KR20200106445A - 검사 장치에서의 클리닝 방법 및 검사 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 검사 장치 내의 적재대뿐만 아니라, 프로브의 클리닝도 가능하게 한다. 피검사체에 형성된 피검사 디바이스의 전기적 특성 검사를 행하는 검사 장치에서의 클리닝 방법이며, 상기 전기적 특성 검사 시에 상기 피검사 디바이스에 접촉하는 프로브를 갖는 프로브 카드와 대향하는 위치에, 상기 피검사체가 적재되는 적재대를 반송하는 반송 공정과, 이어서, 상기 프로브 카드와 당해 프로브 카드에 대향하는 상기 적재대의 사이의 공간을 배기해서 감압하는 박리 준비 공정과, 감압된 상기 공간에 기체를 도입하여, 상기 적재대의 표면과 상기 프로브에 부착된 이물을 박리하는 이물 박리 공정과, 상기 공간에의 상기 기체의 도입을 유지하면서, 당해 공간을 배기하여, 상기 이물을 배출하는 이물 배출 공정을 갖는다.

Description

검사 장치에서의 클리닝 방법 및 검사 장치{CLEANING METHOD IN INSPECTION APPARATUS, AND THE INSPECTION APPARATUS}
본 개시는, 검사 장치에서의 클리닝 방법 및 검사 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1의 클리닝 방법은, 기판을 적재하는 스테이지의 표면을, 당해 스테이지에 적재된 클리닝 웨이퍼로 클리닝하는 방법이다. 이 방법에서는, 스테이지의 표면에 가스 공급구 및 가스 배출구가 마련되어 있고, 클리닝 웨이퍼가, 판형을 이루는 본체와, 해당 본체에 마련되고, 가스 공급구로부터 가스가 공급되고, 공급된 가스를 가스 배출구에 배출하는 흡배기 경로를 갖고 있다. 그리고, 흡배기 경로에의 가스 공급 및 흡배기 경로로부터의 가스 배출을 이용해서 스테이지의 표면에 부착되는 진애를 제거한다.
일본 특허 공개 제2018-157131호 공보
본 개시에 따른 기술은, 검사 장치 내의 적재대뿐만 아니라, 프로브의 클리닝도 가능하게 한다.
본 개시의 일 형태는, 피검사체에 형성된 피검사 디바이스의 전기적 특성 검사를 행하는 검사 장치에서의 클리닝 방법이며, 상기 전기적 특성 검사 시에 상기 피검사 디바이스에 접촉하는 프로브를 갖는 프로브 카드와 대향하는 위치에, 상기 피검사체가 적재되는 적재대를 반송하는 반송 공정과, 이어서, 상기 프로브 카드와 당해 프로브 카드에 대향하는 상기 적재대의 사이의 공간을 배기해서 감압하는 박리 준비 공정과, 감압된 상기 공간에 기체를 도입하여, 상기 적재대의 표면과 상기 프로브에 부착된 이물을 박리하는 이물 박리 공정과, 상기 공간에의 상기 기체의 도입을 유지하면서, 당해 공간을 배기하여, 상기 이물을 배출하는 이물 배출 공정을 갖는다.
본 개시에 의하면, 검사 장치 내의 적재대뿐만 아니라, 프로브의 클리닝도 행할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 관한 검사 장치의 구성의 개략을 나타내는 상면 횡단면도이다.
도 2는 제1 실시 형태에 관한 검사 장치의 구성의 개략을 나타내는 정면 종단면도이다.
도 3은 각 분할 영역 내의 구성을 나타내는 정면 종단면도이다.
도 4는 도 3의 부분 확대도이다.
도 5는 척 톱의 측면도이다.
도 6은 척 톱의 부분 확대 단면도이다.
도 7은 척 톱의 상면도이다.
도 8은 제1 실시 형태에 관한, 검사 장치에서의 클리닝 처리의 일례를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 9는 클리닝 처리 시의 검사 공간 내의 압력의 시간 변화를 도시하는 도면이다.
도 10은 제2 실시 형태에 관한, 검사 장치에서의 클리닝 처리에 사용되는 기체 공급 기구의 설명도이다.
도 11은 척 톱의 다른 예를 설명하는 측면도이다.
도 12는 척 톱의 또 다른 예를 설명하는 측면도이다.
반도체 제조 프로세스에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 상에 소정의 회로 패턴을 갖는 다수의 반도체 디바이스가 형성된다. 형성된 반도체 디바이스는, 전기적 특성 등의 검사가 행하여져, 양품과 불량품으로 선별된다. 반도체 디바이스의 검사는, 예를 들어 각 반도체 디바이스로 분할되기 전의 웨이퍼 상태에서, 프로버 등으로 칭해지는 검사 장치를 사용해서 행하여진다.
검사 장치는, 웨이퍼가 적재되는 적재대와, 다수의 프로브를 갖는 프로브 카드를 갖고, 프로브 카드는, 적재대에 적재된 웨이퍼의 상방에 마련되어 있다. 전기적 특성의 검사 시에는 먼저, 프로브 카드와 웨이퍼가 가까워져, 웨이퍼에 형성되어 있는 반도체 디바이스의 각 전극에 프로브 카드의 프로브가 접촉한다. 이 상태에서, 프로브 카드의 상부에 마련된 테스트 헤드로부터 각 프로브를 통해서 반도체 디바이스에 전기 신호가 공급된다. 그리고, 각 프로브를 통해서 반도체 디바이스로부터 테스트 헤드가 수신한 전기 신호에 기초하여, 당해 반도체 디바이스가 불량품인지 여부가 선별된다.
또한, 근년의 검사 장치에서는, 고온이나 저온에서의 전자 디바이스의 전기적 특성 검사를 행할 수 있도록, 웨이퍼가 적재되는 적재대에, 가열 수단이나 냉각 수단이 마련되어 있는 것도 있다.
근년에는, 반도체 디바이스의 전기적 특성을 검사할 때, 당해 반도체 디바이스의 실장 환경을 재현하기 위해서, 적재대 내의 냉매 유로나 히터에 의해 적재대의 온도를 조정하고, 이에 의해, 적재대에 적재된 웨이퍼의 온도를 조정하는 경우가 있다.
상술한 바와 같은 검사 장치에서는, 적재대 상에 이물이 있으면 문제가 된다. 예를 들어, 웨이퍼의 온도 조정이 필요한 경우에 있어서, 적재대 상에 이물이 있으면, 적재대로부터 웨이퍼로의 열전도가 저해되기 때문에, 웨이퍼를 원하는 온도로 할 수 없다. 또한, 적재대 상에 이물이 있으면, 웨이퍼가 휘어버리는 경우가 있다. 따라서, 검사 장치의 적재대는 소정의 타이밍에 클리닝할 필요가 있다.
특허문헌 1에는, 웨이퍼가 적재되는 스테이지에 적재된 클리닝 웨이퍼를 사용해서 스테이지를 클리닝하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법에서는, 스테이지의 표면에 가스 공급구 및 가스 배출구가 마련되어 있고, 클리닝 웨이퍼가, 판형을 이루는 본체와, 해당 본체에 마련되고, 가스 공급구로부터 가스가 공급되고, 공급된 가스를 가스 배출구에 배출하는 흡배기 경로를 갖고 있다. 그리고, 흡배기 경로에의 가스 공급 및 흡배기 경로로부터의 가스 배출로 스테이지의 표면에 부착되는 진애를 제거하고 있다. 즉, 스테이지에 적재되어 당해 스테이지에 마련된 가스 공급구 및 가스 배출구를 이용하는 클리닝 웨이퍼를 사용하여, 스테이지를 클리닝하고 있다.
그런데, 검사 시에, 프로브의 클리닝도 필요해진다. 프로브에 부착된 이물은, 도통 불량 등의 검사 품질을 저하시키는 요인이 되기 때문이다.
그래서, 본 개시에 따른 기술은, 검사 장치 내의 적재대뿐만 아니라 프로브의 클리닝도 가능하게 한다.
이하, 본 실시 형태에 관한 검사 장치 및 검사 방법에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 있어서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
(제1 실시 형태)
도 1 및 도 2는 각각, 제1 실시 형태에 관한 검사 장치의 구성의 개략을 나타내는 상면 횡단면도 및 정면 종단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 검사 장치(1)는, 하우징(10)을 갖고, 해당 하우징(10)에는, 반출입 영역(11), 반송 영역(12), 검사 영역(13)이 마련되어 있다. 반출입 영역(11)은, 검사 장치(1)에 대하여 피검사체로서의 웨이퍼(W)의 반출입이 행하여지는 영역이다. 반송 영역(12)은, 반출입 영역(11)과 검사 영역(13)을 접속하는 영역이다. 또한, 검사 영역(13)은, 웨이퍼(W)에 형성된 피검사 디바이스로서의 반도체 디바이스의 전기적 특성 검사가 행하여지는 영역이다.
반출입 영역(11)에는, 복수의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)를 수용하는 포트(20), 후술하는 프로브 카드를 수용하는 로더(21), 검사 장치(1)의 각 구성 요소를 제어하는 제어부(22)가 마련되어 있다. 제어부(22)는, 예를 들어 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되고, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 검사 장치(1)에서의 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 당해 기억 매체로부터 제어부(22)에 인스톨된 것이어도 된다. 프로그램의 일부 또는 모두는 전용 하드웨어(회로 기판)로 실현해도 된다.
반송 영역(12)에는, 웨이퍼(W) 등을 보유 지지한 상태에서 자유롭게 이동 가능한 반송 장치(30)가 배치되어 있다. 이 반송 장치(30)는, 반출입 영역(11)의 포트(20) 내의 카세트(C)와, 검사 영역(13)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 또한, 반송 장치(30)는, 검사 영역(13) 내의 후술하는 포고 프레임에 고정된 프로브 카드 중 메인터넌스를 필요로 하는 것을 반출입 영역(11)의 로더(21)에 반송한다. 또한, 반송 장치(30)는, 신규의 또는 메인터넌스 완료된 프로브 카드를 로더(21)로부터 검사 영역(13) 내의 상기 포고 프레임에 반송한다.
검사 영역(13)은, 테스터(40)가 복수 마련되어 있다. 구체적으로는, 검사 영역(13)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 연직 방향으로 3개로 분할되고, 각 분할 영역(13a)에는, 수평 방향(도면의 X 방향)으로 배열된 4개의 테스터(40)로 이루어지는 테스터 열이 마련되어 있다. 또한, 각 분할 영역(13a)에는, 하나의 얼라이너(50)와, 하나의 카메라(60)가 마련되어 있다. 또한, 테스터(40), 얼라이너(50), 카메라(60)의 수나 배치는 임의로 선택할 수 있다.
테스터(40)는, 전기적 특성 검사용 전기 신호를 웨이퍼(W)와의 사이에서 송수하는 것이다.
얼라이너(50)는, 웨이퍼(W)가 적재되어 당해 웨이퍼(W)를 흡착 등에 의해 보유 지지하는 적재대로서의 척 톱(51)을 이동시키는 것이며, 테스터(40)의 하방의 영역 내를 이동 가능하게 마련되어 있다. 구체적으로는, 얼라이너(50)는, 척 톱(51)을 보유 지지한 상태에서, 상하 방향(도면의 Z 방향), 전후 방향(도면의 Y 방향) 및 좌우 방향(도면의 X 방향)으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 따라서, 얼라이너(50)는, 척 톱(51)과 프로브 카드의 위치 조정 등을 행하는 위치 조정 기구로서 기능한다. 또한, 얼라이너(50)는, 척 톱(51)을 진공 흡착 등에 의해 착탈 가능하게 보유 지지 가능하게 구성되고, 프로브 카드를 촬상하는 카메라(61)를 구비하고 있다.
카메라(60)는, 수평하게 이동하고, 당해 카메라(60)가 마련된 분할 영역(13a) 내의 각 테스터(40) 앞에 위치하여, 얼라이너(50) 상의 척 톱(51)에 적재된 웨이퍼(W)를 촬상한다.
카메라(60)와 카메라(61)의 협동에 의해, 프로브 카드의 프로브와 웨이퍼(W)에 형성된 반도체 디바이스의 전극 패드의 위치 정렬을 행할 수 있다.
이 검사 장치(1)에서는, 반송 장치(30)가 하나의 테스터(40)를 향해서 웨이퍼(W)를 반송하고 있는 동안에, 다른 테스터(40)는 다른 웨이퍼(W)에 형성된 전자 디바이스의 전기적 특성의 검사를 행할 수 있다.
계속해서, 도 3 및 도 4를 사용하여, 테스터(40)의 주위의 구성에 대해서 설명한다. 도 3은, 각 분할 영역(13a) 내의 구성을 나타내는 정면 종단면도이다. 도 4는, 도 3의 부분 확대도이다.
테스터(40)는, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 수평하게 마련된 테스터 마더보드(41)를 저부에 갖는다. 테스터 마더보드(41)에는, 도시하지 않은 복수의 검사 회로 기판이 세워 설치된 상태로 장착되어 있다. 또한, 테스터 마더보드(41)의 저면에는 복수의 전극이 마련되어 있다.
또한, 테스터(40)의 하방에는, 포고 프레임(70)과 프로브 카드(80)가 각각 하나씩 상측부터 이 순서대로 마련되어 있다.
포고 프레임(70)은, 프로브 카드(80)를 지지하는 카드 지지부인 동시에, 당해 프로브 카드(80)와 테스터(40)를 전기적으로 접속하는 것이며, 테스터(40)와 프로브 카드(80)의 사이에 위치하도록 배치되어 있다. 이 포고 프레임(70)은, 테스터(40)와 프로브 카드(80)를 전기적으로 접속하는 포고핀(71)을 갖는다. 구체적으로는, 포고 프레임(70)은, 다수의 포고핀(71)을 보유 지지하는 포고 블록(72)과, 이 포고 블록(72)이 끼워짐으로써 포고핀(71)이 설치되는 설치 구멍(73a)이 형성된 프레임 본체(73)를 갖는다.
포고 프레임(70)의 하면에는, 프로브 카드(80)가, 소정의 위치에 위치 정렬된 상태로 지지된다.
또한, 포고 프레임(70)의 하면에는, 프로브 카드(80)의 설치 위치를 둘러싸도록, 연직 방향으로 신축 가능하게 구성된 적재대 지지부로서의 벨로우즈(74)가 설치되어 있다. 이 벨로우즈(74)에 의해, 전기적 특성 검사 시에, 후술하는 척 톱(51) 상의 웨이퍼(W)를 프로브 카드(80)의 후술하는 프로브(82)에 접촉시킨 상태에서, 프로브 카드(80)와 웨이퍼(W)를 포함하는 밀폐 공간을 형성할 수 있다. 또한, 이 벨로우즈(74)에 의해, 클리닝 시 등에, 프로브 카드(80)와 척 톱(51)의 사이의 공간을 밀폐할 수도 있다.
또한, 배기 기구(도시하지 않음)에 의해, 포고 프레임(70)은, 테스터 마더보드(41)에 진공 흡착되고, 프로브 카드(80)는, 포고 프레임(70)에 진공 흡착된다. 이들 진공 흡착을 행하기 위한 진공 흡인력에 의해, 포고 프레임(70)의 각 포고핀(71)의 하단은, 프로브 카드(80)의 후술하는 카드 본체의 상면에서의, 대응하는 전극 패드에 접촉하고, 각 포고핀(71)의 상단은, 테스터 마더보드(41)의 하면의 대응하는 전극에 압박된다.
프로브 카드(80)는, 원판 형상의 카드 본체(81)와, 카드 본체(81)의 상면에 마련된 복수의 전극 패드(도시하지 않음)와, 카드 본체(81)의 하면으로부터 하방을 향해서 연장되는 복수의 바늘 형상의 단자인 프로브(82)를 갖는다. 카드 본체(81)의 상면에 마련된 상술한 복수의 전극은 각각 대응하는 프로브(82)와 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 검사 시에는, 프로브(82)는 각각, 웨이퍼(W)에 형성된 반도체 디바이스의 전극 패드나 땜납 범프와 접촉한다. 따라서, 전기적 특성 검사 시에는, 포고핀(71), 카드 본체(81)의 상면에 마련된 전극 및 프로브(82)를 통해서, 테스터 마더보드(41)와 웨이퍼(W) 상의 반도체 디바이스의 사이에서, 검사에 필요한 전기 신호가 보내고 받는다.
전기적 특성 검사 시에는, 웨이퍼(W)가 적재된 척 톱(51)이 얼라이너(50)에 의해 상승되어, 프로브 카드(80)의 프로브(82)와 웨이퍼(W)가 접촉한 상태로 된다. 전기적 특성 검사 시 등에 있어서, 척 톱(51)이 상승함으로써, 벨로우즈(74)의 하면이 시일 부재(도시하지 않음)에 의해 척 톱(51)과 밀착되어, 척 톱(51)과 포고 프레임(70)과 벨로우즈(74)로 규정되는 검사 공간(S)이 밀폐 공간으로 된다. 이 검사 공간(S)을 진공화함과 함께, 얼라이너(50)에 의한 척 톱(51)의 보유 지지를 해제하고, 얼라이너(50)를 하방으로 이동시킴으로써, 척 톱(51)이 얼라이너(50)로부터 분리되어, 포고 프레임(70)측에 흡착된다.
이상과 같이 구성되는 검사 장치(1)에서는, 전기적 특성 검사가 행하여지지 않는 테스터(40)가 있을 때, 당해 테스터(40)에 대응하는 검사 공간(S)에서 클리닝이 행하여진다. 이 클리닝에서는, 예를 들어 척 톱(51)과 프로브(82)가 클리닝 대상이 된다.
계속해서, 검사 장치(1)에서의 클리닝에 관한 구성에 대해서 설명한다. 도 5는, 클리닝 시의 척 톱(51)의 상태를 도시하는 측면도이며, 포고 프레임(70)에 지지된 상태의 척 톱(51)을 나타내고 있다. 도 6은 척 톱(51)의 부분 확대 단면도, 도 7은 척 톱(51)의 상면도이다.
또한, 전기 특성 검사 시, 척 톱(51) 등으로 규정되는 검사 공간(S)의 내부에는, 웨이퍼(W)가 수용된다. 한편, 척 톱(51)을 클리닝 대상으로 포함하는 클리닝 시에는, 척 톱(51)을 포함하는 검사 공간(S)의 내부에는, 도 5에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)는 수용되지 않는다.
척 톱(51)에는, 배기 유로(100)와 도입 유로(101)가 마련되어 있다.
배기 유로(100)는, 예를 들어 척 톱(51)을 상하 방향으로 관통하도록 마련되어 있다. 배기 유로(100)의 상단은, 검사 공간(S)에 노출되는 배기구(100a)를 구성하고, 하단에는, 배기 기구(110)의 배기관(111)의 일단부가 접속되어 있다. 배기관(111)의 타단부는, 배기 기구(110)의 배기 장치(112)에 접속되어 있다. 또한, 배기 장치(112)는, 예를 들어 진공 펌프에 의해 구성된다. 또한, 배기 기구(110)에서는, 상기 배기관(111)의 배기 장치(112)보다 상류측에는, 배기관(111)을 차단 또는 개방하는 개폐 밸브(113)가 마련되어 있다. 이와 같은 구성에 의해, 배기구(100a)를 통해서, 검사 공간(S)을 배기하여 감압시킬 수 있다.
도입 유로(101)는, 예를 들어 척 톱(51)을 상하 방향으로 관통하도록 마련되어 있다. 도입 유로(101)의 상단은, 검사 공간(S)에 노출되는 도입구(101a)를 구성하고, 하단에는, 기체 공급 기구(120)의 공급관(121)의 일단부가 접속되어 있다. 공급관(121)의 타단부는, 드라이 에어의 공급원(122)에 접속되어 있다. 또한, 공급관(121)의 공급원(122)보다 하류측에는, 공급관(121)을 차단 또는 개방하는 개폐 밸브(123)가 마련되어 있다. 이와 같은 구성에 의해, 배기구(100a)를 통한 배기로 감압된 검사 공간(S) 내에, 도입구(101a)를 통해서 드라이 에어를 도입하여, 클리닝 대상인 척 톱(51)의 표면이나 프로브(82)에 부착된 이물을 박리하는 충격파를 발생시킬 수 있다. 상기 충격파에 의해 박리된 이물은, 배기구(100a)를 통해서 배출된다.
도입 유로(101)는, 구체적으로는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 라발 노즐 구조를 갖는다. 라발 노즐 구조란, 유로가 상류단부터 점점 축소되는 축소부(101b)를 상류측에 갖고, 축소부(101b)로부터 연속해서 유로가 하류단을 향해서 점점 확대되는 확대부(101c)를 하류측에 갖는 구조이다. 상기 축소부(101b) 및 확대부(101c)의 길이나, 도입 유로(101)에서의 가장 가는 부분, 하류측단(도입구(101a)) 및 상류측단의 내경을 적절하게 설정해서 검사 공간(S) 내의 압력이나, 드라이 에어의 도입압을 적절하게 설정함으로써, 드라이 에어의 초음속류를 검사 공간(S) 내에 분출할 수 있다.
도입구(101a)로부터 도입된 드라이 에어의 초음속류에 의해, 충격파가 발생하고, 이 충격파는, 검사 공간(S)을 규정하는 부재의 표면을 따라 전파된다. 구체적으로는, 예를 들어 상기 드라이 에어의 초음속류에 의해 발생한 충격파(결국은 압력의 급격한 변화면)는, 포고 프레임(70)의 하면으로부터, 프로브(82)를 포함하는 프로브 카드(80)의 하면, 벨로우즈(74)의 내벽면을 지나서, 척 톱(51)의 표면에 전파되거나, 포고 프레임(70)의 하면으로부터, 벨로우즈(74)의 내벽면만을 지나서, 척 톱(51)의 표면에 전파되거나 한다.
또한, 도입구(101a)로부터의 드라이 에어의 초음속류는, 도입구(101a)의 위치에 따라서는, 프로브(82)에 충돌하기도 한다.
또한, 도입구(101a)로부터 드라이 에어의 초음속류가 도입됨으로써, 도입구(101a)의 근방에서 충격파가 발생하기도 한다. 이 경우, 충격파는, 검사 공간(S) 내에서 전파되어, 척 톱(51)의 표면이나 프로브(82)에 도달하거나, 척 톱(51)의 표면 등에 도달한 충격파가 벨로우즈(74)의 내벽면 등을 지나서 프로브(82)에 도달하거나, 프로브(82) 등에 도달한 충격파가 벨로우즈(74)의 내벽면 등을 지나서 척 톱(51)의 표면에 도달하거나 한다.
상술한 바와 같은 충격파나, 드라이 에어의 초음속류 자체에 의해, 척 톱(51)의 표면이나 프로브(82)에 부착되어 있던 이물이 박리된다.
상술한 배기 유로(100)와 도입 유로(101)는, 배기구(100a)와 도입구(101a)가 도 7에 도시하는 바와 같이 평면으로 보면 척 톱(51)의 주연부에 위치하도록 형성되어 있다. 도면의 예에서는, 도입구(101a)는, 평면으로 보아, 척 톱(51)의 중앙부를 사이에 두고, 배기구(100a)와 대향하는 위치에 마련되어 있다.
또한, 배기 기구(110)의 배기 장치(112) 및 개폐 밸브(113)나, 기체 공급 기구(120)의 공급원(122) 및 개폐 밸브(123)는, 예를 들어 하우징(10)의 외부에 마련된다.
이어서, 검사 장치(1)의 하나의 테스터(40)에 관한, 검사 처리를 포함하는 일련의 처리에 대해서 설명한다.
(웨이퍼 반입)
먼저, 반송 장치(30) 등이 제어되어, 반출입 영역(11)의 포트(20) 내의 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)가 취출되어, 검사 영역(13) 내에 반입되고, 그리고, 얼라이너(50)에 보유 지지된 척 톱(51) 상에 적재된다.
(웨이퍼(W)가 적재된 척 톱(51)의 위치 정렬 및 지지)
계속해서, 웨이퍼(W)가 적재된 척 톱(51)이, 프로브 카드(80)의 프로브(82)에 대하여 위치 정렬됨과 함께, 얼라이너(50)로부터 분리되어 포고 프레임(70)에 지지된다. 구체적으로는, 카메라(61)를 구비한 얼라이너(50) 및 카메라(60)가 제어되어, 척 톱(51) 상의 웨이퍼(W)와 프로브 카드(80)의 수평 방향에 관한 위치 정렬이 행하여진다. 이어서, 척 톱(51)이 얼라이너(50)에 의해 상승하여, 척 톱(51) 상의 웨이퍼(W)에 형성된 반도체 디바이스의 전극과 프로브(82)가 접촉함과 함께, 척 톱(51)과 포고 프레임(70)과 벨로우즈(74)로 규정되는 검사 공간(S)이 형성되고, 당해 검사 공간(S)이 밀폐 공간으로 된다. 그리고, 검사 공간(S)이 소정의 압력(검사 시 압력)으로 되도록 진공화됨과 함께, 얼라이너(50)에 의한 척 톱(51)의 보유 지지가 해제되고, 얼라이너(50)가 하강된다. 이에 의해, 프로브(82)가 웨이퍼(W)의 전극에 소정의 강도로 압박됨과 함께, 척 톱(51)이 얼라이너(50)로부터 분리되어 포고 프레임(70)에 지지된다. 또한, 검사 공간(S)을 검사 시 압력까지 진공화하기 위한 배기 기구나 배기 유로는, 상술한 배기 기구(110)나 배기 유로(100)와는 별도로 마련된다.
(전기적 특성 검사)
그리고, 척 톱(51)과 얼라이너(50)가 분리된 상태에서, 척 톱(51)의 온도가 설정 온도로 조정되면서, 반도체 디바이스의 전기적 특성 검사가 행하여진다. 전기적 특성 검사용 전기 신호는, 테스터(40)로부터 포고핀(71)이나 프로브(82) 등을 통해서 반도체 디바이스에 입력된다.
(척 톱(51)의 분리(디척))
전기적 특성 검사가 완료되면, 웨이퍼(W)가 적재된 척 톱(51)이 포고 프레임(70)으로부터 분리된다. 구체적으로는, 얼라이너(50)가 제어되어, 척 톱(51)에 얼라이너(50)가 맞닿는다. 그리고, 검사 공간(S)의 진공화를 정지시킴과 함께 검사 공간(S)에 드라이 에어를 도입시킴으로써, 척 톱(51)이 포고 프레임(70)으로부터 분리되고, 얼라이너(50)에 적재되어 보유 지지된다. 또한, 이 디척 공정을 위한 기체 공급 기구나 도입 유로는, 상술한 기체 공급 기구(120)나 도입 유로(101)와는 별도로 마련된다.
(웨이퍼 반출)
이어서, 얼라이너(50)나 반송 장치(30) 등이 제어되어, 웨이퍼(W)가, 검사 영역(13)으로부터 반출되고, 포트(20) 내의 카세트(C)로 복귀된다.
(클리닝)
또한, 전기적 특성 검사가 완료되면, 웨이퍼(W)가 적재되어 있지 않은 척 톱(51)이, 프로브 카드(80)와 대향하는 위치에 반송되어, 당해 척 톱(51) 등의 클리닝 처리가 행하여진다. 상기 클리닝 처리에 대해서는 후술한다.
상기 클리닝 처리의 완료 후, 검사 장치(1)에서의 하나의 테스터(40)에 관한 처리는, 상술한 웨이퍼 반입 공정으로 되돌려져 다음의 검사 대상의 웨이퍼(W)가 반입된다.
여기에서는, 클리닝 처리는, 웨이퍼(W)마다 행해지는 것으로 했지만, 그 실행 타이밍은 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 2 이상의 소정 매수의 웨이퍼(W)를 검사할 때마다 행하도록 해도 된다. 또한, 카메라(60), 및 카메라(61)에서의 촬상 결과에 기초하여, 척 톱(51)의 표면이나 프로브(82)의 이물을 인식하도록 구성하고, 이물이 인식되었을 경우에만, 상기 클리닝 처리를 행하도록 해도 된다.
계속해서, 검사 장치(1)에서의 클리닝 처리의 일례에 대해서, 도 8 및 도 9를 사용해서 설명한다. 도 8은, 검사 장치(1)에서의 클리닝 처리의 일례를 설명하기 위한 흐름도이다. 도 9는, 상기 클리닝 처리 시의 검사 공간(S) 내의 압력의 시간 변화를 도시하는 도면이다.
검사 장치(1)에서의 클리닝 처리에서는, 먼저, 도 8에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)가 적재되어 있지 않은 척 톱(51)이, 프로브 카드(80)에 대하여 위치 정렬된다(스텝 S1). 구체적으로는, 얼라이너(50)가 제어되어, 웨이퍼(W)가 적재되어 있지 않은 척 톱(51)과 프로브 카드(80)의 수평 방향으로 이러한 위치 정렬이 행하여진다.
이어서, 검사 공간(S)이 형성됨과 함께, 척 톱(51)이 포고 프레임(70)에 지지된다(스텝 S2). 구체적으로는, 얼라이너(50)가 제어되고, 척 톱(51)이 상승되어, 척 톱(51)과 포고 프레임(70)과 벨로우즈(74)로 규정되는 검사 공간(S)이 형성되고, 당해 검사 공간(S)이 밀폐 공간으로 된다. 그리고, 배기관(111)의 개폐 밸브(113)가 개방 상태로 되어, 검사 공간(S)의 배기가 개시된다. 그와 함께, 얼라이너(50)에 의한 척 톱(51)의 보유 지지가 해제되어, 얼라이너(50)가 하강됨으로써, 척 톱(51)이 얼라이너(50)로부터 분리되어 포고 프레임(70)에 지지된다.
계속해서, 다음 공정의 이물 박리 공정에서 이물이 박리되도록, 검사 공간(S)의 배기가 유지되고, 검사 공간(S)이 감압된다(스텝 S3). 구체적으로는, 개폐 밸브(113)가 개방 상태인 채로 유지되어, 검사 공간(S)이 도 9에 도시하는 바와 같이 목표 압력(P1) 이하까지 감압된다. 또한, 상기 개폐 밸브(113)가 개방 상태로 될 때, 공급관(121)에 마련되어 있는 개폐 밸브(123)는 폐쇄 상태로 된다. 또한, 이 박리 준비 공정에서의 목표 압력(P1)은, 다음 공정의 이물 박리 공정에서 드라이 에어가 대기압 정도로 도입되었을 때 드라이 에어의 초음속류가 발생하도록, 380Torr 이하가 되고, 예를 들어 1Torr가 된다. 단, 목표 압력(P1)은, 척 톱(51)의 표면과 프로브(82)의 접촉을 피하기 위해서, 이 박리 준비 공정에서 당해 접촉이 발생하지 않도록 설정된다.
검사 공간(S)의 감압 후, 당해 검사 공간(S)에 드라이 에어가 도입되어, 척 톱(51)의 표면이나 프로브(82)에 부착되어 있던 이물이 박리된다(스텝 S4). 구체적으로는, 예를 들어 공급관(121)에 마련되어 있는 개폐 밸브(123)가 개방 상태로 되어, 대기압 정도의 드라이 에어가 도입 유로(101)에 공급되고, 박리 준비 공정에서의 검사 공간(S)의 최종적인 압력과 드라이 에어의 도입압의 압력차에 의해, 도입구(101a)로부터 검사 공간(S)에 드라이 에어의 초음속류가 분출된다. 이 드라이 에어의 초음속류 자체, 또는 당해 드라이 에어의 초음속류의 도입에 의해 발생하는 충격파에 의해, 척 톱(51)의 표면이나 프로브(82)에 부착되어 있던 이물이 박리된다. 또한, 드라이 에어의 도입에 의해, 검사 공간(S)은 압력 P2(예를 들어 30Torr)까지 일시적으로 상승한다.
상기 이물의 박리 후, 검사 공간(S)에의 드라이 에어의 도입과 검사 공간(S)의 배기가 유지되어, 척 톱(51)의 표면이나 프로브(82)로부터 박리된 이물이, 배기구(100a)를 통해서 검사 공간(S)으로부터 배출된다(스텝 S5). 구체적으로는, 예를 들어 공급관(121)의 개폐 밸브(123)를 개방 상태로 하고 나서 소정 시간 동안, 개폐 밸브(123) 및 개폐 밸브(113)의 개방 상태가 유지되어, 도입구(101a)로부터 검사 공간(S)에의 드라이 에어의 도입과, 검사 공간(S)의 배기구(100a)를 통한 배기가 계속된다. 감압된 검사 공간(S)에의 드라이 에어의 도입에 의해, 충격파뿐만 아니라, 배기구(100a)를 향하는 가스 흐름도 생성된다. 스텝 S4의 이물 박리 공정에서 박리된 이물은, 상기 가스 흐름의 점성에 의해 배기구(100a)까지 이동하여, 당해 배기구(100a)를 통해서 배출된다. 또한, 이 공정에서는, 검사 공간(S) 내의 압력은 점차 저하된다. 단, 본 공정에서의 최저 압력(P3)이 4Torr 이상이 되도록, 드라이 에어의 유량이나 배기 기구(110)의 배기 능력은 설정되어 있다.
이하에서는, 스텝 S3의 박리 준비 공정과 스텝 S4의 이물 박리 공정과 스텝 S5의 이물 배출 공정을 합쳐 이물 제거 공정이라고 한다.
그리고, 이물 제거 공정 후, 이물 제거 공정이 소정 횟수(2회 이상) 반복해서 행하여졌는지 제어부(22)에 의해 판정된다(스텝 S6).
소정 횟수 반복해서 행하여지지 않았을 경우(NO인 경우), 처리는 스텝 S3으로 되돌려져, 이물 제거 공정이 다시 행하여진다. 또한, 상술한 이물 제거 공정을 반복하는 것은, 바꾸어 말하면, 소정의 배기 속도로 검사 공간(S)을 배기하면서, 당해 검사 공간(S)에 펄스상으로 드라이 에어를 공급하는 것이다.
또한, 이물 제거 공정이 소정 횟수 행해진 경우(YES인 경우), 척 톱(51)이 포고 프레임(70)으로부터 분리된다(스텝 S7). 구체적으로는, 얼라이너(50)가 제어되어, 척 톱(51)에 얼라이너(50)가 맞닿는다. 그리고, 배기관(111)의 개폐 밸브(113)가 폐쇄 상태로 되어 검사 공간(S)의 배기가 정지됨과 함께, 공급관(121)의 개폐 밸브(123)가 개방 상태인 채로 유지되어 검사 공간(S)에의 드라이 에어의 도입이 계속되고, 척 톱(51)이 포고 프레임(70)으로부터 분리된다. 분리된 척 톱(51)은, 얼라이너(50)에 적재되어, 보유 지지된다.
이에 의해, 검사 장치(1)에서의 클리닝 처리이며 하나의 검사 공간(S)에 대한 클리닝 처리는 완료된다.
또한, 스텝 S4의 이물 박리 공정은 1초 내지 5초에 걸쳐서 행하여지고, 스텝 S5의 이물 배출 공정은 20초 내지 30초에 걸쳐서 행하여지고, 스텝 S3의 박리 준비 공정은, 배기 기구(110)의 배기 능력에 따른 시간에 걸쳐서 행하여진다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 관한 클리닝 방법은, 검사 공간(S), 즉, 프로브 카드(80)와 당해 프로브 카드(80)와 대향하는 척 톱(51)의 사이의 공간을 배기해서 감압하는 박리 준비 공정과, 감압된 검사 공간(S)에 드라이 에어를 도입하여, 척 톱(51)의 표면과 프로브(82)에 부착된 이물을 박리하는 이물 박리 공정과, 검사 공간(S)에의 드라이 에어의 도입을 유지하면서, 당해 검사 공간(S)을 배기하여, 이물을 배출하는 이물 배출 공정을 갖는다. 따라서, 본 실시 형태에 따르면, 검사 장치(1) 내의 척 톱(51)뿐만 아니라, 프로브(82)의 클리닝도 행할 수 있다. 본 실시 형태와 달리, 프로브(82)의 클리닝을 연마에 의해 행하는 경우, 프로브(82)가 마모되어버리지만, 본 실시 형태에서는 프로브(82)의 클리닝에 연마가 필요없기 때문에, 프로브(82)가 마모되지 않는다. 또한, 본 실시 형태에 따르면, 척 톱(51) 및 프로브(82)의 클리닝은, 인력으로 행할 필요가 없기 때문에, 당해 클리닝 시에 검사 장치(1)를 정지시킬 필요가 없으므로, 검사 장치(1)의 가동 시간이 짧아지는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 척 톱(51)이나 프로브(82)뿐만 아니라, 검사 공간(S)에 면하고 있는 다른 부재도 클리닝할 수 있다. 예를 들어, 카드 본체(81)나 벨로우즈(74), 포고 프레임(70)도 클리닝할 수 있다.
또한, 척 톱(51)에 웨이퍼(W)를 적재해 두고, 상술한 클리닝 처리와 마찬가지의 처리를 실행함으로써, 척 톱(51)의 클리닝 대신에 웨이퍼(W)의 클리닝을 행할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 클리닝의 실행 타이밍은, 예를 들어 웨이퍼(W)마다 다를 수 있다. 또한, 상기 실행 타이밍은, 카메라(60)에 의한 웨이퍼(W)의 촬상 결과에 기초하여 결정해도 된다. 예를 들어, 카메라(60)에서의 촬상 결과에 기초하여 웨이퍼(W) 상의 얼라인먼트 마크나 패드를 인식할 때 인식 불량이 되었을 경우에, 클리닝을 행하도록 해도 된다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 얼라인먼트 마크 상이나 패드 상에 이물이 존재한다고 생각되기 때문이다. 또한, 카메라(60)에서의 촬상 결과에 기초하여, 웨이퍼(W)의 표면의 이물을 인식하도록 구성하고, 이물이 인식되었을 경우에만, 웨이퍼(W)의 클리닝 처리를 행하도록 해도 된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 이물 제거 공정(박리 준비 공정, 이물 박리 공정 및 이물 배출 공정)을 반복해서 행하고 있기 때문에, 척 톱(51)의 표면이나 프로브(82)에 부착된 이물을 보다 확실하게 제거할 수 있다. 단, 이물 제거 공정의 실행 횟수는 1회이어도 된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 이물 제거 공정을 소정 횟수 반복해서 행하고 있지만, 예를 들어 배기관(111)에 이물을 검지 가능한 센서를 마련해 두고, 당해 센서에서 이물이 검지되지 않게 될 때까지, 이물 제거 공정을 반복하도록 해도 된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 상술한 바와 같이, 드라이 에어의 도입구(101a)를 상단에 갖는 도입 유로(101)가 라발 노즐 구조이다. 따라서, 도입구(101a)로부터, 감압된 검사 공간(S)에, 드라이 에어의 초음속류를 분출할 수 있다. 이에 의해 발생하는 충격파에 의해, 척 톱(51)의 표면이나 프로브(82)에 부착되어 있던 이물을 박리할 수 있다. 또한, 도입구(101a)로부터 도입되는 드라이 에어가 초음속류가 아닐 경우, 척 톱(51)의 표면 등에, 속도가 0인 가스 흐름으로 이루어지는 층(경계층)이 발생하여, 이물을 제거할 수 없는 경우가 있다. 그에 반해, 본 실시 형태에서는, 충격파를 발생시키도록 하고 있기 때문에, 척 톱(51) 등의 클리닝 대상의 전역에 대해서, 그 표면 근방까지 속도가 0이 아닌 가스 흐름이 형성된다. 따라서, 척 톱(51)의 표면이나 프로브(82) 등에 부착된 이물을 보다 확실하게 제거할 수 있다.
이물 박리 공정이나 이물 배출 공정에서 검사 공간(S)에 도입하는 드라이 에어의 온도는, 척 톱(51)의 온도와 상이한 것이 바람직하다. 그 이유는 이하와 같다. 척 톱(51)에 부착된 이물이 척 톱(51)보다 열용량이 더 작기 때문에, 상술한 바와 같이 척 톱(51)과 온도가 상이한 드라이 에어를 도입함으로써, 상기 이물만 온도가 크게 변화한다. 따라서, 이물과 척 톱(51)의 열팽창도의 차에 의해 이물이 클리닝 대상으로부터 박리되기 쉬워진다.
또한, 드라이 에어의 온도를 척 톱(51)과 상이하게 하기 위해서, 척 톱(51)에 대하여 마련된 온도 조정 기구(도시하지 않음)에 의해 척 톱(51)의 온도를 조정해도 되고, 드라이 에어의 온도 조정 기구를 마련해 두고, 드라이 에어의 온도를 조정하도록 해도 된다.
이상의 설명에서는, 클리닝 시에 검사 공간(S)에 도입하는 기체로서 드라이 에어를 사용하고 있었지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 질소 가스 등의 불활성 가스이어도 된다. 또한, Ar 가스 등의 분자량이 큰 가스이어도 된다. 분자량이 큰 가스를 사용함으로써, 이물 박리를 위한 가스의 운동 에너지를 크게 할 수 있기 때문에, 보다 확실하게 이물을 박리 할 수 있다.
또한, 클리닝 시에 검사 공간(S)에 도입하는 드라이 에어의 유량은, 전기적 특성 검사 직후의 척 톱(51)의 디척 공정에서의 검사 공간(S)에의 드라이 에어의 유량보다 큰 것이 바람직하다. 상기 디척 공정 시보다 대유량의 드라이 에어를 클리닝 시에 검사 공간(S)에 도입함으로써, 상기 디척 공정 시의 유량의 드라이 에어로 박리될 수 있는 이물을, 클리닝 시에 미리 제거할 수 있기 때문이다.
또한, 배기 기구(110)나 배기 유로(100)는, 검사 장치(1)에서 사용되는 다른 배기 기구나 배기 유로와 공통으로 해도 된다. 예를 들어, 검사 공간(S)을 검사 시 압력까지 진공화하기 위한 배기 기구나 배기 유로와 공통으로 해도 된다.
또한, 기체 공급 기구(120)나 도입 유로(101)는, 검사 장치(1)에서 사용되는 다른 기체 공급 기구나 도입 유로와 공통으로 해도 된다. 예를 들어, 전기적 특성 검사 직후의 디척 공정을 위한 기체 공급 기구나 도입 유로와 공통으로 해도 된다.
(제2 실시 형태)
도 10은, 제2 실시 형태에 관한, 검사 장치에서의 클리닝 처리에 사용되는 기체 공급 기구의 설명도이다.
본 실시 형태에서는, 기체 공급 기구(120)의 공급관(121)에서의 공급원(122)과 개폐 밸브(123)의 사이에, 유량 조정부(124)가 마련되어 있다. 유량 조정부(124)는, 예를 들어 하류측, 즉 검사 공간(S)에 흐르는 기체의 유량을 제한하는, 오리피스 구조를 갖는 부재로 구성된다.
본 실시 형태에서의 클리닝 처리는, 검사 공간(S) 내의 압력을 변동시킴으로써 벨로우즈(74)를 신축시켜, 벨로우즈(74)에 부착되어 있던 이물을 박리하는 벨로우즈 신축 공정을 갖는다. 당해 공정에서의 검사 공간(S) 내의 압력의 변동은, 유량 조정부(124)를 사용하여, 검사 공간(S)에 도입하는 기체의 유량을 조정함으로써 실현할 수 있다.
상기 벨로우즈 신축 공정은, 예를 들어 상술한 스텝 S5의 이물 제거 공정과 동시에 행하여진다.
또한, 검사 공간(S)에 도입하는 기체의 유량의 조정 방법은, 상술한 유량 조정부(124)를 사용한 방법에 한정되지 않는다. 예를 들어, 기체 공급 기구(120)와 마찬가지의 기체 공급 기구를 별도 마련하여, 양쪽의 기체 공급 기구로부터 기체를 도입할지, 한쪽의 기체 공급 기구로부터 기체를 도입할지를 전환함으로써, 검사 공간(S)에 도입하는 기체의 유량을 조정하도록 해도 된다.
또한, 이상에서는, 검사 공간(S)에 도입하는 기체의 유량을 조정함으로써, 벨로우즈(74)를 신축시키고 있었지만, 벨로우즈(74)를 신축시키는 방법은 이 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 배기 기구(110)의 배기관(111)에 개방도 가변인 압력 조정 밸브를 마련해 두고, 압력 조정 밸브의 개방도를 조정함으로써, 검사 공간(S) 내의 압력을 변동시켜, 벨로우즈(74)를 신축시키도록 해도 된다.
(척 톱(51)의 다른 예)
도 11은, 척 톱(51)의 다른 예를 설명하는 측면도이다.
본 예의 척 톱(51)은, 도시한 바와 같이, 클리닝 시에서의 프로브(82)와 당해 척 톱(51)의 표면의 맞닿음을 방지하는 맞닿음 방지 부재(51a)를, 벨로우즈(74)가 맞닿는 영역의 외측에 갖는다.
맞닿음 방지 부재(51a)는, 예를 들어 척 톱(51)의 표면으로부터 상측 방향으로 돌출되는 기둥형 부재이다. 맞닿음 방지 부재(51a)의 높이(즉, 척 톱(51)의 표면으로부터의 돌출량)는, 척 톱(51)을 클리닝 대상으로 포함하는 클리닝 시에 검사 공간(S)이 감압되었을 때, 당해 맞닿음 방지 부재(51a)의 상단이 포고 프레임(70)의 하면에 맞닿음으로써 프로브(82)와 척 톱(51)의 표면의 맞닿음이 방해되는 높이이다. 또한, 맞닿음 방지 부재(51a)의 높이는, 전기적 특성 검사 시에 척 톱(51)에 적재된 웨이퍼(W)의 표면과 프로브(82)의 맞닿음이 방해되지 않는 높이이기도 하다.
맞닿음 방지 부재(51a)를 마련함으로써, 클리닝 시에(구체적으로는 박리 준비 공정이나 벨로우즈 신축 공정 시에), 프로브(82)와 당해 척 톱(51)의 표면이 맞닿는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 이 맞닿음 방지 부재(51a)를 마련한 경우, 박리 준비 공정에서의 검사 공간(S)의 압력을 낮게 해도, 프로브(82)와 당해 척 톱(51)의 표면이 맞닿지 않는다. 따라서, 이물 박리 공정에서, 드라이 에어의 도입압과 검사 공간(S)의 압력의 압력차를 크게 할 수 있어, 검사 공간(S)에의 드라이 에어의 초음속류 도입과 충격파의 발생을 보다 확실하게 행할 수 있다.
이 맞닿음 방지 부재(51a)는, 포고 프레임(70)에 마련되어 있어도 된다.
또한, 맞닿음 방지 부재(51a)는, 그 높이가 가변하도록 구성되어 있어도 된다. 특히, 웨이퍼(W)의 클리닝도 행하는 경우는, 맞닿음 방지 부재(51a)의 높이는 가변인 것이 바람직하다. 혹은, 맞닿음 방지 부재(51a)는, 전기적 특성 검사 시에서의 척 톱(51)과의 간섭을 피하기 위해서, 퇴피 기구를 구비한 구성으로 해도 된다. 클리닝 시에서의 웨이퍼(W)의 표면과 프로브(82)의 맞닿음을 방지하면서, 전기적 특성 검사 시에서의 웨이퍼(W)의 표면과 프로브(82)의 맞닿음을 가능하게 하기 위해서이다.
또한, 맞닿음 방지 부재(51a)는, 벨로우즈(74)가 맞닿는 영역의 내측에 마련되어 있어도 된다.
(척 톱(51)의 또 다른 예)
도 12는, 척 톱(51)의 또 다른 예를 설명하는 측면도이다.
도 7의 예의 척 톱(51)에 마련되어 있던 도입구(101a)는 하나였다. 그에 반해, 도 12의 척 톱(51)에는, 복수의 도입구(101a)가 마련되어 있다.
구체적으로는, 복수의 도입구(101a)가, 척 톱(51)의 주연부를 따라, 둘레 방향으로 등간격으로 마련되어 있다.
이렇게 도입구(101a)를 복수 마련함으로써, 검사 공간(S) 내에 보다 균일하게 기체를 도입할 수 있다.
또한, 도입구(101a)를 복수 마련하는 경우, 당해 도입구(101a)의 구멍 직경을 작게 하는 것이 바람직하다. 도입구(101a)의 구멍 직경은 작은 것이, 도입구(101a)의 출구 근방에서 압력차를 형성하기 더 쉽기 때문에, 용이하게 충격파를 발생시킬 수 있다. 또한, 도입구(101a)가 하나인 경우, 도입구(101a)의 구멍 직경을 작게 하면 유량을 확보할 수 없어, 이물 박리 공정 시의 검사 공간(S)의 압력을 원하는 압력(예를 들어, 가스 도입에 의한 승압 전후에서 압력비가 2배 이상으로 되는 압력)으로 할 수 없을 우려가 있지만, 도입구(101a)가 복수인 경우는, 그러한 문제는 발생하지 않는다.
또한, 이상의 예에서는, 검사 공간(S)에 대한 기체의 도입구나 검사 공간(S)의 배기구는, 척 톱(51)에 마련하고 있었지만, 포고 프레임(70)이나 프로브 카드(80)에 마련해도 된다.
또한, 이상의 예에서는, 척 톱(51)에 마련된 도입구(101a)는, 평면으로 보아 프로브(82)가 형성되어 있는 영역의 외측에 마련되어 있었지만, 당해 영역의 내측에 마련되어 있어도 된다.
또한, 도입 유로(101)는, 도입구(101a)로부터 도입된 기체가 프로브(82)를 지향하도록 형성해도 된다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
또한, 이하와 같은 구성도 본 개시의 기술적 범위에 속한다.
(1) 피검사체에 형성된 피검사 디바이스의 전기적 특성 검사를 행하는 검사 장치에서의 클리닝 방법이며,
상기 전기적 특성 검사 시에 상기 피검사 디바이스에 접촉하는 프로브를 갖는 프로브 카드와 대향하는 위치에, 상기 피검사체가 적재되는 적재대를 반송하는 반송 공정과,
이어서, 상기 프로브 카드와 당해 프로브 카드에 대향하는 상기 적재대의 사이의 공간을 배기해서 감압하는 박리 준비 공정과,
감압된 상기 공간에 기체를 도입하여, 상기 적재대의 표면과 상기 프로브에 부착된 이물을 박리하는 이물 박리 공정과,
상기 공간에의 상기 기체의 도입을 유지하면서, 당해 공간을 배기하여, 상기 이물을 배출하는 이물 배출 공정을 갖는 클리닝 방법.
상기 (1)에 의하면, 검사 장치 내의 적재대뿐만 아니라, 프로브의 클리닝도 행할 수 있다.
(2) 상기 박리 준비 공정, 상기 이물 박리 공정 및 상기 이물 배출 공정을, 이 순서대로 반복하는, 상기 (1)에 기재된 클리닝 방법.
상기 (2)에 의하면, 적재대나 프로브에 부착되어 있던 이물을 보다 확실하게 제거 할 수 있다.
(3) 상기 반송 공정은, 신축 가능하게 구성된 적재대 지지부에 의해 상기 적재대를 지지함과 함께, 당해 적재대 지지부에 의해 상기 공간을 밀폐하는 공정을 갖고,
당해 클리닝 방법은, 또한,
상기 적재대 지지부를 신축시키는 신축 공정을 갖는 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 클리닝 방법.
상기 (3)에 의하면, 적재대 지지부에 부착된 이물도 제거할 수 있다.
(4) 상기 신축 공정은, 상기 공간 내의 압력을 변동시킴으로써 상기 적재대 지지부를 신축시키는, 상기 (3)에 기재된 클리닝 방법.
(5) 상기 이물 박리 공정 및 상기 이물 배출 공정 중 적어도 어느 한쪽에서, 상기 적재대의 온도와 상이한 상기 기체를 도입하는, 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 클리닝 방법.
상기 (5)에 의하면, 적재대의 표면으로부터 이물을 박리하기 쉽게 할 수 있다.
(6) 상기 이물 박리 공정은, 감압된 상기 공간에의 상기 기체의 도입에 의해, 충격파를 발생시키고, 당해 충격파에 의해, 상기 적재대의 표면과 상기 프로브에 부착된 이물을 박리하는, 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 클리닝 방법.
상기 (6)에 의하면, 적재대의 표면이나 프로브에 부착되어 있던 이물을 보다 확실하게 제거할 수 있다.
(7) 피검사체에 형성된 피검사 디바이스의 전기적 특성 검사를 행하는 검사 장치이며, 상기 피검사체가 적재되는 적재대와,
상기 전기적 특성 검사 시에 상기 피검사 디바이스에 접촉하는 프로브를 갖는 프로브 카드와 상기 적재대의 사이의 공간을 배기하는 배기 기구, 및 상기 공간에 기체를 공급하는 기체 공급 기구를 제어하도록 구성된 제어부를 갖고,
상기 제어부는,
상기 공간을 배기해서 감압하는 박리 준비 공정과, 감압된 상기 공간에 상기 기체를 도입하여, 상기 적재대의 표면과 상기 프로브에 부착된 이물을 박리하는 이물 박리 공정과, 상기 공간에의 상기 기체의 도입을 유지하면서, 당해 공간을 배기하여, 상기 이물을 배출하는 이물 배출 공정이 실행되도록, 상기 배기 기구 및 상기 기체 공급 기구를 제어하는, 검사 장치.
(8) 또한, 신축 가능하게 구성됨과 함께, 상기 공간을 밀폐하도록 상기 적재대를 지지하는 적재대 지지부를 갖고,
상기 제어부는, 상기 공간 내의 압력을 변동시킴으로써 상기 적재대 지지부를 신축시키는 공정이 실행되도록, 상기 배기 기구 및 상기 기체 공급 기구 중 적어도 어느 한쪽을 제어하는, 상기 (7)에 기재된 검사 장치.
(9) 상기 프로브 카드를 지지하는 카드 지지부 및 상기 적재대 중 적어도 어느 한쪽에, 상기 프로브와 상기 적재대의 맞닿음을 방지하는 맞닿음 방지 부재가 마련되어 있는, 상기 (7) 또는 (8)에 기재된 검사 장치.
(10) 상기 프로브 카드를 지지하는 카드 지지부 및 상기 적재대 중 적어도 어느 한쪽에 상기 기체의 도입구가 마련되고,
상기 기체의 도입구를 선단에 갖는 유로가 라발 노즐 구조인, 상기 (7) 내지 (9) 중 어느 하나에 기재된 검사 장치.

Claims (10)

  1. 피검사체에 형성된 피검사 디바이스의 전기적 특성 검사를 행하는 검사 장치에서의 클리닝 방법이며,
    상기 전기적 특성 검사 시에 상기 피검사 디바이스에 접촉하는 프로브를 갖는 프로브 카드와 대향하는 위치에, 상기 피검사체가 적재되는 적재대를 반송하는 반송 공정과,
    이어서, 상기 프로브 카드와 당해 프로브 카드에 대향하는 상기 적재대의 사이의 공간을 배기해서 감압하는 박리 준비 공정과,
    감압된 상기 공간에 기체를 도입하여, 상기 적재대의 표면과 상기 프로브에 부착된 이물을 박리하는 이물 박리 공정과,
    상기 공간에의 상기 기체의 도입을 유지하면서, 당해 공간을 배기하여, 상기 이물을 배출하는 이물 배출 공정을 포함하는 클리닝 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 박리 준비 공정, 상기 이물 박리 공정 및 상기 이물 배출 공정을, 이 순서대로 반복하는, 클리닝 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 반송 공정은, 신축 가능하게 구성된 적재대 지지부에 의해 상기 적재대를 지지함과 함께, 당해 적재대 지지부에 의해 상기 공간을 밀폐하는 공정을 포함하고,
    당해 클리닝 방법은, 또한,
    상기 적재대 지지부를 신축시키는 신축 공정을 포함하는, 클리닝 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 신축 공정은, 상기 공간 내의 압력을 변동시킴으로써 상기 적재대 지지부를 신축시키는, 클리닝 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이물 박리 공정 및 상기 이물 배출 공정 중 적어도 어느 한쪽에서, 상기 적재대의 온도와 상이한 상기 기체를 도입하는, 클리닝 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이물 박리 공정은, 감압된 상기 공간에의 상기 기체의 도입에 의해, 충격파를 발생시키고, 당해 충격파에 의해, 상기 적재대의 표면과 상기 프로브에 부착된 이물을 박리하는, 클리닝 방법.
  7. 피검사체에 형성된 피검사 디바이스의 전기적 특성 검사를 행하는 검사 장치이며,
    상기 피검사체가 적재되는 적재대와,
    상기 전기적 특성 검사 시에 상기 피검사 디바이스에 접촉하는 프로브를 갖는 프로브 카드와 상기 적재대의 사이의 공간을 배기하는 배기 기구, 및 상기 공간에 기체를 공급하는 기체 공급 기구를 제어하도록 구성된 제어부를 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 공간을 배기해서 감압하는 박리 준비 공정과, 감압된 상기 공간에 상기 기체를 도입하여, 상기 적재대의 표면과 상기 프로브에 부착된 이물을 박리하는 이물 박리 공정과, 상기 공간에의 상기 기체의 도입을 유지하면서, 당해 공간을 배기하여, 상기 이물을 배출하는 이물 배출 공정이 실행되도록, 상기 배기 기구 및 상기 기체 공급 기구를 제어하는, 검사 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    신축 가능하게 구성됨과 함께, 상기 공간을 밀폐하도록 상기 적재대를 지지하는 적재대 지지부를 더 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 공간 내의 압력을 변동시킴으로써 상기 적재대 지지부를 신축시키는 공정이 실행되도록, 상기 배기 기구 및 상기 기체 공급 기구 중 적어도 어느 한쪽을 제어하는, 검사 장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 프로브 카드를 지지하는 카드 지지부 및 상기 적재대 중 적어도 어느 한쪽에, 상기 프로브와 상기 적재대의 맞닿음을 방지하는 맞닿음 방지 부재가 마련되어 있는, 검사 장치.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로브 카드를 지지하는 카드 지지부 및 상기 적재대 중 적어도 어느 한쪽에 상기 기체의 도입구가 마련되고,
    상기 기체의 도입구를 선단에 갖는 유로가 라발 노즐 구조인, 검사 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113477619B (zh) * 2021-08-11 2022-06-07 徐州好合智能装备有限公司 一种模具清洗装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11183522A (ja) * 1997-12-22 1999-07-09 Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd プローブカードのクリーニング方法及びクリーニング装置
JP2000100730A (ja) * 1998-09-18 2000-04-07 Sumitomo Metal Ind Ltd 半導体基板の評価方法及び製造方法
WO2014203780A1 (ja) * 2013-06-17 2014-12-24 株式会社Istc ガス噴射装置
JP2018105725A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 三菱電機株式会社 評価装置及び評価方法
JP2018157131A (ja) 2017-03-21 2018-10-04 東京エレクトロン株式会社 ステージクリーニング方法およびステージクリーニング部材、ステージクリーニング部材の製造方法、ならびに検査システム

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2152196Y (zh) * 1993-02-08 1994-01-05 祁家毅 超声速脉冲声波除灰去焦装置
JP2001313317A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Ando Electric Co Ltd プローブの清掃方法及び清掃装置
KR100787739B1 (ko) * 2006-12-21 2007-12-24 동부일렉트로닉스 주식회사 니들 세정유닛을 갖는 테스트장치
JP2009064976A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Panasonic Corp 通電負荷装置および通電負荷方法
CN101398127A (zh) * 2007-09-27 2009-04-01 力晶半导体股份有限公司 清除气体供应系统及气体清除方法
CN101726987A (zh) * 2008-10-13 2010-06-09 家登精密工业股份有限公司 掩膜清洁装置
JP5615852B2 (ja) * 2012-01-27 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 電子デバイス試験システム
CN206225326U (zh) * 2016-12-09 2017-06-06 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种清洁装置
JP6895772B2 (ja) * 2017-03-07 2021-06-30 東京エレクトロン株式会社 検査装置およびコンタクト方法
CN208495250U (zh) * 2018-06-06 2019-02-15 上海正帆科技股份有限公司 管道吹扫装置及工艺气体输送清洁系统
US11707772B2 (en) * 2019-10-29 2023-07-25 United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa High flow differential cleaning system
US11231452B2 (en) * 2020-02-04 2022-01-25 Lumentum Operations Llc Testing apparatus for optical devices
JP7433075B2 (ja) * 2020-02-19 2024-02-19 東京エレクトロン株式会社 検査装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11183522A (ja) * 1997-12-22 1999-07-09 Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd プローブカードのクリーニング方法及びクリーニング装置
JP2000100730A (ja) * 1998-09-18 2000-04-07 Sumitomo Metal Ind Ltd 半導体基板の評価方法及び製造方法
WO2014203780A1 (ja) * 2013-06-17 2014-12-24 株式会社Istc ガス噴射装置
JP2018105725A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 三菱電機株式会社 評価装置及び評価方法
JP2018157131A (ja) 2017-03-21 2018-10-04 東京エレクトロン株式会社 ステージクリーニング方法およびステージクリーニング部材、ステージクリーニング部材の製造方法、ならびに検査システム

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