KR20200115040A

KR20200115040A - Clad sheet for metal mask and metal mask

Info

Publication number: KR20200115040A
Application number: KR1020190173760A
Authority: KR
Inventors: 타카히로 호리베; 신이치로 요코야마; 마사아키 이시오
Original assignee: 히다찌긴조꾸가부시끼가이사
Priority date: 2019-03-27
Filing date: 2019-12-24
Publication date: 2020-10-07
Also published as: TWI767181B; TW202103928A; CN111755605A; JP2023126205A; JP2020158843A

Abstract

Provided are a clad plate material for a metal mask which is easy to handle and enables thickness reduction of a metal mask so that the productivity of the metal mask can be preferably improved; and a metal mask using the clad plate material. The clad plate material for a metal mask includes, in a cross-sectional view cut in the thickness direction: a base material layer made of a Fe-based alloy containing one or more of Ni and Co in a range of 30 to 50 mass%; and a first carrier layer pressure-welded to one side of the base material layer. The base material layer and the first carrier layer can be etched with etching solutions having the same property. The base material layer has a higher corrosion resistance against the etching solutions than the first carrier layer. The metal mask of the present invention uses the clad plate material for a metal mask.

Description

Clad plate material and metal mask for metal mask {CLAD SHEET FOR METAL MASK AND METAL MASK}

본 발명은 메탈 마스크용 클래드 판재 및 메탈 마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a clad plate for a metal mask and a metal mask.

상세하게는 에칭액에 대한 내식성 보호막을 형성 가능한 금속 표면을 갖는 메탈 마스크용 클래드 판재 및 이 메탈 마스크용 클래드 판재를 사용한 메탈 마스크로서, 예를 들면 유기 EL 소자용 메탈 마스크를 제조하기 위한 메탈 마스크용 클래드 판재 및 유기 EL 소자용 메탈 마스크에 관한 것이다.Specifically, as a clad plate for a metal mask having a metal surface capable of forming a corrosion-resistant protective film against an etching solution, and a metal mask using the clad plate for metal masks, for example, a clad for a metal mask for manufacturing a metal mask for an organic EL device It relates to a plate material and a metal mask for organic EL devices.

예를 들면, 특허문헌 1에는 유기 EL 소자의 제조에 사용되는 단일종의 금속으로 이루어지는 마스킹 지그(메탈 마스크)의 제조 방법이 개시되어 있다. 이 메탈 마스크는 도 1에 나타내는 바와 같은 공정에 의해 제조된다. 도 1에 있어서 공정 (a)는 소재 준비 공정이다. 이 소재 준비 공정에서는 메탈 마스크가 되는 단일종의 금속으로 이루어지는 두께(T₁₀₀)의 단층 구조의 금속 판재(100a)를 준비한다. 이 금속 판재(100a)는, 예를 들면 약 36질량%의 Ni(니켈) 및 약 64질량%의 Fe(철)를 포함하는 Ne-Ni 합금으로 이루어진다. 이 Fe-Ni 합금은 주지의 36 알로이이며, 선팽창계수가 작아 약 1.2×10^-6/℃이다. 금속 판재(100a)의 두께(T₁₀₀)는, 예를 들면 10㎛ 이상 50㎛ 이하이다. 공정 (b)는 제 1 피복 공정이다. 이 제 1 피복 공정에서는 금속 판재(100a)의 제 1 표면(100b)에 소정의 에칭 패턴을 형성하기 위한 보호막(101)을 형성하고, 금속 판재(100a)의 제 2 표면(100c)에 에칭을 방지하기 위한 보호막(102)을 형성한다. 공정 (c)는 제 1 에칭 공정이다. 이 제 1 에칭 공정에서는 상기 Fe-Ni 합금에 적합한 에칭액을 사용하여 금속 판재(100a)를 에칭한다. 이 제 1 에칭에 의해 Fe-Ni 합금으로 이루어지는 제 1 표면(100b)의 보호막(101)을 갖지 않는 부분이 에칭되어, 예를 들면 에칭 구멍(100d)이 형성된다. 공정 (d)는 제 2 피복 공정이다. 이 제 2 피복 공정에서는 금속 판재(100a)의 제 2 표면(100c)에 소정의 에칭 패턴을 형성하기 위한 보호막(103)을 형성하고, 금속 판재(100a)의 제 1 표면(100b) 및 에칭 구멍(100d)에 에칭을 방지하기 위한 보호막(104)을 형성한다. 공정 (e)는 제 2 에칭 공정이다. 이 제 2 에칭 공정에서는 제 1 에칭 공정에서 사용한 것과 동질의 에칭액을 사용하여 금속 판재(100a)를 에칭한다. 이 제 2 에칭이 의해 Fe-Ni 합금으로 이루어지는 제 2 표면(100c)의 보호막(103)을 갖지 않는 부분이 에칭되고, 예를 들면 에칭 구멍(100e)이 형성된다. 공정 (f)는 마무리 공정이다. 이 마무리 공정에서는 보호막(103) 및 보호막(104)이 제거되고, 금속 판재(100a)의 전체 표면이 청정 처리되어 메탈 마스크(100)로 마무리된다. 이러한 공정을 거쳐 금속 판재(100a)를 사용하여, 예를 들면 마스크 패턴(100f)을 갖고, 금속 판재(100a)와 대략 동등한 두께(T₁₀₀)이며, Fe-Ni 합금으로 이루어지는 단층 구조의 메탈 마스크(100)가 얻어진다.For example, Patent Document 1 discloses a method of manufacturing a masking jig (metal mask) made of a single type of metal used for manufacturing an organic EL device. This metal mask is manufactured by the process as shown in FIG. In Fig. 1, step (a) is a material preparation step. In this material preparation process, a single-layered metal plate 100a having a thickness T ₁₀₀ made of a single type of metal serving as a metal mask is prepared. This metal plate 100a is made of, for example, a Ne-Ni alloy containing about 36% by mass of Ni (nickel) and about 64% by mass of Fe (iron). This Fe-Ni alloy is a known alloy of 36, and has a small coefficient of linear expansion of about 1.2×10 ⁻⁶ /°C. The thickness T ₁₀₀ of the metal plate 100a is, for example, 10 µm or more and 50 µm or less. Step (b) is a first coating step. In this first coating process, a protective film 101 for forming a predetermined etching pattern is formed on the first surface 100b of the metal plate 100a, and etching is performed on the second surface 100c of the metal plate 100a. A protective film 102 is formed to prevent it. Step (c) is a first etching step. In this first etching process, the metal plate 100a is etched using an etching solution suitable for the Fe-Ni alloy. By this first etching, a portion of the first surface 100b made of an Fe-Ni alloy that does not have the protective film 101 is etched to form, for example, an etching hole 100d. Step (d) is a second coating step. In this second coating process, a protective film 103 for forming a predetermined etching pattern is formed on the second surface 100c of the metal plate 100a, and the first surface 100b and the etching hole of the metal plate 100a are formed. A protective film 104 for preventing etching is formed on (100d). Step (e) is a second etching step. In this second etching step, the metal plate 100a is etched using an etching solution of the same quality as that used in the first etching step. By this second etching, a portion of the second surface 100c made of an Fe-Ni alloy that does not have the protective film 103 is etched, and, for example, an etching hole 100e is formed. Step (f) is a finishing step. In this finishing process, the protective film 103 and the protective film 104 are removed, and the entire surface of the metal plate 100a is cleaned to finish with the metal mask 100. Using a metal plate 100a through such a process, for example, a metal mask having a mask pattern 100f, having a thickness T _{100 that} is approximately equal to that of the metal plate 100a, and having a single layer structure made of an Fe-Ni alloy (100) is obtained.

또한, 예를 들면 특허문헌 2에는 스크린 인쇄에 사용되는 금속제의 후막용 메탈 마스크의 제조 방법이 개시되어 있다. 이 메탈 마스크는 도 2에 나타내는 바와 같은 공정에 의해 제조된다. 도 2에 있어서 공정 (a)는 소재 준비 공정이다. 이 소재 준비 공정에서는 메탈 마스크가 되는 2종의 금속이 접합된 2층 구조의 클래드 판재(200a)를 준비한다. 특허문헌 2에는 클래드 판재(200a)의 두께는 기재되어 있지 않지만 클래드 판재(200a)는 후막용 메탈 마스크에 상응하는 두께(T₂₀₀)를 갖는다고 생각된다. 이 클래드 판재(200a)는, 예를 들면 구리로 이루어지는 제 1 층(201)과, 제 1 층(201)과는 이종의, 예를 들면 스테인리스강으로 이루어지는 제 2 층(202)으로 이루어진다. 또한, 구리에 적합한 에칭액과 스테인리스강에 적합한 에칭액은 이질적이기 때문에 구리로 이루어지는 제 1 층(201)은 스테인리스강으로 이루어지는 제 2 층(202)에 적합한 에칭액으로는 에칭되지 않고, 스테인리스강으로 이루어지는 제 2 층(202)은 구리로 이루어지는 제 1 층(201)에 적합한 에칭액으로는 에칭되지 않는다. 공정 (b)는 피복 공정이다. 이 피복 공정에서는 제 1 층(201)의 표면(201a)에 소정의 에칭 패턴을 형성하기 위한 보호막(203)을 형성하고, 제 2 층(202)의 표면(202a)에 소정의 에칭 패턴을 형성하기 위한 보호막(204)을 형성한다. 공정 (c)는 제 1 에칭 공정이다. 이 제 1 에칭 공정에서는 구리에 적합한 에칭액을 사용하여 제 1 층(201)의 표면(201a)을 에칭한다. 이 제 1 에칭에 의해 구리로 이루어지는 제 1 층(201)의 보호막(203)을 갖지 않는 표면(201a) 부분이 에칭되어, 예를 들면 에칭 구멍(201b)이 형성된다. 이때 스테인리스강으로 이루어지는 제 2 층(202)의 보호막(204)을 갖지 않는 표면(202a) 부분은 에칭되지 않는다. 공정 (d)는 제 2 에칭 공정이다. 이 제 2 에칭 공정에서는 제 1 에칭 공정과는 상이한 스테인리스강에 적합한 에칭액을 사용하여 제 2 층(202)의 표면(202a)을 에칭한다. 이 제 2 에칭에 의해 스테인리스강으로 이루어지는 제 2 층(202)의 보호막(204)을 갖지 않는 표면(202a) 부분이 에칭되어, 예를 들면 에칭 구멍(202b)이 형성된다. 이때 구리로 이루어지는 제 1 층(201)의 보호막(203)을 갖지 않는 에칭 구멍(201b)은 에칭되지 않는다. 공정 (e)는 마무리 공정이다. 이 마무리 공정에서는 보호막(203) 및 보호막(204)이 제거되고, 클래드 판재(200a)의 전체 표면이 청정 처리되어 메탈 마스크(200)로 마무리된다. 이러한 공정을 거쳐 클래드 판재(200a)를 사용하여, 예를 들면 마스크 패턴(200f)을 갖고, 클래드 판재(200a)와 대략 동등한 두께(T₂₀₀)이며, 구리 및 스테인리스강으로 이루어지는 2층 구조의 메탈 마스크(200)가 얻어진다. In addition, for example, Patent Document 2 discloses a method of manufacturing a metal thick film metal mask used for screen printing. This metal mask is manufactured by the process shown in FIG. In Fig. 2, step (a) is a material preparation step. In this material preparation step, a cladding plate 200a having a two-layer structure in which two kinds of metals to be a metal mask are bonded is prepared. Although the thickness of the clad plate 200a is not described in Patent Document 2, it is considered that the clad plate 200a has a thickness T ₂₀₀ corresponding to the metal mask for a thick film. The cladding plate 200a is made of, for example, a first layer 201 made of copper, and a second layer 202 made of stainless steel, which is different from the first layer 201. In addition, since the etching solution suitable for copper and the etching solution suitable for stainless steel are heterogeneous, the first layer 201 made of copper is not etched with an etching solution suitable for the second layer 202 made of stainless steel. The second layer 202 is not etched with an etching solution suitable for the first layer 201 made of copper. Step (b) is a coating step. In this coating process, a protective film 203 for forming a predetermined etching pattern is formed on the surface 201a of the first layer 201, and a predetermined etching pattern is formed on the surface 202a of the second layer 202. To form a protective film 204 for doing so. Step (c) is a first etching step. In this first etching step, the surface 201a of the first layer 201 is etched using an etching solution suitable for copper. By this first etching, a portion of the surface 201a that does not have the protective film 203 of the first layer 201 made of copper is etched to form, for example, an etching hole 201b. At this time, the portion of the surface 202a that does not have the protective film 204 of the second layer 202 made of stainless steel is not etched. Step (d) is a second etching step. In this second etching step, the surface 202a of the second layer 202 is etched using an etching solution suitable for stainless steel different from the first etching step. By this second etching, the portion of the surface 202a that does not have the protective film 204 of the second layer 202 made of stainless steel is etched, so that, for example, an etching hole 202b is formed. At this time, the etching hole 201b that does not have the protective film 203 of the first layer 201 made of copper is not etched. Step (e) is a finishing step. In this finishing process, the protective film 203 and the protective film 204 are removed, and the entire surface of the clad plate material 200a is cleaned and finished with the metal mask 200. Through such a process, using the clad plate 200a, for example, has a mask pattern 200f, has a thickness T _{200 that} is approximately equal to that of the clad plate 200a, and has a two-layer structure made of copper and stainless steel. A mask 200 is obtained.

일본 특허 제643072호 공보Japanese Patent No. 643072 일본 특허 공보 소 62-21629호 공보Japanese Patent Publication No. 62-21629

최근 마스크 패턴의 추가적인 고정세화가 요망되어 있다. 그것을 위해서는 메탈 마스크의 두께를 더 박육화할 필요가 있다. 목표로 하는 메탈 마스크의 두께는, 예를 들면 20㎛ 이하이며, 바람직하게는 15㎛ 이하이다. 상술한 단층 구조의 금속 판재(100a)의 두께(T₁₀₀)는, 예를 들면 10㎛ 이상 50㎛ 이하이지만 이러한 박육의 금속 판재는 주름이나 꺾임 등의 문제가 발생하기 쉬워진다. 예를 들면, 20㎛의 두께의 금속 판재를 더 박육화하는 것은 기술적으로 가능하지만 단순하게 박육화된 금속 판재는 기계적 강도의 저하에 의해 핸들링이 곤란해진다. 상술한 2층 구조의 클래드 판재(200a)는 후막용 메탈 마스크에 상응하는 두께를 갖는다고 생각된다. 이러한 2층 구조의 클래드 판재의 추가적인 박육화를 단순하게 행하면 두께 방향(도 2에 나타내는 Z 방향)에 있어서의 층 구조의 비대칭성이 클래드 판재에 큰 휨을 발생시킨다. 그 때문에, 예를 들면 20㎛ 이하의 두께의 클래드 판재를 얻는 것은 기술적으로 용이하지 않다. 큰 휨을 갖는 클래드 판재는 핸들링이 곤란하고, 메탈 마스크의 제조도 용이하지 않다. 이러한 사정으로부터 메탈 마스크의 추가적인 박육화를 가능하게 하는 메탈 마스크용 판재의 개발이 필요하다.In recent years, additional high definition of mask patterns is desired. For this, it is necessary to further reduce the thickness of the metal mask. The thickness of the target metal mask is, for example, 20 µm or less, and preferably 15 µm or less. The thickness T ₁₀₀ of the single-layered metal plate 100a is, for example, 10 µm or more and 50 µm or less, but such a thin metal sheet is liable to cause problems such as wrinkles and breaks. For example, it is technically possible to further thin a metal plate material having a thickness of 20 μm, but a simple thin metal plate material becomes difficult to handle due to a decrease in mechanical strength. It is considered that the above-described two-layered clad plate 200a has a thickness corresponding to that of a metal mask for a thick film. If such a two-layered clad plate is further thinned, the asymmetry of the layer structure in the thickness direction (Z direction shown in Fig. 2) causes a large warpage in the clad plate. Therefore, it is not technically easy to obtain a clad plate material having a thickness of, for example, 20 µm or less. A clad plate material having a large warp is difficult to handle, and it is not easy to manufacture a metal mask. From these circumstances, it is necessary to develop a plate material for a metal mask that enables additional thickness reduction of the metal mask.

메탈 마스크용 판재의 개발에 있어서는 박육화 및 핸들링의 용이화에 추가하여 바람직하게는 메탈 마스크의 생산성이 종래 동등하게 확보되는 것, 보다 바람직하게는 메탈 마스크의 생산성이 향상되는 것이 기대되어 있다. 상술한 단일종의 금속 판재(100a)를 사용하는 메탈 마스크의 제조 방법으로는 적어도 2회의 피복 공정 및 2회의 에칭 공정이 필요하게 된다. 또한, 상술한 이종의 금속이 접합된 2층 구조의 클래드 판재(200a)를 사용하는 메탈 마스크의 제조 방법에서는 단일종의 금속 판재(100a)를 사용하는 방법에 비해서 피복 공정의 저감이 가능해진다. 그러나 2층 구조의 클래드 판재(200a)를 사용하는 방법이어도 마스크 패턴(200f)을 형성하는 데에 적어도 2회의 에칭 공정이 필요하게 되고, 각각의 에칭 공정에서 사용하는 에칭액을 공용할 수가 없다. 그 때문에 메탈 마스크용 판재의 바람직한 변화가 메탈 마스크의 제조 프로세스를 바람직하게 변화시키고, 메탈 마스크의 생산성 향상으로 이어질 가능성이 있다.In the development of plate materials for metal masks, in addition to thickness reduction and ease of handling, it is expected that the productivity of the metal mask is preferably equally secured in the prior art, and more preferably, the productivity of the metal mask is improved. As a method of manufacturing a metal mask using the above-described single type of metal plate 100a, at least two coating steps and two etching steps are required. In addition, in the method of manufacturing a metal mask using the two-layered clad plate 200a to which different types of metals are bonded, the coating process can be reduced compared to the method of using a single type of metal plate 100a. However, even in the method of using the two-layered clad plate 200a, at least two etching steps are required to form the mask pattern 200f, and the etching solution used in each etching step cannot be shared. Therefore, there is a possibility that a desirable change in the plate material for a metal mask favorably changes the manufacturing process of the metal mask and leads to an improvement in productivity of the metal mask.

이 발명은 핸들링이 용이하며, 메탈 마스크의 박육화가 가능하고, 바람직하게는 메탈 마스크의 생산성 향상을 가능하게 하는 메탈 마스크용 판재를 제공하고, 이 메탈 마스크용 판재를 사용한 메탈 마스크를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a plate material for a metal mask that facilitates handling, enables thinning of a metal mask, and preferably improves productivity of a metal mask, and provides a metal mask using the plate material for metal masks. To do.

본 발명자들은 2종의 금속이 접합된 2층 구조의 클래드 판재에 있어서 동질의 에칭액으로 에칭이 가능한 2종의 금속을 접합함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여 메탈 마스크용 클래드 판재에 의한 발명의 구성에 상도했다.The inventors of the present invention discovered that the above problem can be solved by bonding two types of metals that can be etched with the same etching solution in a clad plate having a two-layer structure in which two types of metals are bonded. I thought about the composition.

메탈 마스크용 클래드 판재에 의한 발명 중 하나는 두께 방향으로 절단된 단면으로부터 볼 때에 있어서 Ni 및 Co 중 1종 이상을 30질량% 이상 50질량% 이하의 범위로 포함하는 Fe기 합금으로 이루어지는 기재층과, 상기 기재층의 일방측에 압접되어 있는 제 1 캐리어층을 구비하고, 상기 기재층 및 상기 제 1 캐리어층은 동질의 에칭액으로 에칭이 가능하며, 상기 기재층은 상기 제 1 캐리어층보다 상기 에칭액에 대하여 고내식인 메탈 마스크용 클래드 판재이다. 이 발명에 있어서 동등한 환경하에서 동질의 에칭액을 사용하여 에칭을 행하고, 상기 기재층의 부식 감량을 M_b라고 하고, 상기 제 1 캐리어층의 부식 감량을 M_C1이라고 할 때 상기 기재층 및 상기 제 1 캐리어층은 M_b/M_c1≤0.9의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.One of the inventions of a clad plate for a metal mask is a substrate layer made of an Fe-based alloy containing at least one of Ni and Co in a range of 30% by mass or more and 50% by mass or less as viewed from a cross section cut in the thickness direction, and And a first carrier layer press-contacted to one side of the substrate layer, the substrate layer and the first carrier layer can be etched with a same etching solution, and the substrate layer is the etching solution than the first carrier layer It is a clad plate for metal masks with high corrosion resistance. In this invention, when etching is performed using a homogeneous etchant under the same environment, the corrosion loss of the base layer is M _b , and the corrosion loss of the first carrier layer is M _C1 , the base layer and the first It is preferable that the carrier layer satisfies the relationship of M _b /M _{c1 ?} 0.9.

또한, 메탈 마스크용 클래드 판재에 의한 발명 중 하나는 두께 방향으로 절단된 단면으로 볼 때에 있어서 Ni 및 Co 중 1종 이상을 30질량% 이상 50질량% 이하의 범위로 포함하는 Fe기 합금으로 이루어지는 기재층과, 상기 기재층의 일방측에 압접되어 있는 제 1 캐리어층과, 상기 기재층의 타방측에 압접되어 있는 제 2 캐리어층을 구비하고, 상기 기재층 및 상기 제 1 캐리어층은 동질의 에칭액으로 에칭이 가능하며, 상기 기재층은 상기 제 1 캐리어층 및 상기 제 2 캐리어층보다 상기 에칭액에 대하여 고내식인 메탈 마스크용 클래드 판재이다. 본 발명에 있어서 동등한 환경하에서 동질의 에칭액을 사용하여 에칭을 행하고, 상기 기재층의 부식 감량을 M_b라고 하고, 상기 제 1 캐리어층의 부식 감량을 M_C1이라고 하고, 상기 제 2 캐리어층의 부식 감량을 M_C2라고 할 때 상기 기재층, 상기 제 1 캐리어층, 및 상기 제 2 캐리어층은 M_b/M_c1≤0.9 및 M_b/M_c2≤0.9의 관계를 만족하는 것이 바람직하다.In addition, one of the inventions of the clad plate for a metal mask is a substrate made of an Fe-based alloy containing at least one of Ni and Co in the range of 30% by mass or more and 50% by mass or less when viewed from a cross section cut in the thickness direction. A layer, a first carrier layer press-contacted to one side of the substrate layer, and a second carrier layer press-contacted to the other side of the substrate layer, and the substrate layer and the first carrier layer are of the same etching solution Etching is possible, and the base layer is a clad plate material for a metal mask that is more corrosion resistant to the etching solution than the first carrier layer and the second carrier layer. In the present invention, etching is performed using a homogeneous etching solution under the same environment, the corrosion loss of the substrate layer is referred to as M _b , the corrosion loss of the first carrier layer is referred to as M _{C 1} , and the corrosion of the second carrier layer When the weight loss is M _C2 , it is preferable that the base layer, the first carrier layer, and the second carrier layer satisfy the relationship of M _b /M _{c1 ?} 0.9 and M _b /M _{c2 ?} 0.9.

상기 어느 하나의 메탈 마스크용 클래드 판재를 사용하여 메탈 마스크에 의한 발명의 구성에 상도했다. 즉, 메탈 마스크에 의한 발명 중 하나는 상기 기재층 및 상기 제 1 캐리어층을 구비하는 상기 어느 하나의 메탈 마스크용 클래드 판재 또는 상기 기재층, 상기 제 1 캐리어층, 및 상기 제 2 캐리어층을 구비하는 상기 어느 하나의 메탈 마스크용 클래드 판재를 사용하여 형성된 메탈 마스크로서, 상기 기재층을 구성하는 상기 Fe기 합금으로 이루어지는 메탈 마스크이다.Using any of the above cladding plates for metal masks, the invention was conceived with a metal mask. That is, one of the inventions based on a metal mask is provided with a cladding plate or the base layer, the first carrier layer, and the second carrier layer for any one of the metal masks having the base layer and the first carrier layer. A metal mask formed using any of the above cladding plates for metal masks, which is a metal mask made of the Fe-based alloy constituting the base layer.

또한, 메탈 마스크에 의한 발명 중 하나는 상기 기재층 및 상기 제 1 캐리어층을 구비하는 상기 어느 하나의 메탈 마스크용 클래드 판재 또는 상기 기재층, 상기 제 1 캐리어층, 및 상기 제 2 캐리어층을 구비하는 상기 어느 하나의 메탈 마스크용 클래드 판재를 사용하여 형성된 메탈 마스크로서, 상기 기재층을 구성하는 상기 Fe기 합금으로 이루어지는 제 1 금속층과, 상기 제 1 캐리어층을 구성하는 금속으로 이루어지는 제 2 금속층을 구비하고, 상기 제 1 금속층과 상기 제 2 금속층이 접합되어 이루어지는 메탈 마스크이다.In addition, one of the inventions according to the metal mask is provided with the base layer and the first carrier layer, the cladding plate or the base layer, the first carrier layer, and the second carrier layer for any one of the metal masks A metal mask formed using any of the above cladding plates for metal masks, comprising: a first metal layer made of the Fe-based alloy constituting the base layer, and a second metal layer made of a metal constituting the first carrier layer. And is a metal mask formed by bonding the first metal layer and the second metal layer.

또한, 메탈 마스크에 의한 발명 중 하나는 상기 기재층, 상기 제 1 캐리어층, 및 상기 제 2 캐리어층을 구비하는 상기 어느 하나의 메탈 마스크용 클래드 판재를 사용하여 형성된 메탈 마스크로서, 상기 기재층을 구성하는 상기 Fe기 합금으로 이루어지는 제 1 금속층과, 상기 제 1 캐리어층을 구성하는 금속으로 이루어지는 제 2 금속층과, 상기 제 2 캐리어층을 구성하는 금속으로 이루어지는 제 3 금속층을 구비하고. 상기 제 2 금속층과, 상기 제 1 금속층과, 상기 제 3 금속층이 이 순서로 접합되어 이루어지는 메탈 마스크이다.In addition, one of the inventions based on a metal mask is a metal mask formed using a clad plate for a metal mask including the base layer, the first carrier layer, and the second carrier layer, wherein the base layer is A first metal layer made of the Fe-based alloy constituting, a second metal layer made of a metal constituting the first carrier layer, and a third metal layer made of a metal constituting the second carrier layer. It is a metal mask formed by bonding the second metal layer, the first metal layer, and the third metal layer in this order.

이 발명에 의하면 핸들링이 용이하며, 메탈 마스크의 박육화를 가능하게 하는 메탈 마스크용 클래드 판재가 얻어진다. 이 메탈 마스크용 클래드 판재를 사용하면 핸들링이 용이하며, 종래보다 박육의 메탈 마스크가 얻어진다. 또한, 이 메탈 마스크용 클래드 판재를 사용하면 메탈 마스크의 생산성 향상을 기대할 수 있다.According to this invention, a cladding plate material for a metal mask which is easy to handle and enables thinning of the metal mask is obtained. When this cladding plate for metal masks is used, handling is easy, and a thin metal mask can be obtained than before. Moreover, when this clad plate material for metal masks is used, productivity improvement of a metal mask can be expected.

도 1은 종래 기술로서 단일종의 금속으로 이루어지는 단층 구조의 금속 판재를 사용한 메탈 마스크의 제조 방법에 대해서 설명하기 위해 나타내는 도면이다.
도 2는 종래 기술로서 2종의 금속이 접합된 2층 구조의 클래드 판재를 사용한 메탈 마스크의 제조 방법에 대해서 설명하기 위해 나타내는 도면이다.
도 3은 이 발명의 일실시형태로서 2층 구조의 메탈 마스크용 클래드 판재의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4는 이 발명의 일실시형태로서 3층 구조의 메탈 마스크용 클래드 판재의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5는 이 발명의 일실시형태로서 3층 구조의 메탈 마스크용 클래드 판재의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 6은 이 발명의 일실시형태로서 단층 구조의 메탈 마스크의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7은 이 발명의 일실시형태로서 단층 구조의 메탈 마스크의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 8은 이 발명의 일실시형태로서 2층 구조의 메탈 마스크의 일례를 나타내는 도면이다.
도 9는 이 발명의 일실시형태로서 2층 구조의 메탈 마스크의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 10은 이 발명의 일실시형태로서 3층 구조의 메탈 마스크의 일례를 나타내는 도면이다.
도 11은 이 발명의 일실시형태로서 3층 구조의 메탈 마스크의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 12는 2층 구조의 메탈 마스크용 클래드 판재를 사용한 메탈 마스크의 제조 방법에 대해서 설명하기 위해 나타내는 도면이다.
도 13은 2층 구조의 메탈 마스크용 클래드 판재를 사용한 메탈 마스크의 제조 방법에 대해서 설명하기 위해 나타내는 도면이다.
도 14는 2층 구조의 메탈 마스크용 클래드 판재를 사용한 메탈 마스크의 제조 방법에 대해서 설명하기 위해 나타내는 도면이다.
도 15는 2층 구조의 메탈 마스크용 클래드 판재를 사용한 메탈 마스크의 제조 방법에 대해서 설명하기 위해 나타내는 도면이다.
도 16은 2층 구조의 메탈 마스크용 클래드 판재를 사용한 메탈 마스크의 제조 방법에 대해서 설명하기 위해 나타내는 도면이다.
도 17은 3층 구조의 메탈 마스크용 클래드 판재를 사용한 메탈 마스크의 제조 방법에 대해서 설명하기 위해 나타내는 도면이다.
도 18은 3층 구조의 메탈 마스크용 클래드 판재를 사용한 메탈 마스크의 제조 방법에 대해서 설명하기 위해 나타내는 도면이다.
도 19는 3층 구조의 메탈 마스크용 클래드 판재를 사용한 메탈 마스크의 제조 방법에 대해서 설명하기 위해 나타내는 도면이다.
도 20은 3층 구조의 메탈 마스크용 클래드 판재를 사용한 메탈 마스크의 제조 방법에 대해서 설명하기 위해 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a method of manufacturing a metal mask using a single-layered metal plate made of a single type of metal as a conventional technique.
FIG. 2 is a diagram illustrating a method of manufacturing a metal mask using a clad plate having a two-layer structure in which two types of metals are bonded as a conventional technique.
3 is a view showing an example of a cladding plate for a metal mask having a two-layer structure as an embodiment of the present invention.
4 is a diagram showing an example of a cladding plate for a metal mask having a three-layer structure as an embodiment of the present invention.
Fig. 5 is a view showing another example of a cladding plate for a metal mask having a three-layer structure as an embodiment of the present invention.
6 is a diagram showing an example of a metal mask having a single layer structure as an embodiment of the present invention.
7 is a diagram showing another example of a metal mask having a single layer structure as an embodiment of the present invention.
8 is a diagram showing an example of a two-layered metal mask as an embodiment of the present invention.
9 is a diagram showing another example of a two-layered metal mask as an embodiment of the present invention.
10 is a diagram showing an example of a three-layered metal mask as an embodiment of the present invention.
11 is a diagram showing another example of a metal mask having a three-layer structure as an embodiment of the present invention.
12 is a diagram illustrating a method of manufacturing a metal mask using a cladding plate material for a metal mask having a two-layer structure.
13 is a diagram illustrating a method of manufacturing a metal mask using a cladding plate material for a metal mask having a two-layer structure.
14 is a diagram illustrating a method of manufacturing a metal mask using a cladding plate material for a metal mask having a two-layer structure.
15 is a diagram illustrating a method of manufacturing a metal mask using a cladding plate material for a metal mask having a two-layer structure.
16 is a diagram illustrating a method of manufacturing a metal mask using a cladding plate material for a metal mask having a two-layer structure.
Fig. 17 is a diagram illustrating a method of manufacturing a metal mask using a clad plate material for a metal mask having a three-layer structure.
Fig. 18 is a diagram illustrating a method of manufacturing a metal mask using a clad plate material for a metal mask having a three-layer structure.
19 is a diagram illustrating a method of manufacturing a metal mask using a clad plate material for a metal mask having a three-layer structure.
Fig. 20 is a diagram illustrating a method of manufacturing a metal mask using a clad plate material for a metal mask having a three-layer structure.

이 발명에 대해서 이 발명에 의한 메탈 마스크용 클래드 판재를 구체화한 실시형태를 들어서 설명한다.With respect to this invention, an embodiment in which the cladding plate material for a metal mask according to this invention is embodied will be described.

<제 1 실시형태><First embodiment>

본 발명에 의한 메탈 마스크용 클래드 판재의 제 1 실시형태를 도 3에 나타낸다. 도 3은 두께 방향(Z 방향)으로 절단된 메탈 마스크용 클래드 판재(1S)(이하 「클래드 판재(1S)」라고 한다)의 단면으로부터 본 도면이다.Fig. 3 shows a first embodiment of a clad plate for a metal mask according to the present invention. Fig. 3 is a view viewed from a cross section of a clad plate material 1S for a metal mask (hereinafter referred to as "clad plate material 1S") cut in the thickness direction (Z direction).

클래드 판재(1S)는 두께 방향으로 절단된 단면으로부터 볼 때에 있어서 2층 구조이다. 클래드 판재(1S)(두께(T_1S))는 기재층(10)(두께(t0))과 기재층(10)의 일방측(Z1측)에 압접되어 있는 제 1 캐리어층(11)(두께(t1))을 구비하고 있다. 기재층(10)과 제 1 캐리어층(11)의 압접 형태는, 예를 들면 기재층(10)을 구성하기 위한 판재와, 제 1 캐리어층(11)을 구성하기 위한 판재를 중합한 상태로 압연(클래드 압연)하고, 필요에 따라서 확산 어닐링을 행함으로써 얻어진다. 또한, 클래드 판재(1S)는 특허 청구범위의 「메탈 마스크용 클래드 판재」의 일례이며, 기재층(10)은 특허 청구범위의 「기재층」의 일례이며, 제 1 캐리어층(11)은 특허 청구범위의 「제 1 캐리어층」의 일례이다.The cladding plate 1S has a two-layer structure when viewed from a cross section cut in the thickness direction. The cladding plate 1S (thickness T _1S ) is the first carrier layer 11 (thickness) that is in pressure contact with the base layer 10 (thickness t0) and one side (Z1 side) of the base layer 10 (t1)). The pressure-welding form of the substrate layer 10 and the first carrier layer 11 is a state in which a plate material for constituting the substrate layer 10 and a plate material for constituting the first carrier layer 11 are superposed. It is obtained by rolling (cladding rolling) and performing diffusion annealing as necessary. In addition, the cladding plate 1S is an example of the ``metal mask cladding plate'' in the claims, the base layer 10 is an example of the ``substrate layer'' in the claims, and the first carrier layer 11 is a patent It is an example of the "first carrier layer" of the claims.

클래드 판재(1S)를 구성하는 기재층(10)은 메탈 마스크의 주체로 할 수 있다. 이 경우, 기재층(10) 부분으로 이루어지는 단층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하고, 기재층(10) 부분과 제 1 캐리어층(11) 부분으로 이루어지는 2층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하다. 상술한 바와 같이 목표로 하는 메탈 마스크의 두께는, 예를 들면 20㎛ 이하이며, 바람직하게는 15㎛ 이하이다. 이 목표에 비추어 박육화의 관점으로부터 클래드 판재(1S)의 두께(T_1S)의 상한값 또는 기재층(10) 부분을 메탈 마스크의 주체가 될 경우의 기재층(10)의 두께(t0)의 상한값은 바람직하게는 20㎛ 이하, 보다 바람직하게는 15㎛ 이하, 보다 한층 바람직하게는 10㎛ 이하이다. 또한, 핸들링의 용이화의 관점으로부터 클래드 판재(1S)의 두께(T_1S)의 하한값 또는 기재층(10) 부분을 메탈 마스크의 주체로 할 경우의 기재층(10)의 두께(t0)의 하한값은 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 3㎛ 이상, 보다 한층 바람직하게는 5㎛ 이상이다. 클래드 판재(1S)의 두께(T_1S)가 얇을수록, 또는 기재층(10)이 메탈 마스크의 주체가 될 경우에는 기재층(10)의 두께(t0)가 얇을수록 에칭에 있어서의 사이드 에칭의 양이 억제되기 때문에 에칭에 의해 형성된 에칭 구멍 등의 마스크 패턴의 치수 정밀도가 개선되어 보다 고정세한 마스크 패턴을 갖는 메탈 마스크를 얻는 것이 가능해진다.The base layer 10 constituting the clad plate 1S can be a main body of a metal mask. In this case, it is possible to obtain a single-layered metal mask composed of a portion of the base layer 10, and a two-layered metal mask composed of a portion of the base layer 10 and the first carrier layer 11 may be obtained. . As described above, the target thickness of the metal mask is, for example, 20 µm or less, and preferably 15 µm or less. In view of this goal, from the viewpoint of thinning, the upper limit of the thickness (T _1S ) of the clad plate 1S or the upper limit of the thickness (t0) of the base layer 10 when the base layer 10 is the main body of the metal mask is It is preferably 20 µm or less, more preferably 15 µm or less, and even more preferably 10 µm or less. In addition, from the viewpoint of ease of handling, the lower limit of the thickness (T _1S ) of the clad plate 1S or the lower limit of the thickness (t0) of the base layer 10 when the base layer 10 is the main body of the metal mask Is preferably 1 µm or more, more preferably 3 µm or more, and even more preferably 5 µm or more. The thickness (T _1S) of the cladding plate (1S) thinner, or if the substrate layer 10 is to be the subject of the metal mask, the more the thickness (t0) of the substrate layer 10 thinner in the side etching in the etching Since the amount is suppressed, the dimensional accuracy of a mask pattern such as an etching hole formed by etching is improved, and it becomes possible to obtain a metal mask having a more precise mask pattern.

클래드 판재(1S)를 구성하는 기재층(10)은 Fe기 합금으로 이루어진다. 이 Fe기 합금은 Ni(니켈) 및 Co(코발트) 중 1종 이상을 30질량% 이상 50질량% 이하의 범위로 포함한다. Ni 및 Co를 제외하는 잔부는 Fe(철) 및 불가피적 불순물이어도 좋고, 또한 1종 이상의 첨가 원소를 포함하고 있어도 좋다. 또한, Ni 및 Co를 포함하는 Fe기 합금은 Co가 10질량% 이하(즉, Ni가 20질량% 이상 40질량% 이하)인 것이 바람직하다. Fe에 대하여 Ni 및 Co 중 1종 이상을 30질량% 이상 50질량% 이하의 범위로 포함하는 Fe기 합금은, 예를 들면 유기 EL 소자용 메탈 마스크의 사용에 있어서 증착 시의 가열 변형(비틀림)을 억제하는 데에 유효한 선팽창계수가 작은 경우가 많아 메탈 마스크용 판재를 구성하는 데에 적합하다. 이 Fe기 합금은 Ni 및 Co 이외의 원소(첨가 원소)를 10질량% 이하의 범위로 포함하는 경우가 있다. 첨가 원소는, 예를 들면 Mn(망간), Mo(몰리브덴), Nb(니오브), 및 Cr(크롬) 등이다. 이들의 첨가 원소를 0질량% 이상 10질량% 이하의 범위로 포함하는 Fe기 합금은 0.2% 내력, 인장 강도, 신장, 영률, 경도, 선팽창계수 등 메탈 마스크용 판재를 구성하는 금속 재료로서 바람직한 기계적 강도 및 제반 특성을 가질 가능성이 있다. 상술한 Fe기 합금으로 이루어지는 기재층(10)은 상술한 Fe기 합금에 적합한 일반적인 에칭액(예를 들면, 염화제2철액 등)으로 에칭이 가능하다.The base layer 10 constituting the clad plate 1S is made of an Fe-based alloy. This Fe-based alloy contains at least one of Ni (nickel) and Co (cobalt) in a range of 30% by mass or more and 50% by mass or less. The balance excluding Ni and Co may be Fe (iron) and unavoidable impurities, or may contain one or more additional elements. In addition, it is preferable that the Fe-based alloy containing Ni and Co has 10 mass% or less of Co (that is, 20 mass% or more and 40 mass% or less of Ni). Fe-based alloys containing at least one of Ni and Co in the range of 30% by mass or more and 50% by mass or less with respect to Fe are thermally deformed (twisted) during vapor deposition in the use of a metal mask for an organic EL device, for example. In many cases, the coefficient of linear expansion, which is effective for suppressing the, is small and is suitable for constituting a plate for metal masks. This Fe-based alloy may contain elements (additional elements) other than Ni and Co in a range of 10% by mass or less. The additional elements are, for example, Mn (manganese), Mo (molybdenum), Nb (niobium), and Cr (chromium). Fe-based alloys containing these additive elements in the range of 0% by mass to 10% by mass are preferable as a metal material constituting a plate for metal masks such as 0.2% proof strength, tensile strength, elongation, Young's modulus, hardness, and coefficient of linear expansion. It has the potential to have strength and various characteristics. The substrate layer 10 made of the above-described Fe-based alloy can be etched with a general etching solution suitable for the above-described Fe-based alloy (eg, ferric chloride solution, etc.).

클래드 판재(1S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11)은 기재층(10)의 일방측(Z1측)에 압접되어 있다. 제 1 캐리어층(11)은 메탈 마스크의 주체가 되는 박육화된 기재층(10)의 보강에 유효하며, 박육의 클래드 판재(1S)의 기계적 강도의 향상에 유효하다. 제 1 캐리어층(11)은 박육화된 기재층(10)의 캐리어가 되며, 박육화된 기재층(10)의 핸들링을 용이화하고, 기재층(10)을 포함하는 클래드 판재(1S)의 큰 휨을 억제하여 에칭의 안정화에 기여한다. 또한, 제 1 캐리어층(11)은 기재층(10)과 마찬가지로 메탈 마스크의 주체로 할 수 있다. 이 경우, 제 1 캐리어층(11) 부분으로 이루어지는 단층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하고, 제 1 캐리어층(11) 부분과 기재층(10) 부분으로 이루어지는 2층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하다. 제 1 캐리어층(11)의 두께(t1)는 기재층(10)의 제반 특성에 추가하여 클래드 판재(1S) 전체의 제반 특성을 고려해서 설정하면 좋다. 예를 들면, 핸들링의 용이화의 관점으로부터 기재층(10)의 보강을 목적으로 할 경우 제 1 캐리어층(11)의 두께(t1)는 바람직하게는 5㎛ 이상 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상 100㎛ 이하이다. 예를 들면, 제 1 캐리어층(11) 부분을 메탈 마스크의 주체로 할 경우에는 제 1 캐리어층(11)의 두께(t1)의 상한값은 바람직하게는 20㎛ 이하, 보다 바람직하게는 15㎛ 이하, 보다 한층 바람직하게는 10㎛ 이하이다.The first carrier layer 11 constituting the clad plate material 1S is press-bonded to one side (Z1 side) of the base layer 10. The first carrier layer 11 is effective for reinforcing the thinned base layer 10 that is the main body of the metal mask, and is effective for improving the mechanical strength of the thin clad plate 1S. The first carrier layer 11 becomes a carrier of the thinned base layer 10, facilitates handling of the thinned base layer 10, and prevents large bending of the clad plate 1S including the base layer 10. Suppression and contributes to the stabilization of etching. In addition, the first carrier layer 11 can be used as a main body of a metal mask, similarly to the base layer 10. In this case, it is also possible to obtain a single-layer metal mask composed of the first carrier layer 11 portion, and also obtain a two-layer metal mask composed of the first carrier layer 11 portion and the base layer 10 portion. It is possible. The thickness t1 of the first carrier layer 11 may be set in consideration of the characteristics of the entire clad plate 1S in addition to the characteristics of the base layer 10. For example, in the case of reinforcing the base layer 10 from the viewpoint of ease of handling, the thickness t1 of the first carrier layer 11 is preferably 5 μm or more and 100 μm or less, more preferably It is 20 micrometers or more and 100 micrometers or less. For example, in the case of using the first carrier layer 11 as the main body of the metal mask, the upper limit of the thickness t1 of the first carrier layer 11 is preferably 20 μm or less, more preferably 15 μm or less. , More preferably, it is 10 micrometers or less.

제 1 캐리어층(11)은 기재층(10)의 에칭이 가능한 에칭액으로 에칭 가능하다. 즉, 기재층(10) 및 제 1 캐리어층(11)은 동질의 에칭액(예를 들면, 염화제2철액 등)으로 동시에 에칭이 가능하다. 이 발명에서는 기재층(10)과 제 1 캐리어층(11)이 동시에 에칭 가능한 경우에 있어서 그 에칭액에 대하여 기재층(10)은 제 1 캐리어층(11)보다 고내식이면 좋다. 이에 따라 이 에칭액으로 기재층(10) 및 제 1 캐리어층(11)의 에칭을 동시에 개시했을 경우, 기재층(10)은 제 1 캐리어층(11)보다 에칭되기 어렵기 때문에 제 1 캐리어층(11)의 에칭 속도보다 기재층(10)의 에칭 속도를 느리게 할 수 있다. 따라서, 예를 들면 기재층(10) 및 제 1 캐리어층(11)에 대하여 동시에 에칭 구멍을 형성할 때에 기재층(10)의 표면(Z2측)으로부터 Z1측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이가 제 1 캐리어층(11)의 표면(Z1측)으로부터 Z2측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이보다 얕아진다. 이러한 에칭 구멍의 깊이의 차가 얻어지는 메탈 마스크용 판재(클래드 판재(1S))를 사용하면 일방면측에 배치된 구멍의 깊이와 타방면측에 배치된 구멍의 깊이가 상이한 마스크 패턴을 갖는 메탈 마스크의 구성이 가능해진다.The first carrier layer 11 can be etched with an etching solution capable of etching the base layer 10. That is, the base layer 10 and the first carrier layer 11 can be simultaneously etched with a homogeneous etching solution (eg, ferric chloride solution). In this invention, in the case where the base layer 10 and the first carrier layer 11 can be etched at the same time, the base layer 10 may have higher corrosion resistance than the first carrier layer 11 with respect to the etching solution. Accordingly, when etching of the base layer 10 and the first carrier layer 11 is simultaneously started with this etching solution, the base layer 10 is more difficult to be etched than the first carrier layer 11, so the first carrier layer ( The etching rate of the base layer 10 can be made slower than that of 11). Therefore, for example, when the etching holes are simultaneously formed for the base layer 10 and the first carrier layer 11, the etching holes formed from the surface of the base layer 10 toward the Z1 side (Z2 side) The depth becomes shallower than the depth of the etching hole in which formation proceeds from the surface (Z1 side) of the first carrier layer 11 toward the Z2 side. When a metal mask plate material (clad plate material (1S)) from which the difference in the depth of the etching hole is obtained is used, the structure of a metal mask having a mask pattern in which the depth of the hole disposed on one side and the depth of the hole disposed on the other side are different. This becomes possible.

또한, 동등한 환경하에서 동질의 에칭액을 사용해서 클래드 판재(1S)의 에칭을 행하여 기재층(10)의 부식 감량을 M_b라고 하고, 제 1 캐리어층(11)의 부식 감량을 M_C1이라고 할 때 기재층(10) 및 제 1 캐리어층(11)은 M_b/M_c1≤0.9의 관계를 만족하는 것이 바람직하다. 이 관계를 만족하는 클래드 판재(1S)는 기재층(10) 및 제 1 캐리어층(11)을 동시에 에칭했을 때에 기재층(10)의 에칭 속도를 제 1 캐리어층(11)의 에칭 속도보다 확실히 느리게 할 수 있다. 이에 따라, 예를 들면 에칭 구멍을 동시에 형성하고자 했을 때 기재층(10)의 표면(Z2측)으로부터 Z1측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이를 제 1 캐리어층(11)의 표면(Z1측)으로부터 Z2측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이보다 확실히 얕게 할 수 있다. 또한, 동시에 에칭되는 기재층(10) 및 제 1 캐리어층(11)은 M_b/M_c1>0(M_b>0, M_c1>0)의 관계를 만족한다.In addition, when the clad plate 1S is etched using a homogeneous etching solution under the same environment, the corrosion loss of the base layer 10 is M _b , and the corrosion loss of the first carrier layer 11 is M _C1 . It is preferable that the base layer 10 and the first carrier layer 11 satisfy the relationship of M _b /M _c1 ≤ 0.9. The clad plate material 1S satisfying this relationship ensures that the etching rate of the base layer 10 is higher than that of the first carrier layer 11 when the base layer 10 and the first carrier layer 11 are simultaneously etched. You can do it slow. Accordingly, for example, when the etching hole is to be simultaneously formed, the depth of the etching hole formed from the surface (Z2 side) of the base layer 10 toward the Z1 side is determined as the surface of the first carrier layer 11 (Z1). The depth of the etching hole in which formation proceeds from the side) to the Z2 side can be made surely shallower. In addition, the base layer 10 and the first carrier layer 11 that are etched at the same time satisfy the relationship of M _b /M _c1 >0 (M _b >0, M _c1 >0).

일례를 들면, 약 32질량%의 Ni 및 약 5.5질량%의 Co를 포함하는 Fe기 합금으로 이루어지는 판재 A와, 약 36질량%의 Ni를 포함하는 Fe기 합금으로 이루어지는 판재 B를 각각 40질량% 농도의 염화제2철액(수용액)으로 에칭한 경우 판재 A의 부식 감량(M_A)과 판재 B의 부식 감량(M_B)의 비(M_A/M_B)는 약 0.89가 되는 것을 확인할 수 있었다. 이 관계를 갖는 판재 A를 기재층(10)(두께(t0))에, 판재 B를 제 1 캐리어층(11)(두께 t1=t0)에 각각 사용하여 클래드 판재(1S)를 구성했을 경우 상술한 M_b/M_c1은 약 0.89가 된다. 따라서 기재층(10) 및 제 1 캐리어층(11)은 M_b/M_c1≤0.9의 관계를 만족한다.For example, a plate A made of an Fe-based alloy containing about 32% by mass of Ni and about 5.5% by mass of Co, and a plate B made of an Fe-based alloy containing about 36% by mass of Ni are each 40% by mass. ratio (M _a / M _B) of the corrosion weight loss (M _a) and the corrosion loss (M _B) of the plate material B of the sheet material a when the etching with ferric chloride cheolaek (aqueous solution) in the concentration was confirmed to be about 0.89 . When the clad plate 1S is formed by using the plate material A having this relationship for the base layer 10 (thickness t0) and the plate material B for the first carrier layer 11 (thickness t1 = t0) One M _b /M _c1 is about 0.89. Therefore, the base layer 10 and the first carrier layer 11 satisfy the relationship of M _b /M _c1 ≤ 0.9.

클래드 판재(1S)는 0.2% 내력, 인장 강도, 신장, 영률, 경도, 선팽창계수 등 메탈 마스크에 적합한 기계적 강도 및 제반 특성을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 핸들링을 용이화하는 관점에서는 인장 강도가 크고, 영률이 큰 클래드 판재(1S)가 바람직하다. 이 경우, 클래드 판재(1S)는 특히 메탈 마스크의 주체가 되는 기재층(10)은 인장 강도가 700㎫ 이상이며, 영률이 100㎬이상인 것이 바람직하다. 또한, 예를 들면 유기 EL 소자용 메탈 마스크의 사용에 있어서 증착 시의 가열 변형(비틀림)을 억제하는 관점에서는 가열에 의해 발생하는 휨이 작은 클래드 판재(1S)가 바람직하고, 클래드 판재(1S)를 구성하는 기재층(10)의 선팽창계수와 제 1 캐리어층(11)의 선팽창계수의 차가 작은 것이 바람직하다. 이 경우, 기재층(10)의 선팽창계수가 5ppm/℃ 이하이며, 제 1 캐리어층(11)의 선팽창계수가 기재층(10)의 선팽창계수에 대하여 ±2ppm/℃ 이내인 것이 바람직하다.It is preferable that the clad plate 1S has a mechanical strength and various properties suitable for a metal mask such as 0.2% proof strength, tensile strength, elongation, Young's modulus, hardness, and coefficient of linear expansion. For example, from the viewpoint of facilitating handling, a clad plate material 1S having a large tensile strength and a large Young's modulus is preferable. In this case, it is preferable that the cladding plate 1S has a tensile strength of 700 MPa or more, and a Young's modulus of 100 GPa or more, in particular, the base layer 10 which is the main body of the metal mask. In addition, for example, in the use of a metal mask for an organic EL element, from the viewpoint of suppressing heating deformation (torsion) during vapor deposition, a clad plate material 1S having small warpage caused by heating is preferable, and a cladding plate material 1S It is preferable that the difference between the coefficient of linear expansion of the base layer 10 constituting a and the coefficient of linear expansion of the first carrier layer 11 is small. In this case, it is preferable that the linear expansion coefficient of the base layer 10 is 5 ppm/° C. or less, and the linear expansion coefficient of the first carrier layer 11 is within ±2 ppm/° C. with respect to the linear expansion coefficient of the base layer 10.

<제 2 실시형태><Second Embodiment>

이 발명에 의한 메탈 마스크용 클래드 판재의 제 2 실시형태를 도 4에 나타낸다. 또한, 도 4에서는 편의를 위해 도 3에 나타내는 부호를 원용한다. 도 4는 두께 방향(Z 방향)으로 절단된 메탈 마스크용 클래드 판재(2S)(이하 「클래드 판재(2S)」라고 한다)의 단면으로부터 본 도면이다. 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)와 도 3에 나타내는 클래드 판재(1S)는 층수가 상이하다. 클래드 판재(2S)에 구비되는 기재층(10) 및 제 1 캐리어층(11)은 클래드 판재(1S)에 구비되는 기재층(10) 및 제 1 캐리어층(11)과 동등 구성이어도 좋고, 동등 구성이 아니어도 좋다.Fig. 4 shows a second embodiment of the cladding plate for a metal mask according to the present invention. In addition, in FIG. 4, for convenience, reference numerals shown in FIG. 3 are used. Fig. 4 is a view viewed from a cross section of a clad plate material 2S for a metal mask (hereinafter referred to as "clad plate material 2S") cut in the thickness direction (Z direction). The clad plate material 2S shown in FIG. 4 and the clad plate material 1S shown in FIG. 3 have different numbers of layers. The substrate layer 10 and the first carrier layer 11 provided in the clad plate material 2S may have the same configuration as or equivalent to the substrate layer 10 and the first carrier layer 11 provided in the clad plate material 1S. It doesn't have to be a configuration.

클래드 판재(2S)는 두께 방향으로 절단된 단면으로부터 볼 때에 있어서 3층 구조이다. 클래드 판재(2S)(두께(T_2S))는 기재층(10)(두께(t0))과, 기재층(10)의 일방측(Z1측)에 압접되어 있는 제 1 캐리어층(11)(두께(t1))과, 기재층(10)의 타방측(Z2측)에 압접되어 있는 제 2 캐리어층(12)(두께(t2))을 구비하고 있다. 도 4에 나타내는 제 1 캐리어층(11)과 제 2 캐리어층(12)은 두께가 대략 동등(t1=t2)하다. 기재층(10)과, 제 1 캐리어층(11)과, 제 2 캐리어층(12)의 압접 형태는, 예를 들면 기재층(10)을 구성하기 위한 판재와, 제 1 캐리어층(11)을 구성하기 위한 판재와, 제 2 캐리어층(12)을 구성하기 위한 판재를 중합한 상태로 압연(클래드 압연)하고, 필요에 따라서 확산 어닐링을 행함으로써 얻어진다. 또한, 클래드 판재(2S)는 특허 청구범위의 「메탈 마스크용 클래드 판재」의 일례이며, 기재층(10)은 특허 청구범위의 「기재층」의 일례이며, 제 1 캐리어층(11)은 특허 청구범위의 「제 1 캐리어층」의 일례이며, 제 2 캐리어층(12)은 특허 청구범위의 「제 2 캐리어층」의 일례이다.The cladding plate material 2S has a three-layer structure when viewed from a cross section cut in the thickness direction. The clad plate material 2S (thickness T _2S ) is the first carrier layer 11 (thickness t0) and the first carrier layer 11 in pressure contact with one side (Z1 side) of the base layer 10 ( A thickness t1) and a second carrier layer 12 (thickness t2) that are pressure-contacted to the other side (Z2 side) of the base layer 10 are provided. The first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 shown in FIG. 4 have substantially the same thickness (t1 = t2). The substrate layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 are press-bonded, for example, a plate material for constituting the substrate layer 10, and the first carrier layer 11 It is obtained by rolling (cladding rolling) in a superposed state of the plate material for constituting the second carrier layer 12 and the plate material for constituting the second carrier layer 12, and performing diffusion annealing as necessary. In addition, the cladding plate 2S is an example of the ``metal mask cladding plate'' in the claims, the base layer 10 is an example of the ``substrate layer'' in the claims, and the first carrier layer 11 is a patent It is an example of the "first carrier layer" of the claims, and the second carrier layer 12 is an example of the "second carrier layer" of the claims.

클래드 판재(2S)를 구성하는 기재층(10)은 메탈 마스크의 주체로 할 수 있다. 이 경우, 기재층(10) 부분으로 이루어지는 단층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하고, 기재층(10) 부분과 제 1 캐리어층(11) 부분으로 이루어지는 2층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하고, 기재층(10) 부분과 제 2 캐리어층(12) 부분으로 이루어지는 2층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하고, 제 1 캐리어층(11) 부분과, 기재층(10) 부분과, 제 2 캐리어층(12) 부분으로 이루어지는 3층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하다. 상술한 바와 같이 목표로 하는 메탈 마스크의 두께는, 예를 들면 20㎛ 이하이며 바람직하게는 15㎛ 이하이다. 이 목표에 비추어 박육화의 관점으로부터 클래드 판재(2S)의 두께(T_2S)의 상한값 또는 기재층(10) 부분을 메탈 마스크의 주체로 할 경우의 기재층(10)의 두께(t0)의 상한값은 바람직하게는 20㎛ 이하, 보다 바람직하게는 15㎛ 이하, 보다 한층 바람직하게는 10㎛ 이하이다. 또한, 핸들링의 용이화의 관점으로부터 클래드 판재(2S)의 두께(T_2S)의 하한값 또는 기재층(10) 부분을 메탈 마스크의 주체가 될 경우의 기재층(10)의 두께(t0)의 하한값은 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 3㎛ 이상, 보다 한층 바람직하게는 5㎛ 이상이다. 클래드 판재(2S)의 두께(T_2S)가 얇을수록 또는 기재층(10) 부분을 메탈 마스크의 주체로 할 경우에는 기재층(10)의 두께(t0)가 얇을수록 에칭에 있어서의 사이드 에칭의 양이 억제되기 때문에 에칭에 의해 형성된 에칭 구멍 등의 마스크 패턴의 치수 정밀도가 개선되어 보다 고정세한 마스크 패턴을 갖는 메탈 마스크를 얻는 것이 가능해진다.The base layer 10 constituting the clad plate 2S can be a main body of a metal mask. In this case, it is possible to obtain a single-layer metal mask composed of a portion of the base layer 10, and a two-layer metal mask composed of a portion of the base layer 10 and the first carrier layer 11 may be obtained. , It is also possible to obtain a metal mask of a two-layer structure consisting of a portion of the substrate layer 10 and a portion of the second carrier layer 12, and the portion of the first carrier layer 11, the portion of the substrate layer 10, and the second It is also possible to obtain a metal mask having a three-layer structure composed of a portion of the carrier layer 12. As described above, the target thickness of the metal mask is, for example, 20 µm or less, and preferably 15 µm or less. In view of this goal, from the viewpoint of thinning, the upper limit of the thickness (T _2S ) of the clad plate 2S or the upper limit of the thickness (t0) of the base layer 10 in the case of using the base layer 10 as the main body of the metal mask is It is preferably 20 µm or less, more preferably 15 µm or less, and even more preferably 10 µm or less. In addition, from the viewpoint of ease of handling, the lower limit of the thickness (T _2S ) of the clad plate 2S or the lower limit of the thickness t0 of the base layer 10 when the base layer 10 is the main body of the metal mask. Is preferably 1 µm or more, more preferably 3 µm or more, and even more preferably 5 µm or more. When the thickness (T _2S), the cladding plate (2S) to a more or substrate layer 10 portions as thin as the main component of the metal mask, the side etching in the etching The thickness (t0) of the substrate layer 10 thin Since the amount is suppressed, the dimensional accuracy of a mask pattern such as an etching hole formed by etching is improved, and it becomes possible to obtain a metal mask having a more precise mask pattern.

클래드 판재(2S)를 구성하는 기재층(10)은 Fe기 합금으로 이루어진다. 이 Fe기 합금은 Ni 및 Co 중 1종 이상을 30질량% 이상 50질량% 이하의 범위로 포함한다. Ni 및 Co를 제외하는 잔부는 Fe 및 불가피적 불순물이어도 좋고, 또한 1종 이상의 첨가 원소를 포함하고 있어도 좋다. 또한, Ni 및 Co를 포함하는 Fe기 합금은 Co가 10질량% 이하(즉, Ni가 20질량% 이상 40질량% 이하)인 것이 바람직하다. Fe에 대하여 Ni 및 Co 중 1종 이상을 30질량% 이상 50질량% 이하의 범위로 포함하는 Fe기 합금은, 예를 들면 유기 EL 소자용 메탈 마스크의 사용에 있어서 증착 시의 가열 변형(비틀림)을 억제하는 데에 유효한 선팽창계수가 작은 경우가 많아 메탈 마스크용 판재를 구성하는 데에 적합하다. 이 Fe기 합금은 Ni 및 Co 이외의 원소(첨가 원소)를 10질량% 이하의 범위로 포함하는 경우가 있다. 첨가 원소는, 예를 들면 Mn, Mo, Nb, 및 Cr 등이다. 이들의 첨가 원소를 0질량% 이상 10질량% 이하의 범위로 포함하는 Fe기 합금은 0.2% 내력, 인장 강도, 신장, 영률, 경도, 선팽창계수 등 메탈 마스크용 판재를 구성하는 금속 재료로서 바람직한 기계적 강도 및 제반 특성을 가질 가능성이 있다. 상술한 Fe기 합금으로 이루어지는 기재층(10)은 상술한 Fe기 합금에 적합한 일반적인 에칭액(예를 들면, 염화제2철액 등)으로 에칭이 가능하다.The base layer 10 constituting the clad plate 2S is made of an Fe-based alloy. This Fe-based alloy contains at least one of Ni and Co in a range of 30% by mass or more and 50% by mass or less. The balance excluding Ni and Co may be Fe and unavoidable impurities, or may contain one or more additional elements. In addition, it is preferable that the Fe-based alloy containing Ni and Co has 10 mass% or less of Co (that is, 20 mass% or more and 40 mass% or less of Ni). Fe-based alloys containing at least one of Ni and Co in the range of 30% by mass or more and 50% by mass or less with respect to Fe are thermally deformed (twisted) during vapor deposition in the use of a metal mask for an organic EL device, for example. In many cases, the coefficient of linear expansion, which is effective for suppressing the, is small and is suitable for constituting a plate for metal masks. This Fe-based alloy may contain elements (additional elements) other than Ni and Co in a range of 10% by mass or less. Additional elements are, for example, Mn, Mo, Nb, and Cr. Fe-based alloys containing these additive elements in the range of 0% by mass to 10% by mass are preferable as a metal material constituting a plate for metal masks such as 0.2% proof strength, tensile strength, elongation, Young's modulus, hardness, and coefficient of linear expansion. It has the potential to have strength and various characteristics. The substrate layer 10 made of the above-described Fe-based alloy can be etched with a general etching solution suitable for the above-described Fe-based alloy (eg, ferric chloride solution, etc.).

클래드 판재(2S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11)은 기재층(10)의 일방측(Z1측)에 압접되어 있다. 또한, 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12)은 기재층(10)의 타방측(Z2측)에 압접되어 있다. 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)은 메탈 마스크의 주체가 되는 박육화된 기재층(10)의 보강에 유효하며, 박육의 클래드 판재(2S)의 기계적 강도를 높이는 데에 유효하다. 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)은 박육화된 기재층(10)의 캐리어가 되며, 박육화된 기재층(10)의 핸들링을 용이화하고, 기재층(10)을 포함하는 클래드 판재(2S)의 에칭의 안정화에 기여한다. 또한, 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)은 기재층(10)과 마찬가지로 메탈 마스크의 주체로 할 수 있다. 이 경우, 제 1 캐리어층(11) 부분으로 이루어지는 단층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하고, 제 2 캐리어층(12) 부분으로 이루어지는 단층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하고, 제 1 캐리어층(11) 부분과 기재층(10) 부분으로 이루어지는 2층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하고, 제 2 캐리어층(12) 부분과 기재층(10) 부분으로 이루어지는 2층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하고, 제 1 캐리어층(11) 부분과, 기재층(10) 부분과, 제 2 캐리어층(12) 부분으로 이루어지는 3층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하다. 핸들링의 용이화의 관점으로부터 기재층(10)의 보강을 목적으로 할 경우 제 1 캐리어층(11)의 두께(t1) 및 제 2 캐리어층(12)의 두께(t2)는 각각 바람직하게는 5㎛ 이상 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상 100㎛ 이하이다. 제 1 캐리어층(11) 부분 또는 제 2 캐리어층(12) 부분을 메탈 마스크의 주체로 할 경우에는 제 1 캐리어층(11)의 두께(t1)의 상한값 및 제 2 캐리어층(12)의 두께(t2)의 상한값은 각각 바람직하게는 20㎛ 이하, 보다 바람직하게는 15㎛ 이하, 보다 한층 바람직하게는 10㎛ 이하이다.The first carrier layer 11 constituting the clad plate 2S is press-contacted to one side (Z1 side) of the base layer 10. Further, the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S is pressure-bonded to the other side (Z2 side) of the base layer 10. The first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 are effective for reinforcing the thinned base layer 10, which is the main body of a metal mask, and are effective for increasing the mechanical strength of the thin clad plate 2S. Do. The first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 become carriers of the thinned base layer 10, facilitate handling of the thinned base layer 10, and include the base layer 10. It contributes to the stabilization of the etching of the clad plate material 2S. In addition, the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 can serve as a main body of a metal mask, similarly to the base layer 10. In this case, it is possible to obtain a single-layered metal mask composed of a portion of the first carrier layer 11, and a single-layered metal mask composed of a portion of the second carrier layer 12 can be obtained, and the first carrier layer ( 11) It is also possible to obtain a two-layer metal mask composed of a portion and a base layer 10 portion, and also obtain a two-layer metal mask composed of a second carrier layer 12 portion and a substrate layer 10 portion. It is possible, and it is also possible to obtain a metal mask having a three-layer structure comprising a portion of the first carrier layer 11, a portion of the base layer 10, and a portion of the second carrier layer 12. In the case of reinforcing the base layer 10 from the viewpoint of ease of handling, the thickness t1 of the first carrier layer 11 and the thickness t2 of the second carrier layer 12 are each preferably 5 It is not less than µm and not more than 100 µm, more preferably not less than 20 µm and not more than 100 µm. When using the first carrier layer 11 or the second carrier layer 12 as the main body of the metal mask, the upper limit of the thickness t1 of the first carrier layer 11 and the thickness of the second carrier layer 12 The upper limit of (t2) is each preferably 20 µm or less, more preferably 15 µm or less, and even more preferably 10 µm or less.

제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)은 모두 기재층(10)의 에칭이 가능한 에칭액으로 에칭 가능하다. 즉, 기재층(10)과 제 1 캐리어층(11), 기재층(10)과 제 2 캐리어층(12), 및 제 1 캐리어층(11)과 제 2 캐리어층(12)은 각각의 조합에 있어서 동질의 에칭액(예를 들면, 염화제2철액 등)으로 동시에 에칭이 가능하다. 이 발명에서는 기재층(10)과 제 1 캐리어층(11)이 동시에 에칭 가능한 경우, 기재층(10)과 제 2 캐리어층(12)이 동시에 에칭 가능한 경우, 및 제 1 캐리어층(11)과 제 2 캐리어층(12)이 동시에 에칭 가능한 경우 각각에 있어서 그 에칭액에 대하여 기재층(10)은 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)보다 고내식이면 좋다. 또한, 제 1 캐리어층(11)이 제 2 캐리어층(12)보다 동일 에칭액에 대하여 고내식이어도 좋고, 또는 제 2 캐리어층(12)이 제 1 캐리어층(11)보다 동일 에칭액에 대하여 고내식이어도 좋다. 이에 따라, 예를 들면 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)을 동 재질로 두께가 동등(t1=t2)해지도록 구성하면 제 1 캐리어층(11)과 제 2 캐리어층(12)을 동시에 하프 에칭함으로써 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)을 동시에 제거하여 기재층(10)의 일방측(Z1측)의 표면 및 타방측(Z2측)의 표면을 동시에 노출시켜 기재층(10)으로 이루어지는 단층 구조의 금속 판재를 얻을 수 있다. 이 경우, 하프 에칭의 조건을 조정함으로써 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12) 각각이 소정의 두께를 갖는 기재층(10)의 양면에 구비되는 3층 구조의 클래드 판재를 얻을 수 있다. 또한, 제 1 캐리어층(11)과 제 2 캐리어층(12)의 재질을 상이하게 해서 구성하면, 에칭액에 대하여 보다 고내식의 제 1 캐리어층(11) 또는 제 2 캐리어층(12) 중 어느 한쪽만을 소정의 두께로 남기는 것도 가능해진다. 이 경우, 제 1 캐리어층(11) 또는 제 2 캐리어층(12) 중 어느 한쪽만이 소정의 두께를 갖고 기재층(10)에 구비되는 2층 구조의 클래드 판재를 얻는 것이 가능하다.Both the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 can be etched with an etching solution capable of etching the base layer 10. That is, the base layer 10 and the first carrier layer 11, the base layer 10 and the second carrier layer 12, and the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 are each combination In this case, etching can be performed simultaneously with a homogeneous etching solution (eg, ferric chloride solution, etc.). In this invention, when the base layer 10 and the first carrier layer 11 can be etched at the same time, when the base layer 10 and the second carrier layer 12 can be etched at the same time, and the first carrier layer 11 and When the second carrier layer 12 can be etched at the same time, in each case, the base layer 10 may have higher corrosion resistance than the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 with respect to the etching solution. Further, the first carrier layer 11 may have higher corrosion resistance to the same etching solution than the second carrier layer 12, or the second carrier layer 12 may be higher corrosion resistance to the same etching solution than the first carrier layer 11. May be. Accordingly, for example, if the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 are made of the same material and have the same thickness (t1 = t2), the first carrier layer 11 and the second carrier layer ( 12) is simultaneously half-etched to remove the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 at the same time, thereby making the surface of one side (Z1 side) and the other side (Z2 side) of the base layer 10 At the same time, it is possible to obtain a single-layered metal plate made of the base layer 10 by exposure. In this case, by adjusting the conditions of half etching, a clad plate having a three-layer structure provided on both sides of the substrate layer 10 in which each of the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 has a predetermined thickness is obtained. I can. In addition, if the material of the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 is made different from each other, any of the first carrier layer 11 or the second carrier layer 12 is more highly corrosion-resistant with respect to the etching solution. It is also possible to leave only one side with a predetermined thickness. In this case, it is possible to obtain a clad plate having a two-layer structure provided in the base layer 10 with only one of the first carrier layer 11 or the second carrier layer 12 having a predetermined thickness.

이 에칭액에 대하여 기재층(10)은 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)보다 고내식이다. 이에 따라, 이 에칭액으로 상술한 2층 구조의 클래드 판재의 에칭을 개시했을 경우 기재층(10)은 제 1 캐리어층(11)(또는 제 2 캐리어층(12))보다 에칭되기 어렵기 때문에 제 1 캐리어층(11)(또는 제 2 캐리어층(12))의 에칭 속도보다 기재층(10)의 에칭 속도를 느리게 할 수 있다. 따라서, 예를 들면 기재층(10) 및 제 1 캐리어층(11)을 구비하는 2층 구조의 클래드 판재에 대하여 동시에 에칭 구멍을 형성할 때에 기재층(10)의 표면(Z2측)으로부터 Z1측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이가 제 1 캐리어층(11)의 표면(Z1측)으로부터 Z2측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이보다 얕아진다. 또는, 기재층(10) 및 제 2 캐리어층(12)을 구비하는 2층 구조의 클래드 판재에 대하여 동시에 에칭 구멍을 형성할 때에 기재층(10)의 표면(Z1측)으로부터 Z2측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이가 제 2 캐리어층(12)의 표면(Z2측)으로부터 Z1측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이보다 얕아진다. 이러한 에칭 구멍의 깊이의 차가 얻어지는 메탈 마스크용 판재(클래드 판재(2S))를 사용하면 일방면측에 배치된 구멍의 깊이와 타방면측에 배치된 구멍의 깊이가 상이한 마스크 패턴을 갖는 메탈 마스크의 구성이 가능해진다.With respect to this etchant, the base layer 10 has higher corrosion resistance than the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12. Accordingly, when the above-described two-layered clad plate is etched with this etching solution, the base layer 10 is more difficult to be etched than the first carrier layer 11 (or the second carrier layer 12). The etching rate of the base layer 10 can be made slower than the etching rate of the first carrier layer 11 (or the second carrier layer 12). Therefore, for example, when forming an etching hole at the same time for a clad plate of a two-layer structure including the base layer 10 and the first carrier layer 11, the Z1 side from the surface (Z2 side) of the base layer 10 The depth of the etching hole in which formation is progressed toward is smaller than the depth of the etching hole in which formation is progressed from the surface (Z1 side) of the first carrier layer 11 toward the Z2 side. Alternatively, when etching holes are simultaneously formed for a clad plate having a two-layer structure including the base layer 10 and the second carrier layer 12, it is formed from the surface of the base layer 10 (Z1 side) toward the Z2 side. The depth of the etching hole that proceeds becomes shallower than the depth of the etching hole in which formation proceeds from the surface (Z2 side) of the second carrier layer 12 toward the Z1 side. If a metal mask plate material (clad plate (2S)) from which the difference in the depth of the etching hole is obtained is used, the construction of a metal mask having a mask pattern in which the depth of the hole disposed on one side and the depth of the hole disposed on the other side are different. This becomes possible.

또한, 동등한 환경하에서 동질의 에칭액을 사용해서 클래드 판재(2S)의 에칭을 행하여 기재층(10)의 부식 감량을 M_b라고 하고, 제 1 캐리어층(11)의 부식 감량을 M_C1이라고 하고, 제 2 캐리어층(12)의 부식 감량을 M_C2라고 할 때 기재층(10), 제 1 캐리어층(11), 및 제 2 캐리어층(12)은 M_b/M_c1≤0.9 및 M_b/M_c2≤0.9의 관계를 만족하는 것이 바람직하다. 이 관계를 만족하는 클래드 판재(2S)는 기재층(10) 및 제 1 캐리어층(11)을 동시에 에칭했을 때에 기재층(10)의 에칭 속도를 제 1 캐리어층(11)의 에칭 속도보다 확실히 느리게 할 수 있고, 또는 기재층(10) 및 제 2 캐리어층(12)을 동시에 에칭했을 때에 기재층(10)의 에칭 속도를 제 2 캐리어층(12)의 에칭 속도보다 확실히 느리게 할 수 있다. 이에 따라, 예를 들면 에칭 구멍을 동시에 형성하고자 했을 때 기재층(10)의 표면(Z2측)으로부터 Z1측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이를 제 1 캐리어층(11)의 표면(Z1측)으로부터 Z2측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이보다 확실히 얕게 할 수 있고, 또는 기재층(10)의 표면(Z1측)으로부터 Z2측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이를 제 2 캐리어층(12)의 표면(Z2측)으로부터 Z1측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이보다 확실히 얕게 할 수 있다. 또한, 동시에 에칭되는 기재층(10) 및 제 1 캐리어층(11)은 M_b/M_c1>0(M_b>0, M_c1>0)의 관계를 만족하고, 또는 동시에 에칭되는 기재층(10) 및 제 2 캐리어층(12)은 M_b/M_c2>0(M_b>0, M_c2>0)의 관계를 만족한다. 또한, 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)은 M_c1/M_c2≤0.9의 관계를 만족하는 것이어도 좋고, 또는 M_c2/M_c1≤0.9의 관계를 만족하는 것이어도 좋다.In addition, under the same environment, the clad plate 2S is etched using the same etching solution, so that the corrosion loss of the substrate layer 10 is referred to as M _b , and the corrosion loss of the first carrier layer 11 is referred to as M _{C 1} , When the corrosion loss of the second carrier layer 12 is M _C2 , the base layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 are M _b /M _c1 ≤0.9 and M _b / It is desirable to satisfy the relationship of M _c2 ≤ 0.9. The cladding plate 2S satisfying this relationship ensures that the etching rate of the base layer 10 is higher than that of the first carrier layer 11 when the base layer 10 and the first carrier layer 11 are simultaneously etched. It can be made slow, or when the base layer 10 and the 2nd carrier layer 12 are etched simultaneously, the etching rate of the base material layer 10 can be made significantly slower than the etching rate of the 2nd carrier layer 12. Accordingly, for example, when the etching hole is to be simultaneously formed, the depth of the etching hole formed from the surface (Z2 side) of the base layer 10 toward the Z1 side is determined as the surface of the first carrier layer 11 (Z1). Side) to the Z2 side, or the depth of the etching hole formed from the surface of the base layer 10 toward the Z2 side from the surface (Z1 side) to the second It is possible to make it surely shallower than the depth of the etching hole in which formation proceeds from the surface of the carrier layer 12 toward the Z1 side (Z2 side). In addition, the substrate layer 10 and the first carrier layer 11 etched at the same time satisfy the relationship of M _b /M _c1 >0 (M _b >0, M _c1 >0), or the substrate layer etched at the same time ( 10) and the second carrier layer 12 satisfy the relationship of M _b /M _c2 >0 (M _b >0, M _c2 >0). Further, the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 may satisfy the relationship of M _c1 /M _c2 ≤ 0.9, or may satisfy the relationship of M _c2 /M _c1 ≤ 0.9. .

클래드 판재(2S)는 0.2% 내력, 인장 강도, 신장, 영률, 경도, 선팽창계수 등 메탈 마스크에 적합한 기계적 강도 및 제반 특성을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 핸들링을 용이화하는 관점에서는 인장 강도가 크고, 영률이 큰 클래드 판재(2S)가 바람직하다. 이 경우, 클래드 판재(2S)는 특히 메탈 마스크의 주체가 되는 기재층(10)은 인장 강도가 700㎫ 이상이며, 영률이 100㎬ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 예를 들면 유기 EL 소자용 메탈 마스크의 사용에 있어서 증착 시의 가열 변형(비틀림)을 억제하는 관점에서는 가열에 의해 발생하는 휨이 작은 클래드 판재(2S)가 바람직하고, 클래드 판재(2S)를 구성하는 기재층(10)의 선팽창계수, 제 1 캐리어층(11)의 선팽창계수, 및 제 2 캐리어층(12)의 선팽창계수의 상호의 차가 작은 것이 바람직하다. 이 경우, 기재층(10)의 선팽창계수가 5ppm/℃ 이하이며, 제 1 캐리어층(11)의 선팽창계수 및 제 2 캐리어층(12)의 선팽창계수가 각각 기재층(10)의 선팽창계수에 대하여 ±2ppm/℃ 이내인 것이 바람직하다.It is preferable that the clad plate 2S has mechanical strength and various properties suitable for a metal mask such as 0.2% proof strength, tensile strength, elongation, Young's modulus, hardness, and coefficient of linear expansion. For example, from the viewpoint of facilitating handling, a clad plate material 2S having a large tensile strength and a large Young's modulus is preferable. In this case, it is preferable that the cladding plate material 2S has a tensile strength of 700 MPa or more and a Young's modulus of 100 GPa or more, especially the base layer 10 which is the main body of the metal mask. In addition, for example, in the use of a metal mask for an organic EL element, from the viewpoint of suppressing heating deformation (torsion) during vapor deposition, a clad plate material 2S having small warpage caused by heating is preferable, and a clad plate material 2S It is preferable that the difference between the linear expansion coefficient of the base layer 10 constituting the, the linear expansion coefficient of the first carrier layer 11, and the linear expansion coefficient of the second carrier layer 12 is small. In this case, the linear expansion coefficient of the substrate layer 10 is 5 ppm/°C or less, and the linear expansion coefficient of the first carrier layer 11 and the linear expansion coefficient of the second carrier layer 12 are respectively It is preferably within ±2ppm/℃.

<제 3 실시형태><Third embodiment>

이 발명에 의한 메탈 마스크용 클래드 판재의 제 3 실시형태를 도 5에 나타낸다. 또한, 도 5에서는 편의를 위해 도 3 및 도 4에 나타내는 부호를 원용한다. 도 5는 두께 방향(Z 방향)으로 절단된 메탈 마스크용 클래드 판재(3S)(이하 「클래드 판재(3S)」라고 한다)의 단면으로부터 본 도면이다. 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)와 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)는 제 2 캐리어층(12)의 두께가 상이하다(편의상, 어느 하나의 두께의 부호도 t2라고 표기한다). 클래드 판재(3S)를 구성하는 기재층(10), 제 1 캐리어층(11), 및 제 2 캐리어층(12)은 제 1 캐리어층(11)의 두께(t1)와 제 2 캐리어층(12)의 두께(t2)가 상이한(t1>t2) 것을 제외하고, 상술한 클래드 판재(2S)를 구성하는 기재층(10), 제 1 캐리어층(11), 및 제 2 캐리어층(12)과 동등 구성이어도 좋고, 동등 구성이 아니어도 좋다.Fig. 5 shows a third embodiment of the clad plate material for a metal mask according to this invention. In addition, in FIG. 5, for convenience, reference numerals shown in FIGS. 3 and 4 are used. Fig. 5 is a view seen from a cross section of a clad plate material 3S for a metal mask (hereinafter referred to as "clad plate material 3S") cut in the thickness direction (Z direction). The clad plate material 3S shown in FIG. 5 and the clad plate material 2S shown in FIG. 4 have different thicknesses of the second carrier layer 12 (for convenience, the symbol of either thickness is also indicated as t2). The base layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 3S have the thickness t1 of the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 ), except that the thickness t2 is different (t1>t2), and the base layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 constituting the above-described clad plate 2S It may be an equivalent configuration, or may not be an equivalent configuration.

클래드 판재(3S)는 두께 방향으로 절단된 단면으로부터 볼 때에 있어서 3층 구조이다. 클래드 판재(3S)(두께(T_3S))는 기재층(10)(두께(t0))과, 기재층(10)의 일방측(Z1측)에 압접되어 있는 제 1 캐리어층(11)(두께(t1))과, 기재층(10)의 타방측(Z2측)에 압접되어 있는 제 2 캐리어층(12)(두께(t2))을 구비하고 있다. 도 5에 나타내는 제 1 캐리어층(11)과 제 2 캐리어층(12)은 두께가 상이하다(t1>t2). 또한, 클래드 판재(3S)는, 예를 들면 제 1 캐리어층(11)의 두께(t1)보다 제 2 캐리어층(12)의 두께(t2)가 두꺼워도 좋다(t1<t2). 기재층(10)과, 제 1 캐리어층(11)과, 제 2 캐리어층(12)의 압접 형태는, 예를 들면 기재층(10)을 구성하기 위한 판재와, 제 1 캐리어층(11)을 구성하기 위한 판재와, 제 2 캐리어층(12)을 구성하기 위한 판재를 중합한 상태로 압연(클래드 압연)하고, 필요에 따라서 확산 어닐링을 행함으로써 얻어진다. 또한, 클래드 판재(3S)는 특허 청구범위의 「메탈 마스크용 클래드 판재」의 일례이며, 기재층(10)은 특허 청구범위의 「기재층」의 일례이며, 제 1 캐리어층(11)은 특허 청구범위의 「제 1 캐리어층」의 일례이며, 제 2 캐리어층(12)은 특허 청구범위의 「제 2 캐리어층」의 일례이다.The clad plate material 3S has a three-layer structure when viewed from a cross section cut in the thickness direction. The cladding plate material 3S (thickness (T _3S )) is the first carrier layer 11 (thickness (t0)) and the first carrier layer 11 (the first carrier layer 11) in pressure contact with one side (Z1 side) of the base layer 10 ( A thickness t1) and a second carrier layer 12 (thickness t2) that are pressure-contacted to the other side (Z2 side) of the base layer 10 are provided. The first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 shown in FIG. 5 have different thicknesses (t1>t2). Moreover, the thickness t2 of the 2nd carrier layer 12 may be thicker than the thickness t1 of the 1st carrier layer 11, for example, as for the cladding plate material 3S (t1 <t2). The substrate layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 are press-bonded, for example, a plate material for constituting the substrate layer 10, and the first carrier layer 11 It is obtained by rolling (cladding rolling) in a superposed state of the plate material for constituting the second carrier layer 12 and the plate material for constituting the second carrier layer 12, and performing diffusion annealing as necessary. In addition, the cladding plate material 3S is an example of the ``metal mask cladding plate'' in the claims, the base layer 10 is an example of the ``base layer'' in the claims, and the first carrier layer 11 is a patent It is an example of the "first carrier layer" of the claims, and the second carrier layer 12 is an example of the "second carrier layer" of the claims.

클래드 판재(3S)를 구성하는 기재층(10)은 메탈 마스크의 주체로 할 수 있다. 이 경우, 기재층(10) 부분으로 이루어지는 단층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하고, 기재층(10) 부분과 제 1 캐리어층(11) 부분으로 이루어지는 2층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하고, 기재층(10) 부분과 제 2 캐리어층(12) 부분으로 이루어지는 2층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하고, 제 1 캐리어층(11) 부분과, 기재층(10) 부분과, 제 2 캐리어층(12) 부분으로 이루어지는 3층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하다. 상술한 바와 같이 목표로 하는 메탈 마스크의 두께는, 예를 들면 20㎛ 이하이며, 바람직하게는 15㎛ 이하이다. 이 목표에 비추어 박육화의 관점으로부터 클래드 판재(3S)의 두께(T_3S)의 상한값 또는 기재층(10) 부분을 메탈 마스크의 주체가 되는 경우의 기재층(10)의 두께(t0)의 상한값은 바람직하게는 20㎛ 이하, 보다 바람직하게는 15㎛ 이하, 보다 한층 바람직하게는 10㎛ 이하이다. 또한, 핸들링의 용이화의 관점으로부터 클래드 판재(3S)의 두께(T_3S)의 하한값 또는 기재층(10) 부분을 메탈 마스크의 주체로 할 경우의 기재층(10)의 두께(t0)의 하한값은 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 3㎛ 이상, 보다 한층 바람직하게는 5㎛ 이상이다. 클래드 판재(3S)의 두께(T_3S)가 얇을수록 또는 기재층(10) 부분을 메탈 마스크의 주체로 할 경우에는 기재층(10)의 두께(t0)가 얇을수록 에칭에 있어서의 사이드 에칭의 양이 억제되기 때문에 에칭에 의해 형성된 에칭 구멍 등의 마스크 패턴의 치수 정밀도가 개선되어 보다 고정세한 마스크 패턴을 갖는 메탈 마스크를 얻는 것이 가능해진다.The base layer 10 constituting the clad plate 3S can be a main body of a metal mask. In this case, it is possible to obtain a single-layer metal mask composed of a portion of the base layer 10, and a two-layer metal mask composed of a portion of the base layer 10 and the first carrier layer 11 may be obtained. , It is also possible to obtain a metal mask of a two-layer structure consisting of a portion of the substrate layer 10 and a portion of the second carrier layer 12, and the portion of the first carrier layer 11, the portion of the substrate layer 10, and the second It is also possible to obtain a metal mask having a three-layer structure composed of the carrier layer 12 portion. As described above, the target thickness of the metal mask is, for example, 20 µm or less, and preferably 15 µm or less. In view of this goal, from the viewpoint of thinning, the upper limit of the thickness (T _3S ) of the clad plate 3S or the upper limit of the thickness t0 of the base layer 10 when the base layer 10 is the main body of the metal mask is It is preferably 20 µm or less, more preferably 15 µm or less, and even more preferably 10 µm or less. In addition, from the viewpoint of ease of handling, the lower limit of the thickness (T _3S ) of the clad plate 3S or the lower limit of the thickness (t0) of the base layer 10 when the base layer 10 is used as the main body of the metal mask Is preferably 1 µm or more, more preferably 3 µm or more, and even more preferably 5 µm or more. When the thickness (T _3S) of the cladding plate (3S) to a more or substrate layer 10 portions as thin as the main component of the metal mask, the side etching in the etching The thickness (t0) of the substrate layer 10 thin Since the amount is suppressed, the dimensional accuracy of a mask pattern such as an etching hole formed by etching is improved, and it becomes possible to obtain a metal mask having a more precise mask pattern.

클래드 판재(3S)를 구성하는 기재층(10)은 Fe기 합금으로 이루어진다. 이 Fe기 합금은 Ni 및 Co 중 1종 이상을 30질량% 이상 50질량% 이하의 범위로 포함한다. Ni 및 Co를 제외하는 잔부는 Fe 및 불가피적 불순물이어도 좋고, 또한 1종 이상의 첨가 원소를 포함하고 있어도 좋다. Ni 및 Co를 포함하는 Fe기 합금은 Co가 10질량% 이하(즉, Ni가 20질량% 이상 40질량% 이하)인 것이 바람직하다. Fe에 대하여 Ni 및 Co 중 1종 이상을 30질량% 이상 50질량% 이하의 범위로 포함하는 Fe기 합금은, 예를 들면 유기 EL 소자용 메탈 마스크의 사용에 있어서 증착 시의 가열 변형(비틀림)을 억제하는 데에 유효한 선팽창계수가 작은 경우가 많아 메탈 마스크용 판재를 구성하는 데에 적합하다. 이 Fe기 합금은 Ni 및 Co 이외의 원소(첨가 원소)를 10질량% 이하의 범위로 포함하는 경우가 있다. 첨가 원소는, 예를 들면 Mn, Mo, Nb, 및 Cr 등이다. 이들 첨가 원소를 0질량% 이상 10질량% 이하의 범위로 포함하는 Fe기 합금은 0.2% 내력, 인장 강도, 신장, 영률, 경도, 선팽창계수 등 메탈 마스크용 판재를 구성하는 금속 재료로서 바람직한 기계적 강도 및 제반 특성을 가질 가능성이 있다. 상술한 Fe기 합금으로 이루어지는 기재층(10)은 상술한 Fe기 합금에 적합한 일반적인 에칭액(예를 들면, 염화제2철액 등)으로 에칭이 가능하다.The base layer 10 constituting the clad plate 3S is made of an Fe-based alloy. This Fe-based alloy contains at least one of Ni and Co in a range of 30% by mass or more and 50% by mass or less. The balance excluding Ni and Co may be Fe and unavoidable impurities, or may contain one or more additional elements. In the Fe-based alloy containing Ni and Co, it is preferable that Co is 10 mass% or less (that is, Ni is 20 mass% or more and 40 mass% or less). Fe-based alloys containing at least one of Ni and Co in the range of 30% by mass or more and 50% by mass or less with respect to Fe are thermally deformed (twisted) during vapor deposition in the use of a metal mask for an organic EL device, for example. In many cases, the coefficient of linear expansion, which is effective for suppressing the, is small and is suitable for constituting a plate for metal masks. This Fe-based alloy may contain elements (additional elements) other than Ni and Co in a range of 10% by mass or less. Additional elements are, for example, Mn, Mo, Nb, and Cr. Fe-based alloys containing these additive elements in the range of 0% by mass to 10% by mass are preferable mechanical strength as a metal material constituting a plate for metal masks such as 0.2% proof strength, tensile strength, elongation, Young's modulus, hardness, and coefficient of linear expansion. And it is possible to have various characteristics. The substrate layer 10 made of the above-described Fe-based alloy can be etched with a general etching solution suitable for the above-described Fe-based alloy (eg, ferric chloride solution, etc.).

클래드 판재(3S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11)은 기재층(10)의 일방측(Z1측)에 압접되어 있다. 또한, 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12)은 기재층(10)의 타방측(Z2측)에 압접되어 있다. 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)은 메탈 마스크의 주체가 되는 박육화된 기재층(10)의 보강에 유효하며, 박육의 클래드 판재(3S)의 기계적 강도를 높이는 데에 유효하다. 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)은 박육화된 기재층(10)의 캐리어가 되며, 박육화된 기재층(10)의 핸들링을 용이화하고, 기재층(10)을 포함하는 클래드 판재(3S)의 에칭의 안정화에 기여한다. 또한, 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)은 기재층(10)과 마찬가지로 메탈 마스크의 주체로 할 수 있다. 이 경우, 제 1 캐리어층(11) 부분으로 이루어지는 단층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하고, 제 2 캐리어층(12) 부분으로 이루어지는 단층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하고, 제 1 캐리어층(11) 부분과 기재층(10) 부분으로 이루어지는 2층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하고, 제 2 캐리어층(12) 부분과 기재층(10) 부분으로 이루어지는 2층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하고, 제 1 캐리어층(11) 부분과, 기재층(10) 부분과, 제 2 캐리어층(12) 부분으로 이루어지는 3층 구조의 메탈 마스크를 얻는 것도 가능하다. 핸들링의 용이화의 관점으로부터 기재층(10)의 보강을 목적으로 할 경우, 제 1 캐리어층(11)의 두께(t1) 및 제 2 캐리어층(12)의 두께(t2)는 각각 바람직하게는 5㎛ 이상 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상 100㎛ 이하이다. 제 1 캐리어층(11) 부분 또는 제 2 캐리어층(12) 부분을 메탈 마스크의 주체로 할 경우에는 제 1 캐리어층(11)의 두께(t1)의 상한값 및 제 2 캐리어층(12)의 두께(t2)의 상한값은 각각 바람직하게는 20㎛ 이하, 보다 바람직하게는 15㎛ 이하, 보다 한층 바람직하게는 10㎛ 이하이다.The first carrier layer 11 constituting the clad plate material 3S is press-contacted to one side (Z1 side) of the base layer 10. In addition, the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 3S is press-contacted to the other side (Z2 side) of the base layer 10. The first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 are effective for reinforcing the thinned base layer 10, which is the main body of a metal mask, and are effective for increasing the mechanical strength of the thin clad plate 3S. Do. The first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 become carriers of the thinned base layer 10, facilitate handling of the thinned base layer 10, and include the base layer 10. It contributes to the stabilization of the etching of the clad plate material 3S. In addition, the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 can serve as a main body of a metal mask, similarly to the base layer 10. In this case, it is possible to obtain a single-layered metal mask composed of a portion of the first carrier layer 11, and a single-layered metal mask composed of a portion of the second carrier layer 12 can be obtained, and the first carrier layer ( 11) It is also possible to obtain a two-layer metal mask composed of a portion and a base layer 10 portion, and also obtain a two-layer metal mask composed of a second carrier layer 12 portion and a substrate layer 10 portion. It is possible, and it is also possible to obtain a metal mask having a three-layer structure comprising a portion of the first carrier layer 11, a portion of the base layer 10, and a portion of the second carrier layer 12. In the case of reinforcing the base layer 10 from the viewpoint of ease of handling, the thickness t1 of the first carrier layer 11 and the thickness t2 of the second carrier layer 12 are preferably It is 5 micrometers or more and 100 micrometers or less, More preferably, it is 20 micrometers or more and 100 micrometers or less. When using the first carrier layer 11 or the second carrier layer 12 as the main body of the metal mask, the upper limit of the thickness t1 of the first carrier layer 11 and the thickness of the second carrier layer 12 The upper limit of (t2) is each preferably 20 µm or less, more preferably 15 µm or less, and even more preferably 10 µm or less.

제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)은 모두 기재층(10)의 에칭이 가능한 에칭액으로 에칭 가능하다. 즉, 기재층(10)과 제 1 캐리어층(11), 기재층(10)과 제 2 캐리어층(12), 및 제 1 캐리어층(11)과 제 2 캐리어층(12)은 각각의 조합에 있어서 동질의 에칭액(예를 들면, 염화제2철액 등)으로 동시에 에칭이 가능하다. 이 발명에서는 기재층(10)과 제 1 캐리어층(11)이 동시에 에칭 가능한 경우, 기재층(10)과 제 2 캐리어층(12)이 동시에 에칭 가능한 경우, 및 제 1 캐리어층(11)과 제 2 캐리어층(12)이 동시에 에칭 가능한 경우 각각에 있어서 그 에칭액에 대하여 기재층(10)은 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)보다 고내식이면 좋다. 또한, 제 1 캐리어층(11)이 제 2 캐리어층(12)보다 동일 에칭액에 대하여 고내식이어 좋고, 또는 제 2 캐리어층(12)이 제 1 캐리어층(11)보다 동일 에칭액에 대하여 고내식이어 좋다. 이에 따라, 예를 들면 두께가 상이한(예를 들면, t1>t2) 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)을 동시에 하프 에칭함으로써 제 1 캐리어층(11)의 일부 및 제 2 캐리어층(12)의 전부를 동시에 제거하여 기재층(10)의 일방측(Z2측)의 표면만을 노출시켜 기재층(10)의 타방측(Z1측)에 제 1 캐리어층(11)이 소정의 두께를 갖고 구비되는 2층 구조의 클래드 판재를 얻을 수 있다. 또한, 이러한 2층 구조의 클래드 판재는, 예를 들면 제 1 캐리어층(11)과 제 2 캐리어층(12)의 재질을 상이하게 해서 구성하고, 에칭액에 대하여 보다 고내식인 제 1 캐리어층(11) 또는 제 2 캐리어층(12) 중 어느 한쪽만을 소정의 두께로 남기는 것에 의해서도 얻는 것이 가능하다. 이러한 경우, 하프 에칭의 조건을 조정함으로써 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12) 각각이 소정의 두께를 갖고, 기재층(10)의 양면에 구비되는 3층 구조의 클래드 판재를 얻는 것이 가능하다.Both the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 can be etched with an etching solution capable of etching the base layer 10. That is, the base layer 10 and the first carrier layer 11, the base layer 10 and the second carrier layer 12, and the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 are each combination In this case, etching can be performed simultaneously with a homogeneous etching solution (eg, ferric chloride solution, etc.). In this invention, when the base layer 10 and the first carrier layer 11 can be etched at the same time, when the base layer 10 and the second carrier layer 12 can be etched at the same time, and the first carrier layer 11 and When the second carrier layer 12 can be etched at the same time, in each case, the base layer 10 may have higher corrosion resistance than the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 with respect to the etching solution. In addition, the first carrier layer 11 may have higher corrosion resistance to the same etching solution than the second carrier layer 12, or the second carrier layer 12 may have higher corrosion resistance to the same etching solution than the first carrier layer 11. It is good. Accordingly, for example, by half-etching the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 having different thicknesses (eg, t1> t2) at the same time, a part of the first carrier layer 11 and the second The first carrier layer 11 is predetermined on the other side (Z1 side) of the base layer 10 by exposing only the surface of one side (Z2 side) of the base layer 10 by simultaneously removing all of the carrier layer 12 It is possible to obtain a two-layered clad plate material having a thickness of. In addition, the cladding plate of such a two-layer structure is constituted by making the material of the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 different, for example, and the first carrier layer ( It is also possible to obtain by leaving only one of 11) or the second carrier layer 12 at a predetermined thickness. In this case, by adjusting the half-etching conditions, each of the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 has a predetermined thickness, and a three-layered clad plate provided on both sides of the base layer 10 is prepared. It is possible to get.

이 에칭액에 대하여 기재층(10)은 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)보다 고내식이다. 이에 따라 이 에칭액으로 상술한 2층 구조의 클래드 판재의 에칭을 개시했을 경우, 기재층(10)은 제 1 캐리어층(11)(또는 제 2 캐리어층(12))보다 에칭되기 어렵기 때문에 제 1 캐리어층(11)(또는 제 2 캐리어층(12))의 에칭 속도보다 기재층(10)의 에칭 속도를 느리게 할 수 있다. 따라서, 예를 들면 기재층(10) 및 제 1 캐리어층(11)을 구비하는 2층 구조의 클래드 판재에 대하여 동시에 에칭 구멍을 형성할 때에 기재층(10)의 표면(Z2측)으로부터 Z1측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이가 제 1 캐리어층(11)의 표면(Z1측)으로부터 Z2측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이보다 얕아진다. 또는, 기재층(10) 및 제 2 캐리어층(12)을 구비하는 2층 구조의 클래드 판재에 대하여 동시에 에칭 구멍을 형성할 때에 기재층(10)의 표면(Z1측)으로부터 Z2측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이가 제 2 캐리어층(12)의 표면(Z2측)으로부터 Z1측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이보다 얕아진다. 이러한 에칭 구멍의 깊이의 차가 얻어지는 메탈 마스크용 판재(클래드 판재(3S))를 사용하면, 일방면측에 배치된 구멍의 깊이와 타방면측에 배치된 구멍의 깊이가 상이한 마스크 패턴을 갖는 메탈 마스크의 구성이 가능해진다.With respect to this etchant, the base layer 10 has higher corrosion resistance than the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12. Accordingly, when the above-described two-layered clad plate is etched with this etchant, the substrate layer 10 is more difficult to be etched than the first carrier layer 11 (or the second carrier layer 12). The etching rate of the base layer 10 can be made slower than the etching rate of the first carrier layer 11 (or the second carrier layer 12). Therefore, for example, when forming an etching hole at the same time for a clad plate of a two-layer structure including the base layer 10 and the first carrier layer 11, the Z1 side from the surface (Z2 side) of the base layer 10 The depth of the etching hole in which formation is progressed toward is smaller than the depth of the etching hole in which formation is progressed from the surface (Z1 side) of the first carrier layer 11 toward the Z2 side. Alternatively, when etching holes are simultaneously formed for a clad plate having a two-layer structure including the base layer 10 and the second carrier layer 12, it is formed from the surface of the base layer 10 (Z1 side) toward the Z2 side. The depth of the etching hole that proceeds becomes shallower than the depth of the etching hole in which formation proceeds from the surface (Z2 side) of the second carrier layer 12 toward the Z1 side. If a plate material for a metal mask (clad plate material 3S) from which the difference in the depth of the etched hole is obtained is used, a metal mask having a mask pattern in which the depth of the hole disposed on one side and the depth of the hole disposed on the other side is different. Configuration becomes possible.

또한, 동등한 환경하에서 동질의 에칭액을 사용해서 클래드 판재(3S)의 에칭을 행하여 기재층(10)의 부식 감량을 M_b라고 하고, 제 1 캐리어층(11)의 부식 감량을 M_C1이라고 하고, 제 2 캐리어층(12)의 부식 감량을 M_C2라고 할 때 기재층(10), 제 1 캐리어층(11), 및 제 2 캐리어층(12)은 M_b/M_c1≤0.9 및 M_b/M_c2≤0.9의 관계를 만족하는 것이 바람직하다. 이 관계를 만족하는 클래드 판재(3S)는 기재층(10) 및 제 1 캐리어층(11)을 동시에 에칭했을 때에 기재층(10)의 에칭 속도를 제 1 캐리어층(11)의 에칭 속도보다 확실히 느리게 할 수 있고, 또는 기재층(10) 및 제 2 캐리어층(12)을 동시에 에칭했을 때에 기재층(10)의 에칭 속도를 제 2 캐리어층(12)의 에칭 속도보다 확실히 느리게 할 수 있다. 이에 따라, 예를 들면 에칭 구멍을 동시에 형성하고자 했을 때 기재층(10)의 표면(Z2측)으로부터 Z1측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이를 제 1 캐리어층(11)의 표면(Z1측)으로부터 Z2측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이보다 확실히 얕게 할 수 있고, 또는 기재층(10)의 표면(Z1측)으로부터 Z2측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이를 제 2 캐리어층(12)의 표면(Z2측)으로부터 (Z1)측을 향해 형성이 진행되는 에칭 구멍의 깊이보다 확실히 얕게 할 수 있다. 또한, 동시에 에칭되는 기재층(10) 및 제 1 캐리어층(11)은 M_b/M_c1>0(M_b>0, M_c1>0)의 관계를 만족하고, 또는 동시에 에칭되는 기재층(10) 및 제 2 캐리어층(12)은 M_b/M_c2>0(M_b>0, M_c2>0)의 관계를 만족한다. 또한, 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)은 M_c1/M_c2≤0.9의 관계를 만족하는 것이어도 좋고, 또는 M_c2/M_c1≤0.9의 관계를 만족하는 것이어도 좋다.In addition, under the same environment, the clad plate material 3S is etched using the same etching solution, so that the corrosion loss of the base layer 10 is referred to as M _b , and the corrosion loss of the first carrier layer 11 is referred to as M _{C 1} , When the corrosion loss of the second carrier layer 12 is M _C2 , the base layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 are M _b /M _c1 ≤0.9 and M _b / It is desirable to satisfy the relationship of M _c2 ≤ 0.9. The clad plate material 3S satisfying this relationship ensures that the etching rate of the base layer 10 is higher than that of the first carrier layer 11 when the base layer 10 and the first carrier layer 11 are simultaneously etched. It can be made slow, or when the base layer 10 and the 2nd carrier layer 12 are etched simultaneously, the etching rate of the base material layer 10 can be made significantly slower than the etching rate of the 2nd carrier layer 12. Accordingly, for example, when the etching hole is to be simultaneously formed, the depth of the etching hole formed from the surface (Z2 side) of the base layer 10 toward the Z1 side is determined as the surface of the first carrier layer 11 (Z1). Side) to the Z2 side, or the depth of the etching hole formed from the surface of the base layer 10 toward the Z2 side from the surface (Z1 side) to the second It is possible to make it surely shallower than the depth of the etching hole in which formation proceeds from the surface (Z2 side) of the carrier layer 12 toward the (Z1) side. In addition, the substrate layer 10 and the first carrier layer 11 etched at the same time satisfy the relationship of M _b /M _c1 >0 (M _b >0, M _c1 >0), or the substrate layer etched at the same time ( 10) and the second carrier layer 12 satisfy the relationship of M _b /M _c2 >0 (M _b >0, M _c2 >0). Further, the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 may satisfy the relationship of M _c1 /M _c2 ≤ 0.9, or may satisfy the relationship of M _c2 /M _c1 ≤ 0.9. .

클래드 판재(3S)는 0.2% 내력, 인장 강도, 신장, 영률, 경도, 선팽창계수 등 메탈 마스크에 적합한 기계적 강도 및 제반 특성을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 핸들링을 용이화하는 관점에서는 인장 강도가 크고, 영률이 큰 클래드 판재(3S)가 바람직하다. 이 경우, 클래드 판재(3S)는 특히 메탈 마스크의 주체가 되는 기재층(10)은 인장 강도가 700㎫ 이상이며, 영률이 100㎬ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 예를 들면 유기 EL 소자용 메탈 마스크의 사용에 있어서 증착 시의 가열 변형(비틀림)을 억제하는 관점에서는 가열에 의해 발생하는 휨이 작은 클래드 판재(3S)가 바람직하고, 클래드 판재(3S)를 구성하는 기재층(10)의 선팽창계수, 제 1 캐리어층(11)의 선팽창계수, 및 제 2 캐리어층(12)의 선팽창계수의 상호의 차가 작은 것이 바람직하다. 이 경우, 기재층(10)의 선팽창계수가 5ppm/℃ 이하이며, 제 1 캐리어층(11)의 선팽창계수 및 제 2 캐리어층(12)의 선팽창계수가 각각 기재층(10)의 선팽창계수에 대하여 ±2ppm/℃ 이내인 것이 바람직하다.It is preferable that the clad plate 3S has a mechanical strength and various properties suitable for a metal mask such as 0.2% proof strength, tensile strength, elongation, Young's modulus, hardness, and coefficient of linear expansion. For example, from the viewpoint of facilitating handling, a clad plate material 3S having a large tensile strength and a large Young's modulus is preferable. In this case, it is preferable that the cladding plate material 3S has a tensile strength of 700 MPa or more and a Young's modulus of 100 GPa or more, particularly the base layer 10 which is the main body of the metal mask. In addition, for example, in the use of a metal mask for organic EL devices, from the viewpoint of suppressing heating deformation (torsion) during evaporation, a clad plate material 3S having small warpage caused by heating is preferable, and a clad plate material 3S It is preferable that the difference between the linear expansion coefficient of the base layer 10 constituting the, the linear expansion coefficient of the first carrier layer 11, and the linear expansion coefficient of the second carrier layer 12 is small. In this case, the linear expansion coefficient of the substrate layer 10 is 5 ppm/°C or less, and the linear expansion coefficient of the first carrier layer 11 and the linear expansion coefficient of the second carrier layer 12 are respectively It is preferably within ±2ppm/℃.

상술한 메탈 마스크용 클래드 판재(제 1 실시형태, 제 2 실시형태, 및 제 3 실시형태)를 사용하여 제조할 수 있는 이 발명에 의한 메탈 마스크를 구체화한 실시형태(제품예)를 들어서 설명한다.An embodiment (product example) in which the metal mask according to the present invention can be manufactured using the above-described metal mask cladding plate material (first embodiment, second embodiment, and third embodiment) will be described. .

<제 1 제품예><Example 1>

이 발명에 의한 메탈 마스크의 제 1 제품예를 도 6에 나타낸다. 도 6은 두께 방향(Z 방향)으로 절단된 메탈 마스크(1M)의 단면으로부터 본 도면이다. 메탈 마스크(1M)는 마스크 패턴으로서, 예를 들면 에칭 구멍(1f)을 갖는다. 두께 방향으로 절단된 단면으로부터 볼 때에 있어서 메탈 마스크(1M)는 단층 구조이다. 메탈 마스크(1M)의 주체는 기재부(10M)이다. 기재부(10M)는, 예를 들면 도 3에 나타내는 클래드 판재(1S)를 구성하는 기재층(10) 부분, 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 구성하는 기재층(10) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 구성하는 기재층(10) 부분으로 이루어진다. 메탈 마스크(1M)는 박육화되어 있으며, 그 두께(T_1M)는 20㎛ 이하(바람직하게는 15㎛ 이하)이다. 이와 같이 박육화되어 있는 메탈 마스크(1M)는 에칭에 의해 형성된 에칭 구멍(1f) 등의 마스크 패턴의 치수 정밀도가 높고, 보다 고정세한 마스크 패턴을 갖고 있다. 메탈 마스크(1M)의 두께(T_1M)는, 예를 들면 클래드 판재(1S)를 구성하는 기재층(10)의 두께, 클래드 판재(2S)를 구성하는 기재층(10)의 두께, 또는 클래드 판재(3S)를 구성하는 기재층(10)의 두께와 동등이어도 좋고(T_1M=t0), 하프 에칭 등에 의해 동등 이하로 얇게 되어 있어도 좋다(T_1M<t0).Fig. 6 shows a first product example of a metal mask according to this invention. 6 is a view seen from a cross section of the metal mask 1M cut in the thickness direction (Z direction). The metal mask 1M is a mask pattern and has, for example, an etching hole 1f. When viewed from a cross section cut in the thickness direction, the metal mask 1M has a single layer structure. The main body of the metal mask 1M is the base portion 10M. The substrate portion 10M is, for example, a portion of the substrate layer 10 constituting the clad plate material 1S shown in FIG. 3, a portion of the substrate layer 10 constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or FIG. It consists of the base layer 10 part which comprises the clad plate material 3S shown in FIG. The metal mask 1M is thinned, and the thickness T _1M is 20 μm or less (preferably 15 μm or less). The metal mask 1M thinned in this way has high dimensional accuracy of a mask pattern such as the etching hole 1f formed by etching, and has a more highly detailed mask pattern. The thickness T _1M of the metal mask 1M is, for example, the thickness of the base layer 10 constituting the clad plate 1S, the thickness of the base layer 10 constituting the clad plate 2S, or the clad It may be equal to the thickness of the substrate layer 10 constituting the plate material 3S (T _1M = t0), or may be made to be equal or less thin by half etching or the like (T _1M <t0).

<제 1 제품예의 변형예><Modification example of first product example>

이 발명에 의한 메탈 마스크의 제 1 제품예의 변형예를 도 7에 나타낸다. 도 7은 두께 방향(Z 방향)으로 절단된 메탈 마스크(1Ma)의 단면으로부터 본 도면이다. 메탈 마스크(1Ma)는 마스크 패턴으로서, 예를 들면 에칭 구멍(1f)을 갖는다. 두께 방향으로 절단된 단면으로부터 볼 때에 있어서 메탈 마스크(1Ma)는 단층 구조 부분과 2층 구조 부분으로 이루어진다. 단층 구조 부분은 메탈 마스크(1Ma)의 주체이며, 기재부(10M)로 이루어진다. 2층 구조 부분은 기재부(10M)와 메탈 마스크(1Ma)의 주체를 보강하기 위한 프레임부(11f)로 이루어진다. 기재부(10M)는, 예를 들면 도 3에 나타내는 클래드 판재(1S)를 구성하는 기재층(10) 부분, 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 구성하는 기재층(10) 부분, 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 구성하는 기재층(10) 부분으로 이루어진다. 프레임부(11f)는, 예를 들면 도 3에 나타내는 클래드 판재(1S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11) 부분, 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11) 부분, 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11) 부분으로 이루어진다. 프레임부(11f)는 기재층(10)의 변연(邊緣) 부분에 환상으로 배치되어 있다. 이러한 프레임부(11)를 구비한 메탈 마스크(1Ma)는 도 6에 나타내는 메탈 마스크(1M)에 비해서 메탈 마스크의 주체의 두께가 대략 동등인 경우에는 기계적 강도가 향상되기 때문에 핸들링이 용이한 메탈 마스크가 된다. 프레임부(11f)는 기재부(10M)의 변연 부분에 환상으로 배치되어 있지만 기재부(10M)의 변연 부분에 환상으로 배치되어 있지 않아도 좋고, 기재부(10M)의 반대면측에 배치되어 있어도 좋다. 또한, 프레임부(11f)의 구성은 상기에 한정되지 않는다. 예를 들면, 프레임부(11f)는 도 3에 나타내는 클래드 판재(1S)의 기재층(10) 부분, 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)의 기재층(10) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)의 기재층(10) 부분 중 어느 것으로도 구성하는 것이 가능하다. 프레임부(11f)가 기재층(10) 부분으로부터 구성되어 있을 경우, 그 메탈 마스크는 단층 구조가 된다. 또한, 프레임부(11f)는 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)의 제 2 캐리어층(12) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)의 제 2 캐리어층(12) 부분 중 어느 것으로도 구성하는 것이 가능하다.Fig. 7 shows a modified example of the first product example of the metal mask according to the present invention. 7 is a view seen from a cross section of the metal mask 1Ma cut in the thickness direction (Z direction). The metal mask 1Ma has, for example, an etching hole 1f as a mask pattern. When viewed from a cross section cut in the thickness direction, the metal mask 1Ma consists of a single-layer structure portion and a two-layer structure portion. The single-layer structure portion is the main body of the metal mask 1Ma, and is made of the base portion 10M. The two-layer structure portion includes a base portion 10M and a frame portion 11f for reinforcing the main body of the metal mask 1Ma. The substrate portion 10M is, for example, a portion of the substrate layer 10 constituting the clad plate material 1S shown in FIG. 3, a portion of the substrate layer 10 constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or It consists of a part of the base material layer 10 which comprises the clad plate material 3S shown in 5. The frame portion 11f is, for example, a portion of the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 1S shown in Fig. 3, and the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 2S shown in Fig. 4 It consists of a part or a part of the 1st carrier layer 11 which comprises the clad plate material 3S shown in FIG. The frame portion 11f is arranged annularly at the marginal portion of the base layer 10. The metal mask 1Ma having the frame portion 11 is a metal mask that is easy to handle because the mechanical strength is improved when the thickness of the main body of the metal mask is approximately equal to that of the metal mask 1M shown in FIG. 6. Becomes. The frame portion 11f is annularly arranged at the marginal portion of the base portion 10M, but may not be arranged annularly at the marginal portion of the base portion 10M, or may be arranged on the opposite side of the base portion 10M. . In addition, the configuration of the frame portion 11f is not limited to the above. For example, the frame part 11f is the base layer 10 part of the clad plate material 1S shown in FIG. 3, the base material layer 10 part of the clad board material 2S shown in FIG. 4, or the clad plate material shown in FIG. It is possible to configure with any of the portions of the base layer 10 of (3S). When the frame portion 11f is formed from the base layer 10 portion, the metal mask has a single layer structure. In addition, the frame part 11f is composed of either the second carrier layer 12 portion of the clad plate 2S shown in FIG. 4 or the second carrier layer 12 portion of the clad plate 3S shown in FIG. 5 It is possible to do.

메탈 마스크(1Ma)는 박육화되어 있으며, 그 두께(T_1Ma)는 20㎛ 이하(바람직하게는 15㎛ 이하)이다. 이와 같이 박육화되어 있는 메탈 마스크(1Ma)는 에칭에 의해 형성된 에칭 구멍(1f) 등의 마스크 패턴의 치수 정밀도가 높아 보다 고정세한 마스크 패턴을 갖고 있다. 메탈 마스크(1Ma)의 두께(T_1Ma)는, 예를 들면 클래드 판재(1S)를 구성하는 기재층(10)의 두께, 클래드 판재(2S)를 구성하는 기재층(10)의 두께, 또는 클래드 판재(3S)를 구성하는 기재층(10)의 두께와 동등이어도 좋고 (T_1Ma=t0), 하프 에칭 등에 의해 동등 이하로 얇게 되어 있어도 좋다(T_1Ma<t0). 프레임부(11f)의 두께(T_X)는, 예를 들면 클래드 판재(1S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11)의 두께, 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11)의 두께, 또는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11)의 두께와 동등이어도 좋고(T_X=t1), 하프 에칭 등에 의해 동등 이하로 얇게 되어 있어도 좋다(T_X<t1). 또한, 상술한 두께(T_1Ma)와 두께(T_X)의 합계의 두께(T_1Ma+T_X)를 메탈 마스크(1Ma)의 두께로 간주할 수도 있다.The metal mask 1Ma is thin, and its thickness T _1Ma is 20 μm or less (preferably 15 μm or less). The metal mask 1Ma thinned in this way has a high-definition mask pattern with high dimensional accuracy of the mask pattern such as the etching hole 1f formed by etching. The thickness of the metal mask (1Ma) (T _1Ma) is, for example, the thickness of the cladding plate material substrate layer (10) constituting the thickness of the cladding plate (2S) of the substrate layer (10) constituting the (1S), or cladding It may be equal to the thickness of the base layer 10 constituting the plate material 3S (T _1Ma = t0), or may be made thin to the same level by half etching or the like (T _1Ma <t0). The thickness (T _X ) of the frame portion 11f is, for example, the thickness of the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 1S and the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 2S. The thickness may be equal to or equal to the thickness of the first carrier layer 11 constituting the clad plate 3S (T _X = t1), or may be made thin to the same level by half etching or the like (T _X <t1). In addition, the total thickness (T _1Ma + T _X ) of the above-described thickness (T _1Ma ) and the thickness (T _X ) may be regarded as the thickness of the metal mask 1Ma.

<제 2 제품예><2nd product example>

이 발명에 의한 메탈 마스크의 제 2 제품예를 도 8에 나타낸다. 도 8은 두께 방향(Z 방향)으로 절단된 메탈 마스크(2M)의 단면으로부터 본 도면이다. 메탈 마스크(2M)는 마스크 패턴으로서, 예를 들면 에칭 구멍(2f)을 갖는다. 두께 방향으로 절단된 단면으로부터 볼 때에 있어서 메탈 마스크(2M)는 2층 구조이다. 메탈 마스크(2M)의 주체는 기재부(10M)와 캐리어부(12M)로 이루어진다. 기재부(10M)는, 예를 들면 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 구성하는 기재층(10) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 구성하는 기재층(10) 부분으로 이루어진다. 캐리어부(12M)는, 예를 들면 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12) 부분으로 이루어진다. 또한, 캐리어부(12M)의 구성은 상기에 한정되지 않는다. 예를 들면, 캐리어부(12M), 도 3에 나타내는 클래드 판재(1S)의 제 1 캐리어층(11) 부분, 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)의 제 1 캐리어층(11) 부분, 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)의 제 1 캐리어층(11) 중 어느 것으로도 구성하는 것이 가능하다. 캐리어부(12M)를 도 3에 나타내는 클래드 판재(1S)의 제 1 캐리어층(11) 부분으로부터 구성할 경우에는 기재부(10M)는 도 3에 나타내는 클래드 판재(1S)의 기재층(10) 부분으로 구성하는 것이 가능하다.Fig. 8 shows a second product example of the metal mask according to the present invention. 8 is a view seen from a cross section of the metal mask 2M cut in the thickness direction (Z direction). The metal mask 2M has, for example, an etching hole 2f as a mask pattern. When viewed from a cross section cut in the thickness direction, the metal mask 2M has a two-layer structure. The main body of the metal mask 2M is composed of a base portion 10M and a carrier portion 12M. The substrate portion 10M is made of, for example, a portion of the substrate layer 10 constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4 or a portion of the substrate layer 10 constituting the clad plate material 3S shown in FIG. 5. The carrier portion 12M is, for example, a portion of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S shown in Fig. 4 or the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 3S shown in Fig. 5 Consists of parts. In addition, the configuration of the carrier portion 12M is not limited to the above. For example, the carrier portion 12M, the first carrier layer 11 portion of the clad plate material 1S shown in Fig. 3, the first carrier layer 11 portion of the clad plate material 2S shown in Fig. 4, or Any of the first carrier layers 11 of the clad plate material 3S shown in 5 can be used. When the carrier portion 12M is formed from the portion of the first carrier layer 11 of the clad plate material 1S shown in FIG. 3, the substrate portion 10M is the substrate layer 10 of the clad plate material 1S shown in FIG. It is possible to consist of parts.

메탈 마스크(2M)는 박육화되어 있으며, 그 두께(T_2M)는 20㎛ 이하(바람직하게는 15㎛ 이하)이다. 이와 같이 박육화되어 있는 메탈 마스크(2M)는 에칭에 의해 형성된 에칭 구멍(2f) 등의 마스크 패턴의 치수 정밀도가 높아 보다 고정세한 마스크 패턴을 갖고 있다. 메탈 마스크(2M)의 두께(T_2M)는, 예를 들면 클래드 판재(2S)를 구성하는 기재층(10) 및 제 2 캐리어층(12)의 합계의 두께 또는 클래드 판재(3S)를 구성하는 기재층(10) 및 제 2 캐리어층(12)의 합계의 두께와 동등이어도 좋고 (T_2M=t0+t2), 하프 에칭 등에 의해 동등 이하로 얇게 되어 있어도 좋다(T_2M<t0+t2). 캐리어부(12M)의 두께(T_Y)는, 예를 들면 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12)의 두께 또는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12)의 두께와 동등이어도 좋고(T_Y=t2), 하프 에칭 등에 의해 동등 이하로 얇게 되어 있어도 좋다(T_Y<t2).The metal mask 2M is thinned, and the thickness T _2M is 20 µm or less (preferably 15 µm or less). The metal mask 2M thinned in this way has a high-definition mask pattern with high dimensional accuracy of the mask pattern such as the etching hole 2f formed by etching. The thickness of the metal mask (2M) (T _2M) is, for example, constituting the clad plate (2S) thickness or clad plates (3S) of the total of the base layer 10 and second carrier layer 12 of the It may be equal to the total thickness of the base layer 10 and the second carrier layer 12 (T _2M = t0 + t2), or may be thinned to equal or less by half etching (T _2M <t0 + t2). The thickness (T _Y ) of the carrier portion 12M is, for example, the thickness of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S or the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 3S. It may be equal to the thickness (T _Y = t2), or may be thinned to equal or less by half etching (T _Y <t2).

<제 2 제품예의 변형예><Modification of the second product example>

본 발명에 의한 메탈 마스크의 제 2 제품예의 변형예를 도 9에 나타낸다.도 9는 두께 방향(Z 방향)으로 절단된 메탈 마스크(2Ma)의 단면으로부터 본 도면이다. 메탈 마스크(2Ma)는 마스크 패턴으로서, 예를 들면 에칭 구멍(2f)을 갖는다. 두께 방향으로 절단된 단면으로부터 볼 때에 있어서 메탈 마스크(2Ma)는 2층 구조 부분과 3층 구조 부분으로 이루어진다. 2층 구조 부분은 메탈 마스크(2Ma)의 주체이며, 기재부(10M)와 캐리어부(12M)로 이루어진다. 3층 구조 부분은 기재부(10M) 및 캐리어부(12M)와, 메탈 마스크(2Ma)의 주체를 보강하기 위한 프레임부(11f)로 이루어진다. 기재부(10M)는, 예를 들면 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 구성하는 기재층(10) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 구성하는 기재층(10) 부분으로 이루어진다. 캐리어부(12M)는, 예를 들면 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12) 부분으로 이루어진다. 프레임부(11f)는, 예를 들면 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11) 부분으로 이루어진다. 프레임부(11f)는 기재층(10)의 변연 부분에 환상으로 배치되어 있다. 이러한 프레임부(11)를 구비한 메탈 마스크(2Ma)는 도 8에 나타내는 메탈 마스크(2M)에 비해서 메탈 마스크의 주체의 두께가 대략 동등인 경우에는 기계적 강도가 향상되기 때문에 핸들링이 용이한 메탈 마스크가 된다. 프레임부(11f)는 기재부(10M)의 변연 부분에 환상으로 배치되어 있지만, 기재부(10M)의 변연 부분에 환상으로 배치되어 있지 않아도 좋고, 기재부(10M)의 반대면측에 배치되어 있어도 좋다. 또한, 프레임부(11f)의 구성은 상기에 한정되지 않는다. 예를 들면, 프레임부(11f)는 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)의 기재층(10) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)의 기재층(10) 부분 중 어느 것으로도 구성하는 것이 가능하다. 프레임부(11f)가 기재층(10) 부분으로부터 구성되어 있을 경우, 그 메탈 마스크는 기재층(10) 및 캐리어부(12M)의 2층 구조가 된다. 또한, 캐리어부(12M)의 구성은 상기에 한정되지 않는다. 예를 들면, 캐리어부(12M)는 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11) 부분 중 어느 것으로도 구성하는 것이 가능하다.A modified example of the second product example of the metal mask according to the present invention is shown in Fig. 9. Fig. 9 is a view seen from a cross section of the metal mask 2Ma cut in the thickness direction (Z direction). The metal mask 2Ma has, for example, an etching hole 2f as a mask pattern. When viewed from a cross section cut in the thickness direction, the metal mask 2Ma consists of a two-layer structure portion and a three-layer structure portion. The two-layer structure portion is the main body of the metal mask 2Ma, and includes a base portion 10M and a carrier portion 12M. The three-layer structure portion includes a base portion 10M, a carrier portion 12M, and a frame portion 11f for reinforcing the main body of the metal mask 2Ma. The substrate portion 10M is made of, for example, a portion of the substrate layer 10 constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4 or a portion of the substrate layer 10 constituting the clad plate material 3S shown in FIG. 5. The carrier portion 12M is, for example, a portion of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S shown in Fig. 4 or the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 3S shown in Fig. 5 Consists of parts. The frame portion 11f is, for example, a portion of the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 2S shown in Fig. 4 or the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 3S shown in Fig. 5 Consists of parts. The frame portion 11f is arranged annularly at the marginal portion of the base layer 10. The metal mask 2Ma having the frame portion 11 is a metal mask that is easy to handle because the mechanical strength is improved when the thickness of the main body of the metal mask is approximately equal to that of the metal mask 2M shown in FIG. 8. Becomes. The frame portion 11f is arranged annularly in the marginal portion of the base portion 10M, but may not be arranged annularly at the marginal portion of the base portion 10M, and may be arranged on the opposite side of the base portion 10M. good. In addition, the configuration of the frame portion 11f is not limited to the above. For example, the frame part 11f is composed of either the base layer 10 part of the clad plate 2S shown in FIG. 4 or the base layer 10 part of the clad board 3S shown in FIG. 5. It is possible. When the frame portion 11f is formed from a portion of the substrate layer 10, the metal mask has a two-layer structure of the substrate layer 10 and the carrier portion 12M. In addition, the configuration of the carrier portion 12M is not limited to the above. For example, the carrier portion 12M is a portion of the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 2S shown in Fig. 4 or the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 3S shown in Fig. 5 It is possible to make up any of the parts.

메탈 마스크(2Ma)는 박육화되어 있으며, 그 두께(T_2Ma)는 20㎛ 이하(바람직하게는 15㎛ 이하)이다. 이와 같이 박육화되어 있는 메탈 마스크(2Ma)는 에칭에 의해 형성된 에칭 구멍(2f) 등의 마스크 패턴의 치수 정밀도가 높아 보다 고정세한 마스크 패턴을 갖고 있다. 메탈 마스크(2Ma)의 두께(T_2Ma)는, 예를 들면 클래드 판재(2S)를 구성하는 기재층(10) 및 제 2 캐리어층(12)의 합계의 두께 또는 클래드 판재(3S)를 구성하는 기재층(10) 및 제 2 캐리어층(12)의 합계의 두께와 동등이어도 좋고, 하프 에칭 등에 의해 동등 이하로 얇게 되어 있어도 좋다(T_2Ma<t0+t2). 캐리어부(12M)의 두께(T_Y)는, 예를 들면 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12)의 두께 또는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12)의 두께와 동등이어도 좋고(T_Y=t2), 하프 에칭등에 의해 동등 이하로 얇게 되어 있어도 좋다(T_Y<t2). 프레임부(11f)의 두께(T_X)는, 예를 들면 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11)의 두께 또는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11)의 두께와 동등이어도 좋고(T_X=t1), 하프 에칭 등에 의해 동등 이하로 얇게 되어 있어도 좋다(T_X<t1). 또한, 상술한 두께(T_2Ma)와 두께(T_X)의 합계의 두께(T_2Ma+T_X)를 메탈 마스크(2Ma)의 두께로 간주할 수도 있다.The metal mask 2Ma is thin, and the thickness T _2Ma is 20 µm or less (preferably 15 µm or less). The metal mask 2Ma thinned in this way has a high-definition mask pattern with high dimensional accuracy of the mask pattern such as the etching hole 2f formed by etching. The thickness of the metal mask (2Ma) (T _2Ma) is, for example, constituting the clad plate (2S) thickness or clad plates (3S) of the total of the base layer 10 and second carrier layer 12 of the It may be equal to the total thickness of the base layer 10 and the second carrier layer 12, or may be thinned to equal or less by half etching or the like (T _2Ma <t0 + t2). The thickness (T _Y ) of the carrier portion 12M is, for example, the thickness of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S or the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 3S. It may be equal to the thickness (T _Y = t2), or it may be thinned to equal or less by half etching (T _Y <t2). The thickness (T _X ) of the frame portion 11f is, for example, the thickness of the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 2S or the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 3S. It may be equal to the thickness (T _X = t1), or it may be made thin to be equal to or less than the same by half etching (T _X <t1). In addition, the total thickness (T _2Ma + T _X ) of the above-described thickness (T _2Ma ) and the thickness (T _X ) may be regarded as the thickness of the metal mask 2Ma.

<제 3 제품예><3rd product example>

이 발명에 의한 메탈 마스크의 제 3 제품예를 도 10에 나타낸다. 도 10은 두께 방향(Z 방향)으로 절단된 메탈 마스크(3M)의 단면으로부터 본 도면이다. 메탈 마스크(3M)는 마스크 패턴으로서, 예를 들면 에칭 구멍(3f)을 갖는다. 두께 방향으로 절단된 단면으로부터 볼 때에 있어서 메탈 마스크(3M)는 3층 구조이다. 메탈 마스크(3M)의 주체는 기재부(10M)와 제 1 캐리어부(11M) 및 제 2 캐리어부(12M)로 이루어진다. 기재부(10M)는, 예를 들면 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 구성하는 기재층(10) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 구성하는 기재층(10) 부분으로 이루어진다. 제 1 캐리어부(11M)는, 예를 들면 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11) 부분으로 이루어진다. 제 2 캐리어부(12M)는, 예를 들면 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12) 부분으로 이루어진다. 또한, 제 1 캐리어부(11M) 및 제 2 캐리어부(12M)의 구성은 상기에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제 1 캐리어부(11M)를 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)의 제 2 캐리어층(12) 부분으로부터 구성하고, 제 2 캐리어부(12M)를 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)의 제 1 캐리어층(11) 부분으로부터 구성하는 것이 가능하다. 또한, 제 1 캐리어부(11M)를 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)의 제 2 캐리어층(12) 부분으로부터 구성하고, 제 2 캐리어부(12M)를 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)의 제 1 캐리어층(11) 부분으로부터 구성하는 것이 가능하다.Fig. 10 shows a third product example of the metal mask according to the present invention. 10 is a view seen from a cross section of the metal mask 3M cut in the thickness direction (Z direction). The metal mask 3M has, for example, an etching hole 3f as a mask pattern. When viewed from a cross section cut in the thickness direction, the metal mask 3M has a three-layer structure. The main body of the metal mask 3M is composed of a base portion 10M, a first carrier portion 11M, and a second carrier portion 12M. The substrate portion 10M is made of, for example, a portion of the substrate layer 10 constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4 or a portion of the substrate layer 10 constituting the clad plate material 3S shown in FIG. 5. The first carrier portion 11M is, for example, a portion of the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4 or the first carrier layer constituting the clad plate material 3S shown in FIG. 5 ( 11) consists of parts. The second carrier portion 12M is, for example, a portion of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S shown in Fig. 4 or the second carrier layer constituting the clad plate material 3S shown in Fig. 5 ( 12) consists of parts. Further, the configurations of the first carrier portion 11M and the second carrier portion 12M are not limited to the above. For example, the 1st carrier part 11M is comprised from the 2nd carrier layer 12 part of the clad plate material 2S shown in FIG. 4, and the 2nd carrier part 12M is a clad plate material 2S shown in FIG. ), it is possible to construct from the first carrier layer 11 part. In addition, the 1st carrier part 11M is comprised from the 2nd carrier layer 12 part of the clad plate material 3S shown in FIG. 5, and the 2nd carrier part 12M of the cladding plate material 3S shown in FIG. It is possible to construct from a portion of the first carrier layer 11.

메탈 마스크(3M)는 박육화되어 있으며, 그 두께(T_3M)는 20㎛ 이하(바람직하게는 15㎛ 이하)이다. 이와 같이 박육화되어 있는 메탈 마스크(3M)는 에칭에 의해 형성된 에칭 구멍(3f) 등의 마스크 패턴의 치수 정밀도가 높아 보다 고정세한 마스크 패턴을 갖고 있다. 메탈 마스크(3M)의 두께(T_3M)는, 예를 들면 클래드 판재(2S)를 구성하는 기재층(10), 제 1 캐리어층(11), 및 제 2 캐리어층(12)의 합계의 두께 또는 클래드 판재(3S)를 구성하는 기재층(10), 제 1 캐리어층(11), 및 제 2 캐리어층(12)의 합계의 두께와 동등이어도 좋고(T_3M=t0+t1+t2), 하프 에칭 등에 의해 동등 이하로 얇게 되어 있어도 좋다(T_3M<t0+t1+t2). 제 1 캐리어부(11M)의 두께(T_Y1)는, 예를 들면 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11)의 두께 또는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11)의 두께와 동등이어도 좋고(T_Y1=t1), 하프 에칭 등에 의해 동등 이하로 얇게 되어 있어도 좋다(T_Y1<t1). 제 2 캐리어부(12M)의 두께(T_Y2)는, 예를 들면 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12)의 두께 또는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12)의 두께와 동등이어도 좋고(T_Y2=t2), 하프 에칭 등에 의해 동등 이하로 얇게 되어 있어도 좋다(T_Y2<t2).The metal mask 3M is thin, and its thickness T _3M is 20 μm or less (preferably 15 μm or less). The metal mask 3M thinned in this way has a high-definition mask pattern with high dimensional accuracy of the mask pattern such as the etching hole 3f formed by etching. The thickness T _3M of the metal mask 3M is, for example, the total thickness of the substrate layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 constituting the clad plate 2S. Alternatively, it may be equal to the total thickness of the base layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 constituting the clad plate 3S (T _3M = t0 + t1 + t2), It may be thinned to equal or less by half etching or the like (T _3M < t0 + t1 + t2). The thickness (T _Y1 ) of the first carrier portion 11M is, for example, the thickness of the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 2S or the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 3S. ) May be equal to the thickness of (T _Y1 = t1), or may be thinned to equal or less by half etching (T _Y1 <t1). The thickness (T _Y2 ) of the second carrier portion 12M is, for example, the thickness of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S or the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 3S. ) May be equal to the thickness of (T _Y2 =t2), or may be made thinner to equal or less by half etching (T _Y2 <t2).

<제 3 제품예의 변형예><Modified example of 3rd product example>

본 발명에 의한 메탈 마스크의 제 3 제품예의 변형예를 도 11에 나타낸다. 도 11은 두께 방향(Z 방향)으로 절단된 메탈 마스크(3Ma)의 단면으로부터 본 도면이다. 메탈 마스크(3Ma)는 마스크 패턴으로서, 예를 들면 에칭 구멍(3f)을 갖는다. 두께 방향으로 절단된 단면으로부터 볼 때에 있어서 메탈 마스크(3Ma)는 3층 구조이다. 메탈 마스크(3Ma)의 주체는 기재부(10M)와, 제 1 캐리어부(11M) 및 제 2 캐리어부(12M)로 이루어진다. 제 1 캐리어부(11M)는 메탈 마스크(3Ma)를 보강하기 위한 프레임부(11f)를 갖는다. 기재부(10M)는, 예를 들면 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 구성하는 기재층(10) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 구성하는 기재층(10) 부분으로 이루어진다. 제 1 캐리어부(11M) 및 프레임부(11f)는, 예를 들면 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11) 부분으로 이루어진다. 제 2 캐리어부(12M)는, 예를 들면 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12) 부분으로 이루어진다. 프레임부(11f)는 제 1 캐리어부(11M)를 형성할 때에 형성할 수 있다. 프레임부(11f)는 기재층(10)의 변연 부분에 환상으로 배치되어 있다. 이러한 프레임부(11)를 구비한 메탈 마스크(3Ma)는 도 10에 나타내는 메탈 마스크(3M)에 비해서 메탈 마스크의 주체의 두께가 대략 동등인 경우에는 기계적 강도가 향상되기 때문에 핸들링이 용이한 메탈 마스크가 된다. 프레임부(11f)는 제 1 캐리어부(11M)의 변연 부분에 환상으로 배치되어 있지만 제 1 캐리어부(11M)의 변연 부분에 환상으로 배치되어 있지 않아도 좋고, 제 1 캐리어부(11M)의 반대면측의 제 2 캐리어부(12M)에 배치되어 있어도 좋다. 또한, 프레임부(11f)의 구성은 상기에 한정되지 않는다. 예를 들면, 프레임부(11f)는 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)의 제 2 캐리어층(12) 부분 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)의 제 2 캐리어층(12) 부분 중 어느 것으로도 구성하는 것이 가능하다.Fig. 11 shows a modified example of the third product example of the metal mask according to the present invention. 11 is a view seen from a cross section of the metal mask 3Ma cut in the thickness direction (Z direction). The metal mask 3Ma has, for example, an etching hole 3f as a mask pattern. When viewed from a cross section cut in the thickness direction, the metal mask 3Ma has a three-layer structure. The main body of the metal mask 3Ma consists of a base portion 10M, a first carrier portion 11M and a second carrier portion 12M. The first carrier portion 11M has a frame portion 11f for reinforcing the metal mask 3Ma. The substrate portion 10M is made of, for example, a portion of the substrate layer 10 constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4 or a portion of the substrate layer 10 constituting the clad plate material 3S shown in FIG. 5. The first carrier portion 11M and the frame portion 11f constitute, for example, a portion of the first carrier layer 11 constituting the clad plate 2S shown in FIG. 4 or the clad plate 3S shown in FIG. 5 It consists of a portion of the first carrier layer (11). The second carrier portion 12M is, for example, a portion of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S shown in Fig. 4 or the second carrier layer constituting the clad plate material 3S shown in Fig. 5 ( 12) consists of parts. The frame portion 11f can be formed when forming the first carrier portion 11M. The frame portion 11f is arranged annularly at the marginal portion of the base layer 10. The metal mask 3Ma having the frame portion 11 is a metal mask that is easy to handle because the mechanical strength is improved when the thickness of the main body of the metal mask is substantially equal to that of the metal mask 3M shown in FIG. 10. Becomes. The frame portion 11f is arranged in an annular shape at the marginal portion of the first carrier portion 11M, but does not need to be arranged in an annular shape at the marginal portion of the first carrier portion 11M, and is opposite to the first carrier portion 11M. It may be disposed on the second carrier portion 12M on the surface side. In addition, the configuration of the frame portion 11f is not limited to the above. For example, the frame portion 11f is either the second carrier layer 12 portion of the clad plate 2S shown in FIG. 4 or the second carrier layer 12 portion of the clad plate 3S shown in FIG. It is also possible to configure.

메탈 마스크(3Ma)는 박육화되어 있으며, 그 두께(T_3Ma)는 20㎛ 이하(바람직하게는 15㎛ 이하)이다. 이와 같이 박육화되어 있는 메탈 마스크(3Ma)는 에칭에 의해 형성된 에칭 구멍(3f) 등의 마스크 패턴의 치수 정밀도가 높아 보다 고정세한 마스크 패턴을 갖고 있다. 메탈 마스크(3Ma)의 두께(T_3Ma)는, 예를 들면 클래드 판재(2S)를 구성하는 기재층(10), 제 1 캐리어층(11), 및 제 2 캐리어층(12)의 합계의 두께 또는 클래드 판재(3S)를 구성하는 기재층(10), 제 1 캐리어층(11), 및 제 2 캐리어층(12)의 합계의 두께와 동등이어도 좋고(T_3Ma=t0+t1+t2), 하프 에칭 등에 의해 동등 이하로 얇게 되어 있어도 좋다(T_3Ma<t0+t1+t2). 제 1 캐리어부(11M)의 두께(T_Y1)는, 예를 들면 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 1 캐리어(11)의 두께 또는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11)의 두께와 동등이어도 좋고(T_Y1=t1), 하프 에칭 등에 의해 동등 이하로 얇게 되어 있어도 좋다(T_Y1<t1). 제 2 캐리어부(12M)의 두께(T_Y2)는, 예를 들면 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12)의 두께 또는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 2 캐리어층(12)의 두께와 동등이어도 좋고(T_Y2=t2), 하프 에칭 등에 의해 동등 이하로 얇게 되어 있어도 좋다(T_Y2<t2). 프레임부(11f)의 두께(T_X)는, 예를 들면 클래드 판재(2S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11)의 두께로부터 또는 클래드 판재(3S)를 구성하는 제 1 캐리어층(11)의 두께로부터 제 1 캐리어부(11M)의 두께를 뺀 두께와 동등이어도 좋고(T_X=t1-T_Y1), 하프 에칭 등에 의해 동등 이하로 얇게 되어 있어도 좋다(T_X<t1-T_Y1). 또한, 상술한 두께(T_3Ma)와 두께(T_X)의 합계의 두께(T_3Ma+T_X)를 메탈 마스크(3Ma)의 두께로 간주할 수도 있다.The metal mask 3Ma is thin, and its thickness T _3Ma is 20 μm or less (preferably 15 μm or less). The metal mask 3Ma thinned in this way has a high-definition mask pattern with high dimensional accuracy of the mask pattern such as the etching hole 3f formed by etching. The thickness T _3Ma of the metal mask 3Ma is, for example, the _total thickness of the base layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 constituting the clad plate 2S. Alternatively, it may be equal to the total thickness of the base layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 constituting the clad plate 3S (T _3Ma = t0 + t1 + t2), It may be made to be equal to or less thin by half etching or the like (T _3Ma < t0 + t1 + t2). The thickness T _Y1 of the first carrier portion 11M is, for example, the thickness of the first carrier 11 constituting the clad plate 2S or the first carrier layer 11 constituting the clad plate 3S It may be equal to the thickness of (T _Y1 = t1), or it may be made thin to be equal to or less than that by half etching (T _Y1 <t1). The thickness (T _Y2 ) of the second carrier portion 12M is, for example, the thickness of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S or the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 3S. ) May be equal to the thickness of (T _Y2 =t2), or may be made thinner to equal or less by half etching (T _Y2 <t2). The thickness T _X of the frame part 11f is, for example, from the thickness of the first carrier layer 11 constituting the clad plate 2S or the first carrier layer 11 constituting the clad plate 3S It may be equal to the thickness obtained by subtracting the thickness of the first carrier portion 11M from the thickness of (T _X = t1-T _Y1 ), or may be made thinner to equal or less by half etching or the like (T _X <t1-T _Y1 ). Further, the total thickness (T _3Ma + T _X ) of the above-described thickness (T _3Ma ) and the thickness (T _X ) may be regarded as the thickness of the metal mask 3Ma.

이하, 이 발명에 의한 메탈 마스크용 클래드 판재(제 1 실시예, 제 2 실시예, 및 제 3 실시예)를 사용하여 이 발명에 의한 메탈 마스크를 구체화한 실시형태(제품예)를 제조하는 방법에 대해서 도 12~도 20에 의거하여 설명한다. 또한, 도 12~도 16에 의거하여 도 3에 나타내는 클래드 판재(1S)(제 1 실시형태)를 사용한 메탈 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하고, 도 17~도 20에 의거하여 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)(제 2 실시형태) 및 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)(제 3 실시형태)를 사용한 메탈 마스크의 제조 방법의 일례를 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an embodiment (product example) in which the metal mask according to the present invention is embodied by using the cladding plate for a metal mask according to the present invention (Example 1, Example 2, and Example 3) Is demonstrated based on FIGS. 12-20. In addition, based on Figs. 12 to 16, an example of a method of manufacturing a metal mask using the clad plate material 1S (first embodiment) shown in Fig. 3 will be described, and shown in Fig. 4 based on Figs. An example of a method of manufacturing a metal mask using the clad plate material 2S (second embodiment) and the clad plate material 3S (third embodiment) shown in FIG. 5 will be described.

<제 1 제품예> <제 2 제품예><Product Example 1> <Product Example 2>

도 12 및 도 13에 나타내는 메탈 마스크의 제조 방법에 의하면 도 6에 나타내는 메탈 마스크(1M)(제 1 제품예) 및 도 8에 나타내는 메탈 마스크(2M)(제 2 제품예)를 제조할 수 있다.According to the manufacturing method of the metal mask shown in FIGS. 12 and 13, the metal mask 1M shown in FIG. 6 (the first product example) and the metal mask 2M shown in FIG. 8 (the second product example) can be manufactured. .

도 12에 있어서 공정 (a)는 소재 준비 공정이다. 이 소재 준비 공정에서는, 예를 들면 도 3에 나타내는 클래드 판재(1S)를 준비한다. 클래드 판재(1S)(두께(T_1S))는 기재층(10)(두께(t0))과 제 1 캐리어층(11)(두께(t1))을 구비한다. 기재층(10)의 두께는 1㎛ 이상 20㎛ 이하(바람직하게는 5㎛ 이상 15㎛ 이하)이다. 기재층(10)과 제 1 캐리어층(11)은 압접되어 있다. 기재층(10)은, 예를 들면 약 32질량%의 Ni 및 약 5.5질량%의 Co를 포함하는 Fe기 합금 A로 이루어진다. 제 1 캐리어층(11)은, 예를 들면 약 36질량%의 Ni를 포함하는 Fe기 합금 B로 이루어진다. Fe기 합금 A로 이루어지는 기재층(10) 및 Fe기 합금 B로 이루어지는 제 1 캐리어층(11)은 동질의 에칭액(예를 들면, 40질량% 농도의 염화제2철액 등)으로 에칭이 가능하다. 또한, Fe기 합금 A로 이루어지는 기재층(10)은 Fe기 합금 B로 이루어지는 제 1 캐리어층(11)보다 상기 에칭액에 대하여 고내식이다.In Fig. 12, step (a) is a material preparation step. In this material preparation step, for example, a clad plate 1S shown in FIG. 3 is prepared. The clad plate material 1S (thickness T _1S ) includes a base layer 10 (thickness t0) and a first carrier layer 11 (thickness t1). The thickness of the base layer 10 is 1 μm or more and 20 μm or less (preferably 5 μm or more and 15 μm or less). The base layer 10 and the first carrier layer 11 are pressure-bonded. The base layer 10 is made of, for example, an Fe-based alloy A containing about 32% by mass of Ni and about 5.5% by mass of Co. The first carrier layer 11 is made of, for example, an Fe-based alloy B containing about 36% by mass of Ni. The base layer 10 made of the Fe-based alloy A and the first carrier layer 11 made of the Fe-based alloy B can be etched with a homogeneous etching solution (for example, a ferric chloride solution having a concentration of 40% by mass). . Further, the substrate layer 10 made of Fe-based alloy A is more resistant to the etching solution than the first carrier layer 11 made of Fe-based alloy B.

도 12에 있어서 공정 (b)는 피복 공정이다. 이 피복 공정에서는 소정의 에칭 패턴을 형성하기 위해 기재층(10)의 표면(10a)에 보호막(13)을 형성하고, 제 1 캐리어층(11)의 표면(11a)에 보호막(14)을 형성한다.In Fig. 12, step (b) is a coating step. In this coating process, a protective film 13 is formed on the surface 10a of the substrate layer 10 and a protective film 14 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11 to form a predetermined etching pattern. do.

도 12에 있어서 공정 (c)는 에칭 공정이다. 이 에칭 공정에서는 기재층(10)을 구성하는 Fe기 합금 A 및 제 1 캐리어층(11)을 구성하는 Fe기 합금 B의 양쪽에 적합한 에칭액을 사용하여 클래드 판재(1S)를 에칭한다. 에칭액은, 예를 들면 40질량% 농도의 염화제2철액(수용액)을 사용한다. 이 에칭에 의해 보호막(13)을 갖지 않는 기재층(10)의 표면(10a) 및 보호막(14)을 갖지 않는 제 1 캐리어층(11)의 표면(11a)이 동시에 에칭되어, 예를 들면 에칭 구멍(10b) 및 에칭 구멍(11b)이 대략 동시에 형성된다. 이때 Fe기 합금 A로 이루어지는 기재층(10)이 Fe기 합금 B로 이루어지는 제 1 캐리어층(11)보다 에칭액에 대하여 고내식인 것에 의해 기재층(10)측의 에칭 속도보다 제 1 캐리어층(11)측의 에칭 속도가 커진다. 그 때문에 기재층(10)측보다 제 1 캐리어층(11)측의 부식 감량이 커지고, 기재층(10)측의 에칭 구멍(10b)보다 제 1 캐리어층(11)측의 에칭 구멍(11b)의 사이즈(표면으로부터의 깊이, 표면으로의 개구 지름, 구멍 내의 체적 등)를 크게 할 수 있다. 또한, 에칭 구멍(10b) 및 에칭 구멍(11b)의 사이즈 등의 조정은 기재층(10) 및 제 1 캐리어층(11)의 두께, 재질 등을 적절하게 선택하면 가능하다.In Fig. 12, step (c) is an etching step. In this etching step, the clad plate material 1S is etched using an etching solution suitable for both the Fe-based alloy A constituting the base layer 10 and the Fe-based alloy B constituting the first carrier layer 11. As the etching solution, a ferric chloride solution (aqueous solution) having a concentration of 40% by mass is used, for example. By this etching, the surface 10a of the base layer 10 without the protective film 13 and the surface 11a of the first carrier layer 11 without the protective film 14 are simultaneously etched, for example, etching The hole 10b and the etching hole 11b are formed approximately simultaneously. At this time, the substrate layer 10 made of the Fe-based alloy A is more resistant to the etching solution than the first carrier layer 11 made of the Fe-based alloy B, so that the first carrier layer ( The etching rate on the 11) side increases. Therefore, the corrosion loss on the first carrier layer 11 side is greater than that on the substrate layer 10 side, and the etching hole 11b on the first carrier layer 11 side is compared to the etching hole 10b on the substrate layer 10 side. The size (depth from the surface, diameter of the opening to the surface, volume in the hole, etc.) can be increased. In addition, adjustment of the size of the etching hole 10b and the etching hole 11b can be performed by appropriately selecting the thickness and material of the base layer 10 and the first carrier layer 11.

도 12에 있어서 공정 (d)는 마무리 공정이다. 이 마무리 공정에서는 클래드 판재(1S)로부터 보호막(13) 및 보호막(14)이 제거되고, 전체 표면이 청정 처리된다. 이에 따라 메탈 마스크를 제조할 수 있다. 이 메탈 마스크는 Fe기 합금 A로 이루어지는 기재부(10M) 및 Fe기 합금 B로 이루어지는 캐리어부(11M)에 의해 구성되어 있다. 이 메탈 마스크는, 예를 들면 도 8에 나타내는 바와 같은 메탈 마스크(2M)이며, 예를 들면 마스크 패턴(2f)을 갖는 두께(T_2M)의 2층 구조의 메탈 마스크(2M)(제 2 제품예)이다.In Fig. 12, step (d) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 13 and the protective film 14 are removed from the clad plate material 1S, and the entire surface is cleaned. Accordingly, a metal mask can be manufactured. This metal mask is constituted by a substrate portion 10M made of Fe-based alloy A and a carrier portion 11M made of Fe-based alloy B. This metal mask is, for example, a metal mask 2M as shown in Fig. 8, for example, a two-layer metal mask 2M (2nd product) having a thickness T _2M having a mask pattern 2f. Yes).

이어서, 도 13에 나타내는 제조 프로세스를 사용하는 메탈 마스크의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 13에 나타내는 제조 프로세스는 도 12에 나타내는 공정 (a)로부터 공정 (c)로 이어지는 프로세스이다. 도 12에 나타내는 공정 (a)로부터 공정 (c)로 이어지고, 도 13에 나타내는 공정 (c1) 및 공정 (d1)을 거침으로써, 예를 들면 도 6에 나타내는 바와 같은 메탈 마스크(1M)(제 1 제품예)를 제조할 수 있다.Next, a method of manufacturing a metal mask using the manufacturing process shown in FIG. 13 will be described. The manufacturing process shown in FIG. 13 is a process leading from the process (a) shown in FIG. 12 to the process (c). By following the process (a) shown in FIG. 12 to the process (c), and passing through the process (c1) and process (d1) shown in FIG. 13, for example, a metal mask 1M as shown in FIG. 6 (the first Product example) can be manufactured.

도 13에 있어서 공정 (c1)은 하프 에칭 공정이다. 이 하프 에칭 공정에서는 클래드 판재(1S)로부터 보호막(13)이 제거된 후에 하프 에칭이 행해진다. 하프 에칭은 기재층(10)을 구성하는 Fe기 합금 A에 적합한 에칭액을 사용하여 기재층(10)의 표면(10a)측(Z2측)으로부터 제 1 캐리어층(11)측(Z1측)을 향해 대략 균일하게 행해진다. 에칭액은, 예를 들면 40질량% 농도의 염화제2철액(수용액)을 사용한다. 이 하프 에칭에 의해 기재층(10)의 대략 전부가 제거된다. 또한, 하프 에칭 조건의 조정에 의해 기재층(10)이 제거된 후의 제 1 캐리어층(11)에 대하여 Z1측을 향하는 하프 에칭을 행하는 것도 가능하다. 이에 따라 메탈 마스크의 박육화가 가능하다.In Fig. 13, the step (c1) is a half etching step. In this half-etching process, half-etching is performed after the protective film 13 is removed from the clad plate material 1S. Half-etching is performed from the surface 10a side (Z2 side) of the base layer 10 to the first carrier layer 11 side (Z1 side) using an etching solution suitable for the Fe-based alloy A constituting the base layer 10. It is done approximately uniformly toward. As the etching solution, a ferric chloride solution (aqueous solution) having a concentration of 40% by mass is used, for example. Almost all of the base layer 10 is removed by this half-etching. It is also possible to perform half-etching toward the Z1 side with respect to the first carrier layer 11 after the substrate layer 10 has been removed by adjusting the half-etching conditions. Accordingly, it is possible to reduce the thickness of the metal mask.

도 13에 있어서 공정 (d1)은 마무리 공정이다. 이 마무리 공정에서는 클래드 판재(1S)로부터 보호막(14)이 제거되고, 클래드 판재(1S)의 전체 표면이 청정 처리되어 메탈 마스크를 제조할 수 있다. 이 메탈 마스크는 Fe기 합금 B로 이루어지는 캐리어부(11M)에 의해 구성되어 있다. 이 메탈 마스크는, 예를 들면 도 6에 나타내는 바와 같은 메탈 마스크(1M)이며, 예를 들면 마스크 패턴(1f)을 갖는 두께(T_1M)의 단층 구조의 메탈 마스크(1M)(제 1 제품예)이다.In Fig. 13, step (d1) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 14 is removed from the clad plate material 1S, and the entire surface of the clad plate material 1S is cleaned, so that a metal mask can be manufactured. This metal mask is constituted by a carrier portion 11M made of an Fe-based alloy B. This metal mask is, for example, a metal mask 1M as shown in Fig. 6, for example, a metal mask _1M of a single layer structure having a thickness T _1M having a mask pattern 1f (first product example )to be.

<제 1 제품예의 제 1 변형예><First modification example of first product example>

도 12 및 도 14 또는 도 12 및 도 15에 나타내는 메탈 마스크의 제조 방법 에 의하면 도 7에 나타내는 메탈 마스크(제 1 제품예의 변형예)와 유사 구성을 갖는 도 14 또는 도 15에 나타내는 메탈 마스크(1Ma)(제 1 제품예의 제 1 변형예)를 제조할 수 있다.According to the method of manufacturing the metal mask shown in FIGS. 12 and 14 or 12 and 15, the metal mask 1Ma shown in FIG. 14 or 15 having a configuration similar to that of the metal mask shown in FIG. 7 (a modified example of the first product example) ) (The first variation of the first product example) can be manufactured.

도 14 또는 도 15에 나타내는 메탈 마스크(1Ma)(제 1 제품예의 제 1 변형예)는 도 12에 나타내는 공정 (a)로부터 공정 (c)로 이어져 도 13 또는 도 14에 나타내는 제조 프로세스에 의해 제조될 수 있다. 또한, 도 12에 나타내는 공정 (a)에 대응하는 소재 준비 공정에서는, 예를 들면 도 3에 나타내는 클래드 판재(1S)를 준비한다. 이 클래드 판재(1S)는 상술한 메탈 마스크(1M)의 경우와 마찬가지인 것이어도 좋다. 도 12에 나타내는 공정 (b)에 대응하는 피복 공정 및 공정 (c)에 대응하는 에칭 공정은 상술한 메탈 마스크(1M)의 경우와 마찬가지로 행해도 좋다.The metal mask 1Ma shown in FIG. 14 or 15 (the first modification example of the first product example) is manufactured by the manufacturing process shown in FIG. 13 or 14 following the process (a) shown in FIG. 12 to the process (c). Can be. In addition, in the material preparation process corresponding to the process (a) shown in FIG. 12, for example, the cladding plate material 1S shown in FIG. 3 is prepared. The cladding plate 1S may be the same as in the case of the metal mask 1M described above. The coating process corresponding to the process (b) shown in FIG. 12 and the etching process corresponding to the process (c) may be performed in the same manner as in the case of the metal mask 1M described above.

도 14에 나타내는 제조 프로세스를 사용하는 메탈 마스크의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 14에 나타내는 제조 프로세스는 도 12에 나타내는 공정 (a)로부터 공정 (c)로 이어지는 프로세스이다. 도 14에 있어서 공정 (e)는 피복 공정이다. 이 피복 공정에서는 Z1측에 소정의 형상의 프레임부(11f)(공정 (h) 참조)를 형성하기 위해서 제 1 캐리어층(11)의 표면(11a)에 보호막(15)을 형성하고, 에칭 구멍(11b)(도 12 참조)에 보호막(16)을 형성하고, 기재층(10)의 표면(10a) 및 에칭 구멍(10b)에 보호막(17)을 형성한다.A method of manufacturing a metal mask using the manufacturing process shown in FIG. 14 will be described. The manufacturing process shown in FIG. 14 is a process leading from the process (a) shown in FIG. 12 to the process (c). In Fig. 14, step (e) is a coating step. In this coating process, a protective film 15 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11 in order to form a frame portion 11f of a predetermined shape on the Z1 side (see step (h)), and an etching hole A protective film 16 is formed on (11b) (see Fig. 12), and a protective film 17 is formed on the surface 10a of the base layer 10 and the etching hole 10b.

도 14에 있어서 공정 (f)는 에칭 공정이다. 이 에칭 공정에서는 제 1 캐리어층(11)을 구성하는 Fe기 합금 B에 적합한 에칭액을 사용하여 제 1 캐리어층(11)을 에칭한다. 에칭액은, 예를 들면 40질량% 농도의 염화제2철액(수용액)을 사용한다. 이 에칭에 의해 보호막(15) 및 보호막(16)을 갖지 않는 제 1 캐리어층(11)의 표면(11a)이 에칭되어, 예를 들면 에칭 구멍(11c)이 형성된다. 이 에칭 구멍(11c)의 깊이(에칭량)의 조정은 에칭 조건의 조정 등에 의해 가능하다.In Fig. 14, step (f) is an etching step. In this etching step, the first carrier layer 11 is etched using an etching solution suitable for the Fe-based alloy B constituting the first carrier layer 11. As the etching solution, a ferric chloride solution (aqueous solution) having a concentration of 40% by mass is used, for example. By this etching, the protective film 15 and the surface 11a of the first carrier layer 11 having no protective film 16 are etched to form an etching hole 11c, for example. The depth (etching amount) of the etching hole 11c can be adjusted by adjusting etching conditions or the like.

도 14에 있어서 공정 (g)는 하프 에칭 공정이다. 이 하프 에칭 공정에서는 우선 기재층(10)으로부터 보호막(17)이 제거된다. 이어서, 에칭 구멍(11b) 및 에칭 구멍(11c)을 포함하는 제 1 캐리어층(11)의 표면(11a)에 보호막(18)이 형성되고, 에칭 구멍(10b)(도 12 참조)에 보호막(19)이 형성된다. 그 후 하프 에칭이 행해진다. 하프 에칭은 기재층(10)의 표면(10a)측(Z2측)으로부터 제 1 캐리어층(11)측(Z1측)을 향해 대략 균일하게 행해진다. 이 하프 에칭에 의해 기재층(10)의 대략 전부가 제거된다. 또한, 하프 에칭 조건의 조정에 의해 기재층(10)이 제거된 후의 제 1 캐리어층(11)에 대하여 Z1측을 향하는 하프 에칭을 행하는 것도 가능하다. 이에 따라 메탈 마스크의 박육화가 가능하다.In Fig. 14, step (g) is a half etching step. In this half-etching process, first, the protective film 17 is removed from the base layer 10. Subsequently, a protective film 18 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11 including the etching hole 11b and the etching hole 11c, and the protective film 18 is formed in the etching hole 10b (see Fig. 12). 19) is formed. Thereafter, half etching is performed. The half-etching is performed substantially uniformly from the surface 10a side (Z2 side) of the base layer 10 toward the first carrier layer 11 side (Z1 side). Almost all of the base layer 10 is removed by this half-etching. It is also possible to perform half-etching toward the Z1 side with respect to the first carrier layer 11 after the substrate layer 10 has been removed by adjusting the half-etching conditions. Accordingly, it is possible to reduce the thickness of the metal mask.

도 14에 있어서 공정 (h)는 마무리 공정이다. 이 마무리 공정에서는 클래드 판재(1S)로부터 보호막(18) 및 보호막(19)이 제거되어 전체 표면이 청정 처리된다. 이에 따라 메탈 마스크를 제조할 수 있다. 이 메탈 마스크는 Fe기 합금 B로 이루어지는 캐리어부(11M)에 의해 구성되고, 캐리어부(11M)의 Z1측의 변연 부분에 환상으로 프레임부(11f)가 배치되어 있다. 이 프레임부(11f)는 제 1 캐리어층(11) 부분으로 이루어진다. 이 메탈 마스크는, 예를 들면 도 7에 나타내는 메탈 마스크와 유사 구성을 갖는 것이며, 예를 들면 마스크 패턴(1fa)을 갖는 두께(T_1Ma)의 단층 구조의 메탈 마스크(1Ma)(제 1 제품예의 제 1 변형예)이다.In Fig. 14, step (h) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 18 and the protective film 19 are removed from the clad plate material 1S, and the entire surface is cleaned. Accordingly, a metal mask can be manufactured. This metal mask is constituted by a carrier portion 11M made of an Fe-based alloy B, and a frame portion 11f is arranged annularly at a marginal portion on the Z1 side of the carrier portion 11M. This frame part 11f is made up of the first carrier layer 11 part. This metal mask has a configuration similar to that of the metal mask shown in FIG. 7, for example, and has a single-layered metal mask _1Ma having a thickness T _1Ma having a mask pattern 1fa (the first product example). This is the first modification).

이어서, 도 15에 나타내는 제조 프로세스를 사용하는 메탈 마스크의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 15에 나타내는 제조 프로세스는 도 12에 나타내는 공정 (a)로부터 공정 (c)로 이어지는 프로세스이다. 도 15에 있어서 공정 (e1)은 피복 공정이다. 이 피복 공정에서는 Z1측에 소정의 형상의 프레임부(11f)(공정 (h1) 참조)를 형성하기 위해서 제 1 캐리어층(11)의 표면(11a)에 보호막(15)을 형성하고, 에칭 구멍(11b)(도 12 참조)에 보호막(16)을 형성하고, 에칭 구멍(10b)(도 12 참조)에 보호막(19)을 형성한다. 또한, 기재층(10)의 표면(10a)에는 보호막을 형성하지 않는다.Next, a method of manufacturing a metal mask using the manufacturing process shown in FIG. 15 will be described. The manufacturing process shown in FIG. 15 is a process leading from the process (a) shown in FIG. 12 to the process (c). In Fig. 15, step (e1) is a coating step. In this coating process, a protective film 15 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11 in order to form a frame portion 11f of a predetermined shape on the Z1 side (see step (h1)), and an etching hole A protective film 16 is formed in (11b) (see Fig. 12), and a protective film 19 is formed in the etching hole 10b (see Fig. 12). In addition, a protective film is not formed on the surface 10a of the base layer 10.

도 15에 있어서 공정 (f1)은 에칭 및 하프 에칭 공정이다. 이 에칭 및 하프 에칭 공정에서는 기재층(10)을 구성하는 Fe기 합금 A 및 제 1 캐리어층(11)을 구성하는 Fe기 합금 B의 양쪽에 적합한 에칭액을 사용하여 제 1 캐리어층(11)측(Z1측) 및 기재층(10)측(Z2측)을 동시에 에칭한다. 에칭액은, 예를 들면 40질량% 농도의 염화제2철액(수용액)을 사용한다. 이 에칭에 의해 보호막(15) 및 보호막(16)을 갖지 않는 제 1 캐리어층(11)의 표면(11a)이 에칭되어, 예를 들면 에칭 구멍(11c)이 형성된다. 이 에칭 구멍(11c)의 깊이(에칭량)의 조정은 에칭 조건의 조정 등에 의해 가능하다. 또한, 동시에 보호막(19)을 갖지 않는 기재층(10)의 표면(10a)이 제 1 캐리어층(11)측(Z1측)을 향해 대략 균일하게 하프 에칭되어 기재층(10)의 대략 전부가 제거된다. 또한, 하프 에칭 조건의 조정에 의해 기재층(10)이 제거된 후의 제 1 캐리어층(11)에 대하여 Z1측을 향하는 하프 에칭을 행하는 것도 가능하다. 이에 따라 메탈 마스크의 박육화가 가능하다. In Fig. 15, step (f1) is an etching and half etching step. In this etching and half-etching process, an etching solution suitable for both of the Fe-based alloy A constituting the base layer 10 and the Fe-based alloy B constituting the first carrier layer 11 is used to form the first carrier layer 11 side. The (Z1 side) and the base layer 10 side (Z2 side) are etched simultaneously. As the etching solution, a ferric chloride solution (aqueous solution) having a concentration of 40% by mass is used, for example. By this etching, the protective film 15 and the surface 11a of the first carrier layer 11 having no protective film 16 are etched to form an etching hole 11c, for example. The depth (etching amount) of the etching hole 11c can be adjusted by adjusting etching conditions or the like. In addition, at the same time, the surface 10a of the base layer 10 without the protective film 19 is substantially uniformly half-etched toward the first carrier layer 11 side (Z1 side), so that approximately all of the base layer 10 is Is removed. It is also possible to perform half-etching toward the Z1 side with respect to the first carrier layer 11 after the substrate layer 10 has been removed by adjusting the half-etching conditions. Accordingly, it is possible to reduce the thickness of the metal mask.

도 15에 있어서 공정 (h1)은 마무리 공정이다. 이 마무리 공정에서는 클래드 판재(1S)로부터 보호막(15), 보호막(16), 및 보호막(19)이 제거되어 전체 표면이 청정 처리된다. 이에 따라 메탈 마스크를 제조할 수 있다. 이 메탈 마스크는 Fe기 합금 B로 이루어지는 캐리어부(11M)에 의해 구성되고, 캐리어부(11M)의 Z1측의 변연 부분에 환상으로 프레임부(11f)가 배치되어 있다. 이 프레임부(11f)는 제 1 캐리어층(11) 부분으로 이루어진다. 이 메탈 마스크는, 예를 들면 도 7에 나타내는 메탈 마스크와 유사 구성을 갖는 것이며, 예를 들면 마스크 패턴(1fa)를 갖는 두께(T1Ma)의 단층 구조의 메탈 마스크(1Ma)(제 1 제품예의 제 1 변형예)이다.In Fig. 15, step (h1) is a finishing step. In this finishing process, the protective film 15, the protective film 16, and the protective film 19 are removed from the clad plate material 1S, and the entire surface is cleaned. Accordingly, a metal mask can be manufactured. This metal mask is constituted by a carrier portion 11M made of an Fe-based alloy B, and a frame portion 11f is arranged annularly at a marginal portion on the Z1 side of the carrier portion 11M. This frame part 11f is made up of the first carrier layer 11 part. This metal mask has a configuration similar to that of the metal mask shown in FIG. 7, for example, and has a single-layered metal mask 1Ma having a thickness T1Ma having a mask pattern 1fa (the first product example). 1 modification).

<제 1 제품예의 제 2 변형예><Second modification of the first product example>

도 12 및 도 16에 나타내는 메탈 마스크의 제조 방법에 의하면 도 7에 나타내는 메탈 마스크(제 1 제품예의 변형예)와 유사 구성이며, 프레임부(10f)가 Z2측에 배치되어 있는 도 16에 나타내는 메탈 마스크(1Mb)(제 1 제품예의 제 2 변형예)를 제조할 수 있다.According to the manufacturing method of the metal mask shown in FIGS. 12 and 16, the metal mask shown in FIG. 7 (a modified example of the first product example) has a configuration similar to that of the metal shown in FIG. 16 in which the frame portion 10f is disposed on the Z2 side. A mask 1Mb (a second modification of the first product example) can be manufactured.

도 16에 나타내는 메탈 마스크(1Mb)(제 1 제품예의 제 2 변형예)는 도 12에 나타내는 공정 (a)로부터 공정 (c)로 이어져 도 16에 나타내는 제조 프로세스에 의해 제조할 수 있다. 또한, 도 12에 나타내는 공정 (a)에 대응하는 소재 준비 공정에서는, 예를 들면 도 3에 나타내는 클래드 판재(1S)를 준비한다. 이 클래드 판재(1S)는 상술한 메탈 마스크(1M)의 경우와 마찬가지어도 좋다. 도 12에 나타내는 공정 (b)에 대응하는 피복 공정 및 공정 (c)에 대응하는 에칭 공정은 상술한 메탈 마스크(1M)의 경우와 마찬가지로 행해도 좋다.The metal mask 1Mb shown in FIG. 16 (a second modified example of the first product example) can be manufactured by the manufacturing process shown in FIG. 16 following the process (a) shown in FIG. 12 to the process (c). In addition, in the material preparation process corresponding to the process (a) shown in FIG. 12, for example, the cladding plate material 1S shown in FIG. 3 is prepared. This clad plate material 1S may be the same as in the case of the metal mask 1M described above. The coating process corresponding to the process (b) shown in FIG. 12 and the etching process corresponding to the process (c) may be performed in the same manner as in the case of the metal mask 1M described above.

도 16에 나타내는 제조 프로세스는 도 12에 나타내는 공정 (a)로부터 공정 (c)로 이어지는 프로세스이다. 도 16에 있어서 공정 (e2)는 피복 공정이다. 이 피복 공정에서는 Z2측에 소정의 형상의 프레임부(10f)(공정 (h2) 참조)를 형성하기 위해서 기재층(10)의 표면(10a)에 보호막(17)을 형성하고, 에칭 구멍(10b)에 보호막(19)을 형성하고, 제 1 캐리어층(11)의 표면(11a) 및 에칭 구멍(11b)(도 12 참조)에 보호막(20)을 형성한다.The manufacturing process shown in FIG. 16 is a process leading from the process (a) shown in FIG. 12 to the process (c). In Fig. 16, step (e2) is a coating step. In this coating step, a protective film 17 is formed on the surface 10a of the base layer 10 in order to form a frame portion 10f of a predetermined shape (refer to step (h2)) on the Z2 side, and the etching hole 10b ), and the protective film 20 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11 and the etching hole 11b (see Fig. 12).

도 16에 있어서 공정 (f2)는 에칭 공정이다. 이 에칭 공정에서는 기재층(10)을 구성하는 Fe기 합금 A에 적합한 에칭액을 사용하여 기재층(10)을 에칭한다. 에칭액은, 예를 들면 40질량% 농도의 염화제2철액(수용액)을 사용한다. 이 에칭에 의해 보호막(17) 및 보호막(19)을 갖지 않는 기재층(10)의 표면(10a)이 에칭되어 기재층(10)의 대략 전부가 제거되고, 예를 들면 에칭 구멍(10c)이 형성된다. 이 에칭 구멍(10c)의 깊이(에칭량)의 조정은 에칭 조건의 조정 등에 의해 가능하다. 또한, 에칭 조건의 조정에 의해 기재층(10)이 제거된 후의 제 1 캐리어층(11)에 대하여 Z1측을 향하는 에칭을 행하는 것도 가능하다. 이에 따라 메탈 마스크의 박육화가 가능하다.In Fig. 16, step (f2) is an etching step. In this etching step, the base layer 10 is etched using an etching solution suitable for the Fe-based alloy A constituting the base layer 10. As the etching solution, a ferric chloride solution (aqueous solution) having a concentration of 40% by mass is used, for example. By this etching, the surface 10a of the base layer 10 without the protective film 17 and the protective film 19 is etched to remove approximately all of the base layer 10, for example, the etching hole 10c. Is formed. The depth (etching amount) of the etching hole 10c can be adjusted by adjusting etching conditions or the like. It is also possible to perform etching toward the Z1 side with respect to the first carrier layer 11 after the substrate layer 10 has been removed by adjusting the etching conditions. Accordingly, it is possible to reduce the thickness of the metal mask.

도 16에 있어서 공정 (h2)는 마무리 공정이다. 이 마무리 공정에서는 보호막(17), 보호막(19), 및 보호막(20)이 제거되어 전체 표면이 청정 처리된다. 이에 따라 메탈 마스크를 제조할 수 있다. 이 메탈 마스크는 Fe기 합금 B로 이루어지는 캐리어부(11M)에 의해 구성되고, 캐리어부(11M)의 Z2측의 변연 부분에 환상으로 프레임부(10f)가 배치되어 있다. 이 프레임부(10f)는 기재층(10) 부분으로 이루어진다. 이 메탈 마스크는, 예를 들면 도 7에 나타내는 메탈 마스크와 유사 구성을 갖는 것이며, 프레임부(10f)가 Z2측에 배치되어 있다. 이 메탈 마스크는, 예를 들면 마스크 패턴(1f)을 갖는 두께(T_1Mb)의 메탈 마스크(1Mb)(제 1 제품예의 제 2 변형예)이다. 이 메탈 마스크(1Mb)의 주체는 단층 구조이다.In Fig. 16, step (h2) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 17, the protective film 19, and the protective film 20 are removed to clean the entire surface. Accordingly, a metal mask can be manufactured. This metal mask is constituted by a carrier portion 11M made of an Fe-based alloy B, and a frame portion 10f is arranged annularly at a marginal portion on the Z2 side of the carrier portion 11M. This frame part 10f is made of a base layer 10 part. This metal mask has a configuration similar to that of the metal mask shown in Fig. 7, for example, and the frame portion 10f is disposed on the Z2 side. This metal mask is, for example, a metal mask 1Mb (a second modification of the first product example) having a thickness T _1Mb having a mask pattern 1f. The main body of this metal mask 1Mb is a single layer structure.

<제 3 제품예><3rd product example>

도 17에 나타내는 메탈 마스크의 제조 방법에 의하면 도 10에 나타내는 메탈 마스크(3M)(제 3 제품예)를 제조할 수 있다.According to the manufacturing method of the metal mask shown in FIG. 17, the metal mask 3M (third product example) shown in FIG. 10 can be manufactured.

도 17에 있어서 공정 (i)는 소재 준비 공정이다. 이 소재 준비 공정에서는, 예를 들면 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S) 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 준비한다. 도 16에서는 대표하여 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 들고 있다. 클래드 판재(2S)(두께(T_2S))는 기재층(10)(두께(t0))과, 제 1 캐리어층(11)(두께(t1))과, 제 2 캐리어층(12)(두께(t2))을 구비한다. 기재층(10)의 두께는 1㎛ 이상 20㎛ 이하(바람직하게는 5㎛ 이상 15㎛ 이하)이다. 기재층(10)과 제 1 캐리어층(11)은 압접되어 있다. 기재층(10)과 제 2 캐리어층(12)은 압접되어 있다. 기재층(10)은, 예를 들면 약 32질량%의 Ni 및 약 5.5질량%의 Co를 포함하는 Fe기 합금 A로 이루어진다. 제 1 캐리어층(11)은, 예를 들면 약 36질량%의 Ni를 포함하는 Fe기 합금 B로 이루어진다. 제 2 캐리어층(12)은 Fe기 합금 C로 이루어지며, Fe기 합금 B과 동질의 에칭액으로 에칭 가능하고, 그 에칭액에 대하여 Fe기 합금 B보다 고내식이다. Fe기 합금 A로 이루어지는 기재층(10), Fe기 합금 B로 이루어지는 제 1 캐리어층(11), 및 Fe기 합금 C로 이루어지는 제 2 캐리어층(12)은 어느 것이나 동질의 에칭액(예를 들면, 40질량% 농도의 염화제2철액 등)으로 에칭이 가능하다. 또한, Fe기 합금 A로 이루어지는 기재층(10)은 상기 에칭액에 대하여 Fe기 합금 B로 이루어지는 제 1 캐리어층(11)보다 고내식이며, Fe기 합금 C로 이루어지는 제 2 캐리어층(12)보다 고내식이다.In Fig. 17, step (i) is a material preparation step. In this material preparation step, for example, the clad plate material 2S shown in FIG. 4 or the clad plate material 3S shown in FIG. 5 is prepared. In FIG. 16, a cladding plate 2S shown in FIG. 4 is represented as a representative. The cladding plate material 2S (thickness T _2S ) is the base layer 10 (thickness t0), the first carrier layer 11 (thickness t1), and the second carrier layer 12 (thickness (t2)). The thickness of the base layer 10 is 1 μm or more and 20 μm or less (preferably 5 μm or more and 15 μm or less). The base layer 10 and the first carrier layer 11 are pressure-bonded. The base layer 10 and the second carrier layer 12 are pressure-bonded. The base layer 10 is made of, for example, an Fe-based alloy A containing about 32% by mass of Ni and about 5.5% by mass of Co. The first carrier layer 11 is made of, for example, an Fe-based alloy B containing about 36% by mass of Ni. The second carrier layer 12 is made of an Fe-based alloy C, can be etched with an etching solution identical to that of the Fe-based alloy B, and is more resistant to corrosion than the Fe-based alloy B with respect to the etching solution. The substrate layer 10 made of the Fe-based alloy A, the first carrier layer 11 made of the Fe-based alloy B, and the second carrier layer 12 made of the Fe-based alloy C are all of the same etching solution (for example, , 40% by mass concentration of ferric chloride, etc.). In addition, the substrate layer 10 made of Fe-based alloy A is more resistant to corrosion than the first carrier layer 11 made of Fe-based alloy B with respect to the etching solution, and is more resistant to the second carrier layer 12 made of Fe-based alloy C. It is high resistance.

도 17에 있어서 공정 (j)는 피복 공정이다. 이 피복 공정에서는 소정의 에칭 패턴을 형성하기 위해서 제 1 캐리어층(11)의 표면(11a)에 보호막(13)을 형성하고, 제 2 캐리어층(12)의 표면(12a)에 보호막(14)을 형성한다.In Fig. 17, step (j) is a coating step. In this coating process, in order to form a predetermined etching pattern, a protective film 13 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11, and a protective film 14 is formed on the surface 12a of the second carrier layer 12. To form.

도 17에 있어서 공정 (k)는 에칭 공정이다. 이 에칭 공정에서는 제 1 캐리어층(11)을 구성하는 Fe기 합금 B 및 제 2 캐리어층(12)을 구성하는 Fe기 합금 C의 양쪽에 적합한 에칭액을 사용하여 클래드 판재(2S)를 에칭한다. 에칭액은, 예를 들면 40질량% 농도의 염화제2철액(수용액)을 사용한다. 이 에칭에 의해 보호막(13)을 갖지 않는 제 1 캐리어층(11)의 표면(11a)과, 보호막(14)을 갖지 않는 제 2 캐리어층(12)의 표면(12a)이 동시에 에칭되어, 예를 들면 에칭 구멍(11b) 및 에칭 구멍(12b)이 대략 동시에 형성된다. 이때 Fe기 합금 C로 구성되는 제 2 캐리어층(12)이 Fe기 합금 B로 구성되는 제 1 캐리어층(11)보다 에칭액에 대하여 고내식인 것에 의해 제 2 캐리어층(12)측의 에칭 속도보다 제 1 캐리어층(11)측의 에칭 속도가 커진다. 그 때문에 기재층(10)측보다 제 1 캐리어층(11)측의 부식 감량이 커지고, Z1측으로부터 Z2측을 향하는 에칭 구멍의 형성이 보다 빠르게 진행된다. 그 결과, 기재층(10)의 에칭은 Z1측으로부터 진행되기 때문에 제 2 캐리어층(12)측(Z2측)의 에칭 구멍(12b)보다 제 1 캐리어층(11)측(Z1측)의 에칭 구멍(11b)의 사이즈(표면으로부터의 깊이, 표면으로의 개구 지름, 구멍 내의 체적 등)를 크게 할 수 있다. 또한, 에칭 구멍(11b) 및 에칭 구멍(12b)의 사이즈 등의 조정은 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)의 두께, 재질 등을 적절히 선택하면 가능하다.In Fig. 17, step (k) is an etching step. In this etching step, the clad plate 2S is etched using an etching solution suitable for both the Fe-based alloy B constituting the first carrier layer 11 and the Fe-based alloy C constituting the second carrier layer 12. As the etching solution, a ferric chloride solution (aqueous solution) having a concentration of 40% by mass is used, for example. By this etching, the surface 11a of the first carrier layer 11 without the protective film 13 and the surface 12a of the second carrier layer 12 without the protective film 14 are etched at the same time. For example, the etching hole 11b and the etching hole 12b are formed substantially simultaneously. At this time, since the second carrier layer 12 composed of Fe-based alloy C is higher corrosion resistance to the etching solution than the first carrier layer 11 composed of Fe-based alloy B, the etching rate of the second carrier layer 12 side The etching rate on the first carrier layer 11 side increases more. Therefore, the corrosion loss on the first carrier layer 11 side is greater than on the base layer 10 side, and the formation of the etching holes from the Z1 side to the Z2 side proceeds more rapidly. As a result, since the etching of the base layer 10 proceeds from the Z1 side, the etching of the first carrier layer 11 side (Z1 side) than the etching hole 12b of the second carrier layer 12 side (Z2 side) The size of the hole 11b (the depth from the surface, the diameter of the opening to the surface, the volume in the hole, etc.) can be increased. In addition, adjustment of the size of the etching hole 11b and the etching hole 12b can be performed by appropriately selecting the thickness and material of the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12.

도 17에 있어서 공정 (m)은 마무리 공정이다. 이 마무리 공정에서는 클래드 판재(2S)로부터 보호막(13) 및 보호막(14)이 제거되어 전체 표면이 청정 처리된다. 이에 따라 메탈 마스크를 제조할 수 있다. 이 메탈 마스크는 Fe기 합금 A로 이루어지는 기재부(10M), Fe기 합금 B로 이루어지는 제 1 캐리어부(11M), 및 Fe기 합금 C로 이루어지는 제 2 캐리어부(12M)에 의해 구성되어 있다. 이 메탈 마스크는, 예를 들면 도 10에 나타내는 바와 같은 메탈 마스크(3M)이며, 예를 들면 마스크 패턴(3f)을 갖는 두께(T_3M)의 3층 구조의 메탈 마스크(3M)(제 3 제품예)이다.In Fig. 17, step (m) is a finishing step. In this finishing process, the protective film 13 and the protective film 14 are removed from the cladding plate 2S, and the entire surface is cleaned. Accordingly, a metal mask can be manufactured. This metal mask is constituted by a substrate portion 10M made of an Fe-based alloy A, a first carrier portion 11M made of an Fe-based alloy B, and a second carrier portion 12M made of an Fe-based alloy C. This metal mask is, for example, a metal mask 3M as shown in Fig. 10, for example, a three-layer metal mask 3M (third product) having a thickness T _3M having a mask pattern 3f. Yes).

<제 3 제품예의 변형예><Modified example of 3rd product example>

도 17 및 도 18에 나타내는 제조 프로세스에 의하면 도 11에 나타내는 메탈 마스크(3Ma)(제 3 제품예의 변형예)를 제조할 수 있다.According to the manufacturing process shown in FIGS. 17 and 18, the metal mask 3Ma shown in FIG. 11 (a modified example of the third product example) can be manufactured.

도 11에 나타내는 메탈 마스크(3Ma)(제 3 제품예의 변형예)는 도 17에 나타내는 공정 (i)로부터 공정 (k)로 이어져 도 18에 나타내는 제조 프로세스에 의해 제조할 수 있다. 또한, 도 17에 나타내는 공정 (i)에 대응하는 소재 준비 공정에서는, 예를 들면 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 준비한다. 클래드 판재(3S)(두께(T_3S))는 기재층(10)(두께(t0))과, 제 1 캐리어층(11)(두께(t1))과, 제 2 캐리어층(12)(두께(t2), t1>t2)을 구비한다. 기재층(10)의 두께는 1㎛ 이상 20㎛ 이하(바람직하게는 5㎛ 이상 15㎛ 이하)이다. 제 1 캐리어층(11)의 두께(t1)는 제 1 캐리어층(11) 부분을 사용하여 프레임부(11f)(도 18 참조)를 형성하기 위해 제 2 캐리어층(12)의 두께(t2)보다 두껍게 되어 있다(도 5 참조, t1>t2). 기재층(10)과 제 1 캐리어층(11)은 압접되어 있다. 기재층(10)과 제 2 캐리어층(12)은 압접되어 있다. 기재층(10)은, 예를 들면 약 32질량%의 Ni 및 약 5.5질량%의 Co를 포함하는 Fe기 합금 A로 이루어진다. 제 1 캐리어층(11)은, 예를 들면 약 36질량%의 Ni를 포함하는 Fe기 합금 B로 이루어진다. 제 2 캐리어층(12)은 Fe기 합금 C로 이루어지고, Fe기 합금 B와 동질의 에칭액으로 에칭 가능하며, 그 에칭액에 대하여 Fe기 합금 B보다 고내식이다. Fe기 합금 A로 이루어지는 기재층(10), Fe기 합금 B로 이루어지는 제 1 캐리어층(11), 및 Fe기 합금 C로 이루어지는 제 2 캐리어층(12)은 어느 것이나 동질의 에칭액(예를 들면, 40질량% 농도의 염화제2철액 등)으로 에칭이 가능하다. 또한, Fe기 합금 A로 이루어지는 기재층(10)은 상기 에칭액에 대하여 Fe기 합금 B로 이루어지는 제 1 캐리어층(11)보다 고내식이며, Fe기 합금 C로 이루어지는 제 2 캐리어층(12)보다 고내식이다. 도 17에 나타내는 공정 (j)에 대응하는 피복 공정 및 공정 (k)에 대응하는 에칭 공정은 상술한 메탈 마스크(3M)의 경우와 마찬가지로 행해도 좋다.The metal mask 3Ma shown in FIG. 11 (a modified example of the third product example) can be manufactured by the manufacturing process shown in FIG. 18 from the process (i) shown in FIG. 17 to the process (k). In addition, in the material preparation process corresponding to the process (i) shown in FIG. 17, for example, the clad plate material 3S shown in FIG. 5 is prepared. The cladding plate material 3S (thickness (T _3S )) includes the base layer 10 (thickness (t0)), the first carrier layer 11 (thickness (t1)), and the second carrier layer 12 (thickness). (t2), t1>t2). The thickness of the base layer 10 is 1 μm or more and 20 μm or less (preferably 5 μm or more and 15 μm or less). The thickness t1 of the first carrier layer 11 is the thickness t2 of the second carrier layer 12 to form the frame portion 11f (see Fig. 18) using the portion of the first carrier layer 11 It is thicker (see Fig. 5, t1>t2). The base layer 10 and the first carrier layer 11 are pressure-bonded. The base layer 10 and the second carrier layer 12 are pressure-bonded. The base layer 10 is made of, for example, an Fe-based alloy A containing about 32% by mass of Ni and about 5.5% by mass of Co. The first carrier layer 11 is made of, for example, an Fe-based alloy B containing about 36% by mass of Ni. The second carrier layer 12 is made of an Fe-based alloy C, can be etched with an etching solution identical to that of the Fe-based alloy B, and is more resistant to corrosion than the Fe-based alloy B with respect to the etching solution. The substrate layer 10 made of the Fe-based alloy A, the first carrier layer 11 made of the Fe-based alloy B, and the second carrier layer 12 made of the Fe-based alloy C are all of the same etching solution (for example, , 40% by mass concentration of ferric chloride, etc.). In addition, the substrate layer 10 made of Fe-based alloy A is more resistant to corrosion than the first carrier layer 11 made of Fe-based alloy B with respect to the etching solution, and is more resistant to the second carrier layer 12 made of Fe-based alloy C. It is high resistance. The coating process corresponding to the process (j) shown in FIG. 17 and the etching process corresponding to the process (k) may be performed in the same manner as in the case of the metal mask 3M described above.

도 18에 나타내는 제조 프로세스는 도 17에 나타내는 공정 (i)로부터 공정 (k)로 이어지는 프로세스이다. 도 18에 있어서 공정 (n)은 피복 공정이다. 이 피복 공정에서는 Z1측에 소정의 형상의 프레임부(11f)(공정 (q) 참조)를 형성하기 위해서 제 1 캐리어층(11)의 표면(11a)에 보호막(15)을 형성하고, 에칭 구멍(11b)(도 17 참조)에 보호막(16)을 형성하고, 제 2 캐리어층(12)의 표면(12a) 및 에칭 구멍(12b)(도 17 참조)에 보호막(17)을 형성한다.The manufacturing process shown in FIG. 18 is a process leading from the process (i) shown in FIG. 17 to the process (k). In Fig. 18, step (n) is a coating step. In this coating process, a protective film 15 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11 in order to form a frame portion 11f of a predetermined shape on the Z1 side (see step (q)), and an etching hole A protective film 16 is formed on (11b) (see Fig. 17), and a protective film 17 is formed on the surface 12a of the second carrier layer 12 and the etching hole 12b (see Fig. 17).

도 18에 있어서 공정 (p)는 에칭 공정이다. 이 에칭 공정에서는 제 1 캐리어층(11)을 구성하는 Fe기 합금 B에 적합한 에칭액을 사용하여 제 1 캐리어층(11)을 에칭한다. 에칭액은, 예를 들면 40질량% 농도의 염화제2철액(수용액)을 사용한다. 이 에칭에 의해 보호막(15)을 갖지 않는 제 1 캐리어층(11)의 표면(11a)이 에칭되어, 예를 들면 에칭 구멍(11c)이 형성된다. 또한, 에칭 시간 등의 조건의 조정에 의해 에칭 구멍(11c)의 깊이의 조정이 가능하다.In Fig. 18, step (p) is an etching step. In this etching step, the first carrier layer 11 is etched using an etching solution suitable for the Fe-based alloy B constituting the first carrier layer 11. As the etching solution, a ferric chloride solution (aqueous solution) having a concentration of 40% by mass is used, for example. By this etching, the surface 11a of the first carrier layer 11 having no protective film 15 is etched, and, for example, an etching hole 11c is formed. Further, it is possible to adjust the depth of the etching hole 11c by adjusting conditions such as the etching time.

도 18에 있어서 공정 (q)는 마무리 공정이다. 이 마무리 공정에서는 클래드 판재(3S)로부터 보호막(15), 보호막(16), 및 보호막(17)이 제거되어 전체 표면이 청정 처리된다. 이에 따라 메탈 마스크를 제조할 수 있다. 이 메탈 마스크는 Fe기 합금 A로 이루어지는 기재부(10M)와, Fe기 합금 B로 이루어지는 제 1 캐리어부(11M), 및 Fe기 합금 C로 이루어지는 제 2 캐리어부(12M)에 의해 구성되고, 제 1 캐리어부(11M)의 Z1측의 연변 부분에 환상으로 프레임부(11f)가 배치되어 있다. 이 프레임부(11f)는 제 1 캐리어층(11) 부분으로 이루어진다. 이 메탈 마스크는, 예를 들면 도 11에 나타내는 바와 같은 메탈 마스크(3Ma)이며, 예를 들면 마스크 패턴(3f)을 갖는 두께(T3Ma)의 3층 구조의 메탈 마스크(3Ma)(제 3 제품예)이다.In Fig. 18, step (q) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 15, the protective film 16, and the protective film 17 are removed from the clad plate material 3S, and the entire surface is cleaned. Accordingly, a metal mask can be manufactured. This metal mask is constituted by a substrate portion 10M made of Fe-based alloy A, a first carrier portion 11M made of Fe-based alloy B, and a second carrier portion 12M made of Fe-based alloy C, A frame portion 11f is arranged in an annular shape at a peripheral portion on the Z1 side of the first carrier portion 11M. This frame part 11f is made up of the first carrier layer 11 part. This metal mask is, for example, a metal mask 3Ma as shown in Fig. 11, for example, a metal mask 3Ma having a three-layer structure having a thickness T3Ma having a mask pattern 3f (3rd product example )to be.

<제 2 제품예의 변형예><Modification of the second product example>

도 17 및 도 19에 나타내는 제조 프로세스에 의하면 도 9에 나타내는 메탈 마스크(2Ma)(제 2 제품예의 변형예)를 제조할 수 있다.According to the manufacturing process shown in FIGS. 17 and 19, the metal mask 2Ma shown in FIG. 9 (a modified example of the second product example) can be manufactured.

도 9에 나타내는 메탈 마스크(2Ma)(제 2 제품예의 변형예)는 도 17에 나타내는 공정 (i)로부터 공정 (k)로 이어져 도 19에 나타내는 제조 프로세스에 의해 제조할 수 있다. 또한, 도 17에 나타내는 공정 (i)에 대응하는 소재 준비 공정에서는, 예를 들면 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S) 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)를 준비한다. 도 19에서는 대표하여 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S)를 들고 있다. 이 클래드 판재(2S)는 상술한 메탈 마스크(3M)의 경우와 마찬가지인 것이어도 좋다. 제 1 캐리어층(11)의 두께(t1)는 제 1 캐리어층(11) 부분을 에칭하여 프레임부(11f)(도 19 참조)를 형성하기 때문에 제 2 캐리어층(12)의 두께(t2)와 대략 동등이어도 좋다(도 4 참조, t1=t2). 도 17에 나타내는 공정 (j)에 대응하는 피복 공 정도 및 공정 (k)에 대응하는 에칭 공정은 상술한 메탈 마스크(3M)의 경우와 마찬가지로 행해도 좋다.The metal mask 2Ma shown in FIG. 9 (a modified example of the second product example) can be manufactured by the manufacturing process shown in FIG. 19 from the process (i) shown in FIG. 17 to the process (k). In the material preparation step corresponding to the step (i) shown in FIG. 17, for example, the clad plate 2S shown in FIG. 4 or the clad plate 3S shown in FIG. 5 is prepared. In FIG. 19, the cladding plate 2S shown in FIG. 4 is represented as a representative. The cladding plate 2S may be the same as in the case of the metal mask 3M described above. The thickness t1 of the first carrier layer 11 is the thickness t2 of the second carrier layer 12 because the frame portion 11f (see Fig. 19) is formed by etching the portion of the first carrier layer 11 It may be approximately equal to (see Fig. 4, t1=t2). The degree of coverage corresponding to the step (j) shown in FIG. 17 and the etching step corresponding to the step (k) may be performed in the same manner as in the case of the metal mask 3M described above.

도 19에 나타내는 제조 프로세스는 도 17에 나타내는 공정 (i)로부터 공정 (k)로 이어지는 프로세스이다. 도 19에 있어서 공정 (n1)은 피복 공정이다. 이 피복 공정에서는 Z1측에 소정의 형상의 프레임부(11f)(공정 (q1) 참조)를 형성하기 위해서 제 1 캐리어층(11)의 표면(11a)에 보호막(15)을 형성하고, 에칭 구멍(11b)(도 17 참조)에 보호막(16)을 형성하고, 제 2 캐리어층(12)의 표면(12a) 및 에칭 구멍(12b)(도 17 참조)에 보호막(17)을 형성한다.The manufacturing process shown in FIG. 19 is a process leading from the process (i) shown in FIG. 17 to the process (k). In Fig. 19, step (n1) is a coating step. In this coating process, a protective film 15 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11 in order to form a frame portion 11f of a predetermined shape on the Z1 side (see step (q1)), and an etching hole A protective film 16 is formed on (11b) (see Fig. 17), and a protective film 17 is formed on the surface 12a of the second carrier layer 12 and the etching hole 12b (see Fig. 17).

도 19에 있어서 공정 (p1)은 에칭 공정이다. 이 에칭 공정에서는 제 1 캐리어층(11)을 구성하는 Fe기 합금 B에 적합한 에칭액을 사용하여 제 1 캐리어층(11)을 에칭한다. 에칭액은, 예를 들면 40질량% 농도의 염화제2철액(수용액)을 사용한다. 이 에칭에 의해 보호막(15)을 갖지 않는 제 1 캐리어층(11)의 표면(11a)이 에칭되어 제 1 캐리어층(11)의 대략 전부가 제거되고, 예를 들면 에칭 구멍(11c)이 형성된다. 또한, 에칭 시간 등의 조건의 조정에 의해 에칭 구멍(11c)의 깊이의 조정이 가능하다. 또한, 에칭 조건의 조정에 의해 제 1 캐리어층(11)이 제거된 후의 기재층(10)에 대하여 Z2측을 향하는 에칭을 행하는 것도 가능하다. 이에 따라 메탈 마스크의 박육화가 가능하다.In Fig. 19, the step (p1) is an etching step. In this etching step, the first carrier layer 11 is etched using an etching solution suitable for the Fe-based alloy B constituting the first carrier layer 11. As the etching solution, a ferric chloride solution (aqueous solution) having a concentration of 40% by mass is used, for example. By this etching, the surface 11a of the first carrier layer 11 that does not have the protective film 15 is etched to remove approximately all of the first carrier layer 11, for example, an etching hole 11c is formed. do. Further, it is possible to adjust the depth of the etching hole 11c by adjusting conditions such as the etching time. It is also possible to perform etching toward the Z2 side with respect to the base layer 10 after the first carrier layer 11 has been removed by adjusting the etching conditions. Accordingly, it is possible to reduce the thickness of the metal mask.

도 19에 있어서 공정 (q1)은 마무리 공정이다. 이 마무리 공정에서는 클래드 판재(2S)로부터 보호막(15), 보호막(16), 및 보호막(17)이 제거되어 전체 표면이 청정 처리된다. 이에 따라 메탈 마스크를 제조할 수 있다. 이 메탈 마스크의 주체는 Fe기 합금 A로 이루어지는 기재부(10M) 및 Fe기 합금 C로 이루어지는 제 2 캐리어부(12M)에 의해 구성된다. 이 메탈 마스크는 Fe기 합금 B로 이루어지는 제 1 캐리어부(11M)의 Z1측의 변연 부분에 환상으로 프레임부(11f)가 배치되어 있다. 이 프레임부(11f)는 제 1 캐리어층(11) 부분으로 이루어진다. 이 메탈 마스크는, 예를 들면 도 9에 나타내는 바와 같은 메탈 마스크(2Ma)이며, 예를 들면 마스크 패턴(2f)을 갖는 두께(T_2Ma)의 메탈 마스크(2Ma)(제 2 제품예의 변형예)이다. 이 메탈 마스크(2Ma)의 주체는 2층 구조이다.In Fig. 19, step (q1) is a finishing step. In this finishing process, the protective film 15, the protective film 16, and the protective film 17 are removed from the cladding plate 2S, and the entire surface is cleaned. Accordingly, a metal mask can be manufactured. The main body of this metal mask is constituted by a substrate portion 10M made of Fe-based alloy A and a second carrier portion 12M made of Fe-based alloy C. In this metal mask, a frame portion 11f is arranged annularly at a marginal portion on the Z1 side of the first carrier portion 11M made of Fe-based alloy B. This frame part 11f is made up of the first carrier layer 11 part. This metal mask is, for example, a metal mask 2Ma as shown in Fig. 9, for example, a metal mask 2Ma having a thickness T _2Ma having a mask pattern 2f (modified example of the second product example) to be. The main body of this metal mask 2Ma is a two-layer structure.

<제 1 제품예의 제 3 변형예><3rd modified example of 1st product example>

도 17 및 도 20에 나타내는 제조 프로세스에 의하면 도 7에 나타내는 메탈 마스크(1Ma)(제 1 제품예의 변형예)를 제조할 수 있다. 또한, 이 제조 프로세스에서 얻어지는 도 20에 나타내는 메탈 마스크(1Ma)를 편의상 제 1 제품예의 제 3 변형예라고 한다.According to the manufacturing process shown in FIGS. 17 and 20, the metal mask 1Ma shown in FIG. 7 (a modified example of the first product example) can be manufactured. In addition, the metal mask 1Ma shown in Fig. 20 obtained in this manufacturing process is referred to as a third modified example of the first product example for convenience.

도 7에 나타내는 메탈 마스크(1Ma)(제 1 제품예의 제 3변형예)는 도 17에 나타내는 공정 (i)로부터 공정 (k)로 이어져 도 20에 나타내는 제조 프로세스에 의해 제조될 수 있다. 또한, 도 17에 나타내는 공정 (i)에 대응하는 소재 준비 공정에서는, 예를 들면 도 4에 나타내는 클래드 판재(2S) 또는 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)에 유사 클래드 판재를 준비한다. 이 클래드 판재(3S) 상술한 메탈 마스크(3Ma)(도 18 참조)의 경우와 마찬가지인 것이어도 좋지만 상술한 메탈 마스크(3Ma)(도 18 참조)의 경우와 마찬가지인 것이 아니어도 좋다. 클래드 판재(3S)는, 예를 들면 제 1 캐리어층(11)의 두께(t1)보다 제 2 캐리어층(12)의 두께(t2)가 두꺼워도 좋다(t1<t2). 도 20에서는 대표하여 도 5에 나타내는 클래드 판재(3S)에 유사 3층 구조의 클래드 판재(이하, 클래드 판재(3S)라고 한다)를 들고 있다. 기재층(10)은, 예를 들면 상기 Fe기 합금 A로 이루어진다. 제 1 캐리어층(11)은 상기 Fe기 합금 A보다 동질의 에칭액으로 에칭되기 쉽고, 예를 들면 상기 Fe기 합금 C로 이루어진다. 제 2 캐리어층(12)은 상기 Fe기 합금 C보다 동질의 에칭액으로 에칭되기 쉽고, 예를 들면 상기 Fe기 합금 B로 이루어진다. 따라서, 기재층(10)과 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)은 동시에 에칭 가능하다. 또한, 그 에칭액에 대하여 기재층(10)은 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)보다 고내식이며, 제 1 캐리어층(11)은 제 2 캐리어층(12)보다 고내식이다. 도 17에 나타내는 공정 (j)에 대응하는 피복 공정은 상술한 메탈 마스크(3M)의 경우와 마찬가지로 행해도 좋다. 또한, 공정 (k)에 대응하는 에칭 공정에서는 제 1 캐리어층(11)이 제 2 캐리어층(12)보다 고내식인 것에 의해 1 캐리어층(11)의 에칭 속도에 비해서 제 2 캐리어층(12)의 에칭 속도가 커진다. 그 때문에 제 1 캐리어층(11)측(Z1측)으로부터 Z2측으로 향하는 에칭량(깊이)보다 제 2 캐리어층(12)측(Z2측)으로부터 Z1측으로 향하는 에칭량(깊이)이 커지는 것을 고려해서 조정하면 좋다.The metal mask 1Ma shown in FIG. 7 (a third modified example of the first product example) can be manufactured by the manufacturing process shown in FIG. 20 from the process (i) shown in FIG. 17 to the process (k). In the material preparation step corresponding to the step (i) shown in Fig. 17, for example, a similar clad plate is prepared in the clad plate 2S shown in Fig. 4 or the clad plate 3S shown in Fig. 5. This clad plate material 3S may be the same as the case of the metal mask 3Ma (see Fig. 18) described above, but may not be the same as the case of the metal mask 3Ma (see Fig. 18) described above. The clad plate material 3S may have, for example, the thickness t2 of the second carrier layer 12 larger than the thickness t1 of the first carrier layer 11 (t1 <t2). In FIG. 20, a clad plate material (hereinafter referred to as a clad plate material 3S) having a similar three-layer structure is held in the clad plate material 3S shown in FIG. 5 as a representative. The base layer 10 is made of the Fe-based alloy A, for example. The first carrier layer 11 is more easily etched with an etching solution of the same quality than that of the Fe-based alloy A, and is made of, for example, the Fe-based alloy C. The second carrier layer 12 is more easily etched with an etching solution of the same quality than that of the Fe-based alloy C, and is made of, for example, the Fe-based alloy B. Therefore, the base layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 can be etched at the same time. In addition, with respect to the etching solution, the base layer 10 is more corrosion resistant than the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12, and the first carrier layer 11 is more corrosion resistant than the second carrier layer 12. to be. The coating process corresponding to the process (j) shown in FIG. 17 may be performed similarly to the case of the metal mask 3M described above. In addition, in the etching process corresponding to the step (k), the first carrier layer 11 has higher corrosion resistance than the second carrier layer 12, so that the second carrier layer 12 is compared with the etching rate of the first carrier layer 11. ), the etching rate increases. Therefore, taking into account that the etching amount (depth) from the second carrier layer 12 side (Z2 side) toward the Z1 side becomes larger than the etching amount (depth) from the first carrier layer 11 side (Z1 side) to the Z2 side. Good to adjust.

도 20에 나타내는 제조 프로세스는 도 17에 나타내는 공정 (i)로부터 공정 (k)로 이어지는 프로세스이다. 도 20에 있어서 공정 (n2)는 피복 공정이다. 이 피복 공정에서는 Z1측에 소정의 형상의 프레임부(11f)(공정 (q2) 참조)를 형성하기 위해서 제 1 캐리어층(11)의 표면(11a)에 보호막(15)을 형성하고, 에칭 구멍(11b) (도 17 참조)에 보호막(16)을 형성하고, 에칭 구멍(12b)(도 17 참조)에 보호막(19)을 형성한다. 또한, 제 2 캐리어층(11)의 표면(11a)에는 보호막을 형성하지 않는다.The manufacturing process shown in FIG. 20 is a process leading from the process (i) shown in FIG. 17 to the process (k). In Fig. 20, step (n2) is a coating step. In this coating process, a protective film 15 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11 in order to form a frame portion 11f of a predetermined shape on the Z1 side (see step (q2)), and an etching hole (11b) A protective film 16 is formed in (see Fig. 17), and a protective film 19 is formed in the etching hole 12b (see Fig. 17). Further, no protective film is formed on the surface 11a of the second carrier layer 11.

도 20에 있어서 공정 (p2)는 에칭 및 하프 에칭 공정이다. 이 에칭 및 하프 에칭 공정에서는 제 1 캐리어층(11)을 구성하는 Fe기 합금 C 및 제 2 캐리어층(12)을 구성하는 Fe기 합금 C에 적합한 에칭액을 사용하여 제 1 캐리어층(11) 및 제 2 캐리어층(12)을 동시에 에칭한다. 에칭액은, 예를 들면 40질량% 농도의 염화제2철액(수용액)을 사용한다. 이 에칭에 의해 보호막(15)을 갖지 않는 제 1 캐리어층(11)의 표면(11a)이 에칭되어 제 1 캐리어층(11)의 대략 전부가 제거되고, 예를 들면 에칭 구멍(11c)이 형성된다. 또한, 동시에 보호막(19)을 갖지 않는 제 2 캐리어층(12)의 표면(12a)이 기재층(10)측(Z1측)을 향해 대략 균일하게 하프 에칭되어 제 2 캐리어층(11)의 대략 전부가 제거된다. 이 경우, 제 2 캐리어층(12)보다 고내식인 제 1 캐리어층(11)의 에칭 속도에 비해서 제 2 캐리어층(12)의 에칭 속도가 커진다. 그 때문에 제 1 캐리어층(11)측(Z1측)으로부터 Z2측으로 향하는 에칭량(깊이)보다 제 2 캐리어층(12)측(Z2측)으로부터 Z1측으로 향하는 에칭량(깊이)은 커진다. 따라서, 제 1 캐리어층(11)과 제 2 캐리어층(12)의 두께 및 내식성의 차를 고려하면 에칭 구멍(11C)의 형성과 대략 동시에 제 2 캐리어층(12)을 대략 제거하는 조정이 가능하다. 또한, 에칭 조건의 조정에 의해 에칭 구멍(11c)의 깊이의 조정이 가능하다. 또한, 에칭 조건의 조정에 의해 제 2 캐리어층(12)이 제거된 후의 기재층(10)에 대하여 Z1측을 향하는 하프 에칭을 행하는 것도 가능하다. 이에 따라 메탈 마스크의 박육화가 가능하다.In Fig. 20, the step (p2) is an etching and half etching step. In this etching and half-etching process, an etching solution suitable for the Fe-based alloy C constituting the first carrier layer 11 and the Fe-based alloy C constituting the second carrier layer 12 is used to form the first carrier layer 11 and The second carrier layer 12 is etched simultaneously. As the etching solution, a ferric chloride solution (aqueous solution) having a concentration of 40% by mass is used, for example. By this etching, the surface 11a of the first carrier layer 11 that does not have the protective film 15 is etched to remove approximately all of the first carrier layer 11, for example, an etching hole 11c is formed. do. In addition, at the same time, the surface 12a of the second carrier layer 12 without the protective film 19 is substantially uniformly half-etched toward the base layer 10 side (Z1 side), so that the second carrier layer 11 is approximately All is removed. In this case, the etching rate of the second carrier layer 12 increases as compared to the etching rate of the first carrier layer 11 which is more corrosion resistant than the second carrier layer 12. Therefore, the etching amount (depth) from the second carrier layer 12 side (Z2 side) to the Z1 side is larger than the etching amount (depth) from the first carrier layer 11 side (Z1 side) to the Z2 side. Therefore, considering the difference in thickness and corrosion resistance between the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12, it is possible to adjust to remove the second carrier layer 12 approximately simultaneously with the formation of the etching hole 11C. Do. Further, it is possible to adjust the depth of the etching hole 11c by adjusting the etching conditions. It is also possible to perform half-etching toward the Z1 side with respect to the base layer 10 after the second carrier layer 12 has been removed by adjusting the etching conditions. Accordingly, it is possible to reduce the thickness of the metal mask.

도 20에 있어서 공정 (q2)는 마무리 공정이다. 이 마무리 공정에서는 클래드 판재(2S)로부터 보호막(15), 보호막(16), 및 보호막(19)이 제거되어 전체 표면이 청정 처리된다. 이에 따라 메탈 마스크를 제조할 수 있다. 이 메탈 마스크의 주체는 Fe기 합금 A로 이루어지는 기재부(10M)에 의해 구성된다. 이 메탈 마스크는 기재부(10M)의 Z1측의 변연 부분에 환상으로 프레임부(11f)가 배치되어 있다. 이 프레임부(11f)는 제 1 캐리어층(11) 부분으로 이루어진다. 이 메탈 마스크는, 예를 들면 도 7에 나타내는 바와 같은 메탈 마스크(1Ma)이며, 예를 들면 마스크 패턴(1f)을 갖는 두께(T_1Ma)의 메탈 마스크(1Ma)(제 1 제품예의 제 3 변형예)이다. 이 메탈 마스크(1Ma)의 주체는 단층 구조이다. 상술한 클래드 판재(3S)와 같은 메탈 마스크용 클래드 판재는 충분히 핸들링이 용이하여 메탈 마스크의 박육화를 가능하게 할 가능성이 높다. 또한, 상술한 클래드 판재(3S)를 사용한 도 17 및 도 20에 나타내는 바와 같은 메탈 마스크의 제조 방법에 의하면 충분히 핸들링이 용이하여 충분히 박육화된 메탈 마스크의 제조가 가능하며, 충분한 생산성 향상이 기대된다.In Fig. 20, step (q2) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 15, the protective film 16, and the protective film 19 are removed from the cladding plate 2S, and the entire surface is cleaned. Accordingly, a metal mask can be manufactured. The main body of this metal mask is constituted by a substrate portion 10M made of an Fe-based alloy A. In this metal mask, a frame portion 11f is arranged in an annular shape at a marginal portion on the Z1 side of the base portion 10M. This frame part 11f is made up of the first carrier layer 11 part. This metal mask is, for example, a metal mask 1Ma as shown in FIG. 7, for example, a metal mask 1Ma having a thickness T _1Ma having a mask pattern 1f (a third modification of the first product example). Yes). The main body of this metal mask 1Ma is a single layer structure. A clad plate for a metal mask such as the above-described clad plate 3S is sufficiently easy to handle, and there is a high possibility that the metal mask can be thinned. In addition, according to the method of manufacturing a metal mask as shown in Figs. 17 and 20 using the above-described clad plate material 3S, it is possible to manufacture a sufficiently thin metal mask by sufficiently easy handling, and sufficient productivity improvement is expected.

<도 1, 도 2>
100, 200: 메탈 마스크 100a: 금속 판재
100b: 제 1 표면 100c: 제 2 표면
100d, 100e, 201b, 202b: 에칭 구멍 100f: 마스크 패턴
101~104: 보호막 200: 메탈 마스크
200a: 클래드 판재 200f: 마스크 패턴
201: 제 1 층 201a, 202a: 표면
202: 제 2 층 203, 204: 보호막
<도 3~도 5>
1S: 클래드 판재(제 1 실시형태) 2S: 클래드 판재(제 2 실시형태)
3S: 클래드 판재(제 3 실시형태) 10: 기재층
11: 제 1 캐리어층 12: 제 2 캐리어층
<도 6~도 11>
1M: 메탈 마스크(제 1 제품예)
1Ma: 메탈 마스크(제 1 제품예의 변형예)
1f, 2f, 3f: 마스크 패턴 2M: 메탈 마스크(제 2 제품예)
2Ma: 메탈 마스크(제 2 제품예의 변형예)
3M: 메탈 마스크(제 3 제품예)
3Ma: 메탈 마스크(제 3 제품예의 변형예)
10M: 기재부 11M: 캐리어부(제 1 캐리어부)
11f: 프레임부 12M: 캐리어부(제 2 캐리어부)
<도 12, 도 13>
1M: 메탈 마스크 1S: 클래드 판재
1f, 2f: 마스크 패턴 2M: 메탈 마스크
10: 기재층 10M: 기재부
10a, 11a: 표면 10b, 11b: 에칭 구멍
11: 제 1 캐리어층 11M: 캐리어부
13, 14: 보호막
<도 14~도 16>
1Ma, 1Mb: 메탈 마스크 1f, 1fa: 마스크 패턴
10: 기재층 10a, 11a: 표면
10c, 11c: 에칭 구멍 10f, 11f: 프레임부
11: 제 1 캐리어층 11M: 캐리어부
15~20: 보호막
<도 17~도 20>
1Ma, 2Ma, 3M, 3Ma: 메탈 마스크 1f, 2f, 3f: 마스크 패턴
2S, 3S: 클래드 판재 10: 기재층
10M: 기재부 11: 제 1 캐리어층
11M: 제 1 캐리어부 11a, 12a: 표면
11b, 12b: 에칭 구멍 12: 제 2 캐리어층
12M: 제 2 캐리어부 13~17, 19: 보호막<Figure 1, Figure 2>
100, 200: metal mask 100a: metal plate
100b: first surface 100c: second surface
100d, 100e, 201b, 202b: etching hole 100f: mask pattern
101-104: protective layer 200: metal mask
200a: clad plate 200f: mask pattern
201: first layer 201a, 202a: surface
202: second layer 203, 204: protective film
<Figure 3~Figure 5>
1S: clad plate material (first embodiment) 2S: clad plate material (second embodiment)
3S: clad plate (third embodiment) 10: base layer
11: first carrier layer 12: second carrier layer
<Figs. 6 to 11>
1M: Metal mask (Product Example 1)
1Ma: Metal mask (modified example of the first product example)
1f, 2f, 3f: mask pattern 2M: metal mask (2nd product example)
2Ma: Metal mask (modified example of the second product example)
3M: Metal mask (3rd product example)
3Ma: Metal mask (modified example of the third product example)
10M: base portion 11M: carrier portion (first carrier portion)
11f: frame portion 12M: carrier portion (second carrier portion)
<Fig. 12, Fig. 13>
1M: metal mask 1S: clad plate
1f, 2f: mask pattern 2M: metal mask
10: base layer 10M: base portion
10a, 11a: surface 10b, 11b: etching hole
11: first carrier layer 11M: carrier portion
13, 14: protective film
<Figs. 14 to 16>
1Ma, 1Mb: metal mask 1f, 1fa: mask pattern
10: base layer 10a, 11a: surface
10c, 11c: etching holes 10f, 11f: frame portion
11: first carrier layer 11M: carrier portion
15-20: protective film
<Figs. 17 to 20>
1Ma, 2Ma, 3M, 3Ma: metal mask 1f, 2f, 3f: mask pattern
2S, 3S: clad plate 10: base layer
10M: base portion 11: first carrier layer
11M: first carrier portion 11a, 12a: surface
11b, 12b: etching hole 12: second carrier layer
12M: second carrier parts 13 to 17, 19: protective film

Claims

When viewed from a cross section cut in the thickness direction, a substrate layer made of an Fe-based alloy containing at least one of Ni and Co in a range of 30% by mass or more and 50% by mass or less, and one side of the substrate layer are pressed into Having a first carrier layer,
The base layer and the first carrier layer can be etched with a homogeneous etching solution, and the base layer is a clad plate material for a metal mask having higher corrosion resistance to the etching solution than the first carrier layer.

The method of claim 1,
When etching is performed using a homogeneous etchant under the same environment, the corrosion loss of the substrate layer is M _b , and the corrosion loss of the first carrier layer is M _C 1,
The base layer and the first carrier layer are clad plates for metal masks satisfying the relationship of M _b /M _c1 ≤ 0.9.

When viewed from a cross section cut in the thickness direction, a substrate layer made of an Fe-based alloy containing at least one of Ni and Co in a range of 30% by mass or more and 50% by mass or less, and one side of the substrate layer are pressed into And a second carrier layer press-contacted to the other side of the substrate layer, and
The base layer, the first carrier layer, and the second carrier layer can be etched with a same etching solution, and the base layer is a metal that is more resistant to the etching solution than the first carrier layer and the second carrier layer. Clad plate for masks.

The method of claim 3,
Etching is performed using a homogeneous etching solution under the same environment, the corrosion loss of the base layer is referred to as M _b , the corrosion loss of the first carrier layer is referred to as M _{C 1} , and the corrosion loss of the second carrier layer is M _{C 2} When I say,
The base layer, the first carrier layer, and the second carrier layer satisfy the relationship of M _b /M _c1 ≤0.9 and M _b /M _c2 ≤0.9.

As a metal mask formed using the cladding plate for metal masks according to any one of claims 1 to 4,
A metal mask made of the Fe-based alloy constituting the base layer.

As a metal mask formed using the cladding plate for metal masks according to any one of claims 1 to 4,
A metal mask comprising a first metal layer made of the Fe-based alloy constituting the base layer and a second metal layer made of a metal constituting the first carrier layer, and the first metal layer and the second metal layer are bonded to each other .

As a metal mask formed using the cladding plate for metal masks according to claim 3 or 4,
A first metal layer made of the Fe-based alloy constituting the base layer, a second metal layer made of a metal constituting the first carrier layer, and a third metal layer made of a metal constituting the second carrier layer, And a metal mask formed by bonding the second metal layer, the first metal layer, and the third metal layer in this order.