KR20200122241A - Dicing die bond film - Google Patents

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KR20200122241A
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pressure
sensitive adhesive
dicing
bonding film
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아키히로 후쿠이
도시마사 스기무라
겐지 오니시
나오히데 다카모토
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

Provided in the present invention is a dicing die bond film in which an adhesive layer is less likely to crack during expansion for cleaving the adhesive layer. The dicing die bond film comprises: a dicing tape having a laminated structure including a substrate and an adhesive layer; and an adhesive layer that is peelably adhered to the adhesive layer in the dicing tape, in which the surface on the side of the adhesive layer of the substrate is surface-treated and the relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C satisfies the following formula 1: (Peel force at -15°C)/(Peel force at 25°C) >= 1, between the substrate and the adhesive layer.

Description

다이싱 다이 본드 필름{DICING DIE BOND FILM}Dicing die bonding film {DICING DIE BOND FILM}

본 발명은, 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은, 반도체 장치의 제조 과정에서 사용할 수 있는 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a dicing die bonding film. More specifically, the present invention relates to a dicing die bonding film that can be used in the manufacturing process of a semiconductor device.

반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 다이 본딩용 칩 상당 사이즈의 접착 필름을 갖는 반도체 칩, 즉, 다이 본딩용 접착제층을 구비하는 반도체 칩을 얻는 과정에서, 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 경우가 있다. 다이싱 다이 본드 필름은, 가공 대상인 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈를 갖고, 예를 들어 기재 및 점착제층으로 이루어지는 다이싱 테이프와, 그 점착제층측에 박리 가능하게 밀착되어 있는 다이 본드 필름(접착제층)을 갖는다.In the process of manufacturing a semiconductor device, a dicing die-bonding film is sometimes used in the process of obtaining a semiconductor chip having an adhesive film of a size equivalent to a die-bonding chip, that is, a semiconductor chip having an adhesive layer for die bonding. . The dicing die-bonding film has a size corresponding to the semiconductor wafer to be processed, and includes, for example, a dicing tape composed of a substrate and an adhesive layer, and a die-bonding film (adhesive layer) that is peelably adhered to the adhesive layer side. Have.

근년, 반도체 웨이퍼의 박형화가 진행되고 있지만, 박형화된 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에, 종래의 블레이드 다이싱 방식으로는 칩이 떨어지기 쉽고, 칩에 손상이 가해지기 쉽다고 하는 문제가 있었다. 그래서, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 다이싱 테이프를 익스팬드하여 다이 본드 필름 및 반도체 웨이퍼를 할단시키기 위한 공정을 거치는 방법이 알려져 있다.In recent years, thinning of semiconductor wafers has progressed. However, when dicing a thinned semiconductor wafer, the conventional blade dicing method has a problem in that the chip is liable to fall off and damage to the chip is liable to be applied. Therefore, a method is known in which a dicing die-bonding film is used to expand a dicing tape in a dicing die-bonding film and undergo a step of cutting the die-bonding film and the semiconductor wafer.

이 방법에서는, 먼저, 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름 상에 반도체 웨이퍼를 접합한다. 이 반도체 웨이퍼는, 예를 들어 나중에 다이 본드 필름과 함께 할단되어 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능하도록 가공된 것이다.In this method, first, a semiconductor wafer is bonded onto the die bonding film of the dicing die bonding film. This semiconductor wafer is processed so that it can be divided into a plurality of semiconductor chips later, for example, by cutting together with a die-bonding film.

다음으로, 다이싱 테이프 상의 다이 본드 필름을 할단시키기 위해, 익스팬드 장치를 사용하여 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 반도체 웨이퍼의 직경 방향 및 주위 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘인다. 이 익스팬드 공정에서는, 다이 본드 필름에 있어서의 할단 개소에 상당하는 개소에서 다이 본드 필름 상의 반도체 웨이퍼에 있어서도 할단이 발생하여, 다이싱 다이 본드 필름 또는 다이싱 테이프 상에서 반도체 웨이퍼가 복수의 반도체 칩으로 개편화된다.Next, in order to cut the die-bonding film on the dicing tape, the dicing tape of the dicing die-bonding film is stretched in a two-dimensional direction including the radial direction and the circumferential direction of the semiconductor wafer using an expander. In this expanding process, splitting occurs also in the semiconductor wafer on the die-bonding film at a location corresponding to the splitting location in the die-bonding film, and the semiconductor wafer is converted into a plurality of semiconductor chips on the dicing die-bonding film or dicing tape. It is reorganized.

다음으로, 다이싱 테이프 상의 할단 후의 복수의 다이 본드 필름을 구비하는 반도체 칩에 대해 이격 거리를 넓히기 위해, 다시 익스팬드 공정을 행한다. 다음으로, 예를 들어 세정 공정을 거친 후, 각 반도체 칩을 그것에 밀착되어 있는 칩 상당 사이즈의 다이 본드 필름과 함께, 다이싱 테이프의 하측으로부터 픽업 기구인 핀 부재에 의해 밀어올려 다이싱 테이프 상으로부터 픽업한다. 이와 같이 하여, 다이 본드 필름, 즉 접착제층을 구비하는 반도체 칩이 얻어진다. 이 접착제층을 구비하는 반도체 칩은, 그 접착제층을 개재하여, 실장 기판 등의 피착체에 다이 본딩에 의해 고착되게 된다.Next, in order to increase the separation distance with respect to the semiconductor chip including the plurality of die-bonding films after being cut on the dicing tape, an expanding process is performed again. Next, for example, after going through a cleaning process, each semiconductor chip is pushed up from the lower side of the dicing tape by a pin member serving as a pickup mechanism together with a die-bonding film of a chip equivalent size adhered thereto, from the top of the dicing tape. Pick up. In this way, a die-bonding film, that is, a semiconductor chip including an adhesive layer, is obtained. The semiconductor chip including this adhesive layer is fixed to an adherend such as a mounting substrate by die bonding through the adhesive layer.

이상과 같이 사용되는 다이싱 다이 본드 필름에 관한 기술에 대해서는, 예를 들어 하기의 특허문헌 1 내지 3에 기재되어 있다.About the technique of the dicing die-bonding film used as mentioned above, it is described in following patent documents 1-3, for example.

일본 특허 공개 제2007-2173호 공보Japanese Patent Publication No. 2007-2173 일본 특허 공개 제2010-177401호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2010-177401 일본 특허 공개 제2016-115804호 공보Japanese Patent Publication No. 2016-115804

그러나 익스팬드 장치를 사용하여 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 반도체 웨이퍼의 직경 방향 및 주위 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여 접착제층을 할단하려고 할 때, 다이싱 테이프에 있어서의 점착제층이 균열되는 경우가 있었다. 익스팬드에 의한 접착제층의 할단 시에 점착제층이 균열되면, 다이싱 테이프를 잡아늘였을 때에 발생하는 응력이 효과적으로 접착제층에 전달되지 않아, 접착제층을 적절하게 할단하지 못하는 경우가 있다.However, when the dicing tape of the dicing die-bonding film is stretched in a two-dimensional direction including the radial direction and the circumferential direction of the semiconductor wafer using an expander to cut the adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer in the dicing tape There was a case of cracking. When the pressure-sensitive adhesive layer is cracked during splitting of the adhesive layer by expansion, the stress generated when the dicing tape is stretched is not effectively transmitted to the adhesive layer, and the adhesive layer may not be properly cleaved.

본 발명은 상기한 문제에 비추어 이루어진 것이며, 그 목적은, 접착제층을 할단하기 위한 익스팬드 시에, 점착제층이 균열되기 어려운 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 데 있다.The present invention has been made in view of the above-described problem, and an object thereof is to provide a dicing die-bonding film in which the pressure-sensitive adhesive layer is less likely to crack during expansion for cleaving the adhesive layer.

본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토한 결과, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와, 상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있는 접착제층을 구비하고, 상기 기재의 상기 점착제층측 표면은 표면 처리가 실시되어 있고, 상기 기재와 상기 점착제층 사이의 -15℃에서의 박리력이 25℃에서의 박리력 이상인 다이싱 다이 본드 필름을 사용하면, 접착제층을 할단하기 위한 익스팬드 시에, 점착제층이 균열되기 어려운 것을 알아냈다. 본 발명은, 이들 지견에 기초하여 완성된 것이다.The present inventors, as a result of earnestly examining in order to achieve the above object, a dicing tape having a laminated structure including a substrate and an adhesive layer, and an adhesive layer that is peelably adhered to the adhesive layer in the dicing tape. If a dicing die-bonding film having a peel force at -15°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer having a peel force at -15°C or higher at 25°C is used, the surface on the side of the pressure-sensitive adhesive layer of the substrate is surface-treated, , It was found that the pressure-sensitive adhesive layer is difficult to crack at the time of expansion for cleaving the adhesive layer. The present invention was completed based on these findings.

즉, 본 발명은, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와, 상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있는 접착제층을 구비하고, 상기 기재의 상기 점착제층측 표면은 표면 처리가 실시되어 있고, 상기 기재와 상기 점착제층 사이의, -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계가 하기 식 (1)을 충족하는, 다이싱 다이 본드 필름을 제공한다.That is, the present invention is provided with a dicing tape having a laminated structure comprising a substrate and an adhesive layer, an adhesive layer peelably adhered to the adhesive layer in the dicing tape, and the adhesive of the substrate A dicing die-bonding film in which the layer-side surface has been subjected to surface treatment, and the relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C satisfies the following formula (1) between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer Provides.

(-15℃에서의 박리력)/(25℃에서의 박리력)≥1 (1)(Peel force at -15°C)/(Peel force at 25°C)≥1 (One)

본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 다이싱 테이프 및 접착제층을 구비한다. 다이싱 테이프는, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 접착제층은, 다이싱 테이프에 있어서의 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있다. 이러한 구성의 다이싱 다이 본드 필름은, 반도체 장치의 제조 과정에서 접착제층을 구비하는 반도체 칩을 얻기 위해 사용할 수 있다.The dicing die-bonding film of the present invention includes a dicing tape and an adhesive layer. The dicing tape has a laminated structure including a base material and an adhesive layer. The adhesive layer is in close contact with the adhesive layer in the dicing tape so that peeling is possible. The dicing die-bonding film having such a configuration can be used to obtain a semiconductor chip including an adhesive layer in the manufacturing process of a semiconductor device.

반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 상술한 바와 같이, 접착제층을 구비하는 반도체 칩을 얻기 위해, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 익스팬드 공정, 즉, 할단을 위한 익스팬드 공정을 실시하는 경우가 있다. 이 익스팬드 공정에서는, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 다이싱 테이프 상의 접착제층에 적절하게 할단력이 작용할 필요가 있다. 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 다이싱 테이프는, 상기 기재의 상기 점착제층측 표면은 표면 처리가 실시되어 있고, 또한 상기 기재와 상기 점착제층 사이의 -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계가 상기 식 (1)을 충족한다. 이러한 구성을 갖는 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 의하면, 접착제층을 할단하기 위한 익스팬드 시(특히, 저온하에서의 익스팬드 시)에, 점착제층이 균열되기 어렵다. 또한, 상기 식 (1)을 충족함으로써, 기재의 종류에 구애되지 않고 이러한 효과가 얻어지는 경향이 있다.In the process of manufacturing a semiconductor device, as described above, in order to obtain a semiconductor chip with an adhesive layer, an expand process performed using a dicing die-bonding film, that is, an expand process for division, is sometimes performed. have. In this expanding process, it is necessary that a cleaving force acts appropriately on the adhesive layer on the dicing tape in the dicing die bonding film. In the dicing tape in the dicing die-bonding film of the present invention, the surface on the side of the pressure-sensitive adhesive layer of the substrate is subjected to a surface treatment, and the peeling force at -15°C and 25°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer The relationship of the peeling force in satisfies the above equation (1). According to the dicing die-bonding film of the present invention having such a configuration, the pressure-sensitive adhesive layer is hardly cracked during expansion (especially, expansion under low temperature) for cleaving the adhesive layer. Further, by satisfying the above formula (1), there is a tendency that such an effect can be obtained regardless of the kind of the substrate.

또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 기재와 점착제층 사이의 -15℃에서의 박리력은 6.5N/10㎜를 초과하는 것이 바람직하다. 이러한 구성을 갖는 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 의하면, 저온하에 있어서 점착제층이 기재에 강고하게 보유 지지되어, 접착제층을 할단하기 위한 익스팬드 시(특히, 저온하에서의 익스팬드 시)에, 점착제층이 한층 더 균열되기 어렵다.In addition, in the dicing die-bonding film of the present invention, it is preferable that the peel force at -15°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer exceeds 6.5 N/10 mm. According to the dicing die-bonding film of the present invention having such a configuration, the pressure-sensitive adhesive layer is firmly held on the substrate under low temperature, so that when expanding the adhesive layer (particularly, when expanding under a low temperature), the adhesive The layer is more difficult to crack.

또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 점착제층은 아크릴계 점착제층인 것이 바람직하다. 이러한 구성을 갖는 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 의하면, 상기 식 (1)을 충족하는 점착제층의 설계가 용이하다.Moreover, in the dicing die-bonding film of this invention, it is preferable that an adhesive layer is an acrylic adhesive layer. According to the dicing die-bonding film of the present invention having such a configuration, it is easy to design the pressure-sensitive adhesive layer satisfying the above formula (1).

본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 따르면, 반도체 장치를 제조하는 과정에 있어서의 접착제층을 할단하기 위한 익스팬드 시에, 점착제층이 균열되기 어렵다. 이 때문에, 접착제층의 할단 시에 다이싱 테이프를 잡아늘였을 때에 발생하는 응력이 효과적으로 접착제층에 전달되어, 접착제층을 보다 적절하게 할단할 수 있다.According to the dicing die-bonding film of the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer is hardly cracked during expansion for cleaving the adhesive layer in the process of manufacturing a semiconductor device. For this reason, the stress generated when the dicing tape is stretched at the time of cutting the adhesive layer is effectively transmitted to the adhesive layer, and the adhesive layer can be more appropriately divided.

도 1은 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태를 도시하는 단면 모식도다.
도 2는 도 1에 도시하는 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
도 3은 도 2에 도시하는 공정 후에 이어지는 공정을 도시한다.
도 4는 도 3에 도시하는 공정 후에 이어지는 공정을 도시한다.
도 5는 도 4에 도시하는 공정 후에 이어지는 공정을 도시한다.
도 6은 도 5에 도시하는 공정 후에 이어지는 공정을 도시한다.
도 7은 도 6에 도시하는 공정 후에 이어지는 공정을 도시한다.
도 8은 도 1에 도시하는 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 변형예에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
도 9는 도 1에 도시하는 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 변형예에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
도 10은 도 1에 도시하는 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 변형예에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
도 11은 도 1에 도시하는 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법의 변형예에 있어서의 일부의 공정을 도시한다.
1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a dicing die-bonding film of the present invention.
FIG. 2 shows some of the steps in a method for manufacturing a semiconductor device using the dicing die-bonding film shown in FIG. 1.
3 shows a process following the process shown in FIG. 2.
4 shows a process following the process shown in FIG. 3.
5 shows a step following the step shown in FIG. 4.
6 shows a process following the process shown in FIG. 5.
7 shows a process following the process shown in FIG. 6.
FIG. 8 shows some steps in a modified example of a method for manufacturing a semiconductor device using the dicing die-bonding film shown in FIG. 1.
9 shows some steps in a modified example of the method for manufacturing a semiconductor device using the dicing die-bonding film shown in FIG. 1.
FIG. 10 shows some steps in a modified example of the method for manufacturing a semiconductor device using the dicing die-bonding film shown in FIG. 1.
FIG. 11 shows some steps in a modified example of the method for manufacturing a semiconductor device using the dicing die-bonding film shown in FIG. 1.

[다이싱 다이 본드 필름][Dicing Die Bond Film]

본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와, 상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있는 접착제층을 구비한다. 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태에 대해, 이하에 설명한다.The dicing die-bonding film of the present invention includes a dicing tape having a laminated structure including a base material and an adhesive layer, and an adhesive layer which is peelably adhered to the adhesive layer in the dicing tape. One embodiment of the dicing die-bonding film of the present invention will be described below.

또한, 본 명세서에서는, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와, 상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있는 접착제층을 구비하고, 상기 기재와 상기 점착제층 사이의, -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계가 후술하는 식 (1)을 충족하는, 다이싱 다이 본드 필름에 관한 발명에 대해서도 설명한다. 당해 다이싱 다이 본드 필름의 바람직한 구성에 대해서는, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 대해 설명하는 내용과 마찬가지이다.Further, in the present specification, a dicing tape having a laminated structure comprising a substrate and an adhesive layer, and an adhesive layer peelably adhered to the adhesive layer in the dicing tape are provided, and the substrate and the adhesive The invention related to the dicing die-bonding film in which the relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C between the layers satisfies the equation (1) described later will also be described. About the preferable structure of the said dicing die-bonding film, it is the same as what is demonstrated about the dicing die-bonding film of this invention.

또한, 본 명세서에서는, 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖고, 상기 기재와 상기 점착제층 사이의, -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계가 후술하는 식 (1)을 충족하는, 다이싱 테이프에 관한 발명에 대해서도 설명한다. 당해 다이싱 테이프의 바람직한 구성에 대해서는, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 다이싱 테이프에 대해 설명하는 내용과 마찬가지이다.In addition, in the present specification, it has a laminated structure including a substrate and an adhesive layer, and the relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C between the substrate and the adhesive layer is Equation (1) to be described later. The invention regarding a dicing tape that satisfies is also described. The preferred configuration of the dicing tape is the same as the description of the dicing tape in the dicing die-bonding film of the present invention.

도 1은, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태를 도시하는 단면 모식도다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 다이싱 테이프(10)와, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 점착제층(12) 상에 적층된 접착제층(20)을 구비하고, 반도체 장치의 제조에 있어서 접착제층을 구비하는 반도체 칩을 얻는 과정에서의 익스팬드 공정에 사용할 수 있는 것이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a dicing die-bonding film of the present invention. As shown in FIG. 1, the dicing die-bonding film 1 includes a dicing tape 10 and an adhesive layer 20 laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 12 in the dicing tape 10. It is provided and can be used in an expand process in the process of obtaining a semiconductor chip provided with an adhesive layer in the manufacture of a semiconductor device.

다이싱 다이 본드 필름(1)은, 반도체 장치의 제조 과정에 있어서의 가공 대상인 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈의 원반 형상을 갖는다. 다이싱 다이 본드 필름(1)의 직경은, 예를 들어 345 내지 380㎜의 범위 내(12인치 웨이퍼 대응형), 245 내지 280㎜의 범위 내(8인치 웨이퍼 대응형), 195 내지 230㎜의 범위 내(6인치 웨이퍼 대응형), 또는 495 내지 530㎜의 범위 내(18인치 웨이퍼 대응형)에 있다.The dicing die bonding film 1 has a disk shape of a size corresponding to a semiconductor wafer to be processed in a manufacturing process of a semiconductor device. The diameter of the dicing die bonding film 1 is, for example, within the range of 345 to 380 mm (12 inch wafer correspondence type), within the range of 245 to 280 mm (8 inch wafer correspondence type), and 195 to 230 mm. It is within the range (for 6 inch wafer type), or in the range of 495 to 530 mm (for 18 inch wafer type).

다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서의 다이싱 테이프(10)는, 기재(11)와 점착제층(12)을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서의, 기재(11)와 점착제층(12) 사이, 즉, 기재(11)의, 점착제층(12)이 밀착되어 있는 측의 표면(11a)과, 점착제층(12)의, 기재(11)가 밀착되어 있는 측의 표면(12a)의, -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계는, 하기 식 (1)을 충족한다.The dicing tape 10 in the dicing die-bonding film 1 has a laminated structure including a base material 11 and an adhesive layer 12. Between the substrate 11 and the pressure-sensitive adhesive layer 12 in the dicing die-bonding film 1, that is, the surface 11a of the substrate 11 on the side to which the pressure-sensitive adhesive layer 12 is in close contact, and the pressure-sensitive adhesive The relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C on the surface 12a of the layer 12 on the side to which the substrate 11 is in close contact satisfies the following equation (1).

본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 기재와 점착제층 사이의, -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계가 하기 식 (1)을 충족한다. 기재와 점착제층 사이의 박리력이 하기 식 (1)을 충족함으로써, 접착제층을 할단하기 위한 익스팬드 시(특히, 저온하에서의 익스팬드 시)에, 점착제층이 균열되기 어렵다. 또한, 상기 식 (1)을 충족함으로써, 기재의 종류에 구애되지 않고 이러한 효과가 얻어지는 경향이 있다.In the dicing die-bonding film of the present invention, the relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer satisfies the following formula (1). When the peeling force between the base material and the pressure-sensitive adhesive layer satisfies the following formula (1), the pressure-sensitive adhesive layer is less likely to crack during expansion (especially during expansion under low temperature) for cleaving the adhesive layer. Further, by satisfying the above formula (1), there is a tendency that such an effect can be obtained regardless of the kind of the substrate.

(-15℃에서의 박리력)/(25℃에서의 박리력)≥1 (1)(Peel force at -15°C)/(Peel force at 25°C)≥1 (One)

상기 기재와 점착제층 사이의 -15℃에서의 박리력은, 6.5N/10㎜를 초과하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 7.5N/10㎜ 이상, 더욱 바람직하게는 8.5N/10㎜ 이상이다. 상기 -15℃에서의 박리력이 6.5N/10㎜를 초과하면, 저온하에 있어서 점착제층이 기재에 강고하게 보유 지지되어, 접착제층을 할단하기 위한 익스팬드 시(특히, 저온하에서의 익스팬드 시)에, 점착제층이 한층 더 균열되기 어렵다. 또한, 상기 -15℃에서의 박리력은, 예를 들어 50N/10㎜ 이하여도 되고, 25N/10㎜ 이하여도 된다.The peel force at -15°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer is preferably more than 6.5N/10mm, more preferably 7.5N/10mm or more, and even more preferably 8.5N/10mm or more. . If the peeling force at -15°C exceeds 6.5N/10mm, the adhesive layer is firmly held on the substrate under low temperature, and when expanding to break the adhesive layer (especially when expanding under low temperature) Eh, the pressure-sensitive adhesive layer is more difficult to crack. Moreover, the said peeling force at -15 degreeC may be 50 N/10 mm or less, and 25 N/10 mm or less may be sufficient as it, for example.

상기 기재와 점착제층 사이의 25℃에서의 박리력은, 0.5N/10㎜ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.0N/10㎜ 이상, 더욱 바람직하게는 1.5N/10㎜ 이상이다. 상기 25℃에서의 박리력이 0.5N/10㎜ 이상이면, 접착제층을 구비하는 반도체 칩의 이격 거리를 넓히기 위한 익스팬드 시의 기재와 점착제층의 밀착성이 높아, 당해 익스팬드 시에 점착제층이 균열되기 어렵다. 또한, 상기 25℃에서의 박리력은, 예를 들어 50N/10㎜ 이하여도 되고, 15N/10㎜ 이하여도 된다.The peel force at 25° C. between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 0.5 N/10 mm or more, more preferably 1.0 N/10 mm or more, and still more preferably 1.5 N/10 mm or more. If the peeling force at 25°C is 0.5N/10 mm or more, the adhesion between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer at the time of expansion to increase the separation distance of the semiconductor chip with the adhesive layer is high, and the pressure-sensitive adhesive layer is formed during the expansion. Hard to crack Moreover, the said peeling force at 25 degreeC may be 50 N/10 mm or less, and 15 N/10 mm or less may be sufficient as it, for example.

또한, 본 명세서에 있어서, 기재와 점착제층 사이의, -15℃에서의 박리력 및 25℃에서의 박리력은, JIS K 6854-3에 기초하여 측정되는 T형 박리 강도이다. 구체적으로는, 하기의 측정 방법에 의해 측정된다.In addition, in the present specification, the peel force at -15°C and the peel force at 25°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer are T-shaped peel strengths measured based on JIS K 6854-3. Specifically, it is measured by the following measuring method.

<기재와 점착제층 사이의 박리력의 측정 방법><Measurement method of peeling force between the substrate and the adhesive layer>

다이싱 테이프의 점착제층 표면, 또는 다이싱 다이 본드 필름의 접착제층 표면에 강점착력 테이프를 접합하여 얻어지는 적층체를 시험 샘플로 하고, 인장 시험기를 사용하여, 소정의 온도 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서, 상기 시험 샘플의 기재와 점착제층의 사이를 T형 박리 시험에 의해 박리하여 박리력을 측정한다.A laminate obtained by bonding a strong adhesive tape to the surface of the adhesive layer of a dicing tape or the surface of the adhesive layer of a dicing die-bonding film is used as a test sample, and a predetermined temperature and tensile speed of 300 mm/min using a tensile tester Under the conditions of, peeling between the base material of the test sample and the pressure-sensitive adhesive layer is measured by a T-type peeling test.

기재(11)의 점착제층(12)측 표면(12a)에는 표면 처리가 실시되어 있다. 상기 표면 처리로서는, 예를 들어 코로나 방전 처리, 플라스마 처리, 샌드 매트 가공 처리, 오존 폭로 처리, 화염 폭로 처리, 고압 전격 폭로 처리, 이온화 방사선 처리 등의 물리적 처리; 크롬산 처리 등의 화학적 처리; 코팅제(하도제)에 의한 접착 용이화 처리 등을 들 수 있다. 표면 처리가 실시되어 있음으로써, 표면 처리가 실시되어 있지 않은 경우에 비해, 기재와 점착제층 사이의 -15℃에서의 박리력이 25℃에서의 박리력보다도 현저하게 향상된다. 이 현상은 하기와 같이 추측된다. 표면 처리가 실시되어 있지 않은 경우, 박리 시에는 계면 박리가 발생하여, -15℃ 환경하보다도 25℃ 환경하 쪽이 점착제층의 점착력이 발현되기 쉽기 때문에, 25℃에서의 박리력 쪽이 큰 경향이 있다. 한편, 표면 처리가 실시되어 있는 경우는 표면 처리가 실시된 기재 혹은 표면 처리층과 점착제층 사이에 화학 결합(공유 결합 등)이 형성되어 있고, 25℃ 환경하에서는 화학 결합이 절단되기 쉬워 응집 파괴에 소비되는 에너지가 작아 박리력의 향상이 비교적 작은 것에 비해, -15℃ 환경하에서는 화학 결합이 절단되기 어려워 응집 파괴에 소비되는 에너지가 커 박리력의 향상이 비교적 커지기 때문이다. 상기 표면 처리로서는, 그 중에서도, 코로나 처리가 바람직하다.Surface treatment is applied to the surface 12a on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the substrate 11. Examples of the surface treatment include physical treatments such as corona discharge treatment, plasma treatment, sand mat treatment treatment, ozone exposure treatment, flame exposure treatment, high pressure electric shock exposure treatment, and ionizing radiation treatment; Chemical treatment such as chromic acid treatment; And adhesion facilitating treatment with a coating agent (undercoat). By performing the surface treatment, the peeling force at -15°C between the base material and the pressure-sensitive adhesive layer is remarkably improved compared to the peeling force at 25°C as compared to the case where the surface treatment is not performed. This phenomenon is estimated as follows. When surface treatment is not performed, interfacial peeling occurs at the time of peeling, and since the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer is more likely to be expressed in the 25°C environment than in the -15°C environment, the peeling force at 25°C tends to be greater. There is this. On the other hand, when surface treatment is performed, chemical bonds (covalent bonds, etc.) are formed between the surface-treated substrate or the surface-treated layer and the pressure-sensitive adhesive layer. This is because, while the energy consumed is small and the improvement of the peeling force is relatively small, the chemical bond is difficult to break in an environment at -15°C, and the energy consumed for cohesive failure is large, and the improvement of the peeling force is relatively large. Among them, corona treatment is preferable as the surface treatment.

또한, 기재에 대한 표면 처리로서 코팅제(하도제)에 의한 접착 용이화 처리가 실시되어 있는 경우, 상기 박리력 측정에 있어서 측정 대상이 되는 박리력은, 코팅제에 의해 형성된 층(코팅층)의 응집 파괴에 의한 박리(응집 박리)에 있어서의 박리력이어도 되고, 코팅층과 기재 또는 코팅층과 점착제층의 계면의 박리(계면 박리)에 있어서의 박리력이어도 된다.In addition, when the adhesion facilitating treatment with a coating agent (undercoat) is performed as the surface treatment for the substrate, the peel force to be measured in the above peel force measurement is the cohesive failure of the layer (coating layer) formed by the coating agent. The peeling force in peeling by (agglomeration peeling) may be sufficient, and the peeling force in peeling (interfacial peeling) of the interface between the coating layer and the substrate or the coating layer and the pressure-sensitive adhesive layer may be used.

상기 표면 처리는, 기재에 있어서의 점착제층측의 표면 전체에 실시되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 대전 방지능을 부여하기 위해, 금속, 합금, 이들의 산화물 등을 포함하는 도전성의 증착층을 기재 표면에 마련해도 된다.It is preferable that the surface treatment is performed on the entire surface of the substrate on the side of the pressure-sensitive adhesive layer. Further, in order to impart antistatic ability, a conductive vapor deposition layer containing a metal, an alloy, or oxides thereof may be provided on the surface of the substrate.

또한, 본 명세서에 있어서, 수치 범위에 대해 바람직한 상한값 및 바람직한 하한값을 각각 나타내고 있는 경우에 있어서는, 언급된 모든 상한값 중 임의의 하나와 모든 하한값 중 임의의 하나를 조합한 수치 범위 전부를 기재하고 있는 것으로 한다.In addition, in the present specification, when each of a preferred upper limit and a preferred lower limit for a numerical range is shown, all of the numerical ranges obtained by combining any one of all the upper limit values mentioned and any one of all lower limits are described. do.

(기재)(materials)

다이싱 테이프에 있어서의 기재는, 다이싱 테이프나 다이싱 다이 본드 필름에 있어서 지지체로서 기능하는 요소이다. 기재로서는, 예를 들어 플라스틱 기재(특히 플라스틱 필름)를 들 수 있다. 상기 기재는, 단층이어도 되고, 동종 또는 이종의 기재의 적층체여도 된다.The base material in a dicing tape is an element which functions as a support body in a dicing tape or a dicing die-bonding film. As a base material, a plastic base material (especially a plastic film) is mentioned, for example. The substrate may be a single layer or a laminate of the same or different types of substrates.

상기 플라스틱 기재를 구성하는 수지로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA), 아이오노머, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교호) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체 등의 폴리올레핀 수지; 폴리우레탄; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르; 폴리카르보네이트; 폴리이미드; 폴리에테르에테르케톤; 폴리에테르이미드; 아라미드, 전방향족 폴리아미드 등의 폴리아미드; 폴리페닐 술피드; 불소 수지; 폴리염화비닐; 폴리염화비닐리덴; 셀룰로오스 수지; 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 기재에 있어서 양호한 열수축성을 확보하여, 후술하는 상온 익스팬드 공정에 있어서 칩 이격 거리를 다이싱 테이프 또는 기재의 부분적 열수축을 이용하여 유지하기 쉽다는 관점에서, 기재는, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체를 주성분으로서 포함하는 것이 바람직하다.As the resin constituting the plastic substrate, for example, low-density polyethylene, linear low-density polyethylene, medium-density polyethylene, high-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, random copolymerized polypropylene, block copolymerized polypropylene, homopolyproene, polybutene, poly Methylpentene, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ionomer, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene copolymer Polyolefin resins such as coalescence; Polyurethane; Polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate, and polybutylene terephthalate (PBT); Polycarbonate; Polyimide; Polyetheretherketone; Polyetherimide; Polyamides such as aramid and wholly aromatic polyamide; Polyphenyl sulfide; Fluororesin; Polyvinyl chloride; Polyvinylidene chloride; Cellulose resin; Silicone resins, etc. are mentioned. From the viewpoint of securing good heat shrinkability in the substrate and easy to maintain the chip spacing distance using a dicing tape or partial heat shrinkage of the substrate in the room temperature expansion process described later, the substrate is made of an ethylene-vinyl acetate copolymer. It is preferable to contain it as a main component.

또한, 기재의 주성분이란, 구성 성분 중에서 가장 큰 질량 비율을 차지하는 성분으로 한다. 상기 수지는, 1종만 사용되어 있어도 되고, 2종 이상이 사용되어 있어도 된다. 점착제층이 후술하는 바와 같이 방사선 경화형 점착제층인 경우, 기재는 방사선 투과성을 갖는 것이 바람직하다.In addition, the main component of the base material is a component that occupies the largest mass ratio among the constituent components. Only 1 type may be used for the said resin, and 2 or more types may be used. When the pressure-sensitive adhesive layer is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer as described later, it is preferable that the substrate has radiation transmittance.

기재가 플라스틱 필름인 경우, 상기 플라스틱 필름은, 무배향이어도 되고, 적어도 일방향(1축 방향, 2축 방향 등)으로 배향되어 있어도 된다. 적어도 일방향으로 배향되어 있는 경우, 플라스틱 필름은 당해 적어도 일방향으로 열수축 가능해진다. 열수축성을 갖고 있으면, 다이싱 테이프의, 반도체 웨이퍼의 외주 부분을 히트 슈링크시키는 것이 가능해지고, 이에 의해 개편화된 접착제층을 구비하는 반도체 칩끼리의 간격을 넓힌 상태에서 고정할 수 있으므로, 반도체 칩의 픽업을 용이하게 행할 수 있다. 기재 및 다이싱 테이프가 등방적인 열수축성을 갖기 위해서는, 기재는 2축 배향 필름인 것이 바람직하다. 또한, 상기 적어도 일방향으로 배향된 플라스틱 필름은, 비연신 플라스틱 필름을 당해 적어도 일방향으로 연신(1축 연신, 2축 연신 등)함으로써 얻을 수 있다.When the base material is a plastic film, the plastic film may be non-oriented, or may be oriented in at least one direction (uniaxial direction, biaxial direction, etc.). When oriented in at least one direction, the plastic film becomes heat-shrinkable in the at least one direction. If it has heat shrinkability, it becomes possible to heat shrink the outer circumferential portion of the semiconductor wafer of the dicing tape, thereby making it possible to fix in a state where the distance between the semiconductor chips provided with the individualized adhesive layer is widened. Chip can be picked up easily. In order for the base material and the dicing tape to have isotropic heat shrinkability, the base material is preferably a biaxially oriented film. Further, the plastic film oriented in at least one direction can be obtained by stretching the non-stretched plastic film in at least one direction (uniaxial stretching, biaxial stretching, etc.).

기재 및 다이싱 테이프는, 가열 온도 100℃ 및 가열 시간 처리 60초의 조건에서 행해지는 가열 처리 시험에 있어서의 열수축률이, 1 내지 30%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 내지 25%, 더욱 바람직하게는 3 내지 20%, 특히 바람직하게는 5 내지 20%이다. 상기 열수축률은, MD 방향 및 TD 방향 중 적어도 일방향의 열수축률인 것이 바람직하다.The base material and the dicing tape preferably have a heat shrinkage rate of 1 to 30%, more preferably 2 to 25%, and furthermore, in a heat treatment test performed under the conditions of a heating temperature of 100°C and a heating time treatment of 60 seconds. It is preferably 3 to 20%, particularly preferably 5 to 20%. The thermal contraction rate is preferably a thermal contraction rate in at least one direction of the MD direction and the TD direction.

기재의 두께는, 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 지지체로서 기재가 기능하기 위한 강도를 확보한다고 하는 관점에서는, 40㎛ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 55㎛ 이상, 특히 바람직하게는 60㎛ 이상이다. 또한, 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름에 있어서 적당한 가요성을 실현한다고 하는 관점에서는, 기재의 두께는, 200㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 180㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 150㎛ 이하이다.The thickness of the base material is preferably 40 µm or more, more preferably 50 µm or more, and even more preferably from the viewpoint of securing the strength for the base material to function as a support in a dicing tape and dicing die-bonding film. Is 55 µm or more, particularly preferably 60 µm or more. In addition, from the viewpoint of realizing appropriate flexibility in dicing tapes and dicing die-bonding films, the thickness of the substrate is preferably 200 µm or less, more preferably 180 µm or less, and even more preferably 150 µm or less. to be.

(점착제층)(Adhesive layer)

다이싱 테이프의 점착제층은, 베이스 폴리머로서 아크릴계 폴리머를 함유하는 점착제층(아크릴계 점착제층)인 것이 바람직하다. 상기 아크릴계 폴리머는, 폴리머의 구성 단위로서, 아크릴계 모노머(분자 중에 (메트)아크릴로일기를 갖는 모노머 성분)에서 유래되는 구성 단위를 포함하는 폴리머이다.It is preferable that the adhesive layer of a dicing tape is an adhesive layer (acrylic adhesive layer) containing an acrylic polymer as a base polymer. The acrylic polymer is a polymer containing a structural unit derived from an acrylic monomer (a monomer component having a (meth)acryloyl group in the molecule) as a structural unit of the polymer.

상기 아크릴계 폴리머는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많이 포함하는 폴리머인 것이 바람직하다. 또한, 아크릴계 폴리머는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴」이란, 「아크릴」 및/또는 「메타크릴」(「아크릴」 및 「메타크릴」 중, 어느 한쪽 또는 양쪽)을 나타내고, 그 외에도 마찬가지이다.It is preferable that the said acrylic polymer is a polymer containing the most by mass ratio of structural units derived from (meth)acrylic acid ester. Moreover, only 1 type may be used for the acrylic polymer, and 2 or more types may be used for it. In addition, in this specification, "(meth)acryl" represents "acrylic" and/or "methacryl" (any one or both of "acrylic" and "methacryl"), and it is the same in addition to that.

상기 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서는, (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, (메트)아크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다.As said (meth)acrylic acid ester, the hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester which may have an alkoxy group is mentioned, for example. Examples of the hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester include alkyl (meth)acrylates, cycloalkyl (meth)acrylates, and aryl (meth)acrylates.

상기 (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르(라우릴에스테르), 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the (meth)acrylic acid alkyl ester include methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, Isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester (lauryl ester), tridecyl ester, Tetradecyl ester, hexadecyl ester, octadecyl ester, eicosyl ester, etc. are mentioned.

상기 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴산 아릴에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 페닐에스테르, 벤질에스테르를 들 수 있다.As said (meth)acrylic acid cycloalkyl ester, cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, etc. of (meth)acrylic acid are mentioned, for example. As said aryl ester of (meth)acrylic acid, a phenyl ester and a benzyl ester of (meth)acrylic acid are mentioned, for example.

알콕시기를 갖는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서는, 상기 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에 있어서의 탄화수소기 중의 1 이상의 수소 원자를 알콕시기로 치환한 것을 들 수 있고, 예를 들어 (메트)아크릴산의 2-메톡시메틸에스테르, 2-메톡시에틸에스테르, 2-메톡시부틸에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester having an alkoxy group include those in which at least one hydrogen atom in the hydrocarbon group in the hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester is substituted with an alkoxy group. For example, (meth)acrylic acid 2-methoxymethyl ester, 2-methoxyethyl ester, 2-methoxybutyl ester, and the like.

상기 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.The hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester which may have an alkoxy group may be used alone or in combination of two or more.

상기 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르는, 에스테르부에 있어서의 탄소 수의 총 수(알콕시기를 갖는 경우는 알콕시기에 있어서의 탄소 수를 포함하는 총 수)가 6 내지 10인 것이 바람직하다. 특히, 탄화수소기의 탄소 수의 총 수가 6 내지 10인 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르인 것이 바람직하다. 이들의 경우, 점착제층 중의 폴리머의 유리 전이 온도가 높아지는 경향이 있어, 저온에서의 박리력이 높아지기 쉬워, 상기 식 (1)을 충족하는 다이싱 테이프를 설계하기 쉽다.In the hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester which may have an alkoxy group, the total number of carbon atoms in the ester portion (in the case of having an alkoxy group, the total number including the number of carbon atoms in the alkoxy group) is 6 to 10. desirable. In particular, it is preferable that it is a hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester having a total number of carbon atoms of 6 to 10 in the hydrocarbon group. In these cases, the glass transition temperature of the polymer in the pressure-sensitive adhesive layer tends to be high, the peeling force at low temperature tends to be high, and it is easy to design a dicing tape that satisfies the above formula (1).

알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층에 있어서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 모노머 성분에 있어서의 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르의 비율은, 20몰% 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 30몰% 이상이다. 더욱 바람직하게는 40몰% 이상이다.Hydrocarbon group which may have an alkoxy group In order to properly express basic properties such as adhesion by (meth)acrylic acid ester in the pressure-sensitive adhesive layer, a hydrocarbon group which may have an alkoxy group in all monomer components for forming an acrylic polymer The proportion of the contained (meth)acrylic acid ester is preferably 20 mol% or more, and more preferably 30 mol% or more. More preferably, it is 40 mol% or more.

또한, 본 명세서에 있어서, 상기 모노머 성분에는, 점착제층에 대한 방사선 조사 전의, 폴리머에 도입된 단계에 있어서 방사선 중합성기를 갖는 화합물(예를 들어, 후술하는 제2 관능기 및 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물)은 포함되지 않는 것으로 한다.In addition, in the present specification, the monomer component includes a compound having a radiation polymerizable group (e.g., a second functional group and radiation polymerizable carbon-carbon to be described later) in the step introduced into the polymer prior to irradiation to the pressure-sensitive adhesive layer. Compounds having a double bond) are not included.

상기 아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 상기 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에서 유래되는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 모노머 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 글리시딜기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 질소 원자 함유 모노머 등의 극성기 함유 모노머 등을 들 수 있다.The acrylic polymer may contain a structural unit derived from another monomer component copolymerizable with the hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester which may have an alkoxy group, for the purpose of modification such as cohesion and heat resistance. Examples of the other monomer components include polar group-containing monomers such as carboxy group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxy group-containing monomers, glycidyl group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphoric acid group-containing monomers, and nitrogen atom-containing monomers. .

상기 카르복시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등을 들 수 있다.Examples of the carboxy group-containing monomer include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth)acrylate, carboxypentyl (meth)acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid.

상기 산 무수물 모노머로서는, 예를 들어 무수말레산, 무수이타콘산 등을 들 수 있다. 상기 히드록시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As said acid anhydride monomer, maleic anhydride, itaconic anhydride, etc. are mentioned, for example. Examples of the hydroxy group-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth)acrylate, ( 8-hydroxyoctyl meth)acrylate, 10-hydroxydecyl (meth)acrylate, 12-hydroxylauryl (meth)acrylate, and (4-hydroxymethylcyclohexyl)methyl (meth)acrylate, etc. are mentioned. .

상기 글리시딜기 함유 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산글리시딜, (메트)아크릴산메틸글리시딜 등을 들 수 있다.As said glycidyl group-containing monomer, glycidyl (meth)acrylate, methylglycidyl (meth)acrylate, etc. are mentioned, for example.

상기 술폰산기 함유 모노머로서는, 예를 들어 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등을 들 수 있다.As the sulfonic acid group-containing monomer, for example, styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2-(meth)acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth)acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth)acrylate, (meth) And acryloyloxynaphthalenesulfonic acid.

상기 인산기 함유 모노머로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등을 들 수 있다.Examples of the phosphoric acid group-containing monomer include 2-hydroxyethylacryloyl phosphate.

상기 질소 원자 함유 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴로일모르폴린 등의 모르폴리노기 함유 모노머, (메트)아크릴로니트릴 등의 시아노기 함유 모노머, (메트)아크릴아미드 등의 아미드기 함유 모노머 등을 들 수 있다.Examples of the nitrogen atom-containing monomer include morpholino group-containing monomers such as (meth)acryloylmorpholine, cyano group-containing monomers such as (meth)acrylonitrile, and amide group-containing monomers such as (meth)acrylamide. And the like.

상기 다른 모노머 성분으로서는, 그 중에서도, 히드록시기 함유 모노머, 질소 원자 함유 모노머(특히, 모르폴리노기 함유 모노머)가 바람직하고, 보다 바람직하게는 (메트)아크릴산2-히드록시에틸(2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트), (메트)아크릴로일모르폴린이다. 즉, 상기 아크릴계 폴리머는, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위 및/또는 (메트)아크릴로일모르폴린 유래의 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다.As the other monomer component, among others, a hydroxy group-containing monomer and a nitrogen atom-containing monomer (particularly, a morpholino group-containing monomer) are preferable, and more preferably (meth)acrylate 2-hydroxyethyl (2-hydroxyethyl ( Meth)acrylate), (meth)acryloylmorpholine. That is, the acrylic polymer preferably contains a structural unit derived from 2-hydroxyethyl (meth)acrylate and/or a structural unit derived from (meth)acryloylmorpholine.

상기 다른 모노머 성분은, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.As for the said other monomer component, only 1 type may be used and 2 or more types may be used.

알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층에 있어서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 모노머 성분에 있어서의, 상기 극성기 함유 모노머의 합계 비율은, 60몰% 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 50몰% 이하이다. 또한, 점착제층 중의 폴리머의 유리 전이 온도를 높게 하여, 저온에서의 박리력이 높아지기 쉬워, 상기 식 (1)을 충족하는 다이싱 테이프를 설계하기 쉽다는 관점에서, 상기 극성기 함유 모노머의 합계 비율은, 5몰% 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10몰% 이상이다.In order to properly express basic properties such as adhesion by a hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester that may have an alkoxy group in the pressure-sensitive adhesive layer, the total of the polar group-containing monomers in all monomer components for forming the acrylic polymer The ratio is preferably 60 mol% or less, and more preferably 50 mol% or less. In addition, from the viewpoint of increasing the glass transition temperature of the polymer in the pressure-sensitive adhesive layer so that the peeling force at low temperatures is likely to increase, and it is easy to design a dicing tape that satisfies the above formula (1), the total ratio of the polar group-containing monomers is , 5 mol% or more is preferable, and more preferably 10 mol% or more.

알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층에 있어서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 모노머 성분에 있어서의 히드록시기 함유 모노머 유래의 구성 단위의 비율은, 5몰% 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10몰% 이상이다. 또한, 상기 비율은, 예를 들어 80몰% 이하이고, 70몰% 이하, 60몰% 이하여도 된다.In order to properly express basic properties such as adhesion by a hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester that may have an alkoxy group in the pressure-sensitive adhesive layer, a constituent unit derived from a hydroxy group-containing monomer in all monomer components for forming an acrylic polymer The ratio of is preferably 5 mol% or more, and more preferably 10 mol% or more. Moreover, the said ratio may be 80 mol% or less, 70 mol% or less, and 60 mol% or less, for example.

아크릴계 폴리머를 형성하는 모노머 성분으로서 상기 질소 원자 함유 모노머를 사용하는 경우, 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 모노머 성분에 있어서의 질소 원자 함유 모노머 유래의 구성 단위 비율은, 3몰% 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5몰% 이상이다. 또한, 상기 비율은, 예를 들어 50몰% 이하이고, 30몰% 이하, 20몰% 이하여도 된다.When the above-described nitrogen atom-containing monomer is used as the monomer component forming the acrylic polymer, the proportion of the constitutional unit derived from the nitrogen atom-containing monomer in all monomer components for forming the acrylic polymer is preferably 3 mol% or more, and more It is preferably 5 mol% or more. Moreover, the said ratio may be 50 mol% or less, 30 mol% or less, and 20 mol% or less, for example.

상기 아크릴계 폴리머는, 그 폴리머 골격 중에 가교 구조를 형성하기 위해, 아크릴계 폴리머를 형성하는 모노머 성분과 공중합 가능한 다관능성 모노머에서 유래되는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다관능성 모노머로서는, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트(예를 들어, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트), 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등의 분자 내에 (메트)아크릴로일기와 다른 반응성 관능기를 갖는 단량체 등을 들 수 있다.The acrylic polymer may contain a constituent unit derived from a polyfunctional monomer copolymerizable with a monomer component forming the acrylic polymer in order to form a crosslinked structure in the polymer skeleton. Examples of the polyfunctional monomer include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, and neopentyl glycol di (meth) acrylic. Rate, pentaerythritol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, epoxy(meth)acrylate ( For example, monomers having a (meth)acryloyl group and other reactive functional groups in the molecule such as polyglycidyl (meth)acrylate), polyester (meth)acrylate, urethane (meth)acrylate, etc. have.

상기 다관능성 모노머는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 알콕시기를 갖고 있어도 되는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층에 있어서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 모노머 성분에 있어서의 상기 다관능성 모노머의 비율은, 40몰% 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 30몰% 이하이다.As for the said polyfunctional monomer, only 1 type may be used and 2 or more types may be used. In order to properly express basic properties such as adhesion by a hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester that may have an alkoxy group in the pressure-sensitive adhesive layer, the ratio of the polyfunctional monomer in the total monomer components for forming the acrylic polymer is , 40 mol% or less is preferable, and more preferably 30 mol% or less.

상기 아크릴계 폴리머는, 제1 관능기를 갖는 모노머(예를 들어, 상기 극성기 함유 모노머) 유래의 구성 단위와 함께, 상기 제1 관능기와 반응할 수 있는 제2 관능기 및 방사선 중합성 관능기를 갖는 화합물 유래의 구조부를 갖는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머가 이러한 구성을 갖는 경우, 후술하는 방사선 경화성 점착제의 설계가 용이해진다.The acrylic polymer is derived from a compound having a second functional group capable of reacting with the first functional group and a radiation polymerizable functional group together with a structural unit derived from a monomer having a first functional group (eg, the polar group-containing monomer) It is preferred to have a structural part. When the acrylic polymer has such a configuration, the design of the radiation curable pressure-sensitive adhesive to be described later becomes easy.

상기 제1 관능기와 상기 제2 관능기의 조합으로서는, 예를 들어 카르복시기와 에폭시기, 에폭시기와 카르복시기, 카르복시기와 아지리딜기, 아지리딜기와 카르복시기, 히드록시기와 이소시아네이트기, 이소시아네이트기와 히드록시기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 반응 추적의 용이성의 관점에서, 히드록시기와 이소시아네이트기의 조합, 이소시아네이트기와 히드록시기의 조합이 바람직하다. 그 중에서도, 반응성이 높은 이소시아네이트기를 갖는 폴리머를 제작하는 것은 기술적 난이도가 높고, 한편 히드록시기를 갖는 아크릴계 폴리머의 제작 및 입수의 용이성의 관점에서, 상기 제1 관능기가 히드록시기이고, 상기 제2 관능기가 이소시아네이트기인 조합이 바람직하다.Examples of the combination of the first functional group and the second functional group include a carboxyl group and an epoxy group, an epoxy group and a carboxyl group, a carboxyl group and an aziridyl group, an aziridyl group and a carboxyl group, a hydroxy group and an isocyanate group, an isocyanate group and a hydroxy group. Among these, a combination of a hydroxy group and an isocyanate group and a combination of an isocyanate group and a hydroxy group are preferable from the viewpoint of easiness of reaction tracking. Among them, preparing a polymer having a highly reactive isocyanate group is of high technical difficulty, while from the viewpoint of easy production and availability of an acrylic polymer having a hydroxy group, the first functional group is a hydroxy group, and the second functional group is an isocyanate group. A combination is preferred.

상기 구조부를 갖는 아크릴계 폴리머는, 특히 히드록시기 함유 모노머 유래의 구성 단위와 함께, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합(특히, (메트)아크릴로일기) 및 이소시아네이트기를 갖는 화합물 유래의 구조부를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the acrylic polymer having the structural moiety has a structural moiety derived from a compound having a radiation polymerizable carbon-carbon double bond (particularly, a (meth)acryloyl group) and an isocyanate group together with a structural unit derived from a hydroxy group-containing monomer. .

방사성 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 및 이소시아네이트기를 갖는 화합물로서는, 메타크릴로일이소시아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트가 바람직하다. 또한, 히드록시기를 갖는 아크릴계 폴리머로서는, 상술한 히드록시기 함유 모노머나, 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등의 에테르계 화합물에서 유래되는 구성 단위를 포함하는 것을 들 수 있다.As a compound having a radiopolymerizable carbon-carbon double bond and an isocyanate group, methacryloyl isocyanate, 2-acryloyloxyethyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α,α- And dimethylbenzyl isocyanate. Among them, 2-acryloyloxyethyl isocyanate and 2-methacryloyloxyethyl isocyanate are preferable. In addition, as the acrylic polymer having a hydroxy group, structural units derived from the aforementioned hydroxy group-containing monomers and ether compounds such as 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, and diethylene glycol monovinyl ether are included. It can be mentioned.

상기 제1 관능기를 갖는 모노머 유래의 구성 단위와 상기 제2 관능기 및 방사선 중합성 관능기를 갖는 화합물의 몰비[전자/후자]는, 0.95 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.00 이상, 더욱 바람직하게는 1.05 이상, 특히 바람직하게는 1.10 이상이다. 상기 몰비가 0.95 이상이면, 제1 관능기(예를 들어, 히드록시기)와 제2 관능기(예를 들어, 이소시아네이트기)의 결합이 충분히 촉진되고, 그러면서도 점착제층 중의 아크릴계 폴리머에 있어서의 미반응의 제1 관능기가 어느 정도 잔존하고 있다고 추측되어, 점착제층과 기재 사이의 박리력이 보다 향상되어, 익스팬드 시의 점착제층의 균열이 보다 일어나기 어렵다. 상기 몰비는, 예를 들어 10.00 이하, 5.00 이하, 3.00 이하, 2.00 이하, 1.50 이하, 1.30 이하여도 된다.The molar ratio [the former/the latter] of the constituent unit derived from the monomer having the first functional group and the compound having the second functional group and the radiation-polymerizable functional group is preferably 0.95 or more, more preferably 1.00 or more, and even more preferably 1.05 or more, particularly preferably 1.10 or more. When the molar ratio is 0.95 or more, bonding of the first functional group (for example, a hydroxy group) and the second functional group (for example, an isocyanate group) is sufficiently promoted, and yet the first unreacted in the acrylic polymer in the pressure-sensitive adhesive layer It is assumed that the functional group remains to some extent, the peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer and the base material is further improved, and cracking of the pressure-sensitive adhesive layer at the time of expansion is more difficult to occur. The molar ratio may be, for example, 10.00 or less, 5.00 or less, 3.00 or less, 2.00 or less, 1.50 or less, and 1.30 or less.

특히, 히드록시기 함유 모노머와 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트의 몰비[히드록시기 함유 모노머/2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트]가 상기 범위 내인 것이 바람직하다.In particular, it is preferable that the molar ratio of the hydroxy group-containing monomer and 2-methacryloyloxyethyl isocyanate [the hydroxy group-containing monomer/2-methacryloyloxyethyl isocyanate] is within the above range.

아크릴계 폴리머는, 아크릴계 모노머를 포함하는 1종 이상의 모노머 성분을 중합으로 부여함으로써 얻어진다. 중합 방법으로서는, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등을 들 수 있다.The acrylic polymer is obtained by polymerizing at least one monomer component containing an acrylic monomer. As a polymerization method, solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization, etc. are mentioned.

점착제층 혹은 점착제층을 형성하는 점착제는, 가교제를 함유하고 있어도 된다. 예를 들어, 베이스 폴리머로서 아크릴계 폴리머를 사용하는 경우, 아크릴계 폴리머를 가교시켜, 점착제층 중의 저분자량 물질을 보다 저감시킬 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머의 수 평균 분자량을 높일 수 있다.The pressure-sensitive adhesive for forming the pressure-sensitive adhesive layer or the pressure-sensitive adhesive layer may contain a crosslinking agent. For example, when an acrylic polymer is used as the base polymer, the acrylic polymer can be crosslinked to further reduce a low molecular weight substance in the pressure-sensitive adhesive layer. Further, the number average molecular weight of the acrylic polymer can be increased.

상기 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물(폴리페놀계 화합물 등), 아지리딘 화합물, 멜라민 화합물 등을 들 수 있다. 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 베이스 폴리머 100질량부에 대해, 5질량부 정도 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5질량부이다.Examples of the crosslinking agent include polyisocyanate compounds, epoxy compounds, polyol compounds (polyphenol compounds, etc.), aziridine compounds, melamine compounds, and the like. When a crosslinking agent is used, the amount of the crosslinking agent is preferably about 5 parts by mass or less, and more preferably 0.1 to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the base polymer.

아크릴계 폴리머(가교제를 사용하는 경우는 가교 후)의 유리 전이 온도(Tg)는, -50 내지 10℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 -40 내지 0℃이다. 상기 Tg가 상기 범위 내이면, 상기 식 (1)을 충족하는 점착제층을 설계하기 쉽다.The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (after crosslinking in the case of using a crosslinking agent) is preferably -50 to 10°C, more preferably -40 to 0°C. When the Tg is within the above range, it is easy to design a pressure-sensitive adhesive layer that satisfies the above formula (1).

아크릴계 폴리머(가교제를 사용하는 경우는 가교 후)의 질량 평균 분자량은, 30만 이상(예를 들어, 30만 내지 170만)이 바람직하고, 보다 바람직하게는 35만 이상이다. 질량 평균 분자량이 30만 이상이면, 점착제층 중의 저분자량 물질이 적은 경향이 있어, 접착제층이나 반도체 웨이퍼 등에 대한 오염을 보다 억제할 수 있다.The mass average molecular weight of the acrylic polymer (after crosslinking when using a crosslinking agent) is preferably 300,000 or more (eg, 300,000 to 1.7 million), and more preferably 350,000 or more. When the mass average molecular weight is 300,000 or more, there is a tendency that there are few low molecular weight substances in the pressure-sensitive adhesive layer, and contamination to the adhesive layer or semiconductor wafer or the like can be further suppressed.

점착제층은, 다이싱 다이 본드 필름의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 의해 의도적으로 점착력을 저감시키는 것이 가능한 점착제층(점착력 저감 가능형 점착제층)이어도 되고 다이싱 다이 본드 필름의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 의해서는 점착력이 거의 또는 전혀 저감되지 않는 점착제층(점착력 비저감형 점착제층)이어도 되고, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 개편화되는 반도체 웨이퍼의 개편화 방법이나 조건 등에 따라서 적절하게 선택할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer may be a pressure-sensitive adhesive layer capable of intentionally reducing the adhesive force by an action from the outside in the process of using the dicing die-bonding film (a pressure-sensitive adhesive layer capable of reducing the adhesive force), or in the process of using the dicing die-bonding film It may be a pressure-sensitive adhesive layer (a non-adhesive pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive layer) with little or no reduction in adhesion due to external action, and it is appropriate according to the method or conditions of the separation of semiconductor wafers that are separated using a dicing die-bonding film. You can choose.

점착제층이 점착력 저감 가능형 점착제층인 경우, 다이싱 다이 본드 필름의 제조 과정이나 사용 과정에 있어서, 점착제층이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태와 상대적으로 낮은 점착력을 나타내는 상태를 구분하여 사용하는 것이 가능해진다. 예를 들어, 다이싱 다이 본드 필름의 제조 과정에서 다이싱 테이프의 점착제층에 접착제층을 접합할 때나, 다이싱 다이 본드 필름이 다이싱 공정에 사용될 때에는, 점착제층이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태를 이용하여 점착제층으로부터 접착제층 등의 피착체의 들뜸을 억제·방지하는 것이 가능해지는 한편, 그 후, 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프로부터 접착제층을 구비하는 반도체 칩을 픽업하기 위한 픽업 공정에서는, 점착제층의 점착력을 저감시킴으로써, 픽업을 용이하게 행할 수 있다.When the pressure-sensitive adhesive layer is a pressure-sensitive adhesive layer capable of reducing adhesive strength, in the manufacturing process or use process of the dicing die-bonding film, it is recommended to use a state in which the pressure-sensitive adhesive layer shows a relatively high adhesive strength and a relatively low adhesive strength. It becomes possible. For example, when bonding an adhesive layer to the adhesive layer of a dicing tape during the manufacturing process of a dicing die-bonding film, or when a dicing die-bonding film is used in the dicing process, the adhesive layer exhibits relatively high adhesive strength. It is possible to suppress and prevent lifting of the adherend such as the adhesive layer from the pressure-sensitive adhesive layer, and then, a pickup process for picking up the semiconductor chip with the adhesive layer from the dicing tape of the dicing die-bonding film. In, by reducing the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer, pickup can be easily performed.

이러한 점착력 저감 가능형 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 예를 들어 방사선 경화성 점착제, 가열 발포형 점착제 등을 들 수 있다. 점착력 저감 가능형 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 1종의 점착제를 사용해도 되고, 2종 이상의 점착제를 사용해도 된다.Examples of the pressure-sensitive adhesive for forming such an adhesive force-reducing pressure-sensitive adhesive layer include radiation-curable pressure-sensitive adhesives and heat-foaming pressure-sensitive adhesives. As the pressure-sensitive adhesive for forming the pressure-sensitive adhesive layer capable of reducing adhesive force, one type of pressure-sensitive adhesive may be used, or two or more types of pressure-sensitive adhesives may be used.

상기 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 전자선, 자외선, α선, β선, γ선, 또는 X선의 조사에 의해 경화되는 타입의 점착제를 사용할 수 있고, 자외선 조사에 의해 경화되는 타입의 점착제(자외선 경화성 점착제)를 특히 바람직하게 사용할 수 있다.As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, for example, a type of pressure-sensitive adhesive that is cured by irradiation of electron beam, ultraviolet light, α-ray, β-ray, γ-ray, or X-ray can be used, and a type of pressure-sensitive adhesive that is cured by ultraviolet irradiation (ultraviolet-curable Adhesive) can be used particularly preferably.

상기 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 상기 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머와, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 갖는 방사선 중합성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 함유하는 첨가형의 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다.Examples of the radiation curable pressure sensitive adhesive include an additive type radiation curable pressure sensitive adhesive containing a base polymer such as the acrylic polymer and a radiation polymerizable monomer component or oligomer component having a functional group such as a radiation polymerizable carbon-carbon double bond. have.

상기 방사선 중합성의 모노머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등 들 수 있다.As the radiation polymerizable monomer component, for example, urethane (meth)acrylate, trimethylolpropane tri (meth)acrylate, pentaerythritol tri (meth)acrylate, pentaerythritol tetra (meth)acrylate, dipenta Erythritol monohydroxypenta (meth)acrylate, dipentaerythritol hexa (meth)acrylate, and 1,4-butanedioldi (meth)acrylate.

상기 방사선 중합성의 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등의 다양한 올리고머를 들 수 있다. 분자량은 100 내지 30000 정도인 것이 바람직하다.Examples of the radiation polymerizable oligomer component include various oligomers such as urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based, and polybutadiene-based oligomers. The molecular weight is preferably about 100 to 30000.

점착제층을 형성하는 방사선 경화성 점착제 중의 상기 방사선 경화성의 모노머 성분 및 올리고머 성분의 함유량은, 상기 베이스 폴리머 100질량부에 대해, 예를 들어 5 내지 500질량부, 바람직하게는 40 내지 150질량부 정도이다.The content of the radiation curable monomer component and oligomer component in the radiation curable pressure-sensitive adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer is, for example, 5 to 500 parts by mass, preferably about 40 to 150 parts by mass, based on 100 parts by mass of the base polymer. .

또한, 첨가형의 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소60-196956호 공보에 개시된 것을 사용해도 된다.Moreover, as an additive-type radiation curable adhesive, you may use what was disclosed, for example in Unexamined-Japanese-Patent No. 60-196956.

상기 방사선 경화성 점착제로서는, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 폴리머 측쇄나, 폴리머 주쇄 중, 폴리머 주쇄 말단에 갖는 베이스 폴리머를 함유하는 내재형의 방사선 경화성 점착제도 들 수 있다. 이러한 내재형의 방사선 경화성 점착제를 사용하면, 형성된 점착제층 내에서의 저분자량 성분의 이동에 기인하는 점착 특성의 의도치 않은 경시적 변화를 억제할 수 있는 경향이 있다.Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive include an internal type radiation-curable pressure-sensitive adhesive containing a base polymer having a functional group such as a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond at the polymer side chain or at the end of the polymer main chain. When such an intrinsic radiation-curable pressure-sensitive adhesive is used, there is a tendency that it is possible to suppress an unintended change in adhesion properties over time due to the movement of a low molecular weight component in the formed pressure-sensitive adhesive layer.

상기 내재형의 방사선 경화성 점착제에 함유되는 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머가 바람직하다. 아크릴계 폴리머에 대한 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합의 도입 방법으로서는, 예를 들어 상기 제1 관능기를 갖는 모노머 성분을 포함하는 원료 모노머를 중합(공중합)시켜 아크릴계 폴리머를 얻은 후, 상기 제2 관능기 및 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 중합성을 유지한 채 아크릴계 폴리머에 대해 축합 반응 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.As the base polymer contained in the internal radiation curable pressure-sensitive adhesive, an acrylic polymer is preferable. As a method of introducing a radiation polymerizable carbon-carbon double bond into an acrylic polymer, for example, a raw material monomer containing a monomer component having the first functional group is polymerized (copolymerized) to obtain an acrylic polymer, and then the second functional group and A method in which a compound having a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond is subjected to a condensation reaction or an addition reaction with respect to an acrylic polymer while maintaining the radiation-polymerizable carbon-carbon double bond.

상기 방사선 경화성 점착제는, 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 광중합 개시제로서는, 예를 들어 α-케톨계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 광활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥시드, 아실포스포네이트 등을 들 수 있다.It is preferable that the said radiation curable adhesive contains a photoinitiator. Examples of the photopolymerization initiator include α-ketol compounds, acetophenone compounds, benzoin ether compounds, ketal compounds, aromatic sulfonyl chloride compounds, photoactive oxime compounds, benzophenone compounds, thioxanthone compounds Compounds, campoquinone, halogenated ketones, acylphosphine oxide, acylphosphonate, and the like.

상기 α-케톨계 화합물로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등을 들 수 있다.Examples of the α-ketol-based compound include 4-(2-hydroxyethoxy)phenyl(2-hydroxy-2-propyl)ketone, α-hydroxy-α,α'-dimethylacetophenone, 2- Methyl-2-hydroxypropiophenone, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, etc. are mentioned.

상기 아세토페논계 화합물로서는, 예를 들어 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등을 들 수 있다.Examples of the acetophenone-based compound include methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1-[4-(methylthio) -Phenyl]-2-morpholinopropane-1, and the like.

상기 벤조인에테르계 화합물로서는, 예를 들어 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등을 들 수 있다. 상기 케탈계 화합물로서는, 예를 들어 벤질디메틸케탈 등을 들 수 있다.As said benzoin ether compound, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, anisoin methyl ether, etc. are mentioned, for example. As said ketal compound, benzyl dimethyl ketal etc. are mentioned, for example.

상기 방향족 술포닐클로라이드계 화합물로서는, 예를 들어 2-나프탈렌술포닐 클로라이드 등을 들 수 있다. 상기 광활성 옥심계 화합물로서는, 예를 들어 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic sulfonyl chloride compound include 2-naphthalenesulfonyl chloride. Examples of the photoactive oxime compound include 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime and the like.

상기 벤조페논계 화합물로서는, 예를 들어 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등을 들 수 있다.Examples of the benzophenone-based compound include benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone, and the like.

상기 티오크산톤계 화합물로서는, 예를 들어 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등을 들 수 있다.Examples of the thioxanthone compound include thioxanthone, 2-chloro thioxanthone, 2-methyl thioxanthone, 2,4-dimethyl thioxanthone, isopropyl thioxanthone, and 2,4-dichloroti Oxanthone, 2,4-diethyl thioxanthone, 2,4-diisopropyl thioxanthone, etc. are mentioned.

방사선 경화성 점착제 중의 광중합 개시제의 함유량은, 베이스 폴리머 100질량부에 대해, 예를 들어 0.05 내지 20질량부이다.The content of the photoinitiator in the radiation curable pressure-sensitive adhesive is, for example, 0.05 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the base polymer.

상기 가열 발포형 점착제는, 가열에 의해 발포나 팽창을 하는 성분(발포제, 열팽창성 미소구 등)을 함유하는 점착제이다.The heat-expandable pressure-sensitive adhesive is a pressure-sensitive adhesive containing a component (foaming agent, thermally expandable microspheres, etc.) that foams or expands by heating.

상기 발포제로서는, 다양한 무기계 발포제나 유기계 발포제를 들 수 있다. 상기 무기계 발포제로서는, 예를 들어 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산수소나트륨, 아질산암모늄, 수소화붕소나트륨, 아지드류 등을 들 수 있다. 상기 유기계 발포제로서는, 예를 들어 트리클로로모노플루오로메탄, 디클로로모노플루오로메탄 등의 염불화알칸; 아조비스이소부티로니트릴, 아조디카르본아미드, 바륨아조디카르복실레이트 등의 아조계 화합물; 파라톨루엔술포닐히드라지드, 디페닐술폰-3,3'-디술포닐히드라지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐히드라지드), 알릴비스(술포닐히드라지드) 등의 히드라진계 화합물; p-톨루일렌술포닐세미카르바지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐세미카르바지드) 등의 세미카르바지드계 화합물; 5-모르포릴-1,2,3,4-티아트리아졸 등의 트리아졸계 화합물; N,N'-디니트로소펜타메틸렌테트라민, N,N'-디메틸-N,N'-디니트로소테레프탈아미드 등의 N-니트로소계 화합물 등을 들 수 있다.As said foaming agent, various inorganic foaming agents and organic foaming agents are mentioned. Examples of the inorganic foaming agent include ammonium carbonate, ammonium hydrogen carbonate, sodium hydrogen carbonate, ammonium nitrite, sodium borohydride, and azide. Examples of the organic foaming agent include salt fluorinated alkanes such as trichloromonofluoromethane and dichloromonofluoromethane; Azo compounds such as azobisisobutyronitrile, azodicarbonamide, and barium azodicarboxylate; Hydrazine-based compounds such as paratoluenesulfonyl hydrazide, diphenylsulfone-3,3'-disulfonyl hydrazide, 4,4'-oxybis (benzenesulfonyl hydrazide), and allylbis (sulfonyl hydrazide); semicarbazide compounds such as p-toluylenesulfonyl semicarbazide and 4,4'-oxybis(benzenesulfonyl semicarbazide); Triazole compounds such as 5-morphoryl-1,2,3,4-thiatriazole; N-nitroso compounds, such as N,N'-dinitrosopentamethylenetetramine, and N,N'-dimethyl-N,N'-dinitrosoterephthalamide, etc. are mentioned.

상기 열팽창성 미소구로서는, 예를 들어 가열에 의해 용이하게 가스화되어 팽창되는 물질이 셸 내에 봉입된 구성의 미소구를 들 수 있다. 상기 가열에 의해 용이하게 가스화되어 팽창되는 물질로서는, 예를 들어 이소부탄, 프로판, 펜탄 등을 들 수 있다. 가열에 의해 용이하게 가스화되어 팽창되는 물질을 코아세르베이션법이나 계면 중합법 등에 의해 셸 형성 물질 내에 봉입함으로써, 열팽창성 미소구를 제작할 수 있다. 상기 셸 형성 물질로서는, 열용융성을 나타내는 물질이나, 봉입 물질의 열팽창의 작용에 의해 파열될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 그러한 물질로서는, 예를 들어 염화비닐리덴·아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴, 폴리술폰 등을 들 수 있다.Examples of the thermally expandable microspheres include microspheres having a structure in which a substance that is easily gasified and expanded by heating is enclosed in a shell. Examples of substances that are easily gasified and expanded by the heating include isobutane, propane, pentane, and the like. Thermally expandable microspheres can be produced by encapsulating a material that is easily gasified and expanded by heating in the shell-forming material by a coacervation method or an interfacial polymerization method. As the shell-forming material, a material exhibiting heat melting property or a material capable of being ruptured by the action of thermal expansion of the sealing material may be used. Examples of such substances include vinylidene chloride/acrylonitrile copolymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polymethyl methacrylate, polyacrylonitrile, polyvinylidene chloride, and polysulfone.

상기 점착력 비저감형 점착제층으로서는, 예를 들어 감압형 점착제층을 들 수 있다. 또한, 감압형 점착제층에는, 점착력 저감 가능형 점착제층에 관하여 상술한 방사선 경화성 점착제로 형성된 점착제층을 미리 방사선 조사에 의해 경화시키면서도 일정한 점착력을 갖는 형태의 점착제층이 포함된다. 점착력 비저감형 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 1종의 점착제를 사용해도 되고, 2종 이상의 점착제를 사용해도 된다.As the non-adhesive pressure-sensitive adhesive layer, a pressure-sensitive adhesive layer is exemplified. In addition, the pressure-sensitive adhesive layer includes a pressure-sensitive adhesive layer having a constant adhesive strength while curing the pressure-sensitive adhesive layer formed of the radiation curable pressure-sensitive adhesive described above with respect to the pressure-sensitive adhesive layer capable of reducing adhesive force by radiation irradiation in advance. As the pressure-sensitive adhesive for forming the non-adhesive pressure-sensitive adhesive layer, one type of pressure-sensitive adhesive may be used, or two or more types of pressure-sensitive adhesives may be used.

점착제층 전체가 점착력 비저감형 점착제층이어도 되고, 일부가 점착력 비저감형 점착제층이어도 된다. 예를 들어, 점착제층이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층 전체가 점착력 비저감형 점착제층이어도 되고, 점착제층에 있어서의 소정의 부위(예를 들어, 링 프레임의 접착 대상 영역이며, 중앙 영역의 외측에 있는 영역)가 점착력 비저감형 점착제층이고, 다른 부위(예를 들어, 반도체 웨이퍼의 접착 대상 영역인 중앙 영역)가 점착력 저감 가능형 점착제층이어도 된다.The entire pressure-sensitive adhesive layer may be a non-adhesive pressure-sensitive adhesive layer, and a part may be a non-adhesive pressure-sensitive adhesive layer. For example, when the pressure-sensitive adhesive layer has a single-layer structure, the entire pressure-sensitive adhesive layer may be a non-adhesive pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive layer, and a predetermined portion in the pressure-sensitive adhesive layer (e.g., the area to be bonded to the ring frame, The outer region) may be a non-adhesive pressure-sensitive adhesive layer, and another portion (eg, a central region that is a region to be adhered of a semiconductor wafer) may be a pressure-sensitive adhesive layer capable of reducing adhesive force.

점착제층이 적층 구조를 갖는 경우, 적층 구조에 있어서의 모든 점착제층이 점착력 비저감형 점착제층이어도 되고, 적층 구조 중의 일부의 점착제층이 점착력 비저감형 점착제층이어도 된다.When the pressure-sensitive adhesive layer has a laminated structure, all the pressure-sensitive adhesive layers in the laminated structure may be non-adhesive pressure-sensitive adhesive layers, and some of the pressure-sensitive adhesive layers in the laminated structure may be non-adhesive pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive layers.

방사선 경화성 점착제로 형성된 점착제층(방사선 미조사 방사선 경화형 점착제층)을 미리 방사선 조사에 의해 경화시킨 형태의 점착제층(방사선 조사 완료된 방사선 경화형 점착제층)은, 방사선 조사에 의해 점착력이 저감되어 있다고 해도, 함유되는 폴리머 성분에 기인하는 점착성을 나타내어, 다이싱 공정 등에 있어서 다이싱 테이프의 점착제층에 최저한 필요한 점착력을 발휘하는 것이 가능하다.The pressure-sensitive adhesive layer formed by radiation-curable pressure-sensitive adhesive (non-radiation radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer) is previously cured by irradiation with radiation (radiation-radiated radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer), even if the adhesive strength is reduced by radiation irradiation, It exhibits the adhesiveness caused by the contained polymer component, and it is possible to exhibit the minimum necessary adhesive force to the adhesive layer of a dicing tape in a dicing process or the like.

방사선 조사 완료된 방사선 경화형 점착제층을 사용하는 경우, 점착제층의 면 확대 방향에 있어서, 점착제층 전체가 방사선 조사 완료된 방사선 경화형 점착제층이어도 되고, 점착제층의 일부가 방사선 조사 완료된 방사선 경화형 점착제층이면서 다른 부분이 방사선 조사되지 않은 방사선 경화형 점착제층이어도 된다.In the case of using a radiation-cured adhesive layer that has been irradiated with radiation, in the direction of expansion of the surface of the adhesive layer, the entire adhesive layer may be a radiation-curable adhesive layer that has been irradiated, and a part of the adhesive layer is a radiation-curable adhesive layer and other parts It may be a radiation curable pressure-sensitive adhesive layer that is not irradiated with this radiation.

또한, 본 명세서에 있어서, 「방사선 경화형 점착제층」이란, 방사선 경화성 점착제로 형성된 점착제층을 말하며, 방사선 경화성을 갖는 방사선 미조사 방사선 경화형 점착제층 및 당해 점착제층이 방사선 조사에 의해 경화된 후의 방사선 경화완료된 방사선 경화형 점착제층의 양쪽을 포함한다.In addition, in this specification, the term ``radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer'' refers to a pressure-sensitive adhesive layer formed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, and radiation curing after the non-irradiation radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer are cured by irradiation with radiation. It includes both sides of the completed radiation curable pressure-sensitive adhesive layer.

상기 감압형 점착제층을 형성하는 점착제로서는, 공지 내지 관용의 감압형 점착제를 사용할 수 있고, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제나 고무계 점착제를 바람직하게 사용할 수 있다. 점착제층이 감압형의 점착제로서 아크릴계 폴리머를 함유하는 경우, 당해 아크릴계 폴리머는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많은 구성 단위로서 포함하는 폴리머인 것이 바람직하다. 상기 아크릴계 폴리머로서는, 예를 들어 상술한 점착제층에 포함될 수 있는 아크릴계 폴리머로서 설명된 아크릴계 폴리머를 채용할 수 있다.As the pressure-sensitive adhesive for forming the pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive layer, a known or common pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive can be used, and an acrylic pressure-sensitive adhesive or a rubber-based pressure-sensitive adhesive having an acrylic polymer as a base polymer can be preferably used. When the pressure-sensitive adhesive layer contains an acrylic polymer as a pressure-sensitive adhesive, it is preferable that the acrylic polymer is a polymer containing the most constituent units derived from (meth)acrylic acid ester as a structural unit by mass ratio. As the acrylic polymer, for example, an acrylic polymer described as an acrylic polymer that can be included in the pressure-sensitive adhesive layer can be employed.

점착제층 또는 점착제층을 형성하는 점착제는, 상술한 각 성분 이외에, 가교 촉진제, 점착 부여제, 노화 방지제, 착색제(안료, 염료 등) 등의 공지 내지 관용의 점착제층에 사용되는 첨가제가 배합되어 있어도 된다.The pressure-sensitive adhesive layer or the pressure-sensitive adhesive that forms the pressure-sensitive adhesive layer may contain, in addition to each of the components described above, additives used in known or commonly used pressure-sensitive adhesive layers such as a crosslinking accelerator, tackifier, anti-aging agent, and colorant (pigment, dye, etc.). do.

상기 착색제로서는, 예를 들어 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물을 들 수 있다. 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물을 함유하는 경우, 방사선 조사된 부분만을 착색할 수 있다. 상기 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물은, 방사선 조사 전에는 무색 또는 담색이지만, 방사선 조사에 의해 유색이 되는 화합물이며, 예를 들어 류코 염료 등을 들 수 있다. 상기 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물의 사용량은 특별히 한정되지 않고 적절하게 선택할 수 있다.Examples of the colorant include compounds that are colored by irradiation with radiation. When it contains a compound that is colored by irradiation with radiation, only the irradiated portion can be colored. The compound to be colored by irradiation with radiation is colorless or pale color before irradiation, but is a compound that becomes colored by irradiation with radiation, and examples thereof include leuco dyes. The amount of the compound to be colored by irradiation with radiation is not particularly limited and may be appropriately selected.

점착제층의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 점착제층이 방사선 경화성 점착제로 형성된 점착제층인 경우에 당해 점착제층의 방사선 경화의 전후에 있어서의 접착제층에 대한 접착력의 균형을 이룬다는 관점에서, 1 내지 50㎛ 정도가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 내지 30㎛, 더욱 바람직하게는 5 내지 25㎛이다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but in the case where the pressure-sensitive adhesive layer is a pressure-sensitive adhesive layer formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive, from the viewpoint of balancing the adhesive force to the adhesive layer before and after radiation curing of the pressure-sensitive adhesive layer. It is preferably about 50 μm, more preferably 2 to 30 μm, and still more preferably 5 to 25 μm.

(접착제층)(Adhesive layer)

접착제층은, 다이 본딩용의 열경화성을 나타내는 접착제로서 기능을 갖고, 또한 필요에 따라서 반도체 웨이퍼 등의 워크와 링 프레임 등의 프레임 부재를 보유 지지하기 위한 점착 기능을 병유한다. 접착제층은, 인장 응력을 가하는 것에 의한 할단이 가능하고, 인장 응력을 가함으로써 할단시켜 사용된다.The adhesive layer has a function as an adhesive that exhibits thermosetting properties for die bonding and, if necessary, has an adhesive function for holding a work such as a semiconductor wafer and a frame member such as a ring frame. The adhesive layer can be cleaved by applying a tensile stress, and is used after being cleaved by applying a tensile stress.

접착제층 및 접착제층을 구성하는 접착제는, 열경화성 수지와 예를 들어 바인더 성분으로서의 열가소성 수지를 포함하고 있어도 되고, 경화제와 반응하여 결합을 발생시킬 수 있는 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하고 있어도 된다. 접착제층을 구성하는 접착제가, 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하는 경우, 당해 점착제는 열경화성 수지(에폭시 수지 등)를 포함할 필요는 없다. 접착제층은, 단층 구조를 갖고 있어도 되고, 다층 구조를 갖고 있어도 된다.The adhesive layer and the adhesive constituting the adhesive layer may contain a thermosetting resin and, for example, a thermoplastic resin as a binder component, or may contain a thermoplastic resin having a thermosetting functional group capable of causing bonding by reacting with a curing agent. When the adhesive constituting the adhesive layer contains a thermoplastic resin having a thermosetting functional group, the adhesive need not contain a thermosetting resin (epoxy resin, etc.). The adhesive layer may have a single layer structure or may have a multilayer structure.

상기 열가소성 수지로서는, 예를 들어 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 상기 열가소성 수지로서는, 이온성 불순물이 적고, 또한 내열성이 높기 때문에 접착제층에 의한 접합 신뢰성을 확보하기 쉽다고 하는 이유로부터, 아크릴 수지가 바람직하다.As the thermoplastic resin, for example, natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, Thermoplastic polyimide resins, polyamide resins such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins, and fluororesins. As for the said thermoplastic resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used. As the thermoplastic resin, an acrylic resin is preferable because it contains few ionic impurities and has high heat resistance, so that it is easy to secure bonding reliability by an adhesive layer.

상기 아크릴계 수지는, 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많은 구성 단위로서 포함하는 것이 바람직하다. 당해 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 상술한 점착제층에 포함될 수 있는 아크릴계 폴리머를 형성하는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서 예시된 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다.It is preferable that the said acrylic resin contains a structural unit derived from a hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester as the largest structural unit by mass ratio. Examples of the hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester include a hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester exemplified as a hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester forming an acrylic polymer that can be included in the above-described pressure-sensitive adhesive layer. .

상기 아크릴 수지는, 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에서 유래되는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 모노머 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 글리시딜기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등의 관능기 함유 모노머나, 각종 다관능성 모노머 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 상술한 점착제층에 포함될 수 있는 아크릴계 폴리머를 구성하는 다른 모노머 성분으로서 예시된 것을 사용할 수 있다.The acrylic resin may contain a structural unit derived from another monomer component copolymerizable with a hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester. Examples of the other monomer components include a carboxyl group-containing monomer, an acid anhydride monomer, a hydroxy group-containing monomer, a glycidyl group-containing monomer, a sulfonic acid group-containing monomer, a phosphoric acid group-containing monomer, acrylamide, acrylonitrile, and other functional group-containing monomers. Polyfunctional monomers and the like may be mentioned, and specifically, those exemplified as other monomer components constituting the acrylic polymer that can be included in the pressure-sensitive adhesive layer described above can be used.

접착제층이, 열경화성 수지를 열가소성 수지와 함께 포함하는 경우, 당해 열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 다이 본딩 대상인 반도체 칩의 부식 원인이 될 수 있는 이온성 불순물 등의 함유량이 적은 경향이 있다고 하는 이유로부터, 상기 열경화성 수지로서는 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.When the adhesive layer contains a thermosetting resin together with a thermoplastic resin, examples of the thermosetting resin include epoxy resin, phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, polyurethane resin, silicone resin, thermosetting polyimide resin, etc. Can be lifted. As for the said thermosetting resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used. Epoxy resin is preferable as the thermosetting resin from the reason that the content of ionic impurities or the like that may cause corrosion of a semiconductor chip to be die-bonded tends to be small. Moreover, a phenol resin is preferable as a curing agent for an epoxy resin.

상기 에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 글리시딜아민형의 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 높으면서 내열성이 우수하다는 점에서, 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 바람직하다.Examples of the epoxy resin include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolak type , Orthocresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type, and glycidylamine type epoxy resin. Among them, novolac-type epoxy resins, biphenyl-type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane-type epoxy resins, and tetraphenylolethane-type epoxy resins are preferred from the viewpoint of high reactivity with a phenol resin as a curing agent and excellent heat resistance. .

에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있는 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등을 들 수 있다. 상기 페놀 수지는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다. 그 중에서도, 다이 본딩용 접착제로서의 에폭시 수지의 경화제로서 사용되는 경우에 당해 접착제의 접속 신뢰성을 향상시키는 경향이 있다는 관점에서, 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 바람직하다.As a phenolic resin that can act as a curing agent for an epoxy resin, for example, a novolac-type phenolic resin, a resol-type phenolic resin, polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene, and the like can be mentioned. As a novolak type phenol resin, a phenol novolak resin, a phenol aralkyl resin, a cresol novolak resin, a tert-butylphenol novolak resin, a nonylphenol novolak resin, etc. are mentioned, for example. As for the said phenol resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used. Among them, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are preferred from the viewpoint of tending to improve the connection reliability of the adhesive when used as a curing agent for an epoxy resin as an adhesive for die bonding.

접착제층에 있어서, 에폭시 수지와 페놀 수지의 경화 반응을 충분히 진행시킨다고 하는 관점에서는, 페놀 수지는, 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당, 당해 페놀 수지 중의 수산기가 바람직하게는 0.5 내지 2.0당량, 보다 바람직하게는 0.7 내지 1.5당량이 되는 양으로 포함된다.In the adhesive layer, from the viewpoint of sufficiently advancing the curing reaction between the epoxy resin and the phenol resin, the phenol resin is preferably 0.5 to 2.0 equivalents, more preferably 0.5 to 2.0 equivalents of hydroxyl groups in the phenolic resin per equivalent of epoxy groups in the epoxy resin component. It is included in an amount of 0.7 to 1.5 equivalents.

접착제층이 열경화성 수지를 포함하는 경우, 상기 열경화성 수지의 함유 비율은, 접착제층에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절하게 발현시킨다고 하는 관점에서, 접착제층의 총 질량에 대해, 5 내지 60질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 내지 50질량%이다.When the adhesive layer contains a thermosetting resin, the content ratio of the thermosetting resin is 5 to 60% by mass relative to the total mass of the adhesive layer from the viewpoint of appropriately expressing the function as a thermosetting adhesive in the adhesive layer. Preferably, it is 10-50 mass% more preferably.

접착제층이 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하는 경우, 당해 열가소성 수지로서는, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 사용할 수 있다. 이 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 아크릴 수지는, 바람직하게는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 구성 단위를 질량 비율로 가장 많은 구성 단위로서 포함한다. 당해 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 상술한 점착제층에 포함될 수 있는 아크릴계 폴리머를 형성하는 탄화수소기 함유 (메트)아크릴산에스테르로서 예시된 것을 들 수 있다.When the adhesive layer contains a thermoplastic resin having a thermosetting functional group, as the thermoplastic resin, for example, an acrylic resin containing a thermosetting functional group can be used. The acrylic resin in this thermosetting functional group-containing acrylic resin preferably contains a structural unit derived from a hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester as the largest structural unit by mass ratio. Examples of the hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid ester include those exemplified as hydrocarbon group-containing (meth)acrylic acid esters that form an acrylic polymer that can be included in the pressure-sensitive adhesive layer described above.

한편, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기로서는, 예를 들어 글리시딜기, 카르복시기, 히드록시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 글리시딜기, 카르복시기가 바람직하다. 즉, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지로서는, 글리시딜기 함유 아크릴 수지, 카르복시기 함유 아크릴 수지가 특히 바람직하다.On the other hand, as a thermosetting functional group in the thermosetting functional group-containing acrylic resin, a glycidyl group, a carboxyl group, a hydroxy group, an isocyanate group, etc. are mentioned, for example. Among them, a glycidyl group and a carboxyl group are preferable. That is, as the thermosetting functional group-containing acrylic resin, a glycidyl group-containing acrylic resin and a carboxyl group-containing acrylic resin are particularly preferred.

또한, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지와 함께 경화제를 포함하는 것이 바람직하고, 당해 경화제로서는, 예를 들어 상술한 점착제층 형성용의 방사선 경화성 점착제에 포함될 수 있는 가교제로서 예시된 것을 들 수 있다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기가 글리시딜기인 경우에는, 경화제로서 폴리페놀계 화합물을 사용하는 것이 바람직하고, 예를 들어 상술한 각종 페놀 수지를 사용할 수 있다.In addition, it is preferable to include a curing agent together with a thermosetting functional group-containing acrylic resin, and examples of the curing agent include those exemplified as a crosslinking agent that can be included in the radiation curable pressure-sensitive adhesive for forming the pressure-sensitive adhesive layer described above. When the thermosetting functional group in the thermosetting functional group-containing acrylic resin is a glycidyl group, it is preferable to use a polyphenolic compound as a curing agent, and for example, various phenol resins described above can be used.

다이 본딩을 위해 경화되기 전의 접착제층에 대해, 어느 정도의 가교도를 실현하기 위해서는, 예를 들어 접착제층에 포함될 수 있는 상술한 수지의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하여 결합할 수 있는 다관능성 화합물을 가교 성분으로 하여 접착제층 형성용 수지 조성물에 배합해 두는 것이 바람직하다. 이러한 구성은, 접착제층에 대해, 고온하에서의 접착 특성을 향상시킨다는 관점에서, 또한 내열성의 개선을 도모한다는 관점에서 바람직하다.For the adhesive layer before curing for die bonding, in order to achieve a certain degree of crosslinking, for example, a polyfunctional compound capable of reacting and bonding with a functional group at the end of the molecular chain of the resin that may be included in the adhesive layer is used. It is preferable to mix it with the resin composition for adhesive layer formation as a crosslinking component. Such a configuration is preferable from the viewpoint of improving the adhesive properties under high temperature with respect to the adhesive layer, and from the viewpoint of improving heat resistance.

상기 가교 성분으로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물을 들 수 있다. 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물 등을 들 수 있다. 또한, 상기 가교 성분으로서는, 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 폴리이소시아네이트 화합물과 병용해도 된다.As said crosslinking component, a polyisocyanate compound is mentioned, for example. Examples of the polyisocyanate compound include tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylenediisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, and adducts of polyhydric alcohols and diisocyanates. Further, as the crosslinking component, another polyfunctional compound such as an epoxy resin may be used in combination with a polyisocyanate compound.

접착제층 형성용 수지 조성물에 있어서의 가교 성분의 함유량은, 당해 가교 성분과 반응하여 결합할 수 있는 상기 관능기를 갖는 수지 100질량부에 대해, 형성되는 접착제층의 응집력 향상의 관점에서는 0.05질량부 이상이 바람직하고, 형성되는 접착제층의 접착력 향상의 관점에서는 7질량부 이하가 바람직하다.The content of the crosslinking component in the resin composition for forming an adhesive layer is 0.05 parts by mass or more from the viewpoint of improving the cohesiveness of the formed adhesive layer with respect to 100 parts by mass of the resin having the functional group capable of reacting and bonding with the crosslinking component. This is preferable, and 7 parts by mass or less is preferable from the viewpoint of improving the adhesion of the formed adhesive layer.

접착제층은, 필러를 함유하는 것이 바람직하다. 접착제층에 대한 필러의 배합에 의해, 접착제층의 도전성이나, 열전도성, 탄성률 등의 물성을 조정할 수 있다. 필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있고, 특히 무기 필러가 바람직하다.It is preferable that the adhesive layer contains a filler. By mixing the filler with the adhesive layer, physical properties such as conductivity, thermal conductivity, and elastic modulus of the adhesive layer can be adjusted. Examples of the filler include inorganic fillers and organic fillers, and inorganic fillers are particularly preferred.

무기 필러로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄위스커, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카 외에, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 금속 단체나, 합금, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등을 들 수 있다. 필러는, 구상, 침상, 플레이크상 등의 각종 형상을 갖고 있어도 된다. 상기 필러로서는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.As the inorganic filler, for example, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, crystalline silica, amorphous silica, etc. , Metals such as aluminum, gold, silver, copper, and nickel, alloys, amorphous carbon black, graphite, and the like. The filler may have various shapes such as a spherical shape, a needle shape, and a flake shape. As said filler, only 1 type may be used and 2 or more types may be used.

상기 필러의 평균 입경은, 0.005 내지 10㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.005 내지 1㎛이다. 상기 평균 입경이 0.005㎛ 이상이면, 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 대한 습윤성, 접착성이 보다 향상된다. 상기 평균 입경이 10㎛ 이하이면, 상기 각 특성의 부여를 위해 첨가한 필러의 효과를 충분한 것으로 할 수 있는 동시에, 내열성을 확보할 수 있다. 또한, 필러의 평균 입경은, 예를 들어 광도식 입도 분포계(예를 들어, 상품명 「LA-910」, 가부시키가이샤 호리바 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 구할 수 있다.The average particle diameter of the filler is preferably 0.005 to 10 µm, more preferably 0.005 to 1 µm. When the average particle diameter is 0.005 µm or more, wettability and adhesion to an adherend such as a semiconductor wafer are further improved. When the average particle diameter is 10 µm or less, the effect of the filler added for imparting the above characteristics can be made sufficient, and heat resistance can be ensured. In addition, the average particle diameter of a filler can be calculated|required using, for example, a photometric particle size distribution meter (for example, a brand name "LA-910", manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd.).

접착제층은, 필요에 따라서 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 성분으로서는, 예를 들어 경화 촉매, 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제, 염료 등을 들 수 있다. 상기 다른 첨가제는, 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.The adhesive layer may contain other components as necessary. As said other component, a curing catalyst, a flame retardant, a silane coupling agent, an ion trap agent, a dye, etc. are mentioned, for example. As for the said other additive, only 1 type may be used and 2 or more types may be used.

상기 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resin.

상기 실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다.Examples of the silane coupling agent include β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane. I can.

상기 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화비스무트, 함수 산화안티몬(예를 들어, 도아 고세이 가부시키가이샤 제조의 「IXE-300」), 특정 구조의 인산 지르코늄(예를 들어, 도아 고세이 가부시키가이샤 제조의 「IXE-100」), 규산마그네슘(예를 들어, 교와 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조의 「쿄와드 600」), 규산알루미늄(예를 들어, 교와 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조의 「쿄와드 700」) 등을 들 수 있다.Examples of the ion trapping agent include hydrotalcite, bismuth hydroxide, hydrated antimony oxide (for example, ``IXE-300'' manufactured by Toa Kosei Co., Ltd.), and zirconium phosphate of a specific structure (for example, Doa ``IXE-100'' manufactured by Kosei Co., Ltd.), magnesium silicate (for example, ``Kyoward 600'' manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.), aluminum silicate (for example, Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.) "Kyoward 700" manufactured by Shikigashi.) and the like.

금속 이온과의 사이에서 착체를 형성할 수 있는 화합물도 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어 트리아졸계 화합물, 테트라졸계 화합물, 비피리딜계 화합물을 들 수 있다. 이들 중, 금속 이온과의 사이에서 형성되는 착체의 안정성의 관점에서는 트리아졸계 화합물이 바람직하다.A compound capable of forming a complex between metal ions can also be used as an ion trapping agent. As such a compound, a triazole type compound, a tetrazole type compound, and a bipyridyl type compound are mentioned, for example. Among these, a triazole-based compound is preferable from the viewpoint of the stability of the complex formed between metal ions.

상기 트리아졸계 화합물로서는, 예를 들어 1,2,3-벤조트리아졸, 1-{N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸}벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3-t-부틸-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)벤조트리아졸, 6-(2-벤조트리아졸릴)-4-t-옥틸-6'-t-부틸-4'-메틸-2,2'-메틸렌비스페놀, 1-(2',3'-히드록시프로필)벤조트리아졸, 1-(1,2-디카르복시디에틸)벤조트리아졸, 1-(2-에틸헥실아미노메틸)벤조트리아졸, 2,4-디-t-펜틸-6-{(H-벤조트리아졸-1-일)메틸}페놀, 2-(2-히드록시-5-t-부틸페닐)-2H-벤조트리아졸, 3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-(1,1-디메틸에틸)-4-히드록시, 옥틸-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-에틸헥실-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-t-부틸페놀, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)-벤조트리아졸, 2-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로-벤조트리아졸, 2-[2-히드록시-3,5-디(1,1-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 2,2'-메틸렌비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀], 2-[2-히드록시-3,5-비스(α,α-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 메틸-3-[3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-t-부틸-4-히드록시페닐]프로피오네이트 등을 들 수 있다.Examples of the triazole-based compound include 1,2,3-benzotriazole, 1-{N,N-bis(2-ethylhexyl)aminomethyl}benzotriazole, carboxybenzotriazole, 2-(2- Hydroxy-5-methylphenyl)benzotriazole, 2-(2-hydroxy-3,5-di-t-butylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-(2-hydroxy-3-t- Butyl-5-methylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-(2-hydroxy-3,5-di-t-amylphenyl)benzotriazole, 2-(2-hydroxy-5-t-octyl Phenyl)benzotriazole, 6-(2-benzotriazolyl)-4-t-octyl-6'-t-butyl-4'-methyl-2,2'-methylenebisphenol, 1-(2',3' -Hydroxypropyl)benzotriazole, 1-(1,2-dicarboxydiethyl)benzotriazole, 1-(2-ethylhexylaminomethyl)benzotriazole, 2,4-di-t-pentyl-6 -{(H-benzotriazol-1-yl)methyl}phenol, 2-(2-hydroxy-5-t-butylphenyl)-2H-benzotriazole, 3-(2H-benzotriazole-2- Yl)-5-(1,1-dimethylethyl)-4-hydroxy, octyl-3-[3-t-butyl-4-hydroxy-5-(5-chloro-2H-benzotriazole-2- Yl)phenyl]propionate, 2-ethylhexyl-3-[3-t-butyl-4-hydroxy-5-(5-chloro-2H-benzotriazol-2-yl)phenyl]propionate, 2-(2H-benzotriazol-2-yl)-6-(1-methyl-1-phenylethyl)-4-(1,1,3,3-tetramethylbutyl)phenol, 2-(2H-benzo Triazol-2-yl)-4-t-butylphenol, 2-(2-hydroxy-5-methylphenyl)benzotriazole, 2-(2-hydroxy-5-t-octylphenyl)-benzotriazole , 2-(3-t-butyl-2-hydroxy-5-methylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-(2-hydroxy-3,5-di-t-amylphenyl)benzotriazole, 2-(2-hydroxy-3,5-di-t-butylphenyl)-5-chloro-benzotriazole, 2-[2-hydroxy-3,5-di(1,1-dimethylbenzyl)phenyl ]-2H-benzotriazole, 2,2'-methylenebis[6-(2H-benzotriazol-2-yl)-4-(1,1,3,3-tetramethylbutyl)phenol], 2- [2-hydroxy-3,5-bis(α,α-dimethylbenzyl)phenyl]-2H-benzotriazole, methyl-3-[3-(2H-benzotriazol-2-yl)-5-t -Butyl-4-hydroxyphenyl] And propionate.

또한, 퀴놀 화합물이나, 히드록시안트라퀴논 화합물, 폴리페놀 화합물 등의 특정한 수산기 함유 화합물도, 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그러한 수산기 함유 화합물로서는, 구체적으로는, 1,2-벤젠디올, 알리자린, 안트라루핀, 탄닌, 갈산, 갈산메틸, 피로갈롤 등을 들 수 있다.Moreover, specific hydroxyl group-containing compounds, such as a quinol compound, a hydroxyanthraquinone compound, and a polyphenol compound, can also be used as an ion trapping agent. Specific examples of such a hydroxyl-containing compound include 1,2-benzenediol, alizarin, anthrupine, tannin, gallic acid, methyl gallate, and pyrogallol.

접착제층의 두께(적층체인 경우는, 총 두께)는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1 내지 200㎛이다. 상한은, 100㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 80㎛이다. 하한은, 3㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5㎛이다.The thickness of the adhesive layer (in the case of a laminate, the total thickness) is not particularly limited, but is, for example, 1 to 200 µm. The upper limit is preferably 100 µm, more preferably 80 µm. The lower limit is preferably 3 µm, more preferably 5 µm.

본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 온도 23℃, 박리 속도 300㎜/분의 조건에서의 T형 박리 시험에 있어서의, 상기 점착제층과 상기 접착제층 사이의 박리력은, 0.3N/20㎜ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.5N/20㎜ 이상, 더욱 바람직하게는 0.7N/20㎜ 이상이다. 상기 박리력이 0.3N/20㎜ 이상이면, 점착제층과 접착제층의 밀착성을 적당하게 할 수 있어, 방사선 경화를 행하지 않은 상태에서 익스팬드 공정을 실시하는 경우에, 익스팬드 공정 및 그 후에 있어서의 점착제층과 접착제층 사이의 박리(들뜸)가 발생하는 것을 억제하기 쉽다.In the dicing die-bonding film of the present invention, the peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer in the T-type peeling test under conditions of a temperature of 23°C and a peeling rate of 300 mm/min is 0.3 N/20. It is preferably mm or more, more preferably 0.5 N/20 mm or more, and still more preferably 0.7 N/20 mm or more. When the peeling force is 0.3 N/20 mm or more, the adhesiveness between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer can be appropriate, and in the case of performing the expand process without radiation curing, the expand process and the subsequent It is easy to suppress occurrence of peeling (raising) between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer.

또한, 상기 박리력은 높을수록 바람직하지만, 그 상한은, 예를 들어 10N/20㎜여도 되고, 5.0N/20㎜여도 되고, 3.0N/20㎜여도 된다. 또한, 점착제층에 방사선 경화성 점착제를 사용한 다이싱 다이 본드 필름에 대해서는, 방사선 경화 전의 점착제층의 상기 박리력(자외선 경화 전의 T형 박리 시험에 있어서의 박리력)이 상기한 값인 것이 바람직하다.In addition, the higher the peeling force is, the more preferable it is, but the upper limit thereof may be, for example, 10N/20mm, 5.0N/20mm, or 3.0N/20mm. In addition, for a dicing die-bonding film using a radiation-curable pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer, it is preferable that the peeling force of the pressure-sensitive adhesive layer before radiation curing (the peeling force in the T-type peeling test before ultraviolet curing) is the above value.

본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 온도 23℃, 박리 속도 300㎜/분의 조건에서의 T형 박리 시험에 있어서의, 방사선 경화 후의 상기 점착제층과 상기 접착제층 사이의 박리력이 0.3N/20㎜ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2N/20㎜ 이하이다. 상기 박리력이 0.3N/20㎜ 이하이면, 방사선 경화 후에 행하는 픽업 공정에 있어서, 양호한 픽업을 실현하는 것이 용이해진다.In the dicing die-bonding film of the present invention, the peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer after radiation curing in a T-type peeling test under conditions of a temperature of 23°C and a peeling rate of 300 mm/min is 0.3 N. It is preferably /20 mm or less, and more preferably 0.2 N/20 mm or less. If the peeling force is 0.3 N/20 mm or less, it becomes easy to realize good pickup in the pickup step performed after radiation curing.

다이싱 다이 본드 필름은, 세퍼레이터를 갖고 있어도 된다. 구체적으로는, 다이싱 다이 본드 필름마다, 세퍼레이터를 갖는 시트상의 형태여도 되고, 세퍼레이터가 긴 형상이며 그 위에 복수의 다이싱 다이 본드 필름이 배치되고 또한 당해 세퍼레이터가 권회되어 롤의 형태로 되어 있어도 된다.The dicing die bonding film may have a separator. Specifically, for each dicing die-bonding film, a sheet-like form having a separator may be used, or a separator may be in a long shape, and a plurality of dicing die-bonding films may be disposed thereon, and the separator may be wound to form a roll. .

세퍼레이터는, 다이싱 다이 본드 필름의 접착제층의 표면을 피복하여 보호하기 위한 요소이며, 다이싱 다이 본드 필름을 사용할 때에는 당해 필름으로부터 박리된다. 세퍼레이터로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이류 등을 들 수 있다. 세퍼레이터의 두께는, 예를 들어 5 내지 200㎛이다.The separator is an element for covering and protecting the surface of the adhesive layer of the dicing die-bonding film, and when using the dicing die-bonding film, it is peeled from the film. Examples of the separator include plastic films or papers coated on the surface with a release agent such as a polyethylene terephthalate (PET) film, a polyethylene film, a polypropylene film, a fluorine-based release agent or a long-chain alkyl acrylate-based release agent. The thickness of the separator is 5 to 200 µm, for example.

본 발명의 다이싱 다이 본드 필름의 일 실시 형태인 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 예를 들어 다음과 같이 하여 제조된다.The dicing die-bonding film 1 which is an embodiment of the dicing die-bonding film of the present invention is manufactured as follows, for example.

먼저, 기재(11)는, 공지 내지 관용의 제막 방법에 의해 제막하여 얻을 수 있다. 상기 제막 방법으로서는, 예를 들어, 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T 다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 들 수 있다.First, the base material 11 can be obtained by forming a film by a known or commonly used film forming method. Examples of the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a coextrusion method, a dry lamination method, and the like.

다음으로, 기재(11) 상에, 점착제층(12)을 형성하는 점착제 및 용매 등을 포함하는, 점착제층(12)을 형성하는 조성물(점착제 조성물)을 도포하여 도포막을 형성한 후, 필요에 따라서 탈용매나 경화 등에 의해 당해 도포막을 고화시켜, 점착제층(12)을 형성할 수 있다. 상기 도포의 방법으로서는, 예를 들어, 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등의 공지 내지 관용의 도포 방법을 들 수 있다. 또한, 탈용매 조건으로서는, 예를 들어 온도 80 내지 150℃, 시간 0.5 내지 5분의 범위 내에서 행해진다.Next, after forming a coating film by applying a composition (adhesive composition) to form the pressure-sensitive adhesive layer 12, including a pressure-sensitive adhesive for forming the pressure-sensitive adhesive layer 12 and a solvent, on the substrate 11, if necessary Therefore, the coating film can be solidified by solvent removal or curing, and the pressure-sensitive adhesive layer 12 can be formed. As the coating method, known or commonly used coating methods, such as roll coating, screen coating, and gravure coating, are mentioned, for example. In addition, as a solvent removal condition, it is carried out within the range of temperature 80-150 degreeC and time 0.5-5 minutes, for example.

또한, 세퍼레이터 상에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기한 탈용매 조건에서 도포막을 고화시켜 점착제층(12)을 형성해도 된다. 그 후, 기재(11) 상에 점착제층(12)을 세퍼레이터와 함께 접합한다. 이상과 같이 하여, 다이싱 테이프(10)를 제작할 수 있다.Further, after applying the pressure-sensitive adhesive composition on the separator to form a coating film, the coating film may be solidified under the above-described solvent removal conditions to form the pressure-sensitive adhesive layer 12. After that, the pressure-sensitive adhesive layer 12 is bonded together with a separator on the substrate 11. As described above, the dicing tape 10 can be produced.

접착제층(20)에 대해, 먼저, 수지, 필러, 경화 촉매, 용매 등을 포함하는, 접착제층(20)을 형성하는 조성물(접착제 조성물)을 제작한다. 다음으로, 접착제 조성물을 세퍼레이터 상에 도포하여 도포막을 형성한 후, 필요에 따라서 탈용매나 경화 등에 의해 당해 도포막을 고화시켜, 접착제층(20)을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등의 공지 내지 관용의 도포 방법을 들 수 있다. 또한, 탈용매 조건으로서는, 예를 들어 온도 70 내지 160℃, 시간 1 내지 5분의 범위 내에서 행해진다.For the adhesive layer 20, first, a composition (adhesive composition) containing a resin, a filler, a curing catalyst, a solvent, and the like to form the adhesive layer 20 is prepared. Next, after the adhesive composition is applied on the separator to form a coating film, if necessary, the coating film is solidified by solvent removal or curing, and the adhesive layer 20 is formed. It does not specifically limit as a coating method, For example, well-known or common coating methods, such as roll coating, screen coating, and gravure coating, are mentioned. Moreover, as a solvent removal condition, it is performed within the range of a temperature of 70-160 degreeC and a time 1-5 minutes, for example.

계속해서, 다이싱 테이프(10) 및 접착제층(20)으로부터 각각 세퍼레이터를 박리하고, 접착제층(20)과 점착제층(12)이 접합면이 되도록 하여 양자를 접합한다. 접합은, 예를 들어 압착에 의해 행할 수 있다. 이때, 라미네이트 온도는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 30 내지 50℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 35 내지 45℃이다. 또한, 선압은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 0.1 내지 20㎏f/㎝가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 10㎏f/㎝이다.Subsequently, the separators are removed from the dicing tape 10 and the adhesive layer 20, respectively, and the adhesive layer 20 and the adhesive layer 12 are bonded together so that they become a bonding surface. Bonding can be performed by, for example, pressing. At this time, the lamination temperature is not particularly limited, and for example, 30 to 50°C is preferable, and more preferably 35 to 45°C. Further, the line pressure is not particularly limited, for example, 0.1 to 20 kgf/cm is preferable, and more preferably 1 to 10 kgf/cm.

상술한 바와 같이, 점착제층(12)이 방사선 경화형 점착제층인 경우에 접착제층(20)의 접합보다 나중에 점착제층(12)에 자외선 등의 방사선을 조사할 때에는, 예를 들어 기재(11)의 측으로부터 점착제층(12)에 방사선 조사를 행하고, 그 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ이고, 바람직하게는 100 내지 300mJ이다.As described above, when the pressure-sensitive adhesive layer 12 is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer, when irradiating the pressure-sensitive adhesive layer 12 with radiation such as ultraviolet rays after bonding of the adhesive layer 20, for example, The adhesive layer 12 is irradiated with radiation from the side, and the irradiation amount is, for example, 50 to 500 mJ, and preferably 100 to 300 mJ.

다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서 점착제층(12)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행해지는 영역(조사 영역 R)은, 통상, 점착제층(12)에 있어서의 접착제층(20) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외하는 영역이다. 부분적으로 조사 영역 R을 마련하는 경우, 조사 영역 R을 제외하는 영역에 대응하는 패턴을 형성한 포토마스크를 개재하여 행할 수 있다. 또한, 스폿적으로 방사선을 조사하여 조사 영역 R을 형성하는 방법도 들 수 있다.In the dicing die-bonding film 1, the area to be irradiated as a measure for reducing the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 12 (irradiation area R) is usually within the bonding area of the adhesive layer 20 in the pressure-sensitive adhesive layer 12. This is the area excluding the periphery. When the irradiation area R is partially provided, it can be carried out through a photomask in which a pattern corresponding to the area excluding the irradiation area R is formed. Further, a method of forming an irradiation area R by irradiating radiation in a spot is also mentioned.

이상과 같이 하여, 예를 들어 도 1에 도시하는 다이싱 다이 본드 필름(1)을 제작할 수 있다.In the manner described above, for example, the dicing die-bonding film 1 shown in FIG. 1 can be produced.

[반도체 장치의 제조 방법][Semiconductor device manufacturing method]

본 발명의 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여, 반도체 장치를 제조할 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 상기 접착제층측에, 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼의 분할체, 또는 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼를 첩부하는 공정(「공정 A」라고 칭하는 경우가 있음)과, 상대적으로 저온의 조건하에서, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름에 있어서의 다이싱 테이프를 익스팬드하여, 적어도 상기 접착제층을 할단하여 접착제층을 구비하는 반도체 칩을 얻는 공정(「공정 B」라고 칭하는 경우가 있음)과, 상대적으로 고온의 조건하에서, 상기 다이싱 테이프를 익스팬드하여, 상기 접착제층을 구비하는 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 공정(「공정 C」라고 칭하는 경우가 있음)과, 상기 접착제층을 구비하는 반도체 칩을 픽업하는 공정(「공정 D」라고 칭하는 경우가 있음)을 포함하는 제조 방법에 의해, 반도체 장치를 제조할 수 있다.A semiconductor device can be manufactured using the dicing die-bonding film of the present invention. Specifically, a step of attaching a divided body of a semiconductor wafer including a plurality of semiconductor chips or a semiconductor wafer that can be divided into a plurality of semiconductor chips on the side of the adhesive layer in the dicing die-bonding film of the present invention (" Step A'') and a semiconductor having an adhesive layer by expanding the dicing tape in the dicing die-bonding film of the present invention under relatively low temperature conditions, and cutting at least the adhesive layer A process of obtaining a chip (sometimes referred to as ``step B'') and a process of expanding the dicing tape under relatively high temperature conditions to increase the spacing between semiconductor chips including the adhesive layer (``process A semiconductor device can be manufactured by a manufacturing method including a step of picking up a semiconductor chip provided with the adhesive layer (sometimes referred to as "step D") and a step of picking up a semiconductor chip including the adhesive layer.

공정 A에서 사용하는 상기 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼의 분할체, 또는 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼는, 이하와 같이 하여 얻을 수 있다. 먼저, 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)에 분할 홈(30a)을 형성한다(분할 홈 형성 공정). 반도체 웨이퍼(W)는, 제1면 Wa 및 제2면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼(W)에 있어서의 제1면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시 생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시 생략)이 제1면 Wa 상에 이미 형성되어 있다.A divided body of a semiconductor wafer including the plurality of semiconductor chips used in step A, or a semiconductor wafer that can be divided into a plurality of semiconductor chips can be obtained as follows. First, as shown in Figs. 2A and 2B, a divided groove 30a is formed in the semiconductor wafer W (divided groove forming step). The semiconductor wafer W has a first surface Wa and a second surface Wb. Various semiconductor elements (not shown) are already formed on the side of the first surface Wa of the semiconductor wafer W, and a wiring structure, etc. (not shown) necessary for the semiconductor element is already formed on the first surface Wa. have.

그리고 점착면 T1a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T1을 반도체 웨이퍼(W)의 제2면 Wb측에 접합한 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T1에 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼(W)의 제1면 Wa측에 소정 깊이의 분할 홈(30a)을 다이싱 장치 등의 회전 블레이드를 사용하여 형성한다. 분할 홈(30a)은, 반도체 웨이퍼(W)를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 공극이다(도 2 내지 도 4에서는 분할 홈(30a)을 모식적으로 굵은 선으로 나타냄).Then, after bonding the wafer processing tape T1 having the adhesive surface T1a to the second surface Wb side of the semiconductor wafer W, while the semiconductor wafer W is held on the wafer processing tape T1, the semiconductor wafer W is A dividing groove 30a having a predetermined depth is formed on the first surface Wa side by using a rotating blade such as a dicing device. The dividing groove 30a is a gap for separating the semiconductor wafer W in units of semiconductor chips (in Figs. 2 to 4, the dividing groove 30a is schematically represented by a thick line).

다음으로, 도 2의 (c)에 도시하는 바와 같이, 점착면 T2a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T2의, 반도체 웨이퍼(W)의 제1면 Wa측에 대한 접합과, 반도체 웨이퍼(W)로부터의 웨이퍼 가공용 테이프 T1의 박리를 행한다.Next, as shown in Fig. 2(c), bonding of the wafer processing tape T2 having the adhesive surface T2a to the first surface Wa side of the semiconductor wafer W, and the wafer from the semiconductor wafer W The processing tape T1 is peeled off.

다음으로, 도 2의 (d)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼(W)가 소정의 두께에 이를 때까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화된다(웨이퍼 박화 공정). 연삭 가공은, 연삭 지석을 구비하는 연삭 가공 장치를 사용하여 행할 수 있다. 이 웨이퍼 박화 공정에 의해, 본 실시 형태에서는, 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30A)가 형성된다.Next, as shown in (d) of FIG. 2, in a state where the semiconductor wafer W is held in the wafer processing tape T2, from the second surface Wb until the semiconductor wafer W reaches a predetermined thickness. It is thinned by the grinding process of (wafer thinning process). Grinding processing can be performed using a grinding processing apparatus provided with a grinding grindstone. By this wafer thinning process, the semiconductor wafer 30A which can be divided into a plurality of semiconductor chips 31 is formed in the present embodiment.

반도체 웨이퍼(30A)는, 구체적으로는, 당해 웨이퍼에 있어서 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화되게 되는 부위를 제2면 Wb측에서 연결하는 부위(연결부)를 갖는다. 반도체 웨이퍼(30A)에 있어서의 연결부의 두께, 즉, 반도체 웨이퍼(30A)의 제2면 Wb와 분할 홈(30a)의 제2면 Wb측 선단 사이의 거리는, 예를 들어 1 내지 30㎛이고, 바람직하게는 3 내지 20㎛이다.Specifically, the semiconductor wafer 30A has a portion (connecting portion) that connects a portion of the wafer to be divided into a plurality of semiconductor chips 31 from the second surface Wb side. The thickness of the connection portion in the semiconductor wafer 30A, that is, the distance between the second surface Wb of the semiconductor wafer 30A and the tip of the second surface Wb side of the dividing groove 30a is 1 to 30 μm, for example, It is preferably 3 to 20 μm.

(공정 A)(Step A)

공정 A에서는, 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서의 접착제층(20)측에, 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼의 분할체, 또는 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼를 첩부한다.In step A, on the side of the adhesive layer 20 in the dicing die bonding film 1, a divided body of a semiconductor wafer including a plurality of semiconductor chips, or a semiconductor wafer that can be divided into a plurality of semiconductor chips is affixed. .

공정 A에 있어서의 일 실시 형태에서는, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 보유 지지된 반도체 웨이퍼(30A)를 다이싱 다이 본드 필름(1)의 접착제층(20)에 대해 접합한다. 이 후, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)로부터 웨이퍼 가공용 테이프 T2를 박리한다.In one embodiment in step A, as shown in Fig. 3(a), the semiconductor wafer 30A held by the wafer processing tape T2 is bonded to the adhesive layer 20 of the dicing die-bonding film 1 Join for. Thereafter, as shown in Fig. 3B, the wafer processing tape T2 is peeled from the semiconductor wafer 30A.

또한, 반도체 웨이퍼(30A)의 접착제층(20)에 대한 접합 후에, 기재(11)의 측으로부터 점착제층(12)에 대해 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이고, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서 점착제층(12)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행해지는 영역(도 1에 나타내는 조사 영역 R)은, 예를 들어 점착제층(12)에 있어서의 접착제층(20) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외하는 영역이다.Further, after bonding of the semiconductor wafer 30A to the adhesive layer 20, the pressure-sensitive adhesive layer 12 may be irradiated with radiation such as ultraviolet rays from the side of the substrate 11. The irradiation amount is, for example, 50 to 500 mJ/cm 2, and preferably 100 to 300 mJ/cm 2. In the dicing die-bonding film 1, the area (irradiation area R shown in FIG. 1) to be irradiated as a measure to reduce the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is, for example, an adhesive layer ( 20) It is an area excluding its periphery in the bonding area.

(공정 B)(Step B)

공정 B에서는, 상대적으로 저온의 조건하에서, 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서의 다이싱 테이프(10)를 익스팬드하여, 적어도 접착제층(20)을 할단하여 접착제층을 구비하는 반도체 칩을 얻는다.In step B, under relatively low temperature conditions, the dicing tape 10 in the dicing die-bonding film 1 is expanded, and at least the adhesive layer 20 is cut to obtain a semiconductor chip having an adhesive layer. Get

공정 B에 있어서의 일 실시 형태에서는, 먼저, 다이싱 다이 본드 필름(1)에 있어서의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12) 상에 링 프레임(41)을 첩부한 후, 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)를 수반하는 당해 다이싱 다이 본드 필름(1)을 익스팬드 장치의 보유 지지구(42)에 고정한다.In one embodiment in step B, first, after affixing the ring frame 41 on the pressure-sensitive adhesive layer 12 of the dicing tape 10 in the dicing die-bonding film 1, FIG. 4 As shown in (a), the dicing die-bonding film 1 carrying the semiconductor wafer 30A is fixed to the holding tool 42 of the expander.

다음으로, 상대적으로 저온의 조건하에서 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을, 도 4의 (b)에 도시하는 바와 같이 행하여, 반도체 웨이퍼(30A)를 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화함과 함께, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 접착제층(20)을 소편의 접착제층(21)으로 할단하여, 접착제층을 구비하는 반도체 칩(31)을 얻는다.Next, under relatively low temperature conditions, a first expansion process (cool expansion process) is performed as shown in FIG. 4B, and the semiconductor wafer 30A is reorganized into a plurality of semiconductor chips 31. In addition, the adhesive layer 20 of the dicing die-bonding film 1 is divided into the adhesive layer 21 of a small piece to obtain a semiconductor chip 31 having an adhesive layer.

쿨 익스팬드 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(43)를 다이싱 다이 본드 필름(1)의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿게 하여 상승시키고, 반도체 웨이퍼(30A)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이싱 테이프(10)를, 반도체 웨이퍼(30A)의 직경 방향 및 주위 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드한다.In the cool expand process, the hollow cylindrical push-up member 43 provided in the expander is brought into contact with the dicing tape 10 on the lower side of the drawing of the dicing die bonding film 1 and is raised, The dicing tape 10 of the dicing die bonding film 1 to which the semiconductor wafer 30A is bonded is expanded so as to be stretched in a two-dimensional direction including the radial direction and the circumferential direction of the semiconductor wafer 30A.

이 익스팬드는, 다이싱 테이프(10)에 있어서 15 내지 32㎫, 바람직하게는 20 내지 32㎫의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행한다. 쿨 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올림 부재(43)를 상승시키는 속도)는, 바람직하게는 0.1 내지 100㎜/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드양은, 바람직하게는 3 내지 16㎜이다.This expansion is performed under conditions in which tensile stress within the range of 15 to 32 MPa, preferably 20 to 32 MPa is generated in the dicing tape 10. The temperature conditions in the cool expand process are, for example, 0°C or less, preferably -20 to -5°C, more preferably -15 to -5°C, and more preferably -15°C. The expand speed in the cool expand process (the speed at which the pushing member 43 is raised) is preferably 0.1 to 100 mm/second. In addition, the amount of expand in the cool expand process is preferably 3 to 16 mm.

공정 B에서는, 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30A)를 사용한 경우, 반도체 웨이퍼(30A)에 있어서 얇고 균열되기 쉬운 부위에 할단이 발생하여 반도체 칩(31)으로의 개편화가 발생한다. 이와 함께, 공정 B에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착되어 있는 접착제층(20)에 있어서 각 반도체 칩(31)이 밀착되어 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈의 도면 중 수직 방향에 위치하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 접착제층(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈의 수직 방향에 위치하는 개소가 할단되게 된다. 익스팬드에 의한 할단 후, 도 4의 (c)에 도시하는 바와 같이, 밀어올림 부재(43)를 하강시켜, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 익스팬드 상태를 해제한다.In the step B, when the semiconductor wafer 30A which can be divided into a plurality of semiconductor chips is used, the division into the semiconductor chip 31 occurs due to the division of the semiconductor wafer 30A at a thin and easily cracked portion. In addition, in step B, deformation is suppressed in each region where each semiconductor chip 31 is in close contact with the adhesive layer 20 of the dicing tape 10 to be expanded. On the other hand, a tensile stress generated in the dicing tape 10 acts on a portion located in the vertical direction in the diagram of the divided grooves between the semiconductor chips 31 in a state where such a strain suppressing action does not occur. As a result, in the adhesive layer 20, a portion located in the vertical direction of the dividing groove between the semiconductor chips 31 is cut. After the division by the expand, as shown in FIG. 4C, the pushing member 43 is lowered to release the expanded state in the dicing tape 10.

(공정 C)(Step C)

공정 C에서는, 상대적으로 고온의 조건하에서, 상기 다이싱 테이프(10)를 익스팬드하여, 상기 접착제층을 구비하는 반도체 칩끼리의 간격을 넓힌다.In step C, the dicing tape 10 is expanded under relatively high temperature conditions to widen the spacing between semiconductor chips including the adhesive layer.

공정 C에 있어서의 일 실시 형태에서는, 먼저, 상대적으로 고온의 조건하에서의 제2 익스팬드 공정(상온 익스팬드 공정)을, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이 행하여, 접착제층을 구비하는 반도체 칩(31) 사이의 거리(이격 거리)를 넓힌다.In one embodiment in step C, first, a second expanding step (room temperature expanding step) under relatively high temperature conditions is performed as shown in Fig. 5A, and a semiconductor having an adhesive layer The distance (separation distance) between the chips 31 is increased.

공정 C에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(43)를 다시 상승시켜, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이싱 테이프(10)를 익스팬드한다. 제2 익스팬드 공정에 있어서의 온도 조건은, 예를 들어 10℃ 이상이고, 바람직하게는 15 내지 30℃이다. 제2 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드 속도(밀어올림 부재(43)를 상승시키는 속도)는, 예를 들어 0.1 내지 10㎜/초이고, 바람직하게는 0.3 내지 1㎜/초이다. 후술하는 픽업 공정에서 다이싱 테이프(10)로부터 접착제층을 구비하는 반도체 칩(31)을 적절하게 픽업 가능한 정도로, 공정 C에서는 접착제층을 구비하는 반도체 칩(31)의 이격 거리를 넓힌다. 익스팬드에 의해 이격 거리를 넓힌 후, 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 밀어올림 부재(43)를 하강시켜, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 익스팬드 상태를 해제한다.In step C, the hollow cylindrical push-up member 43 provided in the expander is raised again, and the dicing tape 10 of the dicing die bonding film 1 is expanded. The temperature conditions in the second expand process are, for example, 10°C or higher, and preferably 15 to 30°C. The expand speed in the second expand process (the speed at which the pushing member 43 is raised) is, for example, 0.1 to 10 mm/second, and preferably 0.3 to 1 mm/second. In step C, the separation distance between the semiconductor chips 31 including the adhesive layer is widened to the extent that the semiconductor chip 31 including the adhesive layer can be properly picked up from the dicing tape 10 in the pickup step described later. After the separation distance is widened by the expand, as shown in FIG. 5B, the pushing member 43 is lowered to release the expanded state in the dicing tape 10.

익스팬드 상태 해제 후에 다이싱 테이프(10) 상의 접착제층을 구비하는 반도체 칩(31)의 이격 거리가 좁아지는 것을 억제한다는 관점에서는, 익스팬드 상태를 해제하기 이전에, 다이싱 테이프(10)에 있어서의 반도체 칩(31) 보유 지지 영역보다 외측의 부분을 가열하여 수축시키는 것이 바람직하다.From the viewpoint of suppressing narrowing of the separation distance of the semiconductor chip 31 provided with the adhesive layer on the dicing tape 10 after releasing the expanded state, before releasing the expanded state, the dicing tape 10 It is preferable to heat and contract a part outside of the semiconductor chip 31 holding region in this.

공정 C의 후, 접착제층을 구비하는 반도체 칩(31)을 수반하는 다이싱 테이프(10)에 있어서의 반도체 칩(31)측을 물 등의 세정액을 사용하여 세정하는 클리닝 공정을 필요에 따라서 갖고 있어도 된다.After step C, if necessary, a cleaning step of cleaning the semiconductor chip 31 side of the dicing tape 10 with the semiconductor chip 31 having an adhesive layer using a cleaning solution such as water is provided. You may have it.

(공정 D)(Step D)

공정 D(픽업 공정)에서는, 개편화된 접착제층을 구비하는 반도체 칩을 픽업한다. 공정 D에 있어서의 일 실시 형태에서는, 필요에 따라서 상기 클리닝 공정을 거친 후, 도 6에 도시하는 바와 같이, 접착제층을 구비하는 반도체 칩(31)을 다이싱 테이프(10)로부터 픽업한다. 예를 들어, 픽업 대상인 접착제층을 구비하는 반도체 칩(31)에 대해, 다이싱 테이프(10)의 도면 중 하측에 있어서 픽업 기구인 핀 부재(44)를 상승시켜 다이싱 테이프(10)를 개재하여 밀어올린 후, 흡착 지그(45)에 의해 흡착 유지한다. 픽업 공정에 있어서, 핀 부재(44)의 밀어올림 속도는 예를 들어 1 내지 100㎜/초이고, 핀 부재(44)의 밀어올림량은 예를 들어 50 내지 3000㎛이다.In step D (pick-up step), a semiconductor chip provided with an individualized adhesive layer is picked up. In one embodiment in step D, after passing through the cleaning step as necessary, the semiconductor chip 31 including the adhesive layer is picked up from the dicing tape 10 as shown in FIG. 6. For example, with respect to the semiconductor chip 31 provided with the adhesive layer to be picked up, the pin member 44, which is a pickup mechanism, is raised from the lower side of the drawing of the dicing tape 10 to interpose the dicing tape 10. It is pushed up and held by adsorption jig 45. In the pick-up process, the push-up speed of the pin member 44 is, for example, 1 to 100 mm/second, and the push-up amount of the pin member 44 is, for example, 50 to 3000 µm.

상기 반도체 장치의 제조 방법은, 공정 A 내지 D 이외의 다른 공정을 포함하고 있어도 된다. 예를 들어, 일 실시 형태에 있어서는, 도 7의 (a)에 도시하는 바와 같이, 픽업한 접착제층을 구비하는 반도체 칩(31)을 피착체(51)에 대해 접착제층(21)을 개재하여 가고착한다(가고착 공정).The method for manufacturing the semiconductor device may include steps other than steps A to D. For example, in one embodiment, as shown in Fig. 7(a), the semiconductor chip 31 having the picked up adhesive layer is placed with the adherend 51 via the adhesive layer 21. Temporarily fix (temporary fixation process)

피착체(51)로서는, 예를 들어 리드 프레임, TAB(Tape Automated Bonding) 필름, 배선 기판, 별도 제작한 반도체 칩 등을 들 수 있다. 접착제층(21)의 가고착 시에 있어서의 25℃에서의 전단 접착력은, 피착체(51)에 대해 0.2㎫ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 내지 10㎫이다. 접착제층(21)의 상기 전단 접착력이 0.2㎫ 이상이라고 하는 구성은, 후술하는 와이어 본딩 공정에 있어서, 초음파 진동이나 가열에 의해 접착제층(21)과 반도체 칩(31) 또는 피착체(51)와의 접착면에서 전단 변형이 발생하는 것을 억제하여 적절하게 와이어 본딩을 행할 수 있다. 또한, 접착제층(21)의 가고착 시에 있어서의 175℃에서의 전단 접착력은, 피착체(51)에 대해 0.01㎫ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01 내지 5㎫이다.Examples of the adherend 51 include a lead frame, a TAB (Tape Automated Bonding) film, a wiring board, and a separately manufactured semiconductor chip. The shear adhesion at 25° C. at the time of temporary bonding of the adhesive layer 21 is preferably 0.2 MPa or more with respect to the adherend 51, and more preferably 0.2 to 10 MPa. The configuration in which the shear adhesive force of the adhesive layer 21 is 0.2 MPa or more is achieved by ultrasonic vibration or heating in the wire bonding process described later, so that the adhesive layer 21 and the semiconductor chip 31 or the adherend 51 are It is possible to suitably perform wire bonding by suppressing the occurrence of shear deformation on the bonding surface. In addition, the shear adhesive force at 175° C. at the time of temporary bonding of the adhesive layer 21 is preferably 0.01 MPa or more, more preferably 0.01 to 5 MPa with respect to the adherend 51.

다음으로, 도 7의 (b)에 도시하는 바와 같이, 반도체 칩(31)의 전극 패드(도시 생략)와 피착체(51)가 갖는 단자부(도시 생략)를 본딩 와이어(52)를 통해 전기적으로 접속한다(와이어 본딩 공정).Next, as shown in FIG. 7B, the electrode pads (not shown) of the semiconductor chip 31 and the terminal portions (not shown) of the adherend 51 are electrically connected through the bonding wire 52. Connect (wire bonding process).

반도체 칩(31)의 전극 패드나 피착체(51)의 단자부와 본딩 와이어(52)의 결선은, 가열을 수반하는 초음파 용접에 의해 실현할 수 있어, 접착제층(21)을 열경화시키지 않도록 행해진다. 본딩 와이어(52)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선, 구리선 등을 사용할 수 있다. 와이어 본딩에 있어서의 와이어 가열 온도는, 예를 들어 80 내지 250℃이고, 바람직하게는 80 내지 220℃이다. 또한, 그 가열 시간은 수초 내지 수분간이다.The connection between the electrode pad of the semiconductor chip 31 or the terminal portion of the adherend 51 and the bonding wire 52 can be realized by ultrasonic welding with heating, so that the adhesive layer 21 is not thermally cured. . As the bonding wire 52, a gold wire, an aluminum wire, a copper wire, or the like can be used, for example. The wire heating temperature in wire bonding is, for example, 80 to 250°C, and preferably 80 to 220°C. In addition, the heating time is several seconds to several minutes.

다음으로, 도 7의 (c)에 도시하는 바와 같이, 피착체(51) 상의 반도체 칩(31)이나 본딩 와이어(52)를 보호하기 위한 밀봉 수지(53)에 의해 반도체 칩(31)을 밀봉한다(밀봉 공정).Next, as shown in FIG. 7C, the semiconductor chip 31 is sealed with a sealing resin 53 for protecting the semiconductor chip 31 or the bonding wire 52 on the adherend 51. Do (sealing process).

밀봉 공정에서는, 접착제층(21)의 열경화가 진행된다. 밀봉 공정에서는, 예를 들어 금형을 사용하여 행하는 트랜스퍼 몰드 기술에 의해 밀봉 수지(53)를 형성한다. 밀봉 수지(53)의 구성 재료로서는, 예를 들어 에폭시계 수지를 사용할 수 있다. 밀봉 공정에 있어서, 밀봉 수지(53)를 형성하기 위한 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 60초 내지 수분간이다.In the sealing process, thermal curing of the adhesive layer 21 proceeds. In the sealing process, the sealing resin 53 is formed by, for example, a transfer mold technique performed using a mold. As the constituent material of the sealing resin 53, for example, an epoxy resin can be used. In the sealing process, the heating temperature for forming the sealing resin 53 is, for example, 165 to 185°C, and the heating time is, for example, from 60 seconds to several minutes.

밀봉 공정에서 밀봉 수지(53)의 경화가 충분히 진행되지 않는 경우에는, 밀봉 공정 후에 밀봉 수지(53)를 완전히 경화시키기 위한 후경화 공정을 행한다. 밀봉 공정에 있어서 접착제층(21)이 완전히 열경화되지 않는 경우라도, 후경화 공정에 있어서 밀봉 수지(53)와 함께 접착제층(21)의 완전한 열경화가 가능해진다. 후경화 공정에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 8시간이다.When curing of the sealing resin 53 does not sufficiently proceed in the sealing process, a post-curing process for completely curing the sealing resin 53 is performed after the sealing process. Even when the adhesive layer 21 is not completely thermally cured in the sealing process, complete thermal curing of the adhesive layer 21 together with the sealing resin 53 is possible in the post curing process. In the post-curing process, the heating temperature is, for example, 165 to 185°C, and the heating time is, for example, 0.5 to 8 hours.

상기한 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 접착제층을 구비하는 반도체 칩(31)을 피착체(51)에 가고착시킨 후, 접착제층(21)을 완전히 열경화시키는 일 없이 와이어 본딩 공정이 행해진다. 이러한 구성 대신에, 상기 반도체 장치의 제조 방법에서는, 접착제층을 구비하는 반도체 칩(31)을 피착체(51)에 가고착시킨 후, 접착제층(21)을 열경화시키고 나서 와이어 본딩 공정을 행해도 된다.In the above-described embodiment, as described above, after the semiconductor chip 31 having the adhesive layer is temporarily attached to the adherend 51, the wire bonding process is performed without completely thermally curing the adhesive layer 21. . Instead of this configuration, in the above-described method for manufacturing a semiconductor device, a semiconductor chip 31 having an adhesive layer is temporarily bonded to the adherend 51, and then the adhesive layer 21 is thermally cured, and then a wire bonding process is performed. Also works.

상기 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 다른 실시 형태로서, 도 2의 (d)를 참조하여 상술한 웨이퍼 박화 공정 대신에, 도 8에 나타내는 웨이퍼 박화 공정을 행해도 된다. 도 2의 (c)를 참조하여 상술한 과정을 거친 후, 도 8에 나타내는 웨이퍼 박화 공정에서는, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 상태에서, 당해 웨이퍼가 소정의 두께에 이를 때까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화시켜, 복수의 반도체 칩(31)을 포함하여 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 보유 지지된 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 형성한다.In the semiconductor device manufacturing method described above, as another embodiment, the wafer thinning step shown in FIG. 8 may be performed instead of the wafer thinning step described above with reference to FIG. 2D. After going through the above-described process with reference to FIG. 2(c), in the wafer thinning process shown in FIG. 8, while the semiconductor wafer W is held on the wafer processing tape T2, the wafer reaches a predetermined thickness. Until then, it is thinned by grinding from the second surface Wb to form a semiconductor wafer divided body 30B held by the wafer processing tape T2 including a plurality of semiconductor chips 31.

상기 웨이퍼 박화 공정에서는, 분할 홈(30a)이 제2면 Wb측에 노출될 때까지 웨이퍼를 연삭하는 방법(제1 방법)을 채용해도 되고, 제2면 Wb측으로부터 분할 홈(30a)에 이르기 전까지 웨이퍼를 연삭하고, 그 후, 회전 지석으로부터 웨이퍼에 대한 압박력의 작용에 의해 분할 홈(30a)과 제2면 Wb 사이에 크랙을 발생시켜 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 형성하는 방법(제2 방법)을 채용해도 된다. 채용되는 방법에 따라서, 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)를 참조하여 상술한 바와 같이 형성하는 분할 홈(30a)의, 제1면 Wa로부터의 깊이는, 적절하게 결정된다.In the wafer thinning process, a method of grinding the wafer until the divided grooves 30a are exposed to the second surface Wb side (first method) may be employed, and from the second surface Wb side to the divided grooves 30a. A method of forming a semiconductor wafer divided body 30B by grinding the wafer before, and then generating a crack between the dividing groove 30a and the second surface Wb by the action of the pressing force on the wafer from the rotary grindstone (second Method) may be employed. Depending on the method employed, the depth from the first surface Wa of the divided groove 30a formed as described above with reference to FIGS. 2A and 2B is appropriately determined.

도 8에서는, 제1 방법을 거친 분할 홈(30a), 또는 제2 방법을 거친 분할 홈(30a) 및 이것에 연속되는 크랙에 대해, 모식적으로 굵은 선으로 나타낸다. 상기 반도체 장치의 제조 방법에서는, 공정 A에 있어서, 반도체 웨이퍼 분할체로서 이와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 반도체 웨이퍼(30A) 대신에 사용하고, 도 3 내지 도 7을 참조하여 상술한 각 공정을 행해도 된다.In Fig. 8, the divided grooves 30a through the first method or the divided grooves 30a through the second method, and cracks subsequent thereto are schematically shown by thick lines. In the semiconductor device manufacturing method, in step A, the semiconductor wafer divided body 30B thus produced as a semiconductor wafer divided body is used in place of the semiconductor wafer 30A, and described above with reference to FIGS. 3 to 7 You may perform each step.

도 9의 (a) 및 도 9의 (b)는, 당해 실시 형태에 있어서의 공정 B, 즉 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 다이싱 다이 본드 필름(1)에 접합한 후에 행하는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 나타낸다.9(a) and 9(b) show the step B in the embodiment, that is, the first expansion performed after bonding the semiconductor wafer divided body 30B to the dicing die bonding film 1 Represents a process (cool expand process).

당해 실시 형태에 있어서의 공정 B에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(43)를, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿게 하여 상승시키고, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 접합된 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이싱 테이프(10)를 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 직경 방향 및 주위 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드한다.In step B in this embodiment, the hollow cylindrical push-up member 43 provided in the expander is fitted with the dicing tape 10 at the lower side of the drawing of the dicing die bonding film 1. The dicing tape 10 of the dicing die-bonding film 1 bonded to the semiconductor wafer division body 30B is brought into contact and raised in a two-dimensional direction including the radial direction and the circumferential direction of the semiconductor wafer division body 30B. Expand to stretch.

이 익스팬드는, 다이싱 테이프(10)에 있어서, 예를 들어 5 내지 28㎫, 바람직하게는 8 내지 25㎫의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행한다. 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드 속도(밀어올림 부재(43)를 상승시키는 속도)는, 바람직하게는 1 내지 400㎜/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드양은, 바람직하게는 50 내지 200㎜이다.This expansion is performed in the dicing tape 10 under conditions in which tensile stress within a range of, for example, 5 to 28 MPa, preferably 8 to 25 MPa is generated. The temperature conditions in the cool expand process are, for example, 0°C or less, preferably -20 to -5°C, more preferably -15 to -5°C, and more preferably -15°C. The expand speed in the cool expand process (the speed at which the pushing member 43 is raised) is preferably 1 to 400 mm/second. In addition, the amount of expand in the cool expand process is preferably 50 to 200 mm.

이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 접착제층(20)을 소편의 접착제층(21)으로 할단하여 접착제층을 구비하는 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 쿨 익스팬드 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착되어 있는 접착제층(20)에 있어서, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 각 반도체 칩(31)이 밀착되어 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30a)의 도면 중 수직 방향에 위치하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 접착제층(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30a)의 도면 중 수직 방향에 위치하는 개소가 할단되게 된다.By such a cool expansion process, the adhesive layer 20 of the dicing die-bonding film 1 is divided into the adhesive layer 21 of small pieces, and a semiconductor chip 31 having an adhesive layer is obtained. Specifically, in the cool expand process, in the adhesive layer 20 in close contact with the adhesive layer 12 of the dicing tape 10 to be expanded, each semiconductor chip 31 of the semiconductor wafer division body 30B While deformation is suppressed in each of the regions in close contact with each other, dicing tape in a state in which such a deformation suppressing action does not occur in a portion located in the vertical direction in the diagram of the dividing groove 30a between the semiconductor chips 31 Tensile stress occurring in (10) acts. As a result, in the diagram of the dividing groove 30a between the semiconductor chips 31 in the adhesive layer 20, a portion positioned in the vertical direction is cut.

상기 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 추가의 다른 실시 형태로서, 공정 A에 있어서 사용하는 반도체 웨이퍼(30A) 또는 반도체 웨이퍼 분할체(30B) 대신에, 이하와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)를 사용해도 된다.In the semiconductor device manufacturing method described above, as a further embodiment, instead of the semiconductor wafer 30A or the semiconductor wafer divided body 30B used in step A, a semiconductor wafer 30C manufactured as follows is provided. You can use it.

당해 실시 형태에서는, 도 10의 (a) 및 도 10의 (b)에 도시하는 바와 같이, 먼저, 반도체 웨이퍼(W)에 개질 영역(30b)을 형성한다. 반도체 웨이퍼(W)는, 제1면 Wa 및 제2면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼(W)에 있어서의 제1면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시 생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시 생략)이 제1면 Wa 상에 이미 형성되어 있다.In this embodiment, as shown in FIGS. 10A and 10B, first, a modified region 30b is formed on the semiconductor wafer W. The semiconductor wafer W has a first surface Wa and a second surface Wb. Various semiconductor elements (not shown) are already formed on the side of the first surface Wa of the semiconductor wafer W, and a wiring structure, etc. (not shown) necessary for the semiconductor element is already formed on the first surface Wa. have.

그리고 점착면 T3a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T3을 반도체 웨이퍼(W)의 제1면 Wa측에 접합한 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 상태에서, 웨이퍼 내부에 집광점이 맞추어진 레이저광을 웨이퍼 가공용 테이프 T3과는 반대측으로부터 반도체 웨이퍼(W)에 대해 분할 예정 라인을 따라 조사하여, 다광자 흡수에 의한 어블레이션에 의해 반도체 웨이퍼(W) 내에 개질 영역(30b)을 형성한다. 개질 영역(30b)은, 반도체 웨이퍼(W)를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 취약화 영역이다.Then, after bonding the wafer processing tape T3 having the adhesive surface T3a to the first surface Wa side of the semiconductor wafer W, while the semiconductor wafer W is held by the wafer processing tape T3, the condensing point is aligned inside the wafer. A true laser light is irradiated from the side opposite to the wafer processing tape T3 to the semiconductor wafer W along a line to be divided, and a modified region 30b is formed in the semiconductor wafer W by ablation by multiphoton absorption. . The modified region 30b is a fragile region for separating the semiconductor wafer W in units of semiconductor chips.

반도체 웨이퍼에 있어서 레이저광 조사에 의해 분할 예정 라인 상에 개질 영역(30b)을 형성하는 방법에 대해서는, 예를 들어 일본 특허 공개 제2002-192370호 공보에 상세하게 설명되어 있지만, 당해 실시 형태에 있어서의 레이저광 조사 조건은, 예를 들어 이하의 조건의 범위 내에서 적절하게 조정된다.A method of forming the modified region 30b on the line to be divided by laser light irradiation in a semiconductor wafer is described in detail in, for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-192370, but in the present embodiment The laser light irradiation conditions of, for example, are appropriately adjusted within the range of the following conditions.

<레이저광 조사 조건><Laser light irradiation conditions>

(A) 레이저광(A) laser light

레이저광원 반도체 레이저 여기 Nd:YAG 레이저Laser light source Semiconductor laser excitation Nd:YAG laser

파장 1064㎚wavelength 1064nm

레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8Laser light spot cross-sectional area 3.14×10 -8

발진 형태 Q 스위치 펄스Rash form Q switch pulse

반복 주파수 100㎑ 이하Repetition frequency 100㎑ or less

펄스 폭 1μs 이하Pulse width 1 μs or less

출력 1mJ 이하Print 1mJ or less

레이저광 품질 TEM00Laser light quality TEM00

편광 특성 직선 편광Polarization characteristics Linearly polarized

(B) 집광용 렌즈(B) condensing lens

배율 100배 이하Magnification 100 times or less

NA 0.55NA 0.55

레이저광 파장에 대한 투과율 100% 이하Transmittance to laser light wavelength 100% or less

(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 280㎜/초 이하(C) The moving speed of the mounting platform on which the semiconductor substrate is loaded 280㎜/sec or less

다음으로, 도 10의 (c)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼(W)가 소정의 두께에 이를 때까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화시키고, 이에 의해 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30C)를 형성한다(웨이퍼 박화 공정).Next, as shown in (c) of FIG. 10, in a state where the semiconductor wafer W is held in the wafer processing tape T3, from the second surface Wb until the semiconductor wafer W reaches a predetermined thickness. The semiconductor wafer 30C which can be divided into a plurality of semiconductor chips 31 is formed by thinning by grinding processing of (wafer thinning step).

상기 반도체 장치의 제조 방법에서는, 공정 A에 있어서, 개편화 가능한 반도체 웨이퍼로서 이와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)를 반도체 웨이퍼(30A) 대신에 사용하여, 도 3 내지 도 7을 참조하여 상술한 각 공정을 행해도 된다.In the method for manufacturing a semiconductor device, in step A, the semiconductor wafer 30C thus produced as a semiconductor wafer that can be divided into pieces is used instead of the semiconductor wafer 30A, as described above with reference to FIGS. 3 to 7. You may perform each process.

도 11의 (a) 및 도 11의 (b)는, 당해 실시 형태에 있어서의 공정 B, 즉 반도체 웨이퍼(30C)를 다이싱 다이 본드 필름(1)에 접합한 후에 행하는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 나타낸다.11(a) and 11(b) show Step B in the embodiment, that is, a first expanding step performed after bonding the semiconductor wafer 30C to the dicing die bonding film 1 ( Cool expand process).

쿨 익스팬드 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(43)를 다이싱 다이 본드 필름(1)의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(10)에 맞닿게 하여 상승시켜, 반도체 웨이퍼(30C)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름(1)의 다이싱 테이프(10)를 반도체 웨이퍼(30C)의 직경 방향 및 주위 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드한다.In the cool expand process, the hollow cylindrical push-up member 43 provided in the expander is brought into contact with the dicing tape 10 on the lower side of the drawing of the dicing die bonding film 1 and is raised, The dicing tape 10 of the dicing die bonding film 1 to which the semiconductor wafer 30C is bonded is expanded so as to be stretched in a two-dimensional direction including the radial direction and the circumferential direction of the semiconductor wafer 30C.

이 익스팬드는, 다이싱 테이프(10)에 있어서, 예를 들어 5 내지 28㎫, 바람직하게는 8 내지 25㎫의 범위 내의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행한다. 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드 속도(밀어올림 부재(43)를 상승시키는 속도)는, 바람직하게는 1 내지 400㎜/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에 있어서의 익스팬드양은, 바람직하게는 50 내지 (200㎜이다.This expansion is performed in the dicing tape 10 under conditions in which tensile stress within a range of, for example, 5 to 28 MPa, preferably 8 to 25 MPa is generated. The temperature conditions in the cool expand process are, for example, 0°C or less, preferably -20 to -5°C, more preferably -15 to -5°C, and more preferably -15°C. The expand speed in the cool expand process (the speed at which the pushing member 43 is raised) is preferably 1 to 400 mm/second. In addition, the amount of expand in the cool expand process is preferably 50 to (200 mm).

이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 접착제층(20)을 소편의 접착제층(21)으로 할단하여 접착제층을 구비하는 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 쿨 익스팬드 공정에서는, 반도체 웨이퍼(30C)에 있어서 취약한 개질 영역(30b)에 크랙이 형성되어 반도체 칩(31)으로의 개편화가 발생한다. 이와 함께, 쿨 익스팬드 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(10)의 점착제층(12)에 밀착되어 있는 접착제층(20)에 있어서, 반도체 웨이퍼(30C)의 각 반도체 칩(31)이 밀착되어 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 웨이퍼의 크랙 형성 개소의 도면 중 수직 방향에 위치하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(10)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 접착제층(20)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 크랙 형성 개소의 도면 중 수직 방향에 위치하는 개소가 할단되게 된다.By such a cool expansion process, the adhesive layer 20 of the dicing die-bonding film 1 is divided into the adhesive layer 21 of small pieces, and a semiconductor chip 31 having an adhesive layer is obtained. Specifically, in the cool expand process, cracks are formed in the weakly modified region 30b of the semiconductor wafer 30C, and the division into the semiconductor chip 31 occurs. In addition, in the cool expansion process, in the adhesive layer 20 in close contact with the adhesive layer 12 of the dicing tape 10 to be expanded, each semiconductor chip 31 of the semiconductor wafer 30C is in close contact. While deformation is suppressed in each of the regions, the tensile stress generated in the dicing tape 10 in a state in which such deformation suppressing action does not occur in the diagram of the crack formation site of the wafer in the vertical direction. Works. As a result, in the diagram of the crack formation location between the semiconductor chips 31 in the adhesive layer 20, the location located in the vertical direction is cut.

또한, 상기 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 상술한 바와 같이 접착제층을 구비하는 반도체 칩을 얻는 용도로 사용할 수 있지만, 복수의 반도체 칩을 적층하여 삼차원 실장을 하는 경우에 있어서의 접착제층을 구비하는 반도체 칩을 얻기 위한 용도로도 사용할 수 있다. 그러한 삼차원 실장에 있어서의 반도체 칩(31) 사이에는, 접착제층(21)과 함께 스페이서가 개재되어 있어도 되고, 스페이서가 개재되어 있지 않아도 된다.Further, in the semiconductor device manufacturing method, the dicing die-bonding film 1 can be used for obtaining a semiconductor chip having an adhesive layer as described above, but a plurality of semiconductor chips are stacked to achieve three-dimensional mounting. It can also be used for the purpose of obtaining a semiconductor chip provided with an adhesive layer in the case of a case. Between the semiconductor chips 31 in such three-dimensional mounting, a spacer may be interposed together with the adhesive layer 21, and the spacer may not be interposed.

[실시예][Example]

이하에 실시예를 들어 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예 및 비교예에 있어서의 점착제층의, 아크릴계 폴리머 P2를 구성하는 각 모노머 성분의 조성을 표 1에 나타낸다. 단, 표 1에 있어서, 조성물의 조성을 나타내는 각 수치의 단위는, 모노머 성분에 관한 수치는 상대적인 "몰"이고, 모노머 성분 이외의 각 성분에 관한 수치는 당해 아크릴계 폴리머 P2 100질량부에 대한 "질량부"이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited at all by these examples. In addition, the composition of each monomer component constituting the acrylic polymer P 2 of the pressure-sensitive adhesive layer in Examples and Comparative Examples is shown in Table 1. However, in Table 1, the unit of each numerical value indicating the composition of the composition is a relative "mole" for the monomer component, and the numerical value for each component other than the monomer component is "for 100 parts by mass of the acrylic polymer P 2 " Mass parts".

실시예 1Example 1

(다이싱 테이프)(Dicing Tape)

냉각관과, 질소 도입관과, 온도계와, 교반 장치를 구비하는 반응 용기 내에서, 아크릴산2-에틸헥실(2EHA) 100몰과, 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 20몰과, 이들 모노머 성분의 총량 100질량부에 대해 0.2질량부의 중합 개시제로서의 과산화벤조일과, 중합 용매로서의 톨루엔을 포함하는 혼합물을, 61℃에서 6시간, 질소 분위기하에서 교반하였다(중합 반응). 이에 의해, 아크릴계 폴리머 P1을 함유하는 폴리머 용액을 얻었다.100 moles of 2-ethylhexyl acrylate (2EHA), 20 moles of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), and these monomers in a reaction vessel equipped with a cooling pipe, a nitrogen introduction pipe, a thermometer, and a stirring device A mixture containing 0.2 parts by mass of benzoyl peroxide as a polymerization initiator and toluene as a polymerization solvent was stirred at 61° C. for 6 hours in a nitrogen atmosphere with respect to 100 parts by mass of the total amount of the components (polymerization reaction). Thereby, a polymer solution containing acrylic polymer P 1 was obtained.

다음으로, 이 아크릴계 폴리머 P1을 함유하는 폴리머 용액과, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI)와, 부가 반응 촉매로서의 디부틸주석디라우레이트를 포함하는 혼합물을, 50℃에서 48시간, 공기 분위기하에서 교반하였다(부가 반응). 당해 반응 용액에 있어서, MOI의 배합량은 18몰이다. 또한, 당해 반응 용액에 있어서, 디부틸주석디라우레이트의 배합량은, 아크릴계 폴리머 P1 100질량부에 대해 0.01질량부이다. 이 부가 반응에 의해, 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 폴리머 P2(불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물 유래의 구성 단위를 포함하는 아크릴계 폴리머)를 함유하는 폴리머 용액을 얻었다.Next, a mixture containing a polymer solution containing this acrylic polymer P 1 , 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI), and dibutyltin dilaurate as an addition reaction catalyst was prepared at 50° C. for 48 hours. And stirred under an air atmosphere (additional reaction). In the reaction solution, the amount of MOI blended is 18 mol. Moreover, in the said reaction solution, the compounding amount of dibutyltin dilaurate is 0.01 mass part with respect to 100 mass parts of acrylic polymer P 1 . By this addition reaction, a polymer solution containing acrylic polymer P 2 (acrylic polymer containing constituent units derived from an isocyanate compound containing an unsaturated functional group) having a methacrylate group in the side chain was obtained.

다음으로, 당해 폴리머 용액에, 아크릴계 폴리머 P2 100질량부에 대해 2질량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)과, 2질량부의 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 651」, BASF사 제조)를 첨가하여 혼합하고, 또한 당해 혼합물의 실온에서의 점도가 500mPa·s가 되도록 당해 혼합물에 대해 톨루엔을 첨가하여 희석하여, 점착제 조성물을 얻었다.Next, to the polymer solution, 2 parts by mass of a polyisocyanate compound (brand name ``Coronate L'', manufactured by Tosoh Corporation) and 2 parts by mass of a photopolymerization initiator (brand name ``Irgacure'') per 100 parts by mass of acrylic polymer P 2 651", produced by BASF) was added and mixed, and toluene was added and diluted with the mixture so that the viscosity at room temperature of the mixture was 500 mPa·s, to obtain a pressure-sensitive adhesive composition.

다음으로, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 점착제 조성물을 도포하여 점착제 조성물층을 형성하였다. 다음으로, 이 조성물층에 대해 120℃에서 2분간의 가열에 의한 탈용매를 행하여, PET 세퍼레이터 상에 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다.Next, a pressure-sensitive adhesive composition layer was formed by applying the pressure-sensitive adhesive composition using an applicator on the silicon-releasing-treated surface of a PET separator (thickness 50 μm) having a silicon-releasing-treated side. Next, the composition layer was subjected to solvent removal by heating at 120° C. for 2 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm on the PET separator.

다음으로, 라미네이터를 사용하여, 이 점착제층의 노출면에 기재로서의 폴리올레핀 필름(상품명 「펑크레어 NED#125」, 두께 125㎛, 군제 가부시키가이샤 제조)의 코로나 처리가 실시된 표면을 실온에서 접합하였다. 이 접합체에 대해, 그 후에 50℃에서 24시간의 보존을 행하였다. 이상과 같이 하여 실시예 1의 다이싱 테이프를 제작하였다.Next, using a laminator, the corona-treated surface of a polyolefin film (brand name ``Punkrare NED#125'', thickness 125㎛, manufactured by Gunze Corporation) as a base material is bonded to the exposed surface of this adhesive layer at room temperature. I did. The conjugate was then stored at 50° C. for 24 hours. In the manner described above, the dicing tape of Example 1 was produced.

(접착제층)(Adhesive layer)

아크릴계 폴리머 A1(상품명 「테이산레진 SG-P3」, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조) 100질량부와, 고형 페놀 수지(상품명 「MEHC-7851SS」, 23℃에서 고형, 메이와 가세이 가부시키가이샤 제조) 12질량부와, 실리카 필러(상품명 「SO-C2」, 평균 입경은 0.5㎛, 가부시키가이샤 아도마텍스 제조) 100질량부를, 메틸에틸케톤에 첨가하여 혼합하고, 고형분의 농도가 18질량%가 되도록 농도를 조정하여, 접착제 조성물을 얻었다.Acrylic polymer A 1 (trade name "Teisan Resin SG-P3", manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd.) 100 parts by mass and solid phenolic resin (trade name "MEHC-7851SS", solid at 23°C, Meiwa Kasei Co., Ltd.) Manufacturing) 12 parts by mass and 100 parts by mass of silica filler (brand name "SO-C2", average particle diameter is 0.5 μm, manufactured by Adomatex Co., Ltd.) were added to methyl ethyl ketone and mixed, and the solid content concentration was 18 parts by mass. The concentration was adjusted so that it might become %, and the adhesive composition was obtained.

다음으로, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 접착제 조성물을 도포하여 도막을 형성하고, 이 도막에 대해 130℃에서 2분간의 탈용매를 행하였다. 이상과 같이 하여, 실시예 1에 있어서의 두께 15㎛의 접착제층을 PET 세퍼레이터 상에 제작하였다.Next, an adhesive composition was applied on the silicone release treatment surface of a PET separator (thickness 50 μm) having a silicone release treatment surface using an applicator to form a coating film, and the coated film at 130°C for 2 minutes. Solvent removal was performed. In the manner described above, an adhesive layer having a thickness of 15 μm in Example 1 was produced on the PET separator.

(다이싱 다이 본드 필름의 제작)(Production of dicing die-bonding film)

실시예 1의 다이싱 테이프로부터 PET 세퍼레이터를 박리하고, 노출된 점착제층에 실시예 1의 접착제층을 접합하였다. 접합에는, 핸드 롤러를 사용하였다. 이와 같이 하여 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.The PET separator was peeled from the dicing tape of Example 1, and the adhesive layer of Example 1 was bonded to the exposed pressure-sensitive adhesive layer. For bonding, a hand roller was used. In this way, the dicing die-bonding film of Example 1 was produced.

실시예 2Example 2

점착제층의 제작에 있어서, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 1질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 2의 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.Dicing tape and dicing of Example 2 in the same manner as in Example 1, except that the blending amount of the polyisocyanate compound (brand name ``Coronate L'', manufactured by Tosoh Corporation) was 1 part by mass in the production of the pressure-sensitive adhesive layer. A die bond film was produced.

실시예 3Example 3

점착제층의 제작에 있어서, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 0.5질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 3의 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.Dicing tape and dicing of Example 3 in the same manner as in Example 1, except that the blending amount of the polyisocyanate compound (brand name ``Coronate L'', manufactured by Tosoh Corporation) was 0.5 parts by mass in the production of the pressure-sensitive adhesive layer. A die bond film was produced.

실시예 4Example 4

점착제층의 제작에 있어서, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 0.2질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 실시예 4의 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.Dicing tape and dicing of Example 4 in the same manner as in Example 1, except that the blending amount of the polyisocyanate compound (brand name ``Coronate L'', manufactured by Tosoh Corporation) was 0.2 parts by mass in the production of the pressure-sensitive adhesive layer. A die bond film was produced.

실시예 5Example 5

(다이싱 테이프)(Dicing Tape)

냉각관과, 질소 도입관과, 온도계와, 교반 장치를 구비하는 반응 용기 내에서, 아크릴산2-에틸헥실(2EHA) 100몰과, 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA) 30몰과, 아크릴로일모르폴린(AM) 15몰과, 이들 모노머 성분의 총량 100질량부에 대해 0.2질량부의 중합 개시제로서의 과산화벤조일과, 중합 용매로서의 톨루엔을 포함하는 혼합물을, 61℃에서 6시간, 질소 분위기하에서 교반하였다(중합 반응). 이에 의해, 아크릴계 폴리머 P1을 함유하는 폴리머 용액을 얻었다.In a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring device, 100 moles of 2-ethylhexyl acrylate (2EHA), 30 moles of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), and an acryl furnace A mixture containing 15 moles of ylmorpholine (AM), 0.2 parts by mass of benzoyl peroxide as a polymerization initiator and toluene as a polymerization solvent, based on 100 parts by mass of the total amount of these monomer components was stirred at 61° C. for 6 hours under a nitrogen atmosphere. (Polymerization reaction). Thereby, a polymer solution containing acrylic polymer P 1 was obtained.

다음으로, 이 아크릴계 폴리머 P1을 함유하는 폴리머 용액과, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI)와, 부가 반응 촉매로서의 디부틸주석디라우레이트를 포함하는 혼합물을, 50℃에서 48시간, 공기 분위기하에서 교반하였다(부가 반응). 당해 반응 용액에 있어서, MOI의 배합량은 25몰이다. 또한, 당해 반응 용액에 있어서, 디부틸주석디라우레이트의 배합량은, 아크릴계 폴리머 P1 100질량부에 대해 0.01질량부이다. 이 부가 반응에 의해, 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 폴리머 P2(불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물 유래의 구성 단위를 포함하는 아크릴계 폴리머)를 함유하는 폴리머 용액을 얻었다.Next, a mixture containing a polymer solution containing this acrylic polymer P 1 , 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI), and dibutyltin dilaurate as an addition reaction catalyst was prepared at 50° C. for 48 hours. And stirred under an air atmosphere (additional reaction). In the reaction solution, the blending amount of MOI is 25 mol. Moreover, in the said reaction solution, the compounding amount of dibutyltin dilaurate is 0.01 mass part with respect to 100 mass parts of acrylic polymer P 1 . By this addition reaction, a polymer solution containing acrylic polymer P 2 (acrylic polymer containing constituent units derived from an isocyanate compound containing an unsaturated functional group) having a methacrylate group in the side chain was obtained.

다음으로, 당해 폴리머 용액에, 아크릴계 폴리머 P2 100질량부에 대해 2질량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)과, 2질량부의 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 651」, BASF사 제조)를 첨가하여 혼합하고, 또한 당해 혼합물의 실온에서의 점도가 500mPa·s가 되도록 당해 혼합물에 대해 톨루엔을 첨가하여 희석하여, 점착제 조성물을 얻었다.Next, to the polymer solution, 2 parts by mass of a polyisocyanate compound (brand name ``Coronate L'', manufactured by Tosoh Corporation) and 2 parts by mass of a photopolymerization initiator (brand name ``Irgacure'') per 100 parts by mass of acrylic polymer P 2 651", produced by BASF) was added and mixed, and toluene was added and diluted with the mixture so that the viscosity at room temperature of the mixture was 500 mPa·s, to obtain a pressure-sensitive adhesive composition.

다음으로, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 점착제 조성물을 도포하여 점착제 조성물층을 형성하였다. 다음으로, 이 조성물층에 대해 120℃에서 2분간의 가열에 의한 탈용매를 행하여, PET 세퍼레이터 상에 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다.Next, a pressure-sensitive adhesive composition layer was formed by applying the pressure-sensitive adhesive composition using an applicator on the silicon-releasing-treated surface of a PET separator (thickness 50 μm) having a silicon-releasing-treated side. Next, the composition layer was subjected to solvent removal by heating at 120° C. for 2 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm on the PET separator.

다음으로, 라미네이터를 사용하여, 이 점착제층의 노출면에 기재로서의 폴리올레핀 필름(상품명 「펑크레어 NED#125」, 두께 125㎛, 군제 가부시키가이샤 제조)의 코로나 처리가 실시된 표면을 실온에서 접합하였다. 이 접합체에 대해, 그 후에 50℃에서 24시간의 보존을 행하였다. 이상과 같이 하여 실시예 5의 다이싱 테이프를 제작하였다.Next, using a laminator, the corona-treated surface of a polyolefin film (brand name ``Punkrare NED#125'', thickness 125㎛, manufactured by Gunze Corporation) as a base material is bonded to the exposed surface of this adhesive layer at room temperature. I did. The conjugate was then stored at 50° C. for 24 hours. In the manner described above, the dicing tape of Example 5 was produced.

(다이싱 다이 본드 필름의 제작)(Production of dicing die-bonding film)

실시예 5의 다이싱 테이프로부터 PET 세퍼레이터를 박리하고, 노출된 점착제층에 실시예 1의 접착제층을 접합하였다. 접합에는, 핸드 롤러를 사용하였다. 이와 같이 하여 실시예 5의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.The PET separator was peeled from the dicing tape of Example 5, and the adhesive layer of Example 1 was bonded to the exposed pressure-sensitive adhesive layer. For bonding, a hand roller was used. In this way, the dicing die-bonding film of Example 5 was produced.

실시예 6Example 6

점착제층의 제작에 있어서, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 1질량부로 한 것 이외에는, 실시예 5와 마찬가지로 하여 실시예 6의 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.Dicing tape and dicing of Example 6 in the same manner as in Example 5, except that the blending amount of the polyisocyanate compound (trade name ``Coronate L'', manufactured by Tosoh Corporation) was 1 part by mass in the production of the pressure-sensitive adhesive layer. A die bond film was produced.

실시예 7Example 7

점착제층의 제작에 있어서, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 0.5질량부로 한 것 이외에는, 실시예 5와 마찬가지로 하여 실시예 7의 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.Dicing tape and dicing of Example 7 in the same manner as in Example 5, except that the blending amount of the polyisocyanate compound (brand name ``Coronate L'', manufactured by Tosoh Corporation) was 0.5 parts by mass in the production of the pressure-sensitive adhesive layer. A die bond film was produced.

실시예 8Example 8

점착제층의 제작에 있어서, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 0.2질량부로 한 것 이외에는, 실시예 5와 마찬가지로 하여 실시예 8의 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.Dicing tape and dicing of Example 8 in the same manner as in Example 5, except that the blending amount of the polyisocyanate compound (brand name ``Coronate L'', manufactured by Tosoh Corporation) was 0.2 parts by mass in the production of the pressure-sensitive adhesive layer. A die bond film was produced.

실시예 9Example 9

(다이싱 테이프)(Dicing Tape)

냉각관과, 질소 도입관과, 온도계와, 교반 장치를 구비하는 반응 용기 내에서, 메타크릴산라우릴(LMA) 100몰과, 2-히드록시에틸메타크릴레이트(HEMA) 15몰과, 이들 모노머 성분의 총량 100질량부에 대해, 0.2질량부의 중합 개시제로서의 과산화벤조일과, 중합 용매로서의 톨루엔을 포함하는 혼합물을, 61℃에서 6시간, 질소 분위기하에서 교반하였다(중합 반응). 이에 의해, 아크릴계 폴리머 P1을 함유하는 폴리머 용액을 얻었다.100 mol of lauryl methacrylate (LMA), 15 mol of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA), and these monomers in a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirring device A mixture containing 0.2 parts by mass of benzoyl peroxide as a polymerization initiator and toluene as a polymerization solvent was stirred at 61° C. for 6 hours in a nitrogen atmosphere with respect to 100 parts by mass of the total amount of the components (polymerization reaction). Thereby, a polymer solution containing acrylic polymer P 1 was obtained.

다음으로, 이 아크릴계 폴리머 P1을 함유하는 폴리머 용액과, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI)와, 부가 반응 촉매로서의 디부틸주석디라우레이트를 포함하는 혼합물을, 50℃에서 48시간, 공기 분위기하에서 교반하였다(부가 반응). 당해 반응 용액에 있어서, MOI의 배합량은 12몰이다. 또한, 당해 반응 용액에 있어서, 디부틸주석디라우레이트의 배합량은, 아크릴계 폴리머 P1 100질량부에 대해 0.01질량부이다. 이 부가 반응에 의해, 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 폴리머 P2(불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물 유래의 구성 단위를 포함하는 아크릴계 폴리머)를 함유하는 폴리머 용액을 얻었다.Next, a mixture containing a polymer solution containing this acrylic polymer P 1 , 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI), and dibutyltin dilaurate as an addition reaction catalyst was prepared at 50° C. for 48 hours. And stirred under an air atmosphere (additional reaction). In the reaction solution, the amount of MOI blended is 12 mol. Moreover, in the said reaction solution, the compounding amount of dibutyltin dilaurate is 0.01 mass part with respect to 100 mass parts of acrylic polymer P 1 . By this addition reaction, a polymer solution containing acrylic polymer P 2 (acrylic polymer containing constituent units derived from an isocyanate compound containing an unsaturated functional group) having a methacrylate group in the side chain was obtained.

다음으로, 당해 폴리머 용액에, 아크릴계 폴리머 P2 100질량부에 대해 2질량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)과, 2질량부의 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 651」, BASF사 제조)를 첨가하여 혼합하고, 또한 당해 혼합물의 실온에서의 점도가 500mPa·s가 되도록 당해 혼합물에 대해 톨루엔을 첨가하여 희석하여, 점착제 조성물을 얻었다.Next, to the polymer solution, 2 parts by mass of a polyisocyanate compound (brand name ``Coronate L'', manufactured by Tosoh Corporation) and 2 parts by mass of a photopolymerization initiator (brand name ``Irgacure'') per 100 parts by mass of acrylic polymer P 2 651", produced by BASF) was added and mixed, and toluene was added and diluted with the mixture so that the viscosity at room temperature of the mixture was 500 mPa·s, to obtain a pressure-sensitive adhesive composition.

다음으로, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 점착제 조성물을 도포하여 점착제 조성물층을 형성하였다. 다음으로, 이 조성물층에 대해 120℃에서 2분간의 가열에 의한 탈용매를 행하여, PET 세퍼레이터 상에 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다.Next, a pressure-sensitive adhesive composition layer was formed by applying the pressure-sensitive adhesive composition using an applicator on the silicon-releasing-treated surface of a PET separator (thickness 50 μm) having a silicon-releasing-treated side. Next, the composition layer was subjected to solvent removal by heating at 120° C. for 2 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm on the PET separator.

다음으로, 라미네이터를 사용하여, 이 점착제층의 노출면에 기재로서의 폴리올레핀 필름(상품명 「펑크레어 NED#125」, 두께 125㎛, 군제 가부시키가이샤 제조)의 코로나 처리가 실시된 표면을 실온에서 접합하였다. 이 접합체에 대해, 그 후에 50℃에서 24시간의 보존을 행하였다. 이상과 같이 하여 실시예 9의 다이싱 테이프를 제작하였다.Next, using a laminator, the corona-treated surface of a polyolefin film (brand name ``Punkrare NED#125'', thickness 125㎛, manufactured by Gunze Corporation) as a base material is bonded to the exposed surface of this adhesive layer at room temperature. I did. The conjugate was then stored at 50° C. for 24 hours. As described above, the dicing tape of Example 9 was produced.

(다이싱 다이 본드 필름의 제작)(Production of dicing die-bonding film)

실시예 9의 다이싱 테이프로부터 PET 세퍼레이터를 박리하고, 노출된 점착제층에 실시예 1의 접착제층을 접합하였다. 접합에는, 핸드 롤러를 사용하였다. 이와 같이 하여 실시예 9의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.The PET separator was peeled from the dicing tape of Example 9, and the adhesive layer of Example 1 was bonded to the exposed pressure-sensitive adhesive layer. For bonding, a hand roller was used. In this way, the dicing die-bonding film of Example 9 was produced.

실시예 10Example 10

점착제층의 제작에 있어서, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 1질량부로 한 것 이외에는, 실시예 9와 마찬가지로 하여 실시예 10의 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.Dicing tape and dicing of Example 10 in the same manner as in Example 9, except that the blending amount of the polyisocyanate compound (trade name ``Coronate L'', manufactured by Tosoh Corporation) was 1 part by mass in the production of the pressure-sensitive adhesive layer. A die bond film was produced.

비교예 1Comparative Example 1

(다이싱 테이프)(Dicing Tape)

냉각관과, 질소 도입관과, 온도계와, 교반 장치를 구비하는 반응 용기 내에서, 메타크릴산라우릴(LMA) 100몰과, 2-히드록시에틸메타크릴레이트(HEMA) 25몰과, 이들 모노머 성분의 총량 100질량부에 대해 0.2질량부의 중합 개시제로서의 과산화벤조일과, 중합 용매로서의 톨루엔을 포함하는 혼합물을, 61℃에서 6시간, 질소 분위기하에서 교반하였다(중합 반응). 이에 의해, 아크릴계 폴리머 P1을 함유하는 폴리머 용액을 얻었다.100 mol of lauryl methacrylate (LMA), 25 mol of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA), and these monomers in a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen inlet tube, a thermometer, and a stirring device A mixture containing 0.2 parts by mass of benzoyl peroxide as a polymerization initiator and toluene as a polymerization solvent was stirred at 61° C. for 6 hours in a nitrogen atmosphere with respect to 100 parts by mass of the total amount of the components (polymerization reaction). Thereby, a polymer solution containing acrylic polymer P 1 was obtained.

다음으로, 이 아크릴계 폴리머 P1을 함유하는 폴리머 용액과, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI)와, 부가 반응 촉매로서의 디부틸주석디라우레이트를 포함하는 혼합물을, 50℃에서 48시간, 공기 분위기하에서 교반하였다(부가 반응). 당해 반응 용액에 있어서, MOI의 배합량은 20몰이다. 또한, 당해 반응 용액에 있어서, 디부틸주석디라우레이트의 배합량은, 아크릴계 폴리머 P1 100질량부에 대해 0.01질량부이다. 이 부가 반응에 의해, 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 폴리머 P2(불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물 유래의 구성 단위를 포함하는 아크릴계 폴리머)를 함유하는 폴리머 용액을 얻었다.Next, a mixture containing a polymer solution containing this acrylic polymer P 1 , 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI), and dibutyltin dilaurate as an addition reaction catalyst was prepared at 50° C. for 48 hours. And stirred under an air atmosphere (additional reaction). In the reaction solution, the blending amount of MOI is 20 mol. Moreover, in the said reaction solution, the compounding amount of dibutyltin dilaurate is 0.01 mass part with respect to 100 mass parts of acrylic polymer P 1 . By this addition reaction, a polymer solution containing acrylic polymer P 2 (acrylic polymer containing constituent units derived from an isocyanate compound containing an unsaturated functional group) having a methacrylate group in the side chain was obtained.

다음으로, 당해 폴리머 용액에, 아크릴계 폴리머 P2 100질량부에 대해 0.5질량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)과, 2질량부의 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 651」, BASF사 제조)를 첨가하여 혼합하고, 또한 당해 혼합물의 실온에서의 점도가 500mPa·s가 되도록 당해 혼합물에 대해 톨루엔을 첨가하여 희석하여, 점착제 조성물을 얻었다.Next, to the polymer solution, 0.5 parts by mass of a polyisocyanate compound (brand name ``Coronate L'', manufactured by Tosoh Corporation) and 2 parts by mass of a photopolymerization initiator (brand name ``Irgacure'') based on 100 parts by mass of acrylic polymer P 2 651", produced by BASF) was added and mixed, and toluene was added and diluted with the mixture so that the viscosity at room temperature of the mixture was 500 mPa·s, to obtain a pressure-sensitive adhesive composition.

다음으로, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 점착제 조성물을 도포하여 점착제 조성물층을 형성하였다. 다음으로, 이 조성물층에 대해 120℃에서 2분간의 가열에 의한 탈용매를 행하여, PET 세퍼레이터 상에 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다.Next, a pressure-sensitive adhesive composition layer was formed by applying the pressure-sensitive adhesive composition using an applicator on the silicon-releasing-treated surface of a PET separator (thickness 50 μm) having a silicon-releasing-treated side. Next, the composition layer was subjected to solvent removal by heating at 120° C. for 2 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm on the PET separator.

다음으로, 라미네이터를 사용하여, 이 점착제층의 노출면에 기재로서의 폴리올레핀 필름(상품명 「펑크레어 NED#125」, 두께 125㎛, 군제 가부시키가이샤 제조)의 코로나 처리가 실시된 표면을 실온에서 접합하였다. 이 접합체에 대해, 그 후에 50℃에서 24시간의 보존을 행하였다. 이상과 같이 하여 비교예 1의 다이싱 테이프를 제작하였다.Next, using a laminator, the corona-treated surface of a polyolefin film (brand name ``Punkrare NED#125'', thickness 125㎛, manufactured by Gunze Corporation) as a base material is bonded to the exposed surface of this adhesive layer at room temperature. I did. The conjugate was then stored at 50° C. for 24 hours. As described above, the dicing tape of Comparative Example 1 was produced.

(다이싱 다이 본드 필름의 제작)(Production of dicing die-bonding film)

비교예 1의 다이싱 테이프로부터 PET 세퍼레이터를 박리하고, 노출된 점착제층에 실시예 1의 접착제층을 접합하였다. 접합에는, 핸드 롤러를 사용하였다. 이와 같이 하여 비교예 1의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.The PET separator was peeled from the dicing tape of Comparative Example 1, and the adhesive layer of Example 1 was bonded to the exposed pressure-sensitive adhesive layer. For bonding, a hand roller was used. In this way, the dicing die-bonding film of Comparative Example 1 was produced.

비교예 2Comparative Example 2

점착제층의 제작에 있어서, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 0.2질량부로 한 것 이외에는, 비교예 1과 마찬가지로 하여 비교예 2의 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.Dicing tape and dicing of Comparative Example 2 in the same manner as in Comparative Example 1, except that the blending amount of the polyisocyanate compound (brand name ``Coronate L'', manufactured by Tosoh Corporation) was 0.2 parts by mass in the production of the pressure-sensitive adhesive layer. A die bond film was produced.

비교예 3Comparative Example 3

점착제층과 기재의 접합에 있어서, 라미네이터를 사용하여, 점착제층의 노출면에 기재로서의 LDPE 필름(두께 100㎛, 표면 처리 없음, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)을 실온에서 접합하고, 이 접합체에 대해, 그 후에 50℃에서 24시간의 보존을 행한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 비교예 3의 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.In the bonding of the pressure-sensitive adhesive layer and the substrate, a laminator was used to bond an LDPE film (thickness 100 μm, no surface treatment, manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) as a substrate to the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer at room temperature. Then, a dicing tape and a dicing die-bonding film of Comparative Example 3 were produced in the same manner as in Example 1 except that storage was performed at 50°C for 24 hours after that.

비교예 4Comparative Example 4

점착제층과 기재의 접합에 있어서, 라미네이터를 사용하여, 점착제층의 노출면에 기재로서의 LDPE 필름(두께 100㎛, 표면 처리 없음, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)을 실온에서 접합하고, 이 접합체에 대해, 그 후에 50℃에서 24시간의 보존을 행한 것 이외에는 실시예 4와 마찬가지로 하여 비교예 3의 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.In the bonding of the pressure-sensitive adhesive layer and the substrate, a laminator was used to bond an LDPE film (thickness 100 μm, no surface treatment, manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) as a substrate to the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer at room temperature. Then, a dicing tape and a dicing die-bonding film of Comparative Example 3 were produced in the same manner as in Example 4 except that storage was performed at 50°C for 24 hours after that.

<평가><Evaluation>

실시예 및 비교예에서 얻어진 다이싱 다이 본드 필름에 대해, 이하의 평가를 행하였다.The following evaluation was performed about the dicing die-bonding film obtained by an Example and a comparative example.

(1) T형 박리 시험(1) T-type peeling test

실시예 및 비교예에서 얻어진 다이싱 다이 본드 필름에 대해, 세퍼레이터를 박리하고, 다이 본드 필름면을 노출시켰다. 그 후, 노출된 다이 본드 필름면에, 폭 50㎜의 백킹 테이프(상품명 「ELP BT315」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)를 접합하였다. 백킹 테이프가 접합된 다이싱 다이 본드 필름으로부터, 폭 20㎜×길이 120㎜로 잘라내어, 측정용 샘플로 하였다. 그리고 얻어진 측정용 샘플을 사용하여, 기재와 점착제층 사이의 박리력을, 인장 시험기(상품명 「TG-1kN」, 미네베아미츠미 가부시키가이샤 제조)를 사용하여, 인장 속도 300㎜/분의 조건으로, -15℃ 및 25℃ 각각의 온도 조건하에서 T형 박리 시험에 의해 박리력을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.With respect to the dicing die-bonding films obtained in Examples and Comparative Examples, the separator was peeled off, and the die-bonding film surface was exposed. Thereafter, a 50 mm-wide backing tape (brand name "ELP BT315", manufactured by Nitto Denko Corporation) was bonded to the exposed die-bonding film surface. From the dicing die-bonding film to which the backing tape was bonded, it was cut out into a width of 20 mm x a length of 120 mm to obtain a sample for measurement. Then, using the obtained sample for measurement, the peel force between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer was measured under a tensile tester (trade name "TG-1kN", manufactured by Minebe Amitsumi Co., Ltd.), and a tensile speed of 300 mm/min. As a result, the peel force was measured by a T-type peeling test under temperature conditions of -15°C and 25°C. Table 1 shows the results.

(2) 익스팬드 평가(2) Expand evaluation

레이저 가공 장치로서 상품명 「ML300-Integration」(가부시키가이샤 도쿄 세이미츠 제조)을 사용하여, 12인치의 반도체 웨이퍼의 내부에 집광점을 맞추어, 격자상(8㎜×6㎜)의 분할 예정 라인을 따라 레이저광을 조사하고, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하였다. 레이저광의 조사는, 하기의 조건에서 행하였다.Using the brand name "ML300-Integration" (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.) as a laser processing device, by aligning the condensing point inside a 12-inch semiconductor wafer, a grid-shaped (8 mm x 6 mm) line to be divided Accordingly, laser light was irradiated to form a modified region inside the semiconductor wafer. The irradiation of laser light was performed under the following conditions.

(A) 레이저광(A) laser light

레이저광원 반도체 레이저 여기 Nd:YAG 레이저Laser light source Semiconductor laser excitation Nd:YAG laser

파장 1064㎚wavelength 1064nm

레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8Laser light spot cross-sectional area 3.14×10 -8

발진 형태 Q 스위치 펄스Rash form Q switch pulse

반복 주파수 100㎑Repetition frequency 100㎑

펄스 폭 30nsPulse width 30ns

출력 20μJ/펄스Print 20 μJ/pulse

레이저광 품질 TEM00 40Laser light quality TEM00 40

편광 특성 직선 편광Polarization characteristics Linearly polarized

(B) 집광용 렌즈(B) condensing lens

배율 50배Magnification 50 times

NA 0.55NA 0.55

레이저광 파장에 대한 투과율 60%Transmittance to laser light wavelength 60%

(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 100㎜/초(C) The moving speed of the mounting platform on which the semiconductor substrate is loaded 100mm/sec

반도체 웨이퍼 내부에 개질 영역을 형성한 후, 반도체 웨이퍼의 표면에 백그라인드용 보호 테이프를 접합하고, 백 그라인더(상품명 「DGP8760」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여 반도체 웨이퍼의 두께가 30㎛가 되도록 이면을 연삭하였다.After forming the modified region inside the semiconductor wafer, a protective tape for backgrinding was bonded to the surface of the semiconductor wafer, and the thickness of the semiconductor wafer was reduced to 30 µm using a back grinder (brand name "DGP8760", manufactured by Disco Corporation). The back side was ground if possible.

실시예 및 비교예에서 얻어진 다이싱 다이 본드 필름에, 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼와 다이싱 링을 접합하였다(접합 온도는 60℃). 그리고 다이 세퍼레이터(상품명 「DDS2300」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여, 반도체 웨이퍼 및 다이 본드 필름의 할단을 행하였다. 구체적으로는, 먼저, 쿨 익스팬더 유닛에서, 온도 -15℃, 익스팬드 속도 300㎜/초, 익스팬드양 12㎜의 조건에서 쿨 익스팬드를 행하여 반도체 웨이퍼를 할단시켰다. 그리고 점착제층의 균열에 대해, 쿨 익스팬드 후에 점착제층에 균열이 존재하는 경우를 ×, 균열이 없는 경우를 ○로서 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.To the dicing die-bonding films obtained in Examples and Comparative Examples, a semiconductor wafer in which a modified region was formed and a dicing ring were bonded (the bonding temperature was 60°C). Then, the semiconductor wafer and the die-bonding film were cleaved using a die separator (trade name "DDS2300", manufactured by Disco Corporation). Specifically, first, in the cool expander unit, cool expansion was performed under conditions of a temperature of -15°C, an expand speed of 300 mm/sec, and an expand amount of 12 mm to cut a semiconductor wafer. And with respect to the crack of the pressure-sensitive adhesive layer, the case where a crack existed in the pressure-sensitive adhesive layer after cool expansion was evaluated as x, and the case where there was no crack was evaluated as ?. Table 1 shows the results.

그 후, 히트 익스팬더 유닛에서, 상온, 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드양 9㎜의 조건에서 익스팬드를 행하여, 히터와 다이싱 테이프 사이의 거리를 20㎜로 하고, 다이싱 테이프의 회전 속도 5°/초로 회전시키면서, 밀어올림부의 다이싱 테이프를 250℃에서 열수축시켰다. 이때의 각 반도체 칩의 네 변에 있어서, 반도체 칩 및 이면 보호 필름이 할단되어 있는 변의 개수를 세어, 모든 변의 수에 대한 할단된 변의 수의 비율을 할단율로서 산출하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.Thereafter, in the heat expander unit, expansion was performed under conditions of room temperature, expansion speed of 1 mm/sec, and expansion amount of 9 mm, and the distance between the heater and the dicing tape was set to 20 mm, and the dicing tape was rotated. While rotating at a speed of 5°/sec, the dicing tape of the push-up portion was heat-shrunk at 250°C. In each of the four sides of the semiconductor chip at this time, the number of sides to which the semiconductor chip and the back surface protective film are cut was counted, and the ratio of the number of the cut sides to the number of all sides was calculated as the cut rate. Table 1 shows the results.

Figure pat00001
Figure pat00001

이상의 정리로서, 본 발명의 구성 및 그 배리에이션을 이하에 부기해 둔다.As the above summary, the configuration of the present invention and variations thereof are added below.

[1] 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와,[1] a dicing tape having a laminated structure comprising a substrate and an adhesive layer,

상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있는 접착제층을 구비하고,A peelable adhesive layer attached to the adhesive layer in the dicing tape,

상기 기재의 상기 점착제층측 표면은 표면 처리가 실시되어 있고,The surface on the side of the pressure-sensitive adhesive layer of the substrate is subjected to a surface treatment,

상기 기재와 상기 점착제층 사이의, -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계가 하기 식 (1)을 충족하는, 다이싱 다이 본드 필름.A dicing die-bonding film in which the relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer satisfies the following formula (1).

(-15℃에서의 박리력)/(25℃에서의 박리력)≥1 (1)(Peel force at -15°C)/(Peel force at 25°C)≥1 (One)

[2] 상기 표면 처리가 코로나 처리인 [1]에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[2] The dicing die-bonding film according to [1], wherein the surface treatment is a corona treatment.

[3] 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와,[3] a dicing tape having a laminated structure comprising a substrate and an adhesive layer,

상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있는 접착제층을 구비하고,A peelable adhesive layer attached to the adhesive layer in the dicing tape,

상기 기재와 상기 점착제층 사이의, -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계가 하기 식 (1)을 충족하는, 다이싱 다이 본드 필름.A dicing die-bonding film in which the relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer satisfies the following formula (1).

(-15℃에서의 박리력)/(25℃에서의 박리력)≥1 (1)(Peel force at -15°C)/(Peel force at 25°C)≥1 (One)

[4] 상기 기재와 상기 점착제층 사이의 -15℃에서의 박리력이 6.5N/10㎜를 초과하는 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[4] The dicing die-bonding film according to any one of [1] to [3], wherein the peeling force at -15°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer exceeds 6.5 N/10 mm.

[5] 상기 기재와 상기 점착제층 사이의 -15℃에서의 박리력이 50N/10㎜ 이하인 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[5] The dicing die-bonding film according to any one of [1] to [4], wherein a peel force at -15°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer is 50 N/10 mm or less.

[6] 상기 기재와 상기 점착제층 사이의 35℃에서의 박리력이 0.5N/10㎜ 이상인 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[6] The dicing die-bonding film according to any one of [1] to [5], wherein a peel force at 35°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer is 0.5 N/10 mm or more.

[7] 상기 기재와 상기 점착제층 사이의 35℃에서의 박리력이 50N/10㎜ 이하인 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[7] The dicing die-bonding film according to any one of [1] to [6], wherein the peeling force at 35°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer is 50 N/10 mm or less.

[8] 상기 점착제층은 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로서 포함하는 아크릴계 점착제층인 [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[8] The dicing die-bonding film according to any one of [1] to [7], wherein the pressure-sensitive adhesive layer is an acrylic pressure-sensitive adhesive layer containing an acrylic polymer as a base polymer.

[9] 상기 아크릴계 폴리머는 히드록시기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 포함하는 [8]에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[9] The dicing die-bonding film according to [8], wherein the acrylic polymer contains a structural unit derived from a hydroxy group-containing monomer.

[10] 상기 히드록시기 함유 모노머는 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트인 [9]에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[10] The dicing die-bonding film according to [9], wherein the hydroxy group-containing monomer is 2-hydroxyethyl (meth)acrylate.

[11] 상기 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 모노머 성분에 있어서의 상기 히드록시기 함유 모노머의 비율이 5 내지 80몰%인 [9] 또는 [10]에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[11] The dicing die-bonding film according to [9] or [10], wherein the ratio of the hydroxy group-containing monomer in all monomer components for forming the acrylic polymer is 5 to 80 mol%.

[12] 상기 아크릴계 폴리머는 질소 원자 함유 모노머(특히, 모르폴리노기 함유 모노머) 유래의 구성 단위를 포함하는 [8] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[12] The dicing die-bonding film according to any one of [8] to [11], wherein the acrylic polymer contains a structural unit derived from a nitrogen atom-containing monomer (particularly, a morpholino group-containing monomer).

[13] 상기 질소 원자 함유 모노머는 (메트)아크릴로일모르폴린인 [12]에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[13] The dicing die-bonding film according to [12], wherein the nitrogen atom-containing monomer is (meth)acryloylmorpholine.

[14] 상기 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 모노머 성분에 있어서의 상기 질소 원자 함유 모노머의 비율이 3 내지 50몰%인 [12] 또는 [13]에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[14] The dicing die-bonding film according to [12] or [13], wherein the ratio of the nitrogen atom-containing monomer in all monomer components for forming the acrylic polymer is 3 to 50 mol%.

[15] 상기 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 모노머 성분에 있어서의 상기 히드록시기 함유 모노머와 상기 질소 원자 함유 모노머의 합계 비율이 10 내지 60몰%인 [9] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[15] The dicing according to any one of [9] to [14], wherein the total ratio of the hydroxy group-containing monomer and the nitrogen atom-containing monomer in all monomer components for forming the acrylic polymer is 10 to 60 mol%. Die bond film.

[16] 상기 아크릴계 폴리머는, 제1 관능기를 갖는 모노머 유래의 구성 단위와 함께, 상기 제1 관능기와 반응할 수 있는 제2 관능기 및 방사선 중합성 관능기를 갖는 화합물 유래의 구조부를 갖는 [8] 내지 [15] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[16] The acrylic polymer has a structural unit derived from a compound having a second functional group capable of reacting with the first functional group and a radiation polymerizable functional group together with a structural unit derived from a monomer having a first functional group [8] to The dicing die-bonding film according to any one of [15].

[17] 상기 제1 관능기와 상기 제2 관능기의 조합이, 히드록시기와 이소시아네이트기의 조합, 또는 이소시아네이트기와 히드록시기의 조합인 [16]에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[17] The dicing die-bonding film according to [16], wherein the combination of the first functional group and the second functional group is a combination of a hydroxy group and an isocyanate group, or a combination of an isocyanate group and a hydroxy group.

[18] 상기 제1 관능기가 히드록시기이고, 상기 제2 관능기가 이소시아네이트기인 [16]에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[18] The dicing die-bonding film according to [16], wherein the first functional group is a hydroxy group, and the second functional group is an isocyanate group.

[19] 상기 제2 관능기 및 방사선 중합성 관능기를 갖는 화합물이, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합(특히, (메트)아크릴로일기) 및 이소시아네이트기를 갖는 화합물인 [16] 내지 [18] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[19] Any of [16] to [18], wherein the compound having the second functional group and the radiation polymerizable functional group is a compound having a radiation polymerizable carbon-carbon double bond (particularly, a (meth)acryloyl group) and an isocyanate group. The dicing die bonding film described in one.

[20] 상기 제2 관능기 및 방사선 중합성 관능기를 갖는 화합물이 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트 및/또는 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트인 [16] 내지 [18] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[20] The die according to any one of [16] to [18], wherein the compound having the second functional group and the radiation polymerizable functional group is 2-acryloyloxyethyl isocyanate and/or 2-methacryloyloxyethyl isocyanate Singh die bond film.

[21] 상기 제1 관능기를 갖는 모노머 유래의 구성 단위와 상기 제2 관능기 및 방사선 중합성 관능기를 갖는 화합물의 몰비가 0.95 이상인 [16] 내지 [20] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[21] The dicing die-bonding film according to any one of [16] to [20], wherein the molar ratio of the structural unit derived from the monomer having the first functional group and the compound having the second functional group and the radiation polymerizable functional group is 0.95 or more.

[22] 상기 아크릴계 폴리머(가교제를 사용하는 경우는 가교 후)의 유리 전이 온도(Tg)가 -50 내지 10℃(특히, -40 내지 0℃)인 [8] 내지 [21] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[22] In any one of [8] to [21], the glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (after crosslinking when using a crosslinking agent) is -50 to 10°C (in particular, -40 to 0°C) The dicing die bond film described.

[23] 상기 점착제층은 가교제(특히, 폴리이소시아네이트 화합물)를 함유하는 [1] 내지 [22] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[23] The dicing die-bonding film according to any one of [1] to [22], wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains a crosslinking agent (particularly, a polyisocyanate compound).

[24] 상기 가교제의 사용량은 베이스 폴리머 100질량부에 대해 0.1 내지 5질량부인 [23]에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[24] The dicing die-bonding film according to [23], wherein the amount of the crosslinking agent is 0.1 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the base polymer.

[25] 상기 점착제층은 경화 촉매(특히, 디부틸주석디라우레이트)를 포함하는 [1] 내지 [24] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.[25] The dicing die-bonding film according to any one of [1] to [24], wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains a curing catalyst (particularly dibutyltin dilaurate).

[26] 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와,[26] a dicing tape having a laminated structure comprising a base material and an adhesive layer,

상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있는 접착제층을 구비하고,A peelable adhesive layer attached to the adhesive layer in the dicing tape,

상기 점착제층은 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로서 포함하는 아크릴계 점착제층이며, 상기 아크릴계 폴리머는, 제1 관능기를 갖는 모노머 유래의 구성 단위와 함께, 상기 제1 관능기와 반응할 수 있는 제2 관능기 및 방사선 중합성 관능기를 갖는 화합물 유래의 구조부를 갖고,The pressure-sensitive adhesive layer is an acrylic pressure-sensitive adhesive layer containing an acrylic polymer as a base polymer, and the acrylic polymer is a second functional group capable of reacting with the first functional group and radiation polymerization together with a constituent unit derived from a monomer having a first functional group. It has a structural moiety derived from a compound having a sexual functional group,

상기 제1 관능기를 갖는 모노머 유래의 구성 단위와 상기 제2 관능기 및 방사선 중합성 관능기를 갖는 화합물의 몰비가 0.95 이상이고,The molar ratio of the constituent unit derived from the monomer having the first functional group and the compound having the second functional group and the radiation polymerizable functional group is 0.95 or more,

상기 기재와 상기 점착제층 사이의, -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계가 하기 식 (1)을 충족하는, 다이싱 다이 본드 필름.A dicing die-bonding film in which the relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer satisfies the following formula (1).

(-15℃에서의 박리력)/(25℃에서의 박리력)≥1 (1)(Peel force at -15°C)/(Peel force at 25°C)≥1 (One)

[27] 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와,[27] a dicing tape having a laminated structure comprising a substrate and an adhesive layer,

상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있는 접착제층을 구비하고,A peelable adhesive layer attached to the adhesive layer in the dicing tape,

상기 점착제층은 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로서 포함하는 아크릴계 점착제층이며, 상기 아크릴계 폴리머(가교제를 사용하는 경우는 가교 후)의 유리 전이 온도(Tg)가 -50 내지 10℃(특히, -40 내지 0℃)이고,The pressure-sensitive adhesive layer is an acrylic pressure-sensitive adhesive layer containing an acrylic polymer as a base polymer, and the glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (after crosslinking when a crosslinking agent is used) is -50 to 10°C (in particular, -40 to 0) ℃),

상기 기재와 상기 점착제층 사이의, -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계가 하기 식 (1)을 충족하는, 다이싱 다이 본드 필름.A dicing die-bonding film in which the relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer satisfies the following formula (1).

(-15℃에서의 박리력)/(25℃에서의 박리력)≥1 (1)(Peel force at -15°C)/(Peel force at 25°C)≥1 (One)

[28] 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와,[28] a dicing tape having a laminated structure comprising a base material and an adhesive layer,

상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있는 접착제층을 구비하고,A peelable adhesive layer attached to the adhesive layer in the dicing tape,

상기 기재와 상기 점착제층 사이의 -15℃에서의 박리력이 6.5N/10㎜를 초과하고 50N/10㎜ 이하이고,The peel force at -15°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer is greater than 6.5N/10mm and less than 50N/10mm,

상기 기재와 상기 점착제층 사이의 25℃에서의 박리력이 0.5N/10㎜를 초과하고 50N/10㎜ 이하이고,The peel force at 25° C. between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer is more than 0.5N/10mm and less than 50N/10mm,

상기 기재와 상기 점착제층 사이의, -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계가 하기 식 (1)을 충족하는, 다이싱 다이 본드 필름.A dicing die-bonding film in which the relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer satisfies the following formula (1).

(-15℃에서의 박리력)/(25℃에서의 박리력)≥1 (1)(Peel force at -15°C)/(Peel force at 25°C)≥1 (One)

[29] 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖고,[29] having a laminated structure comprising a substrate and an adhesive layer,

상기 기재와 상기 점착제층 사이의, -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계가 하기 식 (1)을 충족하는, 다이싱 테이프.A dicing tape in which the relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer satisfies the following formula (1).

(-15℃에서의 박리력)/(25℃에서의 박리력)≥1 (1)(Peel force at -15°C)/(Peel force at 25°C)≥1 (One)

[30] 상기 기재의 상기 점착제층측 표면에 표면 처리(특히, 코로나 처리)가 실시되어 있는 [29]에 기재된 다이싱 테이프.[30] The dicing tape according to [29], in which a surface treatment (particularly, corona treatment) is applied to the surface of the substrate on the side of the pressure-sensitive adhesive layer.

[31] 상기 기재와 상기 점착제층 사이의 -15℃에서의 박리력이 6.5N/10㎜를 초과하는 [29] 또는 [30] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.[31] The dicing tape according to any one of [29] or [30], wherein the peel force at -15°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer exceeds 6.5 N/10 mm.

[32] 상기 기재와 상기 점착제층 사이의 -15℃에서의 박리력이 50N/10㎜ 이하인 [29] 내지 [31] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.[32] The dicing tape according to any one of [29] to [31], wherein a peel force at -15°C between the base material and the pressure-sensitive adhesive layer is 50 N/10 mm or less.

[33] 상기 기재와 상기 점착제층 사이의 35℃에서의 박리력이 0.5N/10㎜ 이상인 [29] 내지 [32] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.[33] The dicing tape according to any one of [29] to [32], wherein a peel force at 35°C between the base material and the pressure-sensitive adhesive layer is 0.5 N/10 mm or more.

[34] 상기 기재와 상기 점착제층 사이의 35℃에서의 박리력이 50N/10㎜ 이하인 [29] 내지 [33] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.[34] The dicing tape according to any one of [29] to [33], wherein the peel force at 35°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer is 50 N/10 mm or less.

[35] 상기 점착제층은 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로서 포함하는 아크릴계 점착제층인 [29] 내지 [34] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.[35] The dicing tape according to any one of [29] to [34], wherein the pressure-sensitive adhesive layer is an acrylic pressure-sensitive adhesive layer containing an acrylic polymer as a base polymer.

[36] 상기 아크릴계 폴리머는 히드록시기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 포함하는 [35]에 기재된 다이싱 테이프.[36] The dicing tape according to [35], wherein the acrylic polymer contains a structural unit derived from a hydroxy group-containing monomer.

[37] 상기 히드록시기 함유 모노머는 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트인 [36]에 기재된 다이싱 테이프.[37] The dicing tape according to [36], wherein the hydroxy group-containing monomer is 2-hydroxyethyl (meth)acrylate.

[38] 상기 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 모노머 성분에 있어서의 상기 히드록시기 함유 모노머의 비율이 5 내지 80몰%인 [36] 또는 [37]에 기재된 다이싱 테이프.[38] The dicing tape according to [36] or [37], wherein the ratio of the hydroxy group-containing monomer in all monomer components for forming the acrylic polymer is 5 to 80 mol%.

[39] 상기 아크릴계 폴리머는 질소 원자 함유 모노머(특히, 모르폴리노기 함유 모노머) 유래의 구성 단위를 포함하는 [35] 내지 [38] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.[39] The dicing tape according to any one of [35] to [38], wherein the acrylic polymer contains a structural unit derived from a nitrogen atom-containing monomer (particularly, a morpholino group-containing monomer).

[40] 상기 질소 원자 함유 모노머는 (메트)아크릴로일모르폴린인 [39]에 기재된 다이싱 테이프.[40] The dicing tape according to [39], wherein the nitrogen atom-containing monomer is (meth)acryloylmorpholine.

[41] 상기 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 모노머 성분에 있어서의 상기 질소 원자 함유 모노머의 비율이 3 내지 50몰%인 [39] 또는 [40]에 기재된 다이싱 테이프.[41] The dicing tape according to [39] or [40], wherein the ratio of the nitrogen atom-containing monomer in all monomer components for forming the acrylic polymer is 3 to 50 mol%.

[42] 상기 아크릴계 폴리머를 형성하기 위한 전체 모노머 성분에 있어서의 상기 히드록시기 함유 모노머와 상기 질소 원자 함유 모노머의 합계 비율이 10 내지 60몰%인 [35] 내지 [41] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.[42] The dicing according to any one of [35] to [41], wherein the total ratio of the hydroxy group-containing monomer and the nitrogen atom-containing monomer in all monomer components for forming the acrylic polymer is 10 to 60 mol%. tape.

[43] 상기 아크릴계 폴리머는, 제1 관능기를 갖는 모노머 유래의 구성 단위와 함께, 상기 제1 관능기와 반응할 수 있는 제2 관능기 및 방사선 중합성 관능기를 갖는 화합물 유래의 구조부를 갖는 [35] 내지 [42] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.[43] The acrylic polymer has a structural unit derived from a compound having a second functional group capable of reacting with the first functional group and a radiation polymerizable functional group together with a structural unit derived from a monomer having a first functional group [35] to The dicing tape according to any one of [42].

[44] 상기 제1 관능기와 상기 제2 관능기의 조합이, 히드록시기와 이소시아네이트기의 조합, 또는 이소시아네이트기와 히드록시기의 조합인 [43]에 기재된 다이싱 테이프.[44] The dicing tape according to [43], wherein the combination of the first functional group and the second functional group is a combination of a hydroxy group and an isocyanate group, or a combination of an isocyanate group and a hydroxy group.

[45] 상기 제1 관능기가 히드록시기이고, 상기 제2 관능기가 이소시아네이트기인 [43]에 기재된 다이싱 테이프.[45] The dicing tape according to [43], wherein the first functional group is a hydroxy group, and the second functional group is an isocyanate group.

[46] 상기 제2 관능기 및 방사선 중합성 관능기를 갖는 화합물이, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합(특히, (메트)아크릴로일기) 및 이소시아네이트기를 갖는 화합물인 [43] 내지 [45] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.[46] Any of [43] to [45], wherein the compound having the second functional group and the radiation polymerizable functional group is a compound having a radiation polymerizable carbon-carbon double bond (particularly, a (meth)acryloyl group) and an isocyanate group. The dicing tape described in one.

[47] 상기 제2 관능기 및 방사선 중합성 관능기를 갖는 화합물이 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트 및/또는 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트인 [43] 내지 [45] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.[47] The die according to any one of [43] to [45], wherein the compound having the second functional group and the radiation polymerizable functional group is 2-acryloyloxyethyl isocyanate and/or 2-methacryloyloxyethyl isocyanate. Singh tape.

[48] 상기 제1 관능기를 갖는 모노머 유래의 구성 단위와 상기 제2 관능기 및 방사선 중합성 관능기를 갖는 화합물의 몰비가 0.95 이상인 [43] 내지 [47] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.[48] The dicing tape according to any one of [43] to [47], wherein a molar ratio of the structural unit derived from the monomer having the first functional group and the compound having the second functional group and the radiation polymerizable functional group is 0.95 or more.

[49] 상기 아크릴계 폴리머(가교제를 사용하는 경우는 가교 후)의 유리 전이 온도(Tg)가 -50 내지 10℃(특히, -40 내지 0℃)인 [35] 내지 [48] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.[49] In any one of [35] to [48], the glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (after crosslinking when using a crosslinking agent) is -50 to 10°C (in particular, -40 to 0°C) Described dicing tape.

[50] 상기 점착제층은 가교제(특히, 폴리이소시아네이트 화합물)를 함유하는 [29] 내지 [49] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.[50] The dicing tape according to any one of [29] to [49], wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains a crosslinking agent (particularly, a polyisocyanate compound).

[51] 상기 가교제의 사용량은 베이스 폴리머 100질량부에 대해 0.1 내지 5질량부인 [50]에 기재된 다이싱 테이프.[51] The dicing tape according to [50], wherein the amount of the crosslinking agent is 0.1 to 5 parts by mass based on 100 parts by mass of the base polymer.

[52] 상기 점착제층은 경화 촉매(특히, 디부틸주석디라우레이트)를 포함하는 [29] 내지 [51] 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.[52] The dicing tape according to any one of [29] to [51], wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains a curing catalyst (especially dibutyltin dilaurate).

[53] 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖고,[53] It has a laminated structure comprising a substrate and an adhesive layer,

상기 기재의 상기 점착제층측 표면은 표면 처리가 실시되어 있고,The surface on the side of the pressure-sensitive adhesive layer of the substrate is subjected to a surface treatment,

상기 기재와 상기 점착제층 사이의, -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계가 하기 식 (1)을 충족하는, 다이싱 테이프.A dicing tape in which the relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer satisfies the following formula (1).

(-15℃에서의 박리력)/(25℃에서의 박리력)≥1 (1)(Peel force at -15°C)/(Peel force at 25°C)≥1 (One)

[54] 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖고,[54] having a laminated structure comprising a substrate and an adhesive layer,

상기 점착제층은 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로서 포함하는 아크릴계 점착제층이며, 상기 아크릴계 폴리머는, 제1 관능기를 갖는 모노머 유래의 구성 단위와 함께, 상기 제1 관능기와 반응할 수 있는 제2 관능기 및 방사선 중합성 관능기를 갖는 화합물 유래의 구조부를 갖고,The pressure-sensitive adhesive layer is an acrylic pressure-sensitive adhesive layer containing an acrylic polymer as a base polymer, and the acrylic polymer is a second functional group capable of reacting with the first functional group and radiation polymerization together with a constituent unit derived from a monomer having a first functional group. It has a structural moiety derived from a compound having a sexual functional group,

상기 제1 관능기를 갖는 모노머 유래의 구성 단위와 상기 제2 관능기 및 방사선 중합성 관능기를 갖는 화합물의 몰비가 0.95 이상이고,The molar ratio of the constituent unit derived from the monomer having the first functional group and the compound having the second functional group and the radiation polymerizable functional group is 0.95 or more,

상기 기재와 상기 점착제층 사이의, -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계가 하기 식 (1)을 충족하는, 다이싱 테이프.A dicing tape in which the relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer satisfies the following formula (1).

(-15℃에서의 박리력)/(25℃에서의 박리력)≥1 (1)(Peel force at -15°C)/(Peel force at 25°C)≥1 (One)

[55] 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖고,[55] It has a laminated structure comprising a substrate and an adhesive layer,

상기 점착제층은 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로서 포함하는 아크릴계 점착제층이며, 상기 아크릴계 폴리머(가교제를 사용하는 경우는 가교 후)의 유리 전이 온도(Tg)가 -50 내지 10℃(특히, -40 내지 0℃)이고,The pressure-sensitive adhesive layer is an acrylic pressure-sensitive adhesive layer containing an acrylic polymer as a base polymer, and the glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (after crosslinking when a crosslinking agent is used) is -50 to 10°C (in particular, -40 to 0) ℃),

상기 기재와 상기 점착제층 사이의, -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계가 하기 식 (1)을 충족하는, 다이싱 테이프.A dicing tape in which the relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer satisfies the following formula (1).

(-15℃에서의 박리력)/(25℃에서의 박리력)≥1 (1)(Peel force at -15°C)/(Peel force at 25°C)≥1 (One)

[56] 기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖고,[56] having a laminated structure comprising a substrate and an adhesive layer,

상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있는 접착제층을 구비하고,And an adhesive layer in close contact with the pressure-sensitive adhesive layer in the dicing tape so as to be peelable,

상기 기재와 상기 점착제층 사이의 -15℃에서의 박리력이 6.5N/10㎜를 초과하고 50N/10㎜ 이하이고,The peel force at -15°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer is greater than 6.5N/10mm and less than 50N/10mm,

상기 기재와 상기 점착제층 사이의 25℃에서의 박리력이 0.5N/10㎜를 초과하고 50N/10㎜ 이하이고,The peel force at 25° C. between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer is more than 0.5N/10mm and less than 50N/10mm,

상기 기재와 상기 점착제층 사이의, -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계가 하기 식 (1)을 충족하는, 다이싱 테이프.A dicing tape in which the relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer satisfies the following formula (1).

(-15℃에서의 박리력)/(25℃에서의 박리력)≥1 (1)(Peel force at -15°C)/(Peel force at 25°C)≥1 (One)

1: 다이싱 다이 본드 필름
10: 다이싱 테이프
11: 기재
12: 점착제층
20, 21: 접착제층
W, 30A, 30C: 반도체 웨이퍼
30B: 반도체 웨이퍼 분할체
30a: 분할 홈
30b: 개질 영역
31: 반도체 칩
1: dicing die bond film
10: dicing tape
11: description
12: adhesive layer
20, 21: adhesive layer
W, 30A, 30C: semiconductor wafer
30B: semiconductor wafer split body
30a: split groove
30b: modified area
31: semiconductor chip

Claims (3)

기재와 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는 다이싱 테이프와,
상기 다이싱 테이프에 있어서의 상기 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있는 접착제층을 구비하고,
상기 기재의 상기 점착제층측 표면은 표면 처리가 실시되어 있고,
상기 기재와 상기 점착제층 사이의, -15℃에서의 박리력과 25℃에서의 박리력의 관계가 하기 식 (1)을 충족하는, 다이싱 다이 본드 필름.
(-15℃에서의 박리력)/(25℃에서의 박리력)≥1 (1)
A dicing tape having a laminated structure including a substrate and an adhesive layer,
And an adhesive layer in close contact with the pressure-sensitive adhesive layer in the dicing tape so as to be peelable,
The surface on the side of the pressure-sensitive adhesive layer of the substrate is subjected to a surface treatment,
A dicing die-bonding film in which the relationship between the peel force at -15°C and the peel force at 25°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer satisfies the following formula (1).
(Peel force at -15°C)/(Peel force at 25°C)≥1 (1)
제1항에 있어서,
상기 기재와 상기 점착제층 사이의 -15℃에서의 박리력이 6.5N/10㎜를 초과하는, 다이싱 다이 본드 필름.
The method of claim 1,
A dicing die-bonding film in which a peel force at -15°C between the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer exceeds 6.5 N/10 mm.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 점착제층은 아크릴계 점착제층인, 다이싱 다이 본드 필름.
The method according to claim 1 or 2,
The pressure-sensitive adhesive layer is an acrylic pressure-sensitive adhesive layer, a dicing die-bonding film.
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