JP2023126205A - Clad plate material for metal mask, and metal mask - Google Patents

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紳一郎 横山
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Abstract

To provide a plate material for a metal mask, facilitating handling, capable of thinning a metal mask, and preferably, enabling productivity improvement of a metal mask, and to provide a metal mask using the same.SOLUTION: A clad plate material for a metal mask comprises a substrate layer comprising Fe base alloy containing 30 mass% or more and 50 mass% or less of at least one kind selected from Ni and Co, and a first carrier layer pressure-welded to one side of the substrate layer in a view of a cross section cut in a thickness direction. The substrate layer and the first carrier layer can be etched with a homogenous ferric chloride solution, and the substrate layer has higher corrosion resistance to the ferric chloride solution than the first carrier layer. A metal mask using the clad plate material for a metal mask is also provided.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

この発明は、メタルマスク用クラッド板材およびメタルマスクに関する。
詳しくは、エッチング液に対する耐食性保護膜を形成可能な金属表面を有するメタルマスク用クラッド板材、および、このメタルマスク用クラッド板材を用いたメタルマスクであって、例えば、有機ＥＬ素子用メタルマスクを製造するためのメタルマスク用クラッド板材および有機ＥＬ素子用メタルマスクに関する。 The present invention relates to a clad plate material for a metal mask and a metal mask.
Specifically, there is a clad plate material for a metal mask having a metal surface on which a corrosion-resistant protective film can be formed against an etching solution, and a metal mask using this clad plate material for a metal mask, such as a metal mask for an organic EL element. The present invention relates to a clad plate material for a metal mask and a metal mask for an organic EL element.

例えば、特許文献１には有機ＥＬ素子の製造に用いられる単一種の金属からなるマスキング治具（メタルマスク）の製造方法が開示されている。このメタルマスクは図１に示すような工程によって製造される。図１において、工程（ａ）は素材準備工程である。この素材準備工程ではメタルマスクとなる、単一種の金属からなる厚さＴ１００の単層構造の金属板材１００ａを準備する。この金属板材１００ａは例えば約３６質量％のＮｉ（ニッケル）および約６４質量％のＦｅ（鉄）を含むＦｅ－Ｎｉ合金からなる。このＦｅ－Ｎｉ合金は周知の３６アロイであり、線膨張係数が小さく、約１．２×１０－６／℃である。金属板材１００ａの厚さＴ１００は例えば１０μｍ以上５０μｍ以下である。工程（ｂ）は第１被覆工程である。この第１被覆工程では、金属板材１００ａの第１表面１００ｂに所定のエッチングパターンを形成するための保護膜１０１を形成し、金属板材１００ａの第２表面１００ｃにエッチングを防ぐための保護膜１０２を形成する。工程（ｃ）は第１エッチング工程である。この第１エッチング工程では、上記Ｆｅ－Ｎｉ合金に適するエッチング液を用いて金属板材１００ａをエッチングする。この第１エッチングにより、Ｆｅ－Ｎｉ合金からなる第１表面１００ｂの保護膜１０１を有さない部分がエッチングされ、例えばエッチング孔１００ｄが形成される。工程（ｄ）は第２被覆工程である。この第２被覆工程では、金属板材１００ａの第２表面１００ｃに所定のエッチングパターンを形成するための保護膜１０３を形成し、金属板材１００ａの第１表面１００ｂおよびエッチング孔１００ｄにエッチングを防ぐための保護膜１０４を形成する。工程（ｅ）は第２エッチング工程である。この第２エッチング工程では、第１エッチング工程で用いたものと同質のエッチング液を用いて金属板材１００ａをエッチングする。この第２エッチングにより、Ｆｅ－Ｎｉ合金からなる第２表面１００ｃの保護膜１０３を有さない部分がエッチングされ、例えばエッチング孔１００ｅが形成される。工程（ｆ）は仕上げ工程である。この仕上げ工程では、保護膜１０３および保護膜１０４が除去され、金属板材１００ａの全表面が清浄処理され、メタルマスク１００に仕上げられる。こうした工程を経て、金属板材１００ａを用いて、例えばマスクパターン１００ｆを有し、金属板材１００ａと略同等の厚さＴ１００で、Ｆｅ－Ｎｉ合金からなる単層構造のメタルマスク１００が得られる。 For example, Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a masking jig (metal mask) made of a single type of metal used for manufacturing organic EL elements. This metal mask is manufactured by the process shown in FIG. In FIG. 1, step (a) is a material preparation step. In this material preparation step, a metal plate material 100a having a single layer structure and having a thickness T100 made of a single type of metal is prepared, which will serve as a metal mask. This metal plate material 100a is made of, for example, an Fe--Ni alloy containing about 36% by mass of Ni (nickel) and about 64% by mass of Fe (iron). This Fe--Ni alloy is a well-known 36 alloy and has a small coefficient of linear expansion, about 1.2×10 −6 /° C. The thickness T 100 of the metal plate material 100a is, for example, 10 μm or more and 50 μm or less. Step (b) is a first coating step. In this first coating step, a protective film 101 for forming a predetermined etching pattern is formed on the first surface 100b of the metal plate material 100a, and a protective film 102 for preventing etching is formed on the second surface 100c of the metal plate material 100a. Form. Step (c) is a first etching step. In this first etching step, the metal plate material 100a is etched using an etching solution suitable for the Fe--Ni alloy. By this first etching, a portion of the first surface 100b made of the Fe--Ni alloy that does not have the protective film 101 is etched, and for example, an etching hole 100d is formed. Step (d) is a second coating step. In this second coating step, a protective film 103 is formed on the second surface 100c of the metal plate 100a to form a predetermined etching pattern, and a protective film 103 is formed on the first surface 100b of the metal plate 100a and the etching hole 100d to prevent etching. A protective film 104 is formed. Step (e) is a second etching step. In this second etching step, the metal plate material 100a is etched using the same etching solution as that used in the first etching step. By this second etching, a portion of the second surface 100c made of the Fe--Ni alloy that does not have the protective film 103 is etched, and for example, an etching hole 100e is formed. Step (f) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 103 and the protective film 104 are removed, the entire surface of the metal plate material 100a is cleaned, and the metal mask 100 is finished. Through these steps, a single-layer metal mask 100 made of an Fe--Ni alloy is obtained using the metal plate 100a, for example, having a mask pattern 100f and having a thickness T 100 that is approximately the same as that of the metal plate 100a.

また、例えば、特許文献２にはスクリーン印刷に用いられる金属製の厚膜用メタルマスクの製造方法が開示されている。このメタルマスクは図２に示すような工程によって製造される。図２において、工程（ａ）は素材準備工程である。この素材準備工程ではメタルマスクとなる、２種の金属が接合された２層構造のクラッド板材２００ａを準備する。特許文献２にはクラッド板材２００ａの厚さは記載されていないが、クラッド板材２００ａは厚膜用メタルマスクに相応しい厚さＴ２００を有すると考えられる。このクラッド板材２００ａは例えば銅からなる第１層２０１と、第１層２０１とは異種の例えばステンレス鋼からなる第２層２０２と、からなる。なお、銅に適するエッチング液とステンレス鋼に適するエッチング液とは異質であるため、銅からなる第１層２０１はステンレス鋼からなる第２層に適するエッチング液ではエッチングされず、ステンレス鋼からなる第２層２０２は銅からなる１層２０１に適するエッチング液ではされない。工程（ｂ）は被覆工程である。この被覆工程では、第１層２０１の表面２０１ａに所定のエッチングパターンを形成するための保護膜２０３を形成し、第２層２０２の表面２０２ａに所定のエッチングパターンを形成するための保護膜２０４を形成する。工程（ｃ）は第１エッチング工程である。この第１エッチング工程では、銅に適するエッチング液を用いて第１層２０１の表面２０１ａをエッチングする。この第１エッチングにより、銅からなる第１層２０１の保護膜２０３を有さない表面２０１ａ部分がエッチングされ、例えばエッチング孔２０１ｂが形成される。このとき、ステンレス鋼からなる第２層２０２の保護膜２０４を有さない表面２０２ａ部分はエッチングされない。工程（ｄ）は第２エッチング工程である。この第２エッチング工程では、第１エッチング工程とは異なる、ステンレス鋼に適するエッチング液を用いて第２層２０２の表面２０２ａをエッチングする。この第２エッチングにより、ステンレス鋼からなる第２層２０２の保護膜２０４を有さない表面２０２ａ部分がエッチングされ、例えばエッチング孔２０２ｂが形成される。このとき、銅からなる第１層２０１の保護膜２０３を有さないエッチング孔２０１ｂはエッチングされない。工程（ｅ）は仕上げ工程である。この仕上げ工程では、保護膜２０３および保護膜２０４が除去され、クラッド板材２００ａの全表面が清浄処理され、メタルマスク２００に仕上げられる。こうした工程を経て、クラッド板材２００ａを用いて、例えばマスクパターン２００ｆを有し、クラッド板材２００ａと略同等の厚さＴ２００で、銅およびステンレス鋼からなる２層構造のメタルマスク２００が得られる。 Further, for example, Patent Document 2 discloses a method for manufacturing a metal thick film metal mask used for screen printing. This metal mask is manufactured by the process shown in FIG. In FIG. 2, step (a) is a material preparation step. In this material preparation step, a clad plate material 200a having a two-layer structure in which two types of metals are bonded is prepared, which will serve as a metal mask. Although the thickness of the clad plate material 200a is not described in Patent Document 2, it is thought that the clad plate material 200a has a thickness T200 suitable for a thick film metal mask. This cladding plate material 200a includes a first layer 201 made of copper, for example, and a second layer 202 made of stainless steel, for example, which is different from the first layer 201. Note that since the etching solution suitable for copper and the etching solution suitable for stainless steel are different, the first layer 201 made of copper is not etched with the etching solution suitable for the second layer made of stainless steel, and the first layer 201 made of copper is not etched by the etching solution suitable for the second layer made of stainless steel. The second layer 202 is not etched with an etchant suitable for the first layer 201 made of copper. Step (b) is a coating step. In this coating step, a protective film 203 is formed on the surface 201a of the first layer 201 to form a predetermined etching pattern, and a protective film 204 is formed on the surface 202a of the second layer 202 to form a predetermined etching pattern. Form. Step (c) is a first etching step. In this first etching step, the surface 201a of the first layer 201 is etched using an etching solution suitable for copper. By this first etching, the surface 201a portion of the first layer 201 made of copper that does not have the protective film 203 is etched, and for example, an etching hole 201b is formed. At this time, the surface 202a portion of the second layer 202 made of stainless steel that does not have the protective film 204 is not etched. Step (d) is a second etching step. In this second etching step, the surface 202a of the second layer 202 is etched using an etching solution suitable for stainless steel, which is different from the first etching step. By this second etching, a portion of the surface 202a of the second layer 202 made of stainless steel that does not have the protective film 204 is etched, and for example, an etching hole 202b is formed. At this time, the etching holes 201b that do not have the protective film 203 in the first layer 201 made of copper are not etched. Step (e) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 203 and the protective film 204 are removed, the entire surface of the clad plate material 200a is cleaned, and the metal mask 200 is finished. Through these steps, a metal mask 200 having a two-layer structure made of copper and stainless steel is obtained using the clad plate material 200a, for example, having a mask pattern 200f, and having a thickness T 200 that is approximately the same as that of the clad plate material 200a.

特許第６４３０７２号公報Patent No. 643072 特公昭６２－２１６２９号公報Special Publication No. 62-21629

近年、マスクパターンのさらなる高精細化が望まれている。そのためにはメタルマスクの厚さをさらに薄肉化する必要がある。目標とするメタルマスクの厚さは例えば２０μｍ以下であり、望ましくは１５μｍ以下である。上記した単層構造の金属板材１００ａの厚さＴ１００は例えば１０μｍ以上５０μｍ以下であるが、こうした薄肉の金属板材は皺や折れなどの不具合が発生しやすくなる。例えば２０μｍの厚さの金属板材をさらに薄肉化することは技術的に可能であるが、単純に薄肉化された金属板材は機械的強さの低下によってハンドリングが困難になる。上記した２層構造のクラッド板材２００ａは厚膜用メタルマスクに相応しい厚さを有すると考えられる。このような２層構造のクラッド板材のさらなる薄肉化を単純に行えば、厚さ方向（図２に示すＺ方向）における層構造の非対称性がクラッド板材に大きな反りを発生させる。そのため、例えば２０μｍ以下の厚さのクラッド板材を得ることは技術的に容易ではない。大きな反りを有するクラッド材板はハンドリングが困難であるし、メタルマスクの製造も容易ではない。こうした事情から、メタルマスクのさらなる薄肉化を可能にするメタルマスク用板材の開発が必要である。 In recent years, there has been a desire for higher definition mask patterns. For this purpose, it is necessary to further reduce the thickness of the metal mask. The target thickness of the metal mask is, for example, 20 μm or less, preferably 15 μm or less. The thickness T 100 of the metal plate material 100a having the single-layer structure described above is, for example, 10 μm or more and 50 μm or less, but such a thin metal plate material is prone to problems such as wrinkles and folds. For example, it is technically possible to further reduce the thickness of a metal plate having a thickness of 20 μm, but a simply thinned metal plate becomes difficult to handle due to a decrease in mechanical strength. The above-described two-layer structure clad plate material 200a is considered to have a thickness suitable for a thick film metal mask. If such a two-layer structure clad plate material is simply made further thinner, the asymmetry of the layer structure in the thickness direction (Z direction shown in FIG. 2) will cause large warpage in the clad plate material. Therefore, it is technically not easy to obtain a clad plate material having a thickness of 20 μm or less, for example. It is difficult to handle a clad material plate having a large warp, and it is also not easy to manufacture a metal mask. Under these circumstances, there is a need to develop a plate material for metal masks that allows metal masks to be made even thinner.

メタルマスク用板材の開発に際しては、薄肉化およびハンドリングの容易化に加えて、望ましくはメタルマスクの生産性が従来同等に確保されること、より望ましくはメタルマスクの生産性が向上すること、が期待されている。上記した単一種の金属板材１００ａを用いるメタルマスクの製造方法では、少なくとも、２回の被覆工程および２回のエッチング工程が必要になる。また、上記した異種の金属が接合された２層構造のクラッド板材２００ａを用いるメタルマスクの製造方法では、単一種の金属板材１００ａを用いる方法と比べて、被覆工程の低減が可能になる。しかし、２層構造のクラッド板材２００ａを用いる方法であっても、マスクパターン２００ｆを形成するのに少なくとも２回のエッチング工程が必要になるし、それぞれのエッチング工程で用いるエッチング液を共用することができない。そのため、メタルマスク用板材の好ましい変化がメタルマスクの製造プロセスを好ましく変化させ、メタルマスクの生産性向上に繋がる可能性がある。 When developing plate materials for metal masks, in addition to thinner walls and easier handling, it is desirable to ensure the same productivity of metal masks as before, and more preferably to improve the productivity of metal masks. It is expected. In the method for manufacturing a metal mask using the single type of metal plate material 100a described above, at least two coating steps and two etching steps are required. Further, in the method for manufacturing a metal mask using the clad plate material 200a having a two-layer structure in which different types of metals are bonded together, the number of coating steps can be reduced compared to the method using a single type of metal plate material 100a. However, even with the method using the two-layer structure clad plate material 200a, at least two etching steps are required to form the mask pattern 200f, and it is difficult to share the etching solution used in each etching step. Can not. Therefore, a favorable change in the metal mask plate material may lead to a favorable change in the metal mask manufacturing process, leading to improved metal mask productivity.

この発明は、ハンドリングが容易で、メタルマスクの薄肉化が可能で、望ましくはメタルマスクの生産性向上を可能にする、メタルマスク用板材を提供し、このメタルマスク用板材を用いたメタルマスクを提供することを目的とする。 The present invention provides a metal mask plate material that is easy to handle, allows thinning of the metal mask, and desirably improves the productivity of metal masks, and provides a metal mask using this metal mask plate material. The purpose is to provide.

本発明者らは、２種の金属が接合された２層構造のクラッド板材において、同質のエッチング液でエッチングが可能な２種の金属を接合することによって、上記課題が解決できることを見出し、メタルマスク用クラッド板材に係る発明の構成に想到した。 The present inventors have discovered that the above problem can be solved by joining two types of metals that can be etched with the same etching solution in a two-layer clad plate material in which two types of metals are bonded. We have come up with the structure of an invention related to a clad plate material for masks.

メタルマスク用クラッド材板に係る発明の一つは、厚さ方向に切断された断面視において、ＮｉおよびＣｏのうちの１種以上を３０質量％以上５０質量％以下の範囲で含むＦｅ基合金からなる基材層と、前記基材層の一方側に直接圧接されている第１キャリア層と、を備え、前記基材層および前記第１キャリア層は同質の塩化第二鉄液でエッチングが可能であって、前記基材層は前記第１キャリア層よりも前記塩化第二鉄液に対して高耐食である、メタルマスク用クラッド板材である。この発明において、同等の環境下で同質の塩化第二鉄液を用いてエッチングを行って、前記基材層の腐食減量をＭｂとし、前記第１キャリア層の腐食減量をＭＣ１とするとき、前記基材層および前記第１キャリア層は、Ｍｂ／Ｍｃ１≦０．９の関係を満足する。 One of the inventions related to a cladding material plate for a metal mask is an Fe-based alloy containing one or more of Ni and Co in a range of 30% by mass to 50% by mass in a cross-sectional view cut in the thickness direction. and a first carrier layer that is directly pressed against one side of the base layer, and the base layer and the first carrier layer are etched with a homogeneous ferric chloride solution. The base material layer is a clad plate material for a metal mask that has higher corrosion resistance to the ferric chloride liquid than the first carrier layer. In this invention, when etching is performed using a homogeneous ferric chloride solution under the same environment, the corrosion loss of the base layer is Mb , and the corrosion loss of the first carrier layer is M C1 . , the base material layer and the first carrier layer satisfy the relationship M b /M c1 ≦0.9.

また、メタルマスク用クラッド板材に係る発明の一つは、厚さ方向に切断された断面視において、ＮｉおよびＣｏのうちの１種以上を３０質量％以上５０質量％以下の範囲で含むＦｅ基合金からなる基材層と、前記基材層の一方側に直接圧接されている第１キャリア層と、前記基材層の他方側に直接圧接されている第２キャリア層と、を備え、前記基材層、前記第１キャリア層および前記第２キャリア層は同質の塩化第二鉄液でエッチングが可能であって、前記基材層は前記第１キャリア層および前記第２キャリア層よりも前記塩化第二鉄液に対して高耐食である、メタルマスク用クラッド板材である。この発明において、同等の環境下で同質の塩化第二鉄液を用いてエッチングを行って、前記基材層の腐食減量をＭｂとし、前記第１キャリア層の腐食減量をＭＣ１とし、前記第２キャリア層の腐食減量をＭＣ２とするとき、前記基材層、前記第１キャリア層および前記第２キャリア層は、Ｍｂ／Ｍｃ１≦０．９およびＭｂ／Ｍｃ２≦０．９の関係を満足する。 In addition, one of the inventions related to a clad plate material for a metal mask is an Fe-based material containing one or more of Ni and Co in a range of 30% by mass to 50% by mass in a cross-sectional view cut in the thickness direction. A base material layer made of an alloy, a first carrier layer directly pressed against one side of the base material layer, and a second carrier layer directly pressed against the other side of the base material layer, The base material layer, the first carrier layer, and the second carrier layer can be etched with a homogeneous ferric chloride solution, and the base material layer is etched more than the first carrier layer and the second carrier layer. This is a clad plate material for metal masks that has high corrosion resistance against ferric chloride liquid. In this invention, etching is performed using a homogeneous ferric chloride solution under the same environment, the corrosion loss of the base layer is M b , the corrosion loss of the first carrier layer is M C1 , and the When the corrosion loss of the second carrier layer is M C2 , the base material layer, the first carrier layer, and the second carrier layer have M b /M c1 ≦0.9 and M b /M c2 ≦0. Satisfies relationship 9.

上記いずれかのメタルマスク用クラッド板材を用いて、メタルマスクに係る発明の構成に想到した。すなわち、メタルマスクの係る発明の一つは、前記基材層および前記第１キャリア層を備える上記いずれかのメタルマスク用クラッド板材、または、前記基材層、前記第１キャリア層および前記第２キャリア層を備える上記いずれかのメタルマスク用クラッド板材を用いて形成されたメタルマスクであって、前記基材層を構成する前記Ｆｅ基合金からなる、メタルマスクである。 Using any of the above-mentioned clad plate materials for metal masks, we have conceived the structure of the invention related to metal masks. That is, one of the inventions relating to a metal mask is any one of the above clad plate materials for a metal mask comprising the base material layer and the first carrier layer, or the base material layer, the first carrier layer and the second carrier layer. The present invention is a metal mask formed using any of the above-mentioned clad plate materials for a metal mask including a carrier layer, and the metal mask is made of the Fe-based alloy that constitutes the base material layer.

また、メタルマスクの係る発明の一つは、前記基材層および前記第１キャリア層を備える上記いずれかのメタルマスク用クラッド板材、または、前記基材層、前記第１キャリア層および前記第２キャリア層を備える上記いずれかのメタルマスク用クラッド板材を用いて形成されたメタルマスクであって、前記基材層を構成する前記Ｆｅ基合金からなる第１金属層と、前記第１キャリア層を構成する金属からなる第２金属層と、を備え、前記第１金属層と前記第２金属層とが直接接合されてなる、メタルマスクである。 Further, one of the inventions related to a metal mask is any one of the above clad plate materials for a metal mask comprising the base material layer and the first carrier layer, or the base material layer, the first carrier layer and the second carrier layer. A metal mask formed using any of the above-mentioned clad plate materials for a metal mask including a carrier layer, the first metal layer made of the Fe-based alloy constituting the base layer and the first carrier layer. and a second metal layer made of a constituent metal, and the first metal layer and the second metal layer are directly bonded to each other.

また、メタルマスクの係る発明の一つは、前記基材層、前記第１キャリア層および前記第２キャリア層を備える上記いずれかのメタルマスク用クラッド板材を用いて形成されたメタルマスクであって、前記基材層を構成する前記Ｆｅ基合金からなる第１金属層と、前記第１キャリア層を構成する金属からなる第２金属層と、前記第２キャリア層を構成する金属からなる第３金属層と、を備え、前記第２金属層と前記第１金属層と前記第３金属層とがこの順に直接接合されてなる、メタルマスクである。 Further, one of the inventions relating to a metal mask is a metal mask formed using any of the above-mentioned clad plate materials for a metal mask, comprising the base material layer, the first carrier layer, and the second carrier layer. , a first metal layer made of the Fe-based alloy constituting the base layer, a second metal layer made of the metal constituting the first carrier layer, and a third metal layer made of the metal constituting the second carrier layer. The metal mask includes a metal layer, and the second metal layer, the first metal layer, and the third metal layer are directly bonded in this order.

この発明によれば、ハンドリングが容易で、メタルマスクの薄肉化を可能にする、メタルマスク用クラッド板材が得られる。このメタルマスク用クラッド板材を用いれば、ハンドリングが容易で、従来よりも薄肉のメタルマスクが得られる。また、このメタルマスク用クラッド板材を用いれば、メタルマスクの生産性向上が期待できる。 According to this invention, it is possible to obtain a clad plate material for a metal mask that is easy to handle and allows thinning of the metal mask. If this metal mask clad plate material is used, a metal mask that is easy to handle and thinner than conventional ones can be obtained. Moreover, if this clad plate material for metal masks is used, it is expected that productivity of metal masks will be improved.

従来技術として、単一種の金属からなる単層構造の金属板材を用いたメタルマスクの製造方法について説明するために示す図である。FIG. 2 is a diagram shown to explain a method of manufacturing a metal mask using a metal plate material with a single layer structure made of a single type of metal as a conventional technique. 従来技術として、２種の金属が接合された２層構造のクラッド板材を用いたメタルマスクの製造方法について説明するために示す図である。FIG. 2 is a diagram shown to explain a method of manufacturing a metal mask using a clad plate material having a two-layer structure in which two types of metals are bonded together as a conventional technique. この発明の一実施形態として、２層構造のメタルマスク用クラッド板材の一例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of a two-layer structure clad plate material for a metal mask as an embodiment of the present invention. この発明の一実施形態として、３層構造のメタルマスク用クラッド板材の一例を示す図である。1 is a diagram showing an example of a three-layer structure clad plate material for a metal mask as an embodiment of the present invention. FIG. この発明の一実施形態として、３層構造のメタルマスク用クラッド板材の別例を示す図である。It is a figure which shows another example of the 3-layer structure clad plate material for metal masks as one Embodiment of this invention. この発明の一実施形態として、単層構造のメタルマスクの一例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of a single-layer metal mask as an embodiment of the present invention. この発明の一実施形態として、単層構造のメタルマスクの別例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing another example of a single-layer metal mask as an embodiment of the present invention. この発明の一実施形態として、２層構造のメタルマスクの一例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of a two-layer metal mask as an embodiment of the present invention. この発明の一実施形態として、２層構造のメタルマスクの別例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing another example of a two-layer metal mask as an embodiment of the present invention. この発明の一実施形態として、３層構造のメタルマスクの一例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of a three-layer metal mask as an embodiment of the present invention. この発明の一実施形態として、３層構造のメタルマスクの別例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing another example of a metal mask having a three-layer structure as an embodiment of the present invention. ２層構造のメタルマスク用クラッド板材を用いた、メタルマスクの製造方法について説明するために示す図である。It is a figure shown in order to explain the manufacturing method of a metal mask using the clad plate material for metal masks of two layer structure. ２層構造のメタルマスク用クラッド板材を用いた、メタルマスクの製造方法について説明するために示す図である。It is a figure shown in order to explain the manufacturing method of a metal mask using the clad plate material for metal masks of two layer structure. ２層構造のメタルマスク用クラッド板材を用いた、メタルマスクの製造方法について説明するために示す図である。It is a figure shown in order to explain the manufacturing method of a metal mask using the clad plate material for metal masks of two layer structure. ２層構造のメタルマスク用クラッド板材を用いた、メタルマスクの製造方法について説明するために示す図である。It is a figure shown in order to explain the manufacturing method of a metal mask using the clad plate material for metal masks of two layer structure. ２層構造のメタルマスク用クラッド板材を用いた、メタルマスクの製造方法について説明するために示す図である。It is a figure shown in order to explain the manufacturing method of a metal mask using the clad plate material for metal masks of two layer structure. ３層構造のメタルマスク用クラッド板材を用いた、メタルマスクの製造方法について説明するために示す図である。It is a figure shown in order to explain the manufacturing method of a metal mask using the 3-layer structure metal mask clad plate material. ３層構造のメタルマスク用クラッド板材を用いた、メタルマスクの製造方法について説明するために示す図である。It is a figure shown in order to explain the manufacturing method of a metal mask using the 3-layer structure metal mask clad plate material. ３層構造のメタルマスク用クラッド板材を用いた、メタルマスクの製造方法について説明するために示す図である。It is a figure shown in order to explain the manufacturing method of a metal mask using the 3-layer structure metal mask clad plate material. ３層構造のメタルマスク用クラッド板材を用いた、メタルマスクの製造方法について説明するために示す図である。It is a figure shown in order to explain the manufacturing method of a metal mask using the 3-layer structure metal mask clad plate material.

この発明について、この発明によるメタルマスク用クラッド板材を具体化した実施形態を挙げて説明する。 The present invention will be described with reference to embodiments embodying the clad plate material for a metal mask according to the present invention.

＜第１実施形態＞
この発明によるメタルマスク用クラッド板材の第１実施形態を図３に示す。図３は厚さ方向（Ｚ方向）に切断されたメタルマスク用クラッド板材１Ｓ（以下「クラッド板材１Ｓ」という）の断面視である。 <First embodiment>
A first embodiment of a clad plate material for a metal mask according to the present invention is shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of a metal mask clad plate material 1S (hereinafter referred to as "clad plate material 1S") cut in the thickness direction (Z direction).

クラッド板材１Ｓは、厚さ方向に切断された断面視において、２層構造である。クラッド板材１Ｓ（厚さＴ１Ｓ）は、基材層１０（厚さｔ０）と、基材層１０の一方側（Ｚ１側）に圧接されている第１キャリア層１１（厚さｔ１）と、を備えている。基材層１０と第１キャリア層１１との圧接形態は、例えば、基材層１０を構成するための板材と、第１キャリア層１１を構成するための板材とを、直接重ね合わせた状態で圧延（クラッド圧延）し、必要に応じて拡散焼鈍を行うことによって得られる。なお、クラッド板材１Ｓは特許請求の範囲の「メタルマスク用クラッド板材」の一例であり、基材層１０は特許請求の範囲の「基材層」の一例であり、第１キャリア層１１は特許請求の範囲の「第１キャリア層」の一例である。 The clad plate material 1S has a two-layer structure in a cross-sectional view cut in the thickness direction. The clad plate material 1S (thickness T 1S ) includes a base layer 10 (thickness t0), a first carrier layer 11 (thickness t1) that is pressure-welded to one side (Z1 side) of the base layer 10, It is equipped with The form of pressure contact between the base material layer 10 and the first carrier layer 11 is such that, for example, a plate material for forming the base material layer 10 and a plate material for forming the first carrier layer 11 are directly overlapped. It is obtained by rolling (clad rolling) and performing diffusion annealing if necessary. The clad plate material 1S is an example of a "clad plate material for a metal mask" in the claims, the base material layer 10 is an example of a "base material layer" in the claims, and the first carrier layer 11 is an example of a "clad plate material for a metal mask" in the claims. This is an example of the "first carrier layer" in the claims.

クラッド板材１Ｓを構成する基材層１０はメタルマスクの主体にすることができる。この場合、基材層１０部分からなる単層構造のメタルマスクを得ることも可能であるし、基材層１０部分と第１キャリア層１１部分とからなる２層構造のメタルマスクを得ることも可能である。上記したように、目標とするメタルマスクの厚さは例えば２０μｍ以下であり、望ましくは１５μｍ以下である。この目標に照らし、薄肉化の観点から、クラッド板材１Ｓの厚さＴ１Ｓの上限値あるいは基材層１０部分をメタルマスクの主体にする場合の基材層１０の厚さｔ０の上限値は、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下、より一層好ましくは１０μｍ以下である。また、ハンドリングの容易化の観点から、クラッド板材１Ｓの厚さＴ１Ｓの下限値あるいは基材層１０部分をメタルマスクの主体にする場合の基材層１０の厚さｔ０の下限値は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、より一層好ましくは５μｍ以上である。クラッド板材１Ｓの厚さＴ１Ｓが薄いほど、あるいは基材層１０がメタルマスクの主体になる場合には基材層１０の厚さｔ０が薄いほど、エッチングにおけるサイドエッチングの量が抑制されるため、エッチングによって形成されたエッチング孔などのマスクパターンの寸法精度が改善され、より高精細なマスクパターンを有するメタルマスクを得ることが可能になる。 The base material layer 10 constituting the clad plate material 1S can be the main body of a metal mask. In this case, it is possible to obtain a metal mask with a single layer structure consisting of 10 parts of the base material layer, or it is also possible to obtain a metal mask with a two-layer structure consisting of 10 parts of the base material layer and 11 parts of the first carrier layer. It is possible. As described above, the target thickness of the metal mask is, for example, 20 μm or less, preferably 15 μm or less. In light of this goal and from the perspective of thinning, the upper limit of the thickness T1S of the clad plate material 1S or the upper limit of the thickness t0 of the base material layer 10 when the base material layer 10 portion is the main body of the metal mask is as follows: Preferably it is 20 μm or less, more preferably 15 μm or less, even more preferably 10 μm or less. In addition, from the viewpoint of ease of handling, the lower limit of the thickness T 1S of the clad plate material 1S or the lower limit of the thickness t0 of the base material layer 10 when the base material layer 10 portion is the main body of the metal mask is preferably is 1 μm or more, more preferably 3 μm or more, even more preferably 5 μm or more. The thinner the thickness T 1S of the clad plate material 1S, or the thinner the thickness t0 of the base layer 10 when the base layer 10 is the main part of the metal mask, the more the amount of side etching during etching is suppressed. The dimensional accuracy of mask patterns such as etching holes formed by etching is improved, and it becomes possible to obtain a metal mask having a higher definition mask pattern.

クラッド板材１Ｓを構成する基材層１０はＦｅ基合金からなる。このＦｅ基合金はＮｉ（ニッケル）およびＣｏ（コバルト）のうちの１種以上を３０質量％以上５０質量％以下の範囲で含む。ＮｉおよびＣｏを除く残部はＦｅ（鉄）および不可避的不純物であってよいし、さらに１種以上の添加元素を含んでいてもよい。なお、ＮｉおよびＣｏを含むＦｅ基合金は、Ｃｏが１０質量％以下（すなわちＮｉが２０質量％以上４０質量％以下）であるものが好ましい。Ｆｅに対してＮｉおよびＣｏのうちの１種以上を３０質量％以上５０質量％以下の範囲で含むＦｅ基合金は、例えば有機ＥＬ素子用メタルマスクの使用に際して蒸着時の加熱変形（歪）を抑制するのに有効な線膨張係数が小さいものが多く、メタルマスク用板材を構成するのに適する。このＦｅ基合金はＮｉおよびＣｏ以外の元素（添加元素）を１０質量％以下の範囲で含む場合がある。添加元素は、例えば、Ｍｎ（マンガン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｎｂ（ニオブ）およびＣｒ（クロム）などである。これらの添加元素を０質量％以上１０質量％以下の範囲で含むＦｅ基合金は、０．２％耐力、引張強さ、伸び、ヤング率、硬さ、線膨張係数など、メタルマスク用板材を構成する金属材料として好ましい機械的強さおよび諸特性を有する可能性がある。上記したＦｅ基合金からなる基材層１０は上記したＦｅ基合金に適した一般的な塩化第二鉄液でエッチングが可能である。 The base material layer 10 constituting the clad plate material 1S is made of an Fe-based alloy. This Fe-based alloy contains one or more of Ni (nickel) and Co (cobalt) in a range of 30% by mass to 50% by mass. The remainder excluding Ni and Co may be Fe (iron) and inevitable impurities, and may further contain one or more additional elements. Note that the Fe-based alloy containing Ni and Co preferably has a Co content of 10% by mass or less (that is, a Ni content of 20% by mass or more and 40% by mass or less). Fe-based alloys containing one or more of Ni and Co in a range of 30% by mass or more and 50% by mass or less, based on Fe, can be used for example in metal masks for organic EL devices, and may suffer from thermal deformation (strain) during vapor deposition. Many of them have a small coefficient of linear expansion that is effective for suppressing them, and are suitable for forming metal mask plate materials. This Fe-based alloy may contain elements other than Ni and Co (additional elements) in a range of 10% by mass or less. Examples of the additive elements include Mn (manganese), Mo (molybdenum), Nb (niobium), and Cr (chromium). Fe-based alloys containing these additive elements in the range of 0% by mass or more and 10% by mass or less have properties such as 0.2% proof stress, tensile strength, elongation, Young's modulus, hardness, linear expansion coefficient, etc. It may have preferable mechanical strength and various properties as a constituent metal material. The base material layer 10 made of the above-mentioned Fe-based alloy can be etched with a general ferric chloride solution suitable for the above-mentioned Fe-based alloy.

クラッド板材１Ｓを構成する第１キャリア層１１は基材層１０の一方側（Ｚ１側）に直接圧接されている。第１キャリア層１１はメタルマスクの主体となる薄肉化された基材層１０の補強に有効であり、薄肉のクラッド板材１Ｓの機械的強さの向上に有効である。第１キャリア層１１は薄肉化された基材層１０のキャリアとなり、薄肉化された基材層１０のハンドリングを容易化し、基材層１０を含むクラッド板材１Ｓの大きな反りを抑制してエッチングの安定化に寄与する。また、第１キャリア層１１は、基材層１０と同様に、メタルマスクの主体にすることができる。この場合、第１キャリア層１１部分からなる単層構造のメタルマスクを得ることも可能であるし、第１キャリア層１１部分と基材層１０部分とからなる２層構造のメタルマスクを得ることも可能である。第１キャリア層１１の厚さｔ１は、基材層１０の諸特性に加えて、クラッド板材１Ｓ全体の諸特性を考慮して設定するとよい。例えば、ハンドリングの容易化の観点から基材層１０の補強を目的とする場合、第１キャリア層１１の厚みｔ１は、好ましくは５μｍ以上１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上１００μｍ以下である。例えば、第１キャリア層１１部分をメタルマスクの主体にする場合には、第１キャリア層１１の厚さｔ１の上限値は、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下、より一層好ましくは１０μｍ以下である。 The first carrier layer 11 constituting the clad plate material 1S is directly pressed against one side (Z1 side) of the base layer 10. The first carrier layer 11 is effective in reinforcing the thinned base material layer 10, which is the main body of the metal mask, and is effective in improving the mechanical strength of the thin clad plate material 1S. The first carrier layer 11 serves as a carrier for the thinned base material layer 10, facilitates handling of the thinned base material layer 10, suppresses large warping of the clad plate material 1S including the base material layer 10, and facilitates etching. Contributes to stabilization. Further, like the base material layer 10, the first carrier layer 11 can be the main body of a metal mask. In this case, it is possible to obtain a metal mask with a single layer structure consisting of 11 portions of the first carrier layer, or it is possible to obtain a metal mask with a two layer structure consisting of 11 portions of the first carrier layer and 10 portions of the base material layer. is also possible. The thickness t1 of the first carrier layer 11 is preferably set in consideration of various characteristics of the entire clad plate material 1S in addition to various characteristics of the base material layer 10. For example, when the purpose is to reinforce the base material layer 10 from the viewpoint of facilitating handling, the thickness t1 of the first carrier layer 11 is preferably 5 μm or more and 100 μm or less, more preferably 20 μm or more and 100 μm or less. For example, when the first carrier layer 11 portion is the main body of the metal mask, the upper limit of the thickness t1 of the first carrier layer 11 is preferably 20 μm or less, more preferably 15 μm or less, even more preferably 10 μm or less. It is.

第１キャリア層１１は基材層１０のエッチングが可能な塩化第二鉄液で、エッチング可能である。つまり、基材層１０および第１キャリア層１１は同質の塩化第二鉄液で同時にエッチングが可能である。この発明では、基材層１０と第１キャリア層１１とが塩化第二鉄液で同時にエッチング可能な場合において、その塩化第二鉄液に対して、基材層１０は第１キャリア層１１よりも高耐食であればよい。これにより、この塩化第二鉄液で基材層１０および第１キャリア層１１のエッチングを同時に開始した場合、基材層１０は第１キャリア層１１よりもエッチングされ難いため、第１キャリア層１１のエッチング速度よりも、基材層１０のエッチング速度を遅くすることができる。したがって、例えば、基材層１０および第１キャリア層１１に対して同時にエッチング孔を形成する際に、基材層１０の表面（Ｚ２側）からＺ１側に向かって形成が進むエッチング孔の深さが、第１キャリア層１１の表面（Ｚ１側）からＺ２側に向かって形成が進むエッチング孔の深さよりも浅くなる。こうしたエッチング孔の深さの差が得られるメタルマスク用板材（クラッド板材１Ｓ）を用いれば、一方面側に配置された孔の深さと他方面側に配置された孔の深さとが異なるマスクパターンを有するメタルマスクの構成が可能になる。 The first carrier layer 11 can be etched with a ferric chloride solution that can etch the base layer 10 . In other words, the base material layer 10 and the first carrier layer 11 can be etched simultaneously with the same ferric chloride solution. In this invention, when the base material layer 10 and the first carrier layer 11 can be etched simultaneously with a ferric chloride solution, the base material layer 10 is etched more than the first carrier layer 11 with respect to the ferric chloride solution. It is sufficient if the material also has high corrosion resistance. As a result, when etching of the base material layer 10 and the first carrier layer 11 is started at the same time with this ferric chloride solution, the base material layer 10 is more difficult to be etched than the first carrier layer 11. The etching rate of the base material layer 10 can be made slower than the etching rate of . Therefore, for example, when etching holes are formed in the base layer 10 and the first carrier layer 11 at the same time, the depth of the etching hole increases from the surface of the base layer 10 (Z2 side) toward the Z1 side. However, the depth becomes shallower than the depth of the etching hole that is formed from the surface (Z1 side) of the first carrier layer 11 toward the Z2 side. If you use a metal mask plate material (clad plate material 1S) that can provide such a difference in etching hole depth, you can create a mask pattern in which the depth of the holes arranged on one side is different from the depth of the holes arranged on the other side. It becomes possible to construct a metal mask having the following characteristics.

また、同等の環境下で同質の塩化第二鉄液を用いてクラッド板材１Ｓのエッチングを行って、基材層１０の腐食減量をＭｂとし、第１キャリア層１１の腐食減量をＭＣ１とするとき、基材層１０および第１キャリア層１１は、Ｍｂ／Ｍｃ１≦０．９の関係を満足することが好ましい。この関係を満足するクラッド板材１Ｓは、基材層１０および第１キャリア層１１を同時にエッチングした際に、基材層１０のエッチング速度を第１キャリア層１１のエッチング速度よりも確実に遅くすることができる。これにより、例えばエッチング孔を同時に形成しようとしたとき、基材層１０の表面（Ｚ２側）からＺ１側に向かって形成が進むエッチング孔の深さを、第１キャリア層１１の表面（Ｚ１側）からＺ２側に向かって形成が進むエッチング孔の深さよりも確実に浅くすることができる。なお、同時にエッチングされる基材層１０および第１キャリア層１１は、Ｍｂ／Ｍｃ１＞０（Ｍｂ＞０、Ｍｃ１＞０）の関係を満足する。 In addition, the clad plate material 1S was etched using the same ferric chloride solution under the same environment, and the corrosion loss of the base material layer 10 was set as M b , and the corrosion loss of the first carrier layer 11 was set as M C1 . In this case, it is preferable that the base material layer 10 and the first carrier layer 11 satisfy the relationship of M b /M c1 ≦0.9. The clad plate material 1S that satisfies this relationship ensures that the etching rate of the base layer 10 is slower than the etching rate of the first carrier layer 11 when the base layer 10 and the first carrier layer 11 are etched at the same time. I can do it. With this, for example, when attempting to form etching holes at the same time, the depth of the etching holes that are formed from the surface of the base layer 10 (Z2 side) to the Z1 side can be changed from the surface of the first carrier layer 11 (Z1 side). ) to the Z2 side. Note that the base material layer 10 and the first carrier layer 11 that are etched at the same time satisfy the relationship M b /M c1 >0 (M b >0, M c1 >0).

一例を挙げると、約３２質量％のＮｉおよび約５．５質量％のＣｏを含むＦｅ基合金からなる板材Ａと、約３６質量％のＮｉを含むＦｅ基合金からなる板材Ｂとを、それぞれ、４０質量％濃度の塩化第二鉄液（水溶液）でエッチングした場合、板材Ａの腐食減量（ＭＡ）と板材Ｂの腐食減量（ＭＢ）の比（ＭＡ／ＭＢ）は約０．８９となることを確認することができた。この関係を有する、板材Ａを基材層１０（厚さｔ０）に、板材Ｂを第１キャリア層１１（厚さｔ１＝ｔ０）に、それぞれ用いてクラッド板材１Ｓを構成した場合、上記したＭｂ／Ｍｃ１は約０．８９になる。したがって、基材層１０および第１キャリア層１１は、Ｍｂ／Ｍｃ１≦０．９の関係を満足する。 To give an example, a plate material A made of an Fe-based alloy containing about 32% by mass of Ni and about 5.5% by mass of Co, and a plate material B made of a Fe-based alloy containing about 36% by mass of Ni are each When etching is performed with a ferric chloride solution (aqueous solution) having a concentration of 40% by mass, the ratio (M A /M B ) of the corrosion loss (M A ) of plate material A and the corrosion loss (M B ) of plate material B is approximately 0. It was confirmed that the value was .89. When the clad plate material 1S is constructed using the plate material A having this relationship as the base material layer 10 (thickness t0) and the plate material B as the first carrier layer 11 (thickness t1=t0), the above-mentioned M b /M c1 is approximately 0.89. Therefore, the base material layer 10 and the first carrier layer 11 satisfy the relationship M b /M c1 ≦0.9.

クラッド板材１Ｓは、０．２％耐力、引張強さ、伸び、ヤング率、硬さ、線膨張係数など、メタルマスクに適する機械的強さおよび諸特性を有することが好ましい。例えば、ハンドリングを容易化する観点では、引張強さが大きく、ヤング率が大きい、クラッド板材１Ｓが好ましい。この場合、クラッド板材１Ｓは、特にメタルマスクの主体となる基材層１０は、引張強さが７００ＭＰａ以上で、ヤング率が１００ＧＰａ以上であることが好ましい。また、例えば有機ＥＬ素子用メタルマスクの使用に際して蒸着時の加熱変形（歪）を抑制する観点では、加熱により発生する反りが小さいクラッド板材１Ｓが好ましく、クラッド板材１Ｓを構成する基材層１０の線膨張係数と第１キャリア層１１の線膨張係数との差が小さいことが好ましい。この場合、基材層１０の線膨張係数が５ｐｐｍ／℃以下で、第１キャリア層１１の線膨張係数が基材層１０の線膨張係数に対して±２ｐｐｍ／℃以内であることが好ましい。 The clad plate material 1S preferably has mechanical strength and various properties suitable for a metal mask, such as 0.2% proof stress, tensile strength, elongation, Young's modulus, hardness, and coefficient of linear expansion. For example, from the viewpoint of facilitating handling, the clad plate material 1S having high tensile strength and high Young's modulus is preferable. In this case, it is preferable that the clad plate material 1S, especially the base material layer 10 which is the main body of the metal mask, has a tensile strength of 700 MPa or more and a Young's modulus of 100 GPa or more. In addition, from the viewpoint of suppressing thermal deformation (distortion) during vapor deposition when using a metal mask for an organic EL element, for example, a clad plate material 1S that has small warp caused by heating is preferable, and the base material layer 10 constituting the clad plate material 1S is preferably It is preferable that the difference between the coefficient of linear expansion and the coefficient of linear expansion of the first carrier layer 11 is small. In this case, it is preferable that the linear expansion coefficient of the base material layer 10 is 5 ppm/°C or less, and the linear expansion coefficient of the first carrier layer 11 is within ±2 ppm/°C with respect to the linear expansion coefficient of the base material layer 10.

＜第２実施形態＞
この発明によるメタルマスク用クラッド板材の第２実施形態を図４に示す。なお、図４では簡便のため図３に示す符号を援用する。図４は厚さ方向（Ｚ方向）に切断されたメタルマスク用クラッド板材２Ｓ（以下「クラッド板材２Ｓ」という）の断面視である。図４に示すクラッド板材２Ｓと図３に示すクラッド板材１Ｓとは層数が異なる。クラッド板材２Ｓに備わる基材層１０および第１キャリア層１１は、クラッド板材１Ｓに備わる基材層１０および第１キャリア層１１と、同等構成であってよいし、同等構成でなくてもよい。 <Second embodiment>
A second embodiment of the clad plate material for a metal mask according to the present invention is shown in FIG. Note that in FIG. 4, the symbols shown in FIG. 3 are used for simplicity. FIG. 4 is a cross-sectional view of a metal mask clad plate material 2S (hereinafter referred to as "clad plate material 2S") cut in the thickness direction (Z direction). The clad plate material 2S shown in FIG. 4 and the clad plate material 1S shown in FIG. 3 have different numbers of layers. The base material layer 10 and the first carrier layer 11 included in the clad plate material 2S may or may not have the same configuration as the base material layer 10 and the first carrier layer 11 provided in the clad plate material 1S.

クラッド板材２Ｓは、厚さ方向に切断された断面視において、３層構造である。クラッド板材２Ｓ（厚さＴ２Ｓ）は、基材層１０（厚さｔ０）と、基材層１０の一方側（Ｚ１側）に圧接されている第１キャリア層１１（厚さｔ１）と、基材層１０の他方側（Ｚ２側）に圧接されている第２キャリア層１２（厚さｔ２）と、を備えている。図４に示す第１キャリア層１１と第２キャリア層１２とは厚さが略同等（ｔ１＝ｔ２）である。基材層１０と第１キャリア層１１と第２キャリア層１２との圧接形態は、例えば、基材層１０を構成するための板材と、第１キャリア層１１を構成するための板材と、第２キャリア層１２を構成するための板材とを、直接重ね合わせた状態で圧延（クラッド圧延）し、必要に応じて拡散焼鈍を行うことによって得られる。なお、クラッド板材２Ｓは特許請求の範囲の「メタルマスク用クラッド板材」の一例であり、基材層１０は特許請求の範囲の「基材層」の一例であり、第１キャリア層１１は特許請求の範囲の「第１キャリア層」の一例であり、第２キャリア層１２は特許請求の範囲の「第２キャリア層」の一例である。 The clad plate material 2S has a three-layer structure in a cross-sectional view cut in the thickness direction. The clad plate material 2S (thickness T 2S ) includes a base layer 10 (thickness t0), a first carrier layer 11 (thickness t1) that is pressed against one side (Z1 side) of the base layer 10, The second carrier layer 12 (thickness t2) is pressed against the other side (Z2 side) of the base layer 10. The first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 shown in FIG. 4 have substantially the same thickness (t1=t2). The form of pressure contact between the base material layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 is, for example, a plate material for forming the base material layer 10, a plate material for forming the first carrier layer 11, and a plate material for forming the first carrier layer 11. It is obtained by rolling (clad rolling) two plate materials for configuring the carrier layer 12 in a state in which they are directly overlapped, and performing diffusion annealing if necessary. The clad plate material 2S is an example of a "clad plate material for metal mask" in the claims, the base material layer 10 is an example of a "base material layer" in the claims, and the first carrier layer 11 is an example of a "clad plate material for a metal mask" in the claims. This is an example of a "first carrier layer" in the claims, and the second carrier layer 12 is an example of a "second carrier layer" in the claims.

クラッド板材２Ｓを構成する基材層１０はメタルマスクの主体にすることができる。この場合、基材層１０部分からなる単層構造のメタルマスクを得ることも可能であるし、基材層１０部分と第１キャリア層１１部分とからなる２層構造のメタルマスクを得ることも可能であるし、基材層１０部分と第２キャリア層１２部分とからなる２層構造のメタルマスクを得ることも可能であるし、第１キャリア層１１部分と基材層１０部分と第２キャリア層１２部分とからなる３層構造のメタルマスクを得ることも可能である。上記したように、目標とするメタルマスクの厚さは例えば２０μｍ以下であり、望ましくは１５μｍ以下である。この目標に照らし、薄肉化の観点から、クラッド板材２Ｓの厚さＴ２Ｓの上限値あるいは基材層１０部分をメタルマスクの主体にする場合の基材層１０の厚さｔ０の上限値は、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下、より一層好ましくは１０μｍ以下である。また、ハンドリングの容易化の観点から、クラッド板材２Ｓの厚さＴ２Ｓの下限値あるいは基材層１０部分をメタルマスクの主体にする場合の基材層１０の厚さｔ０の下限値は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、より一層好ましくは５μｍ以上である。クラッド板材２Ｓの厚さＴ２Ｓが薄いほど、あるいは基材層１０部分をメタルマスクの主体にする場合には基材層１０の厚さｔ０が薄いほど、エッチングにおけるサイドエッチングの量が抑制されるため、エッチングによって形成されたエッチング孔などのマスクパターンの寸法精度が改善され、より高精細なマスクパターンを有するメタルマスクを得ることが可能になる。 The base material layer 10 constituting the clad plate material 2S can be the main body of a metal mask. In this case, it is possible to obtain a metal mask with a single layer structure consisting of 10 parts of the base material layer, or it is also possible to obtain a metal mask with a two-layer structure consisting of 10 parts of the base material layer and 11 parts of the first carrier layer. It is possible, and it is also possible to obtain a metal mask with a two-layer structure consisting of a base material layer 10 part and a second carrier layer 12 part, or a metal mask having a two-layer structure consisting of a first carrier layer 11 part, a base material layer 10 part and a second carrier layer 10 part. It is also possible to obtain a metal mask having a three-layer structure including the carrier layer 12 portion. As described above, the target thickness of the metal mask is, for example, 20 μm or less, preferably 15 μm or less. In light of this goal and from the perspective of thinning, the upper limit of the thickness T2S of the clad plate material 2S or the upper limit of the thickness t0 of the base material layer 10 when the base material layer 10 portion is the main body of the metal mask is as follows: Preferably it is 20 μm or less, more preferably 15 μm or less, even more preferably 10 μm or less. In addition, from the viewpoint of ease of handling, the lower limit of the thickness T2S of the clad plate material 2S or the lower limit of the thickness t0 of the base material layer 10 when the base material layer 10 portion is the main body of the metal mask is preferably set. is 1 μm or more, more preferably 3 μm or more, even more preferably 5 μm or more. The thinner the thickness T 2S of the cladding plate material 2S, or the thinner the thickness t0 of the base layer 10 when the base layer 10 is used as the main body of the metal mask, the more suppressed is the amount of side etching during etching. Therefore, the dimensional accuracy of mask patterns such as etching holes formed by etching is improved, and it becomes possible to obtain a metal mask having a higher definition mask pattern.

クラッド板材２Ｓを構成する基材層１０はＦｅ基合金からなる。このＦｅ基合金はＮｉおよびＣｏのうちの１種以上を３０質量％以上５０質量％以下の範囲で含む。ＮｉおよびＣｏを除く残部はＦｅおよび不可避的不純物であってよいし、さらに１種以上の添加元素を含んでいてもよい。なお、ＮｉおよびＣｏを含むＦｅ基合金は、Ｃｏが１０質量％以下（すなわちＮｉが２０質量％以上４０質量％以下）であるものが好ましい。Ｆｅに対してＮｉおよびＣｏのうちの１種以上を３０質量％以上５０質量％以下の範囲で含むＦｅ基合金は、例えば有機ＥＬ素子用メタルマスクの使用に際して蒸着時の加熱変形（歪）を抑制するのに有効な線膨張係数が小さいものが多く、メタルマスク用板材を構成するのに適する。このＦｅ基合金はＮｉおよびＣｏ以外の元素（添加元素）を１０質量％以下の範囲で含む場合がある。添加元素は、例えば、Ｍｎ、Ｍｏ、ＮｂおよびＣｒなどである。これらの添加元素を０質量％以上１０質量％以下の範囲で含むＦｅ基合金は、０．２％耐力、引張強さ、伸び、ヤング率、硬さ、線膨張係数など、メタルマスク用板材を構成する金属材料として好ましい機械的強さおよび諸特性を有する可能性がある。上記したＦｅ基合金からなる基材層１０は上記したＦｅ基合金に適した一般的な塩化第二鉄液でエッチングが可能である。 The base material layer 10 constituting the clad plate material 2S is made of an Fe-based alloy. This Fe-based alloy contains one or more of Ni and Co in a range of 30% by mass to 50% by mass. The remainder excluding Ni and Co may be Fe and unavoidable impurities, and may further contain one or more additional elements. Note that the Fe-based alloy containing Ni and Co preferably has a Co content of 10% by mass or less (that is, a Ni content of 20% by mass or more and 40% by mass or less). Fe-based alloys containing one or more of Ni and Co in a range of 30% by mass or more and 50% by mass or less, based on Fe, can be used for example in metal masks for organic EL devices, and may suffer from thermal deformation (strain) during vapor deposition. Many of them have a small coefficient of linear expansion that is effective for suppressing them, and are suitable for forming metal mask plate materials. This Fe-based alloy may contain elements other than Ni and Co (additional elements) in a range of 10% by mass or less. Examples of the additive elements include Mn, Mo, Nb, and Cr. Fe-based alloys containing these additive elements in the range of 0% by mass or more and 10% by mass or less have properties such as 0.2% proof stress, tensile strength, elongation, Young's modulus, hardness, linear expansion coefficient, etc. It may have preferable mechanical strength and various properties as a constituent metal material. The base material layer 10 made of the above-mentioned Fe-based alloy can be etched with a general ferric chloride solution suitable for the above-mentioned Fe-based alloy.

クラッド板材２Ｓを構成する第１キャリア層１１は基材層１０の一方側（Ｚ１側）に直接圧接されている。また、クラッド板材２Ｓを構成する第２キャリア層１２は基材層１０の他方側（Ｚ２側）に直接圧接されている。第１キャリア層１１および第２キャリア層１２はメタルマスクの主体となる薄肉化された基材層１０の補強に有効であり、薄肉のクラッド板材２Ｓの機械的強さを高めるのに有効である。第１キャリア層１１および第２キャリア層１２は薄肉化された基材層１０のキャリアとなり、薄肉化された基材層１０のハンドリングを容易化し、基材層１０を含むクラッド板材２Ｓのエッチングの安定化に寄与する。また、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２は、基材層１０と同様に、メタルマスクの主体にすることができる。この場合、第１キャリア層１１部分からなる単層構造のメタルマスクを得ることも可能であるし、第２キャリア層１２部分からなる単層構造のメタルマスクを得ることも可能であるし、第１キャリア層１１部分と基材層１０部分とからなる２層構造のメタルマスクを得ることも可能であるし、第２キャリア層１２部分と基材層１０部分とからなる２層構造のメタルマスクを得ることも可能であるし、第１キャリア層１１部分と基材層１０部分と第２キャリア層１２部分とからなる３層構造のメタルマスクを得ることも可能である。ハンドリングの容易化の観点から基材層１０の補強を目的とする場合、第１キャリア層１１の厚みｔ１および第２キャリア層１２の厚みｔ２は、それぞれ、好ましくは５μｍ以上１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上１００μｍ以下である。第１キャリア層１１部分あるいは第２キャリア層１２部分をメタルマスクの主体にする場合には、第１キャリア層１１の厚さｔ１の上限値および第２キャリア層１２の厚みｔ２の上限値は、それぞれ、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下、より一層好ましくは１０μｍ以下である。 The first carrier layer 11 constituting the clad plate material 2S is directly pressed against one side (Z1 side) of the base layer 10. Further, the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S is directly pressed against the other side (Z2 side) of the base layer 10. The first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 are effective in reinforcing the thinned base material layer 10, which is the main body of the metal mask, and are effective in increasing the mechanical strength of the thin clad plate material 2S. . The first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 serve as carriers for the thinned base material layer 10, facilitate handling of the thinned base material layer 10, and facilitate etching of the clad plate material 2S including the base material layer 10. Contributes to stabilization. Further, the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 can be the main body of the metal mask, similarly to the base material layer 10. In this case, it is possible to obtain a metal mask with a single layer structure consisting of 11 portions of the first carrier layer, it is also possible to obtain a metal mask with a single layer structure consisting of 12 portions of the second carrier layer, and It is also possible to obtain a metal mask with a two-layer structure consisting of 11 parts of the first carrier layer and 10 parts of the base material layer, or a metal mask with a two-layer structure consisting of 12 parts of the second carrier layer and 10 parts of the base material layer. It is also possible to obtain a metal mask having a three-layer structure consisting of a first carrier layer 11 portion, a base material layer 10 portion, and a second carrier layer 12 portion. When the purpose is to reinforce the base material layer 10 from the viewpoint of facilitating handling, the thickness t1 of the first carrier layer 11 and the thickness t2 of the second carrier layer 12 are each preferably 5 μm or more and 100 μm or less, more preferably It is 20 μm or more and 100 μm or less. When the first carrier layer 11 portion or the second carrier layer 12 portion is the main body of the metal mask, the upper limit value of the thickness t1 of the first carrier layer 11 and the upper limit value of the thickness t2 of the second carrier layer 12 are as follows. Each is preferably 20 μm or less, more preferably 15 μm or less, even more preferably 10 μm or less.

第１キャリア層１１および第２キャリア層１２は、ともに、基材層１０のエッチングが可能な塩化第二鉄液で、エッチング可能である。つまり、基材層１０と第１キャリア層１１、基材層１０と第２キャリア層１２、および第１キャリア層１１と第２キャリア層１２は、それぞれの組合せにおいて、同質の塩化第二鉄液で同時にエッチングが可能である。この発明では、基材層１０と第１キャリア層１１とが同時にエッチング可能な場合、基材層１０と第２キャリア層１２とが同時にエッチング可能な場合、および第１キャリア層１１と第２キャリア層１２とが同時にエッチング可能な場合のそれぞれにおいて、その塩化第二鉄液に対して、基材層１０は第１キャリア層１１および第２キャリア層１２よりも高耐食であればよい。なお、第１キャリア層１１が第２キャリア層１２よりも同じ塩化第二鉄液に対して高耐食であってよく、あるいは第２キャリア層１２が第１キャリア層１１よりも同じ塩化第二鉄液に対して高耐食であってよい。これにより、例えば、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２を同材質で厚さが同等（ｔ１＝ｔ２）になるように構成すれば、第１キャリア層１１と第２キャリア層１２を同時にハーフエッチングすることによって、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２を同時に除去して基材層１０の一方側（Ｚ１側）の表面および他方側（Ｚ２側）の表面を同時に露出させ、基材層１０からなる単層構造の金属板材を得ることができる。この場合、ハーフエッチングの条件を調整することによって、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２のそれぞれが所定の厚さを有して基材層１０の両面に備わる、３層構造のクラッド板材を得ることができる。また、第１キャリア層１１と第２キャリア層１２の材質を異ならせて構成すれば、ハーフエッチングにより同様に、塩化第二鉄液に対してより高耐食の第１キャリア層１１または第２キャリア層１２のいずれか一方のみを所定の厚さで残すことも可能になる。この場合、第１キャリア層１１または第２キャリア層１２のいずれか一方のみが所定の厚さを有して基材層１０に備わる、２層構造のクラッド板材を得ることが可能である。 Both the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 can be etched with a ferric chloride solution that can etch the base layer 10 . That is, in each combination, the base material layer 10 and the first carrier layer 11, the base material layer 10 and the second carrier layer 12, and the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 are made of the same ferric chloride liquid. It is possible to perform etching at the same time. In this invention, when the base material layer 10 and the first carrier layer 11 can be etched simultaneously, when the base material layer 10 and the second carrier layer 12 can be etched simultaneously, and when the first carrier layer 11 and the second carrier layer In each case where the layer 12 can be etched at the same time, the base layer 10 only needs to have higher corrosion resistance than the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 with respect to the ferric chloride solution. Note that the first carrier layer 11 may have higher corrosion resistance than the second carrier layer 12 to the same ferric chloride solution, or the second carrier layer 12 may have higher corrosion resistance than the first carrier layer 11 to the same ferric chloride solution. It may be highly corrosion resistant to liquids. As a result, for example, if the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 are made of the same material and have the same thickness (t1=t2), the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 can be simultaneously formed. By performing half etching, the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 are simultaneously removed, the surface of one side (Z1 side) and the surface of the other side (Z2 side) of the base material layer 10 are simultaneously exposed, and the base material layer 10 is exposed. A metal plate material having a single layer structure consisting of the material layer 10 can be obtained. In this case, by adjusting the half-etching conditions, a three-layer structure clad plate material in which the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 each have a predetermined thickness and is provided on both sides of the base material layer 10. can be obtained. Furthermore, if the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 are made of different materials, the first carrier layer 11 or the second carrier, which has a higher corrosion resistance against ferric chloride solution, can be similarly etched by half etching. It is also possible to leave only one of the layers 12 with a predetermined thickness. In this case, it is possible to obtain a two-layered clad plate material in which only either the first carrier layer 11 or the second carrier layer 12 has a predetermined thickness and is provided on the base material layer 10.

この塩化第二鉄液に対して、基材層１０は第１キャリア層１１および第２キャリア層１２よりも高耐食である。これにより、この塩化第二鉄液で上記した２層構造のクラッド板材のエッチングを開始した場合、基材層１０は第１キャリア層１１（あるいは第２キャリア層１２）よりもエッチングされ難いため、第１キャリア層１１（あるいは第２キャリア層１２）のエッチング速度よりも、基材層１０のエッチング速度を遅くすることができる。したがって、例えば、基材層１０および第１キャリア層１１を備える２層構造のクラッド板材に対して同時にエッチング孔を形成する際に、基材層１０の表面（Ｚ２側）からＺ１側に向かって形成が進むエッチング孔の深さが、第１キャリア層１１の表面（Ｚ１側）からＺ２側に向かって形成が進むエッチング孔の深さよりも浅くなる。あるいは、基材層１０および第２キャリア層１２を備える２層構造のクラッド板材に対して同時にエッチング孔を形成する際に、基材層１０の表面（Ｚ１側）からＺ２側に向かって形成が進むエッチング孔の深さが、第２キャリア層１２の表面（Ｚ２側）からＺ１側に向かって形成が進むエッチング孔の深さよりも浅くなる。こうしたエッチング孔の深さの差が得られるメタルマスク用板材（クラッド板材２Ｓ）を用いれば、一方面側に配置された孔の深さと他方面側に配置された孔の深さとが異なるマスクパターンを有するメタルマスクの構成が可能になる。 The base layer 10 has higher corrosion resistance than the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 with respect to this ferric chloride liquid. As a result, when etching of the above-mentioned two-layered clad plate material is started with this ferric chloride solution, the base material layer 10 is less likely to be etched than the first carrier layer 11 (or the second carrier layer 12). The etching rate of the base material layer 10 can be made slower than the etching rate of the first carrier layer 11 (or the second carrier layer 12). Therefore, for example, when etching holes are simultaneously formed in a two-layer clad plate material including the base layer 10 and the first carrier layer 11, etching holes are etched from the surface of the base layer 10 (Z2 side) toward the Z1 side. The depth of the etching hole that progresses in formation becomes shallower than the depth of the etching hole that progresses in formation from the surface (Z1 side) of the first carrier layer 11 toward the Z2 side. Alternatively, when etching holes are simultaneously formed in a two-layer clad plate material including the base layer 10 and the second carrier layer 12, the etching holes are formed from the surface of the base layer 10 (Z1 side) toward the Z2 side. The depth of the etching hole that progresses becomes shallower than the depth of the etching hole that progresses from the surface (Z2 side) of the second carrier layer 12 toward the Z1 side. If you use a metal mask plate material (clad plate material 2S) that can provide such a difference in etching hole depth, you can create a mask pattern in which the depth of the holes arranged on one side is different from the depth of the holes arranged on the other side. It becomes possible to construct a metal mask having the following characteristics.

また、同等の環境下で同質の塩化第二鉄液を用いてクラッド板材２Ｓのエッチングを行って、基材層１０の腐食減量をＭｂとし、第１キャリア層１１の腐食減量をＭＣ１とし、第２キャリア層１２の腐食減量をＭＣ２とするとき、基材層１０、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２は、Ｍｂ／Ｍｃ１≦０．９およびＭｂ／Ｍｃ２≦０．９の関係を満足することが好ましい。この関係を満足するクラッド板材２Ｓは、基材層１０および第１キャリア層１１を同時にエッチングした際に、基材層１０のエッチング速度を第１キャリア層１１のエッチング速度よりも確実に遅くすることができるし、あるいは、基材層１０および第２キャリア層１２を同時にエッチングした際に、基材層１０のエッチング速度を第２キャリア層１２のエッチング速度よりも確実に遅くすることができる。これにより、例えばエッチング孔を同時に形成しようとしたとき、基材層１０の表面（Ｚ２側）からＺ１側に向かって形成が進むエッチング孔の深さを、第１キャリア層１１の表面（Ｚ１側）からＺ２側に向かって形成が進むエッチング孔の深さよりも確実に浅くすることができるし、あるいは、基材層１０の表面（Ｚ１側）からＺ２側に向かって形成が進むエッチング孔の深さを、第２キャリア層１２の表面（Ｚ２側）からＺ１側に向かって形成が進むエッチング孔の深さよりも確実に浅くすることができる。なお、同時にエッチングされる基材層１０および第１キャリア層１１は、Ｍｂ／Ｍｃ１＞０（Ｍｂ＞０、Ｍｃ１＞０）の関係を満足し、あるいは、同時にエッチングされる基材層１０および第２キャリア層１２は、Ｍｂ／Ｍｃ２＞０（Ｍｂ＞０、Ｍｃ２＞０）の関係を満足する。なお、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２は、Ｍｃ１／Ｍｃ２≦０．９の関係を満足するものであってよく、あるいはＭｃ２／Ｍｃ１≦０．９の関係を満足するものであってよい。 In addition, the cladding plate material 2S was etched using the same ferric chloride solution under the same environment, and the corrosion loss of the base material layer 10 was set as M b , and the corrosion loss of the first carrier layer 11 was set as M C1 . , when the corrosion loss of the second carrier layer 12 is M C2 , the base material layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 have M b /M c1 ≦0.9 and M b /M c2 ≦ It is preferable to satisfy the relationship of 0.9. The clad plate material 2S that satisfies this relationship ensures that the etching rate of the base layer 10 is slower than the etching rate of the first carrier layer 11 when the base layer 10 and the first carrier layer 11 are etched at the same time. Alternatively, when the base layer 10 and the second carrier layer 12 are etched at the same time, the etching rate of the base layer 10 can be reliably made slower than the etching rate of the second carrier layer 12. With this, for example, when attempting to form etching holes at the same time, the depth of the etching holes that are formed from the surface of the base layer 10 (Z2 side) to the Z1 side can be changed from the surface of the first carrier layer 11 (Z1 side). ), or the depth of the etching hole that progresses from the surface of the base material layer 10 (Z1 side) toward the Z2 side. The depth can be reliably made shallower than the depth of the etching hole that is formed from the surface (Z2 side) of the second carrier layer 12 toward the Z1 side. Note that the base material layer 10 and the first carrier layer 11 that are etched at the same time satisfy the relationship of M b /M c1 >0 (M b >0, M c1 >0), or the base material layer that is etched at the same time Layer 10 and second carrier layer 12 satisfy the relationship M b /M c2 >0 (M b >0, M c2 >0). Note that the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 may satisfy the relationship of M c1 /M c2 ≦0.9, or satisfy the relationship of M c2 /M c1 ≦0.9. It can be anything.

クラッド板材２Ｓは、０．２％耐力、引張強さ、伸び、ヤング率、硬さ、線膨張係数など、メタルマスクに適する機械的強さおよび諸特性を有することが好ましい。例えば、ハンドリングを容易化する観点では、引張強さが大きく、ヤング率が大きい、クラッド板材２Ｓが好ましい。この場合、クラッド板材２Ｓは、特にメタルマスクの主体となる基材層１０は、引張強さが７００ＭＰａ以上で、ヤング率が１００ＧＰａ以上であることが好ましい。また、例えば、例えば有機ＥＬ素子用メタルマスクの使用に際して蒸着時の加熱変形（歪）を抑制する観点では、加熱により発生する反りが小さいクラッド板材２Ｓが好ましく、クラッド板材２Ｓを構成する基材層１０の線膨張係数、第１キャリア層１１の線膨張係数および第２キャリア層１２の線膨張係数の相互の差が小さいことが好ましい。この場合、基材層１０の線膨張係数が５ｐｐｍ／℃以下で、第１キャリア層１１の線膨張係数および第２キャリア層１２の線膨張係数が、それぞれ、基材層１０の線膨張係数に対して±２ｐｐｍ／℃以内であることが好ましい。 The clad plate material 2S preferably has mechanical strength and various properties suitable for a metal mask, such as 0.2% proof stress, tensile strength, elongation, Young's modulus, hardness, and coefficient of linear expansion. For example, from the viewpoint of facilitating handling, the clad plate material 2S, which has a high tensile strength and a high Young's modulus, is preferable. In this case, it is preferable that the clad plate material 2S, especially the base material layer 10 which is the main body of the metal mask, has a tensile strength of 700 MPa or more and a Young's modulus of 100 GPa or more. In addition, for example, from the viewpoint of suppressing thermal deformation (distortion) during vapor deposition when using a metal mask for an organic EL element, the clad plate material 2S is preferable because it has a small warpage caused by heating, and the base material layer constituting the clad plate material 2S is preferable. It is preferable that the difference between the linear expansion coefficient of No. 10, the linear expansion coefficient of the first carrier layer 11, and the linear expansion coefficient of the second carrier layer 12 is small. In this case, the linear expansion coefficient of the base material layer 10 is 5 ppm/°C or less, and the linear expansion coefficient of the first carrier layer 11 and the linear expansion coefficient of the second carrier layer 12 are respectively equal to the linear expansion coefficient of the base material layer 10. It is preferably within ±2 ppm/°C.

＜第３実施形態＞
この発明によるメタルマスク用クラッド板材の第３実施形態を図５に示す。なお、図５では簡便のため図３および図４に示す符号を援用する。図５は厚さ方向（Ｚ方向）に切断されたメタルマスク用クラッド板材３Ｓ（以下「クラッド板材３Ｓ」という）の断面視である。図５に示すクラッド板材３Ｓと図４に示すクラッド板材２Ｓとは第２キャリア層１２の厚さが異なる（便宜上、いずれの厚さの符号もｔ２と表記する）。クラッド板材３Ｓを構成する基材層１０、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２は、第１キャリア層１１の厚さｔ１と第２キャリア層１２の厚さｔ２が異なる（ｔ１＞ｔ２）ことを除き、上記したクラッド板材２Ｓを構成する基材層１０、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２と同等構成であってよいし、同等構成でなくてもよい。 <Third embodiment>
A third embodiment of the clad plate material for a metal mask according to the present invention is shown in FIG. Note that in FIG. 5, the symbols shown in FIGS. 3 and 4 are used for simplicity. FIG. 5 is a cross-sectional view of a metal mask clad plate material 3S (hereinafter referred to as "clad plate material 3S") cut in the thickness direction (Z direction). The clad plate material 3S shown in FIG. 5 and the clad plate material 2S shown in FIG. 4 have different thicknesses of the second carrier layer 12 (for convenience, the code of both thicknesses is expressed as t2). The base material layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 that constitute the clad plate material 3S are different in thickness t1 of the first carrier layer 11 and thickness t2 of the second carrier layer 12 (t1>t2). Except for this, it may or may not have the same structure as the base layer 10, first carrier layer 11, and second carrier layer 12 that constitute the above-mentioned clad plate material 2S.

クラッド板材３Ｓは、厚さ方向に切断された断面視において、３層構造である。クラッド板材３Ｓ（厚さＴ３Ｓ）は、基材層１０（厚さｔ０）と、基材層１０の一方側（Ｚ１側）に圧接されている第１キャリア層１１（厚さｔ１）と、基材層１０の他方側（Ｚ２側）に圧接されている第２キャリア層１２（厚さｔ２）と、を備えている。図５に示す第１キャリア層１１と第２キャリア層１２とは厚さが異なる（ｔ１＞ｔ２）。なお、クラッド板材３Ｓは、例えば、第１キャリア層１１の厚さｔ１よりも第２キャリア層１２の厚さｔ２が厚くてもよい（ｔ１＜ｔ２）。基材層１０と第１キャリア層１１と第２キャリア層１２との圧接形態は、例えば、基材層１０を構成するための板材と、第１キャリア層１１を構成するための板材と、第２キャリア層１２を構成するための板材とを、直接重ね合わせた状態で圧延（クラッド圧延）し、必要に応じて拡散焼鈍を行うことによって得られる。なお、クラッド板材３Ｓは特許請求の範囲の「メタルマスク用クラッド板材」の一例であり、基材層１０は特許請求の範囲の「基材層」の一例であり、第１キャリア層１１は特許請求の範囲の「第１キャリア層」の一例であり、第２キャリア層１２は特許請求の範囲の「第２キャリア層」の一例である。 The clad plate material 3S has a three-layer structure in a cross-sectional view cut in the thickness direction. The clad plate material 3S (thickness T 3S ) includes a base layer 10 (thickness t0), a first carrier layer 11 (thickness t1) that is pressed against one side (Z1 side) of the base layer 10, The second carrier layer 12 (thickness t2) is pressed against the other side (Z2 side) of the base layer 10. The first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 shown in FIG. 5 have different thicknesses (t1>t2). In addition, in the clad plate material 3S, for example, the thickness t2 of the second carrier layer 12 may be thicker than the thickness t1 of the first carrier layer 11 (t1<t2). The form of pressure contact between the base material layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 is, for example, a plate material for forming the base material layer 10, a plate material for forming the first carrier layer 11, and a plate material for forming the first carrier layer 11. It is obtained by rolling (clad rolling) two plate materials for configuring the carrier layer 12 in a state in which they are directly overlapped, and performing diffusion annealing if necessary. The clad plate material 3S is an example of the "clad plate material for metal mask" in the claims, the base material layer 10 is an example of the "base material layer" in the claims, and the first carrier layer 11 is an example of the "clad plate material for metal mask" in the claims. This is an example of a "first carrier layer" in the claims, and the second carrier layer 12 is an example of a "second carrier layer" in the claims.

クラッド板材３Ｓを構成する基材層１０はメタルマスクの主体にすることができる。この場合、基材層１０部分からなる単層構造のメタルマスクを得ることも可能であるし、基材層１０部分と第１キャリア層１１部分とからなる２層構造のメタルマスクを得ることも可能であるし、基材層１０部分と第２キャリア層１２部分とからなる２層構造のメタルマスクを得ることも可能であるし、第１キャリア層１１部分と基材層１０部分と第２キャリア層１２部分とからなる３層構造のメタルマスクを得ることも可能である。上記したように、目標とするメタルマスクの厚さは例えば２０μｍ以下であり、望ましくは１５μｍ以下である。この目標に照らし、薄肉化の観点から、クラッド板材２Ｓの厚さＴ３Ｓの上限値あるいは基材層１０部分をメタルマスクの主体にする場合の基材層１０の厚さｔ０の上限値は、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下、より一層好ましくは１０μｍ以下である。また、ハンドリングの容易化の観点から、クラッド板材２Ｓの厚さＴ３Ｓの下限値あるいは基材層１０部分をメタルマスクの主体にする場合の基材層１０の厚さｔ０の下限値は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、より一層好ましくは５μｍ以上である。クラッド板材２Ｓの厚さＴ３Ｓが薄いほど、あるいは基材層１０部分をメタルマスクの主体にする場合には基材層１０の厚さｔ０が薄いほど、エッチングにおけるサイドエッチングの量が抑制されるため、エッチングによって形成されたエッチング孔などのマスクパターンの寸法精度が改善され、より高精細なマスクパターンを有するメタルマスクを得ることが可能になる。 The base material layer 10 constituting the clad plate material 3S can be the main body of a metal mask. In this case, it is possible to obtain a metal mask with a single layer structure consisting of 10 parts of the base material layer, or it is also possible to obtain a metal mask with a two-layer structure consisting of 10 parts of the base material layer and 11 parts of the first carrier layer. It is possible, and it is also possible to obtain a metal mask with a two-layer structure consisting of a base material layer 10 part and a second carrier layer 12 part, or a metal mask having a two-layer structure consisting of a first carrier layer 11 part, a base material layer 10 part and a second carrier layer 10 part. It is also possible to obtain a metal mask having a three-layer structure including the carrier layer 12 portion. As described above, the target thickness of the metal mask is, for example, 20 μm or less, preferably 15 μm or less. In light of this goal, and from the perspective of thinning, the upper limit of the thickness T3S of the clad plate material 2S or the upper limit of the thickness t0 of the base material layer 10 when the base material layer 10 portion is the main body of the metal mask is as follows: Preferably it is 20 μm or less, more preferably 15 μm or less, even more preferably 10 μm or less. In addition, from the viewpoint of ease of handling, the lower limit of the thickness T3S of the clad plate material 2S or the lower limit of the thickness t0 of the base material layer 10 when the base material layer 10 portion is the main body of the metal mask is preferably is 1 μm or more, more preferably 3 μm or more, even more preferably 5 μm or more. The thinner the thickness T3S of the cladding plate material 2S, or the thinner the thickness t0 of the base layer 10 when the base layer 10 is used as the main body of the metal mask, the more the amount of side etching during etching is suppressed. Therefore, the dimensional accuracy of mask patterns such as etching holes formed by etching is improved, and it becomes possible to obtain a metal mask having a higher definition mask pattern.

クラッド板材３Ｓを構成する基材層１０はＦｅ基合金からなる。このＦｅ基合金はＮｉおよびＣｏのうちの１種以上を３０質量％以上５０質量％以下の範囲で含む。ＮｉおよびＣｏを除く残部はＦｅおよび不可避的不純物であってよいし、さらに１種以上の添加元素を含んでいてもよい。なお、ＮｉおよびＣｏを含むＦｅ基合金は、Ｃｏが１０質量％以下（すなわちＮｉが２０質量％以上４０質量％以下）であるものが好ましい。Ｆｅに対してＮｉおよびＣｏのうちの１種以上を３０質量％以上５０質量％以下の範囲で含むＦｅ基合金は、例えば有機ＥＬ素子用メタルマスクの使用に際して蒸着時の加熱変形（歪）を抑制するのに有効な線膨張係数が小さいものが多く、メタルマスク用板材を構成するのに適する。このＦｅ基合金はＮｉおよびＣｏ以外の元素（添加元素）を１０質量％以下の範囲で含む場合がある。添加元素は、例えば、Ｍｎ、Ｍｏ、ＮｂおよびＣｒなどである。これらの添加元素を０質量％以上１０質量％以下の範囲で含むＦｅ基合金は、０．２％耐力、引張強さ、伸び、ヤング率、硬さ、線膨張係数など、メタルマスク用板材を構成する金属材料として好ましい機械的強さおよび諸特性を有する可能性がある。上記したＦｅ基合金からなる基材層１０は上記したＦｅ基合金に適した一般的なエッチング液（例えば塩化第二鉄液など）でエッチングが可能である。 The base material layer 10 constituting the clad plate material 3S is made of an Fe-based alloy. This Fe-based alloy contains one or more of Ni and Co in a range of 30% by mass to 50% by mass. The remainder excluding Ni and Co may be Fe and unavoidable impurities, and may further contain one or more additional elements. Note that the Fe-based alloy containing Ni and Co preferably has a Co content of 10% by mass or less (that is, a Ni content of 20% by mass or more and 40% by mass or less). Fe-based alloys containing one or more of Ni and Co in a range of 30% by mass or more and 50% by mass or less, based on Fe, can be used for example in metal masks for organic EL devices, and may suffer from thermal deformation (strain) during vapor deposition. Many of them have a small coefficient of linear expansion that is effective for suppressing them, and are suitable for forming metal mask plate materials. This Fe-based alloy may contain elements other than Ni and Co (additional elements) in a range of 10% by mass or less. Examples of the additive elements include Mn, Mo, Nb, and Cr. Fe-based alloys containing these additive elements in the range of 0% by mass or more and 10% by mass or less have properties such as 0.2% proof stress, tensile strength, elongation, Young's modulus, hardness, linear expansion coefficient, etc. It may have preferable mechanical strength and various properties as a constituent metal material. The base material layer 10 made of the above-mentioned Fe-based alloy can be etched with a general etching solution (for example, ferric chloride solution) suitable for the above-mentioned Fe-based alloy.

クラッド板材３Ｓを構成する第１キャリア層１１は基材層１０の一方側（Ｚ１側）に直接圧接されている。また、クラッド板材３Ｓを構成する第２キャリア層１２は基材層１０の他方側（Ｚ２側）に直接圧接されている。第１キャリア層１１および第２キャリア層１２はメタルマスクの主体となる薄肉化された基材層１０の補強に有効であり、薄肉のクラッド板材２Ｓの機械的強さを高めるのに有効である。第１キャリア層１１および第２キャリア層１２は薄肉化された基材層１０のキャリアとなり、薄肉化された基材層１０のハンドリングを容易化し、基材層１０を含むクラッド板材２Ｓのエッチングの安定化に寄与する。また、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２は、基材層１０と同様に、メタルマスクの主体にすることができる。この場合、第１キャリア層１１部分からなる単層構造のメタルマスクを得ることも可能であるし、第２キャリア層１２部分からなる単層構造のメタルマスクを得ることも可能であるし、第１キャリア層１１部分と基材層１０部分とからなる２層構造のメタルマスクを得ることも可能であるし、第２キャリア層１２部分と基材層１０部分とからなる２層構造のメタルマスクを得ることも可能であるし、第１キャリア層１１部分と基材層１０部分と第２キャリア層１２部分とからなる３層構造のメタルマスクを得ることも可能である。ハンドリングの容易化の観点から基材層１０の補強を目的とする場合、第１キャリア層１１の厚みｔ１および第２キャリア層１２の厚みｔ２は、それぞれ、好ましくは５μｍ以上１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上１００μｍ以下である。第１キャリア層１１部分あるいは第２キャリア層１２部分をメタルマスクの主体にする場合には、第１キャリア層１１の厚さｔ１の上限値および第２キャリア層１２の厚みｔ２の上限値は、それぞれ、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下、より一層好ましくは１０μｍ以下である。 The first carrier layer 11 constituting the clad plate material 3S is directly pressed against one side (Z1 side) of the base material layer 10. Further, the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 3S is directly pressed against the other side (Z2 side) of the base layer 10. The first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 are effective in reinforcing the thinned base material layer 10, which is the main body of the metal mask, and are effective in increasing the mechanical strength of the thin clad plate material 2S. . The first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 serve as carriers for the thinned base material layer 10, facilitate handling of the thinned base material layer 10, and facilitate etching of the clad plate material 2S including the base material layer 10. Contributes to stabilization. Further, the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 can be the main body of the metal mask, similarly to the base material layer 10. In this case, it is possible to obtain a metal mask with a single layer structure consisting of 11 portions of the first carrier layer, it is also possible to obtain a metal mask with a single layer structure consisting of 12 portions of the second carrier layer, and It is also possible to obtain a metal mask with a two-layer structure consisting of 11 parts of the first carrier layer and 10 parts of the base material layer, or a metal mask with a two-layer structure consisting of 12 parts of the second carrier layer and 10 parts of the base material layer. It is also possible to obtain a metal mask having a three-layer structure consisting of a first carrier layer 11 portion, a base material layer 10 portion, and a second carrier layer 12 portion. When the purpose is to reinforce the base material layer 10 from the viewpoint of facilitating handling, the thickness t1 of the first carrier layer 11 and the thickness t2 of the second carrier layer 12 are each preferably 5 μm or more and 100 μm or less, more preferably It is 20 μm or more and 100 μm or less. When the first carrier layer 11 portion or the second carrier layer 12 portion is the main body of the metal mask, the upper limit value of the thickness t1 of the first carrier layer 11 and the upper limit value of the thickness t2 of the second carrier layer 12 are as follows. Each is preferably 20 μm or less, more preferably 15 μm or less, even more preferably 10 μm or less.

第１キャリア層１１および第２キャリア層１２は、ともに、基材層１０のエッチングが可能な塩化第二鉄液で、エッチング可能である。つまり、基材層１０と第１キャリア層１１、基材層１０と第２キャリア層１２、および第１キャリア層１１と第２キャリア層１２は、それぞれの組合せにおいて、同質の塩化第二鉄液で同時にエッチングが可能である。この発明では、基材層１０と第１キャリア層１１とが同時にエッチング可能な場合、基材層１０と第２キャリア層１２とが同時にエッチング可能な場合、および第１キャリア層１１と第２キャリア層１２とが同時にエッチング可能な場合のそれぞれにおいて、その塩化第二鉄液に対して、基材層１０は第１キャリア層１１および第２キャリア層１２よりも高耐食であればよい。なお、第１キャリア層１１が第２キャリア層１２よりも同じ塩化第二鉄液に対して高耐食であってよく、あるいは第２キャリア層１２が第１キャリア層１１よりも同じ塩化第二鉄液に対して高耐食であってよい。これにより、例えば、厚さが異なる（例えばｔ１＞ｔ２）第１キャリア層１１および第２キャリア層１２を同時にハーフエッチングすることによって、第１キャリア層１１の一部および第２キャリア層１２の全部を同時に除去して基材層１０の一方側（Ｚ２側）の表面のみを露出させ、基材層１０の他方側（Ｚ１側）に第１キャリア層１１が所定の厚さを有して備わる、２層構造のクラッド板材を得ることができる。また、こうした２層構造のクラッド板材は、例えば、第１キャリア層１１と第２キャリア層１２の材質を異ならせて構成し、塩化第二鉄液に対してより高耐食の第１キャリア層１１または第２キャリア層１２のいずれか一方のみを所定の厚さで残すことによっても得ることが可能である。こうした場合、ハーフエッチングの条件を調整することによって、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２のそれぞれが所定の厚さを有して基材層１０の両面に備わる、３層構造のクラッド板材を得ることも可能である。 Both the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 can be etched with a ferric chloride solution that can etch the base layer 10 . That is, in each combination, the base material layer 10 and the first carrier layer 11, the base material layer 10 and the second carrier layer 12, and the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 are made of the same ferric chloride liquid. It is possible to perform etching at the same time. In this invention, when the base material layer 10 and the first carrier layer 11 can be etched simultaneously, when the base material layer 10 and the second carrier layer 12 can be etched simultaneously, and when the first carrier layer 11 and the second carrier layer In each case where the layer 12 can be etched at the same time, the base layer 10 only needs to have higher corrosion resistance than the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 with respect to the ferric chloride solution. Note that the first carrier layer 11 may have higher corrosion resistance than the second carrier layer 12 to the same ferric chloride solution, or the second carrier layer 12 may have higher corrosion resistance than the first carrier layer 11 to the same ferric chloride solution. It may be highly corrosion resistant to liquids. Thereby, for example, by half-etching the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 having different thicknesses (for example, t1>t2) at the same time, a part of the first carrier layer 11 and all of the second carrier layer 12 can be etched. are simultaneously removed to expose only the surface of one side (Z2 side) of the base layer 10, and the first carrier layer 11 is provided with a predetermined thickness on the other side (Z1 side) of the base layer 10. , a two-layer structure clad plate material can be obtained. In addition, such a two-layer structure clad plate material is configured such that the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 are made of different materials, and the first carrier layer 11 has higher corrosion resistance against ferric chloride liquid. Alternatively, it can also be obtained by leaving only one of the second carrier layers 12 with a predetermined thickness. In such a case, by adjusting the half-etching conditions, a three-layer structure clad plate material in which the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 each have a predetermined thickness and is provided on both sides of the base material layer 10. It is also possible to obtain

この塩化第二鉄液に対して、基材層１０は第１キャリア層１１および第２キャリア層１２よりも高耐食である。これにより、この塩化第二鉄液で上記した２層構造のクラッド板材のエッチングを開始した場合、基材層１０は第１キャリア層１１（あるいは第２キャリア層１２）よりもエッチングされ難いため、第１キャリア層１１（あるいは第２キャリア層１２）のエッチング速度よりも、基材層１０のエッチング速度を遅くすることができる。したがって、例えば、基材層１０および第１キャリア層１１を備える２層構造のクラッド板材に対して同時にエッチング孔を形成する際に、基材層１０の表面（Ｚ２側）からＺ１側に向かって形成が進むエッチング孔の深さが、第１キャリア層１１の表面（Ｚ１側）からＺ２側に向かって形成が進むエッチング孔の深さよりも浅くなる。あるいは、基材層１０および第２キャリア層１２を備える２層構造のクラッド板材に対して同時にエッチング孔を形成する際に、基材層１０の表面（Ｚ１側）からＺ２側に向かって形成が進むエッチング孔の深さが、第２キャリア層１２の表面（Ｚ２側）からＺ１側に向かって形成が進むエッチング孔の深さよりも浅くなる。こうしたエッチング孔の深さの差が得られるメタルマスク用板材（クラッド板材３Ｓ）を用いれば、一方面側に配置された孔の深さと他方面側に配置された孔の深さとが異なるマスクパターンを有するメタルマスクの構成が可能になる。 The base layer 10 has higher corrosion resistance than the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 with respect to this ferric chloride liquid. As a result, when etching of the above-mentioned two-layered clad plate material is started with this ferric chloride solution, the base material layer 10 is less likely to be etched than the first carrier layer 11 (or the second carrier layer 12). The etching rate of the base material layer 10 can be made slower than the etching rate of the first carrier layer 11 (or the second carrier layer 12). Therefore, for example, when etching holes are simultaneously formed in a two-layer clad plate material including the base layer 10 and the first carrier layer 11, etching holes are etched from the surface of the base layer 10 (Z2 side) toward the Z1 side. The depth of the etching hole that progresses in formation becomes shallower than the depth of the etching hole that progresses in formation from the surface (Z1 side) of the first carrier layer 11 toward the Z2 side. Alternatively, when etching holes are simultaneously formed in a two-layer clad plate material including the base layer 10 and the second carrier layer 12, the etching holes are formed from the surface of the base layer 10 (Z1 side) toward the Z2 side. The depth of the etching hole that progresses becomes shallower than the depth of the etching hole that progresses from the surface (Z2 side) of the second carrier layer 12 toward the Z1 side. If you use a metal mask plate material (clad plate material 3S) that can obtain such a difference in etching hole depth, you can create a mask pattern in which the depth of the holes arranged on one side is different from the depth of the holes arranged on the other side. It becomes possible to construct a metal mask having the following characteristics.

また、同等の環境下で同質の塩化第二鉄液を用いてクラッド板材３Ｓのエッチングを行って、基材層１０の腐食減量をＭｂとし、第１キャリア層１１の腐食減量をＭＣ１とし、第２キャリア層１２の腐食減量をＭＣ２とするとき、基材層１０、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２は、Ｍｂ／Ｍｃ１≦０．９およびＭｂ／Ｍｃ２≦０．９の関係を満足することが好ましい。この関係を満足するクラッド板材３Ｓは、基材層１０および第１キャリア層１１を同時にエッチングした際に、基材層１０のエッチング速度を第１キャリア層１１のエッチング速度よりも確実に遅くすることができるし、あるいは、基材層１０および第２キャリア層１２を同時にエッチングした際に、基材層１０のエッチング速度を第２キャリア層１２のエッチング速度よりも確実に遅くすることができる。これにより、例えばエッチング孔を同時に形成しようとしたとき、基材層１０の表面（Ｚ２側）からＺ１側に向かって形成が進むエッチング孔の深さを、第１キャリア層１１の表面（Ｚ１側）からＺ２側に向かって形成が進むエッチング孔の深さよりも確実に浅くすることができるし、あるいは、基材層１０の表面（Ｚ１側）からＺ２側に向かって形成が進むエッチング孔の深さを、第２キャリア層１２の表面（Ｚ２側）からＺ１側に向かって形成が進むエッチング孔の深さよりも確実に浅くすることができる。なお、同時にエッチングされる基材層１０および第１キャリア層１１は、Ｍｂ／Ｍｃ１＞０（Ｍｂ＞０、Ｍｃ１＞０）の関係を満足し、あるいは、同時にエッチングされる基材層１０および第２キャリア層１２は、Ｍｂ／Ｍｃ２＞０（Ｍｂ＞０、Ｍｃ２＞０）の関係を満足する。なお、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２は、Ｍｃ１／Ｍｃ２≦０．９の関係を満足するものであってよく、あるいはＭｃ２／Ｍｃ１≦０．９の関係を満足するものであってよい。 In addition, the cladding plate material 3S was etched using the same ferric chloride solution under the same environment, and the corrosion loss of the base material layer 10 was set as M b , and the corrosion loss of the first carrier layer 11 was set as M C1 . , when the corrosion loss of the second carrier layer 12 is M C2 , the base material layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 have M b /M c1 ≦0.9 and M b /M c2 ≦ It is preferable to satisfy the relationship of 0.9. The clad plate material 3S that satisfies this relationship ensures that the etching rate of the base layer 10 is slower than the etching rate of the first carrier layer 11 when the base layer 10 and the first carrier layer 11 are etched at the same time. Alternatively, when the base layer 10 and the second carrier layer 12 are etched at the same time, the etching rate of the base layer 10 can be reliably made slower than the etching rate of the second carrier layer 12. With this, for example, when attempting to form etching holes at the same time, the depth of the etching holes that are formed from the surface of the base layer 10 (Z2 side) to the Z1 side can be changed from the surface of the first carrier layer 11 (Z1 side). ), or the depth of the etching hole that progresses from the surface of the base material layer 10 (Z1 side) toward the Z2 side. The depth can be reliably made shallower than the depth of the etching hole that is formed from the surface (Z2 side) of the second carrier layer 12 toward the Z1 side. Note that the base material layer 10 and the first carrier layer 11 that are etched at the same time satisfy the relationship of M b /M c1 >0 (M b >0, M c1 >0), or the base material layer that is etched at the same time Layer 10 and second carrier layer 12 satisfy the relationship M b /M c2 >0 (M b >0, M c2 >0). Note that the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 may satisfy the relationship of M c1 /M c2 ≦0.9, or satisfy the relationship of M c2 /M c1 ≦0.9. It can be anything.

クラッド板材３Ｓは、０．２％耐力、引張強さ、伸び、ヤング率、硬さ、線膨張係数など、メタルマスクに適する機械的強さおよび諸特性を有することが好ましい。例えば、ハンドリングを容易化する観点では、引張強さが大きく、ヤング率が大きい、クラッド板材３Ｓが好ましい。この場合、クラッド板材３Ｓは、特にメタルマスクの主体となる基材層１０は、引張強さが７００ＭＰａ以上で、ヤング率が１００ＧＰａ以上であることが好ましい。また、例えば、有機ＥＬ素子用メタルマスクの使用に際して蒸着時の加熱変形（歪）を抑制する観点では、加熱により発生する反りが小さいクラッド板材３Ｓが好ましく、クラッド板材３Ｓを構成する基材層１０の線膨張係数、第１キャリア層１１の線膨張係数および第２キャリア層１２の線膨張係数の相互の差が小さいことが好ましい。この場合、基材層１０の線膨張係数が５ｐｐｍ／℃以下で、第１キャリア層１１の線膨張係数および第２キャリア層１２の線膨張係数が、それぞれ、基材層１０の線膨張係数に対して±２ｐｐｍ／℃以内であることが好ましい。 The clad plate material 3S preferably has mechanical strength and various properties suitable for a metal mask, such as 0.2% proof stress, tensile strength, elongation, Young's modulus, hardness, and coefficient of linear expansion. For example, from the viewpoint of facilitating handling, the clad plate material 3S, which has a high tensile strength and a high Young's modulus, is preferable. In this case, it is preferable that the clad plate material 3S, especially the base material layer 10 which is the main body of the metal mask, has a tensile strength of 700 MPa or more and a Young's modulus of 100 GPa or more. Further, for example, from the viewpoint of suppressing thermal deformation (distortion) during vapor deposition when using a metal mask for an organic EL element, a clad plate material 3S with small warpage caused by heating is preferable, and the base material layer 10 constituting the clad plate material 3S is preferable. It is preferable that the difference between the coefficient of linear expansion of the first carrier layer 11 and the coefficient of linear expansion of the second carrier layer 12 is small. In this case, the linear expansion coefficient of the base material layer 10 is 5 ppm/°C or less, and the linear expansion coefficient of the first carrier layer 11 and the linear expansion coefficient of the second carrier layer 12 are respectively equal to the linear expansion coefficient of the base material layer 10. It is preferably within ±2 ppm/°C.

上記したメタルマスク用クラッド板材（第１実施形態、第２実施形態および第３実施形態）を用いて製造することができる、この発明によるメタルマスクを具体化した実施形態（製品例）を挙げて説明する。 An embodiment (product example) embodying a metal mask according to the present invention that can be manufactured using the above-described metal mask clad plate material (first embodiment, second embodiment, and third embodiment) will be given. explain.

＜第１製品例＞
この発明によるメタルマスクの第１製品例を図６に示す。図６は厚さ方向（Ｚ方向）に切断されたメタルマスク１Ｍの断面視である。メタルマスク１Ｍは、マスクパターンとして、例えばエッチング孔１ｆを有する。厚さ方向に切断された断面視において、メタルマスク１Ｍは単層構造である。メタルマスク１Ｍの主体は基材部１０Ｍである。基材部１０Ｍは、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを構成する基材層１０部分、図４に示すクラッド板材２Ｓを構成する基材層１０部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓを構成する基材層１０部分からなる。メタルマスク１Ｍは薄肉化されており、その厚さＴ１Ｍは２０μｍ以下（好ましくは１５μｍ以下）である。このように薄肉化されているメタルマスク１Ｍは、エッチングによって形成されたエッチング孔１ｆなどのマスクパターンの寸法精度が高く、より高精細なマスクパターンを有している。メタルマスク１Ｍの厚さＴ１Ｍは、例えば、クラッド板材１Ｓを構成する基材層１０の厚さ、クラッド板材２Ｓを構成する基材層１０の厚さ、あるいはクラッド板材３Ｓを構成する基材層１０の厚さと、同等であってよく（Ｔ１Ｍ＝ｔ０）、ハーフエッチングなどによって同等以下に薄くなっていてもよい（Ｔ１Ｍ＜ｔ０）。 <First product example>
A first product example of the metal mask according to the present invention is shown in FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view of the metal mask 1M cut in the thickness direction (Z direction). The metal mask 1M has, for example, an etching hole 1f as a mask pattern. In a cross-sectional view cut in the thickness direction, the metal mask 1M has a single-layer structure. The main body of the metal mask 1M is the base material portion 10M. The base material portion 10M is, for example, a base material layer 10 portion constituting the clad plate material 1S shown in FIG. 3, a base material layer 10 portion constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or a clad plate material 3S shown in FIG. The base material layer consists of 10 parts. The metal mask 1M is thinned, and its thickness T 1M is 20 μm or less (preferably 15 μm or less). The thin metal mask 1M has high dimensional accuracy of the mask pattern such as the etching hole 1f formed by etching, and has a more precise mask pattern. The thickness T 1M of the metal mask 1M is, for example, the thickness of the base layer 10 constituting the clad plate material 1S, the thickness of the base material layer 10 constituting the clad plate material 2S, or the base material layer constituting the clad plate material 3S. 10 (T 1M =t0), or may be made thinner than the same thickness by half etching or the like (T 1M <t0).

＜第１製品例の変形例＞
この発明によるメタルマスクの第１製品例の変形例を図７に示す。図７は厚さ方向（Ｚ方向）に切断されたメタルマスク１Ｍａの断面視である。メタルマスク１Ｍａは、マスクパターンとして、例えばエッチング孔１ｆを有する。厚さ方向に切断された断面視において、メタルマスク１Ｍａは単層構造部分と２層構造部分とからなる。単層構造部分はメタルマスク１Ｍａの主体であって、基材部１０Ｍからなる。２層構造部分は、基材部１０Ｍと、メタルマスク１Ｍａの主体を補強するためのフレーム部１１ｆとからなる。基材部１０Ｍは、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを構成する基材層１０部分、図４に示すクラッド板材２Ｓを構成する基材層１０部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓを構成する基材層１０部分からなる。フレーム部１１ｆは、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを構成する第１キャリア層１１部分、図４に示すクラッド板材２Ｓを構成する第１キャリア層１１部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓを構成する第１キャリア層１１部分からなる。フレーム部１１ｆは基材層１０の辺縁部分に環状に配置されている。こうしたフレーム部１１を備えたメタルマスク１Ｍａは、図６に示すメタルマスク１Ｍと比べて、メタルマスクの主体の厚さが略同等の場合は機械的強さが向上されるため、ハンドリングが容易なメタルマスクとなる。フレーム部１１ｆは基材部１０Ｍの辺縁部分に環状に配置されているが、基材部１０Ｍの辺縁部分に環状に配置されていなくてもよいし、基材部１０Ｍの反対面側に配置されていてもよい。なお、フレーム部１１ｆの構成は上記に限定されない。例えば、フレーム部１１ｆは、図３に示すクラッド板材１Ｓの基材層１０部分、図４に示すクラッド板材２Ｓの基材層１０部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓの基材層１０部分のいずれからも構成することが可能である。フレーム部１１ｆが基材層１０部分から構成されている場合、そのメタルマスクは単層構造になる。また、フレーム部１１ｆは、図４に示すクラッド板材２Ｓの第２キャリア層１２部分、あるいは図５に示すクラッド板材２Ｓの第２キャリア層１２部分のいずれからも構成することが可能である。 <Modified example of the first product example>
A modification of the first product example of the metal mask according to the present invention is shown in FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view of the metal mask 1Ma cut in the thickness direction (Z direction). The metal mask 1Ma has, for example, an etching hole 1f as a mask pattern. In a cross-sectional view cut in the thickness direction, the metal mask 1Ma consists of a single-layer structure portion and a two-layer structure portion. The single layer structure portion is the main part of the metal mask 1Ma, and consists of a base material portion 10M. The two-layer structure portion consists of a base portion 10M and a frame portion 11f for reinforcing the main body of the metal mask 1Ma. The base material portion 10M is, for example, a base material layer 10 portion constituting the clad plate material 1S shown in FIG. 3, a base material layer 10 portion constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or a clad plate material 3S shown in FIG. The base material layer consists of 10 parts. The frame portion 11f may include, for example, a first carrier layer 11 portion constituting the clad plate material 1S shown in FIG. 3, a first carrier layer 11 portion constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or a clad plate material 3S shown in FIG. It consists of the first carrier layer 11 portion. The frame portion 11f is annularly arranged at the edge of the base layer 10. The metal mask 1Ma having such a frame portion 11 has improved mechanical strength compared to the metal mask 1M shown in FIG. 6 when the thickness of the main body of the metal mask is approximately the same. It becomes a metal mask. Although the frame portion 11f is arranged in an annular manner at the edge of the base portion 10M, it may not be arranged in an annular manner at the edge of the base portion 10M, and may be arranged on the opposite side of the base portion 10M. may be placed. Note that the configuration of the frame portion 11f is not limited to the above. For example, the frame portion 11f may be the base material layer 10 portion of the clad plate material 1S shown in FIG. 3, the base material layer 10 portion of the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or the base material layer 10 portion of the clad plate material 3S shown in FIG. It is possible to configure it from either. When the frame portion 11f is composed of the base material layer 10 portion, the metal mask has a single layer structure. Further, the frame portion 11f can be constructed from either the second carrier layer 12 portion of the clad plate material 2S shown in FIG. 4 or the second carrier layer 12 portion of the clad plate material 2S shown in FIG.

メタルマスク１Ｍａは薄肉化されており、その厚さＴ１Ｍａは２０μｍ以下（好ましくは１５μｍ以下）である。このように薄肉化されているメタルマスク１Ｍａは、エッチングによって形成されたエッチング孔１ｆなどのマスクパターンの寸法精度が高く、より高精細なマスクパターンを有している。メタルマスク１Ｍａの厚さＴ１Ｍａは、例えば、クラッド板材１Ｓを構成する基材層１０の厚さ、クラッド板材２Ｓを構成する基材層１０の厚さ、あるいはクラッド板材３Ｓを構成する基材層１０の厚さと、同等であってよく（Ｔ１Ｍａ＝ｔ０）、ハーフエッチングなどによって同等以下に薄くなっていてもよい（Ｔ１Ｍａ＜ｔ０）。フレーム部１１ｆの厚さＴＸは、例えば、クラッド板材１Ｓを構成する第１キャリア層１１の厚さ、クラッド板材２Ｓを構成する第１キャリア層１１の厚さ、あるいはクラッド板材３Ｓを構成する第１キャリア層１１の厚さと、同等であってよく（ＴＸ＝ｔ１）、ハーフエッチングなどによって同等以下に薄くなっていてもよい（ＴＸ＜ｔ１）。なお、上記した厚さＴ１Ｍａと厚さＴＸの合計の厚さ（Ｔ１Ｍａ＋ＴＸ）をメタルマスク１Ｍａの厚さと見做すこともできる。 The metal mask 1Ma is thinned, and its thickness T 1Ma is 20 μm or less (preferably 15 μm or less). The thin metal mask 1Ma has high dimensional accuracy of the mask pattern such as the etching hole 1f formed by etching, and has a more precise mask pattern. The thickness T 1Ma of the metal mask 1Ma is, for example, the thickness of the base material layer 10 constituting the clad plate material 1S, the thickness of the base material layer 10 constituting the clad plate material 2S, or the base material layer constituting the clad plate material 3S. 10 (T 1Ma =t0), or may be made thinner than the same (T 1Ma <t0) by half etching or the like. The thickness T The thickness of the first carrier layer 11 may be the same (T x =t1), or may be made thinner than the same thickness by half etching or the like (T x <t1). Note that the total thickness of the above-mentioned thickness T 1Ma and thickness T X (T 1Ma + T

＜第２製品例＞
この発明によるメタルマスクの第２製品例を図８に示す。図８は厚さ方向（Ｚ方向）に切断されたメタルマスク２Ｍの断面視である。メタルマスク２Ｍは、マスクパターンとして、例えばエッチング孔２ｆを有する。厚さ方向に切断された断面視において、メタルマスク２Ｍは２層構造である。メタルマスク２Ｍの主体は基材部１０Ｍとキャリア部１２Ｍとからなる。基材部１０Ｍは、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを構成する基材層１０部分、図４に示すクラッド板材２Ｓを構成する基材層１０部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓを構成する基材層１０部分からなる。キャリア部１２Ｍは、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを構成する第２キャリア層１２部分、図４に示すクラッド板材２Ｓを構成する第２キャリア層１２部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓを構成する第２キャリア層１２部分からなる。なお、キャリア部１２Ｍの構成は上記に限定されない。例えば、キャリア部１２Ｍは、図３に示すクラッド板材１Ｓの第１キャリア層１１部分、図４に示すクラッド板材２Ｓの第１キャリア層１１部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓの第１キャリア層１１のいずれからも構成することが可能である。 <Second product example>
A second product example of the metal mask according to the present invention is shown in FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view of the metal mask 2M cut in the thickness direction (Z direction). The metal mask 2M has, for example, an etching hole 2f as a mask pattern. In a cross-sectional view cut in the thickness direction, the metal mask 2M has a two-layer structure. The main body of the metal mask 2M consists of a base portion 10M and a carrier portion 12M. The base material portion 10M is, for example, a base material layer 10 portion constituting the clad plate material 1S shown in FIG. 3, a base material layer 10 portion constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or a clad plate material 3S shown in FIG. The base material layer consists of 10 parts. The carrier portion 12M includes, for example, a portion of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 1S shown in FIG. 3, a portion of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or a clad plate material 3S shown in FIG. It consists of the second carrier layer 12 portion. Note that the configuration of the carrier section 12M is not limited to the above. For example, the carrier portion 12M may be the first carrier layer 11 portion of the clad plate material 1S shown in FIG. 3, the first carrier layer 11 portion of the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or the first carrier layer of the clad plate material 3S shown in FIG. It is possible to configure it from any of 11.

メタルマスク２Ｍは薄肉化されており、その厚さＴ２Ｍは２０μｍ以下（好ましくは１５μｍ以下）である。このように薄肉化されているメタルマスク２Ｍは、エッチングによって形成されたエッチング孔２ｆなどのマスクパターンの寸法精度が高く、より高精細なマスクパターンを有している。メタルマスク２Ｍの厚さＴ２Ｍは、例えば、クラッド板材１Ｓを構成する基材層１０および第２キャリア層１２の合計の厚さ、クラッド板材２Ｓを構成する基材層１０および第２キャリア層１２の合計の厚さ、あるいはクラッド板材３Ｓを構成する基材層１０および第２キャリア層１２の合計の厚さと、同等であってよく（Ｔ２Ｍ＝ｔ０＋ｔ２）、ハーフエッチングなどによって同等以下に薄くなっていてもよい（Ｔ２Ｍ＜ｔ０＋ｔ２）。キャリア部１２Ｍの厚さＴＹは、例えば、クラッド板材１Ｓを構成する第２キャリア層１２の厚さ、クラッド板材２Ｓを構成する第２キャリア層１２の厚さ、あるいはクラッド板材３Ｓを構成する第２キャリア層１２の厚さと、同等であってよく（ＴＹ＝ｔ２）、ハーフエッチングなどによって同等以下に薄くなっていてもよい（ＴＹ＜ｔ２）。 The metal mask 2M is thinned, and its thickness T 2M is 20 μm or less (preferably 15 μm or less). The thin metal mask 2M has high dimensional accuracy of the mask pattern such as the etching holes 2f formed by etching, and has a more precise mask pattern. The thickness T 2M of the metal mask 2M is, for example, the total thickness of the base material layer 10 and the second carrier layer 12 that constitute the clad plate material 1S, and the total thickness of the base material layer 10 and the second carrier layer 12 that constitute the clad plate material 2S. or the total thickness of the base material layer 10 and the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 3S (T 2M = t0 + t2), and can be made thinner than the same by half etching etc. (T 2M <t0+t2). The thickness T Y of the carrier portion 12M may be, for example, the thickness of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 1S, the thickness of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S, or the thickness of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 3S. It may be equal to the thickness of the two-carrier layer 12 (T Y =t2), or may be made thinner than the same thickness by half etching or the like (T Y <t2).

＜第２製品例の変形例＞
この発明によるメタルマスクの第２製品例の変形例を図９に示す。図９は厚さ方向（Ｚ方向）に切断されたメタルマスク２Ｍａの断面視である。メタルマスク２Ｍａは、マスクパターンとして、例えばエッチング孔２ｆを有する。厚さ方向に切断された断面視において、メタルマスク２Ｍａは２層構造部分と３層構造部分とからなる。２層構造部分はメタルマスク２Ｍａの主体であって、基材部１０Ｍとキャリア層１２Ｍとからなる。３層構造部分は、基材部１０Ｍおよびキャリア層１２Ｍと、メタルマスク２Ｍａの主体を補強するためのフレーム部１１ｆとからなる。基材部１０Ｍは、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを構成する基材層１０部分、図４に示すクラッド板材２Ｓを構成する基材層１０部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓを構成する基材層１０部分からなる。キャリア部１２Ｍは、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを構成する第２キャリア層１２部分、図４に示すクラッド板材２Ｓを構成する第２キャリア層１２部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓを構成する第２キャリア層１２部分からなる。フレーム部１１ｆは、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを構成する第１キャリア層１１部分、図４に示すクラッド板材２Ｓを構成する第１キャリア層１１部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓを構成する第１キャリア層１１部分からなる。フレーム部１１ｆは基材層１０の辺縁部分に環状に配置されている。こうしたフレーム部１１を備えたメタルマスク２Ｍａは、図８に示すメタルマスク２Ｍと比べて、メタルマスクの主体の厚さが略同等の場合は機械的強さが向上されるため、ハンドリングが容易なメタルマスクとなる。フレーム部１１ｆは基材部１０Ｍの辺縁部分に環状に配置されているが、基材部１０Ｍの辺縁部分に環状に配置されていなくてもよいし、基材部１０Ｍの反対面側に配置されていてもよい。なお、フレーム部１１ｆの構成は上記に限定されない。例えば、フレーム部１１ｆは、図３に示すクラッド板材１Ｓの基材層１０部分、図４に示すクラッド板材２Ｓの基材層１０部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓの基材層１０部分のいずれからも構成することが可能である。フレーム部１１ｆが基材層１０部分から構成されている場合、そのメタルマスクは基材層１０およびキャリア部１２Ｍの２層構造になる。また、キャリア部１２Ｍの構成は上記に限定されない。例えば、キャリア部１２Ｍは、図３に示すクラッド板材１Ｓを構成する第１キャリア層１１部分、図４に示すクラッド板材２Ｓを構成する第１キャリア層１１部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓを構成する第１キャリア層１１部分のいずれからも構成することが可能である。 <Modified example of the second product example>
A modification of the second product example of the metal mask according to the present invention is shown in FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view of the metal mask 2Ma cut in the thickness direction (Z direction). The metal mask 2Ma has, for example, an etching hole 2f as a mask pattern. In a cross-sectional view cut in the thickness direction, the metal mask 2Ma consists of a two-layer structure part and a three-layer structure part. The two-layer structure portion is the main part of the metal mask 2Ma, and consists of a base material portion 10M and a carrier layer 12M. The three-layer structure portion includes a base material portion 10M, a carrier layer 12M, and a frame portion 11f for reinforcing the main body of the metal mask 2Ma. The base material portion 10M is, for example, a base material layer 10 portion constituting the clad plate material 1S shown in FIG. 3, a base material layer 10 portion constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or a clad plate material 3S shown in FIG. The base material layer consists of 10 parts. The carrier portion 12M includes, for example, a portion of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 1S shown in FIG. 3, a portion of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or a clad plate material 3S shown in FIG. It consists of the second carrier layer 12 portion. The frame portion 11f may include, for example, a first carrier layer 11 portion constituting the clad plate material 1S shown in FIG. 3, a first carrier layer 11 portion constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or a clad plate material 3S shown in FIG. It consists of the first carrier layer 11 portion. The frame portion 11f is annularly arranged at the edge of the base layer 10. The metal mask 2Ma having such a frame portion 11 has improved mechanical strength compared to the metal mask 2M shown in FIG. 8 when the thickness of the main body of the metal mask is approximately the same. It becomes a metal mask. Although the frame portion 11f is arranged in an annular manner at the edge of the base portion 10M, it may not be arranged in an annular manner at the edge of the base portion 10M, and may be arranged on the opposite side of the base portion 10M. may be placed. Note that the configuration of the frame portion 11f is not limited to the above. For example, the frame portion 11f may be the base material layer 10 portion of the clad plate material 1S shown in FIG. 3, the base material layer 10 portion of the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or the base material layer 10 portion of the clad plate material 3S shown in FIG. It is possible to configure it from either. When the frame portion 11f is composed of the base material layer 10 portion, the metal mask has a two-layer structure of the base material layer 10 and the carrier portion 12M. Further, the configuration of the carrier section 12M is not limited to the above. For example, the carrier portion 12M may include the first carrier layer 11 portion forming the clad plate material 1S shown in FIG. 3, the first carrier layer 11 portion forming the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or the clad plate material 3S shown in FIG. It is possible to construct the first carrier layer 11 from any of the constituent first carrier layer 11 parts.

メタルマスク２Ｍａは薄肉化されており、その厚さＴ２Ｍａは２０μｍ以下（好ましくは１５μｍ以下）である。このように薄肉化されているメタルマスク２Ｍａは、エッチングによって形成されたエッチング孔２ｆなどのマスクパターンの寸法精度が高く、より高精細なマスクパターンを有している。メタルマスク２Ｍａの厚さＴ２Ｍａは、例えば、クラッド板材１Ｓを構成する基材層１０および第２キャリア層１２の合計の厚さ、クラッド板材２Ｓを構成する基材層１０および第２キャリア層１２の合計の厚さ、あるいはクラッド板材３Ｓを構成する基材層１０および第２キャリア層１２の合計の厚さと、同等であってよく（Ｔ２Ｍａ＝ｔ０＋ｔ２）、ハーフエッチングなどによって同等以下に薄くなっていてもよい（Ｔ２Ｍａ＜ｔ０＋ｔ２）。キャリア部１２Ｍの厚さＴＹは、例えば、クラッド板材１Ｓを構成する第２キャリア層１２の厚さ、クラッド板材２Ｓを構成する第２キャリア層１２の厚さ、あるいはクラッド板材３Ｓを構成する第２キャリア層１２の厚さと、同等であってよく（ＴＹ＝ｔ２）、ハーフエッチングなどによって同等以下に薄くなっていてもよい（ＴＹ＜ｔ２）。フレーム部１１ｆの厚さＴＸは、例えば、クラッド板材１Ｓを構成する第１キャリア層１１の厚さ、クラッド板材２Ｓを構成する第１キャリア層１１の厚さ、あるいはクラッド板材３Ｓを構成する第１キャリア層１１の厚さと、同等であってよく（ＴＸ＝ｔ１）、ハーフエッチングなどによって同等以下に薄くなっていてもよい（ＴＸ＜ｔ１）。なお、上記した厚さＴ２Ｍａと厚さＴＸの合計の厚さ（Ｔ２Ｍａ＋ＴＸ）を、メタルマスク２Ｍａの厚さと見做すこともできる。 The metal mask 2Ma is thinned, and its thickness T 2Ma is 20 μm or less (preferably 15 μm or less). The thin metal mask 2Ma has high dimensional accuracy of the mask pattern such as the etching holes 2f formed by etching, and has a more precise mask pattern. The thickness T 2Ma of the metal mask 2Ma is, for example, the total thickness of the base material layer 10 and the second carrier layer 12 that constitute the clad plate material 1S, and the total thickness of the base material layer 10 and the second carrier layer 12 that constitute the clad plate material 2S. or the total thickness of the base layer 10 and the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 3S (T 2 Ma = t0 + t2), and can be made thinner than the same by half etching or the like. (T 2Ma <t0+t2). The thickness T Y of the carrier portion 12M may be, for example, the thickness of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 1S, the thickness of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S, or the thickness of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 3S. It may be equal to the thickness of the two-carrier layer 12 (T Y =t2), or may be made thinner than the same thickness by half etching or the like (T Y <t2). The thickness T The thickness of the first carrier layer 11 may be the same (T x =t1), or may be made thinner than the same thickness by half etching or the like (T x <t1). Note that the total thickness of the above-mentioned thickness T 2Ma and thickness T X (T 2Ma +T X ) can also be regarded as the thickness of the metal mask 2Ma.

＜第３製品例＞
この発明によるメタルマスクの第３製品例を図１０に示す。図１０は厚さ方向（Ｚ方向）に切断されたメタルマスク３Ｍの断面視である。メタルマスク３Ｍは、マスクパターンとして、例えばエッチング孔３ｆを有する。厚さ方向に切断された断面視において、メタルマスク３Ｍは３層構造である。メタルマスク３Ｍの主体は基材部１０Ｍと第１キャリア部１１Ｍおよび第２キャリア部１２Ｍとからなる。基材部１０Ｍは、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを構成する基材層１０部分、図４に示すクラッド板材２Ｓを構成する基材層１０部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓを構成する基材層１０部分からなる。第１キャリア部１１Ｍは、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを構成する第１キャリア層１１部分、図４に示すクラッド板材２Ｓを構成する第１キャリア層１１部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓを構成する第１キャリア層１１部分からなる。第２キャリア部１２Ｍは、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを構成する第２キャリア層１２部分、図４に示すクラッド板材２Ｓを構成する第２キャリア層１２部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓを構成する第２キャリア層１２部分からなる。なお、第１キャリア部１１Ｍおよび第２キャリア部１２Ｍの構成は上記に限定されない。例えば、第１キャリア部１１Ｍを図３に示すクラッド板材１Ｓの第２キャリア層１２部分から構成し、第２キャリア部１２Ｍを図３に示すクラッド板材１Ｓの第１キャリア層１１部分から構成することが可能である。また、第１キャリア部１１Ｍを図４に示すクラッド板材２Ｓの第２キャリア層１２部分から構成し、第２キャリア部１２Ｍを図４に示すクラッド板材２Ｓの第１キャリア層１１部分から構成することが可能である。また、第１キャリア部１１Ｍを図５に示すクラッド板材３Ｓの第２キャリア層１２部分から構成し、第２キャリア部１２Ｍを図５に示すクラッド板材３Ｓの第１キャリア層１１部分から構成することが可能である。 <Third product example>
A third product example of the metal mask according to the present invention is shown in FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view of the metal mask 3M cut in the thickness direction (Z direction). The metal mask 3M has, for example, an etching hole 3f as a mask pattern. In a cross-sectional view cut in the thickness direction, the metal mask 3M has a three-layer structure. The main body of the metal mask 3M consists of a base portion 10M, a first carrier portion 11M, and a second carrier portion 12M. The base material portion 10M is, for example, a base material layer 10 portion constituting the clad plate material 1S shown in FIG. 3, a base material layer 10 portion constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or a clad plate material 3S shown in FIG. The base material layer consists of 10 parts. The first carrier portion 11M is, for example, a first carrier layer 11 portion forming a clad plate material 1S shown in FIG. 3, a first carrier layer 11 portion forming a clad plate material 2S shown in FIG. 4, or a clad plate material shown in FIG. The first carrier layer 11 constitutes 3S. The second carrier portion 12M is, for example, a portion of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 1S shown in FIG. 3, a portion of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or a clad plate material shown in FIG. The second carrier layer 12 constitutes 3S. Note that the configurations of the first carrier section 11M and the second carrier section 12M are not limited to the above. For example, the first carrier portion 11M may be configured from the second carrier layer 12 portion of the clad plate material 1S shown in FIG. 3, and the second carrier portion 12M may be configured from the first carrier layer 11 portion of the clad plate material 1S shown in FIG. is possible. Further, the first carrier portion 11M may be configured from the second carrier layer 12 portion of the clad plate material 2S shown in FIG. 4, and the second carrier portion 12M may be configured from the first carrier layer 11 portion of the clad plate material 2S shown in FIG. is possible. Further, the first carrier portion 11M may be configured from the second carrier layer 12 portion of the clad plate material 3S shown in FIG. 5, and the second carrier portion 12M may be configured from the first carrier layer 11 portion of the clad plate material 3S shown in FIG. is possible.

メタルマスク３Ｍは薄肉化されており、その厚さＴ３Ｍは２０μｍ以下（好ましくは１５μｍ以下）である。このように薄肉化されているメタルマスク３Ｍは、エッチングによって形成されたエッチング孔３ｆなどのマスクパターンの寸法精度が高く、より高精細なマスクパターンを有している。メタルマスク３Ｍの厚さＴ３Ｍは、例えば、クラッド板材１Ｓを構成する基材層１０、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２の合計の厚さ、クラッド板材２Ｓを構成する基材層１０、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２の合計の厚さ、あるいはクラッド板材３Ｓを構成する基材層１０、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２の合計の厚さと、同等であってよく（Ｔ３Ｍ＝ｔ０＋ｔ１＋ｔ２）、ハーフエッチングなどによって同等以下に薄くなっていてもよい（Ｔ３Ｍ＜ｔ０＋ｔ１＋ｔ２）。第１キャリア部１１Ｍの厚さＴＹ１は、例えば、クラッド板材１Ｓを構成する第１キャリア層１１の厚さ、クラッド板材２Ｓを構成する第１キャリア層１１の厚さ、あるいはクラッド板材３Ｓを構成する第１キャリア層１１の厚さと、同等であってよく（ＴＹ１＝ｔ１）、ハーフエッチングなどによって同等以下に薄くなっていてもよい（ＴＹ１＜ｔ１）。第２キャリア部１２Ｍの厚さＴＹ２は、例えば、クラッド板材１Ｓを構成する第２キャリア層１２の厚さ、クラッド板材２Ｓを構成する第２キャリア層１２の厚さ、あるいはクラッド板材３Ｓを構成する第２キャリア層１２の厚さと、同等であってよく（ＴＹ２＝ｔ２）、ハーフエッチングなどによって同等以下に薄くなっていてもよい（ＴＹ２＜ｔ２）。 The metal mask 3M is thinned, and its thickness T 3M is 20 μm or less (preferably 15 μm or less). The thin metal mask 3M has high dimensional accuracy of the mask pattern such as the etching holes 3f formed by etching, and has a more precise mask pattern. The thickness T 3M of the metal mask 3M is, for example, the total thickness of the base material layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 that constitute the clad plate material 1S, and the base material layer 10 that constitutes the clad plate material 2S. , is equivalent to the total thickness of the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12, or the total thickness of the base material layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 that constitute the clad plate material 3S. (T 3M = t0+t1+t2), or may be made thinner than the same by half etching or the like (T 3M <t0+t1+t2). The thickness T Y1 of the first carrier portion 11M is, for example, the thickness of the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 1S, the thickness of the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 2S, or the thickness of the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 3S. The thickness of the first carrier layer 11 may be the same as that of the first carrier layer 11 (T Y1 =t1), or may be made thinner than that of the first carrier layer 11 by half etching or the like (T Y1 <t1). The thickness T Y2 of the second carrier portion 12M is, for example, the thickness of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 1S, the thickness of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S, or the thickness of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 3S. The thickness of the second carrier layer 12 may be the same as that of the second carrier layer 12 (T Y2 =t2), or may be made thinner than that of the second carrier layer 12 by half etching or the like (T Y2 <t2).

＜第３製品例の変形例＞
この発明によるメタルマスクの第３製品例の変形例を図１１に示す。図１１は厚さ方向（Ｚ方向）に切断されたメタルマスク３Ｍａの断面視である。メタルマスク３Ｍａは、マスクパターンとして、例えばエッチング孔３ｆを有する。厚さ方向に切断された断面視において、メタルマスク３Ｍａは３層構造である。メタルマスク３Ｍａの主体は基材部１０Ｍと第１キャリア部１１Ｍおよび第２キャリア部１２Ｍとからなる。第１キャリア部１１Ｍはメタルマスク３Ｍａを補強するためのフレーム部１１ｆを有する。基材部１０Ｍは、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを構成する基材層１０部分、図４に示すクラッド板材２Ｓを構成する基材層１０部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓを構成する基材層１０部分からなる。第１キャリア部１１Ｍおよびフレーム部１１ｆは、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを構成する第１キャリア層１１部分、図４に示すクラッド板材２Ｓを構成する第１キャリア層１１部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓを構成する第１キャリア層１１部分からなる。第２キャリア部１２Ｍは、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを構成する第２キャリア層１２部分、図４に示すクラッド板材２Ｓを構成する第２キャリア層１２部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓを構成する第２キャリア層１２部分からなる。フレーム部１１ｆは第１キャリア部１１Ｍを形成する際に形成することができる。フレーム部１１ｆは基材層１０の辺縁部分に環状に配置されている。こうしたフレーム部１１を備えたメタルマスク３Ｍａは、図１０に示すメタルマスク３Ｍと比べて、メタルマスクの主体の厚さが略同等の場合は機械的強さが向上されるため、ハンドリングが容易なメタルマスクとなる。フレーム部１１ｆは第１キャリア部１１Ｍの辺縁部分に環状に配置されているが、第１キャリア部１１Ｍの辺縁部分に環状に配置されていなくてもよいし、第１キャリア部１１Ｍの反対面側の第２キャリア部１２Ｍに配置されていてもよい。なお、フレーム部１１ｆの構成は上記に限定されない。例えば、フレーム部１１ｆは、図３に示すクラッド板材１Ｓの第２キャリア層１２部分、図４に示すクラッド板材２Ｓの第２キャリア層１２部分、あるいは図５に示すクラッド板材３Ｓの第２キャリア層１２部分のいずれからも構成することが可能である。 <Modified example of the third product example>
A modification of the third product example of the metal mask according to the present invention is shown in FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view of the metal mask 3Ma cut in the thickness direction (Z direction). The metal mask 3Ma has, for example, an etching hole 3f as a mask pattern. In a cross-sectional view cut in the thickness direction, the metal mask 3Ma has a three-layer structure. The main body of the metal mask 3Ma consists of a base portion 10M, a first carrier portion 11M, and a second carrier portion 12M. The first carrier portion 11M has a frame portion 11f for reinforcing the metal mask 3Ma. The base material portion 10M is, for example, a base material layer 10 portion constituting the clad plate material 1S shown in FIG. 3, a base material layer 10 portion constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or a clad plate material 3S shown in FIG. The base material layer consists of 10 parts. The first carrier portion 11M and the frame portion 11f are, for example, the first carrier layer 11 portion forming the clad plate material 1S shown in FIG. 3, the first carrier layer 11 portion forming the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or the first carrier layer 11 portion forming the clad plate material 2S shown in FIG. The first carrier layer 11 constitutes the clad plate material 3S shown in FIG. The second carrier portion 12M is, for example, a portion of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 1S shown in FIG. 3, a portion of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or a clad plate material shown in FIG. The second carrier layer 12 constitutes 3S. The frame portion 11f can be formed when forming the first carrier portion 11M. The frame portion 11f is annularly arranged at the edge of the base layer 10. The metal mask 3Ma having such a frame portion 11 has improved mechanical strength compared to the metal mask 3M shown in FIG. 10 when the thickness of the main body of the metal mask is approximately the same. It becomes a metal mask. Although the frame portion 11f is arranged annularly at the edge portion of the first carrier portion 11M, it may not be arranged annularly at the edge portion of the first carrier portion 11M, or may be arranged oppositely to the edge portion of the first carrier portion 11M. It may be arranged on the second carrier section 12M on the surface side. Note that the configuration of the frame portion 11f is not limited to the above. For example, the frame portion 11f may be the second carrier layer 12 portion of the clad plate material 1S shown in FIG. 3, the second carrier layer 12 portion of the clad plate material 2S shown in FIG. 4, or the second carrier layer of the clad plate material 3S shown in FIG. It can be constructed from any of the 12 parts.

メタルマスク３Ｍａは薄肉化されており、その厚さＴ３Ｍａは２０μｍ以下（好ましくは１５μｍ以下）である。このように薄肉化されているメタルマスク３Ｍａは、エッチングによって形成されたエッチング孔３ｆなどのマスクパターンの寸法精度が高く、より高精細なマスクパターンを有している。メタルマスク３Ｍａの厚さＴ３Ｍａは、例えば、クラッド板材１Ｓを構成する基材層１０、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２の合計の厚さ、クラッド板材２Ｓを構成する基材層１０、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２の合計の厚さ、あるいはクラッド板材３Ｓを構成する基材層１０、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２の合計の厚さと、同等であってよく（Ｔ３Ｍａ＝ｔ０＋ｔ１＋ｔ２）、ハーフエッチングなどによって同等以下に薄くなっていてもよい（Ｔ３Ｍａ＜ｔ０＋ｔ１＋ｔ２）。第１キャリア部１１Ｍの厚さＴＹ１は、例えば、クラッド板材１Ｓを構成する第１キャリア層１１の厚さ、クラッド板材２Ｓを構成する第１キャリア層１１の厚さ、あるいはクラッド板材３Ｓを構成する第１キャリア層１１の厚さと、同等であってよく（ＴＹ１＝ｔ１）、ハーフエッチングなどによって同等以下に薄くなっていてもよい（ＴＹ１＜ｔ１）。第２キャリア部１２Ｍの厚さＴＹ２は、例えば、クラッド板材１Ｓを構成する第２キャリア層１２の厚さ、クラッド板材２Ｓを構成する第２キャリア層１２の厚さ、あるいはクラッド板材３Ｓを構成する第２キャリア層１２の厚さと、同等であってよく（ＴＹ２＝ｔ２）、ハーフエッチングなどによって同等以下に薄くなっていてもよい（ＴＹ２＜ｔ２）。フレーム部１１ｆの厚さＴＸは、例えば、クラッド板材１Ｓを構成する第１キャリア層１１の厚さから、クラッド板材２Ｓを構成する第１キャリア層１１の厚さから、あるいはクラッド板材３Ｓを構成する第１キャリア層１１の厚さから、第１キャリア部１１Ｍの厚さを差し引いた厚さと同等であってよく（ＴＸ＝ｔ１－ＴＹ１）、ハーフエッチングなどによって同等以下に薄くなっていてもよい（ＴＸ＜ｔ１－ＴＹ１）。なお、上記した厚さＴ３Ｍａと厚さＴＸの合計の厚さ（Ｔ３Ｍａ＋ＴＸ）を、メタルマスク３Ｍａの厚さと見做すこともできる。 The metal mask 3Ma is thinned, and its thickness T 3Ma is 20 μm or less (preferably 15 μm or less). The thin metal mask 3Ma has a mask pattern such as the etching holes 3f formed by etching that has high dimensional accuracy and a higher definition mask pattern. The thickness T 3Ma of the metal mask 3Ma is, for example, the total thickness of the base material layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 that constitute the clad plate material 1S, and the base material layer 10 that constitutes the clad plate material 2S. , is equivalent to the total thickness of the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12, or the total thickness of the base material layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 that constitute the clad plate material 3S. (T 3Ma =t0+t1+t2), or may be made thinner than the same (T 3Ma <t0+t1+t2) by half etching or the like. The thickness T Y1 of the first carrier portion 11M is, for example, the thickness of the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 1S, the thickness of the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 2S, or the thickness of the first carrier layer 11 constituting the clad plate material 3S. The thickness of the first carrier layer 11 may be the same as that of the first carrier layer 11 (T Y1 =t1), or may be made thinner than that of the first carrier layer 11 by half etching or the like (T Y1 <t1). The thickness T Y2 of the second carrier portion 12M is, for example, the thickness of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 1S, the thickness of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 2S, or the thickness of the second carrier layer 12 constituting the clad plate material 3S. The thickness of the second carrier layer 12 may be the same as that of the second carrier layer 12 (T Y2 =t2), or may be made thinner than that of the second carrier layer 12 by half etching or the like (T Y2 <t2). The thickness T The thickness of the first carrier layer 11 may be equal to the thickness obtained by subtracting the thickness of the first carrier portion 11M (T X = t1 - T Y1 ), and may be made thinner than the same by half etching or the like. (T X <t1−T Y1 ). Note that the total thickness of the above-mentioned thickness T 3Ma and thickness T X (T 3Ma + T

以下、この発明に係るメタルマスク用クラッド板材（第１実施例、第２実施例および第３実施例）を用いて、この発明に係るメタルマスクを具体化した実施形態（製品例）を製造する方法について、図１２から図２０に基づいて説明する。なお、図１２から図１６に基づいて図３に示すクラッド板材１Ｓ（第１実施形態）を用いたメタルマスクの製造方法の一例を説明し、図１７から図２０に基づいて図４に示すクラッド板材２Ｓ（第２実施形態）および図５に示すクラッド板材３Ｓ（第３実施形態）を用いたメタルマスクの製造方法の一例を説明する。 Hereinafter, embodiments (product examples) embodying the metal mask according to the present invention will be manufactured using the clad plate materials for metal masks according to the present invention (first example, second example, and third example). The method will be explained based on FIGS. 12 to 20. An example of a method for manufacturing a metal mask using the clad plate material 1S (first embodiment) shown in FIG. 3 will be explained based on FIGS. An example of a method for manufacturing a metal mask using the plate material 2S (second embodiment) and the clad plate material 3S (third embodiment) shown in FIG. 5 will be described.

＜第１製品例＞＜第２製品例＞
図１２および図１３に示すメタルマスクの製造方法によれば、図６に示すメタルマスク１Ｍ（第１製品例）および図８に示すメタルマスク２Ｍ（第２製品例）を製造することができる。 <First product example><Second product example>
According to the metal mask manufacturing method shown in FIGS. 12 and 13, the metal mask 1M (first product example) shown in FIG. 6 and the metal mask 2M (second product example) shown in FIG. 8 can be manufactured.

図１２において、工程（ａ）は素材準備工程である。この素材準備工程では、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを準備する。クラッド板材１Ｓ（厚さＴ１Ｓ）は基材層１０（厚さｔ０）と第１キャリア層１１（厚さｔ１）とを備える。基材層１０の厚さは１μｍ以上２０μｍ以下（好ましくは５μｍ以上１５μｍ以下）である。基材層１０と第１キャリア層１１とは圧接されている。基材層１０は例えば約３２質量％のＮｉおよび約５．５質量％のＣｏを含むＦｅ基合金Ａからなる。第１キャリア層１１は例えば約３６質量％のＮｉを含むＦｅ基合金Ｂからなる。Ｆｅ基合金Ａからなる基材層１０およびＦｅ基合金Ｂからなる第１キャリア層１１は同質の塩化第二鉄液（例えば４０質量％濃度の塩化第二鉄液など）でエッチングが可能である。なお、Ｆｅ基合金Ａからなる基材層１０はＦｅ基合金Ｂからなる第１キャリア層１１よりも上記塩化第二鉄液に対して高耐食である。 In FIG. 12, step (a) is a material preparation step. In this material preparation step, for example, a clad plate material 1S shown in FIG. 3 is prepared. The clad plate material 1S (thickness T 1S ) includes a base layer 10 (thickness t0) and a first carrier layer 11 (thickness t1). The thickness of the base material layer 10 is 1 μm or more and 20 μm or less (preferably 5 μm or more and 15 μm or less). The base material layer 10 and the first carrier layer 11 are pressed together. The base material layer 10 is made of, for example, Fe-based alloy A containing about 32% by mass of Ni and about 5.5% by mass of Co. The first carrier layer 11 is made of, for example, Fe-based alloy B containing about 36% by mass of Ni. The base material layer 10 made of Fe-based alloy A and the first carrier layer 11 made of Fe-based alloy B can be etched with a homogeneous ferric chloride solution (for example, a ferric chloride solution with a concentration of 40% by mass). . Note that the base material layer 10 made of Fe-based alloy A has higher corrosion resistance to the ferric chloride solution than the first carrier layer 11 made of Fe-based alloy B.

図１２において、工程（ｂ）は被覆工程である。この被覆工程では、所定のエッチングパターンを形成するために、基材層１０の表面１０ａに保護膜１３を形成し、第１キャリア層１１の表面１１ａに保護膜１４を形成する。 In FIG. 12, step (b) is a coating step. In this coating step, in order to form a predetermined etching pattern, a protective film 13 is formed on the surface 10a of the base material layer 10, and a protective film 14 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11.

図１２において、工程（ｃ）はエッチング工程である。このエッチング工程では、基材層１０を構成するＦｅ基合金Ａおよび第１キャリア層１１を構成するＦｅ基合金Ｂの両方に適する塩化第二鉄液を用いて、クラッド板材１Ｓをエッチングする。この塩化第二鉄液は例えば４０質量％濃度の塩化第二鉄液（水溶液）を使用する。このエッチングにより、保護膜１３を有さない基材層１０の表面１０ａおよび保護膜１４を有さない第１キャリア層１１の表面１１ａが同時にエッチングされ、例えばエッチング孔１０ｂおよびエッチング孔１１ｂが略同時に形成される。このとき、Ｆｅ基合金Ａからなる基材層１０がＦｅ基合金Ｂからなる第１キャリア層１１よりも上記塩化第二鉄液に対して高耐食であることによって、基材層１０側のエッチング速度よりも第１キャリア層１１側のエッチング速度が大きくなる。そのため、基材層１０側よりも第１キャリア層１１側の腐食減量が大きくなり、基材層１０側のエッチング孔１０ｂよりも第１キャリア層１１側のエッチング孔１１ｂのサイズ（表面からの深さ、表面への開口径、孔内の体積など）を大きくすることができる。なお、エッチング孔１０ｂおよびエッチング孔１１ｂのサイズなどの調整は、基材層１０および第１キャリア層１１の厚さ、材質などを適切に選択すれば可能である。 In FIG. 12, step (c) is an etching step. In this etching step, the clad plate material 1S is etched using a ferric chloride solution suitable for both the Fe-based alloy A that makes up the base material layer 10 and the Fe-based alloy B that makes up the first carrier layer 11. As this ferric chloride solution, for example, a 40% by mass concentration ferric chloride solution (aqueous solution) is used. By this etching, the surface 10a of the base layer 10 that does not have the protective film 13 and the surface 11a of the first carrier layer 11 that does not have the protective film 14 are etched at the same time, and for example, the etching holes 10b and 11b are etched almost simultaneously. It is formed. At this time, since the base material layer 10 made of Fe-based alloy A has higher corrosion resistance to the ferric chloride solution than the first carrier layer 11 made of Fe-based alloy B, the etching on the side of the base material layer 10 is The etching rate on the first carrier layer 11 side is higher than the etching rate. Therefore, the corrosion loss on the first carrier layer 11 side is larger than that on the base layer 10 side, and the size of the etching hole 11b on the first carrier layer 11 side (depth from the surface) is larger than the etching hole 10b on the base layer 10 side. The diameter of the opening to the surface, the volume inside the pore, etc.) can be increased. Note that the sizes of the etching holes 10b and 11b can be adjusted by appropriately selecting the thickness, material, etc. of the base layer 10 and the first carrier layer 11.

図１２において、工程（ｄ）は仕上げ工程である。この仕上げ工程では、クラッド板材１Ｓから保護膜１３および保護膜１４が除去され、全表面が清浄処理される。これによりメタルマスクを製造することができる。このメタルマスクはＦｅ基合金Ａからなる基材部１０ＭおよびＦｅ基合金Ｂからなるキャリア部１１Ｍによって構成されている。このメタルマスクは、例えば図８に示すようなメタルマスク２Ｍであって、例えばマスクパターン２ｆを有する厚さＴ２Ｍの２層構造のメタルマスク２Ｍ（第２製品例）である。 In FIG. 12, step (d) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 13 and the protective film 14 are removed from the clad plate material 1S, and the entire surface is cleaned. In this way, a metal mask can be manufactured. This metal mask is composed of a base material part 10M made of Fe-based alloy A and a carrier part 11M made of Fe-based alloy B. This metal mask is, for example, a metal mask 2M as shown in FIG. 8, and is, for example, a two-layer metal mask 2M (second product example) having a mask pattern 2f and a thickness T 2M .

次に、図１３に示す製造プロセスを用いるメタルマスクの製造方法について説明する。図１３に示す製造プロセスは、図１２に示す工程（ａ）から工程（ｃ）に続くプロセスである。図１２に示す工程（ａ）から工程（ｃ）に続いて、図１３に示す工程（ｃ１）および工程（ｄ１）を経ることによって、例えば図６に示すようなメタルマスク１Ｍ（第１製品例）を製造することができる。 Next, a method for manufacturing a metal mask using the manufacturing process shown in FIG. 13 will be described. The manufacturing process shown in FIG. 13 is a process that continues from step (a) to step (c) shown in FIG. 12. Following the steps (a) to (c) shown in FIG. 12, the steps (c1) and (d1) shown in FIG. ) can be manufactured.

図１３において、工程（ｃ１）はハーフエッチング工程である。このハーフエッチング工程では、クラッド板材１Ｓから保護膜１３が除去された後にハーフエッチングが行われる。ハーフエッチングは、基材層１０を構成するＦｅ基合金Ａに適する塩化第二鉄液を用いて、基材層１０の表面１０ａ側（Ｚ２側）から第１キャリア層１１側（Ｚ１側）に向かって略均一に行われる。この塩化第二鉄液は例えば４０質量％濃度の塩化第二鉄液（水溶液）を使用する。このハーフエッチングによって基材層１０の略全部が除去される。なお、ハーフエッチング条件の調整によって、基材層１０が除去された後の第１キャリア層１１に対して、Ｚ１側に向かうハーフエッチングを行うことも可能である。これにより、メタルマスクの薄肉化が可能である。 In FIG. 13, step (c1) is a half etching step. In this half-etching process, half-etching is performed after the protective film 13 is removed from the clad plate material 1S. Half etching is performed from the surface 10a side (Z2 side) of the base layer 10 to the first carrier layer 11 side (Z1 side) using a ferric chloride solution suitable for the Fe-based alloy A constituting the base layer 10. This is done almost uniformly. As this ferric chloride solution, for example, a 40% by mass concentration ferric chloride solution (aqueous solution) is used. By this half etching, substantially the entire base material layer 10 is removed. Note that by adjusting the half-etching conditions, it is also possible to perform half-etching toward the Z1 side on the first carrier layer 11 after the base material layer 10 is removed. This allows the metal mask to be made thinner.

図１３において、工程（ｄ１）は仕上げ工程である。この仕上げ工程では、クラッド板材１Ｓから保護膜１４が除去され、クラッド板材１Ｓの全表面が清浄処理され、メタルマスク製造することができる。このメタルマスクはＦｅ基合金Ｂからなるキャリア部１１Ｍによって構成されている。このメタルマスクは、例えば図６に示すようなメタルマスク１Ｍであって、例えばマスクパターン１ｆを有する厚さＴ１Ｍの単層構造のメタルマスク１Ｍ（第１製品例）である。 In FIG. 13, step (d1) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 14 is removed from the clad plate material 1S, the entire surface of the clad plate material 1S is cleaned, and a metal mask can be manufactured. This metal mask is composed of a carrier portion 11M made of Fe-based alloy B. This metal mask is, for example, a metal mask 1M as shown in FIG. 6, and is, for example, a single-layer metal mask 1M (first product example) having a mask pattern 1f and a thickness T 1M .

＜第１製品例の第１変形例＞
図１２および図１４、あるいは図１２および図１５に示すメタルマスクの製造方法によれば、図７に示すメタルマスク（第１製品例の変形例）と類似の構成を有する、図１４あるいは図１５に示すメタルマスク１Ｍａ（第１製品例の第１変形例）を製造することができる。 <First modification of the first product example>
According to the manufacturing method of the metal mask shown in FIGS. 12 and 14 or 12 and 15, the metal mask shown in FIG. 14 or 15 has a structure similar to that of the metal mask shown in FIG. A metal mask 1 Ma (first modification of the first product example) shown in can be manufactured.

図１４あるいは図１５に示すメタルマスク１Ｍａ（第１製品例の第１変形例）は、図１２に示す工程（ａ）から工程（ｃ）に続いて、図１３あるいは図１４に示す製造プロセスによって製造することができる。なお、図１２に示す工程（ａ）に対応する素材準備工程では、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを準備する。このクラッド板材１Ｓは上記したメタルマスク１Ｍの場合と同様なものであってよい。図１２に示す工程（ｂ）に対応する被覆工程および工程（ｃ）に対応するエッチング工程は上記したメタルマスク１Ｍの場合と同様に行ってよい。 The metal mask 1Ma (first modification of the first product example) shown in FIG. 14 or 15 is produced by the manufacturing process shown in FIG. 13 or 14 following the steps (a) to (c) shown in FIG. can be manufactured. In addition, in the material preparation step corresponding to step (a) shown in FIG. 12, for example, a clad plate material 1S shown in FIG. 3 is prepared. This clad plate material 1S may be similar to that of the metal mask 1M described above. The covering step corresponding to step (b) and the etching step corresponding to step (c) shown in FIG. 12 may be performed in the same manner as in the case of the metal mask 1M described above.

図１４に示す製造プロセスを用いるメタルマスクの製造方法について説明する。図１４に示す製造プロセスは、図１２に示す工程（ａ）から工程（ｃ）に続くプロセスである。図１４において、工程（ｅ）は被覆工程である。この被覆工程では、Ｚ１側に所定の形状のフレーム部１１ｆ（工程（ｈ）参照）を形成するために、第１キャリア層１１の表面１１ａに保護膜１５を形成し、エッチング孔１１ｂ（図１２参照）に保護膜１６を形成し、基材層１０の表面１０ａおよびエッチング孔１０ｂに保護膜１７を形成する。 A method for manufacturing a metal mask using the manufacturing process shown in FIG. 14 will be described. The manufacturing process shown in FIG. 14 is a process that continues from step (a) to step (c) shown in FIG. 12. In FIG. 14, step (e) is a coating step. In this covering step, in order to form a frame portion 11f of a predetermined shape on the Z1 side (see step (h)), a protective film 15 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11, and an etching hole 11b (see FIG. 12) is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11. (see), and a protective film 17 is formed on the surface 10a of the base layer 10 and the etching hole 10b.

図１４において、工程（ｆ）はエッチング工程である。このエッチング工程では、第１キャリア層１１を構成するＦｅ基合金Ｂに適する塩化第二鉄液を用いて、第１キャリア層１１をエッチングする。この塩化第二鉄液は例えば４０質量％濃度の塩化第二鉄液（水溶液）を使用する。このエッチングにより、保護膜１５および保護膜１６を有さない第１キャリア層１１の表面１１ａがエッチングされ、例えばエッチング孔１１ｃが形成される。このエッチング孔１１ｃの深さ（エッチング量）の調整はエッチング条件の調整などによって可能である。 In FIG. 14, step (f) is an etching step. In this etching step, the first carrier layer 11 is etched using a ferric chloride solution suitable for the Fe-based alloy B constituting the first carrier layer 11. As this ferric chloride solution, for example, a 40% by mass concentration ferric chloride solution (aqueous solution) is used. By this etching, the surface 11a of the first carrier layer 11 that does not have the protective film 15 and the protective film 16 is etched, and for example, an etching hole 11c is formed. The depth (etching amount) of this etching hole 11c can be adjusted by adjusting the etching conditions.

図１４において、工程（ｇ）はハーフエッチング工程である。このハーフエッチング工程では、まず、基材層１０から保護膜１７が除去される。次いで、エッチング孔１１ｂおよびエッチング孔１１ｃを含む第１キャリア層１１の表面１１ａに保護膜１８が形成され、エッチング孔１０ｂ（図１２参照）に保護膜１９が形成される。その後、ハーフエッチングが行われる。ハーフエッチングは、基材層１０の表面１０ａ側（Ｚ２側）から第１キャリア層１１側（Ｚ１側）に向かって略均一に行われる。このハーフエッチングによって基材層１０の略全部が除去される。なお、ハーフエッチング条件の調整によって、基材層１０が除去された後の第１キャリア層１１に対して、Ｚ１側に向かうハーフエッチングを行うことも可能である。これにより、メタルマスクの薄肉化が可能である。 In FIG. 14, step (g) is a half etching step. In this half-etching process, first, the protective film 17 is removed from the base material layer 10. Next, a protective film 18 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11 including the etching holes 11b and 11c, and a protective film 19 is formed on the etching holes 10b (see FIG. 12). After that, half etching is performed. Half etching is performed substantially uniformly from the surface 10a side (Z2 side) of the base material layer 10 toward the first carrier layer 11 side (Z1 side). By this half etching, substantially the entire base material layer 10 is removed. Note that by adjusting the half-etching conditions, it is also possible to perform half-etching toward the Z1 side on the first carrier layer 11 after the base material layer 10 is removed. This allows the metal mask to be made thinner.

図１４において、工程（ｈ）は仕上げ工程である。この仕上げ工程では、クラッド板材１Ｓから保護膜１８および保護膜１９が除去され、全表面が清浄処理される。これによりメタルマスクを製造することができる。このメタルマスクは、Ｆｅ基合金Ｂからなるキャリア部１１Ｍによって構成され、キャリア部１１ＭのＺ１側の辺縁部分に環状にフレーム部１１ｆが配置されている。このフレーム部１１ｆは第１キャリア層１１部分からなる。このメタルマスクは、例えば図７に示すメタルマスクと類似の構成を有するものであって、例えばマスクパターン１ｆａを有する厚さＴ１Ｍａの単層構造のメタルマスク１Ｍａ（第１製品例の第１変形例）である。 In FIG. 14, step (h) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 18 and the protective film 19 are removed from the clad plate material 1S, and the entire surface is cleaned. In this way, a metal mask can be manufactured. This metal mask is constituted by a carrier portion 11M made of Fe-based alloy B, and a frame portion 11f is arranged annularly at the Z1 side edge portion of the carrier portion 11M. This frame portion 11f consists of the first carrier layer 11 portion. This metal mask has, for example, a configuration similar to the metal mask shown in FIG . Example).

次に、図１５に示す製造プロセスを用いるメタルマスクの製造方法について説明する。図１５に示す製造プロセスは、図１２に示す工程（ａ）から工程（ｃ）に続くプロセスである。図１５において、工程（ｅ１）は被覆工程である。この被覆工程では、Ｚ１側に所定の形状のフレーム部１１ｆ（工程（ｈ１）参照）を形成するために、第１キャリア層１１の表面１１ａに保護膜１５を形成し、エッチング孔１１ｂ（図１２参照）に保護膜１６を形成し、エッチング孔１０ｂ（図１２参照）に保護膜１９を形成する。なお、基材層１０の表面１０ａには保護膜を形成しない。 Next, a method for manufacturing a metal mask using the manufacturing process shown in FIG. 15 will be described. The manufacturing process shown in FIG. 15 is a process that continues from step (a) to step (c) shown in FIG. 12. In FIG. 15, step (e1) is a coating step. In this covering step, in order to form a frame portion 11f of a predetermined shape on the Z1 side (see step (h1)), a protective film 15 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11, and an etching hole 11b (see FIG. 12) is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11. A protective film 16 is formed in the etching hole 10b (see FIG. 12), and a protective film 19 is formed in the etching hole 10b (see FIG. 12). Note that no protective film is formed on the surface 10a of the base layer 10.

図１５において、工程（ｆ１）はエッチングおよびハーフエッチング工程である。このエッチングおよびハーフエッチング工程では、基材層１０を構成するＦｅ基合金Ａおよび第１キャリア層１１を構成するＦｅ基合金Ｂの両方に適する塩化第二鉄液を用いて、第１キャリア層１１側（Ｚ１側）および基材層１０側（Ｚ２側）を同時にエッチングする。この塩化第二鉄液は例えば４０質量％濃度の塩化第二鉄液（水溶液）を使用する。このエッチングにより、保護膜１５および保護膜１６を有さない第１キャリア層１１の表面１１ａがエッチングされ、例えばエッチング孔１１ｃが形成される。このエッチング孔１１ｃの深さ（エッチング量）の調整はエッチング条件の調整などによって可能である。また、同時に、保護膜１９を有さない基材層１０の表面１０ａが第１キャリア層１１側（Ｚ１側）に向かって略均一にハーフエッチングされ、基材層１０の略全部が除去される。なお、ハーフエッチング条件の調整によって、基材層１０が除去された後の第１キャリア層１１に対して、Ｚ１側に向かうハーフエッチングを行うことも可能である。これにより、メタルマスクの薄肉化が可能である。 In FIG. 15, step (f1) is an etching and half etching step. In this etching and half-etching process, the first carrier layer 11 is etched using a ferric chloride solution suitable for both the Fe-based alloy A that makes up the base material layer 10 and the Fe-based alloy B that makes up the first carrier layer 11. The side (Z1 side) and the base material layer 10 side (Z2 side) are etched at the same time. As this ferric chloride solution, for example, a 40% by mass concentration ferric chloride solution (aqueous solution) is used. By this etching, the surface 11a of the first carrier layer 11 that does not have the protective film 15 and the protective film 16 is etched, and for example, an etching hole 11c is formed. The depth (etching amount) of this etching hole 11c can be adjusted by adjusting the etching conditions. At the same time, the surface 10a of the base layer 10 that does not have the protective film 19 is half-etched almost uniformly toward the first carrier layer 11 side (Z1 side), and almost the entire base layer 10 is removed. . Note that by adjusting the half-etching conditions, it is also possible to perform half-etching toward the Z1 side on the first carrier layer 11 after the base material layer 10 is removed. This allows the metal mask to be made thinner.

図１５において、工程（ｈ１）は仕上げ工程である。この仕上げ工程では、クラッド板材１Ｓから保護膜１５、保護膜１６および保護膜１９が除去され、全表面が清浄処理される。これによりメタルマスクを製造することができる。このメタルマスクは、Ｆｅ基合金Ｂからなるキャリア部１１Ｍによって構成され、キャリア部１１ＭのＺ１側の辺縁部分に環状にフレーム部１１ｆが配置されている。このフレーム部１１ｆは第１キャリア層１１部分からなる。このメタルマスクは、例えば図７に示すメタルマスクと類似の構成を有するものであって、例えばマスクパターン１ｆａを有する厚さＴ１Ｍａの単層構造のメタルマスク１Ｍａ（第１製品例の第１変形例）である。 In FIG. 15, step (h1) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 15, the protective film 16, and the protective film 19 are removed from the clad plate material 1S, and the entire surface is cleaned. In this way, a metal mask can be manufactured. This metal mask is constituted by a carrier portion 11M made of Fe-based alloy B, and a frame portion 11f is arranged annularly at the Z1 side edge portion of the carrier portion 11M. This frame portion 11f consists of the first carrier layer 11 portion. This metal mask has, for example, a configuration similar to the metal mask shown in FIG . Example).

＜第１製品例の第２変形例＞
図１２および図１６に示すメタルマスクの製造方法によれば、図７に示すメタルマスク（第１製品例の変形例）と類似の構成であって、フレーム部１１ｆがＺ２側に配置されている、図１６に示すメタルマスク１Ｍｂ（第１製品例の第２変形例）を製造することができる。 <Second modification of the first product example>
According to the metal mask manufacturing method shown in FIGS. 12 and 16, the structure is similar to that of the metal mask shown in FIG. 7 (a modification of the first product example), and the frame portion 11f is disposed on the Z2 side. , a metal mask 1Mb (second modification of the first product example) shown in FIG. 16 can be manufactured.

図１６に示すメタルマスク１Ｍｂ（第１製品例の第２変形例）は、図１２に示す工程（ａ）から工程（ｃ）に続いて、図１６に示す製造プロセスによって製造することができる。なお、図１２に示す工程（ａ）に対応する素材準備工程では、例えば、図３に示すクラッド板材１Ｓを準備する。このクラッド板材１Ｓは上記したメタルマスク１Ｍの場合と同様なものであってよい。図１２に示す工程（ｂ）に対応する被覆工程および工程（ｃ）に対応するエッチング工程は上記したメタルマスク１Ｍの場合と同様に行ってよい。 The metal mask 1Mb (second modification of the first product example) shown in FIG. 16 can be manufactured by the manufacturing process shown in FIG. 16 following the steps (a) to (c) shown in FIG. 12. In addition, in the material preparation step corresponding to step (a) shown in FIG. 12, for example, a clad plate material 1S shown in FIG. 3 is prepared. This clad plate material 1S may be similar to that of the metal mask 1M described above. The covering step corresponding to step (b) and the etching step corresponding to step (c) shown in FIG. 12 may be performed in the same manner as in the case of the metal mask 1M described above.

図１６に示す製造プロセスは、図１２に示す工程（ａ）から工程（ｃ）に続くプロセスである。図１６において、工程（ｅ２）は被覆工程である。この被覆工程では、Ｚ２側に所定の形状のフレーム部１０ｆ（工程（ｈ２）参照）を形成するために、基材層１０の表面１０ａに保護膜１７を形成し、エッチング孔１０ｂに保護膜１９を形成し、第１キャリア層１１の表面１１ａおよびエッチング孔１１ｂ（図１２参照）に保護膜２０を形成する。 The manufacturing process shown in FIG. 16 is a process that continues from step (a) to step (c) shown in FIG. 12. In FIG. 16, step (e2) is a coating step. In this coating step, in order to form a frame portion 10f of a predetermined shape on the Z2 side (see step (h2)), a protective film 17 is formed on the surface 10a of the base material layer 10, and a protective film 19 is formed in the etching hole 10b. A protective film 20 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11 and the etching hole 11b (see FIG. 12).

図１６において、工程（ｆ２）はエッチング工程である。このエッチング工程では、基材層１０を構成するＦｅ基合金Ａに適する塩化第二鉄液を用いて、基材層１０をエッチングする。この塩化第二鉄液は例えば４０質量％濃度の塩化第二鉄液（水溶液）を使用する。このエッチングにより、保護膜１７および保護膜１９を有さない基材層１０の表面１０ａがエッチングされ、基材層１０の略全部が除去され、例えばエッチング孔１０ｃが形成される。このエッチング孔１０ｃの深さ（エッチング量）の調整はエッチング条件の調整などによって可能である。なお、エッチング条件の調整によって、基材層１０が除去された後の第１キャリア層１１に対して、Ｚ１側に向かうエッチングを行うことも可能である。これにより、メタルマスクの薄肉化が可能である。 In FIG. 16, step (f2) is an etching step. In this etching step, the base layer 10 is etched using a ferric chloride solution suitable for the Fe-based alloy A that constitutes the base layer 10. As this ferric chloride solution, for example, a 40% by mass concentration ferric chloride solution (aqueous solution) is used. By this etching, the surface 10a of the base material layer 10 that does not have the protective film 17 and the protective film 19 is etched, substantially the entire base material layer 10 is removed, and, for example, an etching hole 10c is formed. The depth (etching amount) of the etching hole 10c can be adjusted by adjusting the etching conditions. Note that by adjusting the etching conditions, it is also possible to perform etching toward the Z1 side on the first carrier layer 11 after the base layer 10 is removed. This allows the metal mask to be made thinner.

図１６において、工程（ｈ２）は仕上げ工程である。この仕上げ工程では、保護膜１７、保護膜１９および保護膜２０が除去され、全表面が清浄処理される。これによりメタルマスクを製造することができる。このメタルマスクは、Ｆｅ基合金Ｂからなるキャリア部１１Ｍによって構成され、キャリア部１１ＭのＺ２側の辺縁部分に環状にフレーム部１０ｆが配置されている。このフレーム部１０ｆは基材層１０部分からなる。このメタルマスクは、例えば図７に示すメタルマスクと類似の構成を有するものであって、フレーム部１０ｆがＺ２側に配置されている。このフレーム部１０ｆは第２キャリア層１２部分からなる。このメタルマスクは、例えばマスクパターン１ｆを有する厚さＴ１Ｍｂのメタルマスク１Ｍｂ（第１製品例の第２変形例）である。このメタルマスク１Ｍｂの主体は単層構造である。 In FIG. 16, step (h2) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 17, the protective film 19, and the protective film 20 are removed, and the entire surface is cleaned. In this way, a metal mask can be manufactured. This metal mask is composed of a carrier portion 11M made of Fe-based alloy B, and a frame portion 10f is arranged annularly at the Z2 side edge portion of the carrier portion 11M. This frame portion 10f consists of the base material layer 10 portion. This metal mask has a similar configuration to, for example, the metal mask shown in FIG. 7, and the frame portion 10f is arranged on the Z2 side. This frame portion 10f consists of a portion of the second carrier layer 12. This metal mask is, for example, a metal mask 1Mb (second modification of the first product example) having a mask pattern 1f and a thickness T 1Mb . The main body of this metal mask 1Mb has a single layer structure.

＜第３製品例＞
図１７に示すメタルマスクの製造方法によれば、図１０に示すメタルマスク３Ｍ（第３製品例）を製造することができる。 <Third product example>
According to the metal mask manufacturing method shown in FIG. 17, a metal mask 3M (third product example) shown in FIG. 10 can be manufactured.

図１７において、工程（ｉ）は素材準備工程である。この素材準備工程では、例えば、図４に示すクラッド板材２Ｓまたは図５に示すクラッド板材３Ｓを準備する。図１６では、代表して、図４に示すクラッド板材２Ｓを挙げている。クラッド板材２Ｓ（厚さＴ２Ｓ）は基材層１０（厚さｔ０）と第１キャリア層１１（厚さｔ１）と第２キャリア層１２（厚さｔ２）とを備える。基材層１０の厚さは１μｍ以上２０μｍ以下（好ましくは５μｍ以上１５μｍ以下）である。基材層１０と第１キャリア層１１とは直接圧接されている。基材層１０と第２キャリア層１２とは直接圧接されている。基材層１０は例えば約３２質量％のＮｉおよび約５．５質量％のＣｏを含むＦｅ基合金Ａからなる。第１キャリア層１１は例えば約３６質量％のＮｉを含むＦｅ基合金Ｂからなる。第２キャリア層１２はＦｅ基合金Ｃからなり、Ｆｅ基合金Ｂと同質の塩化第二鉄液でエッチング可能であって、その塩化第二鉄液に対してＦｅ基合金Ｂよりも高耐食である。Ｆｅ基合金Ａからなる基材層１０、Ｆｅ基合金Ｂからなる第１キャリア層１１およびＦｅ基合金Ｃからなる第２キャリア層１２は、いずれも、同質の塩化第二鉄液（例えば４０質量％濃度の塩化第二鉄液など）でエッチングが可能である。なお、Ｆｅ基合金Ａからなる基材層１０は、上記塩化第二鉄液に対して、Ｆｅ基合金Ｂからなる第１キャリア層１１よりも高耐食であり、Ｆｅ基合金Ｃからなる第２キャリア層１２よりも高耐食である。 In FIG. 17, step (i) is a material preparation step. In this material preparation step, for example, a clad plate material 2S shown in FIG. 4 or a clad plate material 3S shown in FIG. 5 is prepared. In FIG. 16, the clad plate material 2S shown in FIG. 4 is shown as a representative example. The clad plate material 2S (thickness T 2S ) includes a base layer 10 (thickness t0), a first carrier layer 11 (thickness t1), and a second carrier layer 12 (thickness t2). The thickness of the base material layer 10 is 1 μm or more and 20 μm or less (preferably 5 μm or more and 15 μm or less). The base material layer 10 and the first carrier layer 11 are directly pressed together. The base material layer 10 and the second carrier layer 12 are directly pressed together. The base material layer 10 is made of, for example, Fe-based alloy A containing about 32% by mass of Ni and about 5.5% by mass of Co. The first carrier layer 11 is made of, for example, Fe-based alloy B containing about 36% by mass of Ni. The second carrier layer 12 is made of Fe-based alloy C, which can be etched with a ferric chloride solution of the same quality as Fe-based alloy B, and has higher corrosion resistance than Fe-based alloy B with respect to the ferric chloride solution. be. The base material layer 10 made of Fe-based alloy A, the first carrier layer 11 made of Fe-based alloy B, and the second carrier layer 12 made of Fe-based alloy C are all made of a homogeneous ferric chloride solution (for example, 40% by mass % concentration of ferric chloride solution, etc.). Note that the base material layer 10 made of Fe-based alloy A has higher corrosion resistance against the ferric chloride liquid than the first carrier layer 11 made of Fe-based alloy B, and the second carrier layer 10 made of Fe-based alloy C It has higher corrosion resistance than the carrier layer 12.

図１７において、工程（ｊ）は被覆工程である。この被覆工程では、所定のエッチングパターンを形成するために、第１キャリア層１１の表面１１ａに保護膜１３を形成し、第２キャリア層１２の表面１２ａに保護膜１４を形成する。 In FIG. 17, step (j) is a coating step. In this coating step, in order to form a predetermined etching pattern, a protective film 13 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11, and a protective film 14 is formed on the surface 12a of the second carrier layer 12.

図１７において、工程（ｋ）はエッチング工程である。このエッチング工程では、第１キャリア層１１を構成するＦｅ基合金Ｂおよび第２キャリア層１２を構成するＦｅ基合金Ｃの両方に適する塩化第二鉄液を用いて、クラッド板材２Ｓをエッチングする。この塩化第二鉄液は例えば４０質量％濃度の塩化第二鉄液（水溶液）を使用する。このエッチングにより、保護膜１３を有さない第１キャリア層１１の表面１１ａと、保護膜１４を有さない第２キャリア層１２の表面１２ａとが、同時にエッチングされ、例えばエッチング孔１１ｂおよびエッチング孔１２ｂが略同時に形成される。このとき、Ｆｅ基合金Ｃから構成される第２キャリア層１２がＦｅ基合金Ｂから構成される第１キャリア層１１よりも上記塩化第二鉄液に対して高耐食であることによって、第２キャリア層１２側のエッチング速度よりも第１キャリア層１１側のエッチング速度が大きくなる。そのため、基材層１０側よりも第１キャリア層１１側の腐食減量が大きくなり、Ｚ１側からＺ２側に向かうエッチング孔の形成がより速く進む。その結果、基材層１０のエッチングはＺ１側から進行するため、第２キャリア層１２側（Ｚ２側）のエッチング孔１２ｂよりも第１キャリア層１１側（Ｚ１側）のエッチング孔１１ｂのサイズ（表面からの深さ、表面への開口径、孔内の体積など）を大きくすることができる。なお、エッチング孔１１ｂおよびエッチング孔１２ｂのサイズなどの調整は、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２の厚さ、材質などを適切に選択すれば可能である。 In FIG. 17, step (k) is an etching step. In this etching step, the clad plate material 2S is etched using a ferric chloride solution suitable for both the Fe-based alloy B that makes up the first carrier layer 11 and the Fe-based alloy C that makes up the second carrier layer 12. As this ferric chloride solution, for example, a 40% by mass concentration ferric chloride solution (aqueous solution) is used. By this etching, the surface 11a of the first carrier layer 11 that does not have the protective film 13 and the surface 12a of the second carrier layer 12 that does not have the protective film 14 are simultaneously etched, and for example, the etching hole 11b and the etching hole are etched. 12b is formed substantially simultaneously. At this time, since the second carrier layer 12 made of Fe-based alloy C has higher corrosion resistance to the ferric chloride solution than the first carrier layer 11 made of Fe-based alloy B, The etching rate on the first carrier layer 11 side is higher than the etching rate on the carrier layer 12 side. Therefore, the corrosion loss on the first carrier layer 11 side is larger than on the base material layer 10 side, and the formation of etching holes from the Z1 side to the Z2 side progresses more quickly. As a result, since the etching of the base material layer 10 proceeds from the Z1 side, the size of the etching hole 11b on the first carrier layer 11 side (Z1 side) is smaller than the etching hole 12b on the second carrier layer 12 side (Z2 side). (depth from the surface, opening diameter to the surface, volume inside the hole, etc.) can be increased. Note that the sizes of the etching holes 11b and 12b can be adjusted by appropriately selecting the thickness, material, etc. of the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12.

図１７において、工程（ｍ）は仕上げ工程である。この仕上げ工程では、クラッド板材２Ｓから保護膜１３および保護膜１４が除去され、全表面が清浄処理される。これによりメタルマスクを製造することができる。このメタルマスクはＦｅ基合金Ａからなる基材部１０Ｍ、Ｆｅ基合金Ｂからなる第１キャリア部１１ＭおよびＦｅ基合金Ｃからなる第２キャリア部１２Ｍによって構成されている。このメタルマスクは、例えば図１０に示すようなメタルマスク３Ｍであって、例えばマスクパターン３ｆを有する厚さＴ３Ｍの３層構造のメタルマスク３Ｍ（第３製品例）である。 In FIG. 17, step (m) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 13 and the protective film 14 are removed from the clad plate material 2S, and the entire surface is cleaned. In this way, a metal mask can be manufactured. This metal mask is composed of a base material part 10M made of Fe-based alloy A, a first carrier part 11M made of Fe-based alloy B, and a second carrier part 12M made of Fe-based alloy C. This metal mask is, for example, a metal mask 3M as shown in FIG. 10, and is, for example, a three-layer metal mask 3M (third product example) having a mask pattern 3f and a thickness T 3M .

＜第３製品例の変形例＞
図１７および図１８に示す製造プロセスによれば、図１１に示すメタルマスク３Ｍａ（第３製品例の変形例）を製造することができる。 <Modified example of the third product example>
According to the manufacturing process shown in FIGS. 17 and 18, the metal mask 3Ma (a modification of the third product example) shown in FIG. 11 can be manufactured.

図１１に示すメタルマスク３Ｍａ（第３製品例の変形例）は、図１７に示す工程（ｉ）から工程（ｋ）に続いて、図１８に示す製造プロセスによって製造することができる。なお、図１７に示す工程（ａ）に対応する素材準備工程では、例えば、図５に示すクラッド板材３Ｓを準備する。クラッド板材３Ｓ（厚さＴ３Ｓ）は基材層１０（厚さｔ０）と第１キャリア層１１（厚さｔ１）と第２キャリア層１２（厚さｔ２、ｔ１＞ｔ２）とを備える。基材層１０の厚さは１μｍ以上２０μｍ以下（好ましくは５μｍ以上１５μｍ以下）である。第１キャリア層１１の厚さｔ１は、第１キャリア層１１部分を用いてフレーム部１１ｆ（図１８参照）を設けるために、第２キャリア層１２の厚さｔ２よりも厚くしてある（図５参照、ｔ１＞ｔ２）。基材層１０と第１キャリア層１１とは直接圧接されている。基材層１０と第２キャリア層１２とは直接圧接されている。基材層１０は例えば約３２質量％のＮｉおよび約５．５質量％のＣｏを含むＦｅ基合金Ａからなる。第１キャリア層１１は例えば約３６質量％のＮｉを含むＦｅ基合金Ｂからなる。第２キャリア層１２はＦｅ基合金Ｃからなり、Ｆｅ基合金Ｂと同質の塩化第二鉄液でエッチング可能であって、その塩化第二鉄液に対してＦｅ基合金Ｂよりも高耐食である。Ｆｅ基合金Ａからなる基材層１０、Ｆｅ基合金Ｂからなる第１キャリア層１１およびＦｅ基合金Ｃからなる第２キャリア層１２は、いずれも、同質の塩化第二鉄液（例えば４０質量％濃度の塩化第二鉄液など）でエッチングが可能である。なお、Ｆｅ基合金Ａからなる基材層１０は、上記塩化第二鉄液に対して、Ｆｅ基合金Ｂからなる第１キャリア層１１よりも高耐食であり、Ｆｅ基合金Ｃからなる第２キャリア層１２よりも高耐食である。図１７に示す工程（ｊ）に対応する被覆工程および工程（ｋ）に対応するエッチング工程は上記したメタルマスク３Ｍの場合と同様に行ってよい。 The metal mask 3Ma (modified example of the third product example) shown in FIG. 11 can be manufactured by the manufacturing process shown in FIG. 18 following the steps (i) to (k) shown in FIG. 17. In addition, in the material preparation step corresponding to step (a) shown in FIG. 17, for example, a clad plate material 3S shown in FIG. 5 is prepared. The clad plate material 3S (thickness T 3S ) includes a base layer 10 (thickness t0), a first carrier layer 11 (thickness t1), and a second carrier layer 12 (thickness t2, t1>t2). The thickness of the base material layer 10 is 1 μm or more and 20 μm or less (preferably 5 μm or more and 15 μm or less). The thickness t1 of the first carrier layer 11 is made thicker than the thickness t2 of the second carrier layer 12 (see FIG. 18) in order to provide the frame portion 11f (see FIG. 5, t1>t2). The base material layer 10 and the first carrier layer 11 are directly pressed together. The base material layer 10 and the second carrier layer 12 are directly pressed together. The base material layer 10 is made of, for example, Fe-based alloy A containing about 32% by mass of Ni and about 5.5% by mass of Co. The first carrier layer 11 is made of, for example, Fe-based alloy B containing about 36% by mass of Ni. The second carrier layer 12 is made of Fe-based alloy C, which can be etched with a ferric chloride solution of the same quality as Fe-based alloy B, and has higher corrosion resistance than Fe-based alloy B with respect to the ferric chloride solution. be. The base material layer 10 made of Fe-based alloy A, the first carrier layer 11 made of Fe-based alloy B, and the second carrier layer 12 made of Fe-based alloy C are all made of a homogeneous ferric chloride solution (for example, 40% by mass % concentration of ferric chloride solution, etc.). Note that the base material layer 10 made of Fe-based alloy A has higher corrosion resistance against the ferric chloride liquid than the first carrier layer 11 made of Fe-based alloy B, and the second carrier layer 10 made of Fe-based alloy C It has higher corrosion resistance than the carrier layer 12. The covering step corresponding to step (j) and the etching step corresponding to step (k) shown in FIG. 17 may be performed in the same manner as in the case of the metal mask 3M described above.

図１８に示す製造プロセスは、図１７に示す工程（ｉ）から工程（ｋ）に続くプロセスである。図１８において、工程（ｎ）は被覆工程である。この被覆工程では、Ｚ１側に所定の形状のフレーム部１１ｆ（工程（ｑ）参照）を形成するために、第１キャリア層１１の表面１１ａに保護膜１５を形成し、エッチング孔１１ｂ（図１７参照）に保護膜１６を形成し、第２キャリア層１２の表面１２ａおよびエッチング孔１２ｂ（図１７参照）に保護膜１７を形成する。 The manufacturing process shown in FIG. 18 is a process that continues from step (i) to step (k) shown in FIG. 17. In FIG. 18, step (n) is a coating step. In this covering step, in order to form a frame portion 11f of a predetermined shape on the Z1 side (see step (q)), a protective film 15 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11, and an etching hole 11b (see FIG. 17) is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11. A protective film 16 is formed on the surface 12a of the second carrier layer 12 and a protective film 17 is formed on the etching hole 12b (see FIG. 17).

図１８において、工程（ｐ）はエッチング工程である。このエッチング工程では、第１キャリア層１１を構成するＦｅ基合金Ｂに適する塩化第二鉄液を用いて、第１キャリア層１１をエッチングする。この塩化第二鉄液は例えば４０質量％濃度の塩化第二鉄液（水溶液）を使用する。このエッチングにより、保護膜１５を有さない第１キャリア層１１の表面１１ａがエッチングされ、例えばエッチング孔１１ｃが形成される。なお、エッチング時間などの条件の調整によって、エッチング孔１１ｃの深さの調整が可能である。 In FIG. 18, step (p) is an etching step. In this etching step, the first carrier layer 11 is etched using a ferric chloride solution suitable for the Fe-based alloy B constituting the first carrier layer 11. As this ferric chloride solution, for example, a 40% by mass concentration ferric chloride solution (aqueous solution) is used. By this etching, the surface 11a of the first carrier layer 11 that does not have the protective film 15 is etched, and for example, an etching hole 11c is formed. Note that the depth of the etching hole 11c can be adjusted by adjusting conditions such as etching time.

図１８において、工程（ｑ）は仕上げ工程である。この仕上げ工程では、クラッド板材３Ｓから保護膜１５、保護膜１６および保護膜１７が除去され、全表面が清浄処理される。これによりメタルマスクを製造することができる。このメタルマスクは、Ｆｅ基合金Ａからなる基材部１０ＭとＦｅ基合金Ｂからなる第１キャリア部１１ＭおよびＦｅ基合金Ｃからなる第２キャリア部１２Ｍによって構成され、第１キャリア部１１ＭのＺ１側の辺縁部分に環状にフレーム部１１ｆが配置されている。このフレーム部１１ｆは第１キャリア層１１部分からなる。このメタルマスクは、例えば図１１に示すようなメタルマスク３Ｍａであって、例えばマスクパターン３ｆを有する厚さＴ３Ｍａの３層構造のメタルマスク３Ｍａ（第３製品例）である。 In FIG. 18, step (q) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 15, the protective film 16, and the protective film 17 are removed from the clad plate material 3S, and the entire surface is cleaned. In this way, a metal mask can be manufactured. This metal mask is composed of a base material part 10M made of Fe-based alloy A, a first carrier part 11M made of Fe-based alloy B, and a second carrier part 12M made of Fe-based alloy C. A frame portion 11f is arranged annularly at the side edge portion. This frame portion 11f consists of the first carrier layer 11 portion. This metal mask is, for example, a metal mask 3Ma as shown in FIG. 11, and is, for example, a three-layer metal mask 3Ma (third product example) having a mask pattern 3f and a thickness T 3Ma .

＜第２製品例の変形例＞
図１７および図１９に示す製造プロセスによれば、図９に示すメタルマスク２Ｍａ（第２製品例の変形例）を製造することができる。 <Modified example of the second product example>
According to the manufacturing process shown in FIGS. 17 and 19, the metal mask 2Ma (a modification of the second product example) shown in FIG. 9 can be manufactured.

図９に示すメタルマスク２Ｍａ（第２製品例の変形例）は、図１７に示す工程（ｉ）から工程（ｋ）に続いて、図１９に示す製造プロセスによって製造することができる。なお、図１７に示す工程（ａ）に対応する素材準備工程では、例えば、図４に示すクラッド板材２Ｓまたは図５に示すクラッド板材３Ｓを準備する。図１９では、代表して、図４に示すクラッド板材２Ｓを挙げている。このクラッド板材２Ｓは上記したメタルマスク３Ｍの場合と同様なものであってよい。第１キャリア層１１の厚さｔ１は、第１キャリア層１１部分をエッチングしてフレーム部１１ｆ（図１８参照）を設けるために、第２キャリア層１２の厚さｔ２と略同等であってよい（図４参照、ｔ１＝ｔ２）。図１７に示す工程（ｂ）に対応する被覆工程および工程（ｃ）に対応するエッチング工程は上記したメタルマスク３Ｍの場合と同様に行ってよい。 The metal mask 2Ma (a modification of the second product example) shown in FIG. 9 can be manufactured by the manufacturing process shown in FIG. 19 following the steps (i) to (k) shown in FIG. 17. In addition, in the material preparation step corresponding to step (a) shown in FIG. 17, for example, the clad plate material 2S shown in FIG. 4 or the clad plate material 3S shown in FIG. 5 is prepared. In FIG. 19, the clad plate material 2S shown in FIG. 4 is shown as a representative example. This clad plate material 2S may be similar to that of the metal mask 3M described above. The thickness t1 of the first carrier layer 11 may be approximately equal to the thickness t2 of the second carrier layer 12 in order to provide a frame portion 11f (see FIG. 18) by etching the first carrier layer 11 portion. (See FIG. 4, t1=t2). The covering step corresponding to step (b) and the etching step corresponding to step (c) shown in FIG. 17 may be performed in the same manner as in the case of the metal mask 3M described above.

図１９に示す製造プロセスは、図１７に示す工程（ｉ）から工程（ｋ）に続くプロセスである。図１９において、工程（ｎ１）は被覆工程である。この被覆工程では、Ｚ１側に所定の形状のフレーム部１１ｆ（工程（ｑ１）参照）を形成するために、第１キャリア層１１の表面１１ａに保護膜１５を形成し、エッチング孔１１ｂ（図１７参照）に保護膜１６を形成し、第２キャリア層１２の表面１２ａおよびエッチング孔１２ｂ（図１７参照）に保護膜１７を形成する。 The manufacturing process shown in FIG. 19 is a process that continues from step (i) to step (k) shown in FIG. 17. In FIG. 19, step (n1) is a coating step. In this covering step, in order to form a frame portion 11f of a predetermined shape on the Z1 side (see step (q1)), a protective film 15 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11, and an etching hole 11b (see FIG. 17) is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11. A protective film 16 is formed on the surface 12a of the second carrier layer 12 and a protective film 17 is formed on the etching hole 12b (see FIG. 17).

図１９において、工程（ｐ１）はエッチング工程である。このエッチング工程では、第１キャリア層１１を構成するＦｅ基合金Ｂに適する塩化第二鉄液を用いて、第１キャリア層１１をエッチングする。この塩化第二鉄液は例えば４０質量％濃度の塩化第二鉄液（水溶液）を使用する。このエッチングにより、保護膜１５を有さない第１キャリア層１１の表面１１ａがエッチングされ、第１キャリア層１１の略全部が除去され、例えばエッチング孔１１ｃが形成される。なお、エッチング時間などの条件の調整によって、エッチング孔１１ｃの深さの調整が可能である。また、エッチング条件の調整によって、第１キャリア層１１が除去された後の基材層１０に対して、Ｚ２側に向かうエッチングを行うことも可能である。これにより、メタルマスクの薄肉化が可能である。 In FIG. 19, step (p1) is an etching step. In this etching step, the first carrier layer 11 is etched using a ferric chloride solution suitable for the Fe-based alloy B constituting the first carrier layer 11. As this ferric chloride solution, for example, a 40% by mass concentration ferric chloride solution (aqueous solution) is used. By this etching, the surface 11a of the first carrier layer 11 that does not have the protective film 15 is etched, substantially all of the first carrier layer 11 is removed, and, for example, an etching hole 11c is formed. Note that the depth of the etching hole 11c can be adjusted by adjusting conditions such as etching time. Furthermore, by adjusting the etching conditions, it is also possible to perform etching toward the Z2 side on the base layer 10 after the first carrier layer 11 has been removed. This allows the metal mask to be made thinner.

図１９において、工程（ｑ１）は仕上げ工程である。この仕上げ工程では、クラッド板材２Ｓから保護膜１５、保護膜１６および保護膜１７が除去され、全表面が清浄処理される。これによりメタルマスクを製造することができる。このメタルマスクの主体は、Ｆｅ基合金Ａからなる基材部１０ＭおよびＦｅ基合金Ｃからなる第２キャリア部１２Ｍによって構成される。このメタルマスクは、Ｆｅ基合金Ｂからなる第１キャリア部１１ＭのＺ１側の辺縁部分に環状にフレーム部１１ｆが配置されている。このフレーム部１１ｆは第１キャリア層１１部分からなる。このメタルマスクは、例えば図９に示すようなメタルマスク２Ｍａであって、例えばマスクパターン２ｆを有する厚さＴ２Ｍａのメタルマスク２Ｍａ（第２製品例の変形例）である。このメタルマスク２Ｍａの主体は２層構造である。 In FIG. 19, step (q1) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 15, the protective film 16, and the protective film 17 are removed from the clad plate material 2S, and the entire surface is cleaned. In this way, a metal mask can be manufactured. The main body of this metal mask is composed of a base portion 10M made of Fe-based alloy A and a second carrier portion 12M made of Fe-based alloy C. In this metal mask, a frame portion 11f is arranged annularly on the Z1 side edge portion of the first carrier portion 11M made of Fe-based alloy B. This frame portion 11f consists of the first carrier layer 11 portion. This metal mask is, for example, a metal mask 2Ma as shown in FIG. 9, and is, for example, a metal mask 2Ma (a modification of the second product example) having a mask pattern 2f and a thickness T 2Ma . The main body of this metal mask 2Ma has a two-layer structure.

＜第１製品例の第３変形例＞
図１７および図２０に示す製造プロセスによれば、図７に示すメタルマスク１Ｍａ（第１製品例の変形例）を製造することができる。なお、この製造プロセスで得られる図２０に示すメタルマスク１Ｍａを、便宜上、第１製品例の第３変形例という。 <Third modification of the first product example>
According to the manufacturing process shown in FIGS. 17 and 20, a metal mask 1Ma (a modification of the first product example) shown in FIG. 7 can be manufactured. Note that the metal mask 1Ma shown in FIG. 20 obtained by this manufacturing process is referred to as a third modification of the first product example for convenience.

図７に示すメタルマスク１Ｍａ（第１製品例の第３変形例）は、図１７に示す工程（ｉ）から工程（ｋ）に続いて、図２０に示す製造プロセスによって製造することができる。なお、図１７に示す工程（ａ）に対応する素材準備工程では、例えば、図４に示すクラッド板材２Ｓまたは図５に示すクラッド板材３Ｓに類似のクラッド板材を準備する。このクラッド板材３Ｓは、上記したメタルマスク３Ｍａ（図１８参照）の場合と同様なものであってよいが、上記したメタルマスク３Ｍａ（図１８参照）の場合と同様なものでなくてもよい。クラッド板材３Ｓは、例えば、第１キャリア層１１の厚さｔ１よりも第２キャリア層１２の厚さｔ２が厚くてもよい（ｔ１＜ｔ２）。図２０では、代表して、図５に示すクラッド板材３Ｓに類似の３層構造のクラッド板材（以下、クラッド板材３Ｓという）を挙げている。基材層１０は例えば上記Ｆｅ基合金Ａからなる。第１キャリア層１１は上記Ｆｅ基合金Ａよりも同質の塩化第二鉄液でエッチングされやすい例えば上記Ｆｅ基合金Ｃからなる。第２キャリア層１２は上記Ｆｅ基合金Ｃよりも同質の塩化第二鉄液でエッチングされやすい例えば上記Ｆｅ基合金Ｂからなる。したがって、基材層１０と第１キャリア層１１および第２キャリア層１２は同時にエッチング可能である。また、その塩化第二鉄液に対して、基材層１０は第１キャリア層１１および第２キャリア層１２よりも高耐食であり、第１キャリア層１１は第２キャリア層１２よりも高耐食である。図１７に示す工程（ｂ）に対応する被覆工程は上記したメタルマスク３Ｍの場合と同様に行ってよい。また、工程（ｃ）に対応するエッチング工程では、第１キャリア層１１が第２キャリア層１２よりも高耐食であることによって、第１キャリア層１１のエッチング速度と比べて、第２キャリア層１２のエッチング速度が大きくなる。そのため、第１キャリア層１１側（Ｚ１側）からＺ１側に向かうエッチング量（深さ）よりも、第２キャリア層１２側（Ｚ２側）からＺ１側に向かうエッチング量（深さ）が大きくなることを考慮して調整するとよい。 The metal mask 1Ma (third modification of the first product example) shown in FIG. 7 can be manufactured by the manufacturing process shown in FIG. 20 following the steps (i) to (k) shown in FIG. 17. In addition, in the material preparation step corresponding to step (a) shown in FIG. 17, for example, a clad plate material similar to the clad plate material 2S shown in FIG. 4 or the clad plate material 3S shown in FIG. 5 is prepared. This clad plate material 3S may be similar to the metal mask 3Ma (see FIG. 18) described above, but may not be the same as the metal mask 3Ma (see FIG. 18) described above. In the clad plate material 3S, for example, the thickness t2 of the second carrier layer 12 may be thicker than the thickness t1 of the first carrier layer 11 (t1<t2). In FIG. 20, a clad plate material having a three-layer structure similar to the clad plate material 3S shown in FIG. 5 (hereinafter referred to as clad plate material 3S) is shown as a representative. The base material layer 10 is made of the Fe-based alloy A described above, for example. The first carrier layer 11 is made of, for example, the Fe-based alloy C, which is more easily etched than the Fe-based alloy A with a homogeneous ferric chloride solution. The second carrier layer 12 is made of, for example, the Fe-based alloy B, which is more easily etched with a homogeneous ferric chloride solution than the Fe-based alloy C. Therefore, the base material layer 10, the first carrier layer 11, and the second carrier layer 12 can be etched simultaneously. Furthermore, the base layer 10 has higher corrosion resistance than the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 against the ferric chloride solution, and the first carrier layer 11 has higher corrosion resistance than the second carrier layer 12. It is. The covering step corresponding to step (b) shown in FIG. 17 may be performed in the same manner as in the case of the metal mask 3M described above. In addition, in the etching step corresponding to step (c), since the first carrier layer 11 has higher corrosion resistance than the second carrier layer 12, the etching rate of the second carrier layer 12 is higher than that of the first carrier layer 11. The etching rate increases. Therefore, the etching amount (depth) from the second carrier layer 12 side (Z2 side) toward the Z1 side is larger than the etching amount (depth) from the first carrier layer 11 side (Z1 side) toward the Z1 side. It is a good idea to take this into account when making adjustments.

図２０に示す製造プロセスは、図１７に示す工程（ｉ）から工程（ｋ）に続くプロセスである。図２０において、工程（ｎ２）は被覆工程である。この被覆工程では、Ｚ１側に所定の形状のフレーム部１１ｆ（工程（ｑ２）参照）を形成するために、第１キャリア層１１の表面１１ａに保護膜１５を形成し、エッチング孔１１ｂ（図１７参照）に保護膜１６を形成し、エッチング孔１２ｂ（図１７参照）に保護膜１９を形成する。なお、第２キャリア層１１の表面１１ａには保護膜を形成しない。 The manufacturing process shown in FIG. 20 is a process that continues from step (i) to step (k) shown in FIG. 17. In FIG. 20, step (n2) is a coating step. In this covering step, in order to form a frame portion 11f of a predetermined shape on the Z1 side (see step (q2)), a protective film 15 is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11, and an etching hole 11b (see FIG. 17) is formed on the surface 11a of the first carrier layer 11. A protective film 16 is formed in the etching hole 12b (see FIG. 17), and a protective film 19 is formed in the etching hole 12b (see FIG. 17). Note that no protective film is formed on the surface 11a of the second carrier layer 11.

図２０において、工程（ｐ２）はエッチングおよびハーフエッチング工程である。このエッチングおよびハーフエッチング工程では、第１キャリア層１１を構成するＦｅ基合金Ｂおよび第２キャリア層１２を構成するＦｅ基合金Ｃに適する塩化第二鉄液を用いて、第１キャリア層１１および第２キャリア層１２を同時にエッチングする。この塩化第二鉄液は例えば４０質量％濃度の塩化第二鉄液（水溶液）を使用する。このエッチングにより、保護膜１５を有さない第１キャリア層１１の表面１１ａがエッチングされ、第１キャリア層１１の略全部が除去され、例えばエッチング孔１１ｃが形成される。また、同時に、保護膜１９を有さない第２キャリア層１２の表面１２ａが基材層１０側（Ｚ１側）に向かって略均一にハーフエッチングされ、第２キャリア層１１の略全部が除去される。この場合、第２キャリア層１２よりも高耐食である第１キャリア層１１のエッチング速度と比べて、第２キャリア層１２のエッチング速度が大きくなる。そのため、第１キャリア層１１側（Ｚ１側）からＺ１側に向かうエッチング量（深さ）よりも、第２キャリア層１２側（Ｚ２側）からＺ１側に向かうエッチング量（深さ）は大きくなる。したがって、第１キャリア層１１と第２キャリア層１２との厚さおよび耐食性の差を考慮すれば、エッチング孔１１Ｃの形成と略同時に第２キャリア層１２を略除去する調整が可能である。なお、エッチング条件の調整によって、エッチング孔１１ｃの深さの調整が可能である。また、エッチング条件の調整によって、第２キャリア層１２が除去された後の基材層１０に対して、Ｚ１側に向かうハーフエッチングを行うことも可能である。これにより、メタルマスクの薄肉化が可能である。 In FIG. 20, step (p2) is an etching and half etching step. In this etching and half-etching process, the first carrier layer 11 and The second carrier layer 12 is etched at the same time. As this ferric chloride solution, for example, a 40% by mass concentration ferric chloride solution (aqueous solution) is used. By this etching, the surface 11a of the first carrier layer 11 that does not have the protective film 15 is etched, substantially all of the first carrier layer 11 is removed, and, for example, an etching hole 11c is formed. At the same time, the surface 12a of the second carrier layer 12 that does not have the protective film 19 is half-etched almost uniformly toward the base layer 10 side (Z1 side), and almost the entire second carrier layer 11 is removed. Ru. In this case, the etching rate of the second carrier layer 12 is higher than the etching rate of the first carrier layer 11, which has higher corrosion resistance than the second carrier layer 12. Therefore, the etching amount (depth) from the second carrier layer 12 side (Z2 side) toward the Z1 side is larger than the etching amount (depth) from the first carrier layer 11 side (Z1 side) toward the Z1 side. . Therefore, if the difference in thickness and corrosion resistance between the first carrier layer 11 and the second carrier layer 12 is taken into account, it is possible to make an adjustment to remove the second carrier layer 12 substantially simultaneously with the formation of the etching hole 11C. Note that the depth of the etching hole 11c can be adjusted by adjusting the etching conditions. Further, by adjusting the etching conditions, it is also possible to perform half etching toward the Z1 side on the base layer 10 after the second carrier layer 12 has been removed. This allows the metal mask to be made thinner.

図２０において、工程（ｑ２）は仕上げ工程である。この仕上げ工程では、クラッド板材２Ｓから保護膜１５、保護膜１６および保護膜１９が除去され、全表面が清浄処理される。これによりメタルマスクを製造することができる。このメタルマスクの主体は、Ｆｅ基合金Ａからなる基材部１０Ｍよって構成される。このメタルマスクは、基材部１０ＭのＺ１側の辺縁部分に環状にフレーム部１１ｆが配置されている。このフレーム部１１ｆは第１キャリア層１１部分からなる。このメタルマスクは、例えば図７に示すようなメタルマスク１Ｍａであって、例えばマスクパターン１ｆを有する厚さＴ１Ｍａのメタルマスク１Ｍａ（第１製品例の第３変形例）である。このメタルマスク１Ｍａの主体は単層構造である。上記したクラッド板材３Ｓのようなメタルマスク用クラッド板材は、十分にハンドリングが容易で、メタルマスクの十分な薄肉化を可能にする可能性が高い。また、上記したクラッド板材３Ｓを用いた図１７および図２０に示すようなメタルマスクの製造方法によれば、十分にハンドリングが容易で、十分に薄肉化されたメタルマスクの製造が可能であり、十分な生産性向上が期待される。 In FIG. 20, step (q2) is a finishing step. In this finishing step, the protective film 15, the protective film 16, and the protective film 19 are removed from the clad plate material 2S, and the entire surface is cleaned. In this way, a metal mask can be manufactured. The main body of this metal mask is composed of a base material portion 10M made of Fe-based alloy A. In this metal mask, a frame portion 11f is arranged annularly on the Z1 side edge portion of the base portion 10M. This frame portion 11f consists of the first carrier layer 11 portion. This metal mask is, for example, a metal mask 1Ma as shown in FIG. 7, and is, for example, a metal mask 1Ma (a third modification of the first product example) having a mask pattern 1f and a thickness T 1Ma . The main body of this metal mask 1 Ma has a single layer structure. A clad plate material for a metal mask, such as the above-mentioned clad plate material 3S, is sufficiently easy to handle, and there is a high possibility that the metal mask can be made sufficiently thin. Further, according to the method for manufacturing a metal mask as shown in FIGS. 17 and 20 using the above-mentioned clad plate material 3S, it is possible to manufacture a metal mask that is sufficiently easy to handle and has a sufficiently thin wall. Sufficient productivity improvement is expected.

＜図１、図２＞
１００、２００．メタルマスク
１００ａ．金属板材
１００ｂ．第１表面
１００ｃ．第２表面
１００ｄ、１００ｅ、２０１ｂ、２０２ｂ．エッチング孔
１００ｆ．マスクパターン
１０１～１０４．保護膜
２００．メタルマスク
２００ａ．クラッド板材
２００ｆ．マスクパターン
２０１．第１層
２０１ａ、２０２ａ．表面
２０２．第２層
２０３、２０４．保護膜
＜図３～図５＞
１Ｓ．クラッド板材（第１実施形態）
２Ｓ．クラッド板材（第２実施形態）
３Ｓ．クラッド板材（第３実施形態）
１０．基材層
１１．第１キャリア層
１２．第２キャリア層
＜図６～図１１＞
１Ｍ．メタルマスク（第１製品例）
１Ｍａ．メタルマスク（第１製品例の変形例）
１ｆ、２ｆ、３ｆ．マスクパターン
２Ｍ．メタルマスク（第２製品例）
２Ｍａ．メタルマスク（第２製品例の変形例）
３Ｍ．メタルマスク（第３製品例）
３Ｍａ．メタルマスク（第３製品例の変形例）
１０Ｍ．基材部
１１Ｍ．キャリア部（第１キャリア部）
１１ｆ．フレーム部
１２Ｍ．キャリア部（第２キャリア部）
＜図１２、図１３＞
１Ｍ．メタルマスク
１Ｓ．クラッド板材
１ｆ、２ｆ．マスクパターン
２Ｍ．メタルマスク
１０．基材層
１０Ｍ．基材部
１０ａ、１１ａ．表面
１０ｂ、１１ｂ．エッチング孔
１１．第１キャリア層
１１Ｍ．キャリア部
１３、１４．保護膜
＜図１４～図１６＞
１Ｍａ、１Ｍｂ．メタルマスク
１ｆ、１ｆａ．マスクパターン
１０．基材層
１０ａ、１１ａ．表面
１０ｃ、１１ｃ．エッチング孔
１０ｆ、１１ｆ．フレーム部
１１．第１キャリア層
１１Ｍ．キャリア部
１５～２０．保護膜
＜図１７～図２０＞
１Ｍａ、２Ｍａ、３Ｍ、３Ｍａ．メタルマスク
１ｆ、２ｆ、３ｆ．マスクパターン
２Ｓ、３Ｓ．クラッド板材
１０．基材層
１０Ｍ．基材部
１１．第１キャリア層
１１Ｍ．第１キャリア部
１１ａ、１２ａ．表面
１１ｂ、１２ｂ．エッチング孔
１２．第２キャリア層
１２Ｍ．第１キャリア部
１３～１７、１９．保護膜 <Figure 1, Figure 2>
100, 200. Metal mask 100a. Metal plate material 100b. First surface 100c. Second surface 100d, 100e, 201b, 202b. Etched hole 100f. Mask patterns 101 to 104. Protective film 200. Metal mask 200a. Clad plate material 200f. Mask pattern 201. First layer 201a, 202a. Surface 202. Second layer 203, 204. Protective film <Figures 3 to 5>
1S. Clad plate material (first embodiment)
2S. Clad plate material (second embodiment)
3S. Clad plate material (third embodiment)
10. Base material layer 11. First carrier layer 12. Second carrier layer <Figures 6 to 11>
1M. Metal mask (1st product example)
1 Ma. Metal mask (modification of the first product example)
1f, 2f, 3f. Mask pattern 2M. Metal mask (second product example)
2 Ma. Metal mask (modification of the second product example)
3M. Metal mask (third product example)
3 Ma. Metal mask (modification of the third product example)
10M. Base material portion 11M. Career Department (1st Career Department)
11f. Frame part 12M. Career Department (Second Career Department)
<Figure 12, Figure 13>
1M. Metal mask 1S. Clad plate materials 1f, 2f. Mask pattern 2M. Metal mask 10. Base material layer 10M. Base portions 10a, 11a. Surfaces 10b, 11b. Etching hole 11. First carrier layer 11M. Carrier parts 13, 14. Protective film <Figures 14 to 16>
1 Ma, 1 Mb. Metal mask 1f, 1fa. Mask pattern 10. Base material layers 10a, 11a. Surfaces 10c, 11c. Etched holes 10f, 11f. Frame part 11. First carrier layer 11M. Career section 15-20. Protective film <Figures 17 to 20>
1Ma, 2Ma, 3M, 3Ma. Metal masks 1f, 2f, 3f. Mask patterns 2S, 3S. Clad plate material 10. Base material layer 10M. Base material part 11. First carrier layer 11M. First carrier parts 11a, 12a. Surfaces 11b, 12b. Etching hole 12. Second carrier layer 12M. First carrier portions 13-17, 19. Protective film

Claims (5)

厚さ方向に切断された断面視において、ＮｉおよびＣｏのうちの１種以上を３０質量％以上５０質量％以下の範囲で含むＦｅ基合金からなる基材層と、前記基材層の一方側に直接圧接されている第１キャリア層と、を備え、
前記基材層および前記第１キャリア層は同質の塩化第二鉄液でエッチングが可能であって、前記基材層は前記第１キャリア層よりも前記塩化第二鉄液に対して高耐食であり、
同等の環境下で同質の塩化第二鉄液を用いてエッチングを行って、前記基材層の腐食減量をＭｂとし、前記第１キャリア層の腐食減量をＭＣ１とするとき、前記基材層および前記第１キャリア層は、Ｍｂ／Ｍｃ１≦０．９の関係を満足する、メタルマスク用クラッド板材。 In a cross-sectional view cut in the thickness direction, a base material layer made of an Fe-based alloy containing one or more of Ni and Co in a range of 30% by mass to 50% by mass, and one side of the base material layer. a first carrier layer that is directly pressed into contact with the carrier layer;
The base material layer and the first carrier layer can be etched with a ferric chloride solution of the same quality, and the base material layer has higher corrosion resistance to the ferric chloride solution than the first carrier layer. can be,
When etching is performed using a homogeneous ferric chloride solution in an equivalent environment, and the corrosion loss of the base material layer is M b and the corrosion loss of the first carrier layer is M C1 , the base material A clad plate material for a metal mask, wherein the layer and the first carrier layer satisfy the relationship of M b /M c1 ≦0.9. 厚さ方向に切断された断面視において、ＮｉおよびＣｏのうちの１種以上を３０質量％以上５０質量％以下の範囲で含むＦｅ基合金からなる基材層と、前記基材層の一方側に直接圧接されている第１キャリア層と、前記基材層の他方側に直接圧接されている第２キャリア層と、を備え、
前記基材層、前記第１キャリア層および前記第２キャリア層は同質の塩化第二鉄液でエッチングが可能であって、前記基材層は前記第１キャリア層および前記第２キャリア層よりも前記塩化第二鉄液に対して高耐食であり、
同等の環境下で同質の塩化第二鉄液を用いてエッチングを行って、前記基材層の腐食減量をＭｂとし、前記第１キャリア層の腐食減量をＭＣ１とし、前記第２キャリア層の腐食減量をＭＣ２とするとき、前記基材層、前記第１キャリア層および前記第２キャリア層は、Ｍｂ／Ｍｃ１≦０．９およびＭｂ／Ｍｃ２≦０．９の関係を満足する、メタルマスク用クラッド板材。 In a cross-sectional view cut in the thickness direction, a base material layer made of an Fe-based alloy containing one or more of Ni and Co in a range of 30% by mass to 50% by mass, and one side of the base material layer. a first carrier layer that is directly pressed against the base layer; and a second carrier layer that is directly pressed against the other side of the base layer;
The base material layer, the first carrier layer, and the second carrier layer can be etched with a homogeneous ferric chloride solution, and the base material layer is etched more than the first carrier layer and the second carrier layer. It has high corrosion resistance against the ferric chloride liquid,
Etching is performed using a homogeneous ferric chloride solution under the same environment, the corrosion loss of the base layer is M b , the corrosion loss of the first carrier layer is M C1 , and the second carrier layer is etched. The base material layer, the first carrier layer, and the second carrier layer have the relationship of M b /M c1 ≦0.9 and M b /M c2 ≦0.9, where M C2 is the corrosion weight loss of Satisfying clad plate material for metal masks. 請求項１または２に記載のメタルマスク用クラッド板材を用いて形成されたメタルマスクであって、
前記基材層を構成する前記Ｆｅ基合金からなる、メタルマスク。 A metal mask formed using the metal mask clad plate material according to claim 1 or 2,
A metal mask made of the Fe-based alloy that constitutes the base layer. 請求項１または２に記載のメタルマスク用クラッド板材を用いて形成されたメタルマスクであって、
前記基材層を構成する前記Ｆｅ基合金からなる第１金属層と、前記第１キャリア層を構成する金属からなる第２金属層と、を備え、前記第１金属層と前記第２金属層とが直接接合されてなる、メタルマスク。 A metal mask formed using the metal mask clad plate material according to claim 1 or 2,
a first metal layer made of the Fe-based alloy constituting the base layer; and a second metal layer made of the metal constituting the first carrier layer, the first metal layer and the second metal layer A metal mask made by directly joining. 請求項２に記載のメタルマスク用クラッド材板を用いて形成されたメタルマスクであって、
前記基材層を構成する前記Ｆｅ基合金からなる第１金属層と、前記第１キャリア層を構成する金属からなる第２金属層と、前記第２キャリア層を構成する金属からなる第３金属層と、を備え、前記第２金属層と前記第１金属層と前記第３金属層とがこの順に直接接合されてなる、メタルマスク。
A metal mask formed using the metal mask cladding material plate according to claim 2,
a first metal layer made of the Fe-based alloy constituting the base layer; a second metal layer made of the metal constituting the first carrier layer; and a third metal layer made of the metal constituting the second carrier layer. A metal mask comprising: a second metal layer, a first metal layer, and a third metal layer that are directly bonded in this order.
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