KR102491928B1

KR102491928B1 - Die bond film, dicing die-bonding film, and semiconductor apparatus manufacturing method

Info

Publication number: KR102491928B1
Application number: KR1020180085160A
Authority: KR
Inventors: 유이치로 시시도; 나오히데 다카모토; 겐지 오니시; 유타 기무라; 아키히로 후쿠이; 미치코 야마토
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2017-07-28
Filing date: 2018-07-23
Publication date: 2023-01-27
Also published as: CN109309039B; CN109309039A; TWI789409B; KR20190013519A; JP7007827B2; TW201923868A; JP2019029465A

Abstract

다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻기 위해서 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 익스팬드 공정에 있어서, 양호한 할단을 실현하면서 비산을 억제하는 데 적합한 다이 본드 필름, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 다이 본드 필름(10)은, 폭 10㎜의 다이 본드 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 10㎜, 23℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하이고, 파단 강도가 15N 이하이며, 파단 신도가 40 내지 400％이다.A die-bonding film, a dicing die-bonding film, and a semiconductor device manufacturing method suitable for suppressing scattering while realizing good cutting in an expand step performed using a dicing die-bonding film to obtain a semiconductor chip with a die-bonding film provides
The die-bonding film 10 of the present invention has a yield point strength of 15 N in a tensile test conducted under the conditions of an initial chuck distance of 10 mm, 23 ° C., and a tensile speed of 300 mm / min with respect to a die-bonding film test piece having a width of 10 mm. or less, the breaking strength is 15 N or less, and the elongation at break is 40 to 400%.

Description

Die-bonding film, dicing die-bonding film, and semiconductor device manufacturing method

본 발명은, 반도체 장치의 제조 과정에서 사용할 수 있는 다이 본드 필름 및 다이싱 다이 본드 필름, 그리고 반도체 장치 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a die-bonding film and a dicing die-bonding film that can be used in the manufacturing process of a semiconductor device, and a method for manufacturing a semiconductor device.

반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 다이 본딩용 칩 상당 사이즈의 접착 필름을 수반하는 반도체 칩, 즉 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 데에, 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 경우가 있다. 다이싱 다이 본드 필름은, 가공 대상인 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈를 갖고, 예를 들어 기재 및 점착제층으로 이루어지는 다이싱 테이프와, 그 점착제층측에 박리 가능하게 밀착하고 있는 다이 본드 필름을 갖는다.In the manufacturing process of a semiconductor device, a dicing die-bonding film is sometimes used to obtain a semiconductor chip with an adhesive film of a size equivalent to a die-bonding chip, that is, a semiconductor chip with a die-bonding film. The dicing die-bonding film has a size corresponding to the semiconductor wafer to be processed, and includes, for example, a dicing tape composed of a base material and an adhesive layer, and a die-bonding film adhered to the adhesive layer side so as to be peelable.

다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 방법의 하나로서, 다이싱 다이 본드 필름에서의 다이싱 테이프를 익스팬드하여 다이 본드 필름을 할단하기 위한 공정을 거치는 방법이 알려져 있다. 이 방법에서는, 우선, 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름 위에 워크인 반도체 웨이퍼가 접합된다. 이 반도체 웨이퍼는, 예를 들어 후에 다이 본드 필름과 함께 할단되어 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능하도록 가공된 것이다. 이어서, 각각이 반도체 칩에 밀착하고 있는 복수의 접착 필름 소편이 다이싱 테이프 위의 다이 본드 필름으로부터 발생하도록 당해 다이 본드 필름을 할단하기 위해서, 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프가 익스팬드된다(할단용 익스팬드 공정). 이 익스팬드 공정에서는, 다이 본드 필름 위의 반도체 웨이퍼에서의 다이 본드 필름 할단 개소에 대응하는 개소에서도 할단이 발생하여, 다이싱 다이 본드 필름 내지 다이싱 테이프 위에서 반도체 웨이퍼가 복수의 반도체 칩으로 개편화된다. 이어서, 예를 들어 세정 공정을 거친 후, 각 반도체 칩이 그것에 밀착하고 있는 칩 상당 사이즈의 다이 본드 필름과 함께, 다이싱 테이프의 하측으로부터 픽업 기구의 핀 부재에 의해 밀어 올려진 다음에 다이싱 테이프 위에서 픽업된다. 이와 같이 하여, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩이 얻어진다. 이 다이 본드 필름 부착 반도체 칩은, 그 다이 본드 필름을 통해 실장 기판 등의 피착체에 다이 본딩에 의해 고착되게 된다. 예를 들어 이상과 같이 사용되는 다이싱 다이 본드 필름 및 그것에 포함되는 다이 본드 필름에 관한 기술에 대해서는, 예를 들어 하기의 특허문헌 1 내지 3에 기재되어 있다.As one of the methods of obtaining a semiconductor chip with a die-bonding film using a dicing die-bonding film, a method is known in which a dicing tape in the dicing die-bonding film is expanded to pass through a step for cutting the die-bonding film. In this method, first, a work-in semiconductor wafer is bonded on the die-bonding film of the dicing die-bonding film. This semiconductor wafer is, for example, processed so that it can be cut together with a die-bonding film later and separated into a plurality of semiconductor chips. Then, the dicing tape of the dicing die-bonding film is expanded to cut the die-bonding film so that a plurality of small pieces of adhesive film, each of which is in close contact with the semiconductor chip, is generated from the die-bonding film on the dicing tape ( Expand process for splitting). In this expanding process, cutting also occurs at a location corresponding to the cutting location of the die-bonding film in the semiconductor wafer on the die-bonding film, and the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips on the dicing die-bonding film or dicing tape. do. Next, after passing through, for example, a cleaning process, each semiconductor chip is pushed up from the lower side of the dicing tape by a pin member of a pick-up mechanism together with a die-bonding film having a size corresponding to the chip adhering thereto, and then the dicing tape picked up from above In this way, a semiconductor chip with a die-bonding film is obtained. This semiconductor chip with a die-bonding film is adhered to an adherend such as a mounting substrate by die-bonding via the die-bonding film. For example, about the technique concerning the dicing die-bonding film used as mentioned above and the die-bonding film contained therein, it describes, for example in patent documents 1-3 below.

일본 특허공개 제2007-2173호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-2173 일본 특허공개 제2010-177401호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-177401 일본 특허공개 제2012-23161호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-23161

전술한 바와 같이 할단용 익스팬드 공정에 사용되는 다이싱 다이 본드 필름의 일 구성 요소를 이루는 다이 본드 필름에는, 당해 익스팬드 공정에 있어서 할단 예정 개소에서 적절하게 할단될 것이 요구된다. 또한, 다이 본드 필름의 두께가 클수록, 그러한 할단을 발생시키는 것이 곤란해지는 경향이 있다.As described above, the die-bonding film constituting one component of the dicing die-bonding film used in the expanding process for cutting is required to be appropriately cut at the location to be cut in the expanding process. In addition, the larger the thickness of the die-bonding film, the more difficult it tends to be to cause such cleavage.

전술한 바와 같이 할단용 익스팬드 공정에서는, 종래, 다이싱 다이본드 필름에서의 다이 본드 필름의, 워크가 접합되어 있지 않은 영역에서, 다이싱 테이프 위에서의 다이 본드 필름편의 비산이 발생하는 경우가 있다. 또한, 다이 본드 필름의 두께가 클수록, 그 비산은 발생하기 쉬운 경향이 있다. 다이 본드 필름편의 이러한 비산은, 워크의 오염의 원인으로 되는 경우가 있어, 바람직하지 않다.As described above, in the expand step for cutting, scattering of die-bonding film pieces on the dicing tape may occur in conventional areas of the die-bonding film in the dicing die-bonding film where no work is bonded. . Further, the larger the thickness of the die-bonding film, the more likely it is to scatter. Such scattering of die-bonding film pieces is undesirable because it may cause contamination of the workpiece.

본 발명은, 이상과 같은 사정을 기초로 고안된 것으로서, 그 목적은, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻기 위해 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 익스팬드 공정에 있어서, 양호한 할단을 실현하면서 비산을 억제하는 데 적합한 다이 본드 필름, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치 제조 방법을 제공하는 데 있다.The present invention has been devised based on the above circumstances, and its object is to suppress scattering while realizing good cutting in an expand step performed using a dicing die-bonding film to obtain a semiconductor chip with a die-bonding film. It is to provide a die-bonding film suitable for processing, a dicing die-bonding film, and a semiconductor device manufacturing method.

본 발명의 제1 측면에 의하면, 다이 본드 필름이 제공된다. 이 다이 본드 필름은, 폭 10㎜의 다이 본드 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 10㎜, 23℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 항복점 강도(항복점에 이르게 하는 데 요하는 힘)가 15N 이하이고, 상기 시험에서의 파단 강도(파단시키는 데 요하는 힘)가 15N 이하이며, 또한 상기 시험에서의 파단 신도(신장 전의 길이에 대한, 파단 시의 신장분의 길이의 비율)가 40 내지 400％이다. 또한, 본 발명에 있어서, 상기 항복점 강도는, 바람직하게는 12N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하이고, 상기 파단 강도는, 바람직하게는 12N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하이며, 상기 파단 신도는, 바람직하게는 40 내지 350％, 보다 바람직하게는 40 내지 300％이다. 이와 같은 구성의 다이 본드 필름은, 다이싱 테이프의 점착제층측에 밀착된 형태에 있어서, 반도체 장치의 제조 과정에서 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 데 사용할 수 있다.According to the first aspect of the present invention, a die bond film is provided. This die-bonding film has yield point strength in a tensile test conducted on a die-bonding film test piece with a width of 10 mm under the conditions of an initial distance between chucks of 10 mm, 23 ° C., and a tensile speed of 300 mm / min (required to reach the yield point). force) is 15 N or less, the breaking strength (force required to break) in the above test is 15 N or less, and the ratio of the elongation at break (length before elongation to length at break) in the above test ) is 40 to 400%. Further, in the present invention, the yield point strength is preferably 12N or less, more preferably 10N or less, and the breaking strength is preferably 12N or less, more preferably 10N or less, and the elongation at break is, Preferably it is 40 to 350%, more preferably 40 to 300%. The die-bonding film having such a structure can be used to obtain a semiconductor chip with a die-bonding film in the manufacturing process of a semiconductor device in the form of being adhered to the pressure-sensitive adhesive layer side of a dicing tape.

반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 전술한 바와 같이, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 데에는, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 할단용 익스팬드 공정이 실시되는 경우가 있다. 다이싱 다이 본드 필름의 일 구성 요소를 이루는 다이 본드 필름에 있어서, 폭 10㎜의 다이 본드 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 10㎜, 23℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하이고, 파단 강도가 15N 이하이며, 또한 파단 신도가 40 내지 400％라는 상기 구성은, 당해 다이 본드 필름이 비교적 두꺼운 경우라도, 익스팬드 공정에 있는 다이 본드 필름에 대하여, 그 할단 예정 개소에 할단을 발생시키면서도 다이싱 테이프 위로부터의 비산을 억제하는 데 적합하다는 사실을 본 발명자들은 알아내었다. 예를 들어, 후술하는 실시예 및 비교예로써 나타내는 바와 같다.In the manufacturing process of a semiconductor device, as mentioned above, the expand process for cutting performed using a dicing die-bonding film may be performed in order to obtain a semiconductor chip with a die-bonding film. In the die-bonding film constituting one component of the dicing die-bonding film, a tensile test is performed on a die-bonding film test piece having a width of 10mm under the conditions of an initial distance between chucks of 10mm, 23°C, and a tensile speed of 300mm/min. The above structure in which the yield point strength in is 15 N or less, the breaking strength is 15 N or less, and the elongation at break is 40 to 400%, even when the die-bonding film is relatively thick, relative to the die-bonding film in the expand step, The present inventors have found that it is suitable for suppressing scattering from above the dicing tape while generating cutting at the site where the cutting is to be made. For example, it is as showing by the Example and comparative example mentioned later.

본 다이 본드 필름에서의, 상기 인장 시험에서의 파단 신도가 40 내지 400％, 바람직하게는 40 내지 350％, 보다 바람직하게는 40 내지 300％라는 상기 구성은, 익스팬드 공정에서, 당해 다이 본드 필름을 할단시키기 위한 인장 길이가 과대해지는 것을 방지하면서 당해 다이 본드 필름에 취성 파괴가 아니라 연성 파괴를 발생시키기 쉽게 하는 데 적합한 것이라 생각된다. 익스팬드 공정에서는, 연성 파괴가 발생하기 쉬운 다이 본드 필름일수록, 할단용 응력이 당해 필름의 할단 예정 개소까지 전달되기 쉽고, 따라서, 할단 예정 개소에서 할단되기 쉽다.In the die-bonding film, the elongation at break in the tensile test is 40 to 400%, preferably 40 to 350%, more preferably 40 to 300%, the die-bonding film It is thought to be suitable for making it easy to cause ductile fracture rather than brittle fracture in the die-bonding film while preventing the tensile length for cleaving from becoming excessive. In the expand step, the more likely the die-bonding film is to cause ductile fracture, the more easily the stress for cutting is transmitted to the part where the film is scheduled to be cut, and therefore, the more likely it is to be cut at the part where the film is scheduled to be cut.

본 다이 본드 필름에서의, 상기 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하, 바람직하게는 12N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하이며, 또한 파단 강도가 15N 이하, 바람직하게는 12N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하라는 상기 구성은, 할단용 익스팬드 공정에서의 다이 본드 필름의 신장 과정 및 파단 과정에서 당해 필름 내부에 축적되는 변형 에너지를 억제하는 데 적합한 것이라 생각된다. 익스팬드 공정에서는, 신장 과정 및 파단 과정에서의 내부 축적 변형 에너지가 작은 다이 본드 필름일수록, 그 노출 영역(워크에 덮여 있지 않은 영역)에서 파단되어 필름편이 비산되는 현상은 발생하기 어렵다.In this die-bonding film, the yield point strength in the tensile test is 15N or less, preferably 12N or less, more preferably 10N or less, and the breaking strength is 15N or less, preferably 12N or less, more preferably 10N or less. The configuration described below is considered to be suitable for suppressing strain energy accumulated inside the die-bonding film in the process of elongation and breakage of the die-bonding film in the expanding process for cutting. In the expand process, the smaller the die-bonding film has internal storage strain energy in the process of elongation and breakage, the less likely it is that the film will break in its exposed region (region not covered by the work) and cause the film pieces to scatter.

이상과 같이, 본 발명의 제1 측면에 따른 다이 본드 필름은, 다이싱 테이프의 점착제층측에 밀착된 형태에서 할단용 익스팬드 공정에 사용되는 경우에, 양호한 할단을 실현하면서 비산을 억제하는 데 적합한 것이다.As described above, the die-bonding film according to the first aspect of the present invention is suitable for suppressing scattering while realizing good cutting when used in the expand process for cutting in a form in close contact with the pressure-sensitive adhesive layer side of the dicing tape. will be.

본 다이 본드 필름의 두께는, 바람직하게는 40㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상, 보다 바람직하게는 80㎛ 이상이다. 이와 같은 구성은, 실장 기판에 와이어 본딩 실장된 제1 반도체 칩을 당해 제1 반도체 칩에 접속된 본딩 와이어의 전체 또는 일부와 함께 포매하면서 실장 기판에 제2 반도체 칩을 접합하는 접착제층 형성용 접착 필름(반도체 칩 포매용의 두꺼운 접착 필름)으로서 본 다이 본드 필름을 사용하는 데 적합하다. 또는, 다이 본드 필름의 두께에 관한 당해 구성은, 실장 기판에 와이어 본딩 실장된 제1 반도체 칩의 본딩 와이어 접속 개소를 덮어 당해 본딩 와이어의 일부를 포매하면서 제1 반도체 칩에 제2 반도체 칩을 접합하는 접착제층 형성용 접착 필름(본딩 와이어의 부분적 포매를 수반하는 반도체 칩 간 접합용의 두꺼운 접착 필름)으로서 본 다이 본드 필름을 사용하는 데 적합하다. 또는, 다이 본드 필름의 두께에 관한 당해 구성은, 실장 기판에 플립 칩 실장된 제1 반도체 칩을 포매하면서 실장 기판에 제2 반도체 칩을 접합하는 접착제층 형성용 접착 필름(칩 포매용의 두꺼운 접착 필름)으로서 본 다이 본드 필름을 사용하는 데 적합하다. 또한, 본 다이 본드 필름의 두께는, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 160㎛ 이하, 보다 바람직하게는 120㎛ 이하이다. 이와 같은 구성은, 본 다이 본드 필름에 대한 항복점 강도나 파단 강도, 파단 신도가 과대해지는 것을 방지하여, 상기 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하이고, 파단 강도가 15N 이하이며, 또한 파단 신도가 40 내지 400％라는 상기 구성을 실현하는 데 있어서 바람직하다.The thickness of this die-bonding film is preferably 40 μm or more, more preferably 60 μm or more, and still more preferably 80 μm or more. In this configuration, the first semiconductor chip mounted on the mounting substrate by wire bonding is embedded together with all or part of the bonding wire connected to the first semiconductor chip while bonding the second semiconductor chip to the mounting substrate to form an adhesive layer. It is suitable for using this die-bonding film as a film (thick adhesive film for embedding semiconductor chips). Alternatively, the structure related to the thickness of the die-bonding film covers the bonding wire connection portion of the first semiconductor chip mounted on the mounting substrate by wire bonding, and bonds the second semiconductor chip to the first semiconductor chip while partially embedding the bonding wire. This die-bonding film is suitable for use as an adhesive film for forming an adhesive layer (a thick adhesive film for bonding between semiconductor chips involving partial embedding of bonding wires). Alternatively, the structure related to the thickness of the die-bonding film is an adhesive film for forming an adhesive layer for bonding the second semiconductor chip to the mounting substrate while embedding the first semiconductor chip flip-chip mounted on the mounting substrate (thick adhesive for chip embedding) It is suitable for using this die-bonding film as a film). In addition, the thickness of this die-bonding film is preferably 200 μm or less, more preferably 160 μm or less, and still more preferably 120 μm or less. Such a configuration prevents the yield point strength, breaking strength, and elongation at break of the present die-bonding film from being excessive, and the yield point strength in the tensile test is 15 N or less, the breaking strength is 15 N or less, and the elongation at break is 40 to 400% is preferable for realizing the above configuration.

본 다이 본드 필름의 미경화 상태에서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 300Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 700Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 1000Pa·s 이상이다. 본 다이 본드 필름의 미경화 상태에서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 5000Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4500Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4000Pa·s 이하이다. 다이 본드 필름의 점도에 관한 이들 구성은, 반도체 칩이나 본딩 와이어의 포매를 수반하는 접착제층을 형성하기 위한 상기 각종 두꺼운 접착 필름으로서 본 다이 본드 필름을 사용하는 데 있어서 적합하다.The viscosity of the present die-bonding film at 120°C in an uncured state is preferably 300 Pa·s or more, more preferably 700 Pa·s or more, and still more preferably 1000 Pa·s or more. The viscosity of the present die-bonding film at 120°C in an uncured state is preferably 5000 Pa·s or less, more preferably 4500 Pa·s or less, still more preferably 4000 Pa·s or less. These constitutions regarding the viscosity of the die-bonding film are suitable for using the present die-bonding film as the above-described various thick adhesive films for forming an adhesive layer involving embedding of a semiconductor chip or bonding wire.

본 다이 본드 필름은 바람직하게는 무기 필러를 함유하고, 본 다이 본드 필름에서의 무기 필러의 함유량은, 바람직하게는 10질량％ 이상, 보다 바람직하게는 20질량％ 이상, 보다 바람직하게는 30질량％ 이상이다. 또한, 본 다이 본드 필름이 무기 필러를 함유하는 경우의 무기 필러 함유량은, 바람직하게는 50질량％ 이하, 보다 바람직하게는 45질량％ 이하, 보다 바람직하게는 40질량％ 이하이다. 접착제층 형성용 필름 내의 무기 필러 함유량이 증대될수록, 당해 필름의 파단 신도는 작아지는 경향이 있고 또한 항복점 강도는 커지는 경향이 있는바, 본 다이 본드 필름에서의 무기 필러 함유량에 관한 당해 구성은, 본 다이 본드 필름의 노출 영역(워크에 덮여 있지 않은 영역)에서 파단되어 필름편이 비산된다는 전술한 현상을 억제하는 데 적합하다.The die-bonding film preferably contains an inorganic filler, and the content of the inorganic filler in the die-bonding film is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, and still more preferably 30% by mass. more than In the case where the present die-bonding film contains an inorganic filler, the content of the inorganic filler is preferably 50% by mass or less, more preferably 45% by mass or less, and still more preferably 40% by mass or less. As the inorganic filler content in the film for forming an adhesive layer increases, the breaking elongation of the film tends to decrease and the yield point strength tends to increase. It is suitable for suppressing the above-described phenomenon in which the die-bonding film is broken in the exposed region (region not covered by the work) and the film pieces are scattered.

본 다이 본드 필름은 바람직하게는 유기 필러를 함유하고, 본 다이 본드 필름에서의 유기 필러의 함유량은, 바람직하게는 2질량％ 이상, 보다 바람직하게는 5％ 이상, 보다 바람직하게는 8질량％ 이상이다. 또한, 본 다이 본드 필름이 유기 필러를 함유하는 경우의 유기 필러 함유량은, 바람직하게는 20질량％ 이하, 보다 바람직하게는 17질량％ 이하, 보다 바람직하게는 15질량％ 이하이다. 본 다이 본드 필름에서의 유기 필러 함유량에 관한 당해 구성은, 본 다이 본드 필름의 항복점 강도 및 파단 강도를 적정 범위로 제어하는 데 있어서 적합하다.The present die-bonding film preferably contains an organic filler, and the content of the organic filler in the present die-bonding film is preferably 2% by mass or more, more preferably 5% or more, still more preferably 8% by mass or more. to be. In the case where the present die-bonding film contains an organic filler, the content of the organic filler is preferably 20% by mass or less, more preferably 17% by mass or less, and still more preferably 15% by mass or less. The configuration regarding the organic filler content in the present die-bonding film is suitable for controlling the yield point strength and breaking strength of the present die-bonding film within an appropriate range.

본 다이 본드 필름은, 바람직하게는 유리 전이 온도가 -40 내지 10℃의 아크릴 수지를 함유한다. 이와 같은 구성은, 본 다이 본드 필름에 대하여 상기 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하라는 상기 구성을 실현하는 데 있어서 적합하다.This die-bonding film preferably contains an acrylic resin having a glass transition temperature of -40 to 10°C. Such a configuration is suitable for realizing the above configuration that the yield point strength in the tensile test is 15 N or less for this die-bonding film.

본 발명의 제2 측면에 의하면, 다이싱 다이 본드 필름이 제공된다. 이 다이싱 다이 본드 필름은, 다이싱 테이프와, 본 발명의 제1 측면에 따른 전술한 다이 본드 필름을 구비한다. 다이싱 테이프는, 기재 및 점착제층을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 다이 본드 필름은, 다이싱 테이프의 점착제층에 박리 가능하게 밀착되어 있다. 본 발명의 제1 측면에 따른 다이 본드 필름을 구비하는 이러한 다이싱 다이 본드 필름은, 할단용 익스팬드 공정에 사용되는 경우에, 다이 본드 필름에 있어서 양호한 할단을 실현하면서 비산을 억제하는 데 적합하다.According to the second aspect of the present invention, a dicing die bond film is provided. This dicing die-bonding film includes a dicing tape and the above-described die-bonding film according to the first aspect of the present invention. The dicing tape has a laminated structure including a substrate and an adhesive layer. The die-bonding film adheres to the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape so that peeling is possible. This dicing die-bonding film comprising the die-bonding film according to the first aspect of the present invention is suitable for suppressing scattering while realizing good cutting in the die-bonding film when used in the expand process for cutting. .

본 발명의 제3 측면에 의하면, 반도체 장치 제조 방법이 제공된다. 이 반도체 장치 제조 방법은, 다음의 제1 공정 및 제2 공정을 포함한다. 제1 공정에서는, 본 발명의 제2 측면에 따른 다이싱 다이 본드 필름에서의 다이 본드 필름 위에 복수의 반도체 칩으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼, 또는 복수의 반도체 칩을 포함하는 반도체 웨이퍼 분할체를 접합한다. 제2 공정에서는, 다이싱 다이 본드 필름에서의 다이싱 테이프를 익스팬드함으로써, 다이 본드 필름을 할단하여 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는다. 본 발명의 제1 측면에 따른 다이 본드 필름을 구비하는 다이싱 다이 본드 필름이 사용되어 행해지는 제2 공정 즉 할단용 익스팬드 공정을 포함하는 본 반도체 장치 제조 방법은, 당해 익스팬드 공정에 있는 다이 본드 필름에 있어서 양호한 할단을 실현하면서 비산을 억제하는 데 적합하다.According to a third aspect of the present invention, a semiconductor device manufacturing method is provided. This semiconductor device manufacturing method includes the following first step and second step. In the first step, a semiconductor wafer that can be singulated into a plurality of semiconductor chips or a semiconductor wafer division body including a plurality of semiconductor chips is bonded onto the die bond film in the dicing die bond film according to the second aspect of the present invention. . In the second step, the die-bonding film is cut to obtain a semiconductor chip with a die-bonding film by expanding the dicing tape in the dicing die-bonding film. The method for manufacturing a semiconductor device, which includes a second step, that is, an expand step for cutting, performed using a dicing die bond film having a die-bonding film according to the first aspect of the present invention, includes a die in the expand step. It is suitable for suppressing scattering while realizing good cutting in a bond film.

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름의 단면 모식도이다.
도 2는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 3은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 4는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 5는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 6은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 7은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 8은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 9는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 10은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 11은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 12는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 13은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 14는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.
도 15는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법에서의 일부의 공정을 나타낸다.1 is a schematic cross-sectional view of a dicing die-bonding film according to an embodiment of the present invention.
2 shows some steps in a semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
3 shows some steps in a semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
4 shows some steps in the method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
5 shows some steps in a semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
6 shows some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
7 shows some steps in the method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
8 shows some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
9 shows some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
10 shows some steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment of the present invention.
11 shows some steps in a semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
12 shows some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
13 shows some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
14 shows some steps in a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
15 shows some steps in the semiconductor device manufacturing method according to one embodiment of the present invention.

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름 X의 단면 모식도이다. 다이싱 다이 본드 필름 X는, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 다이 본드 필름(10)과 다이싱 테이프(20)를 포함하는 적층 구조를 갖는다. 다이싱 테이프(20)는, 기재(21)와 점착제층(22)을 포함하는 적층 구조를 갖는다. 점착제층(22)은, 다이 본드 필름(10)측에 점착면(22a)을 갖는다. 다이 본드 필름(10)은, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22) 내지 그 점착면(22a)에 박리 가능하게 밀착하고 있다. 다이싱 다이 본드 필름 X는, 반도체 장치의 제조에 있어서 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻는 과정에서의 예를 들어 후기와 같은 익스팬드 공정에 사용할 수 있는 것이다. 또한, 다이싱 다이 본드 필름 X는, 반도체 장치의 제조 과정에서의 워크인 반도체 웨이퍼에 대응하는 사이즈의 원판 형상을 갖고, 그 직경은, 예를 들어 345 내지 380㎜의 범위 내(12인치 웨이퍼 대응형), 245 내지 280㎜의 범위 내(8인치 웨이퍼 대응형), 495 내지 530㎜의 범위 내(18인치 웨이퍼 대응형), 또는 195 내지 230㎜의 범위 내(6인치 웨이퍼 대응형)에 있다.1 is a schematic cross-sectional view of a dicing die-bonding film X according to an embodiment of the present invention. The dicing die-bonding film X has a laminated structure including the die-bonding film 10 and the dicing tape 20 according to one embodiment of the present invention. The dicing tape 20 has a laminated structure including a substrate 21 and an adhesive layer 22 . The adhesive layer 22 has an adhesive surface 22a on the die-bonding film 10 side. The die-bonding film 10 adheres to the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 or the pressure-sensitive adhesive surface 22a so that peeling is possible. The dicing die-bonding film X can be used in the expand process described in the later stage, for example, in the process of obtaining a semiconductor chip with a die-bonding film in the manufacture of a semiconductor device. In addition, the dicing die-bonding film X has a disk shape of a size corresponding to the work-in semiconductor wafer in the manufacturing process of the semiconductor device, and its diameter is, for example, within the range of 345 to 380 mm (corresponding to a 12-inch wafer). type), within the range of 245 to 280 mm (8-inch wafer compatible type), within the range of 495 to 530 mm (18-inch wafer compatible type), or within the range of 195 to 230 mm (6-inch wafer compatible type) .

다이싱 다이 본드 필름 X에서의 다이 본드 필름(10)은, 열경화성을 나타내는 다이 본딩용 접착제로서 기능할 수 있는 구성을 갖는다. 다이 본드 필름(10)은, 수지 성분으로서, 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 조성을 가져도 되고, 경화제와 반응하여 결합을 발생할 수 있는 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 가져도 된다. 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 다이 본드 필름(10)이 갖는 경우, 당해 다이 본드 필름(10)은 열경화성 수지를 더 포함할 필요는 없다. 이러한 다이 본드 필름(10)은, 단층 구조를 가져도 되고, 인접층 간에서 조성이 서로 다른 다층 구조를 가져도 된다.The die-bonding film 10 in the dicing die-bonding film X has a configuration capable of functioning as a thermosetting adhesive for die bonding. The die-bonding film 10 may have a composition containing a thermosetting resin and a thermoplastic resin as a resin component, or may have a composition containing a thermoplastic resin having a thermosetting functional group capable of reacting with a curing agent to generate bonding. When the die-bonding film 10 has a composition containing a thermoplastic resin having a thermosetting functional group, the die-bonding film 10 need not further contain a thermosetting resin. Such a die-bonding film 10 may have a single-layer structure or may have a multi-layer structure in which the composition differs between adjacent layers.

다이 본드 필름(10)이 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우의 당해 열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 및 열경화성 폴리이미드 수지를 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)은, 1종류의 열경화성 수지를 함유해도 되고, 2종류 이상의 열경화성 수지를 함유해도 된다. 에폭시 수지는, 다이 본딩 대상인 반도체 칩의 부식 원인이 될 수 있는 이온성 불순물 등의 함유량이 적은 경향이 있다는 점에서, 다이 본드 필름(10) 중의 열경화성 수지로서 바람직하다. 또한, 에폭시 수지에 열경화성을 발현시키기 위한 경화제로서는, 페놀 수지가 바람직하다.Examples of the thermosetting resin in the case where the die-bonding film 10 has a composition containing a thermosetting resin and a thermoplastic resin include epoxy resins, phenol resins, amino resins, unsaturated polyester resins, polyurethane resins, silicone resins, and thermosetting resins. A polyimide resin is mentioned. The die-bonding film 10 may contain one type of thermosetting resin or may contain two or more types of thermosetting resins. Epoxy resin is preferable as the thermosetting resin in the die-bonding film 10 because it tends to have a low content of ionic impurities and the like that may cause corrosion of semiconductor chips to be die-bonded. Moreover, as a hardening|curing agent for expressing thermosetting property to an epoxy resin, a phenol resin is preferable.

에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 및 글리시딜아민형의 에폭시 수지를 들 수 있다. 페놀노볼락형 에폭시 수지, 오르토크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 및 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하며 또한 내열성이 우수하다는 점에서, 다이 본드 필름(10) 중의 에폭시 수지로서 바람직하다.Examples of the epoxy resin include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolak type, Orthocresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type, and glycidylamine type epoxy resins. Phenol novolac type epoxy resins, orthocresol novolac type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type epoxy resins, and tetraphenylolethane type epoxy resins are highly reactive with phenol resins as curing agents, Moreover, it is preferable as an epoxy resin in the die-bonding film 10 at the point of being excellent in heat resistance.

에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있는 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 및 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌을 들 수 있다. 노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 및 노닐페놀노볼락 수지를 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)은, 에폭시 수지의 경화제로서, 1종류의 페놀 수지를 함유해도 되고, 2종류 이상의 페놀 수지를 함유해도 된다. 페놀노볼락 수지나 페놀아르알킬 수지는, 다이 본딩용 접착제로서의 에폭시 수지의 경화제로서 사용되는 경우에 당해 접착제의 접속 신뢰성을 향상시키는 경향이 있으므로, 다이 본드 필름(10) 중의 에폭시 수지용 경화제로서 바람직하다.Phenol resins that can act as a curing agent for epoxy resins include, for example, novolak-type phenol resins, resol-type phenol resins, and polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene. Examples of the novolak-type phenolic resin include phenol novolac resin, phenol aralkyl resin, cresol novolac resin, tert-butylphenol novolac resin, and nonylphenol novolac resin. The die-bonding film 10 may contain one type of phenol resin or two or more types of phenol resin as a curing agent for the epoxy resin. Phenol novolak resins and phenol aralkyl resins tend to improve the connection reliability of the adhesive when used as a curing agent for an epoxy resin as a die-bonding adhesive, and therefore are preferable as a curing agent for an epoxy resin in the die-bonding film 10 Do.

다이 본드 필름(10)이 에폭시 수지와 그의 경화제로서의 페놀 수지를 함유하는 경우, 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량에 대해서 페놀 수지 중의 수산기가 바람직하게는 0.5 내지 2.0당량, 보다 바람직하게는 0.8 내지 1.2당량인 비율로, 양쪽 수지는 배합된다. 이와 같은 구성은, 다이 본드 필름(10)의 경화에 있어서 당해 에폭시 수지 및 페놀 수지의 경화 반응을 충분히 진행시키는 데 있어서 바람직하다.When the die-bonding film 10 contains an epoxy resin and a phenol resin as its curing agent, the hydroxyl group in the phenol resin is preferably 0.5 to 2.0 equivalent, more preferably 0.8 to 1.2 equivalent, relative to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. In proportion, both resins are blended. Such a structure is preferable in sufficiently advancing the curing reaction of the epoxy resin and the phenol resin in curing the die-bonding film 10 .

다이 본드 필름(10)에서의 열경화성 수지의 함유 비율은, 다이 본드 필름(10)에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절하게 발현시킨다는 관점에서는, 바람직하게는 5 내지 60질량％, 보다 바람직하게는 10 내지 50질량％이다.The content ratio of the thermosetting resin in the die-bonding film 10 is preferably 5 to 60% by mass, more preferably 10% by mass, from the viewpoint of appropriately expressing the function as a thermosetting adhesive in the die-bonding film 10. to 50% by mass.

다이 본드 필름(10) 중의 열가소성 수지는 예를 들어 바인더 기능을 담당하는 것이며, 다이 본드 필름(10)이 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우의 당해 열가소성 수지로서는, 예를 들어 아크릴 수지, 천연고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트나 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 및 불소 수지를 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)은, 1종류의 열가소성 수지를 함유해도 되고, 2종류 이상의 열가소성 수지를 함유해도 된다. 아크릴 수지는, 이온성 불순물이 적고 또한 내열성이 높기 때문에, 다이 본드 필름(10) 중의 열가소성 수지로서 바람직하다.The thermoplastic resin in the die-bonding film 10 serves, for example, a binder function, and as the thermoplastic resin in the case where the die-bonding film 10 has a composition containing a thermosetting resin and a thermoplastic resin, for example, an acrylic resin, Natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, 6-nylon and polyamide resins such as 6,6-nylon, phenoxy resins, saturated polyester resins such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, polyamideimide resins, and fluororesins. The die-bonding film 10 may contain one type of thermoplastic resin, or may contain two or more types of thermoplastic resins. An acrylic resin is preferable as a thermoplastic resin in the die-bonding film 10 because it contains few ionic impurities and has high heat resistance.

다이 본드 필름(10)이 열가소성 수지로서 아크릴 수지를 함유하는 경우의 당해 아크릴 수지는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 단량체 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 「(메트)아크릴」은, 「아크릴」 및/또는 「메타크릴」을 의미하는 것으로 한다. When the die-bonding film 10 contains an acrylic resin as a thermoplastic resin, the acrylic resin preferably contains the most monomer units derived from (meth)acrylic acid ester in mass ratio. "(meth)acryl" shall mean "acryl" and/or "methacryl".

아크릴 수지의 단량체 유닛을 이루기 위한 (메트)아크릴산에스테르, 즉 아크릴 수지의 구성 단량체인 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, 및 (메트)아크릴산아릴에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸 에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르(즉 라우릴에스테르), 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 및 에이코실에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산시클로알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산의 시클로펜틸에스테르 및 시클로헥실에스테르를 들 수 있다. (메트)아크릴산아릴에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 페닐 및 (메트)아크릴산 벤질을 들 수 있다. 아크릴 수지의 구성 단량체로서, 1종류의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 된다. 또한, 아크릴 수지는, 그것을 형성하기 위한 원료 단량체를 중합하여 얻을 수 있다. 중합 방법으로서는, 예를 들어 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 및 현탁 중합을 들 수 있다.Examples of (meth)acrylic acid esters that form the monomer unit of acrylic resins, that is, (meth)acrylic acid esters that are constituent monomers of acrylic resins, include (meth)acrylic acid alkyl esters, (meth)acrylic acid cycloalkyl esters, and (meth)acrylic acid esters. Acrylic acid aryl ester is mentioned. Examples of (meth)acrylic acid alkyl esters include methyl esters, ethyl esters, propyl esters, isopropyl esters, butyl esters, isobutyl esters, s-butyl esters, t-butyl esters, pentyl esters, and iso-butyl esters of (meth)acrylic acid. Pentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester (ie lauryl ester), tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester, octadecyl ester, and eicosyl ester. Examples of the (meth)acrylic acid cycloalkyl ester include cyclopentyl ester and cyclohexyl ester of (meth)acrylic acid. Examples of the aryl (meth)acrylate include phenyl (meth)acrylate and benzyl (meth)acrylate. As a constituent monomer of the acrylic resin, one type of (meth)acrylic acid ester may be used, or two or more types of (meth)acrylic acid ester may be used. In addition, an acrylic resin can be obtained by polymerizing raw material monomers for forming it. As a polymerization method, solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization are mentioned, for example.

아크릴 수지는, 예를 들어 그 응집력이나 내열성의 개질을 위해서, (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 1종류의 또는 2종류 이상의 다른 단량체를 구성 단량체로 해도 된다. 그러한 단량체로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 단량체, 산 무수물 단량체, 히드록시기 함유 단량체, 에폭시기 함유 단량체, 술폰산기 함유 단량체, 인산기 함유 단량체, 아크릴아미드, 및 아크릴로니트릴을 들 수 있다. 카르복시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, (메트)아크릴산 카르복시에틸, (메트)아크릴산 카르복시펜틸, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 및 크로톤산을 들 수 있다. 산 무수물 단량체로서는, 예를 들어 무수 말레산 및 무수 이타콘산을 들 수 있다. 히드록시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, 및 (메트)아크릴산(4-히드록시메틸시클로헥실)메틸을 들 수 있다. 에폭시기 함유 단량체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 글리시딜 및 (메트)아크릴산 메틸글리시딜을 들 수 있다. 술폰산기 함유 단량체로서는, 예를 들어 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 및 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산을 들 수 있다. 인산기 함유 단량체로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트를 들 수 있다.The acrylic resin may be composed of one type or two or more types of other monomers copolymerizable with (meth)acrylic acid ester, for example, in order to improve its cohesive force or heat resistance. Examples of such monomers include carboxyl group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxyl group-containing monomers, epoxy group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphoric acid group-containing monomers, acrylamide, and acrylonitrile. Examples of the carboxy group-containing monomer include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth)acrylate, carboxypentyl (meth)acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid. As an acid anhydride monomer, maleic acid anhydride and itaconic acid anhydride are mentioned, for example. Examples of the hydroxy group-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth)acrylate, and (meth)acrylate. ) 8-hydroxyoctyl acrylate, 10-hydroxydecyl (meth)acrylate, 12-hydroxylauryl (meth)acrylate, and (4-hydroxymethylcyclohexyl)methyl (meth)acrylate. Examples of the epoxy group-containing monomer include glycidyl (meth)acrylate and methylglycidyl (meth)acrylate. Examples of the sulfonic acid group-containing monomer include styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2-(meth)acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth)acrylamidepropanesulfonic acid, and (meth)acryloyloxynaphthalenesulfonic acid. there is. As a phosphoric acid group containing monomer, 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate is mentioned, for example.

다이 본드 필름(10)에 있어서 높은 응집력을 실현한다는 관점에서는, 다이 본드 필름(10)에 포함되는 아크릴 수지는, 바람직하게는 아크릴산 부틸과 아크릴산 에틸과 아크릴로니트릴의 공중합체이다.From the viewpoint of realizing high cohesive force in the die-bonding film 10, the acrylic resin contained in the die-bonding film 10 is preferably a copolymer of butyl acrylate, ethyl acrylate, and acrylonitrile.

다이 본드 필름(10)이, 열경화성 관능기를 수반하는 열가소성 수지를 포함하는 조성을 갖는 경우, 당해 열가소성 수지로서는, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 사용할 수 있다. 이 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 이루기 위한 아크릴 수지는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 단량체 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 그러한 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 다이 본드 필름(10)에 함유되는 아크릴 수지의 구성 단량체로서 상기한 것과 마찬가지의 (메트)아크릴산에스테르를 사용할 수 있다. 한편, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 이루기 위한 열경화성 관능기로서는, 예를 들어 글리시딜기, 카르복시기, 히드록시기, 및 이소시아네이트기를 들 수 있다. 이들 중, 글리시딜기 및 카르복시기를 적합하게 사용할 수 있다. 즉, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지로서는, 글리시딜기 함유 아크릴 수지나 카르복시기 함유 아크릴 수지를 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에서의 열경화성 관능기의 종류에 따라서, 그와 반응을 발생할 수 있는 경화제가 선택된다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지의 열경화성 관능기가 글리시딜기인 경우, 경화제로서는, 에폭시 수지용 경화제로서 상기한 것과 마찬가지의 페놀 수지를 사용할 수 있다.When the die-bonding film 10 has a composition containing a thermoplastic resin having a thermosetting functional group, as the thermoplastic resin, for example, a thermosetting functional group-containing acrylic resin can be used. The acrylic resin for forming this thermosetting functional group-containing acrylic resin preferably contains the most monomer units derived from (meth)acrylic acid ester in mass ratio. As such a (meth)acrylic acid ester, the same (meth)acrylic acid ester as described above can be used as a constituent monomer of the acrylic resin contained in the die-bonding film 10, for example. On the other hand, as a thermosetting functional group for forming a thermosetting functional group containing acrylic resin, a glycidyl group, a carboxy group, a hydroxyl group, and an isocyanate group are mentioned, for example. Among these, a glycidyl group and a carboxy group can be used suitably. That is, as the acrylic resin containing a thermosetting functional group, an acrylic resin containing a glycidyl group or an acrylic resin containing a carboxy group can be suitably used. In addition, a curing agent capable of reacting with the thermosetting functional group is selected according to the type of the thermosetting functional group in the acrylic resin containing the thermosetting functional group. When the thermosetting functional group of the thermosetting functional group-containing acrylic resin is a glycidyl group, as the curing agent, a phenol resin similar to that described above as the curing agent for epoxy resins can be used.

다이 본딩을 위해서 경화되기 전의 다이 본드 필름(10)에 대하여, 어느 정도의 가교도를 실현하기 위해서는, 예를 들어 다이 본드 필름(10)에 포함되는 전술한 수지 성분의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하여 결합을 발생할 수 있는 다관능성 화합물을 가교제로서 다이 본드 필름 형성용 수지 조성물에 배합해 두는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성은, 다이 본드 필름(10)에 대하여, 고온하에서의 접착 특성을 향상시키는 데 있어서, 또한, 내열성의 개선을 도모하는 데 있어서 적합하다. 그러한 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물을 들 수 있다. 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 및 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물을 들 수 있다. 다이 본드 필름 형성용 수지 조성물에서의 가교제 함유량은, 당해 가교제와 반응하여 결합을 발생할 수 있는 상기 관능기를 갖는 수지 100질량부에 대해서, 형성되는 다이 본드 필름(10)의 응집력 향상의 관점에서는 바람직하게는 0.05질량부 이상이며, 형성되는 다이 본드 필름(10)의 접착력 향상의 관점에서는 바람직하게는 7질량부 이하이다. 또한, 다이 본드 필름(10)에서의 가교제로서는, 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 폴리이소시아네이트 화합물과 병용해도 된다. In order to realize a certain degree of crosslinking with respect to the die-bonding film 10 before curing for die-bonding, for example, the above-mentioned resin component contained in the die-bonding film 10 reacts with a functional group at the molecular chain terminal, etc. It is preferable to incorporate a polyfunctional compound capable of generating bonds into the resin composition for forming a die-bonding film as a crosslinking agent. Such a configuration is suitable for improving the adhesive properties of the die-bonding film 10 under high temperatures and also for improving the heat resistance. As such a crosslinking agent, a polyisocyanate compound is mentioned, for example. Examples of the polyisocyanate compound include tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, and an adduct of a polyhydric alcohol and diisocyanate. The content of the crosslinking agent in the resin composition for forming a die-bonding film is preferably from the viewpoint of improving the cohesive force of the die-bonding film 10 to be formed, relative to 100 parts by mass of the resin having the above-mentioned functional group capable of reacting with the crosslinking agent to form a bond. is 0.05 parts by mass or more, and is preferably 7 parts by mass or less from the viewpoint of improving the adhesion of the formed die-bonding film 10. In addition, as a crosslinking agent in the die-bonding film 10, you may use another polyfunctional compound, such as an epoxy resin, together with a polyisocyanate compound.

다이 본드 필름(10)에 배합되는 상기의 아크릴 수지 및 상기 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 -40 내지 10℃이다. 중합체의 유리 전이 온도에 대해서는, 하기 Fox의 식에 기초하여 구해지는 유리 전이 온도(이론값)를 이용할 수 있다. Fox의 식은, 중합체의 유리 전이 온도 Tg와, 당해 중합체에서의 구성 단량체별 단독중합체의 유리 전이 온도 Tgi의 관계식이다. 하기 Fox의 식에 있어서, Tg는 중합체의 유리 전이 온도(℃)를 나타내고, Wi는 당해 중합체를 구성하는 단량체 i의 중량 분율을 나타내고, Tgi는 단량체 i의 단독중합체의 유리 전이 온도(℃)를 나타낸다. 단독중합체의 유리 전이 온도에 대해서는 문헌값을 사용할 수 있는데, 예를 들어 「신고분자 문고 제7권 도료용 합성 수지 입문」(기타오카 교조 저, 고분자간행회, 1995년)이나 「아크릴에스테르 카탈로그(1997년도 판)」(미츠비시 레이온 가부시키가이샤)에는, 각종 단독중합체의 유리 전이 온도가 예시되어 있다. 한편, 단량체의 단독중합체 유리 전이 온도에 대해서는, 일본 특허공개 제2007-51271호 공보에 구체적으로 기재되어 있는 방법에 의해 구하는 것도 가능하다.The glass transition temperature of the acrylic resin and the thermosetting functional group-containing acrylic resin blended in the die-bonding film 10 is preferably -40 to 10°C. Regarding the glass transition temperature of the polymer, a glass transition temperature (theoretical value) determined based on the following Fox formula can be used. Fox's formula is a relational expression between the glass transition temperature Tg of the polymer and the glass transition temperature Tgi of the homopolymer for each constituent monomer in the polymer. In Fox's formula below, Tg represents the glass transition temperature (°C) of the polymer, Wi represents the weight fraction of monomer i constituting the polymer, and Tgi represents the glass transition temperature (°C) of the homopolymer of monomer i. indicate Literature values can be used for the glass transition temperature of homopolymers. For example, 「New Polymer Bunko, Volume 7 Introduction to Synthetic Resins for Paints」 (Written by Kyōjo Kitaoka, Polymer Publishing Association, 1995) or 「Acrylic Ester Catalog (1997)」 Year Edition)” (Mitsubishi Rayon Co., Ltd.) exemplifies the glass transition temperatures of various homopolymers. On the other hand, about the homopolymer glass transition temperature of a monomer, it is also possible to obtain|require by the method specifically described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-51271.

Fox의 식 1/(273+Tg)=Σ[Wi/(273+Tgi)]Fox's equation 1/(273+Tg)=Σ[Wi/(273+Tgi)]

다이 본드 필름(10)은, 필러를 함유해도 된다. 다이 본드 필름(10)에 대한 필러의 배합은, 다이 본드 필름(10)의 탄성률이나, 항복점 강도, 파단 신도 등의 물성을 조정하는 데 있어서 바람직하다. 필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있다. 필러는, 구형, 바늘형, 플레이크형 등의 각종 형상을 갖고 있어도 된다. 또한, 다이 본드 필름(10)은, 1종류의 필러를 함유해도 되고, 2종류 이상의 필러를 함유해도 된다.The die-bonding film 10 may contain a filler. The blending of the filler in the die-bonding film 10 is preferable for adjusting physical properties such as the elastic modulus of the die-bonding film 10, the yield point strength, and the elongation at break. As a filler, an inorganic filler and an organic filler are mentioned. The filler may have various shapes, such as a spherical shape, a needle shape, and a flake shape. In addition, the die-bonding film 10 may contain one type of filler or may contain two or more types of fillers.

상기 무기 필러의 구성 재료로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화 알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정질 실리카 및 비정질 실리카를 들 수 있다. 무기 필러의 구성 재료로서는, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 단체 금속이나, 합금, 아몰퍼스 카본, 그래파이트 등도 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)이 무기 필러를 함유하는 경우의 당해 무기 필러의 함유량은, 바람직하게는 10질량％ 이상, 보다 바람직하게는 20질량％ 이상, 보다 바람직하게는 30질량％ 이상이다. 또한, 상기 함유량은, 바람직하게는 50질량％ 이하, 보다 바람직하게는 45질량％ 이하, 보다 바람직하게는 40질량％ 이하이다.Examples of the constituent material of the inorganic filler include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, and crystalline silica. and amorphous silica. Examples of the constituent material of the inorganic filler include simple metals such as aluminum, gold, silver, copper, and nickel, alloys, amorphous carbon, graphite, and the like. When the die-bonding film 10 contains an inorganic filler, the content of the inorganic filler is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, and still more preferably 30% by mass or more. The content is preferably 50% by mass or less, more preferably 45% by mass or less, and still more preferably 40% by mass or less.

상기 유기 필러의 구성 재료로서는, 예를 들어 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르이미드, 및 폴리에스테르이미드를 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)이 유기 필러를 함유하는 경우의 당해 유기 필러의 함유량은, 바람직하게는 2질량％ 이상, 보다 바람직하게는 5질량％ 이상, 보다 바람직하게는 8질량％ 이상이다. 또한, 상기 함유량은, 바람직하게는 20질량％ 이하, 보다 바람직하게는 17질량％ 이하, 보다 바람직하게는 15질량％ 이하이다.Examples of the constituent material of the organic filler include polymethyl methacrylate (PMMA), polyimide, polyamideimide, polyetheretherketone, polyetherimide, and polyesterimide. When the die-bonding film 10 contains an organic filler, the content of the organic filler is preferably 2% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and still more preferably 8% by mass or more. The content is preferably 20% by mass or less, more preferably 17% by mass or less, and still more preferably 15% by mass or less.

다이 본드 필름(10)이 필러를 함유하는 경우의 당해 필러의 평균 입경은, 바람직하게는 0.005 내지 10㎛, 보다 바람직하게는 0.05 내지 1㎛이다. 당해 필러의 평균 입경이 0.005㎛ 이상이라는 구성은, 다이 본드 필름(10)에 있어서, 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 대한 높은 습윤성이나 접착성을 실현하는 데 있어서 적합하다. 당해 필러의 평균 입경이 10㎛ 이하라는 구성은, 다이 본드 필름(10)에 있어서 충분한 필러 첨가 효과를 얻음과 함께 내열성을 확보하는 데 있어서 적합하다. 필러의 평균 입경은, 예를 들어 광도식의 입도 분포계(상품명 「LA-910」, 가부시키가이샤 호리바 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 구할 수 있다.When the die-bonding film 10 contains a filler, the average particle diameter of the filler is preferably 0.005 to 10 µm, more preferably 0.05 to 1 µm. A structure in which the average particle diameter of the filler is 0.005 μm or more is suitable for realizing high wettability and adhesiveness to adherends such as semiconductor wafers in the die-bonding film 10 . The structure that the average particle diameter of the said filler is 10 micrometers or less is suitable for ensuring heat resistance while obtaining sufficient filler addition effect in the die-bonding film 10. The average particle diameter of the filler can be obtained using, for example, a photometric particle size distribution analyzer (trade name "LA-910", manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd.).

다이 본드 필름(10)은, 열경화 촉매를 함유해도 된다. 다이 본드 필름(10)에 대한 열경화 촉매의 배합은, 다이 본드 필름(10)의 경화에 있어서 수지 성분의 경화 반응을 충분히 진행시키거나, 경화 반응 속도를 높이는 데 있어서, 바람직하다. 그러한 열경화 촉매로서는, 예를 들어 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물 및 트리할로겐보란계 화합물을 들 수 있다. 이미다졸계 화합물로서는, 예를 들어 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸 및 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸을 들 수 있다. 트리페닐포스핀계 화합물로서는, 예를 들어 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀, 디페닐트릴포스핀, 테트라페닐포스포늄 브로마이드, 메틸트리페닐포스포늄, 메틸트리페닐포스포늄 클로라이드, 메톡시메틸트리페닐포스포늄 및 벤질트리페닐포스포늄 클로라이드를 들 수 있다. 트리페닐포스핀계 화합물에는, 트리페닐포스핀 구조와 트리페닐보란 구조를 병유하는 화합물도 포함되는 것으로 한다. 그와 같은 화합물로서는, 예를 들어 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라-p-트리보레이트, 벤질트리페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 및 트리페닐포스핀트리페닐보란을 들 수 있다. 아민계 화합물로서는, 예를 들어 모노에탄올아민트리플루오로보레이트 및 디시안디아미드를 들 수 있다. 트리할로겐보란계 화합물로서는, 예를 들어 트리클로로보란을 들 수 있다. 다이 본드 필름(10)은, 1종류의 열경화 촉매를 함유해도 되고, 2종류 이상의 열경화 촉매를 함유해도 된다.The die-bonding film 10 may contain a thermal curing catalyst. Incorporation of a thermal curing catalyst into the die-bonding film 10 is preferable for sufficiently advancing the curing reaction of the resin component or increasing the curing reaction speed in curing the die-bonding film 10 . Examples of such a thermal curing catalyst include imidazole-based compounds, triphenylphosphine-based compounds, amine-based compounds, and trihalogen borane-based compounds. Examples of the imidazole-based compound include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4-methylimidazole. Sol, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methyl Midazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2, 4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimida Zolyl-(1′)]-ethyl-s-triazineisocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethyl Midazole may be mentioned. As a triphenylphosphine compound, for example, triphenylphosphine, tributylphosphine, tri(p-methylphenyl)phosphine, tri(nonylphenyl)phosphine, diphenyltrilphosphine, tetraphenylphosphonium bromide, methyl triphenylphosphonium, methyltriphenylphosphonium chloride, methoxymethyltriphenylphosphonium and benzyltriphenylphosphonium chloride. A compound having a triphenylphosphine structure and a triphenylborane structure together is also included in the triphenylphosphine-based compound. Examples of such compounds include tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium tetra-p-triborate, benzyltriphenylphosphonium tetraphenylborate, and triphenylphosphinetriphenylborane. As an amine compound, monoethanolamine trifluoroborate and dicyandiamide are mentioned, for example. As a trihalogen borane type compound, trichloroborane is mentioned, for example. The die-bonding film 10 may contain one type of thermal curing catalyst, or may contain two or more types of thermal curing catalysts.

다이 본드 필름(10)은, 필요에 따라 1종류의 또는 2종류 이상의 다른 성분을 함유해도 된다. 당해 다른 성분으로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 및 이온 트랩제를 들 수 있다. 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬 및 브롬화 에폭시 수지를 들 수 있다. 실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 및 γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란을 들 수 있다. 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화 비스무트, 함수 산화안티몬(예를 들어 도아 고세이 가부시키가이샤 제조의 「IXE-300」), 특정 구조의 인산 지르코늄(예를 들어 도아 고세이 가부시키가이샤 제조의 「IXE-100」), 규산마그네슘(예를 들어 교와 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조의 「교와드 600」), 및 규산알루미늄(예를 들어 교와 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조의 「교와드 700」)을 들 수 있다. 금속 이온 사이에서 착체를 형성할 수 있는 화합물도 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어 트리아졸계 화합물, 테트라졸계 화합물, 및 비피리딜계 화합물을 들 수 있다. 이들 중, 금속 이온 사이에서 형성되는 착체의 안정성의 관점에서는 트리아졸계 화합물이 바람직하다. 그러한 트리아졸계 화합물로서는, 예를 들어 1,2,3-벤조트리아졸, 1-{N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸}벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3-t-부틸-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)벤조트리아졸, 6-(2-벤조트리아졸릴)-4-t-옥틸-6'-t-부틸-4'-메틸-2,2'-메틸렌비스페놀, 1-(2,3-디히드록시프로필)벤조트리아졸, 1-(1,2-디카르복시디에틸)벤조트리아졸, 1-(2-에틸헥실아미노메틸)벤조트리아졸, 2,4-디-t-펜틸-6-{(H-벤조트리아졸-1-일)메틸}페놀, 2-(2-히드록시-5-t-부틸페닐)-2H-벤조트리아졸, 옥틸-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-에틸헥실-3-[3-t-부틸-4-히드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트리아졸-2-일)페닐]프로피오네이트, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-t-부틸페놀, 2-(2-히드록시-5-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-5-t-옥틸페닐)-벤조트리아졸, 2-(3-t-부틸-2-히드록시-5-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2-히드록시-3,5-디-t-부틸페닐)-5-클로로-벤조트리아졸, 2-[2-히드록시-3,5-디(1,1-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 2,2'-메틸렌비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀], (2-[2-히드록시-3,5-비스(α,α-디메틸벤질)페닐]-2H-벤조트리아졸, 및 메틸-3-[3-(2H-벤조트리아졸-2-일)-5-t-부틸-4-히드록시페닐]프로피오네이트를 들 수 있다. 또한, 퀴놀 화합물이나, 히드록시 안트라퀴논 화합물, 폴리페놀 화합물 등의 소정의 수산기 함유 화합물도, 이온 트랩제로서 사용할 수 있다. 그러한 수산기 함유 화합물로서는, 구체적으로는, 1,2-벤젠디올, 알리자린, 안트라루핀, 탄닌, 갈산, 갈산 메틸 및 피로갈롤을 들 수 있다.The die-bonding film 10 may contain one type or two or more types of other components as needed. As said other component, a flame retardant, a silane coupling agent, and an ion trapping agent are mentioned, for example. Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resins. Examples of the silane coupling agent include β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, and γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane. there is. Examples of the ion trapping agent include hydrotalcites, bismuth hydroxide, hydrous antimony oxide (for example, "IXE-300" manufactured by Toagosei Co., Ltd.), zirconium phosphate having a specific structure (for example, Toagosei Co., Ltd. "IXE-100" manufactured by Kaisha), magnesium silicate (eg "Kyowad 600" manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.), and aluminum silicate (eg manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.) 「Kyoward 700」) can be mentioned. A compound capable of forming a complex between metal ions can also be used as an ion trapping agent. Examples of such compounds include triazole-based compounds, tetrazole-based compounds, and bipyridyl-based compounds. Among these, triazole-based compounds are preferable from the viewpoint of the stability of the complex formed between metal ions. Examples of such triazole-based compounds include 1,2,3-benzotriazole, 1-{N,N-bis(2-ethylhexyl)aminomethyl}benzotriazole, carboxybenzotriazole, and 2-(2- Hydroxy-5-methylphenyl) benzotriazole, 2-(2-hydroxy-3,5-di-t-butylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-(2-hydroxy-3-t- Butyl-5-methylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-(2-hydroxy-3,5-di-t-amylphenyl)benzotriazole, 2-(2-hydroxy-5-t-octyl Phenyl) benzotriazole, 6-(2-benzotriazolyl)-4-t-octyl-6'-t-butyl-4'-methyl-2,2'-methylenebisphenol, 1-(2,3-di Hydroxypropyl) benzotriazole, 1-(1,2-dicarboxydiethyl)benzotriazole, 1-(2-ethylhexylaminomethyl)benzotriazole, 2,4-di-t-pentyl-6- {(H-benzotriazol-1-yl)methyl}phenol, 2-(2-hydroxy-5-t-butylphenyl)-2H-benzotriazole, octyl-3-[3-t-butyl-4 -Hydroxy-5-(5-chloro-2H-benzotriazol-2-yl)phenyl]propionate, 2-ethylhexyl-3-[3-t-butyl-4-hydroxy-5-(5 -Chloro-2H-benzotriazol-2-yl)phenyl]propionate, 2-(2H-benzotriazol-2-yl)-6-(1-methyl-1-phenylethyl)-4-(1 ,1,3,3-tetramethylbutyl)phenol, 2-(2H-benzotriazol-2-yl)-4-t-butylphenol, 2-(2-hydroxy-5-methylphenyl)benzotriazole, 2-(2-hydroxy-5-t-octylphenyl)-benzotriazole, 2-(3-t-butyl-2-hydroxy-5-methylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-(2 -Hydroxy-3,5-di-t-amylphenyl)benzotriazole, 2-(2-hydroxy-3,5-di-t-butylphenyl)-5-chloro-benzotriazole, 2-[ 2-hydroxy-3,5-di(1,1-dimethylbenzyl)phenyl]-2H-benzotriazole, 2,2'-methylenebis[6-(2H-benzotriazol-2-yl)-4 -(1,1,3,3-tetramethylbutyl)phenol], (2-[2-hydroxy-3,5-bis(α,α-dimethylbenzyl)phenyl]-2H-benzotriazole, and methyl -3-[3-(2H-benzotriazol-2-yl)-5-t-butyl-4-hydroxyphenyl]propionate and quinol compounds, hydroxyl Certain hydroxyl group-containing compounds, such as an anthraquinone compound and a polyphenol compound, can also be used as an ion trapping agent. Specific examples of such a hydroxyl group-containing compound include 1,2-benzenediol, alizarin, anthrarufin, tannin, gallic acid, methyl gallate, and pyrogallol.

다이 본드 필름(10)의 두께는, 바람직하게는 40㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상, 보다 바람직하게는 80㎛ 이상이다. 또한, 본 다이 본드 필름의 두께는, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 160㎛ 이하, 보다 바람직하게는 120㎛ 이하이다.The thickness of the die-bonding film 10 is preferably 40 μm or more, more preferably 60 μm or more, and still more preferably 80 μm or more. In addition, the thickness of this die-bonding film is preferably 200 μm or less, more preferably 160 μm or less, and still more preferably 120 μm or less.

다이 본드 필름(10)은, 폭 10㎜의 다이 본드 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 10㎜, 23℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 항복점 강도가, 15N 이하이고, 바람직하게는 12N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하이다. 이와 함께, 다이 본드 필름(10)은, 상기 시험에서의 파단 강도가, 15N 이하이고, 바람직하게는 12N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하이다. 이와 함께, 다이 본드 필름(10)은, 상기 시험에서의 파단 신도가, 40 내지 400％이며, 바람직하게는 40 내지 350％, 보다 바람직하게는 40 내지 300％이다. 이들 항복점 강도, 파단 강도, 및 파단 신도에 대해서는, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 측정할 수 있다. 또한, 다이 본드 필름(10)에서의 항복점 강도, 파단 강도, 및 파단 신도의 조정은, 다이 본드 필름(10)에서의 무기 필러 및/또는 유기 필러의 배합량의 제어나, 다이 본드 필름(10) 중의 전술한 아크릴 수지의 유리 전이 온도의 제어 등에 의해 행하는 것이 가능하다.The die-bonding film 10 has a yield point strength of 15 N or less in a tensile test conducted on a die-bonding film test piece having a width of 10 mm under the conditions of an initial distance between chucks of 10 mm, 23 ° C., and a tensile speed of 300 mm / min. , preferably 12 N or less, more preferably 10 N or less. In addition, the die-bonding film 10 has a breaking strength of 15 N or less in the above test, preferably 12 N or less, more preferably 10 N or less. In addition, the die-bonding film 10 has a breaking elongation in the above test of 40 to 400%, preferably 40 to 350%, and more preferably 40 to 300%. About these yield point strength, breaking strength, and breaking elongation, it can measure using a tensile tester (brand name "Autograph AGS-J", Shimadzu Corporation make). In addition, adjustment of the yield point strength, breaking strength, and elongation at break in the die-bonding film 10 is the control of the amount of inorganic filler and/or organic filler in the die-bonding film 10, and the die-bonding film 10 It is possible to carry out by control of the glass transition temperature of the above-mentioned acrylic resin in, etc.

다이 본드 필름(10)의 미경화 상태에서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 300Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 700Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 1000Pa·s 이상이다. 또한, 다이 본드 필름(10)의 미경화 상태에서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 5000Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4500Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4000Pa·s 이하이다.The viscosity of the die-bonding film 10 at 120°C in an uncured state is preferably 300 Pa·s or more, more preferably 700 Pa·s or more, and even more preferably 1000 Pa·s or more. Further, the viscosity of the die-bonding film 10 at 120°C in an uncured state is preferably 5000 Pa·s or less, more preferably 4500 Pa·s or less, and still more preferably 4000 Pa·s or less.

이상과 같은 다이 본드 필름(10)은, 온도 23℃, 박리 각도 180° 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서의 박리 시험에 있어서, SUS 평면에 대해서, 예를 들어 0.3 내지 20N/10㎜의 180° 박리 점착력을 나타낸다. 이와 같은 구성은, 다이싱 다이 본드 필름 X 내지 그의 다이 본드 필름(10)에 의한 워크의 보유 지지를 확보하는 데 있어서 적합하다.The above die-bonding film 10 exhibits, for example, 0.3 to 20 N/10 mm with respect to the SUS plane in a peel test under conditions of a temperature of 23° C., a peel angle of 180°, and a tensile speed of 300 mm/min. 180° peel adhesion. Such a structure is suitable for securing the holding of the work by the dicing die-bonding film X or its die-bonding film 10 .

다이싱 다이 본드 필름 X에서의 다이싱 테이프(20)의 기재(21)는, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 지지체로서 기능하는 요소이다. 기재(21)는 예를 들어 플라스틱 기재이며, 당해 플라스틱 기재로서는 플라스틱 필름을 적합하게 사용할 수 있다. 플라스틱 기재의 구성 재료로서는, 예를 들어 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카르보네이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리페닐술피드, 아라미드, 불소 수지, 셀룰로오스계 수지 및 실리콘 수지를 들 수 있다. 폴리올레핀으로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체 및 에틸렌-헥센 공중합체를 들 수 있다. 폴리에스테르로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 및 폴리부틸렌테레프탈레이트를 들 수 있다. 기재(21)는, 1종류의 재료로 이루어져도 되고, 2종류 이상이 재료로 이루어져도 된다. 기재(21)는, 단층 구조를 가져도 되고, 다층 구조를 가져도 된다. 기재(21) 위의 점착제층(22)이 후술하는 바와 같이 자외선 경화성인 경우, 기재(21)는 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 기재(21)는, 플라스틱 필름으로 이루어지는 경우, 비연신 필름이어도 되고, 1축 연신 필름이어도 되며, 2축 연신 필름이어도 된다.The substrate 21 of the dicing tape 20 in the dicing die-bonding film X is an element that functions as a support in the dicing tape 20 to the dicing die-bonding film X. The substrate 21 is, for example, a plastic substrate, and a plastic film can be suitably used as the plastic substrate. Examples of the constituent materials of the plastic substrate include polyolefin, polyester, polyurethane, polycarbonate, polyether ether ketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyvinyl chloride, and polyvinyl chloride. Leaden, polyphenylsulfide, aramid, fluorine resin, cellulose resin, and silicone resin are mentioned. Examples of the polyolefin include low-density polyethylene, linear low-density polyethylene, medium-density polyethylene, high-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, random copolymerization polypropylene, block copolymerization polypropylene, homopolyprolene, polybutene, polymethylpentene, and ethylene-acetic acid. vinyl copolymers, ionomer resins, ethylene-(meth)acrylic acid copolymers, ethylene-(meth)acrylic acid ester copolymers, ethylene-butene copolymers and ethylene-hexene copolymers. Examples of polyester include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polybutylene terephthalate. The substrate 21 may consist of one type of material or may consist of two or more types of materials. The substrate 21 may have a single layer structure or may have a multilayer structure. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 on the substrate 21 is UV-curable as will be described later, the substrate 21 preferably has UV transmittance. In addition, when the base material 21 is made of a plastic film, it may be a non-stretched film, a uniaxially stretched film, or a biaxially stretched film.

다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 시에 다이싱 테이프(20) 내지 기재(21)를 예를 들어 부분적인 가열에 의해 수축시키는 경우에는, 기재(21)는 열수축성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 기재(21)가 플라스틱 필름으로 이루어지는 경우, 다이싱 테이프(20) 내지 기재(21)에 대하여 등방적인 열수축성을 실현하기 위해서는, 기재(21)는 2축 연신 필름인 것이 바람직하다. 다이싱 테이프(20) 내지 기재(21)는, 가열 온도 100℃ 및 가열 처리 시간 60초의 조건에서 행해지는 가열 처리 시험에 의한 열수축률이 바람직하게는 2 내지 30％, 보다 바람직하게는 2 내지 25％, 보다 바람직하게는 3 내지 20％, 보다 바람직하게는 5 내지 20％이다. 당해 열수축률은, 소위 MD 방향의 열수축률 및 소위 TD 방향의 열수축률 중 적어도 한쪽의 열수축률을 의미하도록 한다.When shrinking the dicing tape 20 to the substrate 21 by partial heating at the time of use of the dicing die-bonding film X, the substrate 21 preferably has heat shrinkability. In addition, when the base material 21 is made of a plastic film, in order to realize isotropic heat shrinkability with respect to the dicing tape 20 or the base material 21, the base material 21 is preferably a biaxially stretched film. The dicing tape 20 to the substrate 21 have a heat shrinkage rate of preferably 2 to 30%, more preferably 2 to 25% in a heat treatment test conducted under conditions of a heating temperature of 100°C and a heat treatment time of 60 seconds. %, more preferably 3 to 20%, more preferably 5 to 20%. The said thermal contraction rate means the thermal contraction rate of at least one of the so-called thermal contraction rate of MD direction, and the thermal contraction rate of so-called TD direction.

기재(21)에서의 점착제층(22)측의 표면은, 점착제층(22)과의 밀착성을 높이기 위한 물리적 처리, 화학적 처리, 또는 하도 처리가 실시되어 있어도 된다. 물리적 처리로서는, 예를 들어 코로나 처리, 플라스마 처리, 샌드매트 가공 처리, 오존 폭로 처리, 화염 폭로 처리, 고압 전격 폭로 처리, 및 이온화 방사선 처리를 들 수 있다. 화학적 처리로서는 예를 들어 크롬산 처리를 들 수 있다.The surface of the base material 21 on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 22 may be subjected to physical treatment, chemical treatment, or undercoating treatment for enhancing adhesion to the pressure-sensitive adhesive layer 22 . Examples of the physical treatment include corona treatment, plasma treatment, sand mat treatment, ozone exposure treatment, flame exposure treatment, high-voltage electric shock exposure treatment, and ionizing radiation treatment. As a chemical treatment, chromic acid treatment is mentioned, for example.

기재(21)의 두께는, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 지지체로서 기재(21)가 기능하기 위한 강도를 확보한다는 관점에서는, 바람직하게는 40㎛ 이상, 보다 바람직하게는 50㎛ 이상, 보다 바람직하게는 55㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상이다. 또한, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 적당한 가요성을 실현한다는 관점에서는, 기재(21)의 두께는, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 180㎛ 이하, 보다 바람직하게는 150㎛ 이하이다.The thickness of the substrate 21 is preferably 40 μm or more, more preferably 40 μm or more, from the viewpoint of securing strength for the substrate 21 to function as a support in the dicing tape 20 or the dicing die bond film X. is 50 μm or more, more preferably 55 μm or more, and more preferably 60 μm or more. Further, from the viewpoint of realizing appropriate flexibility in the dicing tape 20 to the dicing die-bonding film X, the thickness of the substrate 21 is preferably 200 μm or less, more preferably 180 μm or less, and more Preferably it is 150 micrometers or less.

다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)은, 점착제를 함유한다. 이 점착제는, 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 의해 의도적으로 점착력을 저감시키는 것이 가능한 점착제(점착력 저감 가능형 점착제)여도 되며, 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 따라서는 점착력이 대부분 또는 완전히 저감되지 않는 점착제(점착력 비저감형 점착제)여도 된다. 점착제층(22) 중의 점착제로서 점착력 저감 가능형 점착제를 사용하거나 혹은 점착력 비저감형 점착제를 사용할지에 대해서는, 다이싱 다이 본드 필름 X를 사용하여 개편화 될 반도체 칩의 개편화 방법이나 조건 등, 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 양태에 따라 적절하게 선택할 수 있다.The adhesive layer 22 of the dicing tape 20 contains an adhesive. This pressure-sensitive adhesive may be an adhesive capable of intentionally reducing the adhesive force by an external action during the use process of the dicing die-bonding film X (adhesive force-reducing type pressure-sensitive adhesive). It may be a pressure-sensitive adhesive (adhesive force non-reducing type pressure-sensitive adhesive) in which the adhesive force is not reduced mostly or completely depending on the action from the outside. As for the adhesive in the adhesive layer 22, whether to use a pressure-sensitive adhesive capable of reducing adhesive force or a pressure-sensitive adhesive with non-reduced adhesive force, the method and conditions for singling out semiconductor chips to be singulated using the dicing die-bonding film X, the die It can be appropriately selected according to the use mode of the single die-bonding film X.

점착제층(22) 중의 점착제로서 점착력 저감 가능형 점착제를 사용하는 경우, 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 과정에 있어서, 점착제층(22)이 상대적으로 높은 점착력을 나타내는 상태와 상대적으로 낮은 점착력을 나타내는 상태를, 구분지어 사용하는 것이 가능하다. 예를 들어, 다이싱 다이 본드 필름 X가 후술하는 익스팬드 공정에 사용될 때에는, 점착제층(22)으로부터의 다이 본드 필름(10)의 들뜸이나 박리를 억제·방지하기 위해서 점착제층(22)의 고점착력 상태를 이용하는 한편, 그보다 후에, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)로부터 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 픽업하기 위한 후술하는 픽업 공정에서는, 점착제층(22)으로부터 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 쉽게 픽업하기 위해서 점착제층(22)의 저점착력 상태를 이용하는 것이 가능하다.In the case of using a pressure-sensitive adhesive capable of reducing adhesiveness as the pressure-sensitive adhesive in the pressure-sensitive adhesive layer 22, in the process of using the dicing die bond film X, the pressure-sensitive adhesive layer 22 exhibits a relatively high adhesive strength and a relatively low adhesive strength. It is possible to use states separately. For example, when the dicing die-bonding film X is used in the expand process described later, the pressure-sensitive adhesive layer 22 is used to suppress/prevent lifting or peeling of the die-bonding film 10 from the pressure-sensitive adhesive layer 22. While using the state of adhesive force, later, in the pick-up step described later for picking up the semiconductor chip with die-bonding film from the dicing tape 20 of the dicing die-bonding film X, the semiconductor with die-bonding film from the pressure-sensitive adhesive layer 22 It is possible to use the low-adhesion state of the pressure-sensitive adhesive layer 22 to easily pick up chips.

이와 같은 점착력 저감 가능형 점착제로서는, 예를 들어 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 과정에 있어서 방사선 조사에 의해 경화시키는 것이 가능한 점착제(방사선 경화성 점착제)나 가열 발포형 점착제 등을 들 수 있다. 본 실시 형태의 점착제층(22)에서는, 1종류의 점착력 저감 가능형 점착제가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 점착력 저감 가능형 점착제가 사용되어도 된다. 또한, 점착제층(22)의 전체가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(22)의 일부가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 된다. 예를 들어, 점착제층(22)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(22)의 전체가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(22)에서의 소정의 부위(예를 들어, 워크의 접착 대상 영역인 중앙 영역)가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되고, 다른 부위(예를 들어, 링 프레임의 접착 대상 영역이며, 중앙 영역의 외측에 있는 영역)가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다. 또한, 점착제층(22)이 다층 구조를 갖는 경우, 다층 구조를 이루는 모든 층이 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 되고, 다층 구조 중의 일부의 층이 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 된다.Examples of such a pressure-sensitive adhesive capable of reducing adhesive force include a pressure-sensitive adhesive (radiation curable pressure-sensitive adhesive) that can be cured by irradiation of radiation in the process of using the dicing die-bonding film X, a heat-foaming pressure-sensitive adhesive, and the like. In the adhesive layer 22 of this embodiment, one kind of adhesive force reduction possible type adhesive may be used, and two or more types of adhesive force reduction possible type adhesive may be used. In addition, the entirety of the pressure-sensitive adhesive layer 22 may be formed of a pressure-sensitive adhesive capable of reducing the adhesive force, or a part of the pressure-sensitive adhesive layer 22 may be formed of a pressure-sensitive adhesive capable of reducing the adhesive force. For example, when the pressure-sensitive adhesive layer 22 has a single-layer structure, the entire pressure-sensitive adhesive layer 22 may be formed of a pressure-sensitive adhesive capable of reducing adhesive force, or a predetermined portion of the pressure-sensitive adhesive layer 22 (eg, a workpiece Even if the central area, which is the area to be adhered to, is formed of an adhesive capable of reducing adhesive force, and the other portion (eg, the area to be adhered to a ring frame and the area outside the central area) is formed of a non-adhesive adhesive. do. In the case where the pressure-sensitive adhesive layer 22 has a multilayer structure, all layers constituting the multilayer structure may be formed of an adhesive capable of reducing adhesive force, or some of the layers in the multilayer structure may be formed of an adhesive capable of reducing adhesive force.

점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 전자선, 자외선, α선, β선, γ선, 또는 X선의 조사에 의해 경화되는 타입의 점착제를 들 수 있으며, 자외선 조사에 의해 경화되는 타입의 점착제(자외선 경화성 점착제)를 특히 적합하게 사용할 수 있다.Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 22 include pressure-sensitive adhesives of the type that are cured by irradiation with electron beams, ultraviolet rays, α-rays, β-rays, γ-rays, or X-rays. A type of adhesive (ultraviolet curable adhesive) can be used particularly suitably.

점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제인 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체와, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 갖는 방사선 중합성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 함유하는, 첨가형의 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다.Examples of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 22 include a base polymer such as an acrylic polymer, which is an acrylic pressure-sensitive adhesive, and a radiation-polymerizable monomer component or oligomer component having a functional group such as a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond. , addition-type radiation-curable pressure-sensitive adhesives.

상기 아크릴계 중합체는, 바람직하게는 (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 단량체 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 아크릴계 중합체의 단량체 유닛을 이루기 위한 (메트)아크릴산에스테르, 즉 아크릴계 중합체의 구성 단량체인 (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, 및 (메트)아크릴산아릴에스테르를 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 다이 본드 필름(10)을 위한 아크릴 수지에 관하여 상기한 것과 마찬가지의 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 아크릴계 중합체의 구성 단량체로서, 1종류의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 (메트)아크릴산에스테르가 사용되어도 된다. 아크릴계 중합체의 구성 단량체로서는, 바람직하게는 아크릴산 2-에틸헥실 및 아크릴산 라우릴을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(22)에서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 중합체의 구성 단량체 전체에서의 (메트)아크릴산에스테르의 비율은, 바람직하게는 40질량％ 이상, 보다 바람직하게는 60질량％ 이상이다.The acrylic polymer preferably contains the most monomer unit derived from (meth)acrylic acid ester in mass ratio. Examples of (meth)acrylic acid esters that form the monomer unit of acrylic polymers, that is, (meth)acrylic acid esters that are constituent monomers of acrylic polymers, include (meth)acrylic acid alkyl esters, (meth)acrylic acid cycloalkyl esters, and (meth)acrylic acid esters. Acrylic acid aryl ester is mentioned, More specifically, (meth)acrylic acid ester similar to what was mentioned above regarding the acrylic resin for the die-bonding film 10 is mentioned. As a constituent monomer of the acrylic polymer, one type of (meth)acrylic acid ester may be used, or two or more types of (meth)acrylic acid ester may be used. As the constituent monomers of the acrylic polymer, preferably, 2-ethylhexyl acrylate and lauryl acrylate are used. In addition, in order to appropriately express basic properties such as adhesiveness by (meth)acrylic acid ester in the pressure-sensitive adhesive layer 22, the ratio of (meth)acrylic acid ester to all constituent monomers of the acrylic polymer is preferably 40% by mass. or more, more preferably 60% by mass or more.

아크릴계 중합체는, 예를 들어 그 응집력이나 내열성의 개질을 위해서, (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 1종류의 또는 2종류 이상의 다른 단량체를 구성 단량체에 포함해도 된다. 그러한 단량체로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 단량체, 산 무수물 단량체, 히드록시기 함유 단량체, 에폭시기 함유 단량체, 술폰산기 함유 단량체, 인산기 함유 단량체, 아크릴아미드, 및 아크릴로니트릴을 들 수 있으며, 보다 구체적으로는, 다이 본드 필름(10)을 위한 아크릴 수지에 관하여 상기한 것과 마찬가지의 공중합성 단량체를 들 수 있다.The acrylic polymer may also contain, as constituent monomers, one type or two or more types of other monomers copolymerizable with (meth)acrylic acid ester, for example, to improve its cohesive force or heat resistance. Examples of such monomers include carboxyl group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxyl group-containing monomers, epoxy group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphoric acid group-containing monomers, acrylamide, and acrylonitrile. More specifically, As for the acrylic resin for the bond film 10, the same copolymerizable monomer as described above can be used.

아크릴계 중합체는, 그 중합체 골격 중에 가교 구조를 형성하기 위해서, (메트)아크릴산에스테르 등의 단량체 성분과 공중합 가능한 다관능성 단량체에서 유래되는 단량체 유닛을 포함하고 있어도 된다. 그러한 다관능성 단량체로서, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트 및 우레탄(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 「(메트)아크릴레이트」는, 「아크릴레이트」 및/또는 「메타크릴레이트」를 의미하는 것으로 한다. 아크릴계 중합체의 구성 단량체로서, 1종류의 다관능성 단량체가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 다관능성 단량체가 사용되어도 된다. (메트)아크릴산에스테르에 의한 점착성 등의 기본 특성을 점착제층(22)에서 적절하게 발현시키기 위해서는, 아크릴계 중합체의 구성 단량체 전체에서의 다관능성 단량체의 비율은, 바람직하게는 40질량％ 이하, 보다 바람직하게는 30질량％ 이하이다.The acrylic polymer may contain a monomer unit derived from a polyfunctional monomer copolymerizable with monomer components such as (meth)acrylic acid ester in order to form a crosslinked structure in the polymer skeleton. As such a polyfunctional monomer, for example, hexanediol di(meth)acrylate, (poly)ethylene glycol di(meth)acrylate, (poly)propylene glycol di(meth)acrylate, and neopentyl glycol di(meth)acrylate Late, pentaerythritol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, polyglycidyl(meth) acrylates, polyester (meth)acrylates and urethane (meth)acrylates. "(meth)acrylate" shall mean "acrylate" and/or "methacrylate". As a constituent monomer of the acrylic polymer, one type of polyfunctional monomer may be used, or two or more types of polyfunctional monomers may be used. In order to appropriately express basic characteristics such as adhesiveness by (meth)acrylic acid ester in the pressure-sensitive adhesive layer 22, the ratio of the polyfunctional monomer in the total monomers of the acrylic polymer is preferably 40% by mass or less, more preferably It is 30 mass % or less.

아크릴계 중합체는, 그것을 형성하기 위한 원료 단량체를 중합하여 얻을 수 있다. 중합 방법으로서는, 예를 들어 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 및 현탁 중합을 들 수 있다. 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X가 사용되는 반도체 장치 제조 방법에서의 고도의 청정성의 관점에서는, 다이싱 테이프(20) 내지 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 점착제층(22) 중의 저분자량 물질은 적은 편이 바람직한바, 아크릴계 중합체의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 10만 이상, 보다 바람직하게는 20만 내지 300만이다.An acrylic polymer can be obtained by polymerizing raw material monomers for forming it. As a polymerization method, solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, and suspension polymerization are mentioned, for example. From the viewpoint of high cleanliness in the semiconductor device manufacturing method in which the dicing tape 20 to the dicing die-bonding film X are used, the pressure-sensitive adhesive layer 22 in the dicing tape 20 to the dicing die-bonding film X Since the number of low molecular weight substances is preferably less, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 100,000 or more, more preferably 200,000 to 3,000,000.

점착제층(22) 내지 그것을 이루기 위한 점착제는, 아크릴계 중합체 등 베이스 중합체의 수 평균 분자량을 높이기 위해서 예를 들어, 외부 가교제를 함유해도 된다. 아크릴계 중합체 등 베이스 중합체와 반응하여 가교 구조를 형성하기 위한 외부 가교제로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물, 아지리딘 화합물, 및 멜라민계 가교제를 들 수 있다. 점착제층(22) 내지 그것을 이루기 위한 점착제에서의 외부 가교제의 함유량은, 베이스 중합체 100질량부에 대해서, 바람직하게는 5질량부 이하, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5질량부이다.The pressure-sensitive adhesive layer 22 or the pressure-sensitive adhesive for forming it may contain, for example, an external crosslinking agent in order to increase the number average molecular weight of base polymers such as acrylic polymers. Examples of the external crosslinking agent for forming a crosslinked structure by reacting with a base polymer such as an acrylic polymer include a polyisocyanate compound, an epoxy compound, a polyol compound, an aziridine compound, and a melamine-based crosslinking agent. The content of the external crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive layer 22 or the pressure-sensitive adhesive for forming it is preferably 5 parts by mass or less, more preferably 0.1 to 5 parts by mass, based on 100 parts by mass of the base polymer.

방사선 경화성 점착제를 이루기 위한 상기 방사선 중합성 단량체 성분으로서는, 예를 들어 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 및 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 방사선 경화성 점착제를 이루기 위한 상기 방사선 중합성 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 올리고머를 들 수 있으며, 분자량 100 내지 30000 정도의 것이 적당하다. 방사선 경화성 점착제중의 방사선 중합성의 단량체 성분이나 올리고머 성분의 총 함유량은, 형성될 점착제층(22)의 점착력을 적절하게 저하시킬 수 있는 범위에서 결정되고, 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100질량부에 대해서, 바람직하게는 5 내지 500질량부이며, 보다 바람직하게는 40 내지 150질량부이다. 또한, 첨가형의 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 일본 특허공개 소60-196956호 공보에 개시된 것을 사용해도 된다.Examples of the radiation polymerizable monomer component for forming the radiation curable pressure-sensitive adhesive include urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and pentaerythritol tetra (meth) acrylate. ) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, and 1,4-butanedioldi(meth)acrylate. Examples of the radiation-polymerizable oligomer component for forming the radiation-curable pressure-sensitive adhesive include various oligomers such as urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based, and polybutadiene-based oligomers with a molecular weight of about 100 to 30,000. it is suitable The total content of the radiation-polymerizable monomer component or oligomer component in the radiation-curable pressure-sensitive adhesive is determined within a range capable of appropriately reducing the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 22 to be formed, relative to 100 parts by mass of the base polymer such as an acrylic polymer. , Preferably it is 5-500 mass parts, More preferably, it is 40-150 mass parts. In addition, as an addition-type radiation curable adhesive, you may use what was disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 60-196956, for example.

점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제로서는, 예를 들어 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 중합체 측쇄나, 중합체 주쇄 중, 중합체 주쇄 말단에 갖는 베이스 중합체를 함유하는 내재형의 방사선 경화성 점착제도 들 수 있다. 이러한 내재형의 방사선 경화성 점착제는, 형성될 점착제층(22) 내에서의 저분자량 성분의 이동에 기인하는 점착 특성의, 의도하지 않은 경시적 변화를 억제하는 데 있어서 적합하다.As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 22, for example, an intrinsic type radiation-curable pressure-sensitive adhesive containing a base polymer having a functional group such as a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond at a polymer side chain or a polymer main chain terminal in a polymer main chain. An adhesive may also be mentioned. Such an intrinsic type radiation-curable pressure-sensitive adhesive is suitable for suppressing unintended changes with time in adhesive properties due to movement of low-molecular-weight components in the pressure-sensitive adhesive layer 22 to be formed.

내재형의 방사선 경화성 점착제에 함유되는 베이스 중합체로서는, 아크릴계 중합체를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 그러한 기본 골격을 이루는 아크릴계 중합체로서는, 전술한 아크릴계 중합체를 채용할 수 있다. 아크릴계 중합체에 대한 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합의 도입 방법으로서는, 예를 들어 소정의 관능기(제1 관능기)를 갖는 단량체를 포함하는 원료 단량체를 공중합시켜 아크릴계 중합체를 얻고 난 후, 제1 관능기 사이에서 반응을 발생하여 결합할 수 있는 소정의 관능기(제2 관능기)와 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 중합성을 유지한 채 아크릴계 중합체에 대해서 축합 반응 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.As the base polymer contained in the internal-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive, it is preferable to use an acrylic polymer as a basic skeleton. As the acrylic polymer constituting such a basic skeleton, the above-described acrylic polymer can be employed. As a method for introducing a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond into an acrylic polymer, for example, after copolymerizing a raw material monomer containing a monomer having a predetermined functional group (first functional group) to obtain an acrylic polymer, A condensation reaction of a compound having a radiation polymerizable carbon-carbon double bond and a predetermined functional group (second functional group) capable of being bonded by reaction in an acrylic polymer while maintaining radiation polymerizability of the carbon-carbon double bond. Or the method of making an addition reaction is mentioned.

제1 관능기와 제2 관능기의 조합으로서는, 예를 들어 카르복시기와 에폭시기, 에폭시기와 카르복시기, 카르복시기와 아지리딜기, 아지리딜기와 카르복시기, 히드록시기와 이소시아네이트기, 이소시아네이트기와 히드록시기를 들 수 있다. 이들 조합 중, 반응 추적의 용이함의 관점에서는, 히드록시기와 이소시아네이트기의 조합이나, 이소시아네이트기와 히드록시기의 조합이 바람직하다. 또한, 반응성이 높은 이소시아네이트기를 갖는 중합체를 제작하는 것은 기술적 난이도가 높으므로, 아크릴계 중합체의 제작 또는 입수의 용이함의 관점에서는, 아크릴계 중합체측의 상기 제1 관능기가 히드록시기이며 또한 상기 제2 관능기가 이소시아네이트기인 경우가 보다 바람직하다. 이 경우, 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합과 제2 관능기인 이소시아네이트기를 병유하는 이소시아네이트 화합물, 즉, 방사선 중합성의 불포화 관능기 함유 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일 이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트(MOI), 및 m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질 이소시아네이트를 들 수 있다.Examples of the combination of the first functional group and the second functional group include a carboxy group and an epoxy group, an epoxy group and a carboxy group, a carboxy group and an aziridyl group, an aziridyl group and a carboxy group, a hydroxyl group and an isocyanate group, and an isocyanate group and a hydroxyl group. Among these combinations, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group or a combination of an isocyanate group and a hydroxyl group is preferable from the viewpoint of easiness of tracking the reaction. In addition, since it is technically difficult to produce a polymer having a highly reactive isocyanate group, from the viewpoint of ease of production or acquisition of the acrylic polymer, the first functional group on the side of the acrylic polymer is a hydroxy group and the second functional group is an isocyanate group. case is more preferable. In this case, as an isocyanate compound having both a radiation polymerizable carbon-carbon double bond and an isocyanate group as the second functional group, ie, a radiation polymerizable unsaturated functional group-containing isocyanate compound, for example, methacryloyl isocyanate and 2-methacryloyl oxyethyl isocyanate (MOI), and m-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate.

점착제층(22)을 위한 방사선 경화성 점착제는, 바람직하게는 광중합 개시제를 함유한다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 α-케톨계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 광 활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥시드 및 아실 포스포네이트를 들 수 있다. α-케톨계 화합물로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 및 1-히드록시시클로헥실페닐케톤을 들 수 있다. 아세토페논계 화합물로서는, 예를 들어 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2,2-디에톡시아세토페논 및 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1을 들 수 있다. 벤조인에테르계 화합물로서는, 예를 들어 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 및 아니소인메틸에테르를 들 수 있다. 케탈계 화합물로서는, 예를 들어 벤질디메틸케탈을 들 수 있다. 방향족 술포닐클로라이드계 화합물로서는, 예를 들어 2-나프탈렌술포닐 클로라이드를 들 수 있다. 광 활성 옥심계 화합물로서는, 예를 들어 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심을 들 수 있다. 벤조페논계 화합물로서는, 예를 들어 벤조페논, 벤조일벤조산, 및 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논을 들 수 있다. 티오크산톤계 화합물로서는, 예를 들어 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 및 2,4-디이소프로필티오크산톤을 들 수 있다. 점착제층(22)에서의 방사선 경화성 점착제 중의 광중합 개시제의 함유량은, 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100질량부에 대해서 예를 들어 0.05 내지 20질량부이다.The radiation-curable pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 22 preferably contains a photopolymerization initiator. Examples of the photopolymerization initiator include α-ketol compounds, acetophenone compounds, benzoin ether compounds, ketal compounds, aromatic sulfonyl chloride compounds, photoactive oxime compounds, benzophenone compounds, and thioxanthone compounds. compounds, camphorquinones, halogenated ketones, acylphosphineoxides and acyl phosphonates. As an α-ketol compound, for example, 4-(2-hydroxyethoxy)phenyl(2-hydroxy-2-propyl)ketone, α-hydroxy-α,α'-dimethylacetophenone, 2-methyl -2-hydroxypropiophenone, and 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone. As an acetophenone compound, for example, methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, 2,2-diethoxyacetophenone, and 2-methyl-1-[4 -(methylthio)-phenyl]-2-morpholinopropane-1. As a benzoin ether type compound, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether is mentioned, for example. As a ketal type compound, a benzyl dimethyl ketal is mentioned, for example. As an aromatic sulfonyl chloride type compound, 2-naphthalene sulfonyl chloride is mentioned, for example. Examples of the photoactive oxime-based compound include 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime. Examples of the benzophenone-based compound include benzophenone, benzoylbenzoic acid, and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone. As a thioxanthone compound, for example, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone xanthone, 2,4-diethylthioxanthone, and 2,4-diisopropylthioxanthone. The content of the photopolymerization initiator in the radiation-curable pressure-sensitive adhesive in the pressure-sensitive adhesive layer 22 is, for example, 0.05 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of a base polymer such as an acrylic polymer.

점착제층(22)을 위한 상기의 가열 발포형 점착제는, 가열에 의해 발포나 팽창을 하는 성분(발포제, 열팽창성 미소구 등)을 함유하는 점착제이다. 발포제로서는, 다양한 무기계 발포제 및 유기계 발포제를 들 수 있다. 열팽창성 미소구로서는, 예를 들어 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질이 외피 내에 봉입된 구성의 미소구를 들 수 있다. 무기계 발포제로서는, 예를 들어 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산수소나트륨, 아질산암모늄, 수소화붕소나트륨, 및 아지드류를 들 수 있다. 유기계 발포제로서는, 예를 들어 트리클로로모노플루오로메탄이나 디클로로모노플루오로메탄 등의 염불화 알칸, 아조비스이소부티로니트릴이나 아조디카르본아미드, 바륨아조디카르복실레이트 등의 아조계 화합물, 파라톨루엔술포닐히드라지드나 디페닐술폰-3,3'-디술포닐히드라지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐히드라지드), 알릴비스(술포닐히드라지드) 등의 히드라진계 화합물, ρ-톨루일렌술포닐세미카르바지드나 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐세미카르바지드) 등의 세미카르바지드계 화합물, 5-모르포릴-1,2,3,4-티아트리아졸 등의 트리아졸계 화합물, 및 N,N'-디니트로소펜타메틸렌테트라민이나 N,N'-디메틸-N,N'-디니트로소테레프탈아미드 등의 N-니트로소계 화합물을 들 수 있다. 상기와 같은 열팽창성 미소구를 이루기 위한, 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질로서는, 예를 들어 이소부탄, 프로판 및 펜탄을 들 수 있다. 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질을 코아세르베이션법이나 계면 중합법 등에 의해 외피 형성 물질 내에 봉입함으로써, 열팽창성 미소구를 제작할 수 있다. 외피 형성 물질로서는, 열용융성을 나타내는 물질이나, 봉입 물질의 열팽창 작용에 의해 파열될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 그러한 물질로서는, 예를 들어 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴 및 폴리술폰을 들 수 있다.The heat-expandable pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 22 is a pressure-sensitive adhesive containing a component (a foaming agent, heat-expandable microspheres, etc.) that expands or expands when heated. As a foaming agent, various inorganic type foaming agents and organic type foaming agents are mentioned. Examples of thermally expandable microspheres include microspheres having a configuration in which a substance that easily gasifies and expands when heated is sealed in an outer shell. Examples of the inorganic foaming agent include ammonium carbonate, ammonium hydrogen carbonate, sodium hydrogen carbonate, ammonium nitrite, sodium borohydride, and azides. Examples of organic foaming agents include hydrofluoric alkanes such as trichloromonofluoromethane and dichloromonofluoromethane, azo compounds such as azobisisobutyronitrile, azodicarbonamide, and barium azodicarboxylate, para Hydrazine-based compounds such as toluenesulfonylhydrazide, diphenylsulfone-3,3'-disulfonylhydrazide, 4,4'-oxybis(benzenesulfonylhydrazide), and allylbis(sulfonylhydrazide), ρ - Semicarbazide compounds such as toluylenesulfonylsemicarbazide and 4,4'-oxybis(benzenesulfonylsemicarbazide), 5-morpholyl-1,2,3,4-thiatriazole triazole-based compounds such as the like, and N-nitroso-based compounds such as N,N'-dinitrosopentamethylenetetramine and N,N'-dimethyl-N,N'-dinitroso terephthalamide. Examples of substances that easily gasify and expand by heating for forming the above thermally expandable microspheres include isobutane, propane, and pentane. Thermally expandable microspheres can be produced by enclosing a substance that easily gasifies and expands when heated in a shell-forming substance by a coacervation method or an interfacial polymerization method. As the shell-forming material, a material exhibiting thermal melting properties or a material capable of being ruptured by the thermal expansion action of the encapsulating material can be used. Examples of such materials include vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polymethyl methacrylate, polyacrylonitrile, polyvinylidene chloride and polysulfone.

전술한 점착력 비저감형 점착제로서는, 예를 들어 점착력 저감 가능형 점착제에 관하여 전술한 방사선 경화성 점착제를 미리 방사선 조사에 의해 경화시킨 형태의 점착제나, 감압형 점착제 등을 들 수 있다. 방사선 경화성 점착제는, 그 함유 중합체 성분의 종류 및 함유량에 따라서는, 방사선 경화되어 점착력이 저감되었을 경우에 있어서도 당해 중합체 성분에 기인하는 점착성을 나타낼 수 있어, 소정의 사용 양태에서 피착체를 점착 유지하는 데 이용 가능한 점착력을 발휘하는 것이 가능하다. 본 실시 형태의 점착제층(22)에 있어서는, 1종류의 점착력 비저감형 점착제가 사용되어도 되고, 2종류 이상의 점착력 비저감형 점착제가 사용되어도 된다. 또한, 점착제층(22)의 전체가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 점착제층(22)의 일부가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다. 예를 들어, 점착제층(22)이 단층 구조를 갖는 경우, 점착제층(22)의 전체가 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 전술한 바와 같이, 점착제층(22)에서의 소정의 부위(예를 들어, 링 프레임의 접착 대상 영역이며, 웨이퍼의 접착 대상 영역의 외측에 있는 영역)가 점착력 비저감형 점착제로 형성되고, 다른 부위(예를 들어, 웨이퍼의 접착 대상 영역인 중앙 영역)가 점착력 저감 가능형 점착제로 형성되어도 된다. 또한, 점착제층(22)이 다층 구조를 갖는 경우, 다층 구조를 이루는 모든 층이 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 되고, 다층 구조 중의 일부의 층이 점착력 비저감형 점착제로 형성되어도 된다.Examples of the pressure-sensitive adhesive of the above-mentioned non-reduced adhesive force include, for example, a pressure-sensitive adhesive in a form in which the radiation-curable pressure-sensitive adhesive described above in relation to the pressure-sensitive adhesive of which the adhesive force can be reduced is previously cured by irradiation with radiation, a pressure-sensitive adhesive, and the like. Depending on the type and content of the polymer component contained therein, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive can exhibit adhesiveness due to the polymer component even when the adhesive force is reduced by radiation curing, and maintains adherends adhesively in a predetermined usage mode. It is possible to exert the adhesive force available for use. In the adhesive layer 22 of this embodiment, one type of non-adhesive force reducing type adhesive may be used, and two or more types of adhesive force non-reducing type adhesive may be used. In addition, the entire pressure-sensitive adhesive layer 22 may be formed of a non-adhesive pressure-sensitive adhesive, or a part of the pressure-sensitive adhesive layer 22 may be formed of a non-adhesive pressure-sensitive adhesive. For example, when the pressure-sensitive adhesive layer 22 has a single-layer structure, the entire pressure-sensitive adhesive layer 22 may be formed of a non-adhesive pressure-sensitive adhesive, and as described above, a predetermined portion in the pressure-sensitive adhesive layer 22 ( For example, the area to be bonded to the ring frame and the area outside the area to be bonded to the wafer) is formed of a non-adhesive adhesive, and the other portion (eg, the central area to be bonded to the wafer) is It may be formed from an adhesive capable of reducing adhesive force. In the case where the pressure-sensitive adhesive layer 22 has a multilayer structure, all of the layers constituting the multilayer structure may be formed of a non-adhesive pressure-sensitive adhesive, or some of the layers in the multilayer structure may be formed of a non-adhesive pressure-sensitive adhesive.

한편, 점착제층(22)을 위한 감압형 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제나 고무계 점착제를 사용할 수 있다. 점착제층(22)이 감압형 점착제로서 아크릴계 점착제를 함유하는 경우, 당해 아크릴계 점착제의 베이스 중합체된 아크릴계 중합체는, 바람직하게는 (메트)아크릴산 에스테르에서 유래되는 단량체 유닛을 질량 비율로 가장 많이 포함한다. 그러한 아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 방사선 경화성 점착제에 관하여 전술한 아크릴계 중합체를 들 수 있다.On the other hand, as the pressure-sensitive adhesive for the pressure-sensitive adhesive layer 22, for example, an acrylic adhesive or a rubber-based adhesive having an acrylic polymer as a base polymer can be used. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 contains an acrylic pressure-sensitive adhesive as a pressure-sensitive adhesive, the acrylic polymer as the base polymer of the acrylic pressure-sensitive adhesive preferably contains the most monomer units derived from (meth)acrylic acid ester in mass ratio. Examples of such acrylic polymers include the acrylic polymers described above for radiation curable pressure-sensitive adhesives.

점착제층(22) 내지 그것을 이루기 위한 점착제는, 전술한 각 성분 외에도, 가교 촉진제, 점착 부여제, 노화 방지제, 안료나 염료 등의 착색제 등을 함유해도 된다. 착색제는, 방사선 조사를 받아 착색되는 화합물이어도 된다. 그러한 화합물로서는, 예를 들어 류코 염료를 들 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 22 or the pressure-sensitive adhesive for forming the pressure-sensitive adhesive layer 22 may contain, in addition to the components described above, a crosslinking accelerator, a tackifier, an anti-aging agent, and a colorant such as a pigment or dye. The colorant may be a compound that is colored by irradiation with radiation. As such a compound, leuco dye is mentioned, for example.

점착제층(22)의 두께는, 바람직하게는 1 내지 50㎛, 보다 바람직하게는 2 내지 30㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 25㎛이다. 이와 같은 구성은, 예를 들어 점착제층(22)이 방사선 경화성 점착제를 포함하는 경우에 당해 점착제층(22)의 방사선 경화의 전후에서의 다이 본드 필름(10)에 대한 접착력의 균형을 취하는 데 있어서, 적합하다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 22 is preferably 1 to 50 μm, more preferably 2 to 30 μm, and still more preferably 5 to 25 μm. Such a configuration is, for example, in balancing the adhesive force to the die-bonding film 10 before and after radiation curing of the pressure-sensitive adhesive layer 22 when the pressure-sensitive adhesive layer 22 contains a radiation-curable pressure-sensitive adhesive. , Suitable.

이상과 같은 구성을 갖는 다이싱 다이 본드 필름 X는, 예를 들어 이하와 같이 하여 제조할 수 있다. The dicing die-bonding film X having the above structure can be manufactured as follows, for example.

다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(10)의 제작에 있어서는, 우선, 다이 본드 필름(10) 형성용 접착제 조성물을 조제한 후, 소정의 세퍼레이터 위에 당해 조성물을 도포하여 접착제 조성물층을 형성한다. 세퍼레이터로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 및, 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이류 등을 들 수 있다. 접착제 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공 및 그라비아 도포 시공을 들 수 있다. 이어서, 이 접착제 조성물층에 있어서, 가열에 의해, 필요에 따라 건조시키고, 또한, 필요에 따라 가교 반응을 발생시킨다. 가열 온도는 예를 들어 70 내지 160℃이며, 가열 시간은 예를 들어 1 내지 5분간이다. 이상과 같이 하여, 세퍼레이터를 수반하는 형태로 전술한 다이 본드 필름(10)을 제작할 수 있다.In the production of the die-bonding film 10 of the dicing die-bonding film X, first, an adhesive composition for forming the die-bonding film 10 is prepared, and then the composition is applied on a predetermined separator to form an adhesive composition layer. Examples of the separator include a polyethylene terephthalate (PET) film, a polyethylene film, a polypropylene film, and a plastic film or paper surface coated with a release agent such as a fluorine-based release agent or a long-chain alkyl acrylate-based release agent. Examples of the application method of the adhesive composition include roll application, screen application, and gravure application. Next, in this adhesive composition layer, by heating, it is dried as needed, and a crosslinking reaction occurs as needed. The heating temperature is, for example, 70 to 160°C, and the heating time is, for example, 1 to 5 minutes. As described above, the die-bonding film 10 described above can be produced in a form with a separator.

다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)에 대해서는, 준비한 기재(21) 위에 점착제층(22)을 마련함으로써 제작할 수 있다. 예를 들어 수지제의 기재(21)는, 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등의 제막 방법에 의해 제작할 수 있다. 제막 후의 필름 내지 기재(21)에는, 필요에 따라 소정의 표면 처리가 실시된다. 점착제층(22)의 형성에 있어서는, 예를 들어 점착제층 형성용의 점착제 조성물을 조제한 후, 우선, 당해 조성물을 기재(21) 위 또는 소정의 세퍼레이터 위에 도포하여 점착제 조성물층을 형성한다. 점착제 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공 및 그라비아 도포 시공을 들 수 있다. 이어서, 이 점착제 조성물층에 있어서, 가열에 의해 필요에 따라 건조시키고, 또한, 필요에 따라 가교 반응을 발생시킨다. 가열 온도는 예를 들어 80 내지 150℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 5분간이다. 점착제층(22)이 세퍼레이터 위에 형성되는 경우에는, 당해 세퍼레이터를 수반하는 점착제층(22)을 기재(21)에 접합하고, 그 후, 세퍼레이터가 박리된다. 이에 의해, 기재(21)와 점착제층(22)의 적층 구조를 갖는 전술한 다이싱 테이프(20)가 제작된다.About the dicing tape 20 of the dicing die-bonding film X, it can produce by providing the adhesive layer 22 on the prepared base material 21. For example, the base material 21 made of resin can be produced by a film forming method such as a calender film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a coextrusion method, or a dry lamination method. can The film or substrate 21 after film formation is subjected to predetermined surface treatment as needed. In forming the pressure-sensitive adhesive layer 22, for example, after preparing the pressure-sensitive adhesive composition for forming the pressure-sensitive adhesive layer, first, the composition is applied on the base material 21 or a predetermined separator to form the pressure-sensitive adhesive composition layer. As a method of applying the pressure-sensitive adhesive composition, for example, roll coating, screen coating, and gravure coating may be used. Next, in this pressure-sensitive adhesive composition layer, it is dried as needed by heating, and a crosslinking reaction is caused as needed. The heating temperature is, for example, 80 to 150°C, and the heating time is, for example, 0.5 to 5 minutes. In the case where the pressure-sensitive adhesive layer 22 is formed on the separator, the pressure-sensitive adhesive layer 22 with the separator is bonded to the substrate 21, and then the separator is peeled off. As a result, the above-described dicing tape 20 having a laminated structure of the substrate 21 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 is produced.

다이싱 다이 본드 필름 X의 제작에 있어서는, 이어서, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)측에 다이 본드 필름(10)을 예를 들어 압착하여 접합한다. 접합 온도는, 예를 들어 30 내지 50℃이며, 바람직하게는 35 내지 45℃이다. 접합 압력(선압)은, 예를 들어 0.1 내지 20kgf/㎝이며, 바람직하게는 1 내지 10kgf/㎝이다. 점착제층(22)이 전술한 바와 같은 방사선 경화성 점착제를 포함하는 경우, 당해 접합 전에 점착제층(22)에 대해서 자외선 등의 방사선을 조사해도 되고, 당해 접합 후에 기재(21)의 측으로부터 점착제층(22)에 대해서 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 또는, 다이싱 다이 본드 필름 X의 제조 과정에서는, 그러한 방사선 조사를 행하지 않아도 된다(이 경우, 다이싱 다이 본드 필름 X의 사용 과정에서 점착제층(22)을 방사선 경화시키는 것이 가능함). 점착제층(22)이 자외선 경화형 점착제층인 경우, 점착제층(22)을 경화시키기 위한 자외선 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이며, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 점착제층(22)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행해지는 영역(조사 영역 R)은, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 점착제층(22)에서의 다이 본드 필름 접합 영역 내의 그 주연부를 제외한 영역이다.In production of the dicing die-bonding film X, the die-bonding film 10 is bonded to the pressure-sensitive adhesive layer 22 side of the dicing tape 20 by pressure bonding, for example. The bonding temperature is, for example, 30 to 50°C, preferably 35 to 45°C. The joining pressure (linear pressure) is, for example, 0.1 to 20 kgf/cm, preferably 1 to 10 kgf/cm. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 contains the above-described radiation-curable pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive layer 22 may be irradiated with radiation such as ultraviolet rays before the bonding, or after the bonding, the pressure-sensitive adhesive layer ( 22) may be irradiated with radiation such as ultraviolet rays. Alternatively, in the process of manufacturing the dicing die-bonding film X, it is not necessary to perform such radiation irradiation (in this case, it is possible to cure the pressure-sensitive adhesive layer 22 with radiation in the process of using the dicing die-bonding film X). When the pressure-sensitive adhesive layer 22 is an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer, the amount of ultraviolet radiation for curing the pressure-sensitive adhesive layer 22 is, for example, 50 to 500 mJ/cm 2 , and preferably 100 to 300 mJ/cm 2 . In the dicing die-bonding film X, the area where irradiation is performed as a measure for reducing the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 22 (irradiation area R) is, for example, as shown in FIG. It is an area excluding the periphery within the film bonding area.

이상과 같이 하여, 다이싱 다이 본드 필름 X를 제작할 수 있다. 다이싱 다이 본드 필름 X에는, 다이 본드 필름(10)측에, 적어도 다이 본드 필름(10)을 피복하는 형태로 세퍼레이터(도시생략)가 설치되어 있어도 된다. 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)보다도 다이 본드 필름(10)이 작은 사이즈이고 점착제층(22)에 있어서 다이 본드 필름(10)이 접합되어 있지 않은 영역이 있는 경우에는 예를 들어, 세퍼레이터는, 다이 본드 필름(10) 및 점착제층(22)을 적어도 피복하는 형태로 설치되어 있어도 된다. 세퍼레이터는, 다이 본드 필름(10)이나 점착제층(22)이 노출되지 않도록 보호하기 위한 요소이며, 다이싱 다이 본드 필름 X를 사용할 때에는 당해 필름으로부터 박리된다.As described above, the dicing die-bonding film X can be produced. In the dicing die-bonding film X, a separator (not shown) may be provided on the die-bonding film 10 side so as to cover at least the die-bonding film 10 . When the size of the die-bonding film 10 is smaller than that of the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 and there is an area in the pressure-sensitive adhesive layer 22 where the die-bonding film 10 is not bonded, for example, The separator may be provided in a form that covers at least the die-bonding film 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 . The separator is an element for protecting the die-bonding film 10 and the pressure-sensitive adhesive layer 22 from being exposed, and is separated from the film when the dicing die-bonding film X is used.

도 2 내지 도 8은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 반도체 장치 제조 방법을 나타낸다.2 to 8 show a semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention.

본 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 우선, 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W에 분할 홈(30a)이 형성된다(분할 홈 형성 공정). 반도체 웨이퍼 W는, 제1면 Wa 및 제2면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼 W에서의 제1면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시생략)이 제1면 Wa 위에 이미 형성되어 있다. 본 공정에서는, 점착면 T1a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T1이 반도체 웨이퍼 W의 제2면 Wb측에 접합된 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T1에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 소정 깊이의 분할 홈(30a)이 다이싱 장치 등의 회전 블레이드를 사용하여 형성된다. 분할 홈(30a)은, 반도체 웨이퍼 W를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 공극이다(도 2 내지 도 4에서는, 분할 홈(30a)을 모식적으로 굵은 선으로 나타냄).In this semiconductor device manufacturing method, first, as shown in Figs. 2(a) and 2(b), divided grooves 30a are formed in the semiconductor wafer W (divided groove forming step). The semiconductor wafer W has a first surface Wa and a second surface Wb. Various semiconductor elements (not shown) have already been formed on the side of the first surface Wa of the semiconductor wafer W, and wiring structures and the like (not shown) required for the semiconductor elements have already been formed on the first surface Wa. In this process, after the tape T1 for a wafer process which has adhesive surface T1a is bonded to the 2nd surface Wb side of the semiconductor wafer W, the 1st surface of the semiconductor wafer W is in the state where the semiconductor wafer W was held by the tape T1 for a wafer process. Divided grooves 30a of a predetermined depth are formed on the Wa side using a rotary blade of a dicing device or the like. The division groove 30a is a space for separating the semiconductor wafer W into semiconductor chip units (in Figs. 2 to 4, the division groove 30a is schematically shown with a thick line).

다음으로, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 점착면 T2a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T2의, 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 대한 접합과, 반도체 웨이퍼 W로부터의 웨이퍼 가공용 테이프 T1의 박리가 행해진다.Next, as shown in (c) of FIG. 2, bonding of the tape T2 for a wafer process having an adhesive surface T2a to the first surface Wa side of the semiconductor wafer W and the tape T1 for a wafer process from the semiconductor wafer W Peeling is done.

다음으로, 도 2의 (d)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화된다(웨이퍼 박화 공정). 연삭 가공은, 연삭숫돌을 구비하는 연삭 가공 장치를 사용하여 행할 수 있다. 이 웨이퍼 박화 공정에 의해, 본 실시 형태에서는, 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30A)가 형성된다. 반도체 웨이퍼(30A)는, 구체적으로는, 당해 웨이퍼에 있어서 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화되게 될 부위를 제2면 Wb측에서 연결하는 부위(연결부)를 갖는다. 반도체 웨이퍼(30A)에서의 연결부의 두께, 즉 반도체 웨이퍼(30A)의 제2면 Wb와 분할 홈(30a)의 제2면 Wb측 선단과의 사이의 거리는, 예를 들어 1 내지 30㎛이며, 바람직하게는 3 내지 20㎛이다.Next, as shown in (d) of FIG. 2, in the state where the semiconductor wafer W is held by the tape T2 for wafer processing, the semiconductor wafer W reaches a predetermined thickness by grinding from the second surface Wb. It is thinned (wafer thinning process). The grinding process can be performed using a grinding machine equipped with a grinding wheel. Through this wafer thinning process, in the present embodiment, a semiconductor wafer 30A that can be divided into a plurality of semiconductor chips 31 is formed. Specifically, the semiconductor wafer 30A has a portion (connecting portion) that connects portions of the wafer to be divided into a plurality of semiconductor chips 31 on the second surface Wb side. The thickness of the connecting portion in the semiconductor wafer 30A, that is, the distance between the second surface Wb of the semiconductor wafer 30A and the tip on the second surface Wb side of the divided groove 30a is, for example, 1 to 30 μm, Preferably it is 3-20 micrometers.

다음으로, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 보유 지지된 반도체 웨이퍼(30A)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(10)에 대하여 접합된다. 이 후, 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)로부터 웨이퍼 가공용 테이프 T2가 박리된다. 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 점착제층(22)이 방사선 경화성 점착제층인 경우에는, 다이싱 다이 본드 필름 X의 제조 과정에서의 전술한 방사선 조사 대신에, 반도체 웨이퍼(30A)의 다이 본드 필름(10)에 대한 접합의 후에, 기재(21)의 측으로부터 점착제층(22)에 대하여 자외선 등의 방사선을 조사해도 된다. 조사량은, 예를 들어 50 내지 500mJ/㎠이며, 바람직하게는 100 내지 300mJ/㎠이다. 다이싱 다이 본드 필름 X에 있어서 점착제층(22)의 점착력 저감 조치로서의 조사가 행해지는 영역(도 1에 도시한 조사 영역 R)은, 예를 들어 점착제층(22)에서의 다이 본드 필름(10) 접합 영역 내의 그 주연부를 제외한 영역이다.Next, as shown in (a) of FIG. 3, the semiconductor wafer 30A held by the tape T2 for a wafer process is bonded with respect to the die-bonding film 10 of the dicing die-bonding film X. After that, as shown in FIG.3(b), tape T2 for a wafer process is peeled from 30 A of semiconductor wafers. When the pressure-sensitive adhesive layer 22 in the dicing die-bonding film X is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer, the die-bonding film of the semiconductor wafer 30A ( After bonding to 10), you may irradiate radiation, such as an ultraviolet-ray, with respect to the adhesive layer 22 from the base material 21 side. The irradiation amount is, for example, 50 to 500 mJ/cm 2 , preferably 100 to 300 mJ/cm 2 . In the dicing die-bonding film X, the area where irradiation is performed as a measure for reducing the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 22 (irradiation area R shown in FIG. 1 ) is, for example, the die-bonding film 10 in the pressure-sensitive adhesive layer 22 ) is an area excluding the periphery within the joint area.

다음으로, 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 다이 본드 필름(10) 위에 링 프레임(41)이 점착된 후, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(30A)를 수반하는 당해 다이싱 다이 본드 필름 X가 익스팬드 장치의 보유 지지구(42)에 고정된다.Next, after the ring frame 41 is stuck on the die-bonding film 10 in the dicing die-bonding film X, as shown in Fig. 4(a), the die carrying the semiconductor wafer 30A. The single die bond film X is fixed to the holding tool 42 of the expander.

다음으로, 상대적으로 저온의 조건하에서 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)이, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이 행해져, 반도체 웨이퍼(30A)가 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화됨과 함께, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(10)이 소편의 다이 본드 필름(11)으로 할단되어 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)이 얻어진다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(20)에 맞닿아 상승되어, 반도체 웨이퍼(30A)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)가, 반도체 웨이퍼(30A)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(20)에 있어서 예를 들어 15 내지 32MPa의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행해진다. 쿨 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)가 상승하는 속도)는, 예를 들어 0.1 내지 100㎜/초이다. 또한, 쿨 익스팬드 공정에서의 익스팬드 양은 예를 들어 3 내지 16㎜이다.Next, a first expand process (cool expand process) is performed under relatively low temperature conditions as shown in FIG. While being formed, the die-bonding film 10 of the dicing die-bonding film X is cut into small die-bonding films 11 to obtain a semiconductor chip 31 with a die-bonding film. In this step, the hollow columnar pushing member 43 of the expander is lifted against the dicing tape 20 on the lower side of the dicing die-bonding film X in the drawing, and the semiconductor wafer 30A is lifted. ) is bonded, the dicing tape 20 of the dicing die bonding film X is expanded so as to be stretched in a two-dimensional direction including the radial direction and the circumferential direction of the semiconductor wafer 30A. This expansion is performed under conditions in which a tensile stress of, for example, 15 to 32 MPa is generated in the dicing tape 20 . The temperature conditions in the cool expand step are, for example, 0°C or lower, preferably -20 to -5°C, more preferably -15 to -5°C, and still more preferably -15°C. The expand speed (the speed at which the lifting member 43 rises) in the cool expand step is, for example, 0.1 to 100 mm/sec. In addition, the expand amount in the cool expand process is 3 to 16 mm, for example.

본 공정에서는, 반도체 웨이퍼(30A)에 있어서 두께가 얇아서 갈라지기 쉬운 부위에 할단이 발생하여 반도체 칩(31)에 대한 개편화가 발생한다. 이와 함께, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 밀착하고 있는 다이 본드 필름(10)에 있어서 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈에 대향하는 개소에는, 그와 같은 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(20)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 다이 본드 필름(10)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈에 대향하는 개소가 할단되게 된다. 본 공정의 후, 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이, 밀어올리기 부재(43)가 하강되어, 다이싱 테이프(20)에서의 익스팬드 상태가 해제된다.In this step, cutting occurs in a portion where the thickness of the semiconductor wafer 30A is thin and easily cracked, and the semiconductor chip 31 is separated into pieces. At the same time, in this step, deformation is suppressed in each region where each semiconductor chip 31 is in close contact in the die-bonding film 10 in close contact with the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 to be expanded. On the other hand, tensile stress generated in the dicing tape 20 acts on the portion facing the divided groove between the semiconductor chips 31 in a state where such a deformation suppressing effect does not occur. As a result, in the die-bonding film 10, the portion facing the divided groove between the semiconductor chips 31 is cut. After this step, as shown in Fig. 4(c), the pushing member 43 is lowered and the expanded state of the dicing tape 20 is released.

다음으로, 상대적으로 고온의 조건하에서 제2 익스팬드 공정이, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이 행해져, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31) 사이의 거리(이격 거리)가 넓혀진다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)가 다시 상승되어, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)가 익스팬드된다. 제2 익스팬드 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 10℃ 이상이고, 바람직하게는 15 내지 30℃이다. 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)가 상승하는 속도)는, 예를 들어 0.1 내지 10㎜/초이다. 또한, 제2 익스팬드 공정에서의 익스팬드 양은 예를 들어 3 내지 16㎜이다. 후술하는 픽업 공정에서 다이싱 테이프(20)로부터 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)을 적절하게 픽업 가능한 정도로, 본 공정에서는 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)의 이격 거리를 넓힐 수 있다. 본 공정 후, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 밀어올리기 부재(43)가 하강되어, 다이싱 테이프(20)에서의 익스팬드 상태가 해제된다. 익스팬드 상태 해제 후에 다이싱 테이프(20) 위의 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)의 이격 거리가 좁아지는 것을 억제하기 위해서는, 익스팬드 상태를 해제하기에 앞서, 다이싱 테이프(20)에서의 반도체 칩(31) 보유 지지 영역보다 외측의 부분을 가열하여 수축시키는 것이 바람직하다.Next, the second expand step is performed under relatively high temperature conditions as shown in Fig. 5(a), so that the distance (separation distance) between the semiconductor chips 31 with die-bonding films is increased. In this step, the hollow columnar pushing member 43 of the expander is raised again, and the dicing tape 20 of the dicing die-bonding film X is expanded. The temperature conditions in the second expand process are, for example, 10°C or higher, and preferably 15 to 30°C. The expand speed (the speed at which the lifting member 43 rises) in the second expand step is, for example, 0.1 to 10 mm/sec. In addition, the expand amount in the second expand step is, for example, 3 to 16 mm. In this step, the separation distance of the semiconductor chip 31 with the die-bonding film can be increased to the extent that the semiconductor chip 31 with the die-bonding film can be appropriately picked up from the dicing tape 20 in the pick-up step described later. After this step, as shown in Fig. 5(b), the pushing member 43 is lowered, and the expanded state of the dicing tape 20 is released. In order to suppress the narrowing of the separation distance of the semiconductor chip 31 with the die-bonding film on the dicing tape 20 after releasing the expanded state, prior to releasing the expanded state, in the dicing tape 20 It is preferable to heat and shrink a portion outside the semiconductor chip 31 holding area.

다음으로, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)을 수반하는 다이싱 테이프(20)에서의 반도체 칩(31)측을 물 등의 세정액을 사용하여 세정하는 클리닝 공정을 필요에 따라 거친 후, 도 6에 도시한 바와 같이, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)을 다이싱 테이프(20)로부터 픽업한다(픽업 공정). 예를 들어, 픽업 대상의 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)에 대하여, 다이싱 테이프(20)의 도면 중 하측에서 픽업 기구의 핀 부재(44)를 상승시켜 다이싱 테이프(20)를 통해 밀어올린 후, 흡착 지그(45)에 의해 흡착 유지한다. 픽업 공정에 있어서, 핀 부재(44)의 밀어올리기 속도는 예를 들어 1 내지 100㎜/초이며, 핀 부재(44)의 밀어올리기 양은 예를 들어 50 내지 3000㎛이다.6 As shown, the semiconductor chip 31 with a die-bonding film is picked up from the dicing tape 20 (pickup process). For example, with respect to the semiconductor chip 31 with the die-bonding film to be picked up, the pin member 44 of the pick-up mechanism is raised from the lower side in the drawing of the dicing tape 20 and pushed through the dicing tape 20. After raising, it is adsorbed and held by the adsorption jig 45. In the pick-up process, the pushing speed of the pin member 44 is, for example, 1 to 100 mm/sec, and the pushing amount of the pin member 44 is, for example, 50 to 3000 μm.

다음으로, 도 7의 (a) 및 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)의 실장 기판(51) 위에 대한 임시 고착이 행해진다. 이 임시 고착은, 실장 기판(51) 위의 반도체 칩(31') 등이, 반도체 칩(31)에 수반하는 다이 본드 필름(11)에 매립되도록 행해진다. 실장 기판(51)으로서는, 예를 들어 리드 프레임, TAB(Tape Automated Bonding) 필름, 및 배선 기판을 들 수 있다. 반도체 칩(31')은, 접착제층(52)을 통해 실장 기판(51)에 고정되어 있다. 반도체 칩(31')의 전극 패드(도시생략)와 실장 기판(51)이 갖는 단자부(도시생략)가, 본딩 와이어(53)를 통해 전기적으로 접속되어 있다. 본딩 와이어(53)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선, 또는 구리선을 사용할 수 있다. 본 공정에서는, 이와 같이 와이어 본딩 실장된 반도체 칩(31')과, 거기에 접속된 본딩 와이어(53)의 전체가, 반도체 칩(31)에 수반하는 다이 본드 필름(11) 내에 매립된다. 또한, 본 공정에서는, 반도체 칩(31') 및 본딩 와이어(53)가 다이 본드 필름(11) 내에 밀어넣기 쉬운 상태로 하기 위해서, 다이 본드 필름(11)을 가열하여 연화시켜도 된다. 가열 온도는, 다이 본드 필름(11)이 완전한 열경화 상태에 이르지 않는 온도이며, 예를 들어 80 내지 140℃이다.Next, as shown in FIG. 7(a) and FIG. 7(b), temporary fixing of the semiconductor chip 31 with a die-bonding film onto the mounting substrate 51 is performed. This temporary fixing is performed so that the semiconductor chip 31' on the mounting substrate 51 and the like are embedded in the die-bonding film 11 accompanying the semiconductor chip 31. As the mounting board 51, a lead frame, a TAB (Tape Automated Bonding) film, and a wiring board are mentioned, for example. The semiconductor chip 31' is fixed to the mounting substrate 51 via an adhesive layer 52. An electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 31' and a terminal portion (not shown) included in the mounting substrate 51 are electrically connected via a bonding wire 53. As the bonding wire 53, a gold wire, an aluminum wire, or a copper wire can be used, for example. In this step, the entirety of the semiconductor chip 31 ′ mounted by wire bonding in this way and the bonding wires 53 connected thereto are embedded in the die-bonding film 11 accompanying the semiconductor chip 31 . In this step, the die-bonding film 11 may be softened by heating in order to make the semiconductor chip 31' and the bonding wire 53 easily pressable into the die-bonding film 11. The heating temperature is a temperature at which the die-bonding film 11 does not reach a complete thermal curing state, and is, for example, 80 to 140°C.

다음으로, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이, 가열에 의해 다이 본드 필름(11)이 경화된다(열경화 공정). 본 공정에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 100 내지 200℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 10시간이다. 본 공정을 거침으로써, 다이 본드 필름(11)이 열경화하여 이루어지는 접착제층이 형성된다. 이 접착제층은, 실장 기판(51)에 와이어 본딩 실장된 반도체 칩(31')(제1 반도체 칩)을, 거기에 접속된 본딩 와이어(53)의 전체와 함께 포매하면서, 실장 기판(51)에 반도체 칩(31)을 접합하는 것이다.Next, as shown in Fig. 7(c), the die-bonding film 11 is cured by heating (thermal curing step). In this step, the heating temperature is, for example, 100 to 200°C, and the heating time is, for example, 0.5 to 10 hours. By passing through this step, the adhesive layer obtained by thermally curing the die-bonding film 11 is formed. This adhesive layer embeds the semiconductor chip 31' (first semiconductor chip) mounted on the mounting substrate 51 by wire bonding together with the entirety of the bonding wires 53 connected thereto, while the mounting substrate 51 It is to bond the semiconductor chip 31 to.

다음으로, 도 8의 (a)에 도시한 바와 같이, 반도체 칩(31)의 전극 패드(도시생략)와, 실장 기판(51)이 갖는 단자부(도시생략)가, 본딩 와이어(53)를 통해 전기적으로 접속된다(와이어 본딩 공정). 반도체 칩(31)의 전극 패드와 본딩 와이어(53)의 결선, 및 실장 기판(51)의 단자부와 본딩 와이어(53)의 결선은, 가열을 수반하는 초음파 용접에 의해 실현된다. 와이어 본딩에서의 와이어 가열 온도는 예를 들어 80 내지 250℃이고, 그 가열 시간은 예를 들어 수초 내지 수분 간이다. 이러한 와이어 본딩 공정은, 전술한 열경화 공정보다도 앞에 행해도 된다.Next, as shown in (a) of FIG. 8 , an electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 31 and a terminal portion (not shown) included in the mounting substrate 51 are connected via a bonding wire 53 . They are electrically connected (wire bonding process). The connection between the electrode pad of the semiconductor chip 31 and the bonding wire 53 and the connection between the terminal portion of the mounting substrate 51 and the bonding wire 53 are realized by ultrasonic welding involving heating. The wire heating temperature in wire bonding is, for example, 80 to 250° C., and the heating time is, for example, several seconds to several minutes. You may perform such a wire bonding process before the thermosetting process mentioned above.

다음으로, 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이, 실장 기판(51) 위의 반도체 칩(31) 등을 밀봉하기 위한 밀봉 수지(54)가 형성된다(밀봉 공정). 본 공정에서는, 예를 들어 금형을 사용하여 행하는 트랜스퍼 몰드 기술에 의해 밀봉 수지(54)가 형성된다. 밀봉 수지(54)의 구성 재료로서는, 예를 들어 에폭시계 수지를 들 수 있다. 본 공정에 있어서, 밀봉 수지(54)를 형성하기 위한 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 60초 내지 수분 간이다. 본 공정에서 밀봉 수지(54)의 경화가 충분하게는 진행되지 않은 경우에는, 본 공정 후에 밀봉 수지(54)를 추가의 가열 처리에 의해 완전히 경화시키기 위한 후경화 공정이 행해진다. 후경화 공정에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 8시간이다. 도 7의 (c)를 참조하여 전술한 공정에 있어서 다이 본드 필름(11)이 완전하게는 열경화되지 않은 경우라도, 밀봉 공정이나 후경화 공정에서는, 밀봉 수지(54)와 함께 다이 본드 필름(11)에 대하여 완전한 열경화를 실현하는 것이 가능하다.Next, as shown in Fig. 8(b), a sealing resin 54 for sealing the semiconductor chip 31 or the like on the mounting substrate 51 is formed (sealing step). In this step, the sealing resin 54 is formed by, for example, a transfer molding technique using a mold. As a constituent material of the sealing resin 54, an epoxy-type resin is mentioned, for example. In this step, the heating temperature for forming the sealing resin 54 is, for example, 165 to 185°C, and the heating time is, for example, 60 seconds to several minutes. In the case where the curing of the sealing resin 54 does not sufficiently proceed in this step, a post-curing step for completely curing the sealing resin 54 by additional heat treatment is performed after this step. In the post-curing step, the heating temperature is, for example, 165 to 185°C, and the heating time is, for example, 0.5 to 8 hours. Even if the die-bonding film 11 is not completely thermally cured in the process described above with reference to FIG. 7(c), in the sealing process or post-curing process, the die-bonding film ( 11), it is possible to realize complete heat curing.

이상과 같이 하여, 복수의 반도체 칩이 다단 실장된 반도체 장치를 제조할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 반도체 칩(31')과, 거기에 접속된 본딩 와이어(52)의 전체가, 다이 본드 필름(11)이 경화하여 이루어지는 접착제층 내에 매립되어 있다. 이에 반하여, 반도체 칩(31')과, 거기에 접속된 본딩 와이어(52)에서의 반도체 칩(31')측의 일부가, 다이 본드 필름(11)이 경화하여 이루어지는 접착제층 내에 매립되어도 된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 와이어 본딩 실장된 반도체 칩(31') 대신에, 예를 들어 도 9에 도시한 바와 같이, 플립 칩 실장된 반도체 칩(31')을 채용해도 된다. 도 9에 도시한 반도체 칩(31')은, 실장 기판(51)에 대하여 범프(55)를 통해 전기적으로 접속되어 있으며, 당해 반도체 칩(31')과 실장 기판(51)의 사이에는, 언더필제(56)가 충전되어 열경화되어 있다. 도 9에 도시한 반도체 장치에 있어서는, 다이 본드 필름(11)이 열경화하여 이루어지는 접착제층은, 실장 기판(51)에 플립 칩 실장된 반도체 칩(31')(제1 반도체 칩)을 포매하면서 실장 기판(51)에 반도체 칩(31)(제2 반도체 칩)을 접합하는 것이다.As described above, a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are mounted in multiple stages can be manufactured. In this embodiment, the entirety of the semiconductor chip 31' and the bonding wires 52 connected thereto are embedded in the adhesive layer obtained by curing the die-bonding film 11. In contrast, the semiconductor chip 31' and a part of the semiconductor chip 31' side of the bonding wire 52 connected thereto may be embedded in an adhesive layer obtained by curing the die-bonding film 11. In this embodiment, instead of the semiconductor chip 31' mounted by wire bonding, for example, as shown in Fig. 9, a semiconductor chip 31' mounted with a flip chip may be employed. The semiconductor chip 31' shown in FIG. 9 is electrically connected to the mounting substrate 51 via bumps 55, and an underfill is provided between the semiconductor chip 31' and the mounting substrate 51. The first 56 is filled and thermally cured. In the semiconductor device shown in FIG. 9 , the adhesive layer obtained by thermally curing the die-bonding film 11 embeds the flip-chip mounted semiconductor chip 31' (first semiconductor chip) in the mounting substrate 51 while The semiconductor chip 31 (second semiconductor chip) is bonded to the mounting substrate 51 .

도 10 및 도 11은, 본 발명에 따른 반도체 장치 제조 방법의 다른 실시 형태에서의 일부의 공정을 나타낸다. 본 실시 형태에서는, 우선, 도 10의 (a) 및 도 10의 (b)에 도시한 바와 같이, 실장 기판(51)에 와이어 본딩 실장된 반도체 칩(31') 위에 대한 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)의 임시 고착이 행해진다. 반도체 칩(31')은, 접착제층(52)을 통해 실장 기판(51)에 고정되어 있다. 반도체 칩(31')의 전극 패드(도시생략)와 실장 기판(51)이 갖는 단자부(도시생략)가, 본딩 와이어(53)을 통해 전기적으로 접속되어 있다. 본 공정에서는, 이와 같이 와이어 본딩 실장된 반도체 칩(31')의 본딩 와이어(53) 접속 개소를 다이 본드 필름(11)이 덮어, 당해 다이 본드 필름(11) 내에 본딩 와이어(53)의 일부가 매립된다. 또한, 본 공정에서는, 본딩 와이어(53)가 다이 본드 필름(11) 내에 밀어넣기 쉬운 상태로 하기 위해서, 다이 본드 필름(11)을 가열하여 연화시켜도 된다. 가열 온도는, 다이 본드 필름(11)이 완전한 열경화 상태에 이르지 않는 온도이며, 예를 들어 80 내지 140℃이다.10 and 11 show some steps in another embodiment of the semiconductor device manufacturing method according to the present invention. In the present embodiment, first, as shown in Figs. 10(a) and 10(b), a semiconductor chip with a die-bonding film is placed on a semiconductor chip 31' mounted on a mounting substrate 51 by wire bonding. The temporary fixing of (31) is performed. The semiconductor chip 31' is fixed to the mounting substrate 51 via an adhesive layer 52. An electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 31' and a terminal portion (not shown) included in the mounting substrate 51 are electrically connected via a bonding wire 53. In this step, the die-bonding film 11 covers the connection location of the bonding wire 53 of the wire-bonding mounted semiconductor chip 31' in this way, so that a part of the bonding wire 53 is inside the die-bonding film 11. landfill In this step, the die-bonding film 11 may be softened by heating in order to make it easy for the bonding wire 53 to be pushed into the die-bonding film 11 . The heating temperature is a temperature at which the die-bonding film 11 does not reach a complete thermal curing state, and is, for example, 80 to 140°C.

다음으로, 도 10의 (c)에 도시한 바와 같이, 가열에 의해 다이 본드 필름(11)이 경화된다(열경화 공정). 본 공정에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 100 내지 200℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 10시간이다. 본 공정을 거침으로써, 다이 본드 필름(11)이 열경화하여 이루어지는 접착제층이 형성된다. 이 접착제층은, 실장 기판(51)에 와이어 본딩 실장된 반도체 칩(31')의 본딩 와이어(53) 접속 개소를 덮어 본딩 와이어(53)의 일부를 포매하면서 반도체 칩(31')(제1 반도체 칩)에 반도체 칩(31)(제2 반도체 칩)을 접합하는 것이다.Next, as shown in Fig. 10(c), the die-bonding film 11 is cured by heating (thermal curing step). In this step, the heating temperature is, for example, 100 to 200°C, and the heating time is, for example, 0.5 to 10 hours. By passing through this step, the adhesive layer obtained by thermally curing the die-bonding film 11 is formed. This adhesive layer covers the connection portion of the bonding wire 53 of the semiconductor chip 31' mounted on the mounting substrate 51 by wire bonding, and embeds a part of the bonding wire 53, while the semiconductor chip 31' (first The semiconductor chip 31 (second semiconductor chip) is bonded to the semiconductor chip.

다음으로, 도 11의 (a)에 도시한 바와 같이, 반도체 칩(31)의 전극 패드(도시생략)와, 실장 기판(51)이 갖는 단자부(도시생략)가, 본딩 와이어(53)를 통해 전기적으로 접속된다(와이어 본딩 공정). 반도체 칩(31)의 전극 패드와 본딩 와이어(53)의 결선, 및 실장 기판(51)의 단자부와 본딩 와이어(53)의 결선은, 가열을 수반하는 초음파 용접에 의해 실현된다. 와이어 본딩에서의 와이어 가열 온도는 예를 들어 80 내지 250℃이고, 그 가열 시간은 예를 들어 수초 내지 수분 간이다. 이와 같은 와이어 본딩 공정은, 본 실시 형태에서의 전술한 열경화 공정보다도 앞에 행해도 된다.Next, as shown in (a) of FIG. 11 , an electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 31 and a terminal portion (not shown) of the mounting substrate 51 are connected via a bonding wire 53. They are electrically connected (wire bonding process). The connection between the electrode pad of the semiconductor chip 31 and the bonding wire 53 and the connection between the terminal portion of the mounting substrate 51 and the bonding wire 53 are realized by ultrasonic welding involving heating. The wire heating temperature in wire bonding is, for example, 80 to 250° C., and the heating time is, for example, several seconds to several minutes. Such a wire bonding process may be performed prior to the thermosetting process described above in the present embodiment.

다음으로, 도 11의 (b)에 도시한 바와 같이, 실장 기판(51) 위의 반도체 칩(31, 31') 및 본딩 와이어(53)를 밀봉하기 위한 밀봉 수지(54)가 형성된다(밀봉 공정). 본 공정에 있어서, 밀봉 수지(54)를 형성하기 위한 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 60초 내지 수분 간이다. 본 공정에서 밀봉 수지(54)의 경화가 충분하게는 진행되지 않은 경우에는, 본 공정 후에 밀봉 수지(54)를 추가의 가열 처리에 의해 완전히 경화시키기 위한 후경화 공정이 행해진다. 후경화 공정에 있어서, 가열 온도는 예를 들어 165 내지 185℃이고, 가열 시간은 예를 들어 0.5 내지 8시간이다. 도 10의 (c)를 참조하여 전술한 공정에 있어서 다이 본드 필름(11)이 완전하게는 열경화되지 않은 경우라도, 밀봉 공정이나 후경화 공정에서는, 밀봉 수지(54)와 함께 다이 본드 필름(11)에 대하여 완전한 열경화를 실현하는 것이 가능하다.Next, as shown in (b) of FIG. 11, a sealing resin 54 for sealing the semiconductor chips 31 and 31' and the bonding wire 53 on the mounting substrate 51 is formed (sealing). process). In this step, the heating temperature for forming the sealing resin 54 is, for example, 165 to 185°C, and the heating time is, for example, 60 seconds to several minutes. In the case where the curing of the sealing resin 54 does not sufficiently proceed in this step, a post-curing step for completely curing the sealing resin 54 by additional heat treatment is performed after this step. In the post-curing step, the heating temperature is, for example, 165 to 185°C, and the heating time is, for example, 0.5 to 8 hours. Even if the die-bonding film 11 is not completely thermally cured in the process described above with reference to FIG. 10(c), in the sealing process or post-curing process, the die-bonding film ( 11), it is possible to realize complete heat curing.

이상과 같이 하여, 복수의 반도체 칩이 다단 실장된 반도체 장치를 제조할 수 있다.As described above, a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are mounted in multiple stages can be manufactured.

본 발명에 따른 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 도 2의 (d)를 참조하여 전술한 웨이퍼 박화 공정 대신에, 도 12에 도시한 웨이퍼 박화 공정을 행해도 된다. 도 2의 (c)를 참조하여 전술한 과정을 거친 후, 도 12에 도시한 웨이퍼 박화 공정에서는, 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 당해 웨이퍼가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화되어, 복수의 반도체 칩(31)을 포함해 웨이퍼 가공용 테이프 T2에 보유 지지된 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 형성된다. 본 공정에서는, 분할 홈(30a) 그 자체가 제2면 Wb측에 노출될 때까지 웨이퍼를 연삭하는 방법(제1 방법)을 채용해도 되고, 제2면 Wb측에서 분할 홈(30a)에 이르기보다 전까지 웨이퍼를 연삭하고, 그 후, 회전 숫돌로부터 웨이퍼에 대한 압박력의 작용에 의해 분할 홈(30a)과 제2면 Wb의 사이에 크랙을 발생시켜 반도체 웨이퍼 분할체(30B)를 형성하는 방법(제2 방법)을 채용해도 된다. 채용되는 방법에 따라, 도 2의 (a) 및 도 2의 (b)를 참조하여 전술한 바와 같이 형성되는 분할 홈(30a)의, 제1면 Wa로부터의 깊이는, 적절하게 결정된다. 도 12에서는, 제1 방법을 거친 분할 홈(30a), 또는 제2 방법을 거친 분할 홈(30a) 및 이것에 이어지는 크랙에 대하여, 모식적으로 굵은 선으로 나타낸다. 이와 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 반도체 웨이퍼(30A) 대신에 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 다음에, 도 3 내지 도 6을 참조하여 전술한 각 공정이 행해져도 된다.In the semiconductor device manufacturing method according to the present invention, the wafer thinning step shown in FIG. 12 may be performed instead of the wafer thinning step described above with reference to FIG. 2(d). After passing through the process described above with reference to FIG. 2(c), in the wafer thinning process shown in FIG. 12, the semiconductor wafer W is held on the wafer processing tape T2 until the wafer reaches a predetermined thickness. It is thinned by the grinding process from 2nd surface Wb, and the semiconductor wafer division body 30B hold|maintained by the tape T2 for a wafer process including the some semiconductor chip 31 is formed. In this step, a method of grinding the wafer until the split groove 30a itself is exposed on the second surface Wb side (Method 1) may be employed, and the split groove 30a is reached from the second surface Wb side. A method of forming a semiconductor wafer division body 30B by grinding the wafer before the vision, and then generating a crack between the division groove 30a and the second surface Wb by the action of the pressing force on the wafer from the grinding wheel ( The second method) may be employed. Depending on the method employed, the depth of the divided groove 30a formed as described above with reference to Figs. 2(a) and 2(b) from the first surface Wa is appropriately determined. In FIG. 12, the split groove 30a passed through the 1st method, or the divided groove 30a passed through the 2nd method, and the crack following this are typically shown with a thick line. After the semiconductor wafer division body 30B manufactured in this way is bonded to the dicing die-bonding film X instead of the semiconductor wafer 30A, each step described above with reference to FIGS. 3 to 6 may be performed.

도 13의 (a) 및 도 13의 (b)는, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 후에 행해지는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 구체적으로 나타낸다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(20)에 맞닿아 상승되고, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)가, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(20)에 있어서, 예를 들어 1 내지 100MPa의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행해진다. 본 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 본 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)가 상승하는 속도)는, 예를 들어 1 내지 500㎜/초이다. 또한, 본 공정에서의 익스팬드 양은, 예를 들어 50 내지 200㎜이다. 이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(10)이 소편의 다이 본드 필름(11)으로 할단되어 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 밀착되어 있는 다이 본드 필름(10)에 있어서, 반도체 웨이퍼 분할체(30B)의 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30a)에 대향하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(20)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 다이 본드 필름(10)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 분할 홈(30a)에 대향하는 개소가 할단되게 된다. 이와 같이 하여 얻어지는 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)은, 도 6을 참조하여 전술한 픽업 공정을 거친 후, 반도체 장치 제조 과정에서의 실장 공정에 제공되게 된다.13(a) and 13(b) specifically show the first expand process (cool expand process) performed after the semiconductor wafer division body 30B is bonded to the dicing die bond film X. . In this step, the hollow columnar pushing member 43 of the expander is lifted against the dicing tape 20 on the lower side of the dicing die-bonding film X in the drawing, and the semiconductor wafer divided body is lifted. The dicing tape 20 of the dicing die-bonding film X to which 30B is bonded is expanded so as to be stretched in the two-dimensional direction including the radial direction and the circumferential direction of the semiconductor wafer division body 30B. This expansion is performed under the condition that tensile stress of, for example, 1 to 100 MPa is generated in the dicing tape 20 . The temperature conditions in this step are, for example, 0°C or lower, preferably -20 to -5°C, more preferably -15 to -5°C, and still more preferably -15°C. The expand speed (the speed at which the lifting member 43 rises) in this step is, for example, 1 to 500 mm/sec. In addition, the expand amount in this process is 50-200 mm, for example. By this cool expand step, the die-bonding film 10 of the dicing die-bonding film X is cut into small die-bonding films 11 to obtain a semiconductor chip 31 with a die-bonding film. Specifically, in this step, each semiconductor chip 31 of the semiconductor wafer division body 30B is in the die-bonding film 10 in close contact with the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 to be expanded. While deformation is suppressed in each region in close contact with each other, in a location opposite to the split groove 30a between the semiconductor chips 31, such a deformation suppression action does not occur, and the dicing tape 20 Tensile stress acts. As a result, in the die-bonding film 10, the portion facing the divided groove 30a between the semiconductor chips 31 is cut. The semiconductor chip 31 with a die-bonding film obtained in this way is subjected to a mounting process in a semiconductor device manufacturing process after passing through the pickup process described above with reference to FIG. 6 .

본 발명에 따른 반도체 장치 제조 방법에 있어서는, 반도체 웨이퍼(30A) 또는 반도체 웨이퍼 분할체(30B)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된다는 전술한 구성 대신에, 다음과 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합되어도 된다.In the semiconductor device manufacturing method according to the present invention, instead of the above configuration in which the semiconductor wafer 30A or the semiconductor wafer division body 30B is bonded to the dicing die bond film X, the semiconductor wafer 30C produced as follows ) may be bonded to the dicing die bond film X.

반도체 웨이퍼(30C)의 제작에 있어서는, 우선, 도 14의 (a) 및 도 14의 (b)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 W에 개질 영역(30b)이 형성된다. 반도체 웨이퍼 W는, 제1면 Wa 및 제2면 Wb를 갖는다. 반도체 웨이퍼 W에서의 제1면 Wa의 측에는 각종 반도체 소자(도시생략)가 이미 만들어 넣어지고, 또한, 당해 반도체 소자에 필요한 배선 구조 등(도시생략)이 제1면 Wa 위에 이미 형성되어 있다. 본 공정에서는, 점착면 T3a를 갖는 웨이퍼 가공용 테이프 T3이 반도체 웨이퍼 W의 제1면 Wa측에 접합된 후, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 웨이퍼 내부에 집광점이 맞춰진 레이저 광이 웨이퍼 가공용 테이프 T3과는 반대 측으로부터 반도체 웨이퍼 W에 대해서 그 분할 예정 라인을 따라 조사되고, 다광자 흡수에 의한 어블레이션에 의하여 반도체 웨이퍼 W 내에 개질 영역(30b)이 형성된다. 개질 영역(30b)은, 반도체 웨이퍼 W를 반도체 칩 단위로 분리시키기 위한 취약화 영역이다. 반도체 웨이퍼에 있어서 레이저 광 조사에 의해 분할 예정 라인 위에 개질 영역(30b)을 형성하는 방법에 대해서는, 예를 들어 일본 특허공개 제2002-192370호 공보에 상세히 설명되어 있는바, 본 실시 형태에서의 레이저 광 조사 조건은, 예를 들어 이하의 조건의 범위 내에서 적절하게 조정된다.In fabrication of the semiconductor wafer 30C, first, as shown in FIGS. 14(a) and 14(b), a modified region 30b is formed in the semiconductor wafer W. The semiconductor wafer W has a first surface Wa and a second surface Wb. Various semiconductor elements (not shown) have already been formed on the side of the first surface Wa of the semiconductor wafer W, and wiring structures and the like (not shown) necessary for the semiconductor elements have already been formed on the first surface Wa. In this step, after the wafer processing tape T3 having the adhesive surface T3a is bonded to the first surface Wa side of the semiconductor wafer W, in a state where the semiconductor wafer W is held by the wafer processing tape T3, the laser with the light focusing point aligned inside the wafer Light is irradiated to the semiconductor wafer W from the side opposite to the tape T3 for wafer processing along the line to be divided, and a modified region 30b is formed in the semiconductor wafer W by ablation by multiphoton absorption. The modified region 30b is a weakened region for isolating the semiconductor wafer W into semiconductor chip units. A method of forming the modified region 30b on the line to be divided by laser light irradiation in a semiconductor wafer is described in detail, for example, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-192370. Light irradiation conditions are suitably adjusted within the range of the following conditions, for example.

<레이저 광 조사 조건><Laser light irradiation conditions>

(A) 레이저 광(A) laser light

레이저 광원 반도체 레이저 여기 Nd: YAG 레이저Laser light source Semiconductor laser excitation Nd:YAG laser

파장 1064nmWavelength 1064nm

레이저 광 스폿 단면적 3.14×10^-8㎠Laser light spot cross-sectional area 3.14×10 ^-8 ㎠

발진 형태 Q스위치 펄스Oscillation form Q switch pulse

반복 주파수 100㎑ 이하Repetition frequency 100 kHz or less

펄스폭 1㎲ 이하Pulse width 1 μs or less

출력 1mJ 이하Output less than 1mJ

레이저 광 품질 TEM00Laser light quality TEM00

편광 특성 직선 편광Polarization Characteristic Linear Polarization

(B) 집광용 렌즈(B) condensing lens

배율 100배 이하Magnification 100x or less

NA 0.55NA 0.55

레이저 광 파장에 대한 투과율 100％ 이하Transmittance to laser light wavelength 100% or less

(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 280㎜/초 이하(C) The moving speed of the loading table on which the semiconductor substrate is loaded is 280 mm/sec or less

다음으로, 웨이퍼 가공용 테이프 T3에 반도체 웨이퍼 W가 보유 지지된 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께에 이르기까지 제2면 Wb로부터의 연삭 가공에 의해 박화되고, 이에 의해, 도 14의 (c)에 도시한 바와 같이, 복수의 반도체 칩(31)으로 개편화 가능한 반도체 웨이퍼(30C)가 형성된다(웨이퍼 박화 공정). 이상과 같이 하여 제작되는 반도체 웨이퍼(30C)가 반도체 웨이퍼(30A) 대신에 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 다음, 도 3 내지 도 6을 참조하여 전술한 각 공정이 행해져도 된다.Next, in the state where the semiconductor wafer W is held by the tape T3 for wafer processing, the semiconductor wafer W is thinned by grinding from the second surface Wb until it reaches a predetermined thickness, thereby forming FIG. 14 (c) As shown in , a semiconductor wafer 30C that can be singulated into a plurality of semiconductor chips 31 is formed (wafer thinning process). After the semiconductor wafer 30C manufactured as described above is bonded to the dicing die bond film X instead of the semiconductor wafer 30A, each step described above with reference to Figs. 3 to 6 may be performed.

도 15의 (a) 및 도 15의 (b)는, 반도체 웨이퍼(30C)가 다이싱 다이 본드 필름 X에 접합된 후에 행해지는 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정)을 구체적으로 나타낸다. 본 공정에서는, 익스팬드 장치가 구비하는 중공 원기둥 형상의 밀어올리기 부재(43)가, 다이싱 다이 본드 필름 X의 도면 중 하측에 있어서 다이싱 테이프(20)에 맞닿아 상승되고, 반도체 웨이퍼(30C)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이싱 테이프(20)가, 반도체 웨이퍼(30C)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 이차원 방향으로 잡아늘여지도록 익스팬드된다. 이 익스팬드는, 다이싱 테이프(20)에 있어서, 예를 들어 1 내지 100MPa의 인장 응력이 발생하는 조건에서 행해진다. 본 공정에서의 온도 조건은, 예를 들어 0℃ 이하이고, 바람직하게는 -20 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15 내지 -5℃, 보다 바람직하게는 -15℃이다. 본 공정에서의 익스팬드 속도(밀어올리기 부재(43)가 상승하는 속도)는, 예를 들어 1 내지 500㎜/초이다. 또한, 본 공정에서의 익스팬드 양은, 예를 들어 50 내지 200㎜이다. 이러한 쿨 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 X의 다이 본드 필름(10)이 소편의 다이 본드 필름(11)으로 할단되어 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)이 얻어진다. 구체적으로, 본 공정에서는, 반도체 웨이퍼(30C)에 있어서 취약한 개질 영역(30b)에 크랙이 형성되어 반도체 칩(31)에 대한 개편화가 발생한다. 이와 함께, 본 공정에서는, 익스팬드되는 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 밀착하고 있는 다이 본드 필름(10)에 있어서, 반도체 웨이퍼(30C)의 각 반도체 칩(31)이 밀착하고 있는 각 영역에서는 변형이 억제되는 한편, 웨이퍼의 크랙 형성 개소에 대향하는 개소에는, 그러한 변형 억제 작용이 발생하지 않는 상태에서, 다이싱 테이프(20)에 발생하는 인장 응력이 작용한다. 그 결과, 다이 본드 필름(10)에 있어서 반도체 칩(31) 사이의 크랙 형성 개소에 대향하는 개소가 할단되게 된다. 이와 같이 하여 얻어지는 다이 본드 필름 부착 반도체 칩(31)은, 도 6을 참조하여 전술한 픽업 공정을 거친 후, 반도체 장치 제조 과정에서의 실장 공정에 제공되게 된다.15(a) and 15(b) specifically show a first expand process (cool expand process) performed after the semiconductor wafer 30C is bonded to the dicing die bond film X. In this step, the hollow columnar pushing member 43 of the expander is lifted against the dicing tape 20 on the lower side of the dicing die-bonding film X in the drawing, and the semiconductor wafer 30C is lifted. ) is bonded, the dicing tape 20 of the dicing die bonding film X is expanded so as to be stretched in a two-dimensional direction including the radial direction and the circumferential direction of the semiconductor wafer 30C. This expansion is performed under the condition that tensile stress of, for example, 1 to 100 MPa is generated in the dicing tape 20 . The temperature conditions in this step are, for example, 0°C or lower, preferably -20 to -5°C, more preferably -15 to -5°C, and still more preferably -15°C. The expand speed (the speed at which the lifting member 43 rises) in this step is, for example, 1 to 500 mm/sec. In addition, the expand amount in this process is 50-200 mm, for example. By this cool expand step, the die-bonding film 10 of the dicing die-bonding film X is cut into small die-bonding films 11 to obtain a semiconductor chip 31 with a die-bonding film. Specifically, in this process, a crack is formed in the weak modified region 30b of the semiconductor wafer 30C, and the semiconductor chip 31 is singulated. At the same time, in this step, each semiconductor chip 31 of the semiconductor wafer 30C is in close contact with the die-bonding film 10 that is in close contact with the pressure-sensitive adhesive layer 22 of the dicing tape 20 to be expanded. While deformation is suppressed in each region where there is a crack, tensile stress generated in the dicing tape 20 acts on the portion opposite to the crack formation portion of the wafer in a state where such a deformation inhibiting effect does not occur. As a result, in the die-bonding film 10, the location opposite to the crack formation location between the semiconductor chips 31 is cut. The semiconductor chip 31 with a die-bonding film obtained in this way is subjected to a mounting process in a semiconductor device manufacturing process after passing through the pickup process described above with reference to FIG. 6 .

예를 들어 이상과 같은 반도체 장치 제조 과정에 있어서 사용될 수 있는 다이싱 다이 본드 필름 X에서의 다이 본드 필름(10)에 있어서, 폭 10㎜의 다이 본드 필름 시험편에 대하여 초기 척간 거리 10㎜, 23℃, 및 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행해지는 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하이고, 파단 강도가 15N 이하이며, 또한 파단 신도가 40 내지 400％라는 전술한 구성은, 당해 다이 본드 필름(10)이 비교적 두꺼운 경우라도, 익스팬드 공정에 있는 다이 본드 필름(10)에 대하여, 그 할단 예정 개소에 할단을 발생시키면서도 다이싱 테이프(20) 위로부터의 비산을 억제하는 데 적합하다는 사실을 본 발명자들은 알아내었다. 예를 들어, 후술하는 실시예 및 비교예로써 나타내는 바와 같다.For example, in the die-bonding film 10 in the dicing die-bonding film X that can be used in the semiconductor device manufacturing process as described above, the initial distance between chucks is 10 mm and 23 ° C. for a die-bonding film test piece having a width of 10 mm. , and the above-described configuration in which the yield point strength in a tensile test conducted under the conditions of a tensile speed of 300 mm / min is 15 N or less, the breaking strength is 15 N or less, and the elongation at break is 40 to 400%, the die-bonding film ( 10) is suitable for suppressing scattering from the top of the dicing tape 20 while generating cutting at the portion where the cutting is scheduled for the die-bonding film 10 in the expand process, even when it is relatively thick. Inventors found out. For example, it is as showing by the Example and comparative example mentioned later.

다이 본드 필름(10)에서의, 상기 인장 시험에서의 파단 신도가 40 내지 400％이며, 바람직하게는 40 내지 350％, 보다 바람직하게는 40 내지 300％라는 전술한 구성은, 할단용 익스팬드 공정에서, 다이 본드 필름(10)을 할단시키기 위한 인장 길이가 과대해지는 것을 방지하면서 당해 다이 본드 필름(10)에 취성 파괴가 아니라 연성 파괴를 쉽게 발생시키는 데 있어서 바람직한 것이라고 생각된다. 연성파괴가 발생하기 쉬운 다이 본드 필름일수록, 할단용 익스팬드 공정에서 할단용 응력이 당해 필름의 할단 예정 개소에까지 전달되기 쉽고, 따라서, 할단 예정 개소에서 할단되기 쉽다.The above-described structure in which the elongation at break in the tensile test of the die-bonding film 10 is 40 to 400%, preferably 40 to 350%, and more preferably 40 to 300% is the expanding step for cutting. , it is considered preferable to easily cause ductile fracture rather than brittle fracture in the die-bonding film 10 while preventing the tensile length for cutting the die-bonding film 10 from becoming excessive. The more likely the die-bonding film is to cause ductile fracture, the more easily the stress for cutting in the expand process for cutting is transmitted to the portion where the film is to be cut, and therefore, the more likely it is to be cut at the portion where the film is to be cut.

다이 본드 필름(10)에서의, 상기 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하이고, 바람직하게는 12N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하이고, 또한, 상기 인장 시험에서의 파단 강도가 15N 이하이며, 바람직하게는 12N 이하, 보다 바람직하게는 10N 이하라는 전술한 구성은, 할단용 익스팬드 공정에서의 다이 본드 필름(10)의 신장 과정 및 파단 과정에서 당해 필름 내부에 축적되는 변형 에너지를 억제하는 데 있어서 바람직한 것이라고 생각된다. 할단용 익스팬드 공정에서는, 신장 과정 및 파단 과정에서의 내부 축적 변형 에너지가 작은 다이 본드 필름일수록, 그 노출 영역(워크에 덮여 있지 않은 영역)에서 파단되어 필름편이 비산된다고 하는 현상은, 발생하기 어렵다.In the die-bonding film 10, the yield point strength in the tensile test is 15 N or less, preferably 12 N or less, more preferably 10 N or less, and the breaking strength in the tensile test is 15 N or less, preferably The above configuration, preferably 12N or less, more preferably 10N or less, in suppressing the strain energy accumulated inside the die bond film 10 in the process of elongation and breakage of the die bond film 10 in the expand process for cutting, It is considered desirable. In the expand process for cutting, the phenomenon that the die-bonding film has a smaller internal storage strain energy in the stretching and breaking processes is less likely to occur due to breakage in the exposed area (region not covered by the workpiece) and scattering of the film pieces. .

이상과 같이, 다이 본드 필름(10)은, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)측에 밀착된 형태에서 할단용 익스팬드 공정에 사용되는 경우에, 양호한 할단을 실현하면서 비산을 억제하는 데 적합한 것이다. 또한, 다이싱 다이 본드 필름 X는, 할단용 익스팬드 공정에 사용되는 경우에, 다이 본드 필름(10)에 있어서 양호한 할단을 실현하면서 비산을 억제하는 데 적합하다.As described above, when the die-bonding film 10 is used in the expand process for cutting in a form in close contact with the pressure-sensitive adhesive layer 22 side of the dicing tape 20, good cutting is realized while scattering is suppressed. it is suitable for Further, the dicing die-bonding film X is suitable for suppressing scattering while realizing good cutting in the die-bonding film 10 when used in the expand step for cutting.

다이 본드 필름(10)의 두께는, 전술한 바와 같이, 바람직하게는 40㎛ 이상, 보다 바람직하게는 60㎛ 이상, 보다 바람직하게는 80㎛ 이상이다. 이와 같은 구성은, 반도체 칩 포매용 접착 필름이나, 본딩 와이어의 부분적 포매를 수반하는 반도체 칩간 접합용 접착 필름으로서, 다이 본드 필름(10)을 사용하는 데 있어서 적합하다. 또한, 다이 본드 필름(10)의 두께는, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 160㎛ 이하, 보다 바람직하게는 120㎛ 이하이다. 이와 같은 구성은, 다이 본드 필름(10)에 대한 항복점 강도나 파단 강도, 파단 신도가 과대해지는 것을 방지하여, 상기 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하이고, 파단 강도가 15N 이하이며, 또한 파단 신도가 40 내지 400％라는 상기 구성을 실현하는 데 있어서 바람직하다.As described above, the thickness of the die-bonding film 10 is preferably 40 μm or more, more preferably 60 μm or more, and still more preferably 80 μm or more. Such a structure is suitable for using the die-bonding film 10 as an adhesive film for embedding semiconductor chips or an adhesive film for bonding between semiconductor chips involving partial embedding of bonding wires. Further, the thickness of the die-bonding film 10 is preferably 200 μm or less, more preferably 160 μm or less, and still more preferably 120 μm or less. Such a configuration prevents the yield point strength, breaking strength, and elongation at break of the die-bonding film 10 from being excessive, and the yield point strength in the tensile test is 15 N or less, the breaking strength is 15 N or less, and the elongation at break is It is preferable in realizing the above structure that is 40 to 400%.

다이 본드 필름(10)의 미경화 상태에서의 120℃에서의 점도는, 전술한 바와 같이, 바람직하게는 300Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 700Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 1000Pa·s 이상이다. 다이 본드 필름(10)의 미경화 상태에서의 120℃에서의 점도는, 바람직하게는 5000Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4500Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 4000Pa·s 이하이다. 다이 본드 필름(10)의 미경화 상태에서의 점도 내지 연질 정도에 관한 이들 구성은, 반도체 칩 포매용 접착 필름이나, 본딩 와이어의 부분적 포매를 수반하는 반도체 칩간 접합용 접착 필름으로서, 다이 본드 필름(10)을 사용하는 데 있어서 적합하다.As described above, the viscosity of the die-bonding film 10 at 120°C in an uncured state is preferably 300 Pa·s or more, more preferably 700 Pa·s or more, and even more preferably 1000 Pa·s or more. . The viscosity of the die-bonding film 10 at 120°C in an uncured state is preferably 5000 Pa·s or less, more preferably 4500 Pa·s or less, still more preferably 4000 Pa·s or less. These constitutions regarding the degree of viscosity and softness of the die-bonding film 10 in an uncured state are used as an adhesive film for embedding semiconductor chips or an adhesive film for bonding between semiconductor chips involving partial embedding of bonding wires, the die-bonding film ( 10) is suitable for use.

다이 본드 필름(10)이 무기 필러를 함유하는 경우의 그 무기 필러 함유량은, 전술한 바와 같이, 바람직하게는 10질량％ 이상, 보다 바람직하게는 20질량％ 이상, 보다 바람직하게는 30질량％ 이상이다. 또한, 상기 함유량은, 바람직하게는 50질량％ 이하, 보다 바람직하게는 45질량％ 이하, 보다 바람직하게는 40질량％ 이하이다. 접착제층 형성용 필름 내의 무기 필러 함유량이 증대될수록, 당해 필름의 파단 신도는 작아지는 경향이 있고 또한 항복점 강도는 커지는 경향이 있는바, 다이 본드 필름(10)에서의 무기 필러 함유량에 관한 당해 구성은, 다이 본드 필름(10)의 노출 영역(워크에 덮여 있지 않은 영역)에서 파단되어 필름편이 비산된다는 전술한 현상을 억제하는 데 적합하다.When the die-bonding film 10 contains an inorganic filler, the content of the inorganic filler is, as described above, preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, and still more preferably 30% by mass or more. to be. The content is preferably 50% by mass or less, more preferably 45% by mass or less, and still more preferably 40% by mass or less. As the inorganic filler content in the film for forming an adhesive layer increases, the breaking elongation of the film tends to decrease and the yield point strength tends to increase. , It is suitable for suppressing the above-described phenomenon in which the die-bonding film 10 is broken in the exposed region (region not covered by the work) and the film pieces are scattered.

다이 본드 필름(10)은 바람직하게는 유기 필러를 함유하고, 다이 본드 필름(10)에서의 유기 필러의 함유량은, 바람직하게는 2질량％ 이상, 보다 바람직하게는 5질량％ 이상, 보다 바람직하게는 8질량％ 이상이다. 또한, 다이 본드 필름(10)이 유기 필러를 함유하는 경우의 그의 함유량은, 바람직하게는 20질량％ 이하, 보다 바람직하게는 17질량％ 이하, 보다 바람직하게는 15질량％ 이하이다. 다이 본드 필름(10)에서의 유기 필러 함유량에 관한 당해 구성은, 다이 본드 필름(10)의 항복점 강도 및 파단 강도를 적정 범위로 제어하는 데 있어서 적합하다.The die-bonding film 10 preferably contains an organic filler, and the content of the organic filler in the die-bonding film 10 is preferably 2% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and still more preferably is 8% by mass or more. In addition, when the die-bonding film 10 contains an organic filler, its content is preferably 20% by mass or less, more preferably 17% by mass or less, and even more preferably 15% by mass or less. The configuration regarding the organic filler content in the die-bonding film 10 is suitable for controlling the yield point strength and breaking strength of the die-bonding film 10 within an appropriate range.

다이 본드 필름(10)은, 바람직하게는 유리 전이 온도가 -40 내지 10℃의 아크릴 수지를 함유한다. 이와 같은 구성은, 다이 본드 필름(10)에 대하여 상기 인장 시험에서의 항복점 강도가 15N 이하라는 상기 구성을 실현하는 데 있어서 적합하다.The die-bonding film 10 preferably contains an acrylic resin having a glass transition temperature of -40 to 10°C. Such a configuration is suitable for realizing the above-described configuration in which the yield point strength in the tensile test of the die-bonding film 10 is 15 N or less.

실시예Example

〔실시예 1〕[Example 1]

<다이 본드 필름(DAF)의 제작><Production of die bond film (DAF)>

아크릴 수지 A1(상품명 「테이산레진 SG-708-6」, 중량 평균 분자량은 70만, 유리 전이 온도 Tg는 4℃, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조) 18질량부와, 에폭시 수지(상품명 「KI-3000-4」, 신닛테츠 스미킨 가가쿠 가부시키가이샤 제조) 28질량부와, 페놀 수지(상품명 「LVR8210-DL」, 군에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조) 14질량부와, 무기 필러(상품명 「SE-2050MC」, 실리카, 평균 입경은 0.5㎛, 가부시키가이샤 애드마텍스 제조) 40질량부와, 경화 촉매인 유기 촉매(상품명 「TPP-MK」, 홋코 가가쿠 가부시키가이샤 제조) 0.1질량부를, 메틸에틸케톤에 첨가하고 혼합하여, 접착제 조성물을 얻었다. 이어서, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 38㎛)의 실리콘 이형 처리면 위에 애플리케이터를 사용하여 접착제 조성물을 도포하여 접착제 조성물층을 형성하였다. 이어서, 이 조성물층에 대하여 130℃에서 2분간의 가열 건조를 행하고, PET 세퍼레이터 위에 두께 100㎛의 실시예 1의 다이 본드 필름을 제작하였다. 실시예 1, 그리고 후술하는 각 실시예 및 각 비교예에서의 다이 본드 필름의 조성을 표 1에 기재한다(표 1에 있어서, 다이 본드 필름의 조성을 나타내는 각 수치의 단위는, 당해 조성 내에서의 상대적인 "질량부"이다).Acrylic resin A1 (trade name "Teisan Resin SG-708-6", weight average molecular weight is 700,000, glass transition temperature Tg is 4 ° C., manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.) 18 parts by mass, and an epoxy resin (trade name "KI -3000-4", manufactured by Nippon Steel Sumikin Chemical Co., Ltd.) 28 parts by mass, phenol resin (trade name "LVR8210-DL", manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd.) 14 parts by mass, and an inorganic filler ( Trade name "SE-2050MC", silica, average particle diameter 0.5 µm, manufactured by Admatechs Co., Ltd.) 40 parts by mass, and an organic catalyst as a curing catalyst (trade name "TPP-MK" manufactured by Hokko Chemical Co., Ltd.) 0.1 The mass part was added to and mixed with methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition. Subsequently, an adhesive composition layer was formed by applying an adhesive composition using an applicator on the silicone release-treated surface of a PET separator (thickness: 38 μm) having a silicone release-treated surface. Subsequently, heat drying was performed on this composition layer at 130°C for 2 minutes, and a die-bonding film of Example 1 having a thickness of 100 µm was produced on a PET separator. The composition of the die-bonding film in Example 1 and each Example and each Comparative Example to be described later is shown in Table 1 (in Table 1, the units of each numerical value representing the composition of the die-bonding film are relative within the composition). "parts by mass").

<다이싱 테이프의 제작><Production of dicing tape>

냉각관과, 질소 도입관과, 온도계와, 교반 장치를 구비하는 반응 용기 내에서, 아크릴산 2-에틸헥실 86.4질량부와, 아크릴산 2-히드록시에틸 13.6질량부와, 중합 개시제인 과산화 벤조일 0.2질량부와, 중합 용매된 톨루엔 65질량부를 포함하는 혼합물을, 61℃에서 6시간, 질소 분위기하에서 교반하였다(중합 반응). 이에 의해, 아크릴계 중합체 P₁을 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이어서, 이 아크릴계 중합체 P₁을 함유하는 중합체 용액과, 2-메타크릴로일옥시 에틸이소시아네이트(MOI)와, 부가 반응 촉매로서의 디부틸주석디라우릴레이트를 포함하는 혼합물을, 50℃에서 48시간, 공기 분위기하에서 교반하였다(부가 반응). 당해 반응 용액에 있어서, MOI의 배합량은, 상기 아크릴계 중합체 P₁100질량부에 대해서 14.6질량부이며, 디부틸주석디라우릴레이트의 배합량은, 아크릴계 중합체 P₁ 100질량부에 대해서 0.5질량부이다. 이 부가 반응에 의해, 측쇄에 메타크릴레이트기를 갖는 아크릴계 중합체 P₂를 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이어서, 당해 중합체 용액에, 아크릴계 중합체 P₂ 100질량부에 대해서 2질량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 도소 가부시키가이샤 제조)과, 5질량부의 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 651」, BASF사 제조)를 첨가하고 혼합하여, 점착제 조성물을 얻었다. 이어서, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 38㎛)의 실리콘 이형 처리면 위에 애플리케이터를 사용하여 점착제 조성물을 도포하여 점착제 조성물층을 형성하였다. 이어서, 이 조성물층에 대하여 120℃에서 2분간의 가열 건조를 행하고, PET 세퍼레이터 위에 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 이어서, 라미네이터를 사용하여, 이 점착제층의 노출면에 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA)제의 기재(상품명 「FUNCRARE NRB#115」, 두께 115㎛, 군제 가부시키가이샤 제조)를 실온에서 접합하였다. 이상과 같이 하여 다이싱 테이프를 제작하였다.In a reaction vessel equipped with a cooling pipe, a nitrogen inlet pipe, a thermometer, and a stirring device, 86.4 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 13.6 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and 0.2 mass part of benzoyl peroxide as a polymerization initiator part, and a mixture containing 65 parts by mass of toluene used as a polymerization solvent was stirred at 61°C for 6 hours in a nitrogen atmosphere (polymerization reaction). Thus, a polymer solution containing acrylic polymer P ₁ was obtained. Subsequently, a mixture containing the polymer solution containing this acrylic polymer P ₁ , 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI), and dibutyltin dilaurylate as an addition reaction catalyst was prepared at 50°C for 48 hours. , and stirred under an air atmosphere (addition reaction). In the reaction solution, the compounding amount of MOI is 14.6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer P ₁ , and the compounding amount of dibutyltin dilaurylate is 0.5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of acrylic polymer P ₁ . . By this addition reaction, a polymer solution containing acrylic polymer P ₂ having a methacrylate group in the side chain was obtained. Then, 2 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, manufactured by Tosoh Corporation) and 5 parts by mass of a photopolymerization initiator (trade name “Irgacure 651”) were added to the polymer solution, based on 100 parts by mass of acrylic polymer P ₂ ”, manufactured by BASF) was added and mixed to obtain an adhesive composition. Subsequently, an adhesive composition layer was formed by applying an adhesive composition using an applicator on the silicone release-treated surface of a PET separator (thickness: 38 μm) having a silicone release-treated surface. Then, the composition layer was heated and dried at 120°C for 2 minutes to form an adhesive layer having a thickness of 10 µm on the PET separator. Subsequently, a base material made of ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) (trade name "FUNCRARE NRB#115", thickness 115 µm, manufactured by Gunze Co., Ltd.) was bonded to the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer using a laminator at room temperature. . A dicing tape was produced as described above.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작> <Production of dicing die bond film>

PET 세퍼레이터를 수반하는 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름을 직경 330㎜의 원형으로 펀칭 가공하였다. 이어서, 당해 다이 본드 필름으로부터 PET 세퍼레이터를 박리되고 또한 전술한 다이싱 테이프로부터 PET 세퍼레이터를 박리한 후, 당해 다이싱 테이프에 있어서 노출된 점착제층과, 다이 본드 필름에 있어서 PET 세퍼레이터의 박리에 의해 노출된 면을, 롤 라미네이터를 사용하여 접합하였다. 이 접합에 있어서, 접합 속도를 10㎜/분으로 하고, 온도 조건을 40℃로 하며, 압력 조건을 0.15MPa로 하였다. 이어서, 이와 같이 하여 다이 본드 필름과 접합된 다이싱 테이프를, 다이싱 테이프의 중심과 다이 본드 필름의 중심이 일치하도록, 직경 390㎜의 원형으로 펀칭 가공하였다. 이어서, 다이싱 테이프에서의 점착제층에 대해서, EVA 기재의 측으로부터 자외선을 조사하였다. 자외선 조사에 있어서는, 고압 수은램프를 사용하고, 조사 적산 광량을 400mJ/㎠로 하였다. 이상과 같이 하여, 다이싱 테이프와 다이 본드 필름을 포함하는 적층 구조를 갖는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.The aforementioned die bond film of Example 1 with a PET separator was punched into a circle with a diameter of 330 mm. Next, after peeling the PET separator from the die-bonding film and peeling the PET separator from the above-described dicing tape, the pressure-sensitive adhesive layer exposed in the dicing tape and the PET separator in the die-bonding film are exposed by peeling. The prepared surfaces were bonded using a roll laminator. In this bonding, the bonding speed was 10 mm/min, the temperature condition was 40°C, and the pressure condition was 0.15 MPa. Next, the dicing tape bonded to the die-bonding film in this way was punched into a circular shape with a diameter of 390 mm so that the center of the dicing tape and the center of the die-bonding film coincided. Next, the pressure-sensitive adhesive layer in the dicing tape was irradiated with ultraviolet rays from the side of the EVA base material. In the ultraviolet irradiation, a high-pressure mercury lamp was used, and the irradiation cumulative light amount was 400 mJ/cm 2 . As described above, a dicing die-bonding film of Example 1 having a laminated structure including a dicing tape and a die-bonding film was produced.

〔실시예 2〕[Example 2]

아크릴 수지 A₁ 18질량부 대신에 아크릴 수지 A₂(상품명 「테이산레진 SG-70L」, 중량 평균 분자량은 90만, 유리 전이 온도 Tg는 -13℃, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조) 18질량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 2의 다이 본드 필름(두께 100㎛)을 제작하였다. 또한, 이 실시예 2의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 2의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.18 mass parts of acrylic resin A ₂ instead of 18 parts by mass of acrylic resin A ₂ (trade name "Teisan Resin SG-70L", weight average molecular weight is 900,000, glass transition temperature Tg is -13°C, manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.) A die-bonding film (thickness: 100 μm) of Example 2 was produced in the same manner as the die-bonding film of Example 1 except for using the portion. A dicing die-bonding film of Example 2 was produced in the same manner as the dicing die-bonding film of Example 1, except that the die-bonding film of Example 2 was used instead of the above-mentioned die-bonding film of Example 1. .

〔실시예 3〕[Example 3]

아크릴 수지 A₁ 18질량부 대신에 아크릴 수지 A₃(상품명 「테이산레진 SG-280」, 중량 평균 분자량은 90만, 유리 전이 온도 Tg는 -29℃, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조) 18질량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 3의 다이 본드 필름(두께 100㎛)을 제작하였다. 또한, 이 실시예 3의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 3의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.18 mass parts of acrylic resin A ₃ instead of 18 parts by mass of acrylic resin A ₁ (trade name "Teisan Resin SG-280", weight average molecular weight is 900,000, glass transition temperature Tg is -29°C, manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.) A die-bonding film (thickness: 100 μm) of Example 3 was produced in the same manner as the die-bonding film of Example 1 except for using the portion. In addition, the dicing die bond film of Example 3 was produced in the same manner as the dicing die bond film of Example 1, except that the die bond film of Example 3 was used instead of the above-mentioned die bond film of Example 1. .

〔실시예 4〕[Example 4]

아크릴 수지 A₁18질량부 대신에 아크릴 수지 A₂(상품명 「테이산레진 SG-70L」, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조) 18질량부를 사용한 것, 에폭시 수지(상품명 「KI-3000-4」, 신닛테츠 스미킨 가가쿠 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 28질량부 대신에 22질량부로 한 것, 페놀 수지(상품명 「LVR8210-DL」, 군에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 14질량부 대신에 10질량부로 한 것, 및 무기 필러(상품명 「SE-2050MC」, 가부시키가이샤 애드마텍스 제조)의 배합량을 40질량부 대신에 50질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 4의 다이 본드 필름(두께 100㎛)을 제작하였다. 또한, 이 실시예 4의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 4의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.What used ₁₈ parts by mass _of acrylic resin A2 (trade name "Teisan Resin SG-70L", manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.) instead of 18 parts by mass of acrylic resin A1, epoxy resin (trade name "KI-3000-4", The compounding amount of Nippon Steel Sumikin Chemical Co., Ltd.) was changed to 22 parts by mass instead of 28 parts by mass, and the compounding amount of phenol resin (trade name "LVR8210-DL", manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd.) was 14 parts by mass Die-bonding film of Example 1 except that 10 parts by mass was used instead of part, and the blending amount of the inorganic filler (trade name "SE-2050MC", manufactured by Admatex Co., Ltd.) was 50 parts by mass instead of 40 parts by mass. In the same manner as in Example 4, a die-bonding film (thickness of 100 μm) was produced. A dicing die-bonding film of Example 4 was produced in the same manner as the dicing die-bonding film of Example 1, except that the die-bonding film of Example 4 was used instead of the above-mentioned die-bonding film of Example 1. .

〔실시예 5〕[Example 5]

무기 필러(상품명 「SE-2050MC」, 가부시키가이샤 애드마텍스 제조)의 배합량을 40질량부 대신에 30질량부로 한 것, 및 유기 필러(상품명 「아트 펄 J-4PY」, 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 네가미 고교 가부시키가이샤 제조) 10질량부를 더 배합한 것 이외에는, 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 5의 다이 본드 필름(두께 100㎛)을 제작하였다. 또한, 이 실시예 5의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 5의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.What made the compounding quantity of an inorganic filler (brand name "SE-2050MC", manufactured by Admatex Co., Ltd.) 30 parts by mass instead of 40 parts by mass, and an organic filler (brand name "Art Pearl J-4PY", polymethyl methacrylate) (PMMA), manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.) A die-bonding film (thickness: 100 µm) of Example 5 was produced in the same manner as the die-bonding film of Example 1, except that 10 parts by mass of the mixture were further blended. A dicing die bond film of Example 5 was produced in the same manner as the dicing die bond film of Example 1, except that the die bond film of Example 5 was used instead of the die bond film described above of Example 1. .

〔실시예 6〕[Example 6]

아크릴 수지 A₁18질량부 대신에 아크릴 수지 A₃(상품명 「테이산레진 SG-280」, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조) 18질량부를 사용한 것, 무기 필러(상품명 「SE-2050MC」, 가부시키가이샤 애드마텍스 제조)의 배합량을 40질량부 대신에 30질량부로 한 것, 및 유기 필러(상품명 「아트 펄 J-4PY」, 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 네가미 고교 가부시키가이샤 제조) 10질량부를 더 배합한 것 이외에는, 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 6의 다이 본드 필름(두께 100㎛)을 제작하였다. 또한, 이 실시예 6의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 6의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.Acrylic resin A ₁ Instead of 18 parts by mass, acrylic resin A ₃ (trade name "Teisan Resin SG-280", manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.) 18 parts by mass, inorganic filler (trade name "SE-2050MC", KK Gaisha Admatechs) 30 parts by mass instead of 40 parts by mass, and an organic filler (trade name "Art Pearl J-4PY", polymethyl methacrylate (PMMA), manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.) A die-bonding film (thickness: 100 µm) of Example 6 was produced in the same manner as the die-bonding film of Example 1, except that 10 parts by mass was further blended. A dicing die-bonding film of Example 6 was prepared in the same manner as the dicing die-bonding film of Example 1, except that the die-bonding film of Example 6 was used instead of the above-mentioned die-bonding film of Example 1. .

〔실시예 7〕[Example 7]

아크릴 수지 A₁18질량부 대신에 아크릴 수지 A₃(상품명 「테이산레진 SG-280」, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조) 18질량부를 사용한 것, 무기 필러(상품명 「SE-2050MC」, 가부시키가이샤 애드마텍스 제조)의 배합량을 40질량부 대신에 30질량부로 한 것, 유기 필러(상품명 「아트 펄 J-4PY」, 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 네가미 고교 가부시키가이샤 제조) 10질량부를 더 배합한 것, 및 두께를 100㎛ 대신에 200㎛로 한 것 이외에는, 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 7의 다이 본드 필름을 제작하였다. 또한, 이 실시예 7의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 실시예 7의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.Acrylic resin A ₁ Instead of 18 parts by mass, acrylic resin A ₃ (trade name "Teisan Resin SG-280", manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.) 18 parts by mass, inorganic filler (trade name "SE-2050MC", KK 30 parts by mass instead of 40 parts by mass, organic filler (trade name "Art Pearl J-4PY", polymethyl methacrylate (PMMA), manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.) 10 A die-bonding film of Example 7 was produced in the same manner as the die-bonding film of Example 1, except that the mass part was further blended and the thickness was 200 µm instead of 100 µm. In addition, a dicing die bond film of Example 7 was produced in the same manner as the dicing die bond film of Example 1, except that the die bond film of Example 7 was used instead of the die bond film described above of Example 1. .

〔비교예 1〕[Comparative Example 1]

에폭시 수지(상품명 「KI-3000-4」, 신닛테츠 스미킨 가가쿠 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 28질량부 대신에 22질량부로 한 것, 페놀 수지(상품명 「LVR8210-DL」, 군에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 14질량부 대신에 10질량부로 한 것, 및 무기 필러(상품명 「SE-2050MC」, 가부시키가이샤 애드마텍스 제조)의 배합량을 40질량부 대신에 50질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 1의 다이 본드 필름(두께 100㎛)을 제작하였다. 또한, 이 비교예 1의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 1의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.Epoxy resin (trade name "KI-3000-4", manufactured by Nippon Steel Sumikin Chemical Co., Ltd.) with a compounding amount of 22 parts by mass instead of 28 parts by mass, phenol resin (trade name "LVR8210-DL", Gun-Ei Kaga) The compounding amount of Ku Kogyo Co., Ltd.) was 10 parts by mass instead of 14 parts by mass, and the compounding amount of the inorganic filler (trade name "SE-2050MC", manufactured by Admatex Co., Ltd.) was 50 parts by mass instead of 40 parts by mass. A die-bonding film (thickness: 100 µm) of Comparative Example 1 was produced in the same manner as the die-bonding film of Example 1, except that it was negative. In addition, a dicing die-bonding film of Comparative Example 1 was produced in the same manner as the dicing die-bonding film of Example 1, except that this die-bonding film of Comparative Example 1 was used instead of the above-mentioned die-bonding film of Example 1. .

〔비교예 2〕[Comparative Example 2]

아크릴 수지 A₁18질량부 대신에 아크릴 수지 A₂(상품명 「테이산레진 SG-70L」, 나가세 켐텍스 가부시키가이샤 제조) 24질량부를 사용한 것, 에폭시 수지(상품명 「KI-3000-4」, 신닛테츠 스미킨 가가쿠 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 28질량부 대신에 24질량부로 한 것, 및 페놀 수지(상품명 「LVR8210-DL」, 군에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 제조)의 배합량을 14질량부 대신에 12질량부로 한 것 이외에는, 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 2의 다이 본드 필름(두께 100㎛)을 제작하였다. 또한, 이 비교예 2의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 2의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.What used 24 parts by mass of acrylic resin A2 (trade name "Teisan Resin SG _- 70L", manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.) instead _of 18 parts by mass of acrylic resin A1, epoxy resin (trade name "KI-3000-4", The compounding amount of Nippon Steel Sumikin Chemical Co., Ltd.) was changed to 24 parts by mass instead of 28 parts by mass, and the compounding amount of phenol resin (trade name "LVR8210-DL", manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd.) was 14 A die-bonding film (thickness: 100 μm) of Comparative Example 2 was produced in the same manner as in the die-bonding film of Example 1, except that 12 parts by mass was used instead of the mass part. In addition, a dicing die-bonding film of Comparative Example 2 was produced in the same manner as the dicing die-bonding film of Example 1, except that this die-bonding film of Comparative Example 2 was used instead of the above-mentioned die-bonding film of Example 1. .

〔비교예 3〕[Comparative Example 3]

두께를 100㎛ 대신에 200㎛로 한 것 이외에는 실시예 1의 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 3의 다이 본드 필름을 제작하였다. 또한, 이 비교예 3의 다이 본드 필름을 실시예 1의 전술한 다이 본드 필름 대신에 사용한 것 이외에는 실시예 1의 다이싱 다이 본드 필름과 마찬가지로 하여, 비교예 3의 다이싱 다이 본드 필름을 제작하였다.A die-bonding film of Comparative Example 3 was produced in the same manner as in the die-bonding film of Example 1, except that the thickness was 200 µm instead of 100 µm. In addition, a dicing die-bonding film of Comparative Example 3 was produced in the same manner as the dicing die-bonding film of Example 1, except that this die-bonding film of Comparative Example 3 was used instead of the above-mentioned die-bonding film of Example 1. .

<다이 본드 필름의 인장 시험><Tensile test of die bond film>

실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 3의 전술한 다이 본드 필름으로부터 잘라낸 각 다이 본드 필름 시험편(폭 10㎜×길이 30㎜)에 대하여, 인장 시험기(상품명 「오토그래프 AGS-J」, 가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조)를 사용하여 인장 시험을 행하여, 항복점 강도, 파단 강도, 및 파단 신도를 측정하였다. 이 인장 시험에 있어서, 초기 척간 거리는 10㎜이고, 온도 조건은 23℃이며, 인장 속도는 300㎜/분이다. 측정된 항복점 강도(N), 파단 강도(N), 및 파단 신도(％)의 각 값을 표 1에 기재한다.For each die-bonding film test piece (width 10 mm × length 30 mm) cut out from the die-bonding films of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3, a tensile tester (trade name "Autograph AGS-J", Kabushiki A tensile test was conducted using Kaisha Shimadzu Seisakusho Co., Ltd., and strength at yield point, strength at break, and elongation at break were measured. In this tensile test, the initial distance between chucks is 10 mm, the temperature condition is 23° C., and the tensile speed is 300 mm/min. Table 1 shows the measured values of yield point strength (N), breaking strength (N), and elongation at break (%).

<다이 본드 필름의 점도 측정><Viscosity measurement of die bond film>

실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 3의 전술한 각 다이 본드 필름에 대하여, 미경화 상태에서의 120℃에서의 점도를 측정하였다. 구체적으로는, 다이 본드 필름으로부터 채취된 0.1g의 시료를 측정 플레이트인 패럴렐 플레이트(직경 20㎜)에 투입하고, 레오미터(상품명 「RS-1」, HAAKE사 제조)를 사용하여, 패럴렐 플레이트법에 의해 당해 시료의 용융 점도(Pa·s)를 측정하였다. 본 측정에 있어서, 패럴렐 플레이트 간의 갭은 0.1㎜이고, 변형 속도는 5/초이고, 승온 속도는 10℃/분이며, 측정 온도 범위는 90 내지 150℃이다. 측정 결과를 표 1에 기재한다.For each of the die-bonding films of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3, the viscosity at 120°C in an uncured state was measured. Specifically, a 0.1 g sample collected from the die-bonding film was put into a parallel plate (diameter 20 mm) as a measurement plate, and a rheometer (trade name "RS-1", manufactured by HAAKE) was used to perform the parallel plate method. Thus, the melt viscosity (Pa·s) of the sample was measured. In this measurement, the gap between the parallel plates was 0.1 mm, the strain rate was 5/sec, the heating rate was 10°C/min, and the measurement temperature range was 90 to 150°C. The measurement results are shown in Table 1.

<다이 본드 필름의 할단성과 비산의 평가><Evaluation of cutting property and scattering of die-bonding film>

실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 3의 전술한 각 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여, 이하와 같은 접합 공정, 할단을 위한 제1 익스팬드 공정(쿨 익스팬드 공정), 및 이격을 위한 제2 익스팬드 공정(상온 익스팬드 공정)을 행하였다.Using each of the above-described dicing die bond films of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3, the following bonding process, first expand process for cutting (cool expand process), and first expand process for separation, 2 expand process (room temperature expand process) was performed.

접합 공정에서는, 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「UB-3083D」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)에 보유 지지된 반도체 웨이퍼 분할체를 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름에 대해서 접합하고, 그 후, 반도체 웨이퍼 분할체로부터 웨이퍼 가공용 테이프를 박리하였다. 접합에 있어서는, 라미네이터를 사용하여, 접합 속도를 10㎜/초로 하고, 온도 조건을 50 내지 80℃로 하며, 압력 조건을 0.15MPa로 하였다. 또한, 반도체 웨이퍼 분할체는, 다음과 같이 하여 형성하여 준비한 것이다. 우선, 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「V12S-R2-P」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)에 링 프레임과 함께 보유 지지된 상태에 있는 베어 웨이퍼(직경 12인치, 두께 780㎛, 도쿄 가코 가부시키가이샤 제조)에 대하여, 그 한쪽 면의 측으로부터, 다이싱 장치(상품명 「DFD6361」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여 그 회전 블레이드에 의해 개편화용 분할 홈(폭 25㎛, 깊이 50㎛, 1 구획 6㎜×12㎜의 격자 형상을 이룸)을 형성하였다. 이어서, 분할 홈 형성면에 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「UB-3083D」, 닛토덴코 가부시키가이샤 제조)를 접합한 후, 상기 웨이퍼 가공용 테이프(상품명 「V12S-R2-P」)를 웨이퍼로부터 박리하였다. 이 후, 백 그라인드 장치(상품명 「DGP8760」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여, 웨이퍼의 다른 쪽 면(분할 홈이 형성되어 있지 않은 면)의 측으로부터의 연삭에 의해 당해 웨이퍼를 두께 20㎛에 이르기까지 박화하고, 계속해서, 상기 장치를 사용하여 행하는 드라이 폴리쉬에 의해 당해 연삭면에 대해서 경면 마무리를 실시하였다. 이상과 같이 하여, 반도체 웨이퍼 분할체(웨이퍼 가공용 테이프에 보유 지지된 상태에 있음)를 형성하였다. 이 반도체 웨이퍼 분할체에는, 복수의 반도체 칩(6㎜×12㎜)이 포함되어 있다.In the bonding process, the semiconductor wafer division body held by the wafer processing tape (trade name "UB-3083D", manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) is bonded to the die bonding film of the dicing die bonding film, and then the semiconductor wafer The tape for a wafer process was peeled from the division body. In bonding, using a laminator, the bonding speed was 10 mm/sec, the temperature conditions were 50 to 80°C, and the pressure conditions were 0.15 MPa. In addition, the semiconductor wafer divided body is formed and prepared as follows. First, a bare wafer (diameter 12 inches, thickness 780 μm, manufactured by Tokyo Gako Co., Ltd.) held together with a ring frame on a tape for wafer processing (trade name "V12S-R2-P", manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) ), from the side of one side thereof, using a dicing device (trade name "DFD6361", manufactured by Disco Co., Ltd.), a dividing groove for singling (25 μm in width, 50 μm in depth, 6 divisions in 1 section) is used by the rotary blade. forming a grid shape of mm × 12 mm) was formed. Next, after attaching a tape for wafer processing (trade name "UB-3083D", manufactured by Nitto Denko Co., Ltd.) to the divided groove formation surface, the tape for wafer processing (trade name "V12S-R2-P") was peeled from the wafer. Thereafter, using a back grinder (trade name: "DGP8760", manufactured by Disco Co., Ltd.), the wafer is ground to a thickness of 20 µm by grinding from the other side of the wafer (the surface on which no division grooves are formed). , and then mirror finish was applied to the ground surface by dry polishing performed using the above apparatus. In the above manner, a semiconductor wafer divided body (in a state held by the tape for wafer processing) was formed. A plurality of semiconductor chips (6 mm x 12 mm) are included in this semiconductor wafer division body.

쿨 익스팬드 공정은, 다이 세퍼레이트 장치(상품명 「다이 세퍼레이터 DDS2300」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여, 그 쿨 익스팬드 유닛에서 행하였다. 구체적으로는, 우선, 반도체 웨이퍼 분할체를 수반하는 전술한 다이싱 다이 본드 필름에서의 다이싱 테이프 점착제층에, 직경 12인치의 SUS제 링 프레임(가부시키가이샤 디스코 제조)을 실온에서 점착하였다. 이어서, 당해 다이싱 다이 본드 필름을 장치 내에 세트하고, 상기 장치의 쿨 익스팬드 유닛에서, 반도체 웨이퍼 분할체를 수반하는 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를 익스팬드하였다. 이 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 온도는 -15℃이고, 익스팬드 속도는 300㎜/초이며, 익스팬드 양은 10㎜이다.The cool expand step was performed with the cool expand unit using a die separator (trade name "Die Separator DDS2300", manufactured by Disco Co., Ltd.). Specifically, first, a ring frame made of SUS (manufactured by Disco Co., Ltd.) having a diameter of 12 inches was stuck to the dicing tape adhesive layer in the above-described dicing die bond film accompanying the semiconductor wafer division body at room temperature. Next, the said dicing die-bonding film was set in the apparatus, and the dicing tape of the dicing die-bonding film accompanying the semiconductor wafer division body was expanded by the cool expand unit of this apparatus. In this cool expand process, the temperature is -15°C, the expand speed is 300 mm/sec, and the expand amount is 10 mm.

상온 익스팬드 공정은, 다이 세퍼레이트 장치(상품명 「다이 세퍼레이터 DDS2300」, 가부시키가이샤 디스코 제조)를 사용하여, 그 상온 익스팬드 유닛에서 행하였다. 구체적으로는, 전술한 쿨 익스팬드 공정을 거친 반도체 웨이퍼 분할체를 수반하는 다이싱 다이 본드 필름의 다이싱 테이프를, 상기 장치의 상온 익스팬드 유닛에서 익스팬드하였다. 이 상온 익스팬드 공정에 있어서, 온도는 23℃이고, 익스팬드 속도는 1㎜/초이며, 익스팬드 양은 10㎜이다. 이 후, 상온 익스팬드를 거친 다이싱 다이 본드 필름에서의, 워크 접착 영역보다 외측의 주연부에 대하여, 가열 수축 처리를 실시하였다.The room-temperature expand step was performed with the room-temperature expand unit using a die separator (trade name "Die Separator DDS2300", manufactured by Disco Co., Ltd.). Specifically, the dicing tape of the dicing die bond film accompanying the semiconductor wafer division body that passed through the above-mentioned cool expand process was expanded by the room temperature expand unit of the said apparatus. In this room temperature expand process, the temperature is 23° C., the expand speed is 1 mm/sec, and the expand amount is 10 mm. Thereafter, a heat shrinkage treatment was performed on the peripheral edge outside the work bonding region in the dicing die bond film that had undergone normal temperature expansion.

다이 본드 필름의 할단성에 대해서는, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행한, 이상과 같은 과정을 거친 후에, 할단 예정 라인 전역에 있어서 할단이 발생한 경우를 양호(○)라고 평가하고, 그렇지 않은 경우를 불량(×)이라고 평가하였다. 다이본드 필름의 비산에 관해서는, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행한, 이상과 같은 과정을 거친 후에, 다이싱 테이프 위로부터 박리되어 반도체 웨이퍼 위에 비산된 다이 본드 필름편이 확인된 경우를 불량(×)이라고 평가하고, 그렇지 않은 경우를 양호(○)라고 평가하였다. 이들 평가 결과를 표 1에 기재한다.Regarding the cutting property of the die-bonding film, after going through the above process performed using the dicing die-bonding film, a case where cutting occurred in the entire line to be cut was evaluated as good (○), and a case where it was not was evaluated as poor. (x) was evaluated. Regarding the scattering of the die-bonding film, after passing through the above process performed using the dicing die-bonding film, a case where a piece of die-bonding film peeled off from the dicing tape and scattered on the semiconductor wafer is confirmed is defective (× ) was evaluated, and the case where it was not was evaluated as good (○). These evaluation results are shown in Table 1.

[평가][evaluation]

실시예 1 내지 7의 다이 본드 필름에 의하면, 다이 본드 필름 부착 반도체 칩을 얻기 위해서 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 행하는 익스팬드 공정에 있어서, 양호한 할단을 실현하면서 비산을 억제할 수 있었다.According to the die-bonding films of Examples 1 to 7, in the expand step performed using the dicing die-bonding film to obtain a semiconductor chip with a die-bonding film, scattering could be suppressed while achieving good cutting.

X: 다이싱 다이 본드 필름
10, 11 다이 본드 필름
20: 다이싱 테이프
21: 기재
22: 점착제층
W, 30A, 30C: 반도체 웨이퍼
30B: 반도체 웨이퍼 분할체
30a: 분할 홈
30b: 개질 영역
31: 반도체 칩X: dicing die bond film
10, 11 die bond film
20: dicing tape
21: registration
22: adhesive layer
W, 30A, 30C: semiconductor wafer
30B: semiconductor wafer division body
30a: divided groove
30b: reforming zone
31: semiconductor chip

Claims

The yield point strength in a tensile test conducted under the conditions of an initial distance between chucks of 10 mm, 23 ° C., and a tensile speed of 300 mm / min for a die-bonding film test piece having a width of 10 mm is 5 to 15 N, and the breaking strength is 4 to 15 N. , A die-bonding film having an elongation at break of 40 to 400%.

According to claim 1,
A die bond film having a thickness of 40 to 200 μm.

According to claim 1,
A die-bonding film having a viscosity of 300 to 5000 Pa·s at 120°C.

According to claim 1,
A die-bonding film containing an inorganic filler in a proportion of 10 to 50% by mass.

According to claim 1,
A die-bonding film containing an organic filler in a proportion of 2 to 20% by mass.

According to claim 4,
A die-bonding film containing an organic filler in a proportion of 2 to 20% by mass.

According to claim 1,
A die-bonding film containing an acrylic resin having a glass transition temperature of -40 to 10°C.

According to claim 1,
A die-bonding film for forming an adhesive layer for bonding a second semiconductor chip to the mounting substrate while embedding the first semiconductor chip mounted on the mounting substrate by wire bonding together with all or part of the bonding wires connected to the first semiconductor chip .

According to claim 1,
A die-bonding film for forming an adhesive layer for bonding a second semiconductor chip to the first semiconductor chip while covering a bonding wire connection portion of a first semiconductor chip mounted on a mounting substrate by wire bonding and embedding a part of the bonding wire.

According to claim 1,
A die-bonding film for forming an adhesive layer for bonding a second semiconductor chip to a mounting substrate while embedding a first semiconductor chip flip-chip mounted on a mounting substrate.

A dicing tape having a laminated structure including a substrate and an adhesive layer;
A dicing die-bonding film provided with the die-bonding film according to any one of claims 1 to 10, which adheres to the pressure-sensitive adhesive layer in the dicing tape so that peeling is possible.

A first step of bonding a semiconductor wafer that can be singulated into a plurality of semiconductor chips or a semiconductor wafer division body including a plurality of semiconductor chips on the die bond film in the dicing die bond film according to claim 11;
A second step of obtaining a semiconductor chip with a die-bonding film by cutting the die-bonding film by expanding the dicing tape in the dicing die-bonding film.
Including, a semiconductor device manufacturing method.