KR20210084283A - 고분자 전해질막, 그 제조방법, 및 그것을 포함하는 전기화학 장치 - Google Patents

고분자 전해질막, 그 제조방법, 및 그것을 포함하는 전기화학 장치 Download PDF

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KR20210084283A
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Abstract

높은 유연성과 높은 이온 전도도를 가지면서도 우수한 기계적 내구성을 갖는 고분자 전해질막, 그 제조방법, 및 그것을 포함하는 전기화학 장치가 개시된다. 본 발명의 고분자 전해질막은, 고분자 전해질 물질을 포함하되, 상기 고분자 전해질 물질은, 이온교환기를 갖는 이온전도체; 및 이온결합(ionic bond) 또는 수소결합(hydrogen bond)을 통해 상기 이온교환기와 결합함으로써 상기 고분자 전해질 물질이 이온성 가교 구조(ionic crosslink structure) 또는 수소결합 가교 구조(hydrogen bond crosslink structure) 를 갖도록 하는 유기화합물을 포함한다.

Description

고분자 전해질막, 그 제조방법, 및 그것을 포함하는 전기화학 장치{Polymer Electrolyte Membrane, Method for Manufacturing The Same, and Electrochemical Device Comprising The Same}
본 발명은 고분자 전해질막, 그 제조방법, 및 그것을 포함하는 전기화학 장치에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, 높은 유연성과 높은 이온 전도도를 가지면서도 우수한 기계적 내구성을 갖는 고분자 전해질막, 그 제조방법, 및 그것을 포함하는 전기화학 장치에 관한 것이다.
본 명세서에서 '전기화학 장치'란 용어는 발전 장치(power generating device)[예를 들어, 연료전지(Fuel Cell)] 및 에너지 저장 장치(energy saving device)[예를 들어, 레독스 플로우 전지(Redox Flow Battery: RFB)]를 모두 아우르는 개념이다.
수소와 산소를 결합시켜 전기를 생산하는 연료전지는 수소와 산소가 공급되는 한 계속 전기를 생산할 수 있고, 열손실이 없어 내연기관보다 효율이 2배 가량 높다는 장점이 있다.
또한, 수소와 산소의 결합에 의해 발생하는 화학 에너지를 전기 에너지로 직접 변환하기 때문에 공해물질 배출이 적다. 따라서, 연료전지는 환경 친화적일 뿐만 아니라 에너지 소비 증가에 따른 자원 고갈에 대한 걱정을 줄일 수 있다는 장점이 있다.
연료전지에서 전기를 실질적으로 발생시키는 스택은 막 전극 어셈블리(MEA)와 세퍼레이터(separator)[또는 바이폴라 플레이트(bipolar plate)라고도 함]로 이루어진 단위 셀이 수 개 내지 수십 개로 적층된 구조를 갖는다. 상기 막 전극 어셈블리는 일반적으로 애노드(anode), 캐소드(cathode), 및 이들 사이의 전해질막을 포함한다.
연료전지는 전해질의 상태 및 종류에 따라 알칼리 전해질 연료전지, 고분자 전해질 연료전지(PEMFC) 등으로 구분될 수 있는데, 이 중에 고분자 전해질 연료전지는 100 ℃ 미만의 낮은 작동온도, 빠른 시동과 응답특성 및 우수한 내구성 등의 장점으로 인하여 휴대용, 차량용 및 가정용 전원장치로 각광을 받고 있다.
고분자 전해질 연료전지의 대표적인 예로는 수소 가스를 연료로 사용하는 양이온 교환막 연료전지(Proton Exchange Membrane Fuel Cell, PEMFC), 액상의 메탄올을 연료로 사용하는 직접 메탄올 연료전지(Direct Methanol Fuel Cell, DMFC) 등을 들 수 있다.
고분자 전해질 연료전지에서 일어나는 반응을 요약하면 다음과 같다.
우선, 수소가스와 같은 연료가 애노드에 공급되면 수소의 산화반응에 의해 수소이온(H+)과 전자(e-)가 생성된다. 생성된 수소이온은 고분자 전해질막을 통해 캐소드로 전달되고, 생성된 전자는 외부회로를 통해 캐소드에 전달된다. 캐소드에 공급되는 산소가 상기 수소이온 및 상기 전자와 결합하여 환원됨으로써 물이 생성된다.
연료전지(특히, 수송용 연료전지)의 상업화를 실현하기 위해서는, 장시간 운전에 대한 기계적 내구성(mechanical durability) 확보가 무엇보다 중요하다. 일반적으로, 연료전지의 기계적 내구성은 습도의 변화에 따라 팽윤과 수축을 반복하게 되는 고분자 전해질막의 기계적 내구성에 크게 의존한다.
레독스 플로우 전지(RFB)는 전해질의 전기화학적 가역반응에 의해 충전 및 방전을 반복함으로써 장기간 사용될 수 있는 2차 전지의 한 종류이다.
상기 레독스 플로우 전지(RFB)는 일반적으로 고분자 전해질막에 의해 서로 차단되어 있는 2 종류의 액상 전해질을 포함한다. 애노드 측에서의 제1 액상 전해질 반응과 캐소드 측에서의 제2 액상 전해질 반응이 상이하여 압력 차이가 발생한다. 이러한 압력 차이를 극복하고 충전과 방전을 반복하여도 우수한 전지 성능을 나타내기 위해서는 상기 고분자 전해질막이 높은 이온 전도도와 함께 우수한 기계적 내구성을 가질 것이 요구된다.
고분자 전해질막의 기계적 내구성을 증가시키기 위한 일환으로, 다공성 지지체에 이온전도체 분산액을 함침시켜 제조되는 강화 복합막 타입의 고분자 전해질막이 제안되었다. 그러나, 상기 다공성 지지체의 두께가 증가할수록 이온 전도도와 같은 고분자 전해질막의 전기적 성능이 저하되기 때문에 상기 다공성 지지체의 두께를 무한정 증가시킬 수 없다. 따라서, 다공성 지지체의 두께 조절을 통한 고분자 전해질막의 기계적 내구성 향상에는 한계가 있다.
이온전도체의 물에 대한 용해도를 낮춤으로써 습도 변화로 인한 고분자 전해질막의 팽윤 및 수축을 감소시켜 그 기계적 내구성을 증가시키기 위한 방법으로서 금속 이온을 첨가하여 이온전도체의 가교 구조를 유도하는 것이 제안되었다. 그러나, 하나의 금속 이온에 이온전도체의 복수의 이온교환기들이 결합할 뿐만 아니라 상기 결합을 하면서 이온교환기가 수소를 잃어 이온 전달 능력을 상실하기 때문에 정작 이온 전달을 수행할 수 있는 이온교환기들의 개수가 급감하게 되고, 결과적으로 고분자 전해질막의 전기적 성능 저하가 야기된다.
고분자 전해질막의 기계적 내구성을 증가시키기 위한 또 다른 방법으로서 분자 내 가교 구조(intramolecular crosslink structure)를 갖는 이온전도체를 사용하는 것도 제안되었으나, (i) 분자 내 가교 구조를 갖는 이온전도체를 제조하기 위해서는 별도의 복잡한 공정들이 요구되고, (ii) 분자 내 가교 구조를 갖는 이온전도체는 상대적으로 낮은 유동성을 갖기 때문에 다공성 지지체를 이온전도체로 함침시킴으로써 제조되는 강화 복합막 타입의 고분자 전해질막에는 적용되기 어려우며, (iii) 고분자 전해질막의 유연성이 저하된다.
미국 특허 US 2005/004834 A1은 이온전도체의 이온교환기와 가교제의 하이드록실기 또는 아민기 사이의 축중합을 통해 공유결합에 의한 가교 구조를 유도함으로써 고분자 전해질막의 기계적 내구성을 향상시킬 것을 제안하고 있다. 그러나, 상기 축중합 반응이 수행될 때 상기 이온전도체의 이온교환기가 수소를 잃게 되면서 이온 전달 능력을 상실하기 때문에 고분자 전해질막의 이온 전도도 저하를 피할 수 없다.
따라서, 본 발명은 위와 같은 관련 기술의 제한 및 단점들에 기인한 문제점들을 방지할 수 있는 고분자 전해질막, 그 제조방법, 및 그것을 포함하는 전기화학 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 관점은, 높은 유연성과 높은 이온 전도도를 가지면서도 우수한 기계적 내구성을 갖는 고분자 전해질막을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 관점은, 높은 유연성과 높은 이온 전도도를 가지면서도 우수한 기계적 내구성을 갖는 고분자 전해질막을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 관점은, 우수한 기계적 내구성을 가짐으로써 성능을 장기간 유지할 수 있는 전기화학 장치를 제공하는 것이다.
위에서 언급된 본 발명의 관점 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 설명되거나, 그러한 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
위와 같은 본 발명의 일 관점에 따라, 고분자 전해질 물질을 포함하는 고분자 전해질막에 있어서, 상기 고분자 전해질 물질은, 이온교환기를 갖는 이온전도체; 및 이온결합(ionic bond) 또는 수소결합(hydrogen bond)을 통해 상기 이온교환기와 결합함으로써 상기 고분자 전해질 물질이 이온성 가교 구조(ionic crosslink structure) 또는 수소결합 가교 구조(hydrogen bond crosslink structure)를 갖도록 하는 유기화합물을 포함하는, 고분자 전해질막이 제공된다.
상기 고분자 전해질 물질은 디메틸아세트아미드(dimethylacetamid: DMAc) 용매에 가용성일 수 있다.
상기 이온교환기는 술폰산기, 카르복실기, 보론산기, 인산기, 이미드기, 술폰이미드기, 술폰아미드기, 및 술폰산 플루오라이드기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 양이온교환기일 수 있다.
상기 이온전도체는 불소계 이온전도체 또는 탄화수소계 이온전도체일 수 있다.
상기 유기화합물은 카르보닐기(-CO-), 하이드록실기(-OH), 카르복실기(-COOH), 니트로기(-NO2), 및 아민기(-NR1R2)(여기서, R1 및 R2 각각은 서로 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 6의 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이거나, 서로 결합하여 탄소수 2 내지 5의 헤테로 고리를 형성함)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 작용기를 가질 수 있다.
상기 유기화합물은 방향족 화합물(aromatic compound) 또는 지방족 고리 화합물(alicyclic compound)일 수 있다.
상기 유기화합물은 복소 고리 화합물(heterocyclic compound) 또는 동소 고리 화합물(homocyclic compound)일 수 있다.
상기 유기화합물은 치환 또는 비치환된 벤조퀴논(benzoquinone), 치환 또는 비치환된 나프토퀴논(naphtoquinone), 치환 또는 비치환된 디하이드록시벤젠(dihydroxybenzene), 치환 또는 비치환된 벤젠디카르복실산(benzenedicarboxylic acid), 치환 또는 비치환된 아미노페놀(aminophenol), 치환 또는 비치환된 페닐렌디아민(phenylenediamine), 치환 또는 비치환된 바이피리딘 디아민(bipyridine diamine), 치환 또는 비치환된 디(아미노페닐)아민[di(aminophenyl)amine], 치환 또는 비치환된 바이피롤(bipyrrole), 치환 또는 비치환된 살살레이트(salsalate) 또는 이들 중 2 이상의 혼합물일 수 있다.
상기 유기화합물은 다음의 화합물들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다:
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상기 고분자 전해질막은 다수의 공극들을 갖는 다공성 지지체를 더 포함할 수 있고, 상기 공극들은 상기 고분자 전해질 물질로 충진되어 있을 수 있다.
상기 다공성 지지체는 연신 필름(expanded film) 또는 부직 웹(nonwoven fibrous web)일 수 있다.
상기 고분자 전해질막의 전체 부피에 대한 상기 다공성 지지체의 겉보기 부피(apparent volume)의 비율은 5 내지 90 %일 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따라, 이온교환기를 갖는 이온전도체 및 유기화합물 포함하는 혼합액을 준비하는 단계; 및 상기 혼합액을 이용하여 고분자 전해질막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 유기화합물은 이온결합 또는 수소결합을 통해 상기 이온교환기와 결합할 수 있는 작용기를 가짐으로써 상기 상기 이온전도체와 함께 이온성 가교 구조 또는 수소결합 가교 구조를 형성할 수 있는, 고분자 전해질막 제조방법이 제공된다.
상기 혼합액 준비 단계는, 상기 이온전도체를 제1 용매에 용해 또는 분산시켜 제1 용액을 얻는 단계; 상기 유기화합물을 제2 용매에 용해시켜 제2 용액을 얻는 단계; 및 상기 제2 용액을 상기 제1 용액과 혼합하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 유기화합물은 카르보닐기(-CO-), 하이드록실기(-OH), 카르복실기(-COOH), 니트로기(-NO2), 및 아민기(-NR1R2)(여기서, R1 및 R2 각각은 서로 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 6의 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이거나, 서로 결합하여 탄소수 2 내지 5의 헤테로 고리를 형성함)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 작용기를 가질 수 있다.
상기 유기화합물은 방향족 화합물 또는 지방족 고리 화합물일 수 있다.
상기 유기화합물은 복소 고리 화합물 또는 동소 고리 화합물일 수 있다.
상기 유기화합물은 치환 또는 비치환된 벤조퀴논, 치환 또는 비치환된 나프토퀴논, 치환 또는 비치환된 디하이드록시벤젠, 치환 또는 비치환된 벤젠디카르복실산, 치환 또는 비치환된 아미노페놀, 치환 또는 비치환된 페닐렌디아민, 치환 또는 비치환된 바이피리딘 디아민, 치환 또는 비치환된 디(아미노페닐)아민, 치환 또는 비치환된 바이피롤, 치환 또는 비치환된 살살레이트 또는 이들 중 2 이상의 혼합물일 수 있다.
상기 유기화합물은 다음의 화합물들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다:
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상기 혼합액 내 상기 유기화합물의 중량은 상기 이온전도체와 상기 유기화합물의 중량의 합의 0.01 내지 20 %일 수 있다.
상기 혼합액을 이용한 고분자 전해질막 형성 단계는, 다공성 지지체를 준비하는 단계; 상기 다공성 지지체를 상기 혼합액으로 함침시키는 단계; 및 상기 혼합액으로 함침된 상기 다공성 지지체를 건조시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점에 따라, 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 배치된 상기 고분자 전해질막을 포함하는, 전기화학 장치 가 제공된다.
위와 같은 본 발명에 대한 일반적 서술은 본 발명을 예시하거나 설명하기 위한 것일 뿐으로서, 본 발명의 권리범위를 제한하지 않는다.
본 발명에 의하면, 이온전도체의 이온교환기와 이온결합 또는 수소결합이 가능한 작용기를 갖는 유기화합물이 첨가된 이온전도체 용액 또는 분산액으로 고분자 전해질막을 제조함으로써, 이온 전도도와 같은 전기적 성능 및 유연성 저하 없이도 고분자 전해질막의 기계적 내구성을 향상시킬 수 있다.
즉, 본 발명에 의하면, (i) 상기 유기화합물이 이온전도체의 이온교환기와 함께 이온성 가교 구조 및/또는 수소결합 가교 구조를 형성함으로써 고분자 전해질막의 기계적 강도가 향상될 수 있고, (ii) 상기 유기화합물은 그 이온성(ionic property) 덕분에 그 자체로 이온 전도성을 가질 뿐만 아니라, 상기 유기화합물과 함께 이온성 가교 또는 수소결합 가교를 형성하는 이온전도체의 이온교환기가 상기 가교 후에도 양이온 전달에 기여할 수 있는 수소를 여전히 보유함으로써 이온전달능력을 상실하지 않기 때문에, 금속 이온을 통한 가교 또는 공유결합 가교 등이 적용된 종래기술들에서 야기될 수밖에 없는 고분자 전해질막의 이온전도도 저하가 방지될 수 있으며, (iii) 분자 내 가교 구조(intramolecular crosslink structure) 또는 공유결합 가교 구조(covalent bond crosslink structure)를 갖는 종래기술의 이온전도체가 야기하는 문제점들(즉, 강화 복합막 타입의 고분자 전해질막에 적용 불가, 고분자 전해질막의 낮은 유연성 등)을 피할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명한다. 다만, 아래에서 설명되는 실시예들은 본 발명의 명확한 이해를 돕기 위한 예시적 목적으로 제시되는 것일 뿐, 본 발명의 범위를 제한하지 않는다.
본 발명의 고분자 전해질막은 고분자 전해질 물질을 포함한다.
상기 고분자 전해질 물질은 이온교환기를 갖는 이온전도체 및 유기화합물을 포함한다.
상기 유기화합물이 이온결합(ionic bond) 또는 수소결합(hydrogen bond)을 통해 상기 이온교환기와 결합함으로써 상기 고분자 전해질 물질이 이온성 가교 구조(ionic crosslink structure) 또는 수소결합 가교 구조(hydrogen bond crosslink structure) 를 갖는다.
본 발명에 의하면, 상기 고분자 전해질 물질이 이온성 가교 구조 또는 수소결합 가교 구조를 갖기 때문에 상기 가교 구조 형성에 기여하는 이온전도체의 이온교환기가 상기 가교 후에도 양이온 전달에 기여할 수 있는 수소를 여전히 보유함으로써 이온전달능력을 상실하지 않는다. 따라서, 본 발명의 고분자 전해질막은, 이온교환기가 가교제와 함께 공유 가교(covalent crosslink)를 형성하는 과정에서 수소를 잃게 되어 이온 전달 능력을 상실하게 되는 종래기술의 고분자 전해질막에 비해 월등한 이온 전도도를 가질 수 있다.
이온성 가교 구조 또는 수소결합 가교 구조를 갖는 본 발명의 고분자 전해질 물질은 디메틸아세트아미드(dimethylacetamid: DMAc) 용매에 가용성이라는 점에서 공유 가교 구조를 갖는 고분자 전해질 물질과 상이하다.
본 발명에서 고분자 전해질 물질이 DMAc 용매에 가용성인지 또는 불용성인지의 여부는 다음과 같이 측정된다.
10 g의 99.5% DMAc 용매에 0.1 g의 상기 고분자 전해질 물질을 투입하고 70 ℃에서 40 시간 동안 240 rpm으로 교반한 후 상기 혼합액을 어드밴텍社의 여과지(No. 2)를 이용하여 여과한다. 여과시 10 g의 동일 용매(DMAc)를 추가적으로 이용하여 충분히 여과하고, 여과액(filtrate)을 무게 변화가 없을 때까지 충분히 건조한다. 상기 여과액의 건조를 통해 얻어진 잔류 고형물의 중량을 측정한다.
본 발명에서 고분자 전해질 물질이 DMAc 용매에 가용성이라 함은 다음 식 1에 의해 산출되는 잔류율(residual rate)이 10 % 이상인 것을 의미한다. 반면, 상기 잔류율이 10 % 미만이면 DMAc 용매에 불용성인 것으로 간주된다.
[식 1]
잔류율 (%) = (w1/wo) ×100
여기서, wo는 DMAc 용매에 투입된 고분자 전해질 물질의 초기 중량이고, w1는 상기 잔류 고형물의 중량이다.
상기 이온전도체의 이온교환기는 술폰산기, 카르복실기, 보론산기, 인산기, 이미드기, 술폰이미드기, 술폰아미드기, 및 술폰산 플루오라이드기로 이루어진 군에서 선택되는 양이온(proton) 교환기일 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 이온전도체는 술폰산기 및/또는 카르복실기를 양이온 교환기로서 갖는 양이온 전도체일 수 있다.
또한, 상기 이온전도체는 불소계 이온전도체, 탄화수소계 이온전도체, 또는 이들의 혼합물일 수 있다.
상기 불소계 이온전도체는, 측쇄에 상기 양이온 교환기를 갖고 주쇄에 불소를 함유하는 불소계 고분자[예를 들어, 폴리(퍼플루오로술폰산), 폴리(퍼플루오로카르복실산) 등]일 수 있다.
상기 탄화수소계 이온전도체는, 측쇄에 상기 양이온 교환기를 갖는 탄화수소계 고분자[예를 들어, 술폰화된 폴리이미드(sulfonated polyimide: S-PI), 술폰화된 폴리아릴에테르술폰(sulfonated polyarylethersulfone: S-PAES), 술폰화된 폴리에테르에테르케톤(sulfonated polyetheretherketone: SPEEK), 술폰화된 폴리벤즈이미다졸(sulfonated polybenzimidazole: SPBI), 술폰화된 폴리술폰(sulfonated polysulfone: S-PSU), 술폰화된 폴리스티렌(sulfonated polystyrene: S-PS), 술폰화된 폴리포스파젠(sulfonated polyphosphazene), 술폰화된 폴리퀴녹살린(sulfonated polyquinoxaline), 술폰화된 폴리케톤(sulfonated polyketone), 술폰화된 폴리페닐렌옥사이드(sulfonated polyphenylene oxide), 술폰화된 폴리에테르술폰(sulfonated polyether sulfone), 술폰화된 폴리에테르케톤(sulfonated polyether ketone), 술폰화된 폴리페닐렌술폰(sulfonated polyphenylene sulfone), 술폰화된 폴리페닐렌설파이드(sulfonated polyphenylene sulfide), 술폰화된 폴리페닐렌설파이드술폰(sulfonated polyphenylene sulfide sulfone), 술폰화된 폴리페닐렌설파이드술폰니트릴(sulfonated polyphenylene sulfide sulfone nitrile), 술폰화된 폴리아릴렌에테르(sulfonated polyarylene ether), 술폰화된 폴리아릴렌에테르니트릴(sulfonated polyarylene ether nitrile), 술폰화된 폴리아릴렌에테르에테르니트릴(sulfonated polyarylene ether ether nitrile), 폴리아릴렌에테르술폰케톤(sulfonated polyarylene ether sulfone ketone) 등]일 수 있다.
상기 유기화합물은 상기 이온전도체의 양이온 교환기와 이온성 가교 또는 수소결합 가교를 형성할 수 있는 작용기를 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 유기화합물은 카르보닐기(-CO-), 하이드록실기(-OH), 카르복실기(-COOH), 니트로기(-NO2), 및 아민기(-NR1R2)(여기서, R1 및 R2 각각은 서로 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 6의 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이거나, 서로 결합하여 탄소수 2 내지 5의 헤테로 고리를 형성함)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 작용기를 가질 수 있다.
상기 유기화합물은 고리 화합물(cyclic compound)일 수 있다. 예를 들어, 상기 유기화합물은 방향족 화합물(aromatic compound) 또는 지방족 고리 화합물(alicyclic compound)일 수 있고, 복소 고리 화합물(heterocyclic compound) 또는 동소 고리 화합물(homocyclic compound)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 유기화합물은 치환 또는 비치환된 벤조퀴논, 치환 또는 비치환된 나프토퀴논, 치환 또는 비치환된 디하이드록시벤젠, 치환 또는 비치환된 벤젠디카르복실산, 치환 또는 비치환된 아미노페놀, 치환 또는 비치환된 페닐렌디아민, 치환 또는 비치환된 바이피리딘 디아민, 치환 또는 비치환된 디(아미노페닐)아민, 치환 또는 비치환된 바이피롤, 치환 또는 비치환된 살살레이트 또는 이들 중 2 이상의 혼합물일 수 있다.
더욱 구체적으로, 상기 유기화합물은 다음의 화합물들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이들로 제한되지는 않는다.
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본 발명의 고분자 전해질막은 (i) 상기 고분자 전해질 물질로 형성된 단일막 또는 (ii) 다공성 지지체의 공극들이 상기 고분자 전해질 물질로 채워져 있는 강화 복합막일 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 강화 복합막 타입의 고분자 전해질막은 상기 고분자 전해질 물질로 충진되어 있는 다수의 공극들을 갖는 다공성 지지체를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 고분자 전해질 물질은 이온전도체와 유기화합물의 이온결합 또는 수소결합을 통해 형성된 가교 구조를 갖기 때문에 분자 내 가교 구조(intramolecular crosslink structure)를 갖는 이온전도체에 비해 우수한 유동성을 갖는다. 따라서, 상기 다공성 지지체의 공극들이 본 발명의 고분자 전해질 물질로 용이하게 충진될 수 있다. 따라서, 수소 이온이 이동할 수 있는 워터 채널(water channel)이 상기 다공성 지지체의 두께 방향(through plane)으로 잘 형성되어 강화 복합 전해질막이 상대적으로 우수한 이온 전도도를 가질 수 있다.
본 발명 일 실시예에 의하면, 상기 다공성 지지체는 연신 필름(expanded film) 또는 부직 웹(nonwoven fibrous web)일 수 있다.
상기 고분자 전해질막의 전체 부피에 대한 상기 다공성 지지체의 겉보기 부피(apparent volume)의 비율은 5 내지 90 %일 수 있다.
상기 비율이 5% 미만이면 다공성 지지체 채택으로 인한 치수 안정성 및 기계적 내구성 향상 효과가 미미하다. 반면, 상기 비율이 90%를 초과하면 상기 다공성 지지체의 상부 또는 하부 표면 상에 위치하는 이온전도체층(즉, 본 발명의 고분자 전해질 물질만으로 이루어진 층)의 두께가 너무 얇아 면저항이 증가된다. 이러한 점에서, 상기 고분자 전해질막의 전체 부피에 대한 상기 다공성 지지체의 겉보기 부피의 비율은 30 내지 60 %인 것이 더욱 바람직할 수 있다.
위와 유사한 이유로, 상기 고분자 전해질막의 전체 두께에 대한 상기 다공성 지지체의 두께의 비율은 5 내지 90 %일 수 있고, 더욱 바람직하게는 30 내지 60 %일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다공성 지지체는 1 내지 50 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 다공성 지지체의 두께가 1㎛ 미만인 경우 고분자 전해질막의 기계적 강도가 떨어질 수 있다. 반면, 상기 다공성 지지체의 두께가 50㎛를 초과하는 경우 저항 손실이 증가하고, 경량화 및 집적화가 떨어질 수 있다. 이러한 점에서, 상기 다공성 지지체는 바람직하게는 2 내지 40 ㎛, 더욱 바람직하게는 3 내지 30 ㎛, 더더욱 바람직하게는 3 내지 20 ㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 다공성 지지체의 다공도는 45 내지 90 %, 구체적으로 60 내지 90 %일 수 있다. 상기 다공성 지지체의 다공도가 45% 미만이면, 다공성 지지체 내에서의 이온전도체 양이 지나치게 적어져 고분자 전해질막의 저항이 높아지고 이온전도도가 저하된다. 반면, 상기 다공성 지지체의 다공도가 90%를 초과할 경우 형태 안정성이 저하됨으로써 후공정이 원활하게 진행되지 않을 수 있다.
상기 다공도는 다공성 지지체 전체 부피에 대한 다공성 지지체 내 공기 부피의 비율을 의미하는데, 상기 다공성 지지체 전체 부피는 직육면체 형태의 샘플의 가로, 세로, 및 두께를 측정하고 이들을 곱함으로써 얻어질 수 있고, 상기 다공성 지지체 내 공기 부피는 샘플의 질량을 상기 다공성 지지체 물질의 밀도로 나눔으로써 얻어진 상기 다공성 지지체 물질의 부피를 상기 다공성 지지체 전체 부피로부터 뺌으로써 얻어질 수 있다.
이하에서는, 본 발명에 실시예들에 따른 고분자 전해질막 제조방법에 대하여 구체적으로 설명한다.
본 발명의 고분자 전해질막 제조방법은, 이온교환기를 갖는 이온전도체 및 유기화합물 포함하는 혼합액을 준비하는 단계 및 상기 혼합액을 이용하여 고분자 전해질막을 형성하는 단계를 포함한다.
전술한 바와 같이, 상기 유기화합물은 이온결합 또는 수소결합을 통해 상기 이온전도체의 이온교환기와 결합할 수 있는 작용기를 가짐으로써 상기 상기 이온전도체와 함께 이온성 가교 구조 또는 수소결합 가교 구조를 형성할 수 있는 화합물이다.
상기 이온전도체와 상기 유기화합물은 앞에서 자세히 설명되었으므로, 이들에 대한 반복적 설명은 생략한다.
상기 혼합액은 (i) 상기 이온전도체의 용액 또는 분산액에 상기 유기화합물을 용해시키거나, (ii) 상기 유기화합물의 용액에 상기 이온전도체를 용해 또는 분산시키거나, (iii) 상기 이온전도체의 용액 또는 분산액과 상기 유기화합물을 용액을 혼합함으로써 준비될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 이온전도체의 용액 또는 분산액과 상기 유기화합물을 용액을 혼합함으로써 상기 혼합액을 준비할 수 있다. 즉, 상기 혼합액 준비 단계는, 상기 이온전도체를 제1 용매에 용해 또는 분산시켜 제1 용액(분산액까지도 포함하는 광의의 용액)을 얻는 단계, 상기 유기화합물을 제2 용매에 용해시켜 제2 용액을 얻는 단계, 및 상기 제2 용액을 상기 제1 용액과 혼합하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 혼합액 내 상기 유기화합물의 중량은 상기 이온전도체와 상기 유기화합물의 중량의 합의 0.01 내지 20 %일 수 있다. 상기 유기화합물의 중량비가 0.01% 미만이면, 충분한 가교 구조가 형성되지 않아 고분자 전해질막의 기계적 내구성 향상이 미미하다. 반면, 상기 유기화합물의 중량비가 20%를 초과하면, 상기 유기화합물이 고분자 전해질막 내에서 이온교환을 방해하는 이물로 작용할 우려가 있다.
상기 제1 및 제2 용매들 각각은 물, 친수성 용매, 유기용매, 또는 이들 중 2 이상의 혼합물일 수 있으며, 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 친수성 용매는 탄소수 1 내지 12의 선형 또는 분지형의 포화 또는 불포화 탄화수소를 주쇄로서 포함하고 알코올, 이소프로필 알코올, 케톤, 알데히드, 카보네이트, 카르복실레이트, 카르복실산, 에테르 및 아미드로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 관능기를 가진 것일 수 있으며, 이들은 방향족 화합물 또는 지방족 고리 화합물을 주쇄의 적어도 일부로 포함할 수 있다.
상기 유기 용매는 N-메틸피롤리돈(NMP), 디메틸술폭사이드(DMSO), 테트라하이드로퓨란(THF), 디메틸아세트아미드(DMAc) 또는 이들 중 2 이상의 혼합물일 수 있으나, 이들로 제한되지 않는다.
선택적으로(optionally), 상기 혼합액은 라디칼 스캐빈저를 첨가제로서 더 포함할 수도 있다. 상기 라디칼 스캐빈저는, 연료전지의 운전 중에 생성되어 고분자 전해질막 및/또는 전극에 포함된 이온전도체를 열화시키는 주요 원인이 되는 과산화물(특히, 과산화수소) 및/또는 라디칼(특히, 수산화 라디칼)을 빠르게 분해시킬 수 있는 첨가제이다. 예를 들어, 상기 라디칼 스캐빈저는 (i) 세륨(Ce), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 코발트(Co), 크롬(Cr), 지르코늄(Zr), 이트륨(Y), 망간(Mn), 철(Fe), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 몰리브덴(Mo), 란탄(La) 및 네오디뮴(Nd)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 전이금속; (ii) 은(Au), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd) 및 로듐(Rh)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 귀금속;, (iii) 상기 전이금속 또는 귀금속의 이온, (iv) 상기 전이금속 또는 귀금속의 염, 및/또는 (iv) 상기 전이금속 또는 귀금속의 산화물일 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 고분자 전해질막은 (i) 상기 고분자 전해질 물질로 형성된 단일막 또는 (ii) 다공성 지지체의 공극들이 상기 고분자 전해질 물질로 채워져 있는 강화 복합막일 수 있다.
강화 복합막 형태의 고분자 전해질막을 제조하기 위하여, 상기 혼합액을 이용한 고분자 전해질막 형성 단계는, 다공성 지지체를 준비하는 단계, 상기 다공성 지지체를 상기 혼합액으로 함침시키는 단계, 및 상기 혼합액으로 함침된 상기 다공성 지지체를 건조시키는 단계를 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 다공성 지지체는 연신 필름 또는 부직 웹일 수 있다.
상기 연신 필름은, 예를 들어, 불소계 고분자[예를 들어, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)]를 포함하는 지지체 형성액(support-forming liquid)을 필름 형태로 성형한 후 연신하여 상기 필름에 다수의 공극들을 형성함으로써 제조할 수 있다.
상기 부직 웹은, 폴리올레핀(예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부틸렌 등), 폴리에스테르(예를 들어, PET, PBT 등), 폴리아미드(예를 들어, 나일론-6, 나일론-6,6, 아라미드 등), 폴리아믹산(웹으로 성형된 후 이미드화 공정을 거쳐 폴리이미드로 변환됨), 폴리우레탄, 폴리부텐, 폴리락트산, 폴리비닐 알코올, 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 폴리설폰, 유체 결정질 중합체, 폴리에틸렌-코-비닐아세테이트, 폴리아크릴로니트릴, 사이클릭 폴리올레핀, 폴리옥시메틸렌, 폴리올레핀계 열가소성 탄성중합체 등과 같은 탄화수소계 고분자를 포함하는 지지체 형성액으로 형성될 수 있다.
상기 부직 웹은 초지법(wet-laying), 전기방사법(electrospinning), 카딩(carding), 가네팅(garneting), 에어-레잉(air-laying), 멜트 블로잉(melt blowing), 스펀본딩(spunbonding), 스티치 본딩(stitch bonding) 등과 같은 방법으로 제조될 수 있다.
이어서, 이렇게 제조된 다공성 지지체를 상기 혼합액으로 함침시킨다. 상기 함침 단계는, (i) 상기 혼합액을 기판 상에 캐스팅한 후 상기 다공성 지지체를 상기 캐스팅된 혼합액 상에 올려놓거나(add on), (ii) 상기 혼합액으로 상기 다공성 지지체를 코팅함으로써 수행될 수 있다. 상기 코팅은, 예를 들어, 바 코팅, 콤마 코팅, 슬롯다이 코팅, 스크린 프린팅, 스프레이 코팅, 닥터 브레이드 등을 통해 수행될 수 있다.
이어서, 상기 혼합액의 용매/분산매를 제거하기 위하여, 상기 혼합액으로 함침된 다공성 지지체를 건조한다.
이하에서는, 본 발명의 막 전극 어셈블리를 구체적으로 설명한다.
본 발명의 막 전극 어셈블리는 애노드, 캐소드, 및 이들 사이에 배치되는 전술한 본 발명의 고분자 전해질막을 포함한다.
수소 가스가 공급되는 상기 애노드에서는 수소의 산화 반응이 일어나 수소이온(H+)과 전자(e-)가 생성된다. 생성된 수소이온은 고분자 전해질막을 통해 캐소드로 전달되고, 생성된 전자는 외부회로를 통해 캐소드에 전달된다.
산소 가스가 공급되는 상기 캐소드에서는 산소가 상기 수소이온 및 상기 전자와 결합하여 환원됨으로써 물이 생성된다.
본 발명의 막 전극 어셈블리의 상기 애노드 및 상기 캐소드는 특별히 제한되지 않으며, 통상의 연료전지용 막 전극 어셈블리의 애노드 및 캐소드가 본 발명에 사용될 수 있다.
이하, 구체적 실시예들을 통해 본 발명을 구체적으로 설명한다. 다만, 하기의 실시예들은 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐으로 이것에 의해 본 발명의 권리범위가 제한되어서는 안된다.
실시예 1
PFSA 수지 분산액에 1,4-벤조퀴논(1,4-benzoquinone)을 용해하여 혼합액(PFSA:1,4-벤조퀴논 중량비 = 95:5)을 제조하였다. 상기 혼합액으로 약 12㎛ 두께의 e-PTFE 다공성 필름을 적신 후 건조함으로써 고분자 전해질막을 제조하였다.
실시예 2
상기 1,4-벤조퀴논 대신에 1,4-벤젠디카르복실산(benzenedicarboxylic acid)을 사용하였다(PFSA:1,4-벤젠디카르복실산 중량비 = 95:5)는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 고분자 전해질막을 제조하였다.
실시예 3
상기 1,4-벤조퀴논 대신에 2,2'-바이피리딘-5,5'-디아민(2,2'-bipyridine-5,5'-diamine)을 사용하였다(PFSA:2,2'-바이피리딘-5,5'-디아민 중량비 = 95:5)는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 고분자 전해질막을 제조하였다.
실시예 4
상기 1,4-벤조퀴논 대신에 4-아미노페놀(4-aminophenol)을 사용하였다(PFSA:4-아미노페놀 중량비 = 95:5)는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 고분자 전해질막을 제조하였다.
실시예 5
상기 1,4-벤조퀴논 대신에 살살레이트(salsalate)를 사용하였다(PFSA:살살레이트 중량비 = 95:5)는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 고분자 전해질막을 제조하였다.
실시예 6
상기 PFSA 수지 분산액 대신에 10 중량%의 술폰화 폴리아릴에테르술폰(S-PAES) 용액(용매:DMAc)을 사용하였다는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 고분자 전해질막을 제조하였다.
비교예 1
상기 혼합액 대신에 PFSA 수지 분산액으로 e-PTFE 다공성 필름을 적셨다는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 고분자 전해질막을 제조하였다.
비교예 2
상기 혼합액 대신에 10 중량%의 술폰화 폴리아릴에테르술폰(S-PAES) 용액(용매:DMAc)으로 e-PTFE 다공성 필름을 적셨다는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 고분자 전해질막을 제조하였다.
비교예 3
상기 1,4-벤조퀴논 대신에 Ce(NO3)3을 사용하였다(PFSA:Ce(NO3)3 중량비 = 95:5)는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 고분자 전해질막을 제조하였다.
비교예 4
상기 1,4-벤조퀴논 대신에 Ce(NO3)3을 사용하였다(PFSA:Ce(NO3)3 중량비 = 95:5)는 것을 제외하고는 실시예 6과 동일한 방법으로 고분자 전해질막을 제조하였다.
위 실시예들 및 비교예들에 의해 각각 제조된 고분자 전해질막의 팽윤비, 인장강도, 신율, 및 이온 전도도를 아래와 같이 각각 측정하였고, 그 결과를 아래의 표 1에 나타내었다.
[팽윤비]
50mm×50mm의 샘플을 상온의 증류수에 12 시간 동안 침지시킨 후 젖은 상태의 샘플을 꺼내어 그 MD 방향 길이 및 TD 방향 길이를 각각 측정하였다. 이어서, 상기 샘플을 50 ℃의 진공 상태에서 24 시간 동안 건조시킨 후 그 MD 방향 길이 및 TD 방향 길이를 각각 측정하였다. 이어서, 다음의 식들에 따라 MD 팽윤비 및 TD 팽윤비를 각각 산출하였다.
* MD 팽윤비 (%) = [(Lwet(MD) - Ldry(MD))/] ×100
* TD 팽윤비 (%) = [(Lwet(TD) - Ldry(TD))/] ×100
여기서, Lwet(MD) 및 Lwet(TD)는 건조 직전에 각각 측정된 상기 샘플의 MD 방향 길이 및 TD 방향 길이이고, Ldry(MD) 및 Ldry(TD)는 건조 직후에 각각 측정된 상기 샘플의 MD 방향 길이 및 TD 방향 길이이다.
[인장강도 & 인장신율]
50mm×50mm의 샘플을 취한 후 만능시험기(UTM)(Instron 5966)를 이용하여 ASTM D624에 따라 하기의 조건들 하에 상기 샘플의 MD 방향 및 TD 방향의 인장강도 및 인장신율을 각각 측정하였다.
- 온도: 23±2 ℃
- 상대습도: 50±5 %
- 테스트 속도(test speed): 500±50 mm/min
[면방향 이온 전도도]
고분자 전해질막의 면방향(In-Plane: IP) 이온 전도도를 Magnetic Suspension Balance 장치(Bell Japan社)를 이용하여 80℃ 및 50 %RH 에서 측정하였다.
구체적으로, 샘플(10mm×30mm)을 80 ℃ 및 50 %RH 조건하에서 교류 전류를 샘플의 양면에 인가하면서 샘플 내에서 발생하는 교류전위 차이를 측정하여 막 저항(R)(Ω)을 얻는다. 이어서, 아래의 식을 이용하여 고분자 전해질막(100)의 면방향 이온 전도도를 산출하였다.
* σ = L/[R×A]
[여기서, σ는 면방향 이온 전도도(S/cm)이고, L은 전극들 간의 거리(cm)이고, R은 막 저항(Ω)이며, A는 막의 유효면적(cm2)임]
이온
전도체		 유기화합물 팽윤비
(%)
(MD/TD)		 인장강도
(MPa)
(MD/TD)		 인장신율
(%)
(MD/TD)		 면방향
이온전도도
(S/cm)
실시예1 PFSA 1,4-벤조퀴논 16/16 24/24 55/55 0.055
실시예2 PFSA 1,4-벤젠디카르복실산 15/15 25/25 52/52 0.054
실시예3 PFSA 2,2'-바이피리딘-5,5'-디아민 16/17 23/23 55/55 0.054
실시예4 PFSA 4-아미노페놀 16/16 23/23 55/55 0.054
실시예5 PFSA 살살레이트 15/15 25/25 53/53 0.055
실시예6 S-PAES 1,4-벤조퀴논 18/18 44/45 30/30 0.047
비교예1 PFSA - 18/18 20/20 60/60 0.055
비교예2 S-PAES - 20/20 40/40 30/30 0.047
비교예3 PFSA Ce(NO3)3 17/18 21/20 60/60 0.048
비교예4 S-PAES Ce(NO3)3 20/20 43/43 30/30 0.042
상기 표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 본원발명의 유기화합물들이 불소계 이온전도체인 PFSA에 각각 첨가된 실시예 1 내지 5의 고분자 전해질막들은, 가교 구조 형성을 위한 아무런 물질도 PFSA에 첨가되지 않은 비교예 1의 고분자 전해질막과 동일 또는 유사한 이온전도도를 가짐에도 불구하고 훨씬 더 우수한 기계적 내구성(즉, 더 낮은 팽윤비 및 더 높은 인장강도)을 나타내었다.
또한, 본원발명의 유기화합물들이 PFSA에 각각 첨가된 실시예 1 내지 5의 고분자 전해질막들은, 본원발명의 유기화합물 대신에 금속 이온(Ce3+)이 PFSA에 첨가된 비교예 3의 고분자 전해질막보다 우수한 기계적 내구성(즉, 더 낮은 팽윤비 및 더 높은 인장강도)을 가질 뿐만 아니라 훨씬 더 높은 이온전도도를 나타내었다. 즉, 비교예 3의 경우 이온전도체의 이온교환기가 금속 이온에 결합을 하면서 수소를 잃어 이온 전달 능력을 상실하기 때문에 이온 전달을 수행할 수 있는 이온교환기들의 개수가 감소하면서 고분자 전해질막의 이온전도도 저하가 야기되는데 반해, 본 발명의 실시예 1 내지 5에서는 이러한 이온 전달 능력 상실이 발생되지 않기 때문에 고분자 전해질막이 상대적으로 높은 이온전도도(즉, 가교 구조 형성을 위한 아무런 물질도 PFSA에 첨가되지 않은 비교예 1의 고분자 전해질막과 동일 또는 유사한 이온전도도)를 가질 수 있다.
또한, 불소계 이온전도체뿐만 아니라 탄화수소계 이온전도체에서도 본원발명의 유기화합물 첨가로 인한 상술한 유리한 효과가 나타났다. 즉, 본원발명의 유기화합물들 중 하나인 1,4-벤조퀴논이 탄화수소계 이온전도체인 S-PAES에 첨가된 실시예 5의 고분자 전해질막 역시도, (i) 가교 구조 형성을 위한 아무런 물질도 S-PAES에 첨가되지 않은 비교예 2의 고분자 전해질막과 동일한 이온전도도를 가짐에도 불구하고 훨씬 더 우수한 기계적 내구성(즉, 더 낮은 팽윤비 및 더 높은 인장강도)을 나타내었고, (ii) 1,4-벤조퀴논 대신 금속 이온(Ce3+)이 S-PAES에 첨가된 비교예 4의 고분자 전해질막보다 우수한 기계적 내구성(즉, 더 낮은 팽윤비 및 더 높은 인장강도)을 가질 뿐만 아니라 훨씬 더 높은 이온전도도를 나타내었다.

Claims (22)

  1. 고분자 전해질 물질을 포함하는 고분자 전해질막에 있어서,
    상기 고분자 전해질 물질은,
    이온교환기를 갖는 이온전도체; 및
    이온결합(ionic bond) 또는 수소결합(hydrogen bond)을 통해 상기 이온교환기와 결합함으로써 상기 고분자 전해질 물질이 이온성 가교 구조(ionic crosslink structure) 또는 수소결합 가교 구조(hydrogen bond crosslink structure) 를 갖도록 하는 유기화합물
    을 포함하는,
    고분자 전해질막.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 전해질 물질은 디메틸아세트아미드(dimethylacetamid: DMAc) 용매에 가용성인,
    고분자 전해질막.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 이온교환기는 술폰산기, 카르복실기, 보론산기, 인산기, 이미드기, 술폰이미드기, 술폰아미드기, 및 술폰산 플루오라이드기로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 양이온교환기인,
    고분자 전해질막.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 이온전도체는 불소계 이온전도체 또는 탄화수소계 이온전도체인,
    고분자 전해질막.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 유기화합물은 카르보닐기(-CO-), 하이드록실기(-OH), 카르복실기(-COOH), 니트로기(-NO2), 및 아민기(-NR1R2)(여기서, R1 및 R2 각각은 서로 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 6의 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이거나, 서로 결합하여 탄소수 2 내지 5의 헤테로 고리를 형성함)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 작용기를 갖는,
    고분자 전해질막.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 유기화합물은 방향족 화합물(aromatic compound) 또는 지방족 고리 화합물(alicyclic compound)인,
    고분자 전해질막.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 유기화합물은 복소 고리 화합물(heterocyclic compound) 또는 동소 고리 화합물(homocyclic compound)인,
    고분자 전해질막.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 유기화합물은 치환 또는 비치환된 벤조퀴논(benzoquinone), 치환 또는 비치환된 나프토퀴논(naphtoquinone), 치환 또는 비치환된 디하이드록시벤젠(dihydroxybenzene), 치환 또는 비치환된 벤젠디카르복실산(benzenedicarboxylic acid), 치환 또는 비치환된 아미노페놀(aminophenol), 치환 또는 비치환된 페닐렌디아민(phenylenediamine), 치환 또는 비치환된 바이피리딘 디아민(bipyridine diamine), 치환 또는 비치환된 디(아미노페닐)아민[di(aminophenyl)amine], 치환 또는 비치환된 바이피롤(bipyrrole), 치환 또는 비치환된 살살레이트(salsalate) 또는 이들 중 2 이상의 혼합물인,
    고분자 전해질막.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 유기화합물은 다음의 화합물들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 고분자 전해질막:
    Figure pat00049
    ,
    Figure pat00050
    ,
    Figure pat00051
    ,
    Figure pat00052
    ,
    Figure pat00053
    ,
    Figure pat00054
    ,
    Figure pat00055
    ,
    Figure pat00056
    ,
    Figure pat00057
    ,
    Figure pat00058
    ,
    Figure pat00059
    ,
    Figure pat00060
    ,
    Figure pat00061
    ,
    Figure pat00062
    ,
    Figure pat00063
    ,
    Figure pat00064
    .
  10. 제1항에 있어서,
    상기 고분자 전해질막은 다수의 공극들을 갖는 다공성 지지체를 더 포함하고,
    상기 공극들은 상기 고분자 전해질 물질로 충진되어 있는,
    고분자 전해질막.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 다공성 지지체는 연신 필름(expanded film) 또는 부직 웹(nonwoven fibrous web)인,
    고분자 전해질막.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 고분자 전해질막의 전체 부피에 대한 상기 다공성 지지체의 겉보기 부피(apparent volume)의 비율은 5 내지 90 %인,
    고분자 전해질막.
  13. 이온교환기를 갖는 이온전도체 및 유기화합물 포함하는 혼합액을 준비하는 단계; 및
    상기 혼합액을 이용하여 고분자 전해질막을 형성하는 단계
    를 포함하되,
    상기 유기화합물은 이온결합(ionic bond) 또는 수소결합(hydrogen bond)을 통해 상기 이온교환기와 결합할 수 있는 작용기를 가짐으로써 상기 상기 이온전도체와 함께 이온성 가교 구조 또는 수소결합 가교 구조를 형성할 수 있는,
    고분자 전해질막 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 혼합액 준비 단계는,
    상기 이온전도체를 제1 용매에 용해 또는 분산시켜 제1 용액을 얻는 단계;
    상기 유기화합물을 제2 용매에 용해시켜 제2 용액을 얻는 단계; 및
    상기 제2 용액을 상기 제1 용액과 혼합하는 단계
    를 포함하는,
    고분자 전해질막 제조방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 유기화합물은 카르보닐기(-CO-), 하이드록실기(-OH), 카르복실기(-COOH), 니트로기(-NO2), 및 아민기(-NR1R2)(여기서, R1 및 R2 각각은 서로 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 6의 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기이거나, 서로 결합하여 탄소수 2 내지 5의 헤테로 고리를 형성함)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 작용기를 갖는,
    고분자 전해질막 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 유기화합물은 방향족 화합물 또는 지방족 고리 화합물인,
    고분자 전해질막 제조방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 유기화합물은 복소 고리 화합물 또는 동소 고리 화합물인,
    고분자 전해질막 제조방법.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 유기화합물은 치환 또는 비치환된 벤조퀴논, 치환 또는 비치환된 나프토퀴논, 치환 또는 비치환된 디하이드록시벤젠, 치환 또는 비치환된 벤젠디카르복실산, 치환 또는 비치환된 아미노페놀, 치환 또는 비치환된 페닐렌디아민, 치환 또는 비치환된 바이피리딘 디아민, 치환 또는 비치환된 디(아미노페닐)아민, 치환 또는 비치환된 바이피롤, 치환 또는 비치환된 살살레이트 또는 이들 중 2 이상의 혼합물인,
  19. 제13항에 있어서,
    상기 유기화합물은 다음의 화합물들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 고분자 전해질막 제조방법:
    Figure pat00065
    ,
    Figure pat00066
    ,
    Figure pat00067
    ,
    Figure pat00068
    ,
    Figure pat00069
    ,
    Figure pat00070
    ,
    Figure pat00071
    ,
    Figure pat00072
    ,
    Figure pat00073
    ,
    Figure pat00074
    ,
    Figure pat00075
    ,
    Figure pat00076
    ,
    Figure pat00077
    ,
    Figure pat00078
    ,
    Figure pat00079
    ,
    Figure pat00080
    .
  20. 제13항에 있어서,
    상기 혼합액 내 상기 유기화합물의 중량은 상기 이온전도체와 상기 유기화합물의 중량의 합의 0.01 내지 20 %인,
    고분자 전해질막 제조방법.
  21. 제13항에 있어서,
    상기 혼합액을 이용한 고분자 전해질막 형성 단계는,
    다공성 지지체를 준비하는 단계;
    상기 다공성 지지체를 상기 혼합액으로 함침시키는 단계; 및
    상기 혼합액으로 함침된 상기 다공성 지지체를 건조시키는 단계
    를 포함하는,
    고분자 전해질막 제조방법.
  22. 애노드;
    캐소드; 및
    상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 배치된 제1 항의 고분자 전해질막
    을 포함하는,
    전기화학 장치.
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