JP5815142B1 - 電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

硬化した接着剤層を高精度にかつ容易に形成することができる電子部品の製造方法を提供する。本発明に係る硬化性膜電子部品１の製造方法は、インクジェット装置１１を用いて、第１の電子部品本体２上に、接着剤を塗布して、接着剤層１２を形成する塗布工程と、第１の光照射部１３から接着剤層１２Ａに光を照射する第１の光照射工程と、光が照射された接着剤層１２Ｂ上に、第２の電子部品本体４を配置して、貼り合わせる貼合工程と、加熱により接着剤層１２Ｂを硬化させて、電子部品１を得る工程とを備え、インクジェット装置１１が、上記接着剤が貯留されるインクタンクと吐出部と循環流路部とを有し、上記塗布工程において、インクジェット装置１１内で、上記接着剤を循環させながら、塗布する。

Description

本発明は、光硬化性及び熱硬化性を有する接着剤を用いて、２つの電子部品本体を接着する電子部品の製造方法に関する。また、本発明は、上記電子部品の製造方法により得られる電子部品に関する。

基板上に半導体チップが硬化物層を介して積層された半導体装置が知られている。また、複数の半導体チップが、硬化物層を介して積層された半導体装置が広く知られている。

上記半導体装置は、半導体チップの下面に硬化性組成物層（接着剤層）を積層した状態で、基板又は半導体チップ上に、硬化性組成物層付き半導体チップを、硬化性組成物層側から積層し、かつ硬化性組成物層を硬化させることにより製造されている。このような半導体装置の製造方法の一例は、例えば、下記の特許文献１に開示されている。

また、半導体装置は、例えば、基板又は半導体チップ上に、ディスペンサー又はスクリーン印刷などにより硬化性組成物を塗布して硬化性組成物層を形成した後、硬化性組成物層上に半導体チップを積層し、かつ硬化性組成物層を硬化させることにより形成されることもある。

ＷＯ２０１１／０５８９９６Ａ１

上述した従来の半導体装置の製造方法では、タクトタイムが長くなり、半導体装置を効率的に製造することができない。さらに、厚み精度が低くなりやすく、接着剤層のはみ出しが発生したり、平坦性が得られないためボイドが発生したりすることがある。従って、半導体装置における各層間の接着信頼性が低くなることがある。

特に、ディスペンサー又はスクリーン印刷などにより硬化性組成物を塗布する製造方法では、均一な厚みで硬化剤組成物を塗布することが困難であるという問題がある。

本発明の目的は、硬化した接着剤層を高精度にかつ容易に形成することができる電子部品の製造方法を提供することである。また、本発明は、上記電子部品の製造方法により得られる電子部品を提供することも目的とする。

本発明の広い局面によれば、インクジェット装置を用いて、第１の電子部品本体上に、光硬化性及び熱硬化性を有しかつ液状である接着剤を塗布して、接着剤層を形成する塗布工程と、前記塗布工程後に、第１の光照射部から前記接着剤層に光を照射して、前記接着剤層の硬化を進行させる第１の光照射工程と、前記第１の光照射工程後に、光が照射された前記接着剤層上に、第２の電子部品本体を配置して、前記第１の電子部品本体と前記第２の電子部品本体とを、光が照射された前記接着剤層を介して、圧力を付与して貼り合わせて、一次積層体を得る貼合工程と、前記貼合工程後に、前記一次積層体を加熱して、前記第１の電子部品本体と前記第２の電子部品本体との間の前記接着剤層を硬化させて、電子部品を得る加熱工程とを備え、前記インクジェット装置が、前記接着剤が貯留されるインクタンクと、前記インクタンクと接続されておりかつ前記接着剤が吐出される吐出部と、一端が前記吐出部に接続されており、他端が前記インクタンクに接続されており、かつ内部を前記接着剤が流れる循環流路部とを有し、前記塗布工程において、前記インクジェット装置内で、前記接着剤を前記インクタンクから前記吐出部に移動させた後に、前記吐出部から吐出されなかった前記接着剤を、前記循環流路部内を流して前記インクタンクに移動させることにより、前記接着剤を循環させながら、塗布する、電子部品の製造方法が提供される。

本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記電子部品の製造方法は、前記第１の光照射工程後かつ前記貼合工程前に、前記第１の光照射部とは別の第２の光照射部から、前記第１の光照射部から光が照射された前記接着剤に光を照射して、前記接着剤の硬化をさらに進行させる第２の光照射工程を備える。

本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記循環流路部が、前記循環流路部内に、前記接着剤が仮貯留されるバッファタンクを含む。

本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、循環されている前記接着剤の温度が４０℃以上、１００℃以下である。

本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記インクジェット装置がピエゾ方式のインクジェットヘッドを用いるインクジェット装置であり、前記塗布工程において、ピエゾ素子の作用によって、前記接着剤を塗布する。

本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記貼合工程において、貼り合わせ時に付与する圧力が０．０１ＭＰａ以上、１０ＭＰａ以下である。

本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記貼合工程において、貼り合わせ時の温度が３０℃以上、１８０℃以下である。

本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記接着剤の吐出時の粘度が３ｍＰａ・ｓ以上、２０００ｍＰａ・ｓ以下である。

本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記接着剤が、光硬化性化合物と、熱硬化性化合物と、光重合開始剤と、熱硬化剤とを含む。本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記接着剤が、前記光硬化性化合物と、光及び熱硬化性化合物と、前記熱硬化性化合物と、前記光重合開始剤と、前記熱硬化剤とを含む。

本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記光硬化性化合物が、（メタ）アクリロイル基を有し、前記光及び熱硬化性化合物が、（メタ）アクリロイル基と環状エーテル基とを有し、前記熱硬化性化合物が、環状エーテル基を有する。

本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記接着剤が、前記光硬化性化合物として、（メタ）アクリロイル基を１個有する単官能化合物と、（メタ）アクリロイル基を２個以上有する多官能化合物とを含む。

本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記接着剤１００重量％中、前記光硬化性化合物と前記光及び熱硬化性化合物との合計の含有量が１０重量％以上、８０重量％以下である。

本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記第１の電子部品本体が、回路基板又はダイシング後の半導体ウェハであり、他の特定の局面では、前記第２の電子部品本体が、ダイシング後の半導体ウェハである。

本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、半導体装置用電子部品を得る。

本発明の広い局面によれば、上述した電子部品の製造方法により得られる電子部品が提供される。

本発明に係る電子部品の製造方法は、インクジェット装置を用いて、光硬化性及び熱硬化性を有しかつ液状である接着剤を塗布する塗布工程後に、上述した第１の光照射工程と上述した貼合工程と上述した加熱工程とを行うので、更に、上記インクジェット装置が、上記インクタンクと上記吐出部と上記循環流路部とを有し、上記塗布工程において、上記インクジェット装置内で、上記接着剤を上記インクタンクから上記吐出部に移動させた後に、上記吐出部から吐出されなかった上記接着剤を、上記循環流路部内を流して上記インクタンクに移動させることにより、上記接着剤を循環させながら、塗布するので、硬化した接着剤層を高精度にかつ容易に形成することができる。

図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法の各工程を説明するための断面図である。 図２は、本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法により得られる電子部品を模式的に示す正面断面図である。 図３は、本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法において用いられるインクジェット装置の一例を示す概略構成図である。 図４は、本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法において用いられるインクジェット装置の他の例を示す概略構成図である。 図５は、本発明の他の実施形態に係る電子部品の製造方法により得られる電子部品を模式的に示す正面断面図である。 図６は、本発明に係る電子部品の製造方法により得られる電子部品の第１の変形例を模式的に示す正面断面図である。 図７は、本発明に係る電子部品の製造方法により得られる電子部品の第２の変形例を模式的に示す正面断面図である。

以下、本発明を詳細に説明する。

本発明に係る電子部品の製造方法は、第１の電子部品本体上に、光硬化性及び熱硬化性を有しかつ液状である接着剤を塗布して、接着剤層を形成する塗布工程を備える。また、本発明に係る電子部品の製造方法は、上記塗布工程後に、第１の光照射部から上記接着剤層に光を照射して、上記接着剤層の硬化を進行させる第１の光照射工程を備える。さらに、本発明に係る電子部品の製造方法は、上記第１の光照射工程後に、光が照射された上記接着剤層上に、第２の電子部品本体を配置して、上記第１の電子部品本体と上記第２の電子部品本体とを、光が照射された上記接着剤層を介して、圧力を付与して貼り合わせて、一次積層体を得る貼合工程を備える。さらに、本発明に係る電子部品の製造方法は、上記貼合工程後に、上記一次積層体を加熱して、上記第１の電子部品本体と上記第２の電子部品本体との間の上記接着剤層を硬化させて、電子部品を得る加熱工程をさらに備える。上記加熱工程により硬化した接着剤層が形成される。

また、本発明に係る電子部品の製造方法では、上記インクジェット装置が、上記接着剤が貯留されるインクタンクと、上記インクタンクと接続されておりかつ上記接着剤が吐出される吐出部と、一端が上記吐出部に接続されており、他端が上記インクタンクに接続されており、かつ内部を上記接着剤が流れる循環流路部とを有する。

本発明に係る電子部品の製造方法では、上記塗布工程において、上記インクジェット装置内で、上記接着剤を上記インクタンクから上記吐出部に移動させた後に、上記吐出部から吐出されなかった上記接着剤を、上記循環流路部内を流して上記インクタンクに移動させることにより、上記接着剤を循環させながら、塗布する。

本発明では、特定の上記塗布工程、特定の上記第１の光照射工程、特定の上記貼合工程及び特定の上記加熱工程が行われるため、更に、特定の上記インクジェット装置を用いて、上記インクジェット装置内で、上記接着剤を上記インクタンクから上記吐出部に移動させた後に、上記吐出部から吐出されなかった上記接着剤を、上記循環流路部内を流して上記インクタンクに移動させることにより、上記接着剤を循環させながら、塗布するので、硬化した接着剤層を高精度にかつ容易に形成することができる。本発明の効果を得るために、上記接着剤を循環させながら、塗布することには大きな意味がある。

また、本発明では、厚みの厚い接着剤層を高精度に形成することができる。また、本発明では、多層化された接着剤層であっても、微細かつ高精度に形成することができる。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。

図２は、本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法により得られる電子部品を示す断面図である。

図２に示す電子部品１は、第１の電子部品本体２と、第１の電子部品本体２の表面上に配置された接着剤層３と、接着剤層３の表面上に配置された第２の電子部品本体４とを備える。第２の電子部品本体４は、接着剤層３の第１の電子部品本体２側とは反対側に配置されている。接着剤層３の第１の表面上に、第１の電子部品本体２が配置されている。接着剤層３の第１の表面とは反対側の第２の表面上に、第２の電子部品本体４が配置されている。接着剤層３は加熱後の接着剤層であり、硬化した接着剤層である。

上記電子部品本体としては、具体的には、半導体ウェハ、ダイシング後の半導体ウェハ（分割された半導体ウェハ、半導体チップ）、カバーガラス、コンデンサ、ダイオード、プリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等が挙げられる。

高精度に形成された接着剤層が特に求められることから、上記電子部品本体は、回路基板、カバーガラス、半導体ウェハ又は、ダイシング後の半導体ウェハであることが好ましい。

高精度に形成された接着剤層が特に求められることから、上記第１の電子部品本体が、回路基板又はダイシング後の半導体ウェハであることが好ましい。高精度に形成された接着剤層が特に求められることから、上記第２の電子部品本体が、ダイシング後の半導体ウェハであることが好ましい。

高精度に形成された接着剤層が特に求められることから、上記第１の電子部品本体が回路基板又はダイシング後の半導体ウェハであり、かつ上記第２の電子部品本体が、ダイシング後の半導体ウェハであることが好ましく、更に、上記第１の電子部品本体が回路基板であり、かつ上記第２の電子部品本体が、ダイシング後の半導体ウェハであることがより好ましい。上記電子部品は半導体装置用電子部品であることが好ましい。

以下の本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法について説明する。

先ず、図１（ａ）に示すように、第１の電子部品本体２上に、インクジェット装置１１を用いて、光硬化性及び熱硬化性を有しかつ液状である接着剤を塗布して、接着剤層１２を形成する（塗布工程）。ここでは、第１の電子部品本体２の表面上に、全体に、接着剤を塗布している。塗布後、接着剤の液滴が互いに混ざり合い、図１（ｂ）に示す状態の接着剤層１２になる。

図３に示すように、インクジェット装置１１は内部に、インクタンク２１と、吐出部２２と、循環流路部２３とを有する。

循環流路部２３は、循環流路部２３内に、バッファタンク２３Ａとポンプ２３Ｂとを有する。但し、図４に示すインクジェット装置１１Ｘのように、循環流路部２３Ｘは、循環流路部２３Ｘ内に、バッファタンクとポンプとを有していなくてもよい。上記循環流路部は、上記循環流路部内に、上記バッファタンクを有することが好ましく、上記ポンプを有することが好ましい。また、上記循環流路部は、上記循環流路部内に、バッファタンク及びポンプの他に、流速計、温度計、フィルター、液面センサー等を有していてもよい。

インクタンク２１には、上記接着剤が貯留されている。吐出部２２（インクジェットヘッド）から、上記接着剤が吐出される。吐出部２２は吐出ノズルを含む。インクタンク２１に、吐出部２２が接続されている。インクタンク２１と吐出部２２とは流路を介して接続されている。循環流路部２３の一端は吐出部２２に接続されており、他端はインクタンク２１に接続されている。循環流路部２３の内部を、上記接着剤が流れる。

バッファタンク２３Ａ又はポンプ２３Ｂが備えられる場合には、バッファタンク２３Ａ及びポンプ２３Ｂはそれぞれ、吐出部２２とインクタンク２１との間に配置されることが好ましい。バッファタンク２３Ａはポンプ２３Ｂよりも吐出部２２側に配置されている。ポンプ２３Ｂは、バッファタンク２３Ａよりもインクタンク２１側に配置されている。バッファタンク２３Ａには、上記接着剤が仮貯留される。

上記吐出部としては、サーマル方式、バブル噴射方式、電磁バルブ方式又はピエゾ方式のインクジェットヘッド等が挙げられる。また、上記吐出部内の循環流路部としては、共通循環流路（マニフォールド）から吐出ノズルへ分岐しているエンドシュータータイプや吐出ノズルをインクが循環するサイドシュータータイプが挙げられる。接着剤の吐出性を高めて、微細な接着剤層の形成精度をより一層高める観点からは、上記インクジェット装置がピエゾ方式のインクジェットヘッドを用いるインクジェット装置であり、上記塗布工程において、ピエゾ素子の作用によって、上記接着剤を塗布することが好ましい。

上記接着剤の循環方法に関しては、インクの自重を利用したり、ポンプ等を利用して加圧、減圧等を行い循環したりすることが可能である。これらは複数組み合わせて用いてもよい。ポンプとしてはシリンダ方式の無脈動ポンプ、プロペラポンプ、ギヤポンプ及びダイヤフラムポンプ等が挙げられる。循環効率を高めて、微細な接着剤層の形成精度をより一層高める観点からは、上記循環流路部は、上記循環流路部内に上記接着剤を移送させるポンプを含むことが好ましい。

上記吐出部の吐出ノズルにおいては、適切な圧力に保ちかつ、その範囲内で圧力変動（脈動）が少ないことが好ましい。ポンプ等を使用する場合にはポンプの脈動を抑えるために、ポンプと上記吐出部との間に減衰器を設けることが好ましい。このような減衰器としては、上記接着剤が仮貯留されるバッファタンクや膜式のダンパ等が挙げられる。

硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記循環流路部は、上記循環流路部内に、上記接着剤が仮貯留されるバッファタンクを含むことが好ましい。

上記接着剤を加熱しながら循環させる場合には、インクタンク２１内に加熱ヒーターを導入したり、循環流路部２３，２３Ｘに加熱ヒーターを用いたりすることで、上記接着剤の温度を調節することが可能である。

上記の塗布工程において、インクジェット装置１１内で、上記接着剤をインクタンク２１から吐出部２２に移動させた後に、吐出部２２から吐出されなかった上記接着剤を、循環流路部２３内を流してインクタンク２１に移動させる。それによって、上記の塗布工程において、上記接着剤を循環させながら、塗布する。

次に、図１（ｂ），（ｃ）に示すように、上記の塗布工程後に、第１の光照射部１３から接着剤層１２に光を照射して、接着剤層１２の硬化を進行させる（第１の光照射工程）。それによって、第１の光照射部１３により光が照射された接着剤層１２Ａが形成される。接着剤層１２Ａは、予備硬化物である。後述する第２の光照射部１４から光が照射される場合、第１の光照射部１３から照射される光の波長や照射強度と、後述する第２の光照射部１４から照射される光の波長や照射強度とが同じでも異なっていてもよい。接着剤層の硬化性をより一層高める観点からは、第２の光照射部１４から照射される照射強度が第１の光照射部１３から照射される光の照射強度より強い方が好ましい。光硬化性化合物と、光及び熱硬化性化合物とを用いる場合に、光硬化性を制御するために、上記第１の光照射工程と、後述する第２の光照射工程とを行うことが好ましい。

なお、「第１の光照射部１３から接着剤層１２に光を照射して、接着剤層１２の硬化を進行させる」には、反応を進行させて増粘状態にすることも含まれる。

光照射を行う装置としては特に限定されず、紫外線を発生する発光ダイオード（ＵＶ−ＬＥＤ）、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、及び超高圧水銀ランプ等が挙げられる。接着剤層の形成精度をより一層高める観点からは、特に第１の光照射部に、ＵＶ−ＬＥＤを用いることが好ましい。

次に、図１（ｃ），（ｄ）に示すように、上記の第１の光照射工程後に、第１の光照射部１３とは別の第２の光照射部１４から、第１の光照射部１３から光が照射された接着剤層１２Ａに光を照射して、接着剤層１２Ａの硬化をさらに進行させる（第２の光照射工程）。それによって、第２の光照射部１４により光が照射された接着剤層１２Ｂが形成される。接着剤層１２Ｂは、予備硬化物である。

上記の第２の光照射工程は、後述する貼合工程前に行われることが好ましく、加熱工程前に行われることが好ましい。硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記第２の光照射工程が行われることが好ましい。但し、上記第２の光照射工程は必ずしも行われる必要はなく、上記第１の光照射工程後に、上記第２の光照射工程を行わずに、後述する貼合工程が行われてもよい。

次に、図１（ｄ），（ｅ）に示すように、上記の第２の光照射工程後に、光が照射された接着剤層１２Ｂ上に、第２の電子部品本体４を配置して、第１の電子部品本体２と第２の電子部品本体４とを、光が照射された接着剤層１２Ｂを介して、圧力を付与して貼り合わせて、一次積層体１Ａを得る（貼合工程）。なお、上記第１の光照射工程後に、上記第２の光照射工程を行わない場合には、光が照射された接着剤層１２Ａ上に、第２の電子部品本体４を配置して、第１の電子部品本体２と第２の電子部品本体４とを、光が照射された接着剤層１２Ａを介して、圧力を付与して貼り合わせて、一次積層体を得る（貼合工程）。

次に、上記の貼合工程後に、一次積層体１Ａを加熱して、第１の電子部品本体２と第２の電子部品本体４との間の接着剤層１２Ｂを硬化させて、電子部品を得る（加熱工程）。このようにして、図２に示す電子部品１を得ることができる。

なお、上記塗布工程と上記第１の光照射工程とを繰り返すことで、接着剤層を多層化して、多層の接着剤層を形成してもよい。図５に示すように、複数の接着剤層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃが積層された接着剤層３２を備える電子部品３１を得てもよい。

上記の電子部品の製造方法において、接着剤の吐出性及び移送性を高めて、硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、循環されている上記接着剤の温度は好ましくは３０℃以上、より好ましくは４０℃以上、好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下である。

接着剤の吐出性を高めて、硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記接着剤の吐出時の粘度は好ましくは３ｍＰａ・ｓ以上、より好ましくは５ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは２０００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは１５００ｍＰａ・ｓ以下である。

上記粘度は、ＪＩＳ Ｋ２２８３に準拠して、Ｅ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）を用いて、吐出時の温度で測定される。

硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記貼合工程において、貼り合わせ時に付与する圧力は好ましくは０．０１ＭＰａ以上、より好ましくは０．０５ＭＰａ以上、好ましくは１０ＭＰａ以下、より好ましくは８ＭＰａ以下である。

硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記貼合工程において、貼り合わせ時の温度は好ましくは３０℃以上、より好ましくは４０℃以上、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１５０℃以下である。

上記接着剤は、光硬化性及び熱硬化性を有する。上記接着剤は、光硬化性成分と熱硬化性成分とを含む。上記接着剤は、光硬化性化合物（光の照射により硬化可能な硬化性化合物）と、熱硬化性化合物（加熱により硬化可能な硬化性化合物）と、光重合開始剤と、熱硬化剤とを含むことが好ましい。上記接着剤は、光硬化性化合物と、光及び熱硬化性化合物（光の照射及び加熱の双方により硬化可能な硬化性化合物）と、熱硬化性化合物と、光重合開始剤と、熱硬化剤とを含むことが好ましい。上記接着剤は、硬化促進剤を含むことが好ましい。

以下、上記接着剤に含まれる各成分の詳細を説明する。

（硬化性化合物）
（光硬化性化合物）
上記光硬化性化合物としては、（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物、ビニル基を有する硬化性化合物及びマレイミド基を有する硬化性化合物等が挙げられる。硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記光硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基（１個以上）を有することが好ましい。上記光硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

本明細書では、上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、メタクリロイル基及びアクリロイル基の内少なくとも一方を有する化合物を意味する。

上記光硬化性化合物として、光反応性基を２個以上有する多官能化合物（Ａ１）を用いてもよく、光反応性基を１個有する単官能化合物（Ａ２）を用いてもよい。

硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記接着剤が、上記光硬化性化合物として、（メタ）アクリロイル基を１個有する単官能化合物（Ａ２）と、（メタ）アクリロイル基を２個以上有する多官能化合物（Ａ１）とを含むことが好ましい。

上記多官能化合物（Ａ１）としては、多価アルコールの（メタ）アクリル酸付加物、多価アルコールのアルキレンオキサイド変性物の（メタ）アクリル酸付加物、ウレタン（メタ）アクリレート類、及びポリエステル（メタ）アクリレート類等が挙げられる。上記多価アルコールとしては、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、トリメチロールプロパン、シクロヘキサンジメタノール、トリシクロデカンジメタノール、ビスフェノールＡのアルキレンオキシド付加物、及びペンタエリスリトール等が挙げられる。

上記多官能化合物（Ａ１）の具体例としては、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、イソボルニルジメタノールジ（メタ）アクリレート及びジシクロペンテニルジメタノールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。なかでも、硬化物の耐湿熱性をより一層高める観点からは、上記多官能化合物（Ａ１）は、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレートであることが好ましい。

上記「（メタ）アクリレート」の用語は、アクリレート又はメタクリレートを示す。上記「（メタ）アクリル」の用語は、アクリル又はメタクリルを示す。

上記多官能化合物（Ａ１）は、多環骨格を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を２個以上有する多官能化合物（Ａ１）であることが好ましい。多官能化合物（Ａ１）の使用により、上記接着剤の硬化物の耐湿熱性を高くすることができる。従って、電子部品の信頼性を高めることができる。

上記多官能化合物（Ａ１）は、多環骨格を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を２個以上有すれば特に限定されない。多官能化合物（Ａ１）として、多環骨格を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を２個以上有する従来公知の多官能化合物を用いることができる。上記多官能化合物（Ａ１）は、（メタ）アクリロイル基を２個以上有するため、光の照射により重合が進行し、硬化する。上記多官能化合物（Ａ１）は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記多官能化合物（Ａ１）の具体例としては、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、イソボルニルジメタノールジ（メタ）アクリレート及びジシクロペンテニルジメタノールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。なかでも、硬化物の耐湿熱性をより一層高める観点からは、上記多官能化合物（Ａ１）は、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレートであることが好ましい。

上記多官能化合物（Ａ１）及び後述する単官能化合物（Ａ２）における上記「多環骨格」とは、複数の環状骨格を連続して有する構造を示す。多官能化合物（Ａ１）及び単官能化合物（Ａ２）における上記多環骨格としてはそれぞれ、多環脂環式骨格及び多環芳香族骨格等が挙げられる。

上記多環脂環式骨格としては、ビシクロアルカン骨格、トリシクロアルカン骨格、テトラシクロアルカン骨格及びイソボルニル骨格等が挙げられる。

上記多環芳香族骨格としては、ナフタレン環骨格、アントラセン環骨格、フェナントレン環骨格、テトラセン環骨格、クリセン環骨格、トリフェニレン環骨格、テトラフェン環骨格、ピレン環骨格、ペンタセン環骨格、ピセン環骨格及びペリレン環骨格等が挙げられる。

上記単官能化合物（Ａ２）の具体例としては、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジヒドロキシシクロペンタジエニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート及びナフチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。なかでも、硬化物の耐湿熱性をより一層高める観点からは、上記単官能化合物（Ａ２）は、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジヒドロキシシクロペンタジエニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート及びジシクロペンタニル（メタ）アクリレートからなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。

上記ビニル基を有する化合物としてはビニルエーテル類、エチレン誘導体、スチレン、クロロメチルスチレン、α−メチルスチレン、無水マレイン酸、ジシクロペンタジエン、Ｎ−ビニルピロリドン及びＮ−ビニルホルムアミド等が挙げられる。

上記マレイミド基を有する化合物としては、特に限定されず例えば、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−オクチルマレイミド、Ｎ−ドデシルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−カルボキシフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−ヒドロキシフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−クロロフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−トリルマレイミド、Ｎ−ｐ−キシリルマレイミド、Ｎ−ｏ−クロロフェニルマレイミド、Ｎ−ｏ−トリルマレイミド、Ｎ−ベンジルマレイミド、Ｎ−２，５−ジエチルフェニルマレイミド、Ｎ−２，５−ジメチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｍ−トリルマレイミド、Ｎ−α−ナフチルマレイミド、Ｎ−ｏ−キシリルマレイミド、Ｎ−ｍ−キシリルマレイミド、ビスマレイミドメタン、１，２−ビスマレイミドエタン、１，６−ビスマレイミドヘキサン、ビスマレイミドドデカン、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレンジマレイミド、４，４’−ビスマレイミドジフェニルエーテル、４，４’−ビスマレイミドジフェニルメタン、４，４’−ビスマレイミド−ジ（３−メチルフェニル）メタン、４，４’−ビスマレイミド−ジ（３−エチルフェニル）メタン、４，４’−ビスマレイミド−ジ（３−メチル−５−エチル−フェニル）メタン、Ｎ，Ｎ’−（２，２−ビス−（４−フェノキシフェニル）プロパン）ジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−２，４−トリレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−２，６−トリレンジマレイミド、及びＮ，Ｎ’−ｍ−キシリレンジマレイミド等が挙げられる。

絶縁信頼性や接着信頼性をより一層高める観点から、上記光硬化性化合物は、ジシクロペンタジエン骨格を有することが好ましい。

硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記接着剤１００重量％中、上記光硬化性化合物の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。

（光及び熱硬化性化合物）
上記光及び熱硬化性化合物としては、各種の光硬化性官能基と各種の熱硬化性官能基とを有する化合物が挙げられる。硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記光及び熱硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基と環状エーテル基とを有することが好ましく、（メタ）アクリロイル基とエポキシ基とを有することが好ましい。上記光及び熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記光及び熱硬化性化合物としては、特に限定されないが、（メタ）アクリロイル基とエポキシ基を有する化合物、エポキシ化合物の部分（メタ）アクリル化物、ウレタン変性（メタ）アクリルエポキシ化合物等が挙げられる。

上記（メタ）アクリロイル基とエポキシ基を有する化合物としては、グリシジル（メタ）アクリレート、及び４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートグリシジルエーテル等が挙げられる。

上記エポキシ化合物の部分（メタ）アクリル化物としては、エポキシ化合物と（メタ）アクリル酸とを、常法に従って触媒の存在下で反応させることにより得られる。上記エポキシ化合物の部分（メタ）アクリル化物に用いることができるエポキシ化合物としては、ノボラック型エポキシ化合物及びビスフェノール型エポキシ化合物等が挙げられる。上記ノボラック型エポキシ化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、トリスフェノールノボラック型エポキシ化合物、及びジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、２，２’−ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ化合物、水添ビスフェノール型エポキシ化合物、及びポリオキシプロピレンビスフェノールＡ型エポキシ化合物等が挙げられる。エポキシ化合物と（メタ）アクリル酸との配合量を適宜変更することにより、所望のアクリル化率のエポキシ化合物を得ることが可能である。エポキシ基１当量に対してカルボン酸の配合量は、好ましくは０．１当量以上、より好ましくは０．２当量以上、好ましくは０．７当量以下、より好ましくは０．５当量以下である。

上記ウレタン変性（メタ）アクリルエポキシ化合物は、例えば、以下の方法によって得られる。ポリオールと２官能以上のイソシアネートを反応させ、さらに残りのイソシアネート基に、酸基を有する（メタ）アクリルモノマー及びグリシドールを反応させる。または、ポリオールを用いず、２官能以上のイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリルモノマーとグリシドールとを反応させてもよい。または、イソシアネート基を有する（メタ）アクリレートモノマーにグリシドールを反応させても、上記ウレタン変性（メタ）アクリルエポキシ化合物が得られる。具体的には、例えば、まず、トリメチロールプロパン１モルとイソホロンジイソシアネート３モルとを錫系触媒下で反応させる。得られた化合物中に残るイソシアネート基と、水酸基を有するアクリルモノマーであるヒドロキシエチルアクリレート、及び水酸基を有するエポキシであるグリシドールを反応させることにより、上記ウレタン変性（メタ）アクリルエポキシ化合物が得られる。

上記ポリオールとしては、特に限定されず、例えば、エチレングリコール、グリセリン、ソルビトール、トリメチロールプロパン、及び（ポリ）プロピレングリコール等が挙げられる。

上記イソシアネートは、２官能以上であれば、特に限定されない。上記イソシアネートとしては、例えば、イソホロンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート（ＭＤＩ）、水添ＭＤＩ、ポリメリックＭＤＩ、１，５−ナフタレンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシネート、トリジンジイソシアネート、キシリレンジイオシアネート（ＸＤＩ）、水添ＸＤＩ、リジンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、トリス（イソシアネートフェニル）チオフォスフェート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、及び１，６，１０−ウンデカントリイソシアネート等が挙げられる。

硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記接着剤１００重量％中、上記光及び熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１重量％以上、好ましくは６０重量％以下、より好ましくは５０重量％以下である。

硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記接着剤１００重量％中、上記光硬化性化合物と上記光及び熱硬化性化合物との合計の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。

（熱硬化性化合物）
上記熱硬化性化合物としては、環状エーテル基を有する熱硬化性化合物、及びチイラン基を有する熱硬化性化合物等が挙げられる。硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記熱硬化性化合物は、環状エーテル基を有する熱硬化性化合物であることが好ましく、エポキシ基を有する熱硬化性化合物（エポキシ化合物）であることがより好ましい。上記熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記エポキシ化合物としては特に限定されず、例えば、ノボラック型エポキシ化合物及びビスフェノール型エポキシ化合物等が挙げられる。上記ノボラック型エポキシ化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、トリスフェノールノボラック型エポキシ化合物、及びジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ化合物等が挙げられる。上記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、２，２’−ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ化合物、水添ビスフェノール型エポキシ化合物、及びポリオキシプロピレンビスフェノールＡ型エポキシ化合物等が挙げられる。また、上記エポキシ化合物としては、その他に、環式脂肪族エポキシ化合物、及びグリシジルアミン等も挙げられる。

硬化した接着剤層をより一層高精度に形成する観点からは、上記接着剤１００重量％中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。

（光重合開始剤）
上記光重合開始剤としては、光ラジカル重合開始剤及び光カチオン重合開始剤等が挙げられる。上記光重合開始剤は、光ラジカル重合開始剤であることが好ましい。上記光重合開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記光ラジカル重合開始剤は特に限定されない。上記光ラジカル重合開始剤は、光の照射によりラジカルを発生し、ラジカル重合反応を開始するための化合物である。上記光ラジカル重合開始剤の具体例としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインアルキルエーテル類、アセトフェノン類、アミノアセトフェノン類、アントラキノン類、チオキサントン類、ケタール類、２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、リボフラビンテトラブチレート、チオール化合物、２，４，６−トリス−ｓ−トリアジン、有機ハロゲン化合物、ベンゾフェノン類、キサントン類及び２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド等が挙げられる。上記光ラジカル重合開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記光ラジカル重合開始剤とともに、光重合開始助剤を用いてもよい。該光重合開始助剤としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、トリエチルアミン及びトリエタノールアミン等が挙げられる。これら以外の光重合開始助剤を用いてもよい。上記光重合開始助剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

また、可視光領域に吸収があるＣＧＩ−７８４等（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）のチタノセン化合物などを、光反応を促進するために用いてもよい。

上記光カチオン重合開始剤としては特に限定されず、例えば、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、メタロセン化合物及びベンゾイントシレート等が挙げられる。上記光カチオン重合開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記接着剤１００重量％中、上記光重合開始剤の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．２重量％以上、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは５重量％以下である。

（熱硬化剤）
上記熱硬化剤としては、有機酸、アミン化合物、アミド化合物、ヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、イミダゾリン化合物、フェノール化合物、ユリア化合物、ポリスルフィッド化合物及び酸無水物等が挙げられる。上記熱硬化剤として、アミン−エポキシアダクトなどの変性ポリアミン化合物を用いてもよい。これら以外の熱硬化剤を用いてもよい。上記熱硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記アミン化合物とは、１個以上の１〜３級のアミノ基を有する化合物を意味する。上記アミン化合物としては、例えば、（１）脂肪族ポリアミン、（２）脂環族ポリアミン、（３）芳香族ポリアミン、（４）ヒドラジド、及び（５）グアニジン誘導体等が挙げられる。また、エポキシ化合物付加ポリアミン（エポキシ化合物とポリアミンの反応物）、マイケル付加ポリアミン（α、β不飽和ケトンとポリアミンの反応物）、マンニッヒ付加ポリアミン（ポリアミンとホルマリン及びフェノールの縮合体）、チオ尿素付加ポリアミン（チオ尿素とポリアミンの反応物）、ケトン封鎖ポリアミン（ケトン化合物とポリアミンの反応物［ケチミン］）などのアダクト体を用いてもよい。

上記（１）脂肪族ポリアミンとしては、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、及びジエチルアミノプロピルアミン等が挙げられる。

上記（２）脂環族ポリアミンとしては、メンセンジアミン、イソホロンジアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカンアダクト、ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタン、及びビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン等が挙げられる。

上記（３）芳香族ポリアミンとしては、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｏ−キシレンジアミン、ｍ−キシレンジアミン、ｐ−キシレンジアミン、４，４−ジアミノジフェニルメタン、４，４−ジアミノジフェニルプロパン、４，４−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４−ジアミノジシクロヘキサン、ビス（４−アミノフェニル）フェニルメタン、１，５−ジアミノナフタレン、１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス［（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４−メチレン−ビス（２−クロロアニリン）、及び４，４−ジアミノジフェニルスルフォン等が挙げられる。

上記（４）ヒドラジドとしては、カルボジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、ドデカン二酸ジヒドラジド、及びイソフタル酸ジヒドラジド等が挙げられる。

上記（５）グアニジン誘導体としては、ジシアンジアミド、１−ｏ−トリルジグアニド、α−２，５−ジメチルグアニド、α，ω−ジフェニルジグアニジド、α，α−ビスグアニルグアニジノジフェニルエーテル、ｐ−クロロフェニルジグアニド、α，α−ヘキサメチレンビス［ω−（ｐ−クロロフェノール）］ジグアニド、フェニルジグアニドオキサレート、アセチルグアニジン、及びジエチルシアノアセチルグアニジン等が挙げられる。

上記フェノール化合物としては、多価フェノール化合物等が挙げられる。上記多価フェノール化合物としては、例えば、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、ブチルフェノール、オクチルフェノール、ビスフェノールＡ、テトラブロムビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、４，４’−ビフェニルフェノール、ナフタレン骨格含有フェノールノボラック樹脂、キシリレン骨格含有フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノールノボラック樹脂、及びフルオレン骨格含有フェノールノボラック樹脂等が挙げられる。

上記酸無水物としては、例えば、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ドデシル無水コハク酸、無水クロレンディック酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、及びポリアゼライン酸無水物等が挙げられる。

上記接着剤１００重量％中、上記熱硬化剤の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、好ましくは６０重量％以下、より好ましくは５０重量％以下である。

（硬化促進剤）
上記硬化促進剤としては、第三級アミン、イミダゾール、第四級アンモニウム塩、第四級ホスホニウム塩、有機金属塩、リン化合物及び尿素系化合物等が挙げられる。

上記接着剤１００重量％中、上記硬化促進剤の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは５重量％以下である。

（他の成分）
上記接着剤は、他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては特に限定されないが、カップリング剤等の接着助剤、顔料、染料、レベリング剤、消泡剤、及び重合禁止剤等が挙げられる。

以下、本発明に係る電子部品の製造方法により得られる電子部品の他の具体例について説明する。

図６は、本発明に係る電子部品の製造方法により得られる電子部品の第１の変形例を模式的に示す正面断面図である。

図６に示す半導体装置７１は、電子部品である。半導体装置７１は、基板５３Ａと、接着剤層７２と、第１の半導体ウェハ７３とを備える。基板５３Ａは上面に、第１の接続端子５３ａを有する。第１の半導体ウェハ７３は上面に、接続端子７３ａを有する。基板５３Ａは、第２の接続端子５３ｂが設けられていないことを除いては、後述する基板５３と同様に形成されている。

基板５３Ａ上に、接着剤層７２を介して、第１の半導体ウェハ７３が積層されている。接着剤層７２は、光硬化性及び熱硬化性を有しかつ液状である接着剤を光硬化及び熱硬化させることにより形成されている。

第１の半導体ウェハ７３は上面に、接続端子７３ａを有する。接続端子７３ａから配線７４が引き出されている。配線７４により、接続端子７３ａと第１の接続端子５３ａとが電気的に接続されている。

図７は、本発明に係る電子部品の製造方法により得られる電子部品の第２の変形例を模式的に示す正面断面図である。

図７に示す半導体装置５１は、電子部品である。半導体装置５１は、積層構造体５２を備える。積層構造体５２は、基板５３と、接着剤層５４と、基板５３上に接着剤層５４を介して積層された第２の半導体ウェハ５５とを有する。基板５３上に、第２の半導体ウェハ５５が配置されている。基板５３上に、第２の半導体ウェハ５５は間接に積層されている。平面視において、基板５３は、第２の半導体ウェハ５５よりも大きい。基板５３は、第２の半導体ウェハ５５よりも側方に張り出している領域を有する。

接着剤層５４は、例えば、硬化性組成物を硬化させることにより形成されている。硬化前の硬化性組成物を用いた硬化性組成物層は、粘着性を有していてもよい。硬化前の硬化性組成物層を形成するために、硬化性組成物シートを用いてもよい。

基板５３は上面に、第１の接続端子５３ａを有する。第２の半導体ウェハ５５は上面に、接続端子５５ａを有する。接続端子５５ａから配線５６が引き出されている。配線５６の一端は、第２の半導体ウェハ５５上に設けられた接続端子５５ａに接続されている。配線５６の他端は、基板５３上に設けられた第１の接続端子５３ａに接続されている。配線５６により、接続端子５５ａと第１の接続端子５３ａとが電気的に接続されている。配線５６の他端は、第１の接続端子５３ａ以外の他の接続端子に接続されていてもよい。配線５６は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。

積層構造体５２における第２の半導体ウェハ５５上に、接着剤層６１を介して、第１の半導体ウェハ６２が積層されている。接着剤層６１は、光硬化性及び熱硬化性を有しかつ液状である接着剤を光硬化及び熱硬化させることにより形成されている。

基板５３は上面に、第２の接続端子５３ｂを有する。第１の半導体ウェハ６２は上面に、接続端子６２ａを有する。接続端子６２ａから配線６３が引き出されている。配線６３の一端は、第１の半導体ウェハ６２上に設けられた接続端子６２ａに接続されている。配線６３の他端は、基板５３上に設けられた第２の接続端子５３ｂに接続されている。配線６３により、接続端子６２ａと第２の接続端子５３ｂとが電気的に接続されている。配線６３の他端は、第２の接続端子５３ｂ以外の他の接続端子に接続されていてもよい。配線６３は、ボンディングワイヤーであることが好ましい。

半導体装置５１では、第２の半導体ウェハ５５上に、光硬化性及び熱硬化性を有しかつ液状である接着剤を、インクジェット装置から吐出して、接着剤層６１を形成することで得ることができる。これに対して、半導体装置７１は、基板５３Ａ上に、光硬化性及び熱硬化性を有しかつ液状である接着剤を、インクジェット装置から吐出して、接着剤層７２を形成することで得ることができる。

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

（合成例１）
攪拌器、温度計、滴下ロートを備えた３つ口セパラブルフラスコに、メチルセロソルブ５０ｇ、ジシアンジアミド１５ｇ、及び２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン１ｇを加え、１００℃に加熱してジシアンジアミドを溶解させた。溶解後、ブチルグリシジルエーテル１３０ｇを滴下ロートから２０分かけて滴下し、１時間反応させた。その後６０℃に温度を下げ、減圧にして溶媒を除去し、薄黄色の反応粘稠物（熱硬化剤Ａ）を得た。

（接着剤Ａの調製）
光硬化性化合物としてトリシクロデカンジメタノールジアクリレート（ＩＲＲ−２１４Ｋ、ダイセル・オルネクス社製）５０重量部、光及び熱硬化性化合物としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリル酸付加物（ＵＶＡＣＵＲＥ１５６１、ダイセル・オルネクス社製）１０重量部、熱硬化性化合物としてビスフェノールＡ型エポキシ化合物（ＥＸＡ８５０ＣＲＰ、ＤＩＣ社製）４０重量部、熱硬化剤としてテルペン系酸無水化合物（ＹＨ３０９、三菱化学社製）４０重量部、硬化促進剤としてＤＢＵ−オクチル酸塩（ＵＣＡＴ ＳＡ１０２、サンアプロ社製）１重量部、及び光重合開始剤として２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−４−モルホリノブチロフェノン（ＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９、ＢＡＳＦ社製）５重量部を均一に混合し、接着剤Ａを得た。

後述の塗布試験、及び半導体装置（積層構造体）の作製時の循環温度（吐出時の温度）で、粘度計（東機産業社製「ＴＶＥ２２Ｌ」）を用いて、得られた接着剤Ａの１０ｒｐｍの粘度を測定した。

（接着剤Ｂ〜Ｉの調製）
下記の表１に示す成分を下記の表２に示す配合量で配合したこと以外は上記接着剤Ａの調製と同様にして調製した。得られた接着剤Ｂ〜Ｉの粘度も、接着剤Ａの粘度と同様にして測定した。

（実施例１）
（１）吐出試験
ＦＲ４ガラスエポキシ基板（厚み０．３ｍｍ、市販のソルダーレジストが塗布されている、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍの半導体チップが置かれる場所が３行×９列で２７個設けられている）を用意した。上述した本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法に従って、図１（ａ）〜（ｅ）に示す各工程（但し、下記の表３に示すように条件を設定）を経て、接着剤層を形成した。上記接着剤Ａを循環させながら、塗布する上記塗布工程と、上記第１の光照射工程とを繰り返して、厚み３０μｍの接着剤層を形成した。接着剤層は半導体チップを実装する１０×１０ｍｍの部分に形成し、２７個の吐出試験評価用サンプルを作製した。

（２）半導体装置（積層構造体）の作製
ＦＲ４ガラスエポキシ基板（厚み０．３ｍｍ、市販のソルダーレジストが塗布されている、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍの半導体チップが置かれる場所が３行×９列で２７か所設けられている）を用意した。上述した本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法に従って、図１（ａ）〜（ｅ）に示す各工程（但し、下記の表３に示すように条件を設定）を経て、接着剤層を形成した。上記接着剤Ａを循環させながら、塗布する上記塗布工程と、上記第１の光照射工程とを繰り返して、厚み３０μｍの接着剤層を形成した。その後、接着剤層上に、ダイボンド装置を用いて、半導体チップ（縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚み８０μｍ）に見立てたシリコンベアチップを１１０℃で１．０ＭＰａの条件で積層して、積層体を得た。シリコンベアチップを積層した後、光学顕微鏡（デジタルマイクロスコープＶＨ―Ｚ１００、キーエンス社製）を用いて接着剤層のはみ出しが１００μｍ未満であることを確認した。得られた積層体を１６０℃のオーブン内に入れ、３時間加熱することで、熱硬化させることにより、２７個の半導体装置（積層構造体）を得た。

（実施例２〜１３、及び比較例１〜４）
接着剤の種類、及び製造条件を下記の表３に示すように変更した以外は実施例１と同様にして、半導体装置を作製した。

ただし、比較例３のシリコンベアチップの積層に関しては、４０℃で０．２ＭＰａの条件で積層した。

（評価）
（１）接着剤層形成を行った基板の評価（吐出抜けの確認）
実体顕微鏡（ニコン社製「ＳＭＺ−１０」）にて接着剤層（２７個のパターン）の確認を行い、液の抜けの確認を行った。

［吐出抜けの判定基準］
○：抜けのあるパターンなし
△：抜けのあるパターンが１個以上、５個未満
×：抜けのあるパターンが５個以上

（２）半導体装置のボイドの確認
超音波探査映像装置（ｍｉ−ｓｃｏｐｅ ｈｙｐｅｒ ＩＩ、日立建機ファインテック社製）を用いて、得られた半導体装置の接着剤層のボイドを観察し、下記の基準で評価した。

［ボイドの判定基準］
○○：ボイドがほとんど観察されなかった
○：ボイドがわずかに観察された（使用上問題がない）
×：ボイドが観察された（使用上問題あり）

（３）半導体装置の接着剤層のはみ出しの確認
実体顕微鏡（ニコン社製「ＳＭＺ−１０」）を用いて得られた半導体装置の接着剤層のはみ出しを観察し、下記の基準で評価した。

［はみ出しの判定基準］
○：はみ出しがほとんど観察されなかった（はみ出し量１００μｍ未満）
×：はみ出しが観察された（はみ出し量１００μｍ以上）

（４）半導体装置の吸湿リフロー試験
得られた半導体装置（２７個）を８５℃、８５ＲＨ％に１６８時間放置して吸湿させた後、半田リフロー炉（プレヒート１５０℃×１００秒、リフロー［最高温度２６０℃］）に１サイクル及び３サイクル通過させた後の半導体装置を、超音波探査映像装置（ｍｉ−ｓｃｏｐｅ ｈｙｐｅｒ ＩＩ、日立建機ファインテック社製）を用いて、半導体装置の接着剤層の剥離を観察し、下記の基準で評価した。

［吸湿リフロー試験の判定基準］
○○：剥離なし
○：剥離が１個以上、３個未満（使用上問題がない）
×：剥離が３個以上（使用上問題あり）

（５）接着信頼性の評価（長期信頼性：冷熱サイクル評価）
得られた半導体装置について、液槽式熱衝撃試験機（ＥＳＰＥＣ社製「ＴＳＢ−５１」）を用いて、−５５℃で５分間保持した後、１５０℃まで昇温し、１５０℃で５分間保持した後−５０℃まで降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。２５０サイクル及び５００サイクル後に半導体装置を取り出し、超音波探査映像装置（ｍｉ−ｓｃｏｐｅ ｈｙｐｅｒ ＩＩ、日立建機ファインテック社製）を用いて、半導体装置の接着剤層の剥離を観察し、下記の基準で評価した。

［冷熱サイクル評価の判定基準］
○○：剥離していない
○：わずかに剥離している（使用上問題がない）
×：大きく剥離している（使用上問題あり）

結果を下記の表３に示す。

１…電子部品
１Ａ…一次積層体
２…第１の電子部品本体
３…接着剤層（加熱後）
４…第２の電子部品本体
１１，１１Ｘ…インクジェット装置
１２…接着剤層
１２Ａ…第１の光照射部により光が照射された接着剤層
１２Ｂ…第２の光照射部により光が照射された接着剤層
１３…第１の光照射部
１４…第２の光照射部
２１…インクタンク
２２…吐出部
２３，２３Ｘ…循環流路部
２３Ａ…バッファタンク
２３Ｂ…ポンプ
３１…電子部品
３２…多層の接着剤層（加熱後）
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ…接着剤層（加熱後）
５１，７１…半導体装置
５２…積層構造体
５３，５３Ａ…基板
５３ａ…第１の接続端子
５３ｂ…第２の接続端子
５４，６１，７２…接着剤層
５５…第２の半導体ウェハ
５５ａ，７３ａ…接続端子
５６，６３，７４…配線
６２，７３…第１の半導体ウェハ
６２ａ…接続端子

Claims (15)

1. インクジェット装置を用いて、第１の電子部品本体上に、光硬化性及び熱硬化性を有しかつ液状である接着剤を塗布して、接着剤層を形成する塗布工程と、
   前記塗布工程後に、第１の光照射部から前記接着剤層に光を照射して、前記接着剤層の硬化を進行させる第１の光照射工程と、
   前記第１の光照射工程後に、光が照射された前記接着剤層上に、第２の電子部品本体を配置して、前記第１の電子部品本体と前記第２の電子部品本体とを、光が照射された前記接着剤層を介して、圧力を付与して貼り合わせて、一次積層体を得る貼合工程と、
   前記貼合工程後に、前記一次積層体を加熱して、前記第１の電子部品本体と前記第２の電子部品本体との間の前記接着剤層を硬化させて、電子部品を得る加熱工程とを備え、
   前記接着剤が、光硬化性化合物と、環状エーテル基を有する熱硬化性化合物と、光重合開始剤と、熱硬化剤とを含み、
   前記インクジェット装置が、前記接着剤が貯留されるインクタンクと、前記インクタンクと接続されておりかつ前記接着剤が吐出される吐出部と、一端が前記吐出部に接続されており、他端が前記インクタンクに接続されており、かつ内部を前記接着剤が流れる循環流路部とを有し、
   前記塗布工程において、前記インクジェット装置内で、前記接着剤を前記インクタンクから前記吐出部に移動させた後に、前記吐出部から吐出されなかった前記接着剤を、前記循環流路部内を流して前記インクタンクに移動させることにより、前記接着剤を循環させながら、塗布する、電子部品の製造方法。
2. 前記第１の光照射工程後かつ前記貼合工程前に、前記第１の光照射部とは別の第２の光照射部から、前記第１の光照射部から光が照射された前記接着剤に光を照射して、前記接着剤の硬化をさらに進行させる第２の光照射工程を備える、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
3. 前記循環流路部が、前記循環流路部内に、前記接着剤が仮貯留されるバッファタンクを含む、請求項１又は２に記載の電子部品の製造方法。
4. 循環されている前記接着剤の温度が４０℃以上、１００℃以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
5. 前記インクジェット装置がピエゾ方式のインクジェットヘッドを用いるインクジェット装置であり、
   前記塗布工程において、ピエゾ素子の作用によって、前記接着剤を塗布する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
6. 前記貼合工程において、貼り合わせ時に付与する圧力が０．０１ＭＰａ以上、１０ＭＰａ以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
7. 前記貼合工程において、貼り合わせ時の温度が３０℃以上、１８０℃以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
8. 前記接着剤の吐出時の粘度が３ｍＰａ・ｓ以上、２０００ｍＰａ・ｓ以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
9. 前記接着剤が、前記光硬化性化合物と、光及び熱硬化性化合物と、前記熱硬化性化合物と、前記光重合開始剤と、前記熱硬化剤とを含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
10. 前記光硬化性化合物が、（メタ）アクリロイル基を有し、
    前記光及び熱硬化性化合物が、（メタ）アクリロイル基と環状エーテル基とを有する、請求項９に記載の電子部品の製造方法。
11. 前記接着剤が、前記光硬化性化合物として、（メタ）アクリロイル基を１個有する単官能化合物と、（メタ）アクリロイル基を２個以上有する多官能化合物とを含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
12. 前記接着剤が、光及び熱硬化性化合物を含み、
    前記接着剤１００重量％中、前記光硬化性化合物と前記光及び熱硬化性化合物との合計の含有量が１０重量％以上、８０重量％以下である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
13. 前記第１の電子部品本体が、回路基板又はダイシング後の半導体ウェハである、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
14. 前記第２の電子部品本体が、ダイシング後の半導体ウェハである、請求項１３に記載の電子部品の製造方法。
15. 半導体装置用電子部品を得る、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。

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