JP6514619B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents

電子部品の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6514619B2
JP6514619B2 JP2015195403A JP2015195403A JP6514619B2 JP 6514619 B2 JP6514619 B2 JP 6514619B2 JP 2015195403 A JP2015195403 A JP 2015195403A JP 2015195403 A JP2015195403 A JP 2015195403A JP 6514619 B2 JP6514619 B2 JP 6514619B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
electronic component
contact angle
compound
meth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015195403A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017069465A (ja
Inventor
満 谷川
満 谷川
貴志 渡邉
貴志 渡邉
佑 山田
佑 山田
悠介 藤田
悠介 藤田
義人 藤田
義人 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Priority to JP2015195403A priority Critical patent/JP6514619B2/ja
Publication of JP2017069465A publication Critical patent/JP2017069465A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6514619B2 publication Critical patent/JP6514619B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32135Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

本発明は、インクジェット装置を用いて接着剤を塗布する電子部品の製造方法に関する。
半導体素子と基板等の支持部材との接合には、半導体素子固定用接着剤としてペースト状の接着剤が主に使用されている。
近年、半導体素子の小型化、半導体パッケージの小型化、高性能化に伴って、使用される支持部材にも小型化が要求されている。こうした要求に対して、ペースト状の接着剤では、濡れ拡がって、はみ出しなどの問題が発生している。また、ペースト状の接着剤では厚み制御が困難であり、この結果、半導体素子が傾いて、ワイヤボンディングの不具合等の問題が発生している。このため、近年の半導体パッケージには、従来のペースト状の接着剤を用いる接合では、十分に対処できなくなってきている。
また、近年、下記の特許文献1に記載されるように、フィルム状の接着剤層を有する接着シートが使用されるようになっている。
この接着シートを用いた接合方法では、まず、半導体ウェハの裏面に接着シート(接着剤層)を貼り付け、更に接着剤層の他方の面にダイシングシートを貼り合わせる。その後、ダイシングによって、接着剤層が貼り合わされた状態で半導体ウェハを個片化して半導体素子を得る。次いで接着剤層付きの半導体素子をピックアップして、支持部材に接合する。その後、ワイヤボンド、封止等の組立工程を経て、半導体装置が得られる。
しかし、接着シートを用いた半導体装置の製造では、接着シートがダイシング時の切断刃にまとわりつくことで、切断性が低下し、半導体チップが欠けて歩留まりが低下するという問題がある。また、基板等の支持部材には配線パターン等の段差があるために、段差部分にボイドが残りやすい。ボイドは信頼性を悪化させる原因になる。
特開平3−192178号公報
上記のように、従来のペースト状の接着剤及び従来の接着シートを用いて、半導体装置などの電子部品を作製する際には、幾つかの問題がある。
そこで、本発明者らは、ペースト状の接着剤を所定の領域に精度よく塗布するために、インクジェット装置を用いることを考えた。しかし、インクジェット装置を用いて接着剤を塗布した場合には、接着剤は複数の液滴の状態で塗布されるために、硬化後の表面の平滑性が低くなりやすいという課題が見出された。
本発明の目的は、硬化後に表面の平坦性を高めることができる電子部品の製造方法を提供することも目的とする。
本発明の広い局面によれば、塗布対象部材上に、インクジェット装置を用いて、接着剤を塗布して光の照射により前記接着剤の硬化を進行させて、Bステージ化接着剤部を形成する工程と、前記Bステージ化接着剤部の前記塗布対象部材側とは反対の表面上に、電子部品本体を積層する工程と、前記電子部品本体の積層後に、前記Bステージ化接着剤部を熱硬化させる工程とを備え、前記接着剤をスピンコーターを用いて塗布し、厚み5μmの接着剤部を形成し、該接着剤部に波長365nmでの照度が100mW/cmで積算光量1000mJ/cmの光を照射して、接触角測定用Bステージ化接着剤部を得たときに、かつ、前記塗布対象部材と前記接着剤との25℃での接触角を接触角αとし、前記接触角測定用Bステージ化接着剤部と前記接着剤との25℃での接触角を接触角βとしたときに、前記接触角αを5°以上、50°以下にし、前記接触角αと前記接触角βとの差の絶対値を0.1°以上、15°以下にする、電子部品の製造方法が提供される。
本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記塗布対象部材が、銅又はソルダーレジスト膜を表面に有する半導体素子搭載用の支持部材であるか、又は半導体素子である。
本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記支持部材が、有機基板又はリードフレームである。
本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記塗布対象部材としてプラズマが照射されている塗布対象部材を用いるか、又は、前記電子部品の製造方法は、前記塗布対象部材又は前記Bステージ化接着剤部にプラズマを照射する工程を備える。
本発明の広い局面によれば、半導体ウェハを表面に有する塗布対象部材上に、インクジェット装置を用いて、接着剤を塗布して、光の照射により前記接着剤の硬化を進行させて、Bステージ化接着剤部を形成する工程と、前記Bステージ化接着剤部の前記半導体ウェハ側とは反対の表面上に、カバーガラスを積層して、積層体を得る工程と、前記積層体における前記Bステージ化接着剤部を熱硬化させる工程と、熱硬化後に前記積層体を切断する工程とを備え、前記接着剤をスピンコーターを用いて塗布し、厚み5μmの接着剤部を形成し、該接着剤部に波長365nmでの照度が100mW/cmで積算光量1000mJ/cmの光を照射して、接触角測定用Bステージ化接着剤部を得たときに、かつ、前記塗布対象部材と前記接着剤との25℃での接触角を接触角αとし、前記接触角測定用Bステージ化接着剤部と前記接着剤との25℃での接触角を接触角βとしたときに、前記接触角αを5°以上、50°以下にし、前記接触角αと前記接触角βとの差の絶対値を0.1°以上、15°以下にする、電子部品の製造方法が提供される。
前記接着剤は、光硬化性化合物と、光ラジカル開始剤と、環状エーテル基を1個以上有する熱硬化性化合物と、熱硬化剤であることが好ましい。
前記光硬化性化合物が、(メタ)アクリロイル基を1個以上有する光硬化性化合物を含むことが好ましい。前記光硬化性化合物が、(メタ)アクリロイル基を1個有する第1の光硬化性化合物と、(メタ)アクリロイル基を2個以上有する第2の光硬化性化合物とを含むことが好ましい。前記接着剤が、前記光及び熱硬化性化合物を含まないか又は含み、前記接着剤が前記光及び熱硬化性化合物を含まない場合には、前記光硬化性化合物の全体100重量%中、前記第1の光硬化性化合物の含有量が70重量%以上、99.9重量%以下であり、前記第2の光硬化性化合物の含有量が0.1重量%以上、30重量%以下であり、前記接着剤が前記光及び熱硬化性化合物を含む場合には、前記光硬化性化合物の全体と前記光及び熱硬化性化合物との合計100重量%中、前記第1の光硬化性化合物の含有量が70重量%以上、99.9重量%以下であり、前記第2の光硬化性化合物の含有量が0.1重量%以上、30重量%以下であることが好ましい。
前記光硬化性化合物が、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートを含むことが好ましい。前記接着剤が、光及び熱硬化性化合物を含むことが好ましい。前記光及び熱硬化性化合物が、(メタ)アクリロイル基を1個以上有し、かつ環状エーテル基を1個以上有する光及び熱硬化性化合物を含むことが好ましい。前記光及び熱硬化性化合物が、4−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテルを含むことが好ましい。
本発明に係る電子部品の製造方法は、塗布対象部材上に、インクジェット装置を用いて、接着剤を塗布して光の照射により上記接着剤の硬化を進行させて、Bステージ化接着剤部を形成する工程と、上記Bステージ化接着剤部の上記塗布対象部材側とは反対の表面上に、電子部品本体を積層する工程と、上記電子部品本体の積層後に、上記Bステージ化接着剤部を熱硬化させる工程とを備え、上記接着剤をスピンコーターを用いて塗布し、厚み5μmの接着剤部を形成し、該接着剤部に波長365nmでの照度が100mW/cmで積算光量1000mJ/cmの光を照射して、接触角測定用Bステージ化接着剤部を得たときに、かつ、上記塗布対象部材と上記接着剤との25℃での接触角を接触角αとし、上記接触角測定用Bステージ化接着剤部と上記接着剤との25℃での接触角を接触角βとしたときに、上記接触角αを5°以上、50°以下にし、上記接触角αと上記接触角βとの差の絶対値を0.1°以上、15°以下にするので、表面の平坦性に優れる硬化した接着剤部を形成することができる。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハを表面に有する塗布対象部材上に、インクジェット装置を用いて、接着剤を塗布して、光の照射により上記接着剤の硬化を進行させて、Bステージ化接着剤部を形成する工程と、上記Bステージ化接着剤部の上記半導体ウェハ側とは反対の表面上に、カバーガラスを積層して、積層体を得る工程と、上記積層体における上記Bステージ化接着剤部を熱硬化させる工程と、熱硬化後に上記積層体を切断する工程とを備え、上記接着剤をスピンコーターを用いて塗布し、厚み5μmの接着剤部を形成し、該接着剤部に波長365nmでの照度が100mW/cmで積算光量1000mJ/cmの光を照射して、接触角測定用Bステージ化接着剤部を得たときに、かつ、上記塗布対象部材と上記接着剤との25℃での接触角を接触角αとし、上記接触角測定用Bステージ化接着剤部と上記接着剤との25℃での接触角を接触角βとしたときに、上記接触角αを5°以上、50°以下にし、上記接触角αと上記接触角βとの差の絶対値を0.1°以上、15°以下にするので、表面の平坦性に優れる硬化した接着剤部を形成することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法により得られる電子部品を模式的に示す正面断面図である。 図2(a)〜(e)は、図1に示す電子部品の製造方法の各工程を説明するための断面図である。 図3は、図2に示す電子部品の製造方法において用いられるインクジェット装置の一例を示す概略構成図である。 図4は、図2に示す電子部品の製造方法において用いられるインクジェット装置の他の例を示す概略構成図である。 図5は、図1に示す電子部品の変形例を模式的に示す正面断面図である。 図6は、本発明に係る電子部品の製造方法により得られる電子部品の第1の変形例を模式的に示す正面断面図である。 図7は、本発明に係る電子部品の製造方法により得られる電子部品の第2の変形例を模式的に示す正面断面図である。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明に係る電子部品の製造方法は、塗布対象部材上に、インクジェット装置を用いて、接着剤を塗布して、接着剤部を形成し、光の照射により上記接着剤部の硬化を進行させて、Bステージ化接着剤部を形成する工程と、上記Bステージ化接着剤部の上記塗布対象部材側とは反対の表面上に、電子部品本体を積層する工程と、上記電子部品本体の積層後に、上記Bステージ化接着剤部を熱硬化させる工程とを備える。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの表面上に、インクジェット装置を用いて、接着剤を吐出して、接着剤部を形成し、光の照射により上記接着剤部の硬化を進行させて、Bステージ化接着剤部を形成する工程と、上記Bステージ化接着剤部の上記半導体ウェハ側とは反対の表面上に、カバーガラスを積層して、積層体を得る工程と、上記積層体における上記Bステージ化接着剤部を熱硬化させる工程と、熱硬化後に上記積層体を切断する工程とを備える。
本発明に係る半導体装置の製造方法に用いられる接着剤は、光硬化性化合物と、光ラジカル開始剤と、環状エーテル基を1個以上有する熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含むことが好ましい。
上記接着剤をスピンコーターを用いて塗布し、厚み5μmの接着剤部を形成し、該接着剤部に波長365nmでの照度が100mW/cmで積算光量1000mJ/cmの光を照射して、接触角測定用Bステージ化接着剤部を得る。本発明に係る電子部品の製造方法において、上記塗布対象部材と上記接着剤との25℃での接触角を接触角αとし、上記接触角測定用Bステージ化接着剤部と上記接着剤との25℃での接触角を接触角βとする。
本発明に係る半導体装置の製造方法では、上記接触角αを5°以上、50°以下にする。さらに、本発明に係る半導体装置の製造方法では、上記接触角αと上記接触角βとの差の絶対値を0.1°以上、15°以下にする。
本発明に係る電子部品の製造方法では、上述した構成が備えられているので、硬化後に、接着剤の表面の平坦性を高めることができる。このため、接着剤部にボイドを生じ難くすることができる。特に、接着剤をインクジェット装置を用いて塗布し、次に光の照射により硬化を進行させた後に加熱により硬化させたときに、接着剤部にボイドを効果的に生じ難くすることができる。さらに、貼り合わせ後に、上側の電子部品本体の傾きを抑えることができる。また、接着剤部の厚み精度を高めることもできる。
上記塗布対象部材上に先に塗布された上記接着剤がBステージ化した状態で、Bステージ化接着剤部に接するように接着剤を塗布することで、接着剤部を形成することができる。後に塗布された上記接着剤の接触角β(接触角測定用Bステージ化接着剤部を用いて測定)と、先に塗布された接着剤の接触角αとを制御することで、表面の平坦性に優れた硬化した接着剤部を形成することができる。
本発明に係る電子部品本体の製造方法において、上記接触角α及び上記接触角βは以下のように測定される。
25℃で塗布対象部材又は接触角測定用Bステージ化接着剤部上に25℃の接着剤5μLの液滴を滴下する。KSVインスツルメント社の接触角測定装置「CAM200」を用いて、滴下してから1.0秒後の接触角を測定する。
表面の平坦性をより一層高精度に制御する観点からは、上記接触角αは、好ましくは10°以上、好ましくは45°以下である。表面の平坦性をより一層高精度に制御する観点からは、上記接触角αと上記接触角βとの差の絶対値は、好ましくは10°以下である。
本発明に係る電子部品では、(1)上記塗布対象部材としてプラズマが照射されている塗布対象部材を用いるか、又は、(2)本発明に係る電子部品が、上記塗布対象部材又は上記Bステージ化接着剤部にプラズマを照射する工程を備える。上記(1)の構成が好ましく、上記(2)の構成も好ましい。上記(2)の構成において、上記塗布対象部材のみにプラズマを照射してもよく、上記Bステージ化接着剤部のみにプラズマを照射してもよく、上記塗布対象部材と上記Bステージ化接着剤部との双方にプラズマを照射してもよい。プラズマを照射することで塗布対象部材又は上記Bステージ化接着剤部と、接着剤部との接触角を容易に調整しかつ容易に安定化することが可能になる。
上記接着剤は、インクジェット装置を用いて塗布されるので、一般に25℃で液状である。上記接着剤の25℃及び10rpmでの粘度は好ましくは3mPa・s以上、より好ましくは5mPa・s以上、更に好ましくは160mPa・s以上、好ましくは2000mPa・s以下、より好ましくは1600mPa・s以下、更に好ましくは1500mPa・s以下である。接着剤部の厚み精度をより一層高め、更に接着剤部にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記接着剤の25℃及び10rpmでの粘度は160mPa・s以上、1600mPa・s以下であることが特に好ましい。
上記粘度は、JIS K2283に準拠して、E型粘度計(東機産業社製「TVE22L」)を用いて、25℃で測定される。
接着剤部をより一層高精度に形成し、接着剤部にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記接着剤を循環させながら、塗布することが好ましい。
上記インクジェット装置が、上記接着剤が貯留されるインクタンクと、上記インクタンクと接続されておりかつ上記接着剤が吐出される吐出部と、一端が上記吐出部に接続されており、他端が上記インクタンクに接続されており、かつ内部を上記接着剤が流れる循環流路部とを有することが好ましい。
上記接着剤を塗布する際に、上記インクジェット装置内で、上記接着剤を上記インクタンクから上記吐出部に移動させた後に、上記吐出部から吐出されなかった上記接着剤を、上記循環流路部内を流して上記インクタンクに移動させることにより、上記接着剤を循環させながら、塗布する。上記接着剤を循環させながら塗布すれば、本発明の効果がより一層効果的に得られる。すなわち、接着剤部の厚み精度をより一層高め、更に接着剤部にボイドをより一層生じ難くすることができる。
また、本発明では、厚みの厚い接着剤部を高精度に形成することができる。また、本発明では、多層化された接着剤部であっても、微細かつ高精度に形成することができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
図1は、本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法により得られる電子部品を模式的に示す正面断面図である。
図1に示す電子部品1は、第1の電子部品本体2と、第1の電子部品本体2の表面上に配置された接着剤部3と、接着剤部3の表面上に配置された第2の電子部品本体4とを備える。第2の電子部品本体4は、接着剤部3の第1の電子部品本体2側とは反対側に配置されている。接着剤部3の第1の表面上に、第1の電子部品本体2が配置されている。接着剤部3の第1の表面とは反対側の第2の表面上に、第2の電子部品本体4が配置されている。接着剤部3は光及び熱硬化後の接着剤部であり、硬化した接着剤部である。接着剤部3を形成するために、インクジェット装置により吐出可能である接着剤が用いられている。この接着剤が、インクジェット装置を用いて塗布され、かつ光の照射により硬化が進行された後に加熱により硬化されて、接着剤部3が形成されている。
上記電子部品本体としては、具体的には、半導体ウェハ、ダイシング後の半導体ウェハ(分割された半導体ウェハ、半導体素子)、カバーガラス、コンデンサ、ダイオード、プリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等が挙げられる。上記電子部品本体は、半導体素子搭載用の支持部材であってもよい。
高精度に形成された接着剤部が特に求められることから、上記電子部品本体は、回路基板、カバーガラス、半導体ウェハ又は、ダイシング後の半導体ウェハであることが好ましい。
上記塗布対象部材は、銅又はソルダーレジスト膜を表面に有する半導体素子搭載用の支持部材であるか、又は半導体素子であることが好ましい。
上記支持部材は、有機基板又はリードフレームであることが好ましい。
高精度に形成された接着剤部が特に求められることから、上記第1の電子部品本体が、半導体素子搭載用の支持部材又は半導体素子であることが好ましく、回路基板又は半導体素子であることがより好ましく、回路基板又はダイシング後の半導体ウェハであることが更に好ましい。高精度に形成された接着剤部が特に求められることから、上記第2の電子部品本体が、半導体素子であることが好ましく、ダイシング後の半導体ウェハであることがより好ましい。
高精度に形成された接着剤部が特に求められることから、上記第1の電子部品本体が回路基板又はダイシング後の半導体ウェハであり、かつ上記第2の電子部品本体が、ダイシング後の半導体ウェハであることが好ましく、更に、上記第1の電子部品本体が回路基板であり、かつ上記第2の電子部品本体が、ダイシング後の半導体ウェハであることがより好ましい。上記電子部品は半導体装置用電子部品であることが好ましい。
上記電子部品は、半導体素子を備えることが好ましく、半導体装置であることが好ましい。
以下、図2(a)〜(e)を参照しつつ、図1に示す電子部品の製造方法の一例について説明する。
先ず、図2(a)に示すように、第1の電子部品本体2上に、インクジェット装置11を用いて、インクジェット用接着剤を塗布して、先に塗布された接着剤により、接着剤部12を形成する(塗布工程)。
図3に示すように、インクジェット装置11は内部に、インクタンク21と、吐出部22と、循環流路部23とを有する。
循環流路部23は、循環流路部23内に、バッファタンク23Aとポンプ23Bとを有する。但し、図4に示すインクジェット装置11Xのように、循環流路部23Xは、循環流路部23X内に、バッファタンクとポンプとを有していなくてもよい。上記循環流路部は、上記循環流路部内に、上記バッファタンクを有することが好ましく、上記ポンプを有することが好ましい。また、上記循環流路部は、上記循環流路部内に、バッファタンク及びポンプの他に、流速計、温度計、フィルター、液面センサー等を有していてもよい。
インクタンク21には、上記接着剤が貯留されている。吐出部22(インクジェットヘッド)から、上記接着剤が吐出される。吐出部22は吐出ノズルを含む。インクタンク21に、吐出部22が接続されている。インクタンク21と吐出部22とは流路を介して接続されている。循環流路部23の一端は吐出部22に接続されており、他端はインクタンク21に接続されている。循環流路部23の内部を、上記接着剤が流れる。
バッファタンク23A又はポンプ23Bが備えられる場合には、バッファタンク23A及びポンプ23Bはそれぞれ、吐出部22とインクタンク21との間に配置されることが好ましい。バッファタンク23Aはポンプ23Bよりも吐出部22側に配置されている。ポンプ23Bは、バッファタンク23Aよりもインクタンク21側に配置されている。バッファタンク23Aには、上記接着剤が仮貯留される。
上記吐出部としては、サーマル方式、バブル噴射方式、電磁バルブ方式又はピエゾ方式のインクジェットヘッド等が挙げられる。また、上記吐出部内の循環流路部としては、共通循環流路(マニフォールド)から吐出ノズルへ分岐しているエンドシュータータイプや吐出ノズルをインクが循環するサイドシュータータイプが挙げられる。接着剤の吐出性を高めて、微細な接着剤部の形成精度をより一層高める観点からは、上記インクジェット装置がピエゾ方式のインクジェットヘッドを用いるインクジェット装置であり、上記塗布工程において、ピエゾ素子の作用によって、上記接着剤を塗布することが好ましい。
上記接着剤の循環方法に関しては、インクの自重を利用したり、ポンプ等を利用して加圧、減圧等を行い循環したりすることが可能である。これらは複数組み合わせて用いてもよい。ポンプとしてはシリンダ方式の無脈動ポンプ、プロペラポンプ、ギヤポンプ及びダイヤフラムポンプ等が挙げられる。循環効率を高めて、微細な接着剤部の形成精度をより一層高める観点からは、上記循環流路部は、上記循環流路部内に上記接着剤を移送させるポンプを含むことが好ましい。
上記吐出部の吐出ノズルにおいては、適切な圧力に保ちかつ、その範囲内で圧力変動(脈動)が少ないことが好ましい。ポンプ等を使用する場合にはポンプの脈動を抑えるために、ポンプと上記吐出部との間に減衰器を設けることが好ましい。このような減衰器としては、上記接着剤が仮貯留されるバッファタンクや膜式のダンパ等が挙げられる。
硬化した接着剤部をより一層高精度に形成する観点からは、上記循環流路部は、上記循環流路部内に、上記接着剤が仮貯留されるバッファタンクを含むことが好ましい。
上記接着剤を加熱しながら循環させる場合には、上記インクタンク内に加熱ヒーターを導入したり、上記循環流路部に加熱ヒーターを用いたりすることで、上記接着剤の温度を調節することが可能である。
上記接着剤を加熱しながら循環させる場合には、インクタンク21内に加熱ヒーターを導入したり、循環流路部23,23Xに加熱ヒーターを用いたりすることで、上記接着剤の温度を調節することが可能である。
上記の塗布工程において、インクジェット装置11内で、上記接着剤をインクタンク21から吐出部22に移動させた後に、吐出部22から吐出されなかった上記接着剤を、循環流路部23内を流してインクタンク21に移動させる。それによって、上記の塗布工程において、上記接着剤を循環させながら、塗布することが好ましい。
次に、図2(b)に示すように、上記の塗布工程後に、第1の光照射部13から、先に塗布された接着剤により形成された接着剤部12に光を照射して、接着剤部12の硬化を進行させる(第1の光照射工程)。それによって、第1の光照射部13により光が照射された接着剤部12Aが形成される。
なお、「第1の光照射部13から接着剤部12に光を照射して、接着剤部12の硬化を進行させる」には、反応を進行させて増粘状態にすることも含まれる。
光照射を行う装置としては特に限定されず、紫外線を発生する発光ダイオード(UV−LED)、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、及び超高圧水銀ランプ等が挙げられる。接着剤部の形成精度をより一層高める観点からは、特に第1の光照射部に、UV−LEDを用いることが好ましい。
次に、図2(c)に示すように、第1の電子部品本体2上に、インクジェット装置11を用いて、インクジェット用接着剤を塗布して、後に塗布された接着剤により、接着剤部12を形成する(塗布工程)。先に塗布された接着剤により形成された接着剤部12Aに接するように、第1の電子部品本体2上に、インクジェット用接着剤を塗布して、後に塗布された接着剤により、接着剤部12を形成する。
次に、図2(d)に示すように、上記の塗布工程後に、第2の光照射部14から、後に塗布された接着剤により形成された接着剤部12に光を照射して、接着剤部12の硬化を進行させてもよい(第2の光照射工程)。それによって、第2の光照射部14により光が照射された接着剤部12Bが形成される。
第2の光照射部14から光が照射される場合、第1の光照射部13から照射される光の波長や照射強度と、後述する第2の光照射部14から照射される光の波長や照射強度とが同じでも異なっていてもよい。接着剤部の硬化性をより一層高める観点からは、第2の光照射部14から照射される照射強度が第1の光照射部13から照射される光の照射強度より強い方が好ましい。
次に、図2(d),(e)に示すように、上記の第2の光照射工程後に、光が照射された接着剤部12B上に、第2の電子部品本体4を配置して、第1の電子部品本体2と第2の電子部品本体4とを、光が照射された接着剤部12Bを介して、圧力を付与して貼り合わせて、一次積層体1Aを得る(積層工程)。
次に、上記の積層工程後に、一次積層体1Aを加熱して、第1の電子部品本体2と第2の電子部品本体4との間の接着剤部12Bを硬化させて、電子部品を得る(加熱工程)。このようにして、図1に示す電子部品1を得ることができる。
なお、上記塗布工程と上記光照射工程とを繰り返すことで、接着剤部を多層化して、多層の接着剤部を形成してもよい。図5に示すように、複数の接着剤部32A,32B,32Cが積層された接着剤部32を備える電子部品31を得てもよい。
上記の電子部品の製造方法において、接着剤の吐出性及び移送性を高めて、硬化した接着剤部をより一層高精度に形成する観点からは、循環されている上記接着剤の温度は好ましくは30℃以上、より好ましくは40℃以上、好ましくは120℃以下、より好ましくは100℃以下である。
硬化した接着剤部をより一層高精度に形成する観点からは、上記積層工程において、貼り合わせ時に付与する圧力は好ましくは0.01MPa以上、より好ましくは0.05MPa以上、好ましくは10MPa以下、より好ましくは8MPa以下である。
硬化した接着剤部をより一層高精度に形成する観点からは、上記積層工程において、貼り合わせ時の温度は好ましくは30℃以上、より好ましくは40℃以上、好ましくは150℃以下、より好ましくは130℃以下である。
上記接着剤は、光硬化性及び熱硬化性を有する。上記接着剤は、上記光硬化性化合物(光の照射により硬化可能な効果性化合物)と、上記熱硬化性化合物(加熱により硬化可能な効果性化合物)と、上記光ラジカル開始剤と、上記熱硬化剤とを含む。上記接着剤は、光及び熱硬化性化合物(光の照射及び加熱の双方により硬化可能な硬化性化合物)を含むことが好ましい。上記接着剤は、硬化促進剤を含むことが好ましい。
以下、上記接着剤に用いることができる各成分の詳細を説明する。
(光硬化性化合物)
上記光硬化性化合物としては、(メタ)アクリロイル基を有する硬化性化合物、ビニル基を有する硬化性化合物及びマレイミド基を有する硬化性化合物等が挙げられる。硬化した接着剤部をより一層高精度に形成する観点からは、上記光硬化性化合物は、(メタ)アクリロイル基(1個以上)を有することが好ましい。上記光硬化性化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
本明細書では、(メタ)アクリロイル基を有する硬化性化合物は、メタクリロイル基及びアクリロイル基の内少なくとも一方を有する化合物を意味する。
上記光硬化性化合物として、(メタ)アクリロイル基を1個有する光硬化性化合物(第1の光硬化性化合物(A1)と呼ぶ)を用いてもよく、(メタ)アクリロイル基を2個以上有する光硬化性化合物(第2の光硬化性化合物(A2)と呼ぶ)を用いてもよい。第1の光硬化性化合物(A1)は、例えば単官能化合物である。第2の光硬化性化合物(A2)は、例えば多官能化合物である。第2の光硬化性化合物(A2)は、(メタ)アクリロイル基を2個以上有するため、光の照射により重合が進行し、硬化する。第1の光硬化性化合物(A1)及び第2の光硬化性化合物(A2)はそれぞれ、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、光硬化性化合物は、第1の光硬化性化合物(A1)と第2の光硬化性化合物(A2)とを含有することが好ましい。また、光硬化性化合物として、第1の光硬化性化合物(A1)と、第2の光硬化性化合物(A2)とを併用することで、硬化した接着剤部を高精度に形成することができる。
第2の光硬化性化合物(A2)としては、多価アルコールの(メタ)アクリル酸付加物、多価アルコールのアルキレンオキサイド変性物の(メタ)アクリル酸付加物、ウレタン(メタ)アクリレート類、及びポリエステル(メタ)アクリレート類等が挙げられる。上記多価アルコールとしては、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、トリメチロールプロパン、シクロヘキサンジメタノール、トリシクロデカンジメタノール、ビスフェノールAのアルキレンオキシド付加物、及びペンタエリスリトール等が挙げられる。
第2の光硬化性化合物(A2)は、二官能の(メタ)アクリレートであってもよく、三官能のメタアクリレートであってもよく、四官能以上の(メタ)アクリレートであってもよい。
二官能の(メタ)アクリレートとしては、例えば、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジ(メタ)アクリレート、1,10−デカンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、2,4−ジメチル−1,5−ペンタンジオールジ(メタ)アクリレート、ブチルエチルプロパンジオール(メタ)アクリレート、エトキシ化シクロヘキサンメタノールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、オリゴエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、2−エチル−2−ブチルブタンジオールジ(メタ)アクリレート、2−エチル−2−ブチルプロパンジオールジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジ(メタ)アクリレート、及びジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート等が挙げられる。
三官能の(メタ)アクリレートとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンのアルキレンオキシド変性トリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ((メタ)アクリロイルオキシプロピル)エーテル、イソシアヌル酸アルキレンオキシド変性トリ(メタ)アクリレート、プロピオン酸ジペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリ((メタ)アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート、及びソルビトールトリ(メタ)アクリレート等が挙げられる。
四官能の(メタ)アクリレートとしては、例えば、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ソルビトールテトラ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、及びプロピオン酸ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート等が挙げられる。
五官能の(メタ)アクリレートとしては、例えば、ソルビトールペンタ(メタ)アクリレート、及びジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレートが挙げられる。
六官能の(メタ)アクリレートとしては、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ソルビトールヘキサ(メタ)アクリレート、及びフォスファゼンのアルキレンオキシド変性ヘキサ(メタ)アクリレート等が挙げられる。
上記「(メタ)アクリレート」の用語は、アクリレート又はメタクリレートを示す。上記「(メタ)アクリル」の用語は、アクリル又はメタクリルを示す。
第2の光硬化性化合物(A2)は、多環骨格又はウレタン骨格を有し、かつ(メタ)アクリロイル基を2個以上有する第2の光硬化性化合物であることが好ましい。この第2の光硬化性化合物の使用により、上記接着剤の硬化物の耐湿熱性を高くすることができる。従って、電子部品の信頼性を高めることができる。上記第2の光硬化性化合物(A2)は、多環骨格を有していてもよく、ウレタン骨格を有していてもよい。
多環骨格を有し、かつ(メタ)アクリロイル基を2個以上有する第2の光硬化性化合物の具体例としては、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、イソボルニルジメタノールジ(メタ)アクリレート及びジシクロペンテニルジメタノールジ(メタ)アクリレート等が挙げられる。硬化した接着剤の耐湿性及び耐湿熱性をより一層高める観点からは、第2の光硬化性化合物(A2)は、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレートであることが好ましい。
多環骨格とは、複数の環状骨格を連続して有する構造を示す。具体的には、多環骨格は、2個以上の環がそれぞれ2個以上の原子を共有した形で一体となっている骨格であり、縮合環を有する骨格である。上記多環骨格は、例えば、2つの環の間にアルキレン基が存在する骨格ではない。多環骨格としては、多環脂環式骨格及び多環芳香族骨格等が挙げられる。
上記多環脂環式骨格としては、ビシクロアルカン骨格、トリシクロアルカン骨格、テトラシクロアルカン骨格及びイソボルニル骨格等が挙げられる。
上記多環芳香族骨格としては、ナフタレン環骨格、アントラセン環骨格、フェナントレン環骨格、テトラセン環骨格、クリセン環骨格、トリフェニレン環骨格、テトラフェン環骨格、ピレン環骨格、ペンタセン環骨格、ピセン環骨格及びペリレン環骨格等が挙げられる。
ウレタン骨格を有し、かつ(メタ)アクリロイル基を2個以上有する多官能化合物は特に限定されないが、例えば、以下の方法によって得られる。ポリオールと2官能以上のイソシアネートとを反応させ、さらに残りのイソシアネート基に、アルコールや酸基を有する(メタ)アクリルモノマーを反応させる。2官能以上のイソシアネートに水酸基を有する(メタ)アクリルモノマーを反応させてもよい。具体的には、例えば、トリメチロールプロパン1モルとイソホロンジイソシアネート3モルとを錫系触媒下で反応させる。得られた化合物中に残るイソシアネート基と、2モルの水酸基を有するアクリルモノマーであるヒドロキシエチルアクリレートを反応させることにより、上記ウレタン変性(メタ)アクリル化合物が得られる。
上記ポリオールとしては、特に限定されず、例えば、エチレングリコール、グリセリン、ソルビトール、トリメチロールプロパン、及び(ポリ)プロピレングリコール等が挙げられる。
上記イソシアネートは、2官能以上であれば、特に限定されない。上記イソシアネートとしては、例えば、イソホロンジイソシアネート、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート(MDI)、水添MDI、ポリメリックMDI、1,5−ナフタレンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシネート、トリジンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート(XDI)、水添XDI、リジンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、トリス(イソシアネートフェニル)チオフォスフェート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、及び1,6,10−ウンデカントリイソシアネート等が挙げられる。
第1の光硬化性化合物(A1)の具体例としては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、i−プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、i−ブチル(メタ)アクリレート、sec−ブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、アリル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、フェニル(メタ)アクリレート、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、2−フェノキシエチル(メタ)アクリレート、メトキシジエチレングルコール(メタ)アクリレート、メトキシトリエチレングルコール(メタ)アクリレート、メトキシプロピレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシジプロピレングリコール(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタジエニル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピル(メタ)アクリレート、グリセロールモノ(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ジヒドロキシシクロペンタジエニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ナフチル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、及びステアリル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、第1の光硬化性化合物(A1)は、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートを含有することが好ましい。
上記ビニル基を有する光硬化性化合物としてはビニルエーテル類、エチレン誘導体、スチレン、クロロメチルスチレン、α−メチルスチレン、無水マレイン酸、ジシクロペンタジエン、N−ビニルピロリドン及びN−ビニルホルムアミド等が挙げられる。
上記マレイミド基を有する光硬化性化合物としては、特に限定されず例えば、N−メチルマレイミド、N−エチルマレイミド、N−ヘキシルマレイミド、N−プロピルマレイミド、N−ブチルマレイミド、N−オクチルマレイミド、N−ドデシルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−フェニルマレイミド、N−p−カルボキシフェニルマレイミド、N−p−ヒドロキシフェニルマレイミド、N−p−クロロフェニルマレイミド、N−p−トリルマレイミド、N−p−キシリルマレイミド、N−o−クロロフェニルマレイミド、N−o−トリルマレイミド、N−ベンジルマレイミド、N−2,5−ジエチルフェニルマレイミド、N−2,5−ジメチルフェニルマレイミド、N−m−トリルマレイミド、N−α−ナフチルマレイミド、N−o−キシリルマレイミド、N−m−キシリルマレイミド、ビスマレイミドメタン、1,2−ビスマレイミドエタン、1,6−ビスマレイミドヘキサン、ビスマレイミドドデカン、N,N’−m−フェニレンジマレイミド、N,N’−p−フェニレンジマレイミド、4,4’−ビスマレイミドジフェニルエーテル、4,4’−ビスマレイミドジフェニルメタン、4,4’−ビスマレイミド−ジ(3−メチルフェニル)メタン、4,4’−ビスマレイミド−ジ(3−エチルフェニル)メタン、4,4’−ビスマレイミド−ジ(3−メチル−5−エチル−フェニル)メタン、N,N’−(2,2−ビス−(4−フェノキシフェニル)プロパン)ジマレイミド、N,N’−2,4−トリレンジマレイミド、N,N’−2,6−トリレンジマレイミド、及びN,N’−m−キシリレンジマレイミド等が挙げられる。
硬化した接着剤部をより一層高精度に形成する観点からは、上記接着剤100重量%中、光硬化性化合物の含有量、接着剤が後述する光及び熱硬化性化合物を含まない場合には、第1の光硬化性化合物(A1)と第2の光硬化性化合物(A2)との合計の含有量、並びに接着剤が後述する光及び熱硬化性化合物を含む場合には、第1の光硬化性化合物(A1)と第2の光硬化性化合物(A2)と光及び熱硬化性化合物との合計の含有量はそれぞれ、好ましくは5重量%以上、より好ましくは10重量%以上、好ましくは80重量%以下、より好ましくは70重量%以下である。接着剤部の厚み精度をより一層高め、更に接着剤部にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記接着剤100重量%中、光硬化性化合物の含有量、接着剤が後述する光及び熱硬化性化合物を含まない場合には、第1の光硬化性化合物(A1)と第2の光硬化性化合物(A2)との合計の含有量、並びに接着剤が後述する光及び熱硬化性化合物を含む場合には、第1の光硬化性化合物(A1)と第2の光硬化性化合物(A2)と光及び熱硬化性化合物との合計の含有量はそれぞれ、5重量%以上、80重量%以下であることが特に好ましい。
ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、接着剤が後述する光及び熱硬化性化合物を含まない場合には、第1の光硬化性化合物(A1)と第2の光硬化性化合物(A2)との合計100重量%中、並びに接着剤が後述する光及び熱硬化性化合物を含む場合には、第1の光硬化性化合物(A1)と第2の光硬化性化合物(A2)と光及び熱硬化性化合物との合計100重量%中、上記第1の光硬化性化合物(A1)の含有量が50重量%以上、99.95重量%以下、第2の光硬化性化合物(A2)の含有量が0.05重量%以上、50重量%以下であることが好ましく、第1の光硬化性化合物(A1)の含有量が70重量%以上、99.9重量%以下、第2の光硬化性化合物(A2)の含有量が0.1重量%以上、30重量%以下であることがより好ましく、第1の光硬化性化合物(A1)の含有量が80重量%以上、99.5重量%以下、第2の光硬化性化合物(A2)の含有量が0.5重量%以上、20重量%以下であることが更に好ましい。
ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、上記接着剤100重量%中、第1の光硬化性化合物(A1)の含有量、並びに2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートの含有量はそれぞれ、好ましくは0.05重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、好ましくは70重量%以下、より好ましくは50重量%以下である。
(光及び熱硬化性化合物)
接着剤部の厚み精度をより一層高め、更に接着剤部にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記接着剤は、光及び熱硬化性化合物を含むことが好ましい。上記光及び熱硬化性化合物としては、各種の光硬化性官能基と各種の熱硬化性官能基とを有する化合物が挙げられる。硬化した接着剤部をより一層高精度に形成する観点からは、上記光及び熱硬化性化合物は、(メタ)アクリロイル基を1個以上有し、かつ環状エーテル基を1個以上有することが好ましく、(メタ)アクリロイル基を1個以上有し、かつエポキシ基を1個以上有することが好ましい。上記光及び熱硬化性化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記光硬化性化合物、上記第1の光硬化性化合物、上記第2の光硬化性化合物及び上記熱硬化性化合物は、上記光及び熱硬化性化合物とは異なる成分として配合されていることが好ましい。
上記光及び熱硬化性化合物としては、特に限定されないが、(メタ)アクリロイル基とエポキシ基を有する化合物、エポキシ化合物の部分(メタ)アクリル化物、ウレタン変性(メタ)アクリルエポキシ化合物等が挙げられる。
上記(メタ)アクリロイル基とエポキシ基を有する化合物としては、グリシジル(メタ)アクリレート、及び4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレートグリシジルエーテル等が挙げられる。
上記エポキシ化合物の部分(メタ)アクリル化物としては、エポキシ化合物と(メタ)アクリル酸とを、常法に従って触媒の存在下で反応させることにより得られる。上記エポキシ化合物の部分(メタ)アクリル化物に用いることができるエポキシ化合物としては、ノボラック型エポキシ化合物及びビスフェノール型エポキシ化合物等が挙げられる。上記ノボラック型エポキシ化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、トリスフェノールノボラック型エポキシ化合物、及びジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、2,2’−ジアリルビスフェノールA型エポキシ化合物、水添ビスフェノール型エポキシ化合物、及びポリオキシプロピレンビスフェノールA型エポキシ化合物等が挙げられる。エポキシ化合物と(メタ)アクリル酸との配合量を適宜変更することにより、所望のアクリル化率のエポキシ化合物を得ることが可能である。エポキシ基1当量に対してカルボン酸の配合量は、好ましくは0.1当量以上、より好ましくは0.2当量以上、好ましくは0.7当量以下、より好ましくは0.5当量以下である。
上記ウレタン変性(メタ)アクリルエポキシ化合物は、例えば、以下の方法によって得られる。ポリオールと2官能以上のイソシアネートを反応させ、さらに残りのイソシアネート基に、酸基を有する(メタ)アクリルモノマー及びグリシドールを反応させる。または、ポリオールを用いず、2官能以上のイソシアネートに水酸基を有する(メタ)アクリルモノマーとグリシドールとを反応させてもよい。または、イソシアネート基を有する(メタ)アクリレートモノマーにグリシドールを反応させても、上記ウレタン変性(メタ)アクリルエポキシ化合物が得られる。具体的には、例えば、まず、トリメチロールプロパン1モルとイソホロンジイソシアネート3モルとを錫系触媒下で反応させる。得られた化合物中に残るイソシアネート基と、水酸基を有するアクリルモノマーであるヒドロキシエチルアクリレート、及び水酸基を有するエポキシであるグリシドールを反応させることにより、上記ウレタン変性(メタ)アクリルエポキシ化合物が得られる。
上記ポリオールとしては、特に限定されず、例えば、エチレングリコール、グリセリン、ソルビトール、トリメチロールプロパン、及び(ポリ)プロピレングリコール等が挙げられる。
上記イソシアネートは、2官能以上であれば、特に限定されない。上記イソシアネートとしては、例えば、イソホロンジイソシアネート、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート(MDI)、水添MDI、ポリメリックMDI、1,5−ナフタレンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシネート、トリジンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート(XDI)、水添XDI、リジンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、トリス(イソシアネートフェニル)チオフォスフェート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、及び1,6,10−ウンデカントリイソシアネート等が挙げられる。
硬化した接着剤部の厚み精度をより一層高め、ボイドの発生をより一層抑制する観点からは、上記光及び熱硬化性化合物は、4−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテルを含むことが好ましい。
硬化した接着剤部をより一層高精度に形成する観点からは、上記接着剤100重量%中、上記光及び熱硬化性化合物の含有量及び4−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテルの含有量はそれぞれ、好ましくは0.5重量%以上、より好ましくは1重量%以上、好ましくは80重量%以下、より好ましくは70重量%以下である。
硬化した接着剤部をより一層高精度に形成する観点からは、上記接着剤100重量%中、上記光硬化性化合物と上記光及び熱硬化性化合物との合計の含有量は、好ましくは10重量%以上、より好ましくは20重量%以上、好ましくは80重量%以下、より好ましくは70重量%以下である。
(熱硬化性化合物)
熱硬化性化合物としては、環状エーテル基を有する熱硬化性化合物、及びチイラン基を有する熱硬化性化合物等が挙げられる。硬化した接着剤部をより一層高精度に形成する観点から、熱硬化性化合物として、環状エーテル基を1個以上有する熱硬化性化合物が用いられる。環状エーテル基を有する熱硬化性化合物は、エポキシ基を有する熱硬化性化合物(エポキシ化合物)であることがより好ましい。上記熱硬化性化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記エポキシ化合物としては特に限定されず、例えば、ノボラック型エポキシ化合物及びビスフェノール型エポキシ化合物等が挙げられる。上記ノボラック型エポキシ化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、トリスフェノールノボラック型エポキシ化合物、及びジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、2,2’−ジアリルビスフェノールA型エポキシ化合物、水添ビスフェノール型エポキシ化合物、及びポリオキシプロピレンビスフェノールA型エポキシ化合物等が挙げられる。また、上記エポキシ化合物としては、その他に、環式脂肪族エポキシ化合物、及びグリシジルアミン等も挙げられる。
接着剤部をより一層高精度に形成し、接着剤部にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記熱硬化性化合物は芳香族骨格を有することが好ましい。
ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、上記環状エーテル基を1個以上有する熱硬化性化合物は25℃で固形であることが好ましい。ボイドをより一層抑え、接着性、耐湿接着信頼性及び冷熱サイクル信頼性をより一層高める観点からは、上記環状エーテル基を1個以上有する熱硬化性化合物の軟化点は、好ましくは25℃以上、より好ましくは30℃以上、更に好ましくは40℃以上である。軟化点の上限は特に限定されない。上記環状エーテル基を1個以上有する熱硬化性化合物の軟化点は好ましくは150℃以下である。
上記軟化点は、JIS K7234に従って測定することができる。
硬化した接着剤部をより一層高精度に形成する観点からは、上記接着剤100重量%中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは10重量%以上、より好ましくは20重量%以上、好ましくは80重量%以下、より好ましくは70重量%以下である。
(光ラジカル開始剤)
光重合開始剤としては、光ラジカル重合開始剤及び光カチオン重合開始剤等が挙げられる。本発明では、光重合開始剤として、光ラジカル重合開始剤が用いられる。上記光ラジカル開始剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記光ラジカル重合開始剤は特に限定されない。上記光ラジカル重合開始剤は、光の照射によりラジカルを発生し、ラジカル重合反応を開始するための化合物である。上記光ラジカル重合開始剤の具体例としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等のベンゾイン化合物;2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン等のアルキルフェノン化合物;アセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシ−2−フェニルアセトフェノン、1,1−ジクロロアセトフェノン等のアセトフェノン化合物;2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルホリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、2−(ジメチルアミノ)−2−[(4−メチルフェニル)メチル]−1−[4−(4−モルホリニル)フェニル]−1−ブタノン、N,N−ジメチルアミノアセトフェノン等のアミノアセトフェノン化合物;2−メチルアントラキノン、2−エチルアントラキノン、2−t−ブチルアントラキノン等のアントラキノン化合物;2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン化合物;アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタール等のケタール化合物;2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物;1,2−オクタンジオン、1−[4−(フェニルチオ)−2−(o−ベンゾイルオキシム)]、エタノン、1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−1−(o−アセチルオキシム)等のオキシムエステル化合物;ビス(シクロペンタジエニル)−ジ−フェニル−チタニウム、ビス(シクロペンタジエニル)−ジ−クロロ−チタニウム、ビス(シクロペンタジエニル)−ビス(2,3,4,5,6−ペンタフルオロフェニル)チタニウム、ビス(シクロペンタジエニル)−ビス(2,6−ジフルオロ−3−(ピロール−1−イル)フェニル)チタニウムなどのチタノセン化合物等が挙げられる。上記光ラジカル重合開始剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記光ラジカル重合開始剤とともに、光重合開始助剤を用いてもよい。該光重合開始助剤としては、N,N−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、N,N−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル−4−ジメチルアミノベンゾエート、トリエチルアミン及びトリエタノールアミン等が挙げられる。これら以外の光重合開始助剤を用いてもよい。上記光重合開始助剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記接着剤100重量%中、上記光ラジカル開始剤の含有量は好ましくは0.1重量%以上、より好ましくは0.2重量%以上、好ましくは10重量%以下、より好ましくは5重量%以下である。
(熱硬化剤)
上記熱硬化剤としては、有機酸、アミン化合物、アミド化合物、ヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、イミダゾリン化合物、フェノール化合物、ユリア化合物、ポリスルフィド化合物及び酸無水物等が挙げられる。上記熱硬化剤として、アミン−エポキシアダクトなどの変性ポリアミン化合物を用いてもよい。これら以外の熱硬化剤を用いてもよい。
上記アミン化合物とは、1個以上の1〜3級のアミノ基を有する化合物を意味する。上記アミン化合物としては、例えば、(1)脂肪族アミン、(2)脂環族アミン、(3)芳香族アミン、(4)ヒドラジド、及び(5)グアニジン誘導体等が挙げられる。また、エポキシ化合物付加ポリアミン(エポキシ化合物とポリアミンの反応物)、マイケル付加ポリアミン(α,β−不飽和ケトンとポリアミンの反応物)、マンニッヒ付加ポリアミン(ポリアミンとホルマリン及びフェノールの縮合体)、チオ尿素付加ポリアミン(チオ尿素とポリアミンの反応物)、ケトン封鎖ポリアミン(ケトン化合物とポリアミンの反応物[ケチミン])などのアダクト体を用いてもよい。
上記(1)脂肪族アミンとしては、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、及びジエチルアミノプロピルアミン等が挙げられる。
上記(2)脂環族アミンとしては、メンセンジアミン、イソホロンジアミン、N−アミノエチルピペラジン、3,9−ビス(3−アミノプロピル)−2,4,8,10−テトラオキサスピロ(5,5)ウンデカンアダクト、ビス(4−アミノ−3−メチルシクロヘキシル)メタン、及びビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン等が挙げられる。
上記(3)芳香族アミンとしては、1,3−ジアミノトルエン、1,4−ジアミノトルエン、2,4−ジアミノトルエン、3,5−ジエチル−2,4−ジアミノトルエン、3,5−ジエチル−2,6−ジアミノトルエン、2,4−ジアミノアニソール、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−メチレン−ビス[2−クロロアニリン]、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、2,2−ビス[4−[4−アミノフェノキシ]フェニル]プロパン、ビス[4−[4−アミノフェノキシ]フェニル]スルホン、1,3−ビス[4−アミノフェノキシ]ベンゼン、メチレンビス−(2−エチル−6メチルアニリン)、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、及び3,3’,5,5’−テトラエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン等が挙げられる。
上記(4)ヒドラジドとしては、カルボジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、ドデカン二酸ジヒドラジド、及びイソフタル酸ジヒドラジド等が挙げられる。
上記(5)グアニジン誘導体としては、ジシアンジアミド、1−o−トリルジグアニド、α−2,5−ジメチルグアニド、α,ω−ジフェニルジグアニジド、α,α−ビスグアニルグアニジノジフェニルエーテル、p−クロロフェニルジグアニド、α,α−ヘキサメチレンビス[ω−(p−クロロフェノール)]ジグアニド、フェニルジグアニドオキサレート、アセチルグアニジン、及びジエチルシアノアセチルグアニジン等が挙げられる。
上記フェノール化合物としては、多価フェノール化合物等が挙げられる。上記多価フェノール化合物としては、例えば、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、ブチルフェノール、オクチルフェノール、ビスフェノールA、テトラブロムビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、4,4’−ビフェニルフェノール、ナフタレン骨格含有フェノールノボラック樹脂、キシリレン骨格含有フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノールノボラック樹脂、及びフルオレン骨格含有フェノールノボラック樹脂等が挙げられる。
上記酸無水物としては、例えば、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ドデシル無水コハク酸、無水クロレンディック酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、及びポリアゼライン酸無水物等が挙げられる。
接着剤部の厚み精度をより一層高め、更に接着剤部にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記熱硬化剤は、酸無水物又は芳香族アミンを含有することが好ましく、芳香族アミンを含有することがより好ましい。
上記接着剤100重量%中、上記熱硬化剤の含有量は好ましくは1重量%以上、より好ましくは5重量%以上、好ましくは60重量%以下、より好ましくは50重量%以下である。
(硬化促進剤)
上記硬化促進剤としては、第三級アミン、イミダゾール、第四級アンモニウム塩、第四級ホスホニウム塩、有機金属塩、リン化合物及び尿素系化合物等が挙げられる。 上記接着剤100重量%中、上記硬化促進剤の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、好ましくは10重量%以下、より好ましくは5重量%以下である。
(溶剤)
上記接着剤は溶剤を含まないか又は含む。上記接着剤は、溶剤を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。接着剤部の厚み精度をより一層高め、更に接着剤部にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記接着剤における溶剤の含有量は少ないほどよい。
上記溶剤としては、水及び有機溶剤等が挙げられる。残留物の除去性をより一層高める観点からは、有機溶剤が好ましい。上記有機溶剤としては、エタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン等のエステル類、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素類、並びに石油エーテル、ナフサ等の石油系溶剤等が挙げられる。
上記接着剤が上記溶剤を含む場合には、上記接着剤100重量%中、上記溶剤の含有量は好ましくは5重量%以下、より好ましくは1重量%以下、更に好ましくは0.5重量%以下である。
(フィラー)
上記接着剤はフィラーを含まないか又は含む。上記接着剤は、フィラーを含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。接着剤部の厚み精度をより一層高め、更に接着剤部にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記接着剤におけるフィラーの含有量は少ないほどよい。さらに、上記接着剤におけるフィラーの含有量が少ないほど、インクジェット装置による吐出不良の発生が抑えられる。
上記フィラーとしては、シリカ、タルク、クレイ、マイカ、ハイドロタルサイト、アルミナ、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素等が挙げられる。
上記接着剤が上記フィラーを含む場合には、上記接着剤100重量%中、上記フィラーの含有量は好ましくは5重量%以下、より好ましくは1重量%以下、更に好ましくは0.5重量%以下である。
(他の成分)
上記接着剤は、他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては特に限定されないが、カップリング剤等の接着助剤、顔料、染料、レベリング剤、消泡剤、及び重合禁止剤等が挙げられる。
(電子部品の具体例)
以下、本発明に係る電子部品の製造方法により得られる電子部品の他の具体例について説明する。
図6は、本発明に係る電子部品の製造方法により得られる電子部品の第1の変形例を模式的に示す正面断面図である。
図6に示す半導体装置71は、電子部品である。半導体装置71は、基板53Aと、接着剤部72と、第1の半導体ウェハ73とを備える。基板53Aは上面に、第1の接続端子53aを有する。第1の半導体ウェハ73は上面に、接続端子73aを有する。基板53Aは、第2の接続端子53bが設けられていないことを除いては、後述する基板53と同様に形成されている。
基板53A上に、接着剤部72を介して、第1の半導体ウェハ73が積層されている。接着剤部72は、上記接着剤を光硬化及び熱硬化させることにより形成されている。
第1の半導体ウェハ73は上面に、接続端子73aを有する。接続端子73aから配線74が引き出されている。配線74により、接続端子73aと第1の接続端子53aとが電気的に接続されている。
図7は、本発明に係る電子部品の製造方法により得られる電子部品の第2の変形例を模式的に示す正面断面図である。
図7に示す半導体装置51は、電子部品である。半導体装置51は、積層構造体52を備える。積層構造体52は、基板53と、接着剤部54と、基板53上に接着剤部54を介して積層された第2の半導体ウェハ55とを有する。基板53上に、第2の半導体ウェハ55が配置されている。基板53上に、第2の半導体ウェハ55は間接に積層されている。平面視において、基板53は、第2の半導体ウェハ55よりも大きい。基板53は、第2の半導体ウェハ55よりも側方に張り出している領域を有する。
接着剤部54は、例えば、硬化性組成物を硬化させることにより形成されている。硬化前の硬化性組成物を用いた硬化性組成物層は、粘着性を有していてもよい。硬化前の硬化性組成物層を形成するために、硬化性組成物シートを用いてもよい。
基板53は上面に、第1の接続端子53aを有する。第2の半導体ウェハ55は上面に、接続端子55aを有する。接続端子55aから配線56が引き出されている。配線56の一端は、第2の半導体ウェハ55上に設けられた接続端子55aに接続されている。配線56の他端は、基板53上に設けられた第1の接続端子53aに接続されている。配線56により、接続端子55aと第1の接続端子53aとが電気的に接続されている。配線56の他端は、第1の接続端子53a以外の他の接続端子に接続されていてもよい。配線56は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。
積層構造体52における第2の半導体ウェハ55上に、接着剤部61を介して、第1の半導体ウェハ62が積層されている。接着剤部61は、上記接着剤を光硬化及び熱硬化させることにより形成されている。
基板53は上面に、第2の接続端子53bを有する。第1の半導体ウェハ62は上面に、接続端子62aを有する。接続端子62aから配線63が引き出されている。配線63の一端は、第1の半導体ウェハ62上に設けられた接続端子62aに接続されている。配線63の他端は、基板53上に設けられた第2の接続端子53bに接続されている。配線63により、接続端子62aと第2の接続端子53bとが電気的に接続されている。配線63の他端は、第2の接続端子53b以外の他の接続端子に接続されていてもよい。配線63は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。
半導体装置51では、第2の半導体ウェハ55上に、光硬化性及び熱硬化性を有しかつ液状である接着剤を、インクジェット装置から吐出して、接着剤部61を形成することで得ることができる。これに対して、半導体装置71は、基板53A上に、光硬化性及び熱硬化性を有しかつ液状である接着剤を、インクジェット装置から吐出して、接着剤部72を形成することで得ることができる。
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
(実施例1〜4及び比較例1,2)
(接着剤Aの調製)
光硬化性化合物としてトリシクロデカンジメタノールジアクリレート(ダイセル・オルネクス社製「IRR−214K」)10重量部、2−エチルヘキシルアクリレート(日本触媒化学社製「L−A」)10重量部、光及び熱硬化性化合物として4−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル(日本化成社製「4HBAGE」)35重量部、熱硬化性化合物としてビスフェノールA型エポキシ樹脂(新日鐵住金化学社製「YD−127」)20重量部、熱硬化剤としてテルペン骨格を有する酸無水物(三菱化学社製「YH306」)20重量部及び光重合開始剤として2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1(BASF社製「IRGACURE369」)5重量部を均一に混合し、接着剤Aを得た。
(電子部品の作製)
実施例1,3及び比較例1,2では、塗布対象部材として、有機基板であるBGA基板(厚み0.3mm、市販のソルダーレジストが塗布されている、縦10mm×横10mmの半導体チップが置かれる場所が5行×16列で80か所設けられている)を用意した。実施例2,4では、塗布対象部材として、リードフレーム基板を用意した。実施例1〜4及び比較例2では、この塗布対象部材の接着剤が塗布される表面を、サムコ社製PC−300を用いて、アルゴン雰囲気下で、下記表1に示す条件にてプラズマを照射した。比較例1では、プラズマを照射しなかった。
上述した本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法に従って、図2(a)〜(c)に示す各工程を経て、接着剤部を形成した。上記接着剤を70℃で循環させながら、塗布する上記塗布工程と、上記第1の光照射工程(波長365nmを主波長とするUV−LEDランプ、波長365nmでの照度[照度計エレクトロニック インスツルメント アンド テクノロジー社製のUVIキュアプラス2で測定した値]が1500mW/cm)とを8回繰り返して(合計積算光量1000mJ/cm)、縦10×横10mmの大きさ、厚み30μmのBステージ化接着剤部を形成した。
その後、接着剤部上に、ダイボンド装置を用いて、半導体チップ(縦10mm×横10mm×厚み80μm)に見立てたシリコンベアチップを110℃で0.05MPaの条件で1秒間加圧して、積層体を得た。得られた積層体を160℃のオーブン内に入れ、3時間加熱することで、熱硬化させることにより、電子部品を得た。
(評価)
(接触角の測定)
上記接着剤をスピンコーターを用いて塗布し、厚み5μmの接着剤部を形成し、この接着剤部に、波長365nmでの照度[照度計エレクトロニック インスツルメント アンド テクノロジー社製のUVIキュアプラス2で測定した値]が100mW/cmで積算光量1000mJ/cmの光を照射して、接触角測定用Bステージ化接着剤部を得た。
25℃で塗布対象部材又はBステージ化接着剤部上に25℃の接着剤5μLの液滴を滴下した。KSVインスツルメント社の接触角測定装置「CAM200」を用いて、滴下してから1.0秒後の接触角を測定した。
塗布対象部材はサムコ社製PC−300を用いて表1の条件で、プラズマ(アルゴン下)処理を行った。
(表面の凹凸)
上述した電子部品の作製において、Bステージ化接着剤部を形成した後に、以下の評価を行った。
縦10×横10mmのBステージ化接着剤部の四角を2つの対角線で結んだ直線の交点を、Bステージ化接着剤部の中心部Aとする。Bステージ化接着剤部の中心部Aを通る縦方向の5mmの第1のライン(第1のラインの中央が中心部Aと一致する)上と、Bステージ化接着剤部の中心部Aを通る横方向の5mmの第2のライン(第2のラインの中央が中心部Aと一致する)上とで、レーザー顕微鏡(オリンパス社製「OLS4100」)を用いて、Bステージ化接着剤部の厚みを測定した。2つのライン上でのBステージ化接着剤部の最大厚みと、最小厚みとを求めた。なお、2つのラインが位置する塗布対象部材の表面の凹凸は、0.1μm以下であった。
Figure 0006514619
1…電子部品
1A…一次積層体
2…第1の電子部品本体
3…接着剤部
4…第2の電子部品本体
11,11X…インクジェット装置
12…接着剤部
12A…第1の光照射部により光が照射された接着剤部
12B…第2の光照射部により光が照射された接着剤部
13…第1の光照射部
14…第2の光照射部
21…インクタンク
22…吐出部
23,23X…循環流路部
23A…バッファタンク
23B…ポンプ
31…電子部品
32…多層の接着剤部(加熱後)
32A,32B,32C…接着剤部(加熱後)
51,71…半導体装置
52…積層構造体
53,53A…基板
53a…第1の接続端子
53b…第2の接続端子
54,61,72…接着剤部
55…第2の半導体ウェハ
55a,73a…接続端子
56,63,74…配線
62,73…第1の半導体ウェハ
62a…接続端子

Claims (13)

  1. 塗布対象部材上に、インクジェット装置を用いて、接着剤を塗布して光の照射により前記接着剤の硬化を進行させて、Bステージ化接着剤部を形成する工程と、
    前記Bステージ化接着剤部の前記塗布対象部材側とは反対の表面上に、電子部品本体を積層する工程と、
    前記電子部品本体の積層後に、前記Bステージ化接着剤部を熱硬化させる工程とを備え、
    前記接着剤をスピンコーターを用いて塗布し、厚み5μmの接着剤部を形成し、該接着剤部に波長365nmでの照度が100mW/cmで積算光量1000mJ/cmの光を照射して、接触角測定用Bステージ化接着剤部を得たときに、かつ、前記塗布対象部材と前記接着剤との25℃での接触角を接触角αとし、前記接触角測定用Bステージ化接着剤部と前記接着剤との25℃での接触角を接触角βとしたときに、
    前記接触角αを5°以上、50°以下にし、
    前記接触角αと前記接触角βとの差の絶対値を0.1°以上、15°以下にする、電子部品の製造方法。
  2. 前記塗布対象部材が、銅又はソルダーレジスト膜を表面に有する半導体素子搭載用の支持部材であるか、又は半導体素子である、請求項1に記載の電子部品の製造方法。
  3. 前記支持部材が、有機基板又はリードフレームである、請求項2に記載の電子部品の製造方法。
  4. 前記塗布対象部材としてプラズマが照射されている塗布対象部材を用いるか、又は、前記塗布対象部材又は前記Bステージ化接着剤部にプラズマを照射する工程を備える、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
  5. 半導体ウェハを表面に有する塗布対象部材上に、インクジェット装置を用いて、接着剤を塗布して、光の照射により前記接着剤の硬化を進行させて、Bステージ化接着剤部を形成する工程と、
    前記Bステージ化接着剤部の前記半導体ウェハ側とは反対の表面上に、カバーガラスを積層して、積層体を得る工程と、
    前記積層体における前記Bステージ化接着剤部を熱硬化させる工程と、
    熱硬化後に前記積層体を切断する工程とを備え、
    前記接着剤をスピンコーターを用いて塗布し、厚み5μmの接着剤部を形成し、該接着剤部に波長365nmでの照度が100mW/cmで積算光量1000mJ/cmの光を照射して、接触角測定用Bステージ化接着剤部を得たときに、かつ、前記塗布対象部材と前記接着剤との25℃での接触角を接触角αとし、前記接触角測定用Bステージ化接着剤部と前記接着剤との25℃での接触角を接触角βとしたときに、
    前記接触角αを5°以上、50°以下にし、
    前記接触角αと前記接触角βとの差の絶対値を0.1°以上、15°以下にする、電子部品の製造方法。
  6. 前記接着剤は、光硬化性化合物と、光ラジカル開始剤と、環状エーテル基を1個以上有する熱硬化性化合物と、熱硬化剤を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
  7. 前記光硬化性化合物が、(メタ)アクリロイル基を1個以上有する光硬化性化合物を含む、請求項6に記載の電子部品の製造方法。
  8. 前記光硬化性化合物が、(メタ)アクリロイル基を1個有する第1の光硬化性化合物と、(メタ)アクリロイル基を2個以上有する第2の光硬化性化合物とを含む、請求項7に記載の電子部品の製造方法。
  9. 及び熱硬化性化合物を含まないか又は含み、
    前記接着剤が前記光及び熱硬化性化合物を含まない場合には、前記光硬化性化合物の全体100重量%中、前記第1の光硬化性化合物の含有量が70重量%以上、99.9重量%以下であり、前記第2の光硬化性化合物の含有量が0.1重量%以上、30重量%以下であり、
    前記接着剤が前記光及び熱硬化性化合物を含む場合には、前記光硬化性化合物の全体と前記光及び熱硬化性化合物との合計100重量%中、前記第1の光硬化性化合物の含有量が70重量%以上、99.9重量%以下であり、前記第2の光硬化性化合物の含有量が0.1重量%以上、30重量%以下である、請求項に記載の電子部品の製造方法。
  10. 前記光硬化性化合物が、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートを含む、請求項6〜9のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
  11. 前記接着剤が、光及び熱硬化性化合物を含む、請求項1〜10のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
  12. 前記光及び熱硬化性化合物が、(メタ)アクリロイル基を1個以上有し、かつ環状エーテル基を1個以上有する光及び熱硬化性化合物を含む、請求項11に記載の電子部品の製造方法。
  13. 前記光及び熱硬化性化合物が、4−ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテルを含む、請求項11又は12に記載の電子部品の製造方法。
JP2015195403A 2015-09-30 2015-09-30 電子部品の製造方法 Active JP6514619B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015195403A JP6514619B2 (ja) 2015-09-30 2015-09-30 電子部品の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015195403A JP6514619B2 (ja) 2015-09-30 2015-09-30 電子部品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017069465A JP2017069465A (ja) 2017-04-06
JP6514619B2 true JP6514619B2 (ja) 2019-05-15

Family

ID=58492849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015195403A Active JP6514619B2 (ja) 2015-09-30 2015-09-30 電子部品の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6514619B2 (ja)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5044878B2 (ja) * 2001-09-19 2012-10-10 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2009111340A (ja) * 2007-10-11 2009-05-21 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤付きウエハ、接着剤組成物及び接着剤付きウエハの製造方法
JP2009177003A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Kyocera Chemical Corp 接着剤組成物、並びに、半導体装置およびその製造方法
JP2012049175A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2012069893A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Sekisui Chem Co Ltd 半導体チップの実装方法
KR101653936B1 (ko) * 2013-11-19 2016-09-02 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017069465A (ja) 2017-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10961411B2 (en) Inkjet adhesive, manufacturing method for semiconductor device, and electronic component
JP7007334B2 (ja) インクジェット用光及び熱硬化性接着剤、半導体装置の製造方法及び電子部品
JP6391545B2 (ja) インクジェット用接着剤、半導体装置の製造方法及び電子部品
JP6329102B2 (ja) インクジェット用組成物、半導体装置の製造方法、電子部品及び電子部品の製造方法
JP6514619B2 (ja) 電子部品の製造方法
WO2022220289A1 (ja) インクジェット用及びエアキャビティ形成用硬化性組成物、電子部品、及び電子部品の製造方法
JP6391543B2 (ja) 電子部品の製造方法
WO2024080336A1 (ja) インクジェット用及びエアキャビティ形成用硬化性組成物、及び電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180420

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190306

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190319

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190412

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6514619

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151