KR20200111862A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200111862A
KR20200111862A KR1020190031285A KR20190031285A KR20200111862A KR 20200111862 A KR20200111862 A KR 20200111862A KR 1020190031285 A KR1020190031285 A KR 1020190031285A KR 20190031285 A KR20190031285 A KR 20190031285A KR 20200111862 A KR20200111862 A KR 20200111862A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
display panel
conductive
conductive film
layer
display device
Prior art date
Application number
KR1020190031285A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102608963B1 (ko
Inventor
조영민
손진석
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020190031285A priority Critical patent/KR102608963B1/ko
Priority to US16/819,569 priority patent/US11385495B2/en
Priority to CN202010190033.2A priority patent/CN111722428A/zh
Publication of KR20200111862A publication Critical patent/KR20200111862A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102608963B1 publication Critical patent/KR102608963B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133351—Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G02F1/133531—Polarisers characterised by the arrangement of polariser or analyser axes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • G02F2001/133531—
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

표시 장치의 제조 방법은, 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성된 표시 패널의 일 면에 편광층을 배치하고, 편광층의 측면과 표시 패널의 측면 사이의 단차가 기 설정된 값 이하를 갖도록 제1 레이저빔을 이용하여 편광층을 절단하며, 표시 패널의 측면에 도전 필름을 부착하고, 및 제2 레이저빔을 이용하여 도전 필름을 패터닝하는 것을 포함한다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 정보화 시대에 발맞추어 디스플레이(display) 분야 또한 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응해서 박형화, 경량화, 저소비전력화 장점을 지닌 평판 표시 장치로써, 액정 표시 장치(liquid crystal display device; LCD), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel device; PDP), 전기 발광 표시 장치(electroluminescence display device; ELD), 전계 방출 표시 장치 (field emission display device; FED) 등이 개발 중이다.
한편, 옥외 디스플레이, 전광판 등에는 복수의 표시 패널들이 하나의 영상이 표시된다. 이 때, 표시 패널들의 베젤로 인해 표시 패널들 사이의 연결부가 시인되며, 영상 몰입도가 저하될 수 있다. 이에 따라, 표시 패널의 베젤을 최소화하기 위한 연구가 진행 중이다. 또한, 옥외 디스플레이, 전광판 등의 초고해상도 영상 표시를 구현하기 위한 연구도 진행 중에 있다.
또한, 모바일 등의 고해상도 중소형 표시 장치에 대해서도, 표시 패널의 베젤을 최소화하기 위한 연구가 진행 중이다.
본 발명의 일 목적은 표시 패널의 측면에 초정밀 미세 도전 패턴을 형성하는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 초정밀 미세 도전 패턴이 형성된 측면을 구비한 표시 패널을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성된 표시 패널의 일 면에 편광층을 배치하는 단계; 상기 편광층의 측면과 상기 표시 패널의 측면 사이의 단차가 기 설정된 값 이하를 갖도록 제1 레이저빔을 이용하여 상기 편광층을 절단하는 단계; 상기 표시 패널의 상기 측면에 도전 필름을 부착하는 단계; 및 제2 레이저빔을 이용하여 상기 도전 필름을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 도전 필름을 부착하는 단계는, 상기 도전 필름을 구성하는 도전층 및 상기 도전층 상의 베이스층을 제1 온도 하에서 제1 압력으로 가압하여, 상기 도전 필름을 상기 표시 패널의 상기 측면에 접촉시키는 단계; 상기 베이스층을 상기 도전층으로부터 제거하는 단계; 및 상기 도전층을 제2 온도 하에서 제2 압력으로 가압하여 상기 표시 패널의 상기 측면에 접합하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 상대적으로 높을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 압력은 상기 제1 압력보다 상대적으로 높을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 도전층은, 상기 제2 온도로 가열되는 가열부 및 상기 제2 압력으로 상기 도전 필름을 가압하는 바(bar) 형태의 가압부를 포함하는 접합 장치에 의해 상기 표시 패널의 상기 측면에 접합될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 롤러(roller) 또는 바(bar) 형태의 가압 장치가 상기 제1 온도 하에서 상기 제1 압력으로 상기 도전 필름을 가압하여 상기 표시 패널에 상기 측면에 접촉시킬 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 도전층은 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 알루미늄(Al) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 패널의 상기 측면에 도전 필름을 부착하는 단계는, 상기 도전 필름을 기 설정된 온도 및 기 설정된 압력 조건으로 상기 표시 패널의 상기 측면에 접합시킬 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 패널은, 상기 화소 전극 상에 배치되는 공통 전극; 및 상기 공통 전극 상에 배치되는 컬러 필터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 도전 필름을 패터닝하는 단계는, 상기 박막 트랜지스터, 상기 화소 전극, 상기 공통 전극, 및 상기 컬러 필터 중 적어도 하나에 각각 전기적으로 연결되는 복수의 측면 도전 패턴들을 형성할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 측면 도전 패턴들 사이의 간격은 30um 이하일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치의 제조 방법은, 상기 측면 도전 패턴들에 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film; ACF)을 부착하여 구동 회로 및 인쇄 회로 기판(Printed circuit board; PCB)을 상기 측면 도전 패턴들에 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 편광층을 절단하는 단계는, 상기 편광층을 절단하면서 상기 절단에 의해 생성되는 불순물을 흡입하는 단계; 및 상기 표시 패널의 상기 측면을 상압(atmospheric pressure) 플라즈마 세정하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 패널은 기 설정된 반송(搬送) 라인을 따라 상기 표시 패널의 상기 일 면에 평행한 방향으로 반송되며 상기 표시 패널의 반송에 따라 상기 편광층을 부착하는 단계, 상기 편광층을 절단하는 단계, 상기 도전 필름을 부착하는 단계, 및 상기 도전 필름을 패터닝하는 단계가 순차적으로 수행될 수 있다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 박막 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하는 화소가 제공되는 표시 패널의 적어도 일 측면에 도전 필름을 부착하는 단계; 레이저빔을 이용하여 상기 부착된 도전 필름을 패터닝하여 상기 화소에 전기적으로 연결되는 복수의 측면 도전 패턴들을 형성하는 단계; 및 상기 측면 도전 패턴들에 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film; ACF)을 부착하여 구동 회로를 상기 측면 도전 패턴들에 전기적으로 연결하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 도전 필름을 부착하는 단계는, 상기 도전 필름을 구성하는 도전층 및 상기 도전층 상의 베이스층을 제1 온도 하에서 제1 압력으로 가압하여, 상기 도전 필름을 상기 표시 패널의 상기 측면에 접촉시키는 단계; 상기 베이스층을 상기 도전층으로부터 제거하는 단계; 및 상기 도전층을 제2 온도 하에서 제2 압력으로 가압하여 상기 표시 패널의 상기 측면에 완전히 접합하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 높고, 상기 제2 압력은 상기 제1 압력보다 높을 수 있다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는, 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 각각 정의되는 복수의 화소들, 및 상기 화소들에 연결되는 연결 라인들을 포함하는 표시 패널; 및 상기 연결 라인들을 통해 상기 표시 패널에 전기적으로 연결되는 구동 회로를 포함할 수 있다. 상기 표시 패널의 적어도 일 측면에 대응하는 본딩(bonding) 측면에는 상기 화소들과 상기 구동 회로를 전기적으로 연결하는 복수의 측면 도전 패턴들이 형성되며, 상기 연결 라인들과 상기 측면 도전 패턴들은 상기 표시 패널의 상기 적어도 일 측면에 대응하는 단부에서 각각 접합되고, 상기 연결 라인들과 상기 측면 도전 패턴들은 서로 다른 도전 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는, 상기 측면 도전 패턴들에 부착되는 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film; ACF)을 더 포함할 수 있다. 상기 이방성 도전 필름의 제1 부분은 상기 측면 도전 패턴들에 부착되고, 상기 구동 회로는 상기 이방성 도전 필름의 제2 부분에 연결될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 측면 도전 패턴들 사이의 간격은 30um 이하일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 및 이의 제조 방법은 레이저 절단 및 연마에 의해 표시 패널과 편광층 사이의 단차가 제거됨으로써 측면 OLB 공정을 위한 베젤의 폭이 크게 절감(제로-베젤이 구현)될 수 있다. 이와 함께, 초미세 레이저 패터닝에 의해 측면 도전 패턴들이 정밀하게 형성됨으로써 UHD 해상도 이상의 초고해상도 대형 디스플레이가 구현될 수 있다.
또한, 두께 및 면적이 균일한 도전 필름(즉, 도전층)이 표시 패널의 측면에 고온 및 고압으로 접합됨으로써, 표시 패널의 연결 라인과 측면 도전 패턴 사이의 접합력 및 밀착도가 향상되고 측면 도전 패턴의 평탄도가 개선될 수 있다. 따라서, 측면 본딩이 적용되는 표시 장치의 표시 패널과 구동 회로 사이의 전기적 접속이 개선되어 공정 신뢰성이 향상될 수 있다.
나아가, 두께 및 면적이 균일한 도전 필름을 표시 패널의 측면에 고온 및 고압으로 접합한 후에 측면 도전 패턴을 형성하는 표시 장치의 제조 방법으로 인해, 공정 속도 및 수율이 개선될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 도 1의 표시 장치의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면들이다.
도 8a 내지 도 8c는 도 7의 표시 장치의 제조 방법의 일 예들을 설명하기 위한 도면들이다.
도 9 내지 도 13은 도 1의 표시 장치의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면들이다.
도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법의 일 예를 나타내는 순서도이다.
도 15는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 16은 도 1의 표시 장치의 제조 방법을 수행하는 설비를 간략히 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치의 제조 방법은 표시 패널 상면에 편광층을 배치(S100)하고, 제1 레이저빔(예를 들어, 커팅 레이저빔)을 이용하여 편광층을 절단(S200)하며, 표시 패널의 측면에 도전 필름을 부착(S300)하고, 제2 레이저빔(예를 들어, 패터닝 레이저빔)을 이용하여 도전 필름을 패터닝(S400)하며, 도전 필름이 패터닝되어 형성된 측면 도전 패턴에 구동 회로를 전기적으로 연결(S500)하는 것을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 표시 장치는 액정 표시 장치(liquid crystal display; LCD)일 수 있다. 이하, 표시 장치는 액정 표시 장치인 것으로 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 표시 장치가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 표시 장치는 플라즈마 표시 장치(plasma display panel: PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode device: OLED device), 전계 효과 표시 장치(field effect display: FED), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display device) 등일 수도 있다.
이와 같이 제조된 표시 장치는 편광층과 표시 패널 사이의 단차가 제거된 측면을 가질 수 있다. 또한, 단차가 제거된 측면에 초정밀 레이저 공법에 의해 표시 패널의 내부 회로와 연결되는 측면 도전 패턴들이 형성될 수 있다. 이에 따라, 표시 패널의 측면 본딩을 통해 표시 장치 구동을 위한 구동 회로가 표시 패널에 전기적으로 연결될 수 있다.
종래의 표시 장치는 박막 트랜지스터들이 형성된 기판의 상면에 전극이 연장되고, 상기 전극 상에 이방성 도전 필름 등을 부착하며, 이방성 도전 필름에 COF (chip on film) 방식으로 구동 칩, 인쇄 회로 기판(printed circuit board; PCB) 등이 부착된다. 이에 따라, 편광층과 표시 패널(박막 트랜지스터 등을 포함하는 기판) 사이에 측면 단차가 발생되며, 베젤이 형성된다. 또한, 표시 패널과 편광층 사이의 단차에 의해 빛샘 현상이 시인될 수 있다. 빛샘 시인 방지를 위해 표시 패널의 외곽부에 샷시(chassis), 프레임, 블랙 매트릭스 등이 형성되며, 이에 따라, 표시 장치 외곽의 베젤 폭을 줄이는 데에 한계가 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 및 이의 제조 방법은 표시 패널과 편광층 사이의 단차를 제거하고, 표시 패널과 구동 회로를 측면 본딩으로 연결함으로써 제로-베젤(zero-bezel)을 구현하고, 초미세 레이저 패터닝을 통해 UHD(ultra-high definition) 이상의 초고해상도 대형 디스플레이를 구현할 수 있다. 또한, 표시 패널의 측면에 도전 필름을 압착함으로써, 측면 도전 패턴과 표시 패널의 측면 사이의 접착력이 향상되고, 측면 도전 패턴과 표시 패널의 도전 라인 사이의 전기적 연결 상태가 개선될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1000)는 표시 패널(100) 및 구동 회로(200)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 표시 패널(100)은 액정 패널이고, 표시 장치(1000)는 백라이트(150)를 더 포함할 수 있다.
표시 패널(100)에는, 제1 방향, 예를 들면 수평 방향(행 방향)으로 연장된 복수의 게이트 라인들(GL)이 포함될 수 있다. 제1 방향과 교차하는 제2 방향, 예를 들면 수직 방향(열 방향)으로 연장되는 복수의 데이터 라인들(DL)이 표시 패널(100)에 배치될 수 있다.
이와 같이, 서로 교차하는 게이트 라인(GLi, 단, i는 자연수)과 데이터 라인(DLj, 단, j는 자연수)은 각각 화소(PX)를 정의할 수 있다. 표시 패널(100)의 각 화소(PX)는 박막 트랜지스터, 액정 커패시터, 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 각 화소(PX)는 적색, 녹색, 청색 중 하나의 색광을 표시할 수 있다.
백라이트(150)는 빛을 표시 패널(100)에 공급하는 역할을 한다. 백라이트(150)의 광원으로, 냉음극형광램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp; CCFL), 외부전극형광램프(External Electrode Fluorescent Lamp; EEFL), 발광다이오드(Light Emitting Diode; LED) 등이 사용될 수 있다.
구동 회로(200)는 타이밍 제어부(220), 게이트 구동부(240), 및 데이터 구동부(260)를 포함할 수 있다.
타이밍 제어부(220)는 TV시스템이나 비디오 카드와 같은 외부 그래픽 소스로부터 영상 데이터를 수신하고, 수직 동기 신호, 수평 동기 신호, 메인 클럭 신호, 데이터 인에이블신호 등의 제어 신호를 수신할 수 있다. 타이밍 제어부(220)는 입력된 제어신호에 기초하여 데이터 구동부(260)를 제어하기 위한 데이터 제어 신호(DCS)를 생성할 수 있다. 데이터 제어 신호(DCS)는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse; SSP), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock; SSC), 소스 출력 인에이블 신호(Source Output Enable; SOE), 극성 신호(Polarity; POL) 등을 포함할 수 있다. 또한, 타이밍 제어부(220)는 영상 데이터(RGB)를 전달받고, 이를 정렬하여 데이터 구동부(260)에 전달할 수 있다.
타이밍 제어부(220)는 제어 신호에 응답하여 게이트 구동부(240)를 제어하기 위한 게이트 제어 신호(GCS)를 생성할 수 있다.
데이터 구동부(260)는 데이터 제어 신호(DCS)와 영상 데이터(RGB)에 응답하여, 데이터 전압을 데이터 라인들(DL)에 공급할 수 있다.
게이트 구동부(240)는 타이밍 제어부(220)로부터 공급되는 게이트 제어 신호(GCS)에 응답하여 게이트 라인들(GL)을 순차적으로 선택하고, 선택된 게이트 라인에 턴-온(turn-on) 전압을 출력할 수 있다.
턴-온(turn-on) 전압에 의해 해당 게이트 라인에 연결된 박막 트랜지스터는 턴-온될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일 예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 장치(1000)는 표시 패널(100) 및 편광층들(80, 90)을 포함할 수 있다. 도 3은 표시 장치(1000)의 단면의 일부를 보여준다.
표시 패널(100)은 제1 기판(10), 제2 기판(70) 및 제1 기판(10)과 제2 기판(70) 사이의 액정층(44)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 표시 패널(100)은 박막 트랜지스터(TR)와 화소 전극(42)을 제공하는 제1 기판(10), 공통 전극(46)과 컬러 필터(60)를 제공하는 제2 기판(70), 및 제1 기판(10)과 제2 기판(70) 사이에 배치되는 액정층(44)을 포함할 수 있다.
구체적으로, 제1 기판(10) 상에 게이트 전극(22)이 형성되고, 게이트 전극(22) 상부에는 게이트 절연층(24)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(22)에 대응하는 게이트 절연층(24) 상부에는 반도체층(26)이 형성되고, 반도체층(26) 상부에는 서로 이격되는 소스 전극(28A) 및 드레인 전극(28B)이 형성될 수 있다.
게이트 전극(22), 반도체층(26), 소스 전극(28A) 및 드레인 전극(28B)은 박막 트랜지스터(thin film transistor: TFT)(TR)를 구성할 수 있다. 도 3에는 바텀 게이트 구조의 박막 트랜지스터(TR)가 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 박막 트랜지스터(TR)는 탑 게이트 구조로 형성될 수도 있다.
박막 트랜지스터(TR) 상부에는 보호층(30)이 형성되고, 보호층(30) 상부에는 드레인 전극(28B)에 연결되는 화소 전극(42)이 형성될 수 있다.
화소 전극(42) 상에는 공통 전극(46)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 화소 전극(42)과 공통 전극(46) 사이에는 액정 분자(45)를 포함하는 액정층(44)이 제공될 수 있다.
공통 전극(46) 상에는 컬러 필터(60)가 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 컬러 필터(60)의 리세스에는 블랙 매트릭스(62)가 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 공통 전극(46)과 컬러 필터(60) 사이에는 보호층(오버코트층)이 더 배치될 수 있다.
게이트 전극(22)에 인가되는 게이트 신호에 따라 박막 트랜지스터(TR)가 턴-온되면, 데이터 신호가 박막 트랜지스터(TR)를 통하여 화소 전극(42)에 인가되어 화소 전극(42)과 공통 전극(46) 사이에 전기장(Electric Field)이 생성된다. 그리고, 액정층(44)의 다수의 액정 분자(45)들을 전기장에 따라 재배열되어 해당 화소(PX)는 데이터 신호에 대응하는 계조를 표시할 수 있다.
일 실시예에서, 박막 트랜지스터(TR), 화소 전극(42) 및 공통 전극(46)은 도전 라인들(또는 연결 라인들)을 통해 각각 연장되며, 표시 패널(50)의 측면에 형성되는 측면 도전 패턴들에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 기판(10)에 박막 트랜지스터(TR), 화소 전극(42), 및 공통 전극(46)이 제공되고, 제2 기판(70)에 컬러 필터(60)가 제공될 수 있다. 액정층(44)은 제1 기판(10)과 제2 기판(70) 사이에 배치될 수 있다. 이 경우, 액정 분자(45)들은 화소 전극(42)과 공통 전극(46)에 의한 전기장에 의해 수평 방향으로 배열(예를 들어, IPS(In-plane switching) 모드, PLS(Plane to line switching) 모드, FSS(Fringe field switching) 모드 등)될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 기판(10)에 박막 트랜지스터(TR), 화소 전극(42), 공통 전극(46), 및 컬러 필터(60)가 제공(예를 들어, COA(color filter on array) 구조)될 수 있다. 컬러 필터(60) 상에 액정층(44) 및 제2 기판(70)이 순차적으로 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 표시 패널(100)의 상하면에 각각 편광층들(80, 90)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(70)의 상면에 제1 편광층(80)이 배치되고, 제1 기판(10)의 하면에 제2 편광층(90)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 및 제2 편광층들(80, 90)은 편광 필름 형태로 제공될 수 있다.
다만, 이는 예시적인 것으로서, 표시 장치(1000)는 제1 및 제2 편광층들(80, 90) 중 하나만을 가질 수도 있다.
일 실시예에서, 제1 및 제2 편광층들(80, 90)의 편광축은 서로 직교할 수 있다.
도 4 내지 도 7은 도 1의 표시 장치의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면들이다.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 표시 장치(1000)의 제조 방법은 표시 패널(100) 상면에 편광층(80A)을 배치(S100)하고, 편광층(80A)을 절단(S200)하며, 상압 플라즈마를 이용하여 표시 패널(100)의 측면을 세정하는 것을 포함할 수 있다.
먼저, 박막 트랜지스터(TR), 화소 전극(42), 공통 전극(46), 액정층(44), 및 컬러 필터(60)가 형성된 표시 패널(100)의 상면에 편광층(80A)이 배치(S100)될 수 있다. 표시 패널(100)은 제1 기판(10), 제2 기판(70) 및 제1 기판(10)과 제2 기판(70) 사이의 액정층(44)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 기판(10)에 박막 트랜지스터(TR) 및 화소 전극(42)이 제공되고, 제2 기판(70)에 공통 전극(46) 및 컬러 필터(60)가 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 기판(10)에 박막 트랜지스터(TR), 화소 전극(42), 및 공통 전극(46)이 제공되고, 제2 기판(70)에 컬러 필터(60)가 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 기판(10)에 박막 트랜지스터(TR), 화소 전극(42), 공통 전극(46), 및 컬러 필터(60)가 제공될 수도 있다.
이하, 도 4 내지 도 13에서는 설명의 편의를 위해 표시 패널(100)에 포함되는 구성을 액정 패널(50)과 컬러 필터(60)로 구분하여 설명하기로 한다. 예를 들어, 액정 패널(50)은 제1 기판(10), 박막 트랜지스터(TR), 화소 전극(42), 공통 전극(46), 및 액정층(44)을 포함할 수 있다. 또한, 컬러 필터(60)는 컬러 필터(60) 상에 제공되는 제2 기판(70)의 구성을 더 포함할 수도 있다.
표시 패널(100)은 원장 기판을 다이아몬드 커터 또는 레이저 커터 등으로 스크라이빙(scribinig)하여 절단된 상태일 수 있다. 따라서, 표시 패널(100)의 측면의 평탄도가 낮고, 불순물들이 존재할 수 있다.
편광층(80A)은 컬러 필터(60) 상에 부착될 수 있다. 도 4에는 편광층(80A)이 컬러 필터(60) 상에 배치되는 것으로만 도시되었으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 편광층(80A)은 편광축이 서로 90°로 수직하도록 표시 패널(100)의 상하측에 배치될 수도 있다.
일 실시예에서, 편광층(80A) 배치 공정은, 표시 패널(100)의 이물을 제거하는 세정 공정, 표시 패널(100)과 편광층(80A)을 정렬한 후 보호 필름을 박리하면서 편광층(80A)을 부착하는 부착 공정, 및 편광층(80A)과 표시 패널(100) 사이의 기포 제거와 접착력 향상을 위한 오토클레이브(autoclave) 공정을 포함할 수 있다.
편광층(80A)과 표시 패널(100) 사이의 접착력 향상을 위해 편광층(80A)의 단면적이 표시 패널(100)보다 클 수 있다.
이후, 편광층(80A)의 측면과 표시 패널(100)의 측면이 일치하도록 편광층(80A)이 절단(S200)될 수 있다.
일 실시예에서, 도 5에 도시된 바와 같이, 커팅 레이저빔(또는, 제1 레이저빔)에 의해 편광층(80A)이 절단됨과 동시에 표시 패널(100)의 측면이 연마될 수 있다. 이와 동시에, 상기 절단 및 연마에 의해 생성되는 잔여물 및 불순물일 흡입될 수 있다.
커팅 레이저빔은 소정의 레이저 커팅 장치(300)로부터 출력될 수 있다. 예를 들어, 커팅 레이저빔은 펨토초(femto-second) 레이저빔이며, 적외선 파장대의 헬륨-네온(He-Ne) 레이저, 이산화탄소(CO2) 레이저 등의 기체 레이저로 구현될 수 있다.
커팅 레이저빔은 편광층(80A)과 이에 대응하는 표시 패널(100)의 측면에 정밀히 조사될 수 있다. 커팅 레이저빔에 의해 절단된 편광층(80A)의 측면과 표시 패널(100)의 측면이 평탄화될 수 있다. 즉, 편광층(80A)의 측면과 표시 패널(100)의 측면 사이의 단차가 제거될 수 있다. 예를 들어, 편광층(80A)의 측면과 표시 패널(100)의 측면 사이의 단차는 100um 이하일 수 있다. 이상적으로는, 편광층(80A)의 측면과 표시 패널(100)의 측면 사이의 단차가 0이다.
종래의 기판 커팅 방식은 엣지 그라인딩(edge grinding) 방식으로 측면의 평탄화를 수행한다. 그러나, 이러한 엣지 그라인딩 방식은 시설 비용이 비싸고, 200um 이내의 단차 형성이 어려우며, 물리적 충격에 의해 패널 손상률이 비교적 높다. 그러나, 본 발명의 실시예들에 따른 커팅 레이저를 이용한 절단 및 연마 공정(S220)은 저비용으로 편광층(80A)의 측면과 표시 패널(100)의 측면 사이의 단차는 100um 이하로 줄이고, 엣지 부분의 강도를 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 편광층(80A)의 측면과 표시 패널(100)의 측면 사이의 단차가 50um 이하일 수 있다.
한편, 편광층(80A)의 절단 및 표시 패널(100)의 연마에 의해 잔여물, 흄(fume) 등의 이물질이 발생되고, 표시 패널(100)의 측면이 오염될 수 있다. 이에 따라, 흡입 장치(400)가 구비되고, 흄을 흡입하여 오염이 방지될 수 있다.
도 4에는 표시 패널(100)의 일 측면에만 레이저 커팅 공정이 수행되는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 다른 측면들에도, 레이저 커팅 및 연마 공정이 수행될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 표시 패널(100)의 측면은 플라즈마 세정 장치(500)를 이용한 상압(atmospheric pressure) 플라즈마에 의해 세정될 수 있다. 플라즈마 세정에 의해 측면에 잔존하는 유기물 등의 오염 물질이 한 차례 더 제거될 수 있다. 또한, 표시 패널(100)의 표면에 친수성 기능을 부여하여 표면 접촉각(contact angle)이 낮아질 수 있다. 이에 따라, 도전성 페이스트와 표시 패널(100)의 측면 사이의 접착력이 향상될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 표시 패널(100)의 적어도 일 측면에 도전 필름(CDF)이 부착될 수 있다. 예를 들어, 열 가압 접합 설비 등을 이용하여, 플라즈마 세정이 수행된 표시 패널(100)의 측면에 필름 또는 박막 형태의 도전 필름(CDF)이 부착(접착)될 수 있다.
제1 도전 필름(CDF1)은 표시 패널(100)의 제1 측면에 배치되고, 제2 도전 필름(CDF2)은 표시 패널(100)의 제2 측면에 배치될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 도전 필름의 배치가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 표시 패널(100)의 일 측면에 복수의 도전 필름들이 배치될 수도 있고, 표시 패널(100)의 다른 측면들에도 도전 필름이 배치될 수 있다. 이하, 제1 및 제2 도전 필름들(CDF1, CDF2)을 포괄하여 설명할 필요가 있는 경우에는 도전 필름(CDF)으로 기재하여 설명하기로 한다.
도전 필름(CDF)이 부착되는 부착 영역은 표시 패널(100)의 일 측면의 일부를 포함한다. 예를 들어, 상기 부착 영역은 각각 액정 패널(50)의 일부 및 컬러 필터(60)의 일부를 포함하는 영역일 수 있다. 또는, 상기 부착 영역은 액정 패널(50)의 일부만에 대응할 수도 있다.
상기 부착 영역은 액정 패널(50)에 형성된 복수의 연결 라인(CL)들에 접촉되도록 형성될 수 있다. 연결 라인(CL)들은 각각 박막 트랜지스터(TR), 화소 전극(42), 공통 전극(46), 및 컬러 필터(60) 중 적어도 하나에 연결될 수 있다. 또한, 연결 라인(CL)들은 각각 박막 트랜지스터(TR), 화소 전극(42), 공통 전극(46), 및 컬러 필터(60) 중 적어도 하나로부터 액정 패널(50)(또는, 표시 패널(100))의 일 측면에 대응하는 단부까지 연장될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 도전 필름들(CDF1, CDF2) 각각과 연결 라인(CL)들이 서로 접촉할 수 있다. 연결 라인(CL)들은 구리(Cu), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 및 제2 도전 필름들(CDF1, CDF2)은 높은 전기 전도도를 갖는 금속 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 및 제2 도전 필름들(CDF1, CDF2)은 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 알루미늄(Al) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다만, 이는 예시적인 것으로서, 연결 라인(CL)들 및 제1 및 제2 도전 필름들(CDF1, CDF2)에 포함되는 물질이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 8a 내지 도 8c는 도 7의 표시 장치의 제조 방법의 일 예들을 설명하기 위한 도면들이다.
도 7 내지 도 8c를 참조하면, 표시 패널(100)의 적어도 일 측면에 도전 필름(CDF)이 부착될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 온도 및 제2 압력으로 도전 필름(CDF)이 가열 및 가압되어 표시 패널(100)의 측면에 부착될 수 있다.
도 8a에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서, 바(bar) 형태의 가압 장치들(601, 602)이 제1 온도 하에서 제1 및 제2 도전 필름들(CDF1, CDF2)을 각각 표시 패널(100)의 제1 측면(SSF1) 및 제2 측면(SSF2)으로 가압할 수 있다.
제1 도전 필름(CDF1)은 롤러 형태의 제1 릴(REEL1)에 감겨 제공될 수 있다. 제1 도전 필름(CDF1)은 제1 릴(REEL1)과 제2 릴(REEL2) 사이에 연결되고, 제1 및 제2 릴들(REEL1, REEL2)의 회전에 의해 표시 패널(100)의 제1 측면(SSF1)에 대응하여 정렬될 수 있다.
제1 가압 장치(601)가 제1 온도 조건에서 제1 도전 필름(CDF1)을 표시 패널(100)의 제1 측면(SSF1)으로 제1 압력으로 가압하면, 제1 도전 필름(CDF1)은 제1 측면(SSF1)에 약한 접착도로 접착될 수 있다. 제1 가압 장치(601)는 제1 도전 필름(CDF1)에 접촉되는 가압부에 소정의 온도를 제공하는 가열부 및 바 형태의 가압부를 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 도전 필름은 제1 온도 및 제1 압력으로 표시 패널(100)의 제1 측면(SSF1)에 부착될 수 있다. 예를 들어, 제1 온도는 약 70℃이고, 제1 압력은 약 1Mpa일 수 있다. 즉, 제1 온도 및 제1 압력 상대적으로 저온 및 저압일 수 있다.
일 실시예에서, 도 8b에 도시된 바와 같이, 제1 도전 필름(CDF1)은, 표시 패널(100)의 제1 측면(SSF1)에 직접 접촉되는 도전층(CDL, 또는, 금속 필름) 및 도전층(CDL)을 보호하기 위한 베이스층(BL, 또는, 베이스 필름)이 제공될 수 있다. 도전층(CDL)은 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 알루미늄(Al) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 베이스층(BL)은 탄성을 갖는 고분자 유기물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스층(BL)은 PET 필름 등일 수 있다. 베이스층(BL)은 제1 릴(REEL)에 감겨있는 도전층(CDL)을 보호할 수 있다.
제1 가압 장치(601)를 이용하여 제1 도전 필름(CDF1)을 표시 패널(100)의 제1 측면(SSF1)에 약하게 접착하는 공정은 제1 도전 필름(CDF1)을 표시 패널(100)의 제1 측면(SSF1)에 얼라인하는 기능을 수행할 수 있다. 이에 따라, 표시 패널(100)의 제1 측면(SSF1)의 소정의 마진 범위 내에서 제1 도전 필름(CDF1)이 부착될 수 있다. 제1 도전 필름(CDF1)은 연결 라인(CL)의 일 단에 접촉될 수 있다.
제2 도전 필름(CDF2)을 제2 측면(SSF2)에 부착하는 제2 가압 장치(602) 및 부착 공정은 제1 가압 장치(601) 및 제1 도전 필름(CDF1)의 부착 공정과 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
일 실시예에서, 도 8c에 도시된 바와 같이, 롤러(roller) 형태의 가압 장치들(603, 604)이 제1 온도 하에서 제1 및 제2 도전 필름들(CDF1, CDF2)을 각각 표시 패널(100)의 제1 측면(SSF1) 및 제2 측면(SSF2)으로 제1 압력으로 가압할 수 있다. 가압 장치들(603, 604) 각각은 제1 및 제2 도전 필름들(CDF1, CDF2)을 가압하는 적어도 하나의 롤러(RL)를 포함할 수 있다. 롤러(RL)의 왕복 운동에 의해 제1 및 제2 도전 필름들(CDF1, CDF2)이 표시 패널의 제1 및 제2 측면들(SSF1, SSF2) 각각에 접촉(사전 부착)될 수 있다.
도 9 내지 도 13은 도 1의 표시 장치의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면들이다.
도 9 내지 도 13을 참조하면, 표시 장치의 제조 방법은, 베이스층(BL)을 도전층(CDL)으로부터 제거하고, 제2 온도 하에서 제2 압력으로 도전층(CDL)을 가압하여 표시 패널(100)에 접합하는 것을 더 포함할 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 표시 패널(100)의 일 측면에 부착된 베이스층(BL)은 도전층(CDL)으로부터 분리될 수 있다. 접착제 등에 의해 도전층(CDL)에 약한 접착력으로 결합된 베이스층(BL)은 도전층(CDL)으로부터 제거될 수 있다.
실시예에 따라, 박리 장치에 의해 베이스층(BL)이 도전층(CDL)으로부터 물리적으로 박리될 수 있다. 또한, 표시 패널(100)에 잔존하는 베이스층(BL)의 일부를 완전히 제거하기 위해 화학적인 방법으로 베이스층(BL)이 제거될 수 있다.
도 10a 및 도 10b에 도시된 바와 같이, 제2 온도 하에서 제2 압력으로 제1 도전층(CDL1)이 가압되어 표시 패널(100)에 접합될 수 있다. 일 실시예에서, 바 형태의 가압부(PP)를 포함하는 접합 장치(700)에 의해 제1 도전층(CDL1)이 표시 패널(100)에 강한 접합력으로 접합될 수 있다. 여기서, 제1 도전층(CDL1)은 제1 도전 필름(CDF1)에 포함되는 도전층일 수 있다.
도 10a에는 제1 도전층(CDL1)을 표시 패널(100)에 접합하는 접합 장치(700)만이 도시되었으나, 제2 도전층(CDL2)은 접합 장치(700) 또는 또 다른 접합 장치에 의해 표시 패널(100)의 다른 측면에 접합될 수 있다.
이하, 제1 및 제2 도전층들(CDL1, CDL2)을 포괄하여 설명할 필요가 있는 경우에는 도전층(CDL)으로 기재하여 설명하기로 한다.
접합 장치(700)는 바 형태의 가압부(PP) 및 가압부(PP)를 가열시키는 가열부(HP)를 포함할 수 있다. 가열부(HP)는 가압부(PP)를 제2 온도로 가열하며, 가압부(PP)는 제2 압력으로 기 설정된 시간 동안 제1 도전층(CDL1)을 가압할 수 있다. 실시예에 따라, 제2 온도는 제1 온도보다 높고, 제2 압력은 제1 압력보다 높을 수 있다. 예를 들어, 제2 온도는 약 180℃ 이상이고, 제2 압력은 약 4Mpa 이상일 수 있다. 즉, 접합 장치(700)는 상대적으로 고온 및 고압 조건으로 제1 도전층(CDL1)을 표시 패널(100)에 접합할 수 있다. 이에 따라, 제1 도전층(CDL1)과 이에 접촉되는 연결 라인(CL) 사이의 접합력이 크게 향상되고, 제1 도전층(CDL1)의 평탄도가 개선될 수 있다.
일 실시예에서, 접합 장치(700)는 제1 도전층(CDL1)의 평탄도를 개선하기 위한 본딩 시트(BS)를 더 포함할 수 있다. 본딩 시트(BS)는 탄성 및 내열성을 갖는 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 본딩 시트(BS)는 실리콘, 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE,　Polytetrafluoroethylene) 등을 포함할 수 있다.
본딩 시트(BS)는 제1 도전층(CDL1)에 완전히 밀착되고, 제1 도전층(CDL1)에 가해지는 압력이 골고루 분산될 수 있다. 따라서, 제1 도전층(CDL1)의 평탄도가 향상되고 두께가 균일해질 수 있다. 또한, 본딩 시트(BS)는 가압부(PP)를 포함하는 접합 장치(700)와의 접촉에 의해 제1 도전층(CDL1)의 적어도 일부가 표시 패널(100)로부터 분리(이탈)되는 것을 방지할 수 있다.
도 10a 및 도 10b에는 본딩 시트(BS)가 접합 장치(700)의 가압부(PP)를 둘러싸는 것으로 도시되었으나, 본딩 시트(BS)는 가압부(PP)와 분리되어 배치될 수도 있다. 이 경우, 가압부(PP)가 제1 도전층(CDL1)을 누를 때에만 본딩 시트(BS)의 일 면이 제1 도전층(CDL1)과 접촉되고 본딩 시트(BS)의 타 면이 가압부(PP)와 접촉될 수 있다.
제2 도전 필름(CDF2)의 제2 도전층(CDL2)은 제1 도전층(CDL1)의 형성 방법과 실질적으로 동일한 방법으로 형성되므로, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
일 실시예에서, 표시 패널(100)의 측면에 도전 필름(CDF)을 부착하는 공정에, 도 7 내지 도 9의 공정이 생략될 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(100)의 측면에 도전층(CDL) 제2 온도 및 제2 압력 조건으로 한번에 접합될 수 있다. 이에 따라, 제조 공정이 단순화될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 두께가 균일한 도전 필름(CDF)(즉, 도전층(CDL))을 표시 패널(100)의 측면에 고온 및 고압으로 접합함으로써, 표시 패널(100)의 연결 라인(CL)과 도전층(CDL) 사이의 접합력 및 밀착도가 향상되고 도전층(CDL)의 평탄도가 개선될 수 있다. 따라서, 측면 본딩이 적용되는 표시 장치(1000)의 표시 패널(100)과 구동 회로(200) 사이의 전기적 접속이 개선되어 공정 신뢰성이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 균일한 두께 및 면적의 도전 필름(CDF)을 압착하는 방식으로 표시 패널(100)의 측면에 형성함으로써, 공정 속도가 빨라지고, 수율이 개선될 수 있다.
도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 패터닝 레이저빔(또는, 제2 레이저빔)에 의해 도전 필름(CDF, 이하, 도전층(CDL))이 패터닝(S400)될 수 있다. 일 실시예에서, 패터닝 레이저빔은 적외선 영역의 파장을 가지며, 도전층(CDL)을 식각할 수 있다. 패터닝 레이저빔은 측면 도전 패턴(CP)들 사이의 약 20um 이하의 간격까지 패터닝을 수행할 수 있다.
레이저 패터닝에 의해 복수의 측면 도전 패턴(CP)들이 형성될 수 있다. 측면 도전 패턴(CP)들 각각은 연결 라인(CL)들 각각에 전기적으로 연결될 수 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 연결 라인(CL)의 일 측부가 측면 도전 패턴(CP)에 접속됨으로써 연결 라인(CL)과 측면 도전 패턴(CP)이 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 연결 라인(CL)과 측면 도전 패턴(CP)은 서로 다른 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 연결 라인(CL)은 구리 또는 알루미늄 합금을 포함하고, 측면 도전 패턴(CP)은 은을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 측면 도전 패턴(CP)들 사이의 간격(D1)은 약 30um 이하까지 설정될 수 있다. 예를 들어, 레이저 패터닝 공정은 full HD 해상도에 대응하여 측면 도전 패턴(CP)들 사이의 간격(D1)을 약 150um로 패터닝 할 수 있고, UHD, 4k UHD 해상도에 대응하여 측면 도전 패턴(CP)들 사이의 간격(D1)을 약 50um로 패터닝 할 수도 있다. 또한, 레이저 패터닝 공정은 8k UHD 이상의 해상도에 대응하여 측면 도전 패턴(CP)들 사이의 간격(D1)을 약 25um로 패터닝 할 수도 있다. 즉, 표시 패널(100)에 형성된 화소들(또는 연결 라인(CL)들) 사이의 간격, 개수 등에 대응하여 측면 도전 패턴(CP)들 사이의 간격이 비교적 용이하게 제어될 수 있다.
일 실시예에서, 측면 도전 패턴(CP) 각각의 가로 폭(D2)은 약 2um 내지 4um 범위 내일 수 있다. 일 실시예에서, 측면 도전 패턴(CP) 각각의 세로 폭(L1, 종 방향으로의 길이)은 약 500um 내지 약 900um 범위 내일 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 측면 도전 패턴(CP)의 세로 폭(L1)은 표시 패널(100)의 세로 폭보다 작다.
레이저 패터닝에 의해 측면 도전 패턴(CP) 이외의 도전 필름(CDF)이 부착되었던 영역의 도전 필름(CDF)의 일부는 제거될 수 있다. 또한, 레이저 패터닝에 의해 매우 조밀한 간격을 갖는 측면 도전 패턴(CP)들의 경계가 명확히 구분될 수 있다. 이와 같은 측면 도전 패턴(CP) 형성을 위한 레이저 패터닝은 별도의 지그(jig) 비용이 발생되지 않으며, 도전 패턴의 정밀 가공이 가능하고, 생산 비용이 크게 절감될 수 있다. 또한, FHD, UHD, 4k UHD, 8k UHD 등의 다양한 고해상도 표시 장치 제조에 효과적으로 이용될 수 있다.
한편, 레이저 패터닝에 의해 도전 필름(CDF)이 제거된 부분과 도전 필름(CDF)이 부착되지 않은 부분 사이에는 색상 차가 존재할 수 있다. 또한, 도전 필름(CDF)이 제거된 부분은 도통되지 않는다.
도 13에 도시된 바와 같이, 측면 도전 패턴(CP)들에 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film; ACF)이 부착되고, 구동 회로(200) 및 인쇄 회로 기판(Printed circuit board)이 측면 도전 패턴(CP)들에 전기적으로 연결(S500) 될 수 있다(예를 들어, OLB(outer lead bonding) 공정).
일 실시예에서, 소정의 간격마다 복수의 이방성 도전 필름(ACF)들이 표시 패널(100)의 일 측에 부착될 수 있다. 이와 같이, 표시 패널(100)은 측면 본딩을 통해 구동 회로(200)와 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 이방성 도전 필름(ACF), 인쇄 회로 기판 등이 표시 패널(100)의 상면에 배치(또는 접합)되지 않는다.
각각의 이방성 도전 필름(ACF)의 제1 부분에는 측면 도전 패턴(CP)들이 부착될 수 있다. 각각의 이방성 도전 필름(ACF)의 제2 부분에는 도전 라인들을 포함하는 도전 필름(CF) 및 구동 회로(200)가 부착될 수 있다. 구동 회로(200)는 타이밍 제어부(220), 게이트 구동부(240), 및 데이터 구동부(260) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 타이밍 제어부(220), 게이트 구동부(240), 및 데이터 구동부(260)는 구동 IC(integrated circuit) 칩, 집적 회로 등으로 구현될 수 있다.
다만, 이는 예시적인 것으로서, 구동 회로(200)의 형태 및 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 타이밍 제어부(220), 게이트 구동부(240), 및 데이터 구동부(260) 중 적어도 하나는 표시 패널(100) 내에 집적될 수도 있다.
구동 회로(200)는 PCB 등을 통해 외부의 제어 장치, 프로세서 등과 전기적으로 연결될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(1000) 및 이의 제조 방법은 레이저 절단 및 연마에 의해 표시 패널(100)과 편광층(80) 사이의 단차가 제거됨으로써 OLB 공정을 위한 베젤의 폭이 크게 절감될 수 있다. 이와 함께, 초미세 레이저 패터닝에 의해 측면 도전 패턴(CP)들이 정밀하게 형성됨으로써 UHD 이상의 초고해상도 대형 디스플레이가 구현될 수 있다.
또한, 두께 및 면적이 균일한 도전 필름(CDF)(즉, 도전층(CDL))이 표시 패널(100)의 측면에 고온 및 고압으로 접합됨으로써, 표시 패널(100)의 연결 라인(CL)과 도전층(CDL) 사이의 접합력 및 밀착도가 향상되고 도전층(CDL)의 평탄도가 개선될 수 있다. 따라서, 측면 본딩이 적용되는 표시 장치(1000)의 표시 패널(100)과 구동 회로(200) 사이의 전기적 접속이 개선되어 공정 신뢰성이 향상될 수 있다.
나아가, 두께 및 면적이 균일한 도전 필름(CDF)(즉, 도전층(CDL))을 표시 패널(100)의 측면에 고온 및 고압으로 접합하는 표시 장치의 제조 방법으로 인해, 공정 속도 및 수율이 개선될 수 있다.
도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법의 일 예를 나타내는 순서도이고, 도 15는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 일 예를 나타내는 블록도이다.
도 14 및 도 15에서는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 구성 요소들에 대해 동일한 참조 부호들을 사용하며, 이러한 구성 요소들에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 또한, 도 15의 표시 장치(1001)는 액정 표시 장치가 아닌 것을 제외하면, 도 2의 표시 장치(1000)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 표시 장치(1000)는 표시 패널(100) 및 구동 회로(200)를 포함할 수 있다.
도 14에 도시된 바와 같이, 표시 패널(100)에는, 제1 방향으로 연장된 복수의 게이트 라인들(GL) 및 복수의 발광 제어 라인들(EL)이 포함될 수 있다. 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 복수의 데이터 라인들(DL)이 표시 패널(100)에 배치될 수 있다.
표시 패널(100)의 각 화소(PX)는 적어도 하나의 박막 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 및 자발광 소자를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 자발광 소자는 유기 발광 다이오드 또는 무기 발광 소자일 수 있다.
구동 회로(200)는 타이밍 제어부(220), 게이트 구동부(240), 데이터 구동부(260), 및 발광 구동부(280)를 포함할 수 있다.
타이밍 제어부(220)는 제어 신호에 응답하여 발광 구동부(280)를 제어하기 위한 발광 구동 제어 신호(ECS)를 생성할 수 있다.
발광 구동부(280)는 타이밍 제어부(220)로부터 공급되는 발광 구동 제어 신호(ECS)에 응답하여 발광 제어 라인들(EL)을 순차적으로 선택하고, 선택된 발광 제어 라인에 턴-온(turn-on) 전압을 출력할 수 있다.
턴-온(turn-on) 전압에 의해 해당 발광 제어 라인에 연결된 화소는 발광할 수 있다.
실시예에 따라, 표시 장치(1000)는 편광층, 백라이트 등을 포함하지 않는다.
도 14에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은, 박막 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하는 화소(PX)가 제공되는 표시 패널(100)의 적어도 일 측면에 도전 필름을 부착(S320, S340, S360을 포함함)하고, 패터닝 레이저빔을 이용하여 부착된 도전 필름을 패터닝하여 화소(PX)에 전기적으로 연결되는 복수의 측면 도전 패턴들을 형성(S400)하며, 측면 도전 패턴들에 이방성 도전 필름을 부착하여 구동 회로(200)를 측면 도전 패턴들에 전기적으로 연결(S500)하는 것을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 표시 패널(100)의 측면에 도전 필름을 부착하는 방법은, 도전 필름을 구성하는 도전층 및 도전층 상의 베이스층을 제1 온도 하에서 제1 압력으로 가압하여, 도전 필름을 상기 표시 패널의 상기 측면에 접촉(S320)시키고, 베이스층을 도전층으로부터 제거(S340)하며, 도전층을 제2 온도 하에서 제2 압력으로 가압하여 표시 패널의 측면에 완전히 접합(S360)하는 것을 포함할 수 있다. 상기 S320 내지 S360의 제조 방법은 도 7 내지 도 10b를 참조하여 상술하였으므로, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
측면 도전 패턴들을 형성(S400)하고, 구동 회로(200)를 측면 도전 패턴들에 전기적으로 연결(S500)하는 방법은 도 11 내지 도 13을 참조하여 상술하였으므로, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은 액정 표시 장치뿐만 아니라 유기 발광 표시 장치 등의 다양한 표시 장치에 적용될 수 있다.
도 16은 도 1의 표시 장치의 제조 방법을 수행하는 설비를 간략히 나타내는 도면이다.
도 1 내지 도 12 및 도 16을 참조하면, 표시 장치의 제조 방법은 인-라인(In-line) 공정으로 수행될 수 있다. 즉, 표시 패널(100)을 로딩(loading)하는 공정에서부터 측면 도전 패턴(CP) 패터닝, OLB 공정, 및 언로딩(unloading) 공정까지 일괄적으로 자동 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 본 발명의 표시 장치(1000)를 제조하는 제조 설비는 레이저 커팅 장치(300), 플라즈마 세정 장치(500), 제1 부착 장치(600, 또는 가압 장치), 제2 부착 장치(700), 및 레이저 패터닝 장치(800)를 포함할 수 있다. 또한, 제조 설비는 편광층(80)과 표시 패널(100)을 합착하는 가압 장치(autoclave)를 더 포함할 수 있다.
표시 패널(100)은 반송 라인을 따라 표시 패널(100)의 상면에 평행한 방향으로 반송될 수 있다. 표시 패널(100)의 반송에 따라, 편광층(80A) 부착(S100), 편광층(80A)을 절단(S200) 표시 패널(100)의 측면 세정, 도전 필름(CDF)을 표시 패널(100)의 측면에 부착(S300), 및 도전 필름(CDF)을 측면 도전 패턴(CP)들로 패터닝(S400)하는 단계들이 순차적으로 수행될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 및 이의 제조 방법은 레이저 절단 및 연마에 의해 표시 패널과 편광층 사이의 단차가 제거됨으로써 측면 OLB 공정을 위한 베젤의 폭이 크게 절감(제로-베젤이 구현)될 수 있다. 이와 함께, 초미세 레이저 패터닝에 의해 측면 도전 패턴들이 정밀하게 형성됨으로써 UHD 해상도 이상의 초고해상도 대형 디스플레이가 구현될 수 있다.
또한, 두께 및 면적이 균일한 도전 필름(즉, 도전층)이 표시 패널의 측면에 고온 및 고압으로 접합됨으로써, 표시 패널의 연결 라인과 측면 도전 패턴 사이의 접합력 및 밀착도가 향상되고 측면 도전 패턴의 평탄도가 개선될 수 있다. 따라서, 측면 본딩이 적용되는 표시 장치(1000)의 표시 패널(100)과 구동 회로(200) 사이의 전기적 접속이 개선되어 공정 신뢰성이 향상될 수 있다.
나아가, 두께 및 면적이 균일한 도전 필름(즉, 도전층)을 표시 패널(100)의 측면에 고온 및 고압으로 접합하는 표시 장치의 제조 방법으로 인해, 공정 속도 및 수율이 개선될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
50: 액정 패널 80, 90: 편광층
100: 표시 패널 200: 구동 회로
220: 타이밍 제어부 240: 게이트 구동부
260: 데이터 구동부 1000, 1001: 표시 장치
CDF: 도전 필름 CP: 측면 도전 패턴
CDL: 도전층 BL: 베이스층

Claims (20)

  1. 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성된 표시 패널의 일 면에 편광층을 배치하는 단계;
    상기 편광층의 측면과 상기 표시 패널의 측면 사이의 단차가 기 설정된 값 이하를 갖도록 제1 레이저빔을 이용하여 상기 편광층을 절단하는 단계;
    상기 표시 패널의 상기 측면에 도전 필름을 부착하는 단계; 및
    제2 레이저빔을 이용하여 상기 도전 필름을 패터닝하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 도전 필름을 부착하는 단계는,
    상기 도전 필름을 구성하는 도전층 및 상기 도전층 상의 베이스층을 제1 온도 하에서 제1 압력으로 가압하여, 상기 도전 필름을 상기 표시 패널의 상기 측면에 접촉시키는 단계;
    상기 베이스층을 상기 도전층으로부터 제거하는 단계; 및
    상기 도전층을 제2 온도 하에서 제2 압력으로 가압하여 상기 표시 패널의 상기 측면에 접합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 상대적으로 높은 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 제2 압력은 상기 제1 압력보다 상대적으로 높은 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 도전층은, 상기 제2 온도로 가열되는 가열부 및 상기 제2 압력으로 상기 도전 필름을 가압하는 바(bar) 형태의 가압부를 포함하는 접합 장치에 의해 상기 표시 패널의 상기 측면에 접합되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제 2 항에 있어서, 롤러(roller) 또는 바(bar) 형태의 가압 장치가 상기 제1 온도 하에서 상기 제1 압력으로 상기 도전 필름을 가압하여 상기 표시 패널에 상기 측면에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제 3 항에 있어서, 상기 도전층은 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 알루미늄(Al) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 표시 패널의 상기 측면에 도전 필름을 부착하는 단계는, 상기 도전 필름을 기 설정된 온도 및 기 설정된 압력 조건으로 상기 표시 패널의 상기 측면에 접합시키는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 표시 패널은,
    상기 화소 전극 상에 배치되는 공통 전극; 및
    상기 공통 전극 상에 배치되는 컬러 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 도전 필름을 패터닝하는 단계는, 상기 박막 트랜지스터, 상기 화소 전극, 상기 공통 전극, 및 상기 컬러 필터 중 적어도 하나에 각각 전기적으로 연결되는 복수의 측면 도전 패턴들을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 측면 도전 패턴들 사이의 간격은 30um 이하인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 측면 도전 패턴들에 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film; ACF)을 부착하여 구동 회로 및 인쇄 회로 기판(Printed circuit board; PCB)을 상기 측면 도전 패턴들에 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 편광층을 절단하는 단계는,
    상기 편광층을 절단하면서 상기 절단에 의해 생성되는 불순물을 흡입하는 단계; 및
    상기 표시 패널의 상기 측면을 상압(atmospheric pressure) 플라즈마 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 표시 패널은 기 설정된 반송(搬送) 라인을 따라 상기 표시 패널의 상기 일 면에 평행한 방향으로 반송되며,
    상기 표시 패널의 반송에 따라 상기 편광층을 부착하는 단계, 상기 편광층을 절단하는 단계, 상기 도전 필름을 부착하는 단계, 및 상기 도전 필름을 패터닝하는 단계가 순차적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  15. 박막 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하는 화소가 제공되는 표시 패널의 적어도 일 측면에 도전 필름을 부착하는 단계;
    레이저빔을 이용하여 상기 부착된 도전 필름을 패터닝하여 상기 화소에 전기적으로 연결되는 복수의 측면 도전 패턴들을 형성하는 단계; 및
    상기 측면 도전 패턴들에 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film; ACF)을 부착하여 구동 회로를 상기 측면 도전 패턴들에 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 도전 필름을 부착하는 단계는,
    상기 도전 필름을 구성하는 도전층 및 상기 도전층 상의 베이스층을 제1 온도 하에서 제1 압력으로 가압하여, 상기 도전 필름을 상기 표시 패널의 상기 측면에 접촉시키는 단계;
    상기 베이스층을 상기 도전층으로부터 제거하는 단계; 및
    상기 도전층을 제2 온도 하에서 제2 압력으로 가압하여 상기 표시 패널의 상기 측면에 완전히 접합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 제2 온도는 상기 제1 온도보다 높고,
    상기 제2 압력은 상기 제1 압력보다 높은 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 각각 정의되는 복수의 화소들, 및 상기 화소들에 연결되는 연결 라인들을 포함하는 표시 패널; 및
    상기 연결 라인들을 통해 상기 표시 패널에 전기적으로 연결되는 구동 회로를 포함하고,
    상기 표시 패널의 적어도 일 측면에 대응하는 본딩(bonding) 측면에는 상기 화소들과 상기 구동 회로를 전기적으로 연결하는 복수의 측면 도전 패턴들이 형성되며,
    상기 연결 라인들과 상기 측면 도전 패턴들은 상기 표시 패널의 상기 적어도 일 측면에 대응하는 단부에서 각각 접합되고,
    상기 연결 라인들과 상기 측면 도전 패턴들은 서로 다른 도전 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 측면 도전 패턴들에 부착되는 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film; ACF)을 더 포함하고,
    상기 이방성 도전 필름의 제1 부분은 상기 측면 도전 패턴들에 부착되고, 상기 구동 회로는 상기 이방성 도전 필름의 제2 부분에 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제 18 항에 있어서, 상기 측면 도전 패턴들 사이의 간격은 30um 이하인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
KR1020190031285A 2019-03-19 2019-03-19 표시 장치 및 이의 제조 방법 KR102608963B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190031285A KR102608963B1 (ko) 2019-03-19 2019-03-19 표시 장치 및 이의 제조 방법
US16/819,569 US11385495B2 (en) 2019-03-19 2020-03-16 Display device and method of manufacturing the same
CN202010190033.2A CN111722428A (zh) 2019-03-19 2020-03-18 制造显示设备的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190031285A KR102608963B1 (ko) 2019-03-19 2019-03-19 표시 장치 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200111862A true KR20200111862A (ko) 2020-10-05
KR102608963B1 KR102608963B1 (ko) 2023-12-05

Family

ID=72514056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190031285A KR102608963B1 (ko) 2019-03-19 2019-03-19 표시 장치 및 이의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11385495B2 (ko)
KR (1) KR102608963B1 (ko)
CN (1) CN111722428A (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200021577A (ko) 2018-08-20 2020-03-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN114815407A (zh) * 2021-01-28 2022-07-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110109829A1 (en) * 2009-11-10 2011-05-12 Mathew Dinesh C Methods for fabricating display structures
KR20150096691A (ko) * 2012-12-18 2015-08-25 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 광학 표시 디바이스의 생산 방법 및 광학 표시 디바이스의 생산 시스템
KR20170005341A (ko) * 2015-07-03 2017-01-12 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20170034188A (ko) * 2015-09-18 2017-03-28 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20170125187A (ko) * 2016-05-03 2017-11-14 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20180019478A (ko) * 2016-08-16 2018-02-26 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 압착 장치
KR20180023109A (ko) * 2016-08-23 2018-03-07 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20180028096A (ko) * 2016-09-07 2018-03-16 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100472356B1 (ko) 1998-05-25 2005-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치및그제조방법
TWI313368B (en) * 2005-06-03 2009-08-11 Chi Mei Optoelectronics Corp Method of manufacturing liquid crystal display
US8994042B2 (en) * 2013-05-20 2015-03-31 Lg Electronics Inc. Display panel and display device
KR102313861B1 (ko) 2014-09-03 2021-10-18 엘지디스플레이 주식회사 웨어러블 디바이스
JP2017211420A (ja) * 2016-05-23 2017-11-30 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR20180070783A (ko) 2016-12-16 2018-06-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102329830B1 (ko) * 2017-01-10 2021-11-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN109426018A (zh) * 2017-08-22 2019-03-05 京东方科技集团股份有限公司 基板及其制造方法、显示面板、拼接屏
KR20200021577A (ko) 2018-08-20 2020-03-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110109829A1 (en) * 2009-11-10 2011-05-12 Mathew Dinesh C Methods for fabricating display structures
KR20150096691A (ko) * 2012-12-18 2015-08-25 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 광학 표시 디바이스의 생산 방법 및 광학 표시 디바이스의 생산 시스템
KR20170005341A (ko) * 2015-07-03 2017-01-12 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20170034188A (ko) * 2015-09-18 2017-03-28 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20170125187A (ko) * 2016-05-03 2017-11-14 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20180019478A (ko) * 2016-08-16 2018-02-26 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 압착 장치
KR20180023109A (ko) * 2016-08-23 2018-03-07 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20180028096A (ko) * 2016-09-07 2018-03-16 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN111722428A (zh) 2020-09-29
KR102608963B1 (ko) 2023-12-05
US20200301201A1 (en) 2020-09-24
US11385495B2 (en) 2022-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7324031B2 (ja) 表示装置及びその製造方法
KR101011482B1 (ko) 디스플레이 패널의 인라인 컷팅 시스템 및 이를 이용한디스플레이 패널 제조방법
US6281038B1 (en) Methods for forming assemblies
US7282385B2 (en) Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus
US20040218127A1 (en) Display device, electronic apparatus, and method of manufacturing display device
JP2008201629A (ja) 電気光学装置の製造方法、基板の分断方法、及び、基板分断装置
JP2007004116A (ja) 液晶パネル切断システム及びこれを利用した液晶表示素子の製造方法
US11385495B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
US10620483B2 (en) Method of producing liquid crystal panel
US8154704B2 (en) Liquid crystal display and method for repairing the same
JP2017151347A (ja) 表示装置
JP5285336B2 (ja) 表示素子の製造方法
US20120069509A1 (en) Method for fabricating display panel
JP2010164653A (ja) 表示パネル
KR100947430B1 (ko) 표시 패널 제조를 위한 모듈공정 자동화 장치
JP2005266755A (ja) 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
JP3943356B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
KR101054820B1 (ko) 플라스틱 기판을 이용한 액정표시장치의 제조 방법
CN115397107A (zh) 显示装置制造装置和显示装置制造方法
JP3566181B2 (ja) 電子部品の製造方法
JP2010175615A (ja) 表示装置及びその製造方法並びに検査装置
JP2004271820A (ja) 基板保持方法、基板保持具、デバイス製造方法、デバイス製造装置及び電気光学装置並びに電子機器
JP2007033977A (ja) 液晶表示装置の製造方法
JP2000171780A (ja) 液晶表示装置の製造方法および製造装置
JPH04145377A (ja) 表示パネルの検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant