TWI732151B - 發熱構件 - Google Patents

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TWI732151B
TWI732151B TW107139765A TW107139765A TWI732151B TW I732151 B TWI732151 B TW I732151B TW 107139765 A TW107139765 A TW 107139765A TW 107139765 A TW107139765 A TW 107139765A TW I732151 B TWI732151 B TW I732151B
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田口研良
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日商Ｔｏｃａｌｏ股份有限公司
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Abstract

提供一種可提高加熱器區域內的溫度均勻性，且可維持耐久性之發熱構件。發熱構件(1)包含：基材部(2)，與配設於該基材部(2)的外部藉由供電發熱之薄膜加熱器(4)。薄膜加熱器(4)由熔射塗膜構成。薄膜加熱器(4)具有：配設於基材部(2)的第一端面(2a)之加熱器本體(10)，與通過基材部(2)的側面(2c)上並自加熱器本體(10)延設至基材部(2)的第二端面之加熱器延設部(11)，加熱器延設部(11)的頂端部分(11s)為將電力供給至加熱器本體(10)之加熱器供電部(12)。

Description

發熱構件
本發明是關於發熱構件。該發熱構件例如適用於半導體製造裝置的靜電吸盤(electrostatic chuck)、上部電極(electrode)、反應室(chamber)壁、頂板。
近年來在半導體製程的晶圓的微細加工多半採用乾式蝕刻(dry etching)等的真空或在減壓下進行的乾式法。利用電漿(plasma)的乾式蝕刻的情形在晶圓有來自電漿的熱輸入(heat input)。因晶圓的溫度會影響蝕刻速率(etching rate)，故若在其溫度分布有不均，則蝕刻的深度會產生不均。因此，如專利文獻1~3所記載的，將加熱器單元(heater unit)配置於晶圓之下，以均勻地保持晶圓的面內溫度。
在專利文獻1記載有一種電漿處理裝置，具備具有如下構件的靜電吸盤：導電性的基材；形成於該基材之上的絕緣材；及形成於該絕緣材的內部之由熔射塗膜(thermal spraying coating)構成的帶狀的加熱器。在配設於靜電吸盤內的加熱器的端部配設有貫通基材及絕緣材的供電端子的連接部。
在專利文獻2記載有一種靜電吸盤裝置，在 金屬製的底座(base)部之上接合有由夾入靜電吸附用內部電極的氧化鋁(alumina)基燒結體構成的載置板、支撐板。在形成於底座部的厚度方向的貫通孔嵌入有供電用端子。供電用端子所具備的導線連接於貫通支撐板而配設的供電構件，該供電構件電連接於靜電吸附用內部電極的底面。
在專利文獻3記載有一種電漿處理裝置，基台及具備該基台上的靜電吸盤之載置台被設置於內部。在配設於靜電吸盤內的加熱器，自其下側連接有加熱器電源。配設於靜電吸盤的外側的聚焦環(focus ring)透過支撐部配設於基台上，在支撐部的內部配設有控制聚焦環的溫度之藉由熔射形成的加熱器電極。該加熱器電極的供電機構貫通支撐部及基台的加熱器電極下側而構成。
[專利文獻1]日本國特開2009-170509號公報
[專利文獻2]日本國特開2015-88745號公報
[專利文獻3]日本國特開2016-27601號公報
在專利文獻1及專利文獻3的裝置中，在內建於具有作為控制晶圓或聚焦環的溫度之發熱構件的功能的靜電吸盤等的加熱器，在其下側構成供電機構。在專利文獻2的裝置中，也在內部電極的下側構成供電機構。也就是說，在該等裝置的任一個都在構成加熱器或內部電極的下側的基材設有貫通孔，在該貫通孔內插入供電銷並與加熱器或電極的底面電連接。
但是，若在基材設有貫通孔由加熱器的底面連接供電構件，則加熱器與供電構件的接點近旁的溫度成為與其他的加熱器區域的溫度不同的溫度，該點成為奇異點(singular point)有損及加熱器區域內的溫度均勻性之問題。圖13(b)是顯示習知的供電銷構造造成的加熱器供電處附近的溫度分布的模擬結果之示意圖。以圖13(b)所示的靠近的兩個小圓表示之處為由下方接觸供電銷的部分，得知該等接點近旁的溫度與其他的加熱器區域的溫度比較變低。
而且，若像專利文獻1~3的裝置在基材的內部設有貫通孔，則在貫通孔的周圍產生應力集中(stress concentration)，除此之外，有因發熱時的基材、加熱器、供電構件間的熱膨脹差而使供電處附近損傷，強度降低之問題。
本發明是鑑於習知技術的問題點，其目的為提供一種可提高加熱器區域內的溫度均勻性，且可維持耐久性(durability)之發熱構件。
本發明的發熱構件包含：基材部，與配設於該基材部的外部藉由供電發熱之薄膜加熱器(thin film heater)，該薄膜加熱器由熔射塗膜構成，並且具有：加熱器本體，與自該加熱器本體延設之加熱器延設部，該加熱器延設部被延設至與該基材部之配設有該加熱器本體的面不同的面上，其頂端部分構成將電力供給至該加熱器本體之加熱器供電部。
依照本發明，薄膜加熱器具有：加熱器本體，與自該加熱器本體延設之加熱器延設部，該等構件都由熔射塗膜構成。加熱器延設部被延設至與配設有加熱器本體的面不同的面上，其頂端部分構成將電力供給至加熱器本體之加熱器供電部。若是熔射，則與PVD(Physical Vapor Deposition：物理氣相沉積)法、CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)法等的其他成膜方法不同，對不同的面也能連續地且均勻地進行圖案(pattern)成膜。也就是說，在本發明中加熱器本體與加熱器延設部的任一個都配設於基材部的外部，再者加熱器本體與加熱器供電部分別配設於基材部的不同的面上。據此，在加熱器本體內不產生溫度的奇異點，可提高加熱器區域內的溫度均勻性，進而可防止發熱時的強度降低。
圖13(a)是顯示本發明中的供電構造的一形態，加熱器供電處附近的溫度分布的模擬結果之示意圖。圖14(a)、(b)是顯示作成對應圖13(a)、(b)的樣品(sample)，使用紅外線熱成像法(infrared thermography)實測的溫度分布之圖表。如該等圖所示得知，藉由加熱器延設部被延設至與配設有加熱器本體的面不同的面上，使得供電處近旁中的溫度分布的奇異點消失，加熱器區域內的溫度變成均勻。
加熱器供電部的位置若是基材部的外部，且為與配設有加熱器本體的面不同的面上，則未被特別限定。例如基材部為具有第一端面及與該端面對向的第二端 面的立體形狀的情形，若加熱器本體配設於第一端面上，則加熱器供電部在遍及第一、第二端面間的側面上構成也可以，且在與第一端面相反側的第二端面上構成也可以。
由提高加熱器區域內的溫度均勻性的觀點，由熔射塗膜構成的薄膜加熱器形成帶狀較佳，加熱器本體具有重複圖案較佳。藉由加熱器本體具有重複圖案，可形成疑似地溫度分布均勻的加熱面。此情形，加熱器延設部具有單一的線狀圖案較佳。作為重複圖案可舉出：(i)複數條帶平行配設的圖案，(ii)一條帶具有折回部分，折回前與折回後成為互相平行的鋸齒形圖案，(iii)一條帶分岔成複數，其分岔的端成為互相平行的圖案等。由高精細地控制更寬廣的面的觀點，加熱器本體具有互相平行的3個以上的重複圖案較佳。
前述薄膜加熱器由如下構成：由Mo、W、Ta、Cr、Ti、Al、Si、Ni、Nb、Fe、Cu、Ag、Pt選擇的金屬元素單質；包含該等金屬元素的一種以上的合金；包含該等金屬元素的一種以上的導電性化合物；或該等的混合物。
前述加熱器供電部為：供電電纜的端被接合的連接構造，供電電纜的端透過供電插座連接的連接構造，供電電纜的端直接被按壓的連接構造的任一個較佳。
本發明的發熱構件在基材部的外部更具備電極部也可以。此時，電極部具有電極本體，與自該電極本體延設的電極延設部，前述電極延設部被延設至與該基材部之配設有該電極本體的面不同的面上，其頂端部分構成 將電力供給至該電極本體之電極供電部較佳。而且，基材部為具有第一端面及與該端面對向的第二端面的立體形狀的情形，若電極本體配設於第一端面側，則電極供電部在遍及第一、第二端面間的側面上構成也可以，且在第二端面上構成也可以。
前述電極部由熔射塗膜構成較佳。若是熔射，則與PVD法、CVD法等的其他成膜方法不同，對不同的面也能連續地且均勻地進行圖案成膜。電極本體與電極延設部配設於基材部的外部，再者因藉由電極本體與電極供電部配設於基材部的不同的面上，在基材部未設有貫通孔而能供電至電極部，故可防止因設有貫通孔造成的加熱器區域內的溫度不均的產生，及強度降低。
依照本發明，因自加熱器本體延設的部分的頂端成為加熱器供電部，透過該被延設的部分而供電給加熱器本體，無須在基材部內設有供電用的貫通孔，故可提高加熱器區域內的溫度均勻性。而且，伴隨於此可維持發熱構件的耐久性。
1:發熱構件
1a:載置面
1b:底面
2、52、62、72:基材部
2a:第一端面
2b:第二端面
2c:側面
3:絕緣層
3a:第一絕緣層
3b:第二絕緣層
3c:第三絕緣層
4、40、41:薄膜加熱器
5:電極部
6:第一供電口
7:第二供電口
10、42、60、70:加熱器本體
10a:引出口
11、43、63、73:加熱器延設部
11s:頂端部分
12、48、65、75:加熱器供電部
15、55、61、71:電極本體
16、56、64、74:電極延設部
17、57、66、76:電極供電部
30:電漿處理裝置
31:真空室
32:靜電吸盤
33:氣體導入裝置
34:上部電極
36:反應室壁
37:支撐部
44、45、46、47、48、49:電源
51、77:段差部
F:聚焦環
W:晶圓
圖1是作為本發明的一實施形態將發熱構件適用於靜電吸盤的例子之剖面圖。
圖2是將在圖1顯示的發熱構件的一部分切下之斜視圖。
圖3是將在圖1顯示的發熱構件的薄膜加熱器的加熱 器本體與加熱器延設部的連接部分放大之斜視圖。
圖4是顯示將與本發明的一實施形態有關的發熱構件適用於靜電吸盤的電漿處理裝置的一例之剖面圖。
圖5是顯示薄膜加熱器的圖案例之俯視圖。
圖6是顯示靜電吸盤的變形例之斜視圖。
圖7是顯示靜電吸盤的變形例之斜視圖。
圖8是顯示在圖6及圖7顯示的靜電吸盤中的薄膜加熱器的其他的一例之斜視圖。
圖9是顯示將與本發明的一實施形態有關的發熱構件適用於上部電極及反應室壁的電漿處理裝置的一例之剖面圖。
圖10(a)、(b)是顯示基材部為筒狀(圓環狀)時的一實施形態之斜視圖，(a)是顯示基材部的內周面側的剖面，(b)是顯示基材部的外周面側的剖面。
圖11是顯示基材部為筒狀(圓環狀)時的一實施形態之斜視圖。
圖12是顯示基材部為具有段差(level difference)部的立體形狀時的一實施形態之斜視圖。
圖13(a)、(b)是顯示加熱器供電處附近的溫度分布的模擬結果之示意圖，(a)是顯示本發明中的供電構造的一形態，(b)是顯示習知的供電銷構造。
圖14(a)、(b)是顯示作成對應圖13(a)、(b)的樣品，使用紅外線熱成像法實測的溫度分布之圖表。
就本發明的發熱構件的實施形態進行說明。圖1是作為本發明的一實施形態將發熱構件1適用於靜電吸盤的例子之剖面圖，圖2是將其一部分切下的發熱構件1之斜視圖。該發熱構件1是作為靜電吸盤構成者，所載置的晶圓W被載置面吸附，被進行溫度控制。
發熱構件1具備：基材部2；以覆蓋該基材部2的方式形成之絕緣層3；配設於基材部2的外部藉由供電發熱之薄膜加熱器4；配設於基材部2的外部的電極部5。發熱構件1之載置晶圓W的面成為載置面1a，其相反側的面成為發熱構件1的底面1b。
基材部2構成為具有所需高度及直徑的圓柱狀，具有互相對向的第一端面2a(載置面1a側)及第二端面2b(底面1b側)。基材部2所具有的兩個端面2a、2b都是平面狀，彼此的面成平行而形成。
基材部2由金屬塊體(metal bulk body)等的單一原料構成，成為發熱構件1的強度的基本構造。基材部2為圓柱以外的其他的柱狀、板狀、碗狀、筒狀(圓環狀)、錐狀等也可以，為一部分具有段差的立體形狀也可以。為依照基材部2的形狀的態樣，配設有絕緣層、薄膜加熱器及電極部。於在挖掉內部的筒狀構成基材部的情形下，已能將絕緣層、薄膜加熱器及電極部配設於例如基材部的內周側及外周側。
作為基材部2的構成材料例如可舉出：鋁合金、鈦合金、銅合金、不銹鋼(stainless steel)等的導電性材 料。在基材部2的表面配置有陶瓷燒結體等的絕緣體或其他的導電體也可以。
基材部2藉由絕緣層3覆蓋，在絕緣層3的內部配設有薄膜加熱器4及電極部5。絕緣層3為自基材部2側依第一絕緣層3a、第二絕緣層3b及第三絕緣層3c的順序積層而構成。
在發熱構件1的載置面1a側中，在基材部2與薄膜加熱器4之間配置有第一絕緣層3a，基材部2與薄膜加熱器4之間絕緣。而且，在薄膜加熱器4與電極部5之間配置有第二絕緣層3b，薄膜加熱器4與電極部5之間絕緣。電極部5的外側配置第三絕緣層3c，電極部5的外側絕緣。
在發熱構件1的底面1b側中形成有貫通第二絕緣層3b及第三絕緣層3c的第一供電口6及貫通第三絕緣層3c的第二供電口7。
第一絕緣層3a~第三絕緣層3c可藉由例如熔射法形成，惟藉由PVD法、CVD法等的其他的成膜方法也可以。
第一絕緣層3a~第三絕緣層3c的構成材料若是賦予絕緣特性者則未被特別限定，惟關於第一絕緣層3a及第二絕緣層3b為使所需的導熱性(thermal conductivity)與絕緣性並存的材料較佳。關於第三絕緣層3c更兼具耐電漿性(plasma resistance)、耐磨耗性(wear resistance)者較佳。第一絕緣層3a~第三絕緣層3c無須分別為單層，由複 數層構成者也可以。
第一絕緣層3a~第三絕緣層3c的各個的厚度例如為50~2000μm。藉由變更第一絕緣層3a~第三絕緣層3c的厚度，可調整利用第一絕緣層3a~第三絕緣層3c進行的排熱效率。
作為第一絕緣層3a~第三絕緣層3c的構成材料可舉出：氧化物系陶瓷、氮化物系陶瓷、氟化物系陶瓷、碳化物系陶瓷、硼化物系陶瓷的單一化合物，或包含氧化物系陶瓷、氮化物系陶瓷、氟化物系陶瓷、碳化物系陶瓷、硼化物系陶瓷的化合物，或包含複數個下列之混合物：上述的單一化合物、包含上述的複數個的化合物。
氧化物系陶瓷除了具有耐磨耗性外，在電漿蝕刻製程(plasma etching process)被使用的O系的電漿中也穩定，在C1系的電漿中也顯示比較良好的耐電漿性。因氮化物系陶瓷為高硬度，故與晶圓的摩擦造成的損傷少，磨耗粉等不易產生。而且，因熱傳導率較高，故容易控制處理中的晶圓W的溫度。氟化物系陶瓷在F系的電漿中穩定，可發揮優良的耐電漿性。
作為氧化物系陶瓷的具體例可舉出：Al2O3、TiO2、SiO2、Cr2O3、ZrO2、Y2O3、MgO、CaO、La2O3。作為氮化物系陶瓷可舉出：TiN、TaN、AlN、BN、Si3N4、HfN、NbN、YN、ZrN、Mg3N2、Ca3N2。作為氟化物系陶瓷可舉出：LiF、CaF2、BaF2、YF3、AlF3、ZrF4、MgF2。作為碳化物系陶瓷可舉出：TiC、WC、TaC、B4C、SiC、HfC、ZrC、VC、 Cr3C2。作為硼化物系陶瓷可舉出：TiB2、ZrB2、HfB2、VB2、TaB2、NbB2、W2B5、CrB2、LaB6。
形成於第一絕緣層3a與第二絕緣層3b之間的薄膜加熱器4具有可當作加熱器使用的固有電阻值，可藉由施加規定的電壓使電流流到薄膜加熱器4，將載置於發熱構件1的載置面1a的晶圓W加熱。
薄膜加熱器4由提高加熱器區域內的溫度均勻性的觀點，以細長的帶狀的圖案形成。而且，位於晶圓W的正下方的加熱器本體10具有互相隔著所需間隔被平行配置的複數個重複圖案。據此，因形成由加熱器本體10構成的疑似的加熱面，故可寬廣且均勻地將晶圓W加熱。
薄膜加熱器4的厚度為10~1000μm的範圍較佳。若薄膜加熱器4的厚度未滿10μm，則有發熱量過大，或者膜形成不穩定之虞。而且，若薄膜加熱器4的厚度超過1000μm，則有發熱量變的過小之虞。
薄膜加熱器4的線寬為1~5mm的範圍較佳。藉由薄膜加熱器4的寬度以1mm以上可降低斷線的可能性，藉由以5mm以下可降低加熱器區域內的溫度不均。
薄膜加熱器4的線間距離為0.5~50mm的範圍較佳。藉由薄膜加熱器4的線間距離以0.5mm以上，可迴避短路，藉由以50mm以下可降低加熱器區域內的溫度不均。
薄膜加熱器4的構成材料若是可當作加熱器使用者則未被限定，惟以由Mo、W、Ta、Cr、Ti、Al、Si、 Ni、Nb、Fe、Cu、Ag、Pt選擇的金屬元素單質，包含該等金屬元素的一種以上的合金，包含該等金屬元素的一種以上的導電性化合物，或該等的混合物構成者較佳。
薄膜加熱器4由熔射塗膜構成。若是熔射法則不被基材部2的尺寸或形狀限制，可連續且均勻地塗佈(coating)薄膜。在形成於基材部2的表面上的第一絕緣層3a的頂面，可藉由熔射上述薄膜加熱器4的構成材料形成薄膜加熱器4。熔射法為大氣電漿熔射法(atmospheric plasma spraying method)、低壓電漿熔射法(low pressure plasma spraying method)、水電漿熔射法(water plasma spraying method)、電弧熔射法(arc spraying method)、高速火焰熔射法(high velocity flame spraying)、低速火焰熔射法(low velocity flame spraying)、冷噴塗法(cold spray method)的任一個都可以。
薄膜加熱器4的圖案也可以藉由預先將形成於基材部2上的第一絕緣層3a的表面遮蔽(masking)成圖案狀，將全面熔射而製作，且在熔射到全面後將該熔射塗膜的表面遮蔽成圖案狀，藉由機械加工或噴砂(blast)加工除去不要的熔射塗膜而製作也可以。
形成於第二絕緣層3b與第三絕緣層3c之間的電極部5可藉由施加規定的電壓而吸附固定載置於發熱構件1的載置面1a的晶圓W。
藉由電極部5進行的晶圓W的吸附方式既可為單極式也可為雙極式。電極部5的構成材料及製法未被 限定，若是熔射法則不被基材部2的尺寸或形狀限制，可連續且均勻地塗佈。例如在以覆蓋薄膜加熱器4的方式形成的第二絕緣層3b的頂面，可藉由熔射鎢等的導電性材料形成電極部5。
形成第一絕緣層3a~第三絕緣層3c、薄膜加熱器4及電極部5用的熔射粉末採用粒徑5~80μm的粒度範圍(size range)較佳。若粒徑過小，則粉末的流動性降低無法進行穩定的供給，塗膜的厚度容易成為不均勻。另一方面若粒徑過大，則在未完全熔融下被成膜，過度地被多孔化而使膜質變粗糙。
可構成第一絕緣層3a~第三絕緣層3c、薄膜加熱器4及電極部5的熔射塗膜為多孔體(porous body)，其平均孔隙率(mean porosity)以1~10%的範圍較佳。平均孔隙率可依照熔射法及/或熔射條件進行調整。在比1%小的孔隙率中，存在於熔射塗膜內的殘留應力的影響變大，有容易破裂之虞。在超過10%的孔隙率中，半導體製程所使用的各種氣體容易侵入熔射塗膜內，有耐久性降低之虞。平均孔隙率藉由光學顯微鏡觀察熔射塗膜的剖面，對觀察影像進行二值化(binarization)處理，將塗膜內部的黑色區域視為孔隙部分，可藉由算出該黑色區域的全體所佔的面積的比例而進行測定。
其次，就薄膜加熱器4的形狀詳細地進行說明。圖3是將薄膜加熱器4的加熱器本體10與加熱器延設部11的連接部分放大之斜視圖。薄膜加熱器4具有加熱器 本體10，與自加熱器本體10延設的加熱器延設部11。加熱器本體10是當作晶圓W的加熱手段發揮功能，相對於此，加熱器延設部11是當作供給至加熱器本體10的供電手段(by-pass：旁路)發揮功能，不當作晶圓W的加熱手段發揮功能。
加熱器本體10由複數個同樣的形狀重複的圖案構成，整體上形成同心圓狀。加熱器本體10可依照想加熱的對象物的形狀、尺寸進行設計變更，例如為由鋸齒形圖案構成的矩形狀也可以。加熱器延設部11為加熱器本體10的最外周的一部分成為引出口10a，由引出口10a朝徑向外側延伸形成。
加熱器本體10與加熱器延設部11既能以一體形成，也能以不同的構件互相連接而形成，惟由不設構造上的奇異點的觀點，該等構件以一體形成者較佳。同樣地，加熱器延設部11既能由與加熱器本體10相同的構成材料構成，也能由不同的構成材料構成，惟由不設材質上的奇異點的觀點，該等構件由相同的構成材料構成者較佳。再者，加熱器延設部11既能具有與加熱器本體10相同的厚度及寬度，也能具有不同的厚度及寬度，惟由製造上的觀點，該等構件具有相同的厚度及寬度者較佳。
加熱器延設部11由互相平行的兩個延設部分11a、11b構成，延設於遍及基材部2的第一、第二端面2a、2b間的側面2c上。加熱器延設部11更在基材部2的第二端面2b的角落折彎到徑向內側，延設至加熱器供電部12。
也就是說，加熱器延設部11整體上成為剖面
Figure 107139765-A0305-02-0018-1
的字形，以由側方包圍基材部2的方式形成，進入基材部2的第二端面2b側的頂端部分11s構成加熱器供電部12。因此，加熱器供電部12在與基材部2之配設有加熱器本體10的面相反側的面上構成。
加熱器供電部12形成於第一絕緣層3a上，在與第一供電口6交叉之處露出到外部，以能與供給電力的外部零件連接。也就是說，依照本實施形態，不會配設像習知的貫通基材部的供電機構，而能供電至加熱器本體10。
因薄膜加熱器4由膜厚薄的熔射塗膜構成，連接到外部電源的加熱器供電部12的方式為：供電電纜的端被接合的連接構造，供電電纜的端透過供電插座連接的連接構造，供電電纜的端直接被按壓的連接構造的任一個較佳。作為使供電電纜接合於加熱器供電部12的方法可舉出：銲接、硬銲(brazing)、熔接等。利用供電插座的情形以供電插座被熔接於加熱器供電部12較佳。直接將供電電纜按壓於加熱器供電部12的情形需要將供電電纜固定於基材部2用的螺絲固定等的手段。
其次，就電極部5的形狀詳細地進行說明。電極部5也與薄膜加熱器4一樣具有電極本體15，與自電極本體15延設的電極延設部16。電極本體15與電極延設部16既能以一體形成，也能以不同的構件互相連接而形成，惟由不設構造上的奇異點的觀點，該等構件以一體形 成者較佳。同樣地，電極延設部16既能由與電極本體15相同的構成材料構成，也能由不同的構成材料構成，惟由不設材質上的奇異點的觀點，該等構件由相同的構成材料構成者較佳。再者，電極延設部16既能具有與電極本體15相同的厚度及寬度，也能具有不同的厚度或寬度，惟由製造上的觀點，該等構件具有相同的厚度及寬度者較佳。
電極本體15的形狀依照單極式或雙極式而大大地不同。若是單極式，則為無間隙的圓形狀也可以，且為包含開縫(slit)的圓形狀也可以。若是雙極式，則可舉出兩個半圓形的電極隔開所需距離而形成者，或兩個電極互相隔開所需間隔而形成梳齒狀者。電極本體15可依照想吸附的對象物的形狀、尺寸而進行設計變更，也可以為矩形狀或在一部分有開縫的矩形狀。
在本實施形態中電極延設部16不管單極式或雙極式，電極本體15的最外周的一部分成為引出口，自引出口朝徑向外側延伸而形成。電極延設部16延設於遍及基材部2的第一、第二端面2a、2b間的側面2c上。電極延設部16更在基材部2的第二端面2b的角落折彎到徑向內側，延設至電極供電部17。
也就是說，電極延設部16整體上成為剖面
Figure 107139765-A0305-02-0019-2
的字形，以由側方包圍基材部2的方式形成，進入第二端面2b側的頂端部分構成電極供電部17。因此，電極供電部17在與基材部2之配設有電極本體15的面相反側的面上構成。
本實施形態中的電極供電部17形成於第二絕緣層3b上，在與第二供電口7交叉之處露出到外部，以能與供給電力的外部零件連接。也就是說，依照本實施形態，不會配設像習知的貫通基材部的供電機構，而能供電至電極本體15。
若電極部5為熔射塗膜，則與薄膜加熱器4一樣連接到外部電源的電極供電部17的方式為：供電電纜的端被接合的連接構造，供電電纜的端透過供電插座連接的連接構造，供電電纜的端直接被按壓的連接構造的任一個較佳。
圖4是顯示將本實施形態的發熱構件適用於靜電吸盤的電漿處理裝置30的一例之剖面圖。在電漿處理裝置30的真空室(vacuum chamber)31內配設有用以保持晶圓W的靜電吸盤32。藉由運送臂等使晶圓W取出和放入到真空室31的內外。
在真空室31設置有氣體導入裝置33或上部電極34等。在上部電極34的周圍配設有支撐部37。靜電吸盤32內建：作為下部電極的基材部2、絕緣層3、薄膜加熱器4及電極部5。在上部電極34、作為下部電極的基材部2分別電連接有電漿產生用的電源44、45。在電極部5電連接有用以吸附晶圓W的電源46，在薄膜加熱器4電連接有用以使薄膜加熱器4發熱的電源47。
在基材部2與上部電極34之間一施加高頻電壓，所導入的處理氣體就被電漿化。藉由所產生的電漿的 離子被引入到晶圓W而進行蝕刻(etching)，此時晶圓W的溫度上升。在晶圓W的周圍配設有聚焦環F，以使在晶圓W的外緣部附近中蝕刻的效果也不會降低。薄膜加熱器4不僅能將晶圓W也能將聚焦環F的溫度保持一定。在基材部2包含有未圖示的水冷(water cooling)構造或由氣冷(gas cooling)構造構成的冷卻機構等，使薄膜加熱器4的溫度控制成為可能。
圖5是顯示薄膜加熱器的圖案例之俯視圖。圖5所示的加熱器本體10及加熱器延設部11形成於圓形的基材部上，加熱器本體10配合載置於其上方的晶圓W的形狀疑似地形成圓形狀。如同圖所示藉由將加熱器本體10描繪成略同心圓狀，可藉由一條線形成可將面內均勻地加熱的圓形的疑似面。
圖6及圖7是顯示靜電吸盤的變形例之斜視圖。在該等圖所示的靜電吸盤的周緣部分形成有段差部51。薄膜加熱器4的加熱器本體10在基材部2的晶圓載置面上配合晶圓W的形狀以窄的線間距離(spacing)形成同心圓狀，自加熱器本體10的最外周的一部分使加熱器延設部11朝徑向外側延伸。加熱器延設部11更延著基材部2的側面被延伸至與配設有加熱器本體10的面相反側的面上，其頂端部分構成加熱器供電部12。而且，電極部5的電極本體15在基材部2的載置面上被以圓形配設，自電極本體15的最外周的一部分使電極延設部16朝徑向外側延伸。電極延設部16更延著基材部2的側面被延伸至與配設 有電極本體15的面相反側的面上，其頂端部分構成電極供電部17。
圖8是顯示在圖6及圖7顯示的靜電吸盤中的薄膜加熱器4的其他的一例之斜視圖。在圖8所示的例子中，不僅基材部2的晶圓載置面上，在構成段差部51的任一個面上，加熱器本體10都配設於周向，且在複數處被折彎而形成鋸齒狀，據此可控制聚焦環F的溫度。
若將本實施形態的發熱構件1適用於電漿處理裝置，則可使晶圓W及聚焦環F的溫度分布均勻，使高精度下的加工為可能，故可製造良率(yield)高，高品質的半導體零件。
上述實施形態為本發明的舉例說明，不是限定本發明。在與本發明有關的發熱構件只要不損及本發明的功效，包含其他的構成也可以。薄膜加熱器、電極部、絕緣層的形態可依照製造程序(manufacturing process)的目的適宜變更。作為藉由靜電吸盤保持的對象物，除了晶圓外，也可以舉出平面面板顯示器(flat panel display)的玻璃基板等。
將本發明的發熱構件適用於電漿處理裝置的其他的零件也可以。圖9是顯示也將與本發明的一實施形態有關的發熱構件適用於上部電極34及反應室壁36的電漿處理裝置的一例之剖面圖。在薄膜加熱器40電連接有使薄膜加熱器40發熱用的電源48，可藉由薄膜加熱器40控制上部電極34及把上部電極34圍起來的支撐部37的溫 度。在薄膜加熱器41電連接有使薄膜加熱器41發熱用的電源49，可藉由薄膜加熱器41控制反應室壁36的溫度。此外未圖示，在上部電極34與薄膜加熱器40之間及反應室壁36與薄膜加熱器41之間分別配置有絕緣層，該等構件被絕緣。
圖10是顯示基材部為筒狀(圓環狀)時的一實施形態之斜視圖，圖10(a)是顯示基材部52的內周面側的剖面，圖10(b)是顯示基材部52的外周面側的剖面。在圖10的實施形態中，在基材部52的內周面側及外周面側的雙方中，薄膜加熱器的加熱器本體42及電極部的電極本體55以沿著該各周面互相平行的帶狀的圖案形成。在該實施形態中，可藉由加熱器本體42的作用控制存在於基材部52的內周面及外周面的側方的加熱對象物的溫度。而且，可藉由電極本體55的作用，在基材部52的內周面側及外周面側的各個使電場產生。在圖10的實施形態中，朝基材部52的底面側，薄膜加熱器的加熱器延設部43及電極部的電極延設部56被延伸，各自的頂端部分構成加熱器供電部48及電極供電部57。據此，可提高基材部52的內周面側及外周面側的溫度均勻性。
圖11是顯示基材部為筒狀(圓環狀)時的一實施形態之斜視圖。在圖11的實施形態中，在基材部62的載置面側中形成有薄膜加熱器的加熱器本體60及電極部的電極本體61，都是以互相平行的帶狀的圖案形成。在該實施形態中，可控制被載置於基材部62的載置面上的加熱 對象物的溫度。在圖11的實施形態中，自加熱器本體60的一端引出的加熱器延設部63沿著基材部62的側面延設至基材部62的底面側，其頂端部分構成加熱器供電部65。而且，自電極本體61的一端引出的電極延設部64沿著基材部62的側面延設至基材部62的底面側，其頂端部分構成電極供電部66。據此，可提高基材部62的載置面側的溫度均勻性。
圖12是顯示基材部為具有段差部的立體形狀時的一實施形態之斜視圖。在圖12的實施形態中，在基材部72的側面中形成有薄膜加熱器的加熱器本體70及電極部的電極本體71，都是以互相平行的帶狀的圖案形成。在該實施形態中，基材部72的側面存在複數個，可控制位於各側面的側方的加熱對象物的溫度。配設於基材部72的側面的各個的加熱器本體70透過形成於位於基材部的該等的側面之間的段差部77上的加熱器延設部73互相電連接。而且，配設於基材部72的側面的各個的電極本體71也透過形成於位於基材部的該等的側面之間的段差部77上的電極延設部74互相電連接。在圖12的實施形態中，自加熱器本體70的一端引出的加熱器延設部73沿著基材部72的底面延設，其頂端部分構成加熱器供電部75。而且，自電極本體71的一端引出的電極延設部74沿著基材部72的底面延設，其頂端部分構成電極供電部76。如以上，即使是基材部72具有段差部的情形，也可提高各自的加熱面的溫度均勻性。
以上雖然舉例說明了幾個與本發明有關的發熱構件的實施形態，但該等實施形態也能將各自的特徵的一部分取出而互相組合。而且，與本發明有關的發熱構件所適用的裝置為CVD裝置或濺鍍(sputtering)裝置也可以。進而與本發明有關的發熱構件所適用的裝置不被限定於半導體關聯者，若是要求加熱器區域的溫度均勻性，則也可以適用於任一製品。
1:發熱構件
1a:載置面
1b:底面
2:基材部
2a:第一端面
2b:第二端面
2c:側面
3:絕緣層
3a:第一絕緣層
3b:第二絕緣層
3c:第三絕緣層
4:薄膜加熱器
5:電極部
6:第一供電口
7:第二供電口
10:加熱器本體
11:加熱器延設部
11s:頂端部分
12:加熱器供電部
15:電極本體
16:電極延設部
17:電極供電部
W:晶圓

Claims (8)

  1. 一種發熱構件，包含：基材部，與配設於該基材部的外部藉由供電發熱之薄膜加熱器，該薄膜加熱器具有：加熱器本體，與自該加熱器本體的兩端分別延設之加熱器延設部，該加熱器本體及該加熱器延設部都由熔射塗膜構成，自該加熱器本體的兩端分別延設之該加熱器延設部都被延設至與該基材部之配設有該加熱器本體的面不同的面上，分別被延設的加熱器延設部的頂端部分構成將電力供給至該加熱器本體之加熱器供電部，該薄膜加熱器由如下構成：由Mo、W、Ta、Cr、Ti、Al、Si、Ni、Nb、Fe、Cu、Ag、Pt選擇的金屬元素單質；包含該等金屬元素的一種以上的合金；包含該等金屬元素的一種以上的導電性化合物；或該等的混合物，該基材部的構成材料為鋁合金、鈦合金、銅合金或不銹鋼。
  2. 如申請專利範圍第1項之發熱構件，其中該基材部藉由具有第一端面及與該端面對向的第二端面的立體形狀構成，該加熱器本體配設於該第一端面上，在該第一端面上，在該基材部與該加熱器本體之間配置有由熔射塗膜構成的第一絕緣層，在該加熱器本體之與第一絕緣層側相反側的面上配置有由熔射塗膜構成的第二 絕緣層，該加熱器延設部被延設於遍及該第一、第二端面間的側面上，在該第一端面上及該側面上，在該基材部與該加熱器延設部之間配置有由熔射塗膜構成的第一絕緣層，在該加熱器延設部之與第一絕緣層側相反側的面上配置有由熔射塗膜構成的第二絕緣層，該加熱器供電部在該側面上構成。
  3. 如申請專利範圍第1項之發熱構件，其中該基材部藉由具有第一端面及與該端面對向的第二端面的立體形狀構成，該加熱器本體配設於該第一端面上，在該第一端面上，在該基材部與該加熱器本體之間配置有由熔射塗膜構成的第一絕緣層，在該加熱器本體之與第一絕緣層側相反側的面上配置有由熔射塗膜構成的第二絕緣層，該加熱器延設部被延設於遍及該第一、第二端面間的側面上，在該第一端面上、該側面上及該第二端面上，在該基材部與該加熱器延設部之間配置有由熔射塗膜構成的第一絕緣層，在該加熱器延設部之與第一絕緣層側相反側的面上配置有由熔射塗膜構成的第二絕緣層，該加熱器供電部在該第二端面上構成。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項 之發熱構件，其中該加熱器本體形成帶狀，且具有折回部分，具有折回前與折回後成為互相平行的重複圖案。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之發熱構件，其中該加熱器供電部為：供電電纜的端被接合的連接構造，供電電纜的端透過供電插座連接的連接構造，及供電電纜的端直接被按壓的連接構造的任一個。
  6. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之發熱構件，其中在該基材部的外部更具備電極部，該電極部由熔射塗膜構成，並且具有電極本體，與自該電極本體延設的電極延設部，該電極延設部被延設至與該基材部之配設有該電極本體的面不同的面上，該被延設的電極延設部的頂端部分構成將電力供給至該電極本體之電極供電部。
  7. 如申請專利範圍第6項之發熱構件，其中該基材部藉由具有第一端面及與該端面對向的第二端面的立體形狀構成，該電極本體配設於該第一端面上，該電極延設部被延設於遍及該第一、第二端面間的側面上，該電極供電部在該側面上構成。
  8. 如申請專利範圍第6項之發熱構件，其中該基材部藉由具有第一端面及與該端面對向的第二端面的立體形狀構成，該電極本體配設於該第一端面上， 該電極延設部被延設於遍及該第一、第二端面間的側面上，該電極供電部在該第二端面上構成。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019102794A1 (ja) 2017-11-24 2019-05-31 トーカロ株式会社 発熱部材
CN114080670A (zh) * 2019-06-28 2022-02-22 日本碍子株式会社 静电卡盘加热器
JP2021132148A (ja) * 2020-02-20 2021-09-09 東京エレクトロン株式会社 ステージ、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
AT524091B1 (de) * 2020-07-28 2023-03-15 Villinger Markus Beheizbares Bauteil und Verfahren zum Herstellen desselben
JP7296351B2 (ja) * 2020-10-02 2023-06-22 日本碍子株式会社 セラミックヒータ

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1753014A1 (en) * 2005-08-09 2007-02-14 Shinetsu Chemical Co., Ltd. Heating element
US20080008011A1 (en) * 2006-07-06 2008-01-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Circuit and method of controlling input/output sense amplifier of a semiconductor memory device
US20090178764A1 (en) * 2008-01-11 2009-07-16 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus including electrostatic chuck with built-in heater

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3238925B2 (ja) * 1990-11-17 2001-12-17 株式会社東芝 静電チャック
JPH07161803A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Tokyo Electron Ltd アルミニウム部材とポリベンズイミダゾール部材との接合方法、静電チャックの電極構造およびその製造方法
US5528451A (en) 1994-11-02 1996-06-18 Applied Materials, Inc Erosion resistant electrostatic chuck
US5691876A (en) * 1995-01-31 1997-11-25 Applied Materials, Inc. High temperature polyimide electrostatic chuck
JP4508990B2 (ja) * 2005-09-07 2010-07-21 株式会社巴川製紙所 給電コネクタ、及び当該給電コネクタを有する静電チャック装置
JP2007317772A (ja) 2006-05-24 2007-12-06 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック装置
JP5032818B2 (ja) 2006-09-29 2012-09-26 新光電気工業株式会社 静電チャック
KR100884327B1 (ko) * 2007-03-30 2009-02-18 주식회사 유진테크 써모커플 장치 및 기판처리장치
JP5423632B2 (ja) * 2010-01-29 2014-02-19 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP6359236B2 (ja) 2012-05-07 2018-07-18 トーカロ株式会社 静電チャック
JP6319023B2 (ja) 2013-09-27 2018-05-09 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
TW201603164A (zh) * 2014-04-01 2016-01-16 恩特格林斯公司 加熱靜電卡盤
KR20190010748A (ko) 2014-06-23 2019-01-30 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 정전 척
JP6442296B2 (ja) 2014-06-24 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
WO2019102794A1 (ja) 2017-11-24 2019-05-31 トーカロ株式会社 発熱部材

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1753014A1 (en) * 2005-08-09 2007-02-14 Shinetsu Chemical Co., Ltd. Heating element
US20080008011A1 (en) * 2006-07-06 2008-01-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Circuit and method of controlling input/output sense amplifier of a semiconductor memory device
US20090178764A1 (en) * 2008-01-11 2009-07-16 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus including electrostatic chuck with built-in heater

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