CN2694474Y - 纵向型热处理装置 - Google Patents

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CN2694474Y CNU032446241U CN03244624U CN2694474Y CN 2694474 Y CN2694474 Y CN 2694474Y CN U032446241 U CNU032446241 U CN U032446241U CN 03244624 U CN03244624 U CN 03244624U CN 2694474 Y CN2694474 Y CN 2694474Y
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Abstract

本实用新型提供一种纵向型热处理装置(1),缩短纵向型热处理装置中遮蔽器件的开闭操作时间,并提高其处理能力。具有在从处理室(5)的装载口(4)取出被处理基片(W)时遮蔽装载口(4)的遮蔽器件(17)。遮蔽器件(17)具有对处理室(5)的装载口(4)有选择地进行封闭的装载口盖(18)。装载口盖(18)由驱动部来驱动,而驱动部具备对其进行支撑同时使之移动的伸缩臂(19)。驱动部通过伸缩臂(19)使装载口盖(18)在封闭装载口(4)的封闭位置(PB)和封闭位置(PB)侧向的待机位置(PA)之间进行直线移动。

Description

纵向型热处理装置
技术领域
本实用新型涉及对多个被处理基片一同进行热处理所用的纵向型热处理装置。更为具体地说,本实用新型涉及一种纵向型热处理装置,具有在从处理室取出被处理基片时遮蔽处理室的装载口的改进的遮蔽(shutter)器件。
再者,该纵向型热处理装置典型的是装入半导体处理系统来使用的。在此,所谓的半导体处理是指,为了制造出下述结构物所实施的各种处理,这就是通过在半导体晶片和玻璃基片等的被处理基片上以预定的图案形成半导体层、绝缘层及导电层等,而在该被处理基片上制造出含有半导体器件和连接半导体器件的配线、电极等的结构物。
背景技术
在半导体器件的制造方面,人们为了对被处理基片如半导体晶片施以膜沉积、氧化、扩散、改变性质、退火及腐蚀等的处理,而采用各种处理装置。作为这种处理装置,可一次对多个晶片进行热处理的纵向型热处理装置已为众所周知。
一般情况下,纵向型热处理装置具有为收存晶片所用的密封纵向型处理室(反应管)。在处理室的底座部分形成有装载口(load port),并且通过由升降机来升降的盖子有选择地进行开放及封闭。在处理室内采用被称之为晶片舟的保持器具,以便在相互留出间隔并重叠的状态下保持晶片。晶片舟在装载晶片的同时也将其支撑于盖子上,并在这种状态下利用升降机通过装载口来对处理室内进行加载及卸载。
在处理室的下部设置有,在从装载口取出支撑于盖子上的晶片舟时为遮蔽装载口所用的遮蔽器件。采用遮蔽器件是为了防止在打开盖子时处理室内温度很高的热气从装载口漏出,以致对下面产生热影响。
图10是表示这种以往的遮蔽器件和处理室(反应管)之间关系的斜视图。如图10所示,该遮蔽器件110具有盖住处理室103的装载口104所用的装载口盖118。装载口盖118安装于水平旋转臂116的前端。臂116通过其基点部分上所设置的水平回转机构114及上下移动机构112可以进行水平旋转及上下移动。
如图10中以实线表示的,开放装载口时装载口盖118会移动到装载口104侧向的待机位置。封闭装载口时为了将装载口盖118移动到装载口104的下面而使臂116水平旋转约60度左右。然后,进一步升高臂116以使装载口盖118与装载口104相接,并封闭装载口104。
还有,作为遮蔽器件的其他示例,有时也将装载口盖安装于垂直旋转臂的前端(未图示)。这种情况下,垂直旋转臂通过其基点部分的垂直回转机构进行垂直旋转。装载口盖通过臂的垂直旋转升高至与装载口相接,由此封闭装载口。
采用图10所示的遮蔽器件使臂116进行水平旋转来移动装载口盖118。因为装载口盖118的重量比较大,所以采用图10所示的遮蔽器件对装载口盖118进行开闭操作时控制其位置需要花费较多的时间。例如,12英时晶片用的纵向型热处理装置的场合下,进行封闭操作时臂116的回转约为25秒,臂116的升高约为2秒,合计需要约27秒左右。遮蔽器件较长的动作时间会成为降低处理能力的原因。随着以晶片的尺寸来增加处理室的径长,装载口盖118的尺寸会增大。因此,人们认为在处理更大晶片所用的下一代纵向型热处理装置方面上述问题将更加明显。
实用新型内容
本实用新型的目的在于缩短纵向型热处理装置中遮蔽器件的开闭操作时间,并提高其处理能力。
根据本实用新型中的观点,可以提供对多个被处理基片一同施以热处理所用的纵向型热处理装置,并且该装置具备有:
收存上述被处理基片的密封处理室、上述处理室在基部具有装载口、
有选择地对上述处理室的上述装载口进行开放及封闭的盖子、
在上述处理室内在相互留出间隔并重叠的状态下保持上述被处理基片的保持器具、
对上述处理室内提供处理气体的供应系统、
排出上述处理室内的气体的排气系统、
对上述处理室的内部空气进行加热的加热手段、
在将保持上述被处理基片的上述保持器具支撑于上述盖子上的状态下使上述盖子升降的升降机、
从上述处理室的上述装载口取出上述被处理基片时遮蔽上述装载口的遮蔽器件,
并且上述遮蔽器件,具备有:
有选择地对上述处理室的上述装载口进行封闭的装载口盖、
备有对上述装载口盖进行支撑同时使之移动的伸缩臂的驱动部、上述驱动部通过上述伸缩臂使上述装载口盖在封闭上述装载口的封闭位置和上述封闭位置侧向的待机位置之间进行直线移动。
在上述纵向型热处理装置中,上述伸缩臂具备基部和支撑于上述基部并支撑上述装载口盖的多个臂部件,上述臂部件可以具备能对上述基部进行往复动作的第1臂部件以及能对上述第1臂部件进行往复动作的第2臂部件。
在上述纵向型热处理装置中,上述遮蔽器件进一步具备有收存上述装载口盖及上述伸缩臂的壳子,并且在上述待机位置上可以使上述伸缩臂收存到上述壳子内。
在上述纵向型热处理装置中,上述遮蔽器件进一步具备对上述伸缩臂的动作进行控制的控制器,并且上述控制器可以使对上述第1臂部件的第2臂部件进行的往复动作,只在上述第1臂部件处于上述壳子内的状态下进行。
在上述纵向型热处理装置中,上述壳子具备在与上述封闭位置相对的上述壳子的第1侧面上所形成的第1开口以及在不同于上述第1侧面的上述壳子的第2侧面上所形成的第2开口,并且上述纵向型热处理装置可以进一步具备这样的机构,该机构可形成从上述第1开口流入并且从上述第2开口流出的气流。
附图说明
图1是简略表示本实用新型的实施方式所涉及的纵向型热处理装置的结构图。
图2是简略表示在图1所示的装置中使用的遮蔽器件的内部结构的平面图。
图3是简略表示图2所示的遮蔽器件的内部结构的正面图。
图4是简略表示图2所示的遮蔽器件的内部结构的侧面图。
图5的A、B是在第1及第2臂部件同时收缩的状态(收存状态)下表示图2所示的遮蔽器件的平面图及侧面图。
图5的C、D是在只有第2臂部件延长的状态下表示图2所示的遮蔽器件的平面图及侧面图。
图6的A、B是在第1及第2臂部件同时延长的状态(伸长状态)下表示图2所示的遮蔽器件的平面图及侧面图。
图6的C、D是在只有第1臂部件收缩的状态下表示图2所示的遮蔽器件的平面图及侧面图。
图7是简略表示图1所示装置的作业区域内的换气结构的斜视图。
图8是简略表示图1所示装置的作业区域内的换气结构的截面图。
图9是简略表示本实用新型的其他实施方式所涉及的遮蔽器件的侧面图。
图10是表示纵向型热处理装置中以往的遮蔽器件和处理室之间关系的斜视图。
具体实施方式
以下,参照附图对于本实用新型的实施方式进行说明。再者,在下面的说明中对于具有大致相同的功能及结构的构成要件附加相同的符号,并且只在必要的场合下才进行重复说明。
图1是简略表示本实用新型的实施方式所涉及的纵向型热处理装置的结构图。如图1所示,该纵向型热处理装置1的外层由外壳2形成。在外壳2内的上面设置有对多个被处理基片如半导体晶片W施以指定的处理如氧化处理所用的纵向型热处理炉3。热处理炉3包括有其下部开口作为装载口4的纵向长的处理室、例如石英制反应管5。
反应管(处理室)5的装载口4通过可升降的盖子6有选择地进行开放及封闭。盖子6的构成可做到与装载口4的开口端相接并对装载口4进行密封。在盖子6上配置有在留出间隔并重叠的状态下保持多个晶片W的晶片舟(ボ-ト)9。在盖子6的下部设置有转动晶片舟9所用的旋转机构11a。
在反应管5的周围设置有加热器7。控制加热器7以做到将反应管(处理室)5内的空气加热到指定的温度例如300~1200℃。为了将处理气体和吹扫用的惰性气体送入到反应管5内,而在反应管5上连接有包括多个气体送入管的气体供应系统GS。在反应管5上还连接有排出反应管5内的气体的排气部件ES。
晶片W在反应管5内进行处理时,在水平状态并且在相互留出间隔并重叠的状态下保持在晶片舟9上。晶片舟9具有对口径大如直径为300mm、数量多如25~150片左右的晶片W进行保持的石英制舟体9a。在舟体9a的基部与舟体9a连为一体形成为支脚部分9b。支脚部分9b连结于使盖子6上所设置的晶片W按圆周方向转动所用的回转机构11a的回转轴。在盖子6上还设置有加热机构或保温筒(未图示)。
在壳子2内因设置有构成热处理炉3的反应管5和加热器7,而水平配置有示例SUS制的基板8。在基板8上形成为从下向上插入反应管5所需的开口部分(未图示)。在反应管5的下部形成有外向的突缘部分,并且该突缘部分通过突缘保持件保持于基板8上。反应管5为进行清洗等目的可以从基板8向下方取出。
在壳子2内,热处理炉3的下面设置有对晶片舟9进行晶片W转移所用的作业区域(负荷区域)10。在作业区域10上设置有使盖子6进行升降所用的升降机构(升降机)11(在图1中只表示出对盖子6进行支撑的升降机11的臂)。晶片舟9在支撑于盖子6上的状态下通过升降机11在作业区域10和反应管5之间进行运送。也就是说,晶片舟9通过升降机11对反应管5进行加载及卸载。
在壳子2的前部设置有装载多个收存晶片W的托架(carrier)(也称为盒子)12所用的装载座13。在各托架12内可收存多个如25片左右的晶片。托架12是作为在前面具有可拆装盖子(未图示)的密封型运输容器来构成的。
在作业区域10内的前部设置有,装载托架12的同时使托架12的前面与作业区域10一侧相接的装载口构造13a。在将作业区域10和装载口构造13a隔开的隔板上形成有开口部分,并通过出入口14进行开闭。在出入口14上附加设有为拆装托架12的盖子所用的机构。另外,在出入口14的旁边设置有置换手段(未图示),以惰性气体来置换装载口构造13a上托架12内的环境气体。
作业区域10内设置有在托架12和晶片舟9之间进行晶片W转移的转移器件15。作业区域10外侧前面的上部设置有为了预先收存上下成双的托架所用的保管架16,及为了从装载座13向保管架16或者与其反向地运送托架所用的运送器件(未图示)。
在作业区域10内的上部设置有从反应管5的装载口4取出盖子6时为遮蔽装载口4所用的遮蔽器件17。遮蔽器件17用于防止反应管5内温度很高的热气从装载口4漏出以致对下面产生热影响。因此,遮蔽器件17具有对装载口4有选择地进行开放及封闭的装载口盖18。
装载口盖18支撑于伸缩臂19的前端。臂19的基部通过支架构造20安装于外壳2上。装载口盖18通过臂19的伸缩,在封闭装载口4的封闭位置PB和其侧向的待机位置PA之间进行直线移动。
在待机位置PA上,所有的装载口盖18、臂19及臂19的驱动部(详细状况在下面记述)都收存于对外壳2所固定的壳子21内。壳子21内在作业区域10中通过下述方式进行换气。图7及图8是简略表示对作业区域10及壳子21的换气结构的斜视图及截面图。
在与壳子21的封闭位置PB相对的侧面上形成有正面开口52,该开口的尺寸应达到可以使装载口盖18及臂(arm)19出入。另外,在壳子21的其他侧面上形成有用于换气的开口54。壳子21的其他部分不是密封的,但实际上为了不产生气流也进行封闭。另外,在壳子21的外侧作业区域10的侧面(图7及图8的左侧)上也形成有用于换气的开口56。
开口54、56连接于换气通道62,而该通道包括有沿着本装置1外壳2的侧面所配置的管道58。换气通道62穿过外壳2的基部,通过热交换器64及风扇(气体吸入部)66与过滤部件68相连接。过滤部件68设置在与管道58反向的外壳2的侧面上并做到与作业区域10相对。
也就是说,在作业区域10内通过由风扇66而产生的送风作用,从过滤部件提供清洁气体。该清洁气体在作业区域10及壳子21内形成气流FG,并且从形成于相反侧面上的开口54、56流入排气方的管道58。流入管道58的使用后的清洁气体通过由风扇66而产生的送风作用,再次回到过滤部件68,并由过滤部件68进行净化来循环使用。
特别是对壳子21来说,一部分清洁空气从壳子21的正面开口52流入壳子21内,并从侧面的开口54流入排气方的管道58。这样,通过壳子21的正面开口52形成从壳子21的外侧向内侧流动的气流FG,因而在壳子21内(特别是,伸缩臂19的臂部件之间滑动接触的部分)产生的灰尘(细小的微粒)不会流到作业区域10一侧。这样一来,就可以防止由于采用下述方式进行动作的遮蔽器件17中产生的灰尘对作业区域10内进行处理的晶片W的污染。
图2至4是简略表示遮蔽器件17的内部结构的平面图、正面图及侧面图。如图2至图4所示,支撑伸缩臂19的支架构造20具有前部支架20a和后部支架20b。左右各有一对的前部支架20a固定于基板8的下部。后部支架20b固定于外壳2的壳体2a上。
臂19具有基部臂部件22、第1臂部件(中间臂部件)24及第2臂部件(前端臂部件)26。第1臂部件24通过线形导向器23沿纵方向设置在基部臂部件22上并可以滑动。第2臂部件26通过线形(リニア)导向器25沿纵方向设置在第1臂部件24上并可以滑动。
第1及第2臂部件24、26的前进及后退由第1及第2气缸27、28来驱动。第1及第2气缸27、28由所谓的无杆(ロツドレス)气缸组成。在该无杆气缸上缸筒27a、28a内插有可滑动并带有磁铁的活塞。另外,在缸筒27a、28a的外围插有可滑动并且与活塞联动的带有磁铁的环状驱动部27b、28b。
第1气缸27安装于基部臂部件22上,并且其环状驱动部27b与第1臂部件24相连结。第2气缸28安装于第1臂部件24上,并且其环状驱动部28b与第2臂部件26相连结。在基部臂部件22的下面安装有构成壳子21底部的底板30。底板30可以有选择地与伸缩臂19一起向下方倾斜。
也就是说,如图4所示伸缩臂19以基点一侧的轴为中心被支撑并可以旋转。这样一来,伸缩臂19可以在下述的两种状态之间进行切换,这就是在封闭位置PB及待机位置PA之间进行移动的水平设定状态和操作者为进入而使之向下倾斜的维修状态PC。更为具体地说,基部臂部件22的基点通过支承轴31支撑于后部支架20b的下部并可以垂直旋转。在支架20a上通过由连杆组成的牵拉件32连结底板30。可以利用牵拉件32通过底板30保持伸缩臂19向下倾斜的维修状态PC。
底板30由于用螺钉(未图示)固定于前部支架20a上,而保持为水平状态。通过解除该螺钉的连接,而可以从前部支架20a将底板30分开并使之向下倾斜。在本实施方式中,操作者通过手动操作来进行包括底板30的伸缩臂19的上升及下降(也就是说,遮蔽器件17在平时的水平调整状态和维修状态之间进行移动)。
装载口盖18安装于第2臂部件26前端的上面。装载口盖18例如是SUS制的,并且在其内部具有冷却水通道33,该通道33例如是形成为螺旋状的水冷构造(冷却构造)。在第2臂部件26的一侧突出设置有与装载口盖18的冷却水通道33相连通的金属导水管34。在导水管34上连接有如聚四氟乙烯(テフロン)(注册商标)制等的具有耐热性及可挠性的导水管35,并导入壳子21。
为了防止热气从装载口4放出,而对导水管35进行保护,为此在导水管34的前端设置有顶盖36。在第1臂部件24的一侧设置有容许顶盖36移动的截面为コ字状的中间盖37。为了不使给第2气缸28提供压力气体的具有可挠性的管子松动而进行引导,为此设置有空管38。
对遮蔽器件17进行开闭操作的场合下,通过控制器如顺序控制来控制伸缩臂19的动作。控制器控制对第1臂部件24的第2臂部件26的往复动作,以做到该往复动作只在第1臂部件24处于壳子21内的状态下进行。据此,其结构可使因臂19的滑动而产生的灰尘(dust)不会流到作业区域10内。
具体地说,在使装载口盖18从待机位置PA(壳子21内)移动(封闭移动)到封闭位置PB时,首先如图5的A、B、C、D所示,使第2臂部件26向前推进,而后如图6的A、B所示,使第1臂部件24向前推进。另一方面,在使装载口盖18从封闭位置PB移动(开放移动)到待机位置PA(壳子21内)时,首先如图6的A、B、C、D所示,使第1臂部件24向后退回,而后如图5的A、B所示,使第2臂部件26向后退回。
由于臂19进行伸缩时其滑动在壳子21内进行,所以因滑动而产生出的灰尘会通过壳子21内的气流排放出去。因此,可以防止灰尘流向作业区域10。
臂19的第1臂部件24及第2臂部件26的伸缩位置(行程未端)在难以受到来自装载口4的热影响的壳子21内,也可通过数目尽量少的传感器测出。因此,在基部臂部件22上,沿着其纵方向以指定配置的方式安装有3个传感器,例如限位开关38a、38b、38c。
为了依次开关这些限位开关38a~38c,而在基部臂部件22上设置有抛掷器39并且其通过导轨40可以滑动。在分为前后的两个位置上给抛掷器39设置挂钩39a、39b。在第1及第2臂部件24、26上设置有为挂在挂钩39a、39b上来对抛掷器39进行操作所用的操作棒41a、41b,并且该操作棒从各个侧面向外突出。
例如,如果使装载口盖18从待机位置PA(壳子21内)封闭移动到封闭位置PB,限位开关38a~38c就会进行如下的动作。首先,如图5的A、B所示,从臂19收缩后的状态,对第1臂部件24使第2臂部件26向前推进。这样一来,如图5的C、D所示,第2臂部件26的操作棒41b就挂住抛掷器39前面的挂钩39a并使抛掷器39移动至中间限位开关38b的位置。因而,限位开关38b会导通(on),测出第2臂部件26已延长。
其次,对基部臂部件22推进第1臂部件24。这样一来,如图6的A、B所示,第2臂部件26的操作棒41b就挂住抛掷器39前面的挂钩39a并使抛掷器39移动至前部限位开关38c的位置。因而,限位开关38c会导通,测出第2臂部件26已延长,也就是说装载口盖18到达封闭位置PB。
另一方面,如果使装载口盖18从封闭位置开放移动到待机位置PA(壳子21内),限位开关38a~38c就会进行如下的动作。首先,如图6的A、B所示,从臂19延长后的状态,对基部臂部件22使第1臂部件24向后退回。这样一来,如图6的C、D所示,第1臂部件24的操作棒41a就挂住抛掷器39后面的挂钩39b并使抛掷器39移动至中间限位开关38b的位置。因而,限位开关38b会导通,测出第1臂部件24已延长。
其次,对第1臂部件24使第2臂部件26向后退回。这样一来,如图5的A、B所示,第2臂部件26的操作棒41b就挂住抛掷器39后面的挂钩39b并使抛掷器39移动至后部限位开关38a的位置。因而,限位开关38a会导通,测出第2臂部件26已收缩,也就是说装载口盖18到达待机位置PA。
下面,对由上述结构组成的遮蔽器件17的动作进行说明。一般情况下,遮蔽器件17处于不会妨碍向热处理炉3内送入、送出晶片舟9作业的状态。也就是说,伸缩臂19为使装载口盖18到达待机位置PA而进行收缩,并且与装载口盖18一起收存于壳子21内。
通过升降机(升降机构)11向下打开盖子6时,也就是说在进行热处理后将晶片舟9送到作业区域10时,遮蔽器件17使臂19延长后将装载口盖18移动到封闭位置PB,并且用装载口盖18盖住装载口4。由此,可以抑制直至防止炉内温度高的热气从装载口4排放到作业区域10。
在进行遮蔽器件17维修的场合下解除螺钉的连接,该螺钉是为了将臂19保持成水平状态而在前部支架20a上固定底板30用的。接着,以基部的支承轴31为支点使遮蔽器件17向下方回转并通过牵拉件32下降至使其保持为倾斜状态。这种场合下,最好事先使臂19收缩,但如图4所示,也可以在使臂19延长后的这种状态下使其向斜下方倾斜。
如果使遮蔽器件17向斜下方倾斜,就会在遮蔽器件17的上方形成用于维修作业的宽大空间。因此,可以容易地进行遮蔽器件17维修作业,例如装载口盖18和臂19的维修作业。
对反应管5的装载口4进行开关的遮蔽器件17的装载口盖18通过伸缩臂19在封闭位置PB和侧向的待机位置PA之间进行直线移动。因此,驱动时对停止的控制变得很容易,并且可以缩短对遮蔽器件17开关操作的时间。也就是说,因为使较重的装载口盖18以直线运动的方式进行移动,所以与使较重的装载口盖18以螺旋运动的方式进行移动的场合相比,可以用较短的时间(例如,在封闭动作或开启动作中需要10秒钟左右)并且在较小的空间内移动装载口盖18。由此,可以谋求纵向型热处理装置1处理能力的提高及节省空间化。
装载口盖18具有由循环冷却水的冷却水通道33所形成的水冷构造(冷却构造)。因此,可以抑制直至防止装载口盖18自身的热变形和热劣化。而且,可以抑制直至防止由来自装载口盖18的热传导而引起的臂19的热变形和热劣化。这样,可以谋求遮蔽器件17耐久性的提高。
臂19的结构可做到从以基部为支点的水平调整状态回转到向下方倾斜的维修状态PC。因此,可以容易地进行装载口盖18和臂19的维修作业,并可以谋求作业性的提高。
对遮蔽器件17进行开闭操作的场合下,控制器控制对第1臂部件24的第2臂部件26的往复动作,以做到该往复动作只在第1臂部件24处于壳子21内的状态下进行。也就是说,在使装载口盖18从待机位置PA封闭移动到封闭位置PB时,使第2臂部件26向前推进,之后使第1臂部件24向前推进。在使装载口盖18从封闭位置PB开放移动到待机位置PA时,使第1臂部件24向后退回,之后使第2臂部件26向后退回。据此,可做到因臂19的滑动而产生的灰尘不会流到作业区域10内。
另外,通过壳子21的正面开口52形成从壳子21的外侧向内侧流动的气流。因而,灰尘不会从壳子21内流到作业区域10一侧。据此,可以防止由于遮蔽器件17中产生的灰尘对作业区域10内进行处理的晶片W的污染。
图9是简略表示本实用新型的其他实施方式所涉及的遮蔽器件的侧面图。该遮蔽器件17X具有在封闭位置PB使装载口盖18上升来与装载口4接合所用的加压机构42。加压机构42的结构可使装载口盖18与全部伸缩臂19一起向上下方向移动。再者,在本实施方式中,伸缩臂19也使装载口盖18直线移动来进行开闭操作。
在将臂19挟于基板8下面所设置的左右各一对的支架20上安装有可上下移动的可动框43。可动框43由加压机构42的气缸42a来驱动。伸缩臂19的基部臂部件22的后端通过支承轴44支撑于可动框43上并可以垂直旋转。基部臂部件22的前端对可动框43用螺钉(未图示)进行连结并可拆装。
臂19在收缩到待机位置PA(壳子21内)时处于由加压机构42下降后的状态。通过从该状态延长臂19,将装载口盖18移动到装载口4的封闭位置PB上。接着,操作加压机构42使臂19上升,并且使装载口盖18与装载口4的开口部位接合,封闭装载口4。
这样,根据图9所示的遮蔽器件17X,可以得到与图4所示的遮蔽器件17相同的作用及效果。更进一步,根据遮蔽器件17X,因为设置有向上下方向移动臂19所用的加压机构42,因而可以使装载口盖18上升与装载口4接合。从而,通过采用装载口盖18挡住装载口4使之密封,而可以充分地防止来自装载口4的散热,与此同时也可以使炉内变为减压状态。
上述实施方式所涉及的纵向型热处理装置是本实用新型应用的一个示例,并且本实用新型也同样可以使用于其他类型的纵向型热处理装置。另外,在上述实施方式中,作为被处理基片采用半导体晶片作为示例已做出说明,但不限于此本实用新型也可以应用于玻璃基片、LCD基片等。

Claims (13)

1.一种对多个被处理基片一同施以热处理所用的纵向型热处理装置,其具备:
收存上述被处理基片的密封处理室,上述处理室在底座部分具有装载口;
有选择地对上述处理室的上述装载口进行开放及封闭的盖子;
在上述处理室内在相互留出间隔并重叠的状态下保持上述被处理基片的保持器具;
对上述处理室内提供处理气体的供应系统;
排出上述处理室内的气体的排气系统;
对上述处理室的内部空气进行加热的加热装置;
在将保持上述被处理基片的上述保持器具支撑于上述盖子上的状态下,使上述盖子进行升降的升降机;
从上述处理室的上述装载口取出上述被处理基片时遮蔽上述装载口的遮蔽器件;
并且上述遮蔽器件,具备
对上述处理室的上述装载口有选择地进行封闭的装载口盖;
备有对上述装载口盖进行支撑的同时使之移动的伸缩臂的驱动部;
上述驱动部通过上述伸缩臂,使上述装载口盖在封闭上述装载口的封闭位置和上述封闭位置侧方的待机位置之间进行直线移动。
2.根据权利要求1中记载的纵向型热处理装置,
上述伸缩臂具备基部和支撑于上述基部并支撑上述装载口盖的多个臂部件,并且上述多个臂部件具备能相对于上述基部进行往复动作的第1臂部件及能相对于上述第1臂部件进行往复动作的第2臂部件。
3.根据权利要求2中记载的纵向型热处理装置,
上述第1臂部件具备线形导向器,并且上述第2臂部件在上述第1臂轨道的上述线形导向器上进行滑动。
4.根据权利要求3中记载的纵向型热处理装置,
上述基部具备线形导向器,并且上述第1臂部件在上述基部的上述线形导向器上进行滑动。
5.根据权利要求1中记载的纵向型热处理装置,
上述伸缩臂以基端侧的轴为中心可以旋转地被支撑,并且可以在上述封闭位置及待机位置间进行移动的设定状态和向下倾斜的维修状态之间进行切换。
6.根据权利要求1中记载的纵向型热处理装置,
上述遮蔽器件进一步具备使上述装载口盖与上述装载口密合的加压机构。
7.根据权利要求6中记载的纵向型热处理装置,
上述加压机构使上述伸缩臂的整体上升。
8.根据权利要求1中记载的纵向型热处理装置,
上述遮蔽器件进一步具备形成于上述装载口盖内的冷媒通道,及对上述冷媒通道内提供冷媒的供应系统。
9.根据权利要求2中记载的纵向型热处理装置,
上述遮蔽器件进一步具备收存上述装载口盖及上述伸缩臂的壳子,并且上述待机位置配置在上述壳子内。
10.根据权利要求9中记载的纵向型热处理装置,
上述遮蔽器件进一步具备对上述伸缩臂的动作进行控制的控制器,并且上述控制器使相对于上述第1臂部件的上述第2臂部件的往复动作只在上述第1臂部件处于上述壳子内的状态下进行。
11.根据权利要求9中记载的纵向型热处理装置,
上述遮蔽器件进一步具备对上述伸缩臂的动作进行控制的控制器,并且上述控制器在使上述装载口盖从上述待机位置向上述封闭位置移动时,使上述第2臂部件向前推进,之后使上述第1臂部件向前推进,在使上述装载口盖从上述封闭位置向上述待机位置移动时,使上述第1臂部件向后退,之后使上述第2臂部件向后退。
12.根据权利要求9中记载的纵向型热处理装置,
上述壳子具备在与上述封闭位置相对的上述壳子第1侧面上所形成的第1开口、及在不同于上述第1侧面的上述壳子的第2侧面上所形成的第2开口,并且上述装置进一步具备这样的机构,该机构可形成从上述第1开口流入并且从上述第2开口流出的气流。
13.根据权利要求12中记载的纵向型热处理装置,
上述第2开口通过导管与气体吸入部相连接。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100356505C (zh) * 2003-12-26 2007-12-19 清华大学 带竖立式热处理腔的半导体快速热处理设备
KR100971755B1 (ko) * 2008-05-30 2010-07-22 주식회사 테라세미콘 퍼니스
JP5131094B2 (ja) * 2008-08-29 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法並びに記憶媒体
JP5042950B2 (ja) * 2008-09-05 2012-10-03 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び基板支持具
JP5134495B2 (ja) 2008-10-16 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
CN102889791B (zh) * 2012-09-27 2014-11-19 北京七星华创电子股份有限公司 炉体排风控制装置
JP6185863B2 (ja) * 2013-04-24 2017-08-23 日本碍子株式会社 熱処理方法及び熱処理装置
JP6258726B2 (ja) * 2014-03-04 2018-01-10 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
WO2020059427A1 (ja) * 2018-09-19 2020-03-26 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置及び蓋開閉機構及び半導体装置の製造方法及び流体圧駆動システム
CN114061316B (zh) * 2021-11-15 2024-03-26 北京北方华创微电子装备有限公司 立式热处理设备

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04157162A (ja) * 1990-10-22 1992-05-29 Shinko Electric Co Ltd 表面処理装置

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