KR20200145725A - 실온 경화형 실리콘 고무 조성물 - Google Patents

실온 경화형 실리콘 고무 조성물 Download PDF

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도시유키 오자이
히데키 스가하라
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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

[과제] 황변이나 기포의 말려듦이 크게 저감되고, 경도 변화가 작은 경화물을 부여하는 실온 경화형 실리콘 고무 조성물을 제공하는 것.
[해결 수단] (A) 분자쇄 양쪽 말단에 비닐기를 갖는 직쇄상 오르가노폴리실록산
(B) 분자쇄 양쪽 말단에 SiH기를 갖는 직쇄상 오르가노히드로겐폴리실록산
(C) 분자쇄 양쪽 말단이 트리오르가노실릴기로 봉쇄된 직쇄상 오르가노히드로겐폴리실록산
(D) 히드로실릴화 반응 촉매
를 함유하고, (A) 성분 중의 SiVi기에 대한 (B) 및 (C) 성분 중의 SiH기의 합계수가 0.7 내지 2.5개이며, 또한 (B) 및 (C) 성분 중의 SiH기의 합계 개수에 대한 (B) 성분 중의 SiH기의 개수의 비가 0.05 내지 0.6인 실온 경화형 실리콘 고무 조성물.

Description

실온 경화형 실리콘 고무 조성물{ROOM TEMPERATURE CURABLE SILICONE RUBBER COMPOSITION}
본 발명은, 실온에서 경화되고, 고투명한 경화물을 부여하는 부가 경화형 실리콘 고무 조성물에 관한 것이다.
고투명한 실리콘 고무 재료는, 광 디바이스 재료나 3D 프린터용 재료, 나노임프린트 재료 등 다방면에 걸쳐 사용되고 있다. 또한, 내구성이 우수하다는 점에서, 드라이플라워나 입체 모형 등을 실리콘 겔이나 실리콘 고무 내에 봉입한 관상용 성형물이 제안되어 있다(특허문헌 1, 2). 이러한 포팅에 사용되는 실리콘 고무는 경화 전에는 액상이며, 경화제와 혼합함으로써, 상온 혹은 가열하는 것으로 간단하게 경화되어, 고투명한 고무 재료가 된다.
그러나, 이와 같은 실리콘 고무 재료는, 혼합 시에 발생한 말려든 기포가 경화 후에 남거나, 장기간 방치해두면 금속 촉매에서 기인하는 착색에 의해 재료가 황변되거나, 경화 후의 수축에 의해 실리콘 고무와 용기 또는 봉입물의 계면에 박리가 발생하거나 하는 문제가 있었다.
일본 특허 공개 평8-92002호 공보 일본 특허 공개 제2000-336269호 공보
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 황변이나 기포의 말려듦이 크게 저감되고, 경도 변화가 작은 경화물을 부여하는 실온 경화형 실리콘 고무 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 행한 결과, 하기 특정한 부가 경화형 실리콘 고무 조성물이, 혼합 시에 있어서의 기포의 말려듦의 발생을 저감시켜, 고투명하면서 경도 변화가 작은 실리콘 고무를 부여하는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은
1. (A) 하기 평균식 (1)로 표시되는 오르가노폴리실록산
Vi(3-a)R1 aSi(OR1 2Si)mOSiR1 aVi(3-a) (1)
(식 중, R1은 독립적으로 알케닐기를 포함하지 않는 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기이며, Vi는 비닐기이며, m은 13 내지 200의 수이며, a는 0 내지 2의 수이다.)
(B) 하기 평균식 (2)로 표시되는 오르가노히드로겐폴리실록산
(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)n (2)
(식 중, R1은 상기와 동일하고, n은 10 내지 80의 수이다.)
(C) 하기 평균식 (3)으로 표시되는 오르가노히드로겐폴리실록산
(R1 3SiO1/2)2(HR1 1SiO2/2)s(R1 2SiO2/2)t (3)
(식 중, R1은 상기와 동일하고, s, t는 각각 s≥2, t≥0을 만족시키고, 8≤s+t≤100, 또한 0.05≤s/(s+t)≤1.0을 만족시키는 수이다.)
(D) 히드로실릴화 반응 촉매
를 함유하고,
(A) 성분 중의 비닐기 1개당 (B) 및 (C) 성분 중의 SiH기의 합계 개수가 0.7 내지 2.5개이며, (B) 및 (C) 성분 중의 SiH기의 합계 개수에 대한 (B) 성분 중의 SiH기의 개수의 비가 0.05 내지 0.6이며, 또한 (D) 성분의 히드로실릴화 반응 촉매에서 유래하는 금속 원자의 함유량이, (A) 내지 (C) 성분의 합계량에 대하여 15질량ppm 이하인 실온 경화형 실리콘 고무 조성물,
2. (A) 성분의 23℃에 있어서의 점도가 10 내지 700mPa·s인, 1에 기재된 실온 경화형 실리콘 고무 조성물,
3. (A) 성분 중의 비닐기 1개당 (B) 및 (C) 성분 중의 SiH기의 합계 개수가 1.0 내지 2.0개인, 1 또는 2에 기재된 실온 경화형 실리콘 고무 조성물,
4. 1 내지 3 중 어느 하나에 기재된 실온 경화형 실리콘 고무 조성물을 경화시켜 이루어지는 실리콘 고무,
5. 23℃, 24시간의 조건에서 경화시킨 경화물의 듀로미터 A 경도와, 23℃, 72시간의 조건에서 경화시킨 경화물의 듀로미터 A 경도의 차가 1 이하인, 4에 기재된 실리콘 고무,
6. 두께 2mm에 있어서의 파장 400nm 광의 투과율이 90% 이상인, 4 또는 5에 기재된 실리콘 고무
를 제공한다.
본 발명의 실온 경화형 실리콘 고무 조성물은, 기포 빠짐성이 우수하고, 고투명하면서 경도 변화가 작은 실리콘 고무를 부여하기 때문에, 식물 표본실 등의 표본, 입체 모형, 장식품 등의 밀봉 용도에 적합하다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 실온 경화형 실리콘 고무 조성물은 하기 (A) 내지 (D) 성분을 함유한다.
(A) 분자쇄 양쪽 말단 비닐기 함유 오르가노폴리실록산
(B) 분자쇄 양쪽 말단 SiH기 함유 오르가노히드로겐폴리실록산
(C) 분자쇄 양쪽 말단 트리오르가노실릴기 봉쇄 오르가노히드로겐폴리실록산
(D) 히드로실릴화 반응 촉매
[1] (A) 성분
(A) 성분은, 하기 평균식 (1)로 표시되는, 분자쇄 양쪽 말단에 비닐기를 갖는 직쇄상 오르가노폴리실록산이다.
Vi(3-a)R1 aSi(OR1 2Si)mOSiR1 aVi(3-a) (1)
R1은 독립적으로 알케닐기 이외의 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기이며, Vi는 비닐기를 나타낸다(이하 동일함). R1로서는, 알케닐기를 갖지 않는 것이면 특별히 한정은 없고, 직쇄, 분지, 환상 중 어느 것이어도 되지만, 탄소 원자수 1 내지 20의 1가 탄화수소기가 바람직하고, 탄소 원자수 1 내지 10의 1가 탄화수소기가 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1 내지 5의 1가 탄화수소기가 한층 더 바람직하다.
그의 구체예로서는, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, tert-부틸, n-헥실기 등의 직쇄 또는 분지의 알킬기; 시클로헥실기 등의 환상 알킬기; 페닐, 톨릴기 등의 아릴기; 벤질, 페닐에틸기 등의 아르알킬기 등을 들 수 있다.
또한, 이들 1가 탄화수소기의 수소 원자의 일부 또는 전부가, F, Cl, Br 등의 할로겐 원자, 시아노기 등으로 치환되어 있어도 되고, 그러한 기의 구체예로서는, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐 치환 탄화수소기; 2-시아노에틸기 등의 시아노 치환 탄화수소기 등을 들 수 있다.
이들 중에서도 메틸기가 바람직하다.
a는 0 내지 2의 수이며, 바람직하게는 0 내지 1.8의 수이다.
m은 13 내지 200의 수이며, 바람직하게는 30 내지 190의 수이며, 더욱 바람직하게는 70 내지 180의 수이다. m이 13보다 작으면 경화 시에 휘발되어버리고, 200보다 크면 조성물의 혼합 시의 기포 빠짐이 나빠지고, 또한 작업성이 악화된다.
(A) 성분은, 조성물을 혼합할 때에 발생하는 기포가 빠지기 쉬운 점, 및 액상의 조성물을 부여하고, 경화되어 고무상 탄성체가 된다는 점에서 23℃에서의 점도가 10 내지 700mPa·s가 바람직하고, 20 내지 500mPa·s가 보다 바람직하다. 부언하면, 본 발명에 있어서의 점도는, 회전 점도계를 사용한 측정값이다.
이러한 (A) 성분으로서, 하기 평균식으로 나타나는 오르가노폴리실록산 등을 들 수 있다. (A) 성분은 1종 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 된다.
Figure pat00001
[2] (B) 성분
(B) 성분은, 하기 평균식 (2)로 표시되는, 분자쇄 양쪽 말단에 규소 원자에 결합한 수소 원자(즉, SiH기)를 갖는 직쇄상 오르가노히드로겐폴리실록산이며, (A) 성분의 분자쇄 말단의 비닐기와의 히드로실릴화 반응에 의해 실록산쇄를 연장함으로써 경화물에 고무 특성을 부여하는 성분이다.
(HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)n (2)
R1은 상기와 동일하고, 구체적으로는, 상기 평균식 (1)에 있어서 예시된 알케닐기 이외의 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기와 동일한 것을 들 수 있고, 특히 메틸기가 바람직하다.
n은 10 내지 80의 수이며, 바람직하게는 10 내지 50의 수이며, 더욱 바람직하게는 10 내지 30의 수이다. n이 10보다 작으면 경화 시에 성분이 휘발되어버리고, 80보다 크면 조성물의 점도가 높아짐으로써 기포가 빠지기 어려워지고, 또한 작업성이 악화된다.
(B) 성분의 구체예로서는, 예를 들어 하기 평균식으로 표시되는 것 등을 들 수 있다. 부언하면, (B) 성분은 1종 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 된다.
Figure pat00002
[3] (C) 성분
(C) 성분은, 하기 평균식 (3)으로 표시되는, 분자쇄 양쪽 말단이 트리오르가노실릴기로 봉쇄된 직쇄상 오르가노히드로겐폴리실록산이며, (A) 성분 중의 비닐기와 히드로실릴화 반응함으로써 가교제로서 작용한다.
(R1 3SiO1/2)2(HR1 1SiO2/2)s(R1 2SiO2/2)t (3)
R1은 상기와 동일하고, 구체적으로는, 상기 평균식 (1)에 있어서 예시된 알케닐기 이외의 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기와 동일한 것을 들 수 있고, 특히 메틸기가 바람직하다.
s, t는 각각 s≥2, t≥0을 만족시키고, 또한 8≤s+t≤100, 0.05≤s/(s+t)≤1.0을 만족시키는 수이다.
s는 s≥5가 바람직하고, 보다 바람직하게는 s≥10이며, s≤100이 바람직하고, 보다 바람직하게는 s≤50이다.
t는 t≥5가 바람직하고, 보다 바람직하게는 t≥10이며, t≤100이 바람직하고, 보다 바람직하게는 t≤70이다.
s+t는 바람직하게는 12≤s+t≤80의 수이며, 더욱 바람직하게는 15≤s+t≤60의 수이다. s+t가 8 미만이면 경화 시에 휘발되어버리고, 100을 초과하면 조성물의 점도가 높아짐으로써 기포가 빠지기 어려워지고, 또한 작업성이 악화된다.
s/(s+t)는 0.05≤s/(s+t)≤1.0이며, 바람직하게는 0.2≤s/(s+t)≤0.8이다. 0.05 미만인 경우에는 얻어지는 경화물의 고무 물성이 불충분한 것이 된다.
(C) 성분의 오르가노히드로겐폴리실록산의 구체예로서는, 하기 평균식으로 표시되는 분자쇄 양쪽 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸히드로겐실록산 공중합체, 분자쇄 양쪽 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸히드로겐폴리실록산 등을 들 수 있다.
부언하면, (C) 성분은 1종 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 된다.
Figure pat00003
(식 중, 실록산 단위의 배열은 임의이다.)
본 발명의 실온 경화형 실리콘 고무 조성물에 있어서, (A) 성분 중의 비닐기 1개에 대한 (B) 및 (C) 성분 중의 SiH기의 합계 개수는 0.7 내지 2.5개이며, 바람직하게는 1.0 내지 2.0개이다. 0.7개 미만인 경우에는 가교가 불충분한 것이 되고, 2.5개를 초과하는 경우, 경화 시에 수소 가스의 발생에 의한 발포가 일어나기 쉬워, 경화물 내부의 공극 발생에 의해 투명성이나 고무 강도가 저하된다.
또한, (B) 및 (C) 성분 중의 SiH기의 개수의 합계에 대한 (B) 성분 중의 SiH기의 개수의 비는 0.05 내지 0.6이며, 바람직하게는 0.08 내지 0.55이다. 0.05 미만이면 경화 후의 고무 물성이 취성이 되고, 0.6을 초과하면 점착성이 강해져 작업성이 악화된다.
[4] (D) 성분
(D) 성분은, (A) 성분 중의 알케닐기와 (B) 및 (C) 성분 중의 SiH기의 히드로실릴화 반응을 촉진시키기 위한 히드로실릴화 반응 촉매이다.
(D) 성분인 히드로실릴화 반응 촉매로서는, 백금족 금속 촉매가 바람직하고, 그의 구체예로서는, 백금흑, 염화제2백금, 염화백금산, 염화백금산과 1가 알코올의 반응물, 염화백금산과 올레핀류의 착체, 백금비스아세토아세테이트 등의 백금계 촉매, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 디클로로비스(트리페닐포스핀)팔라듐 등의 팔라듐계 촉매, 클로로트리스(트리페닐포스핀)로듐, 테트라키스(트리페닐포스핀)로듐 등의 로듐계 촉매 등을 들 수 있다.
(D) 성분의 배합량은, (A) 내지 (C) 성분의 합계에 대하여, 본 성분 중의 백금족 금속 원자의 질량 환산으로 15ppm 이하이고, 10ppm 이하가 바람직하고, 0.1ppm 이상, 특히 0.5ppm 이상이 바람직하다. 이 범위라면, 부가 반응의 반응 속도가 적절한 것이 되고, 촉매 유래의 금속 원자에 의한 경화물의 착색을 억제할 수 있다.
[5] (E) 성분
본 발명의 실온 경화형 실리콘 고무 조성물에는, 조성물을 제조할 때나 가열 경화 전에 증점이나 겔화를 일으키지 않도록 히드로실릴화 반응 촉매의 반응성을 제어할 목적으로, 필요에 따라서 (E) 반응 제어제를 첨가해도 된다.
반응 제어제의 구체예로서는, 3-메틸-1-부틴-3-올, 3-메틸-1-펜틴-3-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 1-에티닐시클로헥산올, 에티닐메틸데실카르비놀, 3-메틸-3-트리메틸실록시-1-부틴, 3-메틸-3-트리메틸실록시-1-펜틴, 3,5-디메틸-3-트리메틸실록시-1-헥신, 1-에티닐-1-트리메틸실록시시클로헥산, 비스(2,2-디메틸-3-부틴옥시)디메틸실란, 1,3,5-트리메틸-1,3,5-트리비닐시클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산, 1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디비닐디실록산 등을 들 수 있고, 이들은 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
이들 중에서도, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산이 바람직하다.
(E) 성분을 사용하는 경우, 그의 첨가량은, (A) 내지 (C) 성분의 합계 100질량부에 대하여 0.001 내지 2질량부가 바람직하고, 0.006 내지 1.5질량부가 보다 바람직하다. 이러한 범위라면 반응 제어의 효과가 충분히 발휘된다.
[6] 기타 성분
본 발명의 실온 경화형 실리콘 고무 조성물에는, 상기 (A) 내지 (E) 성분 이외에도, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 한, 이하에 예시하는 기타 성분을 배합해도 된다.
기타 성분으로서는, 퓸드 실리카, 결정성 실리카(석영분), 침강성 실리카, 이들의 표면을 소수화 처리한 실리카 등의 충전제, 산화철, 카본 블랙, 도전성 아연화, 금속 분말 등의 도전제; 산화티타늄, 산화세륨 등의 내열제; 디메틸실리콘 오일 등의 내부 이형제; 접착성 부여제; 요변성 부여제; 착색제 등을 들 수 있다.
본 발명의 실온 경화형 실리콘 고무 조성물은, 상기 (A) 내지 (D) 성분, 필요에 따라서 사용되는 (E) 성분 및 기타 성분을, 니더, 플라네터리 믹서 등을 사용한 공지된 방법으로 혼합하여 조제할 수 있다.
본 발명의 실온 경화형 실리콘 고무 조성물은, (A) 성분, (D) 성분 및 필요에 따라서 기타 성분을 포함하는 제1제와, (A) 성분, (B) 성분, (C) 성분 및 필요에 따라서 기타 성분을 포함하는 제2제를 따로따로 조제하고, 사용 전에 제1제와 제2제를 혼합하는 2제형의 조성물로 해도 된다. 부언하면, 제1제 및 제2제로 공통으로 사용되는 성분이 있어도 된다. 조성물을 이러한 2제형으로 함으로써, 더욱 보존 안정성을 확보할 수 있다.
본 발명의 실온 경화형 실리콘 고무 조성물의 경화는, 공지된 경화 방법 및 조건을 채용할 수 있다. 일례로서는 10 내지 40℃에 있어서 24시간 이상 정치함으로써 경화시킬 수 있다.
본 발명의 실온 경화형 실리콘 고무 조성물을 23℃, 24시간의 조건에서 경화시킨 경화물의 듀로미터 A 경도와, 23℃, 72시간의 조건에서 경화시킨 경화물의 듀로미터 A 경도의 차가 1 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 실온 경화형 실리콘 고무 조성물을 23℃, 24시간의 조건에서 경화시킨 경화물은, 두께 2mm에 있어서의 파장 400nm 광의 투과율이 90% 이상인 것이 바람직하다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예을 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1-1 내지 1-4, 비교예 1-1 내지 1-4]
하기 성분을 표 1에 나타나는 배합비(질량부)로 혼합하여, 실리콘 고무 조성물을 조제하였다. 부언하면, 점도는 회전 점도계로 측정한 23℃에 있어서의 값이다.
(A) 성분:
(A-1) 하기 평균식으로 표시되는 오르가노폴리실록산(점도: 600mPa·s)
Figure pat00004
(A-2) 하기 평균식으로 표시되는 오르가노폴리실록산(점도: 100mPa·s)
Figure pat00005
(A-3: 비교 성분) 하기 평균식으로 표시되는 오르가노폴리실록산(점도: 1,200mPa·s)
Figure pat00006
(B) 성분:
(B-1) 하기 평균식으로 표시되는 오르가노히드로겐폴리실록산
Figure pat00007
(C) 성분:
(C-1) 하기 평균식으로 표시되는 오르가노히드로겐폴리실록산
Figure pat00008
(식 중, 실록산 단위의 배열은 랜덤 또는 블록이다.)
(C-2) 하기 평균식으로 표시되는 오르가노히드로겐폴리실록산
Figure pat00009
(식 중, 실록산 단위의 배열은 랜덤 또는 블록이다.)
(D) 성분:
(D-1) 염화백금산-디비닐테트라메틸디실록산 착체의 톨루엔 용액(백금의 질량 환산 농도 1%)
(E) 성분:
(E-1) 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산
Figure pat00010
1) (A) 성분 중의 비닐기의 개수에 대한 (B) 및 (C) 성분 중의 SiH기의 개수의 비
2) (B) 및 (C) 성분 중의 SiH기의 개수의 합계에 대한 (B) 성분 중의 SiH기의 개수의 비
[실시예 2-1 내지 2-4, 비교예 2-1 내지 2-3]
실시예 1-1 내지 1-4 및 비교예 1-1 내지 1-3에서 조제한 실리콘 고무 조성물을 사용하여, 하기 각 특성을 평가하였다.
[기포 빠짐성]
내경 40mm 높이 60mm의 유리병에 높이가 50mm가 될 때까지 혼합한 직후의 조성물을 유입하고, 23℃, 10시간의 조건에서 경화시켰다. 경화물을 눈으로 보아 관찰하고, 기포가 빠져 있으면 ○, 기포가 남아 있으면 ×로서 평가하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[광투과율]
조성물을 두께 2mm가 되도록 형에 유입하고, 23℃, 24시간의 조건에서 경화시킨 시트에 대하여, 파장 400nm의 광투과율을 분광 광도계 U-3900((주)히타치 하이테크 사이언스제)로 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[인장 강도, 절단 시 신도]
조성물을 2mm 두께가 되도록 형에 유입하고, 23℃, 24시간의 조건에서 경화시킨 2호 덤벨 시험편에 대하여, JIS K 6249:2003에 준거하여, 인장 강도(MPa) 및 절단 시 신도(%)를 각각 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[경도]
조성물을 2mm 두께가 되도록 형에 유입하고, 23℃, 24시간의 조건에서 경화시킨 경화물의 경도(듀로미터 A)를 JIS K 6253-3:2012에 준거하여 측정하였다. 또한, 23℃, 72시간의 조건에서 경화시킨 경화물의 경도에 대해서도 동일하게 측정을 행하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure pat00011
Figure pat00012
표 2 및 표 3에 나타내는 바와 같이, 실시예 2-1 내지 2-4의 실온 경화형 실리콘 고무 조성물은 기포 빠짐성이나 경화 후의 물성이 우수하고, 경도 변화가 작은 고투명한 경화물을 부여하는 실온 경화형 실리콘 고무 조성물인 것을 알 수 있다.
한편, (A) 성분 중의 비닐기 수에 대한 (B) 및 (C) 성분 중의 SiH기의 수의 비가 본 발명의 범위를 만족시키지 않는 비교예 2-1에서는, 경화물의 경도 변화가 큰 것이었다.
(D) 성분의 첨가량이 본 발명의 범위의 상한을 초과하는 비교예 2-2에서는, 변색에 의한 광투과율의 저하가 발생하였다.
또한, (A) 성분 대신에 고점도(m이 200 초과)의 비닐기 함유 오르가노폴리실록산을 사용한 비교예 2-3에서는 기포 빠짐성이 떨어져 있었다.

Claims (6)

  1. (A) 하기 평균식 (1)로 표시되는 오르가노폴리실록산
    Vi(3-a)R1 aSi(OR1 2Si)mOSiR1 aVi(3-a) (1)
    (식 중, R1은 독립적으로 알케닐기를 포함하지 않는 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기이며, Vi는 비닐기이며, m은 13 내지 200의 수이며, a는 0 내지 2의 수이다.)
    (B) 하기 평균식 (2)로 표시되는 오르가노히드로겐폴리실록산
    (HR1 2SiO1/2)2(R1 2SiO2/2)n (2)
    (식 중, R1은 상기와 동일하고, n은 10 내지 80의 수이다.)
    (C) 하기 평균식 (3)으로 표시되는 오르가노히드로겐폴리실록산
    (R1 3SiO1/2)2(HR1 1SiO2/2)s(R1 2SiO2/2)t (3)
    (식 중, R1은 상기와 동일하고, s, t는 각각 s≥2, t≥0을 만족시키고, 8≤s+t≤100, 또한 0.05≤s/(s+t)≤1.0을 만족시키는 수이다.)
    (D) 히드로실릴화 반응 촉매
    를 함유하고,
    (A) 성분 중의 비닐기 1개당 (B) 및 (C) 성분 중의 SiH기의 합계 개수가 0.7 내지 2.5개이며, (B) 및 (C) 성분 중의 SiH기의 합계 개수에 대한 (B) 성분 중의 SiH기의 개수의 비가 0.05 내지 0.6이며, 또한 (D) 성분인 히드로실릴화 반응 촉매에서 유래하는 금속 원자의 함유량이, (A) 내지 (C) 성분의 합계량에 대하여 15질량ppm 이하인 실온 경화형 실리콘 고무 조성물.
  2. 제1항에 있어서, (A) 성분의 23℃에 있어서의 점도가 10 내지 700mPa·s인 실온 경화형 실리콘 고무 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, (A) 성분 중의 비닐기 1개당 (B) 및 (C) 성분 중의 SiH기의 합계 개수가 1.0 내지 2.0개인 실온 경화형 실리콘 고무 조성물.
  4. 제1항 또는 제2항에 기재된 실온 경화형 실리콘 고무 조성물을 경화시켜 이루어지는 실리콘 고무.
  5. 제4항에 있어서, 23℃, 24시간의 조건에서 경화시킨 경화물의 듀로미터 A 경도와, 23℃, 72시간의 조건에서 경화시킨 경화물의 듀로미터 A 경도의 차가 1 이하인 실리콘 고무.
  6. 제4항에 있어서, 두께 2mm에 있어서의 파장 400nm 광의 투과율이 90% 이상인 실리콘 고무.
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