KR20200083517A - 발열부재 - Google Patents

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Abstract

히터 영역 내의 온도 균일성을 높이는 것이 가능하고, 또한 내구성을 유지할 수 있는 발열부재를 제공한다. 기재부(2)와, 이 기재부(2)의 외부에 설치된 급전에 의해 발열하는 박막히터(4)를 구비한 발열부재(1)이다. 박막히터(4)는 용사피막으로 되어 있다. 박막히터(4)는, 기재부(2)의 제1 단면(2a)에 배열설치된 히터 본체(10)와, 기재부(2)의 측면(2c) 상을 통해 히터 본체(10)로부터 기재부(2)의 제2 단면까지 연장설치된 히터 연장설치부(11)를 포함하며, 히터 연장설치부(11)의 끝부분(11s)은, 히터 본체(10)에 전력을 공급하는 히터 급전부(12)이다.

Description

발열부재
본 발명은 발열부재에 관한 것이다. 이 발열부재는, 예를 들면, 반도체 제조장치의 정전척, 상부 전극, 체임버 벽, 상판에 적용된다.
근년 들어, 반도체 제조 프로세스의 웨이퍼 미세 가공에는, 드라이 에칭 등의 진공 또는 감압 하에서 수행되는 건식법이 많이 적용되고 있다. 플라즈마를 이용한 드라이 에칭의 경우, 웨이퍼에는 플라즈마로부터 열이 가해진다. 웨이퍼의 온도는 에칭 속도에 영향을 주기 때문에, 그 온도 분포가 일정하지 않으면 에칭 깊이에 불균일이 생긴다. 그런 이유로 특허문헌 1 내지 3에 기재된 바와 같이, 히터 유닛을 웨이퍼 밑에 배치하고, 웨이퍼 면내의 온도를 균일하게 유지하도록 하고 있다.
특허문헌 1에는, 도전성 기재, 이 기재 상에 형성된 절연재 및 해당 절연재의 내부에 형성된 용사피막으로 이루어진 띠형태의 히터를 가지는 정전척을 구비한 플라즈마 처리장치가 기재되어 있다. 정전척 내에 설치된 히터의 단부에는, 기재 및 절연재를 관통하는 급전 단자의 접속부가 설치되어 있다.
특허문헌 2에는, 금속제 베이스부 상에, 정전 흡착용 내부 전극이 끼어 있는 알루미나기의 소결체로 이뤄진 재치판(적재판), 지지판이 접합된 정전척 장치가 기재되어 있다. 베이스부에 형성된 두께 방향의 관통 구멍에 급전용 단자가 끼워져 있다. 급전용 단자가 구비하는 도선이 지지판에 관통하여 설치된 급전 부재에 접속되고, 이 급전 부재가 정전 흡착용 내부 전극의 아래면에 전기적으로 접속되어 있다.
특허문헌 3에는, 기저판, 및 이 기저판 상의 정전척을 구비하는 재치대가 내부에 설치된 플라즈마 처리장치가 기재되어 있다. 정전척 내에 설치된 히터에는, 그 하측으로부터 히터 전원이 접속되어 있다. 정전척의 외측에 설치된 포커스링은, 지지부를 통하여 기대 위에 설치되어 있으며, 지지부의 내부에 포커스링의 온도를 제어하는 용사에 의한 히터 전극이 설치되어 있다. 이 히터 전극의 급전 기구가 지지부 및 기대의 히터 전극 하측을 관통하도록 구성되어 있다.
특허문헌 1 : 일본특허공개 2009-170509호 공보 특허문헌 2 : 일본특허공개 2015-88745호 공보 특허문헌 3 : 일본특허공개 2016-27601호 공보
특허문헌 1 및 특허문헌 3의 장치에서는, 웨이퍼나 포커스링의 온도를 제어하는 발열부재로서의 기능을 가진 정전척 등에 내장되는 히터에는, 그 아래측에 급전 기구가 구성되어 있다. 특허문헌 2의 장치에서도, 내부 전극의 아래측에 급전 기구가 구성되어 있다. 즉, 이들 장치의 어느 것도, 히터나 내부 전극의 아래측을 구성하는 기재에 관통 구멍이 형성되어 있으며, 이 관통 구멍 내에 급전 핀이 삽입되어 히터나 전극의 아래면과 전기적으로 접속되어 있다.
그러나, 기재에 관통 구멍을 형성하여 히터의 아래면으로부터 급전 부재를 접속시키면, 히터와 급전 부재의 접점 근방의 온도가 그외 히터 영역의 온도와 다른 온도로 되고, 이 점이 특이점으로 되어 히터 영역 내의 온도 균일성이 손실된다는 문제가 있다. 도 13(b)은, 종래의 급전핀 구조에 의한 히터 급전 개소 부근의 온도 분포의 시뮬레이션 결과를 나타내는 모식도이다. 도 13(b)에 나타난 근접하는 2개의 작은 원으로 표시되는 개소가 급전핀을 아래쪽 방향으로부터 접촉시켜 있는 부분이며, 이것들의 접점 근방의 온도가 그외 히터 영역의 온도와 비교하여 낮게 되어 있는 것을 알 수 있다.
또한, 특허문헌 1 내지 3의 장치와 같이 기재의 내부에 관통 구멍을 형성하면, 관통 구멍의 주변에 응력 집중이 발생하고, 게다가, 발열시에 있어서 기재, 히터 급전 부재 간의 열팽창 차이에 의하여, 급전 개소 부근이 손상하여 강도가 저하한다는 문제가 있다.
본 발명은 종래기술의 문제점을 검토하여, 히터 영역 내의 온도 균일성을 높이는 것을 가능하게 하고, 또한 내구성을 유지할 수 있는 발열부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 발열부재는, 기재부와, 이 기재부의 외부에 설치된 급전에 의해 발열하는 박막히터를 구비한 발열부재에 있어서, 상기 박막히터는 용사피막으로 이루어짐과 함께, 히터 본체와, 해당 히터 본체로부터 연장설치된 히터 연장설치부를 가지며, 상기 히터 연장설치부는, 해당 기재부의 상기 히터 본체가 배열설치된 면과 다른 면 상에까지 연장설치되고, 그 끝부분이 해당 히터 본체에 전력을 공급하는 히터 급전부를 구성하고 있는 발열부재다.
본 발명에 의하면, 박막히터는, 히터 본체와, 이 히터 본체로부터 연장설치된 히터 연장설치부를 구비하고 있으며, 이것들은 모두 용사피막으로 되어 있다. 히터 연장설치부는, 히터 본체가 배열설치된 면과 다른 면 상에까지 연장설치되고, 그 끝부분이 히터 본체에 전력을 공급하는 히터 급전부를 구성하고 있다. 용사의 경우, PVD법, CVD법 등의 그외 성막 방법과는 달리, 다른 면에 대해서도 연속적으로 균일하게 패턴을 성막하는 것이 가능하다. 즉, 본 발명에서는, 히터 본체와 히터 연장설치부 중 어느 것 하나가 기재부의 외부에 설치되며, 추가로 히터 본체와 히터 급전부가, 각각 기재부의 다른 면 상에 설치되어 있다. 이것에 의해, 히터 본체 내에 온도의 특이점이 발생하지 않으며, 히터 영역 내의 온도 균일성을 높이는 것이 가능하며, 추가로, 발열시에 있어서의 강도 저하를 막을 수 있다.
도 13(a)은, 본 발명에 있어서의 급전 구조의 하나의 형태로서, 히터 급전 지점 부근의 온도 분포의 시뮬레이션 결과를 나타내는 모식도이다. 도 14(a), (b)는, 도 13(a), (b)에 대응하는 샘플을 작성하고, 적외선 써모그래피를 사용하여 실측한 온도 분포를 나타내는 그래프이다. 이들 도면에 나타난 것과 같이, 히터 연장설치부가, 히터 본체가 배열설치된 면과 다른 면 상에까지 연장설치되는 것에 의해, 급전 개소 근방에서의 온도 분포의 특이점이 없어지며, 히터 영역 내의 온도가 균일하게 되는 것을 알 수 있다.
히터 급전부의 위치는, 기재부의 외부에 있으며, 또한 히터 본체가 배열설치된 면과 그외의 면 상에 있다면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 기재부가 제1 단면 및 이 단면과 마주보는 제2 단면을 가지는 입체 형상인 경우, 히터 본체가 제1 단면 상에 배열설치되어 있다면, 히터 급전부는 제1, 제2 단면 사이를 지나는 측면 상에서 구성되어도 좋으며, 제1 단면과 반대측의 제2 단면 상에서 구성되어도 좋다.
히터 영역 내의 온도 균일성을 높이는 관점에서, 용사피막으로 이루어진 박막히터는, 띠형태로 형성되어 있는 것이 바람직하고, 히터 본체는 반복 패턴을 가지는 것이 바람직하다. 히터 본체가 반복 패턴을 가지는 것을 통하여, 실제와 비슷하게 온도 분포가 균일한 가열면을 형성하는 것이 가능하다. 이 경우, 히터 연장설치부는, 단일의 선 모양의 패턴을 가지는 것이 바람직하다. 반복 패턴으로서는, (i) 복수의 띠가 평행하게 배열설치된 패턴, (ii) 한 가닥의 띠가 접힌 부분을 가지며, 접히기 전과 접힌 후가 서로 평행하게 되어 있는 지그재그 패턴, (iii) 한 가닥의 띠가 복수로 분기하며, 그 분기한 끝이 서로 평행하게 되어 있는 패턴 등을 들 수 있다. 더 넓은 면을 고정밀로 제어하는 관점으로는, 히터 본체는 서로 평행한 3개 이상의 반복 패턴을 가지는 것이 바람직하다.
상기 박막히터는, Mo, W, Ta, Cr, Ti, Al, Si, Ni, Nb, Fe, Cu, Ag, 및 Pt에서 선택되는 금속원소 단위, 이들 금속원소의 1종 이상을 포함하는 합금, 이들 금속원소의 1종 이상을 포함하는 도전성 화합물, 또는 이것들의 혼합물로 이루어진 것이 바람직하다.
상기 히터 급전부는, 급전 케이블의 끝부분이 접합된 접속 구조, 급전 케이블의 끝부분이 급전 소켓을 통하여 접속된 접속 구조, 급전 케이블의 끝부분이 직접적으로 눌려 맞춰진 접속 구조 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
본 발명의 발열부재는, 기재부의 외부에, 전극부를 추가로 구비하고 있어도 좋다. 이때, 전극부는, 전극 본체와, 해당 전극 본체로부터 연장설치된 전극 연장설치부를 가지며, 상기 전극 연장설치부는, 해당 기재부의 상기 전극 본체가 배열설치된 면과 그외 면 상까지 연장설치되고, 그 끝부분이 해당 전극 본체에 전력을 공급하는 전극 급전부를 구성하고 있는 것이 바람직하다. 또한, 기재부가 제1 단면 및 이 단면과 마주보는 제2 단면을 가지는 입체 형상인 경우, 전극 본체가 제1 단면 측에 배열설치되어 있다면, 전극 급전부는 제1, 제2 단면 사이를 지나는 측면 상에 구성되어도 좋으며, 제2 단면 상에 구성되어도 좋다.
상기 전극부는, 용사피막으로 이루어진 것이 바람직하다. 용사법은, PVD법, CVD법 등의 타 성막 방법과 차이가 있으며, 다른 면에 대해서도 연속적으로 균일하게 패턴 성막하는 것이 가능하다. 전극 본체와 전극 연장설치부가 기재부의 외부에 형성되고, 추가로 전극 본체와 전극 급전부가 기재부의 다른 면 상에 형성하는 것을 통하여, 기재부에 관통 구멍을 형성하지 않고 전극부에 급전할 수 있기 때문에, 관통 구멍을 형성하는 것으로서 히터 영역 내 온도의 불균일 발생 및 강도의 저하를 막을 수 있다.
본 발명에 의하면, 히터 본체로부터 연장설치된 곳의 끝부분이 히터 급전부로 되어 있어서, 해당 연장설치된 부분을 통하여 히터 본체에 급전이 되며, 기재부 내에 급전을 위한 관통 구멍을 형성할 필요가 없어지기 때문에, 히터 영역 내의 온도 균일성을 높이는 것이 가능하다. 또한, 그에 따라, 발열부재의 내구성을 유지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태로서 발열부재를 정전척에 적용한 예의 단면도이다.
도 2는 도 1에서 나타난 발열부재의 일부를 잘라낸 사시도이다.
도 3은 도 1에서 나타난 발열부재의 박막히터의 히터 본체와 히터 연장설치부의 접속 부분을 확대한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 발열부재를 정전척에 적용한 플라즈마 처리장치의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 5는 박막히터의 패턴 예를 나타내는 평면도이다.
도 6은 정전척의 변형예를 나타내는 사시도이다.
도 7은 정전척의 변형예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 6 및 도 7에서 나타난 정전척에 있어서 박막히터의 다른 일례를 나타내는 사시도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 발열부재를 상부 전극 및 체임버 벽에 적용한 플라즈마 처리장치의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 10은 기재부가 실린더형(원형고리형)일 때의 일 실시형태를 나타내는 사시도이며, (a)는 기재부의 내주면 측의 단면을 나타내며, (b)는 기재부의 외주면 측의 단면을 나타내고 있다.
도 11은 기재부가 실린더형(원형고리형)일 때의 일 실시형태를 나타내는 사시도이다.
도 12는 기재부가 단차부를 가지는 입체 형상일 때의 일 실시형태를 나타내는 사시도이다.
도 13은 히터 급전 개소 부근의 온도 분포의 시뮬레이션 결과를 나타내는 모식도이며, (a)는 본 발명에 있어서의 급전 구조의 하나의 형태를 나타내고, (b)는 종래의 급전핀 구조를 나타낸다.
도 14(a), (b)는, 도 13(a), (b)에 대응하는 샘플을 작성하여, 적외선 써모그래피를 사용하여 실측한 온도 분포를 나타내는 그래프이다.
본 발명의 발열부재의 실시형태에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시형태로서 발열부재(1)를 정전척에 적용한 예의 단면도이며, 도 2는 그 일부를 잘라낸 발열부재(1)의 사시도이다. 이 발열부재(1)는 정전척으로서 구성된 것이며, 적재된 웨이퍼(W)가 적재면에 흡착되어, 온도가 제어되도록 되어 있다.
발열부재(1)는, 기재부(2); 이 기재부(2)를 둘러싸도록 형성된 절연층(3); 기재부(2)의 외부에 설치되고 급전에 의해 발열하는 박막히터(4); 기재부(2)의 외부에 설치된 전극부(5);를 구비하고 있다. 발열부재(1)의 웨이퍼(W)가 적재되는 면이 적재면(1a)으로 되어 있고, 그 반대측 면이 발열부재(1)의 밑면(1b)로 되어 있다.
기재부(2)는, 소정 높이 및 지름을 가지는 원기둥 형태로 구성되어 있으며, 서로 마주보는 제1 단면(2a)(적재면(1a) 측) 및 제2 단면(2b)(밑면(1b) 측)을 포함하고 있다. 기재부(2)가 포함하는 2개의 단면(2a, 2b)은 모두 평면상이며, 서로 면이 평행하게 되도록 형성되어 있다.
기재부(2)는, 금속 벌크체 등의 단일 소재로 되어 있으며, 발열부재(1)의 강도의 기본 구조를 이룰 수 있다. 기재부(2)는, 원기둥 이외의 다른 기둥 형태, 판 형태, 그릇 형태, 실린더 형상(원형고리형), 테이퍼 형상 등이어도 좋으며, 일부에 단차가 있는 입체 형상이어도 좋다. 기재부(2)의 형상에 따른 형태로, 절연층, 박막히터 및 전극부가 설치된다. 내부를 구멍으로 도려낸 실린더 형상에 기재부가 구성되어 있는 경우에는, 절연층, 박막히터 및 전극부를, 예를 들면 기재부의 내주측 및 외주측에 설치하는 것도 가능하다.
기재부(2)의 구성 재료로서는, 예를 들면 알루미늄 합금, 티탄 합금, 구리 합금, 또는 스텐레스 등의 도전성 재료를 들 수 있다. 기재부(2)의 표면에는, 세라믹 소결체 등의 절연체나, 다른 도전체가 배치되어도 좋다.
기재부(2)는, 절연층(3)으로 둘러싸여 있으며, 절연층(3)의 내부에 박막히터(4) 및 전극부(5)가 설치되어 있다. 절연층(3)은, 기재부(2) 측으로부터, 제1 절연층(3a), 제2 절연층(3b) 및 제3 절연층(3c)의 순으로 적층되어 구성되어 있다.
발열부재(1)의 적재면(1a) 측에는, 기재부(2)와 박막히터(4)와의 사이에 제1 절연층(3a)이 배치되고, 기재부(2)와 박막히터(4)와의 사이가 절연되어 있다. 또한, 박막히터(4)와 전극부(5)와의 사이에 제2 절연층(3b)이 배치되고, 박막히터(4)와 전극부(5)와의 사이가 절연되어 있다. 전극부(5)의 외측은 제3 절연층(3c)이 배치되어 있으며, 전극부(5)의 외측이 절연되어 있다.
발열부재(1)의 밑면(1b) 측에는, 제2 절연층(3b) 및 제3 절연층(3c)을 관통하는 제1 급전구(6), 및 제3 절연층(3c)을 관통하는 제2 급전구(7)가 형성되어 있다.
제1 절연층(3a)~제3 절연층(3c)은, 예를 들면 용사법에 의해 형성하는 것이 가능하나, PVD법, CVD법 등의 그 밖의 성막 방법이어도 좋다.
제1 절연층(3a)~제3 절연층(3c)의 구성 재료는, 절연 특성을 부여하는 것이라면 특별히 한정되지 않으나, 제1 절연층(3a) 및 제2 절연층(3b)에 관해서는, 소정의 열전도성과 절연성을 양립시키는 재료가 바람직하다. 제3 절연층(3c)에 관해서는, 추가로 내플라즈마성, 내마모성을 겸비한 것이 바람직하다. 제1 절연층(3a)~제3 절연층(3c)은, 각각이 단층일 필요는 없으며, 복수층으로 된 것이어도 좋다.
제1 절연층(3a)~제3 절연층(3c)의 각각의 두께는, 예를 들면 50~2000μm이다. 제1 절연층(3a)~제3 절연층(3c)의 두께를 변경하는 것에 의해, 제1 절연층(3a)~제3 절연층(3c)에 의한 발열 효과를 조절할 수 있다.
제1 절연층(3a)~제3 절연층(3c)의 구성 재료로서는, 산화물계 세라믹스, 질화물계 세라믹스, 불화물계 세라믹스, 탄화물계 세라믹스, 붕화물계 세라믹스, 또는 이들을 포함하는 화합물, 또는 이들의 혼합물을 들 수 있다.
산화물계 세라믹스는, 내마모성을 가지는 것 이외에, 플라즈마 에칭 프로세스로 사용되는 산소계의 플라즈마 중에서 안정하며, 염소(Cl)계의 플라즈마 중에서도 비교적 양호한 내플라즈마성을 나타낸다. 질화물계 세라믹스는 고경도이기 때문에, 웨이퍼와의 마모에 의한 손상이 적고, 마모 가루 등이 생기기 어렵다. 또한, 비교적 열전도율이 높기 때문에, 처리 중의 웨이퍼(W)의 온도를 제어하기 쉽다. 불화물계 세라믹스는, 불소계의 플라즈마 중에서 안정되며, 우수한 내플라즈마성을 발휘하는 것이 가능하다.
산화물계 세라믹스의 구체예로서는, Al2O3, TiO2, SiO2, Cr2O3, ZrO2, Y2O3, MgO, CaO, 또는 La2O3를 들 수 있다. 질화물계 세라믹스로서는, TiN, TaN, AlN, BN, Si3N4, HfN, NbN, YN, ZrN, Mg3N2, 또는 Ca3N2를 들 수 있다. 불화물계 세라믹스로서는, LiF, CaF2, BaF2, YF3, AlF3, ZrF4, 또는 MgF2를 들 수 있다. 탄화물계 세라믹스로서는, TiC, WC, TaC, B4C, SiC, HfC, ZrC, VC, 또는 Cr3C2를 들 수 있다. 붕화물계 세라믹스로서는, TiB2, ZrB2, HfB2, VB2, TaB2, NbB2, W2B5, CrB2, 또는 LaB6를 들 수 있다.
제1 절연층(3a)과 제2 절연층(3b)과의 사이에 형성된 박막히터(4)는, 히터로서 사용 가능한 고유 저항값을 가지고 있으며, 박막히터(4)에 소정의 전압을 인가하여 전류를 흐르게 하는 것으로, 발열부재(1)의 적재면(1a)에 적재된 웨이퍼(W)를 가열하는 것이 가능하다.
박막히터(4)는, 히터 영역 내의 온도 균일성을 높이는 관점에서, 가늘고 긴 띠형태의 패턴으로 형성되어 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 바로 아래에 위치하는 히터 본체(10)는, 서로 소정의 간격을 두고 평행하게 배치된 복수의 반복 패턴을 가지고 있다. 이것에 의해, 히터 본체(10)에 의한 매우 비슷한 가열면이 형성되기 때문에, 웨이퍼(W)를 넓고 균일하게 가열하는 것이 가능하다.
박막히터(4)의 두께는 10~1000μm의 범위가 바람직하다. 박막히터(4)의 두께가 10μm 미만이면, 발열량이 너무 커지거나, 막 형성이 안정하지 않을 우려가 있다. 또한, 박막히터(4)의 두께가 1000μm를 상회하면, 발열량이 너무 작게될 우려가 있다.
박막히터(4)의 선폭은 1 내지 5mm의 범위가 바람직하다. 박막히터(4)의 폭을 1mm 이상으로 하는 것으로 단선의 가능성을 줄일 수 있고, 5mm 이하로 하여 히터 영역 내의 온도 불균일을 저감할 수 있다.
박막히터(4)의 선간 거리는 0.5 내지 50mm의 범위가 바람직하다. 박막히터(4)의 선간 거리를 0.5mm 이상으로 하는 것으로 단락을 회피할 수 있으며, 50mm 이하로 하는 것으로 히터 영역 내의 온도 불균일을 저감할 수 있다.
박막히터(4)의 구성 재료는, 히터로서 사용 가능한 것이라면 한정되지 않으나, Mo, W, Ta, Cr, Ti, Al, Si, Ni, Nb, Fe, Cu, Ag, 및 Pt에서 선택되는 금속원소 단위, 이들 금속원소의 1종 이상을 포함하는 합금, 이들 금속원소의 1종 이상을 포함하는 도전성 화합물, 또는 이것들의 혼합물로 이루어진 것이 바람직하다.
박막히터(4)는 용사피막으로 이루어진이다. 용사법이라면, 기재부(2)의 사이즈나 형상에 제한받지 않고, 연속적으로 균일하게 박막을 코팅할 수 있다. 기재부(2)의 표면 상에 형성한 제1 절연층(3a)의 상면에, 상기 박막히터(4)의 구성 재료를 용사하는 것에 의해 박막히터(4)를 형성할 수 있다. 용사법은, 대기 플라즈마 용사법, 감압 플라즈마 용사법, 수(水) 플라즈마 용사법, 아크 용사법, 고속 프레임 용사법, 저속 프레임 용사법, 콜드 스프레이법의 어느 것이어도 좋다.
박막히터(4)의 패턴은, 기재부(2) 상에 형성된 제1 절연층(3a)의 표면을 미리 패턴상으로 마스킹하고, 전체면을 용사하는 것으로 제작하여도 좋으며, 전체면에 용사한 뒤에 그 용사피막의 표면을 패턴상으로 마스킹하고, 기계 가공이나 블래스트 가공에 의해 불필요한 용사피막을 제거하는 것으로 제작하여도 좋다.
제2 절연층(3b)과 제3 절연층(3c)과의 사이에 형성된 전극부(5)는, 소정의 전압을 인가하는 것으로, 발열부재(1)의 적재면(1a)에 적재된 웨이퍼(W)를 흡착하고, 고정할 수 있다.
전극부(5)에 의한 웨이퍼(W)의 흡착 방식은, 단극식이어도 쌍극식이어도 좋다. 전극부(5)의 구성 재료 및 제법은 한정되지 않으나, 용사법이라면, 기재부(2)의 사이즈나 형상에 제한받지 않고, 연속적이며 균일하게 코팅할 수 있다. 예를 들면, 박막히터(4)를 둘러싸도록 형성된 제2 절연층(3b)의 상면에, 텅스텐 등의 도전성 재료를 용사하는 것에 의해 전극부(5)를 형성할 수 있다.
제1 절연층(3a) 내지 제3 절연층(3c), 박막히터(4) 및 전극부(5)를 형성하기 위한 용사 분말은, 입경 5~80μm의 입도 범위인 것을 채용하는 것이 바람직하다. 입경이 너무 작으면, 분말의 유동성이 저하하고 안정된 공급을 할 수 없고, 피막의 두께가 불균일하게 되기 쉽다. 한편 입경이 너무 크면, 완전하게 용융하지 않은 채로 성막되고, 과도하게 다공질화되어 막의 질이 거칠게 된다.
제1 절연층(3a) 내지 제3 절연층(3c), 박막히터(4), 및 전극부(5)를 구성할 수 있는 용사피막은 다공질체이며, 그 평균 기공율은 1 내지 10%의 범위가 바람직하다. 평균 기공율은, 용사법이나 용사 조건에 의해 조절하는 것이 가능하다. 1% 보다도 작은 기공율에서는, 용사피막 내에 존재하는 잔류 응력의 영향이 커지게 되고, 쉽게 깨질 우려가 있다. 10%를 초과하는 기공율에서는, 반도체 제조 프로세스에 사용되는 각종 가스가 용사피막 내에 쉽게 침입하게 되고, 내구성이 저하할 우려가 있다. 평균 기공율은, 용사피막의 단면을 광학 현미경으로 관찰하여, 관찰 이미지를 이진화처리하고, 피막 내부의 검은색 영역을 기공 부분으로 간주하고, 그 검은핵 영역의 전체에서 차지하는 면적의 비율을 산출하는 것을 통하여 측정할 수 있다.
다음으로, 박막히터(4)의 형상에 대하여 상세하게 설명한다. 도 3은 박막히터(4)의 히터 본체(10)와 히터 연장설치부(11)의 접속 부분을 확대한 사시도이다. 박막히터(4)는, 히터 본체(10)와, 히터 본체(10)로부터 연장설치된 히터 연장설치부(11)를 포함하고 있다. 히터 본체(10)는 웨이퍼(W)의 가열수단으로서 기능하고 있는 것에 반하여, 히터 연장설치부(11)는 히터 본체(10)로의 급전수단(바이패스)으로서 기능하고 있으며, 웨이퍼(W)의 가열수단으로서는 기능하지 않는다.
히터 본체(10)는, 복수의 동일한 모양의 형상이 반복된 패턴으로부터 되며, 전체적으로 동심원 형태로 형성되어 있다. 히터 본체(10)는 가열하고자 하는 대상물의 형상, 사이즈에 따라서 설계 변경이 가능하며, 예를 들면, 지그재그 패턴으로 된 직각 형상이어도 좋다. 히터 연장설치부(11)는, 히터 본체(10)의 가장 바깥쪽의 일부가 인출구(10a)로 되며, 인출구(10a)에서 직경 방향 외측을 향하여 연장되어 형성되어 있다.
히터 본체(10)와 히터 연장설치부(11)는 일체로 형성된 것이어도 좋으며, 다른 부재가 서로 접속되어 형성된 것이어도 좋으나, 구조상의 특이점을 지니게 하지 않는 관점에서, 이것들은 일체로서 형성된 것이 바람직하다. 마찬가기로, 히터 연장설치부(11)는 히터 본체(10)와 같은 구성 재료로 이루어진 것이어도, 다른 구성 재료로 이루어진 것이어도 좋으나, 재질상의 특이점을 지니게 하지 않는 관점에서는, 이것들을 동일한 구성 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 추가로, 히터 연장설치부(11)는, 히터 본체(10)와 같은 두께 및 폭을 가지는 것이어도, 다른 두께 및 폭을 가지는 것이어도 좋으나, 제조상의 관점에서는 이것들은 동일한 두께 및 폭을 가지는 것이 바람직하다.
히터 연장설치부(11)는, 서로 평행한 2개의 연장설치부분(11a, 11b)로 이루어져 있으며, 기재부(2)의 제1, 제2 단면(2a, 2b) 사이를 지나는 측면(2c) 상에 연장설치되어 있다. 히터 연장설치부(11)는, 추가로 기재부(2)의 제2 단면(2b)을 따라 직경 방향 안쪽을 향하는 각도로 접혀 있으며, 히터 급전부(12)까지 연장설치되어 있다.
즉, 히터 연장설치부(11)는 전체적으로 단면이 '
Figure pct00001
' 글자 모양으로 되고, 기재부(2)를 측면 방향에서부터 둘러싸도록 형성되어 있으며, 기재부(2)의 제2 단면(2b) 측에 들어간 끝부분(11s)이 히터 급전부(12)를 구성하고 있다. 따라서 히터 급전부(12)는, 기재부(2)의 히터 본체(10)가 배열설치된 면과 반대측의 면 상에 구성되어 있다.
히터 급전부(12)는, 제1 절연층(3a) 상에 형성되어 있고, 제1 급전구(6)와 교차하는 개소에서 외부로 노출되며, 전력을 공급하는 외부 부품과 접속할 수 있도록 되어 있다. 즉, 본 실시형태에 의하면, 종래와 같은 기재부를 관통하는 것과 같은 급전 기구를 형성할 필요가 없이, 히터 본체(10)로의 급전이 가능하게 된다.
박막히터(4)는, 막두께가 얇은 용사피막으로 이루어져 있기 때문에, 외부 전원의 히터 급전부(12)로의 접속 방식은, 급전 케이블의 끝부분이 접합된 접속 구조, 급전 케이블의 끝부분이 급전 소켓을 통하여 접속된 접속 구조, 급전 케이블의 끝부분이 직접적으로 눌려 맞춰진 접속 구조의 어느 것 중 하나인 것이 바람직하다. 히터 급전부(12)에 급전 케이블을 접합시키는 방법으로서는, 납땜, 브래이징, 용접 등을 들 수 있다. 급전 소켓을 이용하는 경우는, 급전 소켓이 히터 급전부(12)에 용접되어 있는 것이 바람직하다. 급전 케이블을 히터 급전부(12)에 직접적으로 눌러 맞추는 경우는, 급전 케이블을 기재부(2)에 고정하기 위한 나사못 등의 수단이 필요하게 된다.
이어서, 전극부(5)의 형상에 대하여 자세하게 설명한다. 전극부(5)도 박막히터(4)와 마찬가지로, 전극 본체(15)와, 전극 본체(15)로부터 연장설치된 전극 연장설치부(16)를 포함하고 있다. 전극 본체(15)와 전극 연장설치부(16)는 일체로 형성된 것이어도 좋고, 다른 부재가 서로 접속되어 형성된 것이어도 좋으나, 구조상의 특이점을 지니게 하지 않는 관점에서는, 이것들은 일체로 형성된 것이 바람직하다. 마찬가지로, 전극 연장설치부(16)는 전극 본체(15)와 같은 구성 재료로 이루어진 것이어도 좋고, 다른 구성 재료로 이루어진 것이어도 좋으나, 재질상의 특이점을 지니게 하지 않는 관점에서는, 이것들은 같은 구성 재료로 이루어진 것이 바람직하다. 게다가, 전극 연장설치부(16)는 전극 본체(15)와 같은 두께 및 폭을 가지는 것이어도, 다른 두께 또는 폭을 가지는 것이어도 좋으나, 제조상의 관점에서는, 이것들은 같은 두께 및 폭을 가지는 것이 바람직하다.
전극 본체(15)의 형상은, 단극식이거나 쌍극식인지에 따라 크게 다르다. 단극식이라면, 틈이 없는 원형상이어도 좋으며, 슬릿을 포함하는 원형상이어도 좋다. 쌍극식이라면, 두개의 반원 형태의 전극이 소정 거리를 두고 형성된 것이거나, 두개의 전극이 서로 소정 간격을 두고 빗살 형태로 형성된 것을 들 수 있다. 전극 본체(15)는, 흡착시키고 싶은 대상물의 형상, 사이즈에 따라서 설계 변경이 가능하며, 직각 형상이나, 일부에 슬릿이 있는 직각 형상이어도 좋다.
본 실시형태에 있어서 전극 연장설치부(16)는, 단극식이나 쌍극식인지에 관계 없이, 전극 본체(15)의 가장 바깥쪽의 일부가 인출구로 되고, 인출구로부터 직경 방향 외측을 향하여 연장되어 형성되어 있다. 전극 연장설치부(16)는, 기재부(2)의 제1, 제2 단면(2a, 2b) 사이를 지나는 측면(2c) 상에 연장설치되어 있다. 전극 연장설치부(16)는, 추가로 기재부(2)의 제2 단면(2b)을 따라 직경 방향 안쪽을 향하는 각도로 접혀 있으며, 전극 급전부(17)까지 연장설치되어 있다.
즉, 전극 연장설치부(16)는 전체적으로 단면이 '
Figure pct00002
'자 모양으로 되고, 기재부(2)를 측면 방향에서 둘러싸도록 형성되어 있으며, 제2 단면(2b) 측에 들어가 있는 끝부분이 전극 급전부(17)를 구성하고 있다. 따라서, 전극 급전부(17)는, 기재부(2)의 전극 본체(15)가 배열설치된 면과 반대측의 면 상에 구성되어 있다.
본 실시형태에서 전극 급전부(17)는, 제2 절연층(3b) 상에 형성되어 있으며, 제2 급전구(7)와 교차하는 개소에서 외부에 노출되고, 전력을 공급하는 외부 부품과 접속할 수 있도록 되어 있다. 즉, 본 실시형태에 의하면, 종래처럼 기재부를 관통하는 것과 같은 급전 기구를 설치하는 일이 없이, 전극 본체(15)에 급전이 가능하게 된다.
전극부(5)가 용사피막이라면, 박막히터(4)와 마찬가지로, 외부 전원의 전극 급전부(17)로의 접속 방식은, 급전 케이블의 끝부분이 접합된 접속 구조, 급전 케이블의 끝부분이 급전 소켓을 통하여 접속되는 접속 구조, 급전 케이블의 끝부분이 직접적으로 눌러 맞춰있는 접속 구조 중 어느 것이나 바람직하다.
도 4는, 본 실시형태의 발열부재를 정전척에 적용한 플라즈마 처리장치(30)의 일례를 나타내는 단면도이다. 플라즈마 처리장치(30)의 진공 체임버(31) 내에는, 웨이퍼(W)를 고정하기 위한 정전척(32)이 설치되어 있다. 반송용 로봇암 등에 의해 웨이퍼(W)가 진공 체임버(31)의 내외에 출입되도록 되어 있다.
진공 체임버(31)에는 가스 도입 장치(33)나 상부 전극(34) 등이 설치되어 있다. 상부 전극(34)의 둘레에는 지지부(37)가 설치되어 있다. 정전척(32)은 하부 전극으로서의 기재부(2), 절연층(3), 박막히터(4) 및 전극부(5)를 내장하고 있다. 상부 전극(34), 하부 전극으로서의 기재부(2)에는, 각각 플라즈마 발생용 전원(44, 45)이 전기적으로 접속되어 있다. 전극부(5)에는, 웨이퍼(W)를 흡착시키기 위한 전원(46)이 전기적으로 접속되고, 박막히터(4)에는, 박막히터(4)를 발열시키기 위한 전원(47)이 전기적으로 접속되어 있다.
기재부(2)와 상부 전극(34) 사이에 고주파 전압을 걸면, 도입된 처리가스가 플라즈마화된다. 발생한 플라즈마의 이온이 웨이퍼(W)에 인입되어 에칭이 수행되고, 그때 웨이퍼(W)의 온도가 상승한다. 웨이퍼(W) 주위에는, 웨이퍼(W)의 외연부 부근에서도 에칭 효과가 저하되지 않도록 포커스링(F)이 설치되어 있다. 박막히터(4)는, 웨이퍼(W) 뿐만 아니라 포커스링(F)의 온도도 일정하게 유지할 수 있다. 기재부(2)에는, 도면으로 표시하지 않은 수냉 구조, 또는 가스 냉각 구조로 이루어진 냉각 기구 등이 포함되어 있으며, 박막히터(4)의 온도 제어를 가능하게 한다.
도 5는, 박막히터의 패턴 예를 나타내는 평면도이다. 도 5에 나타난 히터 본체(10) 및 히터 연장설치부(11)는, 원형의 기재부 상에 형성되어 있으며, 히터 본체(10)는, 그 위쪽 방향에 적재된 웨이퍼(W)의 형상에 맞추어 실제와 비슷하게 원형상으로 형성되어 있다. 같은 도면에서와 같이 히터 본체(10)를 대략 동심원 형태로 그리는 것으로, 1개의 선에 의해, 면 내를 균일하게 가열 가능한 원형과 유사한 면을 형성할 수 있다.
도 6 및 도 7은, 정전척의 변형예를 나타내는 사시도이다. 이들 도면에 나타난 정전척의 주연 부분에는 단차부(51)가 형성되어 있다. 박막히터(4)의 히터 본체(10)는, 기재부(2)의 웨이퍼 적재면 상에서 웨이퍼(W)의 형상에 맞추어 좁은 선간 거리로 동심원 형태로 형성되어 있으며, 히터 본체(10)의 가장 바깥 둘레의 일부로부터 히터 연장설치부(11)가 직경 방향 외측을 항하여 연장되어 있다. 히터 연장설치부(11)는, 추가로 기재부(2)의 측면을 따라서 히터 본체(10)가 배열설치된 면과 반대측의 면 상에까지 연장되어 있으며, 그 끝부분이 히터 급전부(12)를 구성하고 있다. 또한, 전극부의 전극 본체(15)는, 기재부(2)의 적재면 상에 원형으로 배열설치되어 있으며, 전극 본체(15)의 가장 바깥 둘레의 일부로부터 전극 연장설치부(16)가 직경 방향 외측을 향하여 연장되어 있다. 전극 연장설치부(16)는, 추가로 기재부(2)의 측면을 따라서 전극 본체(15)가 배열설치된, 면과 반대측의 면상까지 연장되어 있으며, 그 끝부분이 전극 급전부(17)를 구성하고 있다.
도 8은, 도 6 및 도 7에 나타난 정전척에서 박막히터(4)의 다른 일례를 나타내는 사시도이다. 도 8에 나타난 예에서는, 기재부(2)의 웨이퍼 적재면 상뿐만 아니라, 단차부(51)를 구성하는 어느 면 상에도 히터 본체(10)가 둘레 방향으로 배열설치되고, 또한 복수의 개소에서 접혀 굽어져 있도록 하여 지그재그 형태로 형성되어 있으며, 이것에 의해 포커스링(F)의 온도를 제어할 수 있도록 되어 있다.
본 실시형태의 발열부재(1)를 플라즈마 처리장치에 적용하면, 웨이퍼(W) 및 포커스링(F)의 온도 분포를 균일하게 할 수 있고, 고정밀의 가공이 가능하게 되기 때문에, 수율이 높은 고품질의 반도체 부품을 제조할 수 있다.
상기 실시형태는 본 발명의 예시이며, 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 본 발명의 발열부재에는 본 발명의 효과를 상실하지 않는 한에서, 다른 구성이 포함되어 있어도 좋다. 박막히터, 전극부, 절연층의 형태는, 가공 프로세스의 목적에 따라서 적절하게 변경할 수 있다. 정전척으로 고정하는 대상물로서는, 웨이퍼 이외에 플랫 패널 디스플레이의 글래스 기판 등을 들 수 있다.
본 발명의 발열부재를 플라즈마 처리장치의 타 부품에 적용하여도 좋다. 도 9는 본 발명의 일 실시형태에 관련된 발열부재를 상부 전극(34) 및 체임버 벽(36)에도 적용한 플라즈마 처리장치의 일례를 나타내는 단면도이다. 박막히터(40)에는, 박막히터(40)를 발열시키기 위한 전원(48)이 전기적으로 접속되어 있으며, 박막히터(40)에 의해 상부 전극(34) 및 상부 전극(34)을 둘러싸는 지지부(37)의 온도를 제어할 수 있다. 박막히터(41)에는, 박막히터(41)를 발열시키기 위한 전원(49)이 전기적으로 접속되어 있으며, 박막히터(41)에 의해 체임버 벽(36)의 온도를 제어할 수 있다. 또한, 도면으로 나타내지는 않았으나, 상부 전극(34)과 박막히터(40) 간, 및 체임버 벽(36)과 박막히터(41) 간에는 각각 절연층이 배치되어 있으며, 이것들은 절연되어 있다.
도 10은, 기재부가 실린더형(원형고리형)일 때의 하나의 실시형태를 나타내는 사시도이다. 도 10(a)는 기재부(52)의 내주면 측의 단면을 나타내고 있으며, 도 10(b)는 기재부(52)의 외주면 측의 단면을 나타내고 있다. 도 10의 실시형태에서는, 기재부(52)의 내주면 측 및 외주면 측의 쌍방에 있어서, 박막히터의 히터 본체(42), 및 전극부의 전극 본체(55)가, 해당하는 각각의 주면을 따라서 서로 평행한 띠형태의 패턴으로 형성되어 있다. 이 실시형태에서는, 히터 본체(42)의 작용에 의해, 기재부(52)의 내주면 및 외주면의 측면 방향에 존재하는 가열 대상물의 온도를 제어할 수 있다. 또한, 전극 본체(55)의 작용에 의해, 기재부(52)의 내주면 측 및 외주면 측의 각각에 전자계를 발생시키는 것이 가능하다. 도 10의 실시형태에서는, 기재부(52)의 밑면 측을 향하여, 박막히터의 히터 연장설치부(43), 및 전극부의 전극 연장설치부(56)가 연장되어 있으며, 각각의 끝부분이 히터 급전부(48), 및 전극 급전부(57)를 구성하고 있다. 이것에 의해, 기재부(52)의 내주면 측 및 외주면 측의 온도 균일성을 높이는 것이 가능하다.
도 11은, 기재부가 실린더형(원형고리형)일 때의 하나의 실시형태를 나타내는 사시도이다. 도 11의 실시형태에서는, 기재부(62)의 적재면 측에 있어서, 박막히터의 히터 본체(60), 및 전극부의 전극 본체(61)가 형성되어 있으며, 어느 것이나 서로 평행한 띠형태의 패턴으로 형성되어 있다. 이 실시형태에서는, 기재부(62)의 적재면 상에 적재된 가열 대상물의 온도를 제어할 수 있다. 도 11의 실시형태에서는, 히터 본체(60)의 일단으로부터 나와 있는 히터 연장설치부(63)가 기재부(62)의 측면을 따라서 기재부(62)의 밑면 측까지 연장설치되어 있으며, 그 끝부분이 히터 급전부(65)를 구성하고 있다. 또한, 전극 본체(61)의 일단으로부터 나와 있는 전극 연장설치부(64)가 기재부(62)의 측면을 따라서 기재부(62)의 밑면 측까지 연장설치되어 있으며, 그 끝부분이 전극 급전부(66)를 구성하고 있다. 이것에 의해, 기재부(62)의 적재면 측의 온도 균일성을 높일 수 있다.
도 12는, 기재부가 단차부를 가지는 입체 형상일 때의 일 실시형태를 나타내는 사시도이다. 도 12의 실시형태에서는, 기재부(72)의 측면에 있어서, 박막히터의 히터 본체(70), 및 전극부의 전극 본체(71)가 형성되어 있고, 어느 것이나 서로 평행한 띠형태의 패턴으로 형성되어 있다. 이 실시형태에서는, 기재부(72)의 측면이 복수개로 존재하고 있으며, 각 측면의 측면 방향에 위치하는 가열 대상물의 온도를 제어할 수 있다. 기재부(72)의 측면의 각각에 배열설치된 히터 본체(70)는, 이것들의 측면 사이에 위치하는 단차부(77) 상에 형성된 히터 연장설치부(73)를 통하여 서로 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 기재부(72)의 측면의 각각에 배열설치된 전극 본체(71)도, 이것들의 측면 사이에 위치하는 단차부(77) 상에 형성된 전극 연장설치부(74)를 통하여 서로 전기적으로 접속되어 있다. 도 12의 실시형태에서는, 히터 본체(70)의 일단으로부터 나와 있는 히터 연장설치부가 기재부(72)의 밑면을 따라서 연장설치되어 있으며, 그 끝부분이 히터 급전부(75)를 구성하고 있다. 또한, 전극 본체(71)의 일단으로부터 나와 있는 전극 연장설치부(74)가 기재부(72)의 밑면을 따라서 연장설치되어 있으며, 그 끝부분이 전극 급전부(76)를 구성하고 있다. 이상과 같이, 기재부(72)가 단차부를 가지는 경우에 있어서도, 각각의 가열면의 온도 균일성을 높일 수가 있다.
이상, 본 발명에 따른 발열부재의 실시형태를 몇가지 예시하여 왔으나, 이것들의 실시형태는 각각의 특징의 일부를 떼어내어 서로 조합하는 것도 가능하다. 또한, 본 발명의 발열부재가 적용된 장치는, CVD 장치나 스퍼터링 장치여도 좋다. 게다가, 본 발명의 발열부재가 적용되는 장치는, 반도체 관련에 한정되지 않고, 히터 영역의 온도 균일성이 요구되는 것이라면, 어느 제품에 적용되어도 좋다.
1 : 발열부재 1a : 적재면
1b : 밑면 2, 52, 62, 72 : 기재부
2a : 제1 단면 2b : 제2 단면
2c : 측면 3 : 절연층
3a : 제1 절연층 3b : 제2 절연층
3c : 제3 절연층 4, 40, 41 : 박막히터
5 : 전극부 6 : 제1 급전구
7 : 제2 급전구 10, 42, 60, 70 : 히터 본체
11, 43, 63, 73 : 히터 연장설치부 11s : 끝부분
12, 48, 65, 75 : 히터 급전부 15, 55, 61, 71 : 전극 본체
16, 56, 64, 74 : 전극 연장설치부 17, 57, 66, 76 : 전극 급전부
30 : 플라즈마 처리장치 31 : 진공 체임버
32 : 정전척 33 : 가스도입장치
34 : 상부 전극 36 : 체임버 벽
37 : 지지부 44, 45, 46, 47, 48, 49 : 전원
51, 77 : 단차부 W : 웨이퍼
F : 포커스링

Claims (9)

  1. 기재부와, 상기 기재부의 외부에 설치되며 급전에 의해 발열하는 박막히터를 구비한 발열부재에 있어서,
    상기 박막히터는 용사피막으로 이루어지면서, 히터 본체와, 해당 히터 본체로부터 연장설치된 히터 연장설치부를 포함하고 있으며,
    상기 히터 연장설치부는, 해당 기재부의 상기 히터 본체가 배열설치된 면과 그외 면 상에까지 연장설치되고, 그 끝부분이 해당 히터 본체에 전력을 공급하는 히터 급전부를 구성하고 있는 발열부재.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기재부는, 제1 단면 및 상기 제1 단면과 마주보는 제2 단면을 가지는 입체 형상으로 구성되어 있으며,
    상기 히터 본체가 상기 제1 단면 상에 배열설치되어 있으며,
    상기 히터 연장설치부가 상기 제1 단면 및 제2 단면 사이를 지나는 측면 상에 연장설치되어 있으며,
    상기 히터 급전부가 상기 측면 상에 구성되어 있는 발열부재.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기재부는, 제1 단면 및 상기 제1 단면과 마주보는 제2 단면을 가지는 입체 형상으로 구성되어 있으며,
    상기 히터 본체가 상기 제1 단면 상에 배열설치되어 있고,
    상기 히터 연장설치부가 상기 제1 단면 및 제2 단면 사이를 지나는 측면 상에 연장설치되어 있으며,
    상기 히터 급전부가 상기 제2 단면 상에서 구성되어 있는 발열부재.
  4. 제1항 내지 제3항의 어느 한 항에 있어서,
    상기 박막히터는 띠형태로 형성되어 있으며, 상기 히터 본체는 반복 패턴을 가지는 발열부재.
  5. 제1항 내지 제4항의 어느 한 항에 있어서,
    상기 박막히터는, Mo, W, Ta, Cr, Ti, Al, Si, Ni, Nb, Fe, Cu, Ag, 및 Pt에서 선택되는 금속원소 단위, 이들 금속원소의 1종 이상을 포함하는 합금, 이들 금속원소의 1종 이상을 포함하는 도전성 화합물, 또는 이것들의 혼합물로부터 이루어지는 발열부재.
  6. 제1항 내지 제5항의 어느 한 항에 있어서,
    상기 히터 급전부는, 급전 케이블의 끝이 접합된 접속 구조, 급전 케이블의 끝이 급전 소켓을 통하여 접속된 접속 구조, 급전 케이블의 끝이 직접적으로 눌려 맞춰진 접속 구조 중 어느 하나를 포함하는 발열부재.
  7. 제1항 내지 제6항의 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재부의 외부에, 전극부를 더 구비하고 있으며,
    상기 전극부는 용사피막으로 이루어지면서, 전극 본체와, 해당 전극 본체로부터 연장설치된 전극 연장설치부를 포함하고 있으며,
    상기 전극 연장설치부는, 해당 기재부의 상기 전극 본체가 배열설치된 면과 다른 면 상에까지 연장설치되고, 그 끝부분이 해당 전극 본체에 전력을 공급하는 전극 급전부를 구성하고 있는 발열부재.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기재부는, 제1 단면 및 상기 제1 단면과 마주보는 제2 단면을 가지는 입체 형상으로 구성되어 있으며,
    상기 전극 본체가 상기 제1 단면 상에 배열설치되어 있으며,
    상기 전극 연장설치부가 상기 제1 단면 및 제2 단면 사이를 지나는 측면 상에 연장설치되어 있으며,
    상기 전극 급전부가 상기 측면 상에 구성되어 있는 발열부재.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 기재부는, 제1 단면 및 상기 제1 단면과 마주보는 제2 단면을 가지는 입체 형상으로 구성되어 있으며,
    상기 전극 본체가 상기 제1 단면 상에 배열설치되어 있으며,
    상기 전극 연장설치부가 상기 제1 단면 및 제2 단면 사이를 지나는 측면 상에 연장설치되어 있으며,
    상기 전극 급전부가 상기 제2 단면 상에서 구성되어 있는 발열부재.

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