JP7296351B2 - セラミックヒータ - Google Patents

セラミックヒータ Download PDF

Info

Publication number
JP7296351B2
JP7296351B2 JP2020167627A JP2020167627A JP7296351B2 JP 7296351 B2 JP7296351 B2 JP 7296351B2 JP 2020167627 A JP2020167627 A JP 2020167627A JP 2020167627 A JP2020167627 A JP 2020167627A JP 7296351 B2 JP7296351 B2 JP 7296351B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heater electrode
heater
resistance heating
heating wire
unique
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020167627A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022059801A (ja
Inventor
央史 竹林
丈予 伊藤
大輔 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to JP2020167627A priority Critical patent/JP7296351B2/ja
Priority to US17/304,748 priority patent/US20220110190A1/en
Priority to KR1020210082953A priority patent/KR102591348B1/ko
Priority to TW110123987A priority patent/TWI798735B/zh
Priority to CN202110742499.3A priority patent/CN114390733A/zh
Publication of JP2022059801A publication Critical patent/JP2022059801A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7296351B2 publication Critical patent/JP7296351B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/26Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base
    • H05B3/265Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor mounted on insulating base the insulating base being an inorganic material, e.g. ceramic
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02Details
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/141Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
    • H05B3/143Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02Details
    • H05B3/03Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02Details
    • H05B3/06Heater elements structurally combined with coupling elements or holders
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/02Details
    • H05B3/06Heater elements structurally combined with coupling elements or holders
    • H05B3/08Heater elements structurally combined with coupling elements or holders having electric connections specially adapted for high temperatures
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/141Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/18Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor the conductor being embedded in an insulating material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/28Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
    • H05B3/283Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/002Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)

Description

本発明は、セラミックヒータに関する。
従来、静電チャック電極とヒータ電極とを埋設したセラミックス製のプレートと、このプレートにアルミニウムなどの金属からなる支持台とを接合した静電チャックヒータが知られている。静電チャックヒータは、ウエハを均一に加熱することが要求される。そのため、静電チャックヒータのうち温度が低くなる箇所(以下温度特異部と称する)については、温度特異部の周辺に配置するヒータ電極の幅や間隔を小さくすることで発熱量を増やすことが提案されている。例えば、特許文献1には、温度特異部周辺のヒータ電極の幅を小さくする静電チャックが記載されている。
特許第6510440号公報
しかしながら、温度特異部の周辺でヒータ電極の幅を小さくしすぎると断線のおそれがあるし、ヒータ電極の間隔を小さくしすぎるとショートのおそれがある。そのため、ヒータ電極の幅や間隔を小さくするのには限度があり、それほど発熱量を増やすことができなかった。このようにヒータ電極の幅や間隔の小さな部分の数が多くなると、プレート全体の均熱性を向上することが設計上困難になるという問題があった。
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、温度特異部周辺の均熱設計を容易に行えるようにすることを主目的とする。
本発明のセラミックヒータは、
セラミックス製のプレートにヒータ電極が埋設されたセラミックヒータであって、
前記ヒータ電極のうち前記プレートの温度が低くなる温度特異部を取り囲む特異部周辺部分は、前記ヒータ電極のうち通常の部分と比べて、厚さが薄いものである。
このセラミックヒータでは、ヒータ電極のうちプレートの温度が低くなる温度特異部を取り囲む特異部周辺部分は、ヒータ電極のうち通常の部分と比べて、厚さが薄い。すなわち、特異部周辺部分では、ヒータ電極のうち通常の部分と比べて断面積が小さく抵抗が大きい。そのため、ヒータ電極へ電流を流したときの発熱量は、特異部周辺部分の方が通常の部分に比べて大きいため、温度特異部の温度が低くなるのを抑制することができる。したがって、プレートの温度特異部周辺の均熱設計を容易に行うことができる。
本発明のセラミックヒータにおいて、ヒータ電極のうち通常の部分は、前記特異部周辺部分に隣接する部分としてもよい。
本発明のセラミックヒータにおいて、前記特異部周辺部分のヒータ電極の幅は前記ヒータ電極のうち通常の部分の幅と等しいものとしてもよい。こうすれば、特異部周辺部分のヒータ電極の幅と通常の部分のヒータ電極の幅とが異なるものではないため、比較的容易にヒータ電極の配線を設計することができる。
本発明のセラミックヒータにおいて、前記温度特異部は、前記プレートを貫通する貫通孔としてもよく、前記ヒータ電極は、前記貫通孔を取り囲むように配線された複数の抵抗発熱線部を有していてもよく、前記特異部周辺部分は、前記貫通孔を中心とした大きさの異なるn個(nは2以上の整数)の円状線を引き、前記貫通孔からk番目(kは1以上n以下の整数)に近い前記抵抗発熱線部のうちk番目に小さい前記円状線に含まれる部分をk番目の小領域としたときに、1~n番目の小領域を集めた領域としてもよい。こうすれば、局所的に通常の部分よりも大きい発熱量を得ることができる。なお、複数の抵抗発熱線部のそれぞれは、一対の端子の一方から他方まで一筆書きの要領で配線された同じ抵抗発熱線の一部であってもよいし、異なる抵抗発熱線の一部であってもよい。
本発明のセラミックヒータにおいて、前記温度特異部は、前記ヒータ電極のうち互いに向かい合い離れて配置された一対の端子を結んだ中点としてもよく、前記ヒータ電極は、複数の抵抗発熱線部を有し、前記複数の抵抗発熱線部には、前記一対の端子のそれぞれから互いに逆向きに延びる抵抗発熱線部と、前記一対の端子の周辺に設けられた1以上の抵抗発熱線部とが含まれていてもよく、前記特異部周辺部分は、前記中点を中心とした大きさの異なるn個(nは2以上の整数)の円状線を引き、前記中点からk番目(kは1以上n以下の整数)に近い前記抵抗発熱線部のうちk番目に小さい前記円状線に含まれる部分をk番目の小領域としたときに、1~n番目の小領域を集めた領域としてもよい。こうすれば、局所的に通常の部分よりも大きい発熱量を得ることができる。なお、抵抗発熱線部は、一対の端子の一方から他方まで一筆書きの要領で配線された同じ抵抗発熱線の一部であってもよいし、異なる抵抗発熱線の一部であってもよい。
本発明のセラミックヒータにおいて、前記特異部周辺部分のm番目(mは1以上(n-1)以下の整数)の小領域は、(m+1)番目の小領域よりも薄いものとしてもよい。こうすれば、特異部周辺部分のうち温度特異部から遠い部分の発熱量は、特異部周辺部分のうち温度特異部から近い部分の発熱量よりも小さくなる。そのため、均熱設計をより容易に行うことができる。
本発明のセラミックヒータにおいて、前記円状線は、円、楕円、又は長円としてもよい。こうすれば、円状線は比較的簡単な形状であるため、比較的容易に特異部周辺部分を形成することができる。なお、長円とは、四角形の互いに向かい合う2辺にその辺を直径とする半円を結合させた形状をいう。
本発明のセラミックヒータにおいて、前記ヒータ電極は、複数の抵抗発熱層を積層した構造を有していてもよく、前記特異部周辺部分は、前記通常の部分と比べて前記抵抗発熱層の積層数が少ないものとしてもよい。こうすれば、特異部周辺部分を比較的簡単に作製することができる。
静電チャックヒータ10の斜視図。 図1のA-A断面図。 ヒータ電極16を平面視したときの説明図。 図3のB-B断面図。 図3のD-D断面図。 プレート12の製造工程図。 第1~第3抵抗発熱線部81~83の配線の変形例を説明する説明図。 第1~第3抵抗発熱線部91~93の配線の変形例を説明する説明図。 特異部周辺部分S2の変形例を示す説明図。 特異部周辺部分S1の変形例を示す断面図。 特異部周辺部分S1,S2の変形例を示す説明図。 特異部周辺部分S1の変形例を説明する説明図。
次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1は本発明の静電チャックヒータ10の斜視図、図2は図1のA-A断面図、図3はヒータ電極16を平面視したときの説明図、図4は図3のB-B断面図、図5は図3のD-D断面図である。
静電チャックヒータ10は、プレート12と、冷却板20と、複数の貫通孔24とを備えている。
プレート12は、ウエハWを上面に載置可能なセラミックス製(例えばアルミナ製や窒化アルミニウム製)の円板であり、静電電極14とヒータ電極16とを内蔵している。
静電電極14は、円形の薄膜形状に形成されている。この静電電極14には、図示しない棒状端子が電気的に接続されている。棒状端子は、静電電極14の下面からプレート12を経たあと電気的に絶縁された状態で冷却板20を通って下方に延び出している。プレート12のうち静電電極14より上側の部分は、誘電体層として機能する。
ヒータ電極16は、図3に示すように、平面視で帯状のラインである。帯状のラインは、特に限定するものではないが、例えば幅0.1~10mm、厚み0.001~0.1mm、線間距離0.1~5mmに設定されていてもよい。このヒータ電極16は、プレート12のうちの外周部において一端に設けられた端子162aから他端に設けられた端子162bまで一筆書きの要領で抵抗発熱線が配線された外周ヒータ電極162と、プレート12のうちの中央部において一端に設けられた端子164aから他端に設けられた端子164bまで一筆書きの要領で抵抗発熱線が配線された中央ヒータ電極164とを備えている。外周ヒータ電極162は、線幅及び線間間隔が中央ヒータ電極164よりも狭くなっている。いずれのヒータ電極162,164も縦断面をみると複数の抵抗発熱層が積層された構造となっている。端子162a,162bは、それぞれ、プレート12の下面から冷却板20を通って下方に延び出した図示しない給電棒に接続され、給電棒を介して図示しない外周ヒータ電源に接続されている。端子164a,164bは、それぞれ、プレート12の下面から冷却板20を通って下方に延び出した図示しない給電棒に接続され、給電棒を介して図示しない中央ヒータ電源に接続されている。また、これらの給電棒は、冷却板20と電気的に絶縁されている。
冷却板20は、プレート12の裏面にシリコーン樹脂からなる接合層18を介して接合されている。この冷却板20は、金属製(例えばアルミニウム製)であり、冷媒(例えば水)が通過可能な冷媒通路22を内蔵している。この冷媒通路22は、プレート12の全面にわたって冷媒が通過するように形成されている。なお、冷媒通路22には、冷媒の供給口と排出口(いずれも図示せず)が設けられている。
複数の貫通孔24は、プレート12、接合層18及び冷却板20を厚さ方向に貫通している。静電電極14やヒータ電極16は、貫通孔24の内周面に露出しないように設計されている。本実施形態では、貫通孔24は、図示しないリフトピンを上下動可能に挿入するためのピン孔である。リフトピンは、プレート12の上面よりも下方へ没入した没入位置と上面よりも上方へ突出した突出位置のいずれかに位置決めされる。リフトピンが没入位置から突出位置へ上昇するとプレート12の上面に載置されたウエハWはプレート12の上面よりも上方へ持ち上げられる。各貫通孔24のうち冷却板20を貫通する冷却板貫通部分には、絶縁管26が挿入されている。絶縁管26は、例えばアルミナなどの絶縁材が筒状に形成されたものである。
ここで、中央ヒータ電極164について詳細に説明する。中央ヒータ電極164は、図3に示すように、3つの貫通孔24を取り囲むように配線されている。貫通孔24の周縁と中央ヒータ電極164のうち貫通孔24に最も近接する箇所との距離は、例えば0.1~5mmに設定されており、プレート12のうち貫通孔24が設けられた箇所は、プレート12の温度が低くなる。そのため、ここでは貫通孔24を温度特異部T1とする。温度特異部T1の周辺には、温度特異部T1を取り囲むように、通常の部分Nよりも発熱量の大きい特異部周辺部分S1が設けられている。ここで、中央ヒータ電極164のうち、温度特異部T1から1番目に近いものを第1抵抗発熱線部81、温度特異部T1から2番目に近いものを第2抵抗発熱線部82、温度特異部T1から3番目に近いものを第3抵抗発熱線部83と称するものとする。特異部周辺部分S1は、複数の小領域(本実施形態では、第1~第3小領域S11~S13の3つの小領域)を集めた領域である。図3に示すように、第1小領域S11は、第1の円状線、具体的には貫通孔24を中心とした第1円C1を引いた際に、第1抵抗発熱線部81のうち第1円C1に含まれる領域である。第2小領域S12は、第2の円状線、具体的には貫通孔24を中心とし第1円C1よりも大きい第2円C2を引いた際に、第2抵抗発熱線部82のうち第2円C2に含まれる領域である。第3小領域S13は第3の円状線、具体的には、貫通孔24を中心とし第1円C1及び第2円C2よりも大きい第3円C3を引いた際に、第3抵抗発熱線部83のうち第3円C3に含まれる領域である。中央ヒータ電極164のうち、特異部周辺部分S1を構成する第1~第3小領域S11~S13におけるヒータ電極の幅は、第1~第3抵抗発熱線部81~83の通常の部分Nの幅と、同じ幅である。
中央ヒータ電極164のうち、特異部周辺部分S1を構成する第1~第3小領域S11~S13は、図4に示すように、3つの抵抗発熱層L1~L3で構成されている。一方、中央ヒータ電極164のうち通常の部分Nは、図5に示すように、4つの抵抗発熱層L1~L4により構成されている。すなわち、特異部周辺部分S1では、通常の部分Nよりも、中央ヒータ電極164の厚さが薄い。そのため、特異部周辺部分S1では、通常の部分Nと比べて断面積が小さくなり、通常の部分Nと比べて抵抗が大きくなる。そのため、特異部周辺部分S1では、端子164aと端子164bとの間に電圧をかけたときの発熱量は、通常部分Nの発熱量より大きくなる。
端子164aと端子164bとが向かい合う部分には、ヒータ電極が配線されないため、プレート12の温度が低くなる。端子164aと端子164bとを結んだ線分の中点Mは特にプレート12の温度が低くなるため、ここでは、中点Mを温度特異部T2とする。温度特異部T2の周辺には、温度特異部T2を取り囲むように、通常の部分Nよりも発熱量の大きい特異部周辺部分S2が設けられている。ここで、中央ヒータ電極164のうち、中点Mに1番近く端子164a,164bのそれぞれから中点Mの反対側に延びだしている部分を第1抵抗発熱線部91、中央ヒータ電極164及び外周ヒータ電極162のうち、一対の端子164a,164bの周囲に設けられ、中点Mから2番目に近いものを第2抵抗発熱線部92、3番目に近いものを第3抵抗発熱線部93と称するものとする。特異部周辺部分S2は、複数の小領域(本実施形態では、第1~第3小領域S21~S23の3つの小領域)を集めた領域である。第1小領域S21は、図3に示すように、第1の円状線、具体的には中点Mを中心とした第1楕円E1を引いた際に、第1抵抗発熱線部91のうち第1楕円E1に含まれる領域である。第2小領域S22は、第2の円状線、具体的には中点Mを中心とし第1楕円E1よりも大きい第2楕円E2を引いた際に、第2抵抗発熱線部92のうち第2楕円E2に含まれる領域である。第3小領域S23は、第3の円状線、具体的には中点Mを中心とし第1楕円E1及び第2楕円E2よりも大きい第3楕円E3を引いた際に、第3抵抗発熱線部93のうち第3楕円E3に含まれる領域である。また、中央ヒータ電極164及び外周ヒータ電極162のうち、特異部周辺部分S2を構成する第1~第3小領域S21~S23におけるヒータ電極の幅は、第1~第3抵抗発熱線部91~93の通常の部分Nの幅と、同じ幅である。
中央ヒータ電極164及び外周ヒータ電極162のうち、特異部周辺部分S2を構成する第1~第3小領域S21~S23は、3つの抵抗発熱層L1~L3で構成されている。また、中央ヒータ電極164及び外周ヒータ電極162のうち通常の部分Nは、4つの抵抗発熱層L1~L4により構成されている。すなわち、特異部周辺部分S2では、通常の部分Nよりも、中央ヒータ電極164及び外周ヒータ電極162の厚さが薄い。そのため、特異部周辺部分S2では、通常の部分Nと比べて断面積が小さくなり、通常の部分Nと比べて抵抗が大きくなる。そのため、特異部周辺部分S2では、端子164aと端子164bとの間及び端子162aと端子162bとの間に電圧をかけたときの発熱量は、通常の部分Nの発熱量より大きくなる。
次に、本実施形態の静電チャックヒータ10の使用例について説明する。この静電チャックヒータ10のプレート12の表面にウエハWを載置し、静電電極14とウエハWとの間に電圧を印加することによりウエハWを静電気的な力によってプレート12に吸着する。この状態で、ウエハWにプラズマCVD成膜を施したりプラズマエッチングを施したりする。また、ヒータ電極16に電圧を印加してウエハWを加熱したり、冷却板20の冷媒通路22に冷媒を循環してウエハWを冷却したりすることにより、ウエハWの温度を一定に制御する。ヒータ電極16に電圧を印加する際には、端子162aと端子162bとの間に電圧を印加すると共に、端子164aと端子164bとの間に電圧を印加する。すると、外周ヒータ電極162及び中央ヒータ電極164はそれぞれ発熱してウエハWを加熱する。外周ヒータ電極162は、線幅及び線間間隔が中央ヒータ電極164よりも狭くなっている。そのため、外周側の方が中央側よりも発熱量が大きくなる。これは、プレート12の外周側では側面からも放熱する分、中央側と比べて温度が低くなりやすいことを考慮したためである。また、中央ヒータ電極164のうち温度特異部T1(貫通孔24)を取り囲む特異部周辺部分S1は、通常の部分Nよりも抵抗が大きい。そのため、中央ヒータ電極164の発熱量は、特異部周辺部分S1の方が通常の部分Nに比べて大きくなる。これは、貫通孔24には中央ヒータ電極164を形成することができないため、プレート12のうち貫通孔24が設けられた箇所は温度が低くなりやすいことを考慮したためである。更に、中央ヒータ電極164及び外周ヒータ電極162のうち温度特異部T2(中点M)を取り囲む特異部周辺部分S2は、通常の部分Nよりも抵抗が大きい。そのため、中央ヒータ電極164及び外周ヒータ電極162の発熱量は、特異部周辺部分S2の方が通常の部分Nに比べて大きくなる。そして、ウエハWの処理が終了したあと、静電電極14とウエハWとの間の電圧をゼロにして静電気的な力を消失させ、貫通孔24に挿入されているリフトピン(図示せず)を突き上げてウエハWをプレート12の表面から上方へリフトピンにより持ち上げる。その後、リフトピンに持ち上げられたウエハWは搬送装置(図示せず)によって別の場所へ搬送される。
次に、静電チャックヒータ10のプレート12の製造手順について説明する。図6は、プレート12の製造工程図である。
(a)成形体の作製(図6(a)参照)
第1~第3の成形体51~53を作製する。各成形体51~53は、まず、成形型にアルミナ粉体、焼結助剤としてのフッ化マグネシウム、溶媒、分散剤及びゲル化剤を含むスラリーを投入し、成形型内でゲル化剤を化学反応させてスラリーをゲル化させたあと離型することにより、作製する。
溶媒としては、分散剤及びゲル化剤を溶解するものであれば、特に限定されないが、例えば、炭化水素系溶媒(トルエン、キシレン、ソルベントナフサ等)、エーテル系溶媒(エチレングリコールモノエチルエーテル、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート等)、アルコール系溶媒(イソプロパノール、1-ブタノール、エタノール、2-エチルヘキサノール、テルピネオール、エチレングリコール、グリセリン等)、ケトン系溶媒(アセトン、メチルエチルケトン等)、エステル系溶媒(酢酸ブチル、グルタル酸ジメチル、トリアセチン等)、多塩基酸系溶媒(グルタル酸等)が挙げられる。特に、多塩基酸エステル(例えば、グルタル酸ジメチル等)、多価アルコールの酸エステル(例えば、トリアセチン等)等の、2以上のエステル結合を有する溶媒を使用することが好ましい。
分散剤としては、アルミナ粉体を溶媒中に均一に分散するものであれば、特に限定されない。例えば、ポリカルボン酸系共重合体、ポリカルボン酸塩、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、リン酸エステル塩系共重合体、スルホン酸塩系共重合体、3級アミンを有するポリウレタンポリエステル系共重合体等が挙げられる。特に、ポリカルボン酸系共重合体、ポリカルボン酸塩等を使用することが好ましい。この分散剤を添加することで、成形前のスラリーを、低粘度とし、且つ高い流動性を有するものとすることができる。
ゲル化剤としては、例えば、イソシアネート類、ポリオール類及び触媒を含むものとしてもよい。このうち、イソシアネート類としては、イソシアネート基を官能基として有する物質であれば特に限定されないが、例えば、トリレンジイソシアネート(TDI)、ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)又はこれらの変性体等が挙げられる。なお、分子内において、イソシアネート基以外の反応性官能基が含有されていてもよく、更には、ポリイソシアネートのように、反応性官能基が多数含有されていてもよい。ポリオール類としては、イソシアネート基と反応し得る水酸基を2以上有する物質であれば特に限定されないが、例えば、エチレングリコール(EG)、ポリエチレングリコール(PEG)、プロピレングリコール(PG)、ポリプロピレングリコール(PPG)、ポリテトラメチレングリコール(PTMG)、ポリヘキサメチレングリコール(PHMG)、ポリビニルアルコール(PVA)等が挙げられる。触媒としては、イソシアネート類とポリオール類とのウレタン反応を促進させる物質であれば特に限定されないが、例えば、トリエチレンジアミン、ヘキサンジアミン、6-ジメチルアミノ-1-ヘキサノール等が挙げられる。
この工程(a)では、まず、アルミナ粉体とフッ化マグネシウム粉体に溶媒及び分散剤を所定の割合で添加し、所定時間に亘ってこれらを混合することによりスラリー前駆体を調製し、その後、このスラリー前駆体に、ゲル化剤を添加して混合・真空脱泡してスラリーとするのが好ましい。スラリー前駆体やスラリーを調製するときの混合方法は、特に限定されるものではなく、例えばボールミル、自公転式撹拌、振動式撹拌、プロペラ式撹拌等を使用可能である。なお、スラリー前駆体にゲル化剤を添加したスラリーは、時間経過に伴いゲル化剤の化学反応(ウレタン反応)が進行し始めるため、速やかに成形型内に流し込むのが好ましい。成形型に流し込まれたスラリーは、スラリーに含まれるゲル化剤が化学反応することによりゲル化する。ゲル化剤の化学反応とは、イソシアネート類とポリオール類とがウレタン反応を起こしてウレタン樹脂(ポリウレタン)になる反応である。ゲル化剤の反応によりスラリーがゲル化し、ウレタン樹脂は有機バインダとして機能する。
(b)仮焼体の作製(図6(b)参照)
第1~第3の成形体51~53を乾燥したあと脱脂し、更に仮焼することにより、第1~第3の仮焼体61~63を得る。成形体51~53の乾燥は、成形体51~53に含まれる溶媒を蒸発させるために行う。乾燥温度や乾燥時間は、使用する溶媒に応じて適宜設定すればよい。但し、乾燥温度は、乾燥中の成形体51~53にクラックが入らないように注意して設定する。また、雰囲気は大気雰囲気、不活性雰囲気、真空雰囲気のいずれであってもよい。乾燥後の成形体51~53の脱脂は、分散剤や触媒やバインダなどの有機物を分解・除去するために行う。脱脂温度は、含まれる有機物の種類に応じて適宜設定すればよいが、例えば400~600℃に設定してもよい。また、雰囲気は大気雰囲気、不活性雰囲気、真空雰囲気のいずれであってもよい。脱脂後の成形体51~53の仮焼は、強度を高くしハンドリングしやすくするために行う。仮焼温度は、特に限定するものではないが、例えば750~900℃に設定してもよい。また、雰囲気は大気雰囲気、不活性雰囲気、真空雰囲気のいずれであってもよい。
(c)電極用ペーストの印刷(図6(c)参照)
第1の仮焼体61の片面にヒータ電極用ペースト71を印刷し、第3の仮焼体63の片面に静電電極用ペースト72をスクリーン印刷する。両ペースト71,72は、いずれも、アルミナセラミック粉末とモリブデン粉末とチタン粉末とバインダと溶媒とを含むものである。バインダとしては、例えば、セルロース系バインダ(エチルセルロースなど)やアクリル系バインダ(ポリメタクリル酸メチルなど)やビニル系バインダ(ポリビニルブチラールなど)が挙げられる。溶媒としては、例えば、テルピネオールなどが挙げられる。印刷方法は、例えば、スクリーン印刷法などが挙げられる。
ヒータ電極用ペースト71を印刷する場合、まず、ヒータ電極16の配線パターンと同形状のパターンに打ち抜かれたマスクを用意し、第1の仮焼体61の片面にこのマスクを被せてヒータ電極用ペースト71を印刷する。この作業を繰り返し行うことにより、抵抗発熱層L1~L3になるヒータ用電極ペースト71の印刷が終了する。次に、ヒータ電極16の配線パターンと同じ形状のパターンに打ち抜かれているものの、特異部周辺部分S1,S2が打ち抜かれていないマスクに交換して、ヒータ電極用ペースト71を印刷する。これにより、特異部周辺部分S1,S2では、抵抗発熱層L1~L3となるヒータ電極用ペースト71が印刷されるものの、抵抗発熱層L4となるヒータ電極用ペースト71は印刷されない。一方、通常の部分Nでは抵抗発熱層L1~L4になるヒータ電極用ペースト71が印刷される。
(d)ホットプレス焼成(図6(d)参照)
印刷されたヒータ電極用ペースト71を挟むようにして第1の仮焼体61と第2の仮焼体62とを重ね合わせると共に、印刷された静電電極用ペースト72を挟むようにして第2の仮焼体62と第3の仮焼体63とを重ね合わせ、その状態でホットプレス焼成する。これにより、ヒータ電極用ペースト71が焼成されてヒータ電極16となり、静電電極用ペースト72が焼成されて静電電極14となり、各仮焼体61~63が焼結し一体化してアルミナセラミックス基体となる。その後、このアルミナセラミックス基体に研削加工又はブラスト加工を施すことにより所望の形状、厚みに調整し、機械加工を施すことにより貫通孔24を形成し、プレート12を得る。ホットプレス焼成では、少なくとも最高温度(焼成温度)において、プレス圧力を30~300kgf/cm2とすることが好ましく、50~250kgf/cm2とすることがより好ましい。また、最高温度は、アルミナ粉体にフッ化マグネシウムが添加されているため、フッ化マグネシウムが添加されていない場合に比べて低温(1120~1300℃)に設定すればよい。雰囲気は、大気雰囲気、不活性雰囲気、真空雰囲気の中から、適宜選択すればよい。
以上詳述した本実施形態の静電チャックヒータ10によれば、ヒータ電極16のうちプレート12の温度が低くなる温度特異部T1,T2を取り囲む特異部周辺部分S1,S2は、ヒータ電極16のうち通常の部分Nと比べて、厚さが薄い。すなわち、特異部周辺部分S1,S2では、ヒータ電極のうち通常の部分Nと比べて断面積が小さく抵抗が大きい。そのため、ヒータ電極16の端子間に電圧をかけたときの発熱量は、特異部周辺部分S1,S2の方が通常の部分Nに比べて大きいため、温度特異部T1,T2の温度が低くなるのを抑制することができる。したがって、プレート12の温度特異部T1,T2の均熱設計を容易に行うことができる。
また、静電チャックヒータ10では、特異部周辺部分S1,S2のヒータ電極16の幅はヒータ電極16のうち通常の部分Nの幅と等しい。そのため、比較的容易にヒータ電極16の配線を設計することができる。
更に、静電チャックヒータ10では、温度特異部T1は、プレート12を貫通する貫通孔24であり、中央ヒータ電極164は、貫通孔24を取り囲むように配線された第1~第3抵抗発熱線部81~83を有している。特異部周辺部分S1は、貫通孔24を中心とした大きさの異なる3個の円状線を引き、貫通孔24からk番目(kは1以上3以下の整数)に近い第1~第3抵抗発熱線部81~83のうちk番目に小さい円状線に含まれる部分をk番目の小領域としたときに、第1~3第小領域S11~S13を集めた領域である。そのため、特異部周辺部分S1は局所的に通常の部分Nよりも大きい発熱量を得ることができる。
そして、静電チャックヒータ10では、温度特異部T2は、ヒータ電極16のうち互いに向かい合い離れて配置された一対の端子を結んだ中点Mであり、ヒータ電極16は、複数の抵抗発熱線部91~93を有する。第1抵抗発熱線部91は、一対の端子のそれぞれから互いに逆向きに延びている。第2及び第3抵抗発熱線部92,93は、一対の端子の周辺に設けられている。特異部周辺部分S2は、中点Mを中心とした大きさの異なる3個の円状線を引き、中点からk番目(kは1以上3以下の整数)に近い第1~第3抵抗発熱線部91~93のうちk番目に小さい円状線に含まれる部分をk番目の小領域としたときに、第1~第3小領域S21~S23を集めた領域である。そのため、特異部周辺部分S2は局所的に通常の部分Nよりも大きい発熱量を得ることができる。
更にまた、静電チャックヒータ10では、円状線は、円又は楕円である。円状線は比較的簡単な形状であるため、比較的容易に特異部周辺部分S1,S2を形成することができる。
そしてまた、静電チャックヒータ10では、ヒータ電極16は、複数の抵抗発熱層を積層した構造を有しており、特異部周辺部分S1,S2は、通常の部分Nと比べて抵抗発熱層の積層数が少ない。そのため、特異部周辺部分S1,S2を比較的簡単に作製することができる。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
例えば、上述した実施形態では、第1抵抗発熱線部81は、貫通孔24の外側に迂回する形状であったが、これに限定されない。例えば、図7に示すように、第1抵抗発熱線部81は貫通孔24の内側と外側の両側に迂回した後、一体化する形状としてもよい。なお、図7では、図3と同じ構成要素については、同じ符号を付して説明を省略する。
上述した実施形態では、第1抵抗発熱線部91は、端子164a,164bのそれぞれから中点Mとは反対側に延び出していたが、これに限定されない。例えば、図8に示すように、端子164a,164bのそれぞれから中点Mに向かう方向に延び出し、二手に分裂し、分裂した第1抵抗発熱線部91のそれぞれが半周ずつ端子164a,164bを取り囲んだあと、中点Mとは反対側で一体化する形状としてもよい。この場合、第2及び第3抵抗発熱線部92,93は、図8に示すように、端子164a,164bを迂回する形状としてもよい。なお、図8では、図3と同じ構成要素については、同じ符号を付して説明を省略する。
上述した実施形態では、特異部周辺部分S2を構成する第2小領域S22は、第2抵抗発熱線部92のうち、1つの第2楕円E2に含まれる領域としたが、これに限定されない。例えば、図9に示すように、第2小領域S22は、第2抵抗発熱線部92のうち、第2楕円E2及び中点Mを通り端子を結ぶ線分の垂線L上に中心を有し、第2楕円E2と同じ大きさの第4楕円E4に含まれる領域としてもよい。なお、図9では、図3と同じ構成要素については、同じ符号を付して説明を省略する。
上述した実施形態では、特異部周辺部分S1の第1~第3小領域S11~S13においてヒータ電極16の厚さは等しいものとしたが、これに限定されない。例えば、図10に示すように、特異部周辺部分S1の第1~第3小領域S11~S13において、第3小領域S13よりも第2小領域S12の厚さが薄く、第2小領域S12よりも第1小領域S11の厚さを薄くしてもよい。こうすれば、特異部周辺部分S1のうち温度特異部T1から遠い部分の発熱量は、特異部周辺部分S1のうち温度特異部T1から近い部分の発熱量よりも小さくなる。そのため、均熱設計をより容易に行うことができる。また、特異部周辺部分S2の第1~第3小領域S21~S23において、第3小領域S23よりも第2小領域S22の厚さが薄く、第2小領域S22よりも第1小領域S21の厚さを薄くしてもよい。なお、図10では、図4と同じ構成要素については同じ符号を付して説明を省略する。
上述した実施形態では、特異部周辺部分S1は、貫通孔24を中心とした第1~第3円C1~C3を引き、それらに基づいて設定された第1~第3小領域S11~S13の集合とした。また、上述した実施形態では、特異部周辺部分S2は、中点Mを中心とした第1~第3楕円E1~E3を引き、それらに基づいて設定された第1~第3小領域S21~S23の集合とした。しかし、特異部周辺部分S1,S2は、これに限定されない。例えば、特異部周辺部分S1は、貫通孔24を中心とした長円又は楕円を複数引き、それらに基づいて設定された第1~第3小領域S11~S13の集合としてもよいし、特異部周辺部分S2は、中点Mを中心とした円又は長円を複数引き、それらに基づいて設定された第1~第3小領域S21~S23の集合としてもよい。あるいは、図11に示すように、特異部周辺部分S1は、第1~第3抵抗発熱線部81~83のうち、プレート12の温度が均一になるように貫通孔24を取り囲んだ任意の第1及び第2小領域S31,S32の集合としてもよいし、特異部周辺部分S2は、第1~第3抵抗発熱線部91~93のうち、プレート12の温度が均一になるように中点Mを取り囲んだ任意の第1及び第2小領域S41,S42の集合としてもよい。なお、図11では、図3と同じ構成要素については、同じ符号を付して説明を省略する。
上述した実施形態では、第1~第3抵抗発熱線部81~83は、等間隔で配線されていたが、これに限定されない。例えば、図12に示すように、第1抵抗発熱線部81に隣合うように、第1抵抗発熱線部81からの異なる距離に2つの抵抗発熱線部が設けられていてもよい。上述した実施形態と同様に、温度特異部T1から2番目に近い抵抗発熱線部(2つの抵抗発熱線部のうち、第1抵抗発熱線部からの距離が近い方)が第2抵抗発熱線部82であり、温度特異部T1から3番目に近い抵抗発熱線部(2つの抵抗発熱線部のうち、第1抵抗発熱線部からの距離が遠い方)が第3抵抗発熱線部83である。この場合、特異部周辺部分S1は、第1~第3小領域S51~S53の3つの小領域を集めた領域である。第1小領域S51は、貫通孔24を中心とした第1円C1を引いた際に、第1抵抗発熱線部81のうち、第1円C1に含まれる部分であり、第2小領域S52は、貫通孔24を中心とした第2円C2を引いた際に、第2抵抗発熱線部82のうち、第2円C2に含まれる部分であり、第3小領域S53は、貫通孔24を中心とした第3円C3を引いた際に、第3抵抗発熱線部83のうち、第3円C3に含まれる部分である。なお、図12では、図3と同じ構成要素については、同じ符号を付して説明を省略する。
例えば、上述した実施形態では、プレート12を外周ゾーンと中央ゾーンの2つに分けてヒータ電極16をゾーンごとに設けた(つまり外周ヒータ電極162と中央ヒータ電極164を設けた)が、2つのゾーンに分けることなくプレート12全体にヒータ電極16を設けてもよいし、3つ以上のゾーンに分けてヒータ電極16をゾーンごとに設けてもよい。
上述した実施形態では、貫通孔24としてリフトピンを挿通するピン孔を例示したが、特にピン孔に限定されるものではない。例えば、貫通孔24は、プレート12の上面に載置されたウエハWの裏面に冷却ガスを供給してウエハWを冷却するためのガス供給孔であってもよい。
上述した実施形態では、ヒータ電極用ペースト71や静電電極用ペースト72をスクリーン印刷したが、特にこれに限定されない。例えば、スクリーン印刷の代わりにPVDやCVD、メッキ等を用いてもよい。
上述した実施形態では、図6に示した製法によりプレート12を作製したが、特にこれに限定されない。例えば、上述した実施形態ではスラリーをゲル化することで第1~第3の成形体51~53を作製したが、グリーンシートを積層することで第1~第3の成形体51~53を作製してもよい。あるいは、第1~第3の成形体51~53を仮焼する工程を省略し、第1の成形体51にヒータ電極用ペースト71を印刷すると共に第3の成形体53に静電電極用ペースト72を印刷し、その後、第1~第3の成形体51~53をホットプレス焼成してもよい。あるいは、第1の仮焼体61を焼成した第1の焼成体にヒータ電極用ペースト71を印刷したものを印刷面が上になるように金型に入れ、その上にセラミックス造粒顆粒を所定の厚さになるように敷き詰め、その上に第3の仮焼体63を焼成した第3の焼成体に静電電極用ペースト72を印刷したものを印刷面が下になるように載せ、金型の上下から加圧してホットプレス焼成を行うことでプレート12を作製してもよい。
上述した実施形態では、特異部周辺部分S1,S2を第1~第3小領域S11~S13,S21~S23の集合としたが、これに限定されない。例えば、特異部周辺部分S1,S2を、2つの小領域の集合としてもよいし、4つ以上の小領域の集合としてもよい。
上述した実施形態では、中点Mを温度特異部T2としたが、中点Mに加えて又は代えて、端子162aと端子162bとを結ぶ線分の中点を温度特異部とし、特異部周辺部分S1又はS2と同様にして特異部周辺部分を形成してもよい。
上述した実施形態では、第1~第3小領域S11~S13,S21~S23の幅は、通常の部分Nと同じ幅であったが、これに限定されない。例えば、第1~第3小領域S11~S13,S21~S23の幅は、通常の部分Nの幅よりも小さくしてもよいし、通常の部分Nの幅よりも大きくしてもよい。
上述した実施形態では、抵抗発熱層L1~L3となるヒータ電極用ペースト71を印刷した後に、特異部周辺部分S1,S2が打ち抜かれていないマスクを用いて、特異部周辺部分S1,S2に抵抗発熱層L4となるヒータ電極用ペースト71を印刷しないことで特異部周辺部分S1,S2におけるヒータ電極16の厚さを薄くしたが、これに限定されない。例えば、ヒータ電極16の配線パターンと同形状のパターンに打ち抜かれたマスクを用いて、抵抗発熱層L1~L4となる電極用ペースト71を印刷した後、レーザートリミングにより、特異部周辺部分S1,S2におけるヒータ電極16の厚さを薄くしてもよい。
上述した実施形態では、ヒータ電極16の縦断面は複数の抵抗発熱層を積層した構造としたが、単層の抵抗発熱層としてもよい。この場合も、特異部周辺部分S1,S2では、通常の部分Nよりもヒータ電極16の厚さを薄くする。単層の抵抗発熱層は、単層の抵抗発熱原料層を焼成して作製してもよいし、複数の抵抗発熱原料層を積層したものを焼成して各抵抗発熱原料層が渾然一体(つまり単層)になるように作製してもよい。
10 静電チャックヒータ、12 プレート、14 静電電極、16 ヒータ電極、18 接合層、20 冷却板、22 冷媒通路、24 貫通孔、26 絶縁管、51~53 第1~第3の成形体、61~63 第1~第3の仮焼体、71 ヒータ電極用ペースト、72 静電電極用ペースト、81,91 第1抵抗発熱線部、82,92 第2抵抗発熱線部、83,93 第3抵抗発熱線部、162 外周ヒータ電極、164 中央ヒータ電極、162a,162b,164a,164b 端子、C1 第1円、C2 第2円、C3 第3円、E1 第1楕円、E2 第2楕円、E3 第3楕円、E4 第4楕円、S1,S2 特異部周辺部分、L 垂線、L1~L4 抵抗発熱層、M 中点、N 通常の部分、S11,S21,S31,S41,S51 第1小領域、S12,S22,S32,S42,S52 第2小領域、S13,S23,S53 第3小領域、T1,T2 温度特異部。

Claims (5)

  1. セラミックス製のプレートにヒータ電極が埋設されたセラミックヒータであって、
    前記ヒータ電極のうち互いに向かい合い離れて配置された一対の端子を結んだ中点である温度特異部を取り囲む特異部周辺部分は、前記ヒータ電極のうち通常の部分と比べて、厚さが薄く、
    前記ヒータ電極は、複数の抵抗発熱線部を有し、前記複数の抵抗発熱線部には、前記一対の端子のそれぞれから互いに逆向きに延びる抵抗発熱線部と、前記一対の端子の周辺に設けられた1以上の抵抗発熱線部とが含まれ、
    前記特異部周辺部分は、前記中点を中心とした大きさの異なるn個(nは2以上の整数)の円状線を引き、前記中点からk番目(kは1以上n以下の整数)に近い前記抵抗発熱線部のうちk番目に小さい前記円状線に含まれる部分をk番目の小領域としたときに、1~n番目の小領域を集めた領域であり、
    前記特異部周辺部分のm番目(mは1以上(n-1)以下の整数)の小領域は、(m+1)番目の小領域よりも薄い、
    セラミックヒータ。
  2. 前記ヒータ電極のうち通常の部分は、前記特異部周辺部分に隣接する部分である、
    請求項1に記載のセラミックヒータ。
  3. 前記ヒータ電極のうち前記特異部周辺部分の幅は、前記ヒータ電極のうち通常の部分の幅と等しい、
    請求項1又は2に記載のセラミックヒータ。
  4. 前記円状線は、円、楕円、又は長円である、
    請求項のいずれか1項に記載のセラミックヒータ。
  5. 前記ヒータ電極は、複数の抵抗発熱層を積層した構造を有し、
    前記特異部周辺部分は、前記通常の部分と比べて前記抵抗発熱層の積層数が少ない、
    請求項1~のいずれか1項に記載のセラミックヒータ。
JP2020167627A 2020-10-02 2020-10-02 セラミックヒータ Active JP7296351B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020167627A JP7296351B2 (ja) 2020-10-02 2020-10-02 セラミックヒータ
US17/304,748 US20220110190A1 (en) 2020-10-02 2021-06-25 Ceramic heater
KR1020210082953A KR102591348B1 (ko) 2020-10-02 2021-06-25 세라믹 히터
TW110123987A TWI798735B (zh) 2020-10-02 2021-06-30 陶瓷加熱器
CN202110742499.3A CN114390733A (zh) 2020-10-02 2021-07-01 陶瓷加热器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020167627A JP7296351B2 (ja) 2020-10-02 2020-10-02 セラミックヒータ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022059801A JP2022059801A (ja) 2022-04-14
JP7296351B2 true JP7296351B2 (ja) 2023-06-22

Family

ID=80930834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020167627A Active JP7296351B2 (ja) 2020-10-02 2020-10-02 セラミックヒータ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220110190A1 (ja)
JP (1) JP7296351B2 (ja)
KR (1) KR102591348B1 (ja)
CN (1) CN114390733A (ja)
TW (1) TWI798735B (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313530A (ja) 2001-04-13 2002-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 被処理物保持体
JP2017152137A (ja) 2016-02-23 2017-08-31 日本碍子株式会社 静電チャックヒータ
JP2017152537A (ja) 2016-02-24 2017-08-31 日本特殊陶業株式会社 ヒータ及び静電チャック並びにプラズマ発生用部材

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2641509B2 (ja) 1988-06-29 1997-08-13 株式会社日立製作所 故障辞書作成方式
US20050016986A1 (en) * 2001-11-30 2005-01-27 Yasutaka Ito Ceramic heater
WO2004089039A1 (ja) * 2003-03-31 2004-10-14 Ibiden Co., Ltd. 半導体製造・検査装置用ヒータ
JP2009059539A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Harison Toshiba Lighting Corp 板状ヒータ、加熱装置、画像形成装置
KR101387916B1 (ko) * 2014-02-25 2014-04-22 한국기계연구원 히터 겸용 정전척
CN107004626B (zh) * 2014-11-20 2019-02-05 住友大阪水泥股份有限公司 静电卡盘装置
JP6804828B2 (ja) * 2015-04-20 2020-12-23 日本特殊陶業株式会社 セラミックヒータ及び静電チャック
JP6694732B2 (ja) * 2016-02-26 2020-05-20 日本特殊陶業株式会社 セラミックスヒータ
JP6836663B2 (ja) * 2017-11-24 2021-03-03 トーカロ株式会社 発熱部材

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313530A (ja) 2001-04-13 2002-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 被処理物保持体
JP2017152137A (ja) 2016-02-23 2017-08-31 日本碍子株式会社 静電チャックヒータ
JP2017152537A (ja) 2016-02-24 2017-08-31 日本特殊陶業株式会社 ヒータ及び静電チャック並びにプラズマ発生用部材

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220044644A (ko) 2022-04-11
TW202215902A (zh) 2022-04-16
KR102591348B1 (ko) 2023-10-18
CN114390733A (zh) 2022-04-22
TWI798735B (zh) 2023-04-11
JP2022059801A (ja) 2022-04-14
US20220110190A1 (en) 2022-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6496675B2 (ja) 静電チャックヒータ
US6632512B1 (en) Ceramic substrate
KR101996706B1 (ko) 알루미나 소결체의 제법 및 알루미나 소결체
US20030015521A1 (en) Ceramic heater
US11673842B2 (en) Method for manufacturing large ceramic co-fired articles
CN114423723A (zh) 用于制造氮化硅基底的方法
WO2019088203A1 (ja) 半導体製造装置用部材、その製法及び成形型
JP7296351B2 (ja) セラミックヒータ
TWI725731B (zh) 陶瓷加熱器及其製法
US20200312693A1 (en) Member for semiconductor manufacturing apparatus, method for manufacturing the same, and mold
JP7284339B2 (ja) セラミックヒータ及びその製法
JP2727652B2 (ja) 窒化アルミニウム基板の焼成方法
US20220369425A1 (en) Ceramic heater and method of manufacturing the ceramic heater
JP6903512B2 (ja) 接合体
JP2002134600A (ja) 静電チャック

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220722

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230322

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230328

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230515

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230606

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230612

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7296351

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150