CN113161260A - 基板处理装置以及吹扫方法 - Google Patents

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CN113161260A CN202110052278.3A CN202110052278A CN113161260A CN 113161260 A CN113161260 A CN 113161260A CN 202110052278 A CN202110052278 A CN 202110052278A CN 113161260 A CN113161260 A CN 113161260A
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Abstract

本发明提供一种基板处理装置以及吹扫方法。提供能够缩短将基板搬送室内置换为非活性气体的时间的技术。本公开的一个方式的基板处理装置具有：基板搬送室，其能够在大气环境与非活性气体环境之间进行切换；以及袋体，其设置在所述基板搬送室内，通过导入气体而膨胀，通过排出气体而收缩。

Description

基板处理装置以及吹扫方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置以及吹扫方法。
背景技术
已知一种一次对多个基板进行处理的批处理式的热处理装置(例如，参照专利文献1)。在该装置中，设置有用于将承载件内的基板转移到晶圆舟的基板搬送室。通过向基板搬送室供给氮气来将内部置换为氮气环境。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-299262号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够缩短将基板搬送室内置换为非活性气体的时间的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的基板处理装置具有：基板搬送室，其能够在大气环境与非活性气体环境之间进行切换；以及袋体，其设置在所述基板搬送室内，通过导入气体而膨胀，通过排出气体而收缩。
发明的效果
根据本公开，能够缩短将基板搬送室内置换为非活性气体的时间。
附图说明
图1是示出第一实施方式的基板处理装置的结构例的立体图(1)。
图2是示出第一实施方式的基板处理装置的结构例的立体图(2)。
图3是示出第一实施方式的基板处理装置的结构例的截面图(1)。
图4是示出第一实施方式的基板处理装置的结构例的截面图(2)。
图5是示出第一实施方式的基板处理装置的动作的一例的流程图。
图6是示出第二实施方式的基板处理装置的结构例的截面图(1)。
图7是示出第二实施方式的基板处理装置的结构例的截面图(2)。
图8是示出第三实施方式的基板处理装置的结构例的截面图(1)。
图9是示出第三实施方式的基板处理装置的结构例的截面图(2)。
图10是示出第四实施方式的基板处理装置的结构例的截面图(1)。
图11是示出第四实施方式的基板处理装置的结构例的截面图(2)。
图12是示出第四实施方式的基板处理装置的动作的一例的流程图。
附图标记说明
1、1A～1C：基板处理装置；20：基板搬送室；21：循环流形成部；23：容积调整部；23a：袋体；23b：板状构件；23c：空气导入管；23d：空气导入阀；23e：空气排出管；23f：空气排出阀；23g：流量控制器；23h：压力计；25：升降机构；25a：升降部；26：氧气浓度计。
具体实施方式
下面，参照附图对本公开的非限定性的例示性的实施方式进行说明。在所有附图中，对相同或对应的构件或部件赋予相同或对应的附图标记，省略重复的说明。
〔第一实施方式〕
(基板处理装置)
参照图1至图4对第一实施方式的基板处理装置的结构例进行说明。图1和图2是示出第一实施方式的基板处理装置的结构例的立体图。图3和图4是示出第一实施方式的基板处理装置的结构例的截面图。此外，图1和图3示出袋体收缩的状态，图2和图4示出袋体膨胀的状态。
基板处理装置1构成为对基板执行半导体制造工艺。基板例如包括半导体晶圆。半导体制造工艺包含例如氧化处理、退火处理以及成膜处理。
基板处理装置1构成为收容在构成装置的外壳体的壳体2内。在壳体2内形成有承载件搬送室10、基板搬送室20以及热处理室30。承载件搬送室10和基板搬送室20被隔壁3分隔。在隔壁3设置有搬送口4，该搬送口4用于使承载件搬送室10和基板搬送室20连通来搬送基板。搬送口4通过按照FIMS(Front-Opening Interface Mechanical Standard：前开口接口机械标准)标准的门机构(未图示)被进行开闭。
承载件搬送室10的内部是大气环境的区域。承载件搬送室10是将收纳有基板的承载件C在基板处理装置1内的后述的要素之间搬送、将该承载件C从外部送入基板处理装置1内、或者将该承载件C从基板处理装置1向外部搬出的区域。承载件C可以是例如FOUP(Front-Opening Unified Pod：前开式晶圆传送盒)。
承载件搬送室10中设置有装载端口11、FIMS端口12、贮藏柜13以及承载件搬送机构14。
装载端口11设置在壳体2的前表面上的壁开放的位置，能够从外部访问基板处理装置1。具体地说，通过设置在基板处理装置1的外部的搬送装置(未图示)，能够将承载件C搬入并载置到装载端口11上，以及能够将承载件C从装载端口11搬出到外部。例如在左右设置2个装载端口11。装载端口11是在承载件C被搬入到基板处理装置1时接受承载件C的搬入用的载置台。
FIMS端口12设置在承载件搬送室10内的隔壁3侧。FIMS端口12是在相对于基板搬送室20内的后述的处理容器31搬入和搬出承载件C内的基板时保持承载件C的保持台。
贮藏柜13设置于承载件搬送室10内的装载端口11的上方以及FIMS端口12的上方。贮藏柜13是用于保管多个承载件C的保管架。
承载件搬送机构14设置在承载件搬送室10内。承载件搬送机构14在装载端口11、FIMS端口12以及贮藏柜13之间搬送承载件C。承载件搬送机构14包括升降机构14a、升降臂14b、臂14c以及搬送臂14d。升降机构14a设置为在承载件搬送室10的一侧沿上下方向延伸。升降臂14b与升降机构14a连接，通过升降机构14a进行升降移动。臂14c旋转自如地与升降臂14b的顶端连接。搬送臂14d旋转自如地与臂14c的顶端连接，支承承载件C的底部来搬送承载件C。
基板搬送室20配置于承载件搬送室10的后方。基板搬送室20构成为能够在大气环境与非活性气体环境之间进行切换。通过使基板搬送室20内成为非活性气体环境，来抑制在基板上形成氧化膜。非活性气体例如可以是氮气(N2)、氩气(Ar)。基板搬送室20从承载件C取出基板，并将基板搬送到热处理室30。
基板搬送室20中设置有循环流形成部21、N2气体供给部22、容积调整部23、盖体24、升降机构25、氧气浓度计26以及基板搬送机构27。
循环流形成部21使非活性气体在基板搬送室20内循环。循环流形成部21包括过滤器21a、鼓风机21b、侧面划分壁21c、底面划分壁21d以及热交换器21e。
过滤器21a设置在基板搬送室20的一侧。过滤器21a例如包括HEPA过滤器(HighEfficiency Particulate Air Filter：高效空气过滤器)、ULPA过滤器(Ultra-LowPenetration Air Filter：超高效空气过滤器)等。
鼓风机21b是用于使非活性气体循环的风扇。鼓风机21b用于将经由过滤器21a净化后的气体(例如非活性气体)供给到基板搬送室20。
侧面划分壁21c设置于与基板搬送室20中的过滤器21a的安装面相对的面侧，以与基板搬送室20的侧壁具有间隔的方式设置。侧面划分壁21c具有很多通气孔(未图示)。在侧面划分壁21c与基板搬送室20的侧壁之间形成有侧部循环通路F1。
底面划分壁21d以与基板搬送室20的底部具有间隔的方式设置在基板搬送室20的底部。在底面划分壁21d和基板搬送室20的底部之间形成有底部循环通路F2。
热交换器21e设置于底部循环通路F2。热交换器21e对在底部循环通路F2中流动的非活性气体进行冷却。
在所述的循环流形成部21中，通过鼓风机21b经由过滤器21a被向水平方向送风的非活性气体在通过基板搬送室20内之后，从形成于侧面划分壁21c的多个通气孔流入侧部循环通路F1。然后，该非活性气体从侧部循环通路F1流进底部循环通路F2，并被热交换器21e冷却，再次流入过滤器21a，非活性气体以这种方式进行循环。此外，在图3和图4中，以箭头F表示循环的非活性气体的流动。
N2气体供给部22向基板搬送室20内供给N2气体。N2气体供给部22包括供给配管22a、N2气体供给阀22b、水平配管22c以及垂直配管22d。
供给配管22a的一端与N2气体供给源(未图示)连接，另一端与水平配管22c及垂直配管22d连接。由此，从N2气体供给源供给的N2气体被导入水平配管22c和垂直配管22d。
N2气体供给阀22b设置在供给配管22a。当打开N2气体供给阀22b时，向水平配管22c和垂直配管22d导入N2气体，当关闭N2气体供给阀22b时，向水平配管22c和垂直配管22d的N2气体的导入被切断。
水平配管22c配置为沿基板搬送室20的底面的4条边延伸。垂直配管22d配置为在基板搬送室20的底面的4个角部与水平配管22c连接，并从水平配管22c起沿高度方向延伸。在水平配管22c和垂直配管22d设置有多个气体喷出孔22h。优选的是，多个气体喷出孔22h至少设置在基板搬送室20内的8个角部。由此，能够促进通过循环流形成部21形成的循环流所难以到达的区域中的非活性气体的置换。
容积调整部23调整基板搬送室20内的容积。容积调整部23具有袋体23a、板状构件23b、空气导入管23c、空气导入阀23d、空气排出管23e、空气排出阀23f、流量控制器23g以及压力计23h。
袋体23a设置于基板搬送室20内。袋体23a具有气密性。袋体23a通过导入空气进行膨胀(图2和图4)，通过排出空气进行收缩(图1和图3)。袋体23a的下部固定在基板搬送室20的底部。袋体23a例如由伸缩构件形成。但是，袋体23a也可以由波纹管等伸缩构造形成。
板状构件23b安装在袋体23a的上部。板状构件23b例如由不锈钢形成。通过设置板状构件23b，在打开了空气排出阀23f时，袋体23a由于板状构件23b的重量而收缩。因此，也可以不设置强制性地对袋体23a内进行吸引的机构。
空气导入管23c从基板搬送室20的外部吸入空气，并将空气导入到袋体23a内。由此，袋体23a膨胀。
空气导入阀23d设置在空气导入管23c。当打开空气导入阀23d时，从空气导入管23c向袋体23a内导入空气，当关闭空气导入阀23d时，从空气导入管23c向袋体23a内的空气的导入被切断。空气导入阀23d例如被后述的控制部100控制开闭动作。
空气排出管23e从袋体23a内向基板搬送室20的外部排出空气。由此，袋体23a收缩。在空气排出管23e也可以设置强制性地从袋体23a内排出空气的泵等。由此，能够缩短从袋体23a内排出空气的时间。
空气排出阀23f设置在空气排出管23e。当打开空气排出阀23f时，袋体23a内的空气经由空气排出管23e排出，当关闭空气排出阀23f时，经由空气排出管23e的袋体23a内的空气的排出被切断。空气排出阀23f例如被后述的控制部100控制开闭动作。
流量控制器23g设置在空气排出管23e。流量控制器23g对从空气排出管23e排出的空气的流量进行控制。换而言之，流量控制器23g控制从空气排出管23e排出空气的排出速度。流量控制器23g例如被后述的控制部100控制动作。
压力计23h设置在空气排出管23e。压力计23h检测袋体23a内的压力。压力计23h检测出的压力被发送到后述的控制部100。
盖体24可升降地设置于基板搬送室20内。盖体24在基板保持器具36的下方与基板保持器具36设置为一体。由此，当盖体24移动到上升位置时，基板保持器具36被搬入处理容器31内。另一方面，当盖体24移动到下降位置时，基板保持器具36被从处理容器31内搬出。
升降机构25支承盖体24的下表面，使盖体24进行升降。升降机构25例如包括升降部25a、滚珠丝杠25b以及马达25c。升降部25a通过在基板搬送室20内进行升降，来支承盖体24的下表面并使盖体24进行升降。滚珠丝杠25b和马达25c使升降部25a进行升降。
氧气浓度计26检测基板搬送室20内的氧气(O2)浓度。氧气浓度计26向控制部100发送检测值。
基板搬送机构27设置于基板搬送室20内。基板搬送机构27在FIMS端口12上保持的承载件C与基板保持器具36之间进行基板的转移。
热处理室30配置于基板搬送室20的上方。热处理室30是对基板执行半导体制造工艺的区域。在热处理室30中设置有处理容器31、加热器32、处理气体导入部33、处理气体排出部34以及排气管道35。
处理容器31是下端作为炉口被开口的纵长的反应管。处理容器31具有圆筒形状，内部用于收容基板保持器具36。
加热器32设置在处理容器31的周围。加热器32具有例如圆筒形状。加热器32加热收容于处理容器31内的基板。
处理气体导入部33向处理容器31内导入处理气体。处理气体导入部33包括气体供给管、阀以及流量控制器等。根据半导体制造工艺来选择处理气体。
处理气体排出部34排出处理容器31内的处理气体。处理气体排出部34包括气体排出管、阀、压力控制器以及真空泵等。
排气管道35包括第一垂直管道35a、第二垂直管道35b以及水平管道35c。
第一垂直管道35a的一端设置于基板搬送室20内，另一端与水平管道35c连接。第一垂直管道35a对基板搬送室20内进行排气。在第一垂直管道35a例如设置有针阀35d。通过调整针阀35d的开度，能够控制基板搬送室20内的压力。
第二垂直管道35b的一端设置于处理气体导入部33内，另一端与水平管道35c连接。第二垂直管道35b对处理气体导入部33内进行排气。
基板保持器具36例如是石英制成的，构成为在上下方向上具有规定间隔地将基板保持为大致水平。基板保持器具36中收纳的基板的张数并没有特别的限定，例如可以是50张～200张。基板保持器具36经由保温筒37载置于盖体24上。换而言之，盖体24在基板保持器具36的下方与基板保持器具36设置为一体。
另外，在基板处理装置1中设置有控制部100。控制部100控制基板处理装置1的各部。控制部100例如可以是计算机等。另外，进行基板处理装置1的各部的动作的计算机的程序被存储于存储介质。存储介质例如可以是软盘、光盘、硬盘、闪存、DVD等。
(吹扫方法)
参照图5对第一实施方式的基板处理装置1的动作的一例进行说明。图5是示出第一实施方式的基板处理装置1的动作的一例的流程图。下面，作为基板处理装置1的动作的一例，说明对基板处理装置1的基板搬送室20内进行吹扫的吹扫方法。另外，作为初始状态，设为处理容器31的炉口被盖体24密闭，N2气体供给阀22b、空气导入阀23d以及空气排出阀23f被关闭，针阀35d的开度被调整使基板搬送室20内的压力固定。
首先，控制部100打开空气导入阀23d(步骤S11)。由此，空气被导入到袋体23a内，袋体23a膨胀。其结果，基板搬送室20内的要被N2气体置换的容积(下面也称为“N2置换容积”。)减小。
接着，控制部100打开N2气体供给阀22b(步骤S12)。由此，N2气体被导入基板搬送室20内，基板搬送室20内残留的氧气等气体被从排气管道35排出，由此将基板搬送室20内从大气环境置换为N2气体环境。此时，由于袋体23a在基板搬送室20内膨胀，因此N2置换容积减小。因此，能够缩短基板搬送室20内的置换所需的时间。此外，步骤S12也可以与步骤S11并行地进行。
接着，控制部100判定袋体23a是否满袋(步骤S13)。该判定例如根据由压力计23h检测出的袋体23a内的压力是否为预先设定的压力以上来判定。在由压力计23h检测出的袋体23a的压力为预先设定的压力以上的情况下，控制部100判定为袋体23a满袋。另一方面，在由压力计23h检测出的袋体23a的压力小于预先设定的压力的情况下，控制部100判定为袋体23a未满袋。当在步骤S13中判定为袋体23a未满袋的情况下，控制部100再次执行步骤S13。另一方面，当在步骤S13中判定为袋体23a满袋的情况下，控制部100关闭空气导入阀23d(步骤S14)。由此，向袋体23a内的空气的导入被切断，袋体23a维持膨胀的状态。
接着，控制部100判定袋体23a内的压力是否降低(步骤S15)。该判定例如根据由压力计23h检测出的袋体23a内的压力是否为预先设定的压力以下来判定。在由压力计23h检测出的袋体23a内的压力为预先设定的压力以下的情况下，控制部100判定为袋体23a内的压力降低，处理返回到步骤S11。即，控制部100打开空气导入阀23d来向袋体23a内导入空气。另一方面，在由压力计23h检测出的袋体23a内的压力大于预先设定的压力的情况下，控制部100判定为袋体23a内的压力未降低。然后，控制部100判定由氧气浓度计26检测出的基板搬送室20内的氧气浓度是否为预先设定的管理值以下(步骤S16)。
当在步骤S16中由氧气浓度计26检测出的基板搬送室20内的氧气浓度不为预先设定的管理值以下的情况下，控制部100使处理返回到步骤S15。另一方面，当在步骤S16中由氧气浓度计26检测出的基板搬送室20内的氧气浓度为预先设定的管理值以下的情况下，控制部100打开空气排出阀23f(步骤S17)。由此，排出袋体23a内的空气，袋体23a开始收缩。
接着，控制部100判定袋体23a是否充分收缩(步骤S18)。该判定根据由压力计23h检测出的袋体23a内的压力是否达到预先设定的压力来判定。该压力例如可以是大气压。在由压力计23h检测出的袋体23a内的压力未达到预先设定的压力的情况下，控制部100判定为袋体23a未充分收缩，再次执行步骤S18。在由压力计23h检测出的袋体23a内的压力达到了预先设定的压力的情况下，控制部100判定为袋体23a充分收缩，关闭空气排出阀23f(步骤S19)，并且结束处理。
如上面的说明那样，第一实施方式的基板处理装置1具有：基板搬送室20，其能够在大气环境与非活性气体环境之间进行切换；以及袋体23a，其设置于基板搬送室20内，通过导入气体而膨胀，通过排出气体而收缩。由此，能够使袋体23a在基板搬送室20内膨胀来减小N2置换容积。因此，通过循环流形成部21形成的循环流容易到达在N2置换容积较大的状态下循环流难以到达的基板搬送室20内的角落部分。其结果，能够缩短将基板搬送室20内从大气环境切换为非活性气体环境所需的时间。
另外，根据第一实施方式的基板处理装置1，在将基板搬送室20内从大气环境切换为非活性气体环境时，暂时使袋体23a膨胀来减小N2置换容积。因此，与一直减小N2置换容积的情况不同，不会妨碍基板保持器具36的升降动作、基板搬送机构27所进行的基板的转移动作等。
此外，在第一实施方式的基板处理装置1中，说明了在基板搬送室20内设置1个袋体23a的情况，但是本公开并不限定于此。例如，袋体23a也可以为2个以上。
〔第二实施方式〕
参照图6和图7对第二实施方式的基板处理装置的结构例进行说明。图6和图7是示出第二实施方式的基板处理装置的结构例的截面图。此外，图6示出袋体收缩的状态，图7示出袋体膨胀的状态。
对于第二实施方式的基板处理装置1A，袋体23a的上部固定在基板搬送室20的顶部，在袋体23a的下部设置有板状构件23b。另外，空气排出管23e与强制性地从袋体23a内排出空气的真空泵23p等排气装置连接。此外，其它结构与第一实施方式的基板处理装置1相同。
第二实施方式的基板处理装置1A与基板处理装置1同样，具有：基板搬送室20，其能够在大气环境与非活性气体环境之间进行切换；以及袋体23a，其设置于基板搬送室20内，通过导入气体而膨胀，通过排出气体而收缩。由此，能够使袋体23a在基板搬送室20内膨胀来减小N2置换容积。因此，通过循环流形成部21形成的循环流容易到达在N2置换容积较大的状态下循环流所难以到达的基板搬送室20内的角落部分。其结果为，能够缩短将基板搬送室20内从大气环境切换为非活性气体环境所需的时间。
另外，根据第二实施方式的基板处理装置1A，与基板处理装置1同样，在将基板搬送室20内从大气环境切换为非活性气体环境时，暂时使袋体23a膨胀来减小N2置换容积。因此，与一直减小N2置换容积的情况不同，不会妨碍基板保持器具36的升降动作、基板搬送机构27所进行的基板的转移动作等。
此外，在第二实施方式的基板处理装置1A中，说明了在基板搬送室20内设置2个袋体23a的情况，但是本公开并不限定于此。例如，袋体23a既可以是1个，也可以是3个以上。
另外，第二实施方式的基板处理装置1A的动作可以与第一实施方式的基板处理装置1的动作相同。但是，在第二实施方式的基板处理装置1A中，在步骤S17中，当控制部100打开空气排出阀23f时，通过真空泵23p的吸引来经由空气排出管23e排出袋体23a内的空气，袋体23a开始收缩。
〔第三实施方式〕
参照图8和图9对第三实施方式的基板处理装置的结构例进行说明。图8和图9是示出第三实施方式的基板处理装置的结构例的截面图。此外，图8示出袋体收缩的状态，图9示出袋体膨胀的状态。
在第三实施方式的基板处理装置1B中，空气导入管23c配置为能够吸入被循环流形成部21的鼓风机21b送风的气体。在空气导入管23c设置有空气导入阀23d。
另外，在第三实施方式的基板处理装置1B中，设置为空气排出管23e与袋体23a的内部和排气管道35连接。在空气排出管23e设置有空气排出阀23f和流量控制器23g。此外，其它结构与第一实施方式的基板处理装置1相同。
第三实施方式的基板处理装置1B与基板处理装置1同样，具有：基板搬送室20，其能够在大气环境与非活性气体环境之间进行切换；以及袋体23a，其设置于基板搬送室20内，通过导入气体而膨胀，通过排出气体而收缩。由此，能够使袋体23a在基板搬送室20内膨胀来减小N2置换容积。因此，通过循环流形成部21形成的循环流容易到达在N2置换容积较大的状态下循环流所难以到达的基板搬送室20内的角落部分。其结果，能够缩短将基板搬送室20内从大气环境切换为非活性气体环境所需的时间。
另外，根据第三实施方式的基板处理装置1B，与基板处理装置1同样，在将基板搬送室20内从大气环境切换为非活性气体环境时，暂时使袋体23a膨胀来减小N2置换容积。因此，与一直减小N2置换容积的情况不同，不会妨碍基板保持器具36的升降动作、基板搬送机构27所进行的基板的转移动作等。
此外，第三实施方式的基板处理装置1B的动作可以与第一实施方式的基板处理装置1的动作相同。
〔第四实施方式〕
(基板处理装置)
参照图10和图11对第四实施方式的基板处理装置的结构例进行说明。图10和图11是示出第四实施方式的基板处理装置的结构例的截面图。此外，图10示出袋体收缩的状态，图11示出袋体膨胀的状态。
第四实施方式的基板处理装置1C与第一实施方式的基板处理装置1的不同点在于，袋体23a的上部固定在升降机构25的升降部25a，袋体23a的下部固定在基板搬送室20的底部。下面，以与第一实施方式的基板处理装置1不同的点为中心进行说明。
容积调整部23调整基板搬送室20内的容积。容积调整部23具有袋体23a、贯通配管23i以及阀23j。
袋体23a设置于基板搬送室20内。袋体23a的上部固定在升降机构25的升降部25a，下部固定在基板搬送室20的底部。袋体23a具有气密性。伴随着升降部25a的上升，大气经由贯通配管23i被导入袋体23a内部，袋体23a膨胀(图11)，伴随着升降部25a的下降，袋体23a内部的大气经由贯通配管23i排出，袋体23a收缩(图10)。袋体23a例如由伸缩构件形成。但是，袋体23a也可以通过波纹管等伸缩构造形成。
贯通配管23i使袋体23a内与外部空间连通。在贯通配管23i设置有阀23j。
(吹扫方法)
参照图12对第四实施方式的基板处理装置1C的动作的一例进行说明。图12是示出第四实施方式的基板处理装置1C的动作的一例的流程图。下面，作为基板处理装置1C的动作的一例，来说明对基板处理装置1C的基板搬送室20内进行吹扫的吹扫方法。另外，作为初始状态，处理容器31的炉口被盖体24密闭，针阀35d的开度被调整为使基板搬送室20内的压力固定，并且升降部25a下降到下端。
首先，控制部100使升降机构25的升降部25a上升(步骤S41)。由此，空气经由贯通配管23i被导入袋体23a内，袋体23a膨胀。其结果，N2置换容积减小。
在通过使升降机构25的升降部25a上升而使袋体23a膨胀之后，控制部100关闭设置于贯通配管23i的阀23j(步骤S42)。
接着，控制部100打开N2气体供给阀22b(步骤S43)。由此，N2气体被导入基板搬送室20内，通过将基板搬送室20内残留的氧气等气体从排气管道35排出，来将基板搬送室20内从大气环境置换为N2气体环境。此时，由于袋体23a在基板搬送室20内膨胀，因此N2置换容积减小。因此，能够缩短基板搬送室20内的置换所需的时间。另外，当基板搬送室20内被导入N2气体时，由于导入的N2气体的气体压力，袋体23a可能要收缩，但是由于在步骤S43中关闭了阀23j，因此袋体23a内的空气不会经由贯通配管23i排出。因此，能够抑制由于向基板搬送室20内导入的N2气体的气体压力导致的袋体23a的收缩。
接着，控制部100判定由氧气浓度计26检测出的基板搬送室20内的氧气浓度是否为预先设定的管理值以下(步骤S44)。当在步骤S44中由氧气浓度计26检测出的基板搬送室20内的氧气浓度不为预先设定的管理值以下的情况下，控制部100再次执行步骤S44。另一方面，当在步骤S44中由氧气浓度计26检测出的基板搬送室20内的氧气浓度为预先设定的管理值以下的情况下，控制部100打开设置于贯通配管23i的阀23j(步骤S45)。
接着，控制部100使升降机构25的升降部25a下降(步骤S46)，并且结束处理。此时，伴随着升降部25a的下降，袋体23a内的空气经由贯通配管23i排出，袋体23a收缩。
如以上的说明那样，第四实施方式的基板处理装置1C具有：基板搬送室20，其能够在大气环境与非活性气体环境之间进行切换；以及袋体23a，其设置于基板搬送室20内，通过导入气体而膨胀，通过排出气体而收缩。由此，能够使袋体23a在基板搬送室20内膨胀来减小N2置换容积。因此，通过循环流形成部21形成的循环流容易到达到在N2置换容积较大的状态下循环流所难以到达的基板搬送室20内的角落部分。其结果，能够缩短将基板搬送室20内从大气环境切换为非活性气体环境所需的时间。
另外，根据第四实施方式的基板处理装置1C，在将基板搬送室20内从大气环境切换为非活性气体环境时，暂时使袋体23a膨胀来减小N2置换容积。因此，与一直减小N2置换容积的情况不同，不会妨碍基板保持器具36的升降动作、基板搬送机构27所进行的基板的转移动作等。
上面对第一至第四实施方式进行了说明，但是本公开并不限定于此，例如也可以将第一至第四实施方式的2个以上进行组合。
此外，在上述的实施方式中，空气导入管23c和空气导入阀23d是气体导入部的一例，空气排出管23e、空气排出阀23f以及流量控制器23g是气体排出部的一例。
应该认为的是，本次公开的实施方式在所有方面均为例示而非限制性的。上述的实施方式在不脱离所附权利要求书及其主旨的情况下，可以以各种方式进行省略、置换以及变更。

Claims (15)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
基板搬送室，其能够在大气环境与非活性气体环境之间进行切换；以及
袋体，其设置在所述基板搬送室内，通过导入气体而膨胀，通过排出气体而收缩。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述袋体的至少一部分固定在所述基板搬送室。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述袋体的下部固定在所述基板搬送室的底部。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有安装在所述袋体的上部的板状构件。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述袋体的上部固定在所述基板搬送室的顶部。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有安装在所述袋体的下部的板状构件。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，还具有：
气体导入部，其将所述气体导入到所述袋体内；以及
气体排出部，其将所述气体从所述袋体内排出。
8.根据权利要求1～6中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有循环流形成部，该循环流形成部使非活性气体在所述基板搬送室内循环，
所述袋体由于被导入循环的所述非活性气体而膨胀。
9.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有升降部，该升降部在所述基板搬送室内升降，
所述袋体的至少一部分固定在所述升降部。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述袋体由伸缩构件形成。
11.根据权利要求1～9中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述袋体由伸缩构造形成。
12.根据权利要求1～11中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有压力计，该压力计用于检测所述袋体内的压力。
13.根据权利要求1～12中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有氧气浓度计，该氧气浓度计用于检测所述基板搬送室内的氧气浓度。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
还具有控制部，
在通过所述氧气浓度计检测出的所述基板搬送室内的氧气浓度为管理值以下的情况下，所述控制部使所述袋体收缩。
15.一种吹扫方法，包括以下步骤：
向设置在基板搬送室内、通过导入气体而膨胀且通过排出气体而收缩的袋体内导入气体；以及
在使所述袋体膨胀的状态下，通过向所述基板搬送室内导入非活性气体，来使所述基板搬送室内从大气环境切换到非活性气体环境。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100251873B1 (ko) * 1993-01-21 2000-04-15 마쓰바 구니유키 종형 열처리 장치
JP3372581B2 (ja) * 1993-01-21 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP4876322B2 (ja) 2001-03-30 2012-02-15 東京エレクトロン株式会社 ロードロック室、その排気方法及び熱処理装置
JP2003092329A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2005333076A (ja) * 2004-05-21 2005-12-02 Tokyo Electron Ltd ロードロック装置、処理システム及びその使用方法
JP6564642B2 (ja) * 2015-07-23 2019-08-21 東京エレクトロン株式会社 基板搬送室、基板処理システム、及び基板搬送室内のガス置換方法
JP2018072582A (ja) * 2016-10-31 2018-05-10 株式会社サーマプレシジョン 露光システム

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