JP2010041048A - 半導体材料からなる発光ダイオード及び当該発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は半導体材料からなる発光ダイオードに関する。
【解決手段】 本発明の態様は、第1伝導型の半導体材料からなる構造(1)及び電気的分極手段を有する発光ダイオードである。当該構造(1)は第1面(2)を有し、該第1面(2)の第1領域は前記第1伝導型とは反対の第2伝導型の半導体材料からなるパッド(5)と接触する。前記分極手段は、前記パッド(5)上に設けられた電気コンタクト(7)、当該構造(1)の第1面又は第2面上に設けられた電気コンタクト(8)、及び、前記第1面の第2領域上に備えられ、かつ絶縁層(4)によって前記第1面から分離された、伝導性材料からなるゲート(3)、を有する。
【選択図】 図1A
【解決手段】 本発明の態様は、第1伝導型の半導体材料からなる構造(1)及び電気的分極手段を有する発光ダイオードである。当該構造(1)は第1面(2)を有し、該第1面(2)の第1領域は前記第1伝導型とは反対の第2伝導型の半導体材料からなるパッド(5)と接触する。前記分極手段は、前記パッド(5)上に設けられた電気コンタクト(7)、当該構造(1)の第1面又は第2面上に設けられた電気コンタクト(8)、及び、前記第1面の第2領域上に備えられ、かつ絶縁層(4)によって前記第1面から分離された、伝導性材料からなるゲート(3)、を有する。
【選択図】 図1A
Description
本発明は半導体材料からなる発光ダイオードに関する。本発明は特に酸化亜鉛(ZnO)又は窒化ガリウム(GaN)を含む発光ダイオードに関する。本発明はまた当該発光ダイオードの製造方法にも関する。
発光ダイオードすなわちLEDは、電流がLEDを流れるときに発光することが可能な電子部品である。白色光、有色光、赤外光、又は紫外(UV)範囲に属する光を放出するLEDが発見されてきた。LEDが有向的に分極するとき、当該ダイオードの半導体材料中での電子と正孔の再結合が光子の放出を引き起こす。
ZnOは、室温でUV領域の発光を得るのに多数の利点を供する材料である。これは、室温でのバンドギャップエネルギーが3.2eVであり、かつ、結合エネルギーが、室温での熱エネルギーである2.5meVよりもはるかに大きな60meVであるためである。しかし現時点においてZnOからのLEDの作製を制限する要因は、ダイオードを得るのに必要なp型ドーピングされたZnOを得ることである。
GaN系材料（GaN、GaInN、GaAlN）すなわち窒化物は、青色及びUV領域のLEDを商業的に製造するのに現在用いられている材料である。GaNのバンドギャップエネルギーが室温で3.42eVであるため、UV発光を得ることが可能である。しかしダイオードは主として青色発光するGaInN合金から作られている。励起子の結合エネルギーは30meVのオーダーで、ZnOよりも弱い。この励起子の結合エネルギー値は、室温で良好な発光収率を得るという観点では本質的に限界である。
半導体材料を有するLEDを作製するのに現在用いられている手法はpn接合の形成で構成されている。このことは結局p型材料をn型材料と接触させることである。従ってその接合部では空乏領域が得られる。よって得られた構造中で電流を流し、かつ空乏領域で電荷の再結合を起こすことが可能となる。これは、たとえばGaN系発光ダイオードの作製に現在用いられている手法である。GaNは自然な状態ではn型であるが、マグネシウムドーピングを用いることによってp型ドーピングが可能となる。この点については、非特許文献1及び2を参照して欲しい。
アクセプター密度が8*1020/cm3のオーダーで、かつ移動度が1015cm2/V.sのオーダーであるp型GaN及びGaAlNを得ることが可能である（非特許文献3を参照のこと）。
UV領域で発光するGaN系LEDの製造するためにpn接合を形成することは可能である。この点については、上述した非特許文献3及び非特許文献4を参照して欲しい。
田中(T.Tanaka)他、Applied Physics Letters、第65巻、pp.593、1994年
ゴッツ(W.Gotz)他、Applied Physics Letters、第68巻、pp.667、1996年
トムソン(J.D.Thomson)他、Journal of Applied Physics、第99巻、pp.024507、2006年
中村修二(S.Nakamura)他、Applied Physics Letters、第67巻、pp.1868、1995年
ZnOもまた、用いられる成長手法に関わらず、自然な状態でn型となる。p型ZnOの作製について研究が行われてきた。しかしアクセプター密度及び正孔移動度は非常に低い。現在、ZnOを用いた青色又はUV領域での強力エレクトロルミネッセンスを得ることは不可能である。
本発明は、ゲートを用いたZnO構造の領域内でドーピング型を反転させることによって、ZnOのp型ドーピングに関する問題の解決を可能にすることを意図している。当該方法は、発光を起こす任意の半導体材料-特にZnO、GaN、GaAs-に適用されて良い。当該方法は、ディスプレイ用の容易にアドレス指定可能なμmサイズのLEDマトリックスを製造するのに用いられて良い。μmサイズのLEDマトリックスでは、マトリックスの各LEDは画素すなわちピクセルを形成する。
本発明の一の態様は、第1伝導型の半導体材料からなる構造及び電気的分極手段を有する発光ダイオードであって、
当該構造は第1面を有し、該第1面の第1領域は前記第1伝導型とは反対の第2伝導型の半導体材料からなるパッドと接触し、
前記分極手段は、前記パッド上に設けられた電気コンタクト、当該構造の第1面又は第2面上に設けられた電気コンタクト、及び、前記第1面の第2領域上に備えられ、かつ絶縁層によって前記第1面から分離された、伝導性材料からなるゲート、を有する、
ことを特徴とする。
当該構造は第1面を有し、該第1面の第1領域は前記第1伝導型とは反対の第2伝導型の半導体材料からなるパッドと接触し、
前記分極手段は、前記パッド上に設けられた電気コンタクト、当該構造の第1面又は第2面上に設けられた電気コンタクト、及び、前記第1面の第2領域上に備えられ、かつ絶縁層によって前記第1面から分離された、伝導性材料からなるゲート、を有する、
ことを特徴とする。
一の特定実施例によると、前記ゲートは、前記パッドを取り囲む、中心穴を有するディスクである。
半導体材料からなる前記パッドは、前記構造の第1面に形成されるキャビティ内に収容されて良い。
前記第1伝導型の半導体材料は、ZnO、GaN、及びGaAsから選ばれて良い。この場合、前記パッドの半導体材料は、ZnO、GaN、GaInN、GaAs及びGaInAsから選ばれて良い。
前記第1伝導型の半導体材料はダイアモンドであって良い。この場合、前記パッドの半導体材料は、MgO、ZnO、及びZnMgOから選ばれて良い。
前記ゲートは、金属及び金属合金から選ばれた材料であって良い。前記金属は、金、銅、及び白金から選ばれることが好ましい。
前記絶縁層はSiO2であって良い。
前記電気コンタクトは、金、銅、及び白金から選ばれた材料であって良い。
他の実施例によると、半導体材料からなる前記構造は量子井戸構造である。半導体材料からなる前記構造はZnMgOとZnOの量子井戸構造であって良い。前記分極手段は、前記ダイオードが分極するときのpn接合に前記量子井戸を設けることが可能である。
本発明の第2態様は第1伝導型の半導体材料からなる構造から発光ダイオードを製造する方法である。
当該方法は、前記第1伝導型とは反対の第2伝導型を有する半導体材料からなるパッドを前記構造の第1面の第1領域内に形成する工程、及びダイオード分極手段を形成する工程を有する。当該ダイオード分極手段を形成する工程は：
前記パッド上に電気コンタクトを形成する工程；
前記構造の第1面又は第2面上に電気コンタクトを形成する工程；及び、
前記第1面の第2領域上に備えられ、かつ絶縁層によって前記第1面から分離された、伝導性材料からなるゲートを形成する工程；
を有する。
前記パッド上に電気コンタクトを形成する工程；
前記構造の第1面又は第2面上に電気コンタクトを形成する工程；及び、
前記第1面の第2領域上に備えられ、かつ絶縁層によって前記第1面から分離された、伝導性材料からなるゲートを形成する工程；
を有する。
本発明は、発光を生じる任意の半導体構造（ZnO、GaN、GaAs等）に適用される。本発明は、ディスプレイ用の容易にアドレス指定可能なμmサイズのLEDマトリックスを製造するのに用いられて良い。μmサイズのLEDマトリックスでは、マトリックスの各LEDは画素すなわちピクセルを形成する。
添付の図面と共に非限定的な例として与えられている以降の詳細な説明を読むことで、本発明はより良く理解され、かつ他の利点及び態様も明らかとなる。
図1A及び図1Bはそれぞれ、本発明による発光ダイオードの断面図及び上面図である。
当該ダイオードは、第1伝導型を有する半導体材料からなる構造1を有する。構造1の第1面2上には、ゲート3が伝導性材料で形成されている。ゲート3は絶縁材料層4によって面2から分離されている。この実施例では、ゲート3及び層4は、共通の中心穴を有するディスク形状である。その共通の中心穴は、第1伝導型とは反対の第2伝導型を有する半導体材料からなるパッド5を曝露させる。たとえば構造1の材料はn型のZnOであり、パッド5の材料はイオン注入によってp型ドーピングされたZnOである。
パッド5は、第1面2で形成される構造1のキャビティ6内に収容される。
電気的接続が、得られたダイオード上に形成される。その電気的接続は、ゲート3との接続、パッド5上に備えられたコンタクト7、及び構造1の第1面2と対向する第2面9上に備えられたコンタクト8を有する。変化型として、コンタクト8は構造1の第1面2上に備えられても良い。
例として、構造1の厚さは100nmから50μmの範囲であって良く、絶縁層4の厚さは30nmから70nmの間に属して良い。ゲート3が中心に穴を有するディスクである場合、そのディスク径は数分の1μmから数mmの間で変化して良い。ディスクの中心穴の径及びキャビティ6の径は、数百nmから1μmの間で変化して良い。
構造1の半導体材料はn型であって良い。その場合、パッド5の半導体材料はp型である。逆に、構造1の半導体材料がp型の場合、パッドの半導体材料はn型である。
たとえばn型のZnOからなる構造1がZnOウエハから作製される。絶縁材料層は構造1の面2上に形成される。これはたとえば、陰極スパッタリングによって堆積されるSiO2層であって良い。伝導性材料層-たとえば陰極スパッタリングによって堆積された金の層-が、絶縁材料層上に形成される。よって絶縁層及び伝導層は、反応性イオンエッチング(RIE)によってリソグラフィ及びエッチングされることで、中心に穴の開いたディスク形状となる。リソグラフィは、直径100nmから200nmのナノメータ球を用いて良い。
続いてキャビティ6が反応性イオンエッチングによってエッチングされ、伝導層と絶縁層がエッチングマスクを形成する。続いてキャビティ6では、p型半導体材料のパッド5は、パッド5の材料が構造1の材料とは異なる型である場合には、有機金属成長、電気分解、又は分子線エピタキシー法によって堆積される。イオン注入又は構造1の材料中でのドーパント拡散によって、キャビティ6内にp型半導体材料のパッド5を形成することが可能である。
次に、堆積とリフトオフ、又は堆積とエッチングによって、コンタクト7が面5上に形成され、コンタクト8が面9上に形成される。
パッド5のp型半導体材料のバンドギャップはZnOのバンドギャップに近い。パッド5のp型半導体材料のドーピングレベルは必ずしも非常に高いというわけではなく、正孔移動度も非常に高いというわけではない。このp型材料は単に、p型コンタクトとしての使用、及び、図2に図示されているように負の電圧を印加することによって形成される反転領域内での正孔の注入を可能にするだけである。
図2はこのようにして形成されたダイオードの実施例を図示している。電極8に印加することで、構造1の電位に対して約-10Vの負の電圧をゲートへ印加することによって、「pn擬接合」が得られる。コンタクトp（コンタクト7）及びコンタクトn（コンタクト8）を介して構造へ電流を流すことによって、正孔をp型領域10へ注入し、かつ電子をn型領域11へ注入することが可能となり、その結果エレクトロルミネッセンスが実現される。ダイオードの発光は、ゲートに印加される電圧によって制御されて良い。本発明は任意の型の半導体材料に適用される。たとえば、真性のn型材料、又は容易にn型ドーピングされうるが容易にp型ドーピングできない材料（ZnO、GaN等）、又は容易にp型ドーピングできるがn型ドーピングの困難な材料（たとえばダイアモンド）に適用されて良い。
容易にp型ドーピングできるがn型ドーピングの困難な材料-たとえばダイアモンド-では、たとえ材料が不十分にしかドーピングされておらず不十分な移動度であるとしても、ゲート開口部内にn型半導体材料を堆積し、かつ電極8によって印加されることで、構造1の電位に対して約10Vの正の電圧をゲートへ印加して、自然な状態でp型の領域をn型へ反転させることが必要である。図3はこのようにして作製されたダイオードの実施例を図示している。コンタクトn（コンタクト7）及びコンタクトp（コンタクト8）の手段によって最初はp型である（たとえばダイアモンドのような）構造1に電流を流すことによって、電子をn型領域12へ注入し、かつ正孔をp型領域13へ注入することで、エレクトロルミネッセンスを実現することが可能となる。ダイオードの発光は、ゲートに印加される電圧によって制御されて良い。
以下の結果は、自然の状態でn型であるGaN構造の密度が1018/cm3、及び200nmのゲート開口部を有するp型GaNパッドの密度が1016/cm3の状態で得られた。ゲートへ-5Vの電圧を印加することで、ゲートの下にp型領域を得ることが可能となる。これはゲートの下100nmにまで拡張することができる。この領域では、図2の参照番号10で示されているように、1〜10mAの電流で、放射性再結合の良好な効率が実現される。
構造に用いられる材料とは異なる型の材料が、ゲート開口部内にp型材料を有するヘテロ接合を用いるときにもまた、良好な結果を得ることが可能である。これらの結果は、自然の状態でn型であるGaN構造の密度が1018/cm3、及び200nmのゲート開口部を有するp型GaNパッドの密度が1016/cm3の状態で得られた。GaInN中でのインジウムの割合は、バンドギャップエネルギーが3.4eVとなるような値である。1mA〜10mAの電流では、ゲート付近では、良好な放射性再結合が実現される。
再結合効率を増大させるため、量子井戸構造が用いられて良い。反転領域の深さは、たとえばpn接合に量子井戸が存在するように調節可能なゲート電圧によって制御されて良い。
図4は当該発光ダイオードの実施例を図示している。構造1は、ZnMgO領域15と16の間に挟まれたZnO領域14を有する。ゲート3へ負の電圧を印加することによって、自然の状態でn型であるZnMgO領域16をp型領域へ反転し、かつ量子井戸14をpn接合に設けることが可能となる。
本発明によって、n型又はp型ドーピングが難しい半導体材料からさえも発光ダイオードを製造することが可能となる。
本発明はまた、単にゲート電圧を印加することによって発光が制御されるLEDマトリックスの製造をも可能にする。
1 構造
2 第1面
3 ゲート
4 絶縁材料層
5 パッド
6 キャビティ
7 コンタクト
8 コンタクト
9 第2面
10 p型領域
11 n型領域
12 n型領域
13 p型領域
14 ZnO領域
15 ZnMgO領域
16 ZnMgO領域
2 第1面
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4 絶縁材料層
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14 ZnO領域
15 ZnMgO領域
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Claims (14)
- 第1伝導型の半導体材料からなる構造及び電気的分極手段を有する発光ダイオードであって、
当該構造は第1面を有し、該第1面の第1領域は前記第1伝導型とは反対の第2伝導型の半導体材料からなるパッドと接触し、
前記分極手段は：
前記パッド上に設けられた電気コンタクト；
当該構造の第1面又は第2面上に設けられた電気コンタクト；及び、
前記第1面の第2領域上に備えられ、かつ絶縁層によって前記第1面から分離された、伝導性材料からなるゲート；
を有する、
ことを特徴とする、発光ダイオード。 - 前記ゲートが、前記パッドを取り囲む、中心穴を有するディスクである、請求項1に記載の発光ダイオード。
- 半導体材料からなる前記パッドは、前記構造の第1面に形成されるキャビティ内に収容される、請求項1又は2に記載の発光ダイオード。
- 前記第1伝導型の半導体材料が、ZnO、GaN、及びGaAsから選ばれる、請求項1-3のいずれかに記載の発光ダイオード。
- 前記パッドの半導体材料は、ZnO、GaN、GaInN、GaAs及びGaInAsから選ばれる、請求項4に記載の発光ダイオード。
- 前記第1伝導型の半導体材料がダイアモンドである、請求項1-3のいずれかに記載の発光ダイオード。
- 前記パッドの半導体材料が、MgO、ZnO、及びZnMgOから選ばれる、請求項6に記載の発光ダイオード。
- 前記ゲートが、金、銅、及び白金から選ばれた材料である、請求項1-7のいずれかに記載の発光ダイオード。
- 前記絶縁コンタクトがSiO2である、請求項1-8のいずれかに記載の発光ダイオード。
- 前記電気コンタクトが、金、銅、及び白金から選ばれた材料である、請求項1-8のいずれかに記載の発光ダイオード。
- 半導体材料からなる前記構造が量子井戸構造である、請求項1-3のいずれかに記載の発光ダイオード。
- 半導体材料からなる前記構造がZnMgOとZnOの量子井戸構造である、請求項11に記載の発光ダイオード。
- 前記分極手段が、前記ダイオードが分極するときのpn接合に前記量子井戸を設けることを可能にする、請求項11又は12に記載の発光ダイオード。
- 第1伝導型の半導体材料からなる構造から発光ダイオードを製造する方法であって：
前記第1伝導型とは反対の第2伝導型を有する半導体材料からなるパッドを前記構造の第1面の第1領域内に形成する工程、及びダイオード分極手段を形成する工程を有し、
当該ダイオード分極手段を形成する工程は：
前記パッド上に電気コンタクトを形成する工程；
前記構造の第1面又は第2面上に電気コンタクトを形成する工程；及び、
前記第1面の第2領域上に備えられ、かつ絶縁層によって前記第1面から分離された、伝導性材料からなるゲートを形成する工程；
を有する、
ことを特徴とする方法。
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