JP2002313530A - 被処理物保持体 - Google Patents
被処理物保持体Info
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- JP2002313530A JP2002313530A JP2001115451A JP2001115451A JP2002313530A JP 2002313530 A JP2002313530 A JP 2002313530A JP 2001115451 A JP2001115451 A JP 2001115451A JP 2001115451 A JP2001115451 A JP 2001115451A JP 2002313530 A JP2002313530 A JP 2002313530A
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- terminal portion
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 端子部を容易に形成でき、かつ発熱抵抗体の
端子部での温度低下を防ぐことにより被処理物搭載面内
において±１％以内の均熱性を実現でき、かつ耐熱性、
耐食性、絶縁性および熱伝導率の高い被処理物保持体を
提供する。 【解決手段】 窒化アルミニウムを含む１対のセラミッ
クス基体２ａ、２ｂの間に、高融点金属を含む材料から
なる発熱部３ｂと端子部３ａとを有する発熱抵抗体３が
埋設されている。セラミックス基体２ｂには孔２ｃが形
成されており、この孔２ｃの底部において端子部３ａの
一部表面が露出しており、この露出した端子部３ａに
は、給電用導電部材が電気的に接続される。このセラミ
ックスモジュール１の被処理物搭載面２ｄにおける温度
分布が±１％以内である。
端子部での温度低下を防ぐことにより被処理物搭載面内
において±１％以内の均熱性を実現でき、かつ耐熱性、
耐食性、絶縁性および熱伝導率の高い被処理物保持体を
提供する。 【解決手段】 窒化アルミニウムを含む１対のセラミッ
クス基体２ａ、２ｂの間に、高融点金属を含む材料から
なる発熱部３ｂと端子部３ａとを有する発熱抵抗体３が
埋設されている。セラミックス基体２ｂには孔２ｃが形
成されており、この孔２ｃの底部において端子部３ａの
一部表面が露出しており、この露出した端子部３ａに
は、給電用導電部材が電気的に接続される。このセラミ
ックスモジュール１の被処理物搭載面２ｄにおける温度
分布が±１％以内である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理物保持体に
関し、より具体的には、半導体ウェハあるいは液晶用基
板などの被処理物を搭載した状態で処理する被処理物保
持体に埋設された発熱抵抗体に系外から電力を供給する
ための構造に関するものである。
関し、より具体的には、半導体ウェハあるいは液晶用基
板などの被処理物を搭載した状態で処理する被処理物保
持体に埋設された発熱抵抗体に系外から電力を供給する
ための構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】被処理物（半導体ウェハや液晶用のガラ
ス基板）の表面をエッチングしたり、その表面に膜を形
成する際、複数のエッチング装置や成膜装置を並べて、
それらの装置間をローダを用いて被処理物を自動送りで
１枚ずつ処理する枚葉式が主流となっている。枚葉式の
製造装置を用いる場合、ローダでエッチング装置や成膜
装置のチャンバ内の保持体の上に被処理物を搬送し、そ
の保持体に静電チャック電極で被処理物を固定した状態
で、または保持体の被処理物搭載面の面精度を上げて被
処理物を静置密着させた状態で、保持体に熱を直接与え
て被処理物を均一に加熱する方法が採用されている。
ス基板）の表面をエッチングしたり、その表面に膜を形
成する際、複数のエッチング装置や成膜装置を並べて、
それらの装置間をローダを用いて被処理物を自動送りで
１枚ずつ処理する枚葉式が主流となっている。枚葉式の
製造装置を用いる場合、ローダでエッチング装置や成膜
装置のチャンバ内の保持体の上に被処理物を搬送し、そ
の保持体に静電チャック電極で被処理物を固定した状態
で、または保持体の被処理物搭載面の面精度を上げて被
処理物を静置密着させた状態で、保持体に熱を直接与え
て被処理物を均一に加熱する方法が採用されている。
【０００３】したがって、被処理物保持体を構成する材
料は、少なくとも被処理物に接する部分が、膜形成用の
反応ガスやエッチングガスとしての腐食性の高いハロゲ
ンガスなどのガスに対する耐食性を有する材料で構成さ
れる必要がある。さらに反応させる高温に耐える耐熱性
も必要である。
料は、少なくとも被処理物に接する部分が、膜形成用の
反応ガスやエッチングガスとしての腐食性の高いハロゲ
ンガスなどのガスに対する耐食性を有する材料で構成さ
れる必要がある。さらに反応させる高温に耐える耐熱性
も必要である。
【０００４】半導体製造装置や液晶製造装置で要求され
る反応ガスやクリーニングに用いられるハロゲン系のガ
スに対する耐食性と、発熱体としての耐熱性、耐食性お
よび耐久性との観点から金属や樹脂の保持体は使えない
ため、セラミックス製の保持体の実用化が進められてい
る。このセラミックスの中でも酸化アルミニウムは作り
やすく安価であるため、この酸化アルミニウム製の保持
体が実用化されている。
る反応ガスやクリーニングに用いられるハロゲン系のガ
スに対する耐食性と、発熱体としての耐熱性、耐食性お
よび耐久性との観点から金属や樹脂の保持体は使えない
ため、セラミックス製の保持体の実用化が進められてい
る。このセラミックスの中でも酸化アルミニウムは作り
やすく安価であるため、この酸化アルミニウム製の保持
体が実用化されている。
【０００５】しかし酸化アルミニウムの熱伝導率が３０
Ｗ／ｍＫ程度と低いため、ウェハや液晶用基板の表面の
エッチングや膜形成の際に、精度よく管理すべき温度が
ばらつき、それによって特性がばらついていた。
Ｗ／ｍＫ程度と低いため、ウェハや液晶用基板の表面の
エッチングや膜形成の際に、精度よく管理すべき温度が
ばらつき、それによって特性がばらついていた。
【０００６】そこで、耐熱性、耐食性、絶縁性が高くか
つ熱伝導率が高い窒化アルミニウム製の保持体が注目さ
れている。
つ熱伝導率が高い窒化アルミニウム製の保持体が注目さ
れている。
【０００７】この窒化アルミニウム製の保持体は、窒化
アルミニウム粉末からなる成形体の間にモリブデンなど
の高融点金属のコイルやワイヤを挟み込んで、これらを
ホットプレス焼結することで、ヒータや静電チャック用
電極の電気回路を埋設するように製造されていた。たと
えばヒータ（発熱抵抗体）を埋め込んだ保持体として、
発熱面でより均熱化を図るための埋設ヒータ構造が特許
第２６０４９４４号に開示されている。また埋設したヒ
ータに系外から電力を供給するための構造が、たとえば
特許第２５１８９６２号に示されている。
アルミニウム粉末からなる成形体の間にモリブデンなど
の高融点金属のコイルやワイヤを挟み込んで、これらを
ホットプレス焼結することで、ヒータや静電チャック用
電極の電気回路を埋設するように製造されていた。たと
えばヒータ（発熱抵抗体）を埋め込んだ保持体として、
発熱面でより均熱化を図るための埋設ヒータ構造が特許
第２６０４９４４号に開示されている。また埋設したヒ
ータに系外から電力を供給するための構造が、たとえば
特許第２５１８９６２号に示されている。
【０００８】図８は、特許第２５１８９６２号に示され
た電力供給構造を拡大して示す図である。図８を参照し
て、セラミックスヒータ１０１は、セラミックス基体１
０２と、そのセラミックス基体１０２内に埋設されたス
パイラル状の発熱抵抗体１０３ａと、発熱抵抗体１０３
ａの端部に接続された柱状の端子１０３ｂとを有してい
る。この端子１０３ｂは、発熱抵抗体１０３ａよりも太
く、かつセラミックス基体１０２の内部からセラミック
スヒータ１０１の背面側に延びている。これにより、セ
ラミックスヒータ１０１の背面に端子１０３ｂの先端面
が露出している。この露出した端子１０３ｂの表面に、
高融点金属の粉末１０６を介して電極１０５が電気的に
接続されている。
た電力供給構造を拡大して示す図である。図８を参照し
て、セラミックスヒータ１０１は、セラミックス基体１
０２と、そのセラミックス基体１０２内に埋設されたス
パイラル状の発熱抵抗体１０３ａと、発熱抵抗体１０３
ａの端部に接続された柱状の端子１０３ｂとを有してい
る。この端子１０３ｂは、発熱抵抗体１０３ａよりも太
く、かつセラミックス基体１０２の内部からセラミック
スヒータ１０１の背面側に延びている。これにより、セ
ラミックスヒータ１０１の背面に端子１０３ｂの先端面
が露出している。この露出した端子１０３ｂの表面に、
高融点金属の粉末１０６を介して電極１０５が電気的に
接続されている。
【０００９】セラミックス中に埋設された発熱回路に電
力を供給して発熱させるため、発熱回路に電力を供給す
る構造には、高い信頼性が必要とされる。そのため、特
許第２６０４９４４号のような窒化アルミニウム製の保
持体の場合、その発熱体の端部は特許第２５１８９６２
号のように発熱抵抗体より太い端子とすることによっ
て、接合面積を大きくして拡散接合したりねじ切りした
りして、端子１０３ｂへの電極１０５の接合が容易にさ
れていた。
力を供給して発熱させるため、発熱回路に電力を供給す
る構造には、高い信頼性が必要とされる。そのため、特
許第２６０４９４４号のような窒化アルミニウム製の保
持体の場合、その発熱体の端部は特許第２５１８９６２
号のように発熱抵抗体より太い端子とすることによっ
て、接合面積を大きくして拡散接合したりねじ切りした
りして、端子１０３ｂへの電極１０５の接合が容易にさ
れていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特許第
２５１８９６２号に開示された構造を製造する場合に
は、予め発熱抵抗体１０３ａの先端に太い柱状の端子１
０３ｂを取付けて、セラミックス成形体に埋設して焼結
した後にセラミックス背面を研削することにより端子１
０３ｂの先端面を露出させる必要があった。このため、
端子１０３ｂを露出させるための工程が煩雑になるとい
う問題があった。
２５１８９６２号に開示された構造を製造する場合に
は、予め発熱抵抗体１０３ａの先端に太い柱状の端子１
０３ｂを取付けて、セラミックス成形体に埋設して焼結
した後にセラミックス背面を研削することにより端子１
０３ｂの先端面を露出させる必要があった。このため、
端子１０３ｂを露出させるための工程が煩雑になるとい
う問題があった。
【００１１】また端子１０３ｂを発熱抵抗体１０３ａの
径より太くするため、端子１０３ｂでの電気抵抗が小さ
くなり発熱量が小さくなってしまう。さらに、端子１０
３ｂに接続される電極１０５などの電力供給系を通じて
端子１０３ｂの熱が逃げてしまうという相乗効果がある
ため、端子１０３ｂにおける温度は極端に下がってしま
う。このため、被処理物搭載面内における温度分布のば
らつきが大きくなり、均熱性が低くなるという問題もあ
った。
径より太くするため、端子１０３ｂでの電気抵抗が小さ
くなり発熱量が小さくなってしまう。さらに、端子１０
３ｂに接続される電極１０５などの電力供給系を通じて
端子１０３ｂの熱が逃げてしまうという相乗効果がある
ため、端子１０３ｂにおける温度は極端に下がってしま
う。このため、被処理物搭載面内における温度分布のば
らつきが大きくなり、均熱性が低くなるという問題もあ
った。
【００１２】それゆえ本発明の目的は、端子部を容易に
形成することができ、かつ端子部での温度低下を防ぐこ
とにより被処理物搭載面内において±１％以内の均熱性
を実現でき、かつ耐熱性、耐食性、絶縁性および熱伝導
率の高い被処理物保持体を提供することである。
形成することができ、かつ端子部での温度低下を防ぐこ
とにより被処理物搭載面内において±１％以内の均熱性
を実現でき、かつ耐熱性、耐食性、絶縁性および熱伝導
率の高い被処理物保持体を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の被処理物保持体
は、窒化アルミニウムを含むセラミックス基体と発熱抵
抗体とを有する被処理物保持体であって、発熱抵抗体は
外部の給電用導電部材に接続するための端子部とその端
子部に電気的に接続された発熱部とを有し、発熱部およ
び端子部は金属材料からなり、被処理物を搭載する面に
おける温度分布（ばらつき）が±１％の範囲内であるこ
とを特徴とするものである。
は、窒化アルミニウムを含むセラミックス基体と発熱抵
抗体とを有する被処理物保持体であって、発熱抵抗体は
外部の給電用導電部材に接続するための端子部とその端
子部に電気的に接続された発熱部とを有し、発熱部およ
び端子部は金属材料からなり、被処理物を搭載する面に
おける温度分布（ばらつき）が±１％の範囲内であるこ
とを特徴とするものである。
【００１４】本発明者らは、上記目的の下に鋭意検討し
た結果、窒化アルミニウムがセラミックス基体に含まれ
かつ金属が発熱部と端子部とに含まれた被処理物保持体
において、被処理物を搭載する面における温度分布を±
１％以内に収めることのできる被処理物保持体を得るこ
とができた。これにより、被処理物を均等に加熱するこ
とが可能となり、被処理物への成膜処理などの各種の処
理を面内において均等に行なうことが可能となる。ま
た、窒化アルミニウムをセラミックス基体に用いている
ため、耐熱性、耐食性、絶縁性および熱伝導率について
も良好な特性を得ることができる。
た結果、窒化アルミニウムがセラミックス基体に含まれ
かつ金属が発熱部と端子部とに含まれた被処理物保持体
において、被処理物を搭載する面における温度分布を±
１％以内に収めることのできる被処理物保持体を得るこ
とができた。これにより、被処理物を均等に加熱するこ
とが可能となり、被処理物への成膜処理などの各種の処
理を面内において均等に行なうことが可能となる。ま
た、窒化アルミニウムをセラミックス基体に用いている
ため、耐熱性、耐食性、絶縁性および熱伝導率について
も良好な特性を得ることができる。
【００１５】上記の被処理物保持体において好ましく
は、発熱抵抗体を被覆する層には孔が設けられており、
孔の底部において端子部の表面が露出しており、露出し
た端子部に給電用導電部材が電気的に接続される。
は、発熱抵抗体を被覆する層には孔が設けられており、
孔の底部において端子部の表面が露出しており、露出し
た端子部に給電用導電部材が電気的に接続される。
【００１６】このように端子部がセラミックス基体の孔
の底部において露出しているだけで、従来例のようにセ
ラミックス基体表面まで引き延ばされてはいない。この
ため、端子部から発熱部への電流（または電圧）経路の
径が給電用導電部材と端子部との接触面積に依存しない
構成とすることができる。よって、給電用導電部材と端
子部との接触面積に関係なく端子部の抵抗値を設定する
ことができ、これにより均熱性を±１％以内にすること
ができる。
の底部において露出しているだけで、従来例のようにセ
ラミックス基体表面まで引き延ばされてはいない。この
ため、端子部から発熱部への電流（または電圧）経路の
径が給電用導電部材と端子部との接触面積に依存しない
構成とすることができる。よって、給電用導電部材と端
子部との接触面積に関係なく端子部の抵抗値を設定する
ことができ、これにより均熱性を±１％以内にすること
ができる。
【００１７】上記において好ましくは、端子部が、発熱
部の幅以下の幅を有する構成および発熱部より抵抗の高
い材質の少なくともいずれかの構成を有する。
部の幅以下の幅を有する構成および発熱部より抵抗の高
い材質の少なくともいずれかの構成を有する。
【００１８】このように端子部を発熱部の幅以下の幅を
有する構成とすることにより、端子部の抵抗値を発熱部
の抵抗値に対して高くすることができる。また端子部の
材質を発熱部の抵抗より大きな材質を用いることにより
端子部の抵抗を発熱部の抵抗よりも高くすることができ
る。これらの構成を適宜組合わせることにより、端子部
の抵抗値が発熱部の抵抗値に対して適切な値となるよう
に制御することができる。
有する構成とすることにより、端子部の抵抗値を発熱部
の抵抗値に対して高くすることができる。また端子部の
材質を発熱部の抵抗より大きな材質を用いることにより
端子部の抵抗を発熱部の抵抗よりも高くすることができ
る。これらの構成を適宜組合わせることにより、端子部
の抵抗値が発熱部の抵抗値に対して適切な値となるよう
に制御することができる。
【００１９】上記の被処理物保持体において好ましく
は、端子部の厚みが５μｍ以上１００μｍ以下である。
は、端子部の厚みが５μｍ以上１００μｍ以下である。
【００２０】このように５μｍ以上１００μｍ以下の厚
みの厚膜を、印刷などにより幅と厚みを制御して塗布し
て焼付けて発熱抵抗体を形成することにより、発熱部お
よび端子部の双方の抵抗値の制御が非常に容易となる。
たとえば発熱部と端子部における発熱量をシミュレーシ
ョンして設計した太さ、形状に精度よく形成することが
可能となる。場合によってはパターン化して電気抵抗制
御することも非常に容易である。
みの厚膜を、印刷などにより幅と厚みを制御して塗布し
て焼付けて発熱抵抗体を形成することにより、発熱部お
よび端子部の双方の抵抗値の制御が非常に容易となる。
たとえば発熱部と端子部における発熱量をシミュレーシ
ョンして設計した太さ、形状に精度よく形成することが
可能となる。場合によってはパターン化して電気抵抗制
御することも非常に容易である。
【００２１】端子部の厚みが５μｍ未満では端子部内の
厚みのばらつきが大きくなり不均一発熱が生じ、１００
μｍを超えると端子部の発熱量が小さくなり過ぎて熱補
償が困難になる。
厚みのばらつきが大きくなり不均一発熱が生じ、１００
μｍを超えると端子部の発熱量が小さくなり過ぎて熱補
償が困難になる。
【００２２】なお、端子部を抵抗の異なる厚膜で構成す
ることによって端子部の抵抗を制御したり、端子部をパ
ターン化して抵抗値を微妙に制御することによって端子
部から逃げる熱を補償して、端子部に対応した位置の被
処理物搭載面で温度が低下することを防いで均熱性を向
上させることもできる。
ることによって端子部の抵抗を制御したり、端子部をパ
ターン化して抵抗値を微妙に制御することによって端子
部から逃げる熱を補償して、端子部に対応した位置の被
処理物搭載面で温度が低下することを防いで均熱性を向
上させることもできる。
【００２３】上記の被処理物保持体において好ましく
は、端子部の抵抗値が１×１０-4Ω以上である。
は、端子部の抵抗値が１×１０-4Ω以上である。
【００２４】このように端子部の抵抗値を１×１０-4Ω
以上にすることにより均熱性がさらに向上する。
以上にすることにより均熱性がさらに向上する。
【００２５】上記の被処理物保持体において好ましく
は、給電用導電部材は、電極と、その電極に電気的に接
続されたロッドおよび撚り線の少なくともいずれかとを
含んでいる。端子部に電極を介して電気的に接続された
ロッドおよび撚り線のいずれかにより端子部は系外と電
気的に接続される。
は、給電用導電部材は、電極と、その電極に電気的に接
続されたロッドおよび撚り線の少なくともいずれかとを
含んでいる。端子部に電極を介して電気的に接続された
ロッドおよび撚り線のいずれかにより端子部は系外と電
気的に接続される。
【００２６】このように端子部から耐食性のロッドや撚
り線で系外と電気的につなぐことによって、保持体に埋
め込まれた発熱抵抗体に電力を供給して発熱させること
ができる。
り線で系外と電気的につなぐことによって、保持体に埋
め込まれた発熱抵抗体に電力を供給して発熱させること
ができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図に基づいて説明する。
て図に基づいて説明する。
【００２８】図１は、本発明の一実施の形態における被
処理物保持体を備えた処理装置の構成を概略的に示す断
面図である。図１を参照して、この処理装置は、被処理
物保持体に対応するセラミックスモジュール１と、その
セラミックスモジュール１を内部に有するチャンバ４
と、セラミックスモジュール１をチャンバ４に支持する
ための円筒状支持部（パイプ）６とを主に有している。
処理物保持体を備えた処理装置の構成を概略的に示す断
面図である。図１を参照して、この処理装置は、被処理
物保持体に対応するセラミックスモジュール１と、その
セラミックスモジュール１を内部に有するチャンバ４
と、セラミックスモジュール１をチャンバ４に支持する
ための円筒状支持部（パイプ）６とを主に有している。
【００２９】セラミックスモジュール１は、被処理物搭
載面２ｄに被処理物１０を搭載して加熱するものであ
り、１対のセラミックス基体２ａ、２ｂと、発熱抵抗体
３とを有している。１対のセラミックス基体２ａ、２ｂ
の各々は、窒化アルミニウムを含有する材質よりなって
いる。発熱抵抗体３は、１対のセラミックス基体２ａ、
２ｂの間に挟み込まれており、たとえばタングステン
（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）のような高融点金属あるい
は銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、白金
−金（Ｐｔ−Ａｕ）などの金属を主成分として含有する
材質よりなっている。
載面２ｄに被処理物１０を搭載して加熱するものであ
り、１対のセラミックス基体２ａ、２ｂと、発熱抵抗体
３とを有している。１対のセラミックス基体２ａ、２ｂ
の各々は、窒化アルミニウムを含有する材質よりなって
いる。発熱抵抗体３は、１対のセラミックス基体２ａ、
２ｂの間に挟み込まれており、たとえばタングステン
（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）のような高融点金属あるい
は銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、白金
−金（Ｐｔ−Ａｕ）などの金属を主成分として含有する
材質よりなっている。
【００３０】このように構成されるセラミックスモジュ
ール１は、被処理物搭載面２ｄにおける加熱時の温度分
布（温度のばらつき）が±１％の範囲内である。
ール１は、被処理物搭載面２ｄにおける加熱時の温度分
布（温度のばらつき）が±１％の範囲内である。
【００３１】発熱抵抗体３は、たとえば図２に示すよう
に、たとえば円弧状に形成された発熱部３ｂと、その発
熱部３ｂの両端部に配置された端子部３ａとを有してい
る。この端子部３ａは、図３に示すように全面が金属材
料で塗りつぶされたパターンであってもよく、図４に示
すように発熱部３ｂの線幅Ｗ２と同等もしくはそれより
も細い線幅Ｗ１を有するパターンであってもよい。な
お、図３における端子部３ａの線幅Ｗ０は発熱部３ｂの
線幅Ｗ２よりも太い。
に、たとえば円弧状に形成された発熱部３ｂと、その発
熱部３ｂの両端部に配置された端子部３ａとを有してい
る。この端子部３ａは、図３に示すように全面が金属材
料で塗りつぶされたパターンであってもよく、図４に示
すように発熱部３ｂの線幅Ｗ２と同等もしくはそれより
も細い線幅Ｗ１を有するパターンであってもよい。な
お、図３における端子部３ａの線幅Ｗ０は発熱部３ｂの
線幅Ｗ２よりも太い。
【００３２】図１を参照して、セラミックスモジュール
１の被処理物搭載面２ｄの裏面中央部には円筒状支持部
６が接続されている。その円筒状支持部６内には、発熱
抵抗体３の端子部３ａに電気的に接続された給電用導電
部材７が配置されている。
１の被処理物搭載面２ｄの裏面中央部には円筒状支持部
６が接続されている。その円筒状支持部６内には、発熱
抵抗体３の端子部３ａに電気的に接続された給電用導電
部材７が配置されている。
【００３３】図５は、給電用導電部材が発熱抵抗体に電
気的に接続される構成を拡大して示す概略断面図であ
る。図５を参照して、被処理物搭載面２ｄの裏面側に位
置するセラミックス基体２ｂには孔２ｃが設けられてお
り、この孔２ｃの底部において端子部３ａの表面の一部
が露出している。この露出した端子部３ａの表面に、給
電用導電部材に含まれる電極５が電気的に接続されてい
る。
気的に接続される構成を拡大して示す概略断面図であ
る。図５を参照して、被処理物搭載面２ｄの裏面側に位
置するセラミックス基体２ｂには孔２ｃが設けられてお
り、この孔２ｃの底部において端子部３ａの表面の一部
が露出している。この露出した端子部３ａの表面に、給
電用導電部材に含まれる電極５が電気的に接続されてい
る。
【００３４】端子部３ａの厚みＴ１は、発熱部３ｂの厚
みＴ２と同じ厚みであってもよいが、発熱部３ｂの厚み
Ｔ２よりも厚くてもよく、端子部３ａの抵抗値により適
宜選択され得る。また端子部３ａの厚みＴ１は５μｍ以
上１００μｍ以下であることが好ましく、端子部３ａの
抵抗値は１×１０-4Ω以上であることが好ましい。
みＴ２と同じ厚みであってもよいが、発熱部３ｂの厚み
Ｔ２よりも厚くてもよく、端子部３ａの抵抗値により適
宜選択され得る。また端子部３ａの厚みＴ１は５μｍ以
上１００μｍ以下であることが好ましく、端子部３ａの
抵抗値は１×１０-4Ω以上であることが好ましい。
【００３５】端子部３ａの発熱抵抗値が高くなるよう
に、端子部３ａのパターンや厚みは制御される。たとえ
ば、端子部３ａは、発熱部３ｂの厚みＴ２よりも厚い厚
みＴ１を有する構成と、図４に示すように発熱部３ｂの
線幅Ｗ２以下の線幅Ｗ１を有する構成とを組合わせた構
成を有していてもよく、またそれぞれの構成を単独で有
していてもよい。さらに端子部３ａの抵抗値を制御する
ために、端子部３ａは抵抗値の異なる材質を重ね塗りす
ることで形成されてもよいし、シミュレーションにて最
適化した形状、たとえば楕円形状やスリットを入れた形
状などにパターン化されてもよい。このように本実施の
形態の構成では、電気抵抗値を変化させた端子部３ａを
形成することは非常に容易である。
に、端子部３ａのパターンや厚みは制御される。たとえ
ば、端子部３ａは、発熱部３ｂの厚みＴ２よりも厚い厚
みＴ１を有する構成と、図４に示すように発熱部３ｂの
線幅Ｗ２以下の線幅Ｗ１を有する構成とを組合わせた構
成を有していてもよく、またそれぞれの構成を単独で有
していてもよい。さらに端子部３ａの抵抗値を制御する
ために、端子部３ａは抵抗値の異なる材質を重ね塗りす
ることで形成されてもよいし、シミュレーションにて最
適化した形状、たとえば楕円形状やスリットを入れた形
状などにパターン化されてもよい。このように本実施の
形態の構成では、電気抵抗値を変化させた端子部３ａを
形成することは非常に容易である。
【００３６】また端子部３ａの位置に対応する被処理物
搭載面２ｄの温度低下を防ぐために、端子部３ａから系
外へ通じる給電用導電部材７を通じて逃げる熱を補償す
る構成を採用することがより好ましい。そのため、端子
部３ａでの抵抗値が１×１０ -4Ω以上であることがより
好ましい。
搭載面２ｄの温度低下を防ぐために、端子部３ａから系
外へ通じる給電用導電部材７を通じて逃げる熱を補償す
る構成を採用することがより好ましい。そのため、端子
部３ａでの抵抗値が１×１０ -4Ω以上であることがより
好ましい。
【００３７】また図１に示す給電用導電部材７の構成
は、図６に示すように電極５と、その電極５に接続され
たロッド９ａとからなっていてもよく、また図７に示す
ように電極５と、その電極５に接続された撚り線９ｂと
から構成されていてもよい。
は、図６に示すように電極５と、その電極５に接続され
たロッド９ａとからなっていてもよく、また図７に示す
ように電極５と、その電極５に接続された撚り線９ｂと
から構成されていてもよい。
【００３８】この電極５はろう付けなどの手法で端子部
３ａに接合されていてもよい。また、電極５を用いず
に、ろう付けなどの手法で端子部３ａに直接、系外につ
ながるロッド９ａや撚り線９ｂなどが接続されていても
よい。
３ａに接合されていてもよい。また、電極５を用いず
に、ろう付けなどの手法で端子部３ａに直接、系外につ
ながるロッド９ａや撚り線９ｂなどが接続されていても
よい。
【００３９】また、発熱抵抗体３以外に、被処理物との
間に静電力を発生させて被処理物を固定するために用い
られる静電チャック用電極および／あるいはプラズマを
発生させるために用いられるＲＦ電極が被処理物保持体
に埋設されていてもよい。
間に静電力を発生させて被処理物を固定するために用い
られる静電チャック用電極および／あるいはプラズマを
発生させるために用いられるＲＦ電極が被処理物保持体
に埋設されていてもよい。
【００４０】なお、上記においては発熱抵抗体３が１対
のセラミックス基体２ａ、２ｂに挟み込まれた構成につ
いて説明したが、発熱抵抗体３はセラミックス基体２ｂ
以外の材質よりなる保護膜により被覆されていてもよ
い。このようにセラミックス基体２ｂの代わりに保護膜
２ｂを用いた場合でも、この保護膜２ｂには抜きパター
ン２ｃが形成されており、その抜きパターン２ｃの底部
から端子部３ａの表面が露出している必要がある。この
被処理物保持体１は一般に室温〜１２００℃で用いられ
る。
のセラミックス基体２ａ、２ｂに挟み込まれた構成につ
いて説明したが、発熱抵抗体３はセラミックス基体２ｂ
以外の材質よりなる保護膜により被覆されていてもよ
い。このようにセラミックス基体２ｂの代わりに保護膜
２ｂを用いた場合でも、この保護膜２ｂには抜きパター
ン２ｃが形成されており、その抜きパターン２ｃの底部
から端子部３ａの表面が露出している必要がある。この
被処理物保持体１は一般に室温〜１２００℃で用いられ
る。
【００４１】次に、発熱抵抗体３を被処理物保持体１中
に埋設する方法について説明する。発熱抵抗体３をセラ
ミックス中に埋設する手法として、１つの方法では、ま
ずタングステンやモリブデンのような高融点金属、銀−
パラジウム、白金、白金−金などを主成分とする発熱抵
抗体用の粉末に、焼成促進用の助剤を添加したものある
いは無添加のものが溶媒やバインダ中に分散された後に
セラミックス焼結体２ａに塗布されて焼付けられる。こ
のとき、発熱部３ｂと端子部３ａとは連続したパターン
として塗布されて、脱脂、焼付けを施される。発熱部３
ｂと端子部３ａとが焼付けられた焼結体２ａ上に別のセ
ラミックス焼結体２ｂが接合剤を塗布した状態あるいは
塗布なしの状態で重ね合わされて加熱接合される。ある
いは、発熱部３ｂと端子部３ａとが焼付けられた焼結体
２ａの発熱部３ｂ上に耐食性の保護膜２ｂとしての厚膜
が塗布されて焼付けられる。これにより、発熱抵抗体３
が被処理物保持体１中に埋設された構成が得られる。
に埋設する方法について説明する。発熱抵抗体３をセラ
ミックス中に埋設する手法として、１つの方法では、ま
ずタングステンやモリブデンのような高融点金属、銀−
パラジウム、白金、白金−金などを主成分とする発熱抵
抗体用の粉末に、焼成促進用の助剤を添加したものある
いは無添加のものが溶媒やバインダ中に分散された後に
セラミックス焼結体２ａに塗布されて焼付けられる。こ
のとき、発熱部３ｂと端子部３ａとは連続したパターン
として塗布されて、脱脂、焼付けを施される。発熱部３
ｂと端子部３ａとが焼付けられた焼結体２ａ上に別のセ
ラミックス焼結体２ｂが接合剤を塗布した状態あるいは
塗布なしの状態で重ね合わされて加熱接合される。ある
いは、発熱部３ｂと端子部３ａとが焼付けられた焼結体
２ａの発熱部３ｂ上に耐食性の保護膜２ｂとしての厚膜
が塗布されて焼付けられる。これにより、発熱抵抗体３
が被処理物保持体１中に埋設された構成が得られる。
【００４２】発熱部３ｂと端子部３ａとが焼付けられた
焼結体２ａ上に別のセラミックス焼結体２ｂを重ね合わ
せて接合する場合、別の焼結体２ｂ側の端子部３ａに対
応した位置に孔２ｃが設けられる。また、発熱部３ｂと
端子部３ａとが焼付けられた焼結体２ａ上に保護膜２ｂ
を形成する場合、保護膜２ｂの端子部３ａに対応した位
置が抜きパターン２ｃとされる。いずれの場合でも、非
常に容易に孔２ｃもしくは抜きパターン２ｃから端子部
３ａを表出させることが可能である。
焼結体２ａ上に別のセラミックス焼結体２ｂを重ね合わ
せて接合する場合、別の焼結体２ｂ側の端子部３ａに対
応した位置に孔２ｃが設けられる。また、発熱部３ｂと
端子部３ａとが焼付けられた焼結体２ａ上に保護膜２ｂ
を形成する場合、保護膜２ｂの端子部３ａに対応した位
置が抜きパターン２ｃとされる。いずれの場合でも、非
常に容易に孔２ｃもしくは抜きパターン２ｃから端子部
３ａを表出させることが可能である。
【００４３】発熱抵抗体３を被処理物保持体１中に埋設
するもう１つの方法では、高融点金属粉末に焼成促進用
の助剤を添加したものあるいは無添加のものが、溶媒や
バインダ中に分散された後にセラミックス成形体２ａに
塗布される。塗布されたセラミックス成形体２ａ上に別
のセラミックス成形体２ｂが接合剤を塗布した状態ある
いは塗布なしの状態で重ね合わされて同時焼成される。
あるいはセラミックス成形体２ａ上に高融点金属層を塗
布して同時焼成により焼付けた後に、耐食性の保護膜２
ｂとしての厚膜が塗布されて焼付けられる。このとき、
発熱抵抗体３の焼付けと保護膜２ｂの焼付け温度を同じ
になるように調整することで、発熱抵抗体３と保護膜２
ｂとが同時に焼付けられてもよい。
するもう１つの方法では、高融点金属粉末に焼成促進用
の助剤を添加したものあるいは無添加のものが、溶媒や
バインダ中に分散された後にセラミックス成形体２ａに
塗布される。塗布されたセラミックス成形体２ａ上に別
のセラミックス成形体２ｂが接合剤を塗布した状態ある
いは塗布なしの状態で重ね合わされて同時焼成される。
あるいはセラミックス成形体２ａ上に高融点金属層を塗
布して同時焼成により焼付けた後に、耐食性の保護膜２
ｂとしての厚膜が塗布されて焼付けられる。このとき、
発熱抵抗体３の焼付けと保護膜２ｂの焼付け温度を同じ
になるように調整することで、発熱抵抗体３と保護膜２
ｂとが同時に焼付けられてもよい。
【００４４】セラミックス成形体２ａ、２ｂを重ね合わ
せて発熱抵抗体３を埋設して同時焼成する場合、発熱抵
抗体３を塗布しない側の端子部３ａに対応する位置に孔
２ｃを設けた後に重ね合わせが行なわれてもよく、ある
いは重ね合わせてから端子部３ａに対応する位置に孔２
ｃが開口されてもよい。焼結体２ｂを研削して孔２ｃを
あけるのに比べると、セラミックス成形体は柔らかいの
で孔あけは非常に容易である。その際、端子部３ａを傷
つけないようにするため、予め端子部３ａにたとえば円
盤状の樹脂や硬質部材などを当てがって、セラミックス
成形体２ａ，２ｂを接合した後に円盤を掘り出してから
焼結を施すことが好ましい。
せて発熱抵抗体３を埋設して同時焼成する場合、発熱抵
抗体３を塗布しない側の端子部３ａに対応する位置に孔
２ｃを設けた後に重ね合わせが行なわれてもよく、ある
いは重ね合わせてから端子部３ａに対応する位置に孔２
ｃが開口されてもよい。焼結体２ｂを研削して孔２ｃを
あけるのに比べると、セラミックス成形体は柔らかいの
で孔あけは非常に容易である。その際、端子部３ａを傷
つけないようにするため、予め端子部３ａにたとえば円
盤状の樹脂や硬質部材などを当てがって、セラミックス
成形体２ａ，２ｂを接合した後に円盤を掘り出してから
焼結を施すことが好ましい。
【００４５】本実施の形態では、上述した構成を採るこ
とにより、特許第２５１８９６２号の構造（図８）より
も格段に優れた均熱性（±１％以内）を実現することが
できる。以下そのことについて説明する。
とにより、特許第２５１８９６２号の構造（図８）より
も格段に優れた均熱性（±１％以内）を実現することが
できる。以下そのことについて説明する。
【００４６】特許第２５１８９６２号では、図８に示す
ように端子１０３ｂがセラミックス基体１０２の裏面に
まで引き延ばされた構成を有し、その上で電極１０５と
電気的に接続されている。このような構成では、電極１
０５との接続を容易にするためにセラミックス基体１０
２の裏面に露出する柱状の端子１０３ｂの露出面積を大
きくする必要がある。柱状の端子１０３ｂの露出面積を
大きくすると、必然的に端子１０３ｂの径が大きくな
る。このため、電極１０５から発熱抵抗体１０３ａに向
かう方向（矢印Ｂ方向）に直交する端子１０３ｂの断面
積は大きくならざるを得ない。つまり、特許第２５１８
９６２号の構造では、電流（または電圧）経路の径が電
極１０５と端子１０３ｂとの接触面積により規定される
構成であるため、電極１０５との接続を容易にするため
には端子１０３ｂの径も大きくなり、端子１０３ｂでの
発熱量が低下せざるを得ない。
ように端子１０３ｂがセラミックス基体１０２の裏面に
まで引き延ばされた構成を有し、その上で電極１０５と
電気的に接続されている。このような構成では、電極１
０５との接続を容易にするためにセラミックス基体１０
２の裏面に露出する柱状の端子１０３ｂの露出面積を大
きくする必要がある。柱状の端子１０３ｂの露出面積を
大きくすると、必然的に端子１０３ｂの径が大きくな
る。このため、電極１０５から発熱抵抗体１０３ａに向
かう方向（矢印Ｂ方向）に直交する端子１０３ｂの断面
積は大きくならざるを得ない。つまり、特許第２５１８
９６２号の構造では、電流（または電圧）経路の径が電
極１０５と端子１０３ｂとの接触面積により規定される
構成であるため、電極１０５との接続を容易にするため
には端子１０３ｂの径も大きくなり、端子１０３ｂでの
発熱量が低下せざるを得ない。
【００４７】これに対して本実施の形態の構成では、図
５に示すように端子部３ａはセラミックス基体２ｂの孔
２ｃの底部において露出しており、セラミックス基体２
ｂの表面にまで延びてはいない。これにより電極５と接
触する部分の端子部３ａの面積を大きくしても、その接
触部から発熱部３ｂへ向かう方向（たとえば矢印Ａ方
向）に直交する端子部３ａの断面積を小さくすることが
できる。つまり、本実施の形態では、端子部３ａの電流
（または電圧）経路の径が電極５と端子部３ａとの接触
面積で規定されない構成であるため、端子部３ａの抵抗
値を電極５との接触面積と関係なく設定することがで
き、それにより均熱性を±１％以内にすることができ
る。
５に示すように端子部３ａはセラミックス基体２ｂの孔
２ｃの底部において露出しており、セラミックス基体２
ｂの表面にまで延びてはいない。これにより電極５と接
触する部分の端子部３ａの面積を大きくしても、その接
触部から発熱部３ｂへ向かう方向（たとえば矢印Ａ方
向）に直交する端子部３ａの断面積を小さくすることが
できる。つまり、本実施の形態では、端子部３ａの電流
（または電圧）経路の径が電極５と端子部３ａとの接触
面積で規定されない構成であるため、端子部３ａの抵抗
値を電極５との接触面積と関係なく設定することがで
き、それにより均熱性を±１％以内にすることができ
る。
【００４８】なお、本実施の形態の処理装置は、たとえ
ば半導体ウェハや液晶用のガラス基板などの被処理物
に、各種の処理を施すものである。ここで、各種の処理
とは、たとえば、プラズマを用いたＣＶＤ（Chemical V
apor Deposition）、減圧下で行われるＣＶＤ、金属膜
を形成するためのＣＶＤ、絶縁膜を形成するためのＣＶ
Ｄなどにより被処理物上に成膜を行なう処理や、イオン
注入により被処理物中にイオンを注入する処理や、エッ
チングなどにより被処理物の特定の膜を除去もしくはパ
ターニングする処理である。
ば半導体ウェハや液晶用のガラス基板などの被処理物
に、各種の処理を施すものである。ここで、各種の処理
とは、たとえば、プラズマを用いたＣＶＤ（Chemical V
apor Deposition）、減圧下で行われるＣＶＤ、金属膜
を形成するためのＣＶＤ、絶縁膜を形成するためのＣＶ
Ｄなどにより被処理物上に成膜を行なう処理や、イオン
注入により被処理物中にイオンを注入する処理や、エッ
チングなどにより被処理物の特定の膜を除去もしくはパ
ターニングする処理である。
【００４９】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００５０】（実施例１）窒化アルミニウム粉末に焼結
助剤としてイットリア（Ｙ2Ｏ3）を０．５質量％、バイ
ンダとしてポリビニルアルコールを添加してエタノール
を溶媒としてボールミルによって分散混合した。この混
合粉末をスプレードライ乾燥した後、焼結後の形状が直
径３５０ｍｍφ、厚みが６ｍｍとなるようにプレス成形
した。この成形体を温度８００℃の窒素ガス中で脱脂し
た後、温度１８００℃で６時間焼結することによって窒
化アルミニウム焼結体を得た。得られた窒化アルミニウ
ム焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒によって６ｍｍま
で研磨した。
助剤としてイットリア（Ｙ2Ｏ3）を０．５質量％、バイ
ンダとしてポリビニルアルコールを添加してエタノール
を溶媒としてボールミルによって分散混合した。この混
合粉末をスプレードライ乾燥した後、焼結後の形状が直
径３５０ｍｍφ、厚みが６ｍｍとなるようにプレス成形
した。この成形体を温度８００℃の窒素ガス中で脱脂し
た後、温度１８００℃で６時間焼結することによって窒
化アルミニウム焼結体を得た。得られた窒化アルミニウ
ム焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒によって６ｍｍま
で研磨した。
【００５１】この研磨面にタングステン粉末と焼成助剤
とをエチルセルロースバインダにて混練したものを窒化
アルミニウム焼結体の一方の表面上に印刷塗布した。こ
れを渦巻状に窒化アルミニウム焼結体のほぼ全面にわた
って焼結上がりで厚み２０μｍになるように形成した。
発熱回路両端部にφ６ｍｍ端子もパターンに盛り込んで
同時に印刷した。このようにして導電体の印刷パターン
が形成された窒化アルミニウム焼結体を温度８００℃の
窒素ガス中で脱脂した後、温度１７００℃の窒素ガス中
で焼成した。このようにして導電層として発熱体回路パ
ターンが形成された窒化アルミニウム焼結体を準備し
た。
とをエチルセルロースバインダにて混練したものを窒化
アルミニウム焼結体の一方の表面上に印刷塗布した。こ
れを渦巻状に窒化アルミニウム焼結体のほぼ全面にわた
って焼結上がりで厚み２０μｍになるように形成した。
発熱回路両端部にφ６ｍｍ端子もパターンに盛り込んで
同時に印刷した。このようにして導電体の印刷パターン
が形成された窒化アルミニウム焼結体を温度８００℃の
窒素ガス中で脱脂した後、温度１７００℃の窒素ガス中
で焼成した。このようにして導電層として発熱体回路パ
ターンが形成された窒化アルミニウム焼結体を準備し
た。
【００５２】窒化アルミニウム粉末とイットリア粉末
０．５質量％と、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）粉末０．５質量
％とをエチルセルロースバインダで混練したものを印刷
塗布した。この窒化アルミニウム焼結体を温度９００℃
で窒素中にて脱脂した後、温度１７５０℃の窒素ガス中
で加熱することにより保護膜を形成した。このようにし
て被処理物保持体を製造した。パターンは全面ベタ（全
面を金属材料で塗りつぶしたもの）で、端子部のみ抜き
パターンとした。
０．５質量％と、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）粉末０．５質量
％とをエチルセルロースバインダで混練したものを印刷
塗布した。この窒化アルミニウム焼結体を温度９００℃
で窒素中にて脱脂した後、温度１７５０℃の窒素ガス中
で加熱することにより保護膜を形成した。このようにし
て被処理物保持体を製造した。パターンは全面ベタ（全
面を金属材料で塗りつぶしたもの）で、端子部のみ抜き
パターンとした。
【００５３】端子部の電気抵抗は２×１０-3Ωであっ
た。この端子部に系外に通じるロッドを接合した。７０
０℃において搭載面の端子部分に対応した位置での温度
低下は少なく、搭載面全面で７００℃±０．４８％に収
まった。
た。この端子部に系外に通じるロッドを接合した。７０
０℃において搭載面の端子部分に対応した位置での温度
低下は少なく、搭載面全面で７００℃±０．４８％に収
まった。
【００５４】（実施例２）実施例１と同様の製法で、端
子部の電気抵抗値が１×１０-2Ωになるようなパターン
にしてこの部分での発熱量を増やすようにした。
子部の電気抵抗値が１×１０-2Ωになるようなパターン
にしてこの部分での発熱量を増やすようにした。
【００５５】７００℃において端子部での温度低下はさ
らに減少し、搭載面全面で７００℃±０．４０％に収ま
った。
らに減少し、搭載面全面で７００℃±０．４０％に収ま
った。
【００５６】（比較例１）窒化アルミニウム粉末に焼結
助剤としてイットリアを０．５質量％、バインダとして
ポリビニルアルコールを添加してエタノールを溶媒とし
てボールミルによって分散混合した。この混合粉末をス
プレードライ乾燥した後に２枚のプレス成形を行なっ
た。これにより、重ね合わせて焼結した後の形状が、直
径３５０ｍｍφ、厚み２０ｍｍになる１対の成形体と、
直径３５０ｍｍφ、厚み６ｍｍになる１対の成形体とを
形成した。これらの成形体上に幅２．５ｍｍ、深さ２．
５ｍｍの渦巻状の溝を彫り、成形体を温度８００℃の窒
素ガス中で脱脂した。
助剤としてイットリアを０．５質量％、バインダとして
ポリビニルアルコールを添加してエタノールを溶媒とし
てボールミルによって分散混合した。この混合粉末をス
プレードライ乾燥した後に２枚のプレス成形を行なっ
た。これにより、重ね合わせて焼結した後の形状が、直
径３５０ｍｍφ、厚み２０ｍｍになる１対の成形体と、
直径３５０ｍｍφ、厚み６ｍｍになる１対の成形体とを
形成した。これらの成形体上に幅２．５ｍｍ、深さ２．
５ｍｍの渦巻状の溝を彫り、成形体を温度８００℃の窒
素ガス中で脱脂した。
【００５７】成形体の溝内に、両端部にφ５×１０ｍｍ
の端子を有するモリブデン（Ｍｏ）コイル（コイル巻径
φ４ｍｍ）を這わせた。その際、端子の一端が被処理物
搭載面に対して垂直に裏面を向くように置いて、もう１
枚の成形体を重ねた後、温度１８００℃で４時間、圧力
９．８ＭＰａでホットプレス焼結することによって窒化
アルミニウム焼結体を得た。得られた窒化アルミニウム
焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒によって研磨した。
さらに裏面から削り込んでいき、モリブデン端子の端部
を表出させた。端子部の電気抵抗値は３×１０-5Ωであ
った。
の端子を有するモリブデン（Ｍｏ）コイル（コイル巻径
φ４ｍｍ）を這わせた。その際、端子の一端が被処理物
搭載面に対して垂直に裏面を向くように置いて、もう１
枚の成形体を重ねた後、温度１８００℃で４時間、圧力
９．８ＭＰａでホットプレス焼結することによって窒化
アルミニウム焼結体を得た。得られた窒化アルミニウム
焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒によって研磨した。
さらに裏面から削り込んでいき、モリブデン端子の端部
を表出させた。端子部の電気抵抗値は３×１０-5Ωであ
った。
【００５８】上記の表出した端子部に系外に通じるロッ
ドを銀ろう付けした。このロッドから電力を供給し７０
０℃まで昇温し、７００℃における搭載面温度分布を測
定したところ、いずれも端子部に対応した裏側で温度低
下が見られ、２０ｍｍ厚みの保持体の搭載面における均
熱性は７００℃±１．２％となり、６ｍｍ厚みの保持体
の搭載面における均熱性は７００℃±３．０％となっ
た。
ドを銀ろう付けした。このロッドから電力を供給し７０
０℃まで昇温し、７００℃における搭載面温度分布を測
定したところ、いずれも端子部に対応した裏側で温度低
下が見られ、２０ｍｍ厚みの保持体の搭載面における均
熱性は７００℃±１．２％となり、６ｍｍ厚みの保持体
の搭載面における均熱性は７００℃±３．０％となっ
た。
【００５９】今回開示された実施の形態および実施例は
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
【００６０】
【発明の効果】本発明の被処理物保持体によれば、系外
と電気的に接続するための端子部の形状を、端子部と系
外の給電用導電部材との接触面積に関係なく端子部の抵
抗値を設定できる形状としたことにより、窒化アルミニ
ウムをセラミックス基体に用いかつ発熱部および端子部
に高融点金属を含む被処理物保持体において、被処理物
を搭載する面における温度分布を±１％以内にすること
ができ、均熱性の向上を図ることができる。また、窒化
アルミニウムをセラミックス基体に用いているため、耐
熱性、耐食性、絶縁性および熱伝導率についても良好な
特性を得ることができる。これにより、被処理物を均等
に加熱することが可能となり、被処理物に施す処理も均
等に行なうことができる。
と電気的に接続するための端子部の形状を、端子部と系
外の給電用導電部材との接触面積に関係なく端子部の抵
抗値を設定できる形状としたことにより、窒化アルミニ
ウムをセラミックス基体に用いかつ発熱部および端子部
に高融点金属を含む被処理物保持体において、被処理物
を搭載する面における温度分布を±１％以内にすること
ができ、均熱性の向上を図ることができる。また、窒化
アルミニウムをセラミックス基体に用いているため、耐
熱性、耐食性、絶縁性および熱伝導率についても良好な
特性を得ることができる。これにより、被処理物を均等
に加熱することが可能となり、被処理物に施す処理も均
等に行なうことができる。
【図１】 本発明の一実施の形態における被処理物保持
体を備えた処理装置の構成を概略的に示す断面図であ
る。
体を備えた処理装置の構成を概略的に示す断面図であ
る。
【図２】 発熱抵抗体の平面パターンを示す図である。
【図３】 端子部の塗りつぶしパターンを説明するため
の図である。
の図である。
【図４】 端子部の幅が発熱部の幅より小さいパターン
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図５】 発熱抵抗体の端子部に電極が接続された様子
を拡大して示す断面図である。
を拡大して示す断面図である。
【図６】 給電用導電部材にロッドを用いた構成を示す
部分拡大図である。
部分拡大図である。
【図７】 給電用導電部材に撚り線を用いた構成を示す
部分拡大図である。
部分拡大図である。
【図８】 特許第２５１８９６２号に示された端子と電
極との接合の様子を示す概略断面図である。
極との接合の様子を示す概略断面図である。
【符号の説明】 １ セラミックスモジュール（被処理物保持体）、２ａ
セラミックス基体、２ｂ セラミックス基体または保
護膜、２ｃ 孔、２ｄ 被処理物搭載面、３発熱抵抗
体、３ａ 端子部、３ｂ 発熱部、４ チャンバ、５
電極、６ 円筒状支持部、７ 給電用導電部材、９ａ
ロッド、９ｂ 撚り線。
セラミックス基体、２ｂ セラミックス基体または保
護膜、２ｃ 孔、２ｄ 被処理物搭載面、３発熱抵抗
体、３ａ 端子部、３ｂ 発熱部、４ チャンバ、５
電極、６ 円筒状支持部、７ 給電用導電部材、９ａ
ロッド、９ｂ 撚り線。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 3/10 Ｈ０５Ｂ 3/18 ５Ｆ０４５ 3/18 3/20 ３５６ 3/20 ３５６ Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者 仲田 博彦 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内 Ｆターム(参考） 3K034 AA02 AA12 AA21 BA06 BB06 BB14 BC17 CA03 HA10 JA02 JA10 3K092 PP20 QA05 QB02 QB27 QB44 QB62 QB73 QB75 QC02 4K030 CA04 CA12 GA02 KA23 KA46 5F004 AA16 BA19 BB18 BB22 BB26 BB29 BC08 5F031 CA02 CA05 HA02 HA03 HA16 HA18 HA37 PA11 PA30 5F045 EK09 EK21 EM02 EM05 EM09
Claims (6)
- 【請求項１】 窒化アルミニウムを含むセラミックス基
体と発熱抵抗体とを有する被処理物保持体であって、 前記発熱抵抗体は、外部の給電用導電部材に接続するた
めの端子部と前記端子部に電気的に接続された発熱部と
を有し、前記発熱部および前記端子部は金属材料からな
り、 被処理物を搭載する面における温度分布が±１％の範囲
内であることを特徴とする、被処理物保持体。 - 【請求項２】 前記発熱抵抗体を被覆する層には孔が設
けられており、前記孔の底部において前記端子部の表面
が露出しており、露出した前記端子部に前記給電用導電
部材が電気的に接続されることを特徴とする、請求項１
に記載の被処理物保持体。 - 【請求項３】 前記端子部が、前記発熱部の幅以下の幅
を有する構成および前記発熱部より抵抗の高い材質の少
なくともいずれかの構成を有することを特徴とする、請
求項１または２に記載の被処理物保持体。 - 【請求項４】 前記端子部の厚みが５μｍ以上１００μ
ｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれ
かに記載の被処理物保持体。 - 【請求項５】 前記端子部の抵抗値が１×１０-4Ω以上
であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記
載の被処理物保持体。 - 【請求項６】 前記給電用導電部材は、電極と、前記電
極に電気的に接続されたロッドおよび撚り線の少なくと
もいずれかとを含み、 前記端子部に前記電極を介して電気的に接続された前記
ロッドおよび前記撚り線のいずれかにより前記端子部は
系外と電気的に接続されることを特徴とする、請求項１
〜５のいずれかに記載の被処理物保持体。
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