JP5294366B1 - Dicing tape - Google Patents

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Abstract

【課題】ダイシング工程後のピックアップ工程において、薄型の半導体チップをチップ割れすることなく、短時間で効率良くピックアップすることができるダイシングテープを提供する。
【解決手段】本発明のダイシングテープ１は、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎにおける、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力が、粘着剤層１を放射線硬化させる前は０．５Ｎ／２５ｍｍ以上であり、粘着剤層１を放射線硬化させた後は０．０５〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、かつ、粘着剤層１を放射線硬化させた後の、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度における、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力について、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉ）、１０００ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉｉ）としたとき、（ｉｉ）／（ｉ）が１以下であることを特徴とする。
【選択図】図１Disclosed is a dicing tape capable of efficiently picking up a thin semiconductor chip in a short time without breaking the chip in a pickup step after the dicing step.
The dicing tape 1 of the present invention has a peeling force with respect to a silicon mirror wafer polished in # 2000 at a peeling angle of 90 degrees and a peeling speed of 50 mm / min under conditions of 23 ° C. and 50% RH. It is 0.5 N / 25 mm or more before the adhesive layer 1 is radiation-cured, 0.05 to 0.4 N / 25 mm after the adhesive layer 1 is radiation-cured, and the adhesive layer 1 is radiation-cured. For the peeling force with the silicon mirror wafer polished at # 2000 at 23 ° C. and 50% RH under the conditions of 23 ° C. and 50% RH, (i) When the peeling force at 1000 mm / min is (ii), (ii) / (i) is 1 or less.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、ダイシングテープに関する。特に、本発明は、半導体ウエハ等を素子の小片に切断分離（ダイシング）する際に、当該半導体ウエハ等の被切断体を固定するために用いるダイシングテープに関する。   The present invention relates to a dicing tape. In particular, the present invention relates to a dicing tape used for fixing a workpiece such as a semiconductor wafer when the semiconductor wafer or the like is cut and separated (diced) into small pieces of elements.

従来、シリコン、ガリウム、砒素等を材料とする半導体ウエハは、大径の状態で製造された後、素子小片に切断分離（ダイシング）され、更にマウント工程に移される。この際、半導体ウエハはダイシングテープに貼付され保持された状態でダイシング工程、洗浄工程、エキスパンド工程、ピックアップ工程、マウント工程の各工程が施される。前記ダイシングテープとしては、プラスチックフィルムからなる基材上にアクリル系粘着剤等の粘着剤層が塗布、形成されたものが用いられている。（たとえば、特許文献１参照。）   2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor wafer made of silicon, gallium, arsenic, or the like is manufactured in a large diameter state, then cut and separated (diced) into element pieces, and further transferred to a mounting process. At this time, the semiconductor wafer is subjected to a dicing process, a cleaning process, an expanding process, a pick-up process, and a mounting process in a state where the semiconductor wafer is stuck and held on the dicing tape. As the dicing tape, one in which a pressure-sensitive adhesive layer such as an acrylic pressure-sensitive adhesive is applied and formed on a substrate made of a plastic film is used. (For example, see Patent Document 1.)

前記ピックアップ工程は、図５に示すように、ピックアップする半導体チップ１０の下部のダイシングテープ１を突き上げピン１２により、点状または線状で持ち上げるか、またはこすりつけ、当該半導体チップ１０とダイシングテープ１の剥離を助長した状態で、上部から吸着コレット１３等で真空吸着するにより、半導体チップ１０をピックアップする方式が主流となっている。   As shown in FIG. 5, the pick-up process involves lifting or rubbing the dicing tape 1 below the semiconductor chip 10 to be picked up with a push-up pin 12 in the form of dots or lines, and the semiconductor chip 10 and the dicing tape 1. A method of picking up the semiconductor chip 10 by vacuum suction from the upper part with the suction collet 13 or the like in a state in which peeling is promoted has become the mainstream.

特開２０１０−２２５７５３号公報JP 2010-225753 A

しかしながら、半導体素子の薄型化が進んでおり、特に半導体ウエハの厚みが１００μｍ以下になると、従来のダイシングテープでは、従来通り突き上げピンを素早く突き上げて半導体チップをピックアップすると、突き上げピンの突き上げによる衝撃で、半導体チップが非常に割れやすいという問題があった。そのため、半導体チップへの衝撃を抑えるべく突き上げピンをゆっくりと持ち上げるようにすると、ピックアップ時間が長くなるという問題があった。また、従来のダイシングテープでは、ダイシングテープと半導体チップとの剥離力は、剥離速度が速いほど大きくなる。したがって、たとえ半導体チップへの衝撃を抑えつつ突き上げピンを素早く突き上げることができたとしても、突き上げピンにより、ダイシングテープと半導体チップとの剥離を助長した際に、剥離の進行速度が速いと剥離力も大きくなるため、薄型で剛性の低い半導体チップでは、その端部が変形してチップ割れが起こりやすいという問題があった。そのため、ダイシングテープと半導体チップの剥離が進行するまで待機して十分な剥離面積が確保された後に、吸着コレットの真空吸着により半導体チップをピックアップすることとなり、やはりピックアップ時間が長くなるという問題があった。   However, as semiconductor devices are becoming thinner, especially when the thickness of a semiconductor wafer is 100 μm or less, with conventional dicing tape, if the semiconductor chip is picked up by quickly pushing up the push-up pin as usual, the impact due to the push-up of the push-up pin There is a problem that the semiconductor chip is very easy to break. For this reason, if the push-up pin is slowly lifted to suppress the impact on the semiconductor chip, there is a problem that the pick-up time becomes long. In the conventional dicing tape, the peeling force between the dicing tape and the semiconductor chip increases as the peeling speed increases. Therefore, even if the push-up pin can be pushed up quickly while suppressing the impact on the semiconductor chip, when the push-up pin facilitates the peeling between the dicing tape and the semiconductor chip, if the peeling speed is high, the peeling force is also reduced. Since the semiconductor chip is thin and low in rigidity, there is a problem that the end portion of the semiconductor chip is deformed and chip cracking easily occurs. As a result, the semiconductor chip is picked up by vacuum suction of the suction collet after a sufficient separation area is secured by waiting until the peeling of the dicing tape and the semiconductor chip proceeds. It was.

そこで、本発明は、ダイシング工程後のピックアップ工程において、薄型の半導体チップをチップ割れすることなく、短時間で効率良くピックアップすることができるダイシングテープを提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a dicing tape that can efficiently pick up a thin semiconductor chip in a short time without breaking the chip in a pick-up step after the dicing step.

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、基材樹脂フィルムの少なくとも片側に粘着剤層を有してなるダイシングテープであって、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの各種剥離力を特定の値とすることで、半導体ウエハのダイシング時のチップ飛びを抑制しつつ、ピックアップ工程の際に素早くピン等で突上げを行ってもチップにストレスをかけることなくチップ割れ等の不具合なくピックアップできるとともにともに、ピックアップ工程時間の短縮を行えることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。   As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have obtained a dicing tape having an adhesive layer on at least one side of a base resin film, and a silicon mirror polished with # 2000 By setting the various peel forces from the wafer to specific values, chip skipping during dicing of a semiconductor wafer is suppressed, and even if the pins are pushed up quickly during the pick-up process, there is no stress on the chips. It was found that the pick-up time can be shortened while the pick-up can be performed without defects such as chip cracking. The present invention has been made based on this finding.

すなわち、本願発明によるダイシングテープは、基材樹脂フィルムの少なくとも片側に放射線硬化性の粘着剤層を有し、前記粘着剤層にウエハを貼合して前記ウエハをダイシングするダイシングテープであって、前記粘着剤層は、アクリル重合体、酢酸ビニル重合体および炭素―炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーからなる群より選ばれる１種または２種以上のポリマー１００質量部に対し、フタル酸エステル類を０．５〜３０質量部含み、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎにおける、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力が、前記粘着剤層を放射線硬化させる前は０．５Ｎ／２５ｍｍ以上であり、前記粘着剤層を放射線硬化させた後は０．０５〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、かつ、前記粘着剤層を放射線硬化させた後の、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度における、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力について、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉ）、１０００ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉｉ）としたとき、（ｉｉ）／（ｉ）が１以下であることを特徴とする。 That is, the dicing tape according to the present invention is a dicing tape that has a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer on at least one side of the base resin film, and bonds the wafer to the pressure-sensitive adhesive layer to dice the wafer, The pressure-sensitive adhesive layer is a phthalate ester based on 100 parts by mass of one or more polymers selected from the group consisting of an acrylic polymer, a vinyl acetate polymer, and an acrylic polymer having a carbon-carbon double bond. In the condition of 23 ° C. and 50% RH at a peeling angle of 90 degrees and a peeling speed of 50 mm / min. It is 0.5 N / 25 mm or more before the layer is radiation-cured, and 0.05 to 0.4 N / 25 mm after the adhesive layer is radiation-cured. In addition, after the radiation curing of the pressure-sensitive adhesive layer, the peeling force with respect to the silicon mirror wafer polished at # 2000 at a peeling angle of 90 degrees under the conditions of 23 ° C. and 50% RH is a peeling speed of 50 mm. When the peel force at / min is (i) and the peel force at 1000 mm / min is (ii), (ii) / (i) is 1 or less.

また、上記ダイシングテープは、前記フタル酸エステル類の水への溶解度が、０．１ｍｇ／Ｌ以下であることが好ましい。   In the dicing tape, the solubility of the phthalate esters in water is preferably 0.1 mg / L or less.

本発明によれば、ダイシング工程後のピックアップ工程において、薄型の半導体チップをチップ割れすることなく、短時間で効率良くピックアップすることができる。   According to the present invention, a thin semiconductor chip can be efficiently picked up in a short time without chip breaking in the pick-up step after the dicing step.

本発明の実施形態に係るダイシングテープの構造を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the dicing tape which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係るダイシングテープを用いたダイシング工程を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the dicing process using the dicing tape which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るダイシングテープを用いたダイシング工程を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the dicing process using the dicing tape which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るダイシングテープを用いたエキスパンド工程を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the expanding process using the dicing tape which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係るダイシングテープを用いたピックアップ工程を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the pick-up process using the dicing tape which concerns on the Example of this invention.

以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

本発明の実施形態に係るダイシングテープ１は、基材樹脂フィルム２の少なくとも片側に、少なくとも1層の粘着剤層３が形成されている。図１は、本発明の放射線硬化型のダイシングテープ１の好ましい実施態様を示す概略断面図であり、ダイシングテープ１は基材樹脂フィルム２を有しており、基材樹脂フィルム２の上には粘着剤層３が形成されている。また、粘着剤層３の上には、必要に応じて設けられるセパレータ４が形成されている。図１には、基材樹脂フィルム２の一方の面に粘着剤層３が設けられたダイシングテープ１が示されているが、基材樹脂フィルム２のうち、粘着剤層３が設けられた他方の面にも粘着剤層を設けてもよい（図示せず）。   In the dicing tape 1 according to the embodiment of the present invention, at least one pressure-sensitive adhesive layer 3 is formed on at least one side of the base resin film 2. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of a radiation curable dicing tape 1 according to the present invention. The dicing tape 1 has a base resin film 2 on the base resin film 2. An adhesive layer 3 is formed. In addition, a separator 4 provided as necessary is formed on the pressure-sensitive adhesive layer 3. FIG. 1 shows a dicing tape 1 in which a pressure-sensitive adhesive layer 3 is provided on one surface of a base resin film 2, but the other of the base resin films 2 provided with the pressure-sensitive adhesive layer 3. An adhesive layer may also be provided on the surface (not shown).

以下、本実施形態のダイシングテープ１の各構成要素について詳細に説明する。   Hereinafter, each component of the dicing tape 1 of this embodiment will be described in detail.

（基材樹脂フィルム２）
基材樹脂フィルム２としては、特に制限されるものでなく、従来の基材樹脂フィルム２の中から適宜選択して用いることができる。粘着剤層３に用いられる粘着剤として放射線硬化性樹脂を用いるため、基材樹脂フィルム２は、ダイシング後に切断されて得られた半導体チップ１０（図３参照）をピックアップできる程度に粘着剤層３の粘着力を低減できるように放射線を透過することが必要である。使用する基材樹脂フィルム２としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、およびポリブテンのようなポリオレフィン、スチレン−水添イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレン共重合体、スチレン−水添ブタジエン−スチレン共重合体およびスチレン−水添イソプレン／ブタジエン−スチレン共重合体のような熱可塑性エラストマー、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体、およびエチレン−（メタ）アクリル酸金属塩系アイオノマーのようなエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、軟質ポリ塩化ビニル、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴム等の高分子材料が好ましい。また、これらの群から選ばれる２種以上が混合されたものもしくは複層化されたものでもよく、粘着剤層３との接着性によって任意に選択することができる。 (Base resin film 2)
The base resin film 2 is not particularly limited and can be appropriately selected from the conventional base resin films 2. Since the radiation curable resin is used as the pressure-sensitive adhesive used for the pressure-sensitive adhesive layer 3, the pressure-sensitive adhesive layer 3 can be picked up so that the base resin film 2 can pick up the semiconductor chip 10 (see FIG. 3) obtained by cutting after dicing. It is necessary to transmit the radiation so as to reduce the adhesive strength. As the base resin film 2 to be used, polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polyolefin such as polybutene, styrene-hydrogenated isoprene-styrene block copolymer, styrene-isoprene-styrene copolymer, styrene -Thermoplastic elastomers such as hydrogenated butadiene-styrene copolymer and styrene-hydrogenated isoprene / butadiene-styrene copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- Engineers such as (meth) acrylic acid ester copolymers, ethylene copolymers such as ethylene- (meth) acrylic acid metal salt ionomers, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, etc. Grayed plastic, soft polyvinyl chloride, semi-hard polyvinyl chloride, polyester, polyurethane, polyamide, polyimide, natural rubber as well as high molecular material such as synthetic rubber is preferred. Further, a mixture of two or more selected from these groups or a multilayered structure may be used, and any one can be selected depending on the adhesiveness with the pressure-sensitive adhesive layer 3.

基材樹脂フィルム２の厚さは、特に制限するものではないが、好ましくは１０〜５００μｍであり、より好ましくは４０〜４００μｍ、特に好ましくは７０〜２５０μｍである。   The thickness of the base resin film 2 is not particularly limited, but is preferably 10 to 500 μm, more preferably 40 to 400 μm, and particularly preferably 70 to 250 μm.

基材樹脂フィルム２の粘着剤層３に接する面には、密着性を向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー等の処理を施してもよい。   The surface of the base resin film 2 that is in contact with the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be subjected to a corona treatment or a treatment such as a primer in order to improve adhesion.

（粘着剤層３）
粘着剤層３は、放射線硬化型の粘着剤層３であって所定の剥離力を有すれば、粘着剤層３を構成する樹脂組成物は、特に限定されるものではないが、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するポリマーからなる樹脂組成物、または一般的な粘着剤に紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分等の紫外線硬化樹脂を配合した樹脂組成物であることが好ましい。また、上記樹脂組成物が、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、（メタ）アクリル酸オリゴマー、イタコン酸オリゴマーおよび酢酸ビニルからなる群より選ばれた少なくとも１種の粘着剤を主成分として有することが好ましい。 (Adhesive layer 3)
The pressure-sensitive adhesive layer 3 is a radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 3 and has a predetermined peeling force. The resin composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer 3 is not particularly limited, but is carbon-carbon. Resin composition comprising a polymer having a double bond in the polymer side chain or in the main chain or at the end of the main chain, or a resin composition in which an ultraviolet curable resin such as an ultraviolet curable monomer component or oligomer component is blended with a general adhesive It is preferable that it is a thing. The resin composition is mainly composed of at least one pressure-sensitive adhesive selected from the group consisting of urethane acrylate, epoxy acrylate, polyester acrylate, polyether acrylate, (meth) acrylic acid oligomer, itaconic acid oligomer, and vinyl acetate. It is preferable to have as.

炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するポリマーからなる樹脂組成物としては、アクリル重合体（Ａ）及び／又は酢酸ビニル重合体（Ｂ）と、架橋剤（Ｃ）と、必要に応じ、光重合開始剤（Ｄ）を含む粘着剤組成物が用いられる。さらに、本実施の形態においては、フタル酸エステル類（Ｅ）を含んでいる。   As a resin composition comprising a polymer having a carbon-carbon double bond in the polymer side chain or in the main chain or at the main chain terminal, an acrylic polymer (A) and / or a vinyl acetate polymer (B), a crosslinking agent ( A pressure-sensitive adhesive composition containing C) and, if necessary, a photopolymerization initiator (D) is used. Furthermore, in this Embodiment, phthalic acid ester (E) is included.

（Ａ）アクリル重合体
アクリル重合体（Ａ）としては、（メタ）アクリル酸エステル成分をモノマー主成分（重合体中の質量％が５０％を越える）とし、該（メタ）アクリル酸エステル成分に対して、共重合が可能で分子内に水酸基を有するモノマー（水酸基含有モノマー）成分とを共重合したもの等が挙げられる。本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルの両者を含む。 (A) Acrylic polymer As the acrylic polymer (A), the (meth) acrylic acid ester component is a monomer main component (mass% in the polymer exceeds 50%), and the (meth) acrylic acid ester component On the other hand, those which are copolymerized with a monomer (hydroxyl group-containing monomer) component that can be copolymerized and has a hydroxyl group in the molecule are exemplified. In this specification, (meth) acrylic acid ester includes both acrylic acid ester and methacrylic acid ester.

アクリル重合体（Ａ）において、モノマー主成分としての（メタ）アクリル酸エステル成分としては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル；（メタ）アクリル酸シクロヘキシル等の（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル；（メタ）アクリル酸フェニル等の（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。   In the acrylic polymer (A), examples of the (meth) acrylic acid ester component as the main monomer component include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic. Isopropyl acid, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, s-butyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, ( Heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, Isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, (meth) acrylic (Meth) acrylic such as dodecyl acid, tridecyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, pentadecyl (meth) acrylate, hexadecyl (meth) acrylate, heptadecyl (meth) acrylate, octadecyl (meth) acrylate Examples include acid alkyl esters; (meth) acrylic acid cycloalkyl esters such as (meth) acrylic acid cyclohexyl; and (meth) acrylic acid aryl esters such as phenyl (meth) acrylate. (Meth) acrylic acid esters can be used alone or in combination of two or more.

アクリル重合体（Ａ）は、架橋剤（Ｃ）のポリイソシアネートとウレタン結合を介して、ポリエーテルポリオールと反応させるとともに、架橋剤で架橋させて質量平均分子量（Ｍｗ）を高めることが好ましい。この場合、アクリル重合体（Ａ）は、主鎖に対して、水酸基が結合されていることが必要である。主鎖に対して水酸基が結合されたアクリル重合体（Ａ）は、前記（メタ）アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつ水酸基を有するモノマーを共重合することによって得ることができる。（メタ）アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつ水酸基を有するモノマーとしては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリルレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリルレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリルレート、６−ヒドロキシヘキシル（メタ）アクリルレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、グリセリンモノ（メタ）アクリレート等が挙げられる。   The acrylic polymer (A) is preferably reacted with a polyether polyol via a polyisocyanate and a urethane bond of the crosslinking agent (C) and crosslinked with the crosslinking agent to increase the mass average molecular weight (Mw). In this case, the acrylic polymer (A) needs to have a hydroxyl group bonded to the main chain. The acrylic polymer (A) having a hydroxyl group bonded to the main chain can be copolymerized with the (meth) acrylic acid ester and can be obtained by copolymerizing a monomer having a hydroxyl group. . Examples of monomers that can be copolymerized with (meth) acrylic acid ester and have a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) ) Acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, glycerin mono (meth) acrylate and the like.

アクリル重合体（Ａ）中には、主鎖に対して水酸基が結合（ペンダントされている）以外に、カルボキシル基、グリシジル基といった官能基がペンダントされていてもよい。水酸基以外の官能基を有するアクリル重合体（Ａ）は、（メタ）アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつ水酸基以外の官能基を有するモノマーを共重合することによって得ることができる。（メタ）アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつカルボキシル基を有するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸（アクリル酸、メタクリル酸）、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸等が挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつグリシジル基を有するモノマーとしては、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。   In the acrylic polymer (A), a functional group such as a carboxyl group or a glycidyl group may be pendant in addition to a hydroxyl group bonded (pendant) to the main chain. The acrylic polymer (A) having a functional group other than a hydroxyl group can be copolymerized with a (meth) acrylic acid ester and can be obtained by copolymerizing a monomer having a functional group other than a hydroxyl group. . As a monomer that can be copolymerized with (meth) acrylic acid ester and has a carboxyl group, (meth) acrylic acid (acrylic acid, methacrylic acid), itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, And isocrotonic acid. Examples of the monomer that can be copolymerized with (meth) acrylic acid ester and have a glycidyl group include glycidyl (meth) acrylate.

（Ｂ）酢酸ビニル重合体
酢酸ビニル重合体（Ｂ）としては、酢酸ビニル重合体は、酢酸ビニルモノマーのみを重合して得られた単独重合体を使うこともできる。 酢酸ビニル重合体における、酢酸ビニルモノマーに共重合させるモノマー成分としては、上記効果を阻害しないものであれば特に限定するものではない。例えば、上記記載のアクリル酸エステル類やラウリルビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテル、パーフルオロプロピルビニルエーテル、２−クロロエチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、メチルビニルエーテルなどのビニルエーテル類、バーサチック酸ビニル、ステアリン酸ビニル、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマール酸、イタコン酸、ビニルスルホン酸、アクリルスルホン酸、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ビニルイミダゾール、ビニルピリジン、ビニルサクシイミド、ビニレンカーボネート、アリルアルコール、アリルアセテート等が挙げられる。 (B) Vinyl acetate polymer As a vinyl acetate polymer (B), the vinyl acetate polymer can also use the homopolymer obtained by superposing | polymerizing only a vinyl acetate monomer. The monomer component to be copolymerized with the vinyl acetate monomer in the vinyl acetate polymer is not particularly limited as long as it does not inhibit the above effect. For example, the above-mentioned acrylic esters, lauryl vinyl ether, octadecyl vinyl ether, perfluoropropyl vinyl ether, 2-chloroethyl vinyl ether, cyclohexyl vinyl ether, vinyl vinyl such as methyl vinyl ether, vinyl versatate, vinyl stearate, acrylamide, methacrylamide, N, N-dimethylacrylamide, acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, vinyl sulfonic acid, acrylic sulfonic acid, dimethylaminoethyl methacrylate, vinyl imidazole, vinyl pyridine, vinyl succinimide, vinylene carbonate, allyl alcohol And allyl acetate.

上記アクリル重合体（Ａ）および酢酸ビニル重合体（Ｂ）の合成において、共重合を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系の有機溶剤が挙げられるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトン等の、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α’−アゾビスイソブチルニトリル等のアゾビス系、ベンゾベルペルオキシド等の有機過酸化物系等のラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節し、その後官能基における付加反応を行うことにより、所望の分子量のアクリル重合体（Ａ）、酢酸ビニル重合体（Ｂ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この共重合は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合等別の方法でもさしつかえない。   In the synthesis of the acrylic polymer (A) and the vinyl acetate polymer (B), examples of the organic solvent when copolymerization is performed by solution polymerization include ketone-based, ester-based, alcohol-based, and aromatic-based organic solvents. Among them, toluene, ethyl acetate, isopropyl alcohol, benzene methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone, etc. are generally good solvents for acrylic polymers, preferably having a boiling point of 60 to 120 ° C., A radical generator such as an azobis type such as α, α′-azobisisobutylnitrile or an organic peroxide type such as benzoberperoxide is usually used. At this time, if necessary, a catalyst and a polymerization inhibitor can be used in combination. By adjusting the polymerization temperature and polymerization time, and then performing an addition reaction on the functional group, an acrylic polymer (A) having a desired molecular weight, A vinyl acetate polymer (B) can be obtained. In terms of adjusting the molecular weight, it is preferable to use a mercaptan or carbon tetrachloride solvent. The copolymerization is not limited to solution polymerization, and other methods such as bulk polymerization and suspension polymerization may be used.

アクリル重合体（Ａ）および酢酸ビニル重合体（Ｂ）は、半導体ウエハ６等の被加工物の汚染防止等の観点から、低分子量物の含有量が少ないものが好ましい。この観点から、アクリル重合体（Ａ）および酢酸ビニル重合体（Ｂ）の質量平均分子量（Ｍｗ）としては、１０万以上であることが好ましく、さらには２０万〜２００万であることが好適である。なお、アクリル重合体（Ａ）および酢酸ビニル重合体（Ｂ）の質量平均分子量（Ｍｗ）が小さすぎると、半導体ウエハ６等の被加工物に対する汚染防止性が低下し、質量平均分子量（Ｍｗ）が大きすぎると放射線硬化性粘着剤層３を形成するための粘着剤組成物の粘度が極めて高くなり、ダイシングテープ１の製造が困難となる。   The acrylic polymer (A) and the vinyl acetate polymer (B) are preferably those having a low content of low molecular weight substances from the viewpoint of preventing contamination of the workpiece such as the semiconductor wafer 6. From this viewpoint, the mass average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer (A) and the vinyl acetate polymer (B) is preferably 100,000 or more, and more preferably 200,000 to 2,000,000. is there. If the mass average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer (A) and the vinyl acetate polymer (B) is too small, the anti-contamination property to the workpiece such as the semiconductor wafer 6 is lowered, and the mass average molecular weight (Mw). If it is too large, the viscosity of the pressure-sensitive adhesive composition for forming the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 3 becomes extremely high, and it becomes difficult to manufacture the dicing tape 1.

アクリル重合体（Ａ）および酢酸ビニル重合体（Ｂ）は、粘着性発現の観点から、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、更に好ましくは、−６５℃〜−２０℃である。ガラス転移点が小さすぎると、アクリル重合体（Ａ）および酢酸ビニル重合体（Ｂ）の粘度が低くなりすぎ、安定した塗膜形成が困難となり、ガラス転移点が高すぎると、粘着剤が硬くなりすぎ、被着体に対する濡れ性が悪化する。   The acrylic polymer (A) and the vinyl acetate polymer (B) preferably have a glass transition point of −70 ° C. to 0 ° C., more preferably −65 ° C. to −20 ° C., from the viewpoint of developing tackiness. It is. If the glass transition point is too small, the viscosity of the acrylic polymer (A) and the vinyl acetate polymer (B) is too low, and it becomes difficult to form a stable coating film. If the glass transition point is too high, the pressure-sensitive adhesive is hard. It becomes too much and the wettability with respect to an adherend deteriorates.

（Ｃ）架橋剤
架橋剤（Ｃ）として、少なくとも架橋剤としてポリイソシアネートを用いて、放射線硬化前に架橋されていることが好ましい。ポリイソシアネート架橋剤としては、イソシアネート基を有する架橋剤であれば特に制限されない。例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等もしくはこれらのビウレット型、イソシアヌレート型、アダクト型、ブロック型等の各種多量体等を挙げることができる。架橋剤として水酸基に対して反応性を有するポリイソシアネートを用いることにより、ポリエーテルポリオールを架橋構造中に取り込むことが可能となり、ポリエーテルポリオールが半導体ウエハ６表面へ移行し、ウエハ６表面を汚染することを防ぐことができる。そのほか、架橋剤として、ポリイソシアネート以外の架橋剤を併用することができる。ただし、アクリル重合体（Ａ）もしくは酢酸ビニル重合体（Ｂ）中に、架橋剤に対して反応性を有する官能基を有している必要がある。そのような架橋剤としては、例えば、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン樹脂系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、酸無水化合物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等から適宜選択して用いることができる。 (C) Crosslinking agent It is preferable that the crosslinking agent (C) is crosslinked before radiation curing using at least a polyisocyanate as a crosslinking agent. The polyisocyanate crosslinking agent is not particularly limited as long as it is a crosslinking agent having an isocyanate group. Examples thereof include tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate and the like, or various multimers such as biuret type, isocyanurate type, adduct type and block type. By using a polyisocyanate having reactivity with a hydroxyl group as a crosslinking agent, it becomes possible to incorporate the polyether polyol into the crosslinked structure, and the polyether polyol migrates to the surface of the semiconductor wafer 6 and contaminates the surface of the wafer 6. Can be prevented. In addition, a crosslinking agent other than polyisocyanate can be used in combination as a crosslinking agent. However, the acrylic polymer (A) or the vinyl acetate polymer (B) needs to have a functional group reactive to the crosslinking agent. Examples of such crosslinking agents include epoxy crosslinking agents, aziridine crosslinking agents, melamine resin crosslinking agents, urea resin crosslinking agents, acid anhydride compound crosslinking agents, polyamine crosslinking agents, and carboxyl group-containing polymer crosslinking agents. It can be appropriately selected from agents and the like.

（Ｄ）光重合開始剤
放射線硬化性粘着剤層３中に、放射線を照射した際に、効率よく、分子内に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマー（や放射線硬化性成分）の重合、硬化を行うために、光重合開始剤を含むことができる。光重合開始剤としては、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル系開始剤；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ポリビニルベンゾフェノン等のベンゾフェノン系開始剤；α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等の芳香族ケトン系開始剤；ベンジルジメチルケタール等の芳香族ケタール系開始剤；チオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−エチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−ドデシルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン系開始剤、ベンジル等のベンジル系開始剤、ベンゾイン等のベンゾイン系開始剤の他、α−ケトール系化合物（２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン等）、芳香族スルホニルクロリド系化合物（２−ナフタレンスルホニルクロリド等）、光活性オキシム系化合物（１−フェノン−１，１−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等）、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。 (D) Photopolymerization initiator When the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 3 is irradiated with radiation, the polymerization of an acrylic polymer (or radiation curable component) having a carbon-carbon double bond in the molecule efficiently. In order to cure, a photopolymerization initiator can be included. Examples of the photopolymerization initiator include benzoin alkyl ether initiators such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin propyl ether, benzoin isopropyl ether, and benzoin isobutyl ether; benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl- Benzophenone initiators such as 4-methoxybenzophenone and polyvinylbenzophenone; α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′- Dimethylacetophenone, methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -phenyl] An aromatic ketone initiator such as -2-morpholinopropane-1; an aromatic ketal initiator such as benzyldimethyl ketal; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-ethylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, Thioxanthone initiators such as 2-dodecylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, benzyl initiators such as benzyl, benzoin, etc. In addition to benzoin initiators, α-ketol compounds (such as 2-methyl-2-hydroxypropiophenone), aromatic sulfonyl chloride compounds (such as 2-naphthalenesulfonyl chloride), photoactive oxime compounds (1-phenone) 1,1 propane dione-2-(o-ethoxycarbonyl) oxime), camphorquinone, halogenated ketones, acyl phosphino, dimethylsulfoxide, and the like acyl phosphonium diisocyanate and the like. A photoinitiator can be used individually or in combination of 2 or more types.

光重合開始剤の配合量としては、アクリル重合体（Ａ）もしくは酢酸ビニル重合体（Ｂ）１００質量部に対して０．５〜３０質量部、好ましくは１〜２０質量部の範囲から適宜選択することができる   As a compounding quantity of a photoinitiator, 0.5-30 mass parts with respect to 100 mass parts of acrylic polymers (A) or a vinyl acetate polymer (B), Preferably it selects from the range of 1-20 mass parts suitably. can do

（Ｅ）フタル酸エステル類
フタル酸エステル類（Ｅ）としては、例えばフタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジアリル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジノルマルヘキシル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジノルマルオクチル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ブチルベンジル等が挙げられるが、粘着剤との相溶性が良く、かつ水への溶解性が低いフタル酸ジオクチル、フタル酸ジノルマルオクチル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジノニルが好ましい。粘着剤との相溶性が悪いとブリードアウトにより表面に析出しやすくなり、汚染の原因となる恐れがあるとともに、安定製造できないためである。また、水への溶解性が高いとダイシングの際の切削水に溶解してしまい、ウエハ６表面の汚染の原因となる恐れがあるためである。水への溶解性の範囲としては、０．１ｍｇ／Ｌ以下であり、好ましくは０．０５ｍｇ／Ｌ以下が好ましい。 (E) Phthalic acid esters As phthalic acid esters (E), for example, dimethyl phthalate, diethyl phthalate, diallyl phthalate, dibutyl phthalate, di-hexyl phthalate, dioctyl phthalate, di-normal octyl phthalate, Examples include diisononyl phthalate, dinonyl phthalate, diisodecyl phthalate, butyl benzyl phthalate, etc., but good compatibility with adhesives and low solubility in water. Dioctyl phthalate, di-normal octyl phthalate, phthalate Diisononyl acid and dinonyl phthalate are preferred. This is because if the compatibility with the pressure-sensitive adhesive is poor, it tends to be deposited on the surface by bleed-out, which may cause contamination and cannot be stably produced. Moreover, if the solubility in water is high, it is dissolved in cutting water during dicing, which may cause contamination of the surface of the wafer 6. The solubility range in water is 0.1 mg / L or less, preferably 0.05 mg / L or less.

本実施の形態においては、粘着剤層３が、フタル酸エステル類（Ｅ）を含んでいるため、柔軟性に優れ、ダイシングの際のチップ飛びを抑制することができ、放射線を照射して粘着剤層３を硬化させた後に、剥離速度によらず、剥離力が一定以下となることから、チップ割れを良好に抑制して容易に半導体チップ１０をピックアップすることができる。その効果は、ウエハ６研磨直後、例えば、研磨終了後１時間以内の自然酸化膜が全面的に形成されていない状態の不安定なウエハ６研削面に、ダイシングテープ１が貼り合わせられた場合に特に顕著に現れる。   In the present embodiment, since the pressure-sensitive adhesive layer 3 contains the phthalate ester (E), it has excellent flexibility, can suppress chip jumping during dicing, and is irradiated with radiation to adhere. After the agent layer 3 is cured, the peeling force becomes a certain value or less regardless of the peeling speed. Therefore, it is possible to easily pick up the semiconductor chip 10 while favorably suppressing chip cracking. The effect is obtained immediately after the wafer 6 is polished, for example, when the dicing tape 1 is bonded to an unstable wafer 6 ground surface in which a natural oxide film is not entirely formed within 1 hour after the polishing is completed. It is particularly noticeable.

フタル酸エステル類の配合量としては、アクリル重合体（Ａ）もしくは酢酸ビニル重合体（Ｂ）１００質量部に対して０．５〜３０質量部、好ましくは１〜２０質量部、更に好ましくは５〜１０質量部の範囲から適宜選択することができる。添加量が少ないと効果を発現できず、多すぎると粘着剤との相溶性の悪化により、ブリードアウトし汚染の原因となる。   As a compounding quantity of phthalic acid ester, 0.5-30 mass parts with respect to 100 mass parts of acrylic polymers (A) or vinyl acetate polymers (B), Preferably it is 1-20 mass parts, More preferably, it is 5 It can select suitably from the range of -10 mass parts. If the addition amount is small, the effect cannot be exhibited, and if it is too large, the compatibility with the pressure-sensitive adhesive deteriorates, leading to bleeding and causing contamination.

（Ｆ）その他の配合剤
粘着剤層３を形成するための粘着剤組成物中には、必要に応じて、例えば、粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、着色剤、難燃剤、帯電防止剤、軟化剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等の公知の添加剤等が含まれていてもよい。 (F) Other compounding agents In the pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer 3, if necessary, for example, a tackifier, an anti-aging agent, a filler, a colorant, a flame retardant, an antistatic agent. Known additives such as an agent, a softening agent, an ultraviolet absorber, an antioxidant, a plasticizer, and a surfactant may be included.

なお、上記粘着剤組成物において、アクリル重合体（Ａ）及び／又は酢酸ビニル重合体（Ｂ）に替えて、官能基を含有するアクリル系ポリマーを調製した後、官能基を含有するアクリル系ポリマー中の官能基と反応し得る官能基と炭素−炭素二重結合とを有する化合物を、官能基を含有するアクリル系ポリマーに、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性（放射線重合性）を維持した状態で、縮合反応又は付加反応させることにより、分子内に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマー（Ａ２）を用いてもよい。官能基を含有するアクリル系ポリマーとしては、上記アクリル重合体（Ａ）を用いることができる。また、アクリル重合体（Ａ）及び／又は酢酸ビニル重合体（Ｂ）と分子内に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマー（Ａ２）を併用することもできる。   In the above pressure-sensitive adhesive composition, after preparing an acrylic polymer containing a functional group instead of the acrylic polymer (A) and / or vinyl acetate polymer (B), an acrylic polymer containing a functional group Maintains radiation-curability (radiation-polymerization) of carbon-carbon double bonds for compounds containing functional groups capable of reacting with functional groups and carbon-carbon double bonds in acrylic polymers containing functional groups. In this state, an acrylic polymer (A2) having a carbon-carbon double bond in the molecule may be used by performing a condensation reaction or an addition reaction. The acrylic polymer (A) can be used as the acrylic polymer containing a functional group. Moreover, the acrylic polymer (A) and / or the vinyl acetate polymer (B) and the acrylic polymer (A2) having a carbon-carbon double bond in the molecule can be used in combination.

官能基を含有するアクリル系ポリマー中の官能基と反応し得る官能基と炭素−炭素二重結合とを有する化合物としては、反応の対象となる側鎖がカルボキシル基または酸無水物である場合には、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられ、反応の対象となる側鎖がエポキシ基である場合には、（メタ）アクリル酸等が挙げられ、反応の対象となる側鎖が水酸基である場合には、２一イソシアネートアルキル（メタ）アクリレート等が挙げられる。   As a compound having a functional group capable of reacting with a functional group in an acrylic polymer containing a functional group and a carbon-carbon double bond, the side chain to be reacted is a carboxyl group or an acid anhydride. In the case where glycidyl (meth) acrylate and the like are mentioned, and the side chain to be reacted is an epoxy group, (meth) acrylic acid and the like are mentioned, and the side chain to be reacted is a hydroxyl group Examples include 21 monoisocyanate alkyl (meth) acrylate.

また、官能基を含有するアクリル系ポリマーに官能基と炭素−炭素二重結合とを有する化合物を縮合反応又は付加反応させる際には、触媒を用いることにより、前記反応を効果的に進行させることができる。このような触媒としては、特に制限されないが、スズ系触媒（特にジラウリン酸ジブチルスズ）が好適である。触媒の使用量としては、特に制限されず、例えば、官能基を含有するアクリル系ポリマー１００重量部に対して０．０５〜１重量部程度であることが好ましい。   In addition, when a compound having a functional group and a carbon-carbon double bond is subjected to a condensation reaction or addition reaction to an acrylic polymer containing a functional group, the reaction is effectively advanced by using a catalyst. Can do. Such a catalyst is not particularly limited, but a tin-based catalyst (particularly dibutyltin dilaurate) is suitable. The amount of the catalyst used is not particularly limited, and is preferably about 0.05 to 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the acrylic polymer containing a functional group, for example.

粘着剤層３は、従来の粘着剤層３の形成方法を利用して形成することができる。例えば、上記粘着剤組成物を、基材樹脂フィルム２の所定の面に塗布して形成する方法や、上記粘着剤組成物を、セパレータ（例えば、離型剤が塗布されたプラスチック製フィルム又はシート等）上に塗布して粘着剤層３を形成した後、該粘着剤層３を基材の所定の面に転写する方法により、基材樹脂フィルム２上に粘着剤層３を形成することができる。なお、粘着剤層３は単層の形態を有していてもよく、積層された形態を有していてもよい。   The pressure-sensitive adhesive layer 3 can be formed using a conventional method for forming the pressure-sensitive adhesive layer 3. For example, a method of forming the pressure-sensitive adhesive composition on a predetermined surface of the base resin film 2 and forming the pressure-sensitive adhesive composition into a separator (for example, a plastic film or sheet coated with a release agent) Etc.), after forming the pressure-sensitive adhesive layer 3 on the substrate, the pressure-sensitive adhesive layer 3 can be formed on the substrate resin film 2 by a method of transferring the pressure-sensitive adhesive layer 3 to a predetermined surface of the substrate. it can. The pressure-sensitive adhesive layer 3 may have a single layer form or a laminated form.

粘着剤層３の厚さとしては、特に制限されないが、３〜２０μｍであることが好ましい。粘着剤層３の厚さが薄すぎると、ダイシングの際に被加工物が容易に剥離してしまうため、切断加工された半導体チップ１０を保持できず、チップ飛びが発生することがある。粘着剤層３が厚すぎると、半導体ウエハ６をダイシングする際に発生する振動の振動幅が大きくなり、チッピングと呼ばれる欠けが発生し、または、チップの側面や表面にダイシング時に巻き上げられた粘着剤屑が付着し、チップを汚染することがある。   Although it does not restrict | limit especially as thickness of the adhesive layer 3, It is preferable that it is 3-20 micrometers. If the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is too thin, the workpiece is easily peeled off during dicing, so that the cut semiconductor chip 10 cannot be held, and chip fly may occur. If the pressure-sensitive adhesive layer 3 is too thick, the vibration width of vibration generated when dicing the semiconductor wafer 6 is increased, chipping called chipping occurs, or the pressure-sensitive adhesive wound up on the side surface or surface of the chip during dicing. Debris can adhere and contaminate the chip.

（セパレータ４）
セパレータ４は、粘着剤層３を保護する目的のため、ダイシングテープ１を所定の形状に切断するラベル加工を容易に行う目的のため、また粘着剤を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。セパレータ４の構成材料としては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルム等が挙げられる。セパレータ４の表面には粘着剤層３からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着シートが環境紫外線によって反応してしまわないように、紫外線防止処理が施されていてもよい。セパレータ４の厚さは、通常１０〜１００μｍ、好ましくは２５〜５０μｍ程度である。 (Separator 4)
The separator 4 is used for the purpose of protecting the pressure-sensitive adhesive layer 3, for the purpose of easily labeling the dicing tape 1 into a predetermined shape, and for the purpose of smoothing the pressure-sensitive adhesive as necessary. Provided. Examples of the constituent material of the separator 4 include synthetic resin films such as paper, polyethylene, polypropylene, and polyethylene terephthalate. In order to improve the peelability from the pressure-sensitive adhesive layer 3, the surface of the separator 4 may be subjected to a peeling treatment such as silicone treatment, long-chain alkyl treatment, or fluorine treatment as necessary. Moreover, the ultraviolet-ray prevention process may be performed as needed so that an adhesive sheet may not react with environmental ultraviolet rays. The thickness of the separator 4 is usually 10 to 100 μm, preferably about 25 to 50 μm.

本発明の実施形態に係るダイシングテープ１は、２３℃、５０％ＲＨの条件下で＃２０００で研磨されたシリコンミラー面を粘着剤層３に貼合した後、２３℃で５０％ＲＨの条件下で１時間経過後の、粘着剤層３を放射線硬化させる前における剥離力（対シリコンミラー面、剥離角度：９０°、剥離速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ、２３℃で５０％ＲＨの条件下）が、０．５Ｎ／２５ｍｍ以上である。この範囲内の粘着力を有するダイシングテープ１は、ダイシング時において切断加工された半導体チップ１０を効果的に保持することができ、チップ飛びや半導体チップ１０裏面への切削ダスト浸入を防ぐ効果を奏することができる。   In the dicing tape 1 according to the embodiment of the present invention, the silicon mirror surface polished at # 2000 under conditions of 23 ° C. and 50% RH is bonded to the pressure-sensitive adhesive layer 3, and then the conditions of 50% RH at 23 ° C. The peeling force (with respect to the silicon mirror surface, peeling angle: 90 °, peeling speed: 50 mm / min, 23 ° C., 50% RH) after 1 hour has elapsed and before the adhesive layer 3 is radiation-cured. 0.5 N / 25 mm or more. The dicing tape 1 having an adhesive force within this range can effectively hold the semiconductor chip 10 cut during dicing, and has an effect of preventing chip fly and cutting dust intrusion to the back surface of the semiconductor chip 10. be able to.

また、上記と同様にして測定した、粘着剤層３を放射線硬化させた後における剥離力（対シリコンミラー面、剥離角度：９０°、剥離速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ、２３℃で５０％ＲＨの条件下）が、０．０５〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、好ましくは０．１〜０．３Ｎ／２５ｍｍ、さらに好ましくは０．１〜０．２Ｎ／２５ｍｍである。この剥離力が０．４Ｎ／２５ｍｍを超えるとピックアップ時に粘着剤層３と半導体ウエハ６（図２参照）との界面での剥離が困難になり、ピックアップができない、もしくは仮にピックアップできたとしても半導体ウエハ６が割れるおそれがある。また、逆に剥離力が０．０５Ｎ/２５ｍｍ以下と低すぎるとピックアップの際に隣接する半導体チップ１０（図４参照）が飛び散るおそれがある。   Moreover, the peeling force after radiation-curing the pressure-sensitive adhesive layer 3 (measured in the same manner as above) (with respect to the silicon mirror surface, peeling angle: 90 °, peeling speed: 50 mm / min, conditions of 50% RH at 23 ° C. Lower) is 0.05 to 0.4 N / 25 mm, preferably 0.1 to 0.3 N / 25 mm, more preferably 0.1 to 0.2 N / 25 mm. If this peeling force exceeds 0.4 N / 25 mm, it becomes difficult to peel off at the interface between the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the semiconductor wafer 6 (see FIG. 2) at the time of picking up. The wafer 6 may break. On the other hand, if the peeling force is too low at 0.05 N / 25 mm or less, the adjacent semiconductor chip 10 (see FIG. 4) may be scattered at the time of pickup.

さらに、剥離速度１０００ｍｍ／ｍｉｎとして、上記と同様にして測定した、粘着剤層３を放射線硬化させた後における剥離力（対シリコンミラー面、剥離角度：９０°、２３℃で５０％ＲＨの条件下）が、０．４Ｎ／２５ｍｍ以下である。また、上記粘着剤層３を放射線硬化させた後における剥離力について、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉ）、１０００ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉｉ）としたとき、（ｉｉ）／（ｉ）が１以下であり、好ましくは０．９以下であり、さらに好ましくは０．８以下である。この比が１を超えるとピックアップの際の突き上げピン１２（図５参照）の突き上げ速度が遅い場合には、剥離力が低いためピックアップに支障をきたさないが、突き上げ速度が速い場合には、剥離力が高くなってしまうため、特に薄膜の半導体ウエハ６においてはチップ割れ等の不具合が生じるおそれがある。   Furthermore, the peeling force (against the silicon mirror surface, peeling angle: 90 °, 50% RH at 23 ° C.) after radiation-curing the pressure-sensitive adhesive layer 3 was measured in the same manner as described above at a peeling rate of 1000 mm / min. Lower) is 0.4 N / 25 mm or less. Further, regarding the peel force after radiation-curing the pressure-sensitive adhesive layer 3, when the peel force at a peel speed of 50 mm / min is (i) and the peel force at 1000 mm / min is (ii), (ii) / (I) is 1 or less, preferably 0.9 or less, and more preferably 0.8 or less. If this ratio exceeds 1, if the push-up speed of the push-up pin 12 (see FIG. 5) at the time of pick-up is slow, the pick-up force is low, so that the pick-up is not hindered. Since the force becomes high, there is a possibility that problems such as chip cracking may occur particularly in the thin-film semiconductor wafer 6.

＜使用方法＞
次に、本発明のダイシングテープ１の使用方法について説明する。 <How to use>
Next, the usage method of the dicing tape 1 of this invention is demonstrated.

本発明のダイシングテープ１は、被切断物である半導体部品へ貼り付けるマウント工程の後に、常法に従ってダイシング工程に供され、更に放射線照射工程、ピックアップ工程へと移される。半導体部品としてはシリコン半導体、化合物半導体、半導体パッケージ、ガラス、セラミックス等が挙げられる。   The dicing tape 1 of the present invention is subjected to a dicing process according to a conventional method after a mounting process to be bonded to a semiconductor component that is a workpiece, and further transferred to a radiation irradiation process and a pick-up process. Examples of semiconductor components include silicon semiconductors, compound semiconductors, semiconductor packages, glass, and ceramics.

マウント工程は、通常、半導体ウエハ６の裏面研削工程や、半導体ウエハ６の裏面研削工程に続いて行われる破砕層除去工程等の後に、連続して（半導体ウエハ６の裏面研削工程や破砕層除去工程の直後に）、または短期間のうちに（半導体ウエハ６の裏面研削工程や破砕層除去工程が終了してから数時間以内に）実施することができる。   The mounting process is usually performed continuously after the back grinding process of the semiconductor wafer 6 or the crushing layer removal process performed subsequent to the back grinding process of the semiconductor wafer 6 (the back grinding process or crushing layer removal of the semiconductor wafer 6). Immediately after the process) or within a short period of time (within several hours after completion of the back grinding process and crushing layer removal process of the semiconductor wafer 6).

マウント工程では、図２に示すように、通常、半導体ウエハ６等の被加工物と、ダイシングテープ１とを、被加工物における研削面と、粘着剤層３とが接触する形態で重ね合わせ、図示しない圧着ロールを用いた押圧手段等の従来の押圧手段により押圧しながら、被加工物とダイシングテープ１との貼り付けを行う。また、各工程においてダイシングテープ１を保持するためのリングフレーム７を粘着剤層３の被加工物（半導体ウエハ６）の貼合位置より外側に貼り付ける。   In the mounting step, as shown in FIG. 2, the workpiece such as the semiconductor wafer 6 and the dicing tape 1 are usually superposed in such a manner that the ground surface of the workpiece and the adhesive layer 3 are in contact with each other. The workpiece and the dicing tape 1 are attached while being pressed by a conventional pressing means such as a pressing means using a pressure roll (not shown). Moreover, the ring frame 7 for holding the dicing tape 1 in each step is stuck outside the bonding position of the workpiece (semiconductor wafer 6) of the pressure-sensitive adhesive layer 3.

ダイシング工程は、図３に示すように、吸着ステージ８に被切断体が貼付されたダイシングテープ１を載置し、ブレード９を高速回転させ、被切断体を所定のサイズに切断する。ダイシングは、ダイシングテープ１の一部まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。ダイシング後には、放射線、特に好ましくは、紫外線の照射により粘着剤層３を硬化させ、粘着性を低下させ、ダイシングテープ１から半導体チップ１０等のダイシングされた切断片を容易に行うことができる。   In the dicing step, as shown in FIG. 3, the dicing tape 1 with the object to be cut is placed on the suction stage 8, the blade 9 is rotated at a high speed, and the object to be cut is cut into a predetermined size. For the dicing, a cutting method called full cut that cuts a part of the dicing tape 1 can be adopted. After the dicing, the pressure-sensitive adhesive layer 3 is cured by irradiation with radiation, particularly preferably ultraviolet rays, the adhesiveness is lowered, and a diced cut piece such as the semiconductor chip 10 from the dicing tape 1 can be easily performed.

放射線、特に好ましくは、紫外線照射の後は、ピックアップ工程に供される。ピックアップ工程では、図４に示すように、エキスパンド工程を設けることができる。エキスパンド工程では、円筒状の突き上げ部材１１をダイシングテープ１の下方からリングフレーム７と切断片の間に突き当てるように上昇させることにより、ダイシングテープ１が周方向及び径方向に引き伸ばされる。ピックアップ方法としては、特に限定されず、従来の種々のピックアップ方法を採用することができる。例えば、図５に示すように、個々の切断片（半導体チップ１０）を、ダイシングテープ１の下方から突き上げピン１２によって突き上げ、突き上げられた切断片（半導体チップ１０）を吸着コレット１３等のピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。   After radiation, particularly preferably UV irradiation, it is subjected to a pick-up process. In the pickup process, as shown in FIG. 4, an expanding process can be provided. In the expanding step, the dicing tape 1 is stretched in the circumferential direction and the radial direction by raising the cylindrical push-up member 11 from below the dicing tape 1 so as to abut between the ring frame 7 and the cut piece. The pickup method is not particularly limited, and various conventional pickup methods can be employed. For example, as shown in FIG. 5, each cut piece (semiconductor chip 10) is pushed up from below the dicing tape 1 by a push-up pin 12, and the pushed-up cut piece (semiconductor chip 10) is a pickup device such as a suction collet 13. The method of picking up is mentioned.

次に本発明を実施例に基づき更に詳細に説明する。以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。   Next, the present invention will be described in more detail based on examples. EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

（実施例１）
アクリル酸エチルおよびアクリル酸ブチル、２−ヒドロキシエチルアクリレートを質量比７：２：１の割合で、酢酸エチル中で常法により共重合させて、主鎖に対して水酸基が結合されたアクリル重合体（Ａ）を含む溶液（アクリル共重合体含有溶液Ａａ）を得た。続いて、当該アクリル重合体（Ａ）１００質量部に対して、フタル酸ジオクチルを５質量部と、放射線硬化剤として商品名「ＵＶ３０００」（日本合成化学社製）を３０質量部と、光重合開始剤として商品名「イルガキュア６５１」（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）を２.５質量部と、架橋剤としてポリイソシアネート系化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業社製）を１質量部とを加えて、紫外線硬化型アクリル系粘着剤溶液Ｘ１を得た。 Example 1
Acrylic polymer in which ethyl acrylate, butyl acrylate and 2-hydroxyethyl acrylate are copolymerized in a mass ratio of 7: 2: 1 in a conventional manner in ethyl acetate, and a hydroxyl group is bonded to the main chain. A solution containing (A) (acrylic copolymer-containing solution Aa) was obtained. Subsequently, for 100 parts by mass of the acrylic polymer (A), 5 parts by mass of dioctyl phthalate and 30 parts by mass of a trade name “UV3000” (manufactured by Nippon Synthetic Chemical) as a radiation curing agent, 2.5 parts by mass of the trade name “Irgacure 651” (manufactured by Ciba Specialty Chemicals) as an initiator and 1 polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) as a crosslinking agent By adding parts by mass, an ultraviolet curable acrylic pressure-sensitive adhesive solution X1 was obtained.

基材樹脂フィルムとして、片面にコロナ放電処理が施された低密度ポリエチレン製フィルム（厚み：１００μｍ）を用い、コロナ放電処理面に、前記紫外線硬化型アクリル系粘着剤溶液Ｘ１を塗布し、８０℃で１０分間加熱して、加熱架橋させた。これにより、基材樹脂フィルム上に、放射線硬化型の粘着剤層としての紫外線硬化型粘着剤層（厚さ：１０μｍ）を形成した。次に、この紫外線硬化型粘着剤層の表面にセパレータを貼り合わせて、実施例１に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。   As the base resin film, a low-density polyethylene film (thickness: 100 μm) subjected to corona discharge treatment on one side is used, and the ultraviolet curable acrylic pressure-sensitive adhesive solution X1 is applied to the corona discharge treatment surface at 80 ° C. And heated for 10 minutes for crosslinking by heating. As a result, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer (thickness: 10 μm) as a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer was formed on the base resin film. Next, a separator was bonded to the surface of the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer to produce an ultraviolet curable dicing tape according to Example 1.

（実施例２）
フタル酸ジオクチルを０．５質量部とした以外は実施例１と同様にして、実施例２に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。 (Example 2)
An ultraviolet curable dicing tape according to Example 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that 0.5 part by mass of dioctyl phthalate was changed.

（実施例３）
フタル酸ジオクチルを３０質量部とした以外は実施例１と同様にして、実施例３に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。 (Example 3)
An ultraviolet curable dicing tape according to Example 3 was produced in the same manner as Example 1 except that dioctyl phthalate was changed to 30 parts by mass.

（実施例４）
フタル酸ジオクチルの代わりにフタル酸ジイソノニルを５質量部加えた以外は実施例１と同様にして、実施例４に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。 Example 4
An ultraviolet curable dicing tape according to Example 4 was produced in the same manner as in Example 1 except that 5 parts by mass of diisononyl phthalate was added instead of dioctyl phthalate.

（実施例５）
フタル酸ジオクチルの代わりにフタル酸ジブチルを５質量部加えた以外は実施例１と同様にして、実施例５に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。 (Example 5)
An ultraviolet curable dicing tape according to Example 5 was produced in the same manner as in Example 1 except that 5 parts by mass of dibutyl phthalate was added instead of dioctyl phthalate.

（実施例６）
酢酸ビニルを、酢酸エチル中で常法により重合させて、酢酸ビニル重合体（Ｂ）を含む溶液（酢酸ビニル重合体含有溶液Ｂａ）を得た。続いて、当該酢酸ビニル重合体（Ｂ）（ポリ酢酸ビニル）１００質量部に対して、フタル酸ジオクチルを５質量部と、放射線硬化剤として商品名「ＵＶ３０００」（日本合成化学社製）を３０質量部と、光重合開始剤として商品名「イルガキュア６５１」（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製を２.５質量部と、架橋剤としてポリイソシアネート系化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業社製）を１質量部とを加えて、紫外線硬化型酢酸ビニル系粘着剤溶液Ｘ２を得た。 (Example 6)
Vinyl acetate was polymerized in a conventional manner in ethyl acetate to obtain a solution containing the vinyl acetate polymer (B) (vinyl acetate polymer-containing solution Ba). Subsequently, with respect to 100 parts by mass of the vinyl acetate polymer (B) (polyvinyl acetate), 5 parts by mass of dioctyl phthalate and 30 trade name “UV3000” (manufactured by Nippon Synthetic Chemical Co., Ltd.) as a radiation curing agent. Part by mass, 2.5 parts by mass of trade name “Irgacure 651” (manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) as a photopolymerization initiator, and a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) 1 part by mass) was added to obtain an ultraviolet curable vinyl acetate pressure-sensitive adhesive solution X2.

その後、実施例１と同様にして、基材樹脂フィルムに紫外線硬化型粘着剤層を形成し、紫外線硬化型粘着剤層の表面にセパレータを貼り合わせて、実施例６に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。   Thereafter, in the same manner as in Example 1, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer was formed on the base resin film, a separator was bonded to the surface of the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer, and ultraviolet curable dicing according to Example 6 was performed. A tape was prepared.

（実施例７）
モノマー成分として、アクリル酸２−エチルヘキシルと２−ヒドロキシエチルアクリレートを質量比８：２の割合で、酢酸エチル中で共重合させて、主鎖に対して水酸基が結合されたアクリル重合体（Ａ）を含む溶液（アクリル共重合体含有溶液Ａｂ）を得た。次に、前記アクリル共重合体含有溶液Ａｂに、光重合性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物として２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、また、触媒としてジラウリン酸ジブチルスズを加えて、５０℃で２４時間反応させて、側鎖の末端に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマー（Ａ２）を含む溶液（アクリル共重合体含有溶液Ａ２ｂ）を得た。この側鎖の末端に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマー（Ａ２）の水酸基価をＪＩＳ Ｋ ００７０に記載のピリジン−無水酢酸によるアセチル化法で測定したところ、９．８ｍｇＫＯＨ／ｇであった。続いて、上記側鎖の末端に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマー（Ａ２）１００質量部に対して、フタル酸ジオクチルを５質量部と、光重合開始剤として商品名「イルガキュア６５１」（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）を２.５質量部と、ポリイソシアネート系化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業社製）を１質量部とを加えて、紫外線硬化型アクリル系粘着剤溶液Ｘ３を得た。 (Example 7)
As a monomer component, acrylic polymer (A) in which 2-ethylhexyl acrylate and 2-hydroxyethyl acrylate are copolymerized in ethyl acetate at a mass ratio of 8: 2 and a hydroxyl group is bonded to the main chain. A solution (acrylic copolymer-containing solution Ab) containing was obtained. Next, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate as a compound having a photopolymerizable carbon-carbon double bond and a functional group is added to the acrylic copolymer-containing solution Ab, and dibutyltin dilaurate is added as a catalyst at 50 ° C. The solution was reacted for 24 hours to obtain a solution (acrylic copolymer-containing solution A2b) containing an acrylic polymer (A2) having a carbon-carbon double bond at the end of the side chain. When the hydroxyl value of the acrylic polymer (A2) having a carbon-carbon double bond at the end of this side chain was measured by the acetylation method with pyridine-acetic anhydride described in JIS K0070, it was 9.8 mgKOH / g. It was. Subsequently, for 100 parts by mass of the acrylic polymer (A2) having a carbon-carbon double bond at the end of the side chain, 5 parts by mass of dioctyl phthalate and a trade name “Irgacure 651” as a photopolymerization initiator. 2.5 parts by mass (Ciba Specialty Chemicals) and 1 part by mass of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) are added. An adhesive solution X3 was obtained.

基材樹脂フィルムとして、片面にコロナ放電処理が施された低密度ポリエチレン製フィルム（厚み：１００μｍ）を用い、コロナ放電処理面に、前記紫外線硬化型アクリル系粘着剤溶液Ｘ３を塗布し、８０℃で１０分間加熱して、加熱架橋させた。これにより、基材樹脂フィルム上に、放射線硬化型の粘着剤層としての紫外線硬化型粘着剤層（厚さ：１０μｍ）を形成した。次に、この紫外線硬化型粘着剤層の表面にセパレータを貼り合わせて、実施例７に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。   As the base resin film, a low-density polyethylene film (thickness: 100 μm) subjected to corona discharge treatment on one side was used, and the ultraviolet curable acrylic pressure-sensitive adhesive solution X3 was applied to the corona discharge treatment surface at 80 ° C. And heated for 10 minutes for crosslinking by heating. As a result, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer (thickness: 10 μm) as a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer was formed on the base resin film. Next, a separator was bonded to the surface of the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer to produce an ultraviolet curable dicing tape according to Example 7.

（比較例１）
フタル酸ジオクチルを添加しない以外は実施例１と同様にして、比較例１に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。 (Comparative Example 1)
An ultraviolet curable dicing tape according to Comparative Example 1 was produced in the same manner as in Example 1 except that dioctyl phthalate was not added.

（比較例２）
フタル酸ジオクチルを０．４５質量部とした以外は実施例１と同様にして、比較例２に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。 (Comparative Example 2)
An ultraviolet curable dicing tape according to Comparative Example 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that dioctyl phthalate was changed to 0.45 parts by mass.

（比較例３）
フタル酸ジオクチルを３５質量部とした以外は実施例１と同様にして、比較例３に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。 (Comparative Example 3)
An ultraviolet curable dicing tape according to Comparative Example 3 was produced in the same manner as in Example 1 except that dioctyl phthalate was changed to 35 parts by mass.

（比較例４）
フタル酸ジオクチルを添加しない以外は実施例６と同様にして、比較例４に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。 (Comparative Example 4)
An ultraviolet curable dicing tape according to Comparative Example 4 was produced in the same manner as in Example 6 except that dioctyl phthalate was not added.

（比較例５）
フタル酸ジオクチルを添加しない以外は実施例７と同様にして、比較例５に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。 (Comparative Example 5)
An ultraviolet curable dicing tape according to Comparative Example 5 was produced in the same manner as Example 7 except that dioctyl phthalate was not added.

＜相溶性＞
実施例１〜７及び比較例２，３の作成の際に配合した各紫外線硬化型アクリル系粘着剤溶液について、フタル酸エステルの相溶性を目視にて評価した。１０時間経過後にも透明な状態を維持していたものを◎、７時間経過後に不透明であったものを○、３時間経過後に不透明であったものを△、１時間経過後に不透明であったものを×とした。その結果を表１及び表２に示す。 <Compatibility>
The compatibility of the phthalate ester was visually evaluated for each of the ultraviolet curable acrylic pressure-sensitive adhesive solutions blended in the production of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 2 and 3. Those that remained transparent even after 10 hours passed, those that were opaque after 7 hours passed, those that were opaque after 7 hours passed, those that were opaque after 3 hours passed, those that were opaque after 1 hour passed Was marked with x. The results are shown in Tables 1 and 2.

＜剥離力＞
（１）放射線硬化前剥離力
実施例１〜７および比較例１〜５で得られたダイシングテープについて、２３℃、５０％ＲＨの条件下で、＃２０００で研磨されたシリコンウエハのミラー面に貼付した。２３℃、５０％ＲＨの条件下で１時間経過後、粘着剤層を放射線硬化させる前の剥離力（対シリコンミラー面、剥離角度：９０°、引張速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ、２３℃、５０％ＲＨ）を測定した。その結果を表１及び表２に示す。なお、各種剥離力はＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠して測定した。 <Peeling force>
(1) Release force before radiation curing About the dicing tapes obtained in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 5 on the mirror surface of a silicon wafer polished in # 2000 under conditions of 23 ° C. and 50% RH Affixed. After 1 hour under the conditions of 23 ° C. and 50% RH, the peeling force before radiation-curing the pressure-sensitive adhesive layer (with respect to the silicon mirror surface, peeling angle: 90 °, tensile speed: 50 mm / min, 23 ° C., 50% RH) was measured. The results are shown in Tables 1 and 2. Various peeling forces were measured according to JIS Z 0237.

（２）放射線硬化後剥離力
実施例１〜７および比較例１〜５で得られたダイシングテープについて、２３℃、５０％ＲＨの条件下で、＃２０００で研磨されたシリコンウエハのミラー面に貼付した。２３℃、５０％ＲＨの条件下で１時間経過後、ダイシングテープ裏面から紫外線を２００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、粘着剤層を放射線硬化させた後の剥離力（対シリコンミラー面、剥離角度：９０°、引張速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ及び１０００ｍｍ／ｍｉｎでそれぞれ、２３℃、５０％ＲＨ）を測定した。また、上記引張速度１０００ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力（ｉｉ）の引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力（ｉ）に対する比（（ｉｉ）／（ｉ））をそれぞれ算出した。これらの結果を表１及び表２に示す。 (2) Release force after radiation curing About the dicing tapes obtained in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 5 on the mirror surface of a silicon wafer polished in # 2000 under conditions of 23 ° C. and 50% RH Affixed. After 1 hour under the conditions of 23 ° C. and 50% RH, the peeling force after radiating the adhesive layer with radiation from the back surface of the dicing tape at 200 mJ / cm 2 (with respect to the silicon mirror surface, peeling angle: 90 °, tensile speed: 50 mm / min and 1000 mm / min, respectively 23 ° C. and 50% RH). Further, the ratio ((ii) / (i)) of the peeling force (ii) at the tensile speed of 1000 mm / min to the peeling force (i) at the tensile speed of 50 mm / min was calculated. These results are shown in Tables 1 and 2.

＜ピックアップ性＞
実施例１〜７及び比較例１〜５で得られたダイシングテープについて、以下の手順に従って試験を行い、ピックアップ性について評価した。 <Pickup property>
About the dicing tape obtained in Examples 1-7 and Comparative Examples 1-5, it tested according to the following procedures and evaluated pick-up property.

（１）８インチのシリコンウエハの裏面を２軸にて３０μｍ研削後、シリコンウエハの最終厚みが５０ｕｍもしくは３００μｍとなるまで研削した。研磨条件は下記のとおりである。
（研磨条件）
グラインダー：ＤＩＳＣＯ社製、商品名「ＤＦＧ−８４０」
１軸：＃６００砥石（回転数：４８００ｒｐｍ、ダウンスピード：Ｐ１：３．０μｍ／ｓｅｃ、Ｐ２：２．０μｍ／ｓｅｃ）
２軸：＃２０００砥石（回転数：５５００ｒｐｍ、ダウンスピード：Ｐ１：０．８μｍ／ｓｅｃ、Ｐ２：０．６μｍ／ｓｅｃ） (1) The back surface of an 8-inch silicon wafer was ground by 30 μm on two axes, and then ground until the final thickness of the silicon wafer was 50 μm or 300 μm. The polishing conditions are as follows.
(Polishing conditions)
Grinder: Product name “DFG-840” manufactured by DISCO
1 axis: # 600 whetstone (rotation speed: 4800 rpm, down speed: P1: 3.0 μm / sec, P2: 2.0 μm / sec)
2-axis: # 2000 grinding wheel (rotation speed: 5500 rpm, down speed: P1: 0.8 μm / sec, P2: 0.6 μm / sec)

（２）（１）の研削終了後５分以内に、各例のダイシングテープを、前記（１）で得られた半導体ウエハの研削面に貼着すると共に、リングフレームに固定した。 (2) Within 5 minutes after the completion of grinding in (1), the dicing tape of each example was adhered to the grinding surface of the semiconductor wafer obtained in (1) and fixed to the ring frame.

（３）（２）でリングフレームに固定された半導体ウエハを、ダイシング装置を用いて、下記のダイシング条件で、設定した分割予定ラインに沿ってフルカットした。
（ダイシング条件１：シリコンウエハ３００ｕｍ厚）
ダイサー：ＤＩＳＣＯ社製、商品名「ＤＦＤ−３４０」
ブレード：ＤＩＳＣＯ社製、商品名「２７ＨＥＥＥ」
ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
ダイシング速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシング深さ：２５μｍ
カットモード：ダウンカット
ダイシングサイズ：５.０×５.０ｍｍ
（ダイシング条件２：シリコンウエハ５０ｕｍ厚）
ダイサー：ＤＩＳＣＯ社製、商品名「ＤＦＤ−３４０」
ブレード：ＤＩＳＣＯ社製、商品名「２７ＨＥＣＣ」
ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
ダイシング速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシング深さ：２５μｍ
カットモード：ダウンカット
ダイシングサイズ：１５.０×１０.０ｍｍ (3) The semiconductor wafer fixed to the ring frame in (2) was fully cut along the set division planned line under the following dicing conditions using a dicing apparatus.
(Dicing condition 1: Silicon wafer 300um thickness)
Dicer: DISCO, product name “DFD-340”
Blade: Made by DISCO, trade name “27HEEE”
Blade rotation speed: 40000 rpm
Dicing speed: 100mm / sec
Dicing depth: 25μm
Cut mode: Down cut Dicing size: 5.0 × 5.0mm
(Dicing condition 2: Silicon wafer 50um thickness)
Dicer: DISCO, product name “DFD-340”
Blade: Made by DISCO, trade name "27HECC"
Blade rotation speed: 40000 rpm
Dicing speed: 100mm / sec
Dicing depth: 25μm
Cut mode: Down cut Dicing size: 15.0 × 10.0mm

（４）ダイシングテープを貼着してから７日間経過した後、ダイシングテープの基材樹脂フィルム側から、紫外線を２００ｍＪ／ｃｍ２で照射して粘着剤層を硬化させた後、個片化された半導体チップを、ダイスピッカー装置を用いて、ピックアップした。任意の半導体チップ５０個を、下記のピックアップ条件でピックアップし、チップ割れやチップ飛びが生じることなくピックアップが成功した半導体チップ数をカウントし、ピックアップ成功率を評価した。その結果を表１及び表２に示す。なお、ピックアップ成功率が９０％以上のものが合格と判定できる。
（ピックアップ条件１：シリコンウエハ３００ｕｍ厚）
ダイボンダー：キャノンマシナリー社製「ＣＡＰ−３００ＩＩ」
ピン数：４本
ピンの間隔：３．８×３．８ｍｍ
ピン先端曲率：０．２５ｍｍ
ピン突き上げ量：０．４０ｍｍ
ピン突き上げ速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ
ピン突き上げ保持時間：１０００ｍｓ
（ピックアップ条件２：シリコンウエハ５０ｕｍ厚）
ダイボンダー：キャノンマシナリー社製「ＣＡＰ−３００ＩＩ」
ピン数：４本
ピンの間隔：７．８×７．８ｍｍ
ピン先端曲率：０．２５ｍｍ
ピン突き上げ量：０．４０ｍｍ
ピン突き上げ速度：８００ｍｍ／ｍｉｎ
ピン突き上げ保持時間：１００ｍｓ (4) After 7 days have passed since the dicing tape was applied, the adhesive layer was cured by irradiating with 200 mJ / cm 2 of ultraviolet light from the base resin film side of the dicing tape, and then separated into individual pieces. The semiconductor chip was picked up using a die picker device. 50 arbitrary semiconductor chips were picked up under the following pickup conditions, the number of semiconductor chips successfully picked up without causing chip breakage or chip jumping was counted, and the pickup success rate was evaluated. The results are shown in Tables 1 and 2. A pickup having a success rate of 90% or more can be determined to be acceptable.
(Pickup condition 1: Silicon wafer 300um thickness)
Die bonder: “CAP-300II” manufactured by Canon Machinery
Number of pins: 4-pin spacing: 3.8 x 3.8 mm
Pin tip curvature: 0.25mm
Pin push-up amount: 0.40mm
Pin push-up speed: 50mm / min
Pin push-up holding time: 1000ms
(Pickup condition 2: silicon wafer 50um thickness)
Die bonder: “CAP-300II” manufactured by Canon Machinery
Number of pins: 4-pin spacing: 7.8 x 7.8 mm
Pin tip curvature: 0.25mm
Pin push-up amount: 0.40mm
Pin push-up speed: 800mm / min
Pin push-up holding time: 100 ms

＜ウエハ表面汚染性＞
上記ピックアップされたチップのダイシングテープと貼合されていた面をＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy、Ｘ線光電子分光分析）にて下記測定条件で測定し、ダイシングテープからの汚染物に由来する炭素の増加量を、ダイシングテープと貼合していないウエハと比較し、ｍｏｌ％として算出した。その結果を表１及び表２に示す。炭素の増加量が５ｍｏｌ％未満を優良品として◎、５〜１０ｍｏｌ％未満を良品として○、１０〜３０ｍｏｌ％未満を許容品として△ 、３０ｍｏｌ％以上を不良品として×で示した。
（測定条件）
Ｘ線源：ＭｇＫα
Ｘ線：Ｔａｋｅ ｏｆｆ ａｎｇｌｅ４５°
測定面積：１．１ｍｍΦ <Wafer surface contamination>
The surface of the picked-up chip bonded to the dicing tape is measured by XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) under the following measurement conditions, and the carbon derived from contaminants from the dicing tape is measured. The amount of increase was calculated as mol% in comparison with the wafer not bonded to the dicing tape. The results are shown in Tables 1 and 2. Less than 5 mol% of carbon increased as excellent products, 未 満 as less than 5-10 mol% as good, △ as less than 10-30 mol% as acceptable, and x as 30 mol% or more as defective.
(Measurement condition)
X-ray source: MgKα
X-ray: Take off angle 45 °
Measurement area: 1.1mmΦ

Figure 0005294366
Figure 0005294366

Figure 0005294366
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表１に示されるように、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎにおける、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力が、前記粘着剤層を放射線硬化させる前は０．５Ｎ／２５ｍｍ以上であり、前記粘着剤層を放射線硬化させた後は０．０５〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、かつ、前記粘着剤層を放射線硬化させた後の、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度における、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力について、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉ）、１０００ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉｉ）としたとき、（ｉｉ）／（ｉ）が１以下である実施例１〜７のダイシングテープでは、ピックアップ性がピックアップ条件１，２ともに良好な結果となった。すなわち、薄型の半導体チップをチップ割れやチップ飛びを良好に抑制して、短時間で効率良くピックアップすることができた。   As shown in Table 1, the peeling force with the silicon mirror wafer polished in # 2000 at a peeling angle of 90 degrees and a peeling speed of 50 mm / min under the conditions of 23 ° C. and 50% RH Before radiation curing is 0.5 N / 25 mm or more, after curing the pressure-sensitive adhesive layer is 0.05 to 0.4 N / 25 mm, and after pressure-curing the pressure-sensitive adhesive layer With respect to the peeling force with a silicon mirror wafer polished at # 2000 at a peeling angle of 90 degrees under the conditions of 23 ° C. and 50% RH, the peeling force at a peeling speed of 50 mm / min is (i) 1000 mm / min. In the dicing tapes of Examples 1 to 7 where (ii) / (i) is 1 or less when the peel force of the film is (ii), the pick-up property is good in both pickup conditions 1 and 2 It was. That is, it was possible to efficiently pick up a thin semiconductor chip in a short time while suppressing chip breakage and chip skipping.

これに対して、表２に示されるように、上記（ｉｉ）／（ｉ）が１を超える比較例１，２，４，５のダイシングテープでは、ピックアップ条件１ではピックアップ性が良好な結果となったが、ヒップアップ条件２ではピックアップ性が悪い結果となった。すなわち、従来の厚さの半導体チップは問題なくピックアップできるものの、薄型の半導体チップは、早い突き上げ速度でピンを突き上げてピックアップを行うと粘着剤層と半導体チップとの間の剥離力が大きくなり、チップ割れが生じる結果となった。また、上記（ｉｉ）／（ｉ）が１以下であるが、上記剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎにおける、粘着剤層を放射線硬化させる前の剥離力が０．５Ｎ／２５ｍｍ未満であり、粘着剤層を放射線硬化させた後の剥離力が０．０５Ｎ／２５ｍｍ未満である比較例３では、ピックアップ条件１，２ともにピックアップの際にチップ割れは生じないものの、ピックアップの際に隣接するチップが飛んでしまうチップ飛びが多く生じたため、ピックアップ性が悪い結果となった。   On the other hand, as shown in Table 2, the dicing tapes of Comparative Examples 1, 2, 4, and 5 in which (ii) / (i) exceeded 1 showed a good pickup property under pickup condition 1. However, under the hip-up condition 2, the pick-up performance was poor. In other words, while the conventional thickness semiconductor chip can be picked up without any problem, the thin semiconductor chip increases the peel force between the pressure-sensitive adhesive layer and the semiconductor chip when the pin is picked up at a high push-up speed, This resulted in chip cracking. Moreover, although said (ii) / (i) is 1 or less, the peeling force before radiation-curing an adhesive layer in the said peeling speed of 50 mm / min is less than 0.5 N / 25mm, and an adhesive layer is used. In Comparative Example 3 in which the peeling force after radiation curing is less than 0.05 N / 25 mm, chip breakage does not occur during pickup in both pickup conditions 1 and 2, but adjacent chips fly during pickup. Since many chip jumps occurred, the pickup performance was poor.

なお、フタル酸エステル類をアクリル重合体（Ａ）１００質量部に対して３０質量部より多く含む比較例３では、粘着剤との相溶性が悪く、添加量が０．５〜３０質量部である場合と比べて、ウエハ汚染性がやや劣る結果となった。また、フタル酸ジイソノニルを添加した実施例４では、他のフタル酸エステル類を添加した場合と比べて相溶性に劣る結果となったが、実使用上問題はなかった。水への溶解性が０．１ｍｇ／Ｌを超えるフタル酸ジブチルを添加した実施例５では、ダイシングの際の切削水にフタル酸ジブチルが溶解してウエハ表面汚染性が悪化したが、許容範囲であった。   In Comparative Example 3 containing more than 30 parts by mass of the phthalate ester with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer (A), the compatibility with the pressure-sensitive adhesive is poor, and the addition amount is 0.5 to 30 parts by mass. Compared with some cases, the wafer contamination was slightly inferior. Further, in Example 4 in which diisononyl phthalate was added, the results were inferior in compatibility with the case where other phthalates were added, but there was no problem in practical use. In Example 5 in which dibutyl phthalate having a solubility in water exceeding 0.1 mg / L was added, dibutyl phthalate was dissolved in cutting water during dicing and the wafer surface contamination was deteriorated. there were.

１：ダイシングテープ
２：基材樹脂フィルム
３：粘着剤層
４：セパレータ
６：半導体ウエハ
１０：半導体チップ 1: Dicing tape 2: Base resin film 3: Adhesive layer 4: Separator 6: Semiconductor wafer 10: Semiconductor chip

Claims (2)

基材樹脂フィルムの少なくとも片側に放射線硬化性の粘着剤層を有し、前記粘着剤層にウエハを貼合して前記ウエハをダイシングするダイシングテープであって、
前記粘着剤層は、アクリル重合体、酢酸ビニル重合体および炭素―炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーからなる群より選ばれる１種または２種以上のポリマー１００質量部に対し、フタル酸エステル類を０．５〜３０質量部含み、
２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎにおける、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力が、前記粘着剤層を放射線硬化させる前は０．５Ｎ／２５ｍｍ以上であり、前記粘着剤層を放射線硬化させた後は０．０５〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、
かつ、前記粘着剤層を放射線硬化させた後の、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度における、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力について、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉ）、１０００ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉｉ）としたとき、（ｉｉ）／（ｉ）が１以下であることを特徴とするダイシングテープ。 A dicing tape that has a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer on at least one side of the base resin film, and dices the wafer by bonding a wafer to the pressure-sensitive adhesive layer,
The pressure-sensitive adhesive layer is a phthalate ester based on 100 parts by mass of one or more polymers selected from the group consisting of an acrylic polymer, a vinyl acetate polymer, and an acrylic polymer having a carbon-carbon double bond. 0.5 to 30 parts by mass,
The peeling force with the silicon mirror wafer polished in # 2000 at 23 ° C. and 50% RH at a peeling angle of 90 degrees and a peeling speed of 50 mm / min is 0.5 N before the adhesive layer is radiation-cured. / 25 mm or more, and 0.05 to 0.4 N / 25 mm after radiation-curing the pressure-sensitive adhesive layer,
And about the peeling force with the silicon mirror wafer polished by # 2000 at a peeling angle of 90 degrees under the conditions of 23 ° C. and 50% RH after radiation-curing the pressure-sensitive adhesive layer, the peeling speed is 50 mm / min. A dicing tape, wherein (ii) / (i) is 1 or less, where (i) is the peel force at 1000 and (ii) is the peel force at 1000 mm / min. 前記フタル酸エステル類の水への溶解度が、０．１ｍｇ／Ｌ以下であることを特徴とする請求項１に記載のダイシングテープ。 The dicing tape according to claim 1, wherein the solubility of the phthalates in water is 0.1 mg / L or less .
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