JP2018049895A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018049895A JP2018049895A JP2016183576A JP2016183576A JP2018049895A JP 2018049895 A JP2018049895 A JP 2018049895A JP 2016183576 A JP2016183576 A JP 2016183576A JP 2016183576 A JP2016183576 A JP 2016183576A JP 2018049895 A JP2018049895 A JP 2018049895A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- light emitting
- semiconductor device
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
A1.装置構成:
図1は、本発明の一実施形態としての半導体装置10の構成を模式的に示す断面図である。図2は、本発明の一実施形態としての半導体装置10の構成を模式的に示す平面図である。図1は、図2における1−1断面を表している。図1および図2には、相互に直交するX軸、Y軸およびZ軸が表されている。以降において、+X方向を上方、−X方向を下方と呼ぶ。なお、上方および下方とは、便宜上そのように呼ぶに過ぎず、半導体装置10が使用される際の半導体装置10の向きを限定するものではない。図1,2のX軸、Y軸およびZ軸は、他の図のX軸、Y軸およびZ軸に対応する。
図3は、半導体装置10の等価回路図である。図3に示すように、駆動部300はトランジスタとして、また、発光部200はダイオードとして表される。ゲートGに閾値電圧以上の電圧が印加されると、トランジスタ(駆動部300)がオン状態となり、ソースSとドレインDとの間(ダイオード)に電流が流れる。このため、発光部200は発光状態となる。他方、ゲートGに閾値電圧未満の電圧が印加された場合、トランジスタ(駆動部300)がオフ状態となり、ソースSとドレインDとの間(ダイオード)に電流が流れない。このため、発光部200は非発光状態となる。
図5は、第2実施形態における半導体装置10aの構成を模式的に示す断面図である。第2実施形態の半導体装置10aは、駆動部300に代えて駆動部300aを備えている点において、第1実施形態の半導体装置10と異なる。半導体装置10aにおけるその他の構成は、半導体装置10と同じであるので、同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。駆動部300aは、n型ドリフト層315を追加して備える点において、第1実施形態の駆動部300と異なる。駆動部300aにおけるその他の構成は、駆動部300と同じであるので、同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
C1.変形例1:
各実施形態において、半導体装置10,10aを構成する各層の平面視形状は、四隅がR形状に面取りされた矩形形状であったが、本発明はこれに限定されない。
各実施形態では、パラジウム電極430は、p型GaNクラッド層210に接して配置されていたが、本発明はこれに限定されない。
各実施形態の半導体装置10,10a,10b,10cを構成する各層のうち、GaNから主に成る半導体層は、GaNに代えて、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)、窒化鉛ガリウム(ZnGaN)、窒化アルミニウム鉛ガリウム(AlZnGaN)から主と成る構成としてもよい。すなわち、一般には、これらの層を、GaNを含む層として構成してもよい。
各実施形態の駆動部300,300aは、トレンチゲート構造を有する縦型トランジスタであったが、プレーナ型の縦型トランジスタであってもよい。このような構成であっても、各実施形態と同様な効果を奏する。
各実施形態の発光層220は、窒化インジウムガリウム(InGaN)と窒化ガリウム(GaN)とを含む多重量子井戸構造を有していたが、他の材料を含む多重量子井戸構造を用いてもよい。例えば、ガリウムインジウムヒ素(GaInAs)とアルミニウムインジウムヒ素(AlInAs)とを含む多重量子井戸構造を有してもよい。
各実施形態において、ドナーとしてケイ素(Si)が用いられ、アクセプタとしてマグネシウム(Mg)が用いられていたが、本発明はこれに限定されない。ドナーとして、ゲルマニウム(Ge)や酸素(O)などを用いてもよい。また、アクセプタとして、亜鉛(Zn)や炭素(C)などを用いてもよい。
20…メサ構造
100…p型コンタクト層
110…p型バッファ層
120…p型GaN層
130…p+型GaN層
160…絶縁膜
200,200a…発光部
210,210a…p型GaNクラッド層
220…発光層
230…n型GaNクラッド層
300…駆動部
300a…駆動部
310…電流拡散層
315…n型ドリフト層
320…p型チャネル層
330…n+型コンタクト層
410,410a…ゲート電極
420,421a,422a,423a,424a…透明電極
430…パラジウム電極
500,500a…トレンチ
510,510a…ゲート絶縁膜
600…基板
D…ドレイン
G…ゲート
S…ソース
Claims (7)
- 半導体装置であって、
p型半導体層と、
前記p型半導体層の上に接して形成され、前記p型半導体層に近い側から順番に、p型クラッド層と、多重量子井戸構造を有する発光層と、n型クラッド層と、が積層された構造を有する発光部と、
前記発光部の上に形成され、前記n型クラッド層よりも平均ドーピング濃度が高く前記発光部に接するn型半導体を含む電流拡散層を有し、前記発光部を駆動する縦型トランジスタと、
を備える、半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記縦型トランジスタは、
p型半導体を有するチャネル層と、
前記チャネル層の上に形成され、n型半導体を有するn型コンタクト層と、
を更に有する、半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記縦型トランジスタは、前記n型コンタクト層と前記チャネル層とを連続して貫くトレンチを、更に有する、半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記縦型トランジスタは、
前記トレンチの表面を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜に覆われた前記トレンチ内に配置されたゲート電極と、
を更に有する、半導体装置。 - 請求項2から請求項4までのいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記縦型トランジスタは、前記電流拡散層と前記チャネル層とに挟まれ、前記電流拡散層よりもドーピング濃度が低いn型ドリフト層を、更に有する、半導体装置。 - 請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の半導体装置において、
基板を更に備え、
前記p型半導体層は、前記基板の上に接して配置されるp型半導体を含むバッファ層を有する、半導体装置。 - 請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記発光層は、窒化インジウムガリウム(InGaN)と、窒化ガリウム(GaN)と、を含む、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016183576A JP2018049895A (ja) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016183576A JP2018049895A (ja) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018049895A true JP2018049895A (ja) | 2018-03-29 |
Family
ID=61766534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016183576A Pending JP2018049895A (ja) | 2016-09-21 | 2016-09-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018049895A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021534595A (ja) * | 2018-08-24 | 2021-12-09 | マシュー ハーテンスヴェルド | ナノワイヤ発光スイッチデバイス及びその方法 |
CN114597231A (zh) * | 2022-05-10 | 2022-06-07 | 上海南麟电子股份有限公司 | 基于纳米线mosfet的压控led及其制备方法 |
WO2023038457A1 (en) * | 2021-09-09 | 2023-03-16 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode and method of fabricating the same |
-
2016
- 2016-09-21 JP JP2016183576A patent/JP2018049895A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021534595A (ja) * | 2018-08-24 | 2021-12-09 | マシュー ハーテンスヴェルド | ナノワイヤ発光スイッチデバイス及びその方法 |
JP7285491B2 (ja) | 2018-08-24 | 2023-06-02 | マシュー ハーテンスヴェルド | ナノワイヤ発光スイッチデバイス及びその方法 |
WO2023038457A1 (en) * | 2021-09-09 | 2023-03-16 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode and method of fabricating the same |
CN114597231A (zh) * | 2022-05-10 | 2022-06-07 | 上海南麟电子股份有限公司 | 基于纳米线mosfet的压控led及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI542043B (zh) | Semiconductor light emitting device | |
JP6162890B2 (ja) | マイクロ発光ダイオード | |
JP4761319B2 (ja) | 窒化物半導体装置とそれを含む電力変換装置 | |
US8519439B2 (en) | Nitride semiconductor element with N-face semiconductor crystal layer | |
JP4929882B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR20130046249A (ko) | 전극구조체, 이를 포함하는 질화갈륨계 반도체소자 및 이들의 제조방법 | |
US11309459B2 (en) | Optoelectronic semiconductor device and method of operating an optoelectronic semiconductor device | |
US20150263155A1 (en) | Semiconductor device | |
JP6561874B2 (ja) | 縦型トランジスタおよび電力変換装置 | |
JP2009021416A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2018049895A (ja) | 半導体装置 | |
US20150325680A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP2016134564A (ja) | 半導体装置 | |
US10468515B2 (en) | Semiconductor device and power converter | |
JP2015162631A (ja) | 発光素子 | |
CN111201616B (zh) | 具有氮化硼合金电子阻挡层的光电器件及制造方法 | |
US6995403B2 (en) | Light emitting device | |
KR20120022280A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 | |
US10777674B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2010073744A (ja) | トランジスタ及びその駆動方法、双方向スイッチ及びその駆動方法 | |
US20220393058A1 (en) | Optoelectronic Semiconductor Component | |
JP5701721B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5440525B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5704899B2 (ja) | シリコン発光素子に用いる活性層およびその活性層の製造方法 | |
JP7138714B2 (ja) | 窒化ホウ素合金接触層を有するiii族窒化物半導体デバイス及び製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190730 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190731 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190917 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200128 |