KR20210097717A - 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물 및 그 경화물 - Google Patents

자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물 및 그 경화물 Download PDF

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KR20210097717A
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코헤이 오타케
노부아키 마츠모토
타이치 키타가와
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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

(A) 일반식 (1)
Figure pct00012

[R1은 탄소 원자수 1∼20의 1가 탄화수소기를, R2는 방향족 기를, X는 식 (2)로 표시되는 기를, a는 1≤a≤3을, m은 1≤m≤2,000을, n은 1≤n≤2,000을 충족시키는 수를 나타내고, m/(n+m)≥0.01을 충족시킨다.
Figure pct00013

(R1은 상기와 같다. R3은 산소 원자 또는 탄소 원자수 1∼20의 알킬렌기를, R4는 아크릴로일옥시알킬기, 메타크릴로일옥시알킬기, 아크릴로일옥시알킬옥시기, 또는 메타크릴로일옥시알킬옥시기를, p는 0≤p≤10을, c는 1≤c≤3을 충족시키는 수를 나타낸다.)]
로 표시되는 오가노폴리실록산
(B) 실록산 구조를 포함하지 않는 단작용 (메타)아크릴레이트 화합물
(C) 광중합개시제를 함유하는 자외선 경화형 실리콘 조성물은 가고정재로서 우수한 점착성과 고무 강도를 가지는 경화물을 공급한다.

Description

자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물 및 그 경화물
본 발명은 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물 및 그 경화물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 설명하면, 물체를 이송하기 위한 가고정재에 적합하게 사용할 수 있는, 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물 및 그 경화물에 관한 것이다.
최근, 스마트폰, 액정 디스플레이, 차량 탑재 부품 등으로 대표되는 전자 기기에는, 고성능화뿐만 아니라, 공간절약화, 에너지절약화도 동시에 요구되고 있다. 그러한 사회적 요청에 따라 탑재되는 전기전자 부품도 점점 소형화·미세화하고 있고, 그 조립 공정도 해마다 복잡하게 되고, 곤란해지고 있다.
이러한 미세화한 소자나 부품을 선택적으로 또한 한번에 이송 가능한 기술이 최근 개발되어, 주목을 받고 있다(비특허문헌 1).
이 기술은 마이크로·트랜스퍼·프린팅 기술라고 불리며, 엘라스토머의 점착력으로 미세한 부품을 단번에 픽업하여, 원하는 장소로 이송시킨다고 하는 기술이다.
마이크로·트랜스퍼·프린팅 재료로서는 실리콘 점착제 조성물을 기재 등의 위에서 경화·성형한 점착성 물품이 이용된다.
이 용도에 사용하는 점착 재료로서 실리콘 엘라스토머가 알려져 있고, 가열 경화형의 무용제형 실리콘계 점착제가 많이 제안되었다(특허문헌1∼3).
그러나, 가열 경화형의 무용제 실리콘 점착제를 사용하면, 가열 경화 후에 실온까지 냉각했을 때 경화물이 수축해 버려, 패턴의 치수 오차가 커져 버린다고 하는 문제가 있다.
또, 이들 점착제는 주로 점착 테이프용으로 개발되어 있어, 점착성 부여제로서 가교에 관여하지 않는 고체 레진 성분이 포함되어 있다. 미가교의 레진 성분은 접착 성분 이동의 원인이 되어, 마이크로·트랜스퍼·프린팅 재료로서 사용했을 때 재료가 소자 등에 잔존할 우려가 있다.
또한, 이들 재료의 강도는 충분하지 않아, 성형 시나 소자 등을 이송 시에 응집 파괴될 가능성도 있다.
한편, 자외선 조사에 의해 실온에서 단시간에 경화 가능하며, 치수 정밀도가 우수한 실리콘 수지의 개발도 행해졌지(특허문헌 4)만, 이것도 비가교성의 레진 성분이 포함되어 있어, 접착 성분 이동을 억제할 수 없었다.
그 때문에 자외선 조사에 의해 실온에서 단시간에 경화 가능한 것에 더하여, 레진 성분을 포함하지 않고 충분한 점착력과 고무 강도를 가지는 자외선 경화형 점착 실리콘 재료가 요망되고 있다.
일본 특허 제5825738호 공보 일본 특허 제2631098호 공보 일본 특허 제5234064호 공보 일본 특허 제4100882호 공보
JOHNA. ROGERS, 「TransfeRprinting by kinetic control oFadhesioNto aNelastometric stamp」, nature materials, Nature Publishing Group, 2005년 12월 11일, 제6권, p.33-38
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 가고정재로서 우수한 점착성과 고무 강도를 가지는 경화물을 공급하는 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물 및 그 경화물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 행한 결과, 특정 (메타)아크릴로일옥시 함유 기를 가지는 오가노폴리실록산, 및 실록산 구조를 포함하지 않는 단작용 (메타)아크릴레이트 화합물을 사용함으로써, 자외선 조사에 의해 신속하게 경화하고, 또한, 레진 성분을 포함하지 않아도 양호한 점착성과 고무 강도를 가지는 경화물을 공급하는 자외선 경화형 실리콘 조성물이 얻어지는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은
1. (A) 하기 일반식 (1)
Figure pct00001
[식 중, R1은 서로 독립하여 탄소 원자수 1∼20의 1가 탄화수소기를 나타내고, R2는 서로 독립하여 방향족 기를 나타내고, X는 하기 식 (2)로 표시되는 기를 나타내고, a는 1≤a≤3을 충족시키는 수를 나타내고, m은 1≤m≤2,000을 충족시키는 수를 나타내고, n은 1≤n≤2,000을 충족시키는 수를 나타내고, m/(n+m)≥0.01을 충족시킨다. 단, m 및 n이 붙여진 실록산 단위의 배열순은 임의이다.
Figure pct00002
(식 중, R1은 상기와 같은 의미를 나타내고, R3은 산소 원자 또는 탄소 원자수 1∼20의 알킬렌기를 나타내고, R4는, 서로 독립하여, 아크릴로일옥시알킬기, 메타크릴로일옥시알킬기, 아크릴로일옥시알킬옥시기, 또는 메타크릴로일옥시알킬옥시기를 나타내고, p는 0≤p≤10을 충족시키는 수를 나타내고, c는 1≤c≤3을 충족시키는 수를 나타낸다.)]
로 표시되는 오가노폴리실록산: 100질량부,
(B) 실록산 구조를 포함하지 않는 단작용 (메타)아크릴레이트 화합물: 1∼200질량부, 및
(C) 광중합개시제: 0.01∼20질량부
를 함유하는 것을 특징으로 하는 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물,
2. (D) 미분말 실리카를 (A) 성분 100질량부에 대하여 1∼200질량부 포함하는 1의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물,
3. (E) 대전방지제를 (A) 성분 100질량부에 대하여 0.001∼10질량부 포함하는 1 또는 2의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물,
4. 1∼3 중 어느 하나의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물의 경화물,
5. 두께 2.0mm에서의 인장강도(JIS-K6249)가 0.5MPa 이상인 4의 경화물,
6. 4 또는 5의 경화물로 이루어지는 점착제,
7. 4 또는 5의 경화물로 이루어지는 점착 시트,
8. 4 또는 5의 경화물로 이루어지는 미소 구조체 전사용 스탬프,
9. 적어도 1개의 볼록 형상 구조를 가지는 8의 미소 구조체 전사용 스탬프,
10. 8 또는 9의 미소 구조체 전사용 스탬프를 갖춘 미소 구조체 전사 장치,
11. 4 또는 5의 경화물로 이루어지는 점착제층을 가지는 미소 구조체 유지 기판,
12. 11의 미소 구조체 유지 기판을 갖춘 미소 구조체 전사 장치
를 제공한다.
본 발명의 점착성 자외선 경화형 실리콘 고무 조성물은 자외선 조사에 의한 경화성이 양호하며, 또한 그 경화물은 가고정재로서 우수한 점착성 및 고무 강도를 가진다.
도 1은 본 발명의 미소 구조체 전사용 스탬프의 일례를 도시하는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 미소 구조체 전사용 스탬프의 일례를 도시하는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 미소 구조체 전사용 스탬프의 제조 방법의 일례를 도시하는 개략도이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 본 발명에 대해 구체적으로 설명한다.
본 발명에 따른 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물은 (A) 하기 일반식 (1)로 표시되는 오가노폴리실록산: 100질량부, (B) 실록산 구조를 포함하지 않는 단작용 (메타)아크릴레이트 화합물: 1∼200질량부, 및 (C) 광중합개시제: 0.01∼20질량부를 함유하는 것을 특징으로 한다.
(A) 오가노폴리실록산
본 발명에 사용되는 (A) 성분은 본 조성물의 가교 성분이며, 하기 일반식 (2)로 표시되는 기를 1 분자 중에 2개 가지고, 주쇄가 실질적으로 디오가노실록산 단위의 반복으로 이루어지는 오가노폴리실록산이다.
Figure pct00003
(식 중, m 및 n이 붙여진 실록산 단위의 배열순은 임의이다.)
식 (1)에 있어서, R1은 서로 독립하여 탄소 원자수 1∼20의 1가 탄화수소기, 바람직하게는, 지방족 불포화기를 제외한, 탄소 원자수 1∼10, 보다 바람직하게는 1∼8의 1가 탄화수소기를 나타내고, R2는, 서로 독립하여, 방향족 기, 바람직하게는 비치환의 방향족 탄화수소기를 나타내고, X는 하기 식 (2)로 표시되는 기를 나타내고, a는 1≤a≤3을 충족시키는 수를 나타내고, m은 1≤m≤2,000을 충족시키는 수를 나타내고, n은 1≤n≤2,000을 충족시키는 수를 나타내고, m/(n+m)≥0.01을 충족시킨다.
Figure pct00004
식 (1) 및 (2)에 있어서, R1의 탄소 원자수 1∼20의 1가 탄화수소기는 직쇄, 분기, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, n-헥실, 시클로헥실, n-옥틸, 2-에틸헥실, n-데실기 등의 알킬기; 비닐, 알릴(2-프로페닐), 1-프로페닐, 이소프로페닐, 부테닐 기 등의 알케닐기; 페닐, 톨릴, 크실릴, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질, 페닐에틸, 페닐프로필기 등의 아랄킬기 등을 들 수 있다.
또, 이들 1가 탄화수소기의 탄소 원자에 결합한 수소 원자의 일부 또는 전부는 그 밖의 치환기로 치환되어 있어도 되고, 그 구체예로서는 클로로메틸, 브로모에틸, 트리플루오로프로필, 시아노에틸기 등의 할로겐 치환 탄화수소기나, 시아노 치환 탄화수소기 등을 들 수 있다.
이것들 중에서도, R1로서는 탄소 원자수 1∼5의 알킬기, 페닐기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 페닐기가 보다 바람직하고, 메틸기, 에틸기가 더한층 바람직하다.
또, 식 (1)에 있어서의 R2의 방향족 기로서는 페닐, 비페닐, 나프틸기 등의 방향족 탄화수소기; 푸라닐기 등의 헤테로 원자(O, S, N)를 포함하는 방향족 기 등을 들 수 있고, 이들 방향족 기는 할로겐 원자(예를 들면, 염소 원자, 브롬 원자, 불소 원자) 등의 치환기를 가져도 된다.
이것들 중에서도, R2로서는 비치환의 방향족 탄화수소기가 바람직하고, 페닐기가 보다 바람직하다.
식 (1)에 있어서의 m은 1≤m≤2,000을 충족시키는 수이지만, 바람직하게는 1≤m≤1,000, 보다 바람직하게는 1≤m≤800을 충족시키는 수이다. m이 1보다 작으면 휘발하기 쉽고, m이 2,000보다 크면 조성물의 점도가 높아져, 취급성이 뒤떨어진다.
한편, n은 1≤n≤2,000을 충족시키는 수이지만, 바람직하게는 1≤n≤1,000, 보다 바람직하게는 1≤n≤800을 충족시키는 수이다. n이 1보다 작으면 휘발하기 쉽고, n이 2,000보다 크면 조성물의 점도가 높아져 취급성이 뒤떨어진다.
또, m 및 n은 m/(n+m)≥0.01의 관계를 충족시킨다. 즉, 식 (1)로 표시되는 오가노폴리실록산은 방향족 기를 포함하는 반복 단위를 전체의 반복 단위 중 1% 이상 가지고, 이것에 의해 점착성을 높게 할 수 있다.
식 (2)에 있어서, R3은 산소 원자 또는 탄소 원자수 1∼20, 바람직하게는 1∼10, 보다 바람직하게는 1∼5의 알킬렌기를 나타내고, R4는, 서로 독립하여, 아크릴로일옥시알킬기, 메타크릴로일옥시알킬기, 아크릴로일옥시알킬옥시기, 또는 메타크릴로일옥시알킬옥시기를 나타내고, p는 0≤p≤10을 충족시키는 수를 나타내고, c는 1≤c≤3을 충족시키는 수를 나타낸다.
R3의 탄소 원자수 1∼20의 알킬렌기는 직쇄, 분기, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 트리메틸렌, 테트라메틸렌, 이소부틸렌, 펜타메틸렌, 헥사메틸렌, 헵타메틸렌, 옥타메틸렌, 노나메틸렌, 데실렌기 등을 들 수 있다.
이것들 중에서도, R3으로서는 산소 원자, 메틸렌, 에틸렌, 트리메틸렌기가 바람직하고, 산소 원자 또는 에틸렌기가 보다 바람직하다.
또, R4의 아크릴로일옥시알킬기, 메타크릴로일옥시알킬기, 아크릴로일옥시알킬옥시기, 또는 메타크릴로일옥시알킬옥시기에 있어서의 알킬(알킬렌)기의 탄소수로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 1∼10이 바람직하고, 1∼5가 보다 바람직하다. 이들 알킬기의 구체예로서는 상기 R1에서 예시한 기 중, 탄소 원자수 1∼10의 것을 들 수 있다.
R4의 구체예로서는 하기 식으로 표시되는 것을 들 수 있지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.
Figure pct00005
(식 중, b는 1≤b≤4를 충족시키는 수를 나타내고, R5는 탄소 원자수 1∼10의 알킬렌기를 나타낸다.)
식 (2)에 있어서, p는 0≤p≤10을 충족시키는 수를 나타내지만, 0 또는 1이 바람직하고, c는 1≤c≤3을 충족시키는 수를 나타내지만, 1 또는 2가 바람직하다.
(A) 성분은 식 (1)의 분자 구조를 가지는 단일의 중합체, 이들 분자 구조로 이루어지는 공중합체, 또는 이들 중합체의 2종 이상의 혼합물이어도 된다.
(A) 성분의 오가노폴리실록산의 25℃에서의 점도는 조성물의 작업성이나 경화물의 역학 특성을 보다 향상시키는 것을 고려하면, 10∼100,000mPa·s가 바람직하고, 10∼50,000mPa·s가 보다 바람직하다. 이 점도 범위는, 통상, 직쇄상 오가노폴리실록산의 경우, 수평균 중합도로, 약 10∼2,000, 바람직하게는 약 50∼1,100 정도에 상당하는 것이다. 또한, 본 발명에 있어서, 점도는 회전 점도계(예를 들면, BL형, BH형, BS형, 콘 플레이트형, 레오미터 등)에 의해 측정할 수 있다(이하, 동일).
본 발명에 있어서, 중합도(또는 분자량)는, 예를 들면, 톨루엔 등을 전개 용매로 하여, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC) 분석에 있어서의 폴리스티렌 환산의 수평균 중합도(또는 수평균 분자량)로서 구할 수 있다(이하, 동일).
(A) 성분의 오가노폴리실록산의 구체예로서는 하기 (3)∼(5)로 표시되는 것을 들 수 있지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.
Figure pct00006
(식 중, R1, R2, R5, b, m, 및 n은 상기와 같은 의미를 나타내고, Me는 메틸기를 나타내고, m 및 n이 붙여진 실록산 단위의 배열순은 임의이다.)
이러한 오가노폴리실록산은 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 식 (3)으로 표시되는 폴리실록산은 양쪽 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·디페닐실록산 공중합체와 클로로디메틸실란과의 히드로실릴화 반응물에 2-히드록시에틸아크릴레이트를 반응시켜 얻을 수 있다.
상기 식 (4)로 표시되는 오가노폴리실록산은 양쪽 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·디페닐실록산 공중합체와 3-(1,1,3,3-테트라메틸디실록사닐)프로필메타크릴레이트(CAS No. 96474-12-3)의 히드로실릴화 반응물로서 얻어진다.
상기 식 (5)로 표시되는 오가노폴리실록산은 양쪽 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·디페닐실록산 공중합체와 디클로로메틸실란의 히드로실릴화 반응물에 2-히드록시에틸아크릴레이트를 반응시켜 얻을 수 있다.
(B) 실록산 구조를 포함하지 않는 단작용 (메타)아크릴레이트 화합물
실록산 구조를 포함하지 않는 단작용 (메타)아크릴레이트 화합물(B)의 구체예로서는 이소아밀아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 에톡시-디에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시-트리에틸렌글리콜아크릴레이트, 2-에틸헥실-디글리콜아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이것들은 단독으로 사용해도 2종 이상 혼합하여 사용해도 된다.
이것들 중에서도, 특히 이소보르닐아크릴레이트가 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 (B) 성분의 단작용 (메타)아크릴레이트 화합물의 첨가량은, (A) 성분 100질량부에 대하여, 1∼200질량부의 범위이다. (B) 성분의 첨가량이 (A) 성분 100질량부에 대하여 1질량부 미만이면, 조성물의 경화성, 경화물의 강도나 점착성이 부족하다. 한편, (B) 성분의 첨가량을 늘림으로써 조성물 전체의 점도를 조정할 수 있지만, 첨가량이 (A) 성분 100질량부에 대하여 200질량부를 초과하면, 원하는 점착성이 얻어지지 않게 된다.
특히, (B) 성분의 첨가량은, (A) 성분 100질량부에 대하여, 5∼100질량부가 바람직하다.
(C) 광중합개시제
본 발명에서 사용 가능한 광중합개시제의 구체예로서는 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온(BASF제 Irgacure 651), 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤(BASF제 Irgacure 184), 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온(BASF제 Irgacure 1173), 2-히드록시-1-{4-[4-(2-히드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]-페닐}-2-메틸-프로판-1-온(BASF제 Irgacure 127), 페닐글리옥실릭 액시드 메틸에스테르(BASF제 Irgacure MBF), 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온(BASF제 Irgacure 907), 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논(BASF제 Irgacure 369), 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드(BASF제 Irgacure 819), 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드(BASF제 Irgacure TPO) 등을 들 수 있고, 이것들은 단독으로 사용해도, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다.
이것들 중에서도, (A) 성분과의 상용성의 관점에서, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온(BASF제 Irgacure 1173), 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드(BASF제 Irgacure 819), 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드(BASF제 Irgacure TPO)가 바람직하다.
광중합개시제의 첨가량은, (A) 100질량부에 대하여, 0.01∼20질량부의 범위이다. 0.01질량부 미만이면 경화성이 부족하고, 20질량부를 초과하면 심부 경화성이 악화된다.
(D) 미분말 실리카
(D) 성분의 미분말 실리카는 주로 조성물의 점도를 조정하는 임의 성분이며, 퓸드 실리카(건식 실리카)나 침전 실리카(습식 실리카)를 들 수 있지만, 퓸드 실리카(건식 실리카)가 바람직하다. 또, (D) 성분을 배합함으로써 경화물의 경도를 더욱 높여, 부품 등을 이송할 때의 위치 어긋남을 억제하는 효과도 있다.
(D) 성분의 비표면적은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 50∼400m2/g이 바람직하고, 100∼350m2/g이 보다 바람직하다. 비표면적이 50m2/g 미만이면, 조성물의 틱소트로피성이 불충분하게 되는 경우가 있고, 또 400m2/g을 초과하면, 조성물의 점도가 과잉으로 높아져, 작업성이 나빠지는 경우가 있다. 또한, 비표면적은 BET법에 의한 측정값이다.
이 (D) 성분의 미분말 실리카는 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
이들 미분말 실리카는 그대로 사용해도 상관없지만, 표면 소수화 처리제로 처리한 것을 사용해도 된다.
이 경우, 미리 표면처리제로 처리한 미분말 실리카를 사용해도, 미분말 실리카의 혼련 시에 표면처리제를 첨가하고, 혼련과 표면처리를 동시에 행해도 된다.
이들 표면처리제는 알킬알콕시실란, 알킬클로로실란, 알킬실라잔, 실란커플링제 등을 들 수 있고, 이것들은 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 동시에, 또는 다른 타이밍에 사용해도 된다.
본 발명의 조성물에 있어서, (D) 성분을 사용하는 경우, 그 첨가량은 상기 (A) 성분 100질량부에 대하여 1∼200질량부의 범위가 바람직하고, 5∼150질량부가 보다 바람직하고, 10∼100질량부가 더한층 바람직하다.
(E) 대전방지제
(E) 성분의 대전방지제는 표면저항률을 저하시켜, 재료에 대전방지성을 부여하는 역할을 가지는 임의 성분이다. 대전방지제로서는 알칼리 금속 혹은 알칼리토류 금속의 염, 또는 이온 액체를 들 수 있다. 여기에서, 이온 액체란 실온(25℃)에서 액체인 용해염으로, 상온 용해염이라고도 불리는 것이며, 특히 융점이 50℃ 이하의 것을 말한다. 바람직하게는 -100∼30℃, 보다 바람직하게는 -50∼20℃의 것을 말한다. 이러한 이온 액체는 증기압이 없고(비휘발성), 고내열성, 불연성, 화학적 안정인 등의 특성을 가지는 것이다.
알칼리 금속 또는 알칼리토류 금속의 염으로서는, 예를 들면 리튬, 나트륨, 칼륨 등의 알칼리 금속의 염; 칼슘, 바륨 등의 알칼리토류 금속의 염 등을 들 수 있다. 이것들의 구체예로서는 LiClO4, LiCF3SO3, LiN(CF3SO2)2, LiAsF6, LiCl, NaSCN, KSCN, NaCl, NaI, KI 등의 알칼리 금속염; Ca(ClO4)2, Ba(ClO4)2 등의 알칼리토류 금속염 등을 들 수 있다.
이것들 중에서도, 저저항값과 용해도의 점에서, LiClO4, LiCF3SO3, LiN(CF3SO2)2, LiAsF6, LiCl 등의 리튬염이 바람직하고, LiCF3SO3, LiN(CF3SO2)2가 특히 바람직하다.
이온 액체는 4차 암모늄 양이온과 음이온으로 이루어진다. 이 4차 암모늄 양이온은 이미다졸륨, 피리디늄 또는 식: R6 4N+[식 중, R6은, 서로 독립하여, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1∼20의 유기 기이다.]으로 표시되는 양이온 중 어느 하나의 형태이다.
상기 R6으로 표시되는 유기 기의 구체예로서는 탄소 원자수 1∼20의 1가 탄화수소기, 알콕시알킬기 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는 메틸, 펜틸, 헥실, 헵틸기 등의 알킬기; 페닐, 톨릴, 크실릴, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질, 페네틸기 등의 아랄킬기, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로옥틸기 등의 시클로알킬기; 에톡시에틸기(-CH2CH2OCH2CH3) 등의 알콕시알킬기 등을 들 수 있다. 또한, R6으로 표시되는 유기 기 중 2개가 결합하여 환상 구조를 형성해도 되고, 이 경우에는 2개의 R6이 합쳐져 2가의 유기 기를 형성한다. 이 2가의 유기 기의 주쇄는 탄소만으로 구성되어 있어도 되고, 그 속에 산소 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하고 있어도 된다. 구체적으로는, 예를 들면, 2가 탄화수소기[예를 들면, 탄소 원자수 3∼10의 알킬렌기], 식:-(CH2)d-O-(CH2)e-[식 중, d는 1∼5의 정수이고, e는 1∼5의 정수이며, d+e는 4∼10의 정수이다.] 등을 들 수 있다.
상기 R6 4N+으로 표시되는 양이온의 구체예로서는 메틸트리n-옥틸암모늄 양이온, 에톡시에틸메틸피롤리디늄 양이온, 에톡시에틸메틸모르폴리늄 양이온 등을 들 수 있다.
상기 음이온으로서는 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, AlCl4 -, Al3Cl10 -, Al2Cl7 -, ClO4 -, PF6 -, BF4 -, CF3SO3 -, (CF3SO2)2N-, (CF3SO2)3C-가 바람직하고, PF6 -, BF4 -, CF3SO3 -, (CF3SO2)2N-이 보다 바람직하다.
상기 대전방지제는 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다.
(E) 성분의 배합량은, 대전방지성 및 내열성의 관점에서, 상기 (A) 성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.001∼10질량부, 보다 바람직하게는 0.005∼10질량부이다.
본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물로부터 얻어지는 경화물의 대전방지 성능으로서는 스태틱 아니스트미터(시시도세이덴키(주)제)를 사용하여, 경화물의 표면에 코로나 방전에 의해 정전기를 6kV 챠지한 후, 그 대전압이 절반이 되는 시간(반감기)이 2분 이내인 것이 바람직하고, 1분 이내인 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명의 조성물은, 접착 성분 이동을 억제하는 관점에서, 비가교성의 오가노폴리실록산 레진을 포함하지 않는 것이 바람직하다.
이러한 오가노폴리실록산 레진으로서는 일반적으로 경화물에 점착성을 부여하는 성분으로서 사용되는, (d) R7 3SiO1 /2 단위(R7은 탄소 원자수 1∼10의 1가 탄화수소기를 나타낸다.)와 (e) SiO4 / 2 단위로 이루어지고, (d) 단위와 (e) 단위의 몰비가 0.4∼1.2:1의 범위에 있는 오가노폴리실록산 레진 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 조성물은 가교성의 오가노폴리실록산 레진을 포함하지 않는 것이 바람직하다.
이러한 오가노폴리실록산 레진으로서는 (a) 하기 일반식 (I)로 표시되는 단위, (b) R7 3SiO1 /2 단위(식 중, R7은 상기와 같은 의미를 나타낸다.) 및 (c) SiO4 / 2 단위로 이루어지고, (a) 단위 및 (b) 단위의 합계와 (c) 단위와의 몰비가 0.4∼1.2:1의 범위에 있는 오가노폴리실록산 레진 등을 들 수 있다.
Figure pct00007
(식 중, R1, R3, R4, c 및 p는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)
또, 본 발명의 조성물에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 색재(안료 또는 염료), 실란커플링제, 접착 조제, 중합금지제, 산화방지제, 내광성안정제인 자외선흡수제, 광안정화제 등의 첨가제를 배합할 수 있다.
또한, 본 발명의 조성물은 그 밖의 수지 조성물과 적당하게 혼합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물은 상기 (A)∼(C) 성분, 및 필요에 따라 (D) 성분, (E) 성분 및 그 밖의 성분을, 임의의 순서로 혼합하고, 교반 등 하여 얻을 수 있다. 교반 등의 조작에 사용하는 장치는 특별히 한정되지 않지만, 뇌궤기, 3롤밀, 볼밀, 플래니터리 믹서 등을 사용할 수 있다. 또, 이들 장치를 적당하게 조합해도 된다.
본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물의 점도는 도포 시의 성형성이나 작업성의 관점에서, 회전 점도계를 사용하여 23℃에서 측정한 점도가 5,000Pa·s 이하인 것이 바람직하고, 3,000Pa·s 이하가 보다 바람직하고, 1,500Pa·s 이하가 더한층 바람직하다. 5,000Pa·s를 초과하면 작업성이 현저하게 나빠지는 경우가 있다.
본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물은 자외선을 조사함으로써 신속하게 경화한다.
이 경우, 조사하는 자외선의 광원으로서는, 예를 들면, UVLED 램프, 고압 수은등, 초고압 수은등, 메탈할라이드 램프, 카본 아크 램프, 크세논 램프 등을 들 수 있다.
자외선의 조사량(적산 광량)은, 예를 들면, 본 발명의 조성물을 2.0mm 정도의 두께로 성형한 시트에 대하여, 바람직하게는 1∼10,000mJ/cm2이며, 보다 바람직하게는 10∼8,000mJ/cm2이다. 즉, 조도 100mW/cm2의 자외선을 사용한 경우, 0.01∼100초 정도 자외선을 조사하면 된다.
본 발명에 있어서, 자외선 조사에 의해 얻어진 경화물의 점착력은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 이송물의 박리성과 유지성의 밸런스를 고려하면, 0.01∼100MPa가 바람직하고, 0.05∼50MPa가 보다 바람직하다.
또, 본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물은 각종 기재에 도포하고 자외선 경화시킴으로써, 점착성 물품으로서 이용할 수 있다.
기재로서는 플라스틱 필름, 글라스, 금속 등, 특별히 제한 없이 사용할 수 있다.
플라스틱 필름으로서는 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리이미드 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 폴리비닐알코올 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리스티렌 필름, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 필름, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 필름, 트리아세틸셀룰로오스 필름 등을 들 수 있다.
글라스에 대해서도, 두께나 종류 등에 대해 특별히 제한은 없고, 화학 강화 처리 등을 한 것이어도 된다.
또한, 기재와 점착제층의 밀착성을 향상시키기 위해, 기재에 미리 프라이머 처리, 플라스마 처리 등을 시행한 것을 사용해도 된다.
도공 방법은, 예를 들면, 스핀 코터, 콤마 코터, 립 코터, 롤 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 블레이드 코터, 로드 코터, 키스 코터, 그라비아 코터, 스크린 도공, 침지 도공, 캐스트 도공 등의 공지의 도공 방법으로부터 적당하게 선택하여 사용할 수 있다.
본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물은 무용제형이기 때문에, 경화물의 제작 방법으로서는 형을 사용한 포팅도 가능하다.
포팅에 있어서의 형에 부어 넣을 때에 기포를 말려들게 하는 경우가 있지만, 감압에 의해 탈포할 수 있다. 형으로서는, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼 위에 포토레지스트에 의해 원하는 요철을 만든 레지스트형을 사용할 수 있다.
경화 후, 형으로부터 경화물을 꺼내고 싶은 경우에는, 조성물을 부어 넣기 전에 용기에 이형제 처리를 시행하는 편이 바람직하다. 이형제로서는 불소계, 실리콘계 등의 것이 사용 가능하다.
또한, 본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물은, 통상, 그대로 사용하지만, 핸들링성, 기재에의 도포성 등의 개선이 필요한 경우에는, 본 발명의 특성을 손상시키지 않는 범위에서 유기 용제에 의해 희석하고 나서 사용하는 것도 허용된다.
본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물로 이루어지는 경화물은 성형 시나 소자 등의 미세 부품의 이송 시에 응집 파괴를 일으키지 않는 것을 고려하면, 인장강도 0.5MPa 이상이 바람직하고, 1MPa 이상이 보다 바람직하다.
도 1, 2에 도시되는 바와 같이, 본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물의 경화물은 미소한 소자나 부품 등을 이송하기 위한 미소 구조체 전사용 스탬프(100, 101)로서 이용할 수 있다.
도 1에 있어서, 미소 구조체 전사용 스탬프(100)는 기재(200) 위에 본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물의 경화물층(300)을 가지고 구성되어 있다. 이 경우, 경화물층(300)의 크기는 기재(200)에 들어가는 크기이면 되고, 완전히 같은 크기이어도 된다.
기재(200)의 재질에는 특별히 제한은 없고, 그 구체예로서는 플라스틱 필름, 글라스, 합성 석영, 금속 등을 들 수 있다. 두께나 종류 등에 대해서도 특별히 제한은 없고, 화학 강화 처리 등을 한 것이어도 된다. 또한, 기재와 점착제층의 밀착성을 향상시키기 위해, 기재에 미리 프라이머 처리, 플라스마 처리 등을 시행한 것을 사용해도 된다. 미소 구조체 이송 시의 위치 어긋남을 억제하고, 이송 정밀도를 높이기 위해서는, 평탄도가 높은 합성 석영을 사용하는 것이 바람직하다.
기재(200) 위의 경화물층(300)을 제작하는 방법에도 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 기재(200) 위에 미경화의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물을 직접 도포하고 경화시키는 방법과, 기재(200) 위에 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물의 시트 형상 경화물을 첩합하는 방법의 어느 것이어도 된다.
기재(200) 위에 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물을 직접 도포하고 경화시키는 방법에서는, 기재(200) 위에 실리콘 점착제 조성물을 도포 후, 자외선 조사에 의해 경화함으로써 미소 구조체 전사용 스탬프(100)를 얻을 수 있다.
도포 방법으로서는, 예를 들면, 스핀 코터, 콤마 코터, 립 코터, 롤 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 블레이드 코터, 로드 코터, 키스 코터, 그라비아 코터, 스크린 도공, 침지 도공, 캐스트 도공 등의 공지의 도공 방법으로부터 적당하게 선택하여 사용할 수 있다.
또, 이들 방법으로 실리콘 점착제 조성물을 기재에 도포 후, 프레스 성형이나 컴프레션 성형 등을 행하면서 자외선 조사에 의해 경화시킴으로써, 평탄성이 높은 미소 구조체 전사용 스탬프(100)를 얻을 수도 있다.
기재(200) 위에 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물의 시트 형상 경화물을 첩합하는 방법에서는, 재료를 시트 형상으로 성형 후, 기재(200)에 첩합함으로써 미소 구조체 전사용 스탬프(100)를 얻을 수 있다.
자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물을 시트 형상으로 성형하는 방법으로서는, 예를 들면, 롤 성형, 프레스 성형, 트랜스퍼 성형, 컴프레션 성형 등의 성형 방법으로부터 적당하게 선택하여 사용할 수 있다. 시트 형상 경화물은 먼지 등의 부착 방지나 경화 시의 산소 저해 억제를 위해, 플라스틱 필름에 끼우는 형태로 성형하는 것이 바람직하다. 또, 얻어진 시트 형상 경화물이 원하는 것보다 클 경우, 원하는 크기로 자르는 것도 가능하다.
또, 시트 형상 경화물과 기재(200)와의 밀착성을 높이기 위해, 이들 중 어느 하나, 또는 양쪽의 첩합면에 플라스마 처리, 엑시머 처리, 화학 처리 등을 시행해도 된다. 또한, 첩합 강도를 향상시키기 위해, 점착제·접착제 등을 사용해도 된다. 점착제·접착제의 구체예로서는 실리콘계, 아크릴계, 에폭시계 등의 것이 사용 가능하다.
첩합 방법으로서는 롤 첩합이나 진공 프레스 등을 사용할 수 있다.
미소 구조체 전사용 스탬프(100) 중의 실리콘 점착제 경화물층(300)의 두께는 성형성이나 평탄성의 관점에서 1㎛∼1cm인 것이 바람직하고, 10㎛∼5mm인 것이 보다 바람직하다.
한편, 도 2에 있어서, 미소 구조체 전사용 스탬프(101)는 기재(201) 위에 본 발명의 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물의 경화물층(310)을 가지고 구성된다. 기재(201)로서는 기재(200)와 동일한 것을 사용할 수 있다. 실리콘 점착제 경화물층(310)은 표면에 볼록 형상 구조(311)을 가지고 있다. 또, 볼록 형상 구조(311)의 하부에는, 베이스층(312)이 설치되어 있어도 된다.
기재(201) 위에 경화물층(310)을 제작하는 방법에 특별히 제한은 없고, 예를 들면, 기재(201) 위에 몰딩 성형 등에 의해 직접 경화물층(310)을 성형하는 방법과, 기재(201) 위에 볼록 형상 구조(311)를 가지는 시트 형상 경화물을 첩합하는 방법을 들 수 있다.
기재(201) 위에 몰딩 성형에 의해 직접 실리콘 점착제 경화물층(310)을 성형하는 방법에서는, 도 3에 도시되는 바와 같이, 기재(201)와 형(401)의 사이에 본 발명의 실리콘 점착제 조성물을 채우고, 자외선 조사에 의해 경화시킨 후, 형(401)을 탈형함으로써 미소 구조체 전사용 스탬프(101)를 얻을 수 있다.
형(401)으로서는, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼나 석영 기판 위에 포토레지스트에 의해 원하는 요철을 만든 레지스트형, 자외선 경화형 수지에 패턴 노광하여 요철을 만든 수지형 등을 사용할 수 있다. 수지형의 경우, 기재로서 각종 플라스틱 필름을 사용할 수 있다.
기재(201)와 형(401)의 사이에 실리콘 점착제 조성물을 채우는 방법으로서는, 기재(201)와 형(401)의 어느 하나, 혹은 양쪽에 실리콘 점착제 조성물을 도포하고 나서 첩합하는 방법을 들 수 있다. 도포 방법이나 첩합 방법은 상술의 방법을 사용할 수 있다. 도포 시에 형(401)에 미소한 기포가 남을 가능성이 있지만, 진공 첩합이나 감압에 의한 탈포에 의해 해결할 수 있다.
이들 방법으로 실리콘 점착제 조성물을 기재에 도포 후, 프레스 성형, 컴프레션 성형, 롤 프레스 성형 등을 행하면서 자외선 조사에 의해 경화시킴으로써, 미소 구조체 전사용 스탬프(101)를 얻을 수 있다.
또, 다른 방법으로서 실리콘 점착제 조성물을 원하는 패턴을 가지는 메시를 사용하여 스크린 인쇄한 후, 자외선 조사에 의해 경화시키는 방법으로도 미소 구조체 전사용 스탬프(101)를 얻을 수 있다. 이때, 본 발명의 실리콘 점착제 조성물은 형상 유지성이 우수하기 때문에, 도포 후부터 경화하기까지 원하는 패턴 형상을 손상시키지 않는다.
기재(201) 위에 볼록 형상 구조(311)를 가지는 실리콘 점착제 시트 형상 경화물을 첩합하는 방법에서는, 실리콘 점착제 조성물을 볼록 형상 구조(311)를 가지는 시트 형상 경화물로 성형 후, 기재(201)에 첩합함으로써, 미소 구조체 전사용 스탬프(101)를 얻을 수 있다.
자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물을 볼록 형상 구조(311)를 가지는 시트 형상 경화물로 성형하는 방법으로서는, 형(401)과 동일한 요철을 가지는 형을 사용한 롤 성형, 프레스 성형, 트랜스퍼 성형, 컴프레션 성형 등의 성형 방법으로부터 적당하게 선택하여 사용할 수 있다.
시트 형상 경화물은 먼지 등의 부착 방지나 경화 시의 산소 저해 억제를 위해, 플라스틱 필름 등에 끼워 성형하는 것이 바람직하다. 또, 얻어진 시트 형상 경화물이 원하는 것보다 클 경우, 원하는 크기로 자르는 것도 가능하다.
또한, 시트 형상 경화물과 기재(201)와의 밀착성을 높이기 위해, 이것들의 첩합면에 플라스마 처리, 엑시머 처리, 화학 처리 등을 시행해도 된다. 또, 첩합 강도를 향상시키기 위해, 상기한 각종 점착제·접착제 등을 사용해도 된다.
첩합 방법으로서는 롤 첩합이나 진공 프레스 등을 사용할 수 있다.
볼록 형상 구조(311)의 크기나 배열은 이송 대상의 미소 구조체의 크기나 원하는 배치에 맞추어 설계 가능하다.
볼록 형상 구조(311)의 상면은 평탄하며, 또, 그 면 형상에 제한은 없고, 원형, 타원형, 사각형 등을 들 수 있다. 사각형 등의 경우, 엣지에 곡면을 형성해도 문제없다.
볼록 형상 구조(311)의 상면의 폭은 0.1㎛∼1cm가 바람직하고, 1㎛∼1mm가 보다 바람직하다.
또, 볼록 형상 구조(311)의 측면의 형태에도 제한은 없고, 수직면, 사면 등을 불문한다.
볼록 형상 구조(311)의 높이는 0.1㎛∼1cm가 바람직하고, 1㎛∼1mm가 보다 바람직하다.
공간을 두고 이웃하는 볼록 형상 구조(311)끼리의 피치 거리는 0.1㎛∼10cm가 바람직하고, 1㎛∼1mm가 보다 바람직하다.
또, 베이스층(312)의 두께는 0.1㎛∼1cm가 바람직하고, 1㎛∼5mm가 보다 바람직하다.
이상과 같은 미소 구조체 전사용 스탬프는 장치에 부착하여 미소 구조체 전사 장치로서 이용할 수 있다. 장치에의 부착 방법에 제한은 없지만, 진공 척, 점착제 시트 등을 들 수 있다. 미소 구조체 전사 장치는 소자 등의 미소 구조체를 미소 구조체 전사용 스탬프의 점착성에 의해 픽업하고, 원하는 위치로 이동 후, 릴리스함으로써, 미소 구조체의 이송을 달성하는 것이 가능하다.
예를 들면, 레이저광을 사용하여 반도체 소자의 사파이어 기판을 GaN계 화합물 결정층으로부터 박리하는 레이저 리프트 오프(laser lift off, LLO) 프로세스 시에, 박리한 반도체 소자의 위치 어긋남이 생기지 않도록 가고정하기 위한 미소 구조체 유지 기판(도너 기판)으로서, 도 1, 2에 도시되는 미소 구조체 전사용 스탬프(100, 101)를 사용할 수 있다. 반도체 소자에 미소 구조체 유지 기판이 점착한 상태에서 레이저 조사를 행함으로써, 박리한 반도체 소자가 미소 구조체 유지 기판 위에 전사·가고정된다.
또한, 상기 미소 구조체 유지 기판보다도 점착력이 큰 미소 구조체 전사용 스탬프(100, 101)를 사용함으로써, 상기 미소 구조체 유지 기판 위에 가고정된 반도체 소자를 선택적으로 픽업할 수 있다. 여기에서, 픽업한 반도체 소자를 실장 위치 기판 위의 원하는 위치로 이동 후, 납땜을 행하여 반도체 소자와 실장 위치 기판을 접합하고, 미소 구조체 전사용 스탬프를 반도체 소자로부터 박리함으로써, 반도체 소자의 전사 및 기판에의 실장이 달성된다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
또한, 실시예에서 사용한 각 성분의 화합물은 이하와 같다. 여기에서, Me는 메틸기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타낸다.
(A) 성분
Figure pct00008
(식 중, 괄호 내의 실록산 단위의 배열순은 임의이다.)
(B) 성분
(B-1) 이소보르닐아크릴레이트(교에이샤카가쿠(주)제 라이트 아크릴레이트 IB-XA)
(C) 성분
(C-1) 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온(BASF재팬(주)제 Irgacure 1173)
(D) 성분
(D-1) 건식 실리카((주)토쿠야마제 레올로실 DM-30S, 비표면적 230m2/g)
(E) 성분
(E-1) LiN(SO2CF3)2를 20질량% 함유하는 아디프산 에스테르
[실시예 1∼8 및 비교예 1, 2]
상기 (A)∼(E) 성분을, 표 1 기재의 비율로 혼합하여 각 실리콘 조성물을 조제했다. 또한, 표 1에 있어서의 조성물의 점도는 회전 점도계를 사용하여 23℃에서 측정한 값이다.
조제한 실리콘 조성물을 아이그래픽(주)제 아이 UV 전자 제어 장치(형식 UBX0601-01)를 사용하고, 질소 분위기하, 실온(25℃)에서, 파장 365nm의 자외광으로의 조사량이 4,000mJ/cm2가 되도록 자외선을 조사하여, 경화시켰다. 또한, 시트의 두께는 2.0mm로 했다. 경화물의 경도, 절단 시 신율, 인장강도는 JIS-K6249에 준하여 측정했다.
경화물의 점착성은 (주)시마즈세이사쿠쇼제 소형 탁상 시험기 EZ-SX에 의해 측정했다. 구체적으로는, 1mm 두께의 경화물에 가로세로 1mm SUS제 프로브를 1MPa로 15초간 누른 후, 200mm/min의 속도로 잡아당겼을 때에 걸리는 부하를 측정한 값이다.
경화물의 대전방지성은 스태틱 아니스트미터(시시도세이덴키(주)제)를 사용하고, 2mm 두께 경화물 시트 표면에, 각각 코로나 방전에 의해 정전기를 6kV 챠지한 후, 그 대전압이 절반이 되는 시간(반감기)으로 측정했다.
Figure pct00009
표 1에 나타내어지는 바와 같이, 실시예 1∼8에서 조제한 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물은 적당한 점도를 가지고 있는 것을 알 수 있다. 또, 그 경화물은 우수한 점착성과 인장강도를 가지고 있어, 소자 등의 미세부품을 이송하기 위한 가고정재로서 유용한 것을 알 수 있다. 또, 실시예 7 및 8은 E-1 성분을 배합함으로써, 대전방지성이 우수하다.
한편, B-1 성분을 포함하지 않는 비교예 1은 점착성과 인장강도가 충분하지 않다. 또, A 성분으로서 방향족 기를 가지지 않는 A-5 성분만을 포함하는 비교예 2에서는, 점착성이 우수하지 않아, 가고정재로 어울리지 않는 것을 알 수 있다.
100, 101 미소 구조체 전사용 스탬프
200, 201 기재
300, 310 경화물층
311 볼록 형상 구조
312 베이스층
401 형

Claims (12)

  1. (A) 하기 일반식 (1)
    Figure pct00010

    [식 중, R1은 서로 독립하여 탄소 원자수 1∼20의 1가 탄화수소기를 나타내고, R2는 서로 독립하여 방향족 기를 나타내고, X는 하기 식 (2)로 표시되는 기를 나타내고, a는 1≤a≤3을 충족시키는 수를 나타내고, m은 1≤m≤2,000을 충족시키는 수를 나타내고, n은 1≤n≤2,000을 충족시키는 수를 나타내고, m/(n+m)≥0.01을 충족시킨다. 단, m 및 n이 붙여진 실록산 단위의 배열순은 임의이다.
    Figure pct00011

    (식 중, R1은 상기와 같은 의미를 나타내고, R3은 산소 원자 또는 탄소 원자수 1∼20의 알킬렌기를 나타내고, R4는, 서로 독립하여, 아크릴로일옥시알킬기, 메타크릴로일옥시알킬기, 아크릴로일옥시알킬옥시기, 또는 메타크릴로일옥시알킬옥시기를 나타내고, p는 0≤p≤10을 충족시키는 수를 나타내고, c는 1≤c≤3을 충족시키는 수를 나타낸다.)]
    로 표시되는 오가노폴리실록산: 100질량부,
    (B) 실록산 구조를 포함하지 않는 단작용 (메타)아크릴레이트 화합물: 1∼200질량부, 및
    (C) 광중합개시제: 0.01∼20질량부
    를 함유하는 것을 특징으로 하는 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    (D) 미분말 실리카를 (A) 성분 100질량부에 대하여 1∼200질량부 포함하는 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    (E) 대전방지제를 (A) 성분 100질량부에 대하여 0.001∼10질량부 포함하는 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 자외선 경화형 실리콘 점착제 조성물의 경화물.
  5. 제4항에 있어서, 두께 2.0mm에서의 인장강도(JIS-K6249)가 0.5MPa 이상인 경화물.
  6. 제4항 또는 제5항에 기재된 경화물로 이루어지는 점착제.
  7. 제4항 또는 제5항에 기재된 경화물로 이루어지는 점착 시트.
  8. 제4항 또는 제5항에 기재된 경화물로 이루어지는 미소 구조체 전사용 스탬프.
  9. 제8항에 있어서, 적어도 1개의 볼록 형상 구조를 가지는 미소 구조체 전사용 스탬프.
  10. 제8항 또는 제9항에 기재된 미소 구조체 전사용 스탬프를 갖춘 미소 구조체 전사 장치.
  11. 제4항 또는 제5항에 기재된 경화물로 이루어지는 점착제층을 가지는 미소 구조체 유지 기판.
  12. 제11항에 기재된 미소 구조체 유지 기판을 갖춘 미소 구조체 전사 장치.
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