部の吐出ノズルにおいては、適切な圧力に保ちかつ、その範囲内で圧力変動（脈動）が少ないことが好ましい。ポンプ等を使用する場合にはポンプの脈動を抑えるために、ポンプと上記吐出部との間に減衰器を設けることが好ましい。このような減衰器としては、上記接着剤が仮貯留されるバッファタンクや膜式のダンパ等が挙げられる。

硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記循環流路部は、上記循環流路部内に、上記接着剤が仮貯留されるバッファタンクを含むことが好ましい。

上記接着剤を加熱しながら循環させる場合には、上記インクタンク内に加熱ヒーターを導入したり、上記循環流路部に加熱ヒーターを用いたりすることで、上記接着剤の温度を調節することが可能である。

上記接着剤を加熱しながら循環させる場合には、インクタンク２１内に加熱ヒーターを導入したり、循環流路部２３，２３Ｘに加熱ヒーターを用いたりすることで、上記接着剤の温度を調節することが可能である。

上記の塗布工程において、インクジェット装置１１内で、上記接着剤をインクタンク２１から吐出部２２に移動させた後に、吐出部２２から吐出されなかった上記接着剤を、循環流路部２３内を流してインクタンク２１に移動させる。それによって、上記の塗布工程において、上記接着剤を循環させながら、塗布することが好ましい。

次に、図２（ｂ），（ｃ）に示すように、上記の塗布工程後に、第１の光照射部１３から接着剤層１２に光を照射して、接着剤層１２の硬化を進行させる（第１の光照射工程）。それによって、第１の光照射部１３により光が照射された接着剤層１２Ａが形成される。接着剤層１２Ａは、予備硬化物であり、Ｂステージ化接着剤層である。この上記Ｂステージ化接着剤層の２５℃での弾性率を５．０×１０^２Ｐａ以上、８．０×１０^４Ｐａ以下にすることが好ましい。後述する第２の光照射部１４から光が照射される場合、第１の光照射部１３から照射される光の波長や照射強度と、後述する第２の光照射部１４から照射される光の波長や照射強度とが同じでも異なっていてもよい。接着剤層の硬化性をより一層高める観点からは、第２の光照射部１４から照射される照射強度が第１の光照射部１３から照射される光の照射強度より強い方が好ましい。光硬化性化合物と、光及び熱硬化性化合物とを用いる場合に、光硬化性を制御するために、上記第１の光照射工程と、後述する第２の光照射工程とを行うことが好ましい。

なお、「第１の光照射部１３から接着剤層１２に光を照射して、接着剤層１２の硬化を進行させる」には、反応を進行させて増粘状態にすることも含まれる。

光照射を行う装置としては特に限定されず、紫外線を発生する発光ダイオード（ＵＶ−ＬＥＤ）、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、及び超高圧水銀ランプ等が挙げられる。接着剤層の形成精度をより一層高める観点からは、特に第１の光照射部に、ＵＶ−ＬＥＤを用いることが好ましい。

次に、図２（ｃ），（ｄ）に示すように、上記の第１の光照射工程後に、第１の光照射部１３とは別の第２の光照射部１４から、第１の光照射部１３から光が照射された接着剤層１２Ａに光を照射して、接着剤層１２Ａの硬化をさらに進行させる（第２の光照射工程）。それによって、第２の光照射部１４により光が照射された接着剤層１２Ｂが形成される。接着剤層１２Ｂは、予備硬化物であり、Ｂステージ化接着剤層である。この上記Ｂステージ化接着剤層の表面の２５℃での弾性率を５．０×１０^２Ｐａ以上、８．０×１０^４Ｐａ以下にすることが好ましい。なお、上記第２の光照射工程後のＢステージ化接着剤層と、上記第１の光照射後のＢステージ化接着剤層とのうち、上記第１の光照射後のＢステージ化接着剤層の表面の２５℃での弾性率を５．０×１０^２ＭＰａ以上、８．０×１０^４Ｐａ以下にすることが好ましい。上記第２の光照射工程後のＢステージ化接着剤層と、上記第１の光照射後のＢステージ化接着剤層との双方の表面の２５℃での弾性率を５．０×１０^２ＭＰａ以上、８．０×１０^４Ｐａ以下にすることがより好ましい。

上記の第２の光照射工程は、後述する積層工程前に行われることが好ましく、加熱工程前に行われることが好ましい。硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記第２の光照射工程が行われることが好ましい。但し、上記第２の光照射工程は必ずしも行われる必要はなく、上記第１の光照射工程後に、上記第２の光照射工程を行わずに、後述する積層工程が行われてもよい。

次に、図２（ｄ），（ｅ）に示すように、上記の第２の光照射工程後に、光が照射された接着剤層１２Ｂ上に、第２の電子部品本体４を配置して、第１の電子部品本体２と第２の電子部品本体４とを、光が照射された接着剤層１２Ｂを介して、圧力を付与して貼り合わせて、一次積層体１Ａを得る（積層工程）。なお、上記第１の光照射工程後に、上記第２の光照射工程を行わない場合には、光が照射された接着剤層１２Ａ上に、第２の電子部品本体４を配置して、第１の電子部品本体２と第２の電子部品本体４とを、光が照射された接着剤層１２Ａを介して、圧力を付与して貼り合わせて、一次積層体を得る（積層工程）。

次に、上記の積層工程後に、一次積層体１Ａを加熱して、第１の電子部品本体２と第２の電子部品本体４との間の接着剤層１２Ｂを硬化させて、電子部品を得る（加熱工程）。このようにして、図１に示す電子部品１を得ることができる。

なお、上記塗布工程と上記第１の光照射工程とを繰り返すことで、接着剤層を多層化して、多層の接着剤層を形成してもよい。図５に示すように、複数の接着剤層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃが積層された接着剤層３２を備える電子部品３１を得てもよい。

上記の電子部品の製造方法において、接着剤の吐出性及び移送性を高めて、硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、循環されている上記接着剤の温度は好ましくは３０℃以上、より好ましくは４０℃以上、好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下である。

接着剤の吐出性を高めて、硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記接着剤の吐出時の１０ｒｐｍでの粘度は３ｍＰａ・ｓ以上、より好ましくは５ｍＰａ・ｓ以上、更に好ましくは１６０ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは２０００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは１６００ｍＰａ・ｓ以下、更に好ましくは１５００ｍＰａ・ｓ以下である。接着剤層の厚み精度をより一層高め、更に接着剤層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記接着剤の吐出時の１０ｒｐｍでの粘度は１６０ｍＰａ・ｓ以上、１６００ｍＰａ・ｓ以下であることが特に好ましい。

上記粘度は、ＪＩＳ Ｋ２２８３に準拠して、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）を用いて、吐出時の温度で測定される。

硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記積層工程において、貼り合わせ時に付与する圧力は好ましくは０．０１ＭＰａ以上、より好ましくは０．０５ＭＰａ以上、好ましくは１０ＭＰａ以下、より好ましくは８ＭＰａ以下である。

硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記積層工程において、貼り合わせ時の温度は好ましくは３０℃以上、より好ましくは４０℃以上、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１３０℃以下である。

上記接着剤は、上記光硬化性化合物（光の照射により硬化可能な硬化性化合物）と、上記熱硬化性化合物（加熱により硬化可能な硬化性化合物）と、上記光ラジカル開始剤と、上記熱硬化剤とを含む。上記接着剤は、光及び熱硬化性化合物（光の照射及び加熱の双方により硬化可能な硬化性化合物）を含むことが好ましい。上記接着剤は、硬化促進剤を含むことが好ましい。

以下、上記組成物に用いることができる各成分の詳細を説明する。

（光硬化性化合物）
上記光硬化性化合物としては、（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物、ビニル基を有する硬化性化合物及びマレイミド基を有する硬化性化合物等が挙げられる。硬化した組成物層をより一層高精度に形成する観点からは、上記光硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基（１個以上）を有することが好ましい。上記光硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

本明細書では、（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、メタクリロイル基及びアクリロイル基の内少なくとも一方を有する化合物を意味する。

上記光硬化性化合物として、（メタ）アクリロイル基を１個有する光硬化性化合物（第１の光硬化性化合物（Ａ１）と呼ぶ）を用いてもよく、（メタ）アクリロイル基を２個以上有する光硬化性化合物（第２の光硬化性化合物（Ａ２）と呼ぶ）を用いてもよい。第１の光硬化性化合物（Ａ１）は、例えば単官能化合物である。第２の光硬化性化合物（Ａ２）は、例えば多官能化合物である。第２の光硬化性化合物（Ａ２）は、（メタ）アクリロイル基を２個以上有するため、光の照射により重合が進行し、硬化する。第１の光硬化性化合物（Ａ１）及び第２の光硬化性化合物（Ａ２）はそれぞれ、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、光硬化性化合物は、第１の光硬化性化合物（Ａ１）と第２の光硬化性化合物（Ａ２）とを含有することが好ましい。また、光硬化性化合物として、第１の光硬化性化合物（Ａ１）と、第２の光硬化性化合物（Ａ２）とを併用することで、硬化した組成物層を高精度に形成することができる。

第２の光硬化性化合物（Ａ２）としては、多価アルコールの（メタ）アクリル酸付加物、多価アルコールのアルキレンオキサイド変性物の（メタ）アクリル酸付加物、ウレタン（メタ）アクリレート類、及びポリエステル（メタ）アクリレート類等が挙げられる。上記多価アルコールとしては、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、トリメチロールプロパン、シクロヘキサンジメタノール、トリシクロデカンジメタノール、ビスフェノールＡのアルキレンオキシド付加物、及びペンタエリスリトール等が挙げられる。

第２の光硬化性化合物（Ａ２）は、二官能の（メタ）アクリレートであってもよく、三官能のメタアクリレートであってもよく、四官能以上の（メタ）アクリレートであってもよい。

二官能の（メタ）アクリレートとしては、例えば、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジ（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、２，４−ジメチル−１，５−ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、ブチルエチルプロパンジオール（メタ）アクリレート、エトキシ化シクロヘキサンメタノールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、オリゴエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、２−エチル−２−ブチルブタンジオールジ（メタ）アクリレート、２−エチル−２−ブチルプロパンジオールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、及びジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

三官能の（メタ）アクリレートとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンのアルキレンオキシド変性トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（（メタ）アクリロイルオキシプロピル）エーテル、イソシアヌル酸アルキレンオキシド変性トリ（メタ）アクリレート、プロピオン酸ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリ（（メタ）アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、及びソルビトールトリ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

四官能の（メタ）アクリレートとしては、例えば、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ソルビトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、及びプロピオン酸ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

五官能の（メタ）アクリレートとしては、例えば、ソルビトールペンタ（メタ）アクリレート、及びジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレートが挙げられる。

六官能の（メタ）アクリレートとしては、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ソルビトールヘキサ（メタ）アクリレート、及びフォスファゼンのアルキレンオキシド変性ヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

上記「（メタ）アクリレート」の用語は、アクリレート又はメタクリレートを示す。上記「（メタ）アクリル」の用語は、アクリル又はメタクリルを示す。

第２の光硬化性化合物（Ａ２）は、多環骨格を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を２個以上有する第２の光硬化性化合物であることが好ましい。この第２の光硬化性化合物の使用により、上記組成物の硬化物の耐湿熱性を高くすることができる。従って、電子部品の信頼性を高めることができる。

多環骨格を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を２個以上有する第２の光硬化性化合物（Ａ２）の具体例としては、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、イソボルニルジメタノールジ（メタ）アクリレート及びジシクロペンテニルジメタノールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。硬化物の耐湿性及び耐湿熱性をより一層高める観点からは、第２の光硬化性化合物（Ａ２）は、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレートであることが好ましい。

多環骨格とは、複数の環状骨格を連続して有する構造を示す。多環骨格としては、多環脂環式骨格及び多環芳香族骨格等が挙げられる。

上記多環脂環式骨格としては、ビシクロアルカン骨格、トリシクロアルカン骨格、テトラシクロアルカン骨格及びイソボルニル骨格等が挙げられる。

上記多環芳香族骨格としては、ナフタレン環骨格、アントラセン環骨格、フェナントレン環骨格、テトラセン環骨格、クリセン環骨格、トリフェニレン環骨格、テトラフェン環骨格、ピレン環骨格、ペンタセン環骨格、ピセン環骨格及びペリレン環骨格等が挙げられる。

ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、第２の光硬化性化合物（Ａ２）は、ポリエーテル結合を有することが好ましい。

ポリエーテル結合を有する第２の光硬化性化合物としては、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールにエチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドが付加されたジオールのジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡにエチレンオキサイドが付加されたジ（メタ）アクリレート、及びビスフェノールＡにプロピレンオキサイドが付加されたジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

第１の光硬化性化合物（Ａ１）の具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｉ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、２−フェノキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシジエチレングルコール（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングルコール（メタ）アクリレート、メトキシプロピレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタジエニル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、グリセロールモノ（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ジヒドロキシシクロペンタジエニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ナフチル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、及びステアリル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、第１の光硬化性化合物（Ａ１）は、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートを含有することが好ましい。

上記ビニル基を有する光硬化性化合物としてはビニルエーテル類、エチレン誘導体、スチレン、クロロメチルスチレン、α−メチルスチレン、無水マレイン酸、ジシクロペンタジエン、Ｎ−ビニルピロリドン及びＮ−ビニルホルムアミド等が挙げられる。

上記マレイミド基を有する光硬化性化合物としては、特に限定されず例えば、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−オクチルマレイミド、Ｎ−ドデシルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−カルボキシフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−ヒドロキシフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−クロロフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−トリルマレイミド、Ｎ−ｐ−キシリルマレイミド、Ｎ−ｏ−クロロフェニルマレイミド、Ｎ−ｏ−トリルマレイミド、Ｎ−ベンジルマレイミド、Ｎ−２，５−ジエチルフェニルマレイミド、Ｎ−２，５−ジメチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｍ−トリルマレイミド、Ｎ−α−ナフチルマレイミド、Ｎ−ｏ−キシリルマレイミド、Ｎ−ｍ−キシリルマレイミド、ビスマレイミドメタン、１，２−ビスマレイミドエタン、１，６−ビスマレイミドヘキサン、ビスマレイミドドデカン、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレンジマレイミド、４，４’−ビスマレイミドジフェニルエーテル、４，４’−ビスマレイミドジフェニルメタン、４，４’−ビスマレイミド−ジ（３−メチルフェニル）メタン、４，４’−ビスマレイミド−ジ（３−エチルフェニル）メタン、４，４’−ビスマレイミド−ジ（３−メチル−５−エチル−フェニル）メタン、Ｎ，Ｎ’−（２，２−ビス−（４−フェノキシフェニル）プロパン）ジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−２，４−トリレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−２，６−トリレンジマレイミド、及びＮ，Ｎ’−ｍ−キシリレンジマレイミド等が挙げられる。

組成物層及び組成物層をより一層高精度に形成し、組成物層及び組成物層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記光硬化性化合物は、下記式（１）で表される光硬化性化合物を含むことが好ましい。

上記式（１）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ、水素原子又はメチル基を表す。

硬化した組成物層をより一層高精度に形成する観点からは、上記組成物１００重量％中、光硬化性化合物の含有量、並びに第１の光硬化性化合物（Ａ１）と第２の光硬化性化合物（Ａ２）との合計の含有量はそれぞれ、好ましくは５重量％以上、より好ましくは１０重量％以上、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。組成物層の厚み精度をより一層高め、更に組成物層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記組成物１００重量％中、光硬化性化合物の含有量、並びに第１の光硬化性化合物（Ａ１）と第２の光硬化性化合物（Ａ２）との合計の含有量は、５重量％以上、８０重量％以下であることが特に好ましい。

ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、第１の光硬化性化合物（Ａ１）と第２の光硬化性化合物（Ａ２）との合計１００重量％中、第１の光硬化性化合物（Ａ１）の含有量が５０重量％以上、９９．９５重量％以下、第２の光硬化性化合物（Ａ２）の含有量が０．０５重量％以上、５０重量％以下であることが好ましく、第１の光硬化性化合物（Ａ１）の含有量が７０重量％以上、９９．９重量％以下、第２の光硬化性化合物（Ａ２）の含有量が０．１重量％以上、３０重量％以下であることがより好ましく、第１の光硬化性化合物（Ａ１）の含有量が８０重量％以上、９９．５重量％以下、第２の光硬化性化合物（Ａ２）の含有量が０．５重量％以上、２０重量％以下であることが更に好ましい。

ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、上記組成物１００重量％中、第１の光硬化性化合物（Ａ１）の含有量、並びに２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートの含有量はそれぞれ、好ましくは０．０５重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは５０重量％以下である。

また、ソルダーレジスト組成物である場合に、インクジェット用組成物１００重量％中、上記光硬化性化合物及び上記光及び熱硬化性化合物の合計の含有量は好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、更に好ましくは８５重量％以下である。上記光硬化性化合物及び上記光及び熱硬化性化合物の合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁信頼性がより一層良好になる。

（光及び熱硬化性化合物）
組成物層の厚み精度をより一層高め、更に組成物層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記組成物は、光及び熱硬化性化合物を含むことが好ましい。上記光及び熱硬化性化合物としては、各種の光硬化性官能基と各種の熱硬化性官能基とを有する化合物が挙げられる。硬化した組成物層をより一層高精度に形成する観点からは、上記光及び熱硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を１個以上有し、かつ環状エーテル基を１個以上有することが好ましく、（メタ）アクリロイル基を１個以上有し、かつエポキシ基を１個以上有することが好ましい。上記光及び熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記光硬化性化合物、上記第１の光硬化性化合物、上記第２の光硬化性化合物及び上記熱硬化性化合物は、上記光及び熱硬化性化合物とは異なる成分として配合されていることが好ましい。

上記光及び熱硬化性化合物としては、特に限定されないが、（メタ）アクリロイル基とエポキシ基を有する化合物、エポキシ化合物の部分（メタ）アクリル化物、ウレタン変性（メタ）アクリルエポキシ化合物等が挙げられる。

上記（メタ）アクリロイル基とエポキシ基を有する化合物としては、グリシジル（メタ）アクリレート、及び４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートグリシジルエーテル等が挙げられる。

上記エポキシ化合物の部分（メタ）アクリル化物としては、エポキシ化合物と（メタ）アクリル酸とを、常法に従って触媒の存在下で反応させることにより得られる。上記エポキシ化合物の部分（メタ）アクリル化物に用いることができるエポキシ化合物としては、ノボラック型エポキシ化合物及びビスフェノール型エポキシ化合物等が挙げられる。上記ノボラック型エポキシ化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、トリスフェノールノボラック型エポキシ化合物、及びジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、２，２’−ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ化合物、水添ビスフェノール型エポキシ化合物、及びポリオキシプロピレンビスフェノールＡ型エポキシ化合物等が挙げられる。エポキシ化合物と（メタ）アクリル酸との配合量を適宜変更することにより、所望のアクリル化率のエポキシ化合物を得ることが可能である。エポキシ基１当量に対してカルボン酸の配合量は、好ましくは０．１当量以上、より好ましくは０．２当量以上、好ましくは０．７当量以下、より好ましくは０．５当量以下である。

上記ウレタン変性（メタ）アクリルエポキシ化合物は、例えば、以下の方法によって得られる。ポリオールと２官能以上のイソシアネートを反応させ、さらに残りのイソシアネート基に、酸基を有する（メタ）アクリルモノマー及びグリシドールを反応させる。または、ポリオールを用いず、２官能以上のイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリルモノマーとグリシドールとを反応させてもよい。または、イソシアネート基を有する（メタ）アクリレートモノマーにグリシドールを反応させても、上記ウレタン変性（メタ）アクリルエポキシ化合物が得られる。具体的には、例えば、まず、トリメチロールプロパン１モルとイソホロンジイソシアネート３モルとを錫系触媒下で反応させる。得られた化合物中に残るイソシアネート基と、水酸基を有するアクリルモノマーであるヒドロキシエチルアクリレート、及び水酸基を有するエポキシであるグリシドールを反応させることにより、上記ウレタン変性（メタ）アクリルエポキシ化合物が得られる。

上記ポリオールとしては、特に限定されず、例えば、エチレングリコール、グリセリン、ソルビトール、トリメチロールプロパン、及び（ポリ）プロピレングリコール等が挙げられる。

上記イソシアネートは、２官能以上であれば、特に限定されない。上記イソシアネートとしては、例えば、イソホロンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート（ＭＤＩ）、水添ＭＤＩ、ポリメリックＭＤＩ、１，５−ナフタレンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシネート、トリジンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート（ＸＤＩ）、水添ＸＤＩ、リジンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、トリス（イソシアネートフェニル）チオフォスフェート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、及び１，６，１０−ウンデカントリイソシアネート等が挙げられる。

硬化した組成物層の厚み精度をより一層高め、ボイドの発生をより一層抑制する観点からは、上記光及び熱硬化性化合物は、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテルを含むことが好ましい。

硬化した組成物層をより一層高精度に形成する観点からは、上記組成物１００重量％中、上記光及び熱硬化性化合物の含有量及び４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテルの含有量はそれぞれ、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。

硬化した組成物層をより一層高精度に形成する観点からは、上記組成物１００重量％中、上記光硬化性化合物と上記光及び熱硬化性化合物との合計の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。

（熱硬化性化合物）
熱硬化性化合物としては、環状エーテル基を有する熱硬化性化合物、及びチイラン基を有する熱硬化性化合物等が挙げられる。硬化した組成物層をより一層高精度に形成する観点から、熱硬化性化合物として、環状エーテル基を１個以上有する熱硬化性化合物が用いられる。環状エーテル基を有する熱硬化性化合物は、エポキシ基を有する熱硬化性化合物（エポキシ化合物）であることがより好ましい。上記熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記エポキシ化合物としては特に限定されず、例えば、ノボラック型エポキシ化合物及びビスフェノール型エポキシ化合物等が挙げられる。上記ノボラック型エポキシ化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、トリスフェノールノボラック型エポキシ化合物、及びジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、２，２’−ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ化合物、水添ビスフェノール型エポキシ化合物、及びポリオキシプロピレンビスフェノールＡ型エポキシ化合物等が挙げられる。また、上記エポキシ化合物としては、その他に、環式脂肪族エポキシ化合物、及びグリシジルアミン等も挙げられる。

組成物層をより一層高精度に形成し、組成物層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記熱硬化性化合物は芳香族骨格を有することが好ましい。

ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、上記環状エーテル基を１個以上有する熱硬化性化合物は２５℃で固形であることが好ましい。ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、上記環状エーテル基を１個以上有する熱硬化性化合物の軟化点は、好ましくは２５℃以上、より好ましくは３０℃以上、更に好ましくは４０℃以上である。軟化点の上限は特に限定されない。上記環状エーテル基を１個以上有する熱硬化性化合物の軟化点は好ましくは１５０℃以下である。

上記軟化点は、ＪＩＳ Ｋ７２３４に従って測定することができる。

硬化した組成物層をより一層高精度に形成する観点からは、上記組成物１００重量％中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。

（光ラジカル開始剤）
光重合開始剤としては、光ラジカル重合開始剤及び光カチオン重合開始剤等が挙げられる。本発明では、光重合開始剤として、光ラジカル重合開始剤が用いられる。上記光ラジカル開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記光ラジカル重合開始剤は特に限定されない。上記光ラジカル重合開始剤は、光の照射によりラジカルを発生し、ラジカル重合反応を開始するための化合物である。上記光ラジカル重合開始剤の具体例としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等のベンゾイン化合物；２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン等のアルキルフェノン化合物；アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１，１−ジクロロアセトフェノン等のアセトフェノン化合物；２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノアセトフェノン等のアミノアセトフェノン化合物；２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン化合物；２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン化合物；アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタール等のケタール化合物；２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物；１，２−オクタンジオン、１−［４−（フェニルチオ）−２−（ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン、１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（ｏ−アセチルオキシム）等のオキシムエステル化合物；ビス（シクロペンタジエニル）−ジ−フェニル−チタニウム、ビス（シクロペンタジエニル）−ジ−クロロ−チタニウム、ビス（シクロペンタジエニル）−ビス（２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル）チタニウム、ビス（シクロペンタジエニル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（ピロール−１−イル）フェニル）チタニウムなどのチタノセン化合物等が挙げられる。上記光ラジカル重合開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記光ラジカル重合開始剤とともに、光重合開始助剤を用いてもよい。該光重合開始助剤としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、トリエチルアミン及びトリエタノールアミン等が挙げられる。これら以外の光重合開始助剤を用いてもよい。上記光重合開始助剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記組成物１００重量％中、上記光ラジカル開始剤の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．２重量％以上、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは５重量％以下である。

（熱硬化剤）
上記熱硬化剤としては、有機酸、アミン化合物、アミド化合物、ヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、イミダゾリン化合物、フェノール化合物、ユリア化合物、ポリスルフィド化合物及び酸無水物等が挙げられる。上記熱硬化剤として、アミン−エポキシアダクトなどの変性ポリアミン化合物を用いてもよい。これら以外の熱硬化剤を用いてもよい。

上記アミン化合物とは、１個以上の１〜３級のアミノ基を有する化合物を意味する。上記アミン化合物としては、例えば、（１）脂肪族アミン、（２）脂環族アミン、（３）芳香族アミン、（４）ヒドラジド、及び（５）グアニジン誘導体等が挙げられる。また、エポキシ化合物付加ポリアミン（エポキシ化合物とポリアミンの反応物）、マイケル付加ポリアミン（α、β不飽和ケトンとポリアミンの反応物）、マンニッヒ付加ポリアミン（ポリアミンとホルマリン及びフェノールの縮合体）、チオ尿素付加ポリアミン（チオ尿素とポリアミンの反応物）、ケトン封鎖ポリアミン（ケトン化合物とポリアミンの反応物［ケチミン］）などのアダクト体を用いてもよい。

上記（１）脂肪族アミンとしては、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、及びジエチルアミノプロピルアミン等が挙げられる。

上記（２）脂環族アミンとしては、メンセンジアミン、イソホロンジアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカンアダクト、ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタン、及びビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン等が挙げられる。

上記（３）芳香族アミンとしては、１，３−ジアミノトルエン、１，４−ジアミノトルエン、２，４−ジアミノトルエン、３，５−ジエチル−２，４−ジアミノトルエン、３，５−ジエチル−２，６−ジアミノトルエン、２，４−ジアミノアニソール、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−メチレン−ビス［２−クロロアニリン］、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、２，２−ビス［４−［４−アミノフェノキシ］フェニル］プロパン、ビス［４−［４−アミノフェノキシ］フェニル］スルホン、１，３−ビス［４−アミノフェノキシ］ベンゼン、メチレンビス−（２−エチル−６メチルアニリン）、３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、及び３，３’，５，５’−テトラエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン等が挙げられる。

上記（４）ヒドラジドとしては、カルボジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、ドデカン二酸ジヒドラジド、及びイソフタル酸ジヒドラジド等が挙げられる。

上記（５）グアニジン誘導体としては、ジシアンジアミド、１−ｏ−トリルジグアニド、α−２，５−ジメチルグアニド、α，ω−ジフェニルジグアニジド、α，α−ビスグアニルグアニジノジフェニルエーテル、ｐ−クロロフェニルジグアニド、α，α−ヘキサメチレンビス［ω−（ｐ−クロロフェノール）］ジグアニド、フェニルジグアニドオキサレート、アセチルグアニジン、及びジエチルシアノアセチルグアニジン等が挙げられる。

上記フェノール化合物としては、多価フェノール化合物等が挙げられる。上記多価フェノール化合物としては、例えば、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、ブチルフェノール、オクチルフェノール、ビスフェノールＡ、テトラブロムビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、４，４’−ビフェニルフェノール、ナフタレン骨格含有フェノールノボラック樹脂、キシリレン骨格含有フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノールノボラック樹脂、及びフルオレン骨格含有フェノールノボラック樹脂等が挙げられる。

上記酸無水物としては、例えば、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ドデシル無水コハク酸、無水クロレンディック酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、及びポリアゼライン酸無水物等が挙げられる。

組成物層の厚み精度をより一層高め、更に組成物層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記熱硬化剤は、酸無水物又は芳香族アミンを含有することが好ましく、芳香族アミンを含有することがより好ましい。

上記組成物１００重量％中、上記熱硬化剤の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、好ましくは６０重量％以下、より好ましくは５０重量％以下である。

（硬化促進剤）
上記硬化促進剤としては、第三級アミン、イミダゾール、第四級アンモニウム塩、第四級ホスホニウム塩、有機金属塩、リン化合物及び尿素系化合物等が挙げられる。

上記組成物１００重量％中、上記硬化促進剤の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは５重量％以下である。

（溶剤）
上記組成物は溶剤を含まないか又は含む。上記組成物は、溶剤を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。組成物層の厚み精度をより一層高め、更に組成物層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記組成物における溶剤の含有量は少ないほどよい。

上記溶剤としては、水及び有機溶剤等が挙げられる。残留物の除去性をより一層高める観点からは、有機溶剤が好ましい。上記有機溶剤としては、エタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン等のエステル類、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素類、並びに石油エーテル、ナフサ等の石油系溶剤等が挙げられる。

上記組成物が上記溶剤を含む場合には、上記組成物１００重量％中、上記溶剤の含有量は好ましくは５重量％以下、より好ましくは１重量％以下、更に好ましくは０．５重量％以下である。

（フィラー）
上記組成物はフィラーを含まないか又は含む。上記組成物は、フィラーを含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。組成物層の厚み精度をより一層高め、更に組成物層にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記組成物におけるフィラーの含有量は少ないほどよい。さらに、上記組成物におけるフィラーの含有量が少ないほど、インクジェット装置による吐出不良の発生が抑えられる。

上記フィラーとしては、シリカ、タルク、クレイ、マイカ、ハイドロタルサイト、アルミナ、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素等が挙げられる。

上記組成物が上記フィラーを含む場合には、上記組成物１００重量％中、上記フィラーの含有量は好ましくは５重量％以下、より好ましくは１重量％以下、更に好ましくは０．５重量％以下である。

（他の成分）
上記組成物は、他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては特に限定されないが、カップリング剤等の接着助剤、顔料、染料、レベリング剤、消泡剤、及び重合禁止剤等が挙げられる。

（電子部品の具体例）
以下、本発明の一実施形態に係るインクジェット用組成物を接着剤として用いて得られる電子部品の他の具体例について説明する。

図６は、本発明の一実施形態に係るインクジェット用組成物を用いて得られる電子部品の第１の変形例を模式的に示す正面断面図である。

図６に示す半導体装置７１は、電子部品である。半導体装置７１は、基板５３Ａと、接着剤層７２と、第１の半導体ウェハ７３とを備える。基板５３Ａは上面に、第１の接続端子５３ａを有する。第１の半導体ウェハ７３は上面に、接続端子７３ａを有する。基板５３Ａは、第２の接続端子５３ｂが設けられていないことを除いては、後述する基板５３と同様に形成されている。

基板５３Ａ上に、接着剤層７２を介して、第１の半導体ウェハ７３が積層されている。接着剤層７２は、上記接着剤を光硬化及び熱硬化させることにより形成されている。

第１の半導体ウェハ７３は上面に、接続端子７３ａを有する。接続端子７３ａから配線７４が引き出されている。配線７４により、接続端子７３ａと第１の接続端子５３ａとが電気的に接続されている。

図７は、本発明の一実施形態に係るインクジェット用組成物を用いて得られる電子部品の第２の変形例を模式的に示す正面断面図である。

図７に示す半導体装置５１は、電子部品である。半導体装置５１は、積層構造体５２を備える。積層構造体５２は、基板５３と、接着剤層５４と、基板５３上に接着剤層５４を介して積層された第２の半導体ウェハ５５とを有する。基板５３上に、第２の半導体ウェハ５５が配置されている。基板５３上に、第２の半導体ウェハ５５は間接に積層されている。平面視において、基板５３は、第２の半導体ウェハ５５よりも大きい。基板５３は、第２の半導体ウェハ５５よりも側方に張り出している領域を有する。

接着剤層５４は、例えば、硬化性組成物を硬化させることにより形成されている。硬化前の硬化性組成物を用いた硬化性組成物層は、粘着性を有していてもよい。硬化前の硬化性組成物層を形成するために、硬化性組成物シートを用いてもよい。

基板５３は上面に、第１の接続端子５３ａを有する。第２の半導体ウェハ５５は上面に、接続端子５５ａを有する。接続端子５５ａから配線５６が引き出されている。配線５６の一端は、第２の半導体ウェハ５５上に設けられた接続端子５５ａに接続されている。配線５６の他端は、基板５３上に設けられた第１の接続端子５３ａに接続されている。配線５６により、接続端子５５ａと第１の接続端子５３ａとが電気的に接続されている。配線５６の他端は、第１の接続端子５３ａ以外の他の接続端子に接続されていてもよい。配線５６は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。

積層構造体５２における第２の半導体ウェハ５５上に、接着剤層６１を介して、第１の半導体ウェハ６２が積層されている。接着剤層６１は、上記接着剤を光硬化及び熱硬化させることにより形成されている。

基板５３は上面に、第２の接続端子５３ｂを有する。第１の半導体ウェハ６２は上面に、接続端子６２ａを有する。接続端子６２ａから配線６３が引き出されている。配線６３の一端は、第１の半導体ウェハ６２上に設けられた接続端子６２ａに接続されている。配線６３の他端は、基板５３上に設けられた第２の接続端子５３ｂに接続されている。配線６３により、接続端子６２ａと第２の接続端子５３ｂとが電気的に接続されている。配線６３の他端は、第２の接続端子５３ｂ以外の他の接続端子に接続されていてもよい。配線６３は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。

半導体装置５１では、第２の半導体ウェハ５５上に、光硬化性及び熱硬化性を有しかつ液状である接着剤を、インクジェット装置から吐出して、接着剤層６１を形成することで得ることができる。これに対して、半導体装置７１は、基板５３Ａ上に、光硬化性及び熱硬化性を有しかつ液状である接着剤を、インクジェット装置から吐出して、接着剤層７２を形成することで得ることができる。

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

（合成例１）
攪拌器、温度計、滴下ロートを備えた３つ口フラスコに、メチルセロソルブ５０ｇ、ジシアンジアミド１５ｇ、及び２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン１ｇを加え、１００℃に加熱してジシアンジアミドを溶解させた。溶解後、ブチルグリシジルエーテル１３０ｇを滴下ロートから２０分かけて滴下し、１時間反応させた。その後６０℃に温度を下げ、減圧にして溶媒を除去し、黄色及び半透明の反応粘稠物（ジシアンジアミド変性物）を得た。

（実施例１）
光硬化性化合物としてトリシクロデカンジメタノールジアクリレート（ＩＲＲ−２１４Ｋ、ダイセル・オルネクス社製）２重量部、オクチルアクリレート（ＮＯＡＡ、共栄社化学社製）１２重量部、光及び熱硬化性化合物として４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル（４ＨＢＡＧＥ、日本化成社製）４０重量部、熱硬化性化合物としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＹＤ−１２７、新日鐵住金化学社製）２０重量部、熱硬化剤として液状フェノール樹脂（フェノール硬化剤、ＭＥＨ８０００Ｈ、明和化成社製）２０重量部、硬化促進剤としてＤＢＵ−オクチル酸塩（ＵＣＡＴ ＳＡ−１０２、サンアプロ社製）１重量部、及び光重合開始剤として２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１（ＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９、ＢＡＳＦ社製）５重量部を均一に混合し、組成物Ａを得た。

（実施例２〜５及び比較例１，２）
配合成分の種類及び配合量を以下の表１，２に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、下記の表２に示す種類の組成物を得た。

（表面張力）
インクジェット用組成物３０ｍＬをシャーレに入れて、自動表面張力計（協和界面科学社製、ＤＹ−３００）を用い、平板法（Ｗｉｌｈｅｌｍｙ法）を用いて表面張力を測定した。測定条件に関しては、２５℃又は６０℃で、白金プレート（縦１０ｍｍ×横２４ｍｍ×厚さ０．１５ｍｍ）を使用し、サンプリング間隔１０秒で測定終了時間３００秒、白金プレートの浸漬距離２．５ｍｍ、浸漬時間１秒、ステージ上昇速度０．７ｍｍ／秒、測定回数２回にて測定を行った。なお、表面張力値は、測定時間５０〜３００秒の間に得られた表面張力の平均値を採用した。

（ミスト評価［周辺液滴の飛散］）
シリコンウエハ上に上記インクジェット用組成物を７０℃で循環させながら、インクジェットで塗布する塗布工程と、上記第１の光照射工程（３６５ｎｍを主波長とするＵＶ−ＬＥＤランプ、１００ｍＷ／ｃｍ^２、０．１秒）とを繰り返し、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚み２５μｍの層を形成し、上記第２の光照射工程（超高圧水銀ランプ、１００ｍＷ／ｃｍ^２、１０秒）で光硬化させた。縦１０ｍｍ×横１０ｍｍの周辺に１μｍ以上のミストの確認を光学顕微鏡（デジタルマイクロスコープＶＨ−Ｚ１００、キーエンス社製）を用いて行った。

［ミストの判定基準］
○：ミストが見られない
△：ミストが若干見られる
×：ミストが多数見られる

（半導体装置の接着剤層のボイドの確認）
配線の段差が３μｍあるＢＧＡ基板（厚み０．３ｍｍ、市販のソルダーレジストが塗布されている、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍの半導体チップが置かれる場所が５行×１６列で８０か所設けられている）を用意した。上述した本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法に従って、図２（ａ）〜（ｅ）に示す各工程を経て、接着剤層を形成した。上記インクジェット用組成物を接着剤として７０℃で循環させながら、塗布する上記塗布工程と、上記第１の光照射工程（３６５ｎｍを主波長とするＵＶ−ＬＥＤランプ、１００ｍＷ／ｃｍ^２、０．１秒）とを繰り返し、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚み３０μｍの接着剤層を形成し、第２の光照射工程（超高圧水銀ランプ、１００ｍＷ／ｃｍ^２、１０秒）で光硬化させた。その後、接着剤層上に、ダイボンド装置を用いて、半導体チップ（縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚み８０μｍ）に見立てたシリコンベアチップを１１０℃で０．１ＭＰａの条件で１秒間加圧して、積層体を得た。シリコンベアチップを積層した後、光学顕微鏡（デジタルマイクロスコープＶＨ−Ｚ１００、キーエンス社製）を用いて接着剤層のはみ出しが１００μｍ未満であることを確認した。得られた積層体を１６０℃のオーブン内に入れ、３時間加熱することで、熱硬化させることにより、８０個の半導体装置（積層構造体）を得た。

超音波探査映像装置（日立建機ファインテック社製「ｍｉ−ｓｃｏｐｅ ｈｙｐｅｒ ＩＩ」）を用いて、得られた半導体装置の接着剤層のボイドを観察し、下記の基準で評価した。

［ボイドの判定基準］
○○：ボイドがほとんど観察されない
○：ボイドがわずかに観察される（使用上問題がない）
×：ボイドが観察される（使用上問題あり）

（ソルダーレジストの絶縁性の確認）
ＩＰＣ−Ｂ−２５のくし型テストパターンＢを用意した。このくし型テストパターンＢを８０℃に加温して、くし型テストパターンＢの表面の全体を覆うようにインクジェット用組成物を塗布した。上記インクジェット用組成物をソルダーレジストとして７０℃で循環させながら、塗布する塗布工程と、上記第１の光照射工程（３６５ｎｍを主波長とするＵＶ−ＬＥＤランプ、１００ｍＷ／ｃｍ^２、０．１秒）とを繰り返し縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚み３０μｍの接着剤層を形成し、第２の光照射工程（超高圧水銀ランプ、１００ｍＷ／ｃｍ^２、１０秒）で光硬化させた。１６０℃のオーブン内に入れ、１時間加熱することで、試験片を得た。得られたテストピースを、８５℃及び相対湿度８５％及び直流５０Ｖを印加した条件で、５００時間、１５００時間の加湿試験を行った。加湿試験後の絶縁抵抗を測定した。ソルダーレジストの絶縁性を以下の基準で判定した。

［ソルダーレジストの絶縁性の判定基準］
○：絶縁抵抗が５×１０^１０Ω以上
×：絶縁抵抗が５×１０^１０Ω未満

１…電子部品
１Ａ…一次積層体
２…第１の電子部品本体
３…接着剤層（加熱後）
４…第２の電子部品本体
１１，１１Ｘ…インクジェット装置
１２…接着剤層
１２Ａ…第１の光照射部により光が照射された接着剤層
１２Ｂ…第２の光照射部により光が照射された接着剤層
１３…第１の光照射部
１４…第２の光照射部
２１…インクタンク
２２…吐出部
２３，２３Ｘ…循環流路部
２３Ａ…バッファタンク
２３Ｂ…ポンプ
３１…電子部品
３２…多層の接着剤層（加熱後）
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ…接着剤層（加熱後）
５１，７１…半導体装置
５２…積層構造体
５３，５３Ａ…基板
５３ａ…第１の接続端子
５３ｂ…第２の接続端子
５４，６１，７２…接着剤層
５５…第２の半導体ウェハ
５５ａ，７３ａ…接続端子
５６，６３，７４…配線
６２，７３…第１の半導体ウェハ
６２ａ…接続端子

Claims (22)

1. インクジェット装置を用いて、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で塗布されて用いられる組成物であって、
   光硬化性と熱硬化性とを有し、
   ２５℃での表面張力が３０ｍＮ／ｍ以上、６０ｍＮ／ｍ以下であり、
   ６０℃での表面張力が２０ｍＮ／ｍ以上、５０ｍＮ／ｍ以下である、インクジェット用組成物（但し、２５℃で固体である酸無水物硬化剤を含むものを除く）。
2. ＪＩＳ Ｋ２２８３に準拠して測定された２５℃及び１０ｒｐｍでの粘度が１６０ｍＰａ・ｓ以上、１６００ｍＰａ・ｓ以下である、請求項１に記載のインクジェット用組成物。
3. ２５℃で、３６５ｎｍでの照度が１００ｍＷ／ｃｍ^２になるように積算光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２の光をインクジェット用組成物に照射してＢステージ化物を得たときに、前記Ｂステージ化物の２５℃での弾性率が５．０×１０^２Ｐａ以上、８．０×１０^４Ｐａ以下である、請求項１又は２に記載のインクジェット用組成物。
4. 光硬化性化合物と、光ラジカル開始剤と、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のインクジェット用組成物。
5. 前記光硬化性化合物が、（メタ）アクリロイル基を１個以上有する光硬化性化合物を含む、請求項４に記載のインクジェット用組成物。
6. 前記光硬化性化合物が、（メタ）アクリロイル基を１個有する第１の光硬化性化合物と、（メタ）アクリロイル基を２個以上有する第２の光硬化性化合物とを含む、請求項４又は５に記載のインクジェット用組成物。
7. 前記光硬化性化合物の全体１００重量％中、前記第１の光硬化性化合物の含有量が７０重量％以上、９９．９重量％以下であり、前記第２の光硬化性化合物の含有量が０．１重量％以上、３０重量％以下である、請求項６に記載のインクジェット用組成物。
8. ソルダーレジスト用組成物であり、
   前記光硬化性化合物が、下記式（１）で表される光硬化性化合物を含む、請求項４〜７のいずれか１項に記載のインクジェット用組成物。
   

   

   前記式（１）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ、水素原子又はメチル基を表す。
9. ソルダーレジスト用組成物であり、
   光及び熱硬化性化合物を含まないか又は含み、
   インクジェット用組成物１００重量％中、前記光硬化性化合物及び前記光及び熱硬化性化合物の合計の含有量が４０重量％以上、９０重量％以下である、請求項４〜８のいずれか１項に記載のインクジェット用組成物。
10. 光及び熱硬化性化合物を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のインクジェット用組成物。
11. 前記光及び熱硬化性化合物が、（メタ）アクリロイル基を１個以上有し、かつ環状エーテル基を１個以上有する光及び熱硬化性化合物を含む、請求項１０に記載のインクジェット用組成物。
12. 前記光及び熱硬化性化合物が、４−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテルを含む、請求項１０又は１１に記載のインクジェット用組成物。
13. 接着剤である、請求項１〜７及び１０〜１２のいずれか１項に記載のインクジェット用組成物。
14. 半導体の接着に用いられる接着剤である、請求項１３に記載のインクジェット用組成物。
15. 第１の電子部品本体と、第２の電子部品本体とを接着して、電子部品を得るために用いられる接着剤である、請求項１３又は１４に記載のインクジェット用組成物。
16. ソルダーレジスト用組成物である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のインクジェット用組成物。
17. 光半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子の表面上に、インクジェット装置を用いて、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で、請求項１３に記載のインクジェット用組成物を塗布して、接着剤層を形成する塗布工程と、
    光の照射により前記接着剤層の硬化を進行させて、Ｂステージ化接着剤層を形成する工程と、
    前記Ｂステージ化接着剤層の前記支持部材又は前記半導体素子側とは反対の表面上に、半導体素子を積層する工程と、
    前記半導体素子の積層後に、前記Ｂステージ化接着剤層を熱硬化させる工程とを備える、半導体装置の製造方法。
18. 半導体ウェハの表面上に、インクジェット装置を用いて、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で、請求項１３に記載のインクジェット用組成物を吐出して、接着剤層を形成する塗布工程と、
    光の照射により前記接着剤層の硬化を進行させて、Ｂステージ化接着剤層を形成する工程と、
    前記Ｂステージ化接着剤層の前記半導体ウェハ側とは反対の表面上に、カバーガラスを積層して、積層体を得る工程と、
    前記積層体における前記Ｂステージ化接着剤層を熱硬化させる工程と、
    熱硬化後に前記積層体を切断する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
19. 第１の電子部品本体と、第２の電子部品本体と、前記第１の電子部品本体と前記第２の電子部品本体とを接続している接着剤層とを備え、
    前記接着剤層が、請求項１３に記載のインクジェット用組成物を、インクジェット装置を用いて塗布し、かつ硬化させて形成されている、電子部品。
20. 前記第１の電子部品本体が光半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子であり、
    前記第２の電子部品本体が半導体素子である、請求項１９に記載の電子部品。
21. 電子部品本体の表面上に、インクジェット装置を用いて、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で、請求項８、９又は１６に記載のインクジェット用組成物を塗布して、パターン状に描画する工程と、
    パターン状に描画された前記インクジェット用組成物に光を照射及び熱を付与し、硬化させて、ソルダーレジストパターンを形成する工程とを備える、電子部品の製造方法。
22. 電子部品本体と、
    前記電子部品本体の表面上に形成されたソルダーレジストパターンとを備え、
    前記ソルダーレジストパターンが、インクジェット装置を用いて、５０℃以上、１００℃以下に加温した状態で、請求項８、９又は１６に記載のインクジェット用組成物を塗布して、パターン状に描画した後、パターン状に描画された前記インクジェット用組成物に光を照射及び熱を付与し、硬化させて形成されている、電子部品。

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