KR20210095041A - 기판 처리 장치 및 퍼지 방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 237
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000010926 purge Methods 0.000 title description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 33
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 19
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 장치는, 대기 분위기와 불활성 가스 분위기를 전환 가능한 기판 반송실과, 상기 기판 반송실 내에 마련되고, 가스가 도입됨으로써 팽창하고, 가스가 배출됨으로써 수축하는 주머니체를 갖는 기판 처리 장치.
Description
본 개시는, 기판 처리 장치 및 퍼지 방법에 관한 것이다.
복수의 기판에 대하여 한번에 처리를 행하는 뱃치식 열처리 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이 장치에 있어서는, 캐리어 내의 기판을 웨이퍼 보트에 이동 탑재하기 위한 기판 반송실이 마련되어 있다. 기판 반송실은, 질소 가스가 공급되는 것으로 내부가 질소 가스 분위기로 치환된다.
본 개시는, 기판 반송실 내를 불활성 가스로 치환하는 시간을 단축할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 장치는, 대기 분위기와 불활성 가스 분위기를 전환 가능한 기판 반송실과, 상기 기판 반송실 내에 마련되어, 가스가 도입됨으로써 팽창하고, 가스가 배출됨으로써 수축하는 주머니체를 갖는다.
본 개시에 의하면, 기판 반송실 내를 불활성 가스로 치환하는 시간을 단축할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 사시도(1)
도 2는 제1 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 사시도(2)
도 3은 제1 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도(1)
도 4는 제1 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도(2)
도 5는 제1 실시 형태의 기판 처리 장치의 동작의 일례를 나타내는 흐름도
도 6은 제2 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도(1)
도 7은 제2 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도(2)
도 8은 제3 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도(1)
도 9는 제3 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도(2)
도 10은 제4 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도(1)
도 11은 제4 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도(2)
도 12는 제4 실시 형태의 기판 처리 장치의 동작의 일례를 나타내는 흐름도
도 2는 제1 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 사시도(2)
도 3은 제1 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도(1)
도 4는 제1 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도(2)
도 5는 제1 실시 형태의 기판 처리 장치의 동작의 일례를 나타내는 흐름도
도 6은 제2 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도(1)
도 7은 제2 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도(2)
도 8은 제3 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도(1)
도 9는 제3 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도(2)
도 10은 제4 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도(1)
도 11은 제4 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도(2)
도 12는 제4 실시 형태의 기판 처리 장치의 동작의 일례를 나타내는 흐름도
이하, 첨부의 도면을 참조하면서, 본 개시의 한정적이지 않은 예시의 실시 형태에 대해 설명한다. 첨부의 전체 도면 중, 동일 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는, 동일 또는 대응하는 참조 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.
[제1 실시 형태](기판 처리 장치)
도 1 내지 도 4를 참조하여, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예에 대해 설명한다. 도 1 및 도 2는, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다. 도 3 및 도 4는, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도이다. 또한, 도 1 및 도 3은 주머니체가 수축한 상태를 나타내고, 도 2 및 도 4는 주머니체가 팽창한 상태를 나타낸다.
기판 처리 장치(1)는, 기판에 대하여 반도체 제조 프로세스를 실행하도록 구성된다. 기판은, 예를 들어 반도체 웨이퍼를 포함한다. 반도체 제조 프로세스는, 예를 들어 산화 처리, 어닐링 처리, 성막 처리를 포함한다.
기판 처리 장치(1)는, 장치의 외장체를 구성하는 케이스(2)에 수용되어 구성된다. 케이스(2) 내에는, 캐리어 반송실(10), 기판 반송실(20) 및 열처리실(30)이 형성되어 있다. 캐리어 반송실(10)과 기판 반송실(20)은, 격벽(3)에 의해 칸막이되어 있다. 격벽(3)에는, 캐리어 반송실(10)과 기판 반송실(20)을 연통시켜, 기판을 반송하기 위한 반송구(4)가 마련되어 있다. 반송구(4)는, FIMS(Front-Opening Interface Mechanical Standard) 규격에 따른 도어 기구(도시하지 않음)에 의해 개폐된다.
캐리어 반송실(10)은, 내부가 대기 분위기의 영역이다. 캐리어 반송실(10)은, 기판이 수납된 캐리어 C를, 기판 처리 장치(1) 내의 후술하는 요소 간에 반송하거나, 외부로부터 기판 처리 장치(1) 내에 반입하거나, 또는 기판 처리 장치(1)로부터 외부로 반출하는 영역이다. 캐리어 C는, 예를 들어 FOUP(Front-Opening Unified Pod)여도 된다.
캐리어 반송실(10)에는, 로드 포트(11), FIMS 포트(12), 스토커(13) 및 캐리어 반송 기구(14)가 마련된다.
로드 포트(11)는, 케이스(2)의 전방면에 있어서 벽이 개방된 개소에 마련되고, 외부로부터 기판 처리 장치(1)로의 액세스가 가능하게 되어 있다. 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)의 외부에 마련된 반송 장치(도시하지 않음)에 의해, 로드 포트(11) 상으로의 캐리어 C의 반입 및 적재와, 로드 포트(11)로부터 외부로의 캐리어 C의 반출이 가능하게 되어 있다. 로드 포트(11)는, 예를 들어 좌우로 2개 마련된다. 로드 포트(11)는, 캐리어 C가 기판 처리 장치(1)에 반입되었을 때, 캐리어 C를 받아들이는 반입용 적재대이다.
FIMS 포트(12)는, 캐리어 반송실(10) 내의 격벽(3)측에 마련된다. FIMS 포트(12)는, 캐리어 C 내의 기판을, 기판 반송실(20) 내의 후술하는 처리 용기(31)에 대해 반입 및 반출할 때, 캐리어 C를 보유 지지하는 보유 지지대이다.
스토커(13)는, 캐리어 반송실(10) 내의 로드 포트(11)의 상방 및 FIMS 포트(12)의 상방에 마련된다. 스토커(13)는, 복수의 캐리어 C를 보관하기 위한 보관 선반이다.
캐리어 반송 기구(14)는, 캐리어 반송실(10) 내에 마련된다. 캐리어 반송 기구(14)는, 로드 포트(11), FIMS 포트(12) 및 스토커(13) 사이에서 캐리어 C를 반송한다. 캐리어 반송 기구(14)는, 승강 기구(14a), 승강 암(14b), 암(14c) 및 반송 암(14d)을 포함한다. 승강 기구(14a)는, 캐리어 반송실(10)의 일측에 상하 방향으로 뻗도록 마련된다. 승강 암(14b)은, 승강 기구(14a)에 접속되고, 승강 기구(14a)에 의해 승강 이동한다. 암(14c)은, 승강 암(14b)의 선단에 회전 가능하게 접속된다. 반송 암(14d)은, 암(14c)의 선단에 회전 가능하게 접속되고, 캐리어 C의 바닥부를 지지하여 반송한다.
기판 반송실(20)은, 캐리어 반송실(10)의 후방에 배치된다. 기판 반송실(20)은, 대기 분위기와 불활성 가스 분위기 사이에서 전환 가능하도록 구성된다. 기판 반송실(20) 내를 불활성 가스 분위기로 함으로써, 기판에 산화막이 형성되는 것을 억제한다. 불활성 가스는, 예를 들어 질소(N2) 가스, 아르곤(Ar) 가스이면 된다. 기판 반송실(20)은, 캐리어 C로부터 기판을 취출하여, 기판을 열처리실(30)로 반송한다.
기판 반송실(20)에는, 순환류 형성부(21), N2 가스 공급부(22), 용적 조정부(23), 덮개체(24), 승강 기구(25), 산소 농도계(26) 및 기판 반송 기구(27)가 마련된다.
순환류 형성부(21)는, 기판 반송실(20) 내에 있어서 불활성 가스를 순환시킨다. 순환류 형성부(21)는, 필터(21a), 송풍 팬(21b), 측면 구획벽(21c), 저면 구획벽(21d) 및 열 교환기(21e)를 포함한다.
필터(21a)는, 기판 반송실(20)의 일측에 마련된다. 필터(21a)는, 예를 들어 HEPA 필터(High Efficiency Particulate Air Filter), ULPA 필터(Ultra-Low Penetration Air Filter) 등을 포함한다.
송풍 팬(21b)은, 불활성 가스를 순환시키기 위한 팬이다. 송풍 팬(21b)은, 필터(21a)를 통하여 청정화된 기체(예를 들어 불활성 가스)를 기판 반송실(20)에 공급한다.
측면 구획벽(21c)은, 기판 반송실(20)에 있어서의 필터(21a)의 장착면과 대향하는 면측에, 기판 반송실(20)의 측벽과 간격을 두고 마련된다. 측면 구획벽(21c)은, 다수의 통기 구멍(도시하지 않음)을 갖는다. 측면 구획벽(21c)은, 기판 반송실(20)의 측벽과의 사이에 측부 순환로 F1을 형성한다.
저면 구획벽(21d)은, 기판 반송실(20)의 바닥부와 간격을 두고 마련된다. 저면 구획벽(21d)은, 기판 반송실(20)의 바닥부와의 사이에 바닥부 순환로 F2를 형성한다.
열 교환기(21e)는, 바닥부 순환로 F2에 마련된다. 열 교환기(21e)는, 바닥부 순환로 F2를 흐르는 불활성 가스를 냉각한다.
이러한 순환류 형성부(21)에서는, 송풍 팬(21b)에 의해 필터(21a)를 통하여 수평 방향으로 송풍된 불활성 가스는, 기판 반송실(20) 내를 통과한 후에 측면 구획벽(21c)에 형성된 복수의 통기 구멍으로부터 측부 순환로 F1로 유입된다. 그리고, 해당 불활성 가스는, 측부 순환로 F1로부터 바닥부 순환로 F2로 유입되고, 열 교환기(21e)에 의해 냉각되어, 다시 필터(21a)로 유입되도록 순환한다. 또한, 도 3 및 도 4에서는, 순환하는 불활성 가스의 흐름을 화살표 F로 나타낸다.
N2 가스 공급부(22)는, 기판 반송실(20) 내에 N2 가스를 공급한다. N2 가스 공급부(22)는, 공급 배관(22a), N2 가스 공급 밸브(22b), 수평 배관(22c) 및 수직 배관(22d)을 포함한다.
공급 배관(22a)은, 일단이 N2 가스 공급원(도시하지 않음)에 접속되고, 타단이 수평 배관(22c) 및 수직 배관(22d)에 접속된다. 이에 따라, N2 가스 공급원으로부터 공급되는 N2 가스가 수평 배관(22c) 및 수직 배관(22d)에 도입된다.
N2 가스 공급 밸브(22b)는, 공급 배관(22a)에 개재 설치된다. N2 가스 공급 밸브(22b)를 개방하면, 수평 배관(22c) 및 수직 배관(22d)에 N2 가스가 도입되고, N2 가스 공급 밸브(22b)를 폐쇄하면, 수평 배관(22c) 및 수직 배관(22d)으로의 N2 가스의 도입이 차단된다.
수평 배관(22c)은, 기판 반송실(20)의 저면 네 변을 따라 연장되도록 배치된다. 수직 배관(22d)은, 기판 반송실(20)의 저면 네 코너부에서 수평 배관(22c)에 접속되고, 수평 배관(22c)으로부터 높이 방향으로 연장되도록 배치된다. 수평 배관(22c) 및 수직 배관(22d)에는, 복수의 가스 토출 구멍(22h)이 마련된다. 복수의 가스 토출 구멍(22h)은, 적어도 기판 반송실(20) 내의 여덟 코너부에 마련되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 순환류 형성부(21)에 의해 형성되는 순환류가 도달하기 어려운 영역에서의 불활성 가스에 의한 치환을 촉진할 수 있다.
용적 조정부(23)는, 기판 반송실(20) 내의 용적을 조정한다. 용적 조정부(23)는, 주머니체(23a), 판형 부재(23b), 에어 도입관(23c), 에어 도입 밸브(23d), 에어 배출관(23e), 에어 배출 밸브(23f), 유량 제어기(23g) 및 압력계(23h)를 갖는다.
주머니체(23a)는, 기판 반송실(20) 내에 마련된다. 주머니체(23a)는, 기밀성을 갖는다. 주머니체(23a)는, 공기가 도입됨으로써 팽창하고(도 2 및 도 4), 공기가 배출됨으로써 수축한다(도 1 및 도 3). 주머니체(23a)의 하부는, 기판 반송실(20)의 바닥부에 고정된다. 주머니체(23a)는, 예를 들어 신축 부재에 의해 형성된다. 단, 주머니체(23a)는, 벨로우즈 등의 신축 구조에 의해 형성되어도 된다.
판형 부재(23b)는, 주머니체(23a)의 상부에 마련된다. 판형 부재(23b)는, 예를 들어 스테인리스에 의해 형성된다. 판형 부재(23b)가 마련됨으로써, 에어 배출 밸브(23f)를 개방했을 때 주머니체(23a)가 판형 부재(23b)의 무게로 수축한다. 그 때문에, 주머니체(23a) 내를 강제적으로 흡인하는 기구를 마련하지 않아도 된다.
에어 도입관(23c)은, 기판 반송실(20)의 외부로부터 공기를 도입하여, 주머니체(23a) 내에 공기를 도입한다. 이로 인해, 주머니체(23a)가 팽창한다.
에어 도입 밸브(23d)는, 에어 도입관(23c)에 개재 설치된다. 에어 도입 밸브(23d)를 개방하면, 에어 도입관(23c)으로부터 주머니체(23a) 내에 공기가 도입되고, 에어 도입 밸브(23d)를 폐쇄하면, 에어 도입관(23c)으로부터 주머니체(23a) 내의 공기의 도입이 차단된다. 에어 도입 밸브(23d)는, 예를 들어 후술하는 제어부(100)에 의해 개폐 동작이 제어된다.
에어 배출관(23e)은, 주머니체(23a) 내로부터 기판 반송실(20)의 외부로 공기를 배출한다. 이에 의해, 주머니체(23a)가 수축한다. 에어 배출관(23e)에는, 주머니체(23a) 내로부터 공기를 강제적으로 배출하는 펌프 등이 개재 설치되어 있어도 된다. 이에 의해, 주머니체(23a) 내로부터 공기를 배출하는 시간을 단축할 수 있다.
에어 배출 밸브(23f)는, 에어 배출관(23e)에 개재 설치되어 있다. 에어 배출 밸브(23f)를 개방하면, 주머니체(23a) 내의 공기가 에어 배출관(23e)을 통하여 배출되고, 에어 배출 밸브(23f)를 폐쇄하면, 에어 배출관(23e)을 통한 주머니체(23a) 내의 공기 배출이 차단된다. 에어 배출 밸브(23f)는, 예를 들어 후술하는 제어부(100)에 의해 개폐 동작이 제어된다.
유량 제어기(23g)는, 에어 배출관(23e)에 개재 설치된다. 유량 제어기(23g)는, 에어 배출관(23e)으로부터 배출되는 공기의 유량을 제어한다. 바꾸어 말하면, 유량 제어기(23g)는, 에어 배출관(23e)으로부터의 공기의 배출 속도를 제어한다. 유량 제어기(23g)는, 예를 들어 후술하는 제어부(100)에 의해 동작이 제어된다.
압력계(23h)는, 에어 배출관(23e)에 개재 설치된다. 압력계(23h)는, 주머니체(23a) 내의 압력을 검출한다. 압력계(23h)가 검출한 압력은, 후술하는 제어부(100)에 송신된다.
덮개체(24)는, 기판 반송실(20) 내에 승강 가능하게 마련된다. 덮개체(24)는, 기판 보유 지지구(36)의 하방에 기판 보유 지지구(36)와 일체로서 마련된다. 이에 의해, 덮개체(24)가 상승 위치로 이동하면, 기판 보유 지지구(36)가 처리 용기(31) 내로 반입된다. 한편, 덮개체(24)가 하강 위치로 이동하면, 기판 보유 지지구(36)가 처리 용기(31) 내로부터 반출된다.
승강 기구(25)는, 덮개체(24)의 하면을 지지하고, 덮개체(24)를 승강시킨다. 승강 기구(25)는, 예를 들어 승강부(25a), 볼 나사(25b) 및 모터(25c)를 포함한다. 승강부(25a)는, 기판 반송실(20) 내에서 승강함으로써, 덮개체(24)의 하면을 지지하고, 덮개체(24)를 승강시킨다. 볼 나사(25b) 및 모터(25c)는, 승강부(25a)를 승강시킨다.
산소 농도계(26)는, 기판 반송실(20) 내의 산소(O2) 농도를 검출한다. 산소 농도계(26)는, 검출값을 제어부(100)로 송신한다.
기판 반송 기구(27)는, 기판 반송실(20) 내에 마련된다. 기판 반송 기구(27)는, FIMS 포트(12) 상에 보유 지지된 캐리어 C와 기판 보유 지지구(36) 사이에서 기판의 이동 탑재를 행한다.
열처리실(30)은, 기판 반송실(20)의 상방에 배치된다. 열처리실(30)은, 기판에 대하여 반도체 제조 프로세스를 실행하는 영역이다. 열처리실(30)에는, 처리 용기(31), 히터(32), 처리 가스 도입부(33), 처리 가스 배출부(34) 및 배기 덕트(35)가 마련된다.
처리 용기(31)는, 하단이 노구로서 개구된 세로로 긴 반응관이다. 처리 용기(31)는, 원통 형상을 갖고, 내부에 기판 보유 지지구(36)를 수용한다.
히터(32)는, 처리 용기(31)의 주위에 마련된다. 히터(32)는, 예를 들어 원통 형상을 갖는다. 히터(32)는, 처리 용기(31) 내에 수용되는 기판을 가열한다.
처리 가스 도입부(33)는, 처리 용기(31) 내에 처리 가스를 도입한다. 처리 가스 도입부(33)는, 가스 공급관, 밸브, 유량 제어기 등을 포함한다. 처리 가스는, 반도체 제조 프로세스에 따라 선택된다.
처리 가스 배출부(34)는, 처리 용기(31) 내의 처리 가스를 배출한다. 처리 가스 배출부(34)는, 가스 배기관, 밸브, 압력 제어기, 진공 펌프 등을 포함한다.
배기 덕트(35)는, 제1 수직 덕트(35a), 제2 수직 덕트(35b) 및 수평 덕트(35c)를 포함한다.
제1 수직 덕트(35a)는, 일단이 기판 반송실(20) 내에 마련되고, 타단이 수평 덕트(35c)에 접속된다. 제1 수직 덕트(35a)는, 기판 반송실(20) 내를 배기한다. 제1 수직 덕트(35a)에는, 예를 들어 니들 밸브(35d)가 마련된다. 니들 밸브(35d)의 개방도를 조정함으로써, 기판 반송실(20) 내의 압력을 제어할 수 있다.
제2 수직 덕트(35b)는, 일단이 처리 가스 도입부(33) 내에 마련되고, 타단이 수평 덕트(35c)에 접속된다. 제2 수직 덕트(35b)는, 처리 가스 도입부(33) 내를 배기한다.
기판 보유 지지구(36)는, 예를 들어 석영제이며, 기판을 상하 방향으로 소정 간격을 갖고 대략 수평으로 보유 지지하도록 구성된다. 기판 보유 지지구(36)에 수용되는 기판의 매수는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 50 내지 200매여도 된다. 기판 보유 지지구(36)는, 보온통(37)을 통하여 덮개체(24) 상에 적재된다. 바꾸어 말하면, 덮개체(24)는, 기판 보유 지지구(36)의 하방에 기판 보유 지지구(36)와 일체로서 마련된다.
또한, 기판 처리 장치(1)에는, 제어부(100)가 마련된다. 제어부(100)는, 기판 처리 장치(1)의 각 부를 제어한다. 제어부(100)는, 예를 들어 컴퓨터 등이어도 된다. 또한, 기판 처리 장치(1)의 각 부의 동작을 행하는 컴퓨터의 프로그램은, 기억 매체에 기억되어 있다. 기억 매체는, 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, 플래시 메모리, DVD 등이면 된다.
(퍼지 방법)
도 5를 참조하여, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)의 동작의 일례에 대해 설명한다. 도 5는, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)의 동작의 일례를 나타내는 흐름도이다. 이하에서는, 기판 처리 장치(1)의 동작의 일례로서, 기판 처리 장치(1)의 기판 반송실(20) 내를 퍼지하는 퍼지 방법에 대해 설명한다. 또한 초기 상태로서, 처리 용기(31)의 노구가 덮개체(24)에 의해 밀폐되고, N2 가스 공급 밸브(22b), 에어 도입 밸브(23d) 및 에어 배출 밸브(23f)가 폐쇄되고, 기판 반송실(20) 내의 압력이 일정하도록 니들 밸브(35d)의 개방도가 조정되어 있는 것으로 한다.
먼저, 제어부(100)는, 에어 도입 밸브(23d)를 개방한다(스텝 S11). 이에 의해, 주머니체(23a) 내에 공기가 도입되어, 주머니체(23a)가 팽창한다. 그 결과, 기판 반송실(20) 내에서의 N2 가스에 의해 치환되는 용적(이하 「N2 치환 용적」이라고도 함)이 작아진다.
다음에, 제어부(100)는, N2 가스 공급 밸브(22b)를 개방한다(스텝 S12). 이에 따라, 기판 반송실(20) 내에 N2 가스가 도입되고, 기판 반송실(20) 내에 잔류하는 산소 등의 가스가 배기 덕트(35)로부터 배기됨으로써, 기판 반송실(20) 내가 대기 분위기로부터 N2 가스 분위기로 치환된다. 이 때, 기판 반송실(20) 내에서 주머니체(23a)가 팽창하여 있으므로, N2 치환 용적이 작아져 있다. 그 때문에, 기판 반송실(20) 내의 치환에 필요한 시간을 단축할 수 있다. 또한, 스텝 S12는, 스텝 S11과 병행하여 행해도 된다.
다음에, 제어부(100)는, 주머니체(23a)가 가득 차 있는지 여부를 판정한다(스텝 S13). 해당 판정은, 예를 들어 압력계(23h)에 의해 검출되는 주머니체(23a) 내의 압력이 미리 설정한 압력 이상인지 여부에 따라 판정된다. 압력계(23h)에 의해 검출되는 주머니체(23a)의 압력이 미리 정한 압력 이상일 경우, 제어부(100)는 주머니체(23a)가 가득 차 있다고 판정한다. 한편, 압력계(23h)에 의해 검출되는 주머니체(23a)의 압력이 미리 정한 압력 미만일 경우, 제어부(100)는 주머니체(23a)가 가득 차지 않았다고 판정한다. 스텝 S13에서, 주머니체(23a)가 가득 차지 않았다고 판정한 경우, 제어부(100)는 스텝 S13을 다시 실행한다. 한편, 스텝 S13에서, 주머니체(23a)가 가득 차 있다고 판정했을 경우, 제어부(100)는, 에어 도입 밸브(23d)를 폐쇄한다(S14). 이에 의해, 주머니체(23a) 내로의 공기의 도입이 차단되고, 주머니체(23a)는 팽창한 상태를 유지한다.
다음에, 제어부(100)는, 주머니체(23a) 내의 압력이 저하되었는지 여부를 판정한다(스텝 S15). 해당 판정은, 예를 들어 압력계(23h)에 의해 검출되는 주머니체(23a) 내의 압력이 미리 정한 압력 이하인지 여부에 따라 판정된다. 압력계(23h)에 의해 검출되는 주머니체(23a) 내의 압력이 미리 정한 압력 이하일 경우, 제어부(100)는, 주머니체(23a) 내의 압력이 저하되어 있다고 판정하고, 처리를 스텝 S11로 복귀시킨다. 즉, 제어부(100)는, 에어 도입 밸브(23d)를 개방하여 주머니체(23a) 내에 공기를 도입한다. 한편, 압력계(23h)에 의해 검출되는 주머니체(23a) 내의 압력이 미리 정한 압력보다 클 경우, 제어부(100)는, 주머니체(23a) 내의 압력이 저하되어 있지 않다고 판정한다. 그리고, 제어부(100)는, 산소 농도계(26)에 의해 검출되는 기판 반송실(20) 내의 산소 농도가 미리 정한 관리값 이하인지 여부를 판정한다(스텝 S16).
스텝 S16에서, 산소 농도계(26)에 의해 검출되는 기판 반송실(20) 내의 산소 농도가 미리 정한 관리값 이하가 아닐 경우, 제어부(100)는 처리를 스텝 S15로 되돌린다. 한편, 스텝 S16에서, 산소 농도계(26)에 의해 검출되는 기판 반송실(20) 내의 산소 농도가 미리 정한 관리값 이하일 경우, 제어부(100)는 에어 배출 밸브(23f)를 개방한다(스텝 S17). 이에 의해, 주머니체(23a) 내의 공기가 배출되어, 주머니체(23a)가 수축하기 시작한다.
계속해서, 제어부(100)는, 주머니체(23a)가 충분히 수축되었는지 여부를 판정한다(스텝 S18). 해당 판정은, 압력계(23h)에 의해 검출되는 주머니체(23a) 내의 압력이 미리 정한 압력에 도달했는지 여부에 따라 판정된다. 해당 압력은, 예를 들어 대기압이어도 된다. 압력계(23h)에 의해 검출되는 주머니체(23a) 내의 압력이 미리 정한 압력에 도달하지 않은 경우, 제어부(100)는 주머니체(23a)가 충분히 수축하지 않았다고 판정하고, 스텝 S18을 다시 실행한다. 압력계(23h)에 의해 검출되는 주머니체(23a) 내의 압력이 미리 정한 압력에 도달한 경우, 제어부(100)는 주머니체(23a)가 충분히 수축했다고 판정하여, 에어 배출 밸브(23f)를 폐쇄하고(스텝 S19), 처리를 종료한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)는, 대기 분위기와 불활성 가스 분위기를 전환 가능한 기판 반송실(20)과, 기판 반송실(20) 내에 마련되고, 가스가 도입됨으로써 팽창하고, 가스가 배출됨으로써 수축하는 주머니체(23a)를 갖는다. 이에 의해, 기판 반송실(20) 내에서 주머니체(23a)를 팽창시켜, N2 치환 용적을 작게 할 수 있다. 그 때문에, N2 치환 용적이 큰 상태에서는 순환류 형성부(21)에 의해 형성되는 순환류가 도달하기 어려운, 기판 반송실(20) 내의 코너 부분에 순환류가 도달하기 쉬워진다. 그 결과, 기판 반송실(20) 내를 대기 분위기로부터 불활성 가스 분위기로 전환하는 데 요하는 시간을 단축할 수 있다.
또한, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)에 의하면, 기판 반송실(20) 내를 대기 분위기로부터 불활성 가스 분위기로 전환할 때 일시적으로 주머니체(23a)를 팽창시켜, N2 치환 용적을 작게 한다. 그 때문에, 항상 N2 치환 용적을 작게 하는 경우와 달리, 기판 보유 지지구(36)의 승강 동작, 기판 반송 기구(27)에 의한 기판의 이동 탑재 동작 등의 장애가 되지 않는다.
또한, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)에서는, 기판 반송실(20) 내에 주머니체(23a)가 하나 마련되는 경우를 설명하였지만, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 주머니체(23a)는 둘 이상이어도 된다.
[제2 실시 형태]
도 6 및 도 7을 참조하여, 제2 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예에 대해 설명한다. 도 6 및 도 7은, 제2 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도이다. 또한, 도 6은 주머니체가 수축한 상태를 나타내며, 도 7은 주머니체가 팽창한 상태를 나타낸다.
제2 실시 형태의 기판 처리 장치(1A)는, 주머니체(23a)의 상부가 기판 반송실(20)의 천장부에 고정되고, 주머니체(23a)의 하부에 판형 부재(23b)가 마련되어 있다. 또한, 에어 배출관(23e)에는, 주머니체(23a) 내로부터 공기를 강제적으로 배출하는 진공 펌프(23p) 등의 배기 장치가 접속되어 있다. 또한, 그 외의 구성에 대해서는, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)와 마찬가지이다.
제2 실시 형태의 기판 처리 장치(1A)는, 기판 처리 장치(1)와 마찬가지로, 대기 분위기와 불활성 가스 분위기를 전환 가능한 기판 반송실(20)과, 기판 반송실(20) 내에 마련되고, 가스가 도입됨으로써 팽창하고, 가스가 배출됨으로써 수축되는 주머니체(23a)를 갖는다. 이에 의해, 기판 반송실(20) 내에서 주머니체(23a)를 팽창시켜, N2 치환 용적을 작게 할 수 있다. 그 때문에, N2 치환 용적이 큰 상태에서는 순환류 형성부(21)에 의해 형성되는 순환류가 도달하기 어려운, 기판 반송실(20) 내의 코너 부분에 순환류가 도달하기 쉬워진다. 그 결과, 기판 반송실(20) 내를 대기 분위기로부터 불활성 가스 분위기로 전환하는 데 요하는 시간을 단축할 수 있다.
또한, 제2 실시 형태의 기판 처리 장치(1A)에 의하면, 기판 처리 장치(1)와 마찬가지로, 기판 반송실(20) 내를 대기 분위기로부터 불활성 가스 분위기로 전환할 때 일시적으로 주머니체(23a)를 팽창시켜, N2 치환 용적을 작게 한다. 그 때문에, 항상 N2 치환 용적을 작게 하는 경우와 달리, 기판 보유 지지구(36)의 승강 동작, 기판 반송 기구(27)에 의한 기판의 이동 탑재 동작 등의 장애가 되지 않는다.
또한, 제2 실시 형태의 기판 처리 장치(1A)에서는, 기판 반송실(20) 내에 주머니체(23a)가 둘 마련되는 경우를 설명한, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 주머니체(23a)는 하나여도 되고, 셋 이상이어도 된다.
또한, 제2 실시 형태의 기판 처리 장치(1A)의 동작에 대해서는, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)의 동작과 마찬가지여도 된다. 단, 제2 실시 형태의 기판 처리 장치(1A)에서는, 스텝 S17에서, 제어부(100)가 에어 배출 밸브(23f)를 개방하면, 진공 펌프(23p)의 흡인에 의해 에어 배출관(23e)을 통하여 주머니체(23a) 내의 공기가 배출되어, 주머니체(23a)가 수축하기 시작한다.
[제3 실시 형태]
도 8 및 도 9를 참조하여, 제3 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예에 대해 설명한다. 도 8 및 도 9는, 제3 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도이다. 또한, 도 8은 주머니체가 수축한 상태를 나타내며, 도 9는 주머니체가 팽창한 상태를 나타낸다.
제3 실시 형태의 기판 처리 장치(1B)에서는, 에어 도입관(23c)이 순환류 형성부(21)의 송풍 팬(21b)에 의해 송풍되는 기체를 도입할 수 있도록 배치되어 있다. 에어 도입관(23c)에는, 에어 도입 밸브(23d)가 개재 설치된다.
또한, 제3 실시 형태의 기판 처리 장치(1B)에서는, 에어 배출관(23e)이 주머니체(23a)의 내부와 배기 덕트(35)를 접속하도록 마련된다. 에어 배출관(23e)에는, 에어 배출 밸브(23f) 및 유량 제어기(23g)가 개재 설치된다. 또한, 그 외의 구성에 대해서는, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)와 마찬가지이다.
제3 실시 형태의 기판 처리 장치(1B)는, 기판 처리 장치(1)와 마찬가지로, 대기 분위기와 불활성 가스 분위기를 전환 가능한 기판 반송실(20)과, 기판 반송실(20) 내에 마련되고, 가스가 도입됨으로써 팽창하고, 가스가 배출됨으로써 수축하는 주머니체(23a)를 갖는다. 이에 의해, 기판 반송실(20) 내에 있어서 주머니체(23a)를 팽창시켜, N2 치환 용적을 작게 할 수 있다. 그 때문에, N2 치환 용적이 큰 상태에서는 순환류 형성부(21)에 의해 형성되는 순환류가 도달하기 어려운, 기판 반송실(20) 내의 코너 부분에 순환류가 도달하기 쉬워진다. 그 결과, 기판 반송실(20) 내를 대기 분위기로부터 불활성 가스 분위기로 전환하는 데 필요한 시간을 단축할 수 있다.
또한, 제3 실시 형태의 기판 처리 장치(1B)에 의하면, 기판 처리 장치(1)와 마찬가지로, 기판 반송실(20) 내를 대기 분위기로부터 불활성 가스 분위기로 전환할 때 일시적으로 주머니체(23a)를 팽창시켜, N2 치환 용적을 작게 한다. 그 때문에, 항상 N2 치환 용적을 작게 하는 경우와 달리, 기판 보유 지지구(36)의 승강 동작, 기판 반송 기구(27)에 의한 기판의 이동 탑재 동작 등의 장애가 되지 않는다.
또한, 제3 실시 형태의 기판 처리 장치(1B)의 동작에 대해서는, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)의 동작과 마찬가지여도 된다.
[제4 실시 형태](기판 처리 장치)
도 10 및 도 11을 참조하여, 제4 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예에 대해 설명한다. 도 10 및 도 11은, 제4 실시 형태의 기판 처리 장치의 구성예를 나타내는 단면도이다. 또한, 도 10은 주머니체가 수축한 상태를 나타내고, 도 11은 주머니체가 팽창한 상태를 나타낸다.
제4 실시 형태의 기판 처리 장치(1C)는, 주머니체(23a)의 상부가 승강 기구(25)의 승강부(25a)에 고정되고, 주머니체(23a)의 하부가 기판 반송실(20)의 바닥부에 고정되는 점에서, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)와 다르다. 이하, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)와 다른 점을 중심으로 설명한다.
용적 조정부(23)는, 기판 반송실(20) 내의 용적을 조정한다. 용적 조정부(23)는, 주머니체(23a), 관통 배관(23i) 및 밸브(23j)를 갖는다.
주머니체(23a)는, 기판 반송실(20) 내에 마련된다. 주머니체(23a)는, 상부가 승강 기구(25)의 승강부(25a)에 고정되고, 하부가 기판 반송실(20)의 바닥부에 고정된다. 주머니체(23a)는, 기밀성을 갖는다. 주머니체(23a)는, 승강부(25a)의 상승에 따라 관통 배관(23i)을 통하여 내부에 대기가 도입되어 팽창하고(도 11), 승강부(25a)의 하강의 따라 관통 배관(23i)을 통하여 내부의 대기가 배출되어 수축한다(도 10). 주머니체(23a)는, 예를 들어 신축 부재에 의해 형성된다. 단, 주머니체(23a)는, 벨로우즈 등의 신축 구조에 의해 형성되어도 된다.
관통 배관(23i)은, 주머니체(23a) 내와 외부 공간을 연통시킨다. 관통 배관(23i)에는, 밸브(23j)가 개재 설치된다.
(퍼지 방법)
도 12를 참조하여, 제4 실시 형태의 기판 처리 장치(1C)의 동작의 일례에 대해 설명한다. 도 12는, 제4 실시 형태의 기판 처리 장치(1C)의 동작의 일례를 나타내는 흐름도이다. 이하에서는, 기판 처리 장치(1C)의 동작의 일례로서, 기판 처리 장치(1C)의 기판 반송실(20) 내를 퍼지하는 퍼지 방법에 대해 설명한다. 또한 초기 상태로서, 처리 용기(31)의 노구가 덮개체(24)에 의해 밀폐되고, 기판 반송실(20) 내의 압력이 일정해지도록 니들 밸브(35d)의 개방도가 조정되고, 승강부(25a)가 하단까지 하강하여 있는 것으로 한다.
먼저, 제어부(100)는, 승강 기구(25)의 승강부(25a)를 상승시킨다(스텝 S41). 이에 의해, 관통 배관(23i)을 통하여, 주머니체(23a) 내에 공기가 도입되어, 주머니체(23a)가 팽창한다. 그 결과, N2 치환 용적이 작아진다.
승강 기구(25)의 승강부(25a)를 상승시킴으로써, 주머니체(23a)가 팽창한 후, 제어부(100)는, 관통 배관(23i)에 개재 설치된 밸브(23j)를 폐쇄한다(스텝 S42).
다음에, 제어부(100)는, N2 가스 공급 밸브(22b)를 개방한다(스텝 S43). 이에 의해, 기판 반송실(20) 내에 N2 가스가 도입되고, 기판 반송실(20) 내에 잔류하는 산소 등의 가스가 배기 덕트(35)로부터 배기됨으로써, 기판 반송실(20) 내가 대기 분위기로부터 N2 가스 분위기로 치환된다. 이 때, 기판 반송실(20) 내에서 주머니체(23a)가 팽창하여 있으므로, N2 치환 용적이 작아져 있다. 그 때문에, 기판 반송실(20) 내의 치환에 필요한 시간을 단축할 수 있다. 또한, 기판 반송실(20) 내에 N2 가스가 도입되면, 도입된 N2 가스의 가스 압력에 의해 주머니체(23a)가 수축할 우려가 있으나, 스텝 S43에서 밸브(23j)가 폐쇄되어 있으므로, 관통 배관(23i)을 통하여 주머니체(23a) 내의 공기가 배출되는 일은 없다. 그 때문에, 기판 반송실(20) 내에 도입되는 N2 가스의 가스 압력에 의해 주머니체(23a)가 수축되는 것을 억제할 수 있다.
계속해서, 제어부(100)는, 산소 농도계(26)에 의해 검출되는 기판 반송실(20) 내의 산소 농도가 미리 정한 관리값 이하인지 여부를 판정한다(스텝 S44). 스텝 S44에서, 산소 농도계(26)에 의해 검출되는 기판 반송실(20) 내의 산소 농도가 미리 정한 관리값 이하가 아닌 경우, 제어부(100)는 스텝 S44를 다시 실행한다. 한편, 스텝 S44에서, 산소 농도계(26)에 의해 검출되는 기판 반송실(20) 내의 산소 농도가 미리 정한 관리값 이하인 경우, 제어부(100)는, 관통 배관(23i)에 개재 설치된 밸브(23j)를 개방한다(스텝 S45).
다음에, 제어부(100)는 승강 기구(25)의 승강부(25a)를 하강시켜(스텝 S46), 처리를 종료한다. 이 때, 승강부(25a)의 하강에 따라, 관통 배관(23i)을 통하여, 주머니체(23a) 내의 공기가 배출되어, 주머니체(23a)가 수축한다.
이상에서 설명한 바와 같이 제4 실시 형태의 기판 처리 장치(1C)는, 대기 분위기와 불활성 가스 분위기를 전환 가능한 기판 반송실(20)과, 기판 반송실(20) 내에 마련되고, 가스가 도입됨으로써 팽창하고, 가스가 배출됨으로써 수축하는 주머니체(23a)를 갖는다. 이에 의해, 기판 반송실(20) 내에 있어서 주머니체(23a)를 팽창시켜, N2 치환 용적을 작게 할 수 있다. 그 때문에, N2 치환 용적이 큰 상태에서는 순환류 형성부(21)에 의해 형성되는 순환류가 도달하기 어려운, 기판 반송실(20) 내의 코너 부분에 순환류가 도달하기 쉬워진다. 그 결과, 기판 반송실(20) 내를 대기 분위기로부터 불활성 가스 분위기로 전환하는 데 필요한 시간을 단축할 수 있다.
또한, 제4 실시 형태의 기판 처리 장치(1C)에 따르면, 기판 반송실(20) 내를 대기 분위기로부터 불활성 가스 분위기로 전환할 때 일시적으로 주머니체(23a)를 팽창시켜, N2 치환 용적을 작게 한다. 그 때문에, 항상 N2 치환 용적을 작게 하는 경우와 달리, 기판 보유 지지구(36)의 승강 동작, 기판 반송 기구(27)에 의한 기판의 이동 탑재 동작 등의 장애가 되지 않는다.
이상, 제1 내지 제4 실시 형태에 대해 설명하였지만, 본 개시는 이에 한정되지 않고, 예를 들어 제1 내지 제4 실시 형태의 둘 이상을 조합해도 된다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서, 에어 도입관(23c) 및 에어 도입 밸브(23d)는 가스 도입부의 일례이며, 에어 배출관(23e), 에어 배출 밸브(23f) 및 유량 제어기(23g)는 가스 배출부의 일례이다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이지, 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않으며, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
Claims (15)
- 대기 분위기와 불활성 가스 분위기를 전환 가능한 기판 반송실과,
상기 기판 반송실 내에 마련되고, 가스가 도입됨으로써 팽창하고, 가스가 배출됨으로써 수축하는 주머니체
를 갖는
기판 처리 장치. - 제1항에 있어서, 상기 주머니체는, 적어도 일부가 상기 기판 반송실에 고정되는,
기판 처리 장치. - 제2항에 있어서, 상기 주머니체는, 하부가 상기 기판 반송실의 바닥부에 고정되는,
기판 처리 장치. - 제3항에 있어서, 상기 주머니체의 상부에 설치되는 판형 부재를 더 갖는,
기판 처리 장치. - 제2항에 있어서, 상기 주머니체는, 상부가 상기 기판 반송실의 천장부에 고정되는,
기판 처리 장치. - 제5항에 있어서, 상기 주머니체의 하부에 설치되는 판형 부재를 더 갖는,
기판 처리 장치. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 주머니체 내에 상기 가스를 도입하는 가스 도입부와,
상기 주머니체 내로부터 상기 가스를 배출하는 가스 배출부
를 더 갖는,
기판 처리 장치. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 반송실 내에서 불활성 가스를 순환시키는 순환류 형성부를 더 갖고,
상기 주머니체는, 순환하는 상기 불활성 가스가 도입됨으로써 팽창하는,
기판 처리 장치. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 반송실 내에서 승강하는 승강부를 더 갖고,
상기 주머니체는, 적어도 일부가 상기 승강부에 고정되는,
기판 처리 장치. - 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 주머니체는, 신축 부재에 의해 형성되는,
기판 처리 장치. - 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 주머니체는, 신축 구조에 의해 형성되는,
기판 처리 장치. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 주머니체 내의 압력을 검출하는 압력계를 더 갖는,
기판 처리 장치. - 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 반송실 내의 산소 농도를 검출하는 산소 농도계를 더 갖는,
기판 처리 장치. - 제13항에 있어서, 제어부를 더 갖고,
상기 제어부는, 상기 산소 농도계에 의해 검출되는 상기 기판 반송실 내의 산소 농도가 관리값 이하로 된 경우, 상기 주머니체를 수축시키는,
기판 처리 장치. - 기판 반송실 내에 마련되고, 가스가 도입됨으로써 팽창하고, 가스가 배출됨으로써 수축하는 주머니체 내에 가스를 도입하는 스텝과,
상기 주머니체를 팽창시킨 상태에서, 상기 기판 반송실 내에 불활성 가스를 도입함으로써, 상기 기판 반송실 내를 대기 분위기로부터 불활성 가스 분위기로 전환하는 스텝
을 갖는
퍼지 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020008480A JP7345403B2 (ja) | 2020-01-22 | 2020-01-22 | 基板処理装置及びパージ方法 |
| JPJP-P-2020-008480 | 2020-01-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210095041A true KR20210095041A (ko) | 2021-07-30 |
Family
ID=76878385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210002431A KR20210095041A (ko) | 2020-01-22 | 2021-01-08 | 기판 처리 장치 및 퍼지 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7345403B2 (ko) |
| KR (1) | KR20210095041A (ko) |
| CN (1) | CN113161260A (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299262A (ja) | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Tokyo Electron Ltd | ロードロック室及びその排気方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5447294A (en) * | 1993-01-21 | 1995-09-05 | Tokyo Electron Limited | Vertical type heat treatment system |
| JP3372581B2 (ja) * | 1993-01-21 | 2003-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP3243562B2 (ja) * | 1999-08-13 | 2002-01-07 | 岩谷産業株式会社 | 内部に空間を有する装置の内面処理方法 |
| JP2003092329A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2005277316A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板支持方法、基板搬送ロボットおよび基板処理装置 |
| JP2005333076A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Tokyo Electron Ltd | ロードロック装置、処理システム及びその使用方法 |
| JP2006247618A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 二流体ノズルおよび該二流体ノズルを用いた基板処理装置 |
| JP5379773B2 (ja) * | 2010-10-27 | 2013-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理装置及びめっき処理方法並びにめっき処理プログラムを記録した記録媒体 |
| TWI534341B (zh) * | 2011-09-26 | 2016-05-21 | Hitachi Int Electric Inc | A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium |
| WO2014021198A1 (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板貼合装置及び貼合方法 |
| JP6564642B2 (ja) * | 2015-07-23 | 2019-08-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送室、基板処理システム、及び基板搬送室内のガス置換方法 |
| JP2018072582A (ja) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 株式会社サーマプレシジョン | 露光システム |
-
2020
- 2020-01-22 JP JP2020008480A patent/JP7345403B2/ja active Active
-
2021
- 2021-01-08 KR KR1020210002431A patent/KR20210095041A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-01-15 CN CN202110052278.3A patent/CN113161260A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299262A (ja) | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Tokyo Electron Ltd | ロードロック室及びその排気方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113161260A (zh) | 2021-07-23 |
| JP7345403B2 (ja) | 2023-09-15 |
| JP2021118201A (ja) | 2021-08-10 |
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