KR20210042022A - 부가 경화형 실리콘 조성물, 그의 경화물, 및 반도체 장치 - Google Patents

부가 경화형 실리콘 조성물, 그의 경화물, 및 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

[과제] 경도 및 인성이 높고, 단파장 영역의 광투과성이 우수한 경화물을 부여하는 부가 경화형 실리콘 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[해결수단] 하기 (A), (B) 및 (C)를 포함하는 부가 경화형 실리콘 조성물.
(A) 하기 식 (1)로 표시되는 유기 규소 화합물과, 하기 식 (2)로 표시되는 직쇄상 실록산 및 하기 식 (3)으로 표시되는 삼차원 망상 실록산의 부가 반응물이며, 1분자 중에 SiH기를 2개 이상 갖는 부가 반응물,
Figure pat00020

(R5 3SiO1/2)c(R5 2SiO2/2)d(SiO4/2)e(XO1/2)f (3)
(B) 알케닐기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물,
(C) 히드로실릴화 반응 촉매.

Description

부가 경화형 실리콘 조성물, 그의 경화물, 및 반도체 장치{ADDITION-CURABLE SILICONE COMPOSITION, CURED PRODUCT THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 부가 경화형 실리콘 조성물, 그의 경화물, 및 해당 경화물을 사용한 반도체 장치에 관한 것이다.
부가 경화형 실리콘 조성물은, 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 함유하는 오르가노폴리실록산 및 규소에 결합한 수소 원자를 갖는 유기 규소 화합물을 포함하고, 히드로실릴화 반응에 의해 경화하여 경화물을 부여한다. 이와 같이 하여 얻어지는 경화물은, 내열성, 내한성, 전기 절연성이 우수하고, 또한, 투명하기 때문에, 발광 다이오드(LED)의 밀봉재 등의 각종 광학 용도에 사용되고 있다(특허문헌 1, 특허문헌 2).
그러나, 일반적으로 실리콘을 포함하는 광학 소자 밀봉재는 가스 배리어성이 낮아, 외부로부터의 부식성 가스의 침입에 의해 은 전극이 변색되는 결과, LED의 휘도가 저하되어버리는 경우가 있다.
그래서, 다환식 탄화수소 골격을 함유하는 부가 경화형 실리콘 조성물을 사용한 광학 소자 밀봉재가 제안되어 있다(특허문헌 3, 4). 이러한 조성물로부터 얻어지는 밀봉재는 높은 가스 배리어성을 갖기 때문에, 외부로부터의 부식성 가스의 침입을 방지하여, 은 전극의 변색을 억제하는 것이 가능하다. 또한, 해당 조성물을 포함하는 경화물은 매우 우수한 인성을 갖고 있으며, 이에 의해 열충격 등의 외적 영향에 의한 크랙 등을 억제할 수 있다. 그러나, 이들 다환식 탄화수소 골격을 함유하는 부가 경화형 실리콘 조성물은 열에 의해 변색되기 쉽다고 하는 결점이 있기 때문에, 특히 하이파워의 LED에는 사용할 수 없다는 문제가 존재하고 있다.
일본 특허 공개 제2004-186168호 공보 일본 특허 공개 제2004-143361호 공보 일본 특허 공개 제2008-069210호 공보 일본 특허 공개 제2012-046604호 공보
본 발명은 상기 문제를 해결하기 위하여 이루어진 것이며, 투명성, 내열 변색성, 인성이 우수한 경화물을 부여하는 부가 경화형 실리콘 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 달성하기 위해서, 본 발명에서는, 하기 (A), (B) 및 (C)를 포함하는 부가 경화형 실리콘 조성물을 제공한다.
(A) 하기 식 (1)로 표시되는 유기 규소 화합물과, 하기 식 (2)로 표시되는 직쇄상 실록산 및 하기 식 (3)으로 표시되는 삼차원 망상 실록산의 부가 반응물이며, 1분자 중에 SiH기를 2개 이상 갖는 부가 반응물,
Figure pat00001
(식 중, R1은 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 2가 탄화수소기이다.)
Figure pat00002
(식 중, R2, R4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이며, R3은 독립적으로 단결합 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 2가 탄화수소기이다. a는 1 내지 3의 정수이며, b는 0 내지 100의 정수이다.)
(R5 3SiO1/2)c(R5 2SiO2/2)d(SiO4/2)e(XO1/2)f (3)
(식 중, R5는 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이며, 단, R5의 전수 중 0.1 내지 40％는 알케닐기이며, 또한, 10 내지 99.9％는 아릴기이다. X는 수소 원자 또는 알킬기이며, c는 0.1 내지 0.5의 수이며, d는 0.1 내지 0.6의 수이며, e는 0.2 내지 0.8의 수이며, f는 0 내지 0.2의 수이며, c+d+e+f=1이다.)
(B) 알케닐기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물,
(C) 히드로실릴화 반응 촉매
본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물이면, 투명성, 내열 변색성, 인성이 우수한 경화물을 부여하는 부가 경화형 실리콘 조성물을 제공할 수 있다.
본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물은, 상기 R1이 페닐렌기이며, R2, R4가 독립적으로 메틸기 또는 페닐기이며, R3이 단결합인 것이 바람직하다.
본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물은, 또한 상기 직쇄상 실록산이, 하기 식 (4)로 표시되는 직쇄상 실록산을 포함하는 것이 바람직하다.
[(CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]2[(C6H5)2SiO2/2]b (4)
(식 중, b는 상기한 바와 같다.)
또한, 상기 삼차원 망상 실록산이, 하기 식 (5)로 표시되는 삼차원 망상 실록산을 포함하는 것이 바람직하다.
[(CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]c[(C6H5)2SiO2/2]d[SiO4/2]e (5)
(식 중, c, d, e는 상기한 바와 같으며, c+d+e=1이다.)
또한, 본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물은, 상기 (B)가 하기 식 (6)으로 표시되는 실록산을 포함하는 것이 바람직하다.
Figure pat00003
(식 중, R6은 독립적으로 메틸기 또는 페닐기이며, R7은 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이며, g는 0 내지 50의 정수이며, h는 0 내지 100의 정수이다. 단, g가 0인 때 R6은 페닐기이며, 또한, h는 1 내지 100의 정수이다. 괄호가 첨부된 실록산 단위의 배열은 임의이면 된다.)
또한, 상기 (B)가 하기 식 (7)로 표시되는 실록산을 포함하는 것이 바람직하다.
[(CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]2[(C6H5)2SiO2/2]i (7)
(식 중, i는 1 내지 50의 정수이다.)
상기 (B)는 상기 식 (3)으로 표시되는 삼차원 망상 실록산을 포함해도 된다.
또한, 상기 (B)가 하기 식 (5)로 표시되는 삼차원 망상 실록산을 포함하는 것이 바람직하다.
[(CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]c[(C6H5)2SiO2/2]d[SiO4/2]e (5)
(식 중, c, d, e는 상기한 바와 같으며, c+d+e=1이다.)
본 발명에 있어서, 상기 R1이나, 상기 직쇄상 실록산, 상기 삼차원 망상 실록산, (B) 성분 등이 상기와 같은 것이면, 보다 확실하게 본 발명의 효과를 발휘할 수 있다.
또한 본 발명은 상기 부가 경화형 실리콘 조성물을 경화하여 이루어지는 경화물을 제공한다.
본 발명의 경화물이면, 투명성, 내열 변색성, 인성이 우수하다.
본 발명의 경화물은, 180℃에서 1,000시간 정치 후, 두께 2㎜에 있어서의 파장 400㎚의 광투과율(25℃)이 60％ 이상인 것이 바람직하다.
이러한 광투과율을 갖는 경화물이면, 발광 다이오드 소자의 보호, 밀봉 혹은 접착, 파장 변경 혹은 조정 또는 렌즈 등의 용도에 적합하게 사용할 수 있는 것 외에, 렌즈 재료, 광학 디바이스 혹은 광학 부품용 밀봉재, 디스플레이 재료 등의 각종 광학 부품용 재료, 전자 디바이스 혹은 전자 부품용 절연 재료, 나아가서는 코팅 재료로서도 유용한 재료가 된다.
또한 본 발명은 상기 경화물에 의해 반도체 소자가 피복된 것인 반도체 장치를 제공한다.
사용하는 본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물이 투명성, 내열 변색성, 인성이 우수한 경화물을 형성하기 때문에, 이 부가 경화형 실리콘 조성물을 사용한 본 발명의 반도체 장치는 신뢰성이 우수한 것이 된다.
본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물은, 투명성, 내열 변색성, 인성이 우수한 경화물을 부여할 수 있다. 따라서, 발광 다이오드 소자의 보호, 밀봉 혹은 접착, 파장 변경 혹은 조정 또는 렌즈 등의 용도에 적합하게 사용할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물로부터 얻어지는 경화물은, 발광 다이오드 소자의 보호, 밀봉 혹은 접착, 파장 변경 혹은 조정 또는 렌즈 등의 용도에 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 렌즈 재료, 광학 디바이스 혹은 광학 부품용 밀봉재, 디스플레이 재료 등의 각종 광학 부품용 재료, 전자 디바이스 혹은 전자 부품용 절연 재료, 나아가서는 코팅 재료로서도 유용하다. 또한, 이러한 경화물을 사용한 본 발명의 반도체 장치는 신뢰성이 우수한 것이 된다.
도 1은 본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물의 경화물을 사용한 광반도체 장치의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
상술한 바와 같이, 투명성, 내열 변색성, 인성이 우수한 경화물을 부여하는 부가 경화형 실리콘 조성물의 개발이 요구되고 있었다.
본 발명자는, 상기 과제에 대하여 예의 검토를 거듭한 결과, 특정한 성분을 포함하는 부가 경화형 실리콘 조성물이면 상기 과제를 해결할 수 있음을 알아내고, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은 하기 (A), (B) 및 (C)를 포함하는 부가 경화형 실리콘 조성물이다.
(A) 하기 식 (1)로 표시되는 유기 규소 화합물과, 하기 식 (2)로 표시되는 직쇄상 실록산 및 하기 식 (3)으로 표시되는 삼차원 망상 실록산의 부가 반응물이며, 1분자 중에 SiH기를 2개 이상 갖는 부가 반응물,
Figure pat00004
(식 중, R1은 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 2가 탄화수소기이다.)
Figure pat00005
(식 중, R2, R4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이며, R3은 독립적으로 단결합 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 2가 탄화수소기이다. a는 1 내지 3의 정수이며, b는 0 내지 100의 정수이다.)
(R5 3SiO1/2)c(R5 2SiO2/2)d(SiO4/2)e(XO1/2)f (3)
(식 중, R5는 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이며, 단, R5의 전수 중 0.1 내지 40％는 알케닐기이며, 또한, 10 내지 99.9％는 아릴기이다. X는 수소 원자 또는 알킬기이며, c는 0.1 내지 0.5의 수이며, d는 0.1 내지 0.6의 수이며, e는 0.2 내지 0.8의 수이며, f는 0 내지 0.2의 수이며, c+d+e+f=1이다.)
(B) 알케닐기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물,
(C) 히드로실릴화 반응 촉매
이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
[부가 경화형 실리콘 조성물]
[(A) 성분]
본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물에 있어서의 (A) 성분은, 하기 식 (1)로 표시되는 유기 규소 화합물과, 하기 식 (2)로 표시되는 직쇄상 실록산 및 하기 식 (3)으로 표시되는 삼차원 망상 실록산의 부가 반응물이며, 1분자 중에 SiH기를 2개 이상 갖는 부가 반응물이다.
Figure pat00006
(식 중, R1은 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 2가 탄화수소기이다.)
Figure pat00007
(식 중, R2, R4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이며, R3은 독립적으로 단결합 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 2가 탄화수소기이다. a는 1 내지 3의 정수이며, b는 0 내지 100의 정수이다.)
(R5 3SiO1/2)c(R5 2SiO2/2)d(SiO4/2)e(XO1/2)f (3)
(식 중, R5는 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이며, 단, R5의 전수 중 0.1 내지 40％는 알케닐기이며, 또한, 10 내지 99.9％는 아릴기이다. X는 수소 원자 또는 알킬기이며, c는 0.1 내지 0.5의 수이며, d는 0.1 내지 0.6의 수이며, e는 0.2 내지 0.8의 수이며, f는 0 내지 0.2의 수이며, c+d+e+f=1이다.)
상기 식 (1)에 있어서, R1로 표시되는 탄소 원자수 1 내지 12의 2가 탄화수소기로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, n-부틸렌기, n-펜틸렌기, n-헥실렌기, 시클로헥실렌기, n-옥틸렌기 등의 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기 등의 아릴렌기 등이나, 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소, 브롬, 염소 등의 할로겐 원자 등으로 치환된 것을 들 수 있고, R1로서는, 페닐렌기가 특히 바람직하다.
상기 식 (1)로 표시되는 유기 규소 화합물의 적합한 구체예를 하기에 나타내지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 식 (1)로 표시되는 유기 규소 화합물은 1종 단독으로든 2종 이상을 조합해서든 사용할 수 있다.
Figure pat00008
상기 식 (2)에 있어서, R2 및 R4로 표시되는 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 옥틸기 등의 알킬기, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기 등의 알케닐기, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등의 아릴기, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기 등의 아르알킬기 등이나, 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소, 브롬, 염소 등의 할로겐 원자 등으로 치환된 것을 들 수 있고, 메틸 또는 페닐기가 바람직하다.
R3으로 표시되는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 4의 2가 탄화수소기로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, n-부틸렌기 등의 알킬렌기를 들 수 있다. R3이 단결합일 경우에는, 규소 원자에 비닐기가 직접 결합하고 있는 유기 규소 화합물을 나타낸다. R3으로서는 단결합이 특히 바람직하다.
a는 1 내지 3의 정수이며, 1인 것이 바람직하다. b는 0 내지 100의 정수이며, 0 내지 10이 바람직하고, 0이 보다 바람직하다. b가 100을 초과하면, 경화물의 경도가 불충분한 것이 되는 경우가 있다.
상기 식 (2)로 표시되는 직쇄상 실록산의 구체예를 하기에 나타내지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 식 (2)로 표시되는 직쇄상 실록산은 1종 단독으로든 2종 이상을 조합해서든 사용할 수 있다.
Figure pat00009
이러한 직쇄상 실록산 중에서도, 하기 식 (4)로 표시되는 것이 바람직하다.
[(CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]2[(C6H5)2SiO2/2]b (4)
(식 중, b는 상기한 바와 같다.)
상기 식 (3)에 있어서, R5는 독립적으로 치환 혹은 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이며, 단, R5의 전수 중 0.1 내지 40％는 알케닐기이며, 바람직하게는 0.1 내지 20％, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 10％이다. 알케닐기가 40％를 초과하면, 경화물이 취성이 되어 인성이 떨어지는 것이 되는 경우가 있다.
또한, R5의 전수 중 10 내지 99.9％는 아릴기이며, 바람직하게는 30 내지 99.9％, 더욱 바람직하게는 50 내지 99.9％이다. 아릴기가 10％ 미만이면, 다른 성분과의 상용성이 떨어지는 경우가 있다.
R5 중, 알케닐기 및 아릴기 이외의 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기로서는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, t-부틸기 등의 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기; 클로로메틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 탄소 원자수 1 내지 4의 할로알킬기를 들 수 있다. 그 중에서도, 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기가 바람직하고, 특히 바람직하게는 메틸기이다.
c는 0.1 내지 0.5, d는 0.1 내지 0.6, e는 0.2 내지 0.8, f는 0 내지 0.2의 수이며, c+d+e+f=1.0이다. 바람직하게는 c는 0.1 내지 0.4, d는 0.1 내지 0.5, e는 0.3 내지 0.8, f는 0 내지 0.1의 수이며, 더욱 바람직하게는, c는 0.15 내지 0.4, d는 0.2 내지 0.5, e는 0.3 내지 0.65의 수이며, f는 0이다. c가 0.1 미만이면 (A) 성분의 가교제로서의 기능이 부족하고, c가 0.5를 초과하면, 경화물이 취성이 되어 인성이 떨어지는 것이 되는 경우가 있다. d가 0.1 미만이면 경화물이 인성이 떨어지는 것이 되는 경우가 있고, d가 0.6을 초과하면 경화물의 경도가 불충분한 것이 되는 경우가 있다. e가 0.2 미만이면 경화물의 경도가 불충분한 것이 되는 경우가 있고, e가 0.8을 초과하면 경화물이 취성이 되어 인성이 떨어지는 것이 되는 경우가 있다. f가 0.2를 초과하면 조성물의 보존 안정성이 악화되거나, 조성물 중의 다른 성분과의 상용성이 저하되는 것에 의해 투명성이 손상되는 경우가 있다.
상기 식 (3)으로 표시되는 삼차원 망상 실록산은, 예를 들어 디클로로디페닐실란이나 디알콕시디페닐실란 등의 2 관능성 실란과 테트라클로로실란이나 테트라알콕시실란 등을 가수분해·축합시킨 후, 또는 가수분해·축합과 동시에, 알케닐기를 함유하는 실록산 단위로 말단을 봉쇄함으로써 얻을 수 있다.
상기 식 (3)으로 표시되는 삼차원 망상 실록산의 구체예를 하기에 나타내지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 식 (3)으로 표시되는 화합물은 1종 단독으로든 2종 이상을 조합해서든 사용할 수 있다.
[(CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]0.25[(C6H5)2SiO2/2]0.3[SiO4/2]0.45
[(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2]0.25[(C6H5)2SiO2/2]0.3[SiO4/2]0.45
이러한 삼차원 망상 실록산 중에서도, 하기 식 (5)로 표시되는 것이 바람직하다.
[(CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]c[(C6H5)2SiO2/2]d[SiO4/2]e (5)
(식 중, c, d, e는 상기한 바와 같으며, c+d+e=1이다.)
[(A) 성분의 조제]
본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물에 있어서의 (A) 성분은, 상기 식 (2)로 표시되는 직쇄상 실록산 및 상기 식 (3)으로 표시되는 삼차원 망상 실록산 중에 포함되는 알케닐기 1몰에 대하여 상기 식 (1)로 표시되는 화합물을, 과잉량, 바람직하게는 1몰을 초과하고 10몰 이하, 보다 바람직하게는 1.5몰을 초과하고 5몰 이하 혼합하여 양자의 존재 하에서 히드로실릴화 반응을 행함으로써 얻을 수 있다.
(A) 성분 중에, 상기 식 (2)로 표시되는 직쇄상 실록산 및 상기 식 (3)으로 표시되는 삼차원 망상 실록산에서 유래되는 미반응된 알케닐기가 존재하고 있어도 되지만, 모든 알케닐기가 히드로실릴화 반응하고 있는 것이 바람직하다.
상기 히드로실릴화 반응에 사용하는 촉매로서는, 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 백금 금속을 담지한 카본 분말, 백금흑, 염화 제2백금, 염화백금산, 염화백금산과 1가 알코올의 반응 생성물, 염화백금산과 올레핀류의 착체, 백금 비스아세토아세테이트 등의 백금계 촉매; 팔라듐계 촉매, 로듐계 촉매 등의 백금족 금속계 촉매를 들 수 있다. 또한, 부가 반응 조건, 정제 조건, 용매의 사용 등에 대해서는 특별히 한정되지 않고 공지된 방법을 사용하면 된다.
본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물에 있어서의 (A) 성분은, 1종의 화합물을 포함하는 것이어도 되고, 2종 이상의 화합물의 조합(혼합물)을 포함하는 것이어도 된다.
(A) 성분을 구성하는 화합물 1분자 중에 SiH기를 2개 이상 갖는 것은 적절한 측정 수단을 선택함으로써 확인할 수 있다. (A) 성분을 구성하는 화합물이 2종 이상인 경우에는, 적절한 측정 수단의 조합(예를 들어, 1H-NMR과 GPC 등)을 선택함으로써 화합물마다 1분자 중에 SiH기를 2개 이상 갖는 것을 확인할 수 있다.
[(B) 성분]
본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물에 있어서의 (B) 성분은, 알케닐기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이다.
알케닐기로서는, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기 등의 직쇄상 알케닐기, 노르보르네닐기, 시클로헥세닐기 등의 환상 알케닐기를 들 수 있고, 비닐기, 알릴기가 바람직하다.
(B) 성분의 구체예로서는, 특별히 한정되지 않지만, 분자쇄 양쪽 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸비닐실록산 공중합체, 분자쇄 양쪽 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·디페닐실록산·메틸비닐실록산 공중합체, 분자쇄 양쪽 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·디페닐실록산 공중합체 등을 들 수 있다.
또한, 실록산 이외의 것으로서는 하기 식으로 표시되는 화합물 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00010
(B) 성분은, 하기 식 (6)으로 표시되는 직쇄상의 오르가노폴리실록산을 포함하는 것이 바람직하다.
Figure pat00011
(식 중, R6은 독립적으로 메틸기 또는 페닐기이며, R7은 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이며, g는 0 내지 50의 정수이며, h는 0 내지 100의 정수이다. 단, g가 0인 때 R6은 페닐기이며, 또한, h는 1 내지 100의 정수이다. 괄호가 첨부된 실록산 단위의 배열은 임의이면 된다.)
R7로 표시되는 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 옥틸기 등의 알킬기, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기 등의 알케닐기, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등의 아릴기, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기 등의 아르알킬기 등이나, 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소, 브롬, 염소 등의 할로겐 원자 등으로 치환된 것을 들 수 있고, 그 중에서도, 탄소 원자수 1 내지 6의 알킬기, 페닐기, 비닐기가 바람직하고, 특히 메틸기가 바람직하다.
상기 식 (6)에 있어서, g는 0 내지 50의 정수로 할 수 있고, 1 내지 10인 것이 바람직하고, 1 내지 7인 것이 보다 바람직하고, 1 내지 4인 것이 더욱 바람직하다. h는 0 내지 100의 정수로 할 수 있고, 0 내지 50인 것이 바람직하고, 0 내지 10인 것이 보다 바람직하고, 0 내지 4인 것이 더욱 바람직하다.
식 (6)으로 표시되는 오르가노폴리실록산은, 예를 들어, 디클로로디페닐실란이나 디알콕시디페닐실란 등의 2 관능성 실란을 가수분해·축합시킨 후, 또는 가수분해·축합과 동시에, 알케닐기를 함유하는 실록산 단위로 말단을 봉쇄함으로써 얻어진다.
식 (6)으로 표시되는 오르가노폴리실록산은, 하기 식 (7)로서도 표시할 수 있다.
[(CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]2[(C6H5)2SiO2/2]i (7)
(식 중, i는 1 내지 50의 정수이다.)
식 (6), (7)로 표시되는 오르가노폴리실록산의 적합한 구체예를 하기에 나타내지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
[(CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]2[(C6H5)2SiO2/2]3
[(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2]2[(C6H5)2SiO2/2]3
또한, (B) 성분은 하기 식 (3)으로 표시되는 삼차원 망상 오르가노폴리실록산을 함유해도 된다.
(R5 3SiO1/2)c(R5 2SiO2/2)d(SiO4/2)e(XO1/2)f (3)
(식 중, R5, X, c, d, e, 및 f는 상기한 바와 같으며, c+d+e+f=1이다.)
삼차원 망상 실록산으로서는, 상기 (A) 성분에 있어서 예시된 것과 마찬가지의 것을 들 수 있고, 하기 식 (5)로 표시되는 것이 바람직하다.
[(CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]c[(C6H5)2SiO2/2]d[SiO4/2]e (5)
(식 중, c, d, e는 상기한 바와 같으며, c+d+e=1이다.)
삼차원 망상 실록산의 구체예를 하기에 나타내지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
[(CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]0.25[(C6H5)2SiO2/2]0.3[SiO4/2]0.45
[(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2]0.25[(C6H5)2SiO2/2]0.3[SiO4/2]0.45
(B) 성분은, 1종 단독으로든 2종 이상을 조합해서든 사용할 수 있다.
(B) 성분의 배합량은, 조성물 중의 알케닐기에 대한 SiH기의 몰비(SiH기/알케닐기)가 0.5 이상 5 이하가 되는 양이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.8 이상 2 이하가 되는 양이다. 상기 몰비(SiH기/지방족 불포화기)가 0.5 이상 5 이하이면 본 발명의 조성물을 충분히 경화시킬 수 있다.
[(C) 성분]
본 발명의 (C) 성분인 히드로실릴화 반응 촉매는, 상기 (A) 성분의 조제에 사용되는 것과 마찬가지의 것을 사용할 수 있다.
본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물로의 (C) 성분의 배합량은, 촉매로서의 유효량이면 되고, 특별히 제한되지 않지만, 조성물 전체의 질량에 대하여 백금족 금속 원자로서, 바람직하게는 1 내지 500ppm, 보다 바람직하게는 1 내지 100ppm, 더욱 바람직하게는 2 내지 12ppm이 되는 양을 배합하는 것이 바람직하다. 상기 범위 내의 배합량으로 함으로써, 경화 반응에 요하는 시간이 적당한 것이 되어, 경화물의 착색을 억제할 수 있다.
[그 밖의 성분]
본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물에는, 상기 (A) 내지 (C) 성분에 추가로, 필요에 따라 산화 방지제, 무기 충전제, 접착성 향상제 등의 성분을 배합해도 된다.
[산화 방지제]
본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물의 경화물 중에는, 상기 (B) 성분 중의 부가 반응성 탄소-탄소 이중 결합이 미반응인채로 잔존하고 있는 경우가 있고, 그것이 대기 중의 산소에 의해 산화됨으로써 경화물이 착색되는 원인이 될 수 있다. 그래서, 필요에 따라, 본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물에 산화 방지제를 배합함으로써, 이러한 착색을 미연에 방지할 수 있다.
산화 방지제로서는, 공지된 것을 사용할 수 있고, 예를 들어, 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀, 2,5-디-t-아밀히드로퀴논, 2,5-디-t-부틸히드로퀴논, 4,4'-부틸리덴 비스(3-메틸-6-t-부틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-에틸-6-t-부틸페놀) 등을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로든 2종 이상을 조합해서든 사용할 수 있다.
또한, 이 산화 방지제를 사용하는 경우, 그 배합량은 특별히 제한되지 않지만, 상기 (A) 성분과 (B) 성분의 합계 질량에 대하여 통상, 1 내지 10,000ppm, 특히 10 내지 1,000ppm 정도 배합하는 것이 바람직하다. 상기 범위 내의 배합량으로 함으로써, 산화 방지 능력이 충분히 발휘되어, 착색, 백탁, 산화 열화 등의 발생이 없이 광학적 특성이 우수한 경화물이 얻어진다.
[무기 충전제]
본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물의 점도나, 본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물로부터 얻어지는 경화물의 경도 등을 조정하거나, 강도를 향상시키거나, 형광체의 분산을 좋게 하기 위해서, 나노실리카나, 용융 실리카, 결정성 실리카, 산화티타늄, 나노알루미나, 알루미나 등의 무기 충전제를 첨가해도 된다.
[접착성 향상제]
본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물에는, 접착성 향상제를 배합해도 된다. 접착성 향상제로서는, 실란 커플링제나 그의 올리고머, 실란 커플링제와 마찬가지의 반응성기를 갖는 폴리실록산 등이 예시된다.
접착성 향상제는, 본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물 및 그의 경화물의 기재에 대한 접착성을 향상시키기 위하여 조성물에 배합되는 임의 성분이다. 여기서, 기재란, 금, 은, 구리, 니켈 등의 금속 재료, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 산화티타늄 등의 세라믹 재료, 실리콘 수지, 에폭시 수지 등의 고분자 재료를 가리킨다. 접착성 향상제는, 1종 단독으로든 2종 이상을 조합해서든 사용할 수 있다.
접착성 향상제를 사용하는 경우의 배합량은, 상기 (A) 성분과 (B)의 합계 100질량부에 대하여 바람직하게는 1 내지 30질량부이며, 보다 바람직하게는, 1 내지 10질량부이다. 이러한 배합량이면, 본 발명의 열경화성 실리콘 조성물 및 그의 경화물은, 기재에 대한 접착성이 효과적으로 향상되고, 또한, 착색이 일어나기 어렵다.
접착성 향상제의 적합한 구체예로서는, 하기 식으로 표시되는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
Figure pat00012
[기타]
또한, 가용 시간을 확보하기 위해서, 1-에티닐시클로헥산올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올 등의 부가 반응 제어제를 배합할 수 있다.
또한, 태양광선, 형광등 등의 빛 에너지에 의한 광 열화에 저항성을 부여하기 위하여 광안정제를 사용하는 것도 가능하다. 이 광안정제로서는, 광산화 열화로 생성되는 라디칼을 보충하는 힌더드 아민계 안정제가 적합하고, 산화 방지제와 병용함으로써, 산화 방지 효과는 보다 향상된다. 광안정제의 구체예로서는, 비스(2,2,6,6-테트라메틸-4-피페리딜)세바케이트, 4-벤조일-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명 조성물을 밀봉 재료로서 사용하는 경우에는, 기재와의 접착성을 향상시키기 위하여 실란 커플링제를 배합해도 되고, 크랙 방지를 위해서 가소제를 첨가해도 된다.
[경화물]
본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물을 경화하여 본 발명의 경화물로 한다. 상기 경화물은, 경도, 인성이 높고, 단파장 영역의 광투과성, 투명성, 내열 변색성이 우수하다. 또한, 본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물의 경화 조건에 대해서는, 특별히 제한되지 않지만, 60 내지 180℃, 5 내지 180분의 조건으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물로부터 얻어지는 경화물은, 두께 2㎜에 있어서의 파장 400㎚의 초기의 광투과율(25℃)이 80％ 이상인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 경화물은, 180℃에서 1,000시간 정치 후, 두께 2㎜에 있어서의 파장 400㎚의 광투과율(25℃)은 60％ 이상인 것이 바람직하다. 본 발명은 이러한 내열 변색성을 가질 수 있다.
이러한 광학 특성을 갖는 본 발명의 경화물이면, 발광 다이오드 소자의 보호, 밀봉 혹은 접착, 파장 변경 혹은 조정 또는 렌즈 등의 용도에 적합하게 사용할 수 있는 것 외에, 렌즈 재료, 광학 디바이스 혹은 광학 부품용 밀봉재, 디스플레이 재료 등의 각종 광학 부품용 재료, 전자 디바이스 혹은 전자 부품용 절연 재료, 나아가서는 코팅 재료로서도 유용한 재료가 된다.
[반도체 장치]
본 발명에서는 또한, 상기 부가 경화형 실리콘 조성물로부터 얻어지는 경화물에 의해 반도체 소자가 피복된 반도체 장치를 제공한다.
이하, 도 1을 참조하여, 본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물의 경화물을 사용한 반도체 장치(이하, 「본 발명의 반도체 장치」라고도 한다)에 대하여 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
도 1은, 본 발명의 반도체 장치의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 본 발명의 반도체 장치(1)는 은도금 기판(2)이 형성된 패키지(3) 상에 반도체 칩(4)이 다이 본드되어 있고, 이 반도체 칩(4)은 본딩 와이어(5)에 의해 와이어 본딩되어 있다. 그리고, 상술한 본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물의 경화물(6)에 의해, 반도체 칩(4)이 피복되어 있다. 반도체 칩(4)의 피복은, 상술한 본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물(경화성 조성물)을 도포하고, 가열에 의해 부가 경화형 실리콘 조성물을 경화시킴으로써 행하여진다. 또한, 기타 공지된 경화 조건 하에서 공지된 경화 방법에 의해 경화시켜도 된다.
이 경우, 외부 응력의 영향을 받기 어렵게 하고, 또한 티끌 등의 부착을 최대한 억제한다는 관점에서, 상기 부가 경화형 실리콘 조성물은, 경화에 의해, JIS나 ASTM D 2240에 규정된 경도가 듀로미터 D로 30 이상인 경화물을 형성하는 것인 것이 바람직하다.
본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물은, 투명성, 내열 변색성, 인성이 우수한 경화물을 형성하기 때문에, 이 부가 경화형 실리콘 조성물을 사용한 본 발명의 반도체 장치는 신뢰성이 우수한 것이 된다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 사용하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
또한, 실시예에 있어서, 1H-NMR 측정은 브루커·바이오스핀사제 AVANCE III를 사용하였다. GPC(겔 투과 크로마토그래피) 측정은, 도소(주)제 HLC-8320GPC를 사용하고, 이동상으로서 테트라히드로푸란(THF)을 사용하여, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)을 구하였다.
하기의 예에 있어서, 오르가노폴리실록산의 구성 단위를 나타내는 기호는 이하와 같다.
MΦVi: (CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2
D2Φ: (C6H5)2SiO2/2
Q: SiO4/2
[합성예 1] 부가 반응물 (A-1)의 조제
교반 장치, 냉각관, 적하 깔때기 및 온도계를 구비한 1L의 4구 플라스크에, 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠(혹꼬 가가꾸 고교 가부시키가이샤제) 94g(0.5 몰), 5％ Pt 카본 분말(N·E 켐캣 가부시키가이샤제) 0.07g을 추가하고, 오일 배스를 사용하여 85℃로 가열하였다. 이것을 교반하면서 MΦVi 2로 표시되는 디실록산(혹꼬 가가꾸 고교 가부시키가이샤제) 47g(0.15몰)과, MΦVi 0.25D2Φ 0.3Q0.45로 표시되는 분지상 오르가노폴리실록산(비닐기: 0.2몰/100g)의 75％ 크실렌 용액 31g(비닐기: 0.047몰)의 혼합액을 적하하였다. 적하 종료 후, 90 내지 100℃의 사이에 3시간 교반하였다. 교반 후 종료 후 25℃로 되돌리고, 1H-NMR 스펙트럼 측정으로 비닐기의 피크 소실을 확인하였다. 활성탄을 1.7g 첨가하고 1시간 교반 후, Pt 카본 분말, 및 활성탄을 여과 분별하고, 감압 농축에 의해 잉여의 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠을 제거함으로써, 부가 반응물 (A-1)(무색 투명, 23℃에서의 점도: 13Pa·s, Mw: 3,050, SiH기의 함유 비율: 0.00166몰/g)을 얻었다.
[합성예 2] 부가 반응물 (A-2)의 조제
교반 장치, 냉각관, 적하 깔때기 및 온도계를 구비한 1L의 4구 플라스크에, 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠(혹꼬 가가꾸 고교 가부시키가이샤제) 105g(0.54몰), 5％ Pt 카본 분말(N·E 켐캣 가부시키가이샤제) 0.09g을 추가하고, 오일 배스를 사용하여 85℃로 가열하였다. 이것을 교반하면서 MΦVi 2로 표시되는 디실록산(혹꼬 가가꾸 고교 가부시키가이샤제) 47g(0.15몰)과, MΦVi 0.25D2Φ 0.3Q0.45로 표시되는 분지상 오르가노폴리실록산(비닐기: 0.2몰/100g)의 75％ 크실렌 용액 62g(비닐기: 0.09몰)의 혼합액을 적하하였다. 적하 종료 후, 90 내지 100℃의 사이에 3시간 교반하였다. 교반 후 종료 후 25℃로 되돌리고, 1H-NMR 스펙트럼 측정으로 비닐기의 피크 소실을 확인하였다. 활성탄을 1.7g 첨가하고 1시간 교반 후, Pt 카본 분말, 및 활성탄을 여과 분별하고, 감압 농축에 의해 잉여의 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠을 제거함으로써, 부가 반응물 (A-2)(무색 투명, 23℃에서의 점도: 42Pa·s, Mw: 4,370, SiH기의 함유 비율: 0.00157몰/g)를 얻었다.
[합성예 3] 부가 반응물 (A-3)의 조제
교반 장치, 냉각관, 적하 깔때기 및 온도계를 구비한 1L의 4구 플라스크에, 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠(혹꼬 가가꾸 고교 가부시키가이샤제) 122g(0.63몰), 5％ Pt 카본 분말(N·E 켐캣 가부시키가이샤제) 0.10g을 추가하고, 오일 배스를 사용하여 85℃로 가열하였다. 이것을 교반하면서 MΦVi 2로 표시되는 디실록산(혹꼬 가가꾸 고교 가부시키가이샤제) 47g(0.15몰)과, MΦVi 0.25D2Φ 0.3Q0.45로 표시되는 분지상 오르가노폴리실록산(비닐기: 0.2몰/100g)의 75％ 크실렌 용액 93g(비닐기: 0.135몰)의 혼합액을 적하하였다. 적하 종료 후, 90 내지 100℃의 사이에 3시간 교반하였다. 교반 후 종료 후 25℃로 되돌리고, 1H-NMR 스펙트럼 측정으로 비닐기의 피크 소실을 확인하였다. 활성탄을 2.6g 첨가하고 1시간 교반 후, Pt 카본 분말, 및 활성탄을 여과 분별하고, 감압 농축에 의해 잉여의 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠을 제거함으로써, 부가 반응물 (A-3)(무색 투명, 23℃에서의 점도: 140Pa·s, Mw: 5,000, SiH기의 함유 비율: 0.00145몰/g)을 얻었다.
[비교 합성예 1] 부가 반응물 (A-4)의 조제
교반 장치, 냉각관, 적하 깔때기 및 온도계를 구비한 1L의 4구 플라스크에, 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠(신에쯔 가가꾸 고교 가부시키가이샤제) 262.8g(1.35몰), 5％ Pt 카본 분말(N·E 켐캣 가부시키가이샤제) 0.12g을 추가하고, 오일 배스를 사용하여 85℃로 가열하였다. 이것을 교반하면서 트리비닐페닐실란(신에쯔 가가꾸 고교 가부시키가이샤제)을 28.0g(0.15몰) 적하하였다. 적하 종료 후, 90 내지 100℃의 사이에 5시간 교반하였다. 교반 후 종료 후 25℃로 되돌리고, 1H-NMR 스펙트럼 측정으로 비닐기의 피크 소실을 확인하였다. 활성탄을 2.9g 첨가하고 1시간 교반 후, Pt 카본 분말, 및 활성탄을 여과 분별하고, 감압 농축에 의해 잉여의 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠을 제거함으로써, 부가 반응물 (A-4) 99.7g(무색 투명, 25℃에서의 점도: 30Pa·s, Mw: 1,500, SiH기의 함유 비율: 0.0035몰/g, 하기 식으로 표시되는 구성 단위비를 갖는 올리고머의 혼합물)을 얻었다.
Figure pat00013
(식 중, n은 1 이상의 정수이며, 파선은 결합손을 나타낸다.)
[실시예 1 내지 4, 비교예 1, 2]
표 1에 나타내는 조성비(수치는 질량부를 나타낸다)로 하기의 각 성분을 혼합하고, 조성물 중의 알케닐기에 대한 SiH기의 몰비([SiH기]/[알케닐기])가 0.9가 되도록 부가 경화형 실리콘 조성물을 조제하였다. 혼합 후의 외관을 육안으로 확인한 결과를 표 1에 나타내었다.
(A) 성분
(A-1) 상기 합성예 1에서 얻어진 부가 반응물
(A-2) 상기 합성예 2에서 얻어진 부가 반응물
(A-3) 상기 합성예 3에서 얻어진 부가 반응물
비교 성분
(A-4) 상기 비교 합성예 1에서 얻어진 부가 반응물
(B) 성분
(B-1) MΦVi 2D2Φ 3으로 표시되는 직쇄상 오르가노폴리실록산
(B-2) MΦVi 0.25D2Φ 0.3Q0.45로 표시되는 삼차원 망상 오르가노폴리실록산(비닐기: 0.2몰/100g)
(C) 성분
백금1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체의 폴리실록산 희석품(백금 함유량: 1중량％)
(D) 성분
하기 구조식으로 표시되는 접착성 향상제
Figure pat00014
(E) 성분
산화 방지제: 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀
(F) 성분
부가 반응 제어제: 1-에티닐시클로헥산올
Figure pat00015
[성능 평가 방법]
상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 부가 경화형 실리콘 조성물에 대해서, 하기 방법에 따라서, 그 경화물의 성능을 평가하였다. 또한, 비교예 2에 대해서는 조성물이 상용하지 않고, 경화물을 얻을 수 없었다.
(1) 경도
유리판으로 짠 형 중에 부가 경화형 실리콘 조성물을 유입하고, 150℃에서 4시간 경화를 행하여, 6㎜ 두께의 경화물을 얻었다. ASTM D 2240에 준하여, 각 경화물의 Shore D 경도를 23℃에서 측정한 결과를 표 2에 나타내었다.
(2) 광투과율(내열 변색성)
상기 경도 측정과 마찬가지로 조제한 2㎜ 두께의 경화물에 대해서, 제작 직후(초기) 및 180℃의 오븐 내에 1,000시간 둔 후에 있어서의 각 경화물의 400㎚ 광투과율을 분광 광도계를 사용하여 측정하였다. 측정 결과를 표 2에 나타내었다.
(3) 인성 평가
상기 경도 측정과 마찬가지로, 2㎜ 두께의 경화물을 제작하고, 각각의 경화물을 직경 1㎜의 금속봉을 따라서 23℃에서 직각으로 절곡했을 때의 상태를, ○(갈라지지 않고 구부러진다), ×(갈라진다)로 평가하였다.
Figure pat00016
표 1 및 표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 부가 경화형 실리콘 조성물은 (A) 성분 및 (B) 성분의 상용성이 양호한 것이며, 투명성, 경도, 내열 변색성, 인성이 우수한 경화물을 부여하였다.
한편, 본 발명의 (A) 성분 대신에 트리비닐페닐실란과 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠의 부가 반응물을 사용한 조성물은 내열 변색성이 떨어지고(비교예 1), 또한 (B) 성분으로서 삼차원 망상 오르가노폴리실록산을 포함하는 경우의 상용성이 불충분했다(비교예 2).
또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이며, 본 발명의 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 마찬가지의 작용 효과를 발휘하는 것은, 어떠한 것이든 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
1: 반도체 장치
2: 은도금 기판
3: 패키지
4: 반도체 칩
5: 본딩 와이어
6: 부가 경화형 실리콘 조성물의 경화물

Claims (11)

  1. 하기 (A), (B) 및 (C)를 포함하는 부가 경화형 실리콘 조성물.
    (A) 하기 식 (1)로 표시되는 유기 규소 화합물과, 하기 식 (2)로 표시되는 직쇄상 실록산 및 하기 식 (3)으로 표시되는 삼차원 망상 실록산의 부가 반응물이며, 1분자 중에 SiH기를 2개 이상 갖는 부가 반응물,
    Figure pat00017

    (식 중, R1은 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 2가 탄화수소기이다.)
    Figure pat00018

    (식 중, R2, R4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이며, R3은 독립적으로 단결합 또는 비치환된 탄소수 1 내지 4의 2가 탄화수소기이다. a는 1 내지 3의 정수이며, b는 0 내지 100의 정수이다.)
    (R5 3SiO1/2)c(R5 2SiO2/2)d(SiO4/2)e(XO1/2)f (3)
    (식 중, R5는 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이며, 단, R5의 전수 중 0.1 내지 40％는 알케닐기이며, 또한, 10 내지 99.9％는 아릴기이다. X는 수소 원자 또는 알킬기이며, c는 0.1 내지 0.5의 수이며, d는 0.1 내지 0.6의 수이며, e는 0.2 내지 0.8의 수이며, f는 0 내지 0.2의 수이며, c+d+e+f=1이다.)
    (B) 알케닐기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물,
    (C) 히드로실릴화 반응 촉매
  2. 제1항에 있어서, R1이 페닐렌기이며, R2, R4가 독립적으로 메틸기 또는 페닐기이며, R3이 단결합인 것을 특징으로 하는 부가 경화형 실리콘 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 직쇄상 실록산이, 하기 식 (4)로 표시되는 직쇄상 실록산을 포함하는 것을 특징으로 하는 부가 경화형 실리콘 조성물.
    [(CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]2[(C6H5)2SiO2/2]b (4)
    (식 중, b는 상기한 바와 같다.)
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 삼차원 망상 실록산이, 하기 식 (5)로 표시되는 삼차원 망상 실록산을 포함하는 것을 특징으로 하는 부가 경화형 실리콘 조성물.
    [(CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]c[(C6H5)2SiO2/2]d[SiO4/2]e (5)
    (식 중, c, d, e는 상기한 바와 같으며, c+d+e=1이다.)
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (B)가 하기 식 (6)으로 표시되는 실록산을 포함하는 것을 특징으로 하는 부가 경화형 실리콘 조성물.
    Figure pat00019

    (식 중, R6은 독립적으로 메틸기 또는 페닐기이며, R7은 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소 원자수 1 내지 12의 1가 탄화수소기이며, g는 0 내지 50의 정수이며, h는 0 내지 100의 정수이다. 단, g가 0인 때 R6은 페닐기이며, 또한, h는 1 내지 100의 정수이다. 괄호가 첨부된 실록산 단위의 배열은 임의이면 된다.)
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (B)가 하기 식 (7)로 표시되는 실록산을 포함하는 것을 특징으로 하는 부가 경화형 실리콘 조성물.
    [(CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]2[(C6H5)2SiO2/2]i (7)
    (식 중, i는 1 내지 50의 정수이다.)
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (B)가 상기 식 (3)으로 표시되는 삼차원 망상 실록산을 포함하는 것을 특징으로 하는 부가 경화형 실리콘 조성물.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (B)가 하기 식 (5)로 표시되는 삼차원 망상 실록산을 포함하는 것을 특징으로 하는 부가 경화형 실리콘 조성물.
    [(CH2=CH)(C6H5)(CH3)SiO1/2]c[(C6H5)2SiO2/2]d[SiO4/2]e (5)
    (식 중, c, d, e는 상기한 바와 같으며, c+d+e=1이다.)
  9. 제1항 또는 제2항에 기재된 부가 경화형 실리콘 조성물을 경화하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 경화물.
  10. 제9항에 있어서, 180℃에서 1,000시간 정치 후, 두께 2㎜에 있어서의 파장 400㎚의 광투과율(25℃)이 60％ 이상인 것을 특징으로 하는 경화물.
  11. 제9항에 기재된 경화물에 의해 반도체 소자가 피복된 것인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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