KR20210116519A - 유기 전계발광 디바이스용 재료 - Google Patents

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옌스 엥겔하르트
필립 슈퇴쎌
크리슈티안 에렌라이히
크리슈티안 아이크호프
필립 할바흐
아미르 파르함
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메르크 파텐트 게엠베하
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Abstract

본 발명은 식 (1) 의 화합물, 전자 디바이스에서의 화합물의 용도, 및 식 (1) 의 화합물을 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다. 본 발명은 또한 식 (1) 의 화합물의 제조 방법 및 식 (1) 의 하나 이상의 화합물을 포함하는 포뮬레이션에 관한 것이다.

Description

유기 전계발광 디바이스용 재료
본 발명은 식 (1) 의 화합물, 전자 디바이스에서의 화합물의 용도, 및 식 (1) 의 화합물을 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다. 본 발명은 더욱이 식 (1) 의 화합물의 제조 방법 및 식 (1) 의 하나 이상의 화합물을 포함하는 포뮬레이션에 관한 것이다.
유기 반도체가 기능적 재료로서 이용되는 유기 전계발광 디바이스 (OLED) 의 구조는 예를 들어 US 4539507 에 기재되어 있다. 여기에 채용된 방출 재료는 매우 자주 인광을 발하는 유기금속 착물이다. 양자 역학적인 이유로, 형광 방출체 대신에 인광 방출체를 사용하여 효율이 4 배까지 증가할 수 있다. 그러나 일반적으로, OLED 의 경우, 특히 또한 삼중항 방출을 발하는 (인광) OLED 의 경우, 예를 들어 효율, 작동 전압 및 수명에 대한 개선이 아직 필요하다.
인광 OLED 의 특성은 삼중항 방출체 뿐만 아니라 OLED 에서 삼중항 방출체와 함께 사용되는 다른 재료, 이를테면 호스트 재료라고도 불리는, 매트릭스 재료에 의해서도 결정된다. 따라서, 이들 재료 및 이들의 전하 수송 특성의 개선은 또한 OLED 특성에서의 현저한 개선을 낳을 수 있다.
따라서, 인광 방출체를 포함하는 방출 층에서 매트릭스 재료의 선택은 특히 효율면에서 OLED 특성에 큰 영향을 미친다. 매트릭스 재료는 에너지 전달에 의해 방출체 분자의 여기 상태의 켄칭 (quenching) 을 제한한다.
본 발명의 목적은 OLED에서 사용하기에 적합한 화합물을 제공하는 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명의 목적은 OLED에서 인광 방출체를 위한 매트릭스 재료로서 특히 적합하지만, 화합물에 존재하는 특정 구조 및 치환기에 따라 정공 수송 재료 (HTM), 전자 차단 재료 (EBM), 전자 수송 재료 (ETM), 정공 차단 재료 (HBM) 로서도 적합한 화합물을 제공하는 것이다. 본 발명의 추가 목적은 당업자가 OLED 의 제조를 위한 재료를 더 많이 선택할 수 있도록 유기 전계발광 디바이스용 유기 반도체를 더 제공하는 것이다.
환형 구아니딘 모이어티를 포함하는 화합물 및 OLED에서의 이들의 용도는 선행 기술로부터 알려져 있다 (예를 들어 WO 2011/160757 및 WO 2012/130709).
놀랍게도, 하기에 보다 상세히 기술되는 바와 같이, 5원 고리에 의해 추가로 연장되는 환형 구아니딘 모이어티를 포함하는 특정 화합물은 OLED에 사용될 때, 특히 인광 방출체를 위한 매트릭스 재료로서 사용될 때, 우수한 특성을 나타낸다는 것이 이제 밝혀졌다. 사실은, 이들 화합물은 수명 및/또는 효율 및/또는 전계발광 방출 측면에서 OLED 가 우수한 특성을 나타내게 한다. 또한, 이들 화합물은 높은 유리 전이 온도 및 우수한 열 안정성을 갖는데, 이는 특히 재료가 진공 공정을 통해 증착 (vapor-deposit) 될 때 OLED 재료에 중요한 특성이다. 또한, 이들 화합물은 높은 굴절률을 가지는데, 이는 특히 화합물이 정공 수송층에 사용될 때 중요한 특성이다.
따라서 본 발명은 이러한 화합물 및 이러한 유형의 화합물을 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이 혼합물을 포함하는 혼합물 및 포뮬레이션에 관한 것이다.
본 발명은 하기 식 (1) 의 화합물에 관한 것이고,
Figure pct00001
식에서 사용된 기호 및 인덱스에 하기의 것이 적용되며:
Ar1, Ar2 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 하나 이상의 라디칼 R1에 의해 치환될 수 있는 5 내지 30개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴 기를 나타내고; 여기서 Ar1 및 Ar2 기 중 적어도 하나는 식 (Het-1) 의 기로부터 선택된 헤테로방향족 고리 시스템에 상응하고,
Figure pct00002
여기서 부호 *는 식 (1) 로 표시되는 인접한 5원 고리에 대한 결합 위치를 나타내고;
ArS 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 30개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고;
X 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, N 또는 CR1 을 나타내고;
Y 는 B(R0), C(R0)2, Si(R0)2, C=O, C=NR0, C=C(R0)2, O, S, S=O, SO2, N((ArS)n-RN), P(R0) 및 P(=O)R0 에서 선택되고;
R0 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CN, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있고, 각각의 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 RC=CR, C≡C, Si(R)2, Ge(R)2, Sn(R)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R), SO, SO2, O, S 또는 CONR 로 대체될 수도 있으며, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 각각의 경우 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시기를 나타내고, 여기서 2 개의 인접한 치환기 R0 은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 함께 형성할 수도 있고;
RN 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CN, Si(R)3, 1 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기, 또는 3 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수 있고, 각각의 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기가 RC=CR, C≡C, Si(R)2, Ge(R)2, Sn(R)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R), SO, SO2, O, S 또는 CONR 로 치환될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시기를 나타내고;
R1 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar)2, S(=O)Ar, S(=O)2Ar, N(R)2, N(Ar)2, NO2, Si(R)3, B(OR)2, OSO2R, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있고, 여기서 각각의 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 RC=CR, C≡C, Si(R)2, Ge(R)2, Sn(R)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R), SO, SO2, O, S 또는 CONR 로 대체될 수도 있으며, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시기를 나타내고; 여기서 2 개의 인접한 치환기 R1 은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는 지방족 고리 시스템 또는 방향족 고리 시스템을 함께 형성할 수도 있고;
R 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar)2, S(=O)Ar, S(=O)2Ar, N(R´)2, N(Ar)2, NO2, Si(R´)3, B(OR´)2, OSO2R´, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 각각의 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R´C=CR´, C≡C, Si(R´)2, Ge(R´)2, Sn(R´)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R´), SO, SO2, O, S 또는 CONR´ 에 의해 대체될 수도 있고 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2에 의해 대체될 수도 있음), 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시기를 나타내고; 여기서 2 개의 인접한 치환기 R 은 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있는, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 함께 형성할 수도 있고;
Ar 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 각각의 경우 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 또한 치환될 수 있는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고;
R' 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (여기서 각각의 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 SO, SO2, O, S 로 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br 또는 I 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고;
n 은 0, 1, 2 또는 3의 정수이고, 바람직하게는 0 또는 1이다.
더욱이, 본 출원의 목적에 아래 화학 기의 정의가 적용된다:
본 발명의 의미에서 인접 치환기는 서로 직접 링크되는 원자에 결합되거나 동일한 원자에 결합되는 치환기이다.
본 발명의 의미에서 아릴 기는 6 내지 60 개의 방향족 고리 원자들을 함유하고; 본 발명의 의미에서 헤테로아릴 기는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자들을 함유하고, 이 중 적어도 하나는 헤테로원자이다. 헤테로원자는 바람직하게 N, O 및 S 에서 선택된다. 이는 기본 정의를 나타낸다. 다른 바람직한 것이 본 발명의 설명에 표시되는 경우, 예를 들어 존재하는 방향족 고리 원자 또는 헤테로원자의 수와 관련하여, 이들을 적용한다.
여기서 아릴기 또는 헤테로아릴기는 단순 방향족 고리, 즉 벤젠, 또는 단순 헤테로방향족 고리, 예를 들어 피리딘, 피리미딘 또는 티오펜, 또는 축합 (어닐레이트된 (annellated)) 방향족 또는 헤테로방향족 다환, 예를 들어 나프탈렌, 페난트렌, 퀴놀린 또는 카르바졸을 의미하는 것으로 이해된다. 축합된 (어닐레이트된) 방향족 또는 헤테로방향족 다환은 본 출원의 의미에서 서로 축합된 2 개 이상의 단순 방향족 또는 헤테로방향족 고리로 이루어진다.
각각의 경우에 상기 언급된 라디칼에 의해 치환될 수 있고 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템에 임의의 원하는 위치를 통해 연결될 수 있는 아릴 또는 헤테로아릴 기는, 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 디히드로피렌, 크리센, 페릴렌, 트리페닐렌, 플루오란텐, 벤즈안트라센, 벤조페난트렌, 테트라센, 펜타센, 벤조피렌, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤족사졸, 나프톡사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 피라진, 페나진, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유도되는 기를 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명의 정의에 따른 아릴옥시기는 산소 원자를 통해 결합되는, 위에 정의된 바와 같은, 아릴기를 의미하는 것으로 이해된다. 유사한 정의는 헤테로아릴옥시 기에도 적용된다.
본 발명의 의미에서 방향족 고리 시스템은 고리 시스템 내에 6 내지 60 개의 탄소 원자를 함유한다. 본 발명의 의미에서 헤테로방향족 고리 시스템은 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 함유하고, 방향족 고리 원자의 적어도 하나는 헤테로원자이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 에서 선택된다. 본 발명의 의미에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은, 반드시 아릴 또는 헤테로아릴기만을 함유하지 않고, 대신에, 추가로, 복수의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 비방향족 단위 (바람직하게는 H 이외의 10% 미만의 원자), 이를테면 예를 들어, sp3-혼성화된 C, Si, N 또는 O 원자, sp2-혼성화된 C 또는 N 원자 또는 sp-혼성화된 C 원자에 의해 연결될 수 있는 시스템을 의미하는 것으로 여겨진다. 따라서, 예를 들어 9,9'-스피로비플루오렌, 9,9'-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 시스템은 또한, 2 개 이상의 아릴기가 예를 들어 선형 또는 환형 알킬, 알케닐 또는 알키닐기에 의해, 또는 실릴기에 의해 연결되는 시스템과 같이, 본 발명의 맥락에서 방향족 고리 시스템으로 받아들여지도록 의도된다. 또한, 2개 이상의 아릴 또는 헤테로아릴기가 단일 결합을 통해 서로 연결되는 시스템은 또한 본 발명의 맥락에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 이를테면 예를 들어, 비페닐, 테르페닐 또는 디페닐트리아진과 같은 시스템인 것으로 받아들여진다.
또한 각각의 경우에 위에 정의된 바와 같은 라디칼에 의해 치환될 수도 있으며 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족기에 연결될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 특히, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 벤조페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 비페닐, 비페닐렌, 테르페닐, 테르페닐렌, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로비플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스-또는 트랜스-인데노플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 인데노카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트르이미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트르옥사졸, 페난트르옥사졸, 이소옥사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸에서 유래된 기, 또는 이들 기의 조합을 의미한다.
본 발명의 목적을 위해, 또한 개개의 H 원자 또는 CH2 기가 라디칼의 정의하에 위에 언급된 기에 의해 치환될 수도 있는, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기, 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기는 바람직하게는, 라디칼 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 시클로펜틸, 네오펜틸, n-헥실, 시클로헥실, 네오헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐 또는 옥티닐을 의미하는 것으로 받아들여진다. 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 또는 티오알킬기는 바람직하게는, 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, s-펜톡시, 2-메틸부톡시, n-헥속시, 시클로헥실옥시, n-헵톡시, 시클로헵틸옥시, n-옥틸옥시, 시클로옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 펜타플루오로에톡시, 2,2,2-트리플루오로에톡시, 메틸티오, 에틸티오, n-프로필티오, i-프로필티오, n-부틸티오, i-부틸티오, s-부틸티오, t-부틸티오, n-펜틸티오, s-펜틸티오, n-헥실티오, 시클로헥실티오, n-헵틸티오, 시클로헵틸티오, n-옥틸티오, 시클로옥틸티오, 2-에틸헥실티오, 트리플루오로메틸티오, 펜타플루오로에틸티오, 2,2,2-트리플루오로에틸티오, 에테닐티오, 프로페닐티오, 부테닐티오, 펜테닐티오, 시클로펜테닐티오, 헥세닐티오, 시클로헥세닐티오, 헵테닐티오, 시클로헵테닐티오, 옥테닐티오, 시클로옥테닐티오, 에티닐티오, 프로피닐티오, 부티닐티오, 펜티닐티오, 헥시닐티오, 헵티닐티오 또는 옥티닐티오를 의미한다.
2 개의 라디칼이 함께 고리를 형성할 수도 있는 포뮬레이션은, 본 출원의 목적을 위해, 특히 2 개의 라디칼이 화학 결합에 의해 서로 연결된다는 것을 의미하는 것으로 이해된다. 이것은 다음 스킴으로 설명된다:
Figure pct00003
더욱이, 상술된 포뮬레이션은 또한, 2 개의 라디칼 중 하나가 수소를 나타내는 경우에, 수소 원자가 결합된 위치에 제 2 라디칼이 결합되어 고리를 형성하는 것을 의미하는 것으로 의도된다. 이것은 다음 스킴으로 설명된다:
Figure pct00004
바람직하게는, 기 Y는 각각의 경우에, 상이하게 또는 동일하게, O, S 및 N((ArS)n-RN) 로부터, 더욱 바람직하게는 O 및 N((ArS)n-RN) 로부터 선택된다.
바람직하게는, 기 X는 CR1 을 나타낸다.
바람직하게는, Ar1, Ar2 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 푸란, 벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조퀴놀린, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프토옥사졸, 안트로옥사졸, 페난트로옥사졸, 티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 피라진, 페나진, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 트리아졸, 벤조트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 트리아진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아졸을 나타내고, 이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R1 에 의해 치환될 수 있고, 그리고 기 Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 상기에 나타낸 식 (Het-1) 의 헤테로방향족 고리 시스템에 대응한다. 매우 바람직하게는, Ar1, Ar2 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 벤젠, 나프탈렌, 벤조푸란, 디벤조푸란, 인돌, 카르바졸 및 피리딘으로부터 선택된 아릴 또는 헤테로아릴 기를 나타내고, 이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R1 로 치환될 수 있고, 기 Ar1 및 Ar2 기 중 적어도 하나는 상기에 나타낸 식 (Het-1) 의 헤테로방향족 고리 시스템에 대응한다.
바람직한 실시형태에 따르면, 식 (1) 의 화합물은 식 (1-1) 내지 (1-8) 의 화합물로부터 선택되고,
Figure pct00005
Figure pct00006
여기서 기호 X, Y, ArS, RN 및 Y 및 인덱스 n은 상기에서와 동일한 의미를 갖는다.
식 (1-1) 내지 (1-8) 중에서, 식 (1-1) 내지 (1-4)가 바람직하고, 식 (1-1) 및 (1-2)가 매우 바람직하다.
특히 바람직한 실시형태에 따르면, 식 (1) 의 화합물은 식 (1-1-1) 내지 (1-8-4) 의 화합물로부터 선택되고,
Figure pct00007
Figure pct00008
Figure pct00009
Figure pct00010
Figure pct00011
식에서 기호 X, Y, ArS 및 RN 및 인덱스 n은 상기에서와 동일한 의미를 갖는다.
식 (1-1-1) 내지 (1-8-4) 중에서, 식 (1-1-1) 내지 (1-4-2)이 바람직하고, 식 (1-1-1) 내지 (1-2-2)이 매우 바람직하다.
특히 바람직한 실시형태에 따르면, 식 (1) 의 화합물은 식 (1-1-1a) 내지 (1-8-4a) 의 화합물로부터 선택되고,
Figure pct00012
Figure pct00013
Figure pct00014
Figure pct00015
식에서 기호 ArS, RN, R1 및 인덱스 n은 상기에서와 동일한 의미를 갖는다.
식 (1-1-1a) 내지 (1-8-4a) 중에서, 식 (1-1-1a) 내지 (1-4-2a)이 바람직하고, 식 (1-1-1a) 내지 (1-2-2a)이 매우 바람직하다.
바람직하게, 기 ArS 는, 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 또한 치환될 수도 있는, 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다.
더 바람직하게는, 기 ArS 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, 페닐, 비페닐, 플루오렌, 스피로비플루오렌, 나프탈렌, 페난트렌, 안트라센, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 카르바졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 벤조피리딘, 벤조피리다진, 벤조피리미딘 및 퀴나졸린을 나타내고, 그 각각은 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수 있다.
매우 바람직한 실시형태에 따르면, 기 ArS 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 페닐, 비페닐, 플루오렌, 나프탈렌, 디벤조푸렌, 디벤조티오펜 및 카르바졸을 나타내고, 그 각각은 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수 있다.
적합한 기 ArS 의 예는 하기 표에 나타낸 식 (ArS-1) 내지 (ArS-22) 의 기이고:
Figure pct00016
Figure pct00017
Figure pct00018
식에서 점선 결합은 식 (1) 의 구조에 대한 결합 및 트리페닐렌 유도체에 대한 결합을 나타내고, 기 (ArS-1) 내지 (ArS-22) 는 기 R 에 의해 각각의 자유 위치에서 치환될 수 있고;
RN0, RC0 는 식 (ArS-13) 내지 (ArS-16) 에서, 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CN, 1 내지 40 개, 바람직하게는 1 내지 20 개, 보다 바람직하게는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기, 또는 3 내지 40 개, 바람직하게는 3 내지 20 개, 더욱 바람직하게는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R로 치환될 수 있으며, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 (R)C=C(R), C≡C, O 또는 S로 대체될 수 있으며, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 60 개, 바람직하게는 5 내지 40 개, 더욱 바람직하게는 5 내지 30 개, 매우 더 바람직하게는 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이들은 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R로 치환될 수 있으며, 여기서 임의로 2 개의 인접한 치환기 RC0 는 단환 또는 다환의 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 서로와 함께 형성할 수 있음) 이다.
매우 적합한 기 ArS 의 예는 하기 표에 나타낸 식 (ArS-23) 내지 (ArS-67) 의 기이고:
Figure pct00019
Figure pct00020
Figure pct00021
식에서 점선 결합은 식 (1) 의 구조에서 N 원자에 대한 결합 및 기 RN 에 대한 결합을 나타내고, 기 (ArS-23) 내지 (ArS-67) 은 기 R 에 의해 각각의 자유 위치에서 치환될 수 있다.
바람직한 실시형태에 따르면, 기 RN 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고, 이들은 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R로 치환될 수 있다.
매우 바람직한 실시형태에 따르면, 기 RN 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 페닐, 비페닐, 터페닐, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로비플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 트리페닐렌, 플루오란텐, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 카르바졸, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 페난트롤린, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀론, 벤조피리딘, 벤조피리다진, 벤조피리미딘, 퀴나졸린, 벤즈이미다졸, 또는 이들 기 중 2 또는 3개의 조합을 나타내고, 이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R로 치환될 수 있다.
매우 적합한 기 RN 의 예는 하기 표에 열거된 식 (RN-1) 내지 (RN-24) 의 기이고:
Figure pct00022
Figure pct00023
Figure pct00024
식에서:
- n 이 0일 때, 식 (RN-1) 내지 (RN-24)에서, 점선 결합은 식 (1)에서 질소 원자에 대한 결합을 나타내고;
- n ≠ 0일 때, 식 (RN-1) 내지 (RN-24)에서, 점선 결합은 기 ArS에 대한 결합을 나타내고;
- 기 RC0 및 RN0 는 상기와 동일한 의미를 갖고;
- 상기 식 (RN-1) 내지 (RN-24)의 기는 각각 자유 위치에서 기 R 로 치환될 수 있다.
식 (RN-1) 내지 (RN-24)의 기 중에서, 식 (RN-7), (RN-8), (RN-12), (RN-14), (RN-15), (RN-21) 및 (RN-24)의 기가 바람직하다.
바람직하게는, R0 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수 있고, 각각의 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 RC=CR, C≡C, O 또는 S에 의해 치환될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수 있음), 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수 있는 5 내지 40개, 바람직하게는 5 내지 30개, 보다 바람직하게는 5 내지 18개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수 있는 5 내지 40개, 바람직하게는 5 내지 30개, 보다 바람직하게는 5 내지 18개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 기를 나타내고, 여기서 2개의 라디칼 R0 는 서로와 함께 단환 또는 다환의 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수 있고, 이들은 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수 있다. 보다 바람직하게, 라디칼 R0 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, H, D, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있음), 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있음) 이고, 여기서 2 개의 라디칼 R0 은 서로와 함께 단환 또는 다환의 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성할 수 있고, 이들은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있다.
바람직하게, R1 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, CN, Si(R)3, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 또는 알콕시 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼들 R 로 치환될 수 있고, 각각의 경우 하나 이상의 비인접 CH2 기는 RC=CR, C≡C, O 또는 S 로 대체될 수 있으며, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 각각의 경우 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있는, 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시기를 나타내고, 여기서 2 개의 인접한 치환기 R1 은 함께 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있고, 이들은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있다. 보다 바람직하게, R1 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있음), 또는 5 내지 60 개, 바람직하게는 5 내지 40 개, 보다 바람직하게는 5 내지 30 개, 매우 바람직하게는 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있음) 이고, 여기서 2 개의 인접한 치환기 R1 은 함께 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있고, 이들은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있다.
기 R1 이 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내는 경우, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 바람직하게는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 트리페닐렌 (벤조페난트렌이라고도 함), 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 비페닐, 비페닐렌, 터페닐, 터페닐렌, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로비플루오렌, 인데노플루오렌, 푸란, 벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 인데노카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트리이미다졸, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 아자카르바졸, 트리아진 (이들은 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있음), 또는 이들 기의 조합을 나타낸다. 보다 바람직하게는, 기 R1 은 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내며, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 벤젠, 나프탈렌, 페난트렌, 트리페닐렌, 플루오란텐, 비페닐, 터페닐, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로비플루오렌, 인데노플루오렌, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 인데노카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 벤조퀴놀린, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 페녹사진, 페노티아진, 아자카르바졸, 트리아진 (이들은 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있음), 또는 이들 기의 조합을 나타낸다. 특히 바람직하게는, 기 R1 은 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낼 때, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 벤젠, 트리페닐렌, 비페닐, 터페닐, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 피리미딘, 트리아진 (이들은 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있음), 또는 이들 기의 조합을 나타낸다.
바람직한 실시형태에 따르면, 식 (1)의 화합물 또는 상응하는 바람직한 식은 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내는 적어도 하나의 기 R1 (이는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R로 치환될 수 있음) 를 포함한다.
바람직하게, R 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기, 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R´에 의해 치환될 수도 있음), 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R´에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 40 개, 바람직하게는 5 내지 30 개, 보다 바람직하게는 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내며, 여기서 2 개의 라디칼 R 은 하나 이상의 라디칼 R´에 의해 치환될 수도 있는 고리 시스템을 함께 형성할 수 있다. 보다 바람직하게, R 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기, 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있음), 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R´에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다.
바람직하게, Ar 은 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 또한 치환될 수도 있는, 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다.
바람직하게, R´는 각각의 경우에 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CN, 1 내지 20 개, 바람직하게는 1 내지 10 개, 보다 바람직하게는 1 내지 5 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시기, 또는 3 내지 20 개, 바람직하게는 1 내지 10 개, 보다 바람직하게는 1 내지 5 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 또는 알콕시기 (여기서 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br 또는 I 로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 24 개, 바람직하게는 5 내지 18 개의 탄소 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다.
본 발명에 따른 적합한 화합물의 예는 아래 표에 나타낸 구조들이다:
Figure pct00025
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Figure pct00063
본 발명에 따른 화합물은 당업자에게 공지된 합성 단계, 예를 들어 브롬화, 스즈키 커플링, 울만 커플링, 하트위그-부흐발트 커플링 등에 의해 제조될 수 있다. 적합한 합성 방법의 예는 아래 스킴 1 및 2 에서 일반적인 용어로 도시된다.
스킴 1
Figure pct00064
스킴 2
Figure pct00065
스킴 1 및 2에서,
G 는 기 (ArS)n-RN 에 해당하는 치환기이고, ArS, RN 및 n은 상기와 동일한 의미를 갖고;
R1, Y 는 상기와 동일한 의미를 갖고; 그리고
X1, X2, X3 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 할로겐 (예컨대 Cl, Br, I), 보론산, 보론산 에스테르 및 트리플레이트에서 선택된 이탈기로부터 선택된다.
따라서, 본 발명은 아미노이미다졸 모이어티를 포함하는 헤테로환 방향족 기가 C-N 커플링 반응을 통해 헤테로방향족 기에 결합되는 단계를 포함하는, 본 발명에 따른 화합물의 합성 방법에 관한 것이다.
예를 들어 스핀 코팅에 의해 또는 인쇄 공정에 의해, 액상으로부터 본 발명에 따른 화합물을 프로세싱하기 위해, 본 발명에 따른 화합물의 포뮬레이션 (formulation) 이 필요하다. 이들 포뮬레이션은, 예를 들어, 용액, 분산액 또는 에멀젼일 수 있다. 이 목적을 위해, 둘 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 용매는 바람직하게는 유기 및 무기 용매, 더 바람직하게는 유기 용매로부터 선택된다. 용매는 매우 바람직하게는 탄화수소, 알코올, 에스테르, 에테르, 케톤 및 아민으로부터 선택된다. 적합하고 바람직한 용매는, 예를 들어 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-크실렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프타렌, 1-에틸나프탈렌, 데실벤젠, 페닐 나프탈렌, 멘틸 이소발레레이트, 파라 톨릴 이소부티레이트, 시클로헥살 헥사노에이트, 에틸 파라 톨루에이트, 에틸 오르토 톨루에이트, 에틸 메타 톨루에이트, 데카히드로나프탈렌, 에틸 2-메톡시벤조에이트, 디부틸아닐린, 디시클로헥실케톤, 이소소르비드 디메틸 에테르, 데카히드로나프탈렌, 2-메틸비페닐, 에틸 옥타노에이트, 옥틸 옥타노에이트, 디에틸 세바케이트, 3,3-디메틸비페닐, 1,4-디메틸나프탈렌, 2,2´-디메틸비페닐, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 쿠멘, 시클로헥사놀, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄 또는 이들 용매의 혼합물이다.
따라서, 본 발명은 또한 본 발명에 따른 화합물 및 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는 포뮬레이션에 관한 것이다. 추가 화합물은, 예를 들어, 용매, 특히 위에 언급된 용매 중 하나, 또는 이러한 용매의 혼합물일 수도 있다. 하지만, 추가 화합물은 또한, 전자 디바이스에서 마찬가지로 채용되는 적어도 하나의 추가의 유기 또는 무기 화합물, 예를 들어, 방출 화합물, 특히 인광 도펀트 및/또는 추가 매트릭스 재료일 수도 있다. 적합한 방출 화합물 및 추가 매트릭스 재료를 유기 전계발광 디바이스와 관련하여 이하에 나타낸다. 이러한 추가 화합물은 또한 중합체성일 수 있다.
본 발명에 따른 화합물 및 혼합물은 전자 디바이스에서 사용하기에 적합하다. 전자 디바이스는 여기서 적어도 하나의 유기 화합물을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함하는 디바이스를 의미하는 것으로 이해된다. 그러나, 컴포넌트는 여기서 또한 무기 재료 또는 또한 무기 재료로부터 전적으로 구축된 층을 포함할 수 있다.
따라서, 본 발명은 또한 전자 디바이스, 특히 유기 전계발광 디바이스에서의 본 발명에 따른 화합물 또는 혼합물의 용도에 관한 것이다.
본 발명은 또한 더 나아가, 위에 언급된 본 발명에 따른 화합물 또는 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다. 위에서 화합물에 관해 언급된 선호들은 전자 디바이스에도 적용된다.
전자 디바이스는 바람직하게는 유기 전계발광 디바이스 (OLED, PLED), 유기 집적회로 (O-IC), 유기 전계효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양전지 (O-SC), 유기 염료-감응형 태양전지, 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 필드-켄치 디바이스 (O-FQD), 발광 전기화학 전지 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 및 "유기 플라스몬 방출 디바이스" (D. M. Koller et al., Nature Photonics 2008, 1-4) 로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 유기 전계발광 디바이스 (OLED, PLED), 특히 인광 OLED 이다.
유기 전계발광 디바이스는 캐소드, 애노드 및 적어도 하나의 방출 층을 포함한다. 이들 층 외에도, 이는 또한 추가의 층, 예를 들어 각각의 경우에 하나 이상의 정공-주입층, 정공-수송층, 정공-차단층, 전자-수송층, 전자-주입층, 여기자-차단층, 전자-차단층 및/또는 전하-생성층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 여기자-차단 기능을 갖는 중간층이, 2 개의 방출층 사이에 도입되는 것이 가능하다. 그러나, 이들 층 각각이 반드시 존재할 필요는 없다는 것이 지적되어야만 한다. 유기 전계발광 디바이스는 여기서 하나의 방출층 또는 복수의 방출층을 포함할 수 있다. 복수의 방출 층이 존재하는 경우, 이들은 바람직하게는 전체로서 380 nm 내지 750 nm 의 복수의 방출 최대를 가져서, 전체적으로 백색 방출을 초래하며, 즉 형광 또는 인광을 낼 수 있는 다양한 방출 화합물이 방출층에서 사용된다. 3 개의 방출층을 갖는 시스템이 특히 바람직하며, 여기서 3 개의 층은 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 방출을 나타낸다 (기본 구조에 대해서는, 예를 들어 WO 2005/011013 참조). 이들은 형광 또는 인광 방출층이거나 또는 형광 및 인광 방출 층이 서로 조합된 혼성 시스템일 수 있다.
위에 기재된 실시형태에 따른 본 발명에 따른 화합물은 정밀 구조에 따라 다양한 층에 이용될 수 있다. 정밀 치환에 따라 전자-수송층에 및/또는 전자-차단 또는 여기자-차단층에 및/또는 정공-수송층에, 및/또는 형광 방출체, 인광 방출체 또는 TADF (Thermally Activated Delayed Fluorescence) 를 나타내는 방출체, 특히 인광 방출체용 매트릭스 재료로서, 식 (1) 의 또는 바람직한 실시형태에 따른 화합물을 포함하는 유기 전계발광 디바이스가 바람직하다. 위에 나타낸 바람직한 실시형태들은 유기 전자 디바이스에서 재료의 사용에도 적용된다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 식 (1) 의 또는 바람직한 실시형태에 따른 화합물은 방출 층 중의 형광 또는 인광 화합물을 위한, 특히 인광 화합물을 위한 매트릭스 재료로서 채용된다. 유기 전계발광 디바이스는 하나의 방출 층 또는 복수의 방출 층을 포함할 수도 있고, 적어도 하나의 방출 층은 매트릭스 재료로서 본 발명에 따른 적어도 하나의 화합물을 포함한다.
식 (1) 의 또는 바람직한 실시형태에 따른 화합물이 방출 층 중 방출 화합물을 위한 매트릭스 재료로서 채용되는 경우, 그것은 바람직하게는 하나 이상의 인광 재료 (삼중항 방출체) 와 조합으로 채용된다. 인광은 본 발명의 의미에서 스핀 다중도 > 1 을 갖는 여기된 상태로부터, 특히 여기된 삼중항 상태로부터의 발광을 의미하는 것으로 받아들여진다. 본 출원의 목적을 위해, 모든 발광 전이-금속 착물 및 발광 란탄계열 착물, 특히 모든 이리듐, 백금 및 구리 착물이 인광 화합물로 여겨질 수 있다.
식 (1) 의 화합물 또는 바람직한 실시형태에 따른 화합물이 방출 화합물을 위한 매트릭스 재료로서 방출 층에 채용되는 경우, 그것은 바람직하게는 하나 이상의 인광 재료 (삼중항 방출체) 와 조합으로 채용된다.
식 (1) 의 화합물 또는 바람직한 실시형태에 따른 화합물 및 방출 화합물을 포함하는 혼합물은, 방출체와 매트릭스 재료를 포함하는 전체 혼합물에 기초하여, 99 내지 1 부피%, 바람직하게는 98 내지 10 부피%, 특히 바람직하게는 97 내지 60 부피%, 특히 95 내지 80 부피% 의 식 (1) 의 화합물 또는 바람직한 실시형태에 따른 화합물을 포함한다. 이와 대응하여, 혼합물은 방출체 및 매트릭스 재료를 포함하는 전체 혼합물을 기준으로, 1 내지 99 부피%, 바람직하게는 2 내지 90 부피%, 특히 바람직하게는 3 내지 40 부피%, 특히 5 내지 20 부피% 의 방출체를 포함한다.
적합한 인광 화합물 (= 삼중항 방출체) 은 바람직하게는 가시 영역에서, 적합한 여기시 발광하는 화합물이고, 또한 20 초과, 바람직하게는 38 초과 및 84 미만, 특히 바람직하게는 56 초과 및 80 미만의 원자 번호를 갖는 적어도 하나의 원자, 특히 이 원자 번호를 갖는 금속을 함유한다. 사용된 인광 방출체는 바람직하게는 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물, 특히 이리듐 또는 백금을 함유하는 화합물이다. 본 발명의 목적을 위해, 위에서 언급된 금속을 함유하는 모든 발광 화합물이 인광 화합물로서 여겨진다.
위에 기재된 방출체의 예는 출원 WO　00/70655, WO　2001/41512, WO　2002/02714, WO　2002/15645, EP　1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 05/033244, WO 05/019373, US　2005/0258742, WO 2009/146770, WO 2010/015307, WO 2010/031485, WO 2010/054731, WO 2010/054728, WO 2010/086089, WO　2010/099852, WO 2010/102709, WO 2011/032626, WO 2011/066898, WO 2011/157339, WO 2012/007086, WO 2014/008982, WO　2014/023377, WO 2014/094962, WO 2014/094961, WO 2014/094960, WO 2016/124304, WO 2016/125715, WO 2017/03243, 그리고 미공개 출원 WO 2018/011186 및 WO 2018/041769 에 의해 드러난다. 일반적으로, 인광 OLED 에 대한 선행 기술에 따라 사용되고 유기 전계발광 분야의 당업자에게 공지된 바와 같은 모든 인광 착물이 적합하며, 당업자는 진보성 없이 추가의 인광 착물을 사용할 수 있을 것이다.
적합한 인광 방출체의 예는 아래 표에 열거된 인광 방출체이다.
Figure pct00066
Figure pct00067
Figure pct00068
Figure pct00069
Figure pct00070
Figure pct00071
Figure pct00072
Figure pct00073
식 (1) 의 화합물과 유리하게 조합될 수 있는 적합한 인광 재료 (= 삼중항 방출체) 는, 위에 언급된 바와 같이, 적합한 여기시 적색광을 방출하는 화합물이며, 이는 550 내지 680 nm 사이에 포함되는 여기 삼중항 상태 수준 (T1) 을 갖는 인광 재료를 의미한다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태는 추가의 매트릭스 재료와 조합으로 인광 방출체를 위한 매트릭스 재료로서 식 (1) 의 화합물 또는 바람직한 실시형태에 따른 화합물의 용도이다. 식 (1) 의 또는 바람직한 실시형태에 따른 화합물과의 조합으로 채용될 수도 있는 특히 적합한 매트릭스 재료는 방향족 케톤, 방향족 포스핀 산화물 또는 방향족 술폭사이드 또는 술폰 (예를 들어 WO 2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 또는 WO 2010/006680 에 따름), 트리아릴아민, 카르바졸 유도체, 예를 들어 CBP (N,N-비스카르바졸릴비페닐) 또는 카르바졸 유도체 (WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527 또는 WO 2008/086851 에 개시됨), 인돌로카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름), 인데노카르바졸 유도체 (예를 들어 WO 2010/136109 및 WO 2011/000455 에 따름), 아자카르바졸 유도체 (예를 들어 EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160 에 따름), 이극성 매트릭스 재료 (예를 들어 WO 2007/137725 에 따름), 실란 (예를 들어 WO 005/111172 에 따름), 아자보롤 또는 보론산 에스테르 (예를 들어 WO 2006/117052 에 따름), 트리아진 유도체 (예를 들어 WO 2010/015306, WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따름), 아연 착물 (예를 들어 EP 652273 또는 WO 2009/062578 에 따름), 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체 (예를 들어 WO 2010/054729 에 따름), 디아자포스폴 유도체 (예를 들어 WO 2010/054730 에 따름), 가교된 카르바졸 유도체 (예를 들어 US 2009/0136779, WO 2010/050778, WO 2011/042107, WO 2011/088877 에 따름 또는 EP 11003232.3 에 따름), 트리페닐렌 유도체 (예를 들어 WO 2012/048781 에 따름), 또는 락탐 (예를 들어 WO 2011/116865 또는 WO 2011/137951 에 따름). 실제의 방출체보다 짧은 파장에서 방출하는 추가의 인광 방출체가 마찬가지로 혼합물에 코-호스트로서 존재할 수도 있다.
바람직한 코-호스트 재료는 트리아릴아민 유도체, 락탐, 카르바졸 유도체 및 인데노카르바졸 유도체이다. 바람직한 코-호스트 재료는 매우 특히 카르바졸 유도체 및 인데노카르바졸 유도체이다.
본 발명의 추가의 실시형태에서, 본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스는 분리된 정공 주입층 및/또는 정공 수송층 및/또는 정공 차단층 및/또는 전자 수송층을 포함하지 않으며, 즉 방출 층은 정공 주입층 또는 애노드에 바로 인접해 있고, 및/또는 방출 층은 전자 수송층 또는 전자 주입층 또는 캐소드에 바로 인접해 있으며, 이는 예를 들어 WO 2005/053051 에 기재된 바와 같다. 또한, 예를 들어 WO 2009/030981 에 기재된 바와 같이, 방출 층에 직접 인접하는 정공 수송 또는 정공 주입 재료로서, 방출 층에서의 금속 착물과 동일하거나 또는 유사한 금속 착물을 사용하는 것이 가능하다.
또한 정공 차단 또는 전자 수송 층에 본 발명에 따른 화합물을 채용하는 것이 가능하다. 이것은, 특히, 카르바졸 구조를 갖지 않는 본 발명에 따른 화합물에 적용된다. 이들은 또한 바람직하게는 하나 이상의 추가 전자-수송기, 예를 들어 벤즈이미다졸기에 의해 치환될 수 있다.
본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스의 추가 층에서는, 종래 기술에 따라서 통상적으로 사용되는 모든 재료를 사용하는 것이 가능하다. 따라서, 당업자는 진보적인 단계없이, 유기 전계발광 디바이스에 대해 공지된 모든 재료를 식 (1) 의 또는 바람직한 실시형태에 따른 화합물과 조합하여 사용할 수 있을 것이다.
예를 들면, 본 발명에 따른 화합물은 또한 반도전성 발광 나노입자용의 매트릭스로서 사용될 수 있다. 본 발명의 문맥에서, 용어 "나노"는 0.1 내지 999 nm, 바람직하게는 1 내지 150 nm 범위의 크기를 나타낸다. 바람직한 실시형태에서, 반도전성 발광 나노입자는 양자 재료 ("양자 크기의 재료") 이다. 본 발명의 의미에서 용어 "양자 재료"는 예를 들어 ISBN:978-3-662-44822-9에 기재된 바와 같이, 양자 구속 효과라 불리는 것을 나타내는, 추가 연결 또는 추가 표면 개질이 없는 반도체 재료 자체의 크기에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시형태에서, 양자 재료의 전체 크기는 1 nm 내지 100 nm, 바람직하게는 1 nm 내지 30 nm, 더 바람직하게는 5 nm 내지 15 nm 범위이다. 이 경우, 반도체 발광 나노 입자의 코어는 다양할 수 있다. 적합한 예는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnSeS, ZnTe, ZnO, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgSe, HgTe, InAs, InP, InPS, InPZnS, InPZn, InPGa, InSb, AlAs, AlP, AlSb, Cu2S, Cu2Se, CuInS2, CuInSe2, Cu2(ZnSn)S4, Cu2(InGa) S4, TiO2, 또는 상기 재료의 조합물을 포함한다. 바람직한 실시형태에서, 반도체 발광 입자의 코어는 원소 주기율표의 13 족 원소의 하나 이상 및 15 족 원소의 하나 이상을 포함하며, 예를 들어 GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP, InPS, InPZnS, InPZn, InPGa, InSb, AlAs, AlP, AlSb, CuInS2, CuInSe2, Cu2(InGa)S4 또는 언급된 재료의 조합물을 포함한다. 특히 바람직하게는 코어는 In- 및 P-원자, z. InP, InPS, InPZnS, InPZn 또는 InPGa 를 포함한다. 본 발명의 추가 실시형태에서, 나노입자는 주기율표의 12 족, 13 족 또는 14 족으로부터의 제 1 원소 및 주기율표 15 족 또는 16 족으로부터의 제 2 원소를 함유하는 하나 이상의 쉘 층을 함유한다. 바람직하게는, 모든 쉘 층은 주기율표의 12 족, 13 족 또는 14 족으로부터의 제 1 원소 및 주기율표의 15 족 또는 16 족으로부터의 제 2 원소를 포함한다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서, 쉘 층 중 적어도 하나는 주기율표의 12 족으로부터의 제 1 원소 및 제 16 족으로부터의 제 2 원소, 예를 들어 CdS, CdZnS, ZnS, ZnSe, ZnSSe, ZnSSeTe, CdS/ZnS, ZnSe/ZnS 또는 ZnS/ZnSe를 함유한다. 특히 바람직하게는, 모든 쉘 층은 주기율표의 12 족으로부터의 제 1 원소 및 16 족으로부터의 제 2 원소를 함유한다.
나아가, 하나 이상의 층이 승화 공정에 의해 적용되고, 여기서 재료들이 진공 승화 장치 내에서 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 증착되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스가 바람직하다. 그러나, 또한 초기 압력이 훨씬 더 낮거나 또는 더 높은, 예를 들어 10-7 mbar 미만인 것이 가능하다.
마찬가지로, 하나 이상의 층이 OVPD (organic vapour phase deposition) 방법에 의해 또는 캐리어 기체 승화의 도움으로 적용되고 재료들이 10-5 mbar 내지 1 bar 의 압력에서 적용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스가 바람직하다. 이러한 공정의 특정 경우는 OVJP (유기 증기 제트 프린팅) 공정인데, 여기서 재료는 노즐을 통해 직접 적용되고 그에 따라 구조화된다 (예를 들어, M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301).
게다가 하나 이상의 층이 용액으로부터, 예를 들어 스핀 코팅에 의해, 또는 예를 들어 잉크-젯 인쇄, LITI (광 유도 열 이미징, 열 전사 인쇄), 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 오프셋 인쇄 또는 노즐 인쇄와 같은 임의의 원하는 인쇄 공정에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스가 바람직하다. 이러한 목적을 위해서는 예를 들어 적합한 치환에 의해 수득되는 가용성 화합물이 필요하다.
부가적으로, 예를 들어, 하나 이상의 층이 용액으로부터 도포되고, 하나 이상의 추가의 층이 증착에 의해 적용되는 혼성 방법이 가능하다. 따라서, 예를 들어, 방출층을 용액으로부터 도포하고 전자-수송층을 증착에 의해 적용하는 것이 가능하다.
이들 공정은 일반적으로 당업자에게 알려져 있고, 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 유기 전계발광 디바이스에 진보성 없이 당업자에 의해 적용될 수 있다.
본 발명에 따른 화합물은 일반적으로 유기 전계발광 디바이스에서의 사용시 매우 양호한 성질을 갖는다. 특히, 유기 전계발광 디바이스에서 본 발명에 따른 화합물의 사용시 수명은 종래 기술에 따른 유사한 화합물과 비교하여 현저히 더 낫다. 유기 전계발광 디바이스의 다른 특성, 특히 효율 및 전압이 마찬가지로 더 낫거나 또는 적어도 비슷하다. 또한, 화합물은 높은 유리 전이 온도 및 높은 열 안정성을 갖는다.
이제 본 발명은 하기 실시예에 의해 더욱 상세히 설명될 것이며, 하기 실시예에 의해 본 발명을 제한하는 것을 바라지 않는다.
A) 합성예
a) 3-(3-클로로-1H-인돌로-1-일)-9-페닐-9H-카르바졸
Figure pct00074
2L 플라스크에, 불활성 기체하에서, 3-클로로-1H-인돌 [CAS 16863-96-0] 50.0 g (329 mmol, 1.00 eq), 3-요오도-9-페닐-9H-카르바졸 [502161-03-7] 146 g (369 mmol, 1.20 eq), 요오드화 구리 [CAS 7681-65-4] 12.6 g (66.0 mmol, 20.0mol%), 1,3-비스(피리딘-2-일) 프로판-1,3-디온 [CAS 10198-89-7] 14.9 g (66.0 mmol, 20.0 mol%) 및 탄산 칼륨 [CAS 584-08-7] 137 g (990 mmol, 3.00 eq) 을 350 mL DMF [CAS 68-12-2] 에 현탁시키고, 생성된 혼합물을 45분 동안 아르곤의 스트림에서 불활성화시킨다. 이를 150℃로 18시간 동안 가열한다. 이후, 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 에틸 아세테이트 (300 mL) 및 물 (200 mL) 로 희석하여 상 분리한다. 수성 상을 에틸 아세테이트로 추출한다. 조합한 유기층을 수성 탄산 나트륨 및 물로 세척하고, 황산 나트륨으로 건조시키고, 용매를 진공 하에 제거한다. 크로마토그래피 정제 후, 생성물 96.3 g (245 mmol, 이론치의 74%) 을 무색 고체로서 수득한다.
유사하게 하기 화합물이 수득될 수 있다:
Figure pct00075
b) 3-클로로-2-요오도-1-페닐-1H-인돌
Figure pct00076
2L 플라스크에, 불활성 기체하에서, 3-클로로-1-페닐-1H-인돌 [CAS 198632-32-5] 25.0g (110 mmol, 1.00 eq) 을 건조 THF [CAS 109-99-9] 600 mL에 용해시킨다. 혼합물을 -78 ℃로 냉각하고, LDA (60 mL, 2.00 mol/L, 121 mmol, 1.10 eq) [CAS 4111-54-0] 을 반응 혼합물에 적가한다. 5분 후, 건조 THF 250 mL (34.8 g, 137 mmol, 1.25 eq) 중 요오드의 용액을 반응 혼합물에 적가한다. 반응 혼합물을 밤새 천천히 가열한다. 얼음으로 냉각하면서, 물 (100 mL) 을 첨가하여 반응 혼합물을 켄칭한다. 상 분리 후, 수성 상을 에틸 아세테이트 (300 ml) [CAS 141-78-6] 로 추출하고, 조합한 유기 상을 물 (300 ml) 로 세척한다. 황산 나트륨 [CAS 7757-82-6] 으로 건조한 후, 용매를 진공하에서 제거한다. 조 생성물을 헵탄에 수집하고 실리카 겔을 통해 여과한다. 진공 하에서 용매를 제거한 후 생성물을 수득한다 (30.4 g, 86.1 mmol, 이론치의 78%).
유사하게 하기 화합물이 수득될 수 있다:
Figure pct00077
C) N-(3- 클로로 -1-페닐-1H- 인돌로 -2-일)-1-페닐-1H-1,3- 벤조디아졸 -2- 아민
Figure pct00078
1L 플라스크에, 1-페닐-1H-1,3-벤조디아졸-2-아민 [CAS 43023-11-6] 17.2 g (82.0 mmol, 1.00 eq) 과 3-클로로-2-요오도-1-페닐-1H-인돌 29.0 g (82.0 mmol, 1.00 eq) 을 tert-부탄올 [CAS 75-65-0] 500 ml에 현탁시킨 후, 아르곤의 스트림에서 45분 동안 불활성화시킨다. 이어서, Pd2dba3 [CAS 51364-51-3] 1.88 g (2.05 mmol, 2.50 mol%), tBuBrettPhos [CAS 1160861-53-9] 1.99 g (4.10 mmol, 5.00 mol%) 및 인산 칼륨 [CAS 7778-53-2] 38.2 g (180 mmol, 2.20 eq) 을 첨가하고, 추가 5분 동안 불활성화시킨 후, 150℃로 16시간 동안 가열한다. 이후, 혼합물을 실온으로 냉각하고, 반응 용액을 감압 하에서 농축한다. 조 생성물을 에틸 아세테이트 (500 ml) [CAS 141-78-6]에 수집하고, 염화 암모늄 (2 × 200 ml) 및 물 (2 × 250 ml) 의 포화 수용액으로 연속적으로 세척한다. 실리카 겔을 통한 여과 및 헵탄에 의한 침전 후, 생성물 29.2 g (67.0 mmol, 이론치의 82%) 을 베이지색 고체로서 수득한다.
유사하게, 하기 화합물이 수득될 수 있다:
Figure pct00079
d) 9,13-디페닐-1,9,11,13-테트라아자펜타시클로[10.7.0.0 2,10 .0 3,8 .0 14,19 ] 노나데카-2(10),3(8), 4,6,11,14,16,18-옥타엔
Figure pct00080
불활성 기체하에서, N-(3-클로로-1-페닐-1H-인돌로-2-일)-1-페닐-1H-1,3-벤조디아졸-2-아민 28.0 g (64.4 mmol, 1.00 eq) 을 350 ml의 건조 톨루엔 [CAS 108-88-3] 에 용해시키고, 30분 동안 탈기시킨다. 이후, 톨루엔 [CAS 13716-12-6] 중에서 Pd2dba3 [CAS 51364-51-3] 1.47 g (1.61 mmol, 2.50 mol%), P(tBu)3 3.22 mL (2 mol/L, 6.44 mmol, 10.0 mol%) 을 첨가하고, 탄산 세슘 [CAS 534-17-8] 25.2 g (77.3 mmol, 1.20 eq)을 첨가하고, 반응물을 110 ℃로 밤새 가열한다. 그후, 에틸 아세테이트 (200 ml) 및 물 (300 ml) 을 첨가하고, 상을 분리한다. 에틸 아세테이트로 추출하고 물로 세척한 후, 조합된 유기 상의 용매를 진공 하에 제거한다. 조 생성물을 DCM에 용해시키고, 헵탄의 첨가를 통해 침전시킨다. 여과에 의해 생성물 (13.6 g, 34.1 mmol, 이론치의 53%) 이 황색 고체로서 수득된다.
유사하게, 하기 화합물이 수득될 수 있다:
Figure pct00081
e) 16-브로모-9,13-디페닐-1,9,11,13-테트라아자펜타시클로 [10.7.0 2,10 .0 3,8 .0 14,19 ] 노나데카-2(10), 3(8),4,6,11,14,16,18-옥타엔
Figure pct00082
1L 플라스크에, 불활성 기체 하에서, 9,13-디페닐-1,9,11,13-테트라아자-펜타-시클로[10.7.0.02.10.03, 8,014,19]노나데카-2(10),3 (8),4,6,11,14,16,18-옥타엔 12.0 g (30.1 mmol, 1.00 eq) 을 600 mL의 건조된 DCM [CAS 75-09-2]에 용해시키고 0 ℃로 냉각시킨다. 다음, 반응 혼합물에 NBS [CAS 128-08-5] 5.36 g (30.1 mmol, 1.00 eq.) 을 나누어 첨가한다. 용액을 12 시간 동안 교반하고 실온으로 가온한다. 반응 혼합물을 200 ml의 물과 혼합하고, 상을 분리한다. DCM으로 추출한 후, 조합된 유기 층을 물로 세척한다. Na2SO4 으로 건조시킨 후, 용매를 진공 하에 제거한다. 헵탄-톨루엔 혼합물로부터 재결정한 후, 생성물을 고체 (8.34 g, 17.5 mmol, 이론치의 58%) 로서 단리한다.
유사하게, 하기 화합물이 수득될 수 있다:
Figure pct00083
f) 16-[9-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카르바졸-3-일]-9,13-디페닐-1,9,11,13-테트라아자펜타시클로[10.7.0.0 2,10 .0 3,8 .0 14,19 ]노나데카-2(10),3(8),4,6,11,14,16,18-옥타엔
Figure pct00084
16-브로모-9,13-디페닐-1,9,11,13-테트라아자-펜타-시클로 [10.7.0.02,10.030,8014,19]노나데카-2(10),3(8),4,6,11,14,16,18-옥타엔 8.00g (16.8 mmol, 1.00 eq), [9-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9H-카르바졸-3-일]보론산 [CAS 1266389-18-7] 8.89g (20.1 mmol, 1.20 eq) 및 인산 칼륨 [CAS 7778-53-2] 10.7g (50.3 mmol; 3,00 eq) 을 톨루엔 [CAS 108-88-3] 180 mL 및 물 20 mL 에 용해시키고 아르곤 스트림에서 45 분동안 불활성화시킨다. 그후, 디시클로헥실-(2',6'-디메톡시비페닐-2-일)-포스핀 (SPhos) [CAS 657408-07-6] 480 mg (1.17 mmol, 7 mol%) 과 팔라듐 아세테이트 [CAS 3375-31-3] 188 mg (838 μmol, 5 mol%) 을 반응 혼합물에 첨가하고, 이를 16시간 동안 환류 가열한다. 냉각시킨 후, 유기 상을 분리하고, 수성 상을 에틸 아세테이트로 추출한다. 조합된 유기 상을 물로 세척하고, Na2SO4 으로 건조시킨다. 진공 하에 용매를 제거한 후, 생성된 고체를 DCM에 용해시키고, EtOH를 첨가하여 침전시킨다. 이러한 방법을 3 회 반복한다. 침전된 노란색 고체는 톨루엔으로부터 단리 및 재결정화되고, 최종적으로 고진공 하에서 승화된다. 수율은 7.30 g 이다 (9.19 mmol, 이론치의 55%).
유사하게, 하기 화합물이 수득될 수 있다:
Figure pct00085
Figure pct00086
Figure pct00087
g) 1-(3-클로르-1-페닐-1H-인돌-2-일)-1H-1,3-벤조디아졸-2-아민
Figure pct00088
압력 안정 반응 용기에서, 3-클로로-2-요오도-1-페닐-1H-인돌 40.0 g (113 mmol, 1.00 eq), 1H-1,3-벤조디아졸-2-아민 [CAS 934-32-7] 16.6 g (124 mmol, 1.10 eq.) 및 탄산 세슘 [CAS 534-17-8] 55.4 g (170 mmol, 1.50 eq.) 을 200 mL의 tert-부탄올 [CAS 75-65-0]에 용해시키고, 생성된 현탁액을 아르곤의 스트림에서 30분 동안 불활성화시킨다. 그후, 8-히드록시퀴놀린 [CAS 148-24-3] 2.46 g (17.0 mmol, 15 mol%), 요오드화 구리 [CAS 7681-65-4] 2.15 g (11.3 mmol, 10 mol%) 을 반응 혼합물에 첨가하고, 이를 반응 용기를 닫은 상태에서 120 ℃로 18 시간 동안 가열한다. 그후, 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 에틸 아세테이트 및 물을 첨가한다. 유기 상을 단리하고, 황산 나트륨으로 건조시킨다. 용매를 진공하에 제거한 후, 조 생성물을 에탄올로 세척하고, 생성물을 수득한다 (30.3 g, 84.3 mmol, 이론치의 75%).
유사하게, 하기 화합물이 수득될 수 있다:
Figure pct00089
h) 19-페닐-2,9,11,19-테트라아자펜타시클로[10.7.0.0 2,10 .0 3,8 .0 13,18 ]노나데카-1(12),3(8),4, 6,9,13(18),14,16-옥타엔
Figure pct00090
압력 안정 반응 용기에서, 1-(3-클로로-1-페닐-1H-인돌로-2-일)-1H-1,3-벤조디아졸-2-아민 40.0 g (113 mmol, 1.00 eq) 과 인산 칼륨 26.5 g (125 mmol, 1.50 eq) 을 tert-부탄올 [CAS 75-65-0] 150 mL에 현탁시키고, 아르곤의 스트림에서 45분 동안 불활성화시킨다. 그후, 혼합물에 Pd2dba3 [CAS 51364-51-3] 1.91 g (2.09 mol, 2.50 mol%), tBuBrettPhos [CAS 1160861-53-9] 2.03 g (4.18 mmol, 5.00 mol%) 을 첨가하고 추가 5분 동안 불활성화시킨 후, 압력 반응기를 닫고 16시간 동안 150℃로 가열한다. 그후, 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 침전된 조 생성물을 여과에 의해 단리하고, 에탄올로 세척한다. 원하는 생성물(22.4 g, 69.5 mmol, 이론치의 83%) 은 톨루엔으로부터 재결정화된 후에 수득된다.
i) 11-[3-(4,6-디페닐-1,3,5-트리아진-2-일)페닐]-19-페닐-2,9,11,19-테트라아자펜타시클로[10.7.0.0 2,10 .0 3,8 .0 13,18 ]노나데카1(12),3(8),4,6,9,13(18),14,16옥타엔
Figure pct00091
19-페닐-2,9,11,19-테트라아자펜타시클로 [10.7.0.02,10. 03,10.013,18]노나데카-1(12),3(8),4,6,9,13(18),14,16-옥타엔 22.0 g (68.2 mmol, 1.00 eq.), 2-(3-브로모페닐)-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 [CAS 864377-31-1] 26.5 g (68.2 mmol, 1.00 eq.) 및 나트륨 tert-부타놀레이트 [CAS 865-47-4] 9.18 g (81.8 mmol, 1.20 eq.) 을 톨루엔 [CAS 108-88-3] 500 ml에 첨가하고 아르곤의 스트림에서 30분 동안 불활성화시킨다. 그후, 디시클로헥실-(2',6'-디메톡시-비페닐-2-일)-포스핀 (SPhos) [CAS 657408-07-6] 1.40 g (3.41　mmol, 5　mol%), 팔라듐 아세테이트 [CAS 3375-31-3] 의 460 mg (2.05 mmol, 3 mol%) 을 혼합물에 첨가하고 24 시간 동안 가열 환류시킨다. 그후, 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 400 ml의 물을 반응에 첨가한다. 상을 분리하고 톨루엔 [CAS 108-88-3]으로 수성 상을 추출한 후, 조합된 유기 상을 농축시키고, 조 생성물을 헵탄의 첨가를 통해 침전시킨다. 침전된 고체를 단리시킨다. 재결정화 및 진공 승화에 의한 정제로 원하는 생성물을 수득한다 (5.26 g, 7.32 mmol, 이론치의 19%).
유사하게, 하기 화합물이 수득될 수 있다:
Figure pct00092
Figure pct00093
B) OLED 의 제작
본 발명에 따른 다양한 OLED에 대한 설정은 하기 실시예 E1 내지 E11 (표 1 참조) 에 제시된다.
50 nm의 두께로 구조화된 ITO (인듐 주석 산화물) 로 코팅된 유리판을 산소 플라즈마로 처리한 후, 상부에 유기층을 증발시키기 전에 아르곤 플라즈마로 처리한다. 이들 코팅된 유리판은 OLED가 적용되는 기판을 형성한다.
OLED 는 원칙적으로 하기의 층 구조를 갖는다: 기판 / 정공-주입층 (HIL) / 정공-수송층 (HTL) / 전자 차단층 (EBL) / 방출 층 (EML) / 선택적 정공-차단층 (HBL) / 전자-수송층 (ETL) / 선택적 전자-주입층 (EIL) 및 마지막으로 캐소드. 캐소드는 100 nm 두께의 알루미늄 층에 의해 형성된다. OLED 의 정확한 구조를 표 1 에 나타낸다. OLED 의 제조에 필요한 재료는 표 2 에 나타낸다.
모든 재료들은 진공 챔버에서 열 기상 증착에 의해 적용된다. 방출층은 여기서 항상 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) 및 방출 도펀트 (방출체) 로 이루어지며, 이는 동시 증발에 의해 특정 부피비로 매트릭스 재료 또는 재료들과 혼합된다. IC1:IC2:TEG1 (55%:35%:10%) 와 같은 표현은 여기서, 재료 IC1 이 층에 55% 의 부피비로 존재하고, IC2 이 층에 35% 의 부피비로 존재하고, TEG1 이 층에 10% 의 부피비로 존재한다는 것을 의미한다. 유사하게, 전자 수송층은 또한 2 개 재료의 혼합물로 이루어질 수 있다.
OLED 는 표준 방법에 의해 특성화된다. 전계발광 스펙트럼은 1000 cd/m2 의 광속 밀도에서 결정되고, 그로부터 CIE 1931 x 및 y 색 좌표가 산출된다. OLED 의 데이터가 표 3 에 요약된다.
인광 OLED 에서의 매트릭스 재료로서 본 발명에 따른 화합물의 용도
녹색 방출 도펀트 TEG1과 조합하여, 본 발명에 따른 재료는 실시예 E1 내지 E7에 나타낸 바와 같이 녹색 인광 OLED에서 호스트 재료로서 사용될 수 있다. OLED의 각 전계발광 스펙트럼의 색 좌표는 CIEx=0.32, CIEy=0.62이다.
적색-방출 도펀트 TER5와 조합하여, 본 발명에 따른 재료는 실시예 E8 내지 E9에 나타낸 바와 같이 적색 인광 OLED에서 호스트 재료로서 사용될 수 있다. OLED의 각 전계발광 스펙트럼의 색 좌표는 CIEx=0.66 및 CIEy=0.34이다.
전자-수송 재료로서의 본 발명에 따른 화합물의 용도
본 발명에 따른 화합물은 또한 전자-수송 재료, 즉 HBL 또는 ETL로서 사용될 수 있다. 예로서, 재료는 본원에서 인광 녹색 OLED에 사용되지만 (E10 및 E11을 참조), 그 사용은 녹색 및 인광에 제한되는 것으로 보여서는 안 된다. OLED의 각 전계발광 스펙트럼의 색 좌표는 CIEx=0.35 및 CIEy=0.61이다.
표 1: OLED 의 구조
Figure pct00094
표 2: OLED용 재료의 구조식
Figure pct00095
Figure pct00096
표 3: OLED 디바이스 결과
Figure pct00097

Claims (15)

  1. 식 (1) 의 화합물로서,
    Figure pct00098

    식에서 사용된 기호 및 인덱스에 하기의 것이 적용되며:
    Ar1, Ar2 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 하나 이상의 라디칼 R1에 의해 치환될 수 있는 5 내지 30개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴 기를 나타내고; 여기서 Ar1 및 Ar2 기 중 적어도 하나는 식 (Het-1) 의 기로부터 선택된 헤테로방향족 고리 시스템에 상응하고,
    Figure pct00099

    여기서 부호 *는 식 (1) 로 표시되는 인접한 5원 고리에 대한 결합 위치를 나타내고;
    ArS 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있는 5 내지 30개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고;
    X 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, N 또는 CR1 을 나타내고;
    Y 는 B(R0), C(R0)2, Si(R0)2, C=O, C=NR0, C=C(R0)2, O, S, S=O, SO2, N((ArS)n-RN), P(R0) 및 P(=O)R0 에서 선택되고;
    R0 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CN, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있고, 각각의 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 RC=CR, C≡C, Si(R)2, Ge(R)2, Sn(R)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R), SO, SO2, O, S 또는 CONR 로 대체될 수도 있으며, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 각각의 경우 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시기를 나타내고, 여기서 2 개의 인접한 치환기 R0 은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 함께 형성할 수도 있고;
    RN 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CN, Si(R)3, 1 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기, 또는 3 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수 있고, 각각의 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기가 RC=CR, C≡C, Si(R)2, Ge(R)2, Sn(R)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R), SO, SO2, O, S 또는 CONR 로 치환될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시기를 나타내고;
    R1 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar)2, S(=O)Ar, S(=O)2Ar, N(R)2, N(Ar)2, NO2, Si(R)3, B(OR)2, OSO2R, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있고, 여기서 각각의 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 RC=CR, C≡C, Si(R)2, Ge(R)2, Sn(R)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R), SO, SO2, O, S 또는 CONR 로 대체될 수도 있으며, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시기를 나타내고; 여기서 2 개의 인접한 치환기 R1 은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는 지방족 고리 시스템 또는 방향족 고리 시스템을 함께 형성할 수도 있고;
    R 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar)2, S(=O)Ar, S(=O)2Ar, N(R´)2, N(Ar)2, NO2, Si(R´)3, B(OR´)2, OSO2R´, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 각각의 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R´C=CR´, C≡C, Si(R´)2, Ge(R´)2, Sn(R´)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R´), SO, SO2, O, S 또는 CONR´ 에 의해 대체될 수도 있고 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2에 의해 대체될 수도 있음), 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시기를 나타내고; 여기서 2 개의 인접한 치환기 R 은 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있는, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 함께 형성할 수도 있고;
    Ar 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 각각의 경우 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 또한 치환될 수 있는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고;
    R' 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (여기서 각각의 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 SO, SO2, O, S 로 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br 또는 I 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고;
    n 은 0, 1, 2 또는 3 과 동일한 정수인, 화합물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    기 Y 는 O, S 또는 N((ArS)n-RN) 로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    화합물은 식 (1-1) 내지 (1-8) 의 화합물로부터 선택되고,
    Figure pct00100

    Figure pct00101

    식에서 기호 X, Y, ArS, RN 및 n은 제 1 항과 동일한 의미를 갖는 것을 특징으로 하는 화합물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    X 는 CR1 을 나타내는 것을 특징으로 하는 화합물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    화합물은 식 (1-1-1) 내지 (1-8-4) 의 화합물로부터 선택되고,
    Figure pct00102

    Figure pct00103

    Figure pct00104

    Figure pct00105

    식에서 기호 X, Y, ArS, RN 및 인덱스 n은 제 1 항과 동일한 의미를 갖는 것을 특징으로 하는 화합물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    화합물은 식 (1-1-1a) 내지 (1-8-4a) 의 화합물로부터 선택되고:
    Figure pct00106

    Figure pct00107

    Figure pct00108

    Figure pct00109

    Figure pct00110

    식에서 기호 ArS, RN, R1 및 인덱스 n은 제 1 항과 동일한 의미를 갖는 것을 특징으로 하는 화합물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    RN 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내는 것을 특징으로 하는 화합물.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    RN 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 페닐, 비페닐, 터페닐, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로비플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 트리페닐렌, 플루오란텐, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 카르바졸, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 페난트롤린, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀론, 벤조피리딘, 벤조피리다진, 벤조피리미딘, 퀴나졸린, 벤즈이미다졸, 또는 이들 기 중 2 또는 3개의 조합을 나타내고, 이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R로 치환될 수 있는 것을 특징으로 하는 화합물.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    화합물은 적어도 하나의 기 R1 을 포함하고, R1 은 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내는 것을 특징으로 하는 화합물.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 화합물 및 적어도 하나의 용매를 포함하는, 포뮬레이션.
  11. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 화합물을 포함하는 전자 디바이스.
  12. 제 11 항에 있어서,
    전자 디바이스는 유기 전계발광 디바이스, 유기 집적 회로, 유기 전계-효과 트랜지스터, 유기 박막 트랜지스터, 유기 발광 트랜지스터, 유기 태양 전지, 염료-감응형 유기 태양 전지, 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 전계-켄치 디바이스, 발광 전기화학 전지, 유기 레이저 다이오드 및 유기 플라스몬 방출 디바이스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    전자 디바이스는 유기 전계발광 디바이스이고, 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물이 방출체용 매트릭스 재료, 정공 수송 재료 또는 전자 수송 재료로 사용되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  14. 제 13 항에 있어서,
    제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 화합물은 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 화합물 및 적어도 하나의 방출체를 포함하는 방출층에서 매트릭스 재료로서 사용되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 방출체는 인광 재료인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
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