KR100670869B1 - 종형 열 처리 장치 - Google Patents
종형 열 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100670869B1 KR100670869B1 KR1020047009948A KR20047009948A KR100670869B1 KR 100670869 B1 KR100670869 B1 KR 100670869B1 KR 1020047009948 A KR1020047009948 A KR 1020047009948A KR 20047009948 A KR20047009948 A KR 20047009948A KR 100670869 B1 KR100670869 B1 KR 100670869B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- arm
- arm element
- processing chamber
- load port
- shutter device
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 43
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 19
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 10
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
Claims (17)
- 복수의 피처리 기판에 대해 함께 열 처리를 실시하기 위한 종형 열 처리 장치이며,상기 피처리 기판을 수납하며, 바닥부에 로드 포트를 갖는 기밀한 처리실과,상기 처리실의 상기 로드 포트를 선택적으로 개방 및 폐쇄하는 덮개 부재와,상기 처리실 내에서 상기 피처리 기판을 서로 간격을 두고 적층된 상태로 보유 지지하는 보유 지지구와,상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 공급 시스템과,상기 처리실 내를 배기하는 배기 시스템과,상기 처리실의 내부 분위기를 가열하는 가열 수단과,상기 피처리 기판을 보유 지지한 상기 보유 지지구를 상기 덮개 부재 상에 지지한 상태에서 상기 덮개 부재를 승강시키는 엘리베이터와,상기 처리실의 상기 로드 포트로부터 상기 피처리 기판이 취출되었을 때에 상기 로드 포트를 차폐하는 셔터 디바이스를 구비하고,상기 셔터 디바이스는,상기 처리실의 상기 로드 포트를 선택적으로 폐쇄하는 포트 커버와,상기 포트 커버를 지지하는 동시에 이동시키는 신축 아암을 구비하는 구동부를 구비하고,상기 구동부는 상기 신축 아암을 거쳐서 상기 포트 커버를, 상기 로드 포트를 폐쇄하는 폐쇄 위치와, 상기 폐쇄 위치의 측방의 대기 위치 사이에서 직선적으로 이동시키고, 여기서,상기 신축 아암은 베이스부와 상기 베이스부에 지지되면서 또한 상기 포트 커버를 지지하는 복수의 아암 소자를 구비하고, 상기 복수의 아암 소자는 상기 베이스부에 대해 왕복 동작 가능한 제1 아암 소자와, 상기 제1 아암 소자에 대해 왕복 동작 가능한 제2 아암 소자를 구비하고,상기 셔터 디바이스는 상기 포트 커버 및 상기 신축 아암을 수납하는 케이싱을 더 구비하고, 상기 대기 위치는 상기 케이싱 내에 배치되는 종형 열 처리 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 제1 아암 소자는 선형 가이드를 구비하고, 상기 제2 아암 소자는 상기 제1 아암 레일의 상기 선형 가이드 상을 슬라이드하는 종형 열 처리 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 베이스부는 선형 가이드를 구비하고, 상기 제1 아암 소자는 상기 베이스부의 상기 선형 가이드 상을 슬라이드하는 종형 열 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 신축 아암은 기단부측의 축부를 중심으로 하여 선회 가능하게 지지되고, 상기 폐쇄 위치 및 대기 위치 사이를 이동하는 세트 상태와, 하방으로 경사지는 보수 상태 사이에서 절환 가능한 종형 열 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 셔터 디바이스는 상기 포트 커버를 상기 로드 포트에 밀착시키는 압박 기구를 더 구비하는 종형 열 처리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 압박 기구는 상기 신축 아암의 전체를 상승시키는 종형 열 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 셔터 디바이스는 상기 포트 커버 내에 형성된 냉매 통로와, 상기 냉매 통로 내에 냉매를 공급하는 공급 시스템을 더 구비하는 종형 열 처리 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 셔터 디바이스는 상기 신축 아암의 동작을 제어하는 제어기를 더 구비하고, 상기 제어기는 상기 제1 아암 소자에 대한 상기 제2 아암 소자의 왕복 동작을 상기 제1 아암 소자가 상기 케이싱 내에 있는 상태에 있어서만 행하는 종형 열 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 셔터 디바이스는 상기 신축 아암의 동작을 제어하는 제어기를 더 구비하고, 상기 제어기는 상기 포트 커버를 상기 대기 위치로부터 상기 폐쇄 위치로 이동시킬 때에는 상기 제2 아암 소자를 전진시킨 후에 상기 제1 아암 소자를 전진시키고, 상기 포트 커버를 상기 개폐 위치로부터 상기 대기 위치로 이동시킬 때에는 상기 제1 아암 소자를 후퇴시킨 후에 상기 제2 아암 소자를 후퇴시키는 종형 열 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 케이싱은 상기 폐쇄 위치에 대향하는 상기 케이싱의 제1 측면에 형성된 제1 개구와, 상기 제1 측면과는 다른 상기 케이싱의 제2 측면에 형성된 제2 개구를 구비하고, 상기 장치는 상기 제1 개구로부터 유입되면서 또한 상기 제2 개구로부터 유출되는 기류를 형성하는 기구를 더 구비하는 종형 열 처리 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 제2 개구는 덕트를 거쳐서 기체 흡입부에 접속되는 종형 열 처리 장치.
- 복수의 피처리 기판에 대해 함께 열 처리를 실시하기 위한 종형 열 처리 장치이며,상기 피처리 기판을 수납하며, 바닥부에 로드 포트를 갖는 기밀한 처리실과,상기 처리실의 상기 로드 포트를 선택적으로 개방 및 폐쇄하는 덮개 부재와,상기 처리실 내에서 상기 피처리 기판을 서로 간격을 두고 적층된 상태로 보유 지지하는 보유 지지구와,상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 공급 시스템과,상기 처리실 내를 배기하는 배기 시스템과,상기 처리실의 내부 분위기를 가열하는 가열 수단과,상기 피처리 기판을 보유 지지한 상기 보유 지지구를 상기 덮개 부재 상에 지지한 상태에서 상기 덮개 부재를 승강시키는 엘리베이터와,상기 처리실의 상기 로드 포트로부터 상기 피처리 기판이 취출되었을 때에 상기 로드 포트를 차폐하는 셔터 디바이스를 구비하고,상기 셔터 디바이스는,상기 처리실의 상기 로드 포트를 선택적으로 폐쇄하는 포트 커버와,상기 포트 커버를 지지하는 동시에 이동시키는 신축 아암을 구비하는 구동부를 구비하고,상기 구동부는 상기 신축 아암을 거쳐서 상기 포트 커버를, 상기 로드 포트를 폐쇄하는 폐쇄 위치와, 상기 폐쇄 위치의 측방의 대기 위치 사이에서 직선적으로 이동시키고, 여기서,상기 신축 아암은 기단부측의 축부를 중심으로 하여 선회 가능하게 지지되어 상기 폐쇄 위치 및 대기 위치 사이를 이동하는 세트 상태와, 하방으로 경사지는 보수 상태 사이에서 절환 가능한 종형 열 처리 장치.
- 제14항에 있어서, 상기 신축 아암은 베이스부와 상기 베이스부에 지지되면서 또한 상기 포트 커버를 지지하는 복수의 아암 소자를 구비하고, 상기 복수의 아암 소자는 상기 베이스부에 대해 왕복 동작 가능한 제1 아암 소자와, 상기 제1 아암 소자에 대해 왕복 동작 가능한 제2 아암 소자를 구비하는 종형 열 처리 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 제1 아암 소자는 선형 가이드를 구비하고, 상기 제2 아암 소자는 상기 제1 아암 레일의 상기 선형 가이드 상을 슬라이드하는 종형 열 처리 장치.
- 제16항에 있어서, 상기 베이스부는 선형 가이드를 구비하고, 상기 제1 아암 소자는 상기 베이스부의 상기 선형 가이드 상을 슬라이드하는 종형 열 처리 장치.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002103316A JP4421806B2 (ja) | 2002-04-05 | 2002-04-05 | 縦型熱処理装置及びそのシャッター機構並びにその作動方法 |
JPJP-P-2002-00103316 | 2002-04-05 | ||
PCT/JP2003/003476 WO2003085712A1 (fr) | 2002-04-05 | 2003-03-20 | Equipement vertical de traitement thermique |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040094400A KR20040094400A (ko) | 2004-11-09 |
KR100670869B1 true KR100670869B1 (ko) | 2007-01-19 |
Family
ID=28786297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020047009948A KR100670869B1 (ko) | 2002-04-05 | 2003-03-20 | 종형 열 처리 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4421806B2 (ko) |
KR (1) | KR100670869B1 (ko) |
CN (2) | CN100337311C (ko) |
TW (1) | TWI276178B (ko) |
WO (1) | WO2003085712A1 (ko) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100356505C (zh) * | 2003-12-26 | 2007-12-19 | 清华大学 | 带竖立式热处理腔的半导体快速热处理设备 |
KR100971755B1 (ko) * | 2008-05-30 | 2010-07-22 | 주식회사 테라세미콘 | 퍼니스 |
JP5131094B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法並びに記憶媒体 |
JP5042950B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2012-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び基板支持具 |
JP5134495B2 (ja) | 2008-10-16 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
CN102889791B (zh) * | 2012-09-27 | 2014-11-19 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 炉体排风控制装置 |
JP6185863B2 (ja) * | 2013-04-24 | 2017-08-23 | 日本碍子株式会社 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
JP6258726B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2018-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
WO2020059427A1 (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置及び蓋開閉機構及び半導体装置の製造方法及び流体圧駆動システム |
CN114061316B (zh) * | 2021-11-15 | 2024-03-26 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 立式热处理设备 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04157162A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-05-29 | Shinko Electric Co Ltd | 表面処理装置 |
-
2002
- 2002-04-05 JP JP2002103316A patent/JP4421806B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-20 CN CNB038077485A patent/CN100337311C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-20 KR KR1020047009948A patent/KR100670869B1/ko active IP Right Grant
- 2003-03-20 WO PCT/JP2003/003476 patent/WO2003085712A1/ja active Application Filing
- 2003-04-03 TW TW092107640A patent/TWI276178B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-04-04 CN CNU032446241U patent/CN2694474Y/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100337311C (zh) | 2007-09-12 |
KR20040094400A (ko) | 2004-11-09 |
TW200400566A (en) | 2004-01-01 |
WO2003085712A1 (fr) | 2003-10-16 |
TWI276178B (en) | 2007-03-11 |
JP4421806B2 (ja) | 2010-02-24 |
CN1647253A (zh) | 2005-07-27 |
CN2694474Y (zh) | 2005-04-20 |
JP2003297769A (ja) | 2003-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102360219B1 (ko) | 인덱서블 측면 저장 포드 장치, 가열식 측면 저장 포드 장치, 시스템들, 및 방법들 | |
JP4784599B2 (ja) | 真空処理装置及び真空処理方法並びに記憶媒体 | |
TWI495031B (zh) | 傳送室設計及使用傳送室方法 | |
KR101383935B1 (ko) | 종형 열처리 장치 및 피처리 기판 이동 탑재 방법 | |
JP4916140B2 (ja) | 真空処理システム | |
TW202013563A (zh) | 設備前端模組(efem)及半導體製造裝置 | |
KR100670869B1 (ko) | 종형 열 처리 장치 | |
TW200832592A (en) | Substrate processing apparatus and manufacturing method for a semiconductor device | |
JP2010219228A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5696612B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP3950299B2 (ja) | 基板処理装置及びその方法 | |
KR20070044798A (ko) | 종형 열처리 장치 및 그 사용 방법 | |
KR102626528B1 (ko) | 국소 퍼지 기능을 갖는 반송 장치 | |
JPH06340304A (ja) | 筐体の収納棚及び筐体の搬送方法並びに洗浄装置 | |
JP3648589B2 (ja) | 熱処理装置 | |
US11107698B2 (en) | Substrate treating method | |
KR100719519B1 (ko) | 고온 공정용 반도체 제조장치 | |
KR102378336B1 (ko) | 베이크 장치 및 베이크 방법 | |
KR102386210B1 (ko) | 가열 플레이트 냉각 방법과 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP3836812B2 (ja) | 熱処理装置のシャッター機構及び縦型熱処理装置 | |
JP2004214689A (ja) | 基板処理装置 | |
KR102403200B1 (ko) | 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 | |
KR102387934B1 (ko) | 가열 플레이트 냉각 방법과 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP7345403B2 (ja) | 基板処理装置及びパージ方法 | |
JP2645357B2 (ja) | 処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121227 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131218 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141230 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151217 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161221 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171219 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200106 Year of fee payment: 14 |