KR20210046674A - 나노와이어 발광 스위치 장치 및 그 방법 - Google Patents

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Abstract

나노와이어 시스템은 기판과, 기판의 표면으로부터 축을 따라 연장되는 적어도 하나의 나노와이어 구조를 포함한다. 나노와이어 구조는 발광 다이오드와, 발광 다이오드의 작동 상태를 제어하기 위해 전기적으로 결합된 장치 드라이버를 포함한다. 발광 다이오드 및 장치 드라이버는 각각 적어도 하나의 도핑된 영역을 공유하도록 통합된다.

Description

나노와이어 발광 스위치 장치 및 그 방법
본 출원은 2018년 8월 24일 출원된 미국가특허출원 제62/722,268호의 이익을 주장하며, 그 전문이 여기에 참조로 포함된다.
기술분야
본 기술은 일반적으로 나노와이어 구조, 특히 나노와이어 발광 스위치 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
현재 디스플레이 해상도는 실제적인 한계에 도달하고 있다. 픽셀 밀도와 해상도를 향상시키려면 디스플레이에 포함된 TFT(Thin-Film Transistor)의 크기를 더욱 줄여야 한다.
따라서 디스플레이 기술의 미래는 더 높은 효율(70 % 대 5-7 %), 더 높은 신뢰성 및 더 높은 픽셀 밀도를 제공할 수 있는 잠재력으로 인해 추구되고 있은 나노와이어 발광 다이오드(LED)와 함께할 수 있다. 신뢰성과 관련하여 나노와이어 LED는 현재 사용 가능한 다른 기술과 비교할 때, 나노와이어 LED를 만들 수 있는 재료로 인해 장기 작동 및 고온에 더 잘 견딜 수 있다. 그러나 더 높은 픽셀 밀도와 관련하여 나노와이어 LED를 이를 "켜거나" "끄는" 트랜지스터(스위치)와 조밀하게 통합하는 쉬운 방법은 없다. 이 문제를 해결하기 위해 현재 사용 가능한 접근 방식은 장치 성능과 함께 LED 면적을 희생하여 잠재적인 응용예를 제한한다.
특히, 트랜지스터를 LED와 결합하는 이전 연구들은 LED 성능을 저하시키고 면적을 소비하며 비용을 증가시키는 접근법에 의존해왔다. 이러한 접근법에는 HEMT(High Electron Mobility Transistor)를 생성하기 위해 다른 재료의 측면 성장을 위한 영역을 지정(전용화)하는 것과 같은 방법이 포함된다. 불행히도 이 프로세스는 LED 성능을 저하시키고 전체 장치 면적에서 바람직하지 않은 부분을 차지한다.
또 다른 접근법은 CMOS 트랜지스터와 결합된 실리콘에서의 성장을 시도했다. 안타깝게도 실리콘에서의 성장은 재료의 불일치로 인해 LED에 결함을 일으킬 수 있으며 이에 따라 성능이 저하된다. 또한 이 접근 방식은 여전히 온도 변화를 관리하는 데 어려움을 겪고 있으며 여전히 너무 많은 면적을 소비한다.
또 다른 접근법은 실리콘상의 LED와 플립 칩 본딩을 시도했다. 이 접근 방식을 사용하면 LED를 개별적으로 제조하고 개별적으로 잘라낸 다음 실리콘 웨이퍼 위에 장착하여 LED를 실리콘의 CMOS 트랜지스터와 결합한다. 안타깝게도 이 접근 방식은 함께 연결해야 하는 수백 개의 개별 LED로 인해 안정성 문제가 있으며 기존 기술보다 크기를 축소할 수 없다.
기판과, 기판의 표면으로부터 축을 따라 연장되는 적어도 하나의 나노와이어 구조를 포함하는 나노와이어 시스템이 개시된다. 나노와이어 구조는 발광 다이오드와, 발광 다이오드의 작동 상태를 제어하기 위해 전기적으로 결합된 장치 드라이버를 포함한다. 발광 다이오드 및 장치 드라이버는 각각 적어도 하나의 도핑된 영역을 공유하도록 통합된다.
나노와이어 시스템을 제조하는 방법은 기판을 제공하는 단계; 및 기판의 표면으로부터 축을 따라 연장되는 적어도 하나의 나노와이어 구조를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 나노와이어 구조는: 발광 다이오드; 및 상기 발광 다이오드의 동작 상태를 제어하기 위해 전기적으로 결합된 장치 드라이버를 포함한다. 상기 발광 다이오드 및 상기 장치 드라이버는 각각 적어도 하나의 도핑된 영역을 공유하도록 통합된다.
이 기술은 하나 이상의 에너지 효율적이고 신뢰할 수 있는 나노와이어 발광 스위치 장치를 제공하는 것을 포함하여 다수의 이점을 제공하며, 이 장치의 단일 축 지향 및 통합된 공유 층 구조는 높은 픽셀 밀도 어레이를 쉽게 제조할 수 있게 한다. 특히, 청구된 기술의 예는 LED 구조의 발광층에서 공통인 재료인 GaN을 신규로 사용하지만, LED 구조를 켜고 끄는 트랜지스터 층에서는 사용하지 않는다. 이러한 GaN 기반 나노와이어 발광 스위치 장치의 예를 사용하면 종래 기술에서 발견된 약 5 ~ 7 %의 에너지 효율에 비해 최대 약 70 %의 에너지 효율을 얻을 수 있다. 이러한 에너지 효율 향상으로 전력 소비를 크게 줄일 수 있으며 결과적으로 배터리 수명도 크게 연장된다. 또한 이러한 나노와이어 발광 스위치 장치의 예는 낮은 한 자릿수 마이크로미터 범위에서 픽셀 단면을 달성할 수 있으며, 훨씬 더 높은 해상도를 실현할 잠재력이 있어서, 과거의 기존 디스플레이보다 훨씬 더 큰 디스플레이 해상도를 가능하게 한다.
추가로, 청구된 기술의 예는 단일 반도체 재료 시스템을 사용하는 진정한 모놀리식 나노와이어 발광 스위치 장치를 달성한다. LED와 장치 드라이버 사이에 적어도 하나의 층를 공유하는 이 나노와이어 발광 스위치 디바이스의 고유한 구조는 다중 층과 공간 소모적인 레이아웃을 필요로 했던 과거의 LED 구조보다 적은 수의 층을 가진다. 또한, 청구되는 기술의 이러한 예는 에칭 단계를 수행하기 전과, 나노와이어 발광 스위치 장치 또는 어레이의 완성을 위해 소스 금속, 게이트 금속, 드레인 금속, 및 절연층을 추가하기 전에, LED 및 활성 장치 드라이버의 모든 기능 층을 형성할 수 있는 능력과 더 적은 단계로, 다중 재료 LED에 필요한 것보다 훨씬 더 간단한 제조 공정을 가능하게 한다.
또한, 청구된 기술은 종래 기술에 비해 다른 장점을 갖는다. 예를 들어, 이전 기술은 다중 층뿐만 아니라 LED의 발광 및 FET 층에 다중 재료를 사용해야 하며, 이는 다수의 금속 층과 결합되어 추가 처리 비용을 초래하였다. 대조적으로, 청구된 기술의 예는 발광 및 FET 층에 대해 하나의 재료 시스템인 GaN에 의존할 수 있으며, 관련 금속 또는 기타 전도성 층은 3 개뿐이다. 청구된 기술의 예를 사용하여 기존의 다중 재료 시스템에 필요한 추가 층 및 다른 재료에 대한 필요성을 제거하면 설계가 상당히 단순화되어 제조 비용 및 시간을 줄일 수 있다. 또한 주장된 기술의 예는 이전 기술에 비해 더 큰 수율과 100 배의 해상도 향상 가능성을 제공한다.
도 1a는 복수의 나노와이어 발광 스위치 장치를 갖는 나노와이어 어레이 시스템의 일 예의 단면도이다.
도 1b는 도 1a에 도시된 나노와이어 어레이 시스템의 일부의 부분 절개 및 부분 사시도이다.
도 1c는 도 1a-1b에 도시된 나노와이어 발광 스위치 장치들 중 하나의 예의 사시도이다.
도 2a-2f는 나노와이어 어레이 시스템의 일 예를 만드는 방법의 예의 사시도이다.
도 3은 다른 제조 기술을 예시하는 나노와이어 어레이 시스템의 다른 예의 단면도이다.
도 4는 또 다른 제조 기술을 예시하는 나노와이어 어레이 시스템의 또 다른 예의 단면도이다.
나노와이어 어레이 시스템(20(1))의 일 예가 도 1a-1c에 도시되어있다. 나노와이어 어레이 시스템(20(1))은 복수의 이격된 나노와이어 발광 스위치 장치(11), 전도 층(12, 13, 14), 절연 층(16) 및 기판(17)을 포함하지만, 시스템은 다른 유형 및/또는 개수의 시스템, 장치, 구성 요소, 층, 영역 또는 다른 구성의 기타 요소를 포함할 수 있다. 이 기술은 하나 이상의 에너지 효율적이고 신뢰할 수 있는 나노와이어 발광 스위치 장치를 제공하는 것을 포함하여 많은 이점을 제공하며, 이러한 장치의 단일 축 지향 및 통합된 공유 계층 구조를 통해 높은 픽셀 밀도 어레이를 쉽게 제작할 수 있다.
보다 구체적으로 도 1a-1b를 참조하면, 나노와이어 어레이 시스템(20(1))의본 예에서, 기판(17)은 Al2O3(사파이어) 층을 포함하지만, 단지 예로서 SiC(탄화 규소) 기판 또는 실리콘(Si) 기판과 같이, 다른 유형 및/또는 개수의 기판이 사용될 수 있다.
전도 층(12, 13, 14)은 각각 금속층을 포함하지만, 각각의 전도 층은 다른 유형 및/또는 개수의 전도 층 및/또는 다른 재료를 포함할 수 있다. 이 예에서, 전도 층(12)은 이격된 나노와이어 발광 스위치 장치(11)의 각각의 단부에 위치한 드레인 접촉 층을 형성하지만, 다른 구성의 다른 유형 및/또는 개수의 전도 층이 사용될 수 있다. 추가로, 이 예에서, 전도 층(13)은 이격된 나노와이어 발광 스위치 장치(11) 각각의 다른 단부에 인접하여 위치하는 소스 접촉 층을 형성하지만, 다른 구성의 다른 유형 및/또는 개수의 전도 층이 사용될 수 있다. 또한, 이 예에서, 전도 층(14)은 이격된 나노와이어 발광 스위치 장치(11) 각각의 채널 영역(7)의 적어도 일부 주위에 위치하는 게이트 금속 접촉 층을 형성하지만, 다른 구성의 다른 유형 및/또는 개수의 전도 층이 사용될 수 있다.
투명 전도성 필름(TCF)(15)은 이격된 나노와이어 발광 스위치 장치(11) 중 하나 이상에 대해 전도성 층(12) 중 하나 이상을 함께 결합하도록 형성될 수 있는 다른 전도 층을 포함하지만, 다른 구성의 다른 유형 및/또는 개수의 전도성 층이 사용될 수 있다. 도 1a의 단면도에 도시된 바와 같이, 이격된 나노와이어 발광 스위치 장치(11)는 예를 들어 투명 전도성 필름(TCF)(15)으로, 3 개의 나노와이어 발광 스위치 장치(11)에 대해 3 개의 분리된 전도성 층(12)을 결합할 수 있다.
본 명세서의 예에서 나노와이어 구조 또는 나노와이어라고도도 지칭되는 본 실시예의 발광 스위치 장치(11)의 간격에 의해 형성된 픽셀 어레이에서 픽셀의 크기, 밀도 및 밝기는 단일 디스플레이 픽셀로서 기능하는 발광 스위치 장치(11)의 수를 증가 또는 감소시키기 위한 전도 층(14) 및 전도 층(15)의 폭을 변경함으로써 또한 변화할 수 있다. 도 1b는 전도 층(14)과 전도 층(15)을 공유하는 다수의 발광 스위치 장치(11)의 예를 도시한다.
투명 절연체(16)는 전도 층(13)과 전도 층(14) 사이 및 전도 층(13)과 투명 전도 막(TCF)(15)의 적어도 일부 사이 및 이격된 나노와이어 발광 스위치 장치(11) 각각의 대응하는 부분 주위로 위치하지만, 다른 구성의 다른 유형 및/또는 개수의 절연 층이 사용될 수 있다.
보다 구체적으로 도 1a-1c를 참조하면, 이격된 나노와이어 발광 스위치 장치(11)는 각각 발광 다이오드(LED) 층(8, 9, 10) 및 전계 효과 트랜지스터(FET) 또는 층 6, 7, 및 8을 포함하는 다른 장치 드라이버 또는 스위치를 포함하지만, 각각의 장치는 다른 유형 및/또는 개수의 다른 층, 영역 또는 다른 요소를 포함할 수 있다. 이 예에서, FET는 다른 유형의 드라이버 또는 스위치가 사용될 수 있지만, 각 나노와이어 발광 스위치 장치(11)에서 LED의 작동 상태, 즉, 본 예에서 온 상태 또는 오프 상태를 제어하기 위해 결합된다. 추가로,이 예에서, LED 및 FET는 유리하게는 층 또는 다른 도핑된 영역(8)을 공유하여, 귀중한 공간을 차지하는 LED에 인접한 스위치 또는 장치 드라이버의 사전 배치로부터 손실된 공간을 최소화하는 것을 돕는다. 또한, 이 예에서 LED 및 FET는 유리하게는 각각 단일 축을 따라 기판(17)으로부터 연장되도록 구성되어, 훨씬 더 콤팩트한 좁은 설계를 가능하게하여, 나노와이어 발광 스위치 장치(11)의 더 가까운 간격을 가능하게하고, 훨씬 더 높은 해상도를 실현시킨다. 그러나 다른 구성이 사용될 수 있다.
발광 스위치 장치(11) 중 하나 이상에 의해 만들어진 각 픽셀은 또한 이 예에서 발광 스위치 장치(11)의 FET 인 장치 드라이버를 포함하여 변조된 밝기를 가질 수 있다. 밝기 레벨은 예를 들어 전기적 바이어스를 통해 전도 층(14) 및/또는 전도 층(15)으로 변경될 수 있다.
전계 효과 트랜지스터(FET) 또는 다른 장치 드라이버 또는 스위치의 층(6)은, 다른 유형의 소스 영역이 사용될 수 있지만, 기판(17) 상에 성장되거나 달리 형성되는 FET를 위한 전자가 풍부한 소스 영역이다. 이 특정 예에서, 층(6)은 의도하지 않게 도핑된(u-GaN) 버퍼 층이지만, 예를 들어 n-타입 GaN 층과 같은 다른 유형의 소스 영역이 다시 사용될 수 있다. FET를 위한 전자가 풍부한 소스 영역으로서 u-GaN 버퍼 층(6)은 O2로부터 1017cm-3-1020cm-3 의 높은 전자 농도 및 결함 혼입으로 인해 가능하다.
전계 효과 트랜지스터(FET) 또는 다른 장치 드라이버 또는 스위치의 층(7)은 다른 유형의 채널 영역이 사용될 수 있지만, 층(6) 상에 성장되거나 달리 형성되는 FET에 대한 전자 결핍 채널 영역이다. 이 특정 예에서, 층(7)은 소스 영역(6)보다 u-GaN이 더 두꺼운 층이지만, 다시 p-형 GaN 층과 같은 다른 유형의 채널 영역이 사용될 수 있다. 이 더 두꺼운 u-GaN 층(7)을 FET에 대한 전자 결핍 채널 영역으로 사용하는 것은 재료의 고유한 질소 베이컨시(vacancies)로 인해 가능하여, 층을 약간 n 형으로 만든다.
전계 효과 트랜지스터(FET) 또는 다른 장치 드라이버 또는 스위치의 층(8)은 다른 유형의 소스 영역이 사용될 수 있지만, 층(7) 상에 성장되거나 달리 형성되는 FET를 위한 전자가 풍부한 드레인 영역이다. 이 특정 예에서, 층(8)은 n 형 GaN 층이지만, 다시 다른 유형의 드레인 영역이 사용될 수 있다. 이 층(8)은 나노와이어 발광 스위치 장치(11)의 FET와 LED 사이에서 공유되고 LED의 전자가 풍부한 층으로 작용한다. 이 특정 예에서, 층(8)을 위한 GaN 층은 LED의 캐소드 영역과, FET 또는 다른 장치 드라이버의 드레인 영역을 포함한다.
층(9)은 빛을 효율적으로 생성하는 LED 용 InGaN 또는 AlGaN 양자 우물 및 GaN 또는 AlGaN 장벽을 갖는 다중 양자 우물(MQW) 영역(9)이지만, 다른 유형의 층 및/또는 우물 및 기타 장벽이 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, 이 예에서 LED로부터의 발광은 다중 양자 우물(MQW) 영역인 이 층(9)을 사용하며, 여기서 인듐 갈륨 질화물(InGaN) 또는 알루미늄 갈륨 질화물(AlGaN) 층은 GaN 또는 AlGaN 층 사이에 국한되어, 빛 생성을 위해 전자-정공 쌍을 포획하게 된다. 다른 예에서, 하나 이상의 다른 재료 층이 스펙트럼 방출을 변경하도록 층(9) 상에 있을 수 있다. 추가 예로서, 추가 층들 중 하나 이상이 컬러 변환기를 포함할 수 있다.
층(10)은 LED에 대한 p-GaN 영역(10) 또는 애노드 영역이지만, 다시 다른 유형의 영역 및 LED 영역에 대한 다른 구성이 사용될 수 있다. 층(8 및 9)을 갖는 이 층(10)은 각각의 나노와이어 발광 스위치 장치(11)의 LED의이 본 예를 완성한다. 따라서, 이 예에서, LED 및 FET는 공유 층(8)과 직렬로 연결되고 FET는 LED를 "켜짐"또는 "꺼짐" 작동 상태로 전환한다.
위의 예에서 예시된 바와 같이, FET 및 LED의 각각의 층은 유리하게는 예를 들어 동일한 재료, 가령, GaN 기반 재료로 형성될 수 있어서, 제조에 필요한 재료 수를 줄여 효율성을 제공한다. 또한 LED 발광 영역과 FET(드라이버 또는 스위치)의 GaN 기반 재료는 본질적으로 투명하며, 하나 이상의 금속을 선택하여 결합하면 어레이 시스템을 광학적으로 투명하게 만들 수 있다. 이러한 광학적 투명성에 의해, 증강 현실 디스플레이를 포함한 다양한 유형의 디스플레이 기술과 같은, 수많은 새로운 응용 분야에서 이 기술의 예가 사용될 수 있다. 나노와이어 발광 스위치 장치(11)를 위한 이러한 광학 투명성 및 단일 축 지향 구조는 웨어러블 및 기타 곡면 전자 장치에 사용하기 위한 플렉서블 디스플레이 장치의 생성을 가능하게 한다.
도 2a-2f를 참조하면, 나노와이어 어레이 시스템의 예를 만드는 방법의 예가 예시된다. 아래의 예를 통해 설명된 바와 같이, 이 통합 LED-FET 장치의 제조는 반도체 산업에서 쉽게 사용할 수 있는 제조 기술을 채택하여, 이 기술을 쉽게 채택할 수 있다. 보다 구체적으로, 청구된 기술의 예는 널리 상업적으로 사용되는 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD) 도구를 사용하여 통상적으로 성장된 LED 층을 사용할 수 있다.
보다 구체적으로 도 2a를 참조하면, 먼저 전자가 풍부한 소스 층 또는 영역(6)이 기판(17) 상에 성장되고, 이는 다시 이러한 예에서 의도하지 않게 도핑된(u-GaN) 버퍼 층 또는 n-형 GaN 층일 수 있다. 앞서 논의한 바와 같이, u-GaN 버퍼 층의 사용은 O2 및 결함 혼입으로부터 1017cm-3-1020cm-3의 높은 전자 농도로 인해 가능하다. 추가적으로, 이 예에서 기판(17)은 Al2O3(사파이어)이지만, SiC(탄화 규소) 기판 또는 실리콘(Si) 기판과 같은 다른 유형의 기판이 사용될 수 있다.
다음으로, 전자 결핍 채널 층 또는 영역(7)이 층 또는 영역(6) 상에 성장되며, 이는 층 또는 영역(6) 또는 p-형 GaN 층에 사용된 것보다 더 두꺼운 u-GaN 층일 수 있다. 전자 결핍 채널 영역(7)으로서 더 두꺼운 u-GaN 층의 사용은 재료의 고유한 질소 베이컨시로 인해 가능하며, 층을 약간 n-형으로 만든다.
다음으로, 전자 풍부 층(8)이 층(7) 상에 성장되거나 달리 형성된다. 하부 전자 풍부 소스 영역(6), 전자 결핍 채널 영역(7) 및 n-GaN 드레인 영역(8)은 나노와이어 발광 스위치 장치(11) 각각에 대한 FET의 본 예에 대해 필요한 구조를 생성한다. 이하에서 논의되는 바와 같이, 이 층(8)은 나노와이어 발광 스위치 장치(11)의 이 예의 LED와 함께 FET에 의해 공유된다.
다음으로, 각 나노와이어 발광 스위치 장치(11)의 이 예를 위해 층(8, 9, 10)을 포함하는 LED를 형성하기 위해, 빛을 효율적으로 생성하는 InGaN 또는 AlGaN 양자 우물 및 GaN 또는 AlGaN을 갖는 다중 양자 우물(MQW) 영역(9)이 공유 층 또는 영역(8) 상에 형성된다.
다음으로, 각 나노와이어 발광 스위치 장치(11)의 이 예에 대한 LED 용 다중 양자 우물(MQW) 영역(9) 상에 p-GaN 영역(10)이 형성된다. 층(8, 9, 10)을 포함하는 LED 및 층(6, 7, 8)을 포함하는 FET는 공유 층(8)과 직렬로 연결되고 FET가 결합되어 "켜짐"또는 "꺼짐" 작동 상태간에 LED를 전환할 수 있다. 공유 전자가 풍부한 초기 층은 이 예에서 각각의 나노와이어 발광 스위치 장치(11)에 대한 LED 용 캐소드 및 FET 용 드레인 영역 모두로서 다시 기능한다.
다음으로, p-GaN 층(10)의 노출된 표면은 Ni 또는 다른 전도성 물질을 증착하기 위해 금속 리프트 오프 공정을 통해 패터닝될 수 있으며, 이들은 둘 다 도 2a-2b에 도시되는 바와 같이, 층 또는 영역(12)에 대한 오옴 p-형 GaN 접촉부로로 작용하고 염소 기반 건식 식각을 위한 하드 마스크로서 작용한다. 그 다음 나노와이어(11)는 p-GaN 층 또는 영역(12)에 더욱 오옴 접촉을 위해 NiO를 생성하기 위해 O2에서 선택적 어닐링을 거칠 수 있다.
다음으로, 염소 기반 건식 에칭은 재료를 선택적으로 제거하여, 도 2b에 도시된 바와 같이 각각 단일 축을 따라 기판(17)으로부터 연장되는 나노와이어 발광 스위치 장치(11)를 남기기 위해 사용될 수 있다.
다음으로, Ti 기반 또는 다른 전도성 물질 금속화가 열 증발되어, 도 2c에 도시된 바와 같이 나노와이어 발광 스위치 장치(11) 및 베이스의 팁만을 코팅한다. 그런 다음 선택적 어닐링을 수행하여 금속으로부터 TiN을 생성하여, u-GaN 버퍼 층 또는 영역 6의 n-형 특성을 더욱 증가시킬 수 있다.
금속 증착 후, 투명 절연체(16)가 코팅되고 다시 에칭되어, 도 2d에 도시된 바와 같이 전자가 풍부한 소스 영역 또는 층(6)의 상부 경계 위의 모든 것을 드러낸다. 절연체(16)는 금속 또는 전도 층(13, 14)을 서로 분리하는 스페이서 역할을 한다.
다음으로, 게이트 층(14)을 위한 금속 라인은 리프트 오프 공정으로 패턴화된다. Ni와 같은 금속은 전도성 층 또는 와이어(12) 및 절연체(16)로 나노와이어 발광 스위치 장치(11)의 상부를 열 증발 코팅하여, 도 2d에 도시되는 바와 같이, u-GaN 영역에 대한 게이트-올-어라운드 결합을 포함하는 층(14)을 형성한다. 따라서, 청구된 기술의 예는 "오프" 동작 상태에 있을 때 빠른 스위칭을 제공하고 전력 소비를 낮추는 나노와이어 발광 스위치 장치(11) 각각의 채널 영역 또는 층(7)의 적어도 일부 주위에서 게이트를 감쌀 수 있다.
다음으로, 더 광학적으로 투명한 절연체(16)가 코팅되고 다시 에칭되어 와이어(12)의 팁만 드러날 수 있다. 리프트 오프는 다시 투명 전도 막(TCF)(15)의 라인을 패턴화하여, 도 2e에 도시된 바와 같이 상부 인터커넥트(15)를 형성하는 데 사용될 수 있다.
마지막 단계로서, 절연체(16)는 도 2f에 도시된 바와 같이 외부 연결을 위해 매립된 금속 또는 전도 층(13, 14)을 노출시키기 위해 선택적으로 에칭될 수 있다.
단지 예로서 Ni 외에 게이트 금속 또는 전도 층(14)에 대한 선택을 사용하는 것과 같이, 다양한 대안 선택이 이들 단계 각각에 사용될 수 있다. 다른 예에서, 나노와이어 측면을 따라 게이트 절연체가 대안적으로 통합될 수 있다. 이 방법의 장점 중 하나는 이 층별 제작을 통해 최종 설계 및 레이아웃을 정밀하게 제어하고 사용자 정의할 수 있다는 것이다. 앞서 언급한 또 다른 장점은 이 기술이 기존 제조 방법을 활용할 수 있다는 것이다.
이 특정 레이아웃에 예시된 장치 레이아웃은 디스플레이 목적을 위해 개별 나노와이어(11)를 선택적으로 처리하기 위해 교차 디자인을 생성한다. 이 예에서, 소스 금속 또는 전도 층(13)은 공통 접지 연결로서 작용하는 모든 나노와이어에 공통적인 반면, 게이트 금속 또는 전도 층(14) 및 드레인 금속 또는 전도 층(15)은 대안적으로 행과 열로 어드레스된다.
나노와이어 어레이 시스템에서 나노와이어 발광 스위치 장치(11) 중 하나를 동작시키는 방법의 예가 이제 도 1a-1c를 참조하여 설명될 것이다. FET의 게이트 층(14)에 나노와이어 발광 스위치 장치(11)가 활성화되면 전자가 소스 영역(6)에서 채널 영역(7)을 통해 공유 드레인 영역(8)으로 흘러 FET 및 LED를 "온"작동 상태로 전환한다. 공유 드레인 영역(8)으로부터, 전자는 LED를 통해 흘러 MQW 영역(9)의 정공과 재결합하여 빛을 생성한다. 드레인 접촉 층(8)은 FET(6-8)와 직렬로 연결된 LED(8-10)를 순방향 바이어스하여, FET 동작을 위한 양의 소스-드레인 바이어스를 허용한다.
도 3에서, 나노와이어 어레이 시스템(20(2))에서 나노와이어 발광 스위치 장치(11)를 제조하는 대안적인 방법이 도시된다. 이 방법은 여기서 예를 들어 달리 예시 또는 기술한 것을 제외하곤 도 2a-2f를 참조하여 예시 및 설명된 것과 동일하다. 이 예에서, 이러한 제조 방법은 선택적 영역 성장을 위해 절연 층(16)의 사용을 통한 상향식 성장 기술을 이용한다. 나노와이어 발광 스위치 장치(11)의 선택적 영역 성장은 각각 별개의 색을 방출하는 나노와이어 발광 스위치 장치(11)를 생성하기 위해 개별 성장이 발생하도록 할 수 있다. 절연 층(16)의 개구 크기의 변화는 별개의 색상을 방출하는 성장된 나노와이어 발광 스위치 장치(11)를 생성하기 위해 단일 성장 프로세스로 사용될 수 있다.
도 4에서, 나노와이어 어레이 시스템(20(3))에서 나노와이어 발광 스위치 장치(11)를 제조하는 대안적인 방법이 도시된다. 이 방법은 여기서 예를 들어 달리 예시 또는 설명되는 것을 제외하곤 도 2a-2f를 참조하여 예시 및 설명된 것과 동일하다. 이 예에서, 이러한 제조 방법, 성장된 LED의 MQW 영역(9) 및 p 형 영역(10)은 공유된 n-GaN 영역(8)의 일부를 둘러 쌀 수 있다.
본 명세서에서 예를 들어 예시되고 설명된 바와 같이, 청구된 기술의 예는 다양한 상이한 유형의 애플리케이션에 사용될 수 있다. 예를 들어, 주장된 기술은 스마트 시계, TV, 전화에 이르기까지 다양한 유형의 디스플레이 기술에 사용될 수 있다. 각각이 개별 픽셀인 나노와이어 발광 스위치 장치(11)는 훨씬 더 높은 해상도를 제공하도록 유리하게 이격될 수 있다.
다른 예들에서, 청구된 기술은 앞서 논의된 투명성으로 인해 전형적인 디스플레이 기술을 대체하는데 사용될 수 있다. 그 결과, 주장된 기술의 예는 헤드-업 디스플레이 기술을 만드는 데 매우 효과적이다. 또한, 다른 예로서, 현재 헤드-업 디스플레이는 부피가 큰 프로젝터에 의존하는데, 본 기술의 예는 이러한 필요성을 제거한다. 이 주장된 기술의 사례로 만든 디스플레이는 프로젝터 없이도 투명 접안 렌즈 자체가 될 것이다.
또 다른 예에서, 나노와이어 발광 스위치 장치(11)의 나노와이어 특성은 가요성 디스플레이와 관련된 다른 기회를 여는 유연성을 허용한다. 특히, 나노와이어 발광 스위치 장치(11)의 와이어 구조는 이들이 굴곡 및 기계적 운동의 스트레스를 견딜 수 있게 한다.
이와 같이 본 발명의 기본 개념을 설명 하였으므로, 전술한 상세한 개시는 단지 예로서 제시된 것이며 제한적인 것이 아님이 당업자에게 명백할 것이다. 다양한 변경, 개선 및 수정이 발생할 것이며, 이는 본 명세서에서 명시적으로 언급되지는 않았지만 당업자에게 의도된 것이다. 이러한 변경, 개선 및 수정은 여기에서 제안되는 것으로 의도되며 본 발명의 사상과 범위 내에 있다. 추가로, 처리 요소 또는 시퀀스의 인용된 순서, 또는 숫자, 문자 또는 기타 지정의 사용은 청구 범위에 명시될 수 있는 경우를 제외하고 청구된 프로세스를 임의의 순서로 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 본 발명은 다음의 청구 범위 및 이에 대한 등가물에 의해서만 제한된다.

Claims (30)

  1. 나노와이어 시스템에 있어서,
    기판, 및
    상기 기판의 표면으로부터 축을 따라 연장되는 적어도 하나의 나노와이어 구조를 포함하되, 상기 나노와이어 구조는:
    발광 다이오드; 및
    상기 발광 다이오드의 동작 상태를 제어하기 위해 전기적으로 결합된 장치 드라이버 - 상기 발광 다이오드 및 상기 장치 드라이버는 각각 적어도 하나의 도핑된 영역을 공유하도록 통합됨 - 를 포함하는, 나노와이어 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 공유된 적어도 하나의 도핑된 영역은 발광 다이오드의 캐소드 영역 및 상기 장치 드라이버의 드레인 영역을 포함하는 GaN 층을 포함하는, 나노와이어 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서, 발광 다이오드는 캐소드 영역을 포함하는 GaN 층에 전기적으로 결합된 애노드 영역을 더 포함하고, 장치 드라이버는 드레인 영역을 포함하는 GaN 층과 소스 영역 사이에 전기적으로 결합된 채널 영역을 포함하는, 나노와이어 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 소스 영역 및 상기 채널 영역은 각각 다른 GaN 층을 포함하는, 나노와이어 시스템.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 발광 다이오드의 캐소드 영역과 상기 장치 드라이버의 드레인 영역은 공통 외부 연결을 공유하는, 나노와이어 시스템.
  6. 제 3 항에 있어서, 상기 장치 드라이버의 채널 영역의 주변부의 적어도 일부에 전기적으로 결합된 게이트 금속층을 더 포함하는, 나노와이어 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 나노와이어 구조는 2 개 이상의 나노와이어 구조를 포함하고, 각각의 장치 드라이버의 소스 영역은 공유 소스 영역인, 나노와이어 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서, 2 개 이상의 나노와이어 구조의 채널 영역과 전기적으로 결합된 게이트 금속층을 더 포함하는, 나노와이어 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서, 복수의 인접한 나노와이어 구조를 전기적으로 함께 결합하는 투명 전도성 필름 층을 더 포함하는, 나노와이어 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 복수의 인접한 나노와이어 구조는 투명 전도성 필름 층 및 게이트 금속 층 둘 모두에 의해 전기적으로 결합되는, 나노와이어 시스템.
  11. 제 1 항에 있어서, 적어도 하나의 나노와이어 구조의 최대 단면 치수는 약 10 마이크로미터 미만인, 나노와이어 시스템.
  12. 제 1 항에 있어서, 적어도 하나의 나노와이어 구조의 최대 단면 치수가 약 3 마이크로미터 미만인, 나노와이어 시스템.
  13. 제 1 항에 있어서, 소스 영역에 인접하여 위치하고 전기적으로 연결되는 Ti-계금속 층 및 Ni-계 금속 드레인 접촉부를 더 포함하는, 나노와이어 시스템.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 발광 다이오드는 스펙트럼 방출을 변경하는 LED의 발광 부분 상에 하나 이상의 재료 층을 더 포함하는, 나노와이어 시스템.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 하나 이상의 재료 층은 컬러 변환기를 포함하는, 나노와이어 시스템.
  16. 나노와이어 시스템을 제조하는 방법으로서, 상기 방법은
    기판을 제공하는 단계; 및
    기판의 표면으로부터 축을 따라 연장되는 적어도 하나의 나노와이어 구조를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 나노와이어 구조는:
    발광 다이오드; 및
    상기 발광 다이오드의 동작 상태를 제어하기 위해 전기적으로 결합된 장치 드라이버 - 상기 발광 다이오드 및 상기 장치 드라이버는 각각 적어도 하나의 도핑된 영역을 공유하도록 통합됨 - 를 포함하는, 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 공유된 적어도 하나의 도핑된 영역은 상기 발광 다이오드의 캐소드 영역 및 상기 장치 드라이버의 드레인 영역을 포함하는 GaN 층을 포함하는, 방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 발광 다이오드는 캐소드 영역을 포함하는 GaN 층에 전기적으로 결합된 애노드 영역을 추가로 포함하고, 상기 장치 드라이버는 드레인 영역을 포함하는 GaN 층과 소스 영역 사이에 전기적으로 결합된 채널 영역을 포함하는, 방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 소스 영역 및 상기 채널 영역은 각각 다른 GaN 층을 포함하는, 방법.
  20. 제 17 항에 있어서, 상기 발광 다이오드의 캐소드 영역과 상기 장치 드라이버의 드레인 영역은 공통 외부 연결을 공유하는, 방법.
  21. 제 18 항에 있어서, 상기 장치 드라이버의 채널 영역의 주변부의 적어도 일부에 전기적으로 결합된 게이트 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  22. 제 16 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 나노와이어 구조를 형성하는 단계는 2 개 이상의 상기 나노와이어 구조를 형성하는 단계를 더 포함하고, 각각의 장치 드라이버의 소스 영역은 공유 소스 영역인, 방법.
  23. 제 22 항에 있어서, 2 개 이상의 나노와이어 구조의 채널 영역과 전기적으로 결합된 게이트 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  24. 제 23 항에 있어서, 복수의 나노와이어 구조를 전기적으로 함께 결합하는 투명 전도성 필름 층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  25. 제 24 항에 있어서, 복수의 인접한 나노와이어 구조는 투명 전도성 필름 층 및 게이트 금속 층 둘 모두에 의해 전기적으로 결합되는, 방법.
  26. 제 16 항에 있어서, 적어도 하나의 나노와이어 구조의 최대 단면 치수가 약 10 마이크로미터 미만인, 방법.
  27. 제 16 항에 있어서, 적어도 하나의 나노와이어 구조의 최대 단면 치수가 약 3 마이크로미터 미만인, 방법.
  28. 제 16 항에 있어서, 소스 영역에 인접하고 전기적으로 연결된 Ti-계 금속 층 및 Ni-계 금속 드레인 접촉부를 형성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  29. 제 16 항에 있어서, 스펙트럼 방출을 변경하는 LED의 발광 부분 상에 하나 이상의 재료 층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  30. 제 30 항에 있어서, 상기 하나 이상의 재료 층은 색상 변환기를 포함하는, 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11658257B2 (en) * 2020-03-27 2023-05-23 Harvatek Corporation Light source assembly, optical sensor assembly, and method of manufacturing a cell of the same
US11322542B2 (en) * 2020-03-27 2022-05-03 Harvatek Corporation Light-emitting diode (LED) assembly and method of manufacturing an LED cell of the same
JP2022019456A (ja) * 2020-07-17 2022-01-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光装置および表示装置
JP2023549535A (ja) * 2020-11-16 2023-11-27 イノベーション セミコンダクター モノリシック半導体ｌｅｄ表示システム及びそのデバイス
CN117276305A (zh) * 2023-08-03 2023-12-22 浙江大学 一种纳米线发光器件及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100028412A (ko) * 2008-09-04 2010-03-12 삼성전자주식회사 나노 막대를 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법
US20120037883A1 (en) * 2008-08-19 2012-02-16 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Semiconductor light-emitting devices for generating arbitrary color
KR20160010474A (ko) * 2013-05-14 2016-01-27 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 광전자 디바이스 및 이를 제조하는 방법

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02252283A (ja) * 1989-03-27 1990-10-11 Nec Corp 双安定発光装置
US6709929B2 (en) * 2001-06-25 2004-03-23 North Carolina State University Methods of forming nano-scale electronic and optoelectronic devices using non-photolithographically defined nano-channel templates
US7323723B2 (en) * 2001-12-28 2008-01-29 Sanken Electric Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device using phosphors for performing wavelength conversion
TWI220319B (en) 2002-03-11 2004-08-11 Solidlite Corp Nano-wire light emitting device
JP2003316292A (ja) * 2002-04-19 2003-11-07 Ricoh Co Ltd 表示装置
US6727645B2 (en) * 2002-05-24 2004-04-27 International Business Machines Corporation Organic LED device
US7051945B2 (en) 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
CA2609042A1 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Nanosys, Inc. Light emitting nanowires for macroelectronics
US7439560B2 (en) 2005-12-06 2008-10-21 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device using semiconductor nanowire and display apparatus and image pick-up apparatus using the same
JP5060740B2 (ja) * 2006-05-26 2012-10-31 シャープ株式会社 集積回路装置およびその製造方法、ならびに表示装置
US8183587B2 (en) 2006-12-22 2012-05-22 Qunano Ab LED with upstanding nanowire structure and method of producing such
US7652280B2 (en) * 2007-04-11 2010-01-26 General Electric Company Light-emitting device and article
US20080252202A1 (en) * 2007-04-11 2008-10-16 General Electric Company Light-emitting device and article
US9106056B1 (en) 2007-04-25 2015-08-11 Stc.Unm Phase-coupled arrays of nanowire laser devices and method of controlling an array of such devices
US8624968B1 (en) 2007-04-25 2014-01-07 Stc.Unm Lens-less digital microscope
JP2009105182A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Panasonic Corp 光集積化素子および光集積化素子の製造方法
US8129710B2 (en) 2008-04-24 2012-03-06 Hans Cho Plasmon enhanced nanowire light emitting diode
WO2010014032A1 (en) 2008-07-07 2010-02-04 Glo Ab A nanostructured LED
US8791470B2 (en) * 2009-10-05 2014-07-29 Zena Technologies, Inc. Nano structured LEDs
KR20100064657A (ko) * 2008-12-05 2010-06-15 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이기판과 그 제조방법
US20120326119A1 (en) 2010-03-08 2012-12-27 Kyonggi University Industry & Academia Cooperation Foundation Light emitting display device having nanowire
KR20130136906A (ko) 2010-06-18 2013-12-13 글로 에이비 나노와이어 ｌｅｄ 구조와 이를 제조하기 위한 방법
FR2975532B1 (fr) 2011-05-18 2013-05-10 Commissariat Energie Atomique Connexion electrique en serie de nanofils emetteurs de lumiere
KR101407209B1 (ko) * 2010-10-07 2014-06-16 포항공과대학교 산학협력단 미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 미세 채널 트랜지스터 및 미세 채널 발광트랜지스터의 형성방법
US8350251B1 (en) 2011-09-26 2013-01-08 Glo Ab Nanowire sized opto-electronic structure and method for manufacturing the same
CN104054181B (zh) * 2011-12-30 2017-10-20 英特尔公司 全包围栅晶体管的可变栅极宽度
JP6293157B2 (ja) 2012-10-26 2018-03-14 グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ ナノワイヤサイズの光電構造及びその選択された部分を改質する方法
FR3011380B1 (fr) * 2013-09-30 2017-01-13 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
US9202821B2 (en) * 2013-10-23 2015-12-01 Pixtronix, Inc. Thin-film transistors incorporated into three dimensional MEMS structures
KR20160017321A (ko) * 2014-08-04 2016-02-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
EP3198649A4 (en) * 2014-09-25 2018-05-16 Intel Corporation Iii-n epitaxial device structures on free standing silicon mesas
FR3041203B1 (fr) * 2015-09-14 2019-11-29 Valeo Vision Gestion de puissance d'une source lumineuse led a micro- ou nano-fils
US10249502B2 (en) * 2016-01-22 2019-04-02 International Business Machines Corporation Low resistance source drain contact formation with trench metastable alloys and laser annealing
KR20180133436A (ko) * 2016-05-04 2018-12-14 글로 에이비 상이한 색상의 led를 포함하는 일체형 다색 직시형 디스플레이와 이의 제조 방법
US10312082B2 (en) 2016-05-09 2019-06-04 The Regents Of The University Of Michigan Metal based nanowire tunnel junctions
US9941329B2 (en) 2016-05-18 2018-04-10 Globalfoundries Inc. Light emitting diodes (LEDs) with integrated CMOS circuits
JP2018049895A (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 豊田合成株式会社 半導体装置
US10497672B2 (en) * 2016-10-24 2019-12-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Ultra-thin display using printed printed light emitting diodes
US9853114B1 (en) * 2016-10-24 2017-12-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Field effect transistor with stacked nanowire-like channels and methods of manufacturing the same
US10784325B2 (en) * 2016-12-23 2020-09-22 Intel Corporation Saddle channel thin film transistor for driving micro LEDs or OLEDs in ultrahigh resolution displays
US10355043B2 (en) * 2017-06-28 2019-07-16 Globalfoundries Inc. Integrated vertical transistors and light emitting diodes
CN111615749A (zh) 2018-01-24 2020-09-01 苹果公司 基于微型led的显示面板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120037883A1 (en) * 2008-08-19 2012-02-16 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Semiconductor light-emitting devices for generating arbitrary color
KR20100028412A (ko) * 2008-09-04 2010-03-12 삼성전자주식회사 나노 막대를 이용한 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR20160010474A (ko) * 2013-05-14 2016-01-27 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈 광전자 디바이스 및 이를 제조하는 방법

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