JP7007827B2 - Die bond film, dicing die bond film, and semiconductor device manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置の製造過程で使用することのできるダイボンドフィルムおよびダイシングダイボンドフィルム、並びに、半導体装置製造方法、に関する。 The present invention relates to a die bond film and a dicing die bond film that can be used in the process of manufacturing a semiconductor device, and a method for manufacturing a semiconductor device.
半導体装置の製造過程においては、ダイボンディング用のチップ相当サイズの接着フィルムを伴う半導体チップ、即ちダイボンドフィルム付き半導体チップを得るうえで、ダイシングダイボンドフィルムが使用される場合がある。ダイシングダイボンドフィルムは、加工対象である半導体ウエハに対応するサイズを有し、例えば、基材および粘着剤層からなるダイシングテープと、その粘着剤層側に剥離可能に密着しているダイボンドフィルムとを有する。 In the manufacturing process of a semiconductor device, a dicing die bond film may be used to obtain a semiconductor chip having an adhesive film having a size equivalent to that of a chip for die bonding, that is, a semiconductor chip with a die bond film. The dicing die bond film has a size corresponding to the semiconductor wafer to be processed, and for example, a dicing tape composed of a base material and an adhesive layer and a dicing tape that is detachably adhered to the adhesive layer side thereof are formed. Have.
ダイシングダイボンドフィルムを使用してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る手法の一つとして、ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドしてダイボンドフィルムを割断するための工程を経る手法が知られている。この手法では、まず、ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上にワークである半導体ウエハが貼り合わせられる。この半導体ウエハは、例えば、後にダイボンドフィルムの割断に共だって割断されて複数の半導体チップへと個片化可能なように、加工されたものである。次に、それぞれが半導体チップに密着している複数の接着フィルム小片がダイシングテープ上のダイボンドフィルムから生じるように当該ダイボンドフィルムを割断すべく、ダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープがエキスパンドされる(割断用のエキスパンド工程)。このエキスパンド工程では、ダイボンドフィルム上の半導体ウエハにおけるダイボンドフィルム割断箇所に対応する箇所でも割断が生じ、ダイシングダイボンドフィルムないしダイシングテープ上にて半導体ウエハが複数の半導体チップに個片化される。次に、例えば洗浄工程を経た後、各半導体チップがそれに密着しているチップ相当サイズのダイボンドフィルムと共に、ダイシングテープの下側からピックアップ機構のピン部材によって突き上げられたうえでダイシングテープ上からピックアップされる。このようにして、ダイボンドフィルム付きの半導体チップが得られる。このダイボンドフィルム付き半導体チップは、そのダイボンドフィルムを介して、実装基板等の被着体にダイボンディングによって固着されることとなる。例えば以上のように使用されるダイシングダイボンドフィルムおよびそれに含まれるダイボンドフィルムに関する技術については、例えば下記の特許文献1~3に記載されている。 As one of the methods for obtaining a semiconductor chip with a dicing film using a dicing die bond film, a method for expanding the dicing tape in the dicing die bond film and cutting the dicing film is known. In this method, first, a semiconductor wafer as a work is bonded onto a dicing die bond film of a dicing die bond film. This semiconductor wafer is, for example, processed so that it can be later divided into a plurality of semiconductor chips together with the division of the die bond film. Next, the dicing tape of the dicing die bond film is expanded (for cutting) in order to cut the dicing film so that a plurality of adhesive film pieces, each of which is in close contact with the semiconductor chip, are generated from the dicing film on the dicing tape. Expanding process). In this expanding step, the semiconductor wafer on the die-bonded film is also split at the portion corresponding to the cut-off portion of the die-bonded film, and the semiconductor wafer is fragmented into a plurality of semiconductor chips on the dicing die-bonded film or the dicing tape. Next, for example, after undergoing a cleaning step, each semiconductor chip is pushed up from the lower side of the dicing tape by a pin member of the pickup mechanism together with a die bond film having a size equivalent to the chip in close contact with the chip, and then picked up from the dicing tape. Ru. In this way, a semiconductor chip with a die-bonded film can be obtained. The semiconductor chip with a die-bonded film is fixed to an adherend such as a mounting substrate by die-bonding via the die-bonded film. For example, the dicing die bond film used as described above and the technique relating to the dicing die bond film contained therein are described in, for example, Patent Documents 1 to 3 below.
上述のような割断用エキスパンド工程に使用されるダイシングダイボンドフィルムの一構成要素をなすダイボンドフィルムには、当該エキスパンド工程において割断予定箇所で適切に割断されることが要求される。また、ダイボンドフィルムの厚さが大きいほど、そのような割断を生じさせるのが困難となる傾向にある。 The dicing die bond film, which is one component of the dicing die bond film used in the expansion step for cutting as described above, is required to be appropriately cut at the planned cutting portion in the expanding step. Further, the thicker the die-bonded film, the more difficult it tends to be to cause such splitting.
上述のような割断用エキスパンド工程では、従来、ダイシングダイボンドフィルにおけるダイボンドフィルムの、ワークの貼り合わせられていない領域にて、ダイシングテープ上からのダイボンドフィルム片の飛び散りが生ずる場合がある。また、ダイボンドフィルムの厚さが大きいほど、その飛び散りは生じやすい傾向にある。ダイボンドフィルム片のこのような飛び散りは、ワークの汚染の原因となる場合があり、好ましくない。 In the expansion step for cutting as described above, in the conventional dicing die bond fill, the die bond film piece may be scattered from the dicing tape in the region where the work is not bonded. Further, the thicker the die-bonded film, the more likely it is that the splattering will occur. Such scattering of the die bond film piece may cause contamination of the work, which is not preferable.
本発明は、以上のような事情のもとで考え出されたものであって、その目的は、ダイボンドフィルム付き半導体チップを得るためにダイシングダイボンドフィルムを使用して行うエキスパンド工程において、良好な割断を実現しつつ飛び散りを抑制するのに適したダイボンドフィルム、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法を、提供することにある。 The present invention has been conceived under the above circumstances, and an object of the present invention is to perform good splitting in an expanding process using a dicing die bond film to obtain a semiconductor chip with a die bond film. It is an object of the present invention to provide a die bond film, a dicing die bond film, and a method for manufacturing a semiconductor device, which are suitable for suppressing scattering while realizing the above.
本発明の第1の側面によると、ダイボンドフィルムが提供される。このダイボンドフィルムは、幅10mmのダイボンドフィルム試験片について初期チャック間距離10mm、23℃、および引張速度300mm/分の条件で行われる引張試験での降伏点強度(降伏点に至らせるのに要する力)が15N以下であり、同試験での破断強度(破断させるのに要する力)が15N以下であり、且つ同試験での破断伸度(伸張前の長さに対する、破断時の伸張分の長さの割合)が40~400%である。また、本発明において、前記の降伏点強度は、好ましくは12N以下、より好ましくは10N以下であり、前記の破断強度は、好ましくは12N以下、より好ましくは10N以下であり、前記の破断伸度は、好ましくは40~350%、より好ましくは40~300%である。このような構成のダイボンドフィルムは、ダイシングテープの粘着剤層側に密着された形態において、半導体装置の製造過程でダイボンドフィルム付き半導体チップを得るのに使用することができる。 According to the first aspect of the present invention, a die bond film is provided. This die bond film has a yield point strength (force required to reach the yield point) in a tensile test conducted under the conditions of an initial chuck distance of 10 mm, 23 ° C., and a tensile speed of 300 mm / min for a die bond film test piece having a width of 10 mm. ) Is 15 N or less, the breaking strength (force required for breaking) in the same test is 15 N or less, and the breaking elongation in the same test (the length of the elongation at break with respect to the length before stretching). The ratio) is 40 to 400%. Further, in the present invention, the yield point strength is preferably 12N or less, more preferably 10N or less, and the breaking strength is preferably 12N or less, more preferably 10N or less, and the breaking elongation. Is preferably 40 to 350%, more preferably 40 to 300%. The die bond film having such a structure can be used to obtain a semiconductor chip with a die bond film in the manufacturing process of a semiconductor device in a form in which the dicing tape is in close contact with the pressure-sensitive adhesive layer side.
半導体装置の製造過程においては、上述のように、ダイボンドフィルム付き半導体チップを得るうえで、ダイシングダイボンドフィルムを使用して行う割断用のエキスパンド工程が実施される場合がある。ダイシングダイボンドフィルムの一構成要素をなすダイボンドフィルムにとり、幅10mmのダイボンドフィルム試験片について初期チャック間距離10mm、23℃、および引張速度300mm/分の条件で行われる引張試験での降伏点強度が15N以下であり、破断強度が15N以下であり、且つ破断伸度が40~400%であるという上記構成は、当該ダイボンドフィルムが比較的に分厚い場合であっても、エキスパンド工程にあるダイボンドフィルムについて、その割断予定箇所に割断を生じさせつつもダイシングテープ上からの飛び散りを抑制するのに好適であることを、本発明者らは見いだした。例えば、後記の実施例および比較例をもって示すとおりである。 In the process of manufacturing a semiconductor device, as described above, in order to obtain a semiconductor chip with a die-bonded film, an expanding step for splitting using a dicing die-bonded film may be carried out. For the dicing film, which is one of the components of the dicing die bond film, the yield point strength of the dicing film test piece having a width of 10 mm in the tensile test conducted under the conditions of the initial chuck distance of 10 mm, 23 ° C., and the tensile speed of 300 mm / min is 15 N. The above configuration, which is as follows, the breaking strength is 15 N or less, and the breaking elongation is 40 to 400%, applies to the dibond film in the expanding step even when the die bond film is relatively thick. The present inventors have found that it is suitable for suppressing scattering from the dicing tape while causing splitting at the planned splitting portion. For example, it is as shown with Examples and Comparative Examples described later.
本ダイボンドフィルムにおける、上記引張試験での破断伸度が40~400%、好ましくは40~350%、より好ましくは40~300%であるという上記構成は、エキスパンド工程にて、当該ダイボンドフィルムを割断させるための引張り長さが過大となるのを回避しつつ当該ダイボンドフィルムに脆性破壊でなく延性破壊を生じやすくさせるのに適するものと考えられる。エキスパンド工程では、延性破壊の生じやすいダイボンドフィルムほど、割断用応力が当該フィルムの割断予定箇所にまで伝わりやすく、従って、割断予定箇所にて割断されやすい。 The above configuration in which the breaking elongation in the tensile test of the present die bond film is 40 to 400%, preferably 40 to 350%, more preferably 40 to 300%, cuts the die bond film in the expanding step. It is considered that it is suitable for making the die-bonded film prone to ductile fracture rather than brittle fracture while avoiding an excessive tensile length for the film. In the expanding step, the more the die-bonded film in which ductile fracture is likely to occur, the more easily the stress for breaking is transmitted to the planned cutting portion of the film, and therefore, the more easily the die-bonded film is split at the planned cutting portion.
本ダイボンドフィルムにおける、上記引張試験での降伏点強度が15N以下、好ましくは12N以下、より好ましくは10N以下であり、且つ破断強度が15N以下、好ましくは12N以下、より好ましくは10N以下であるという上記構成は、割断用エキスパンド工程でのダイボンドフィルムの伸張過程および破断過程で当該フィルム内部に蓄積される歪みエネルギーを抑制するのに適するものと考えられる。エキスパンド工程では、伸張過程および破断過程での内部蓄積歪みエネルギーの小さなダイボンドフィルムほど、その露出領域(ワークに覆われていない領域)にて破断してフィルム片が飛び散るという現象は、生じにくい。 The yield point strength of the die bond film in the tensile test is 15 N or less, preferably 12 N or less, more preferably 10 N or less, and the breaking strength is 15 N or less, preferably 12 N or less, more preferably 10 N or less. It is considered that the above configuration is suitable for suppressing the strain energy accumulated in the film during the stretching process and the breaking process of the die bond film in the expanding step for cutting. In the expanding process, the smaller the internal accumulated strain energy in the stretching process and the breaking process, the less likely the phenomenon that the film piece breaks in the exposed region (the region not covered by the work) and scatters.
以上のように、本発明の第1の側面に係るダイボンドフィルムは、ダイシングテープの粘着剤層側に密着された形態で割断用エキスパンド工程に使用される場合に、良好な割断を実現しつつ飛び散りを抑制するのに適するのである。 As described above, when the die bond film according to the first aspect of the present invention is used in the expansion step for splitting in a form in which it is in close contact with the adhesive layer side of the dicing tape, it scatters while achieving good splitting. It is suitable for suppressing.
本ダイボンドフィルムの厚さは、好ましくは40μm以上、より好ましくは60μm以上、より好ましくは80μm以上である。このような構成は、実装基板にワイヤーボンディング実装された第1半導体チップを当該第1半導体チップに接続されたボンディングワイヤーの全体または一部とともに包埋しつつ実装基板に第2半導体チップを接合する接着剤層形成用の接着フィルム(半導体チップ包埋用の分厚い接着フィルム)として本ダイボンドフィルムを使用するうえで、好適である。或いは、ダイボンドフィルムの厚さに関する当該構成は、実装基板にワイヤーボンディング実装された第1半導体チップのボンディングワイヤー接続箇所を覆って当該ボンディングワイヤーの一部を包埋しつつ第1半導体チップに第2半導体チップを接合する接着剤層形成用の接着フィルム(ボンディングワイヤーの部分的包埋を伴う半導体チップ間接合用の分厚い接着フィルム)として本ダイボンドフィルムを使用するうえで、好適である。或いは、ダイボンドフィルムの厚さに関する当該構成は、実装基板にフリップチップ実装された第1半導体チップを包埋しつつ実装基板に第2半導体チップを接合する接着剤層形成用の接着フィルム(チップ包埋用の分厚い接着フィルム)として本ダイボンドフィルムを使用するうえで、好適である。また、本ダイボンドフィルムの厚さは、好ましくは200μm以下、より好ましくは160μm以下、より好ましくは120μm以下である。このような構成は、本ダイボンドフィルムについての降伏点強度や破断強度、破断伸度が過大となるのを回避して、上記引張試験での降伏点強度が15N以下であり、破断強度が15N以下であり、且つ破断伸度が40~400%であるという上記構成を実現するうえで好ましい。 The thickness of the die bond film is preferably 40 μm or more, more preferably 60 μm or more, and more preferably 80 μm or more. In such a configuration, the second semiconductor chip is bonded to the mounting substrate while embedding the first semiconductor chip, which is wire-bonded and mounted on the mounting substrate, together with all or a part of the bonding wire connected to the first semiconductor chip. It is suitable for using this die bond film as an adhesive film for forming an adhesive layer (thick adhesive film for embedding a semiconductor chip). Alternatively, the configuration relating to the thickness of the die bond film covers the bonding wire connection portion of the first semiconductor chip bonded and mounted on the mounting substrate and embeds a part of the bonding wire while being second to the first semiconductor chip. This die bond film is suitable for use as an adhesive film for forming an adhesive layer for bonding semiconductor chips (a thick adhesive film for bonding semiconductor chips with partial embedding of bonding wires). Alternatively, the configuration relating to the thickness of the die-bonded film is an adhesive film (chip package) for forming an adhesive layer for joining the second semiconductor chip to the mounting substrate while embedding the first semiconductor chip mounted on the mounting substrate by flip-chip. It is suitable for using this die bond film as a thick adhesive film for embedding). The thickness of the die bond film is preferably 200 μm or less, more preferably 160 μm or less, and more preferably 120 μm or less. With such a configuration, the yield point strength, the breaking strength, and the breaking elongation of the die bond film are prevented from becoming excessive, and the yield point strength in the above tensile test is 15 N or less, and the breaking strength is 15 N or less. It is preferable to realize the above-mentioned configuration in which the elongation at break is 40 to 400%.
本ダイボンドフィルムの未硬化状態における120℃での粘度は、好ましくは300Pa・s以上、より好ましくは700Pa・s以上、より好ましくは1000Pa・s以上である。本ダイボンドフィルムの未硬化状態における120℃での粘度は、好ましくは5000Pa・s以下、より好ましくは4500Pa・s以下、より好ましくは4000Pa・s以下である。ダイボンドフィルムの粘度に関するこれら構成は、半導体チップやボンディングワイヤーの包埋を伴う接着剤層を形成するための上記各種の分厚い接着フィルムとして本ダイボンドフィルムを使用するうえで好適である。 The viscosity of the die-bonded film at 120 ° C. in an uncured state is preferably 300 Pa · s or more, more preferably 700 Pa · s or more, and more preferably 1000 Pa · s or more. The viscosity of the die-bonded film at 120 ° C. in an uncured state is preferably 5000 Pa · s or less, more preferably 4500 Pa · s or less, and more preferably 4000 Pa · s or less. These configurations regarding the viscosity of the die bond film are suitable for using the present die bond film as the above-mentioned various thick adhesive films for forming an adhesive layer accompanied by embedding of a semiconductor chip or a bonding wire.
本ダイボンドフィルムは好ましくは無機フィラーを含有し、本ダイボンドフィルムにおける無機フィラーの含有量は、好ましくは10質量%以上、より好ましくは20質量%以上、より好ましくは30質量%以上である。また、本ダイボンドフィルムが無機フィラーを含有する場合の無機フィラー含有量は、好ましくは50質量%以下、より好ましくは45質量%以下、より好ましくは40質量%以下である。接着剤層形成用フィルム内の無機フィラー含有量が増大するほど、当該フィルムの破断伸度は小さくなる傾向にあり且つ降伏点強度は大きくなる傾向にあるところ、本ダイボンドフィルムにおける無機フィラー含有量に関する当該構成は、本ダイボンドフィルムの露出領域(ワークに覆われていない領域)にて破断してフィルム片が飛び散るという上述の現象を抑制するうえで、好適である。 The present die bond film preferably contains an inorganic filler, and the content of the inorganic filler in the present die bond film is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, and more preferably 30% by mass or more. When the present die bond film contains an inorganic filler, the content of the inorganic filler is preferably 50% by mass or less, more preferably 45% by mass or less, and more preferably 40% by mass or less. As the content of the inorganic filler in the film for forming the adhesive layer increases, the elongation at break of the film tends to decrease and the yield point strength tends to increase. This configuration is suitable for suppressing the above-mentioned phenomenon of breaking in the exposed region (the region not covered by the work) of the die-bonded film and scattering the film pieces.
本ダイボンドフィルムは好ましくは有機フィラーを含有し、本ダイボンドフィルムにおける有機フィラーの含有量は、好ましくは2質量%以上、より好ましくは5%以上、より好ましくは8質量%以上である。また、本ダイボンドフィルムが有機フィラーを含有する場合の有機フィラー含有量は、好ましくは20質量%以下、より好ましくは17質量%以下、より好ましくは15質量%以下である。本ダイボンドフィルムにおける有機フィラー含有量に関する当該構成は、本ダイボンドフィルムの降伏点強度および破断強度を適正範囲に制御するうえで好適である。 The present die bond film preferably contains an organic filler, and the content of the organic filler in the present die bond film is preferably 2% by mass or more, more preferably 5% or more, still more preferably 8% by mass or more. When the present die bond film contains an organic filler, the organic filler content is preferably 20% by mass or less, more preferably 17% by mass or less, and more preferably 15% by mass or less. The configuration regarding the organic filler content in the die bond film is suitable for controlling the yield point strength and the breaking strength of the die bond film within an appropriate range.
本ダイボンドフィルムは、好ましくは、ガラス転移温度が-40~10℃のアクリル樹脂を含有する。このような構成は、本ダイボンドフィルムについて上記引張試験での降伏点強度が15N以下であるという上記構成を実現するうえで好適である。 The die-bonded film preferably contains an acrylic resin having a glass transition temperature of −40 to 10 ° C. Such a configuration is suitable for realizing the above-mentioned structure in which the yield point strength in the above-mentioned tensile test is 15 N or less for this die-bonded film.
本発明の第2の側面によると、ダイシングダイボンドフィルムが提供される。このダイシングダイボンドフィルムは、ダイシングテープと、本発明の第1の側面に係る上述のダイボンドフィルムとを備える。ダイシングテープは、基材および粘着剤層を含む積層構造を有する。ダイボンドフィルムは、ダイシングテープの粘着剤層に剥離可能に密着している。本発明の第1の側面に係るダイボンドフィルムを備えるこのようなダイシングダイボンドフィルムは、割断用エキスパンド工程に使用される場合に、ダイボンドフィルムにおいて良好な割断を実現しつつ飛び散りを抑制するのに適する。 According to the second aspect of the present invention, a dicing die bond film is provided. This dicing die bond film includes a dicing tape and the above-mentioned die bond film according to the first aspect of the present invention. The dicing tape has a laminated structure including a base material and an adhesive layer. The die bond film is removably adhered to the adhesive layer of the dicing tape. Such a dicing dicing die bond film including the die bond film according to the first aspect of the present invention is suitable for suppressing scattering while realizing good cutting in the die bond film when used in the expanding step for cutting.
本発明の第3の側面によると、半導体装置製造方法が提供される。この半導体装置製造方法は、次の第1工程および第2工程を含む。第1工程では、本発明の第2の側面に係るダイシングダイボンドフィルムにおけるダイボンドフィルム上に、複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハ、または、複数の半導体チップを含む半導体ウエハ分割体を、貼り合わせる。第2工程では、ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドすることにより、ダイボンドフィルムを割断してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る。本発明の第1の側面に係るダイボンドフィルムを備えるダイシングダイボンドフィルムが使用されて行われる第2工程すなわち割断用エキスパンド工程を含む本半導体装置製造方法は、当該エキスパンド工程にあるダイボンドフィルムにおいて良好な割断を実現しつつ飛び散りを抑制するのに適する。 According to the third aspect of the present invention, a method for manufacturing a semiconductor device is provided. This semiconductor device manufacturing method includes the following first step and second step. In the first step, a semiconductor wafer that can be fragmented into a plurality of semiconductor chips or a semiconductor wafer divided body containing the plurality of semiconductor chips is formed on the dicing film in the dicing die bond film according to the second aspect of the present invention. to paste together. In the second step, the dicing tape in the dicing die bond film is expanded to cut the dicing film to obtain a semiconductor chip with the die bond film. The present semiconductor apparatus manufacturing method including a second step, that is, an expanding step for splitting, which is performed by using a dicing die bond film provided with the dicing film according to the first aspect of the present invention, is good for the die bond film in the expanding step. It is suitable for suppressing scattering while realizing.
図1は、本発明の一の実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムXの断面模式図である。ダイシングダイボンドフィルムXは、本発明の一の実施形態に係るダイボンドフィルム10とダイシングテープ20とを含む積層構造を有する。ダイシングテープ20は、基材21と粘着剤層22とを含む積層構造を有する。粘着剤層22は、ダイボンドフィルム10側に粘着面22aを有する。ダイボンドフィルム10は、ダイシングテープ20の粘着剤層22ないしその粘着面22aに剥離可能に密着している。ダイシングダイボンドフィルムXは、半導体装置の製造においてダイボンドフィルム付き半導体チップを得る過程での例えば後記のようなエキスパンド工程に使用することのできるものである。また、ダイシングダイボンドフィルムXは、半導体装置の製造過程におけるワークである半導体ウエハに対応するサイズの円板形状を有し、その直径は、例えば、345~380mmの範囲内(12インチウエハ対応型)、245~280mmの範囲内(8インチウエハ対応型)、495~530mmの範囲内(18インチウエハ対応型)、または、195~230mmの範囲内(6インチウエハ対応型)にある。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a dicing die bond film X according to an embodiment of the present invention. The dicing die bond film X has a laminated structure including the dicing
ダイシングダイボンドフィルムXにおけるダイボンドフィルム10は、熱硬化性を示すダイボンディング用接着剤として機能しうる構成を有する。ダイボンドフィルム10は、樹脂成分として、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含む組成を有してもよいし、硬化剤と反応して結合を生じ得る熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む組成を有してもよい。熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む組成をダイボンドフィルム10が有する場合、当該ダイボンドフィルム10は熱硬化性樹脂を更に含む必要はない。このようなダイボンドフィルム10は、単層構造を有してもよいし、隣接層間で組成の異なる多層構造を有してもよい。
The dicing
ダイボンドフィルム10が熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含む組成を有する場合の当該熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、および熱硬化性ポリイミド樹脂が挙げられる。ダイボンドフィルム10は、一種類の熱硬化性樹脂を含有してもよいし、二種類以上の熱硬化性樹脂を含有してもよい。エポキシ樹脂は、ダイボンディング対象である半導体チップの腐食原因となりうるイオン性不純物等の含有量が少ない傾向にあることから、ダイボンドフィルム10中の熱硬化性樹脂として好ましい。また、エポキシ樹脂に熱硬化性を発現させるための硬化剤としては、フェノール樹脂が好ましい。
When the
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、臭素化ビスフェノールA型、水添ビスフェノールA型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、およびグリシジルアミン型の、エポキシ樹脂が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、およびテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み且つ耐熱性に優れることから、ダイボンドフィルム10中のエポキシ樹脂として好ましい。
Examples of the epoxy resin include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type and orthocresol. Examples thereof include novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylol ethane type, hydantin type, trisglycidyl isocyanurate type, and glycidylamine type epoxy resins. Phenol novolac type epoxy resin, orthocresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, and tetraphenylol ethane type epoxy resin are highly reactive and heat resistant with phenol resin as a curing agent. It is preferable as the epoxy resin in the
エポキシ樹脂の硬化剤として作用しうるフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、および、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレンが挙げられる。ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert-ブチルフェノールノボラック樹脂、およびノニルフェノールノボラック樹脂が挙げられる。ダイボンドフィルム10は、エポキシ樹脂の硬化剤として、一種類のフェノール樹脂を含有してもよいし、二種類以上のフェノール樹脂を含有してもよい。フェノールノボラック樹脂やフェノールアラルキル樹脂は、ダイボンディング用接着剤としてのエポキシ樹脂の硬化剤として用いられる場合に当該接着剤の接続信頼性を向上させる傾向にあるので、ダイボンドフィルム10中のエポキシ樹脂用硬化剤として好ましい。
Examples of the phenol resin that can act as a curing agent for the epoxy resin include novolak type phenol resin, resol type phenol resin, and polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene. Examples of the novolak type phenol resin include phenol novolac resin, phenol aralkyl resin, cresol novolak resin, tert-butylphenol novolak resin, and nonylphenol novolak resin. The
ダイボンドフィルム10がエポキシ樹脂とその硬化剤としてのフェノール樹脂とを含有する場合、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対してフェノール樹脂中の水酸基が好ましくは0.5~2.0当量、より好ましくは0.8~1.2当量である割合で、両樹脂は配合される。このような構成は、ダイボンドフィルム10の硬化にあたって当該エポキシ樹脂およびフェノール樹脂の硬化反応を充分に進行させるうえで好ましい。
When the
ダイボンドフィルム10における熱硬化性樹脂の含有割合は、ダイボンドフィルム10において熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させるという観点からは、好ましくは5~60質量%、より好ましくは10~50質量%である。
The content ratio of the thermosetting resin in the
ダイボンドフィルム10中の熱可塑性樹脂は例えばバインダー機能を担うものであり、ダイボンドフィルム10が熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含む組成を有する場合の当該熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、エチレン-アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6-ナイロンや6,6-ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレートやポリブチレンテレフタレート等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、およびフッ素樹脂が挙げられる。ダイボンドフィルム10は、一種類の熱可塑性樹脂を含有してもよいし、二種類以上の熱可塑性樹脂を含有してもよい。アクリル樹脂は、イオン性不純物が少なく且つ耐熱性が高いことから、ダイボンドフィルム10中の熱可塑性樹脂として好ましい。
The thermoplastic resin in the
ダイボンドフィルム10が熱可塑性樹脂としてアクリル樹脂を含有する場合の当該アクリル樹脂は、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多く含む。「(メタ)アクリル」は、「アクリル」および/または「メタクリル」を意味するものとする。
When the
アクリル樹脂のモノマーユニットをなすための(メタ)アクリル酸エステル、即ち、アクリル樹脂の構成モノマーである(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、および(メタ)アクリル酸アリールエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、s-ブチルエステル、t-ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2-エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル(即ちラウリルエステル)、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、およびエイコシルエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のシクロペンチルエステルおよびシクロヘキシルエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸フェニルおよび(メタ)アクリル酸ベンジルが挙げられる。アクリル樹脂の構成モノマーとして、一種類の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよいし、二種類以上の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよい。また、アクリル樹脂は、それを形成するための原料モノマーを重合して得ることができる。重合手法としては、例えば、溶液重合、乳化重合、塊状重合、および懸濁重合が挙げられる。 Examples of the (meth) acrylic acid ester for forming the monomer unit of the acrylic resin, that is, the (meth) acrylic acid ester which is a constituent monomer of the acrylic resin include (meth) acrylic acid alkyl ester and (meth) acrylic acid cyclo. Alkyl esters and (meth) acrylic acid aryl esters can be mentioned. Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester and iso of (meth) acrylic acid. Pentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester (ie lauryl ester), tridecyl ester, tetradecyl ester , Hexadecyl ester, octadecyl ester, and ecosil ester. Examples of the (meth) acrylic acid cycloalkyl ester include cyclopentyl ester and cyclohexyl ester of (meth) acrylic acid. Examples of the (meth) acrylic acid aryl ester include (meth) acrylic acid phenyl and (meth) acrylic acid benzyl. As the constituent monomer of the acrylic resin, one kind of (meth) acrylic acid ester may be used, or two or more kinds of (meth) acrylic acid esters may be used. Further, the acrylic resin can be obtained by polymerizing a raw material monomer for forming the acrylic resin. Polymerization methods include, for example, solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization.
アクリル樹脂は、例えばその凝集力や耐熱性の改質のために、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な一種類の又は二種類以上の他のモノマーを構成モノマーとしてもよい。そのようなモノマーとしては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、およびアクリロニトリルが挙げられる。カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、(メタ)アクリル酸カルボキシエチル、(メタ)アクリル酸カルボキシペンチル、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、およびクロトン酸が挙げられる。酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸および無水イタコン酸が挙げられる。ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12-ヒドロキシラウリル、および(メタ)アクリル酸(4-ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチルが挙げられる。エポキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジルおよび(メタ)アクリル酸メチルグリシジルが挙げられる。スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-(メタ)アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、および(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸が挙げられる。リン酸基含有モノマーとしては、例えば、2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートが挙げられる。 The acrylic resin may be composed of one or more other monomers copolymerizable with the (meth) acrylic acid ester, for example, for the purpose of modifying its cohesive force and heat resistance. Examples of such a monomer include a carboxy group-containing monomer, an acid anhydride monomer, a hydroxy group-containing monomer, an epoxy group-containing monomer, a sulfonic acid group-containing monomer, a phosphate group-containing monomer, acrylamide, and acrylonitrile. Examples of the carboxy group-containing monomer include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid. Examples of the acid anhydride monomer include maleic anhydride and itaconic anhydride. Examples of the hydroxy group-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, and (. Examples include 8-hydroxyoctyl acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate. Examples of the epoxy group-containing monomer include glycidyl (meth) acrylate and methyl glycidyl (meth) acrylate. Examples of the sulfonic acid group-containing monomer include styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methyl propane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, and (meth) acryloyloxynaphthalene sulfonic acid. Can be mentioned. Examples of the phosphoric acid group-containing monomer include 2-hydroxyethylacryloyl phosphate.
ダイボンドフィルム10において高い凝集力を実現するという観点からは、ダイボンドフィルム10に含まれるアクリル樹脂は、好ましくは、アクリル酸ブチルとアクリル酸エチルとアクリロニトリルとの共重合体である。
From the viewpoint of achieving high cohesive force in the
ダイボンドフィルム10が、熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む組成を有する場合、当該熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を用いることができる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂をなすためのアクリル樹脂は、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多く含む。そのような(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、ダイボンドフィルム10に含有されるアクリル樹脂の構成モノマーとして上記したのと同様の(メタ)アクリル酸エステルを用いることができる。一方、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂をなすための熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、およびイソシアネート基が挙げられる。これらのうち、グリシジル基およびカルボキシ基を好適に用いることができる。すなわち、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、グリシジル基含有アクリル樹脂やカルボキシ基含有アクリル樹脂を好適に用いることができる。また、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基の種類に応じて、それと反応を生じうる硬化剤が選択される。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂の熱硬化性官能基がグリシジル基である場合、硬化剤としては、エポキシ樹脂用硬化剤として上記したのと同様のフェノール樹脂を用いることができる。
When the
ダイボンディングのために硬化される前のダイボンドフィルム10について、ある程度の架橋度を実現するためには、例えば、ダイボンドフィルム10に含まれる上述の樹脂成分の分子鎖末端の官能基等と反応して結合を生じうる多官能性化合物を架橋剤としてダイボンドフィルム形成用樹脂組成物に配合しておくのが好ましい。このような構成は、ダイボンドフィルム10について、高温下での接着特性を向上させるうえで、また、耐熱性の改善を図るうえで、好適である。そのような架橋剤としては、例えばポリイソシアネート化合物が挙げられる。ポリイソシアネート化合物としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、1,5-ナフタレンジイソシアネート、および、多価アルコールとジイソシアネートの付加物が挙げられる。ダイボンドフィルム形成用樹脂組成物における架橋剤含有量は、当該架橋剤と反応して結合を生じうる上記官能基を有する樹脂100質量部に対し、形成されるダイボンドフィルム10の凝集力向上の観点からは好ましくは0.05質量部以上であり、形成されるダイボンドフィルム10の接着力向上の観点からは好ましくは7質量部以下である。また、ダイボンドフィルム10における架橋剤としては、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物をポリイソシアネート化合物と併用してもよい。
In order to achieve a certain degree of cross-linking of the
ダイボンドフィルム10に配合される上記のアクリル樹脂および上記の熱硬化性官能基含有アクリル樹脂のガラス転移温度は、好ましくは-40~10℃である。ポリマーのガラス転移温度については、下記のFoxの式に基づき求められるガラス転移温度(理論値)を用いることができる。Foxの式は、ポリマーのガラス転移温度Tgと、当該ポリマーにおける構成モノマーごとの単独重合体のガラス転移温度Tgiとの関係式である。下記のFoxの式において、Tgはポリマーのガラス転移温度(℃)を表し、Wiは当該ポリマーを構成するモノマーiの重量分率を表し、Tgiはモノマーiの単独重合体のガラス転移温度(℃)を示す。単独重合体のガラス転移温度については文献値を用いることができ、例えば「新高分子文庫7 塗料用合成樹脂入門」(北岡協三 著,高分子刊行会,1995年)や「アクリルエステルカタログ(1997年度版)」(三菱レイヨン株式会社)には、各種の単独重合体のガラス転移温度が挙げられている。一方、モノマーの単独重合体のガラス転移温度については、特開2007-51271号公報に具体的に記載されている手法によって求めることも可能である。
The glass transition temperature of the acrylic resin and the thermosetting functional group-containing acrylic resin blended in the
Foxの式 1/(273+Tg)=Σ[Wi/(273+Tgi)] Fox formula 1 / (273 + Tg) = Σ [Wi / (273 + Tgi)]
ダイボンドフィルム10は、フィラーを含有してもよい。ダイボンドフィルム10へのフィラーの配合は、ダイボンドフィルム10の弾性率や、降伏点強度、破断伸度などの物性を調整するうえで好ましい。フィラーとしては、無機フィラーおよび有機フィラーが挙げられる。フィラーは、球状、針状、フレーク状など各種形状を有していてもよい。また、ダイボンドフィルム10は、一種類のフィラーを含有してもよいし、二種類以上のフィラーを含有してもよい。
The
上記の無機フィラーの構成材料としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、および非晶質シリカが挙げられる。無機フィラーの構成材料としては、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の単体金属や、合金、アモルファスカーボン、グラファイトなども挙げられる。ダイボンドフィルム10が無機フィラーを含有する場合の当該無機フィラーの含有量は、好ましくは10質量%以上、より好ましくは20質量%以上、より好ましくは30質量%以上である。また、同含有量は、好ましくは50質量%以下、より好ましくは45質量%以下、より好ましくは40質量%以下である。
Examples of the constituent materials of the above inorganic filler include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, and aluminum borate whisk. , Borone nitride, crystalline silica, and amorphous silica. Examples of the constituent material of the inorganic filler include elemental metals such as aluminum, gold, silver, copper and nickel, alloys, amorphous carbon and graphite. When the
上記の有機フィラーの構成材料としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、およびポリエステルイミドが挙げられる。ダイボンドフィルム10が有機フィラーを含有する場合の当該有機フィラーの含有量は、好ましくは2質量%以上、より好ましくは5質量%以上、より好ましくは8質量%以上である。また、同含有量は、好ましくは20質量%以下、より好ましくは17質量%以下、より好ましくは15質量%以下である。
Examples of the constituent materials of the above organic filler include polymethyl methacrylate (PMMA), polyimide, polyamideimide, polyetheretherketone, polyetherimide, and polyesterimide. When the
ダイボンドフィルム10がフィラーを含有する場合の当該フィラーの平均粒径は、好ましくは0.005~10μm、より好ましくは0.05~1μmである。当該フィラーの平均粒径が0.005μm以上であるという構成は、ダイボンドフィルム10において、半導体ウエハ等の被着体に対する高い濡れ性や接着性を実現するうえで好適である。当該フィラーの平均粒径が10μm以下であるという構成は、ダイボンドフィルム10において充分なフィラー添加効果を得るとともに耐熱性を確保するうえで好適である。フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計(商品名「LA-910」,株式会社堀場製作所製)を使用して求めることができる。
When the
ダイボンドフィルム10は、熱硬化触媒を含有してもよい。ダイボンドフィルム10への熱硬化触媒の配合は、ダイボンドフィルム10の硬化にあたって樹脂成分の硬化反応を充分に進行させたり、硬化反応速度を高めるうえで、好ましい。そのような熱硬化触媒としては、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、およびトリハロゲンボラン系化合物が挙げられる。イミダゾール系化合物としては、例えば、2-メチルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2'-メチルイミダゾリル-(1')]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2'-ウンデシルイミダゾリル-(1')]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2'-エチル-4'-メチルイミダゾリル-(1')]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2'-メチルイミダゾリル-(1')]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、および2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールが挙げられる。トリフェニルフォスフィン系化合物としては、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ(p-メチルフェニル)フォスフィン、トリ(ノニルフェニル)フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、メチルトリフェニルホスホニウム、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム、およびベンジルトリフェニルホスホニウムクロライドが挙げられる。トリフェニルフォスフィン系化合物には、トリフェニルフォスフィン構造とトリフェニルボラン構造とを併有する化合物も含まれるものとする。そのような化合物としては、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ-p-トリボレート、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、およびトリフェニルホスフィントリフェニルボランが挙げられる。アミン系化合物としては、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレートおよびジシアンジアミドが挙げられる。トリハロゲンボラン系化合物としては、例えばトリクロロボランが挙げられる。ダイボンドフィルム10は、一種類の熱硬化触媒を含有してもよいし、二種類以上の熱硬化触媒を含有してもよい。
The
ダイボンドフィルム10は、必要に応じて、一種類の又は二種類以上の他の成分を含有してもよい。当該他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、およびイオントラップ剤が挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、および臭素化エポキシ樹脂が挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、およびγ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランが挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、含水酸化アンチモン(例えば東亜合成株式会社製の「IXE-300」)、特定構造のリン酸ジルコニウム(例えば東亜合成株式会社製の「IXE-100」)、ケイ酸マグネシウム(例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード600」)、およびケイ酸アルミニウム(例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード700」)が挙げられる。金属イオンとの間で錯体を形成し得る化合物もイオントラップ剤として使用することができる。そのような化合物としては、例えば、トリアゾール系化合物、テトラゾール系化合物、およびビピリジル系化合物が挙げられる。これらのうち、金属イオンとの間で形成される錯体の安定性の観点からはトリアゾール系化合物が好ましい。そのようなトリアゾール系化合物としては、例えば、1,2,3-ベンゾトリアゾール、1-{N,N-ビス(2-エチルヘキシル)アミノメチル}ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、2-(2-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2-ヒドロキシ-3,5-ジ-t-ブチルフェニル)-5-クロロベンゾトリアゾール、2-(2-ヒドロキシ-3-t-ブチル-5-メチルフェニル)-5-クロロベンゾトリアゾール、2-(2-ヒドロキシ-3,5-ジ-t-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2-ヒドロキシ-5-t-オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、6-(2-ベンゾトリアゾリル)-4-t-オクチル-6'-t-ブチル-4'-メチル-2,2'-メチレンビスフェノール、1-(2,3-ジヒドロキシプロピル)ベンゾトリアゾール、1-(1,2-ジカルボキシジエチル)ベンゾトリアゾール、1-(2-エチルヘキシルアミノメチル)ベンゾトリアゾール、2,4-ジ-t-ペンチル-6-{(H-ベンゾトリアゾール-1-イル)メチル}フェノール、2-(2-ヒドロキシ-5-t-ブチルフェニル)-2H-ベンゾトリアゾール、オクチル-3-[3-t-ブチル-4-ヒドロキシ-5-(5-クロロ-2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)フェニル]プロピオネート、2-エチルヘキシル-3-[3-t-ブチル-4-ヒドロキシ-5-(5-クロロ-2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)フェニル]プロピオネート、2-(2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)-6-(1-メチル-1-フェニルエチル)-4-(1,1,3,3-テトラメチルブチル)フェノール、2-(2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)-4-t-ブチルフェノール、2-(2-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2-ヒドロキシ-5-t-オクチルフェニル)-ベンゾトリアゾール、2-(3-t-ブチル-2-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)-5-クロロベンゾトリアゾール、2-(2-ヒドロキシ-3,5-ジ-t-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2-ヒドロキシ-3,5-ジ-t-ブチルフェニル)-5-クロロ-ベンゾトリアゾール、2-[2-ヒドロキシ-3,5-ジ(1,1-ジメチルベンジル)フェニル]-2H-ベンゾトリアゾール、2,2'-メチレンビス[6-(2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)-4-(1,1,3,3-テトラメチルブチル)フェノール]、(2-[2-ヒドロキシ-3,5-ビス(α,α-ジメチルベンジル)フェニル]-2H-ベンゾトリアゾール、および、メチル-3-[3-(2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)-5-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル]プロピオネートが挙げられる。また、キノール化合物や、ヒドロキシアントラキノン化合物、ポリフェノール化合物などの所定の水酸基含有化合物も、イオントラップ剤として使用することができる。そのような水酸基含有化合物としては、具体的には、1,2-ベンゼンジオール、アリザリン、アントラルフィン、タンニン、没食子酸、没食子酸メチル、およびピロガロールが挙げられる。
The
ダイボンドフィルム10の厚さは、好ましくは40μm以上、より好ましくは60μm以上、より好ましくは80μm以上である。また、本ダイボンドフィルムの厚さは、好ましくは200μm以下、より好ましくは160μm以下、より好ましくは120μm以下である。
The thickness of the
ダイボンドフィルム10は、幅10mmのダイボンドフィルム試験片について初期チャック間距離10mm、23℃、および引張速度300mm/分の条件で行われる引張試験での降伏点強度が、15N以下であり、好ましくは12N以下、より好ましくは10N以下である。これとともに、ダイボンドフィルム10は、同試験での破断強度が、15N以下であり、好ましくは12N以下、より好ましくは10N以下である。これとともに、ダイボンドフィルム10は、同試験での破断伸度が、40~400%であり、好ましくは40~350%、より好ましくは40~300%である。これら降伏点強度、破断強度、および破断伸度については、引張試験機(商品名「オートグラフAGS-J」,株式会社島津製作所製)を使用して測定することができる。また、ダイボンドフィルム10における降伏点強度、破断強度、および破断伸度の調整は、ダイボンドフィルム10における無機フィラーおよび/または有機フィラーの配合量の制御や、ダイボンドフィルム10中の上述のアクリル樹脂のガラス転移温度の制御などによって、行うことが可能である。
The
ダイボンドフィルム10の未硬化状態における120℃での粘度は、好ましくは300Pa・s以上、より好ましくは700Pa・s以上、より好ましくは1000Pa・s以上である。また、ダイボンドフィルム10の未硬化状態における120℃での粘度は、好ましくは5000Pa・s以下、より好ましくは4500Pa・s以下、より好ましくは4000Pa・s以下である。
The viscosity of the
以上のようなダイボンドフィルム10は、温度23℃、剥離角度180°および引張速度300mm/分の条件での剥離試験において、SUS平面に対し、例えば0.3~20N/10mmの180°剥離粘着力を示す。このような構成は、ダイシングダイボンドフィルムXないしそのダイボンドフィルム10によるワークの保持を確保するうえで好適である。
The
ダイシングダイボンドフィルムXにおけるダイシングテープ20の基材21は、ダイシングテープ20ないしダイシングダイボンドフィルムXにおいて支持体として機能する要素である。基材21は例えばプラスチック基材であり、当該プラスチック基材としてはプラスチックフィルムを好適に用いることができる。プラスチック基材の構成材料としては、例えば、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフェニルスルフィド、アラミド、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、およびシリコーン樹脂が挙げられる。ポリオレフィンとしては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン-(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン-ブテン共重合体、およびエチレン-ヘキセン共重合体が挙げられる。ポリエステルとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリブチレンテレフタレートが挙げられる。基材21は、一種類の材料からなってもよし、二種類以上の材料からなってもよい。基材21は、単層構造を有してもよいし、多層構造を有してもよい。基材21上の粘着剤層22が後述のように紫外線硬化性である場合、基材21は紫外線透過性を有するのが好ましい。また、基材21は、プラスチックフィルムよりなる場合、無延伸フィルムであってもよいし、一軸延伸フィルムであってもよいし、二軸延伸フィルムであってもよい。
The
ダイシングダイボンドフィルムXの使用に際してダイシングテープ20ないし基材21を例えば部分的な加熱によって収縮させる場合には、基材21は熱収縮性を有するのが好ましい。また、基材21がプラスチックフィルムよりなる場合、ダイシングテープ20ないし基材21について等方的な熱収縮性を実現するうえでは、基材21は二軸延伸フィルムであるのが好ましい。ダイシングテープ20ないし基材21は、加熱温度100℃および加熱処理時間60秒の条件で行われる加熱処理試験による熱収縮率が好ましくは2~30%、より好ましくは2~25%、より好ましくは3~20%、より好ましくは5~20%である。当該熱収縮率は、いわゆるMD方向の熱収縮率およびいわゆるTD方向の熱収縮率の少なくとも一方の熱収縮率をいうものとする。
When the dicing
基材21における粘着剤層22側の表面は、粘着剤層22との密着性を高めるための物理的処理、化学的処理、または下塗り処理が施されていてもよい。物理的処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、およびイオン化放射線処理が挙げられる。化学的処理としては例えばクロム酸処理が挙げられる。
The surface of the
基材21の厚さは、ダイシングテープ20ないしダイシングダイボンドフィルムXにおける支持体として基材21が機能するための強度を確保するという観点からは、好ましくは40μm以上、好ましくは50μm以上、より好ましくは55μm以上、より好ましくは60μm以上である。また、ダイシングテープ20ないしダイシングダイボンドフィルムXにおいて適度な可撓性を実現するという観点からは、基材21の厚さは、好ましくは200μm以下、より好ましくは180μm以下、より好ましくは150μm以下である。
The thickness of the
ダイシングテープ20の粘着剤層22は、粘着剤を含有する。この粘着剤は、ダイシングダイボンドフィルムXの使用過程において外部からの作用によって意図的に粘着力を低減させることが可能な粘着剤(粘着力低減可能型粘着剤)であってもよいし、ダイシングダイボンドフィルムXの使用過程において外部からの作用によっては粘着力がほとんど又は全く低減しない粘着剤(粘着力非低減型粘着剤)であってもよい。粘着剤層22中の粘着剤として粘着力低減可能型粘着剤を用いるか或いは粘着力非低減型粘着剤を用いるかについては、ダイシングダイボンドフィルムXを使用して個片化される半導体チップの個片化の手法や条件など、ダイシングダイボンドフィルムXの使用態様に応じて、適宜に選択することができる。
The pressure-
粘着剤層22中の粘着剤として粘着力低減可能型粘着剤を用いる場合、ダイシングダイボンドフィルムXの使用過程において、粘着剤層22が相対的に高い粘着力を示す状態と相対的に低い粘着力を示す状態とを、使い分けることが可能である。例えば、ダイシングダイボンドフィルムXが後記のエキスパンド工程に使用される時には、粘着剤層22からのダイボンドフィルム10の浮きや剥離を抑制・防止するために粘着剤層22の高粘着力状態を利用する一方で、それより後、ダイシングダイボンドフィルムXのダイシングテープ20からダイボンドフィルム付き半導体チップをピックアップするための後記のピックアップ工程では、粘着剤層22からダイボンドフィルム付き半導体チップをピックアップしやすくするために粘着剤層22の低粘着力状態を利用することが可能である。
When a pressure-reducable pressure-sensitive adhesive is used as the pressure-sensitive adhesive in the pressure-
このような粘着力低減可能型粘着剤としては、例えば、ダイシングダイボンドフィルムXの使用過程において放射線照射によって硬化させることが可能な粘着剤(放射線硬化性粘着剤)や加熱発泡型粘着剤などが挙げられる。本実施形態の粘着剤層22では、一種類の粘着力低減可能型粘着剤が用いられてもよいし、二種類以上の粘着力低減可能型粘着剤が用いられてもよい。また、粘着剤層22の全体が粘着力低減可能型粘着剤から形成されてもよいし、粘着剤層22の一部が粘着力低減可能型粘着剤から形成されてもよい。例えば、粘着剤層22が単層構造を有する場合、粘着剤層22の全体が粘着力低減可能型粘着剤から形成されてもよいし、粘着剤層22における所定の部位(例えば、ワークの貼着対象領域である中央領域)が粘着力低減可能型粘着剤から形成され、他の部位(例えば、リングフレームの貼着対象領域であって、中央領域の外側にある領域)が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよい。また、粘着剤層22が多層構造を有する場合、多層構造をなす全ての層が粘着力低減可能型粘着剤から形成されてもよいし、多層構造中の一部の層が粘着力低減可能型粘着剤から形成されてもよい。
Examples of such an adhesive force-reducable adhesive include an adhesive (radiation-curable adhesive) that can be cured by irradiation in the process of using the dicing die bond film X, a heat-foaming adhesive, and the like. Be done. In the pressure-
粘着剤層22のための放射線硬化性粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、またはX線の照射によって硬化するタイプの粘着剤が挙げられ、紫外線照射によって硬化するタイプの粘着剤(紫外線硬化性粘着剤)を特に好適に用いることができる。
Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive for the pressure-
粘着剤層22のための放射線硬化性粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤たるアクリル系ポリマーなどのベースポリマーと、放射線重合性の炭素-炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分とを含有する、添加型の放射線硬化性粘着剤が挙げられる。
The radiation-curable pressure-sensitive adhesive for the pressure-
上記のアクリル系ポリマーは、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多く含む。アクリル系ポリマーのモノマーユニットをなすための(メタ)アクリル酸エステル、即ち、アクリル系ポリマーの構成モノマーである(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、および(メタ)アクリル酸アリールエステルが挙げられ、より具体的には、ダイボンドフィルム10のためのアクリル樹脂に関して上記したのと同様の(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。アクリル系ポリマーの構成モノマーとして、一種類の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよいし、二種類以上の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよい。アクリル系ポリマーの構成モノマーとしては、好ましくは、アクリル酸2-エチルヘキシルおよびアクリル酸ラウリルが挙げられる。また、(メタ)アクリル酸エステルに依る粘着性等の基本特性を粘着剤層22にて適切に発現させるうえでは、アクリル系ポリマーの構成モノマー全体における(メタ)アクリル酸エステルの割合は、好ましくは40質量%以上、より好ましくは60質量%以上である。
The acrylic polymer described above preferably contains the most monomer unit derived from the (meth) acrylic acid ester in terms of mass ratio. Examples of the (meth) acrylic acid ester for forming the monomer unit of the acrylic polymer, that is, the (meth) acrylic acid ester which is a constituent monomer of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl ester and (meth) acrylic. Examples thereof include acid cycloalkyl esters and (meth) acrylic acid aryl esters, and more specifically, the same (meth) acrylic acid esters as described above for the acrylic resin for the
アクリル系ポリマーは、例えばその凝集力や耐熱性の改質のために、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な一種類の又は二種類以上の他のモノマーを構成モノマーに含んでもよい。そのようなモノマーとしては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、およびアクリロニトリルが挙げられ、より具体的には、ダイボンドフィルム10のためのアクリル樹脂に関して上記したのと同様の共重合性モノマーが挙げられる。
The acrylic polymer may contain one or more other monomers copolymerizable with the (meth) acrylic acid ester, for example, for the purpose of modifying its cohesive force and heat resistance. Examples of such monomers include carboxy group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxy group-containing monomers, epoxy group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphate group-containing monomers, acrylamides, and acrylonitrile. Specifically, the same copolymerizable monomer as described above with respect to the acrylic resin for the
アクリル系ポリマーは、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、(メタ)アクリル酸エステルなどのモノマー成分と共重合可能な多官能性モノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。そのような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ポリグリシジル(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、およびウレタン(メタ)アクリレートが挙げられる。「(メタ)アクリレート」は、「アクリレート」および/または「メタクリレート」を意味するものとする。アクリル系ポリマーの構成モノマーとして、一種類の多官能性モノマーが用いられてもよいし、二種類以上の多官能性モノマーが用いられてもよい。(メタ)アクリル酸エステルに依る粘着性等の基本特性を粘着剤層22にて適切に発現させるうえでは、アクリル系ポリマーの構成モノマー全体における多官能性モノマーの割合は、好ましくは40質量%以下、好ましくは30質量%以下である。
The acrylic polymer may contain a monomer unit derived from a polyfunctional monomer copolymerizable with a monomer component such as a (meth) acrylic acid ester in order to form a crosslinked structure in the polymer skeleton. Such polyfunctional monomers include, for example, hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropantri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, polyglycidyl (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, and urethane ( Meta) acrylate can be mentioned. "(Meta) acrylate" shall mean "acrylate" and / or "methacrylate". As the constituent monomer of the acrylic polymer, one kind of polyfunctional monomer may be used, or two or more kinds of polyfunctional monomers may be used. In order to appropriately develop the basic properties such as adhesiveness due to the (meth) acrylic acid ester in the pressure-
アクリル系ポリマーは、それを形成するための原料モノマーを重合して得ることができる。重合手法としては、例えば、溶液重合、乳化重合、塊状重合、および懸濁重合が挙げられる。ダイシングテープ20ないしダイシングダイボンドフィルムXの使用される半導体装置製造方法における高度の清浄性の観点からは、ダイシングテープ20ないしダイシングダイボンドフィルムXにおける粘着剤層22中の低分子量物質は少ない方が好ましいところ、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは10万以上、より好ましくは20万~300万である。
The acrylic polymer can be obtained by polymerizing a raw material monomer for forming the acrylic polymer. Polymerization methods include, for example, solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization. From the viewpoint of high cleanliness in the method for manufacturing a semiconductor device in which the dicing
粘着剤層22ないしそれをなすための粘着剤は、アクリル系ポリマーなどベースポリマーの数平均分子量を高めるために例えば、外部架橋剤を含有してもよい。アクリル系ポリマーなどベースポリマーと反応して架橋構造を形成するための外部架橋剤としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物、アジリジン化合物、およびメラミン系架橋剤が挙げられる。粘着剤層22ないしそれをなすための粘着剤における外部架橋剤の含有量は、ベースポリマー100質量部に対して、好ましくは5質量部以下、より好ましくは0.1~5質量部である。
The pressure-
放射線硬化性粘着剤をなすための上記の放射線重合性モノマー成分としては、例えば、ウレタン(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、および1,4-ブタンジオールジ(メタ)アクリレートが挙げられる。放射線硬化性粘着剤をなすための上記の放射線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーが挙げられ、分子量100~30000程度のものが適当である。放射線硬化性粘着剤中の放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分の総含有量は、形成される粘着剤層22の粘着力を適切に低下させ得る範囲で決定され、アクリル系ポリマーなどのベースポリマー100質量部に対して、好ましくは5~500質量部であり、より好ましくは40~150質量部である。また、添加型の放射線硬化性粘着剤としては、例えば特開昭60-196956号公報に開示のものを用いてもよい。
Examples of the above-mentioned radiopolymerizable monomer component for forming a radiation-curable pressure-sensitive adhesive include urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and pentaerythritol tetra (meth). Examples include acrylates, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylates, dipentaerythritol hexa (meth) acrylates, and 1,4-butanediol di (meth) acrylates. Examples of the above-mentioned radiopolymerizable oligomer component for forming a radiation-curable pressure-sensitive adhesive include various oligomers such as urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based, and polybutadiene-based, and have a molecular weight of about 100 to 30,000. The one is suitable. The total content of the radiopolymerizable monomer component and oligomer component in the radiation-curable pressure-sensitive adhesive is determined within a range that can appropriately reduce the adhesive strength of the pressure-
粘着剤層22のための放射線硬化性粘着剤としては、例えば、放射線重合性の炭素-炭素二重結合等の官能基をポリマー側鎖や、ポリマー主鎖中、ポリマー主鎖末端に有するベースポリマーを含有する内在型の放射線硬化性粘着剤も挙げられる。このような内在型の放射線硬化性粘着剤は、形成される粘着剤層22内での低分子量成分の移動に起因する粘着特性の意図しない経時的変化を抑制するうえで好適である。
As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive for the pressure-
内在型の放射線硬化性粘着剤に含有されるベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。そのような基本骨格をなすアクリル系ポリマーとしては、上述のアクリル系ポリマーを採用することができる。アクリル系ポリマーへの放射線重合性の炭素-炭素二重結合の導入手法としては、例えば、所定の官能基(第1の官能基)を有するモノマーを含む原料モノマーを共重合させてアクリル系ポリマーを得た後、第1の官能基との間で反応を生じて結合しうる所定の官能基(第2の官能基)と放射線重合性炭素-炭素二重結合とを有する化合物を、炭素-炭素二重結合の放射線重合性を維持したままアクリル系ポリマーに対して縮合反応または付加反応させる方法が、挙げられる。 As the base polymer contained in the intrinsic radiation curable pressure-sensitive adhesive, one having an acrylic polymer as a basic skeleton is preferable. As the acrylic polymer forming such a basic skeleton, the above-mentioned acrylic polymer can be adopted. As a method for introducing a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond into an acrylic polymer, for example, a raw material monomer containing a monomer having a predetermined functional group (first functional group) is copolymerized to obtain an acrylic polymer. After obtaining the compound, a compound having a predetermined functional group (second functional group) capable of reacting with the first functional group and having a radiopolymerizable carbon-carbon double bond is carbon-carbon. Examples thereof include a method of subjecting an acrylic polymer to a condensation reaction or an addition reaction while maintaining the radiation polymerizable property of the double bond.
第1の官能基と第2の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基が挙げられる。これら組み合わせのうち、反応追跡の容易さの観点からは、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせや、イソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせが、好ましい。また、反応性の高いイソシアネート基を有するポリマーを作製するのは技術的難易度が高いので、アクリル系ポリマーの作製または入手のしやすさの観点からは、アクリル系ポリマー側の上記第1の官能基がヒドロキシ基であり且つ上記第2の官能基がイソシアネート基である場合が、より好ましい。この場合、放射線重合性炭素-炭素二重結合と第2の官能基たるイソシアネート基とを併有するイソシアネート化合物、即ち、放射線重合性の不飽和官能基含有イソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)、およびm-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネートが挙げられる。 Examples of the combination of the first functional group and the second functional group include a carboxy group and an epoxy group, an epoxy group and a carboxy group, a carboxy group and an aziridyl group, an aziridyl group and a carboxy group, a hydroxy group and an isocyanate group, and an isocyanate group. And hydroxy groups. Of these combinations, a combination of a hydroxy group and an isocyanate group or a combination of an isocyanate group and a hydroxy group is preferable from the viewpoint of ease of reaction tracking. Further, since it is technically difficult to prepare a polymer having a highly reactive isocyanate group, from the viewpoint of easy preparation or availability of an acrylic polymer, the first functionality on the acrylic polymer side is described above. It is more preferable that the group is a hydroxy group and the second functional group is an isocyanate group. In this case, the isocyanate compound having both a radiopolymerizable carbon-carbon double bond and an isocyanate group as a second functional group, that is, a radiopolymerizable unsaturated functional group-containing isocyanate compound is, for example, methacryloyl isocyanate, 2 -Methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI), and m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzylisocyanate.
粘着剤層22のための放射線硬化性粘着剤は、好ましくは光重合開始剤を含有する。光重合開始剤としては、例えば、α-ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、およびアシルホスフォナートが挙げられる。α-ケトール系化合物としては、例えば、4-(2-ヒドロキシエトキシ)フェニル(2-ヒドロキシ-2-プロピル)ケトン、α-ヒドロキシ-α,α'-ジメチルアセトフェノン、2-メチル-2-ヒドロキシプロピオフェノン、および1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンが挙げられる。アセトフェノン系化合物としては、例えば、メトキシアセトフェノン、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、および2-メチル-1-[4-(メチルチオ)-フェニル]-2-モルホリノプロパン-1が挙げられる。ベンゾインエーテル系化合物としては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、およびアニソインメチルエーテルが挙げられる。ケタール系化合物としては、例えばベンジルジメチルケタールが挙げられる。芳香族スルホニルクロリド系化合物としては、例えば2-ナフタレンスルホニルクロリドが挙げられる。光活性オキシム系化合物としては、例えば、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-(O-エトキシカルボニル)オキシムが挙げられる。ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、および3,3'-ジメチル-4-メトキシベンゾフェノンが挙げられる。チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、2-クロロチオキサントン、2-メチルチオキサントン、2,4-ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、2,4-ジクロロチオキサントン、2,4-ジエチルチオキサントン、および2,4-ジイソプロピルチオキサントンが挙げられる。粘着剤層22における放射線硬化性粘着剤中の光重合開始剤の含有量は、アクリル系ポリマーなどのベースポリマー100質量部に対して例えば0.05~20質量部である。
The radiation curable pressure-sensitive adhesive for the pressure-
粘着剤層22のための上記の加熱発泡型粘着剤は、加熱によって発泡や膨張をする成分(発泡剤、熱膨張性微小球など)を含有する粘着剤である。発泡剤としては、種々の無機系発泡剤および有機系発泡剤が挙げられる。熱膨張性微小球としては、例えば、加熱によって容易にガス化して膨張する物質が殻内に封入された構成の微小球が挙げられる。無機系発泡剤としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、およびアジド類が挙げられる。有機系発泡剤としては、例えば、トリクロロモノフルオロメタンやジクロロモノフルオロメタンなどの塩フッ化アルカン、アゾビスイソブチロニトリルやアゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレートなどのアゾ系化合物、パラトルエンスルホニルヒドラジドやジフェニルスルホン-3,3'-ジスルホニルヒドラジド、4,4'-オキシビス(ベンゼンスルホニルヒドラジド)、アリルビス(スルホニルヒドラジド)などのヒドラジン系化合物、ρ-トルイレンスルホニルセミカルバジドや4,4'-オキシビス(ベンゼンスルホニルセミカルバジド)などのセミカルバジド系化合物、5-モルホリル-1,2,3,4-チアトリアゾールなどのトリアゾール系化合物、並びに、N,N'-ジニトロソペンタメチレンテトラミンやN,N'-ジメチル-N,N'-ジニトロソテレフタルアミドなどのN-ニトロソ系化合物が、挙げられる。上記のような熱膨張性微小球をなすための、加熱によって容易にガス化して膨張する物質としては、例えば、イソブタン、プロパン、およびペンタンが挙げられる。加熱によって容易にガス化して膨張する物質をコアセルベーション法や界面重合法などによって殻形成物質内に封入することによって、熱膨張性微小球を作製することができる。殻形成物質としては、熱溶融性を示す物質や、封入物質の熱膨張の作用によって破裂し得る物質を用いることができる。そのような物質としては、例えば、塩化ビニリデン-アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、およびポリスルホンが挙げられる。
The above-mentioned heat-foaming type pressure-sensitive adhesive for the pressure-
上述の粘着力非低減型粘着剤としては、例えば、粘着力低減可能型粘着剤に関して上述した放射線硬化性粘着剤を予め放射線照射によって硬化させた形態の粘着剤や、感圧型粘着剤などが、挙げられる。放射線硬化性粘着剤は、その含有ポリマー成分の種類および含有量によっては、放射線硬化されて粘着力が低減された場合においても当該ポリマー成分に起因する粘着性を示し得て、所定の使用態様で被着体を粘着保持するのに利用可能な粘着力を発揮することが可能である。本実施形態の粘着剤層22においては、一種類の粘着力非低減型粘着剤が用いられてもよいし、二種類以上の粘着力非低減型粘着剤が用いられてもよい。また、粘着剤層22の全体が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよいし、粘着剤層22の一部が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよい。例えば、粘着剤層22が単層構造を有する場合、粘着剤層22の全体が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよいし、上述のように、粘着剤層22における所定の部位(例えば、リングフレームの貼着対象領域であって、ウエハの貼着対象領域の外側にある領域)が粘着力非低減型粘着剤から形成され、他の部位(例えば、ウエハの貼着対象領域である中央領域)が粘着力低減可能型粘着剤から形成されてもよい。また、粘着剤層22が多層構造を有する場合、多層構造をなす全ての層が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよいし、多層構造中の一部の層が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよい。
Examples of the above-mentioned non-reducing adhesive strength type adhesive include, for example, a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive and a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive, which are obtained by pre-curing the above-mentioned radiation-curable pressure-sensitive adhesive by irradiation with radiation. Can be mentioned. Depending on the type and content of the polymer component contained therein, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive can exhibit adhesiveness due to the polymer component even when the adhesive strength is reduced by radiation curing, and can be used in a predetermined mode of use. It is possible to exert the adhesive force that can be used to hold the adherend adhesively. In the pressure-
一方、粘着剤層22のための感圧型粘着剤としては、例えば、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤やゴム系粘着剤を用いることができる。粘着剤層22が感圧型粘着剤としてアクリル系粘着剤を含有する場合、当該アクリル系粘着剤のベースポリマーたるアクリル系ポリマーは、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多く含む。そのようなアクリル系ポリマーとしては、例えば、放射線硬化性粘着剤に関して上述したアクリル系ポリマーが挙げられる。
On the other hand, as the pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive for the pressure-
粘着剤層22ないしそれをなすための粘着剤は、上述の各成分に加えて、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、顔料や染料などの着色剤などを、含有してもよい。着色剤は、放射線照射を受けて着色する化合物であってもよい。そのような化合物としては、例えばロイコ染料が挙げられる。
The pressure-
粘着剤層22の厚さは、好ましくは1~50μm、より好ましくは2~30μm、より好ましくは5~25μmである。このような構成は、例えば、粘着剤層22が放射線硬化性粘着剤を含む場合に当該粘着剤層22の放射線硬化の前後におけるダイボンドフィルム10に対する接着力のバランスをとるうえで、好適である。
The thickness of the pressure-
以上のような構成を有するダイシングダイボンドフィルムXは、例えば以下のようにして製造することができる。 The dicing die bond film X having the above structure can be manufactured, for example, as follows.
ダイシングダイボンドフィルムXのダイボンドフィルム10の作製においては、まず、ダイボンドフィルム10形成用の接着剤組成物を調製した後、所定のセパレータ上に当該組成物を塗布して接着剤組成物層を形成する。セパレータとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、並びに、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙類などが、挙げられる。接着剤組成物の塗布手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、およびグラビア塗工が挙げられる。次に、この接着剤組成物層において、加熱によって、必要に応じて乾燥させ、また、必要に応じて架橋反応を生じさせる。加熱温度は例えば70~160℃であり、加熱時間は例えば1~5分間である。以上のようにして、セパレータを伴う形態で上述のダイボンドフィルム10を作製することができる。
In the production of the dicing
ダイシングダイボンドフィルムXのダイシングテープ20については、用意した基材21上に粘着剤層22を設けることによって作製することができる。例えば樹脂製の基材21は、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法などの製膜手法によって、作製することができる。製膜後のフィルムないし基材21には、必要に応じて所定の表面処理が施される。粘着剤層22の形成においては、例えば、粘着剤層形成用の粘着剤組成物を調製した後、まず、当該組成物を基材21上または所定のセパレータ上に塗布して粘着剤組成物層を形成する。粘着剤組成物の塗布手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、およびグラビア塗工が挙げられる。次に、この粘着剤組成物層において、加熱によって、必要に応じて乾燥させ、また、必要に応じて架橋反応を生じさせる。加熱温度は例えば80~150℃であり、加熱時間は例えば0.5~5分間である。粘着剤層22がセパレータ上に形成される場合には、当該セパレータを伴う粘着剤層22を基材21に貼り合わせ、その後、セパレータが剥離される。これにより、基材21と粘着剤層22との積層構造を有する上述のダイシングテープ20が作製される。
The dicing
ダイシングダイボンドフィルムXの作製においては、次に、ダイシングテープ20の粘着剤層22側にダイボンドフィルム10を例えば圧着して貼り合わせる。貼合わせ温度は、例えば30~50℃であり、好ましくは35~45℃である。貼合わせ圧力(線圧)は、例えば0.1~20kgf/cmであり、好ましくは1~10kgf/cmである。粘着剤層22が上述のような放射線硬化性粘着剤を含む場合、当該貼り合わせの前に粘着剤層22に対して紫外線等の放射線を照射してもよいし、当該貼り合わせの後に基材21の側から粘着剤層22に対して紫外線等の放射線を照射してもよい。或いは、ダイシングダイボンドフィルムXの製造過程では、そのような放射線照射を行わなくてもよい(この場合、ダイシングダイボンドフィルムXの使用過程で粘着剤層22を放射線硬化させることが可能である)。粘着剤層22が紫外線硬化型粘着剤層である場合、粘着剤層22を硬化させるための紫外線照射量は、例えば50~500mJ/cm2であり、好ましくは100~300mJ/cm2である。ダイシングダイボンドフィルムXにおいて粘着剤層22の粘着力低減措置としての照射が行われる領域(照射領域R)は、例えば図1に示すように、粘着剤層22におけるダイボンドフィルム貼合せ領域内のその周縁部を除く領域である。
In the production of the dicing die bond film X, next, the dicing
以上のようにして、ダイシングダイボンドフィルムXを作製することができる。ダイシングダイボンドフィルムXには、ダイボンドフィルム10側に、少なくともダイボンドフィルム10を被覆する形態でセパレータ(図示略)が設けられていてもよい。ダイシングテープ20の粘着剤層22よりもダイボンドフィルム10が小サイズで粘着剤層22においてダイボンドフィルム10の貼り合わされていない領域がある場合には例えば、セパレータは、ダイボンドフィルム10および粘着剤層22を少なくとも被覆する形態で設けられていてもよい。セパレータは、ダイボンドフィルム10や粘着剤層22が露出しないように保護するための要素であり、ダイシングダイボンドフィルムXを使用する際には当該フィルムから剥がされる。
As described above, the dicing die bond film X can be produced. The dicing die bond film X may be provided with a separator (not shown) on the side of the
図2から図8は、本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法を表す。 2 to 8 show a semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
本半導体装置製造方法においては、まず、図2(a)および図2(b)に示すように、半導体ウエハWに分割溝30aが形成される(分割溝形成工程)。半導体ウエハWは、第1面Waおよび第2面Wbを有する。半導体ウエハWにおける第1面Waの側には各種の半導体素子(図示略)が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等(図示略)が第1面Wa上に既に形成されている。本工程では、粘着面T1aを有するウエハ加工用テープT1が半導体ウエハWの第2面Wb側に貼り合わされた後、ウエハ加工用テープT1に半導体ウエハWが保持された状態で、半導体ウエハWの第1面Wa側に所定深さの分割溝30aがダイシング装置等の回転ブレードを使用して形成される。分割溝30aは、半導体ウエハWを半導体チップ単位に分離させるための空隙である(図2から図4では、分割溝30aを模式的に太線で表す)。
In the present semiconductor device manufacturing method, first, as shown in FIGS. 2A and 2B, a dividing
次に、図2(c)に示すように、粘着面T2aを有するウエハ加工用テープT2の、半導体ウエハWの第1面Wa側への貼り合わせと、半導体ウエハWからのウエハ加工用テープT1の剥離とが、行われる。 Next, as shown in FIG. 2C, the wafer processing tape T2 having the adhesive surface T2a is bonded to the first surface Wa side of the semiconductor wafer W, and the wafer processing tape T1 from the semiconductor wafer W is attached. Is peeled off.
次に、図2(d)に示すように、ウエハ加工用テープT2に半導体ウエハWが保持された状態で、半導体ウエハWが所定の厚さに至るまで第2面Wbからの研削加工によって薄化される(ウエハ薄化工程)。研削加工は、研削砥石を備える研削加工装置を使用して行うことができる。このウエハ薄化工程によって、本実施形態では、複数の半導体チップ31に個片化可能な半導体ウエハ30Aが形成される。半導体ウエハ30Aは、具体的には、当該ウエハにおいて複数の半導体チップ31へと個片化されることとなる部位を第2面Wb側にて連結する部位(連結部)を有する。半導体ウエハ30Aにおける連結部の厚さ、即ち、半導体ウエハ30Aの第2面Wbと分割溝30aの第2面Wb側先端との間の距離は、例えば1~30μmであり、好ましくは3~20μmである。
Next, as shown in FIG. 2D, with the semiconductor wafer W held by the wafer processing tape T2, the semiconductor wafer W is thinned by grinding from the second surface Wb until it reaches a predetermined thickness. (Wafer thinning process). The grinding process can be performed using a grinding device equipped with a grinding wheel. By this wafer thinning step, in the present embodiment, a
次に、図3(a)に示すように、ウエハ加工用テープT2に保持された半導体ウエハ30Aが、ダイシングダイボンドフィルムXのダイボンドフィルム10に対して貼り合わせられる。この後、図3(b)に示すように、半導体ウエハ30Aからウエハ加工用テープT2が剥がされる。ダイシングダイボンドフィルムXにおける粘着剤層22が放射線硬化性粘着剤層である場合には、ダイシングダイボンドフィルムXの製造過程での上述の放射線照射に代えて、半導体ウエハ30Aのダイボンドフィルム10への貼り合わせの後に、基材21の側から粘着剤層22に対して紫外線等の放射線を照射してもよい。照射量は、例えば50~500mJ/cm2であり、好ましくは100~300mJ/cm2である。ダイシングダイボンドフィルムXにおいて粘着剤層22の粘着力低減措置としての照射が行われる領域(図1に示す照射領域R)は、例えば、粘着剤層22におけるダイボンドフィルム10貼合わせ領域内のその周縁部を除く領域である。
Next, as shown in FIG. 3A, the
次に、ダイシングダイボンドフィルムXにおけるダイボンドフィルム10上にリングフレーム41が貼り付けられた後、図4(a)に示すように、半導体ウエハ30Aを伴う当該ダイシングダイボンドフィルムXがエキスパンド装置の保持具42に固定される。
Next, after the
次に、相対的に低温の条件下での第1エキスパンド工程(クールエキスパンド工程)が、図4(b)に示すように行われ、半導体ウエハ30Aが複数の半導体チップ31へと個片化されるとともに、ダイシングダイボンドフィルムXのダイボンドフィルム10が小片のダイボンドフィルム11に割断されて、ダイボンドフィルム付き半導体チップ31が得られる。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材43が、ダイシングダイボンドフィルムXの図中下側においてダイシングテープ20に当接して上昇され、半導体ウエハ30Aの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルムXのダイシングテープ20が、半導体ウエハ30Aの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このエキスパンドは、ダイシングテープ20において例えば15~32MPaの引張応力が生ずる条件で行われる。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば0℃以下であり、好ましくは-20~-5℃、より好ましくは-15~-5℃、より好ましくは-15℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度(突き上げ部材43が上昇する速度)は、例えば0.1~100mm/秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、例えば3~16mmである。
Next, the first expanding step (cool expanding step) under relatively low temperature conditions is performed as shown in FIG. 4B, and the
本工程では、半導体ウエハ30Aにおいて薄肉で割れやすい部位に割断が生じて半導体チップ31への個片化が生じる。これとともに、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ20の粘着剤層22に密着しているダイボンドフィルム10において各半導体チップ31が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ31間の分割溝に対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ20に生ずる引張応力が作用する。その結果、ダイボンドフィルム10において半導体チップ31間の分割溝に対向する箇所が割断されることとなる。本工程の後、図4(c)に示すように、突き上げ部材43が下降されて、ダイシングテープ20におけるエキスパンド状態が解除される。
In this step, the thin-walled and fragile portion of the
次に、相対的に高温の条件下での第2エキスパンド工程が、図5(a)に示すように行われ、ダイボンドフィルム付き半導体チップ31間の距離(離間距離)が広げられる。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材43が再び上昇され、ダイシングダイボンドフィルムXのダイシングテープ20がエキスパンドされる。第2エキスパンド工程における温度条件は、例えば10℃以上であり、好ましくは15~30℃である。第2エキスパンド工程におけるエキスパンド速度(突き上げ部材43が上昇する速度)は、例えば0.1~10mm/秒である。また、第2エキスパンド工程におけるエキスパンド量は例えば3~16mmである。後記のピックアップ工程にてダイシングテープ20からダイボンドフィルム付き半導体チップ31を適切にピックアップ可能な程度に、本工程ではダイボンドフィルム付き半導体チップ31の離間距離が広げられる。本工程の後、図5(b)に示すように、突き上げ部材43が下降されて、ダイシングテープ20におけるエキスパンド状態が解除される。エキスパンド状態解除後にダイシングテープ20上のダイボンドフィルム付き半導体チップ31の離間距離が狭まることを抑制するうえでは、エキスパンド状態を解除するより前に、ダイシングテープ20における半導体チップ31保持領域より外側の部分を加熱して収縮させるのが好ましい。
Next, the second expanding step under relatively high temperature conditions is performed as shown in FIG. 5A, and the distance (separation distance) between the semiconductor chips 31 with the die bond film is widened. In this step, the hollow cylindrical push-up
次に、ダイボンドフィルム付き半導体チップ31を伴うダイシングテープ20における半導体チップ31側を水などの洗浄液を使用して洗浄するクリーニング工程を必要に応じて経た後、図6に示すように、ダイボンドフィルム付き半導体チップ31をダイシングテープ20からピックアップする(ピックアップ工程)。例えば、ピックアップ対象のダイボンドフィルム付き半導体チップ31について、ダイシングテープ20の図中下側においてピックアップ機構のピン部材44を上昇させてダイシングテープ20を介して突き上げた後、吸着治具45によって吸着保持する。ピックアップ工程において、ピン部材44の突き上げ速度は例えば1~100mm/秒であり、ピン部材44の突き上げ量は例えば50~3000μmである。
Next, after undergoing a cleaning step as necessary to clean the
次に、図7(a)および図7(b)に示すように、ダイボンドフィルム付き半導体チップ31の実装基板51上への仮固着が行われる。この仮固着は、実装基板51上の半導体チップ31'等が、半導体チップ31に伴うダイボンドフィルム11に埋め込まれるように、行われる。実装基板51としては、例えば、リードフレーム、TAB(Tape Automated Bonding)フィルム、および配線基板が挙げられる。半導体チップ31'は、接着剤層52を介して実装基板51に固定されている。半導体チップ31'の電極パッド(図示略)と実装基板51の有する端子部(図示略)とが、ボンディングワイヤー53を介して電気的に接続されている。ボンディングワイヤー53としては、例えば金線、アルミニウム線、または銅線を用いることができる。本工程では、このようにワイヤーボンディング実装された半導体チップ31'と、それに接続されたボンディングワイヤー53の全体とが、半導体チップ31に伴うダイボンドフィルム11内に埋め込まれる。また、本工程では、半導体チップ31'およびボンディングワイヤー53がダイボンドフィルム11内に押し入りやすい状態とするために、ダイボンドフィルム11を加熱して軟化させてもよい。加熱温度は、ダイボンドフィルム11が完全な熱硬化状態に至らない温度であって、例えば80~140℃である。
Next, as shown in FIGS. 7 (a) and 7 (b), the
次に、図7(c)に示すように、加熱によってダイボンドフィルム11が硬化される(熱硬化工程)。本工程において、加熱温度は例えば100~200℃であり、加熱時間は例えば0.5~10時間である。本工程を経ることにより、ダイボンドフィルム11が熱硬化してなる接着剤層が形成される。この接着剤層は、実装基板51にワイヤーボンディング実装された半導体チップ31'(第1半導体チップ)を、それに接続されたボンディングワイヤー53の全体とともに包埋しつつ、実装基板51に半導体チップ31を接合するものである。
Next, as shown in FIG. 7 (c), the
次に、図8(a)に示すように、半導体チップ31の電極パッド(図示略)と、実装基板51の有する端子部(図示略)とが、ボンディングワイヤー53を介して電気的に接続される(ワイヤーボンディング工程)。半導体チップ31の電極パッドとボンディングワイヤー53との結線、および、実装基板51の端子部とボンディングワイヤー53との結線は、加熱を伴う超音波溶接によって実現される。ワイヤーボンディングにおけるワイヤー加熱温度は例えば80~250℃であり、その加熱時間は例えば数秒~数分間である。このようなワイヤーボンディング工程は、上述の熱硬化工程よりも前に行ってもよい。
Next, as shown in FIG. 8A, the electrode pad (not shown) of the
次に、図8(b)に示すように、実装基板51上の半導体チップ31等を封止するための封止樹脂54が形成される(封止工程)。本工程では、例えば、金型を使用して行うトランスファーモールド技術によって封止樹脂54が形成される。封止樹脂54の構成材料としては、例えばエポキシ系樹脂が挙げられる。本工程において、封止樹脂54を形成するための加熱温度は例えば165~185℃であり、加熱時間は例えば60秒~数分間である。本工程で封止樹脂54の硬化が充分には進行しない場合には、本工程の後に封止樹脂54を更なる加熱処理によって完全に硬化させるための後硬化工程が行われる。後硬化工程において、加熱温度は例えば165~185℃であり、加熱時間は例えば0.5~8時間である。図7(c)を参照して上述した工程においてダイボンドフィルム11が完全には熱硬化しない場合であっても、封止工程や後硬化工程では、封止樹脂54とともにダイボンドフィルム11について完全な熱硬化を実現することが可能である。
Next, as shown in FIG. 8B, a sealing
以上のようにして、複数の半導体チップが多段実装された半導体装置を製造することができる。本実施形態では、半導体チップ31'と、それに接続されたボンディングワイヤー52の全体とが、ダイボンドフィルム11が硬化してなる接着剤層内に埋め込まれている。これに対し、半導体チップ31'と、それに接続されたボンディングワイヤー52における半導体チップ31'側の一部とが、ダイボンドフィルム11が硬化してなる接着剤層内に埋め込まれてもよい。また、本実施形態では、ワイヤーボンディング実装された半導体チップ31'に代えて、例えば図9に示すように、フリップチップ実装された半導体チップ31'を採用してもよい。図9に示す半導体チップ31'は、実装基板51に対してバンプ55を介して電気的に接続されており、当該半導体チップ31'と実装基板51との間には、アンダーフィル剤56が充填されて熱硬化されている。図9に示す半導体装置においては、ダイボンドフィルム11が熱硬化してなる接着剤層は、実装基板51にフリップチップ実装された半導体チップ31'(第1半導体チップ)を包埋しつつ実装基板51に半導体チップ31(第2半導体チップ)を接合するものである。
As described above, it is possible to manufacture a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are mounted in multiple stages. In the present embodiment, the semiconductor chip 31'and the
図10および図11は、本発明に係る半導体装置製造方法の他の実施形態における一部の工程を表す。本実施形態では、まず、図10(a)および図10(b)に示すように、実装基板51にワイヤーボンディング実装された半導体チップ31'上へのダイボンドフィルム付き半導体チップ31の仮固着が行われる。半導体チップ31'は、接着剤層52を介して実装基板51に固定されている。半導体チップ31'の電極パッド(図示略)と実装基板51の有する端子部(図示略)とが、ボンディングワイヤー53を介して電気的に接続されている。本工程では、このようにワイヤーボンディング実装された半導体チップ31'のボンディングワイヤー53接続箇所をダイボンドフィルム11が覆い、当該ダイボンドフィルム11内にボンディングワイヤー53の一部が埋め込まれる。また、本工程では、ボンディングワイヤー53がダイボンドフィルム11内に押し入りやすい状態とするために、ダイボンドフィルム11を加熱して軟化させてもよい。加熱温度は、ダイボンドフィルム11が完全な熱硬化状態に至らない温度であって、例えば80~140℃である。
10 and 11 represent some steps in another embodiment of the semiconductor device manufacturing method according to the present invention. In the present embodiment, first, as shown in FIGS. 10 (a) and 10 (b), the
次に、図10(c)に示すように、加熱によってダイボンドフィルム11が硬化される(熱硬化工程)。本工程において、加熱温度は例えば100~200℃であり、加熱時間は例えば0.5~10時間である。本工程を経ることにより、ダイボンドフィルム11が熱硬化してなる接着剤層が形成される。この接着剤層は、実装基板51にワイヤーボンディング実装された半導体チップ31'のボンディングワイヤー53接続箇所を覆ってボンディングワイヤー53の一部を包埋しつつ半導体チップ31'(第1半導体チップ)に半導体チップ31(第2半導体チップ)を接合するものである。
Next, as shown in FIG. 10 (c), the
次に、図11(a)に示すように、半導体チップ31の電極パッド(図示略)と、実装基板51の有する端子部(図示略)とが、ボンディングワイヤー53を介して電気的に接続される(ワイヤーボンディング工程)。半導体チップ31の電極パッドとボンディングワイヤー53との結線、および、実装基板51の端子部とボンディングワイヤー53との結線は、加熱を伴う超音波溶接によって実現される。ワイヤーボンディングにおけるワイヤー加熱温度は例えば80~250℃であり、その加熱時間は例えば数秒~数分間である。このようなワイヤーボンディング工程は、本実施形態における上述の熱硬化工程よりも前に行ってもよい。
Next, as shown in FIG. 11A, the electrode pad (not shown) of the
次に、図11(b)に示すように、実装基板51上の半導体チップ31,31'およびボンディングワイヤー53を封止するための封止樹脂54が形成される(封止工程)。本工程において、封止樹脂54を形成するための加熱温度は例えば165~185℃であり、加熱時間は例えば60秒~数分間である。本工程で封止樹脂54の硬化が充分には進行しない場合には、本工程の後に封止樹脂54を更なる加熱処理によって完全に硬化させるための後硬化工程が行われる。後硬化工程において、加熱温度は例えば165~185℃であり、加熱時間は例えば0.5~8時間である。図10(c)を参照して上述した工程においてダイボンドフィルム11が完全には熱硬化しない場合であっても、封止工程や後硬化工程では、封止樹脂54とともにダイボンドフィルム11について完全な熱硬化を実現することが可能である。
Next, as shown in FIG. 11B, a sealing
以上のようにして、複数の半導体チップが多段実装された半導体装置を製造することができる。 As described above, it is possible to manufacture a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are mounted in multiple stages.
本発明に係る半導体装置製造方法おいては、図2(d)を参照して上述したウエハ薄化工程に代えて、図12に示すウエハ薄化工程を行ってもよい。図2(c)を参照して上述した過程を経た後、図12に示すウエハ薄化工程では、ウエハ加工用テープT2に半導体ウエハWが保持された状態で、当該ウエハが所定の厚さに至るまで第2面Wbからの研削加工によって薄化されて、複数の半導体チップ31を含んでウエハ加工用テープT2に保持された半導体ウエハ分割体30Bが形成される。本工程では、分割溝30aそれ自体が第2面Wb側に露出するまでウエハを研削する手法(第1の手法)を採用してもよいし、第2面Wb側から分割溝30aに至るより前までウエハを研削し、その後、回転砥石からウエハへの押圧力の作用により分割溝30aと第2面Wbとの間にクラックを生じさせて半導体ウエハ分割体30Bを形成する手法(第2の手法)を採用してもよい。採用される手法に応じて、図2(a)および図2(b)を参照して上述したように形成される分割溝30aの、第1面Waからの深さは、適宜に決定される。図12では、第1の手法を経た分割溝30a、または、第2の手法を経た分割溝30aおよびこれに連なるクラックについて、模式的に太線で表す。このようにして作製される半導体ウエハ分割体30Bが半導体ウエハ30Aの代わりにダイシングダイボンドフィルムXに貼り合わされたうえで、図3から図6を参照して上述した各工程が行われてもよい。
In the semiconductor device manufacturing method according to the present invention, the wafer thinning step shown in FIG. 12 may be performed instead of the wafer thinning step described above with reference to FIG. 2 (d). After going through the above-mentioned process with reference to FIG. 2 (c), in the wafer thinning step shown in FIG. 12, the wafer is brought to a predetermined thickness while the semiconductor wafer W is held by the wafer processing tape T2. The
図13(a)および図13(b)は、半導体ウエハ分割体30BがダイシングダイボンドフィルムXに貼り合わされた後に行われる第1エキスパンド工程(クールエキスパンド工程)を具体的に表す。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材43が、ダイシングダイボンドフィルムXの図中下側においてダイシングテープ20に当接して上昇され、半導体ウエハ分割体30Bの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルムXのダイシングテープ20が、半導体ウエハ分割体30Bの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このエキスパンドは、ダイシングテープ20において、例えば1~100MPaの引張応力が生ずる条件で行われる。本工程における温度条件は、例えば0℃以下であり、好ましくは-20~-5℃、より好ましくは-15~-5℃、より好ましくは-15℃である。本工程におけるエキスパンド速度(突き上げ部材43が上昇する速度)は、例えば1~500mm/秒である。また、本工程におけるエキスパンド量は、例えば50~200mmである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルムXのダイボンドフィルム10が小片のダイボンドフィルム11に割断されてダイボンドフィルム付き半導体チップ31が得られる。具体的に、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ20の粘着剤層22に密着しているダイボンドフィルム10において、半導体ウエハ分割体30Bの各半導体チップ31が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ31間の分割溝30aに対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ20に生ずる引張応力が作用する。その結果、ダイボンドフィルム10において半導体チップ31間の分割溝30aに対向する箇所が割断されることとなる。こうして得られるダイボンドフィルム付き半導体チップ31は、図6を参照して上述したピックアップ工程を経た後、半導体装置製造過程における実装工程に供されることとなる。
13 (a) and 13 (b) specifically represent a first expanding step (cool expanding step) performed after the semiconductor wafer divided
本発明に係る半導体装置製造方法おいては、半導体ウエハ30Aまたは半導体ウエハ分割体30BがダイシングダイボンドフィルムXに貼り合わされるという上述の構成に代えて、次のようにして作製される半導体ウエハ30CがダイシングダイボンドフィルムXに貼り合わされてもよい。
In the semiconductor device manufacturing method according to the present invention, the
半導体ウエハ30Cの作製においては、まず、図14(a)および図14(b)に示すように、半導体ウエハWに改質領域30bが形成される。半導体ウエハWは、第1面Waおよび第2面Wbを有する。半導体ウエハWにおける第1面Waの側には各種の半導体素子(図示略)が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等(図示略)が第1面Wa上に既に形成されている。本工程では、粘着面T3aを有するウエハ加工用テープT3が半導体ウエハWの第1面Wa側に貼り合わされた後、ウエハ加工用テープT3に半導体ウエハWが保持された状態で、ウエハ内部に集光点の合わせられたレーザー光がウエハ加工用テープT3とは反対の側から半導体ウエハWに対してその分割予定ラインに沿って照射され、多光子吸収によるアブレーションに因って半導体ウエハW内に改質領域30bが形成される。改質領域30bは、半導体ウエハWを半導体チップ単位に分離させるための脆弱化領域である。半導体ウエハにおいてレーザー光照射によって分割予定ライン上に改質領域30bを形成する方法については、例えば特開2002-192370号公報に詳述されているところ、本実施形態におけるレーザー光照射条件は、例えば以下の条件の範囲内で適宜に調整される。
<レーザー光照射条件>
(A)レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Nd:YAGレーザー
波長 1064nm
レーザー光スポット断面積 3.14×10-8cm2
発振形態 Qスイッチパルス
繰り返し周波数 100kHz以下
パルス幅 1μs以下
出力 1mJ以下
レーザー光品質 TEM00
偏光特性 直線偏光
(B)集光用レンズ
倍率 100倍以下
NA 0.55
レーザー光波長に対する透過率 100%以下
(C)半導体基板が載置される裁置台の移動速度 280mm/秒以下
In the production of the
<Laser light irradiation conditions>
(A) Laser light Laser light source Semiconductor laser excitation Nd: YAG laser Wavelength 1064 nm
Laser light spot cross-sectional area 3.14 × 10 -8 cm 2
Oscillation form Q-switched pulse repetition frequency 100 kHz or less Pulse width 1 μs or less Output 1 mJ or less Laser light quality TEM00
Polarization characteristics Linear polarization (B) Condensing lens Magnification 100x or less NA 0.55
Transmittance with respect to laser light wavelength 100% or less (C) Movement speed of the cutting table on which the semiconductor substrate is placed 280 mm / sec or less
次に、ウエハ加工用テープT3に半導体ウエハWが保持された状態で、半導体ウエハWが所定の厚さに至るまで第2面Wbからの研削加工によって薄化され、これにより、図14(c)に示すように、複数の半導体チップ31に個片化可能な半導体ウエハ30Cが形成される(ウエハ薄化工程)。以上のようにして作製される半導体ウエハ30Cが半導体ウエハ30Aの代わりにダイシングダイボンドフィルムXに貼り合わされたうえで、図3から図6を参照して上述した各工程が行われてもよい。
Next, with the semiconductor wafer W held by the wafer processing tape T3, the semiconductor wafer W is thinned by grinding from the second surface Wb until it reaches a predetermined thickness, whereby FIG. 14 (c). ), A
図15(a)および図15(b)は、半導体ウエハ30CがダイシングダイボンドフィルムXに貼り合わされた後に行われる第1エキスパンド工程(クールエキスパンド工程)を具体的に表す。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材43が、ダイシングダイボンドフィルムXの図中下側においてダイシングテープ20に当接して上昇され、半導体ウエハ30Cの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルムXのダイシングテープ20が、半導体ウエハ30Cの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このエキスパンドは、ダイシングテープ20において、例えば1~100MPaの引張応力が生ずる条件で行われる。本工程における温度条件は、例えば0℃以下であり、好ましくは-20~-5℃、より好ましくは-15~-5℃、より好ましくは-15℃である。本工程におけるエキスパンド速度(突き上げ部材43が上昇する速度)は、例えば1~500mm/秒である。また、本工程におけるエキスパンド量は、例えば50~200mmである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルムXのダイボンドフィルム10が小片のダイボンドフィルム11に割断されてダイボンドフィルム付き半導体チップ31が得られる。具体的に、本工程では、半導体ウエハ30Cにおいて脆弱な改質領域30bにクラックが形成されて半導体チップ31への個片化が生じる。これとともに、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ20の粘着剤層22に密着しているダイボンドフィルム10において、半導体ウエハ30Cの各半導体チップ31が密着している各領域では変形が抑制される一方で、ウエハのクラック形成箇所に対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ20に生ずる引張応力が作用する。その結果、ダイボンドフィルム10において半導体チップ31間のクラック形成箇所に対向する箇所が割断されることとなる。こうして得られるダイボンドフィルム付き半導体チップ31は、図6を参照して上述したピックアップ工程を経た後、半導体装置製造過程における実装工程に供されることとなる。
15 (a) and 15 (b) specifically represent a first expanding step (cool expanding step) performed after the
例えば以上のような半導体装置製造過程において使用されうるダイシングダイボンドフィルムXにおけるダイボンドフィルム10にとり、幅10mmのダイボンドフィルム試験片について初期チャック間距離10mm、23℃、および引張速度300mm/分の条件で行われる引張試験での降伏点強度が15N以下であり、破断強度が15N以下であり、且つ破断伸度が40~400%であるという上述の構成は、当該ダイボンドフィルム10が比較的に分厚い場合であっても、エキスパンド工程にあるダイボンドフィルム10について、その割断予定箇所に割断を生じさせつつもダイシングテープ20上からの飛び散りを抑制するのに好適であることを、本発明者らは見いだした。例えば、後記の実施例および比較例をもって示すとおりである。
For example, for the dicing
ダイボンドフィルム10における、上記引張試験での破断伸度が40~400%であり、好ましくは40~350%、より好ましくは40~300%であるという上述の構成は、割断用のエキスパンド工程にて、ダイボンドフィルム10を割断させるための引張り長さが過大となるのを回避しつつ当該ダイボンドフィルム10に脆性破壊でなく延性破壊を生じやすくさせるうえで好ましいものと考えられる。延性破壊の生じやすいダイボンドフィルムほど、割断用エキスパンド工程にて割断用応力が当該フィルムの割断予定箇所にまで伝わりやすく、従って、割断予定箇所にて割断されやすい。
The above-mentioned configuration in which the breaking elongation in the tensile test of the
ダイボンドフィルム10における、上記引張試験での降伏点強度が15N以下であり、好ましくは12N以下、より好ましくは10N以下であり、且つ、同引張試験での破断強度が15N以下であり、好ましくは12N以下、より好ましくは10N以下であるという上述の構成は、割断用エキスパンド工程でのダイボンドフィルム10の伸張過程および破断過程で当該フィルム内部に蓄積される歪みエネルギーを抑制するうえで好ましいものと考えられる。割断用エキスパンド工程では、伸張過程および破断過程での内部蓄積歪みエネルギーの小さなダイボンドフィルムほど、その露出領域(ワークに覆われていない領域)にて破断してフィルム片が飛び散るという現象は、生じにくい。
The yield point strength of the
以上のように、ダイボンドフィルム10は、ダイシングテープ20の粘着剤層22側に密着された形態で割断用エキスパンド工程に使用される場合に、良好な割断を実現しつつ飛び散りを抑制するのに適するのである。また、ダイシングダイボンドフィルムXは、割断用エキスパンド工程に使用される場合に、ダイボンドフィルム10において良好な割断を実現しつつ飛び散りを抑制するのに適する。
As described above, the
ダイボンドフィルム10の厚さは、上述のように、好ましくは40μm以上、より好ましくは60μm以上、より好ましくは80μm以上である。このような構成は、半導体チップ包埋用の接着フィルムや、ボンディングワイヤーの部分的包埋を伴う半導体チップ間接合用の接着フィルムとして、ダイボンドフィルム10を使用するうえで好適である。また、ダイボンドフィルム10の厚さは、好ましくは200μm以下、より好ましくは160μm以下、より好ましくは120μm以下である。このような構成は、ダイボンドフィルム10についての降伏点強度や破断強度、破断伸度が過大となるのを回避して、上記引張試験での降伏点強度が15N以下であり、破断強度が15N以下であり、且つ破断伸度が40~400%であるという上記構成を実現するうえで好ましい。
As described above, the thickness of the
ダイボンドフィルム10の未硬化状態における120℃での粘度は、上述のように、好ましくは300Pa・s以上、より好ましくは700Pa・s以上、より好ましくは1000Pa・s以上である。ダイボンドフィルム10の未硬化状態における120℃での粘度は、好ましくは5000Pa・s以下、より好ましくは4500Pa・s以下、より好ましくは4000Pa・s以下である。ダイボンドフィルム10の未硬化状態での粘度ないし軟質さに関するこれら構成は、半導体チップ包埋用の接着フィルムや、ボンディングワイヤーの部分的包埋を伴う半導体チップ間接合用の接着フィルムとして、ダイボンドフィルム10を使用するうえで好適である。
As described above, the viscosity of the
ダイボンドフィルム10が無機フィラーを含有する場合のその無機フィラー含有量は、上述のように、好ましくは10質量%以上、より好ましくは20質量%以上、より好ましくは30質量%以上である。また、同含有量は、好ましくは50質量%以下、より好ましくは45質量%以下、より好ましくは40質量%以下である。接着剤層形成用フィルム内の無機フィラー含有量が増大するほど、当該フィルムの破断伸度は小さくなる傾向にあり且つ降伏点強度は大きくなる傾向にあるところ、ダイボンドフィルム10における無機フィラー含有量に関する当該構成は、ダイボンドフィルム10の露出領域(ワークに覆われていない領域)にて破断してフィルム片が飛び散るという上述の現象を抑制するうえで、好適である。
When the
ダイボンドフィルム10は好ましくは有機フィラーを含有し、ダイボンドフィルム10における有機フィラーの含有量は、好ましくは2質量%以上、より好ましくは5質量%以上、より好ましくは8質量%以上である。また、ダイボンドフィルム10が有機フィラーを含有する場合のその含有量は、好ましくは20質量%以下、より好ましくは17質量%以下、より好ましくは15質量%以下である。ダイボンドフィルム10における有機フィラー含有量に関する当該構成は、ダイボンドフィルム10の降伏点強度および破断強度を適正範囲に制御するうえで好適である。
The
ダイボンドフィルム10は、好ましくは、ガラス転移温度が-40~10℃のアクリル樹脂を含有する。このような構成は、ダイボンドフィルム10について上記引張試験での降伏点強度が15N以下であるという上記構成を実現するうえで好適である。
The
〔実施例1〕
〈ダイボンドフィルム(DAF)の作製〉
アクリル樹脂A1(商品名「テイサンレジン SG-708-6」,重量平均分子量は70万,ガラス転移温度Tgは4℃,ナガセケムテックス株式会社製)18質量部と、エポキシ樹脂(商品名「KI-3000-4」,新日鉄住金化学株式会社製)28質量部と、フェノール樹脂(商品名「LVR8210-DL」,群栄化学工業株式会社製)14質量部と、無機フィラー(商品名「SE-2050MC」,シリカ,平均粒径は0.5μm,株式会社アドマテックス製)40質量部と、硬化触媒である有機触媒(商品名「TPP-MK」,北興化学株式会社製)0.1質量部とを、メチルエチルケトンに加えて混合し、接着剤組成物を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するPETセパレータ(厚さ38μm)のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物を塗布して接着剤組成物層を形成した。次に、この組成物層について130℃で2分間の加熱乾燥を行い、PETセパレータ上に厚さ100μmの実施例1のダイボンドフィルムを作製した。実施例1ならびに後記の各実施例および各比較例におけるダイボンドフィルムの組成を表1に掲げる(表1において、ダイボンドフィルムの組成を表す各数値の単位は、当該組成内での相対的な“質量部”である)。
[Example 1]
<Manufacturing of die bond film (DAF)>
Acrylic resin A 1 (trade name "Teisan Resin SG-708-6", weight average molecular weight 700,000, glass transition temperature Tg 4 ° C, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) 18 parts by mass and epoxy resin (trade name "Trade name" KI-3000-4 ", manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Chemical Co., Ltd.) 28 parts by mass, phenol resin (trade name" LVR8210-DL ", manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd.) 14 parts by mass, and an inorganic filler (trade name" SE " -2050MC ", silica, average particle size 0.5 μm, manufactured by Admatex Co., Ltd., 40 parts by mass, and organic catalyst (trade name" TPP-MK ", manufactured by Hokuko Chemical Co., Ltd.), which is a curing catalyst, 0.1 mass. The parts were added to the methyl ethyl ketone and mixed to obtain an adhesive composition. Next, the adhesive composition was applied to the silicone release-treated surface of the PET separator (thickness 38 μm) having the silicone release-treated surface using an applicator to form an adhesive composition layer. .. Next, this composition layer was heat-dried at 130 ° C. for 2 minutes to prepare a die-bonded film of Example 1 having a thickness of 100 μm on a PET separator. The compositions of the die-bonded films in Example 1 and each of the Examples and Comparative Examples described below are listed in Table 1 (in Table 1, the unit of each numerical value representing the composition of the die-bonded film is the relative "mass" within the composition. Department ").
〈ダイシングテープの作製〉
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、アクリル酸2-エチルヘキシル86.4質量部と、アクリル酸2-ヒドロキシエチル13.6質量部と、重合開始剤たる過酸化ベンゾイル0.2質量部と、重合溶媒たるトルエン65質量部とを含む混合物を、61℃で6時間、窒素雰囲気下で撹拌した(重合反応)。これにより、アクリル系ポリマーP1を含有するポリマー溶液を得た。次に、このアクリル系ポリマーP1を含有するポリマー溶液と、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)と、付加反応触媒としてのジブチル錫ジラウリレートとを含む混合物を、50℃で48時間、空気雰囲気下で撹拌した(付加反応)。当該反応溶液において、MOIの配合量は、上記アクリル系ポリマーP1100質量部に対して14.6質量部であり、ジブチル錫ジラウリレートの配合量は、アクリル系ポリマーP1100質量部に対して0.5質量部である。この付加反応により、側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系ポリマーP2を含有するポリマー溶液を得た。次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーP2100質量部に対して2質量部のポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」,東ソー株式会社製)と、5質量部の光重合開始剤(商品名「イルガキュア651」,BASF社製)とを加えて混合し、粘着剤組成物を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するPETセパレータ(厚さ38μm)のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して粘着剤組成物を塗布して粘着剤組成物層を形成した。次に、この組成物層について120℃で2分間の加熱乾燥を行い、PETセパレータ上に厚さ10μmの粘着剤層を形成した。次に、ラミネーターを使用して、この粘着剤層の露出面にエチレン-酢酸ビニル共重合体(EVA)製の基材(商品名「ファンクレア NRB#115」,厚さ115μm,グンゼ株式会社製)を室温で貼り合わせた。以上のようにしてダイシングテープを作製した。
<Making dicing tape>
Initiation of polymerization with 86.4 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate and 13.6 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate in a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirrer. A mixture containing 0.2 parts by mass of benzoyl peroxide as an agent and 65 parts by mass of toluene as a polymerization solvent was stirred at 61 ° C. for 6 hours in a nitrogen atmosphere (polymerization reaction). As a result, a polymer solution containing the acrylic polymer P 1 was obtained. Next, a mixture containing the polymer solution containing the acrylic polymer P 1 , 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI), and dibutyltin dilaurylate as an addition reaction catalyst was mixed at 50 ° C. for 48 hours under an air atmosphere. Stirred in (addition reaction). In the reaction solution, the amount of MOI compounded was 14.6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer P 1 , and the amount of dibutyltin dilaurylate compounded was 1 part by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer P 1 . It is 0.5 parts by mass. By this addition reaction, a polymer solution containing an acrylic polymer P 2 having a methacrylate group in the side chain was obtained. Next, in the polymer solution, 2 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name "Coronate L", manufactured by Tosoh Corporation) and 5 parts by mass of a photopolymerization initiator (2 parts by mass) with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer P 2 The product name "Irgacure 651" (manufactured by BASF) was added and mixed to obtain a pressure-sensitive adhesive composition. Next, the pressure-sensitive adhesive composition was applied onto the silicone release-treated surface of the PET separator (thickness 38 μm) having the silicone release-treated surface using an applicator to form a pressure-sensitive adhesive composition layer. .. Next, this composition layer was heat-dried at 120 ° C. for 2 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm on the PET separator. Next, using a laminator, a substrate made of ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) (trade name "Funkrea NRB # 115", thickness 115 μm, manufactured by Gunze Co., Ltd.) was used on the exposed surface of this pressure-sensitive adhesive layer. ) Was laminated at room temperature. The dicing tape was produced as described above.
〈ダイシングダイボンドフィルムの作製〉
PETセパレータを伴う実施例1の上述のダイボンドフィルムを直径330mmの円形に打ち抜き加工した。次に、当該ダイボンドフィルムからPETセパレータを剥離し且つ上述のダイシングテープからPETセパレータを剥離した後、当該ダイシングテープにおいて露出した粘着剤層と、ダイボンドフィルムにおいてPETセパレータの剥離によって露出した面とを、ロールラミネーターを使用して貼り合わせた。この貼り合わせにおいて、貼合わせ速度を10mm/分とし、温度条件を40℃とし、圧力条件を0.15MPaとした。次に、このようにしてダイボンドフィルムと貼り合わせられたダイシングテープを、ダイシングテープの中心とダイボンドフィルムの中心とが一致するように、直径390mmの円形に打ち抜き加工した。次に、ダイシングテープにおける粘着剤層に対し、EVA基材の側から紫外線を照射した。紫外線照射においては、高圧水銀ランプを使用し、照射積算光量を400mJ/cm2とした。以上のようにして、ダイシングテープとダイボンドフィルムとを含む積層構造を有する実施例1のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
<Preparation of dicing die bond film>
The above-mentioned die bond film of Example 1 with a PET separator was punched into a circle having a diameter of 330 mm. Next, after peeling the PET separator from the dicing film and peeling the PET separator from the above-mentioned dicing tape, the pressure-sensitive adhesive layer exposed on the dicing tape and the surface exposed by the peeling of the PET separator on the dicing tape are separated. It was bonded using a roll laminator. In this bonding, the bonding speed was 10 mm / min, the temperature condition was 40 ° C., and the pressure condition was 0.15 MPa. Next, the dicing tape thus bonded to the dicing tape was punched into a circle having a diameter of 390 mm so that the center of the dicing tape and the center of the dicing film coincided with each other. Next, the pressure-sensitive adhesive layer in the dicing tape was irradiated with ultraviolet rays from the side of the EVA base material. In the ultraviolet irradiation, a high-pressure mercury lamp was used, and the integrated irradiation light amount was set to 400 mJ / cm 2 . As described above, the dicing die bond film of Example 1 having a laminated structure including the dicing tape and the dicing film was produced.
〔実施例2〕
アクリル樹脂A118質量部に代えてアクリル樹脂A2(商品名「テイサンレジン SG-70L」,重量平均分子量は90万,ガラス転移温度Tgは-13℃,ナガセケムテックス株式会社製)18質量部を用いたこと以外は実施例1のダイボンドフィルムと同様にして、実施例2のダイボンドフィルム(厚さ100μm)を作製した。また、この実施例2のダイボンドフィルムを実施例1の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例1のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例2のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
[Example 2]
Acrylic resin A 1 Instead of 18 parts by mass, acrylic resin A 2 (trade name "Taisan Resin SG-70L", weight average molecular weight is 900,000, glass transition temperature Tg is -13 ° C, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) 18 mass A die bond film (thickness 100 μm) of Example 2 was produced in the same manner as the die bond film of Example 1 except that the portion was used. Further, the dicing die bond film of Example 2 was produced in the same manner as the dicing die bond film of Example 1 except that the dicing die bond film of Example 2 was used instead of the above-mentioned die bond film of Example 1.
〔実施例3〕
アクリル樹脂A118質量部に代えてアクリル樹脂A3(商品名「テイサンレジン SG-280」,重量平均分子量は90万,ガラス転移温度Tgは-29℃,ナガセケムテックス株式会社製)18質量部を用いたこと以外は実施例1のダイボンドフィルムと同様にして、実施例3のダイボンドフィルム(厚さ100μm)を作製した。また、この実施例3のダイボンドフィルムを実施例1の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例1のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例3のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
[Example 3]
Acrylic resin A 1 Instead of 18 parts by mass, acrylic resin A 3 (trade name "Taisan Resin SG-280", weight average molecular weight is 900,000, glass transition temperature Tg is -29 ° C, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) 18 mass A die bond film (thickness 100 μm) of Example 3 was produced in the same manner as the die bond film of Example 1 except that the portion was used. Further, the dicing die bond film of Example 3 was produced in the same manner as the dicing die bond film of Example 1 except that the dicing die bond film of Example 3 was used instead of the above-mentioned die bond film of Example 1.
〔実施例4〕
アクリル樹脂A118質量部に代えてアクリル樹脂A2(商品名「テイサンレジン SG-70L」,ナガセケムテックス株式会社製)18質量部を用いたこと、エポキシ樹脂(商品名「KI-3000-4」,新日鉄住金化学株式会社製)の配合量を28質量部に代えて22質量部としたこと、フェノール樹脂(商品名「LVR8210-DL」,群栄化学工業株式会社製)の配合量を14質量部に代えて10質量部としたこと、および、無機フィラー(商品名「SE-2050MC」,株式会社アドマテックス製)の配合量を40質量部に代えて50質量部としたこと以外は、実施例1のダイボンドフィルムと同様にして、実施例4のダイボンドフィルム(厚さ100μm)を作製した。また、この実施例4のダイボンドフィルムを実施例1の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例1のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例4のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
[Example 4]
Acrylic resin A 1 18 parts by mass of acrylic resin A 2 (trade name "Taisan Resin SG-70L", manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was used instead of 18 parts by mass, and epoxy resin (trade name "KI-3000-"). 4 ”, the blending amount of Nippon Steel & Sumitomo Metal Chemical Co., Ltd. was changed to 22 parts by mass instead of 28 parts by mass, and the blending amount of phenol resin (trade name“ LVR8210-DL ”, manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd.) was changed. Except for the fact that 10 parts by mass was used instead of 14 parts by mass, and that the amount of the inorganic filler (trade name "SE-2050MC", manufactured by Admatex Co., Ltd.) was changed to 50 parts by mass instead of 40 parts by mass. , The die bond film of Example 4 (thickness 100 μm) was produced in the same manner as the die bond film of Example 1. Further, the dicing die bond film of Example 4 was produced in the same manner as the dicing die bond film of Example 1 except that the dicing die bond film of Example 4 was used instead of the above-mentioned die bond film of Example 1.
〔実施例5〕
無機フィラー(商品名「SE-2050MC」,株式会社アドマテックス製)の配合量を40質量部に代えて30質量部としたこと、および、有機フィラー(商品名「アートパール J-4PY」,ポリメタクリル酸メチル(PMMA),根上工業株式会社製)10質量部を更に配合したこと以外は、実施例1のダイボンドフィルムと同様にして、実施例5のダイボンドフィルム(厚さ100μm)を作製した。また、この実施例5のダイボンドフィルムを実施例1の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例1のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例5のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
[Example 5]
The amount of the inorganic filler (trade name "SE-2050MC", manufactured by Admatex Co., Ltd.) was changed to 30 parts by mass instead of 40 parts by mass, and the organic filler (trade name "Art Pearl J-4PY", poly. A die bond film (thickness 100 μm) of Example 5 was prepared in the same manner as the die bond film of Example 1 except that 10 parts by mass of methyl methacrylate (PMMA), manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd. was further blended. Further, the dicing die bond film of Example 5 was produced in the same manner as the dicing die bond film of Example 1 except that the dicing die bond film of Example 5 was used instead of the above-mentioned die bond film of Example 1.
〔実施例6〕
アクリル樹脂A118質量部に代えてアクリル樹脂A3(商品名「テイサンレジン SG-280」,ナガセケムテックス株式会社製)18質量部を用いたこと、無機フィラー(商品名「SE-2050MC」,株式会社アドマテックス製)の配合量を40質量部に代えて30質量部としたこと、および、有機フィラー(商品名「アートパール J-4PY」,ポリメタクリル酸メチル(PMMA),根上工業株式会社製)10質量部を更に配合したこと以外は、実施例1のダイボンドフィルムと同様にして、実施例6のダイボンドフィルム(厚さ100μm)を作製した。また、この実施例6のダイボンドフィルムを実施例1の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例1のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例6のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
[Example 6]
Acrylic resin A 1 18 parts by mass of acrylic resin A 3 (trade name "Taisan Resin SG-280", manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was used instead of 18 parts by mass, and an inorganic filler (trade name "SE-2050MC") , Made by Admatex Co., Ltd.) The amount was changed to 30 parts by mass instead of 40 parts by mass, and the organic filler (trade name "Art Pearl J-4PY", polymethyl methacrylate (PMMA), Negami Kogyo Co., Ltd.) A die bond film (thickness 100 μm) of Example 6 was produced in the same manner as the die bond film of Example 1 except that 10 parts by mass was further blended. Further, the dicing die bond film of Example 6 was produced in the same manner as the dicing die bond film of Example 1 except that the dicing die bond film of Example 6 was used instead of the above-mentioned die bond film of Example 1.
〔実施例7〕
アクリル樹脂A118質量部に代えてアクリル樹脂A3(商品名「テイサンレジン SG-280」,ナガセケムテックス株式会社製)18質量部を用いたこと、無機フィラー(商品名「SE-2050MC」,株式会社アドマテックス製)の配合量を40質量部に代えて30質量部としたこと、有機フィラー(商品名「アートパール J-4PY」,ポリメタクリル酸メチル(PMMA),根上工業株式会社製)10質量部を更に配合したこと、および、厚さを100μmに代えて200μmとしたこと以外は、実施例1のダイボンドフィルムと同様にして、実施例7のダイボンドフィルムを作製した。また、この実施例7のダイボンドフィルムを実施例1の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例1のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例7のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
[Example 7]
Acrylic resin A 1 18 parts by mass of acrylic resin A 3 (trade name "Taisan Resin SG-280", manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was used instead of 18 parts by mass, and an inorganic filler (trade name "SE-2050MC") , Made by Admatex Co., Ltd.) The amount was changed to 30 parts by mass instead of 40 parts by mass, Organic filler (trade name "Art Pearl J-4PY", Polymethyl methacrylate (PMMA), manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.) ) The die bond film of Example 7 was produced in the same manner as the die bond film of Example 1 except that 10 parts by mass was further blended and the thickness was 200 μm instead of 100 μm. Further, the dicing die bond film of Example 7 was produced in the same manner as the dicing die bond film of Example 1 except that the dicing die bond film of Example 7 was used instead of the above-mentioned die bond film of Example 1.
〔比較例1〕
エポキシ樹脂(商品名「KI-3000-4」,新日鉄住金化学株式会社製)の配合量を28質量部に代えて22質量部としたこと、フェノール樹脂(商品名「LVR8210-DL」,群栄化学工業株式会社製)の配合量を14質量部に代えて10質量部としたこと、および、無機フィラー(商品名「SE-2050MC」,株式会社アドマテックス製)の配合量を40質量部に代えて50質量部としたこと以外は、実施例1のダイボンドフィルムと同様にして、比較例1のダイボンドフィルム(厚さ100μm)を作製した。また、この比較例1のダイボンドフィルムを実施例1の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例1のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、比較例1のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
[Comparative Example 1]
The amount of epoxy resin (trade name "KI-3000-4", manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation) was changed to 22 parts by mass instead of 28 parts by mass, and phenol resin (trade name "LVR8210-DL", Gunei). The compounding amount of (manufactured by Chemical Industry Co., Ltd.) was changed to 10 parts by mass instead of 14 parts by mass, and the compounding amount of the inorganic filler (trade name "SE-2050MC", manufactured by Admatex Co., Ltd.) was changed to 40 parts by mass. A die bond film (thickness 100 μm) of Comparative Example 1 was produced in the same manner as the die bond film of Example 1 except that the amount was 50 parts by mass instead. Further, the dicing die bond film of Comparative Example 1 was produced in the same manner as the dicing die bond film of Example 1 except that the dicing die bond film of Comparative Example 1 was used instead of the above-mentioned die bond film of Example 1.
〔比較例2〕
アクリル樹脂A118質量部に代えてアクリル樹脂A2(商品名「テイサンレジン SG-70L」,ナガセケムテックス株式会社製)24質量部を用いたこと、エポキシ樹脂(商品名「KI-3000-4」,新日鉄住金化学株式会社製)の配合量を28質量部に代えて24質量部としたこと、および、フェノール樹脂(商品名「LVR8210-DL」,群栄化学工業株式会社製)の配合量を14質量部に代えて12質量部としたこと以外は、実施例1のダイボンドフィルムと同様にして、比較例2のダイボンドフィルム(厚さ100μm)を作製した。また、この比較例2のダイボンドフィルムを実施例1の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例1のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、比較例2のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
[Comparative Example 2]
Acrylic resin A 1 Using 24 parts by mass of acrylic resin A 2 (trade name "Taisan Resin SG-70L", manufactured by Nagase ChemteX Corporation) instead of 18 parts by mass, epoxy resin (trade name "KI-3000-") 4 ”, the blending amount of Nippon Steel & Sumitomo Metal Chemical Co., Ltd. was changed to 24 parts by mass instead of 28 parts by mass, and the compounding of phenol resin (trade name“ LVR8210-DL ”, manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd.). A die bond film (thickness 100 μm) of Comparative Example 2 was produced in the same manner as the die bond film of Example 1 except that the amount was 12 parts by mass instead of 14 parts by mass. Further, the dicing die bond film of Comparative Example 2 was produced in the same manner as the dicing die bond film of Example 1 except that the dicing die bond film of Comparative Example 2 was used instead of the above-mentioned die bond film of Example 1.
〔比較例3〕
厚さを100μmに代えて200μmとしたこと以外は実施例1のダイボンドフィルムと同様にして、比較例3のダイボンドフィルムを作製した。また、この比較例3のダイボンドフィルムを実施例1の上述のダイボンドフィルムの代わりに用いたこと以外は実施例1のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、比較例3のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
[Comparative Example 3]
A die bond film of Comparative Example 3 was produced in the same manner as the die bond film of Example 1 except that the thickness was 200 μm instead of 100 μm. Further, the dicing die bond film of Comparative Example 3 was produced in the same manner as the dicing die bond film of Example 1 except that the dicing die bond film of Comparative Example 3 was used instead of the above-mentioned die bond film of Example 1.
〈ダイボンドフィルムの引張試験〉
実施例1~7および比較例1~3の上述のダイボンドフィルムから切り出された各ダイボンドフィルム試験片(幅10mm×長さ30mm)について、引張試験機(商品名「オートグラフAGS-J」,株式会社島津製作所製)を使用して引張試験を行い、降伏点強度、破断強度、および破断伸度を測定した。この引張試験において、初期チャック間距離は10mmであり、温度条件は23℃であり、引張速度は300mm/分である。測定された降伏点強度(N)、破断強度(N)、および破断伸度(%)の各値を表1に掲げる。
<Tensile test of die bond film>
Tensile testers (trade name "Autograph AGS-J", stocks) were used for each die bond film test piece (
〈ダイボンドフィルムの粘度測定〉
実施例1~7および比較例1~3の上述の各ダイボンドフィルムについて、未硬化状態における120℃での粘度を測定した。具体的には、ダイボンドフィルムから採取された0.1gの試料を測定プレートであるパラレルプレート(直径20mm)に仕込み、レオメーター(商品名「RS-1」,HAAKE社製)を使用して、パラレルプレート法によって当該試料の溶融粘度(Pa・s)を測定した。本測定において、パラレルプレート間のギャップは0.1mmであり、ひずみ速度は5/秒であり、昇温速度は10℃/分であり、測定温度範囲は90~150℃である。測定結果を表1に掲げる。
<Viscosity measurement of die bond film>
The viscosities of the above-mentioned die-bonded films of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 at 120 ° C. in an uncured state were measured. Specifically, a 0.1 g sample collected from a die bond film is charged into a parallel plate (
〈ダイボンドフィルムの割断性と飛び散りの評価〉
実施例1~7および比較例1~3の上述の各ダイシングダイボンドフィルムを使用して、以下のような貼合わせ工程、割断のための第1エキスパンド工程(クールエキスパンド工程)、および、離間のための第2エキスパンド工程(常温エキスパンド工程)を行った。
<Evaluation of splittability and splattering of die bond film>
Using each of the above-mentioned dicing die bond films of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3, the following bonding step, the first expanding step for cutting (cool expanding step), and the separation. The second expanding step (normal temperature expanding step) of the above was performed.
貼合わせ工程では、ウエハ加工用テープ(商品名「UB-3083D」,日東電工株式会社製)に保持された半導体ウエハ分割体をダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルムに対して貼り合わせ、その後、半導体ウエハ分割体からウエハ加工用テープを剥離した。貼合わせにおいては、ラミネーターを使用し、貼合わせ速度を10mm/秒とし、温度条件を50~80℃とし、圧力条件を0.15MPaとした。また、半導体ウエハ分割体は、次のようにして形成して用意したものである。まず、ウエハ加工用テープ(商品名「V12S-R2-P」,日東電工株式会社製)にリングフレームと共に保持された状態にあるベアウエハ(直径12インチ,厚さ780μm,東京化工株式会社製)について、その一方の面の側から、ダイシング装置(商品名「DFD6361」,株式会社ディスコ製)を使用してその回転ブレードによって個片化用の分割溝(幅25μm,深さ50μm,一区画6mm×12mmの格子状をなす)を形成した。次に、分割溝形成面にウエハ加工用テープ(商品名「UB-3083D」,日東電工株式会社製)を貼り合わせた後、上記のウエハ加工用テープ(商品名「V12S-R2-P」)をウエハから剥離した。この後、バックグラインド装置(商品名「DGP8760」,株式会社ディスコ製)を使用して、ウエハの他方の面(分割溝の形成されていない面)の側からの研削によって当該ウエハを厚さ20μmに至るまで薄化し、続いて、同装置を使用して行うドライポリッシュによって当該研削面に対して鏡面仕上げを施した。以上のようにして、半導体ウエハ分割体(ウエハ加工用テープに保持された状態にある)を形成した。この半導体ウエハ分割体には、複数の半導体チップ(6mm×12mm)が含まれている。 In the bonding process, the semiconductor wafer divider held on the wafer processing tape (trade name "UB-3083D", manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) is bonded to the die bond film of the dicing die bond film, and then the semiconductor wafer split is performed. The wafer processing tape was peeled off from the body. In the bonding, a laminator was used, the bonding speed was 10 mm / sec, the temperature condition was 50 to 80 ° C., and the pressure condition was 0.15 MPa. Further, the semiconductor wafer divided body is formed and prepared as follows. First, about the bare wafer (diameter 12 inches, thickness 780 μm, manufactured by Tokyo Kako Co., Ltd.) held together with the ring frame on the wafer processing tape (trade name “V12S-R2-P”, manufactured by Nitto Denko Corporation). , From the side of one side, a dicing device (trade name "DFD6361", manufactured by DISCO Corporation) is used, and a dividing groove for individualization (width 25 μm, depth 50 μm, one section 6 mm ×) is used by the rotating blade. It forms a 12 mm grid). Next, a wafer processing tape (trade name "UB-3083D", manufactured by Nitto Denko Corporation) is attached to the split groove forming surface, and then the above wafer processing tape (trade name "V12S-R2-P") is attached. Was peeled off from the wafer. After that, using a back grind device (trade name "DGP8760", manufactured by DISCO Corporation), the wafer is ground to a thickness of 20 μm by grinding from the other surface (the surface on which the dividing groove is not formed) of the wafer. The ground surface was mirror-finished by dry polishing using the same device. As described above, the semiconductor wafer divider (in a state of being held by the wafer processing tape) was formed. This semiconductor wafer divider contains a plurality of semiconductor chips (6 mm × 12 mm).
クールエキスパンド工程は、ダイセパレート装置(商品名「ダイセパレータ DDS2300」,株式会社ディスコ製)を使用して、そのクールエキスパンドユニットにて行った。具体的には、まず、半導体ウエハ分割体を伴う上述のダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープ粘着剤層に、直径12インチのSUS製リングフレーム(株式会社ディスコ製)を室温で貼り付けた。次に、当該ダイシングダイボンドフィルムを装置内にセットし、同装置のクールエキスパンドユニットにて、半導体ウエハ分割体を伴うダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープをエキスパンドした。このクールエキスパンド工程において、温度は-15℃であり、エキスパンド速度は300mm/秒であり、エキスパンド量は10mmである。 The cool expanding step was performed in the cool expanding unit using a die separate device (trade name "Die Separator DDS2300", manufactured by DISCO Corporation). Specifically, first, a SUS ring frame (manufactured by Disco Corporation) having a diameter of 12 inches was attached to the dicing tape pressure-sensitive adhesive layer in the above-mentioned dicing die bond film accompanied by the semiconductor wafer divider at room temperature. Next, the dicing die bond film was set in the apparatus, and the dicing tape of the dicing die bond film accompanied by the semiconductor wafer divider was expanded by the cool expand unit of the apparatus. In this cool expanding step, the temperature is −15 ° C., the expanding speed is 300 mm / sec, and the expanding amount is 10 mm.
常温エキスパンド工程は、ダイセパレート装置(商品名「ダイセパレータ DDS2300」,株式会社ディスコ製)を使用して、その常温エキスパンドユニットにて行った。具体的には、上述のクールエキスパンド工程を経た半導体ウエハ分割体を伴うダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープを、同装置の常温エキスパンドユニットにてエキスパンドした。この常温エキスパンド工程において、温度は23℃であり、エキスパンド速度は1mm/秒であり、エキスパンド量は10mmである。この後、常温エキスパンドを経たダイシングダイボンドフィルムにおける、ワーク貼着領域より外側の周縁部について、加熱収縮処理を施した。 The room temperature expanding step was performed in the room temperature expanding unit using a die separate device (trade name "Die Separator DDS2300", manufactured by DISCO Corporation). Specifically, the dicing tape of the dicing die bond film with the semiconductor wafer split body that has undergone the above-mentioned cool expand step was expanded by the room temperature expanding unit of the same apparatus. In this normal temperature expanding step, the temperature is 23 ° C., the expanding speed is 1 mm / sec, and the expanding amount is 10 mm. After that, in the dicing die bond film that had undergone normal temperature expansion, the peripheral edge portion outside the work attachment region was subjected to heat shrinkage treatment.
ダイボンドフィルムの割断性については、ダイシングダイボンドフィルムを使用して行った以上のような過程を経た後に、割断予定ライン全域において割断が生じた場合を良(○)と評価し、そうでない場合を不良(×)と評価した。ダイボンドフィルムの飛び散り関しては、ダイシングダイボンドフィルムを使用して行った以上のような過程を経た後に、ダイシングテープ上から剥離して半導体ウエハ上に飛び散ったダイボンドフィルム片が確認された場合を不良(×)と評価し、そうでない場合を良(○)と評価した。これら評価結果を表1に掲げる。 Regarding the splittability of the dicing die bond film, if the dicing die bond film is used and the dicing is performed in the entire area of the planned split line, it is evaluated as good (○), and if it is not, it is defective. It was evaluated as (x). Regarding the scattering of the die bond film, it is defective when a piece of the die bond film peeled off from the dicing tape and scattered on the semiconductor wafer is confirmed after the above process using the dicing die bond film. It was evaluated as ×), and if it was not, it was evaluated as good (○). The results of these evaluations are listed in Table 1.
[評価]
実施例1~7のダイボンドフィルムによると、ダイボンドフィルム付き半導体チップを得るためにダイシングダイボンドフィルムを使用して行うエキスパンド工程において、良好な割断を実現しつつ飛び散りを抑制することができた。
[evaluation]
According to the die bond films of Examples 1 to 7, in the expanding step performed by using the dicing die bond film in order to obtain the semiconductor chip with the die bond film, it was possible to suppress the scattering while realizing good splitting.
X ダイシングダイボンドフィルム
10,11 ダイボンドフィルム
20 ダイシングテープ
21 基材
22 粘着剤層
W,30A,30C 半導体ウエハ
30B 半導体ウエハ分割体
30a 分割溝
30b 改質領域
31 半導体チップ
X Dicing die
Claims (11)
前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層に剥離可能に密着している、請求項1から9のいずれか一つに記載のダイボンドフィルムとを備える、ダイシングダイボンドフィルム。 A dicing tape having a laminated structure including a base material and an adhesive layer,
The dicing die bond film according to any one of claims 1 to 9, wherein the dicing die bond film is peelably adhered to the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape.
前記ダイシングダイボンドフィルムにおける前記ダイシングテープをエキスパンドすることにより、前記ダイボンドフィルムを割断してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る、第2工程と、を含む半導体装置製造方法。 The first step of laminating a semiconductor wafer that can be fragmented into a plurality of semiconductor chips or a semiconductor wafer divided body containing the plurality of semiconductor chips on the dicing die bond film according to claim 10. ,
A semiconductor device manufacturing method comprising a second step of expanding the dicing tape in the dicing die bond film to cut the dicing film to obtain a semiconductor chip with the dicing film.
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